JP2001267237A - 露光装置および露光方法 - Google Patents
露光装置および露光方法Info
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- JP2001267237A JP2001267237A JP2000081297A JP2000081297A JP2001267237A JP 2001267237 A JP2001267237 A JP 2001267237A JP 2000081297 A JP2000081297 A JP 2000081297A JP 2000081297 A JP2000081297 A JP 2000081297A JP 2001267237 A JP2001267237 A JP 2001267237A
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- exposure apparatus
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スループットを損なうことなく、ロードロッ
ク室の酸素を除去し、ウエハなどの感光基板、およびレ
チクルなどの原版の搬送を可能にする。 【解決手段】 光源から発される露光光を原版のパター
ンへ照射する照明光学系と、感光基板であるウエハ１〜
５が載置される基板ステージ２０〜２４とを備え、基板
ステージ２２上のウエハおよび該基板ステージ２２が不
活性ガスを充たした密閉チャンバ３２内に配置され、該
密閉チャンバ３２内に対し該ウエハを搬入搬出する搬送
手段を有し、該密閉チャンバ３２内に対する該ウエハの
搬入がロードロック室３０，３１を介して、搬出がロー
ドロック室３３，３４を介して行われる。
ク室の酸素を除去し、ウエハなどの感光基板、およびレ
チクルなどの原版の搬送を可能にする。 【解決手段】 光源から発される露光光を原版のパター
ンへ照射する照明光学系と、感光基板であるウエハ１〜
５が載置される基板ステージ２０〜２４とを備え、基板
ステージ２２上のウエハおよび該基板ステージ２２が不
活性ガスを充たした密閉チャンバ３２内に配置され、該
密閉チャンバ３２内に対し該ウエハを搬入搬出する搬送
手段を有し、該密閉チャンバ３２内に対する該ウエハの
搬入がロードロック室３０，３１を介して、搬出がロー
ドロック室３３，３４を介して行われる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置および露
光方法に関し、更には紫外線域の光のうちより短い波長
の光源を用い、特に酸素の吸収スペクトルと重なり合う
スペクトル光を射出するエキシマレーザ、高調波レー
ザ、水銀ランプ光などを光源とする露光装置および露光
方法に関する。
光方法に関し、更には紫外線域の光のうちより短い波長
の光源を用い、特に酸素の吸収スペクトルと重なり合う
スペクトル光を射出するエキシマレーザ、高調波レー
ザ、水銀ランプ光などを光源とする露光装置および露光
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子を製造するためのリソグラフ
ィ工程において、レチクルパターン（フォトレチクルな
ど）のパターン像を投影光学系を介してウエハ上に露光
する露光装置が用いられるが、半導体集積回路の線幅の
微細化が進み、リソグラフィ工程においては、より微細
化を求める手段としてリソグラフィ光源の露光波長を短
波長化する方法が一般的である。
ィ工程において、レチクルパターン（フォトレチクルな
ど）のパターン像を投影光学系を介してウエハ上に露光
する露光装置が用いられるが、半導体集積回路の線幅の
微細化が進み、リソグラフィ工程においては、より微細
化を求める手段としてリソグラフィ光源の露光波長を短
波長化する方法が一般的である。
【０００３】現在、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレ
ーザをステッパ光源として採用した露光装置がすでに開
発されているが、さらに短い波長である１９３ｎｍのＡ
ｒＦエキシマレーザ等の開発も進んでいる。さらには波
長１５７ｎｍのＦ２エキシマレーザが短波長光源の候補
として注目されている。
ーザをステッパ光源として採用した露光装置がすでに開
発されているが、さらに短い波長である１９３ｎｍのＡ
ｒＦエキシマレーザ等の開発も進んでいる。さらには波
長１５７ｎｍのＦ２エキシマレーザが短波長光源の候補
として注目されている。
【０００４】従来のｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザ
を用いた露光装置では、これらの光源の発光スペクトル
線は酸素の吸収スペクトル領域とは重ならず、酸素の吸
収による光利用効率の低下および酸素の吸収によるオゾ
ンの発生に起因する不都合はなかった。したがって、こ
れらの露光装置では基本的に大気中での露光が可能であ
った。
を用いた露光装置では、これらの光源の発光スペクトル
線は酸素の吸収スペクトル領域とは重ならず、酸素の吸
収による光利用効率の低下および酸素の吸収によるオゾ
ンの発生に起因する不都合はなかった。したがって、こ
れらの露光装置では基本的に大気中での露光が可能であ
った。
【０００５】しかしながら、Ｆ２エキシマレーザのよう
な光源では、発光スペクトル線は酸素の吸収スペクトル
領域と重なるため、上述の酸素の吸収による光利用効率
の低下が深刻である。例えば、大気中におけるＦ２エキ
シマレーザの透過率は０．１％／ｍｍである。
な光源では、発光スペクトル線は酸素の吸収スペクトル
領域と重なるため、上述の酸素の吸収による光利用効率
の低下が深刻である。例えば、大気中におけるＦ２エキ
シマレーザの透過率は０．１％／ｍｍである。
【０００６】透過率の低下は、酸素による光の吸収およ
び発生したオゾンの影響によるものとが考えられる。オ
ゾンの発生は透過率（光利用効率）に悪影響を及ぼすば
かりでなく、光学材料表面や他の部品との反応による装
置性能の劣化および環境汚染を引き起こす。
び発生したオゾンの影響によるものとが考えられる。オ
ゾンの発生は透過率（光利用効率）に悪影響を及ぼすば
かりでなく、光学材料表面や他の部品との反応による装
置性能の劣化および環境汚染を引き起こす。
【０００７】このように、Ｆ２エキシマレーザのような
光源を有する露光装置では、光の透過率の低下やオゾン
の発生を回避するために光路全体を窒素等の不活性ガス
で満たす必要がある。
光源を有する露光装置では、光の透過率の低下やオゾン
の発生を回避するために光路全体を窒素等の不活性ガス
で満たす必要がある。
【０００８】一般に露光装置は、光源および該光源から
の光でレチクルを均一に照明するための照明光学系と、
レチクルおよび該レチクルが載置されたレチクルステー
ジと、レチクルに形成された回路パターンをウエハ上に
結像させるための投影光学系と、ウエハを支持し且つ適
宜移動させて位置決めするためのステージ手段とレチク
ルおよびウエハを搬送する手段とからなっている。
の光でレチクルを均一に照明するための照明光学系と、
レチクルおよび該レチクルが載置されたレチクルステー
ジと、レチクルに形成された回路パターンをウエハ上に
結像させるための投影光学系と、ウエハを支持し且つ適
宜移動させて位置決めするためのステージ手段とレチク
ルおよびウエハを搬送する手段とからなっている。
【０００９】特に、レチクルおよびウエハの搬送におい
て、大気状態から前述の不活性ガスで満たされたレチク
ルおよびウエハステージ空間に搬送する必要がある。一
般に、このような場合、ロードロック方式が採用されて
いる。その例を図２５〜３４を用いて説明する。これら
の図において、１〜５はウエハ、１１，１２はウエハカ
セット、３２はウエハステージ周りを示し、空間Ｌはウ
エハステージ空間、同様に３１，３３はロードロック室
を示し、空間Ｋ，Ｍは各ロードロック室空間を示す。各
室内にはウエハステージ２１，２２，２３が配置されて
いる。そして各空間は扉（ｋ），（ｌ），（ｍ），
（ｎ）で仕切られている。
て、大気状態から前述の不活性ガスで満たされたレチク
ルおよびウエハステージ空間に搬送する必要がある。一
般に、このような場合、ロードロック方式が採用されて
いる。その例を図２５〜３４を用いて説明する。これら
の図において、１〜５はウエハ、１１，１２はウエハカ
セット、３２はウエハステージ周りを示し、空間Ｌはウ
エハステージ空間、同様に３１，３３はロードロック室
を示し、空間Ｋ，Ｍは各ロードロック室空間を示す。各
室内にはウエハステージ２１，２２，２３が配置されて
いる。そして各空間は扉（ｋ），（ｌ），（ｍ），
（ｎ）で仕切られている。
【００１０】なお、以下の説明では、ウエハの動きおよ
び各空間の状態を明確にする為、搬送系（ロボットな
ど）および各室のパージガス供給・排気手段は省略して
いる。
び各空間の状態を明確にする為、搬送系（ロボットな
ど）および各室のパージガス供給・排気手段は省略して
いる。
【００１１】（１）図２５において、扉（ｌ）および
（ｍ）を閉じて空間Ｌはパージガス（例えばＨｅなどの
不活性ガス）でパージされている。扉（ｋ）を開き、ウ
エハ１をステージ２１上に搬送する。 （２）次いで、図２６において、扉（ｋ）を閉じて、空
間Ｋ内をパージする。 （３）次に、図２７に示すように、扉（ｌ）を開き、ウ
エハ１を空間Ｌ内のステージ２２上に搬送する。 （４）その後、図２８に示すように、扉（ｌ）を閉じ、
ウエハ１の露光を開始する。 （５）図２９に示すように、扉（ｋ）を開き、ウエハ１
をステージ２１上に搬送する。 （６）図３０に示すように、扉（ｋ）および（ｎ）を閉
じて、空間ＫおよびＭ内をパージする。 （７）露光終了および空間Ｋ，Ｍ内のパージ完了後、図
３１に示すように、扉（ｌ）および（ｍ）を開く。 （８）図３２に示すように、ウエハ１，２を搬送する。 （９）図３３に示すように、扉（ｌ）および（ｍ）を閉
じ、ウエハ２の露光を開始する。 (10) 図３４に示すように、扉（ｋ）および（ｎ）を開
き、ウエハ１，３を搬送する。その後、再び図３０に示
す状態へ戻り、繰り返す。
（ｍ）を閉じて空間Ｌはパージガス（例えばＨｅなどの
不活性ガス）でパージされている。扉（ｋ）を開き、ウ
エハ１をステージ２１上に搬送する。 （２）次いで、図２６において、扉（ｋ）を閉じて、空
間Ｋ内をパージする。 （３）次に、図２７に示すように、扉（ｌ）を開き、ウ
エハ１を空間Ｌ内のステージ２２上に搬送する。 （４）その後、図２８に示すように、扉（ｌ）を閉じ、
ウエハ１の露光を開始する。 （５）図２９に示すように、扉（ｋ）を開き、ウエハ１
をステージ２１上に搬送する。 （６）図３０に示すように、扉（ｋ）および（ｎ）を閉
