JP2002158155A - 露光装置および露光方法 - Google Patents

露光装置および露光方法

Info

Publication number
JP2002158155A
JP2002158155A JP2000350817A JP2000350817A JP2002158155A JP 2002158155 A JP2002158155 A JP 2002158155A JP 2000350817 A JP2000350817 A JP 2000350817A JP 2000350817 A JP2000350817 A JP 2000350817A JP 2002158155 A JP2002158155 A JP 2002158155A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
housing
exposure apparatus
exposure
original
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000350817A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshinori Miwa
良則 三輪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2000350817A priority Critical patent/JP2002158155A/ja
Priority to US09/987,568 priority patent/US6829038B2/en
Publication of JP2002158155A publication Critical patent/JP2002158155A/ja
Priority to US10/936,525 priority patent/US7009684B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/70741—Handling masks outside exposure position, e.g. reticle libraries
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B27/00—Photographic printing apparatus
    • G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
    • G03B27/42—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera for automatic sequential copying of the same original
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70841—Constructional issues related to vacuum environment, e.g. load-lock chamber

Abstract

(57)【要約】 【課題】 原版の周辺の露光ビーム光路における光吸収
損失の低減と原版交換時間の短縮を両立させて実現し、
高スループットの露光装置を提供する。 【解決手段】 原版１上のパターンを光学系２を介して
基板に転写する露光装置において、前記原版の露光位置
を包囲する第１の筐体２０と、前記原版を保管する第２
の筐体１７と、前記第１の筐体の内部と外部で前記原版
を受け渡す第３の筐体１１とを設け、各筐体の内部を所
定の雰囲気に制御する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子、液晶
素子、薄膜磁気ヘッド等の各種デバイスを製造するため
のリソグラフィ工程において、レチクルやマスクといっ
た原版上の回路パターンを感光剤が塗布されたウエハや
ガラスプレートといった基板上に露光するための露光装
置に関するものであり、特に露光装置に備えた原版の搬
送システムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の製造を目的とする露光
装置では、回路パターンに応じて各種波長帯域の光を露
光ビームとしてウエハ上に照射している。光源から放射
された露光ビームは、照明光学系によってレチクルを照
明し、レチクルに形成された微細な回路パターンは、投
影光学系によってウエハ上に結像され、露光転写され
る。
【０００３】半導体集積回路を高集積度化させるために
は、回路パターンをより微細化する必要があり、それに
伴って投影光学系の解像力の向上が要求される。解像力
を向上させる手段としては、投影光学系の開口数（ＮＡ
とも称される）を大きくする方法と、露光ビームを短波
長化する方法が有効な手段である。
【０００４】露光ビームとしては、これまでにｇ線（波
長４３６［ｎｍ］）、ｉ線（波長３６５［ｎｍ］）、Ｋ
ｒＦエキシマレーザ（波長２４８［ｎｍ］）、ＡｒＦエ
キシマレーザ（波長１９３［ｎｍ］）等が既に実用化さ
れ、さらに次世代の露光ビームしてＦ2エキシマレーザ
（波長１５７［ｎｍ］）による露光技術の実用化が図ら
れている。
【０００５】Ｆ2エキシマレーザの波長帯域が上述の従
来の露光ビーム波長帯域と異なる点は、酸素や水蒸気に
