JP2006114906A

JP2006114906A - 半導体製造用フォトレジストのディスペンス装置

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Publication number: JP2006114906A
Application number: JP2005296755A
Authority: JP
Inventors: Jong-Haw Lee; リージョン−ホウ; Jin-Jun Park; 珍俊朴
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2004-10-13
Filing date: 2005-10-11
Publication date: 2006-04-27
Also published as: US7685963B2; TW200618128A; KR100643494B1; DE102005048262A1; KR20060032674A; CN1766734A; US20060075965A1

Abstract

【課題】フォトレジストのウェハへの安定したディスペンシングを図る半導体製造用フォトレジストのディスペンス装置を提供する。
【解決手段】ディスペンスポンプ３０により容器１０から送られたフォトレジストを供給ライン２０を経由させて異物除去用フィルター４０でフィルターリングし、フィルターリングされたフォトレジストは噴射ノズル５０を通じてウェハＷに噴射される半導体製造用フォトレジストのディスペンス装置において、ディスペンスポンプ３０の直前の供給ライン２０に設けられて容器１０からフォトレジストを送るチャージポンプ６０と、チャージポンプ６０の後方で、チャージポンプ６０により送られたフォトレジストに含まれる気泡を除去する気泡除去フィルター７０と、気泡除去フィルター７０を通過したフォトレジストを貯蔵し、ディスペンスポンプ３０に一定量のフォトレジストを安定的に供給するバッファタンク８０と、を備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体製造用フォトレジストのディスペンス装置に係るもので、詳しくは、フォトレジストの供給ラインで発生する比較的大きい気泡及び微細な気泡をディスペンスポンプに到達する以前に除去することにより、フォトレジストのウェハ表面への安定したディスペンシングを図る半導体製造用フォトレジストのディスペンス装置に関する。

一般に、半導体は拡散工程、フォト工程、食刻工程、インプラント工程及び蒸着工程などの多様な作業工程を通じて製造される。このような一連の工程を順次反復して行うことにより半導体装置を製造することができる。
パターン形成のために基本的にウェハの表面に行われる工程がフォト工程と食刻工程である。フォト工程はウェハの表面にフォトマスクを形成するものである。このフォトマスクを用いて食刻工程で直接ウェハ表面を食刻することによりパターンを形成する。フォト工程ではフォトマスク形成のためにフォトレジストといわれるケミカルをかならず使用し、このフォトレジストはディスペンス装置によってウェハの表面に一定量ずつ供給されて、微小な厚さで塗布される。

図４は半導体製造装置において一般に適用されるフォトレジストのディスペンス装置を示す模式図である。
図示したように、フォトレジストは通常１つ以上の種類が複数の容器１０に一定量ずつ満たされ、容器１０に満たされたフォトレジストはディスペンスポンプ３０により供給ライン２０を通じて強制ポンピングされ、該ポンピングされたフォトレジストはフィルター４０を経ながら異物が除去された後に、噴射ノズル５０を通じてウェハＷに噴射される。

ウェハＷにフォトレジストを噴射するときに一番重要なのはフォトレジストをウェハＷに均一に塗布することである。しかし、フォトレジストがウェハＷに均一な厚さで塗布されても、それ自体に異物がある場合にはフォトマスクの不良を招来して、後続工程の食刻工程においてパターン不良を発生させる原因となる。

そこで、ディスペンスポンプ３０により強制的に送られるフォトレジストは異物除去用フィルター４０を通じて異物がフィルターリングにより除去された後、噴射ノズル５０を通じて噴射される。
また、このようなディスペンス装置にはフォトレジストに含まれる異物のほかにも、噴射ノズル５０による定量噴射に悪影響を与えながらフォトマスクの不良要因として作用する要素があり、その要素の１つが供給ライン２０で発生する気泡である。

特に、最近の半導体技術動向によると、より微細なデザインルールが要求されるため、供給ライン２０から発生する微細な気泡もパターン形成に大きな影響を与える。
このように供給ライン２０で発生する気泡は現在異物とともに気泡除去用フィルター４０によりフィルターリングで除去される。供給ライン２０で発生する気泡を気泡除去用フィルター４０で除去することにより、気泡による影響、即ち、パターン不良が最小化される。

