JP2012151500A - 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理装置の用力供給装置及び基板処理装置の用力供給方法 - Google Patents

Abstract

【課題】熱処理装置等の処理装置の増設を容易にし、装置自体に係る処理のスループットを向上させると共に各熱処理装置の処理能力の管理を容易化し、被処理基板の処理に係る歩留まりを向上することができる。
【解決手段】被処理基板を熱処理部に移動自在に構成され被処理基板に対して温調自在に構成された温調機構７０を各々備えた熱処理装置ＨＰを複数積層して構成された熱処理装置ブロックを複数具備した基板処理装置であって、前記熱処理装置ブロックＨＰＢ毎に供給される所定の温度に設定された冷却液を供給する冷却液供給機構８１と、この冷却液供給機構８１より供給される冷却液は分岐され１つの熱処理装置ブロック内の複数の熱処理部ＨＰの温調機構７０に各々冷却液を供給する供給機構９９と、温調機構側から熱処理部側に向かって気体の流れを形成する排気口を熱処理部の温調機構の対抗する側に少なくとも１つ具備し構成された排気機構と、を具備する。
【選択図】図１４

Description

本発明は、基板処理装置及び基板処理方法及び基板処理装置の処理能力供給装置及び基板処理装置の処理能力供給方法に関する。

被処理基板、例えば半導体ウエハ等の電子材料を製造する処理するＳＯＧ液・フォトレジスト液を使用した塗布・現像装置に用いられる熱処理装置等において、半導体ウエハを冷却する冷却プレートと半導体ウエハを加熱処理する熱板とを共に内蔵した熱処理装置を用いることは一般的に知られている。このような技術の一例として例えば、日本の公開公報の特開２００３−７７９０６号公報がある。

特開平２００３−７７９０６号公報

この技術は、同公報の段落番号[００３２]に記載されているように、熱処理装置の冷却プレートを温度管理するのに冷却水やペルチェ素子等を利用し管理するものであった。

しかしながら、熱処理装置を複数有する場合、各々独立に制御する必要がある。例えばペルチェ素子を使用する場合は、各熱処理装置毎に制御せざるを得なく装置全体としてのシステムの複雑化、それに伴うシステムの大型化及び高価格化を引き起こしてしまうと言う問題があった。また、各熱処理装置にて、例えば、冷却水を使用する場合においても各熱処理装置毎に使用する冷却水の温度を管理することとしていたので、装置全体としてのシステムの複雑化、それに伴うシステムの大型化及び高価格化を引き起こしてしまうと言う問題があった。

本発明の主たる観点によれば、被処理基板を熱処理部に移動自在に構成され前記被処理基板に対して温調自在に構成された温調機構を各々備えた熱処理装置を複数積層して構成された熱処理装置ブロックを複数具備した基板処理装置であって、前記熱処理装置ブロック毎に供給される所定の温度に設定された冷却液を供給する冷却液供給機構と、この冷却液供給機構より供給される冷却液は分岐され１つの熱処理装置ブロック内の複数の熱処理部の温調機構に各々冷却液を供給する供給機構と、前記温調機構側から熱処理部側に向かって気体の流れを形成する排気口を熱処理部の温調機構の対抗する側に少なくとも１つ具備し構成された排気機構と、を具備したことを特徴とする基板処理装置が提供される。

また、本発明の他の主たる観点によれば、被処理基板を熱処理部に移動自在に構成され前記被処理基板に対して温調自在に構成された温調機構を各々備えた熱処理装置を複数積層して構成された熱処理装置ブロックを複数具備及び被処理基板に対して所定の液を供給して同一の処理を行う液処理装置を水平方向或いは垂直方向に複数配置して構成された液処理装置ブロックを複数具備した基板処理装置であって、前記熱処理装置ブロック毎に供給される所定の温度に設定された冷却液を供給する冷却液供給機構と、この冷却液供給機構より供給される冷却液は分岐され１つの熱処理装置ブロック内の複数の熱処理部の温調機構に各々冷却液を供給する液供給機構と、前記液処理装置ブロック毎に供給される所定の温度と湿度に設定された気体を供給する気体供給機構と、この気体供給機構より供給される気体は分岐され１つの液処理装置ブロック内の液処理装置に各々気体を供給する気体供給機構と、を具備したことを特徴とする基板処理装置が提供される。

また、本発明の他の主たる観点によれば、被処理基板を熱処理部に移動自在に構成され前記被処理基板に対して温調自在に構成された温調機構を各々備えた熱処理装置を複数積層して構成された熱処理装置ブロックを複数具備した基板処理装置の基板処理方法であって、前記熱処理装置ブロック毎に所定の温度に設定された冷却液を供給する工程と、冷却液を分岐し１つの熱処理装置ブロック内の複数の熱処理部の温調機構に各々冷却液を供給する工程と、前記熱処理装置ブロック毎に供給された冷却液を前記熱処理装置ブロック毎に回収する工程と前記温調機構側から熱処理部側に向かって気体の流れを形成する工程と、を具備したことを特徴とする基板処理方法が提供される。

また、本発明の他の主たる観点によれば、被処理基板を熱処理部に移動自在に構成され前記被処理基板に対して温調自在に構成された温調機構を各々備えた熱処理装置を複数積層して構成された熱処理装置ブロックを複数具備及び被処理基板に対して所定の液を供給して同一の処理を行う液処理装置を水平方向或いは垂直方向に複数配置して構成された液処理装置ブロックを複数具備した基板処理装置の基板処理方法であって、前記熱処理装置ブロック毎に供給される所定の温度に設定された冷却液を供給する工程と、この供給された冷却液を分岐し１つの熱処理装置ブロック内の複数の熱処理部の温調機構に各々冷却液を供給する工程と、前記液処理装置ブロック毎に供給される所定の温度と湿度に設定された気体を供給する工程と、この供給された気体を分岐し１つの液処理装置ブロック内の液処理装置に各々気体を供給する工程と、前記温調機構側から熱処理部側に向かって気体の流れを形成する工程と、を具備したことを特徴とする基板処理方法が提供される。

また、本発明の他の主たる観点によれば、被処理基板を熱処理部に移動自在に構成され前記被処理基板に対して温調自在に構成された温調機構を各々備えた熱処理装置を複数積層して構成された熱処理装置ブロックを複数具備した基板処理装置に対して処理能力を供給する処理能力供給装置であって、前記熱処理装置ブロック毎に供給される所定の温度に設定された冷却液を供給する冷却液供給機構と、これら複数の冷却液供給機構により前記熱処理装置ブロック毎に供給された冷却液を前記熱処理装置ブロック毎に回収する冷却液回収機構と、前記温調機構側から熱処理部側に向かって気体の流れを形成する排気口を熱処理部の温調機構の対抗する側に少なくとも１つの配置と、を具備したことを特徴とする基板処理 装置の処理能力供給装置が提供される。

また、本発明の他の主たる観点によれば、被処理基板を熱処理部に移動自在に構成され前記被処理基板に対して温調自在に構成された温調機構を各々備えた熱処理装置を複数積層して構成された熱処理装置ブロックを複数具備した基板処理装置に対して処理能力を供給する処理能力供給装置であって、前記熱処理装置ブロック毎に供給される所定の温度に設定された冷却液を供給する第１の冷却液供給機構と、これら複数の冷却液供給機構により前記熱処理装置ブロック毎に供給された冷却液を前記熱処理装置ブロック毎に回収する冷却液回収機構と、この冷却液回収機構にて回収される冷却液または／及び前記第１の冷却液供給機構にて供給する冷却液の温度を検出する検出機構と、この検出機構にて各熱処理装置ブロックの冷却液の温度が少なくとも１つの冷却液ラインの冷却液が所定の範囲の温度でない場合に前記第１の冷却液供給機構からの冷却液の供給を第２の冷却液供給機構に切り替える切替機構と、前記温調機構側から熱処理部側に向かって気体の流れを形成する排気口を熱処理部の温調機構の対抗する側に少なくとも１つ具備し構成された排気機構と、を具備したことを特徴とする基板処理装置の処理能力供給装置が提供される。

また、本発明の他の主たる観点によれば、被処理基板に対して所定の液を供給して同一の処理を行う液処理装置を水平方向或いは垂直方向に複数配置して構成された液処理装置ブロックを複数積層或いは水平方向に併設して具備した基板処理装置に対して所定の温度及び湿度に設定された気体を供給する処理能力供給装置であって、各液処理装置ブロック毎に前記気体を排出する複数の排出機構と、これら複数の排出機構に対して一括して気体を供給する第１の空間部と、この第１の空間部の気体に気体を通流自在に構成され気体に対し所定の湿度に設定するための湿度調整機構を備えた第２の空間部と、前記第１及び第２の空間部に気体を実質的に送り込む送風機構と、この送風機構の回転機構の中心位置より実質的に下方向に配置され気体を所定の温度に設定する熱機構を備えた第３の空間部と、この熱機構の下方位置に設けられ気体を所定の温度に冷却する冷却機構を備えた第４の空間部と、前記冷却機構と熱機構との間に設けられ気体を通流自在に構成された通流部と、を具備し、前記冷却機構の幅は通流部の幅より大きく設定されていることを特徴とする基板処理装置の処理能力供給装置が提供される。

また、本発明の他の主たる観点によれば、被処理基板に対して所定の液を供給して同一の処理を行う液処理装置を水平方向或いは垂直方向に複数配置して構成された液処理装置ブロックを複数積層或いは水平方向に併設して具備した基板処理装置に対して所定の温度及び湿度に設定された気体を供給する処理能力供給装置であって、各液処理装置ブロック毎に前記気体を排出する複数の排出機構と、これら複数の排出機構に対して一括して気体を供給する第１の空間部と、この第１の空間部の気体に気体を通流自在に構成され気体に対し所定の湿度に設定するための湿度調整機構を備えた第２の空間部と、前記第１及び第２の空間部に気体を実質的に送り込む送風機構と、この送風機構の回転機構の中心位置より実質的に下方向に配置され気体を所定の温度に設定する熱機構を備えた第３の空間部と、この熱機構の下方位置に設けられ気体を所定の温度に冷却する冷却機構を備えた第４の空間部と、前記冷却機構と熱機構との間に設けられ気体を通流自在に構成され前記冷却機構の幅より少ない幅を有する通流部と、この通流部の下方の前記冷却機構備えられ前記通流部方向に伸びる冷却板と、この冷却板の側方より気体を装置内に気体を導入する気体導入機構と、を具備し、前記冷却機構の幅は通流部の幅より大きく設定されていることを特徴とする基板処理装置の処理能力供給装置が提供される。