対して極めて吸収されやすい波長帯域であることが挙げ
られる。さらにはアンモニア（ＮＨ3）、二酸化炭素
（ＣＯ2）、有機ガス、オゾン等にも吸収されやすいこ
とが既に知られており、Ｆ2レーザビームの光路雰囲気
は、上記光吸収物質を低濃度に抑えるよう雰囲気制御す
ることが必要である。従って、照明光学系や投影光学系
等の光学系内雰囲気は言うまでも無く、頻繁に露光装置
上で交換されるレチクルやウエハ周辺の光路についても
同様に雰囲気制御されなければならない。雰囲気制御に
有効な手法としては、ヘリウムガス（Ｈｅ）や窒素ガス
（Ｎ2）等の不活性ガスにより光路空間をガスパージす
る方法、あるいは光路空間を真空環境にする方法等が効
果的である。
【０００６】次に、露光装置のスループットの観点から
述べると、上述のように光路雰囲気を制御することによ
り、高照度での露光が可能となるため露光時間が短縮さ
れ、結果的にスループット向上が達成される。しかし、
より高いスループットを達成するためには、上述の通り
頻繁に交換されるレチクルやウエハの交換時間をも改善
しなければならない。とりわけ近年では、複数のレチク
ル上の回路パターンを用いてウエハ上の同一ショットを
複数回露光する多重露光方法が実用化され、ウエハに露
光転写される像性能の向上が図られてきている。そのた
め、レチクルやウエハといった基板の搬送に要する時間
の短縮化という要求が益々強くなってきている。
【０００７】露光装置におけるレチクル等の基板搬送シ
ステムの従来例を以下に説明する。特開平７−３２１１
７９号公報では、レチクルライブラリから多軸ロボット
ハンドで取り出したレチクルを一時保管棚の所定位置に
載置し、さらに上下および回転駆動軸を有するロボット
ハンドでレチクルステージに搬送するシステムが開示さ
れている。
【０００８】特開２０００−２９４４９６号公報におい
ては、ＳＭＩＦポッドと称される開閉可能な密閉型基板
収納容器に対応した基板搬送システムが開示されてい
る。このシステムにおいて、ＳＭＩＦポッドに収納され
た基板は、ＳＭＩＦインデクサと称される開閉昇降機構
により露光装置内に搬入される。次に、第１の多軸ロボ
ットにより基板一時保管棚に搬送された後、第２の多軸
ロボットにより所定の基準に対して基板の位置合せを行
うプリアライメントステージに搬送される。さらに、搬
送ハンドにより、基板を保持する基板ステージに搬送さ
れる。
【０００９】特開平６−２６０３８６号公報において
は、露光すべきレチクルを密閉包囲し、内部を不活性ガ
スパージする第１室と、次に露光すべきレチクルと交換
するためのレチクル交換機構と、次に露光すべきレチク
ルを密閉包囲し、内部を不活性ガスパージする第２室
と、第１室と第２室の連通を遮断もしくは開放する開閉
手段を備えた露光装置およびそのレチクル搬送システム
が開示されている。
【００１０】上記従来例の内、特開平７−３２１１７９
号公報と特開２０００−２９４４９６号公報は、基板搬
送時間の短縮を目的とした例であり、また特開平６−２
６０３８６号公報は、レチクルステージ空間の不活性ガ
ス雰囲気を破ることなくレチクル交換を可能にすること
を目的とした例である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来例
では、以下のような問題がある。特開平７−３２１１７
９号公報と特開２０００−２９４４９６号公報で開示し
ている例では、レチクル周辺の空間に関する雰囲気制御
手段の開示がなされていない。従って、上述のごとくＦ
2エキシマレーザを用いた露光装置においては実用的な
レチクル搬送システムとは言えない。仮に、この開示さ
れたレチクル搬送システム全体を単純に光吸収物質を低
減するように雰囲気制御したのでは、露光装置が大型化
するとともに構成も複雑となり、装置コストも大幅に上
がってしまうという問題がある。
【００１２】一方、特開平６−２６０３８６号公報は、
上述のごとくレチクル周辺空間を不活性ガスによりパー
ジすることについて開示されているものの、第２室は所
謂ロードロック室であって、第１室にロードロック室を
直接接続する配置では、レチクル交換の度にロードロッ
ク室内のパージガス置換が完了するのを待ってから次に
露光すべきレチクルを供給することになる。従って、レ
チクル交換頻度が十分少なく、ロードロック室のパージ
ガス置換完了までの所要時間がレチクル交換のインター
バルに比べて少ない場合のみ成立するシステムであっ
て、レチクル交換頻度が非常に高い場合はスループット
低下という問題がより顕著になってしまう。
【００１３】本発明は、上記問題に鑑みてなされたもの
であり、原版の周辺の露光ビーム光路における光吸収損
失の低減と原版交換時間の短縮を両立させて実現し、高
スループットの露光装置を提供することを課題とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段および作用】上記課題を解
決するために、本発明の露光装置は、原版上のパターン
を光学系を介して基板に転写する露光装置において、前
記原版の露光位置を包囲する第１の筐体と、前記原版を
保管する第２の筐体と、前記第１の筐体の内部と外部で
前記原版を受け渡す第３の筐体とを有し、各筐体の内部
を所定の雰囲気に制御することを特徴とする。
【００１５】本発明の好ましい実施の形態において、第
２の筐体は、前記第１の筐体内に配置されるか、第１の
筐体の外側に密着して配置される。また、第１の筐体内
