JP2002246283A - デバイス製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 運用コストの低減を図り、作業を妨げるよう
な気体が低濃度になるまでの時間を短縮し、メンテナン
スの時間を短縮するデバイス製造装置を提供する。 【解決手段】 デバイス製造装置における投影光学系５
に混合気体（オゾン、窒素等）を供給する手段であるポ
ンプ部１０、オゾン発生装置１２、オゾン発生用ランプ
１１および配管１４ａ，１４ｂ等と、露光装置の動作状
態によって前記混合気体の流量を可変する手段、および
／または、前記混合気体の成分比を可変する手段である
装置制御部８、混合気体制御部９およびランプ電源部７
等を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】本発明は、ＩＣやＬＳＩ等の半導体チッ
プ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマ
シン等のデバイスを製造する製造装置に関し、特に半導
体露光装置のように投影光学系とこの投影光学系に気体
を供給する手段を有するデバイス製造装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の半導体素子を見ると微細化が進
み、半導体製造過程ではその微細加工に伴い半導体素子
を製造する半導体露光装置等の半導体製造装置について
も、ますます微細化した加工が可能な環境が必要とされ
ている。また、加えて半導体製造装置について、その生
産性および生産効率の向上も叫ばれている。

【０００３】このような状況において、その生産性およ
び生産効率の向上のために、高出力の光源装置を使用
し、かつ大画面の露光エリアを使用し、短時間の露光で
より多くの素子を製造／製作して生産性および生産効率
を向上させている。

【０００４】従来、半導体露光装置について、その装置
の光源から発せられた露光光はシャッタと呼ばれる遮光
装置によって遮光／投光され、それぞれ素子製作に適し
た適正露光量に制御される。そして、レチクルや投影
（露光）レンズを通してウエハ上に露光される。このよ
うな露光装置においては、通常、前記露光光の光源を大
きく、大光量の光源に変更して、同じ露光量を求めるに
際して露光時間を短くするとともに、大画面の露光エリ
アを使用し、１回の露光で製作するチップの数を多くし
ている。従来は、このようにして、大光量という観点か
ら単位時間あたりのウエハ処理枚数を多くし、生産性を
上げ、露光装置自体の生産効率をアップさせようとして
いる。

【０００５】この場合、露光に使用する投影レンズ（投
影光学系）について見ると、露光光の光のあたる面積は
もとより投影レンズ直径が大きくなり、かつ投影レンズ
を透過する光の強さは強くなっている。ここで、投影レ
ンズの表面に着目すると、投影レンズ表面には強力な紫
外光が照射されるため、該レンズ表面では空気中の浮遊
物が紫外光により反応し、析出物として投影レンズ表面
に付着する。この付着を防ぐために、投影レンズ内に窒
素等に微量のオゾンを混合した気体を流し、析出物が発
生しないような環境を作っている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、混合気
体の成分であるオゾンを作成するオゾン発生装置に使用
している水銀ランプは、一定時間点灯するとランプ交換
を行わなければならず、このランプ交換が頻繁で、ラン
プ交換によるメンテナンス時間が増大し運用コストが増
大するという問題が発生していた。また、該混合気体の
成分である窒素はコスト的に高価なものであり、この窒
素の消費も装置の運用コストの増大を引き起こすという
問題があった。

【０００７】本発明は、上述の従来例における問題点に
鑑みてなされたもので、デバイス製造装置における運用
コストの低減を図ることを目的とする。また、前記気体
が作業を妨げるようなものである場合にその気体が低濃
度になるまでの時間を短縮し、メンテナンスの時間を短
縮することをさらなる目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するために、本発明のデバイス製造装置は、投影光学
系と該投影光学系に気体を供給する手段とを備えるデバ
イス製造装置において、前記気体の流量および／または
成分比をこのデバイス製造装置の動作状態の変化に応じ
て変化させることを特徴とする。

【０００９】前記気体は、投影レンズに露光光等の光が
照射され、空気中の浮遊物が反応現象が起きてないにも
かかわらず気体を常時投影光学系の中に循環させていた
ため、該気体を余分に消費する問題を有していた。しか
しながら、従来例の場合、前記気体に注目すると、浮遊
物の反応現象が起きていないにもかかわらず気体を常時
投影光学系の中に循環させていたため、気体を余分に消
費する問題を有していた。また、前記気体の成分である
オゾンを作成するオゾン発生装置に使用している水銀ラ
ンプ等の紫外線ランプ、および前記気体の成分である窒
素に注目すると、前記紫外線ランプはある一定時間の点
灯により紫外線ランプの交換を行わなければならず、窒
素はコスト的に高価なものである。そのため、従来例の
ように常時気体を循環させた場合、露光装置の運用コス
トの増大や紫外線ランプの交換が頻繁になり、紫外線ラ
ンプの交換によるメンテナンス時間の増大という問題が
発生していた。