また、本発明の他の主たる観点によれば、被処理基板を熱処理部に移動自在に構成され前記被処理基板に対して温調自在に構成された温調機構を各々備えた熱処理装置を複数積層して構成された熱処理装置ブロックを複数具備した基板処理装置に対して処理能力を供給する処理能力供給方法であって、前記熱処理装置ブロック毎に供給される所定の温度に設定された冷却液を供給する工程と、熱処理装置ブロック毎に供給された冷却液を前記熱処理装置ブロック毎に回収する工程と、熱処理装置ブロック毎に回収された冷却液または／及び熱処理装置ブロック毎に供給される冷却液の温度を検出する工程と、前記温調機構側から熱処理部側に向かって気体の流れを形成する工程と、を具備したことを特徴とする基板処理装置の処理能力供給方法が提供される。

また、本発明の他の主たる観点によれば、被処理基板を熱処理部に移動自在に構成され前記被処理基板に対して温調自在に構成された温調機構を各々備えた熱処理装置を複数積層して構成された熱処理装置ブロックを複数具備した基板処理装置に対して処理能力を供給する処理能力供給方法であって、前記熱処理装置ブロック毎に供給される所定の温度に設定された冷却液を供給する工程と、熱処理装置ブロック毎に供給された冷却液を前記熱処理装置ブロック毎に回収する工程と、熱処理装置ブロック毎に回収された冷却液または／及び熱処理装置ブロック毎に供給される冷却液の温度を検出する工程と、所定の温度の範囲に冷却液の温度がない場合に前記の冷却液を供給ラインとは異なる供給ラインに一括して切り替える工程と、前記温調機構側から熱処理部側に向かって気体の流れを形成する工程と、を具備したことを特徴とする基板処理装置の処理能力供給方法が提供される。

本発明は、主に、被処理基板を熱処理部に移動自在に構成され被処理基板に対して温調自在に構成された温調機構を各々備えた熱処理装置を複数積層して構成された熱処理装置ブロックを複数具備した基板処理装置にて、前記熱処理装置ブロック毎に供給される所定の温度に設定された冷却液を供給する冷却液供給機構と、この冷却液供給機構より供給される冷却液は分岐され１つの熱処理装置ブロック内の複数の熱処理部の温調機構に各々冷却液を供給する分岐機構と、により構成したことにより複数の熱処理装置等のシステムの管理を容易化し、処理能力における配管等の削減化或いは小型化が図れるとともに、メンテナンス等に係る処理のスループットを向上させると共に各処理装置の処理時間の管理を容易化し、もって被処理基板の処理に係る歩留まりを向上することができるという効果を奏する。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明をおこなう。図１は、基板処理装置、例えばレジスト処理装置としての塗布・現像装置の実施の形態における全体構造を示す概略平面図である。

このレジスト処理装置１は、一方端に被処理基板、例えば半導体ウエハＷを複数枚収納自在の収納体としてのカセットＣを複数直線状に載置自在に構成されたカセット載置部Ｕ１とこのカセット載置部Ｕ１のカセットＣに対して半導体ウエハＷを一枚毎搬入出自在に構成された例えば、自走式の基板搬出入機構２を配置する基板搬入出機構部Ｕ２で構成されたカセットユニット部ＣＵと、他方端に、他の装置、例えば半導体ウエハＷに対して露光処理を施す露光装置３に対して半導体ウエハＷを一枚毎搬入出通路ＨＴを介して受け渡す受渡し部４と半導体ウエハＷを一枚毎搬入出自在に構成された例えば、自走式の基板搬出入機構６とで構成された直線状のインターフェイスユニット部ＩＦＵと、さらに、直線状のインターフェイスユニット部ＩＦＵの一方端には半導体ウエハＷを複数枚収納自在の収納体としてのカセットＣを少なくとも１つ載置自在に構成されたカセット載置部ＦＵが配置され直線状のインターフェイスユニット部ＩＦＵの他方端には露光装置３で処理済の半導体ウエハＷに対して加熱処理を施す加熱処理室ＦＨが設けられており、この加熱処理室ＦＨ及びカセット載置部ＦＵのカセットＣに対して基板搬出入機構６は半導体ウエハＷを一枚毎搬入出自在に構成されている。

さらに、レジスト処理装置１のカセットユニット部ＣＵとインターフェイスユニット部ＩＦＵとの間には、プロセスユニット部ＰＵが配置されており、このプロセスユニット部ＰＵのカセットユニット部ＣＵとインターフェイスユニット部ＩＦＵと接しない一方の側には図２にも示すように、最上部に半導体ウエハＷに対して所定の処理を施す処理装置、例えば液処理装置として、半導体ウエハＷに対して後述する塗布処理装置ＣＯＴによる処理前または／及び処理後の半導体ウエハＷに対して反射防止膜を形成するための所定の処理液を供給して処理する反射防止膜形成装置ＨＢを水平に複数、例えば３つ併設して配置され同種処理としての水平ブロックを形成するよう構成されている。さらに、その反射防止膜形成装置ＨＢブロックＨＢＢの下方位置には、半導体ウエハＷに対してレジスト液を塗布する塗布処理装置ＣＯＴを水平に複数、例えば３つ併設して配置され同種処理としての水平ブロックを形成するよう構成されている。

さらに、その塗布処理装置ＣＯＴブロックＣＯＴＢの下方位置には、半導体ウエハＷ上の露光済みレジストを現像する現像処理装置ＤＥＶを水平に複数、例えば３つ併設して配置され同種処理としての第１の水平ブロックを形成するよう構成されている。さらに、その現像処理装置ＤＥＶブロックＤＥＶＢの下方位置には、半導体ウエハＷ上の露光済みレジストを現像する現像処理装置ＤＥＶを水平に複数、例えば３つ併設して配置され同種処理としての第２の水平ブロックを形成するよう構成されている。このように、少なくとも１つ、例えば２つの現像処理装置ＤＥＶブロックＤＥＶＢと塗布処理装置ＣＯＴブロックＣＯＴＢと反射防止膜形成装置ＨＢブロックＨＢＢとは積層され、液処理装置部が構成されている。

また、このプロセスユニット部ＰＵの対向する側であって、カセットユニット部ＣＵとインターフェイスユニット部ＩＦＵと接しない他方の側には図３にも示すように、前述する反射防止膜形成装置ＨＢブロックＨＢＢに対応し反射防止膜形成装置ＨＢブロックＨＢＢの垂直幅と同様の幅で、上部より半導体ウエハＷに対して所定の温度で処理を施す熱処理装置ＨＰを水平に併設され複数、例えば４つにてブロックを形成する水平ブロックＨＰＢ１と、その水平ブロックＨＰＢ１の下層に配置され半導体ウエハＷに対して疎水化処理を施す疎水化処理装置ＡＤを水平に併設され複数、例えば４つにてブロックを形成する水平ブロックＡＤＢ１と、その水平ブロックＡＤＢ１の下層に配置され半導体ウエハＷに対して前記疎水化処理装置ＡＤまたは／及び熱処理装置ＨＰにて加熱処理された半導体ウエハＷに所定の温度、例えば、略２３℃に温調する温調処理装置ＣＯＬを水平に併設され複数、例えば４つにてブロックを形成する水平ブロックＣＯＬＢ１が配置され、反射防止膜形成装置ＨＢブロックＨＢＢの反射防止膜形成装置ＨＢで処理される半導体ウエハＷに対する加熱・冷却処理はこの領域ＨＢＢ１の熱処理装置で対応自在に構成されている。

さらに、領域ＨＢＢ１の熱処理装置群の下には、前述する塗布処理装置ＣＯＴブロックＣＯＴＢに対応し塗布処理装置ＣＯＴブロックＣＯＴＢの垂直幅と同様の幅で、上部より半導体ウエハＷに対して所定の温度で処理を施す熱処理装置ＨＰを水平に併設され複数、例えば４つにてブロックを形成する水平ブロックＨＰＢ２と、その水平ブロックＨＰＢ２の下層に配置され半導体ウエハＷに対して疎水化処理を施す疎水化処理装置ＡＤを水平に併設され複数、例えば４つにてブロックを形成する水平ブロックＡＤＢ２と、その水平ブロックＡＤＢ２の下層に配置され半導体ウエハＷに対して前記疎水化処理装置ＡＤまたは／及び熱処理装置ＨＰにて加熱処理された半導体ウエハＷに所定の温度、例えば、略２３℃に温調する温調処理装置ＣＯＬを水平に併設され複数、例えば４つにてブロックを形成する水平ブロックＣＯＬＢ２が配置され、塗布処理装置ＣＯＴブロックＣＯＴＢの塗布処理装置ＣＯＴで処理される半導体ウエハＷに対する加熱・冷却処理はこの領域ＨＢＢ２の熱処理装置で対応自在に構成されている。

さらに、領域ＨＢＢ２の熱処理装置群の下には、前述する現像処理装置ＤＥＶブロックＤＥＶＢに対応し現像処理装置ＤＥＶブロックＤＥＶＢの垂直幅と同様の幅で、上部より半導体ウエハＷに対して所定の温度で処理を施す熱処理装置ＨＰを水平に併設され複数、例えば４つにてブロックを形成する水平ブロックＨＰＢ３と、その水平ブロックＨＰＢ３の下層に配置され水平ブロックＨＰＢ３の熱処理装置ＨＰにて加熱処理された半導体ウエハＷに所定の温度、例えば、略２３℃に温調する温調処理装置ＣＯＬを水平に併設され複数、例えば４つにてブロックを形成する水平ブロックＣＯＬＢ３が配置され、現像処理装置ＤＥＶブロックＤＥＶＢの現像処理装置ＤＥＶで処理される半導体ウエハＷに対する加熱・冷却処理はこの領域ＨＢＢ３の熱処理装置で対応自在に構成されている。

さらに、領域ＨＢＢ３の熱処理装置群の下には、前述する第２の現像処理装置ＤＥＶブロックＤＥＶＢに対応し第２の現像処理装置ＤＥＶブロックＤＥＶＢの垂直幅と同様の幅で、上部より半導体ウエハＷに対して所定の温度で処理を施す熱処理装置ＨＰを水平に併設され複数、例えば４つにてブロックを形成する水平ブロックＨＰＢ４と、その水平ブロックＨＰＢ４の下層に配置され水平ブロックＨＰＢ４の熱処理装置ＨＰにて加熱処理された半導体ウエハＷに所定の温度、例えば、略２３℃に温調する温調処理装置ＣＯＬを水平に併設され複数、例えば４つにてブロックを形成する水平ブロックＣＯＬＢ４が配置され、第２の現像処理装置ＤＥＶブロックＤＥＶＢの現像処理装置ＤＥＶで処理される半導体ウエハＷに対する加熱・冷却処理はこの領域ＨＢＢ４の熱処理装置で対応自在に構成されている。