には、原版を位置合せする位置合せ手段と、第３の筐体
と第２の筐体の間および第２の筐体と位置合せ手段の間
で原版を搬送する第１の搬送手段と、位置合せ手段と露
光位置の間で原版を搬送する第２の搬送手段が配設され
る。第３の筐体はロードロック室であり、第１の筐体の
外部とロードロック室の間に第１の開閉手段を、ロード
ロック室と第１の筐体の内部との間に第２の開閉手段を
備える。そして、原版を第１の筐体の外部から内部に受
け渡す際には、まず第１の開閉手段が開き原版を第１の
筐体の外部からロードロック室へ搬送し、次いで第１の
開閉手段が閉じロードロック室を所定雰囲気に制御し、
さらに第２の開閉手段が開き原版を第１の筐体の内部へ
搬送する。第３の筐体を介して第１の筐体の外部から受
け渡された原版は、第２の筐体に保管される。第２の筐
体は、棚状で、複数の原版を保管可能である。
【００１６】第１の筐体には、露光位置の上側と下側に
露光ビーム透過口が設けられている。第２の筐体には、
第１の筐体との間に第３の開閉手段が設けられ、第１お
よび第３の筐体内とは独立して雰囲気制御を行うことが
できる。筐体内の雰囲気制御は、その筐体内の雰囲気を
センサで検出し、その検出結果に応じて制御する。前記
所定雰囲気は、不活性ガス雰囲気であり、雰囲気制御
は、清浄手段を介した循環系により行う。第１の筐体に
おいて、不活性ガスは、露光位置か、または第２の筐体
の近傍へ供給するのが好ましい。なお、前記所定雰囲気
は、真空であってもよい。但し、各筐体内の雰囲気は、
同じであることが望ましい。露光光源は、例えば、Ｆ2
エキシマレーザである。
【００１７】また、本発明の露光装置は、ディスプレイ
と、ネットワークインタフェースと、ネットワーク用ソ
フトウェアを実行するコンピュータとをさらに有し、露
光装置の保守情報をコンピュータネットワークを介して
データ通信することが可能な構成とすることができる。
前記ネットワーク用ソフトウェアは、前記露光装置が設
置された工場の外部ネットワークに接続され前記露光装
置のベンダもしくはユーザが提供する保守データベース
にアクセスするためのユーザインタフェースを前記ディ
スプレイ上に提供し、前記外部ネットワークを介して該
データベースから情報を得るためのものである。
【００１８】本発明の露光方法は、原版上のパターンを
光学系を介して基板に転写する露光方法において、原版
の露光位置を包囲する第１の筐体と、露光位置に搬送す
る前の原版を保管する第２の筐体と、第１の筐体の内部
と外部で原版を受け渡す第３の筐体とを設け、各筐体の
内部を所定の雰囲気に制御することを特徴とする。
【００１９】本発明の半導体デバイス製造方法は、前記
露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製
造工場に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数の
プロセスによって半導体デバイスを製造する工程とを有
することを特徴とする。また、前記製造装置群をローカ
ルエリアネットワークで接続する工程と、前記ローカル
エリアネットワークと前記半導体製造工場外の外部ネッ
トワークとの間で、前記製造装置群の少なくとも１台に
関する情報をデータ通信する工程とをさらに有すること
が可能である。さらに、前記露光装置のベンダもしくは
ユーザが提供するデータベースに前記外部ネットワーク
を介してアクセスしてデータ通信によって前記製造装置
の保守情報を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別
の半導体製造工場との間で前記外部ネットワークを介し
てデータ通信して生産管理を行うことが好ましい。
【００２０】本発明の前記露光装置を収容する半導体製
造工場は、前記露光装置を含む各種プロセス用の製造装
置群と、該製造装置群を接続するローカルエリアネット
ワークと、該ローカルエリアネットワークから工場外の
外部ネットワークにアクセス可能にするゲートウェイを
有し、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報を
データ通信することを可能にすることを特徴とする。
【００２１】本発明の露光装置の保守方法は、半導体製
造工場に設置された前記露光装置の保守方法であって、
前記露光装置のベンダもしくはユーザが、半導体製造工
場の外部ネットワークに接続された保守データベースを
提供する工程と、前記半導体製造工場内から前記外部ネ
ットワークを介して前記保守データベースへのアクセス
を許可する工程と、前記保守データベースに蓄積される
保守情報を前記外部ネットワークを介して半導体製造工
場側に送信する工程とを有することを特徴とする。
【００２２】上記構成によれば、原版は、露光位置にお
いて所定の雰囲気に制御された第１の筐体内に配置さ
れ、露光ビームを吸収する酸素や水蒸気などの物質を低
レベルに抑えた環境内に置くことができる。また、第３
の筐体は、第１の筐体に対して原版を搬入または搬出す
る際に、第１の筐体内の環境に影響を与えることなく搬
送を行うことを可能にする。さらに、第２の筐体は、露
光装置内に搬入された原版を複数枚ストックしておくこ
とができる。これにより、原版のストック場所から露光
位置までの搬送経路を短くすることができ、また、第２
の筐体内の雰囲気を、露光位置の原版交換時に第１の筐
