JP2001274220A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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JP2001274220A
JP2001274220A JP2000088998A JP2000088998A JP2001274220A JP 2001274220 A JP2001274220 A JP 2001274220A JP 2000088998 A JP2000088998 A JP 2000088998A JP 2000088998 A JP2000088998 A JP 2000088998A JP 2001274220 A JP2001274220 A JP 2001274220A
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manufacturing apparatus
door
closed container
door opener
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JP2000088998A
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Yasuyoshi Yamatsu
康義 山津
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Canon Inc
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 装置内部の気圧の変化、酸素濃度の上昇及び
露光光の強度低下などを防止し、製造する半導体素子の
歩留まりの向上を図る。 【解決手段】 前扉3を備えた密閉容器であるFOUP
1中の基板2を装置内部9に対し搬入出する搬送手段1
0と、FOUP1の前扉3を保持し該装置内部9へ引き
込むドアオープナ機構部4及びドアオープナ開口部を有
するドアオープナ11と、FOUP1の前扉3をドアオ
ープナ開口部5に密着させ、かつFOUP1の端面15
をドアオープナ開口部5周囲の外壁に密着させる手段と
を持ち、FOUP1の前扉3をドアオープナ開口部5に
密着させた際に、FOUP1内の気体の状態を測定する
手段であるFOUP内圧測定器18と、FOUP1内の
気体の状態を調整する手段であるFOUP内圧調整ユニ
ット19とを持つ。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、扉を備えた密閉型
の容器中の基板を装置内部に対し搬入搬出するための搬
入出手段を備えた半導体製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体製造プロセスのローコスト
化を図る手段の1つとして、クリーンルーム自体のクリ
ーン度を下げることが検討されている。このような環境
の中でのウエハ搬送は、クリーン度が保たれるような密
閉型の容器の中にウエハを収納し、ウエハがクリーンル
ーム内の大気に触れずに半導体製造装置内部に該ウエハ
を搬入することにより行われている。さらに半導体ウエ
ハの大型化に伴い、フロントオープンカセット(以下F
OUPと略記する)と呼ばれる、前扉を備えた密閉型の
容器が提案されている。この前扉は、ウエハ平面及びウ
エハの搬送平面に対し、ほぼ垂直な方向に設置されてい
る。
【0003】このようなFOUPを用いたウエハの半導
体製造装置内部への搬入装置は、特開平8−27954
6号公報などに記載されている。
【0004】これらの従来例の最も簡単な構成は、FO
UPの前扉を保持し半導体製造装置内部へ引き込むドア
オープナと、FOUPを水平移動させることにより前扉
をドアオープナ開口部に密着させ、かつFOUPの端面
をドアオープナ開口部周囲の外壁に押しつける水平搬送
装置と、ドアオープナ開口部周囲の外壁に貼られ、FO
UPの端面と外壁間の気密性を高めるためのシールと、
前扉が開かれたFOUP内のウエハを搬送するウエハ搬
送装置から成っている。
【0005】そして、水平搬送装置がFOUPを水平移
動させることにより、前扉をドアオープナ開口部に密着
させ、さらにシールをつぶしながらFOUPの端面をド
アオープナ開口部周囲の外壁に押し付けた後、ドアオー
プナがFOUPの前扉を保持し、半導体製造装置内部へ
引き込むことにより前扉を開け、その後ウエハ搬送装置
がFOUP内のウエハを搬入出することにより、FOU
P内のウエハがクリーンルーム内の大気に触れないよう
な状態での半導体製造装置内部に対するウエハ搬入出を
可能としていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、密閉さ
れたFOUPを搬送する際に、FOUP内部に外気が侵
入することを防ぐために、内部を陽圧に保つ場合が多
く、上記従来例では、ドアオープナがFOUPの前扉を
保持し、半導体製造装置内部へ引き込む際に、FOUP
内の気圧と半導体製造装置内部の気圧が異なるために、
瞬間的に装置内部の気圧が変化し、半導体露光装置など
