KR102671424B1 - Efem의 기류 안정화 배기장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치 - Google Patents

Efem의 기류 안정화 배기장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 EFEM의 반송실에 설치되어 반송실의 기류를 안정화시키도록 배기하는 EFEM의 기류 안정화 배기장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치에 관한 것으로서, 반송실의 하부에 상방으로 볼록하도록 경사지게 설치되어 기류가 유입되는 유입부와, 이 유입부의 하부 일방에 설치되어 기류가 유출되는 제1 유출부와, 유입부의 하부 타방에 설치되어 기류가 유출되는 제2 유출부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명은 반송실의 하부에 상방으로 볼록하도록 경사지게 설치되어 기류가 외곽둘레에서 중앙 하방으로 유입되는 유입부를 구비함으로써, 반송실의 외곽둘레에서 발생되는 와류를 저감시키는 동시에 반송실의 기류를 안정화시켜 배기성능을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.

Description

EFEM의 기류 안정화 배기장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치{EXHAUST APPARATUS FOR AIR FLOW STABILIZATION IN EQUIPMENT FRONT END MODULE AND SEMICONDUCTOR PROCESS DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 발명은 EFEM의 기류 안정화 배기장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 EFEM의 반송실에 설치되어 반송실의 기류를 안정화시키도록 배기하는 EFEM의 기류 안정화 배기장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정에 있어서 웨이퍼 및 이에 형성되는 반도체 소자는 고정밀도의 물품으로, 보관 및 운반 시 외부의 오염 물질과 충격으로부터 손상되지 않도록 주의해야 한다. 특히, 웨이퍼의 보관 및 운반의 과정에서 그 표면이 먼지, 수분, 각종 유기물 등과 같은 불순물에 의해 오염되지 않도록 관리가 필요하다.
종래에는 반도체의 제조 수율 및 품질의 향상을 위하여, 클린룸(clean room) 내에서의 웨이퍼의 처리가 이루어지곤 하였다. 그러나 소자의 고집적화, 미세화, 웨이퍼의 대형화가 진행됨에 따라, 비교적 큰 공간인 클린룸을 관리하는 것이 비용적으로도 기술적으로도 곤란해져 왔다.
이에 최근에는 클린룸 내 전체의 청정도를 향상시키는 대신, 웨이퍼 주위의 국소적인 공간에 대하여 집중적으로 청정도를 향상시키는 국소환경(mini-environment)의 청정 방식이 적용된다.
한편, 반도체 제조 공정은 식각, 증착, 에칭과 같은 다양한 단위 공정들이 순차적으로 반복된다. 각 공정 처리 과정에서 웨이퍼 상에 이물질 또는 오염 물질이 잔존하게 되어 불량이 발생하거나 반도체 공정 수율이 낮아지는 문제가 있었다.
따라서 반도체 공정에 있어서, 웨이퍼는 여러 프로세스 챔버 또는 반도체처리 공간으로 이송되는데 이때, 웨이퍼를 하나의 처리 공간에서 다른 처리 공간으로 이송시키는 동안 웨이퍼에 이물질이나 오염 물질이 부착되는 것을 최소화하기 위한 다양한 수단이 구비되어 있다.
EFEM(Equipment Front End Module)을 포함하는 반도체 공정장치는, 도 1 내지 도 3에 나타낸 바와 같이 로드포트모듈(110; LPM(Load Port Module)), 웨이퍼 용기(120; FOUP(Front Opening Unified Pod)), 팬필터유닛(130; FFU(Fan Filter Unit)) 및 웨이퍼 반송실(140)을 포함하여 이루어져 있다.
웨이퍼를 고청정한 환경에서 보관하기 위하여 개구 통합형 포드(Front-Opening Unified Pod ; FOUP)라는 웨이퍼 용기(120)가 사용되며, 웨이퍼 용기(120) 에서 반도체 처리공간으로 웨이퍼가 이동하는 경로에 웨이퍼 반송실(140)이 형성되고, 웨이퍼 반송실(140)은 팬필터유닛(130)에 의하여 청정한 공간으로 유지된다.