また、プロセスユニット部ＰＵのカセットユニット部ＣＵ側には、前記基板搬出入機構２との間で半導体ウエハＷを一枚毎搬入出自在に構成された基板受渡部８が配置されており、また、プロセスユニット部ＰＵのインターフェイスユニット部ＩＦＵ側には、前記基板搬出入機構６との間で半導体ウエハＷを一枚毎搬入出自在に構成された基板受渡部９が配置されている。

また、熱処理装置部ＨＰと液処理装置部ＷＰとの間には、直線状の空間部が形成され、この空間部に図４に示すように、少なくとも１つ、例えば複数段に積層された基板搬送機構１０が配置されている。最上部の基板搬送機構１０の垂直方向の移動域は、反射防止膜形成装置ＨＢブロックＨＢＢに対応し反射防止膜形成装置ＨＢブロックＨＢＢの垂直幅と同様の幅に構成され、反射防止膜形成装置ＨＢブロックＨＢＢの領域の反射防止膜形成装置ＨＢ及び熱処理装置ＨＰＢ１・ＡＤＢ１・ＣＯＬＢ１に半導体ウエハＷを搬送自在に構成されている。この基板搬送機構１０の基台ＫＷは図中Ｘ方向（水平ブロックの水平方向と同一方向）とＺ方向（垂直方向）とθ回転方向に移動自在に構成されており、基台ＫＷには少なくとも１つ、例えば、２本のアーム１１を備えている。このアーム１１は、反射防止膜形成装置ＨＢ及び熱処理装置ＨＰＢ１・ＡＤＢ１・ＣＯＬＢ１に半導体ウエハＷを搬送するために各々独立して、Ｙ方向（伸縮方向）に駆動自在に構成されている。なお、複数のアームは所定の処理装置に対して半導体ウエハＷを搬入用或いは搬出用として設定され半導体ウエハＷの搬送に係るスループットを向上する構成とされている。

また、最上部の基板搬送機構１０の下方位置には、塗布処理装置ＣＯＴブロックＣＯＴＢ用の基板搬送機構１０が設けられており、この基板搬送機構１０の垂直方向の移動域は、塗布処理装置ＣＯＴブロックＣＯＴＢに対応し塗布処理装置ＣＯＴブロックＣＯＴＢの垂直幅と同様の幅に構成され、塗布処理装置ＣＯＴブロックＣＯＴＢの領域の塗布処理装置ＣＯＴ及び熱処理装置ＨＰＢ２・ＡＤＢ２・ＣＯＬＢ２に半導体ウエハＷを搬送自在に構成されている。この基板搬送機構１０の基台ＫＷは前述同様、図中Ｘ方向（水平ブロックの水平方向と同一方向）とＺ方向（垂直方向）とθ回転方向に移動自在に構成されており、基台ＫＷには少なくとも１つ、例えば、２本のアーム１１を備えている。このアーム１１は、塗布処理装置ＣＯＴ及び熱処理装置ＨＰＢ２・ＡＤＢ２・ＣＯＬＢ２に半導体ウエハＷを搬送するために各々独立して、Ｙ方向（伸縮方向）に駆動自在に構成されている。なお、複数のアームは所定の処理装置に対して半導体ウエハＷを搬入用或いは搬出用として設定され半導体ウエハＷの搬送に係るスループットを向上する構成とされている。

また、塗布処理装置ＣＯＴブロックＣＯＴＢ用の基板搬送機構１０の下方位置には図示しないが、第１の現像処理装置ＤＥＶブロックＤＥＶＢ用の基板搬送機構１０が設けられており、この基板搬送機構１０の垂直方向の移動域は、現像処理装置ＤＥＶブロックＤＥＶＢに対応し、現像処理装置ＤＥＶブロックＤＥＶＢの垂直幅と同様の幅に構成され、現像処理装置ＤＥＶブロックＤＥＶＢの領域の現像処理装置ＤＥＶ及び熱処理装置ＨＰＢ３・ＣＯＬＢ３に半導体ウエハＷを搬送自在に構成されている。この基板搬送機構１０の基台ＫＷは前述同様、図中Ｘ方向（水平ブロックの水平方向と同一方向）とＺ方向（垂直方向）とθ回転方向に移動自在に構成されており、基台ＫＷには少なくとも１つ、例えば、２本のアーム１１を備えている。このアーム１１は、現像処理装置ＤＥＶ及び熱処理装置ＨＰＢ３・ＣＯＬＢ３に半導体ウエハＷを搬送するために各々独立して、Ｙ方向（伸縮方向）に駆動自在に構成されている。なお、複数のアームは所定の処理装置に対して半導体ウエハＷを搬入用或いは搬出用として設定され半導体ウエハＷの搬送に係るスループットを向上する構成とされている。

また、第１の現像処理装置ＤＥＶブロックＤＥＶＢ用の基板搬送機構１０の下方位置には図示しないが、第２の現像処理装置ＤＥＶブロックＤＥＶＢ用の基板搬送機構１０が設けられており、この基板搬送機構１０の垂直方向の移動域は、現像処理装置ＤＥＶブロックＤＥＶＢに対応し、現像処理装置ＤＥＶブロックＤＥＶＢの垂直幅と同様の幅に構成され、現像処理装置ＤＥＶブロックＤＥＶＢの領域の現像処理装置ＤＥＶ及び熱処理装置ＨＰＢ４・ＣＯＬＢ５に半導体ウエハＷを搬送自在に構成されている。この基板搬送機構１０の基台ＫＷは前述同様、図中Ｘ方向（水平ブロックの水平方向と同一方向）とＺ方向（垂直方向）とθ回転方向に移動自在に構成されており、基台ＫＷには少なくとも１つ、例えば、２本のアーム１１を備えている。このアーム１１は、現像処理装置ＤＥＶ及び熱処理装置ＨＰＢ４・ＣＯＬＢ４に半導体ウエハＷを搬送するために各々独立して、Ｙ方向（伸縮方向）に駆動自在に構成されている。なお、複数のアームは所定の処理装置に対して半導体ウエハＷを搬入用或いは搬出用として設定され半導体ウエハＷの搬送に係るスループットを向上する構成とされている。

さらに、基板搬送機構１０のＸ方向の少なくとも一方端には図１にも示すように、前述の積層された複数の各基板搬送機構１０と半導体ウエハＷを受け渡し自在に構成された基板受渡ステーション２０，２１が配置されている。この基板受渡ステーション２０，２１は、各基板搬送機構１０と半導体ウエハＷを受け渡し自在にされるようＺ方向（垂直方向）に移動可能に構成されている。さらに、基板受渡ステーション２０，２１と基板受渡部８，９との間の半導体ウエハＷの搬送については、図１に示すように、それぞれ別の基板搬送機構ＴＲ１・基板搬送機構ＴＲ２で基板受渡ステーション２０，２１が所定の高さ位置に停止した状態で行なうよう構成されている。

また、本実施の形態においては、第１の現像処理装置ＤＥＶブロックＤＥＶＢ用の基板搬送機構１０の下方位置に第２の現像処理装置ＤＥＶブロックＤＥＶＢ用の基板搬送機構１０を設けたが、現像処理装置ＤＥＶブロックＤＥＶＢという同種の処理を施す処理群なので、第１の現像処理装置ＤＥＶブロックＤＥＶＢ用と第２の現像処理装置ＤＥＶブロックＤＥＶＢ用の各基板搬送機構１０を設けずに１つの基板搬送機構１０にて第１の現像処理装置ＤＥＶブロックＤＥＶＢ及び第２の現像処理装置ＤＥＶブロックＤＥＶＢを対応させてもよい。この場合、図３に示す熱処理装置は、上部から下方に向かってＨＰＢ３→ＣＯＬＢ３→ＨＰＢ４→ＣＯＬＢ４であったものを上部から下方に向かってＨＰＢ３→ＨＰＢ４→ＣＯＬＢ３→ＣＯＬＢ４としてもよい。なお、第１の現像処理装置ＤＥＶブロックＤＥＶＢの垂直幅は、第２の現像処理装置ＤＥＶブロックＤＥＶＢと略同一の垂直幅であり、反射防止膜形成装置ＨＢブロックＨＢＢの垂直幅と塗布処理装置ＣＯＴブロックＣＯＴＢの垂直幅は略同一の垂直幅とし、第１の現像処理装置ＤＥＶブロックＤＥＶＢの垂直幅は、反射防止膜形成装置ＨＢブロックＨＢＢの垂直幅より狭い垂直幅としたが、第１の現像処理装置ＤＥＶブロックＤＥＶＢの垂直幅は、装置自体の高さの制限等がない場合は、反射防止膜形成装置ＨＢブロックＨＢＢの垂直幅と略同一の垂直幅としてもよい。

なお、各基板搬送機構１０のアーム１１は、前述の熱処理装置及び液処理装置に対して各は熱処理装置及び液処理装置に設けられ開平自在に構成された搬入出口１６を介して半導体ウエハＷを搬入出自在に構成されている。なお、搬入出口１６は図示しない開閉機構、例えばシャッターが設けられており各搬入出口１６は独立してシャッターにて開閉自在に構成されている。また、基板受渡ステーション２０，２１は、半導体ウエハＷの温度を所定の温度、例えば、室温等の略２３℃に設定するための温調機構により管理されるよう構成されている。

次に、カセットユニット部ＣＵにおける基板搬出入機構２については図５に示すように、Ｘ方向（Ｘ軸）に自走自在に構成されており、基板搬出入機構２にはアーム４５が備えられ、このアーム４５は、垂直方向（Ｚ軸）・伸縮方向（Ｙ軸）・回転方向（θ軸）に移動自在に構成されている。さらに、カセットユニット部ＣＵとプロセスユニット部ＰＵとの間は壁４６が配置され、カセットユニット部ＣＵ内の空間とプロセスユニット部ＰＵ内の空間とを雰囲気遮断するように構成されており、その壁４６には、図６にも示すように、基板受渡部８の開口部４７が設けられている。この開口部４７は図示しない開閉機構、例えばシャッターで開閉自在に構成されている。