の気圧に敏感な装置に適用した場合、気圧補正が追従せ
ず、不良品を製造し、結果として製造する半導体素子の
歩留まりが低下するという問題点があった。
【0007】また、最近のF2エキシマレーザを光源に
用いた露光装置においては、酸素による露光光の吸収を
減らすために、不活性ガスにて装置内部を充填していた
が、FOUP内の酸素濃度と半導体製造装置内部の酸素
濃度が異なるために、ドアオープナがFOUPの前扉を
保持し、半導体製造装置内部へ引き込む際に、瞬間的に
装置内部の酸素濃度が上がり、露光光の強度が落ち、結
果として製造する半導体素子の歩留まりが低下するとい
う問題点があった。
【0008】本発明は、装置内部の気圧の変化、酸素濃
度の上昇及び露光光の強度低下などを防止し、製造する
半導体素子の歩留まりの向上を図ることができる半導体
製造装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段および作用】上記問題を解
決するために、本出願に係わる第1の発明は、扉を備え
た密閉容器中の基板を装置内部に対し搬入出する手段を
持つ半導体製造装置であって、前記密閉容器の扉を保持
し該装置内部へ引き込むドアオープナと、前記密閉容器
の扉をドアオープナ開口部に密着させ、かつ同容器の端
面をドアオープナ開口部周囲の外壁に密着させる手段を
持ち、前記密閉容器の扉をドアオープナ開口部に密着さ
せた際に、前記密閉容器内の気体の状態を測定する手段
と、該密閉容器内の気体の状態を調整する手段を持つこ
とを特徴とする。かかる構成の本発明は、密閉容器内の
気体の状態を所定の値あるいは半導体製造装置の気体の
状態と同等にした後、密閉容器の扉を保持し半導体製造
装置内部へ引き込むことにより、露光中の急激な気体の
状態変化を防ぎ、これにより不良品の製造を避けること
が可能となり、製造する半導体素子の歩留まりが向上す
るという作用がある。
【0010】本出願に係わる第2の発明は、扉を備えた
密閉容器中の基板を装置内部に対し搬入出する手段を持
つ半導体製造装置であって、前記密閉容器の扉を保持し
該装置内部へ引き込むドアオープナと、前記密閉容器の
扉を前記ドアオープナ開口部に密着させ、かつ該密閉容
器の端面を前記ドアオープナ開口部周囲の外壁に密着さ
せる手段と、該装置内部の気体の状態を測定する手段を
持つ半導体製造装置において、前記密閉容器の扉を保持
し該装置内部へ引き込む際に、ドアオープナ以外の動作
を停止させ、該装置内部の気体の状態が一定値になった
後、動作を再開させることを特徴とする。このような本
発明は、露光中の気体の状態変化を防ぎ、これにより不
良品の製造を避けることが可能となり、製造する半導体
素子の歩留まりが向上するという作用がある。
【0011】本出願に係わる第3の発明は、扉を備えた
密閉容器中の基板を装置内部に対し搬入出する手段を持
つ半導体製造装置であって、密閉容器の扉を保持し該装
置内部へ引き込むドアオープナと、前記密閉容器の扉を
前記ドアオープナ開口部に密着させ、かつ該密閉容器の
端面を前記ドアオープナ開口部周囲の外壁に密着させる
手段を持つ半導体製造装置において、少なくとも露光動
作が停止している際に前記ドアオープナが前記密閉容器
の扉を保持し該装置内部へ引き込むことを特徴とする。
これにより、本発明は、露光中の気体の状態変化を防
ぎ、これにより不良品の製造を避けることが可能とな
り、製造する半導体素子の歩留まりが向上するという作
用がある。
【0012】また、前記密閉容器内の気体の状態が所定
の値になるように、測定及び調整した後、前記ドアオー
プナが前記密閉容器の扉を保持し装置内部へ引き込むこ
とを特徴とすることができ、前記気体の状態とは、気
圧、酸素濃度または不活性ガスの濃度のいずれであって
もよい。
【0013】
【実施例】以下、本発明の第1の実施例に係わる半導体
製造装置について、密閉容器がFOUPであり、基板が
ウエハである場合を例として、図1を用いて説明する。
【0014】同図において、1は不活性ガスを満たして
持ち運びされウエハ2を収納しているFOUPであっ
て、前扉3を側面に備え、前扉3の周囲に端面15を有
している。4はドアオープナ機構部であり、ドアオープ
ナ開口部5をFOUP1と反対側の水平方向に移動後、
下方向に移動させることができる。また、ドアオープナ
開口部5は、FOUP1の前扉3と密着した際に、前扉
3をFOUP1から外し、保持して水平移動、下方移動
することができる。上記ドアオープナ機構部4及びドア
オープナ開口部5はドアオープナ11を構成している。
6はFOUP1を不図示の固定装置で固定した後、水平
移動させることができる水平搬送装置であり、FOUP
1を水平移動させることにより前扉3をドアオープナ開
口部5に密着させることができる。7はドアオープナ開
口部5周囲の外壁14に貼られているシールである。8
はクリーン度を下げたクリーンルーム環境、9はクリー
ン度が高い半導体製造装置内部、14はクリーンルーム
環境8と半導体製造装置内部を仕切る半導体製造装置の
外壁を表し、前扉3が通過可能な通り穴14aを有して
いる。
【0015】そして、シール7はFOUP1の端面15