웨이퍼 반송실(140) 내에 설치된 아암 로봇 등의 웨이퍼 반송로봇(150)에 의해, 웨이퍼 용기(120) 내의 웨이퍼가 로드포트모듈(110)을 통하여 웨이퍼 반송실(140) 내로 반출되거나 또는 웨이퍼 반송실(140)로부터 웨이퍼 용기(120) 내에 수납할 수 있도록 구성된다.
로드포트모듈(110)의 도어(111)와 웨이퍼 용기(120)의 전방면에 설치된 도어가 밀착된 상태에서 동시에 개방되고, 개방된 영역을 통하여 웨이퍼가 반출되거나 또는 수납된다.
일반적으로, 반도체 처리 공정을 거친 웨이퍼 표면에는 공정 후 발생하는 퓸 (Fume)이 잔류하고 이에 의해 화학반응 발생되어 반도체 웨이퍼의 생산성을 저하시키는 원인으로 작용한다.
나아가 웨이퍼의 반출 또는 수납을 위하여 웨이퍼 용기(120)의 도어(111)가 오픈된 경우, 웨이퍼 용기(120)의 내부의 퍼지 가스 농도는 일정 수준 유지되도록 제어되고 웨이퍼 용기 내로 유입된 외기는 필터링되도록 동작한다.
하지만, 웨이퍼 용기(120) 내부로 유입된 외기에 의해 웨이퍼 용기(120)의 내부에 일부 필터링되지 않은 공기가 존재하게 되고, 웨이퍼 반송실(140)의 대기 환경은 미립자가 제어된 청정 공기이기는 하지만 산소, 수분 등이 포함되어 있고, 이러한 공기가 웨이퍼 용기(120)의 내부로 유입되어 내부 습도가 상승하게 되면 웨이퍼의 표면이 외기에 함유된 수분 또는 산소에 의해 산화될 가능성이 있다.
따라서, 웨이퍼 반송실(140)로부터 웨이퍼 용기(120)로 외기가 유입되는 것을 효과적으로 차단할 수 있는 수단으로서, 종래에는 로드포트모듈(110)과 웨이퍼 용기(120)의 덮개의 개폐에 의해 이중의 도어 개폐 수단을 구비함으로써 외기를 차단할 수는 있으나, 상하 방향으로 슬라이딩 이동하는 도어 부재(111)를 구비함으로써 로드 포트의 구성이 상당히 복잡해지는 문제가 있었다.
그 뿐만 아니라, 도어 부재를 상하로 이동시켜 외기를 차단함에 따라, 웨이퍼의 반출 및 수납에 소요되는 시간이 상당히 증가하게 되고, 이로 인해 웨이퍼 용기의 내부 습도가 변화되어 반도체의 제조 수율의 감소로 이어지게 되는 문제점이 있었다.
특히, 웨이퍼 용기(120)에서 웨이퍼가 출입하는 출입구에서 외기가 웨이퍼 용기(120)의 내부로 유입되어 출입구에서 내부 습도가 상승하게 되면 웨이퍼의 표면이 외기에 함유된 수분 또는 산소에 의해 손상되어 수율이 저하되는 문제도 있었다.
따라서, 반도체의 고 집적화와 수율 향상을 위해 EFEM의 내부 청정도 관리가 중요시 되고 있고, 특히 에칭(Etching) 공정 장비의 EFEM의 내부는 공정 진행 후 흄이 발생하고, 도 3에 나타낸 바와 같이 EFEM의 내부 전체로 퍼지며, 공정을 마치고 다시 풉(FOUP)에 적재되는 웨이퍼에서도 흄이 발생한다는 문제점이 있었다.
이러한 흄을 제거 하기 위해 EFEM 상단에 FFU로 기류를 형성하여 EFEM의 하부로 배출하게 되나, 이러하 경우에 발생되는 문제는 발생한 흄의 자연 배기가 아닌 FFU의 압력에 의한 배기시 밀폐 구조가 아닌 도 3에 나타낸 바와 같이 EFEM으로 인해 원하지 않는 측면 배출이 발생한다는 문제가 있었다.