じて、空間ＫおよびＭ内をパージする。 （７）露光終了および空間Ｋ，Ｍ内のパージ完了後、図
３１に示すように、扉（ｌ）および（ｍ）を開く。 （８）図３２に示すように、ウエハ１，２を搬送する。 （９）図３３に示すように、扉（ｌ）および（ｍ）を閉
じ、ウエハ２の露光を開始する。 (10) 図３４に示すように、扉（ｋ）および（ｎ）を開
き、ウエハ１，３を搬送する。その後、再び図３０に示
す状態へ戻り、繰り返す。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ここで
以下の２点が問題となる。 （１）パージによるスループットの低下がある。これは
１枚のウエハに対する露光時間が約３０秒程度であり、
一方、空間Ｋ，Ｍ内をパージする為には１分から２分は
要するからである。ここで、時間短縮の為、空間内を一
度真空引きし、ガスを供給パージしても１分以上かか
る。したがって、ウエハの露光が終了してもパージが終
了するまで、ウエハはステージ上で待機することにな
り、スループットを低下させる原因となる。 （２）ロードロック室の残留酸素の除去が必要である。
従来の技術の説明において述べたように、Ｆ２エキシマ
レーザは酸素に吸収されるため、パージ空間内の酸素分
圧を１ｐｐｍレベルまで下げることが必要となる。ロー
ドロック室はパージ状態および大気状態にさらされる。
一度、大気（酸素濃度２０．６％）にさらされた空間を
酸素分圧１ｐｐｍレベルに下げるには、真空引きしたと
しても、時間を要する。特にステージなど、複雑な構造
をもった機構部を有する場合、その細部の残留酸素がな
かなか除去できない。これを短時間に除去するには、高
速、高容量の真空ポンプ等、高価、大型の手段が必要と
なる。
以下の２点が問題となる。 （１）パージによるスループットの低下がある。これは
１枚のウエハに対する露光時間が約３０秒程度であり、
一方、空間Ｋ，Ｍ内をパージする為には１分から２分は
要するからである。ここで、時間短縮の為、空間内を一
度真空引きし、ガスを供給パージしても１分以上かか
る。したがって、ウエハの露光が終了してもパージが終
了するまで、ウエハはステージ上で待機することにな
り、スループットを低下させる原因となる。 （２）ロードロック室の残留酸素の除去が必要である。
従来の技術の説明において述べたように、Ｆ２エキシマ
レーザは酸素に吸収されるため、パージ空間内の酸素分
圧を１ｐｐｍレベルまで下げることが必要となる。ロー
ドロック室はパージ状態および大気状態にさらされる。
一度、大気（酸素濃度２０．６％）にさらされた空間を
酸素分圧１ｐｐｍレベルに下げるには、真空引きしたと
しても、時間を要する。特にステージなど、複雑な構造
をもった機構部を有する場合、その細部の残留酸素がな
かなか除去できない。これを短時間に除去するには、高
速、高容量の真空ポンプ等、高価、大型の手段が必要と
なる。
【００１３】本発明は、スループットを損なうことな
く、ロードロック室の酸素を除去し、ウエハなどの感光
基板、およびレチクルなどの原版の搬送が可能であっ
て、高価で大型の手段を必要としない露光装置および露
光方法を提供することを目的とする。
く、ロードロック室の酸素を除去し、ウエハなどの感光
基板、およびレチクルなどの原版の搬送が可能であっ
て、高価で大型の手段を必要としない露光装置および露
光方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記従来の問
題点に鑑み、原版のパターンを投影光学系を介して感光
基板に転写する露光装置において、光源から発される露
光光を前記原版のパターンへ照射する照明光学系と、前
記感光基板が載置される基板ステージとを備え、該基板
ステージが不活性ガスを充たした密閉チャンバ内に配置
され、該密閉チャンバ内に対し該感光基板を搬入搬出す
る搬送手段を有し、該密閉チャンバ内に対する該感光基
板の搬入搬出がロードロック室を介して行われ、該ロー
ドロック室は複数のロードロック室からなり、該複数の
ロードロック室は個別に少なくとも真空引きおよび不活
性ガスによるパージのいずれかが可能であり、酸素分圧
が制御されていることを特徴とする。本発明に係る露光
装置は、原版が載置される原版ステージを備え、該原版
ステージが不活性ガスを充たした密閉チャンバ内に配置
され、該密閉チャンバ内に対し該原版を搬入搬出する搬
送手段を有し、該密閉チャンバ内に対する該原版の搬入
搬出がロードロック室を介して行われ、該ロードロック
室は複数のロードロック室からなり、該複数のロードロ
ック室は個別に少なくとも真空引きおよび不活性ガスに
よるパージのいずれかが可能であり、酸素分圧が制御さ
れていることを特徴としてもよい。
題点に鑑み、原版のパターンを投影光学系を介して感光
基板に転写する露光装置において、光源から発される露
光光を前記原版のパターンへ照射する照明光学系と、前
記感光基板が載置される基板ステージとを備え、該基板
ステージが不活性ガスを充たした密閉チャンバ内に配置
され、該密閉チャンバ内に対し該感光基板を搬入搬出す
る搬送手段を有し、該密閉チャンバ内に対する該感光基
板の搬入搬出がロードロック室を介して行われ、該ロー
ドロック室は複数のロードロック室からなり、該複数の
ロードロック室は個別に少なくとも真空引きおよび不活
性ガスによるパージのいずれかが可能であり、酸素分圧
が制御されていることを特徴とする。本発明に係る露光
装置は、原版が載置される原版ステージを備え、該原版
ステージが不活性ガスを充たした密閉チャンバ内に配置
され、該密閉チャンバ内に対し該原版を搬入搬出する搬
送手段を有し、該密閉チャンバ内に対する該原版の搬入
搬出がロードロック室を介して行われ、該ロードロック
室は複数のロードロック室からなり、該複数のロードロ
ック室は個別に少なくとも真空引きおよび不活性ガスに
よるパージのいずれかが可能であり、酸素分圧が制御さ
れていることを特徴としてもよい。
【００１５】また、本発明は、原版のパターンを投影光
学系を介して感光基板に転写する露光方法において、前
記感光基板が載置される基板ステージが不活性ガスを充
たした密閉チャンバ内に配置され、光源から発される露
光光を前記原版のパターンへ照射する照明工程と、前記
密閉チャンバ内に対し該感光基板を搬入搬出する搬送工
程とを有し、該密閉チャンバ内に対する該感光基板の搬
入搬出がロードロック室を介して行われ、該ロードロッ
ク室は複数のロードロック室からなり、該複数のロード
ロック室は個別に少なくとも真空引きおよび不活性ガス
によるパージのいずれかが可能であり、酸素分圧が制御
されていることを特徴とする。本発明に係る露光方法
は、原版が載置される原版ステージが不活性ガスを充た
した密閉チャンバ内に配置され、光源から発される露光
光を前記原版のパターンへ照射する照明工程と、該密閉
チャンバ内に対し該原版を搬入搬出する搬送工程とを有
し、該密閉チャンバ内に対する該原版の搬入搬出がロー
ドロック室を介して行われ、前記ロードロック室は複数
のロードロック室からなり、該複数のロードロック室は
個別に少なくとも真空引きおよび不活性ガスによるパー
ジのいずれかが可能であり、酸素分圧が制御されている
ことを特徴としてもよい。
学系を介して感光基板に転写する露光方法において、前
記感光基板が載置される基板ステージが不活性ガスを充
たした密閉チャンバ内に配置され、光源から発される露
光光を前記原版のパターンへ照射する照明工程と、前記
密閉チャンバ内に対し該感光基板を搬入搬出する搬送工
程とを有し、該密閉チャンバ内に対する該感光基板の搬
入搬出がロードロック室を介して行われ、該ロードロッ
ク室は複数のロードロック室からなり、該複数のロード
ロック室は個別に少なくとも真空引きおよび不活性ガス
によるパージのいずれかが可能であり、酸素分圧が制御
されていることを特徴とする。本発明に係る露光方法
は、原版が載置される原版ステージが不活性ガスを充た
した密閉チャンバ内に配置され、光源から発される露光
光を前記原版のパターンへ照射する照明工程と、該密閉
チャンバ内に対し該原版を搬入搬出する搬送工程とを有
し、該密閉チャンバ内に対する該原版の搬入搬出がロー
ドロック室を介して行われ、前記ロードロック室は複数
のロードロック室からなり、該複数のロードロック室は
個別に少なくとも真空引きおよび不活性ガスによるパー
ジのいずれかが可能であり、酸素分圧が制御されている
ことを特徴としてもよい。
【００１６】
【実施の形態および作用】本発明の実施の形態として、
複数のロードロック室は、前記密閉チャンバに対して直
列に配置されていてもよいし、並列に配置されていても
よい。そして、本発明は、スループットを損なうことな
く、ロードロック室の酸素を除去することを可能にする
ものである。すなわち、本発明では、ロードロック室を
複数配置し、各ロードロック室の酸素分圧を段階的に設
定し、パージを行う。これにより、速やかに酸素分圧を
低減でき、感光基板としてのウエハ１枚を露光中に、次
のウエハのパージが完了し、スループット向上が可能に
なる。
複数のロードロック室は、前記密閉チャンバに対して直
列に配置されていてもよいし、並列に配置されていても
よい。そして、本発明は、スループットを損なうことな
く、ロードロック室の酸素を除去することを可能にする
ものである。すなわち、本発明では、ロードロック室を
複数配置し、各ロードロック室の酸素分圧を段階的に設
定し、パージを行う。これにより、速やかに酸素分圧を
低減でき、感光基板としてのウエハ１枚を露光中に、次
のウエハのパージが完了し、スループット向上が可能に
なる。
【００１７】
【実施例】（実施例１）図１〜図１４は本発明の実施例
１の説明図である。これらの図において、１〜５は感光
基板としてのウエハ、１１，１２はウエハカセット、３
２はウエハ露光室を示し、空間Ｃはウエハステージ空
間、同様に３１，３３はウエハ露光室３２に隣接する隣
接ロードロック室を示し、空間Ｂ，Ｄは各ロードロック
室空間を示す。さらに、本実施例を特徴づける３０およ
び３４は対応する隣接ロードロック室３１，３３のそれ
ぞれ前と後の前ロードロック室および後ロードロック室
を示し、空間ＡおよびＥはそのロードロック室の前室空
間および後室空間を示す。
１の説明図である。これらの図において、１〜５は感光
基板としてのウエハ、１１，１２はウエハカセット、３
２はウエハ露光室を示し、空間Ｃはウエハステージ空
間、同様に３１，３３はウエハ露光室３２に隣接する隣
接ロードロック室を示し、空間Ｂ，Ｄは各ロードロック
室空間を示す。さらに、本実施例を特徴づける３０およ
び３４は対応する隣接ロードロック室３１，３３のそれ
ぞれ前と後の前ロードロック室および後ロードロック室
を示し、空間ＡおよびＥはそのロードロック室の前室空
間および後室空間を示す。
【００１８】各室内にはウエハステージ２０，２１，２