また、開口部４７の高さ位置ｈ５は、カセットＣの載置される高さ位置ｈ４より高い位置に設けられている。さらに、基板搬出入機構２のアーム４５がＸ方向（カセットユニット部ＣＵの長手方向）に移動する際のアーム４５の高さ位置より高い位置に開口部４７は配置されている。高さ位置の関係は、開口部４７の高さ位置ｈ５＞基板搬出入機構２のアーム４５のＸ方向移動時のアーム４５の高さ位置＞カセットＣの載置される高さ位置ｈ４とされている。これにより、基板搬出入機構２からのミスト等がプロセスユニット部ＰＵ側に侵入するのを防止できる。なお、カセットユニット部ＣＵの上方にはカセットユニット部ＣＵにクリーエアー等の気体をダウンフローするための図示しない気体導入機構が備えられている。

また、プロセスユニット部ＰＵの基板受渡部８は、半導体ウエハＷの受け渡しを行う上下動自在に構成された支持機構、例えば支持ピン５０を複数備えており、基板搬出入機構２または基板搬送機構１０と半導体ウエハＷの受け渡し自在に構成されている。さらに、基板受渡部８の上方位置には半導体ウエハＷを所定の第一の温度で熱処理を施す熱処理装置５１が配置され、この熱処理装置５１と基板受渡部８との間には半導体ウエハＷを前記第一の温度より低い所定の第二の温度で熱処理を施す熱処理装置５２が配置され、基板受渡部８の下方位置には、熱処理装置５１，５２で処理された半導体ウエハＷを所定の温度、例えばプロセスユニット部ＰＵ内の雰囲気温度と略同温の温度、例えば略２３℃の温度に温調（冷却）するための温調処理機構５３が複数配置されている。

なお、温調処理機構５３と熱処理装置５１，５２に対する半導体ウエハＷの搬送は基板搬送機構ＴＲ１にて行い基板搬出入機構２からはアクセスできないよう構成されている。さらに、基板受渡部８と温調処理機構５３と熱処理装置５１，５２のプロセスユニット部ＰＵ側の開口部５４は、図示しない開閉機構、例えばシャッターで開閉自在に構成されている。また、カセットユニット部ＣＵの基板搬入出機構部Ｕ２とプロセスユニット部ＰＵとインターフェイスユニット部ＩＦＵの上部には各々図示しないフィルタ部が設けられており、それらのフィルタ部からはそれぞれのユニット内に温度・湿度が所定の値に設定された温度・湿度エアーを供給するよう構成され、さらにそれぞれのユニットの下部に設けられた排気口より前記温度・湿度エアーを所定量に各々排気設定機構により設定し回収自在に構成されて各ユニットに温度・湿度エアーのダウンフローが形成されるよう構成されている。

さらに、カセットユニット部ＣＵの基板搬入出機構部Ｕ２とプロセスユニット部ＰＵとインターフェイスユニット部ＩＦＵの各々の排気設定機構によりそれぞれのユニット部の圧力は、カセットユニット部ＣＵの基板搬入出機構部Ｕ２よりプロセスユニット部ＰＵのほうが圧力が高く設定されており、さらにインターフェイスユニット部ＩＦＵよりプロセスユニット部ＰＵの方の圧力が高く設定されており、さらに、インターフェイスユニット部ＩＦＵより露光装置３内の方の圧力が高く設定されるよう構成されており、プロセスユニット部ＰＵ内或いは露光装置３内に不要なミストが入り込み半導体ウエハＷの処理に悪影響が起こる要因となるのを抑制するようにされている。また、カセットユニット部ＣＵの雰囲気中に含まれる酸素及び／または酸性ガス（ＮＯＸ，ＳＯＸ，Ｈ_２Ｓ，ＣＯ_２など）及び／または塩基性ガス（アンモニア、アミンなど）及び／または湿度の量に比べ、プロセスユニット部ＰＵ及び／またはインターフェイスユニット部ＩＦＵの雰囲気中に含有する量は実質的に少なく設定されている。これは、特に露光前或いは露光後の処理において、それらの影響を軽減することにより半導体ウエハＷの処理の歩留まりを向上するためである。

次に、インターフェイスユニット部ＩＦＵにおける基板搬出入機構６については図７に示すように、Ｘ方向（Ｘ軸）に自走自在に構成されており、基板搬出入機構６にはアーム５５が備えられ、このアーム５５は、垂直方向（Ｚ軸）・伸縮方向（Ｙ軸）・回転方向（θ軸）に移動自在に構成されている。さらに、インターフェイスユニット部ＩＦＵとプロセスユニット部ＰＵとの間は壁５６が配置され、インターフェイスユニット部ＩＦＵ内の空間とプロセスユニット部ＰＵ内の空間とを雰囲気遮断するように構成されており、その壁５６には、基板受渡部９の開口部５７が設けられている。この開口部５７は図示しない開閉機構、例えばシャッターで開閉自在に構成されている。

また、開口部５７の高さ位置ｈ６は、加熱処理室ＦＨの開口部５８の高さ位置ｈ７より低い位置に設けられている。さらに、基板搬出入機構６のアーム５５がＸ方向（インターフェイスユニット部ＩＦＵの長手方向）に移動する際のアーム５５の高さ位置より高い位置に開口部５７は配置されている。高さ位置の関係は、開口部５７の高さ位置ｈ６＞基板搬出入機構６のアーム５５のＸ方向移動時のアーム５５の高さ位置＞加熱処理室ＦＨの開口部５８の高さ位置ｈ７とされている。これにより、加熱処理室ＦＨからの熱の進入または／及び加熱処理室ＦＨまたは／及び基板搬出入機構２からのミスト等がプロセスユニット部ＰＵ側に侵入するのを防止できるよう構成している。なお、開口部５７の高さ位置ｈ６は、前述の開口部４７の高さ位置ｈ５と略同一の高さ位置とされて基板搬送機構１０による搬送の効率を効率化させるよう構成されている。なお、基板受渡部９の上下には前述した基板受渡部８と同様に熱処理装置或いは温調処理装置が積層して配置されるよう構成されている。

また、加熱処理室ＦＨについては図８に示すように、半導体ウエハＷを所定の温度、例えばインターフェイスユニット部ＩＦＵ内の雰囲気温度、例えば、略２３℃に温調（冷却）する角状の温調機構６０と露光装置３にて露光処理された半導体ウエハＷを所定の温度にてポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）する加熱機構６１とが設けられている。さらに、温調機構６０はＸ方向（Ｘ軸）に移動自在に構成されており、温調機構６０のホームポジションの温調機構６０の下方及び加熱機構６１下方位置には、温調機構６０または加熱機構６１とそれぞれ半導体ウエハＷ受け渡し自在に構成された昇降機構６２が設けられている。この昇降機構６２には、基台６３上に支持機構、例えば支持ピン６４を複数有しこれら複数の支持ピン６４で半導体ウエハＷの裏面側を点接触にて支持自在に構成されている。

さらに温調機構６０には、加熱機構６１側の昇降機構６２の支持ピン６４と接触しないように切欠き部６５が設けてあり温調機構６０が加熱機構６１の上方位置まで移動し加熱機構６１側の昇降機構６２の支持ピン６４にて半導体ウエハＷを受け渡し自在に構成されている。なお、開口部５８はＸ方向（加熱処理室ＦＨの長手方向）に設けられ、開口部５８は、図示しない開閉機構、例えばシャッターで開閉自在に構成されている。また、温調機構６０側の昇降機構６２は、半導体ウエハＷを温調機構６０と受け渡すのみならず基板搬出入機構６のアーム５５との半導体ウエハＷの受け渡し自在に構成されている。

また、熱処理装置ＨＰブロックＨＰＢ１−４の各熱処理装置の各熱処理装置ＨＰ１−４等について加熱処理室ＦＨと略同一の構成とされており図９に示すように、半導体ウエハＷを所定の温度、例えばプロセスユニット部ＰＵ内の雰囲気温度、例えば、略２３℃に温調（冷却）する角状の温調機構７０と半導体ウエハＷを所定の温度にて加熱して処理する加熱機構７１とが設けられている。さらに、温調機構７０はＹ方向に移動自在に構成されており、温調機構７０のホームポジションの温調機構７０の下方及び加熱機構７１下方位置には、温調機構７０または加熱機構７１とそれぞれ半導体ウエハＷ受け渡し自在に構成された図示しない昇降機構が設けられている。この昇降機構には、支持機構、例えば支持ピンを複数有しこれら複数の支持ピンで半導体ウエハＷの裏面側を点接触にて支持自在に構成されている。

さらに、温調機構７０には、加熱機構７１側の昇降機構の支持ピンと接触しないように切欠き部７２が設けてあり温調機構７０が加熱機構７１の上方位置まで移動し加熱機構７１側の昇降機構の支持ピンにて半導体ウエハＷを受け渡し自在に構成されている。なお、各熱処理装置ＨＰ１−４の開口部１６はＹ方向（加熱処理室ＦＨの長手方向）に設けられ、開口部１６は、図示しない開閉機構、例えばシャッターで開閉自在に構成されている。また、温調機構７０側の昇降機構は、半導体ウエハＷを温調機構７０と受け渡すのみならず基板搬送機構１０のアーム１１との半導体ウエハＷの受け渡し自在に構成されている。

さらに、温調機構７０には、図１０に示すように、温調機構７０を所定の温度、例えば、略２３℃の温度に設定するために冷却媒体、例えば冷却水を通流するための通流路７８をそれぞれ設けている。この通流路７８は、冷媒供給機構８１より配管８２を介して供給されるよう構成されている。例えば、冷却液供給機構としての冷媒供給機構８１より熱処理装置ＨＰ４の温調機構７０に供給された冷却水は通流路７８を介して接続配管７９にて、次段の熱処理装置、例えば熱処理装置ＨＰ３の温調機構７０の通流路７８に供給されるよう構成され、熱処理装置ＨＰ３の温調機構７０に供給された冷却水は通流路７８を介して接続配管７９にて、次段の熱処理装置、例えば熱処理装置ＨＰ２の温調機構７０の通流路７８に供給されるよう構成され、熱処理装置ＨＰ２の温調機構７０に供給された冷却水は通流路７８を介して接続配管７９にて、次段の熱処理装置、例えば熱処理装置ＨＰ１の温調機構７０の通流路７８に供給されるよう構成されている。