しかし、１つのフィルター４０のみを通じて異物と気泡を同時にフィルターリングで除去すると、気泡が水膜を形成しながらフィルター４０内部でフォトレジストの流動負荷として作用するため、フィルター４０を通過する流量がディスペンスポンプ３０によるポンプ流量に比べ急に減少するとの問題点が発生する。その結果、フィルター４０を通過する流量が気泡の抵抗により低減しながら噴射ノズル５０を通じて噴射されるフォトレジストの流量が急に減少し、ウェハへの供給流量が不均一になる。

また、容器１０からフォトレジストをポンピングするディスペンスポンプ３０は、容器１０からのポンピングより噴射ノズル５０を通じて噴射されるフォトレジストの噴射圧力にポンピング圧が合わせられているため、容器１０からのポンピング圧は弱く、このようなポンピング圧は特に容器１０からディスペンスポンプ３０に至る供給ライン２０の長さにも影響を与える。

このようにフォトレジストをディスペンスポンプ３０により流動させると、供給ライン２０でフォトレジスト中に自然に気泡が生成されると同時に、生成された気泡の拡散作用により供給ライン２０の一部でフォトレジストが全くなく気泡だけの空間が形成されるため、噴射ノズル５０を通じて噴射されるフォトレジストの流量が不安定になり、ウェハに塗布されるフォトレジストの塗布厚さが不均一になる。従って、フォトマスクの不良及びウェハでのパターン不良を招来する可能性がある。

特に、最近の半導体パターンでは漸次一層微細なデザインルールが要求されるとともに高密度化及び高集積化の趨勢であるので、このような動きの中で、フォトレジストに残留する大きいまたは小さい気泡はパターン形成に莫大な悪影響を与える原因となる。

本発明の目的は、上述のような従来の問題点を解決するため、供給ラインで発生する大きいまたは小さい気泡をディスペンスポンプに到達する前に完全に除去することにより、噴射ノズルに誘導されるフォトレジストの供給量を恒常一定に維持し、噴射ノズルへの供給量が不足な場合には早速に工程実行を中断させて工程不良及び製品不良を最小化することができる半導体製造用フォトレジストのディスペンス装置を提供することにある。

このような目的を達成するため本発明の半導体製造用フォトレジストのディスペンス装置は、ディスペンスポンプにより容器からフォトレジストを強制的に送り供給ラインを経由させて異物除去用フィルターを通過させながらフィルターリングし、フィルターリングされたフォトレジストは噴射ノズルを通じてウェハに噴射される半導体製造用フォトレジストのディスペンス装置において、前記ディスペンスポンプの直前に位置する前記供給ラインには気泡除去手段を備えることを特徴とする。

即ち、本発明では、容器から強制的に送られたフォトレジストは異物除去用フィルターを通じて異物が除去され、この異物除去用フィルターに気泡が誘導されないように、フォトレジストの強制供給手段であるディスペンスポンプの直前に位置する供給ラインに気泡除去手段が設けられる。

本発明は、容器から強制的に送られるフォトレジストの流動速度を一層増大させることにより、流動中に発生する大きいまたは小さい気泡を最大限に抑制及び低減し、発生した気泡を気泡除去フィルターと異物除去用フィルターを通過させて完璧に除去することにより、ウェハでは良質のフォトレジストが提供されるようにし、異物除去用フィルターでの流動負荷を最大限に除去してディスペンスポンプにより恒常一定で且つ安定した圧力でフォトレジストを噴射し、ウェハにフォトレジストを均一な厚さで塗布して正確なパターンを具現できるとの効果がある。

その結果、本発明は、フォトレジストの塗布工程中、パターン形成に一番影響を与える大きいまたは小さい気泡を効果的に除去しながら、噴射ノズルを通じて恒常一定な流量及び圧力でフォトレジストを吐出すことにより、一層微細になるデザインルールのパターンの具現にも適切に対応できると共に、製品に対する上品性と信頼性を増大させ、製品の生産性向上が期待されるなどの非常に有用な効果を提供する。