또한, EFEM의 외부로 자연배기가 되어 인체에 유해하게 되므로 이를 해결하기 위해 다양한 방식이 제시 되었다. 종래의 배기장치는 반송 로봇 근처에서 강제 배기 형태의 배출구가 마련된 기술이 제안되었다
종래의 반송 로봇 부근에 수평한 배기 덕트(171)를 구비한 배기 라인(170)으로 배출하는 배기장치는, 풉(FOUP)과 공정장비 투입구 대비 약간 낮은 위치에서 EFEM 내부를 채우는 수평한 구조 해당 위치에 배기량을 조절하는 구조로서, 공정 웨이퍼의 반송경로에 갑자기 좁은 배기 구조가 형성되어 EFEM의 내부에 와류가 발생하며, 따라서 흄의 효과적인 배출이 어려워 진다는 문제가 있었다.
특히, 이러한 와류는 EFEM의 외곽둘레 부위에 집중되어 가장 많은 흄이 발생하는 영역에서 흄의 와류가 형성되고, EFEM의 중심보다 외부의 기류 속도가 느리기 때문에 와류의 발생이 더 심각해 진다는 문제도 있었다.
대한민국 등록특허 제10-1758214호 (2017년07월14일) 대한민국 등록특허 제10-2100775호 (2020년04월14일) 대한민국 등록특허 제10-2124372호 (2020년06월18일)
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위해 안출한 것으로서, 반송실의 하부에 상방으로 볼록하도록 경사지게 설치되어 기류가 외곽둘레에서 중앙 하방으로 유입되는 유입부를 구비함으로써, 반송실의 외곽둘레에서 발생되는 와류를 최소화시키는 동시에 반송실의 기류를 안정화시켜 배기성능을 향상시킬 수 있는 EFEM의 기류 안정화 배기장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 유입부의 하부 중앙에 유출부를 추가로 설치함으로써, 반송실의 외곽둘레에서 발생되는 와류를 중앙 하방에 집중시켜 배기성능을 향상시키고 배기속도를 증가시킬 수 있는 EFEM의 기류 안정화 배기장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 유입부로서 상층과 중간층과 하층에 각 유입단을 다단으로 설치함으로써, 상하층의 부위 별로 기류의 안정화를 유지하는 동시에 가류의 안정화 성능을 향상시킬 수 있는 EFEM의 기류 안정화 배기장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 유입부로서 상층과 중간층과 하층에 각 유입구의 사이즈를 다르게 형성함으로써, 흄이 다발하는 외곽부위인 공정장비의 투입구와 배출구와 풉의 부근에서 빠른 흄의 배기가 가능하여 반송실 내부의 기류의 청결화를 유지할 수 있는 EFEM의 기류 안정화 배기장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 유입부로서 상층과 중간층과 하층에 각 유입구의 사이즈를 조절하도록 설치함으로써, 흄이 다발하는 외곽부위에 대각선 방향의 넓은 면적에서 개별적으로 또는 구역별로 배기구를 조절하여 흄의 배기량과 배기속도를 넓은 범위에서 정밀하게 조절할 수 있는 EFEM의 기류 안정화 배기장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 유입부로서 상층과 중간층과 하층에 기류의 유입을 개폐하도록 유입개폐편을 각각 설치함으로써, 유입부의 상하층에서 개별적으로 또는 구역별로 배기구를 개폐하여 배기를 조정할 수 있는 EFEM의 기류 안정화 배기장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 유입부가 EFEM의 내부 기류가 와류 없이 원활히 배출되도록 대각선 형태의 배기부재로 구성되므로, EFEM의 중심 대비 외부가 더 넓은 공간을 제공하여 상대적으로 느린 EFEM의 외부의 배기 속도를 증가시킬 수 있고, 각 대각선의 배기부재가 개별의 복수개의 단으로 다단으로 구성되어 효과적으로 기류 안정화를 조정할 수 있고, FOUP의 도어(Door)와 공정 장비 투입구의 도어(Door)와 간섭 없이 적용이 가능하고 배기 시스템이 없는 EFEM에도 간단히 설치할 수 있는 EFEM의 기류 안정화 배기장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 유입부는 대각선 넓은 면적의 배기구를 형성하여 흄이 다량 발생하는 EFEM 외곽부위에 집중적인 배기가 가능하여 와류의 발생을 최소화할 수 있는 EFEM의 기류 안정화 배기장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, EFEM의 반송실에 설치되어 반송실의 기류를 안정화시키도록 배기하는 EFEM의 기류 안정화 배기장치로서, 반송실의 하부에 상방으로 볼록하도록 경사지게 설치되어 기류가 유입되는 유입부(10); 상기 유입부(10)의 하부 일방에 설치되어 기류가 유출되는 제1 유출부(20); 및 상기 유입부(10)의 하부 타방에 설치되어 기류가 