に密着してつぶれることにより、前扉3がFOUP1か
ら外されても、クリーンルーム環境8と、半導体製造装
置9内部の環境が混じり合うことを防止している。更
に、シール7はクリーンルーム環境8と、FOUP1内
部の環境が混じり合うことを防止している。10は前扉
3がFOUP1から外された後、FOUP1内部のウエ
ハ2を搬入出するためのウエハ搬送装置である。
【0016】18はFOUP1の端面15をシール7に
押し付けた際に、FOUP1内の気圧を測定することが
できるFOUP内圧測定器であり、19はFOUP1の
端面15をシール7に押し付けた際に、FOUP1内の
気圧を調整することができるFOUP内圧調整ユニット
である。また、20は半導体製造装置内部9の気圧を測
定することができる装置内圧測定器である。
【0017】13は水平搬送装置6を駆動するドライバ
である。12はコントローラであり、ドアオープナ機構
部4、水平搬送装置6、ウエハ搬送装置10の制御、ド
ライバ13への駆動指令/停止指令制御を行うことが可
能であり、更にコントローラ12は、FOUP内圧測定
器18と装置内圧測定器20の情報を受け取り、この結
果からFOUP内圧調整ユニット19に指令を与え、端
面15がシール7に押し付けられたFOUP1内の気圧
を調整することができる。
【0018】図2は、コントローラ12からの駆動信号
により水平搬送装置6を駆動し、水平搬送装置6がFO
UP1を不図示の固定装置で固定した後、水平移動さ
せ、端面15をドアオープナ開口部5に密着させ、シー
ル7をつぶした後、FOUP内圧測定器18からFOU
P内部の圧力情報を受け取り、また装置内圧測定器20
から半導体製造装置9内部の圧力情報を受け取り、両者
がほぼ等しくなるようにFOUP内圧調整ユニット19
に指令を与え、FOUP1内の気圧を調整している状態
を表す。
【0019】図3は、図2に示した状態の後で、ドアオ
ープナ機構部4が前扉3をFOUP1から外し、保持し
て水平移動した状態を表す。
【0020】図4は、図3に示した状態の後で、ドアオ
ープナ機構部4が前扉3を保持して下方移動した後、F
OUP1内部のウエハ2をウエハ搬送装置10が搬入出
している状態を表す。
【0021】上記構成において、本実施例に係わる半導
体製造装置の動作について、順を追って説明する。
【0022】まず最初に、不図示の人間あるいはAGV
(無人搬送車)がFOUP1を水平搬送装置6に載せ
る。次に水平搬送装置6は、コントローラ12からの指
令により、FOUP1を不図示の固定装置で固定する。
次にコントローラ12は、ドライバ13に指令を与え、
水平搬送装置6を駆動する。
【0023】図2に示すように、前扉3とドアオープナ
開口部5とが十分密着された後、コントローラ12は、
ドライバ13に停止指令を送り、水平搬送装置6を停止
させる。次にコントローラ12は、FOUP内圧測定器
18からFOUP1内部の圧力情報を受け取り、また装
置内圧測定器20から半導体製造装置内部9の圧力情報
を受け取り、両者がほぼ等しくなるようにFOUP内圧
調整ユニット19に指令を与える。
【0024】次に、図3に示すように、ドアオープナ機
構部4を用いて前扉3をFOUP1から外し、保持して
水平移動させる。この時、FOUP1内部の圧力は、半
導体製造装置内部9の圧力とほぼ等しくなっているの
で、前扉3を開けた際の、半導体製造装置内部9の気圧
変化が少なく、半導体露光装置などの気圧に敏感な装置
に適用した場合、気圧補正が十分に追従し、不良品を製
造することがなくなり、その結果として、製造する半導
体素子の歩留まりが低下するという問題点が避けられる
ことになる。
【0025】その後、図4に示すように、ドアオープナ
機構部4が前扉3を保持して下方移動した後、FOUP
1内部のウエハ2をウエハ搬送装置10が搬入出する。
そして、本実施例の場合、ドアオープナ機構部4は、ウ
エハ搬送装置10がFOUP1内部に対しウエハ2を搬
入出している時、及び少なくとも露光動作が停止してい
る際には、FOUP1の前扉3を保持し該装置内部9へ
引き込んでいる。
【0026】本発明の第2の実施例に係わる半導体製造
装置は、第1の実施例におけるFOUP1内の気圧を測
定することができるFOUP内圧測定器18と、FOU
P1内の気圧を調整することができるFOUP内圧調整
ユニット19を削除する代わりに、コントローラ12
が、半導体製造装置9の動作状態を制御することを可能
としている。
【0027】上記第2の実施例の構成において、コント
ローラ12はドアオープナ機構部4を用いて前扉3をF
OUP1から外す前に、半導体製造装置の動作を停止さ
せ、前扉3をFOUP1から外した後で、装置内圧測定
器20により半導体製造装置内部9の気圧が正常である
ことを確認した後、半導体製造装置の動作を再開する。
これにより、FOUP1から前扉3を外す際の半導体製
造装置内部9の気圧変化の影響が抑制でき、半導体露光
装置などの気圧に敏感な装置に適用した場合、不良品を
製造することがなくなり、結果として製造する半導体素
子の歩留まりが低下するという問題点が避けられること
になる。