以下、上述の気泡除去手段としての具体的な構成による実施例を添付図面を参照して詳しく説明する。
図１は本発明による第１実施例を示した図である。
第１実施例によるディスペンス装置は、一定量のフォトレジストが貯蔵される容器１０と、前記容器１０からフォトレジストを強制流動させる供給ライン２０と、供給ライン２０を通じてフォトレジストをポンピングして流動させるポンピング手段のディスペンスポンプ３０と、ディスペンスポンプ３０により強制的に送られたフォトレジストに含まれる異物をフィルターリングで除去する異物除去用フィルター４０と、前記異物除去用フィルター４０を通過しながらフィルターリングされたフォトレジストをウェハＷに一定量ずつ吐出する噴射ノズル５０と、を備え、その構成は従来のディスペンス装置とほとんど類似である。

このような構成において本実施例では、ディスペンスポンプ３０の直前に位置し、異物除去用フィルター４０と対応する方向の供給ライン２０に気泡除去手段が設けられる。
このときの気泡除去手段はチャージポンプ６０、気泡除去フィルター７０及びバッファタンク８０を含む。

前記チャージポンプ６０は容器１０からフォトレジストを強制的に送るために設けられる構成であり、特にチャージポンプ６０はディスペンスポンプ３０に比べ大きいポンピング圧力を有することが好ましい。ディスペンスポンプ３０は噴射ノズル５０を通じてフォトレジストをウェハＷに吐出させる圧力程度のポンピング圧力が必要である。チャージポンプ６０はまず容器１０からチャージポンプ６０まで速い速度でフォトレジストを送ることにより、供給ライン２０での気泡生成を最小化するものである。

気泡除去フィルター７０はチャージポンプ６０により強いポンピング力で送られるフォトレジストを通過させながらフォトレジストに含まれる気泡をフィルターリングで除去するメンブレインを内蔵して構成される。
また、前記気泡除去フィルター７０は、図２に示すように、その内部で一方向に流入管７２ａと流出管７２ｂを有し、これら流入管７２ａと流出管７２ｂの間により大きい直径のメンブレイン７２ｃが連結され、前記メンブレイン７２ｃに気泡だけを除去する脱気管７２ｄが連結される構成であってもよい。

このような構成の気泡除去フィルター７０をフォトレジストが通過すると、まず、直径の小さい流入管７２ａを通じてフォトレジストが誘導されてから流入管７２ａよりも直径の大きいメンブレイン７２ｃにフォトレジストが誘導される。このとき、内径を一層拡張させた低圧のメンブレイン７２ｃでは急激な圧力差のため、流入管７２ａを通じて高圧で流入したフォトレジストから大きいまたは小さい気泡が抜け出す。

次いで、前記メンブレイン７２ｃはフォトレジストから大きいまたは小さい気泡を分離して、フォトレジストは流出管７２ｂを通じて排出され、大きいまたは小さい気泡は脱気管７２ｄを通じて除去される。
チャージポンプ６０のポンピング圧力に影響を受ける気泡除去フィルター７０のメンブレイン７２ｃはディスペンスポンプ３０のポンピング圧力に影響を受ける異物除去用フィルター４０に内蔵されるメンブレインより一層強い剛性を有することが好ましい。

バッファータンク８０は気泡除去フィルター７０を通過して誘導されるフォトレジストを一定量貯蔵して、ディスペンスポンプ３０に一定量が安定的に供給されるようにする構成である。
このとき、バッファタンク８０には複数のレベルセンサー８２ａ、８２ｂ、８２ｃが装着され、これらレベルセンサー８２ａ、８２ｂ、８２ｃは貯蔵されるフォトレジストの上死点、下死点及び充填点を感知する。

また、これら各レベルセンサー８２ａ、８２ｂ、８２ｃはコントローラー９０に連結される。各レベルセンサー８２ａ、８２ｂ、８２ｃから感知される信号によりチャージポンプ６０の駆動を取り締まり、メインコントローラーを通じて設備の駆動自体を取り締まる。
本実施例でチャージポンプ６０から異物除去用フィルター４０に至る構成は１つのユニットで形成して、噴射ノズル５０に近接させて設けることが好ましい。