さらに、熱処理装置ＨＰ１の温調機構７０の通流路７８からの冷却水は冷媒を回収する配管８０を介して冷媒回収機構８２に戻される。なお、本実施の形態においては熱処理装置ＨＰ４側から熱処理装置ＨＰ１側に向かって冷却水が流れるように構成したが冷却水の流れについては適宜設定することができることはいうまでも無い。また、冷媒供給機構８１と冷媒回収機構８２とは、図１１にも示すように、熱処理装置の水平ブロック単位で管理されるよう構成され、それぞれの熱処理装置ＨＰＢ１・熱処理装置ＨＰＢ２・熱処理装置ＨＰＢ３・熱処理装置ＨＰＢ４で冷媒供給機構８１と冷媒回収機構８２とを配置する冷却水ポート９０（熱処理装置ブロックＨＰＢ１用），９１（熱処理装置ブロックＨＰＢ２用）が配置されるよう構成されている。ちなみに、図示していないが、熱処理装置ブロックＨＰＢ３用の冷却水ポートを図１２で示す９２とし、熱処理装置ブロックＨＰＢ４用の冷却水ポートを図１２で示す９３とする。

さらに、冷却水ポート９０〜９３は、図１２，１３に示すように、プロセスユニット部ＰＵの所定位置に設けられている。これら冷却水ポート９０〜９３は、装置外に配置された処理能力装置、例えば冷媒供給装置１００に冷却水ポート９０〜９３それぞれに対応する配管１０１にて接続されるよう構成されている。なお、冷媒供給装置１００には、冷却水ポート９０〜９３に対応するポート９０ａ〜９３ａが設けられている。さらに、冷媒供給装置１００には、冷媒供給装置１００の外部から冷却水用の水を取り入れる水導入ポート１０６とポート９０ａ〜９３ａから基板処理装置１で使用された冷却水を排出するための水排出ポート１０７が設けられている。

さらに、冷媒供給装置１００には、水導入ポート１０６から導入された冷媒としての水を、基板処理装置１にて使用される所定の温度、例えば、略２３℃に水を制御機構１０５の指令により温調設定するための温調機構を少なくとも１つ、例えば、温調機構１０２と温調機構１０３を備えている。これら温調機構１０２と温調機構１０３にて所定の温度に設定された冷却水は、制御機構１０５の指令により切替機構、例えばバルブ等を使用して構成された切替機構ＳＷ１ルートまたは切替機構ＳＷ２ルートのいずれか一方のルートを選択するように切り替え自在に構成されており、温調機構１０２或いは温調機構１０３のいずれから一括してポート９０ａ〜９３ａを介して基板処理装置１に対して各ＯＵＴ側から冷却水を送るよう構成されている。なお、本実施の形態においては温調機構を複数、温調機構１０２と温調機構１０３の二つを設けていたが１つで対応してもよいことはいうまでもない。

なお、前述した冷媒供給機構８１と冷媒回収機構８２との別の実施の形態を説明すると、図１４に示すように、冷媒供給機構８１より供給された冷却水は、一旦、複数、分岐機構９９を介して分岐され、熱処理装置の水平ブロックの各熱処理装置の温調機構に供給されるよう構成されている。さらに、各熱処理装置の温調機構からの回収される冷却水は一括して冷媒回収機構８２に回収されるよう構成されている。このように各熱処理装置の温調機構への供給ラインのみ独立して各々供給されるので、さらに安全性の高い装置とすることができる。

また、切替機構ＳＷ１または切替機構ＳＷ２の切り替えについて説明すると、まず、切替機構ＳＷ１ルートにて、基板処理装置１に対し各ポート９０ａ〜９３ａのＯＵＴ側から冷却水を送出していたとする。それらの冷却水は各熱処理装置の水平ブロック毎、つまり、熱処理装置ＨＰＢ１・熱処理装置ＨＰＢ２・熱処理装置ＨＰＢ３・熱処理装置ＨＰＢ４に対して通流し、水平ブロック毎に各ポート９０ａ〜９３ａのＩＮ側に冷却水は回収されてくることになる。この回収されてくる冷却水の各ポート９０ａ〜９３ａのＩＮ側には、回収されてくる冷却水の温度を検出するための温度検出機構を各ポート９０ａ〜９３ａ毎に設けており、それらの温度検出機構の情報は制御機構１０５にて管理され、各ポート９０ａ〜９３ａのＩＮ側の各温度検出機構が設定範囲値より少なくとも１つ外れた場合は、制御機構１０５により切替機構ＳＷ１ルートから切替機構ＳＷ２ルートに切り替えるとともに第１の異常信号を基板装置側の制御機構にその情報を通報するようよう構成されている。このように各熱処理装置の水平ブロック毎で冷却水の管理を行っている。

なお、冷却水の各ポート９０ａ〜９３ａのＯＵＴ側に特に温度検出機構を設けなくてもよい。なぜなら、送出する冷却水の温度は温調機構１０２と温調機構１０３にて管理されているからである。また、各ポート９０ａ〜９３ａのＩＮ側の中の設定範囲値温度から外れた回収ラインは、切替機構ＳＷ２ルートに切り替えた後にも検出機構が設定範囲値より外れる場合は、第２の異常信号を基板装置側の制御機構にその情報を通報するよう構成されている。基板処理装置１側の制御機構は、各熱処理装置ＨＰの温調機構７０の温度は温度検出機構により検出するよう構成されているが、冷媒供給装置１００自体の問題なのか各熱処理装置ＨＰの温調機構７０の問題なのかは不明確のために、各熱処理装置ＨＰの温調機構７０の温度検出機構の情報と前述した第１または／及び第２の異常信号を基に異常を判断し問題の所在を把握できるよう構成されている。このように水平ブロックの管理と個別の各熱処理装置ＨＰの温調機構７０の温度検出機構により装置自体の安全性を大きく向上することができる構成とされている。

また、各液処理装置の各水平ブロックＨＢＢ，ＣＯＴＢ，ＤＥＶＢ１，２の各液処理装置への処理能力、例えば、所定の温度・湿度に調節された気体の供給については、図１５に示すように基板処理装置１の外部に配置される処理能力供給装置、例えば所定の温度・湿度に調節された気体の供給を行う気体供給装置１２０により各水平ブロックＨＢＢ，ＣＯＴＢ，ＤＥＶＢ１，２に対する数、この場合、４ラインを独立して気体供給装置１２０のポートＷ１〜Ｗ４を介して基板処理装置１の所定位置に設けられたポートＷＰＦＰ１〜ＷＰＦＰ４に送られるよう構成されている。さらに、各ポートＷＰＦＰ１〜ＷＰＦＰ４に送られた気体は、それぞれ気体分岐機構ＷＰＦ１〜ＷＰＦ４にて各液処理装置水平ブロックの各液処理装置に対して各々独立した配管１１０により気体が供給されるよう構成されている。

また、気体供給装置１２０は、図１６に示すように、前述のポートＷ１〜Ｗ４は、装置の上部位置に設けられている。このように設ける理由としては装置自体のフットプリントを小さくできると言うメリットからである。また、気体供給装置１２０は装置自体に装置外から温度・湿度の調整前の気体をフィルタ１２１を介して気体導入部１２２から取り入れるように構成されている。さらに、気体導入部１２２から取り入れられた気体は第１の空間部としての冷却部１２３に取り入れられ、冷媒供給機構１２４の冷媒通流管１２５にて通流する冷媒にて冷媒通流管１２５に設けられた所定の形状、例えば角状の冷却板１２６が冷却され導入された気体が冷却自在に構成されている。また、冷却板１２６の上方位置には第２の空間部１２７に冷却板１２６にて冷却された気体を導入するための通路（通流部）としての導入部１２８が設けられている。

なお、導入部１２８と冷却板１２６との関係については、図１７にも示すように、導入部１２８は、冷却板１２６の一部領域、例えば、一方端領域に配置されており、導入部１２８の配置されている下方位置の冷却板１２６ｂの高さは、導入部１２８の配置されている直下位置以外の冷却板１２６ａの高さより高い位置まで伸長されるよう構成されている。これは、特に冷却部１２３内の気体を、冷却部１２３内全体にて気体を全域にわたって冷却することと、導入部１２８に送出する冷却された気体を導入部１２８近傍まで冷却気体の温度を変化させる事なく送出する効果があるためである。また、複数の冷却板１２６と冷媒通流管１２５との接続については、冷媒通流管１２５に複数の冷却板１２６をはめ込んで固定するようにし、溶接等の固着ではなく取り外し自在に取り付けたほうが好ましい。理由としては特に、気体の流れを調整する必要があるのでその調整を容易とすることができるからである。したがって、複数の冷却板１２６の間隔は容易に変更自在に構成されている。なお、複数の冷却板１２６は、図１６においては、気体導入部１２２側から冷媒供給機構１２４側方向に向かって複数の角状板が配置されているように記したが、図中の奥から手前に向かって図１７に示すように平行に複数の冷却板１２６を配置してもよい。

また、第２の空間部１２７側の導入部１２８の上部、例えば直上には冷却部１２３より流入する導入部１２８からの冷却気体を所定の温度、例えば、略２３℃に加熱するための加熱機構、例えば、ヒーター１２９が配置されている。また、ヒーター１２９の側方には、空間部１２７の気体をポートＷ１〜Ｗ４から基板処理装置１に送風するための送風機構１３０が配置されている。この送風機構１３０の回転機構、例えば回転翼１３１の中心の高さ位置ＣＰは、ヒーター１２９の配置位置より高い位置になるように構成され送風に係る効率を向上させている。また、第２の空間部１２７において図示しないが第２の空間部１２７内の気体を所定の湿度に設定するための湿度調整機構が備えられている。また、気体供給装置１２０のフィルタ１２１と対抗する側には、本装置の制御機構１３５が備えられ、前述のヒーター１２９・冷媒供給機構１２４・送風機構１３０を制御するように構成されている。

また、気体供給装置１２０により前述の様に温度・湿度を調整された気体は、それぞれ
反射防止膜形成装置ＨＢ・塗布処理装置ＣＯＴ・現像処理装置ＤＥＶに対して配管１１０により気体が供給されるが、反射防止膜形成装置ＨＢまたは／及び塗布処理装置ＣＯＴの構成については図１８に示すように、装置内に半導体ウエハＷを保持し回転させる回転体１４０を備え、その回転体１４０の周囲を囲むカップ１４１を備えている。このカップ１４１の上部に配管１１０から供給された気体をカップ１４１方向に送出する垂直方向の幅Ｈ９を有する気体供給装置１４２が設けられている。また、気体供給装置１４２には、ダウンフローを高い精度で流出させる整流機構１４３を有している。また、気体供給装置１４２とカップ１４１の上面位置との間の距離はＨ１０の距離に構成されている。