【0028】本発明の第3の実施例に係わる半導体製造
装置は、第1の実施例からFOUP1内の気圧を測定す
ることができるFOUP内圧測定器18と、FOUP1
内の気圧を調整することができるFOUP内圧調整ユニ
ット19と、半導体製造装置内部9の気圧を測定するこ
とができる装置内圧測定器20を削除する代わりに、コ
ントローラ12が、半導体製造装置の動作状態を検知す
ることを可能としている。
【0029】上記第3の実施例の構成において、コント
ローラ12は半導体製造装置が停止状態にあるとき、ド
アオープナ機構部4を用いて前扉3をFOUP1から外
す。これにより、FOUP1から前扉3を外す際の半導
体製造装置内部9の気圧変化を無視することができ、半
導体露光装置などの気圧に敏感な装置に適用した場合、
不良品を製造することがなくなり、結果として製造する
半導体素子の歩留まりが低下するという問題点が避けら
れることになる。
【0030】なお、本発明は、上記実施例によって限定
されず、種々の変形変更が可能である。例えば、露光手
段に対し基板を搬入出するためのロードロック室を設け
て、密閉容器が該ロードロック室に接続される場合に
も、本発明は適用できる。この場合密閉容器が低純度の
ロードロック室の役割を果たす。また、密閉容器は、前
扉を備えたFOUP1に限らず下から開口するタイプの
SMIFも含む概念である。また、基板は、感光部材と
してのウエハに代えて回路パターン等が形成される原版
としてのレチクルやマスクであってもよい。
【0031】(半導体生産システムの実施例)次に、本
発明に係る半導体製造装置を用いて、半導体デバイス
(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CC
D、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の生産を行な
う生産システムの例を説明する。これは半導体製造工場
に設置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナン
ス、あるいはソフトウェア提供などの保守サービスを、
製造工場外のコンピュータネットワークを利用して行う
ものである。
【0032】図5は全体システムをある角度から切り出
して表現したものである。図中、101は半導体デバイ
スの製造装置を提供するベンダ(装置供給メーカ)の事
業所である。製造装置の実例としては、半導体製造工場
で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、
前工程用機器(露光装置、レジスト処理装置、エッチン
グ装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、
平坦化装置等)や後工程用機器(組立て装置、検査装置
等)を想定している。事業所101内には、製造装置の
保守データベースを提供するホスト管理システム10
8、複数の操作端末コンピュータ110、これらを結ん
でイントラネット等を構築するローカルエリアネットワ
ーク(LAN)109を備える。ホスト管理システム1
08は、LAN109を事業所の外部ネットワークであ
るインターネット105に接続するためのゲートウェイ
と、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を
備える。
【0033】一方、102〜104は、製造装置のユー
ザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工
場102〜104は、互いに異なるメーカに属する工場
であっても良いし、同一のメーカに属する工場(例え
ば、前工程用の工場、後工程用の工場等)であっても良
い。各工場102〜104内には、夫々、複数の製造装
置106と、それらを結んでイントラネット等を構築す
るローカルエリアネットワーク(LAN)111と、各
製造装置106の稼動状況を監視する監視装置としてホ
スト管理システム107とが設けられている。各工場1
02〜104に設けられたホスト管理システム107
は、各工場内のLAN111を工場の外部ネットワーク
であるインターネット105に接続するためのゲートウ
ェイを備える。これにより各工場のLAN111からイ
ンターネット105を介してベンダ101側のホスト管
理システム108にアクセスが可能となり、ホスト管理
システム108のセキュリティ機能によって限られたユ
ーザだけにアクセスが許可となっている。具体的には、
インターネット105を介して、各製造装置106の稼
動状況を示すステータス情報(例えば、トラブルが発生
した製造装置の症状)を工場側からベンダ側に通知する
他、その通知に対応する応答情報(例えば、トラブルに
対する対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェア
やデータ)や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの
保守情報をベンダ側から受け取ることができる。各工場
102〜104とベンダ101との間のデータ通信およ