【００１０】本発明によれば、デバイス製造装置の動作
状態に応じて、例えば露光動作時のように投影光学系に
入射する光の照度が高ければこの投影光学系に供給する
気体の流量を多くし、アイドリング時のように照度が低
くなったときはその流量を下げるというように、動作状
態の変化に応じて、気体の流量および／または成分比を
変化させる。したがって、気体の消費量や発生量を少な
くして気体の消費による運用コストを削減し、気体を発
生する装置の稼働時間を短縮してそのメンテナンス時間
の短縮、すなわち運用コストの削減を図ることができ
る。また、例えば、装置のアイドリング時や電源オフ時
は、気体の供給量を減らしたり、供給しないようにする
ことができるため、気体が窒素やオゾンのように人体に
影響を与えたり、作業を妨げるようなものである場合、
その気体が低濃度になるまでの時間を短縮してメンテナ
ンスの時間を短縮することができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施の形態にお
いて、投影光学系に供給される気体は、窒素に微量のオ
ゾンを加えた混合気体であり、デバイス製造装置には水
銀ランプ等の紫外線ランプを有するオゾン発生装置が設
けられる。気体の流量および／または成分比は、このデ
バイス製造装置の電源オンモードから電源オフモードへ
の変化および電源オフモードから電源オンモードへの変
化、このデバイス製造装置におけるアイドリングモード
から露光モードへの変化および露光モードからアイドリ
ングモードへの変化、このデバイス製造装置へのデータ
転送、あるいはこのデバイス製造装置で製造する素子の
品種変更等をトリガとして変化させる。当該デバイス製
造装置は、照明系およびアライメント系をさらに備え、
該照明系および／または該アライメント系に前記気体を
供給する手段をさらに有することが好ましい。また、当
該デバイス製造装置は、光源としてフッ素レーザを用
い、前記オゾンを露光時以外のときに少なくとも前記投
影光学系、前記照明系および前記アライメント系のいず
れか１つ以上に供給することが可能である。

【００１２】また、本発明の好ましい実施の形態におけ
るデバイス製造装置において、ディスプレイと、ネット
ワークインタフェースと、ネットワーク用ソフトウェア
を実行するコンピュータとをさらに有し、デバイス製造
装置の保守情報をコンピュータネットワークを介してデ
ータ通信することが可能であり、前記ネットワーク用ソ
フトウェアは、前記デバイス製造装置が設置された工場
の外部ネットワークに接続され前記デバイス製造装置の
ベンダ若しくはユーザが提供する保守データベースにア
クセスするためのユーザインタフェースを前記ディスプ
レイ上に提供し、前記外部ネットワークを介して該デー
タベースから情報を得ることが可能である。

【００１３】本発明の好ましい実施の形態における半導
体デバイス製造方法は、当該デバイス製造装置を含む各
種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置する
工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスによって
半導体デバイスを製造する工程とを有することを特徴と
する。また、前記製造装置群をローカルエリアネットワ
ークで接続する工程と、前記ローカルエリアネットワー
クと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの間
で、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報をデ
ータ通信する工程とをさらに有することが可能であり、
前記デバイス製造装置のベンダ若しくはユーザが提供す
るデータベースに前記外部ネットワークを介してアクセ
スしてデータ通信によって前記製造装置の保守情報を得
る、若しくは前記半導体製造工場とは別の半導体製造工
場との間で前記外部ネットワークを介してデータ通信し
て生産管理を行うことが可能である。

【００１４】本発明の好ましい実施の形態における半導
体製造工場は、前記デバイス製造装置を含む各種プロセ
ス用の製造装置群と、該製造装置群を接続するローカル
エリアネットワークと、該ローカルエリアネットワーク
から工場外の外部ネットワークにアクセス可能にするゲ
ートウェイを有し、前記製造装置群の少なくとも１台に
関する情報をデータ通信することを可能にしたことを特
徴とする。

【００１５】本発明の好ましい実施の形態におけるデバ
イス製造装置の保守方法は、半導体製造工場に設置され
た前記デバイス製造装置の保守方法であって、前記デバ
イス製造装置のベンダ若しくはユーザが、半導体製造工
場の外部ネットワークに接続された保守データベースを
提供する工程と、前記半導体製造工場内から前記外部ネ
ットワークを介して前記保守データベースへのアクセス
を許可する工程と、前記保守データベースに蓄積される
保守情報を前記外部ネットワークを介して半導体製造工
場側に送信する工程とを有することを特徴とする。

【００１６】前述のように、投影光学系を有するデバイ
ス製造装置、例えば露光装置においては、露光光の光源
を大きく（大光量の光源に変更）し、同じ照度を求める
に際して露光時間を短くし、かつ大画面の露光エリアを
使用し１回の露光で製作するチップの数を多くして、生
産性を上げ、露光装置自体の生産効率をアップさせてい
た。さらに、この場合、投影レンズ表面で空気中の浮遊
物が紫外光により反応し、析出物として投影レンズ表面
に付着することを防ぐために、投影レンズ内に窒素と微
量のオゾン等の混合気体を流し、析出物が発生しないよ
うな環境を作成していた。

【００１７】しかし、前記混合気体は、投影レンズに光
が照射され、空気中の浮遊物が反応現象を起こすことを
防ぐものであり、光が照射されていない場合はその混合
気体を流す必要はない。にもかかわらず、従来は、前記
混合気体に注目すると、混合気体を常時投影レンズの中
に循環させており、浮遊物の反応現象が起きていないと
きにも混合気体を消費していた。また、混合気体の成分
であるオゾンを作成するオゾン発生装置に使用している
水銀ランプ、およびこの混合気体の成分である窒素に注
目すると、水銀ランプはある一定時間点灯するとランプ
交換を行わなければならず、窒素はコスト的に高価なも
のである。そのため、従来のように常時混合気体を循環
させた場合、窒素の消費による運用コストの増大と、オ
ゾン発生用のランプの交換が頻繁になることによるメン
テナンス時間の増大という問題が発生していた。

【００１８】本実施形態によれば、混合気体（オゾンお
よび窒素）の使用量を最小にし、オゾンを発生する装置
に使用している高価なランプ等の光源の交換頻度を下
げ、露光装置のメンテナンス時間を最小にして装置の稼
働率を上げ、かつ高価な混合気体の使用量を減らし、露
光装置の稼働コストを減少させることができる。また、
露光装置のメンテナンス時に作業を妨げる混合気体（オ
ゾンおよび窒素等）が低濃度になるまでの時間を少なく
し、露光装置のメンテナンスを行うまでの待ち時間を小
さくし、メンテナンス時間を減少させることができる。