このような構成の実施例はチャージポンプ６０の駆動により容器１０からフォトレジストを強制的に送って気泡除去フィルター７０を通過させながら、大きいまたは小さい粒子の気泡をフィルターリングにより除去するものである。
気泡除去フィルター７０を通過したフォトレジストはバッファタンク８０に満たされ、バッファタンク８０に満たされたフォトレジストはディスペンスポンプ３０の駆動により一定した流量ずつ送られて異物除去用フィルター４０を通過しながら微細な異物が除去された後、噴射ノズル５０を通じて一定量ずつウェハＷに吐出される。

このとき、バッファタンク８０に満たされたフォトレジストがウェハＷに塗布されながらフォトレジストの量が漸次減少してバッファタンク８０の下死点までに下がった場合、下死点レベルセンサー８２ａはフォトレジストの量を感知し、コントローラー９０はメインコントローラーに設備の駆動中断信号を伝達する。次いで、フォトレジスト量不足に起因して設備の駆動が中断されると、バッファタンク８０に残留するフォトレジストがドレインバルブ８１を通じて強制排出されるに従い、フォトレジストが新しく充填されるようにバッファタンク８０が空にされる。

そして、工程実行中にチャージポンプ６０によりポンピングされて充填されるフォトレジストがバッファタンク８０で上死点の位置までに到達すると、レベルセンサー８２ｂがこれを感知して該感知された信号をコントローラー９０に伝達する。次いで、しばらくチャージポンプ６０の駆動を中断してバッファータンク８０にフォトレジストがこれ以上充填されないようにする。

このとき、噴射ノズル５０はバッファタンク８０でのフォトレジストの量とは無関係に持続的にフォトレジストを吐出する。フォトレジストの充填が中断された状態で継続してフォトレジストが吐出されると、バッファタンク８０でのフォトレジスト量は急に減る。充填点に位置したレベルセンサー８２ｃで感知されるほどにフォトレジスト量が減少した場合、コントローラー９０は再度チャージポンプ６０を駆動させて再度バッファタンク８０にフォトレジストを満たすようにする。

このようにチャージポンプ６０の駆動を取り締まって、恒常的にバッファタンク８０でフォトレジストの量が充填点と上死点の間にあるように維持すると、ディスペンスポンプ３０によりフォトレジストを噴射ノズル５０を通じて安定的に吐出させることができるようになる。
但し、バッファタンク８０でフォトレジストの量が過度に減った場合、下死点レベルセンサー８２ａがこれを感知して、コントローラー９０及びメインコントローラーにより設備全体の駆動が中断されるようにする。

フォトレジストを他の種類に交換する場合には、特に設備の駆動を完全に中止した状態で、既に工程ライン内に満たされたフォトレジストを、従来と同様に、各ドレインバルブ４１、７１、８１を通じて排出し、このときには別の強力な吸入ポンプを使用する。
このような本実施例に従いフォトレジストをウェハＷにディスペンシングすると、噴射ノズル５０を通じて吐出されるフォトレジストを恒常定量に維持することができるだけでなく、フォトレジストには工程実行に影響を与える微細な気泡、即ち、マイクロ気泡さえも含まれないようにして、工程または製品の不良を未然に防止することができる。

前述の実施例とは異なって本発明は図３に示す第２実施例による構成でも実施できる。
一定量のフォトレジストが貯蔵される１つ以上の容器１０と、この容器１０から強制的に送られるフォトレジストを一定な圧力で噴射ノズル５０を通じて噴射するディスペンスポンプ３０と、前記ディスペンスポンプ３０の直前に位置し、異物除去用フィルター４０と対応する方向の供給ライン２０に設けられる気泡除去手段と、からなる構成は前述の実施例とほぼ類似である。

但し、本実施例での気泡除去手段は第１チャージポンプ６０、第１バッファタンク１００、気泡除去フィルター７０、第２チャージポンプ１１０及び第２バッファタンク８０を含む構成である。
第１チャージポンプ６０は容器１０からフォトレジストを強制的に送る作用をし、噴射ノズル５０を通じてウェハにフォトレジストをディスペンシングするディスペンスポンプ３０に比べより大きい圧力を有することが好ましい。