体内の雰囲気を乱さないような雰囲気に制御することに
より、原版を交換して、露光を開始するまでの時間を短
縮することができる。よって、装置コストを大幅に上げ
ることなく、高スループット化を図ることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の好ましい実施の形
態について図面を用いて詳細に説明する。 ＜第１の実施形態＞図１は、本発明の第１の実施形態に
係る露光装置を示す概念図であり、露光装置全体を覆
い、露光装置内を所定温度に維持し、塵埃を低レベルに
維持するチャンバ（不図示）の内部を示すものである。
【００２４】図１において、１は回路パターンが描かれ
たレチクルであり、回路パターンは１５７［ｎｍ］付近
の発振波長を有するＦ2エキシマレーザ光源から発せら
れた光により不図示の照明光学系を介して照明され、投
影光学系２により所定の倍率でウエハ３に投影露光され
る。ウエハ３は、図中に示した座標系の少なくともＸ，
Ｙ方向の駆動軸を有するウエハステージ４に載置されて
いる。また、レチクル１は不図示のレチクルステージに
載置され、少なくともＹ方向に駆動される。図１に示す
露光装置は、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装
置であり、レチクル１とウエハ３を同期させながらＹ方
向にスキャン露光して次のショットに順次ステップ移動
させるものである。
【００２５】５および６はポッドを示し、レチクル１を
複数枚収納するとともに開閉可能な密閉容器であり、Ｓ
ＭＩＦポッドと称される。７，８はＳＭＩＦインデクサ
であり、ＳＭＩＦポッド５，６を開き、ＳＭＩＦポッド
５，６内のレチクル１を引き出せる状態にするための駆
動機構（不図示）を備えている。ＳＭＩＦインデクサ
７，８により搬出可能となったレチクル１は多軸搬送ロ
ボット９によって引き出され、ガイド１０に沿ってロー
ドロック室１１に搬送される。ロードロック室１１には
一方に開閉手段１２が備えられており、多軸搬送ロボッ
ト９により搬送されたレチクル１は、開口状態の開閉手
段１２を通過してロードロック室１１内に渡される。そ
の後、開閉手段１２は閉口状態になり、窒素ガス置換制
御手段１３によりロードロック室１１内を窒素ガスに置
換する。
【００２６】尚、本実施形態においては、窒素ガスを用
いる場合について述べたが、この他にヘリウムガスを用
いてもよいし、あるいはこのような不活性ガスを用いず
に真空状態にしてもよい。どの雰囲気が望ましいかにつ
いての詳細は後述する。
【００２７】ロードロック室１１内が所定の状態まで窒
素ガス置換された後、ロードロック室１１のもう一方に
備えられた開閉手段１４は開口状態となり、多軸搬送ロ
ボット１５によってロードロック室１１内のレチクル１
は引き出される。ここで、上述のロードロック室１１内
の窒素ガス置換が所定状態に達したかどうかは、ガス検
出器１６の検出結果に基づいて不図示の制御手段により
判断され、所定状態に達したと判断された際に開閉手段
１４は開口状態となる。多軸搬送ロボット１５は、ロー
ドロック室１１内のレチクル１を受け取り、レチクル一
時保管手段１７に搬送する。レチクル一時保管手段１７
は、複数枚のレチクル１を保管できるように棚状の構造
（棚状保管手段）を有するとともに、多軸搬送ロボット
１５のレチクル搬送高さとレチクル１を収納すべき棚の
高さを合わせるようにＺ方向に移動可能な棚の昇降機構
（不図示）を有している。さらに、レチクル一時保管手
段１７は、各棚のレチクル１の有無の検知手段およびレ
チクル１の所定位置に形成されたバーコードの読み取り
手段（いずれも不図示）を備えており、どのレチクル１
がどの棚に保管されているかすべて不図示の制御手段に
記憶される。
【００２８】以上に述べた動作は、露光位置にあるレチ
クル１上の回路パターンの露光動作と並行して、順次繰
り返し行われ、レチクル一時保管手段１７には保管可能
枚数以下の範囲でレチクル１が複数枚保管される。
【００２９】レチクル一時保管手段１７に保管された複
数枚のレチクル１の内、次に露光されるべきレチクル１
は多軸搬送ロボット１５により引き出され、位置合せス
テージ１８に載置される。位置合せステージ１８におい
て、不図示の位置合せ基準に対して所望のずれ量以下に
なるよう、例えばＸ方向、Ｙ方向あるいはＺ軸周りの方
向等に位置合せされ、露光待機状態となる。
【００３０】ここで、すでにレチクルステージ(不図示)
上の露光位置に搬送されていたレチクル１の露光が完了
した際、レチクルステージは回転ハンド１９との受け渡
しポジションに移動し、露光完了したレチクル１を回転
ハンド１９に受け渡す。その間に回転ハンド１９は、位
置合せステージ１８に載置されて露光待機状態になって
いたレチクル１を受け取る。このとき、回転ハンド１９
上には露光完了したレチクル１と露光待機していたレチ
クル１の両方が載置された状態になっている。この状態
で回転ハンド１９は回転駆動し、露光完了したレチクル
１を位置合せステージ１８へ、露光待機していたレチク
ル１をレチクルステージ(不図示)へそれぞれ受け渡す。
その後、露光待機していたレチクル１は露光位置に搬送
され、露光動作が開始される。露光完了したレチクル１
は、多軸搬送ロボット１５に受け渡され、後で再び露光
に用いられる予定がある場合には、レチクル一時保管手
段１７に搬送され、一時保管される。逆に、このレチク