２，２３，２４が配置されている。そして、ウエハ露光
室３２は扉（ｃ），（ｄ）で区切られ、隣接ロードロッ
ク室３１は扉（ｂ），（ｃ）で、隣接ロードロック室３
３は扉（ｄ），（ｅ）で、前ロードロック室３０は扉
（ａ），（ｂ）で、後ロードロック室３３は扉（ｅ），
（ｆ）でそれぞれ区切られている。
２，２３，２４が配置されている。そして、ウエハ露光
室３２は扉（ｃ），（ｄ）で区切られ、隣接ロードロッ
ク室３１は扉（ｂ），（ｃ）で、隣接ロードロック室３
３は扉（ｄ），（ｅ）で、前ロードロック室３０は扉
（ａ），（ｂ）で、後ロードロック室３３は扉（ｅ），
（ｆ）でそれぞれ区切られている。
【００１９】なお、以下の説明では、ウエハの動きおよ
び各空間の状態を明確にする為、搬送系（ロボットな
ど）および各室のパージガス供給・排気手段は省略して
いる。空間Ｃはパージガス（例えば、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎ2
などの不活性ガス）でパージされている。空間Ｃ内はウ
エハ露光空間であり、その酸素分圧は常に１ｐｐｍ以下
に制御されている。
び各空間の状態を明確にする為、搬送系（ロボットな
ど）および各室のパージガス供給・排気手段は省略して
いる。空間Ｃはパージガス（例えば、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎ2
などの不活性ガス）でパージされている。空間Ｃ内はウ
エハ露光空間であり、その酸素分圧は常に１ｐｐｍ以下
に制御されている。
【００２０】隣接ロードロック室３１（ウエハ搬入側）
の空間Ｂ、および隣接ロードロック室３３（ウエハ搬出
側）の空間Ｄも同じく、酸素分圧は１ｐｐｍ以下に制御
される。ただし、ウエハの搬入、搬出の際に、それぞれ
の扉（ｂ），（ｅ）を開放したときの空間Ａ，Ｂおよび
Ｄ，Ｅの酸素分圧は１００ｐｐｍ以下に制御されてい
る。すなわち、ロードロック室空間Ｂ，Ｄが酸素分圧１
００ｐｐｍ以下に制御されていることにより、真空引き
で速やかに酸素分圧を低減でき、露光空間Ｃ内の酸素分
圧１ｐｐｍに合わせることが、可能となる。
の空間Ｂ、および隣接ロードロック室３３（ウエハ搬出
側）の空間Ｄも同じく、酸素分圧は１ｐｐｍ以下に制御
される。ただし、ウエハの搬入、搬出の際に、それぞれ
の扉（ｂ），（ｅ）を開放したときの空間Ａ，Ｂおよび
Ｄ，Ｅの酸素分圧は１００ｐｐｍ以下に制御されてい
る。すなわち、ロードロック室空間Ｂ，Ｄが酸素分圧１
００ｐｐｍ以下に制御されていることにより、真空引き
で速やかに酸素分圧を低減でき、露光空間Ｃ内の酸素分
圧１ｐｐｍに合わせることが、可能となる。
【００２１】この為、前ロードロック室３０（ウエハ搬
入側）の空間Ａ、および後ロードロック室３４（ウエハ
搬出側）の空間Ｅも酸素分圧が制御されている。上記の
とおり、扉（ｂ），（ｅ）を開放したときの空間Ａ，Ｂ
およびＤ，Ｅの酸素分圧が１００ｐｐｍ以下からそれぞ
れの扉（ａ），（ｆ）の開放時に大気にさらされる２
０．６％になる。
入側）の空間Ａ、および後ロードロック室３４（ウエハ
搬出側）の空間Ｅも酸素分圧が制御されている。上記の
とおり、扉（ｂ），（ｅ）を開放したときの空間Ａ，Ｂ
およびＤ，Ｅの酸素分圧が１００ｐｐｍ以下からそれぞ
れの扉（ａ），（ｆ）の開放時に大気にさらされる２
０．６％になる。
【００２２】このように、露光空間Ｃ内の酸素分圧１ｐ
ｐｍ以下の環境を達成する為に、ロードロック室を、２
段階にし、酸素分圧を１から１００ｐｐｍまでと１００
から２０．６％までとに段階的に分割制御することによ
り、各ロードロック室の酸素を速やかに除去することが
可能である。
ｐｍ以下の環境を達成する為に、ロードロック室を、２
段階にし、酸素分圧を１から１００ｐｐｍまでと１００
から２０．６％までとに段階的に分割制御することによ
り、各ロードロック室の酸素を速やかに除去することが
可能である。
【００２３】以下、図１〜図１４を参照しながら、ウエ
ハの搬入動作および搬出動作とパージ動作を順に説明す
る。
ハの搬入動作および搬出動作とパージ動作を順に説明す
る。
【００２４】（１）図１に示すように、扉（ａ）を開
き、ウエハ１をステージ２０上に搬送する。空間Ｂ，
Ｃ，Ｄは酸素分圧１ｐｐｍのパージがなされている。 （２）図２に示すように、扉（ａ）を閉じ、空間Ａ内を
パージし、酸素分圧１００ｐｐｍ以下にする。 （３）図３に示すように、扉（ｂ）を開き、ウエハ１を
ステージ２１上に搬送する。 （４）図４に示すように、扉（ｂ）を閉じ、空間Ｂ内を
パージし、酸素分圧１ｐｐｍ以下にする。同時に、扉
（ａ）を開き、ウエハ２をステージ２０上に搬送する。 （５）図５に示すように、扉（ｃ）を開き、ウエハ１を
露光空間Ｃ内のステージ２２上に搬送する。同時に、扉
（ａ）を閉じ、空間Ａ内をパージし、酸素分圧１００ｐ
ｐｍ以下にする。 （６）図６に示すように、扉（ｃ）を閉じ、露光を開始
する。同時に、扉（ｂ）を開き、ウエハ２をステージ２
１上に搬送する。 （７）図７に示すように、扉（ｂ）を閉じ、空間Ｂ内を
パージし、酸素分圧１ｐｐｍ以下にする。同時に、扉
（ａ）を開き、ウエハ３をステージ２０上に搬送する。 （８）図８に示すように、扉（ａ）を閉じ、空間Ａ内を
パージし、酸素分圧１００ｐｐｍ以下にする。 （９）露光終了である。図９に示すように、扉（ｃ），
（ｄ）を開き、ウエハ１，２をそれぞれのステージ２
３，２２上へ搬送する。 (10) 図１０に示すように、扉（ｃ），（ｄ）を閉じ、
ウエハ２の露光を開始する。 (11) 図１１に示すように、扉（ｂ），（ｅ）を開き、
ウエハ１，３をそれぞれのステージ２４，２１上へ搬送
する。 (12) 図１２に示すように、扉（ｂ），（ｅ）を閉じ
て、空間Ｂ，Ｄ内をパージし、酸素分圧１ｐｐｍ以下に
する。同時に、扉（ａ），（ｆ）を開き、ウエハ１，４
をそれぞれウエハカセット１２、ステージ２０に搬送す
る。 (13) 図１３に示すように、扉（ａ），（ｆ）を閉じて
空間Ａ，Ｅ内をパージし、酸素分圧１００ｐｐｍ以下に
する。 (14) 露光を終了し、図１４に示すように、扉（ｃ），
（ｄ）を開き、ウエハ２，３をそれぞれステージ２３，
２２へ搬送する。 その後、再び図１０に示す状態に戻り、繰り返す。
き、ウエハ１をステージ２０上に搬送する。空間Ｂ，
Ｃ，Ｄは酸素分圧１ｐｐｍのパージがなされている。 （２）図２に示すように、扉（ａ）を閉じ、空間Ａ内を
パージし、酸素分圧１００ｐｐｍ以下にする。 （３）図３に示すように、扉（ｂ）を開き、ウエハ１を
ステージ２１上に搬送する。 （４）図４に示すように、扉（ｂ）を閉じ、空間Ｂ内を
パージし、酸素分圧１ｐｐｍ以下にする。同時に、扉
（ａ）を開き、ウエハ２をステージ２０上に搬送する。 （５）図５に示すように、扉（ｃ）を開き、ウエハ１を
露光空間Ｃ内のステージ２２上に搬送する。同時に、扉
（ａ）を閉じ、空間Ａ内をパージし、酸素分圧１００ｐ
ｐｍ以下にする。 （６）図６に示すように、扉（ｃ）を閉じ、露光を開始
する。同時に、扉（ｂ）を開き、ウエハ２をステージ２
１上に搬送する。 （７）図７に示すように、扉（ｂ）を閉じ、空間Ｂ内を
パージし、酸素分圧１ｐｐｍ以下にする。同時に、扉
（ａ）を開き、ウエハ３をステージ２０上に搬送する。 （８）図８に示すように、扉（ａ）を閉じ、空間Ａ内を
パージし、酸素分圧１００ｐｐｍ以下にする。 （９）露光終了である。図９に示すように、扉（ｃ），
（ｄ）を開き、ウエハ１，２をそれぞれのステージ２
３，２２上へ搬送する。 (10) 図１０に示すように、扉（ｃ），（ｄ）を閉じ、
ウエハ２の露光を開始する。 (11) 図１１に示すように、扉（ｂ），（ｅ）を開き、
ウエハ１，３をそれぞれのステージ２４，２１上へ搬送
する。 (12) 図１２に示すように、扉（ｂ），（ｅ）を閉じ
て、空間Ｂ，Ｄ内をパージし、酸素分圧１ｐｐｍ以下に
する。同時に、扉（ａ），（ｆ）を開き、ウエハ１，４
をそれぞれウエハカセット１２、ステージ２０に搬送す
る。 (13) 図１３に示すように、扉（ａ），（ｆ）を閉じて
空間Ａ，Ｅ内をパージし、酸素分圧１００ｐｐｍ以下に
する。 (14) 露光を終了し、図１４に示すように、扉（ｃ），
（ｄ）を開き、ウエハ２，３をそれぞれステージ２３，
２２へ搬送する。 その後、再び図１０に示す状態に戻り、繰り返す。
【００２５】（実施例２）実施例１がウエハの搬送系に
ついての例であるのに対して、これを、実施例２はレチ
クル搬送系にそのまま適用する例である。本実施例の場
合、図１〜図１４において、１〜５が原版としてのレチ
クル、１１，１２はレチクルカセット、３２はレチクル
ステージ周りを示し、空間Ｃはレチクルステージ空間、
同様に３１，３３は隣接ロードロック室を示し、空間
Ｂ，Ｄは各ロードロック室空間を示す。
ついての例であるのに対して、これを、実施例２はレチ
クル搬送系にそのまま適用する例である。本実施例の場
合、図１〜図１４において、１〜５が原版としてのレチ
クル、１１，１２はレチクルカセット、３２はレチクル
ステージ周りを示し、空間Ｃはレチクルステージ空間、
同様に３１，３３は隣接ロードロック室を示し、空間
Ｂ，Ｄは各ロードロック室空間を示す。
【００２６】さらに本実施例を特徴づける３０と３４が
前ロードロック室と後ロードロック室を示し、空間Ａと
Ｅはそのロードロック室前室空間と後室空間を示す。各
室にはレチクルステージ２０，２１，２２，２３，２４
が配置されている。そして、各空間は実施例１と同様に
扉で区切られている。レチクルの搬送は実施例１におけ
るウエハの搬送と同様である。
前ロードロック室と後ロードロック室を示し、空間Ａと
Ｅはそのロードロック室前室空間と後室空間を示す。各
室にはレチクルステージ２０，２１，２２，２３，２４
が配置されている。そして、各空間は実施例１と同様に
扉で区切られている。レチクルの搬送は実施例１におけ
るウエハの搬送と同様である。
【００２７】（実施例３）実施例１はウエハを各ロード
ロック室に１枚毎に、搬入する例である。これを実施例
３ではウエハカセット毎に搬入する。すなわち、隣接ロ
ードロック室３１，３３、および前ロードロック室３０
と後ロードロック室３４に２５枚入りウエハカセットを
搬入する。各ロードロック室の容積が大きくなる分、真
空引きおよびパージ時間を要するが、２５枚分の露光が
完了する数分程度の間に各ロードロック室のパージを完
了すればよい。
ロック室に１枚毎に、搬入する例である。これを実施例
３ではウエハカセット毎に搬入する。すなわち、隣接ロ
ードロック室３１，３３、および前ロードロック室３０
と後ロードロック室３４に２５枚入りウエハカセットを
搬入する。各ロードロック室の容積が大きくなる分、真
空引きおよびパージ時間を要するが、２５枚分の露光が
完了する数分程度の間に各ロードロック室のパージを完