び各工場内のLAN111でのデータ通信には、インタ
ーネットで一般的に使用されている通信プロトコル(T
CP/IP)が使用される。なお、工場外の外部ネット
ワークとしてインターネットを利用する代わりに、第三
者からのアクセスができずにセキュリティの高い専用線
ネットワーク(ISDNなど)を利用することもでき
る。また、ホスト管理システムはベンダが提供するもの
に限らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワ
ーク上に置き、ユーザの複数の工場から該データベース
へのアクセスを許可するようにしてもよい。
【0034】さて、図6は本実施形態の全体システムを
図5とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユー
ザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外部
ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介して
各工場の生産管理や少なくとも1台の製造装置の情報を
データ通信するものであった。これに対し本例は、複数
のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装置
のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部ネ
ットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデータ
通信するものである。図中、201は製造装置ユーザ
(半導体デバイス製造メーカ)の製造工場であり、工場
の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここで
は例として露光装置202、レジスト処理装置203、
成膜処理装置204が導入されている。なお図7では製
造工場201は1つだけ描いているが、実際は複数の工
場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装置
はLAN206で接続されてイントラネットを構成し、
ホスト管理システム205で製造ラインの稼動管理がさ
れている。
【0035】一方、露光装置メーカ210、レジスト処
理装置メーカ220、成膜装置メーカ230などベンダ
(装置供給メーカ)の各事業所には、それぞれ供給した
機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム21
1,221,231を備え、これらは上述したように保
守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備
える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホスト管
理システム205と、各装置のベンダの管理システム2
11,221,231とは、外部ネットワーク200で
あるインターネットもしくは専用線ネットワークによっ
て接続されている。このシステムにおいて、製造ライン
の一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、
製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起き
た機器のベンダからインターネット200を介した遠隔
保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ラインの
休止を最小限に抑えることができる。
【0036】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、あるいはネットワークファイルサ
ーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフト
ウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例え
ば図7に一例を示す様な画面のユーザインタフェースを
ディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理す
るオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種
401、シリアルナンバー402、トラブルの件名40
3、発生日404、緊急度405、症状406、対処法
407、経過408等の情報を画面上の入力項目に入力
する。入力された情報はインターネットを介して保守デ
ータベースに送信され、その結果の適切な保守情報が保
守データベースから返信されディスプレイ上に提示され
る。またウェブブラウザが提供するユーザインタフェー
スはさらに図示のごとくハイパーリンク機能410〜4
12を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報に
アクセスしたり、ベンダが提供するソフトウェアライブ
ラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフトウ
ェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する操
作ガイド(ヘルプ情報)を引出したりすることができ
る。ここで、保守データベースが提供する保守情報に
は、上記説明した本発明に関する情報も含まれ、また前
記ソフトウェアライブラリは本発明を実現するための最
新のソフトウェアも提供する。
【0037】次に上記説明した生産システムを利用した
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図8は半導
体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ス
テップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を
行う。ステップ2(マスク製作)では設計した回路パタ
ーンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ3
(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ
4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンデ
ィング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組立
て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これを出荷(ステップ7)する。前工程と後
工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎
に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされ
る。また前工程工場と後工程工場との間でも、インター
ネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装
置保守のための情報がデータ通信される。
【0038】図9は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁
膜を成膜する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン
打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15
(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ16(露光)では上記説明した半導体製造装置とし
ての露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに
焼付露光する。ステップ17(現像)では露光したウエ
ハを現像する。ステップ18(エッチング)では現像し
たレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レ
ジスト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジ
ストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うこと
によって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
各工程で使用する製造機器は上記説明した遠隔保守シス
テムによって保守がなされているので、トラブルを未然
に防ぐと共に、もしトラブルが発生しても迅速な復旧が
可能で、従来に比べて半導体デバイスの生産性を向上さ
せることができる。
【0039】
【発明の効果】以上説明したように、本出願に係わる第
1の発明によれば、扉を備えた密閉容器中の基板を装置
内部に対し搬入出する手段と、密閉容器の扉を保持し該
装置内部へ引き込むドアオープナと、密閉容器の扉をド
アオープナ開口部に密着させ、かつ該密閉容器の端面を
ドアオープナ開口部周囲の外壁に密着させる手段とを持
ち、密閉容器の扉をドアオープナ開口部に密着させた際
に、密閉容器内の気体の状態を測定する手段と、該密閉
容器内の気体の状態を調整する手段を持つので、密閉容
器内の気体の状態を装置内部の気体の状態と同等にした
後、密閉容器の扉を保持し装置内部へ引き込むことで、
露光中の急激な気体の状態変化を防ぎ、これにより不良
品の製造を避けることが可能となり、製造する半導体素
子の歩留まりが向上するという効果がある。
【0040】本出願に係わる第2の発明は、扉を備えた
密閉容器中の基板を装置内部に対し搬入出する手段と、
密閉容器の扉を保持し該装置内部へ引き込むドアオープ
ナと、密閉容器の扉をドアオープナ開口部に密着させ、
かつ該密閉容器の端面をドアオープナ開口部周囲の外壁
に密着させる手段と、該装置内部の気体の状態を測定す
る手段とを持ち、密閉容器の扉を保持し該装置内部へ引
き込む際に、ドアオープナ以外の動作を停止させ、該装
置内部の気体の状態が一定値になった後、動作を再開さ