第１バッファタンク１００は第１チャージポンプ６０により誘導されるフォトレジストの流量を恒常一定範囲に維持する構成であり、このため、第１バッファタンク１００には貯蔵されるフォトレジストの量を感知する複数のレベルセンサー、即ち、下死点レベルセンサー１０２ａ、上死点レベルセンサー１０２ｂ及び充填点レベルセンサー１０２ｃが設けられる。

気泡除去フィルター７０は第１バッファタンク１００に貯蔵されたフォトレジストを一定量ずつ通過させることにより、フォトレジストから気泡を分離して気泡だけを除去した状態の純粋なフォトレジストだけを流動させる構成であり、このときの気泡除去フィルター７０には異物除去用フィルター４０より一層強い剛性を有するメンブレインを設けることが好ましい。

このような気泡除去フィルター７０は、上述の実施例のように（図２参照）、内部に向う流入管７２ａと流出管７２ｂを有し、これら流入管７２ａと流出管７２ｂの間に一層大きい直径のメンブレイン７２ｃが連結され、前記メンブレイン７２ｃに気泡だけを除去する脱気管７２ｄが連結される構成であってもよい。

第２チャージポンプ１１０は、第１バッファタンク１００に満たされるフォトレジストが気泡除去フィルター７０を通過するときに気泡が除去されるようにして、気泡除去フィルター７０を通過したフォトレジストからこれ以上の気泡が発生しないように一層フォトレジストを流動させる構成である。
第２バッファタンク８０は第２チャージポンプ１１０により強制的に送られたフォトレジストを再度一定な量だけ貯蔵されるようにした構成であり、第２バッファタンク８０でフォトレジストは複数のレベルセンサー、即ち、下死点レベルセンサー８２ａと上死点レベルセンサー８２ｂと充填点レベルセンサー８２ｃにより充填量が感知される。

そして、各レベルセンサー８２ａ、８２ｂ、８２ｃはコントローラー９０に連結される。各レベルセンサー８２ａ、８２ｂ、８２ｃから感知される信号により第１チャージポンプ６０、第２チャージポンプ１１０及びメインコントローラーを通じた設備の駆動を取り締まる。
本実施例でも第１チャージポンプ６０から第１バッファタンク１００、気泡除去フィルター７０、第２チャージポンプ１１０及びフィルター４０に至る構成を噴射ノズル５０の近くに１つのアセンブリとして設けることが好ましい。

このような構成に従い第１チャージポンプ６０の駆動により容器１０からフォトレジストを強制的に送って第１バッファタンク１００と気泡除去フィルター７０を通過させながら、大きいまたは小さい気泡が全てフィルターリングで除去されるようにする。
フォトレジストが第１バッファタンク１００と気泡除去フィルター７０を通過しながら、特に、気泡除去フィルター７０の流入管７２ａを通じて高圧で流入すると、内径をより拡張させた低圧のメンブレイン７２ｃで急な圧力差により、該フォトレジストから大きいまたは小さい気泡が抜け出す。

大きいまたは小さい気泡が抜け出しながらフォトレジストからフィルターリングによって分離されると、第２チャージポンプ１１０により、再度第２バッファタンク８０に気泡の除去されたフォトレジストが満たされ、第２バッファタンク８０に満たされるフォトレジストはディスペンスポンプ３０の駆動により一定した流量ずつ送られ、フィルター４０を通過しながら微細な異物が除去された後に噴射ノズル５０を通じて一定量ずつウェハＷに吐出される。

このとき、第１バッファタンク１００と第２バッファタンク８０に満たされるフォトレジストはウェハＷへのディスペンシング工程により漸次消耗されて量が減る。第１バッファタンク１００と第２バッファタンク８０の下死点までにフォトレジスト量が下がった場合には、下死点に位置したレベルセンサー１０１ａ、８２ａによりフォトレジスト量が感知され、コントローラー９０はメインコントローラーに設備の駆動中断信号を伝達する。