【００１９】

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。 ［第１の実施例］図１は、本発明の一実施例に係るデバ
イス製造装置であり、ステッパと呼ばれる露光装置を示
す要部概略図である。図１に示すように、露光装置１
（半導体製造装置を含む）は、半導体パターンの焼付け
を行うための光源等を含む光源部２と、照明系１７と、
半導体パターンの原版となるレチクル３と、レチクル３
上のパターンを基板となるウエハ４上に露光するための
投影光学系である露光投影レンズ５と、ウエハ４を載せ
てＸＹ方向に自由（自在）に移動できるＸＹステージ６
とを有する。露光装置１においては、光源部２から発し
た光を使用し、ウエハ４上にレチクル３上の半導体パタ
ーンの焼付けを行う。

【００２０】図２は、図１における露光装置の露光投影
レンズ５およびその周辺の混合気体を流入させる部分等
を示した拡大図である。図２に示すように、光源部２の
楕円ミラーにて集光された光は半導体パターンの原版と
なるレチクル３を透過し、露光投影レンズ５にて半導体
パターンを結像し、ウエハ４上にパターン像を露光す
る。また、光源部２には、露光投影用ランプを点灯させ
るランプ電源部７が接続され、露光投影用ランプの投入
電力を変えることにより露光投影用ランプの光量を変化
させることが可能となっている。

【００２１】８は露光装置１（図１）の動作状態を制御
する装置制御部であり、前記ランプ電源部７は本装置制
御部８下において制御され、また状態確認される。また
同時に、装置制御部８は、露光装置１自体の動作状況例
えば装置動作用ジョブデータ等の読み込み状態、装置が
露光稼働状態なのか、又は装置の露光稼働が終了してア
イドリング状態なのか等の情報を他ユニット（不図示）
から受信する。また、装置制御部８には混合気体制御部
９が接続され、装置動作状態により装置制御部８から露
光投影レンズ５内で浮遊物の反応現象による析出物の生
成が起きないように、装置制御部８から混合気体制御部
９に対して混合気体の必要流入量をデータとして送る。
ランプ電源部７のランプ投入電力が大きいときはランプ
の光量が大きく、レンズを通過する光エネルギーが大き
くなり、気体中の浮遊物の反応も早くなり、ランプ電源
部７のランプ投入電力が小さいときはランプの光量が小
さく、レンズを通過する光エネルギーが小さくなり、気
体中の浮遊物の反応も遅くなる。そのため、混合気体制
御部９は、ポンプ部１０、オゾン発生装置１２に接続さ
れ、装置制御部８からのデータに従って必要な混合気体
の流入量を計算し、該流入量に見合うオゾン量が発生す
るようにオゾン発生装置１２および／またはポンプ部１
０を制御する。

【００２２】オゾン発生装置１２では、不図示の空気タ
ンクに接続されたホース１３から送られてきた空気に近
紫外光をあて、オゾンを生成している。該オゾンの生成
に関して、オゾン発生装置１２は、前記近紫外光の光量
によってオゾンの量が決まるため、必要オゾン量を発生
すべく露光投影用ランプ１１の光量を制御し、オゾンを
生成する。

【００２３】ポンプ部１０では、混合気体制御部９から
の必要流入量の指令に従ってポンプの動作を可変する。
ポンプ部１０の配管１４ａは、露光投影レンズ部５に接
続されている。ポンプ部１０においては、混合気体制御
部９からの必要流入量に従い、不図示の窒素タンクから
配管１４ｂを通して供給される窒素と、オゾン発生器１
２からのオゾンを混合する。その混合気体は露光投影レ
ンズ部５に配管１４ａを通して入れられる。ここで、さ
らに流量を変化させる代わりに、混合気体における窒素
とオゾンの成分比を変化させても良い。

【００２４】図１および図２において、露光装置１の稼
働状態について、露光装置１が稼働しているときは間歇
的に遮光シャッタ開閉動作が行われ、間歇的に絶えず気
体中に光が照射され、ランプの投入電力と同じように気
体中の浮遊物の反応も速くなる。これとは反対に、露光
装置１がアイドリング状態においては、遮光シャッタに
より露光光が遮光され、気体中の浮遊物の反応もなくな
る。

【００２５】図１および図２の構成等においては、装置
制御部８内で処理された装置状態データにより、装置制
御部８は気体中の浮遊物の反応が速い場合は、混合気体
制御部９を通してポンプ部１０に対し、混合気体を流入
すべくポンプ部１０を動作させる。また反対に、気体中
の浮遊物の反応が遅い場合または無い場合は、混合気体
を流入させるポンプ部１０のポンプを停止または流入量
を少なくする方向に動作させる。これと同時に、装置制
御部８は混合気体制御部９に信号を出力し、オゾンの発
生量を制御すべくオゾン発生装置１２を操作する。つま
り、混合気体の流入量が少ない場合はオゾンの発生量を
少なくすべく、オゾン発生装置１２の紫外線ランプの光
量を低くし、ランプ寿命を延ばすような動きを行う。ポ
ンプ部１０は、混合気体の流入量（停止や流入等）を制
御し、また混合気体制御部は混合気体の流入量および窒
素とオゾンの成分比等を制御し、混合気体制御部９に接
続されているオゾン発生装置１２の制御を行う。

【００２６】図３は、本実施例に係る露光装置の動作シ
ーケンスのタイミングチャートの一例を示すグラフであ
り、同図中、横軸は全て時間を示す。図３（ａ）は、露
光装置１（図１）の動作状態と時間のタイミングチャー
トを示すグラフであり、同図中、１９は露光装置１のア
イドリング状態を示し、２２は露光装置１の稼働状態を
示している。つまり、図３（ａ）において、露光装置１
の状態として時間Ｔ２まではアイドリング状態、時間Ｔ
２から時間Ｔ５までは装置が稼働状態、時間Ｔ５以降は
再度アイドリング状態に戻ることを示している。

