JPH10172899A

JPH10172899A - 露光装置の光学調整方法

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Publication number: JPH10172899A
Application number: JP8340653A
Authority: JP
Inventors: Tetsuo Takahashi; 哲男高橋
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1996-12-05
Filing date: 1996-12-05
Publication date: 1998-06-26
Anticipated expiration: 2016-12-05
Also published as: JP3716420B2

Abstract

(57)【要約】【課題】窒素雰囲気の光路を介して露光を行う露光装
置において光学系の調整および検査を効率良く行う。【解決手段】本発明は、窒素雰囲気の光路を介してマ
スク（Ｒ）のパターンを感光性基板（Ｗ）に転写する露
光装置の光学調整方法である。そして、調整すべき光学
部材を含む空間区画内の窒素を空気で置換する置換工程
と、置換工程により空気雰囲気となった空間区画内の光
学部材を調整する調整工程と、調整工程中または調整工
程後に、空間区画内が空気雰囲気である状態において露
光光の強度を実質的に低下させて検査露光を行う検査工
程とを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はたとえば半導体デバ
イスを製造する露光装置の光学調整方法に関し、特に窒
素雰囲気中で露光を行う露光装置における投影光学系の
調整および検査に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子の大集積化に伴って、要求さ
れる回路パターンの線幅が小さくなりつつある。回路パ
ターンの線幅を小さくするには露光光の波長を短くする
必要があり、最近ではＡｒＦを媒体としたエキシマレー
ザ光（波長１９３ｎｍ）を使用した露光装置が提案され
ている。ＡｒＦエキシマレーザ光は、酸素に対して吸収
特性を有する波長域（スペクトル成分）を含んでおり、
大気中の酸素による吸収が大きい。露光光が酸素に吸収
されることによって、露光光の光量が低下するととも
に、露光光の吸収の際に酸素から有害ガスであるオゾン
が発生してしまう。

【０００３】そこで、特開平６−２６０３８５号公報に
開示された露光装置では、ＡｒＦエキシマレーザ光源の
レーザ射出口から投影光学系のウエハ側端部までの光路
を幾つかの空間区画に分割し、各空間区画内の空気を窒
素のような不活性ガスで置換している。したがって、こ
の露光装置では、たとえば照明光学系または投影光学系
を構成する１つまたは複数の光学部材について調整（修
理を含む）が必要な場合、その光学部材を含む空間区画
内の窒素を空気で置換した後に、空気雰囲気中において
光学調整を行う必要がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、窒素
雰囲気中で露光を行う従来の露光装置では、調整すべき
光学部材を含む空間区画内の窒素を空気で置換した後
に、空気雰囲気中において光学部材の調整を行う必要が
ある。そして、その空間区画内の空気を窒素で再び置換
した後に検査露光を行うことにより、光学調整後の光学
系の性能検査を行うことになる。これは、光路の一部が
空気雰囲気である状態で検査露光を行うとオゾンの発生
により光学部材が破損する可能性があるという理由、お
よび窒素雰囲気中での使用を前提として設計されている
光学系の性能検査を光路の一部が空気雰囲気である状態
では正確に行うことができないであろうという予断に基
づいている。

【０００５】したがって、第１回目の検査露光により光
学系の性能調整が十分でないことが判明した場合、空間
区画内の窒素を空気で置換して光学部材の調整を行う工
程と、空間区画内の空気を窒素で置換して検査露光を行
う工程とを必要に応じて繰り返さなければならない。そ
の結果、窒素雰囲気中で露光を行う従来の露光装置で
は、光学系の調整および検査の作業効率が非常に悪い。
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、窒
素雰囲気の光路を介して露光を行う露光装置において光
学系の調整および検査を効率良く行うことのできる露光
装置の光学調整方法を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明においては、窒素雰囲気の光路を介してマス
クのパターンを感光性基板に転写する露光装置の光学調
整方法において、調整すべき光学部材を含む空間区画内
の窒素を空気で置換する置換工程と、前記置換工程によ
り空気雰囲気となった前記空間区画内の前記光学部材を
調整する調整工程と、前記調整工程中または前記調整工
程後に、前記空間区画内が空気雰囲気である状態におい
て露光光の強度を実質的に低下させて検査露光を行う検
査工程とを備えていることを特徴とする露光装置の光学
調整方法を提供する。