また、現像処理装置ＤＥＶの構成については図１９に示すように、装置内に半導体ウエハＷを保持し回転させる回転体１４０を備え、その回転体１４０の周囲を囲むカップ１４１を備えている。このカップ１４１の上部に配管１１０から供給された気体をカップ１４１方向に送出する垂直方向の幅Ｈ９を有する気体供給装置１４４が設けられている。この気体供給装置には、整流機構を有してもよいが、反射防止膜形成装置ＨＢ・塗布処理装置ＣＯＴより精度がなくてもよいために特には整流機構を設けておかなくてもよい。これにより現像処理装置ＤＥＶの垂直幅を反射防止膜形成装置ＨＢまたは／及び塗布処理装置ＣＯＴの垂直幅より抑制することができる。したがって、気体供給装置１４４の垂直幅は気体供給装置１４２の垂直幅より少ない幅に構成されている。また、気体供給装置１４４とカップ１４１の上面位置との間の距離ｈ１２は、前述のｈ１０の距離より小さい距離に設定されている。

次に、各液処理装置の各水平ブロックＨＢＢ，ＣＯＴＢ，ＤＥＶＢ１，２の各液処理装置への供給、例えば、ＨＢＢ，ＣＯＴＢについては、所定の処理液、例えば、レジスト液及び不活性ガス、例えばＮ２、また、ＤＥＶＢについては、所定の処理液、例えば、現像液及び純水等の供給については、図２０に示すように基板処理装置１の外部に配置される供給装置、ＨＢＢ，ＣＯＴＢについては供給装置１７０、ＤＥＶＢについては供給装置１７１により各処理液が供給されるよう構成されている。まず、水平ブロックＨＢＢ，ＣＯＴＢについて説明するとＣＯＴケミカルキャビネットとしての供給装置１７０よりポートＰＣ１，２より、所定の温度に設定された処理流体、例えば処理液、例えばレジスト液（例えばＮ２のような気体も同様の構成なので説明を省略するものとする。）を基板処理装置１側のポートＰＣ１ａ,２ａに送出する。基板処理装置１側のバルブ等で構成された分岐機構ＰＣ１ｂ，２ｂにてポートＰＣ１ａ,２ａからの処理液を水平ブロックＨＢＢ，ＣＯＴＢの各液処理室毎に自在に供給するように構成されている。

次に、水平ブロックＤＥＶについて説明するとＤＥＶケミカルキャビネットとしての供給装置１７１よりポートＰＤ１，２より、所定の温度に設定された処理流体、例えば処理液、例えば現像液（例えば純水のような他の処理液も同様の構成なので説明を省略するものとする。）を基板処理装置１側のポートＰＤ１ａ,２ａに送出する。基板処理装置１側のバルブ等で構成された分岐機構ＰＤ１ｂ，２ｂにてポートＰＤ１ａ,２ａからの処理液を水平ブロックＤＥＶＢの各液処理室毎に自在に供給するように構成されている。

次に、熱処理装置のＡＤの水平ブロックＡＤＢの各ＡＤへの処理流体、例えば、所定の処理気体、例えば、ＨＭＤＳ等のガス等の供給については、図２１に示すように基板処理装置１の外部に配置される前記ＣＯＴケミカルキャビネットとしての供給装置１７０から前述の構成と兼用して供給されるよう構成されている。供給装置１７０よりポートＰＣ３より、所定の温度に設定された処理流体、例えばＨＭＤＳ等のガスを基板処理装置１側のポートＰＣ３ａに送出する。基板処理装置１側のバルブ等で構成された分岐機構ＰＣ３ｂにてポートＰＣ３ａからの処理流体を熱処理装置ＡＤの水平ブロックＡＤＢの各熱処理装置毎に自在に供給するように構成されている。また、基板処理装置１には、制御機構１８０を備えており、メインの操作機構１８１とサブの操作機構１８２を備えている。さらに、供給装置１７０には、制御機構１８３と操作機構１８４とを有しており、制御機構１８３と制御機構１８０とは通信手段としての通信線１８５にて情報の伝達を行うよう構成されている。サブの操作機構１８２と操作機構１８４とは、所定の操作において共に同一の操作を行うよう構成されている。この同一の操作としては、ダミーディスペンスやステップ制御等のメンテナンスを行うときに使用する操作である。なお、他の外部の供給装置にこのような操作機構を有してもよいが、基板処理装置１とＣＯＴケミカルキャビネットとしての供給装置１７０のみに、少なくともそのような機能を有しておくことが好ましい。

次に、以上の如く構成されたレジスト処理装置１の処理動作について説明する。まず、未処理の半導体ウエハＷを複数枚収納したカセットＣはカセットユニット部ＣＵのカセット載置部Ｕ１に作業員又はカセット搬送ロボットにより配置される。この後、基板搬入出機構部Ｕ２の基板搬出入機構２によりカセットＣから一枚毎半導体ウエハＷは搬出され、基板搬出入機構２にて一旦半導体ウエハＷは位置合わせされた後、半導体ウエハＷはプロセスユニット部ＰＵの基板受渡部８に引き渡される。

この後、半導体ウエハＷは、基板受渡部８から基板搬送機構ＴＲ１にて基板受け渡しステーション２０に搬送される。この後、基板受け渡しステーション２０は、垂直方向の水平ブロックＨＢＢ領域の所定の高さ位置に移動し水平ブロックＨＢＢ領域の基板搬送機構１０のアーム１１にて半導体ウエハＷは熱処理部の所定のＡＤ部に搬送され、ＡＤ部内にて疎水化処理される。この後、ＡＤ部から半導体ウエハＷは、水平ブロックＨＢＢ領域の基板搬送機構１０のアーム１１にて搬出され、水平ブロックＨＢＢ領域の熱処理装置ＨＰに搬送され、熱処理装置ＨＰの温調機構６０を介して加熱処理機構６１に搬送され所定の温度で処理される。加熱処理機構６１にて加熱処理された半導体ウエハＷは温調機構６０により所定の温度、略２３℃なるよう温調されて、水平ブロックＨＢＢ領域の基板搬送機構１０のアーム１１にて熱処理装置ＨＰから搬出される。

さらに、半導体ウエハＷは、水平ブロックＨＢＢ領域の基板搬送機構１０のアーム１１にて水平ブロックＨＢＢ領域の所定の温調処理部ＣＯＬに搬送され、所定の温度、略２３℃なるよう温調される。この後、温調処理部ＣＯＬから水平ブロックＨＢＢ領域の基板搬送機構１０のアーム１１にて搬出され基板搬送機構１０が回転移動し水平ブロックＨＢＢ領域の液処理装置方向に移動される。この後、所定の液処理装置ＨＢに搬入され、半導体ウエハＷの処理面に反射防止膜が形成される。この後、半導体ウエハＷは、液処理装置ＨＢから基板搬送機構１０のアーム１１にて搬出され、この後、半導体ウエハＷは、水平ブロックＨＢＢ領域の基板搬送機構１０のアーム１１にて半導体ウエハＷは熱処理部の熱処理装置ＨＰに搬送され、熱処理装置ＨＰの温調機構６０を介して加熱処理機構６１に搬送され所定の温度で処理される。

さらに、加熱処理機構６１にて加熱処理された半導体ウエハＷは温調機構６０により所定の温度、略２３℃なるよう温調されて、水平ブロックＨＢＢ領域の基板搬送機構１０のアーム１１にて熱処理装置ＨＰから搬出される。さらに、半導体ウエハＷは、水平ブロックＨＢＢ領域の基板搬送機構１０のアーム１１にて水平ブロックＨＢＢ領域の所定の温調処理部ＣＯＬに搬送され、所定の温度、略２３℃なるよう温調される。この後、温調処理部ＣＯＬから水平ブロックＨＢＢ領域の基板搬送機構１０のアーム１１にて搬出され基板搬送機構１０により、基板受け渡しステーション２０または２１に搬出される。

さらに、基板受け渡しステーション２０または２１は下方位置に移動し水平ブロックＣＯＴ領域の基板搬送機構１０のアーム１１との受渡し位置で停止し、水平ブロックＣＯＴ領域の基板搬送機構１０のアーム１１に半導体ウエハＷを受け渡す。水平ブロックＣＯＴ領域においては、ＨＢＢでの処理度同様の処理工程を行うがＡＤについての処理工程は必要に応じて適宜選択してもよい。この水平ブロックＣＯＴ領域における処理が終了した半導体ウエハＷは、基板受け渡しステーション２１に搬出され、基板搬送機構ＴＲ２にて基板受渡部９に搬送される。この基板受渡部９を介してインターフェイスユニット部ＩＦＵに受け渡され、さらにインターフェイスユニット部ＩＦＵから基板搬出入機構６を介して露光装置３に渡され半導体ウエハＷは露光処理が施される。

露光処理が施された半導体ウエハＷは、インターフェイスユニット部ＩＦＵに受け渡され、その後、基板搬出入機構６にて加熱処理機構ＦＨに搬送される。この加熱処理機構ＦＨにて半導体ウエハＷは、加熱処理機構ＦＨの温調機構６０に引き渡され、加熱機構６１にて所定の温度、第１の温度で熱処理される。この後、半導体ウエハＷは、加熱機構６１から温調機構６０に引き渡され温調機構６０にて所定の温度に半導体ウエハＷの温度が達した後に、基板搬出入機構６にて、基板受渡部９に搬送される。このように、インターフェイスユニット部ＩＦＵにて加熱処理機構ＦＨを配置したのは、露光装置３にて露光処理が施された時間の管理を行い各被処理基板の露光装置３にて露光処理が施された時間から熱処理までの時間を一定とするためである。これにより被処理基板の歩留まりを向上させることになる。

この後、半導体ウエハＷは、基板受渡部９を介して基板搬送機構ＴＲ２にて基板受け渡しステーション２１に搬送される。この後、基板受け渡しステーション２１は、垂直方向の水平ブロックＤＥＶＢ領域の所定の高さ位置に移動し水平ブロックＤＥＶＢ領域の基板搬送機構１０のアーム１１にて半導体ウエハＷは熱処理部の所定の液処理装置ＤＥＶに搬入され、半導体ウエハＷの処理面に形成されたレジスト膜に対して現像処理を施す。この後、半導体ウエハＷは、液処理装置ＤＥＶから基板搬送機構１０のアーム１１にて搬出され、この後、半導体ウエハＷは、水平ブロックＤＥＶＢ領域の基板搬送機構１０のアーム１１にて半導体ウエハＷは熱処理部の熱処理装置ＨＰに搬送され、熱処理装置ＨＰの温調機構６０を介して加熱処理機構６１に搬送され所定の温度で処理される。