ル１が再び露光に用いられる予定がない場合には、ロー
ドロック室１１の開閉手段１４は開口状態となり、この
レチクル１はロードロック室１１に搬送される。その
後、開閉手段１４は閉口状態となり、もう一方の開閉手
段１２は開口状態となる。さらにその後、ロードロック
室１１内に搬送されたレチクル１は、多軸搬送ロボット
９により引き出され、ＳＭＩＦインデクサ７，８のいず
れかの位置に収納され、最終的にＳＭＩＦポッド５，６
のいずれかに収納される。
【００３１】２０は外気との通気を遮断する密閉容器で
あり、窒素ガス置換制御手段２１によって内部を窒素ガ
スパージしている。本実施形態において、密閉容器２０
内には、レチクル１と不図示のレチクルステージ、多軸
搬送ロボット１５、位置合せステージ１８、回転ハンド
１９、そしてレチクル一時保管手段１７が収納されてい
る。ロードロック室１１は、密閉容器２０へのレチクル
搬入および密閉容器２０からのレチクル搬出の際に、密
閉容器２０内の雰囲気に実質的に影響を及ぼすことなく
搬入、搬出を可能にするために設けられたものである。
そして、ロードロック室１１の開閉手段１４は、この密
閉容器２０とロードロック室１１との連通を開放した
り、遮断したりするように設けられたものである。
【００３２】さらに、本実施形態においては、密閉容器
２０とロードロック室１１内がいずれも窒素ガスにより
パージされる場合について説明したが、この他に、例え
ばヘリウムガスによりパージされるようにしてもよい
し、窒素ガスとヘリウムガスの混合ガスによりパージさ
れるようにしてもよい。さらには、上述のような不活性
ガスによるパージではなく、密閉容器２０とロードロッ
ク室１１内を真空状態に雰囲気制御するようにしてもよ
い。
【００３３】また、密閉容器２０は、露光ビームを透過
させるための開口部２２，２３を備えており、さらに開
口部２２，２３の近傍には気密性を確保するための光学
素子２４および２５を配置している。光学素子２４は、
例えば不図示の照明光学系のレチクル１に最も近い光学
素子と兼用してもよいし、同様に光学素子２５は、例え
ば投影光学系２のレチクル１に最も近い光学素子と兼用
してもよい。
【００３４】窒素ガス置換制御手段２１による密閉容器
２０内の窒素ガス置換について以下に詳述する。窒素ガ
ス置換制御手段２１からの窒素ガスは、配管系２１ａを
介してレチクル一時保管手段１７近傍から供給される。
これにより、比較的純度の高い窒素ガスを、保管中のレ
チクル１に最初に供給することで、保管中のレチクル１
表面に不純物等が付着するのを防止することができる。
密閉容器２０に供給された窒素ガスはレチクルステージ
側に備えられた配管系２１ｂから排出される。排出され
た窒素ガスはそのまま露光装置外に排気されてもよい
し、窒素ガス置換制御手段２１内に不純物を除去するフ
ィルタ等の清浄手段（不図示）を介して再び配管系２１
ａに入る循環経路を構成してもよい。
【００３５】さらに、密閉容器２０内の窒素ガス置換状
態を検知するガス検出器２６を設け、その検出結果が所
定状態よりも不純物濃度が高い場合は、配管系２１ａか
らのガス供給量を増やすようにし、その後不純物濃度が
所定状態よりも十分低くなったら配管系２１ａからのガ
ス供給量を減少させるようにして、ガスの流量を制御す
ることが望ましい。このガス流量制御により、窒素ガス
を露光装置外に排気する構成においては、窒素ガス消費
量の低減が可能となる。
【００３６】尚、レチクル１を保持するレチクルステー
ジ（不図示）、ウエハステージ４、ＳＭＩＦインデクサ
７，８の駆動機構（不図示）、多軸搬送ロボット９，１
５、開閉手段１２，１４、位置合せステージ１８、回転
ハンド１９、レチクル一時保管手段１７の棚の昇降機構
（不図示）は、すべて不図示の制御手段により動作制御
されている。
【００３７】＜第２の実施形態＞本発明の第２の実施形
態について図２を用いて説明する。図１における密閉容
器２０への窒素ガス供給形態の変形例を示したのが図２
であり、図１と同様な要素については同一符号を付ける
とともに、説明を省略する。
【００３８】窒素ガス置換制御手段２１からの窒素ガス
は、配管系２１ａ，２１ｃを介して密閉容器２０内に供
給される。配管系２１ａは第１の実施形態と同様に、レ
チクル一時保管手段１７近傍に窒素ガスを供給するよう
に構成され、また配管系２１ｃはレチクルステージ(不
図示)、すなわち、露光位置近傍に窒素ガスを供給する
よう構成されている。また、配管系２１ｂは、密閉容器
２０内のガス排気を行うものであり、第１の実施形態と
同様、露光装置外にそのまま排気してもよいし、窒素ガ
ス置換制御手段２１内に不純物を除去するフィルタ等の
清浄手段（不図示）を介して再び配管系２１ａ，２１ｃ
に入る循環経路を構成してもよい。
【００３９】以上のように、配管系２１ａ，２１ｂ，２
１ｃにより窒素ガス供給および排気を行うようにするこ
とで、比較的純度の高い窒素ガスを保管中のレチクル１
とレチクルステージ近傍の露光ビーム光路に供給するこ
とが可能となり、保管中および露光中のレチクル１表面
への不純物の付着を防止することができる。また、第１
の実施形態に比べてレチクルステージ近傍の露光ビーム
光路における光吸収の防止効果をより高めることが可能
となる。
【００４０】さらに、本実施形態においてはガス検出器
２７，２８を備え、第１の実施形態でのガス検出器２６
と併用して、密閉容器２０内の３箇所における窒素ガス
濃度を検出するようにしている。ただし、本実施形態の