せることにより、ドアオープナが密閉容器の扉を保持し
装置内部に引き込む際に、露光等の製造動作を停止させ
ることで、製造中の気体の状態変化を防ぎ、これにより
不良品の製造を避けることが可能となり、製造する半導
体素子の歩留まりが向上するという効果を奏する。
【0041】本出願に係わる第3の発明は、扉を備えた
密閉容器中の基板を装置内部に対し搬入出する手段と、
密閉容器の扉を保持し該装置内部へ引き込むドアオープ
ナと、密閉容器の扉をドアオープナ開口部に密着させ、
かつ該密閉容器の端面をドアオープナ開口部周囲の外壁
に密着させる手段とを持ち、少なくとも露光動作が停止
している際にドアオープナが密閉容器の扉を保持し該装
置内部へ引き込むことにより、露光停止中にドアオープ
ナが密閉容器の扉を装置内部に引き込むことで、露光中
の気体の状態変化を防ぎ、これにより不良品の製造を避
けることが可能となり、製造する半導体素子の歩留まり
が向上するという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例に係わる半導体製造装置の初
期状態を表す側面図である。
【図2】 本発明の実施例に係わる半導体製造装置内の
気圧を調整している状態等を表す側面図である。
【図3】 本発明の実施例に係わる半導体製造装置の図
2に示す状態の後で、密閉容器が水平移動した状態等を
表す側面図である。
【図4】 本発明の実施例に係わる半導体製造装置の図
3に示す状態の後で、密閉容器であるFOUP内部の基
板であるウエハをウエハ搬送手段が搬入出している状態
等を表す側面図である。
【図5】 本発明に係る半導体製造装置を用いて生産す
る半導体デバイスの生産システムをある角度から見た一
例を示す概念図である。
【図6】 本発明に係る半導体製造装置を用いて生産す
る半導体デバイスの生産システムを別の角度から見た例
を示す概念図である。
【図7】 ユーザインタフェースの具体例を示す図であ
る。
【図8】 デバイスの製造プロセスのフローを説明する
図である。
【図9】 ウエハプロセスを説明する図である。
【符号の説明】
1:FOUP(密閉容器)、2:ウエハ(基板)、3:
FOUPの前扉、4:ドアオープナ機構部、5:ドアオ
ープナ開口部、6:水平搬送装置、7:シール、8:ク
リーン度を下げたクリーンルーム環境、9:半導体製造
装置内部、10:ウエハ搬送装置(基板を装置内部に対
し搬入出する手段を構成する)、11:ドアオープナ、
12:コントローラ、13:ドライバ、14:半導体製
造装置の外壁、15:FOUPの端面、18:FOUP
内圧測定器、19:FOUP内圧調整ユニット、20:
装置内圧測定器。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/30 516F Fターム(参考) 5F031 CA02 CA05 CA07 DA08 EA14 FA01 FA07 FA11 GA02 GA47 GA48 GA49 JA01 JA10 JA45 JA47 MA17 MA27 NA04 NA10 NA11 PA06 5F045 BB10 EB08 EB09 EB10 EB12 EN04 GB02 GB16 5F046 AA22 CD05 DA27 DB03

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 扉を備えた密閉容器中の基板を装置内部
    に対し搬入出する手段を持つ半導体製造装置であって、
    前記密閉容器の扉を保持し該装置内部へ引き込むドアオ
    ープナと、前記密閉容器の扉をドアオープナ開口部に密
    着させ、かつ該密閉容器の端面をドアオープナ開口部周
    囲の外壁に密着させる手段を持ち、前記密閉容器の扉を
    ドアオープナ開口部に密着させた際に、前記密閉容器内
    の気体の状態を測定する手段と、該密閉容器内の気体の
    状態を調整する手段を持つことを特徴とする半導体製造
    装置。
  2. 【請求項2】 前記密閉容器内の気体の状態が所定の値
    になるように、測定及び調整した後、前記ドアオープナ
    が前記密閉容器の扉を保持し装置内部へ引き込むことを
    特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。
  3. 【請求項3】 扉を備えた密閉容器中の基板を装置内部
    に対し搬入出する手段を持つ半導体製造装置であって、
    前記密閉容器の扉を保持し該装置内部へ引き込むドアオ
    ープナと、前記密閉容器の扉をドアオープナ開口部に密
    着させ、かつ該密閉容器の端面を前記ドアオープナ開口
    部周囲の外壁に密着させる手段と、該装置内部の気体の
    状態を測定する手段を持つ半導体製造装置において、前
    記密閉容器の扉を保持し該装置内部へ引き込む際に、前
    記ドアオープナ以外の動作を停止させ、該装置内部の気
    体の状態が一定値になった後、動作を再開させることを
    特徴とする半導体製造装置。
  4. 【請求項4】 扉を備えた密閉容器中の基板を装置内部