了すればよい。
【００２８】（実施例４）実施例１、２、および３では
露光空間に対して、ロードロック室が直列に複数配置さ
れた構成である。本実施例４に係る露光装置は、図１５
〜図２４に示すように、露光空間Ｃに対して、複数のロ
ードロック室Ａ，Ｂ，Ｄ，Ｅが並列に該露光空間Ｃの四
方に配置された構成を有している。この露光装置は、ウ
エハ・レチクルの搬送のいずれにも適用できるものであ
るが、本実施例４では、ウエハの搬送を例に説明する。
露光空間に対して、ロードロック室が直列に複数配置さ
れた構成である。本実施例４に係る露光装置は、図１５
〜図２４に示すように、露光空間Ｃに対して、複数のロ
ードロック室Ａ，Ｂ，Ｄ，Ｅが並列に該露光空間Ｃの四
方に配置された構成を有している。この露光装置は、ウ
エハ・レチクルの搬送のいずれにも適用できるものであ
るが、本実施例４では、ウエハの搬送を例に説明する。
【００２９】図１５〜図２４において、１から８がウエ
ハ、１１，１２はウエハカセット、Ｃは露光空間、Ａ，
Ｂはウエハ搬送側ロードロック空間、Ｄ，Ｅはウエハ搬
出側ロードロック空間である。
ハ、１１，１２はウエハカセット、Ｃは露光空間、Ａ，
Ｂはウエハ搬送側ロードロック空間、Ｄ，Ｅはウエハ搬
出側ロードロック空間である。
【００３０】なお、以下の説明ではウエハの動きおよび
各空間の状態を明確にする為、搬送系（ロボットなど）
および各室のパージガス供給・排気手段は省略してい
る。この空間Ｃは、実施例１、２、３と同様にパージガ
ス（例えばＨｅなどの不活性ガス）でパージされてい
る。そして、空間Ｃは露光空間であり、その酸素分圧は
常にｌｐｐｍ以下に制御されている。
各空間の状態を明確にする為、搬送系（ロボットなど）
および各室のパージガス供給・排気手段は省略してい
る。この空間Ｃは、実施例１、２、３と同様にパージガ
ス（例えばＨｅなどの不活性ガス）でパージされてい
る。そして、空間Ｃは露光空間であり、その酸素分圧は
常にｌｐｐｍ以下に制御されている。
【００３１】また、ロードロック室の空間Ａ，Ｂ（ウエ
ハ搬入側）と、ロードロック室の空間Ｄ，Ｅ（ウエハ搬
入側）は、酸素分圧１ｐｐｍから大気に曝される２０．
６％まで制御されるものである。そして、このロードロ
ック室の空間Ａ，Ｂ（ウエハ搬入側）とロードロック室
の空間Ｄ，Ｅ（ウエハ搬出側）は、それぞれ個別に真空
引きで速やかに酸素分圧を低減しながらパージガスでパ
ージすることによって、露光空間Ｃ内の酸素分圧ｌｐｐ
ｍ以下に合わせることが可能になる。
ハ搬入側）と、ロードロック室の空間Ｄ，Ｅ（ウエハ搬
入側）は、酸素分圧１ｐｐｍから大気に曝される２０．
６％まで制御されるものである。そして、このロードロ
ック室の空間Ａ，Ｂ（ウエハ搬入側）とロードロック室
の空間Ｄ，Ｅ（ウエハ搬出側）は、それぞれ個別に真空
引きで速やかに酸素分圧を低減しながらパージガスでパ
ージすることによって、露光空間Ｃ内の酸素分圧ｌｐｐ
ｍ以下に合わせることが可能になる。
【００３２】大気から１ｐｐｍまで酸素分圧を下げるに
は、真空引きをしながらパージガスでパージしたとして
も、非常に多くの時間がかかる。そのため、複数のロー
ドロック室Ａ，Ｂ，Ｄ，Ｅを持ち、ロードロック室の酸
素分圧を交互に制御するのである。
は、真空引きをしながらパージガスでパージしたとして
も、非常に多くの時間がかかる。そのため、複数のロー
ドロック室Ａ，Ｂ，Ｄ，Ｅを持ち、ロードロック室の酸
素分圧を交互に制御するのである。
【００３３】このようなシステムを持つことによって、
１つのロードロック室Ａを大気に開放した場合でも、別
のロードロック室Ｂは酸素分圧をｌｐｐｍ以下に合わせ
ることが出来るため、露光空間Ｃに常にウエハを配置
し、露光効率を向上させることが可能になるのである。
勿論、搬出側も同様の効果がある。
１つのロードロック室Ａを大気に開放した場合でも、別
のロードロック室Ｂは酸素分圧をｌｐｐｍ以下に合わせ
ることが出来るため、露光空間Ｃに常にウエハを配置
し、露光効率を向上させることが可能になるのである。
勿論、搬出側も同様の効果がある。
【００３４】すなわち、２つ以上の複数のロードロック
室を持ち、それらの酸素分圧がロードロック室毎に制御
でき、各ロードロック室の酸素分圧が段階的になるよう
制御することによって、常に最低１つ以上のロードロッ
ク室が露光空間Ｃ内の酸素分圧ｌｐｐｍ以下の環境と等
しくなるようにすることが出来るのである。
室を持ち、それらの酸素分圧がロードロック室毎に制御
でき、各ロードロック室の酸素分圧が段階的になるよう
制御することによって、常に最低１つ以上のロードロッ
ク室が露光空間Ｃ内の酸素分圧ｌｐｐｍ以下の環境と等
しくなるようにすることが出来るのである。
【００３５】つまり、２つ以上の複数のロードロック室
を持ち、それらの最低１つが常に露光空間Ｃ内の環境と
等しくなるように交互に制御し続けることで、時間のか
かるパージを効率的に行え、常に露光空間Ｃ内にウエハ
を配置することが可能となり、露光を効率よく行うこと
が可能になるのである。
を持ち、それらの最低１つが常に露光空間Ｃ内の環境と
等しくなるように交互に制御し続けることで、時間のか
かるパージを効率的に行え、常に露光空間Ｃ内にウエハ
を配置することが可能となり、露光を効率よく行うこと
が可能になるのである。
【００３６】以下、本実施例の場合のウエハの搬入動作
とパージ動作を順に説明する。 （１）図１５に示すように、ウエハカセット１１からロ
ードロック室Ａ，Ｂ内にウエハ１，２を搬入する（この
時露光空間Ｃは酸素分圧ｌｐｐｍにパージされてい
る）。 （２）図１６に示すように、ロードロック室Ａ，Ｂおよ
びロードロック室Ｄ，Ｅの酸素分圧１ｐｐｍにパージす
る。 （３）図１７に示すように、ロードロック室Ａより露光
空間Ｃヘウエハ１を搬送後、露光空間Ｃにおいてウエハ
１の露光を開始する。 （４）図１８に示すように、ロードロック室Ａを大気に
し、ロードロック室Ａ内にウエハ３を搬入する。 （５）図１９に示すように、露光終了後、露光空間Ｃよ
りロードロック室Ｄヘウエハ１を搬出する。ロードロッ
ク室Ｂから露光空間Ｃヘウエハ２を搬送後、露光空間Ｃ
においてウエハ２の露光を開始する（ロードロック室Ａ
はパージ中である）。 （６）図２０に示すように、ロードロック室Ｂを大気に
し、ロードロック室Ｂ内にウエハ４を搬入する。同時
に、ロードロック室Ｄを大気にし、ウエハ１をウエハカ
セット１２に搬送する。（ロードロック室Ａはパージ
中、露光空間Ｃではウエハ２の露光中である。） （７）図２１に示すように、露光終了後、露光空間Ｃよ
りロードロック室Ｅヘウエハ２を搬出し、ロードロック
室Ａから露光空間Ｃへウエハ３を搬送後、露光空間Ｃに
おいてウエハ３の露光を開始する（ロードロック室Ｂ，
Ｄはパージ中である）。 （８）図２２に示すように、ロードロック室Ａを大気に
し、ロードロック室Ａ内にウエハカセット１１よりウエ
ハ５を搬入する。同時に、ロードロック室Ｅを大気に
し、ウエハ２をウエハカセット１２に搬送する（ロード
ロック室Ａはパージ中、露光空間Ｃではウエハ３の露光
中である）。 （９）図２３に示すように、露光終了後、露光空間Ｃよ
りロードロック室Ｄヘウエハ３を搬出する。ロードロッ
ク室Ｂから露光空間Ｃヘウエハ４を搬送後、露光空間Ｃ
においてウエハ４の露光を開始する（ロードロック室
Ａ，Ｅはパージ中である) 。 (10) 図２４に示すように、ロードロック室Ｂを大気に
し、ロードロック室Ｂ内にウエハカセット１１よりウエ
ハ６を搬入する。同時に、ロードロック室Ｄを大気に
し、ウエハカセット１２にウエハ３を搬送する（ロード
ロック室Ａ，Ｅはパージ中で、露光空間Ｃではウエハ４
の露光中である）。その後、再び（７）図２１へもど
り、繰り返す。
とパージ動作を順に説明する。 （１）図１５に示すように、ウエハカセット１１からロ
ードロック室Ａ，Ｂ内にウエハ１，２を搬入する（この
時露光空間Ｃは酸素分圧ｌｐｐｍにパージされてい
る）。 （２）図１６に示すように、ロードロック室Ａ，Ｂおよ
びロードロック室Ｄ，Ｅの酸素分圧１ｐｐｍにパージす
る。 （３）図１７に示すように、ロードロック室Ａより露光
空間Ｃヘウエハ１を搬送後、露光空間Ｃにおいてウエハ
１の露光を開始する。 （４）図１８に示すように、ロードロック室Ａを大気に
し、ロードロック室Ａ内にウエハ３を搬入する。 （５）図１９に示すように、露光終了後、露光空間Ｃよ
りロードロック室Ｄヘウエハ１を搬出する。ロードロッ
ク室Ｂから露光空間Ｃヘウエハ２を搬送後、露光空間Ｃ
においてウエハ２の露光を開始する（ロードロック室Ａ
はパージ中である）。 （６）図２０に示すように、ロードロック室Ｂを大気に
し、ロードロック室Ｂ内にウエハ４を搬入する。同時
に、ロードロック室Ｄを大気にし、ウエハ１をウエハカ
セット１２に搬送する。（ロードロック室Ａはパージ
中、露光空間Ｃではウエハ２の露光中である。） （７）図２１に示すように、露光終了後、露光空間Ｃよ
りロードロック室Ｅヘウエハ２を搬出し、ロードロック
室Ａから露光空間Ｃへウエハ３を搬送後、露光空間Ｃに
おいてウエハ３の露光を開始する（ロードロック室Ｂ，
Ｄはパージ中である）。 （８）図２２に示すように、ロードロック室Ａを大気に
し、ロードロック室Ａ内にウエハカセット１１よりウエ
ハ５を搬入する。同時に、ロードロック室Ｅを大気に
し、ウエハ２をウエハカセット１２に搬送する（ロード
ロック室Ａはパージ中、露光空間Ｃではウエハ３の露光
中である）。 （９）図２３に示すように、露光終了後、露光空間Ｃよ
りロードロック室Ｄヘウエハ３を搬出する。ロードロッ
ク室Ｂから露光空間Ｃヘウエハ４を搬送後、露光空間Ｃ
においてウエハ４の露光を開始する（ロードロック室
Ａ，Ｅはパージ中である) 。 (10) 図２４に示すように、ロードロック室Ｂを大気に
し、ロードロック室Ｂ内にウエハカセット１１よりウエ
ハ６を搬入する。同時に、ロードロック室Ｄを大気に
し、ウエハカセット１２にウエハ３を搬送する（ロード
ロック室Ａ，Ｅはパージ中で、露光空間Ｃではウエハ４
の露光中である）。その後、再び（７）図２１へもど
り、繰り返す。
【００３７】なお、本実施例４では、ロードロック室が
搬入側２つ、搬出側２つの場合を例としたが、このロー
ドロック室の数は２つ以上であればよく、また、搬入側
と搬出側でロードロック室の数が異なっていても良い。
搬入側２つ、搬出側２つの場合を例としたが、このロー
ドロック室の数は２つ以上であればよく、また、搬入側
と搬出側でロードロック室の数が異なっていても良い。
【００３８】（半導体生産システムの実施例）次に、本
発明に係る露光装置または露光方法を用いた半導体デバ
イス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、Ｃ
ＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の生産シス
テムの例について説明する。これは半導体製造工場に設
置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、
あるいはソフトウェア提供などの保守サービスを、製造
工場外のコンピュータネットワークを利用して行うもの
である。
発明に係る露光装置または露光方法を用いた半導体デバ
イス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、Ｃ
ＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の生産シス
テムの例について説明する。これは半導体製造工場に設
置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、
あるいはソフトウェア提供などの保守サービスを、製造
工場外のコンピュータネットワークを利用して行うもの
である。
【００３９】図３５は全体システムをある角度から切り
出して表現したものである。図中、１０１は半導体デバ
イスの製造装置を提供するベンダ（装置供給メーカ）の
事業所である。製造装置の実例としては、半導体製造工
場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例え
ば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッ
チング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装
置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査
装置等）を想定している。事業所１０１内には、製造装
置の保守データベースを提供するホスト管理システム１
０８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結
んでイントラネット等を構築するローカルエリアネット
ワーク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム
１０８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークで
あるインターネット１０５に接続するためのゲートウェ
イと、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能
を備える。
出して表現したものである。図中、１０１は半導体デバ
イスの製造装置を提供するベンダ（装置供給メーカ）の
事業所である。製造装置の実例としては、半導体製造工
場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例え
ば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッ
チング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装
置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査
装置等）を想定している。事業所１０１内には、製造装
置の保守データベースを提供するホスト管理システム１
０８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結
んでイントラネット等を構築するローカルエリアネット
ワーク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム
１０８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークで
あるインターネット１０５に接続するためのゲートウェ
イと、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能
を備える。
【００４０】一方、１０２〜１０４は、製造装置のユー
ザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工
場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカに属する工場
であっても良いし、同一のメーカに属する工場（例え
ば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良
い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の製造装
置１０６と、それらを結んでイントラネット等を構築す
るローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１と、各
製造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホ
スト管理システム１０７とが設けられている。各工場１
０２〜１０４に設けられたホスト管理システム１０７
は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワーク
であるインターネット１０５に接続するためのゲートウ
ェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１からイ
ンターネット１０５を介してベンダ１０１側のホスト管
理システム１０８にアクセスが可能となり、ホスト管理
システム１０８のセキュリティ機能によって限られたユ
ーザだけにアクセスが許可となっている。具体的には、
インターネット１０５を介して、各製造装置１０６の稼
動状況を示すステータス情報（例えば、トラブルが発生
した製造装置の症状）を工場側からベンダ側に通知する
他、その通知に対応する応答情報（例えば、トラブルに
対する対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェア
やデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの
保守情報をベンダ側から受け取ることができる。各工場
１０２〜１０４とベンダ１０１との間のデータ通信およ
び各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通信には、インタ
ーネットで一般的に使用されている通信プロトコル（Ｔ
ＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネット
ワークとしてインターネットを利用する代わりに、第三
者からのアクセスができずにセキュリティの高い専用線
ネットワーク（ＩＳＤＮなど）を利用することもでき
る。また、ホスト管理システムはベンダが提供するもの
に限らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワ
ーク上に置き、ユーザの複数の工場から該データベース
へのアクセスを許可するようにしてもよい。
ザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工
場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカに属する工場
であっても良いし、同一のメーカに属する工場（例え
ば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良
い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の製造装
置１０６と、それらを結んでイントラネット等を構築す
るローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１と、各
製造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホ
スト管理システム１０７とが設けられている。各工場１
０２〜１０４に設けられたホスト管理システム１０７
は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワーク
であるインターネット１０５に接続するためのゲートウ
ェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１からイ
ンターネット１０５を介してベンダ１０１側のホスト管
理システム１０８にアクセスが可能となり、ホスト管理
システム１０８のセキュリティ機能によって限られたユ
ーザだけにアクセスが許可となっている。具体的には、
インターネット１０５を介して、各製造装置１０６の稼
動状況を示すステータス情報（例えば、トラブルが発生
した製造装置の症状）を工場側からベンダ側に通知する
他、その通知に対応する応答情報（例えば、トラブルに
対する対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェア
やデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの
保守情報をベンダ側から受け取ることができる。各工場
１０２〜１０４とベンダ１０１との間のデータ通信およ
び各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通信には、インタ
ーネットで一般的に使用されている通信プロトコル（Ｔ
ＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネット
ワークとしてインターネットを利用する代わりに、第三
者からのアクセスができずにセキュリティの高い専用線
ネットワーク（ＩＳＤＮなど）を利用することもでき
る。また、ホスト管理システムはベンダが提供するもの
に限らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワ
ーク上に置き、ユーザの複数の工場から該データベース
へのアクセスを許可するようにしてもよい。
【００４１】さて、図３６は本実施形態の全体システム
を図３５とは別の角度から切り出して表現した概念図で
ある。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユ
ーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外
部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介し
て各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報
をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複
数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装
置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部
ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデー
タ通信するものである。図中、２０１は製造装置ユーザ
（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、工場
の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここで
は例として露光装置２０２、レジスト処理装置２０３、
成膜処理装置２０４が導入されている。なお図３６では
製造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複数の
工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装
置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネットを構成
し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼動管理
がされている。
を図３５とは別の角度から切り出して表現した概念図で
ある。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユ
ーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外
部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介し
て各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報
をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複
数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装
置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部
ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデー
タ通信するものである。図中、２０１は製造装置ユーザ
（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、工場
の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここで
は例として露光装置２０２、レジスト処理装置２０３、
成膜処理装置２０４が導入されている。なお図３６では
製造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複数の
工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装
置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネットを構成
し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼動管理
がされている。
【００４２】一方、露光装置メーカ２１０、レジスト処
理装置メーカ２２０、成膜装置メーカ２３０などベンダ
（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供給した
機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム２１
１，２２１，２３１を備え、これらは上述したように保
守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備
える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホスト管
理システム２０５と、各装置のベンダの管理システム２
１１，２２１，２３１とは、外部ネットワーク２００で
あるインターネットもしくは専用線ネットワークによっ
て接続されている。このシステムにおいて、製造ライン
の一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、
製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起き
た機器のベンダからインターネット２００を介した遠隔
保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ラインの
休止を最小限に抑えることができる。
理装置メーカ２２０、成膜装置メーカ２３０などベンダ
（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供給した
機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム２１
１，２２１，２３１を備え、これらは上述したように保
守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備
える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホスト管
理システム２０５と、各装置のベンダの管理システム２
１１，２２１，２３１とは、外部ネットワーク２００で
あるインターネットもしくは専用線ネットワークによっ
て接続されている。このシステムにおいて、製造ライン
の一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、
製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起き
た機器のベンダからインターネット２００を介した遠隔
保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ラインの
休止を最小限に抑えることができる。
【００４３】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、あるいはネットワークファイルサ
ーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフト
ウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例え
ば図３７に一例を示す様な画面のユーザインタフェース
をディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理
するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機
種４０１、シリアルナンバー４０２、トラブルの件名４
０３、発生日４０４、緊急度４０５、症状４０６、対処
法４０７、経過４０８等の情報を画面上の入力項目に入
力する。入力された情報はインターネットを介して保守
データベースに送信され、その結果の適切な保守情報が
保守データベースから返信されディスプレイ上に提示さ
れる。またウェブブラウザが提供するユーザインタフェ
ースはさらに図示のごとくハイパーリンク機能４１０〜
４１２を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報
にアクセスしたり、ベンダが提供するソフトウェアライ
ブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフト
ウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する
操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりすることができ
る。ここで、保守データベースが提供する保守情報に
は、上記説明した本発明に関する情報も含まれ、また前
記ソフトウェアライブラリは本発明を実現するための最
新のソフトウェアも提供する。
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、あるいはネットワークファイルサ
ーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフト
ウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例え
ば図３７に一例を示す様な画面のユーザインタフェース
をディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理
するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機
種４０１、シリアルナンバー４０２、トラブルの件名４
０３、発生日４０４、緊急度４０５、症状４０６、対処
法４０７、経過４０８等の情報を画面上の入力項目に入
力する。入力された情報はインターネットを介して保守
データベースに送信され、その結果の適切な保守情報が
保守データベースから返信されディスプレイ上に提示さ
れる。またウェブブラウザが提供するユーザインタフェ
ースはさらに図示のごとくハイパーリンク機能４１０〜
４１２を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報
にアクセスしたり、ベンダが提供するソフトウェアライ
ブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフト
ウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する
操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりすることができ
る。ここで、保守データベースが提供する保守情報に
は、上記説明した本発明に関する情報も含まれ、また前
記ソフトウェアライブラリは本発明を実現するための最
新のソフトウェアも提供する。
【００４４】次に上記説明した生産システムを利用した
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図３８は半
導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計