유출되는 제2 유출부(30);를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 유입부(10)의 하부 중앙에 설치되어, 기류가 유출되는 제3 유출부(40);를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 유입부(10)는, 상측부위에서 기류가 유입되도록 구획된 제1 유입단; 상기 제1 유입단의 하방에 설치되어, 중간부위에서 기류가 유입되도록 구획된 제2 유입단; 및 상기 제2 유입단의 하방에 설치되어, 하측부위에서 기류가 유입되도록 구획된 제3 유입단;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 유입부(10)는, 상측부위에서 기류의 유입량을 조절하도록 설치된 제1 유입구; 상기 제1 유입구의 하방에 설치되어, 중간부위에서 기류의 유입량을 조절하도록 설치된 제2 유입구; 및 상기 제2 유입구의 하방에 설치되어, 하측부위에서 기류의 유입량을 조절하도록 설치된 제3 유입구;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 제1 유입구의 사이즈는 상기 제2 유입구 보다 작게 형성되어 있고, 상기 제2 유입구의 사이즈는 상기 제3 유입구 보다 작게 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 유입부(10)는, 상측부위에서 기류의 유입을 개폐하도록 설치된 제1 유입편; 상기 제1 유입편의 하방에 설치되어, 중간부위에서 기류의 유입을 개폐하도록 설치된 제2 유입편; 및 상기 제2 유입편의 하방에 설치되어, 하측부위에서 기류의 유입을 개폐하도록 설치된 제3 유입편;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 기재된 EFEM의 기류 안정화 배기장치를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 공정장치이다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 반송실의 하부에 상방으로 볼록하도록 경사지게 설치되어 기류가 외곽둘레에서 중앙 하방으로 유입되는 유입부를 구비함으로써, 반송실의 외곽둘레에서 발생되는 와류를 최소화시키는 동시에 반송실의 기류를 안정화시켜 배기성능을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 유입부의 하부 중앙에 유출부를 추가로 설치함으로써, 반송실의 외곽둘레에서 발생되는 와류를 중앙 하방에 집중시켜 배기성능을 향상시키고 배기속도를 증가시킬 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 유입부로서 상층과 중간층과 하층에 각 유입단을 다단으로 설치함으로써, 상하층의 부위 별로 기류의 안정화를 유지하는 동시에 가류의 안정화 성능을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 유입부로서 상층과 중간층과 하층에 각 유입구의 사이즈를 다르게 형성함으로써, 흄이 다발하는 외곽부위인 공정장비의 투입구와 배출구와 풉의 부근에서 빠른 흄의 배기가 가능하여 반송실 내부의 기류의 청결화를 유지할 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 유입부로서 상층과 중간층과 하층에 각 유입구의 사이즈를 조절하도록 설치함으로써, 흄이 다발하는 외곽부위에 대각선 방향의 넓은 면적에서 개별적으로 또는 구역별로 배기구를 조절하여 흄의 배기량과 배기속도를 넓은 범위에서 정밀하게 조절할 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 유입부로서 상층과 중간층과 하층에 기류의 유입을 개폐하도록 유입개폐편을 각각 설치함으로써, 유입부의 상하층에서 개별적으로 또는 구역별로 배기구를 개폐하여 배기를 조정할 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 유입부가 EFEM의 내부 기류가 와류 없이 원활히 배출되도록 대각선 형태의 배기부재로 구성되므로, EFEM의 중심 대비 외부가 더 넓은 공간을 제공하여 상대적으로 느린 EFEM의 외부의 배기 속도를 증가시킬 수 있고, 각 대각선의 배기부재가 개별의 복수개의 단으로 다단으로 구성되어 효과적으로 기류 안정화를 조정할 수 있고, FOUP의 도어(Door)와 공정 장비 투입구의 도어(Door)와 간섭 없이 적용이 가능하고 배기 시스템이 없는 EFEM에도 간단히 설치할 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 유입부는 대각선 넓은 면적의 배기구를 형성하여 흄이 다량 발생하는 EFEM 외곽부위에 집중적인 배기가 가능하여 와류의 발생을 최소화할 수 있는 효과를 제공한다.