【０００７】本発明の好ましい態様によれば、前記露光
光の波長は、１８４ｎｍ乃至２５５ｎｍである。また、
前記置換工程は、前記空間区画内の窒素を強制排出する
とともに前記空間区画を大気に開放することによって行
われることが好ましい。

【０００８】

【発明の実施の形態】図６は、気温が２３°Ｃで１気圧
における窒素の絶対屈折率および空気の絶対屈折率の波
長特性を示す図である。図６において、縦軸は絶対屈折
率を、横軸は光の波長をそれぞれ示している。図６に示
すように、１８４ｎｍ〜２５５ｎｍの波長を有する光に
対する窒素の絶対屈折率と空気の絶対屈折率との差は、
最大で±５×１０^-6程度である。したがって、露光光の
波長がたとえば１８４ｎｍ〜２５５ｎｍの範囲内であれ
ば、光路の一部が窒素雰囲気から空気雰囲気へ変化して
も、光学系の性能はほとんど変化しない。換言すれば、
窒素雰囲気中での使用を前提として設計された光学系の
性能を、光路の一部が空気雰囲気である状態においても
十分な精度で検査することができる。なお、空気雰囲気
中と窒素雰囲気中との光学特性の差をより小さく抑える
ためには、露光光の波長は、１８９ｎｍ〜２２５ｎｍの
範囲とすることがより好ましい。これにより、窒素の絶
対屈折率と空気の絶対屈折率との差を最大でも±３×１
０^-6に抑えることができ、空気雰囲気中と窒素雰囲気中
との光学特性の変動をより十分に抑えることができる。

【０００９】そこで、本発明では、調整すべき光学部材
を含む空間区画内の窒素を空気で置換し、光学部材を空
気雰囲気中において調整する。そして、光学調整中また
は光学調整後に、その空間区画内が空気雰囲気である状
態のままで露光光の強度を実質的に低下させて検査露光
を行う。このように、本発明では、空気雰囲気中におい
て光学部材を調整した状態のままで、空間区画内の空気
を窒素で置換することなく検査露光を行うことができ
る。換言すれば、本発明では、空気雰囲気中において光
学調整を行いながら、検査露光を必要に応じて随時繰り
返すことができる。したがって、本発明の光学調整方法
によれば、光学系の調整および検査を効率良く且つ迅速
に行うことができる。

【００１０】なお、前述したように、光路の一部が空気
雰囲気である状態で通常の強度を有する露光光を用いて
検査露光を行うと、オゾンの発生により光学部材が損傷
を受ける可能性がある。そこで、本発明では、光路の一
部が空気雰囲気である状態において、露光光の強度を十
分低下させて検査露光を行う。この場合、露光光の強度
を低下させることにより検査露光のスループットはある
程度低下するが、検査精度は低下することなく、オゾン
の発生も十分小さく抑えることができる。また、光学系
の調整および検査の作業効率の著しい向上に鑑みて、検
査露光のスループットの低下は実務上ほとんど問題とな
らない。

【００１１】本発明の実施例を、添付図面に基づいて説
明する。図１は、本発明の実施例にかかる光学調整方法
が適用される露光装置の構成を概略的に示す図である。
また、図２は、図１の投影光学系ＰＬのレンズ構成を示
す図である。図１において、投影光学系ＰＬの物体面に
は、所定の回路パターンが形成されたマスクとしてのレ
チクルＲが配置されている。また、投影光学系ＰＬの像
面には、感光性基板としてのウエハＷが配置されてい
る。そして、レチクルＲはレチクルステージＲＳ上に保
持されており、ウエハＷは投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに
垂直な面に沿って二次元的に移動可能に構成されたウエ
ハステージＷＳ上に保持されている。

【００１２】また、レチクルＲの上方には、レチクルＲ
を均一に照明するための照明光学系ＩＳが配置されてい
る。照明光学系ＩＳの内部には、たとえばＡｒＦエキシ
マレーザ光（１９３．４ｎｍ) を供給する光源（不図
示）が配置されている。照明光学系ＩＳから供給された
露光光は、レチクルＲを照明し、投影光学系ＰＬの瞳位
置（開口絞りＡＳの位置）には照明光学系ＩＳ中の光源
の像が形成される。すなわち、照明光学系ＩＳはレチク
ルＲをケーラー照明し、照明されたレチクルＲのパター
ン像が投影光学系ＰＬを介してウエハＷ上に形成され
る。