を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３
（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ
４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンデ
ィング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立
て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と後
工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎
に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされ
る。また前工程工場と後工程工場との間でも、インター
ネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装
置保守のための情報がデータ通信される。
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図３８は半
導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計
を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３
（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ
４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンデ
ィング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立
て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と後
工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎
に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされ
る。また前工程工場と後工程工場との間でも、インター
ネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装
置保守のための情報がデータ通信される。
【００４５】図３９は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造
機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
されているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしト
ラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて
半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造
機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
されているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしト
ラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて
半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
【００４６】
【発明の効果】本発明は、感光基板および基板ステージ
または原版および原版ステージが不活性ガスを充たした
密閉チャンバ内に配置され、該密閉チャンバ内に対する
該感光基板または原版の搬入搬出がロードロック室を介
して搬送手段によって行われることにより、スループッ
トを損なうことなく、ロードロック室の酸素を除去し、
ウエハなどの感光基板、およびレチクルなどの原版の搬
送が可能になるという効果を奏する。
または原版および原版ステージが不活性ガスを充たした
密閉チャンバ内に配置され、該密閉チャンバ内に対する
該感光基板または原版の搬入搬出がロードロック室を介
して搬送手段によって行われることにより、スループッ
トを損なうことなく、ロードロック室の酸素を除去し、
ウエハなどの感光基板、およびレチクルなどの原版の搬
送が可能になるという効果を奏する。
【図１】 本発明の実施例１に係る露光装置の要部およ
び露光方法の説明図である。
び露光方法の説明図である。
【図２】 本発明の実施例１に係る露光装置の要部およ
び露光方法の説明図である。
び露光方法の説明図である。
【図３】 本発明の実施例１に係る露光装置の要部およ
び露光方法の説明図である。
び露光方法の説明図である。
【図４】 本発明の実施例１に係る露光装置の要部およ
び露光方法の説明図である。
び露光方法の説明図である。
【図５】 本発明の実施例１に係る露光装置の要部およ
び露光方法の説明図である。
び露光方法の説明図である。
【図６】 本発明の実施例１に係る露光装置の要部およ
び露光方法の説明図である。
び露光方法の説明図である。
【図７】 本発明の実施例１に係る露光装置の要部およ
び露光方法の説明図である。
び露光方法の説明図である。
【図８】 本発明の実施例１に係る露光装置の要部およ
び露光方法の説明図である。
び露光方法の説明図である。
【図９】 本発明の実施例１に係る露光装置の要部およ
び露光方法の説明図である。
び露光方法の説明図である。
【図１０】 本発明の実施例１に係る露光装置の要部お
よび露光方法の説明図である。
よび露光方法の説明図である。
【図１１】 本発明の実施例１に係る露光装置の要部お
よび露光方法の説明図である。
よび露光方法の説明図である。
【図１２】 本発明の実施例１に係る露光装置の要部お
よび露光方法の説明図である。
よび露光方法の説明図である。
【図１３】 本発明の実施例１に係る露光装置の要部お
よび露光方法の説明図である。
よび露光方法の説明図である。
【図１４】 本発明の実施例１に係る露光装置の要部お
よび露光方法の説明図である。
よび露光方法の説明図である。
【図１５】 本発明の実施例４に係る露光装置の要部お
よび露光方法の説明図である。
よび露光方法の説明図である。
【図１６】 本発明の実施例４に係る露光装置の要部お
よび露光方法の説明図である。
よび露光方法の説明図である。
【図１７】 本発明の実施例４に係る露光装置の要部お
よび露光方法の説明図である。
よび露光方法の説明図である。
【図１８】 本発明の実施例４に係る露光装置の要部お
よび露光方法の説明図である。
よび露光方法の説明図である。
【図１９】 本発明の実施例４に係る露光装置の要部お
よび露光方法の説明図である。
よび露光方法の説明図である。
【図２０】 本発明の実施例４に係る露光装置の要部お
よび露光方法の説明図である。
よび露光方法の説明図である。
【図２１】 本発明の実施例４に係る露光装置の要部お
よび露光方法の説明図である。
よび露光方法の説明図である。
【図２２】 本発明の実施例４に係る露光装置の要部お
よび露光方法の説明図である。
よび露光方法の説明図である。
【図２３】 本発明の実施例４に係る露光装置の要部お
よび露光方法の説明図である。
よび露光方法の説明図である。
【図２４】 本発明の実施例４に係る露光装置の要部お
よび露光方法の説明図である。
よび露光方法の説明図である。
【図２５】 従来の露光装置の要部および露光方法の説
明図である。
明図である。
【図２６】 従来の露光装置の要部および露光方法の説
明図である。
明図である。
【図２７】 従来の露光装置の要部および露光方法の説
明図である。
明図である。
【図２８】 従来の露光装置の要部および露光方法の説
明図である。
明図である。
【図２９】 従来の露光装置の要部および露光方法の説
明図である。
明図である。
【図３０】 従来の露光装置の要部および露光方法の説
明図である。
明図である。
【図３１】 従来の露光装置の要部および露光方法の説
明図である。
明図である。
【図３２】 従来の露光装置の要部および露光方法の説
明図である。
明図である。
【図３３】 従来の露光装置の要部および露光方法の説
明図である。
明図である。
【図３４】 従来の露光装置の要部および露光方法の説
明図である。
明図である。
【図３５】 本発明に係る露光装置または露光方法を用
いた半導体デバイスの生産システムをある角度から見た
概念図である。
いた半導体デバイスの生産システムをある角度から見た
概念図である。
【図３６】 本発明に係る露光装置または露光方法を用
いた半導体デバイスの生産システムを別の角度から見た
概念図である。
いた半導体デバイスの生産システムを別の角度から見た
概念図である。
【図３７】 ユーザインタフェースの具体例である。
【図３８】 デバイスの製造プロセスのフローを説明す
る図である。
る図である。
【図３９】 ウエハプロセスを説明する図である。
１〜８：ウエハ、１１，１２：ウエハカセット、２０〜
２４：ウエハステージ、３０：前ロードロック室（ウエ
ハ搬入側）、３１：隣接ロードロック室（ウエハ搬入
側）、３２：ウエハ露光室、３３：隣接ロードロック室
（ウエハ搬出側）、３４：後ロードロック室（ウエハ搬
出側）、Ａ〜Ｅ：空間、（ａ）〜（ｆ）：扉。
２４：ウエハステージ、３０：前ロードロック室（ウエ
ハ搬入側）、３１：隣接ロードロック室（ウエハ搬入
側）、３２：ウエハ露光室、３３：隣接ロードロック室
（ウエハ搬出側）、３４：後ロードロック室（ウエハ搬
出側）、Ａ〜Ｅ：空間、（ａ）〜（ｆ）：扉。
Claims (15)
- 【請求項１】 原版のパターンを投影光学系を介して感
光基板に転写する露光装置において、光源から発される
露光光を前記原版のパターンへ照射する照明光学系と、
前記感光基板が載置される基板ステージとを備え、該基
板ステージが不活性ガスを充たした密閉チャンバ内に配
置され、該密閉チャンバ内に対し該感光基板を搬入搬出
する搬送手段を有し、該密閉チャンバ内に対する該感光
基板の搬入搬出がロードロック室を介して行われ、該ロ
ードロック室は複数のロードロック室からなり、該複数
のロードロック室は個別に少なくとも真空引きおよび不
活性ガスによるパージのいずれかが可能であり、酸素分
圧が制御されていることを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 原版のパターンを投影光学系を介して感
光基板に転写する露光装置において、光源から発される