도 1은 종래의 EFEM을 나타내는 구성도.
도 2는 종래의 EFEM의 배기상태를 나타내는 상태도.
도 3은 종래의 EFEM의 배기장치를 구비한 반도체 공정장치를 나타내는 구성도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 기류 안정화 배기장치를 구비한 반도체 공정장치를 나타내는 구성도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 기류 안정화 배기장치의 배기상태를 나타내는 상태도.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 기류 안정화 배기장치의 일예를 나타내는 구성도.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 기류 안정화 배기장치의 다른예를 나타내는 구성도.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시예를 더욱 상세히 설명한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 기류 안정화 배기장치를 구비한 반도체 공정장치를 나타내는 구성도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 기류 안정화 배기장치의 배기상태를 나타내는 상태도이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 기류 안정화 배기장치의 일예를 나타내는 구성도이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 기류 안정화 배기장치의 다른예를 나타내는 구성도이다.
본 발명의 반도체 공정장치는, 본 실시예의 EFEM의 기류 안정화 배기장치를 구비한 반도체 공정장치로서, 도 4에 나타낸 바와 같이, 로드포트모듈(110; LPM(Load Port Module)), 웨이퍼 용기(120; FOUP(Front Opening Unified Pod)), 팬필터유닛(130; FFU(Fan Filter Unit)) 및 웨이퍼 반송실(140)을 포함하여 이루어져, EFEM의 기류 안정화 배기장치가 장착된 EFEM(Equipment Front End Module)으로 이루어질 수 있다.
로드포트모듈(110; LPM)은, 반도체 제조용 웨이퍼를 담아두는 웨이퍼 용기(120; FOUP(Front Opening Universal Pod))의 도어(111)를 열거나 닫으면서 웨이퍼가 반송될 수 있도록 해주는 장치이다.
이러한 로드포트모듈(110; LPM)은, 스테이지 유닛에 웨이퍼 용기(120; FOUP(Front Opening Unified Pod))가 장착되면 웨이퍼 용기(120)의 내부로 질소가스를 주입하고, 웨이퍼 용기(120)의 내부의 오염물질을 웨이퍼 용기(120)의 외부로 배출하여 웨이퍼 용기(120)의에 저장되어 이송되는 웨이퍼가 오염물질로 인하여 훼손되는 것을 방지하는 구성이다.
웨이퍼 용기(120)는 내부에 복수의 웨이퍼가 적재되는 적재공간이 형성되고, 도어가 개방되며 웨이퍼가 반출되도록 하거나 또는 수납되도록 한다. 이러한 웨이퍼 용기(120)는 개구 통합형 포드(Front-Opening Unified Pod ; FOUP)로 이루어질 수 있다.
팬필터유닛(130)은, 웨이퍼 반송실(140)의 상부에 설치되며, 퓸과 같은 분자성 오염 물질, 먼지와 같은 미립자가 제거함으로써 웨이퍼 반송실(140) 내의 공기를 청정하게 유지한다. 통상 웨이퍼 반송실(140) 내의 공기의 흐름은 팬필터유닛(130)이 설치된 상부에서 하부로 형성된다.
웨이퍼 반송실(140)은, 복수의 웨이퍼가 적재되는 웨이퍼 용기(120)와, 반도체 공정에 의해 웨이퍼가 처리되며 도어수단(161)이 구비된 처리공간(160)의 사이에 형성되는 공간부재이다.
이러한 웨이퍼 반송실(140)은 웨이퍼를 하나의 처리 공간에서 다른 처리 공간으로 반송로봇 등의 이송수단(150)에 의해 이송되는 동안 웨이퍼에 이물질이나 오염 물질이 부착되는 것을 최소화하기 위하여 청정한 공간으로 유지하도록 하부에 배기장치를 구비하게 된다.