【００１３】図２を参照すると、投影光学系ＰＬは、レ
チクル側から順に、両凹レンズＬ１、両凸レンズＬ２、
両凸レンズＬ３、両凸レンズＬ４、レチクル側に凸面を
向けた負メニスカスレンズＬ５、両凸レンズＬ６、レチ
クル側に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ７、両凹レ
ンズＬ８、レチクル側に凹面を向けた平凹レンズＬ９、
レチクル側に凹面を向けた正メニスカスレンズＬ10、レ
チクル側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ11、レチ
クル側に平面を向けた平凸レンズＬ12、両凸レンズＬ1
3、両凸レンズＬ14、両凸レンズＬ15、レチクル側に平
面を向けた平凹レンズＬ16、レチクル側に凸面を向けた
負メニスカスレンズＬ17、両凹レンズＬ18、開口絞りＡ
Ｓ、レチクル側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ1
9、レチクル側に凹面を向けた正メニスカスレンズＬ2
0、レチクル側に凹面を向けた正メニスカスレンズＬ2
1、両凸レンズＬ22、レチクル側に凹面を向けた負メニ
スカスレンズＬ23、レチクル側に凸面を向けた正メニス
カスレンズＬ24、レチクル側に凸面を向けた正メニスカ
スレンズＬ25、レチクル側に凸面を向けた正メニスカス
レンズＬ26、レチクル側に凸面を向けた負メニスカスレ
ンズＬ27、レチクル側に凸面を向けた正メニスカスレン
ズＬ28、およびレチクル側に凸面を向けた正メニスカス
レンズＬ29から構成されている。

【００１４】次の表（１）に、本実施例における投影光
学系ＰＬの諸元の値を掲げる。表（１）において、左端
の数字はレチクル側からの各レンズ面の順序を、ｒは各
レンズ面の曲率半径を、ｄは各レンズ面間隔を、ｎは露
光波長λ＝１９３．４ｎｍに対する各レンズの屈折率を
示している。また、ｄ0 はレチクルＲから最もレチクル
側のレンズ面までの軸上距離を、βは投影光学系ＰＬの
投影倍率を、ＮＡは投影光学系ＰＬのウエハ側における
開口数をそれぞれ表している。なお、露光波長λ＝１９
３．４ｎｍに対する窒素の屈折率は０．９９９９９８６
であり、空気の屈折率は１．０である。

【００１５】

【表１】ｄ0 ＝１０３．３９１ β ＝−０．２５ＮＡ＝０．５６ｒｄｎ 1 -453.18731 17.00000 1.5601940 2 370.52697 13.61309 3 710.84358 26.00000 1.5601940 4 -350.78200 1.00000 5 367.53957 28.00000 1.5601940 6 -567.47540 1.00000 7 289.50734 29.00000 1.5601940 8 -899.09021 1.00000 9 199.45895 23.00000 1.5601940 10 103.61200 15.76415 11 188.56105 25.80000 1.5601940 12 -574.20881 4.24245 13 3000.00000 16.61684 1.5601940 14 118.18165 21.76285 15 -336.11504 15.00000 1.5601940 16 161.39927 25.87166 17 -120.57109 15.00000 1.5601940 18 ∞ 33.99581 19 -2985.44300 36.97923 1.5601940 20 -150.10550 11.68359 21 -122.25791 28.00000 1.5601940 22 -204.99200 1.00000 23 ∞ 29.24000 1.5601940 24 -312.57215 1.00000 25 965.45342 27.00000 1.5601940 26 -643.40298 1.00000 27 258.67450 39.00000 1.5013750 28 -2967.14700 1.00000 29 246.35328 35.60000 1.5013750 30 -2970.04500 1.00000 31 ∞ 24.00000 1.5601940 32 157.63171 10.66701 33 234.15227 17.00000 1.5601940 34 157.66180 32.59249 35 -200.72428 15.00000 1.5601940 36 432.89447 37.93920 37 ∞ 24.40000 （開口絞りＡＳ） 38 -175.71116 17.00000 1.5601940 39 -2985.98400 1.00000 40 -2985.99700 35.50000 1.5013750 41 -189.63629 1.00000 42 -3000.00000 24.40000 1.5601940 43 -350.29744 1.00000 44 362.38815 46.50000 1.5013750 45 -361.31567 10.87000 46 -251.97148 23.00000 1.5601940 47 -662.28158 1.00000 48 238.98700 38.10000 1.5013750 49 1994.63265 1.00000 50 211.51173 33.40000 1.5013750 51 720.00000 1.00000 52 129.92966 46.00000 1.5013750 53 669.85166 2.78330 54 970.74182 19.98622 1.5601940 55 78.20244 6.27314 56 86.12755 32.52274 1.5601940 57 230.00000 2.86248 58 232.22064 44.18344 1.5601940 59 350.03691 19.46622