さらに、加熱処理機構６１にて加熱処理された半導体ウエハＷは温調機構６０により所定の温度、略２３℃なるよう温調されて、水平ブロックＨＢＢ領域の基板搬送機構１０のアーム１１にて熱処理装置ＨＰから搬出される。さらに、半導体ウエハＷは、水平ブロックＤＥＶＢ領域の基板搬送機構１０のアーム１１にて水平ブロックＤＥＶＢ領域の所定の温調処理部ＣＯＬに搬送され、所定の温度、略２３℃なるよう温調される。この後、温調処理部ＣＯＬから水平ブロックＤＥＶＢ領域の基板搬送機構１０のアーム１１にて搬出され基板搬送機構１０により、基板受け渡しステーション２０に搬出される。この後、半導体ウエハＷは、基板搬送機構ＴＲ１にて基板受渡部８に搬送される。この基板受渡部８を介して基板搬出入機構２により所定のカセットＣに対して一枚毎半導体ウエハＷは搬入されて一連の処理を終了する。

次に、本実施例の液処理装置としての反射防止膜形成装置ＨＢと塗布処理装置ＣＯＴと現像処理装置ＤＥＶのブロックにおける他の実施の形態について説明する。なお、上述した実施例と同じ構成については同符号をつけることで詳細な説明については省略するものとする。なお、本実施の形態に係る発明は他の実施例と組み合わせて使用してよいということは言うまでもなく本実施の形態のみに限定されない。

前述の液処理装置としての反射防止膜形成装置ＨＢＢ・塗布処理装置ＣＯＴＢ・現像処理装置ＤＥＶＢブロックは、各液処理装置、つまり、各ブロック毎に複数の反射防止膜形成装置ＨＢ・塗布処理装置ＣＯＴ・現像処理装置ＤＥＶを備えていたが、図２２，２３に示すように、ここでは、反射防止膜形成装置ＨＢＢについて説明する。前述においては反射防止膜形成装置ＨＢＢには、水平に複数の反射防止膜形成装置ＨＢを併設し各反射防止膜形成装置ＨＢ内の雰囲気は各々独立して設けられていたが、各反射防止膜形成装置ＨＢ内の雰囲気は共通とされている。また、それらのカップ１４１は、水平に並ぶよう配置されている。これらのカップ１４１の上方位置には共通の気体供給機構１４１が設けられるが、この気体供給機構１４１は、前述の様にカップ１４１に対して各々独立し設けてもよい。このように構成したことにより各液処理装置の処理壁分の距離が小さくできるので液処理ブロックとしてのフットプリントが削減できることとなりシステムの小型化が図れることになる。

さらに、前述の液処理装置としての反射防止膜形成装置ＨＢＢ・塗布処理装置ＣＯＴＢ・現像処理装置ＤＥＶＢブロックは、各液処理装置、つまり、各ブロック毎に複数の反射防止膜形成装置ＨＢ・塗布処理装置ＣＯＴ・現像処理装置ＤＥＶを備えていたが、各液処理室内に処理液を供給するノズルとこのノズルをカップ内の半導体ウエハＷの上部に移動させるノズル移動機構を備えていたが図２４に示すように、複数のカップ１４１が同一空間内にある場合、１つのノズル移動機構２０２にてカップ１４１の配置方向と平行に移動させて各カップ１４１内の半導体ウエハＷに処理液を供給するように構成されている。また、ノズル移動機構２０２のアーム２０３には、液処理装置内の同雰囲気に配置された複数のノズル２０１を直線状に配置するノズル配置領域２００から適宜選択されたノズル２０１を保持するノズル保持機構を備えている。このように構成したことにより、各液処理装置に各々独立してノズル移動機構を設けなくてよいのでシステムの小型化は勿論であるがシステムの低価格化・装置の安全性が向上することが可能となる。

次に、本実施例の液処理装置としての反射防止膜形成装置ＨＢと塗布処理装置ＣＯＴと現像処理装置ＤＥＶのブロックと熱処理装置ＨＰＢ・ＡＤＢ・ＣＯＬＢにおける他の実施の形態について説明する。なお、本実施の形態に係る発明は他の実施例と組み合わせて使用してよいということは言うまでもなく本実施の形態のみに限定されない。

前述の各供給装置から前述の液処理装置としての反射防止膜形成装置ＨＢＢ・塗布処理装置ＣＯＴＢ・現像処理装置ＤＥＶＢと熱処理装置ＨＰＢ・ＡＤＢ・ＣＯＬＢの熱処理ブロックは、水平ブロックを単位として各処理能力を供給されてきたが、反射防止膜形成装置ＨＢＢ・塗布処理装置ＣＯＴＢ・現像処理装置ＤＥＶＢと熱処理装置ＨＰＢ・ＡＤＢ・ＣＯＬＢの熱処理ブロックを水平ではなく垂直ブロックとして同種の処理装置を構成する装置においては、水平ではなく垂直ブロック単位として本発明に記載した技術を使用してもよいと言うことはいうまでもなく。また、角状に、例えば４つのブロックとして複数のブロックを構成した場合においても本発明を使用してもよいことはいうまでもない。

次に、本実施例の気体供給装置１２０における他の実施の形態について説明する。なお、上述した実施例と同じ構成については同符号をつけることで詳細な説明については省略するものとする。なお、本実施の形態に係る発明は他の実施例と組み合わせて使用してよいということは言うまでもなく本実施の形態のみに限定されない。

前述の気体供給装置１２０の他の刺実施の形態としては、図２５に示すように、第１の空間部１２３からの気体は第２の空間部２１９に冷却板１２６にて冷却された気体を導入するための通路（通流部）としての導入部１２８を介して通流され、第２の空間部２１９において前述同様のヒーター１２９にて気体は所定の温度に加熱される。この後、回転翼１３１としてのファンにより制御機構１３５の操作機構側の第３の空間部２１１に気体は導入されるよう構成されている。この第３の空間部２１１にて気体を所定の湿度に設定する図示しない湿度調整機構にて調節して第４の空間部２１２に開口部２１３を介して気体を導入するように構成されている。このように、気体の冷却部としての第１の空間部１２３・気体の加熱部としての第２の空間部２１９・気体の加湿部としての第３の空間部２１１・他装置への気体排出部としての第４の空間部２１２をそれぞれ設けたので温度・湿度・総排出量の管理がより効率的に行うことが可能となる。また、第２の空間部２１９と第３の空間部２１１とを略水平位置に配置したので装置自体の小型化が達成できることになる。また、第４の空間部２１２から排出する気体は、レジスト処理装置１のインターフェイスユニット部ＩＦＵのダウンフローとして使用してもよい。なお、第３の空間部２１１と第４の空間部２１２とは１つの空間部としてもよいことはいうまでもない。

次に、本実施例の熱処理装置としての熱処理装置ＨＰＢ・ＡＤＢ・ＣＯＬＢにおける他の実施の形態について説明する。なお、上述した実施例と同じ構成については同符号をつけることで詳細な説明については省略するものとする。なお、本実施の形態に係る発明は他の実施例と組み合わせて使用してよいということは言うまでもなく本実施の形態のみに限定されない。

熱処理装置ＨＰ・ＦＨには、図２５に示すように、熱処理装置ＨＰの半導体ウエハＷの搬入出口１６からの雰囲気は温調機構７０側から加熱機構７１方向に通流２３２するよう構成されている。熱処理装置ＨＰの排気口２３１は、加熱機構７１の温調機構７０と対抗する側であって、温調機構７０の中心位置０の線上を挟んで両端に複数、例えば、二つ配置されている。なお、これら排気口２３１の配置位置は中心位置０の線上より略同一の距離に対向して配置されている。また、図２７に示すように熱処理装置ＨＰ・ＡＤの上部または／及び下部に配置された温調熱処理装置ＣＯＬには、温調するための温調機構２３０が配置（温調機構７０のホームポジション位置と略同等位置）されているのであるが熱処理装置ＨＰの奥行きと同様の奥行きを有しており、この、温調熱処理装置ＣＯＬ内の通流２３２についても熱処理装置ＨＰの通流２３２方向と略同一方向とされている。さらに、温調熱処理装置ＣＯＬの排気口２３１も処理装置ＨＰの排気口２３１と同一位置に配置されている。なお、排気口２３１については複数設けたが、温調機構７０と加熱機構７１の配置方向と直行する直線状のスリット状の排気口としてもよいことはいうまでもない。さらに排気口２３１からの排気は排気機構２４０にて排気自在に構成されている。

次に、本実施例の冷媒供給機構８１と冷媒回収機構８２における他の実施の形態について説明する。なお、上述した実施例と同じ構成については同符号をつけることで詳細な説明については省略するものとする。なお、本実施の形態に係る発明は他の実施例と組み合わせて使用してよいということは言うまでもなく本実施の形態のみに限定されない。

なお、前述した冷媒供給機構８１と冷媒回収機構８２との別の実施の形態を説明すると、図２８に示すように、冷媒供給機構８１より供給された冷却水は、一旦、複数、分岐機構９９を介して分岐され、熱処理装置の水平ブロックの各熱処理装置の温調機構に供給されるよう構成されている。さらに、各熱処理装置の温調機構からの回収される冷却水は一括して冷媒回収機構８２に回収されるよう構成されている。このような構成において、ブロック単位ではなく、ブロック単位であって且つブロック内のさらに併設する分割したブロック単位（例えば、二つ熱処理装置ＨＰ単位ごと）で各熱処理装置の温調機構への供給ラインのみ独立して各々供給されるので、さらに安全性の高い装置とすることができる。

また、これらのブロックを積層して配置した場合の例を図２９に示す。このように積層してブロック化された場合においても上下に積層する分割単位（例えば、二つ熱処理装置ＨＰ単位ごと）のかつ垂直ブロック単位ごと処理能力の管理を行うことができるということはいうまでもない。なお、本実施の形態では熱処理装置ＨＰで説明を行ったが、熱処理装置ＡＤまたは／及び温調熱処理装置ＣＯＬにおいても使用してよいことはいうまでもない。