도 4 내지 도 6에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에 의한 EFEM의 기류 안정화 배기장치는, 유입부(10), 제1 유출부(20) 및 제2 유출부(30)를 포함하여 이루어져, EFEM의 반송실에 설치되어 반송실의 기류를 안정화시키도록 배기하는 EFEM의 기류 안정화 배기장치이다.
유입부(10)는, 반송실(140)의 하부에 중앙부위가 상방으로 볼록하도록 경사지게 다단으로 설치되어 기류가 외곽둘레에서 중앙 하방으로 경사지게 유입되는 유입수단으로서, 제1 유입단(11), 제2 유입단(12), 제3 유입단(13), 제1 유입구(14), 제2 유입구(15), 제3 유입구(16), 제1 유입편(17), 제2 유입편(18) 및 제3 유입편(19)으로 이루어져 있다.
이러한 유입부(10)에 의하면, 반송실(140)의 하부에 사각뿔 형상으로 형성되되 측면부위가 대각선방향의 중앙 상방으로 경사지게 형성되어 기류가 외곽둘레에서 중앙 하방으로 경사지게 유입하게 된다.
제1 유입단(11)은, 유입부(10)의 상측부위에서 기류가 경사지게 유입되도록 경사지게 구획된 유입수단으로서, 중앙부위가 상방으로 볼록하도록 경사지게 형성된 배기부재로 이루어져 유입부(10)의 상측부위의 외곽둘레에서 중앙 하방으로 경사지게 기류를 유입시키게 된다.
제2 유입단(12)은, 제1 유입단의 하방에 설치되어 유입부(10)의 중간부위에서 기류가 경사지게 유입되도록 경사지게 구획된 유입수단으로서, 중앙부위가 상방으로 볼록하도록 경사지게 형성된 배기부재로 이루어져 유입부(10)의 중간부위의 외곽둘레에서 중앙 하방으로 경사지게 기류를 유입시키게 된다.
제3 유입단(13)은, 제2 유입단의 하방에 설치되어 유입부(10)의 하측부위에서 기류가 경사지게 유입되도록 경사지게 구획된 유입수단으로서, 중앙부위가 상방으로 볼록하도록 경사지게 형성된 배기부재로 이루어져 유입부(10)의 하측부위의 외곽둘레에서 중앙 하방으로 경사지게 기류를 유입시키게 된다.
제1 유입구(14)는, 유입부(10)의 상측부위에서 기류의 유입량을 조절하도록 설치된 유입구로서, 제1 유입단(11)의 경사진 측면에 복수개가 이격 형성되어 기류가 유입된다.
이러한 복수개의 제1 유입구(14)에는 슬라이딩식 커버나 회전식 커버가 각각 설치되어, 제1 유입구(14)에서 개별적으로 또는 구역별로 개폐량을 조절하여 기류의 유입량을 변화시켜 기류를 안정화시키는 것도 가능하게 된다.
제2 유입구(15)는, 제1 유입구(14)의 하방에 설치되어 유입부(10)의 중간부위에서 기류의 유입량을 조절하도록 설치된 유입구로서, 제2 유입단(12)의 경사진 측면에 복수개가 이격 형성되어 기류가 유입된다.
이러한 복수개의 제2 유입구(15)에는 슬라이딩식 커버나 회전식 커버가 각각 설치되어, 제2 유입구(15)에서 개별적으로 또는 구역별로 개폐량을 조절하여 기류의 유입량을 변화시켜 기류를 안정화시키는 것도 가능하게 된다.
제3 유입구(16)는, 제2 유입구의 하방에 설치되어 유입부(10)의 하측부위에서 기류의 유입량을 조절하도록 설치된 유입구로서, 제3 유입단(13)의 경사진 측면에 복수개가 이격 형성되어 기류가 유입된다.
이러한 복수개의 제3 유입구(16)에는 슬라이딩식 커버나 회전식 커버가 각각 설치되어, 제3 유입구(16)에서 개별적으로 또는 구역별로 개폐량을 조절하여 기류의 유입량을 변화시켜 기류를 안정화시키는 것도 가능하게 된다.