【００２７】図３（ｂ）は、露光投影用ランプへの投入
電力と時間のタイミングチャートを示すグラフであり、
２０は露光投影用ランプへの初期投入電力であり、２３
は露光投影用ランプへの最大投入電力である。また、２
６は露光投影用ランプへの任意の投入電力であり、本実
施例の場合は最大投入電力２３と初期投入電力２０の中
間値の電力を投入している。図３（ｂ）において時間タ
イミングを確認すると、露光装置１（図１）がアイドリ
ング状態から稼働状態になる時間Ｔ２以前の時間Ｔ１に
最大投入電力値２３へと投入電力が変化し、装置稼働状
態２２（時間Ｔ２のとき）では最大投入電力２３を維持
する。時間Ｔ３にて、露光装置１において製造する品種
が変更になった場合、露光投影用ランプの光量を低くす
る。つまり、露光投影用ランプへの投入電力を低くする
必要があり、この時露光投影用ランプへの投入電力を任
意の投入電力２６に変更する。その後、時間Ｔ５におい
て、再度露光装置１がアイドリング状態１９になったと
き、露光投影用ランプへの投入電力を再度初期投入電力
２０に戻す。

【００２８】図３（ｃ）は、オゾン発生装置１２内のオ
ゾン発生用ランプ１１（共に図２）の光量と時間のタイ
ミングチャートを示すグラフである。オゾン用ランプ１
１は初期、低光量２１で点灯しており、時間Ｔ２（装置
稼働開始）時にオゾン発生のための最大光量２４とな
る。この後、時間Ｔ３にて製造する品種を変更した場
合、これに伴い露光投影用ランプの光量を低くしている
（図３（ｂ）参照）ため、混合気体の必要量が少量で十
分な状態となることにより、オゾン自体の発生量を少な
くするように時間Ｔ４にてオゾン発生用ランプ１１の光
量を任意の光量２７に下げる。本実施例では、初期光量
２１と最大光量２４の中間値に本光量を設定している。
その後、露光装置１がアイドリング状態１９に戻る（図
３（ａ）参照）時、時間Ｔ５において再度初期光量２１
に変更する。

【００２９】図３（ｄ）は、レンズ部５へ混合気体を入
れるためのポンプ部１０のポンプ流量と時間のタイミン
グチャートを示すグラフである。図３（ｄ）において、
露光装置１（図１）がアイドリング状態１９（図３
（ａ）参照）の場合、時間Ｔ２までの間は、混合気体は
必要なく、流量が零の状態である。露光装置１が稼働状
態２２（図３（ａ）参照）のときは、露光投影レンズ５
に露光光が照射されるため、露光投影レンズ５に析出物
を生成させないために、時間Ｔ２にて混合気体の流入量
を最大流入量２５に設定する。その後、時間Ｔ３にて製
造する品種の変更を行い、これに伴い露光投影用ランプ
の光量を低くしている（図３（ｃ）参照）ため、混合気
体の必要量が少量で十分な状態となる。そして、時間Ｔ
４にてオゾン自体の発生量を少なくするようにオゾン発
生用ランプ１１（図２）の光量を任意の光量２７に下
げ、これに伴い混合気体の流入量も任意の流入量２８に
減少させる。露光装置１の状態が稼働状態２２からアイ
ドリング状態１９に変化した時、時間Ｔ５にて混合気体
の流入量を零に変化させる。ただし、この時の流入量を
急激に零に変化させた場合、混合気体の逆流現象が発生
する可能性があるため、流入量を徐々に変化させている
（流入量２９）。

【００３０】本実施例における露光装置の動作の一例を
図１、図２および図３を用いて具体的に説明する。半導
体パターンを露光する場合、その光源部２は、常時点灯
状態で使用する。通常、シャッタ機構（不図示）は遮光
状態であり、不要な光が露光投影レンズ５に導入されな
いようにしている。この時、装置制御部８は装置状態デ
ータを処理し、露光装置１がアイドリング状態であるこ
とを露光用ランプ点灯電源部７と混合気体制御部９にデ
ータとして送る。ランプ電源部７において、露光動作が
まだ開始されていないため、図３（ａ）に示すアイドリ
ング状態１９における露光用のランプ電源部７への投入
電力を図３（ｂ）に示すように初期投入電力２０に設定
する。また、この時、露光投影レンズ５に光が照射され
ていないため、混合気体の流入についてもその必要が無
く、混合気体制御部９においては 図３（ｄ）に示すよ
うに混合気体の流入量は零の設定となっている。前記混
合気体の流入量が零であるため、本実施例において混合
気体の一部の成分であるオゾンについても、その生成の
必要がほとんど無い。そのため、図３（ｃ）に示すよう
に、混合気体制御部９はオゾン発生器１２を通じてオゾ
ン生成のためのオゾン発生用ランプ部１１の光量を最低
の光量２１で保持するように指令を出す。このように、
混合気体が不要の場合、オゾン発生用ランプ部１１は寿
命的に長寿命となるような光量まで下げるよう制御され
る。本制御等により、オゾン発生用ランプ１１の長寿命
化、また混合気体のもう一方の成分である窒素の消費量
を減らすこともできる。

【００３１】半導体パターンを露光するに際して、露光
装置１にはＸＹステージ６、ウエハ４、レチクル３がそ
れぞれ準備され、装置動作用のジョブデータが読み込ま
れる。そして、露光が可能な状態（図３の時間Ｔ２）に
なると、装置制御部８はランプ電源部７と混合気体制御
部９に露光動作が開始されることをデータとして送る。
露光装置１において、装置制御部８からの前記データの
受信以前に、装置動作用ジョブデータの読み込み開始
（図３の時間Ｔ１）時に、ランプ電源部７は露光用ラン
プの投入用電力として最大電力２３（図３（ｂ））を設
定する。