【００１６】なお、照明光学系ＩＳは容器１によって包
囲され、バルブＶ１を介して容器１への窒素ガスの供給
が行われ、且つバルブＶ２を介して容器１からの排気が
行われるように構成されている。したがって、たとえば
真空ポンプによりバルブＶ２を介して容器１から空気を
強制排出した後にバルブＶ１を介して容器１へ窒素ガス
を供給することにより、容器１内の空気を窒素で置換し
て照明光学系ＩＳの光路をほぼ窒素雰囲気にすることが
できる。また、照明光学系ＩＳとレチクルステージＲＳ
との間の光路は容器２によって包囲され、バルブＶ３を
介して容器２への窒素ガスの供給が行われ、且つバルブ
Ｖ４を介して容器２からの排気が行われるように構成さ
れている。したがって、バルブＶ４を介して容器２から
空気を強制排出した後にバルブＶ３を介して容器２へ窒
素ガスを供給することにより、容器２内の空気を窒素で
置換して照明光学系ＩＳとレチクルステージＲＳとの間
の光路をほぼ窒素雰囲気にすることができる。

【００１７】さらに、投影光学系ＰＬは容器３によって
包囲され、バルブＶ５を介して容器３への窒素ガスの供
給が行われ、且つバルブＶ６を介して容器３からの排気
が行われるように構成されている。したがって、バルブ
Ｖ６を介して容器３から空気を強制排出した後にバルブ
Ｖ５を介して容器３へ窒素ガスを供給することにより、
容器３内の空気を窒素で置換して投影光学系ＰＬの光路
をほぼ窒素雰囲気にすることができる。こうして、照明
光学系ＩＳから投影光学系ＰＬまでの光路をほぼ窒素雰
囲気にした状態で、投影光学系ＰＬとウエハＷとの間の
光路に窒素ガスを不図示のノズルを介して一定流速で吹
き付けながら露光を行うことにより、ウエハＷの露光領
域にレチクルＲのパターンを転写することができる。

【００１８】本実施例では、投影光学系ＰＬを構成する
レンズ部材について調整が必要となった場合、たとえば
バルブＶ６を介して容器３から窒素を強制排出しながら
容器３を大気に開放することにより容器３の窒素を空気
で置換し、空気雰囲気中においてレンズ部材の調整を行
う。レンズ１〜レンズ１２はそれぞれ投影光学系ＰＬの
光軸ＡＸに沿った方向および投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ
と直交する面内に沿って移動可能に設けられていると共
に、さらに投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに対して傾斜可能
となるように、レンズ保持部材によりそれぞれ保持され
ている。そして、レンズ１〜レンズ１２は、各レンズに
対応するレンズ保持部材にそれぞれ設けられている第１
のビスを介して、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに沿った方
向へそれぞれ移動するように構成されている。また、レ
ンズ１〜レンズ１２は、各レンズに対応するレンズ保持
部材にそれぞれ設けられている第２のビスを介して、投
影光学系ＰＬの光軸ＡＸと直交する面内に沿ってそれぞ
れ移動するように構成されている。また、レンズ１〜レ
ンズ１２は、各レンズに対応するレンズ保持部材にそれ
ぞれ設けられている第３のビスを介して、投影光学系Ｐ
Ｌの光軸ＡＸに対して傾斜するように構成されている。

【００１９】このため、レンズ保持部材に設けられた複
数の第１のビスの少なくとも１つを介して、レンズ１〜
レンズ１２の内の少なくとも１つのレンズを投影光学系
ＰＬの光軸ＡＸに沿った方向へ移動させることにより、
投影光学系ＰＬの倍率調整、あるいは投影光学系ＰＬの
非点収差を調整（又は補正）でき、レンズ保持部材に設
けられた複数の第２のビスを介して、レンズ１〜レンズ
１２の内の１つのレンズを投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと
直交する面内に沿って移動させることにより、投影光学
系ＰＬの偏心コマ収差や偏心非点収差等を調整（又は補
正）することができる。また、レンズ保持部材に設けら
れた複数の第３のビスを介して、レンズ１〜レンズ１２
の内の１つのレンズを投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに対し
て傾斜させることにより、例えば投影光学系ＰＬのディ
ストーション（偏心ディストーション等）を調整（又は
補正）することができる。