또한, 제1 유입구(14)의 사이즈는 제2 유입구(15) 보다 작게 형성되어 있고, 제2 유입구(15)의 사이즈는 제3 유입구(16) 보다 작게 형성되어, 유입부(10)의 하방으로 갈수록 유입구의 사이즈가 크게 형성되어 기류의 유동을 원활하게 하는 것이 바람직하다.
제1 유입편(17)은, 유입부(10)의 상측부위에서 기류의 유입을 개폐하도록 설치된 개폐수단으로서, 제1 유입단(11)의 하류에 설치되는 밸브 등과 같은 개폐부재로 이루어져 제1 유입단(11)의 하류에서 배기를 조절하게 된다.
제2 유입편(18)은, 제1 유입편(17)의 하방에 설치되어 유입부(10)의 중간부위에서 기류의 유입을 개폐하도록 설치된 개폐수단으로서, 제2 유입단(12)의 하류에 설치되는 밸브 등과 같은 개폐부재로 이루어져 제2 유입단(12)의 하류에서 배기를 조절하게 된다.
제3 유입편(19)은, 제2 유입편(18)의 하방에 설치되어 유입부(10)의 하측부위에서 기류의 유입을 개폐하도록 설치된 개폐수단으로서, 제3 유입단(13)의 하류에 설치되는 밸브 등과 같은 개폐부재로 이루어져 제3 유입단(13)의 하류에서 배기를 조절하게 된다.
이러한 제1 내지 제3 유입편은 각각의 유입단에 매니폴더로 구성된 각 매니폴더에 별도 설치된 배기 개폐 밸브로 이루어져, 배기의 조정이 가능한 매니폴더를 구성하게 된다.
제1 유출부(20)는, 유입부(10)의 하부 일방에 설치되어 기류가 유출되는 배기수단으로서, 유입부(10)에서 유입된 기류를 하방 일단으로 용이하게 배기시키도록 하류에 배기팬이나 배기펌프 등과 같은 배기부재가 설치되어 있는 것도 가능함은 물론이다.
제2 유출부(30)는, 유입부(10)의 하부 타방에 설치되어 기류가 유출되는 배기수단으로서, 유입부(10)에서 유입된 기류를 하방 타단으로 용이하게 배기시키도록 하류에 배기팬이나 배기펌프 등과 같은 배기부재가 설치되어 있는 것도 가능함은 물론이다.
또한, 본 발명의 기류 안정화 배기장치는, 도 7에 나타낸 바와 같이 유입부(10)의 하부 중앙에 설치되어 기류가 유출되는 제3 유출부(40)를 더 포함하여 이루어지는 것도 가능함은 물론이다.
제3 유출부(40)는, 유입부(10)의 하부 중앙에 설치되어 기류가 유출되는 배기수단으로서, 유입부(10)에서 유입된 기류를 하방 중앙으로 용이하게 배기시키도록 하류에 배기팬이나 배기펌프 등과 같은 배기부재가 설치되어 있는 것도 가능함은 물론이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 반송실의 하부에 상방으로 볼록하도록 경사지게 설치되어 기류가 외곽둘레에서 중앙 하방으로 유입되는 유입부를 구비함으로써, 반송실의 외곽둘레에서 발생되는 와류를 최소화시키는 동시에 반송실의 기류를 안정화시켜 배기성능을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 유입부의 하부 중앙에 유출부를 추가로 설치함으로써, 반송실의 외곽둘레에서 발생되는 와류를 중앙 하방에 집중시켜 배기성능을 향상시키고 배기속도를 증가시킬 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 유입부로서 상층과 중간층과 하층에 각 유입단을 다단으로 설치함으로써, 상하층의 부위 별로 기류의 안정화를 유지하는 동시에 가류의 안정화 성능을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 유입부로서 상층과 중간층과 하층에 각 유입구의 사이즈를 다르게 형성함으로써, 흄이 다발하는 외곽부위인 공정장비의 투입구와 배출구와 풉의 부근에서 빠른 흄의 배기가 가능하여 반송실 내부의 기류의 청결화를 유지할 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 유입부로서 상층과 중간층과 하층에 각 유입구의 사이즈를 조절하도록 설치함으로써, 흄이 다발하는 외곽부위에 대각선 방향의 넓은 면적에서 개별적으로 또는 구역별로 배기구를 조절하여 흄의 배기량과 배기속도를 넓은 범위에서 정밀하게 조절할 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 유입부로서 상층과 중간층과 하층에 기류의 유입을 개폐하도록 유입개폐편을 각각 설치함으로써, 유입부의 상하층에서 개별적으로 또는 구역별로 배기구를 개폐하여 배기를 조정할 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 유입부가 EFEM의 내부 기류가 와류 없이 원활히 배출되도록 대각선 형태의 배기부재로 구성되므로, EFEM의 중심 대비 외부가 더 넓은 공간을 제공하여 상대적으로 느린 EFEM의 외부의 배기 속도를 증가시킬 수 있고, 각 대각선의 배기부재가 개별의 복수개의 단으로 다단으로 구성되어 효과적으로 기류 안정화를 조정할 수 있고, FOUP의 도어(Door)와 공정 장비 투입구의 도어(Door)와 간섭 없이 적용이 가능하고 배기 시스템이 없는 EFEM에도 간단히 설치할 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 유입부는 대각선 넓은 면적의 배기구를 형성하여 흄이 다량 발생하는 EFEM 외곽부위에 집중적인 배기가 가능하여 와류의 발생을 최소화할 수 있는 효과를 제공한다.