次いで、設備の駆動が中断されると、第１バッファタンク１００と第２バッファタンク８０に残留するフォトレジストは各ドレインバルブ１０１、８１を通じて強制排出され、設備の再稼動の際には新しいフォトレジストが充填される。
工程実行中に第１チャージポンプ６０と第２チャージポンプ１１０によりポンピングされて第１バッファタンク１００と第２バッファタンク８０に充填されるフォトレジストが上死点の位置まで到達すると、上死点レベルセンサー１０１ｂ、８２ｂがこれを感知し、感知された信号はコントローラー９０に伝達されて第１チャージポンプ６０と第２チャージポンプ１１０の駆動がしばらく中断される。

また、第１バッファタンク１００と第２バッファタンク８０にフォトレジストが充填される過程においてフォトレジストは持続的にウェハＷに塗布されるので、これら第１バッファタンク１００と第２バッファタンク８０でのフォトレジストの量は漸次減少する。このようにフォトレジスト量が減少するに従い、充填点レベルセンサー１０１ｃ、８２ｃを通じてフォトレジスト量が感知されると、この信号によりコントローラー９０は再度第１チャージポンプ６０と第２チャージポンプ１１０を駆動して、再度第１バッファタンク１００と第２バッファタンク８０にフォトレジストを満たするようにする。

そこで、フォトレジストの量は恒常的に第１バッファタンク１００と第２バッファタンク８０の充填点と上死点の間に維持され、第２バッファタンク８０に満たされたフォトレジストはディスペンスポンプ３０により噴射ノズル５０を通じて安定的に吐出される。
第１バッファタンク１００と第２バッファタンク８０でそれぞれフォトレジストが過度に減って量が下死点の位置までに下がった場合、下死点レベルセンサー１０１ａ、８２ａがこれを感知してコントローラー９０を通じて全体設備駆動が中断されるようにし、フォトレジストの供給量不足に起因する工程及びウェハの不良を事前に防止する。

このようなフォトレジストのディスペンシング過程で本実施例では第１チャージポンプ６０と第２チャージポンプ１１０を通じてフォトレジストをより速く流動させて、フォトレジストの流動中の気泡発生を未然に防止する。
また、大きいまたは小さい気泡が気泡除去フィルター７０により除去されながら異物除去用フィルター４０には純粋なフォトレジストだけが流入して、フォトレジストに含まれる異物が完全に除去されることにより、噴射ノズル５０を通じて良質のフォトレジストだけがウェハＷにディスペンシングされる。

また、フォトレジストをより速く流動させると共に第１バッファタンク１００と第２バッファタンク８０ではこれをそれぞれバッファーリングすることにより、フォトレジストの過供給或いは不足に起因して発生する供給不良及び工程不良を防止することができる。
一方、フォトレジストを他の種類に交換するに際しても、上述の実施例と同様に、設備の駆動を完全に中止した状態で、既に工程ライン内に満たされたフォトレジストを従来と同様に各ドレインバルブ４１、７１、８１を通じて排出し、別の強力な吸入ポンプを用いてライン全体から完璧に除去する。

上述のように、多くの事項が具体的に記載されたが、これらは発明の範囲を限定するものでなく、好ましい実施例の例示として解釈されるべきである。
そこで、本発明の範囲は説明された実施例に基づき定められるべきものでなく、特許請求範囲に記載された技術的思想により定められるべきである。

本発明の第１実施例によるフォトレジストのディスペンス装置を示す模式図である。本発明の第１実施例による気泡除去フィルターを示す模式図である。本発明の第２実施例によるフォトレジストのディスペンス装置を示す模式図である。従来の半導体製造のためのフォトレジストのディスペンス装置を示す模式図である。

符号の説明

１０容器、２０供給ライン、３０ディスペンスポンプ、４０異物除去用フィルター、５０噴射ノズル、６０チャージポンプ（第１チャージポンプ）、７０気泡除去フィルター、８０バッファタンク（第２バッファタンク）、９０コントローラー、１００第１バッファタンク、１１０第２チャージポンプ