ごとくガス検出器を３箇所に限定するものではなく、必
要に応じてその配置位置や数を決定するようにするのが
望ましい。
【００４１】＜第３の実施形態＞本発明における第３の
実施形態について、図３を用いて説明する。図３は、本
発明の第３の実施形態に係る露光装置を示す概念図であ
る。図３において、図１および図２と同様な要素につい
ては同一符号を付け、説明は省略する。
【００４２】３１は密閉容器であり、図１の密閉容器２
０と異なる点は、レチクル一時保管手段１７を収納して
いない点である。レチクル一時保管手段１７は、別体と
なっている密閉容器３２（棚の昇降機構等の制御手段を
含む）内に収納されている。密閉容器３２には、密閉容
器３１と密閉容器３２の連通を開放したり、遮断したり
する開閉手段３３が備えられている。さらにガス検出器
３４と窒素ガス置換制御手段３５が備えられ、密閉容器
３２内の雰囲気をコントロールすることができる。本実
施形態におけるレチクル搬送経路および各要素の動作手
順については、第１の実施形態と同様であるため説明は
省略するが、異なる点はレチクル一時保管手段１７に対
するレチクル１の搬入および搬出の際に、開閉手段３３
の開閉動作が追加になる点である。
【００４３】以上、第１〜第３の実施形態（図１，２，
３参照）について説明してきたが、本発明を適用できる
露光装置としては、前述のようなステップ・アンド・ス
キャン方式の露光装置のみならず、ステップ・アンド・
リピート方式の露光装置（ステッパとも称する）に適用
してもよい。
【００４４】また、上述の各実施形態においては、ＳＭ
ＩＦポッドに対応したレチクル搬送システムについて説
明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、レ
チクルカセットと呼ばれるレチクルを一枚ずつ収納する
カセットを複数収納するレチクルライブラリ形式の収納
手段に対応したレチクル搬送システムにも適用すること
もできる。さらに、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉ
ｎｇ ＵｎｉｆｉｅｄＰｏｄ）と呼ばれる、他のミニエ
ンバイラメント方式に対応したレチクル搬送システムに
も適用することもできる。
【００４５】さらに、上述の各実施形態においては、光
透過型レチクルを用いた露光装置について述べたが、本
発明は、光源として１３．５［ｎｍ］付近の波長（ＥＵ
Ｖ：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）等を用
いる反射型レチクルを用いた露光装置にも適用すること
ができる。この場合、密閉容器２０，３１，３２および
ロードロック室１１は、窒素ガスやヘリウムガス置換す
るのではなく、真空環境にするのが望ましい。
【００４６】＜半導体生産システムの実施形態＞次に、
上記説明した露光装置を利用した半導体等のデバイス
（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣ
Ｄ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の生産システ
ムの例を説明する。これは、半導体製造工場に設置され
た製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、もしく
はソフトウェア提供等の保守サービスを、製造工場外の
コンピュータネットワーク等を利用して行うものであ
る。
【００４７】図４は、全体システムをある角度から切り
出して表現したものである。図中、１０１は半導体デバ
イスの製造装置を提供するベンダ（装置供給メーカ）の
事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工場
で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、
前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチン
グ装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、
平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置
等）を想定している。事業所１０１内には、製造装置の
保守データベースを提供するホスト管理システム１０
８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結ん
でイントラネット等を構築するローカルエリアネットワ
ーク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１
０８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークであ
るインターネット１０５に接続するためのゲートウェイ
と、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を
備える。
【００４８】一方、１０２〜１０４は、製造装置のユー
ザとしての半導体製造メーカ（半導体デバイスメーカ）
の製造工場である。製造工場１０２〜１０４は、互いに
異なるメーカに属する工場であってもよいし、同一のメ
ーカに属する工場（例えば、前工程用の工場、後工程用