【００３２】また、混合気体制御部９は、混合気体の必
要量を予想し、混合気体を送り出すポンプ部１０を動作
させて混合気体の流入を開始させ、最大流入量（図３
（ｄ）の流入量２５）に設定する。これと同時に、オゾ
ン発生部１２に対してオゾンの生成量を多くすべく、オ
ゾン発生用ランプ１１の光量を増加させ、混合気体流入
量の増加に対応する。

【００３３】装置稼働中において、製作している半導体
素子の品種変更等により、露光用ランプの光源部２の光
量として最大光量より低い任意の光量（低照度）で十分
であるとき、装置制御部８はランプ電源部７に投入電力
を下げるような指令を出す。これに従ってランプ電源部
７は、投入電力（図３（ｂ）の時間Ｔ３のとき）を下げ
る。この時の露光投影レンズ５内では、レンズを透過す
る光量が減少しているため、浮遊物の反応現象による析
出物の生成が遅くなる。露光投影レンズ５内にて析出物
の生成が遅いため、混合気体の流入量も少なくすること
が可能となる。装置制御部８は、混合気体制御部９に混
合気体の流入量を少なくするように指令を出す。混合気
体制御部９は装置制御部８からの必要混合気体の流入量
に従い、オゾン発生装置１２、オゾン発生用ランプ１１
にオゾン発生量を減少させるよう指令を出す。前記混合
気体制御部９からの指令に従い、オゾン発生量を少なく
すべく、オゾン発生用ランプ１１の光量を低くする（図
３（ｃ）の光量２７）。また同時に、ポンプ部１０に対
して混合気体の流入量を少なくなるように動作を設定す
る（図３（ｄ）の流入量２８）。

【００３４】上記した一連の動作により、混合気体の流
入量を減らし、混合気体の成分である窒素の使用量を減
少させることが可能であり、またオゾンを発生させるた
めのオゾン発生用ランプ１１の光量低下からくる寿命の
低下を防ぐことが可能となる。

【００３５】露光装置１が一連の動作を終了し、再度ア
イドリング状態になった時（図３（ａ）の状態１９）、
前記装置制御部８の指令により、露光用のランプ電源部
７は露光用ランプへの投入電力を初期投入電力２０まで
下げ（図３（ｂ））、またオゾン発生用ランプ１１は最
小光量２１まで、その光量を下げる（図３（ｃ））。ま
た同時に、ポンプ部１１は混合気体の流入量を抑えるよ
うに、その動作を停止する。ただし、本実施例では、急
激に動作を停止させた場合、露光投影レンズ５へ流入し
た混合気体が逆流する可能性があるため、ポンプ部１０
の動作を急激に停止させるのではなく、徐々にその回転
数、流入量を落としていくような形となっている（図３
（ｄ）の流入量２９）。

【００３６】上記実施例により、光源となる露光用ラン
プ部を点灯させる点灯装置電源部からの入力電力等の装
置状態データにより、気体中の浮遊物の反応を予想し、
露光装置が稼働しているときは混合気体制御部を通して
ポンプ部に対して混合気体を流入すべく該ポンプ部を動
作させる。また反対に、気体中の浮遊物の反応が遅い時
または無い時は、混合気体を流入させるポンプを停止ま
たは流入量を少なくする方向に動作させる。このことに
よって、混合気体の流入量を制御、制限し、混合気体中
のオゾンを作成するオゾン発生装置に光源として使用可
能な水銀ランプの寿命を延ばし、窒素というコスト的に
高価なものの使用量を少なくし、水銀ランプにおいては
該ランプの交換頻度を下げる。そして、これらの結果と
して、本発明の目的を達成することができる。

【００３７】［第２の実施例］第１の実施例において
は、混合気体を露光装置における投影光学系に供給し
て、投影光学系内の光学素子等への析出物付着を除去す
る環境を構築し、図３に示すタイミングで混合気体の流
入量の減少、窒素の使用量の減少、オゾン発生用ランプ
の寿命低下の防止等を図っていた。本実施例において
は、投影光学系に限らず、露光装置における照明系およ
び／またはアライメント系にも混合気体を供給可能とす
ることで、投影光学系、照明系およびアライメント系の
いずれか１箇所以上における光学素子等への析出物付着
を除去する環境を構築する。

【００３８】本実施例として、上記した露光装置の電源
のＯＮからＯＦＦおよび／またはＯＦＦからＯＮへの状
態変化、露光装置の露光動作から装置アイドリングおよ
び／または装置アイドリングから露光動作への状態変
化、露光装置へのデータ転送等をトリガとして、前記露
光装置が上記した混合気体の流量や成分比等を変化させ
ることが可能である。その結果、上記した第１の実施例
と同等の効果を得ることが可能となる。

【００３９】また、前記露光装置として、例えば図２に
おける光源部２における露光投影用ランプをＦ₂ レーザ
による光源部とする等、Ｆ₂ （フッ素）レーザを露光光
に用いた露光装置においても、その露光時または露光時
以外（例えばクリーニング時等）にオゾンおよび／また
は窒素を含む混合気体を投影光学系等に供給することが
できる。特に、Ｆ₂ レーザ等の短波長の露光光において
は、露光光が気体中の有機分子等の不純物を分解して光
学素子等に析出物等として付着していき、結果として光
学素子の透過率が減少して装置スループットの低下等の
悪影響を招いてしまう恐れがある。そこで、本実施例に
おけるＦ₂ （フッ素）レーザを露光光に用いた露光装置
により、短波長の露光光においても上記した第１の実施
例と同等の効果を得ることが可能である。

【００４０】［半導体生産システムの実施例］次に、上
記説明した露光装置を利用した半導体等のデバイス（Ｉ
ＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄
膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の生産システムの例
を説明する。これは、半導体製造工場に設置された製造
装置のトラブル対応や定期メンテナンス、若しくはソフ
トウェア提供等の保守サービスを、製造工場外のコンピ
ュータネットワーク等を利用して行うものである。