Claims

ディスペンスポンプにより容器から送られたフォトレジストを供給ラインを経由させて異物除去用フィルターを通過させフィルターリングし、そのフィルターリングされたフォトレジストは噴射ノズルを通じてウェハに噴射される半導体製造用フォトレジストのディスペンス装置において、
前記ディスペンスポンプの直前の供給ラインに設けられ、容器内のフォトレジストを強制的に送るチャージポンプと、
前記チャージポンプの後方でにおいて、前記チャージポンプにより強いポンピング力で送られたフォトレジストを通過させながらそのフォトレジストに含まれる大きいまたは小さい気泡を除去する気泡除去フィルターと、
前記気泡除去フィルターを通過して誘導されるフォトレジストを一定量ずつ貯蔵し、前記ディスペンスポンプに恒常一定量のフォトレジストを安定的に供給するバッファタンクと、
を備えることを特徴とする半導体製造用フォトレジストのディスペンス装置。
前記チャージポンプは前記ディスペンスポンプよりも大きいポンピング圧力を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体製造用フォトレジストのディスペンス装置。
前記気泡除去フィルターは前記チャージポンプのポンピング圧力に十分に耐えられるように前記異物除去用フィルターよりも一層強い剛性を有するメンブレインからなることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造用フォトレジストのディスペンス装置。
前記気泡除去フィルターは、内部で一方に行く流入管及び流出管を有し、前記流入管と前記流出管との間に大きい直径のメンブレインが連結され、前記メンブレインに気泡だけを除去する脱気管が連結されることを特徴とする請求項３に記載の半導体製造用フォトレジストのディスペンス装置。
前記バッファタンクには内部に充填されるフォトレジストの量の上死点、下死点及び充填点を感知する複数のレベルセンサーが装着されることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造用フォトレンジストのディスペンス装置。
前記チャージポンプ、前記気泡除去フィルター、前記バッファタンク、前記ディスペンスポンプ及び前記異物除去用フィルターは前記噴射ノズルに近接して１つのアセンブリで設けられることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造用フォトレジストのディスペンス装置。
ディスペンスポンプにより容器から送られたフォトレジストを供給ラインを経由させて異物除去用フィルターを通過させフィルターリングし、そのフィルターリングされたフォトレジストは噴射ノズルを通じてウェハに噴射される半導体製造用フォトレジストのディスペンス装置において、
前記ディスペンスポンプの直前の供給ラインに設けられ、前記容器からフォトレジストを強制的に送る第１チャージポンプと、
前記第１チャージポンプにより誘導されるフォトレジストを恒常一定流量に維持させる第１バッファタンクと、
前記第１バッファタンクの後方で、前記第１チャージポンプにより強いポンピング力で送られるフォトレジストを通過させながら、そのフォトレジストに含まれる気泡及びマイクロ気泡を除去する気泡除去フィルターと、
前記第１バッファタンクに満たされるフォトレジストを前記気泡除去フィルターを通過させながらそのフォトレジストの気泡を除去する第２チャージポンプと、
前記気泡除去フィルターを通過して誘導されるフォトレジストを一定量貯蔵し、前記ディスペンスポンプに恒常一定量のフォトレジストを安定的に供給する第２バッファタンクと、
を備えることを特徴とする半導体製造用フォトレジストのディスペンス装置。
前記第１チャージポンプは前記ディスペンスポンプよりも大きいポンピング圧力を有することを特徴とする請求項７に記載の半導体製造用フォトレジストのディスペンス装置。
前記気泡除去フィルターは前記異物除去用フィルターより強い剛性を有するメンブレインを有することを特徴とする請求項７に記載の半導体製造用フォトレジストのディスペンス装置。
前記気泡除去フィルターは内部で一方に行く流入管及び流出管を有し、前記流入管と前記流出管との間に大きい直径のメンブレインが連結され、そのメンブレインに気泡だけを除去する脱気管が連結されることを特徴とする請求項７に記載の半導体製造用フォトレジストのディスペンス装置。
前記第１バッファタンク及び前記第２バッファタンクには内部に充填されるフォトレジストの量の上死点、下死点及び充填点を感知する複数のレベルセンサーが装着されることを特徴とする請求項７に記載の半導体製造用フォトレジストのディスペンス装置。
前記第１チャージポンプ、前記第１バッファタンク、前記気泡除去フィルター、前記第２チャージポンプ、前記第２バッファタンク、前記ディスペンスポンプ及び前記異物除去用フィルターは前記噴射ノズルの近くに１つのアセンブリで設けられることを特徴とする請求項７に記載の半導体製造用フォトレジストのディスペンス装置。