露光光を前記原版のパターンへ照射する照明光学系と、
原版が載置される原版ステージとを備え、該原版ステー
ジが不活性ガスを充たした密閉チャンバ内に配置され、
該密閉チャンバ内に対し該原版を搬入搬出する搬送手段
を有し、該密閉チャンバ内に対する該原版の搬入搬出が
ロードロック室を介して行われ、該ロードロック室は複
数のロードロック室からなり、該複数のロードロック室
は個別に少なくとも真空引きおよび不活性ガスによるパ
ージのいずれかが可能であり、酸素分圧が制御されてい
ることを特徴とする露光装置。 - 【請求項３】 前記複数のロードロック室は、前記密閉
チャンバに対して直列に配置されていることを特徴とす
る請求項１または２に記載の露光装置。 - 【請求項４】 前記複数のロードロック室は、前記密閉
チャンバに対して並列に配置されていることを特徴とす
る請求項１または２に記載の露光装置。 - 【請求項５】 原版のパターンを投影光学系を介して感
光基板に転写する露光方法において、前記感光基板が載
置される基板ステージが不活性ガスを充たした密閉チャ
ンバ内に配置され、光源から発される露光光を前記原版
のパターンへ照射する照明工程と、前記密閉チャンバ内
に対し該感光基板を搬入搬出する搬送工程とを有し、該
密閉チャンバ内に対する該感光基板の搬入搬出がロード
ロック室を介して行われ、該ロードロック室は複数のロ
ードロック室からなり、該複数のロードロック室は個別
に少なくとも真空引きおよび不活性ガスによるパージの
いずれかが可能であり、酸素分圧が制御されていること
を特徴とする露光方法。 - 【請求項６】 原版のパターンを投影光学系を介して感
光基板に転写する露光方法において、前記原版が載置さ
れる原版ステージが不活性ガスを充たした密閉チャンバ
内に配置され、光源から発される露光光を前記原版のパ
ターンへ照射する照明工程と、該密閉チャンバ内に対し
該原版を搬入搬出する搬送工程とを有し、該密閉チャン
バ内に対する該原版の搬入搬出がロードロック室を介し
て行われ、前記ロードロック室は複数のロードロック室
からなり、該複数のロードロック室は個別に少なくとも
真空引きおよび不活性ガスによるパージのいずれかが可
能であり、酸素分圧が制御されていることを特徴とする
露光方法。 - 【請求項７】 前記複数のロードロック室は、前記密閉
チャンバに対して直列に配置されていることを特徴とす
る請求項５または６に記載の露光方法。 - 【請求項８】 前記複数のロードロック室は、前記密閉
チャンバに対して並列に配置されていることを特徴とす
る請求項５または６に記載の露光方法。 - 【請求項９】 請求項１〜４のいずれかに記載の露光装
置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場
に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセ
スによって半導体デバイスを製造する工程とを有するこ
とを特徴とする半導体デバイス製造方法。 - 【請求項１０】 前記製造装置群をローカルエリアネッ
トワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネット
ワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの
間で、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報を
データ通信する工程とをさらに有することを特徴とする
請求項９記載の半導体デバイス製造方法。 - 【請求項１１】 前記露光装置のベンダもしくはユーザ
が提供するデータベースに前記外部ネットワークを介し
てアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の保守
情報を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の半導
体製造工場との間で前記外部ネットワークを介してデー
タ通信して生産管理を行うことを特徴とする請求項１０
記載の半導体デバイス製造方法。 - 【請求項１２】 請求項１〜４のいずれかに記載の露光
装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造装置
群を接続するローカルエリアネットワークと、該ローカ
ルエリアネットワークから工場外の外部ネットワークに
アクセス可能にするゲートウェイを有し、前記製造装置
群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信すること
を可能にしたことを特徴とする半導体製造工場。 - 【請求項１３】 半導体製造工場に設置された請求項１
〜４のいずれかに記載の露光装置の保守方法であって、
前記露光装置のベンダもしくはユーザが、半導体製造工
場の外部ネットワークに接続された保守データベースを
提供する工程と、前記半導体製造工場内から前記外部ネ
ットワークを介して前記保守データベースへのアクセス
を許可する工程と、前記保守データベースに蓄積される
保守情報を前記外部ネットワークを介して半導体製造工
場側に送信する工程とを有することを特徴とする露光装
置の保守方法。 - 【請求項１４】 請求項１〜４のいずれかに記載の露光
装置において、ディスプレイと、ネットワークインタフ
ェースと、ネットワーク用ソフトウェアを実行するコン
ピュータとをさらに有し、露光装置の保守情報をコンピ
ュータネットワークを介してデータ通信することを可能
にしたことを特徴とする露光装置。 - 【請求項１５】 前記ネットワーク用ソフトウェアは、
前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接
続され前記露光装置のベンダもしくはユーザが提供する
保守データベースにアクセスするためのユーザインタフ
ェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネット
ワークを介して該データベースから情報を得ることを可
能にすることを特徴とする請求項１４に記載の露光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000081297A JP2001267237A (ja) | 2000-03-23 | 2000-03-23 | 露光装置および露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000081297A JP2001267237A (ja) | 2000-03-23 | 2000-03-23 | 露光装置および露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001267237A true JP2001267237A (ja) | 2001-09-28 |
Family
ID=18598255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000081297A Pending JP2001267237A (ja) | 2000-03-23 | 2000-03-23 | 露光装置および露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001267237A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002075795A1 (fr) * | 2001-03-19 | 2002-09-26 | Nikon Corporation | Procede et dispositif d'exposition et procede pour produire ledit dispositif |
| JP2003037049A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Canon Inc | 露光装置の精度分析方法 |
| CN100409273C (zh) * | 2004-02-13 | 2008-08-06 | 爱德牌工程有限公司 | 用于制造平板显示器的设备 |
| US7670754B2 (en) | 2003-12-03 | 2010-03-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus having a processing chamber, a vacuum chamber and first and second load lock chambers |
| JP2013542602A (ja) * | 2010-10-15 | 2013-11-21 | エーファウ・グループ・ゲーエムベーハー | ウェハを処理するためのデバイスおよび方法 |
-
2000
- 2000-03-23 JP JP2000081297A patent/JP2001267237A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002075795A1 (fr) * | 2001-03-19 | 2002-09-26 | Nikon Corporation | Procede et dispositif d'exposition et procede pour produire ledit dispositif |
| JP2003037049A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Canon Inc | 露光装置の精度分析方法 |
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| CN100409273C (zh) * | 2004-02-13 | 2008-08-06 | 爱德牌工程有限公司 | 用于制造平板显示器的设备 |
| JP2013542602A (ja) * | 2010-10-15 | 2013-11-21 | エーファウ・グループ・ゲーエムベーハー | ウェハを処理するためのデバイスおよび方法 |
| US9751698B2 (en) | 2010-10-15 | 2017-09-05 | Ev Group Gmbh | Device and method for processing wafers |
| US9771223B2 (en) | 2010-10-15 | 2017-09-26 | Ev Group Gmbh | Device and method for processing of wafers |
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