【００２０】そして、光学調整中または光学調整後に、
テストパターンが形成されたテストレチクルをレチクル
ステージＲＳ上に設定して、容器３を大気に開放した状
態でエキシマレーザ光源の出力を低下させてテストレチ
クルによる検査露光を行う。第１回目の検査露光により
投影光学系ＰＬの性能調整が良好であることが判明すれ
ば、投影光学系ＰＬの調整および検査が終了する。すな
わち、第１回目の検査露光により投影光学系ＰＬを介し
てテストレチクルのパターンが焼き付けられたウエハＷ
を電子顕微鏡等を用いて検査した結果、投影光学系ＰＬ
の光学性能が良好であれば、投影光学系の調整および検
査が終了する。一方、第１回目の検査露光により投影光
学系ＰＬの性能調整が良好でないことが判明すれば、容
器３を大気に開放した状態でレンズ部材の調整および検
査露光を必要に応じて繰り返すことになる。投影光学系
ＰＬ中のレンズの調整は、レンズ１〜レンズ１２に限る
ことなく、他のレンズ（レンズ１３〜レンズ２９）を移
動あるいは傾斜させて調整しても良い。

【００２１】図３は、投影光学系ＰＬを包囲する容器３
の内部が窒素雰囲気である通常露光状態における諸収差
図である。また、図４は、本実施例において投影光学系
ＰＬを包囲する容器３の内部を空気雰囲気に置換した調
整検査状態における諸収差図である。各収差図におい
て、ＮＡは開口数を、Ｙは像高をそれぞれ示している。
また、非点収差を示す収差図において、実線はサジタル
像面を示し、破線はメリディオナル像面を示している。
図３と図４とを参照すると、本実施例では、投影光学系
ＰＬの光路の全体が窒素雰囲気から空気雰囲気へ変化し
ても、投影光学系ＰＬの諸収差がほとんど変化しないこ
とがわかる。したがって、本実施例の光学調整方法によ
れば、高い検査精度を確保しながら、有害なオゾンを実
質的に発生させることなく、投影光学系ＰＬの調整およ
び検査を効率良く且つ迅速に行うことができる。

【００２２】以上の調整および検査の各工程が終了した
後、バルブ５を介して窒素ガスを供給して、容器３内に
窒素ガスを充填する。その窒素ガス供給工程が完了した
後、実際の露光工程に移行する。つまり、露光工程で
は、露光用バターンが形成されたレチクルＲをレチクル
ステージＲＳ上に設定し、照明光学系ＩＳからの光でレ
チクルＲを照明して、レチクルＲ上のパターンを投影光
学系ＰＬを介して感光性基板としてのウエハＷに投影露
光する。図１に示した露光装置による露光の工程（フォ
トリソグラフィ工程）を経たウエハＷは、現像する工程
を経てから現像したレジスト以外の部分を除去するエッ
チングの工程、エッチングの工程後の不要なレジストを
除去するレジスト除去の工程等を経てウエハプロセスが
終了する。そして、ウエハプロセスが終了すると、実際
の組立工程にて、焼き付けられた回路毎にウエハを切断
してチップ化するダイシング、各チップに配線等を付与
するボンディング、各チップ毎にパッケージングするパ
ッケージング等の各工程を経て、最終的に半導体装置と
しての半導体デバイス（ＬＳＩ等）が製造される。

【００２３】このように、本発明による調整方法を用い
て半導体デバイスを製造すれば、従来よりもさらに微細
なパターンを感光性基板としてのウエハＷ上に露光する
ことができるため、より高い集積度の半導体デバイスを
製造することができる。なお、以上の説明では、投影露
光装置を用いたウエハプロセスでのフォトリソグラフィ
工程により半導体デバイスを製造する例を示したが、露
光装置を用いたフォトリソグラフィ工程によって、半導
体デバイスとして、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド、撮
像素子（ＣＣＤ等）を製造することができる。

【００２４】なお、変形例として、投影光学系ＰＬの光
路を包囲する容器３を、レンズＬ１からレンズＬ12まで
を包囲する第１容器とレンズＬ13からレンズＬ29までを
包囲する第２容器とで構成することができる。この変形
例では、調整頻度が比較的大きい第１容器内のレンズ部
材（レンズＬ１からレンズＬ12）について調整が必要と
なった場合、第２容器内を窒素雰囲気に維持したまま第
１容器だけを大気に開放し、第１容器内のレンズ部材を
空気雰囲気中において前述の実施例と同様の手法により
調整することができる。また、第２容器内のレンズ部材
（レンズＬ13からレンズＬ29）について調整が必要とな
った場合、第１容器内を窒素雰囲気に維持したまま第２
容器だけを大気に開放し、第２容器内のレンズ部材を空
気雰囲気中において調整することができる。このよう
に、変形例では、光学調整に際して置換すべき空間区画
の容積が小さいので、上述の実施例よりも迅速に光学調
整を開始することができる。