    に対し搬入出する手段を持つ半導体製造装置であって、
    前記密閉容器の扉を保持し該装置内部へ引き込むドアオ
    ープナと、前記密閉容器の扉をドアオープナ開口部に密
    着させ、かつ該密閉容器の端面を前記ドアオープナ開口
    部周囲の外壁に密着させる手段を持つ半導体製造装置に
    おいて、少なくとも露光動作が停止している際に前記ド
    アオープナが前記密閉容器の扉を保持し該装置内部へ引
    き込むことを特徴とする半導体製造装置。
  5. 【請求項5】 前記気体の状態とは、気圧であることを
    特徴とする請求項1、2または3のいずれかに記載の半
    導体製造装置。
  6. 【請求項6】 前記気体の状態とは、酸素濃度であるこ
    とを特徴とする請求項1、2または3のいずれかに記載
    の半導体製造装置。
  7. 【請求項7】 前記気体の状態とは、不活性ガスの濃度
    であることを特徴とする請求項1、2または3のいずれ
    かに記載の半導体製造装置。
  8. 【請求項8】 露光手段に対し前記基板を搬入出するた
    めのロードロック室を備え、前記密閉容器は該ロードロ
    ック室に接続されることを特徴とする請求項1、2また
    は3のいずれかに記載の半導体製造装置。
  9. 【請求項9】 請求項1〜8のいずれかに記載の半導体
    製造装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製
    造工場に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数の
    プロセスによって半導体デバイスを製造する工程とを有
    することを特徴とする半導体デバイス製造方法。
  10. 【請求項10】 前記製造装置群をローカルエリアネッ
    トワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネット
    ワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの
    間で、前記製造装置群の少なくとも1台に関する情報を
    データ通信する工程とをさらに有することを特徴とする
    請求項9記載の半導体デバイス製造方法。
  11. 【請求項11】 前記半導体製造装置のベンダもしくは
    ユーザが提供するデータベースに前記外部ネットワーク
    を介してアクセスしてデータ通信によって前記製造装置
    の保守情報を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別
    の半導体製造工場との間で前記外部ネットワークを介し
    てデータ通信して生産管理を行うことを特徴とする請求
    項10記載の半導体デバイス製造方法。
  12. 【請求項12】 請求項1〜8のいずれかに記載の半導
    体製造装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製
    造装置群を接続するローカルエリアネットワークと、該
    ローカルエリアネットワークから工場外の外部ネットワ
    ークにアクセス可能にするゲートウェイを有し、前記製
    造装置群の少なくとも1台に関する情報をデータ通信す
    ることを可能にしたことを特徴とする半導体製造工場。
  13. 【請求項13】 半導体製造工場に設置された請求項1
    〜8のいずれかに記載の半導体製造装置の保守方法であ
    って、前記半導体製造装置のベンダもしくはユーザが、
    半導体製造工場の外部ネットワークに接続された保守デ
    ータベースを提供する工程と、前記半導体製造工場内か
    ら前記外部ネットワークを介して前記保守データベース
    へのアクセスを許可する工程と、前記保守データベース
    に蓄積される保守情報を前記外部ネットワークを介して
    半導体製造工場側に送信する工程とを有することを特徴
    とする半導体製造装置の保守方法。
  14. 【請求項14】 請求項1〜8のいずれかに記載の半導
    体製造装置において、ディスプレイと、ネットワークイ
    ンタフェースと、ネットワーク用ソフトウェアを実行す
    るコンピュータとをさらに有し、半導体製造装置の保守
    情報をコンピュータネットワークを介してデータ通信す
    ることを可能にしたことを特徴とする半導体製造装置。
  15. 【請求項15】 前記ネットワーク用ソフトウェアは、
    前記半導体製造装置が設置された工場の外部ネットワー
    クに接続され前記半導体製造装置のベンダもしくはユー
    ザが提供する保守データベースにアクセスするためのユ
    ーザインタフェースを前記ディスプレイ上に提供し、前
    記外部ネットワークを介して該データベースから情報を
    得ることを可能にすることを特徴とする請求項14記載
    の半導体製造装置。
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