【００４１】図４は、全体システムをある角度から切り
出して表現したものである。図中、１０１は半導体デバ
イスの製造装置を提供するベンダ（装置供給メーカ）の
事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工場
で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、
前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチン
グ装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、
平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置
等）を想定している。事業所１０１内には、製造装置の
保守データベースを提供するホスト管理システム１０
８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結ん
でイントラネット等を構築するローカルエリアネットワ
ーク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１
０８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークであ
るインターネット１０５に接続するためのゲートウェイ
と、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を
備える。

【００４２】一方、１０２〜１０４は、製造装置のユー
ザとしての半導体製造メーカ（半導体デバイスメーカ）
の製造工場である。製造工場１０２〜１０４は、互いに
異なるメーカに属する工場であってもよいし、同一のメ
ーカに属する工場（例えば、前工程用の工場、後工程用
の工場等）であってもよい。各工場１０２〜１０４内に
は、夫々、複数の製造装置１０６と、それらを結んでイ
ントラネット等を構築するローカルエリアネットワーク
（ＬＡＮ）１１１と、各製造装置１０６の稼働状況を監
視する監視装置としてホスト管理システム１０７とが設
けられている。各工場１０２〜１０４に設けられたホス
ト管理システム１０７は、各工場内のＬＡＮ１１１を工
場の外部ネットワークであるインターネット１０５に接
続するためのゲートウェイを備える。これにより各工場
のＬＡＮ１１１からインターネット１０５を介してベン
ダ１０１側のホスト管理システム１０８にアクセスが可
能となり、ホスト管理システム１０８のセキュリティ機
能によって限られたユーザだけがアクセスが許可となっ
ている。具体的には、インターネット１０５を介して、
各製造装置１０６の稼働状況を示すステータス情報（例
えば、トラブルが発生した製造装置の症状）を工場側か
らベンダ側に通知する他、その通知に対応する応答情報
（例えば、トラブルに対する対処方法を指示する情報、
対処用のソフトウェアやデータ）や、最新のソフトウェ
ア、ヘルプ情報等の保守情報をベンダ側から受け取るこ
とができる。各工場１０２〜１０４とベンダ１０１との
間のデータ通信および各工場内のＬＡＮ１１１でのデー
タ通信には、インターネットで一般的に使用されている
通信プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、
工場外の外部ネットワークとしてインターネットを利用
する代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュ
リティの高い専用線ネットワーク（ＩＳＤＮ等）を利用
することもできる。また、ホスト管理システムはベンダ
が提供するものに限らずユーザがデータベースを構築し
て外部ネットワーク上に置き、ユーザの複数の工場から
該データベースへのアクセスを許可するようにしてもよ
い。

【００４３】さて、図５は、本実施例の全体システムを
図４とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例では、それぞれが製造装置を備えた複数のユ
ーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外
部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介し
て各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報
をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複
数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装
置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部
ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデー
タ通信するものである。図中、２０１は製造装置ユーザ
（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、工場
の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここで
は例として露光装置２０２、レジスト処理装置２０３、
成膜処理装置２０４が導入されている。なお、図５で
は、製造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複
数の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の
各装置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネット等を
構成し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼働
管理がされている。一方、露光装置メーカ２１０、レジ
スト処理装置メーカ２２０、成膜装置メーカ２３０等、
ベンダ（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供
給した機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム
２１１，２２１，２３１を備え、これらは上述したよう
に保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイ
を備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホス
ト管理システム２０５と、各装置のベンダの管理システ
ム２１１，２２１，２３１とは、外部ネットワーク２０
０であるインターネット若しくは専用線ネットワークに
よって接続されている。このシステムにおいて、製造ラ
インの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きる
と、製造ラインの稼働が休止してしまうが、トラブルが
起きた機器のベンダからインターネット２００を介した
遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ライ
ンの休止を最小限に抑えることができる。

【００４４】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェア並びに装置動作用のソフトウェアを実行す
るコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモリ
やハードディスク、若しくはネットワークファイルサー
バ等である。上記ネットワークアクセス用ソフトウェア
は、専用または汎用のウェブブラウザを含み、例えば図
６に一例を示す様な画面のユーザインタフェースをディ
スプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理するオ
ペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種４０
１、シリアルナンバー４０２、トラブルの件名４０３、
発生日４０４、緊急度４０５、症状４０６、対処法４０
７、経過４０８等の情報を画面上の入力項目に入力す
る。入力された情報はインターネットを介して保守デー
タベースに送信され、その結果の適切な保守情報が保守
データベースから返信されディスプレイ上に提示され
る。また、ウェブブラウザが提供するユーザインタフェ
ースは、さらに図示のごとくハイパーリンク機能４１
０，４１１，４１２を実現し、オペレータは各項目のさ
らに詳細な情報にアクセスしたり、ベンダが提供するソ
フトウェアライブラリから製造装置に使用する最新バー
ジョンのソフトウェアを引出したり、工場のオペレータ
の参考に供する操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したり
することができる。ここで、保守データベースが提供す
る保守情報には、上記説明した本発明に関する情報も含
まれ、また前記ソフトウェアライブラリは本発明を実現
するための最新のソフトウェアも提供する。

【００４５】次に、上記説明した生産システムを利用し
た半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図７は、
半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示
す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路
設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回
路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステッ
プ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエ
ハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程
と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソ
グラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成す
る。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ス
テップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チッ
プ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、
ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等
の組立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デ
バイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工
程と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの
工場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守が
なされる。また、前工程工場と後工程工場との間でも、
インターネットまたは専用線ネットワークを介して生産
管理や装置保守のための情報等がデータ通信される。