【００２５】図５は、変形例において投影光学系ＰＬの
光路の一部を包囲する第１容器の内部を空気雰囲気に置
換した調整検査状態における諸収差図である。図５にお
いても、ＮＡは開口数を、Ｙは像高をそれぞれ示してい
る。また、非点収差を示す収差図において、実線はサジ
タル像面を示し、破線はメリディオナル像面を示してい
る。図３と図５とを参照すると、変形例においても、投
影光学系ＰＬの光路の一部（レチクルＲからレンズＬ12
までの光路）が窒素雰囲気から空気雰囲気へ変化して
も、投影光学系ＰＬの諸収差がほとんど変化しないこと
がわかる。したがって、変形例の光学調整方法によれ
ば、高い検査精度を確保しながら、有害なオゾンを実質
的に発生させることなく、投影光学系ＰＬの調整および
検査を効率良く且つ上述の実施例よりも迅速に行うこと
ができる。

【００２６】なお、上述の実施例および変形例では、投
影光学系の調整および検査について本発明を説明した
が、照明光学系の調整および検査についても同様に本発
明を適用することができる。また、上述の実施例および
変形例では、エキシマレーザ光源を用いた露光装置にお
ける光学系の調整および検査について本発明を説明した
が、酸素による吸収が比較的大きい他の特定波長の光を
使用する露光装置における光学系の調整および検査につ
いても本発明を適用することができる。さらに、上述の
実施例および変形例では、屈折型の投影光学系を有する
露光装置における光学系の調整および検査について本発
明を説明したが、反射型および反射屈折型の投影光学系
を有する露光装置における光学系の調整および検査につ
いても本発明を適用することができる。

【００２７】

【効果】以上説明したように、本発明では、空気雰囲気
中において光学調整を行いながら検査露光を行うことが
できるので、光学系の調整および検査の作業効率および
作業速度が著しく向上する。また、露光光の強度を低下
させて検査露光を行うので、検査精度を低下させること
なく、オゾンの発生を十分小さく抑えることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例にかかる光学調整方法が適用さ
れる露光装置の構成を概略的に示す図である。

【図２】図１の投影光学系ＰＬのレンズ構成を示す図で
ある。

【図３】投影光学系ＰＬを包囲する容器３の内部が窒素
雰囲気である通常露光状態における諸収差図である。

【図４】本実施例において投影光学系ＰＬを包囲する容
器３の内部を空気雰囲気に置換した調整検査状態におけ
る諸収差図である。

【図５】変形例において投影光学系ＰＬの光路の一部を
包囲する第１容器の内部を空気雰囲気に置換した調整検
査状態における諸収差図である。

【図６】気温が２３°Ｃで１気圧における窒素の絶対屈
折率および空気の絶対屈折率の波長特性を示す図であ
る。

【符号の説明】

１〜３容器Ｖ１〜Ｖ６バルブＩＳ照明光学系ＰＬ投影光学系ＲレチクルＲＳレチクルステージＷウエハＷＳウエハステージＡＸ光軸ＡＳ開口絞りＬｉ各レンズ部材

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】窒素雰囲気の光路を介してマスクのパタ
ーンを感光性基板に転写する露光装置の光学調整方法に
おいて、調整すべき光学部材を含む空間区画内の窒素を空気で置
換する置換工程と、前記置換工程により空気雰囲気となった前記空間区画内
の前記光学部材を調整する調整工程と、前記調整工程中または前記調整工程後に、前記空間区画
内が空気雰囲気である状態において露光光の強度を実質
的に低下させて検査露光を行う検査工程とを備えている
ことを特徴とする露光装置の光学調整方法。
【請求項２】前記露光光の波長は、１８４ｎｍ乃至２
５５ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の露光
装置の光学調整方法。
【請求項３】前記置換工程は、前記空間区画内の窒素
を強制排出するとともに前記空間区画を大気に開放する
ことによって行われることを特徴とする請求項１または
２に記載の露光装置の光学調整方法。