이상 설명한 본 발명은 그 기술적 사상 또는 주요한 특징으로부터 벗어남이 없이 다른 여러 가지 형태로 실시될 수 있다. 따라서 상기 실시예는 모든 점에서 단순한 예시에 지나지 않으며 한정적으로 해석되어서는 안 된다.
10: 유입부
20: 제1 유출부
30: 제2 유출부
40: 제3 유출부

Claims (7)

  1. EFEM의 반송실에 설치되어 반송실의 기류를 안정화시키도록 배기하는 EFEM의 기류 안정화 배기장치로서,
    반송실의 하부에 상방으로 볼록하도록 경사지게 설치되어 기류가 유입되는 유입부(10);
    상기 유입부(10)의 하부 일방에 설치되어 기류가 유출되는 제1 유출부(20); 및
    상기 유입부(10)의 하부 타방에 설치되어 기류가 유출되는 제2 유출부(30);를 포함하고,
    상기 유입부(10)는,
    상측부위에서 기류가 유입되도록 구획된 제1 유입단;
    상기 제1 유입단의 하방에 설치되어, 중간부위에서 기류가 유입되도록 구획된 제2 유입단;
    상기 제2 유입단의 하방에 설치되어, 하측부위에서 기류가 유입되도록 구획된 제3 유입단;
    상기 제1 유입단의 하류에 설치되되 상측부위에서 기류의 유입을 개폐하도록 설치되어, 상기 제1 유입단의 하류에서 배기를 조절하는 제1 유입편;
    상기 제2 유입단의 하류에 설치되되 중간부위에서 기류의 유입을 개폐하도록 설치되어, 상기 제2 유입단의 하류에서 배기를 조절하는 제2 유입편; 및
    상기 제3 유입단의 하류에 설치되되 하측부위에서 기류의 유입을 개폐하도록 설치되어, 상기 제3 유입단의 하류에서 배기를 조절하는 제3 유입편;을 포함하는 것을 특징으로 하는 EFEM의 기류 안정화 배기장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 유입부(10)의 하부 중앙에 설치되어, 기류가 유출되는 제3 유출부(40);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 EFEM의 기류 안정화 배기장치.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 유입부(10)는,
    상측부위에서 기류의 유입량을 조절하도록 설치된 제1 유입구;
    상기 제1 유입구의 하방에 설치되어, 중간부위에서 기류의 유입량을 조절하도록 설치된 제2 유입구; 및
    상기 제2 유입구의 하방에 설치되어, 하측부위에서 기류의 유입량을 조절하도록 설치된 제3 유입구;를 포함하는 것을 특징으로 하는 EFEM의 기류 안정화 배기장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제1 유입구의 사이즈는 상기 제2 유입구 보다 작게 형성되어 있고, 상기 제2 유입구의 사이즈는 상기 제3 유입구 보다 작게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 EFEM의 기류 안정화 배기장치.
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 기재된 EFEM의 기류 안정화 배기장치를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 공정장치.
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