【００４６】図８は、上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ図
３（ａ）（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布す
る。ステップ図３（ｂ）（露光）では上記説明した露光
装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光
する。ステップ図３（ｃ）（現像）では露光したウエハ
を現像する。ステップ図３（ｄ）（エッチング）では現
像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９
（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となった
レジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行う
ことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成す
る。各工程で使用する製造機器は上記説明した遠隔保守
システムによって保守がなされているので、トラブルを
未然に防ぐと共に、もしトラブルが発生しても迅速な復
旧が可能で、従来に比べて半導体デバイスの生産性を向
上させることができる。

【００４７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
気体（例えば窒素および／またはオゾン等の混合気体）
の流量および／または成分比を当該デバイス製造装置の
動作状態の変化させる流量制御手段および／または成分
比制御手段を有することにより、運用コストの低減を図
ることが可能なデバイス製造装置を提供できる。また、
前記気体が作業を妨げるようなものである場合にその気
体が低濃度になるまでの時間を短縮し、メンテナンスの
時間を短縮することが可能なデバイス製造装置を提供で
きる。

【００４８】また、デバイス製造装置の動作状態、つま
り露光中、待機中の状態、またはデバイス製造装置のラ
ンプ等の光源の入力電力により気体の流入量（例えば停
止、流入等）を制御し、気体の使用量を最小にし、デバ
イス製造装置に備えられた光源（例えばオゾンを発生す
る装置に使用されている高価なランプ等）の交換頻度を
下げて、装置メンテナンス時間を最小にして装置稼働を
上げ、かつ高価な混合気体の使用量を減らし、装置稼働
コストを減少させることが可能となる。

【００４９】さらに、デバイス製造装置内に充填する前
記気体の量を最小にすることによって、メンテナンス時
において前記気体が作業を妨げるようなものである場
合、該気体が低濃度になるまでの時間を少なくし、デバ
イス製造装置のメンテナンスを行うまでの待ち時間を短
くし、メンテナンス時間を減少させることが可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施例に係るデバイス製造装置で
あるステッパと呼ばれる露光装置を示す要部概略図であ
る。

【図２】 図１における露光投影レンズおよびその周辺
の混合気体を流入させる部分を示した拡大図である。

【図３】 本実施例に係る露光装置の動作シーケンスの
タイミングチャートの一例を示すグラフである。 （ａ）露光装置の稼働状態と時間のタイミングチャート
を示すグラフである。 （ｂ）露光投影用ランプへの投入電力と時間のタイミン
グチャートを示すグラフである。 （ｃ）オゾン発生装置内のオゾン発生用ランプ光量と時
間のタイミングチャートを示すグラフである。 （ｄ）レンズ部へ混合気体を入れるためのポンプ部のポ
ンプ流量と時間のタイミングチャートを示すグラフであ
る。

【図４】 本発明の一実施例に係る露光装置を含む半導
体デバイスの生産システムをある角度から見た概念図で
ある。

【図５】 本発明の一実施例に係る露光装置を含む半導
体デバイスの生産システムを別の角度から見た概念図で
ある。

【図６】 本発明の一実施例に係る露光装置を含む半導
体デバイスの生産システムにおけるユーザインタフェー
スの具体例を示す図である。

【図７】 本発明の一実施例に係る露光装置によるデバ
イスの製造プロセスのフローを説明する図である。

【図８】 本発明の一実施例に係る露光装置によるウエ
ハプロセスを説明する図である。

【符号の説明】

１：露光装置、２：半導体パターンの焼付けを行うため
の光源を含む光源部、３：レチクル、４：ウエハ、５：
露光投影レンズ、６：ＸＹステージ、７：ランプ電源
部、８：装置制御部、９：混合気体制御部、１０：ポン
プ部、１１：オゾン発生用ランプ、１２：オゾン発生装
置、１３：オゾン生成用の空気を送るパイプ、１４ａ，
１４ｂ：配管（パイプ）、１７：照明系、１９：露光装
置のアイドリング状態を示したタイミングチャート部、
２０：投影露光ランプへの初期投入電力を示したタイミ
ングチャート部、２１：オゾン発生用ランプへの初期の
低光量を示したタイミングチャート部、２２：装置稼働
状態を示したタイミングチャート部、２３：露光投影用
ランプへの最大投入電力を示したタイミングチャート
部、２４：オゾン発生用ランプの最大光量を示したタイ
ミングチャート部、２５：混合気体の最大流入量を示し
たタイミングチャート部、２６：任意の投入電力を示し
たタイミングチャート部、２７：オゾン発生用ランプの
任意の光量を示したタイミングチャート部、２８：混合
気体の流入量も任意の流入量を示したタイミングチャー
ト部、２９：混合気体の逆流現象を防止するための流量
変化を示すタイミングチャート部、１０１：ベンダの事
業所、１０２，１０３，１０４：製造工場、１０５：イ
ンターネット、１０６：製造装置、１０７：工場のホス
ト管理システム、１０８：ベンダ側のホスト管理システ
ム、１０９：ベンダ側のローカルエリアネットワーク
（ＬＡＮ）、１１０：操作端末コンピュータ、１１１：
工場のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、２０
０：外部ネットワーク、２０１：製造装置ユーザの製造
工場、２０２：露光装置、２０３：レジスト処理装置、
２０４：成膜処理装置、２０５：工場のホスト管理シス
テム、２０６：工場のローカルエリアネットワーク（Ｌ
ＡＮ）、２１０：露光装置メーカ、２１１：露光装置メ
ーカの事業所のホスト管理システム、２２０：レジスト
処理装置メーカ、２２１：レジスト処理装置メーカの事
業所のホスト管理システム、２３０：成膜装置メーカ、
２３１：成膜装置メーカの事業所のホスト管理システ
ム、４０１：製造装置の機種、４０２：シリアルナンバ
ー、４０３：トラブルの件名、４０４：発生日、４０
５：緊急度、４０６：症状、４０７：対処法、４０８：
経過、４１０，４１１，４１２：ハイパーリンク機能。