次に、本実施例の現像処理装置ＤＥＶの処理液の供給機構における他の実施の形態について説明する。なお、上述した実施例と同じ構成については同符号をつけることで詳細な説明については省略するものとする。なお、本実施の形態に係る発明は他の実施例と組み合わせて使用してよいということは言うまでもなく本実施の形態のみに限定されない。

この現像処理装置ＤＥＶの処理液の供給機構は、図３０に示すように、処理液２５０を収納する処理液収納容器２５１を基板処理装置１内に現像処理装置ＤＥＶの台数分具備している。この処理液収納容器２５１には、処理液、例えば、現像液を半導体ウエハＷに現像液を供給するノズル２５２方向に供給管２５３を介して送出すべく処理液収納容器２５１内の現像液の液面に圧力をかけるための気体、例えば窒素を供給する気体供給機構の供給管２５４と、処理液収納容器２５１内の気体を排出する排気管２５５と、処理液収納容器２５１内に現像液を供給する処理液供給機構２５６の液供給管２５７を備えている。さらに、液供給管２５７の液吐出部２５９には、液供給管２５７の径より小さい径の通流管２６１を複数有した吐出部２６０を有している。この吐出部２６０の作用としては、液供給管２５７から流れてくる現像液を所定の径の液供給管２５７から複数の小さい径の通流管２６１を通すことにより液の流速を変化させることに伴って、液供給管２５７内の現像液の圧力と通流管２６１内の現像液の圧力に差を形成することに有る。

つまり、好ましくは、液供給管２５７内の現像液の圧力＞通流管２６１内の現像液の圧力となることが好ましい。この現象を生ずることにより、現像液中に溶存する窒素等のマイクロバブルを取り除くことにしている。これにより、半導体ウエハＷの歩留まりを向上させる。また、吐出部２６０から吐出された現像液は処理液収納容器２５１内の壁面に沿って現像液２５０の液溜りに流れ落ちることが好ましい。さらに、吐出部２６０から吐出された現像液は処理液収納容器２５１内の壁面に直角に吐出してもよいが下方向に所定の角度で当たるよう構成されたほうが好ましい。したがって、吐出部２６０は、非真空式の脱気機構（第１の脱気機構）ということができる。

さらに、図３０に示すように、供給管２５３の途中には、図３２にも示すように真空式の脱気機構２７０（第２の脱気機構）が配置されている。この脱気機構２７０は、気密に構成された容器２７１を有しており供給管２５３から流れてきた現像液を供給管２５３の径より小さい径の複数の管２７２に分岐させる分岐機構２７３により分岐される。この管２７２は、液体は通さないが気体は通す膜で形成されている。また、容器２７１内は排気口２７４を介して排気機構、例えば真空ポンプ２７５にて排気自在に構成されている。これにより第１の脱気機構にて残存する溶存気体を効率よく且つ確実に脱気することができ、現像液中に溶存する窒素等のマイクロバブルを取り除くことにしている。これにより、半導体ウエハＷの歩留まりを向上させる。

なお、処理液収納容器２５１をベローズ型にし、処理液収納容器２５１自体がその容積を変化できるよう構成された場合は、容器の容積の減少にてノズル２５２方向に処理液を送出できるので気体供給機構の供給管２５４は不要とすることができる。なお、処理液供給機構２５６には、前述の外部の供給装置としてのＤＥＶケミカルキャビルットからブロック毎に処理液が供給される。なお、本実施の形態について現像処理装置ＤＥＶの現像液における処理液の脱気機構について説明したが、本脱気機構については、塗布処理装置ＣＯＴに使用するレジスト液の脱気または／及び、現像処理装置ＤＥＶまたは塗布処理装置ＣＯＴで使用するシンナー等の処理液の脱気機構としても使用できるということはいうまでもない。また、第１の脱気機構の後段に第２の脱気機構を有したが第２の脱気機構を第１の脱気機構の前段に配置してもよく。第１の脱気機構の前段と後段の両方に第２の脱気機構を配置してもよいことはいうまでもない。また、処理液の経路に、第１の脱気機構と第２の脱気機構とを設けたが、プロセスが達成できるのであればいずれかの脱気機構のみを使用してもよいことはいうまでもない。

また、上述の基板として半導体ウエハを用いて説明したが、これに限定せず、例えばＬＣＤ基板等のガラス基板でも良いし、ＣＤ等のディスク等の基板でも良いことは言うまでもなく、また、液処理としては、現像・塗布に限定せず洗浄装置等にも使用しても良く、処理液を使用する方法或いは装置であればこれに限定するものではないことは言うまでもない。また、液処理装置の１つを検査装置等の他の装置に置き換えたとしても本技術を適用してもよい。

本発明は、基板処理装置及び基板処理方法及び基板処理装置の処理能力供給装置及び基板処理装置の処理能力供給方法に適用可能である。

本発明に係る基板処理装置の実施の形態における全体構造を示す平面図である。 図１の液処理装置の要部を説明する概略斜視図である。 図１の熱処理装置の要部を説明する概略斜視図である。 図１の基板搬送機構の要部を説明する概略斜視図である。 図１のカセットユニット部の要部を説明する概略斜視図である。 図１の基板受渡部の要部を説明する概略断面図である。 図１のインターフェイスユニット部の要部を説明する概略斜視図である。 図１の熱処理室の要部を説明する概略斜視図である。 図１の熱処理装置の要部を説明する概略平面図である。 図９の熱処理装置の要部を説明する概略図である。 図９の熱処理装置の要部を説明する概略斜視図である。 図９の熱処理装置の要部を説明する概略平面図である。 図１２の処理能力供給装置の要部を説明する概略図である。 図１１の熱処理装置に係る他の実施形態を説明する概略斜視図である。 図１の液処理装置に係る処理能力供給を説明する概略図である。 図１５の処理能力供給装置を説明する概略断面図である。 図１６の処理能力供給装置を説明する概略図である。 図１５の液処理装置に係る要部を説明する概略断面図である。 図１５の液処理装置に係る要部を説明する概略断面図である。 図１の液処理装置に係る処理能力の供給を説明する概略図である。 図２０の処理能力供給装置の処理能力の供給に係る他の実施形態を説明する概略図である。 液処理装置に係る他の実施形態を説明する概略断面図である。 液処理装置に係る要部を説明する概略平面図である。 図２２，２３の基板受渡しステーションの他の実施形態を説明する概略斜視図である。 図１６の処理能力供給装置の他の実施の形態を説明する概略断面図である。 熱処理装置ＨＰＢ・ＡＤＢ・ＣＯＬＢの他の実施の形態を説明する概略断面図である。 熱処理装置ＨＰＢ・ＡＤＢ・ＣＯＬＢの他の実施の形態を説明する概略断面図である。 図１４の他の実施の形態を説明する概略斜視図である。 図２８の他の実施の形態を説明する概略図である。 現像処理装置ＤＥＶの処理液の供給機構の他の実施形態を説明する概略断面図である。 図３０の要部を説明する概略図である。 図３０の要部を説明する概略図である。

１；レジスト処理装置
Ｗ；半導体ウエハ（基板）
ＣＵ；カセットユニット部
ＩＦＵ；インターフェイスユニット部
ＰＵ；プロセスユニット部
ＨＢ；反射防止膜形成装置（液処理装置）
ＣＯＴ；塗布処理装置（液処理装置）
ＤＥＶ；現像処理装置（液処理装置）
ＨＰ；熱処理装置（熱処理装置）
ＡＤ；疎水化処理装置（熱処理装置）
ＣＯＬ；温調処理装置（熱処理装置）
８，９；基板受渡部
１１；アーム
１０；基板搬送機構
ＴＲ１，ＴＲ２；基板搬送機構
１６；搬入出口
２０，２１；基板受渡ステーション
３６；熱制御機構
７０；温調機構
７１；加熱機構
２０２；ノズル移動機構
１００，１２０，１７０，１７１；処理能力供給装置
２３１；排気口
２４０；排気機構

Claims (3)

1. 被処理基板に対して所定の液を供給して同一の処理を行う液処理装置を水平方向或いは垂直方向に複数配置して構成された液処理装置ブロックを複数具備した基板処理装置であって、前記液処理装置内に配置される少なくとも一つの処理カップと、この処理カップに配置される被処理基板に対して所定の処理液を供給する処理液ノズルと、この処理液ノズルに処理液を送出するよう構成されるとともに処理液を少なくとも被処理基板の一処理分以上の処理液を収納自在に構成された処理液タンクと、この処理液タンクに処理液を処理液タンク内の処理液面上方位置の処理液タンクの内壁に供給して実質的に処理液タンク内に処理液を供給する処理液供給機構と、この処理液タンクに所定の気体を供給する気体供給機構と、を具備したことを特徴とする基板処理装置。
2. 被処理基板を熱処理部に移動自在に構成され前記被処理基板に対して温調自在に構成された温調機構を各々備えた熱処理装置を複数積層して構成された熱処理装置ブロックを複数具備及び被処理基板に対して所定の液を供給して同一の処理を行う液処理装置を水平方向或いは垂直方向に複数配置して構成された液処理装置ブロックを複数具備した基板処理装置であって、前記熱処理装置ブロック毎に供給される所定の温度に設定された冷却液を供給する冷却液供給機構と、この冷却液供給機構より供給される冷却液は分岐され１つの熱処理装置ブロック内の複数の熱処理部の温調機構に各々冷却液を供給する液供給機構と、前記液処理装置ブロック毎に供給される所定の温度と湿度に設定された気体を供給する気体供給機構と、この気体供給機構より供給される気体は分岐され１つの液処理装置ブロック内の液処理装置に各々気体を供給する気体供給機構と、を具備したことを特徴とする基板処理装置において、前記液処理装置内に配置される少なくとも一つの処理カップと、この処理カップに配置される被処理基板に対して所定の処理液を供給する処理液ノズルと、この処理液ノズルに処理液を送出するよう構成されるとともに処理液を少なくとも被処理基板の一処理分以上の処理液を収納自在に構成された処理液タンクと、この処理液タンクに処理液を処理液タンク内の処理液面上方位置の処理液タンクの内壁に供給して実質的に処理液タンク内に処理液を供給する処理液供給機構と、をさらに具備したことを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置において、前記液処理装置内に配置される少なくとも一つの処理カップは、水平方向かつ一直線上に配置された複数の処理カップであり、これら複数の処理カップは同一の雰囲気空間に配置されており、これら複数の処理カップには、実質的に一つの搬送機構で複数の処理カップ内に配置される被処理基板に対して処理液を供給するノズルを搬送自在に構成されたことを特徴とする基板処理装置。

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