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 投影光学系と該投影光学系に気体を供給
   する手段とを備えるデバイス製造装置において、 前記気体の流量を当該デバイス製造装置の動作状態の変
   化に応じて変化させる流量制御手段を有することを特徴
   とするデバイス製造装置。
2. 【請求項２】 前記気体が複数の成分を混合したもので
   あり、該気体の成分比を当該デバイス製造装置の動作状
   態の変化に応じて変化させる成分比制御手段をさらに有
   することを特徴とする請求項１に記載のデバイス製造装
   置。
3. 【請求項３】 投影光学系と該投影光学系に気体を供給
   する手段とを備えるデバイス製造装置において、 前記気体が複数の成分を混合したものであり、該気体の
   成分比を当該デバイス製造装置の動作状態の変化に応じ
   て変化させる成分比制御手段を有することを特徴とする
   デバイス製造装置。
4. 【請求項４】 紫外線ランプを備え、前記気体の１成分
   としてオゾンを発生するオゾン発生手段を有することを
   特徴とする請求項２または３に記載のデバイス製造装
   置。
5. 【請求項５】 前記動作状態の変化が、当該デバイス製
   造装置の電源オンモードから電源オフモードへの変化お
   よび電源オフモードから電源オンモードへの変化をトリ
   ガとするものであることを特徴とする請求項１〜４のい
   ずれか１つに記載のデバイス製造装置。
6. 【請求項６】 前記動作状態の変化が、当該デバイス製
   造装置におけるアイドリングモードから露光モードへの
   変化および露光モードからアイドリングモードへの変化
   をトリガとするものであることを特徴とする請求項１〜
   ５のいずれか１つに記載のデバイス製造装置。
7. 【請求項７】 前記動作状態の変化が、当該デバイス製
   造装置へのデータ転送をトリガとするものであることを
   特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載のデバイ
   ス製造装置。
8. 【請求項８】 前記動作状態が、当該デバイス製造装置
   で製造する素子の品種変更をトリガとして変化するもの
   であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに
   記載のデバイス製造装置。
9. 【請求項９】 請求項１〜８のいずれか１つに記載のデ
   バイス製造装置は、照明系およびアライメント系をさら
   に備え、該照明系および／または該アライメント系に前
   記気体を供給する手段をさらに有することを特徴とす
   る。
10. 【請求項１０】 請求項４〜９のいずれか１つに記載の
    デバイス製造装置は、光源としてフッ素レーザを用い、
    前記オゾンを露光時以外のときに少なくとも前記投影光
    学系、前記照明系および前記アライメント系のいずれか
    １つ以上に供給することを特徴とする。
11. 【請求項１１】 請求項１〜１０のいずれか１つに記載
    のデバイス製造装置において、ディスプレイと、ネット
    ワークインタフェースと、ネットワーク用ソフトウェア
    を実行するコンピュータとをさらに有し、デバイス製造
    装置の保守情報をコンピュータネットワークを介してデ
    ータ通信することを可能にしたことを特徴とするデバイ
    ス製造装置。
12. 【請求項１２】 前記ネットワーク用ソフトウェアは、
    前記デバイス製造装置が設置された工場の外部ネットワ
    ークに接続され前記デバイス製造装置のベンダ若しくは
    ユーザが提供する保守データベースにアクセスするため
    のユーザインタフェースを前記ディスプレイ上に提供
    し、前記外部ネットワークを介して該データベースから
    情報を得ることを可能にすることを特徴とする請求項１
    １に記載のデバイス製造装置。
13. 【請求項１３】 請求項１〜１２のいずれか１つに記載
    のデバイス製造装置を含む各種プロセス用の製造装置群
    を半導体製造工場に設置する工程と、該製造装置群を用
    いて複数のプロセスによって半導体デバイスを製造する
    工程とを有することを特徴とする半導体デバイス製造方
    法。
14. 【請求項１４】 前記製造装置群をローカルエリアネッ
    トワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネット
    ワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの
    間で、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報を
    データ通信する工程とをさらに有することを特徴とする
    請求項１３に記載の半導体デバイス製造方法。
15. 【請求項１５】 前記デバイス製造装置のベンダ若しく
    はユーザが提供するデータベースに前記外部ネットワー
    クを介してアクセスしてデータ通信によって前記製造装
    置の保守情報を得る、若しくは前記半導体製造工場とは
    別の半導体製造工場との間で前記外部ネットワークを介
    してデータ通信して生産管理を行うことを特徴とする請
    求項１４に記載の半導体デバイス製造方法。
16. 【請求項１６】 請求項１〜１２のいずれか１つに記載
    のデバイス製造装置を含む各種プロセス用の製造装置群
    と、該製造装置群を接続するローカルエリアネットワー
    クと、該ローカルエリアネットワークから工場外の外部
    ネットワークにアクセス可能にするゲートウェイを有
    し、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報をデ
    ータ通信することを可能にしたことを特徴とする半導体
    製造工場。
17. 【請求項１７】 半導体製造工場に設置された請求項１
    〜１２のいずれか１つに記載のデバイス製造装置の保守
    方法であって、前記デバイス製造装置のベンダ若しくは
    ユーザが、半導体製造工場の外部ネットワークに接続さ
    れた保守データベースを提供する工程と、前記半導体製
    造工場内から前記外部ネットワークを介して前記保守デ
    ータベースへのアクセスを許可する工程と、前記保守デ
    ータベースに蓄積される保守情報を前記外部ネットワー
    クを介して半導体製造工場側に送信する工程とを有する
    ことを特徴とするデバイス製造装置の保守方法。