の工場等）であってもよい。各工場１０２〜１０４内に
は、夫々、複数の製造装置１０６と、それらを結んでイ
ントラネット等を構築するローカルエリアネットワーク
（ＬＡＮ）１１１と、各製造装置１０６の稼動状況を監
視する監視装置としてホスト管理システム１０７とが設
けられている。各工場１０２〜１０４に設けられたホス
ト管理システム１０７は、各工場内のＬＡＮ１１１を工
場の外部ネットワークであるインターネット１０５に接
続するためのゲートウェイを備える。これにより各工場
のＬＡＮ１１１からインターネット１０５を介してベン
ダ１０１側のホスト管理システム１０８にアクセスが可
能となり、ホスト管理システム１０８のセキュリティ機
能によって限られたユーザだけがアクセスが許可となっ
ている。具体的には、インターネット１０５を介して、
各製造装置１０６の稼動状況を示すステータス情報（例
えば、トラブルが発生した製造装置の症状）を工場側か
らベンダ側に通知する他、その通知に対応する応答情報
（例えば、トラブルに対する対処方法を指示する情報、
対処用のソフトウェアやデータ）や、最新のソフトウェ
ア、ヘルプ情報等の保守情報をベンダ側から受け取るこ
とができる。各工場１０２〜１０４とベンダ１０１との
間のデータ通信および各工場内のＬＡＮ１１１でのデー
タ通信には、インターネットで一般的に使用されている
通信プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、
工場外の外部ネットワークとしてインターネットを利用
する代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュ
リティの高い専用線ネットワーク（ＩＳＤＮ等）を利用
することもできる。また、ホスト管理システムはベンダ
が提供するものに限らずユーザがデータベースを構築し
て外部ネットワーク上に置き、ユーザの複数の工場から
該データベースへのアクセスを許可するようにしてもよ
い。
【００４９】さて、図５は、本実施形態の全体システム
を図４とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例では、それぞれが製造装置を備えた複数のユ
ーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外
部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介し
て各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報
をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複
数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装
置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部
ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデー
タ通信するものである。図中、２０１は製造装置ユーザ
（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、工場
の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここで
は例として露光装置２０２、レジスト処理装置２０３、
成膜処理装置２０４が導入されている。なお、図５で
は、製造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複
数の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の
各装置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネット等を
構成し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼動
管理がされている。一方、露光装置メーカ２１０、レジ
スト処理装置メーカ２２０、成膜装置メーカ２３０等、
ベンダ（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供
給した機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム
２１１，２２１，２３１を備え、これらは上述したよう
に保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイ
を備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホス
ト管理システム２０５と、各装置のベンダの管理システ
ム２１１，２２１，２３１とは、外部ネットワーク２０
０であるインターネットもしくは専用線ネットワークに
よって接続されている。このシステムにおいて、製造ラ
インの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きる
と、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが
起きた機器のベンダからインターネット２００を介した
遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ライ
ンの休止を最小限に抑えることができる。
【００５０】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、もしくはネットワークファイルサ
ーバ等である。上記ネットワークアクセス用ソフトウェ
アは、専用または汎用のウェブブラウザを含み、例えば
図６に一例を示すような画面のユーザインタフェースを
ディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理す
るオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種
４０１、シリアルナンバー４０２、トラブルの件名４０
３、発生日４０４、緊急度４０５、症状４０６、対処法
４０７、経過４０８等の情報を画面上の入力項目に入力
する。入力された情報はインターネットを介して保守デ
ータベースに送信され、その結果の適切な保守情報が保
守データベースから返信されディスプレイ上に提示され
る。また、ウェブブラウザが提供するユーザインタフェ
ースは、さらに図示のごとくハイパーリンク機能４１
０，４１１，４１２を実現し、オペレータは各項目のさ
らに詳細な情報にアクセスしたり、ベンダが提供するソ
フトウェアライブラリから製造装置に使用する最新バー
ジョンのソフトウェアを引出したり、工場のオペレータ
の参考に供する操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したり
することができる。ここで、保守データベースが提供す
る保守情報には、上記説明した本発明に関する情報も含
まれ、また前記ソフトウェアライブラリは本発明を実現
するための最新のソフトウェアも提供する。
【００５１】次に、上記説明した生産システムを利用し
た半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図７は、
半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示
す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路
設計を行う。ステップ２（原版製作）では設計した回路
パターンを形成した原版を製作する。一方、ステップ３
（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼
ばれ、上記用意した原版とウエハを用いて、リソグラフ
ィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次の
ステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４
によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する
工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディ
ング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立て
工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが
完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と後工
程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎に
上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされ
る。また、前工程工場と後工程工場との間でも、インタ
ーネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や
装置保守のための情報等がデータ通信される。
【００５２】図８は、上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
原版の回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多
重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造機
器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がなさ
れているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしトラ
ブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて半
導体デバイスの生産性を向上させることができる。
【００５３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
露光ビームの光吸収による損失を極めて少なくすること
ができる。さらに、原版の保管手段を有することで、予
め複数の原版を露光装置内にストックすることが可能と
なる。また、この保管手段から露光位置までの搬送距離
が短い経路に構成されることで、短時間での原版交換が
可能となる。さらにまた、ロードロック室を設け、ロー
ドロック室を介して原版を保管手段に搬送する構成にす
ることで、原版の露光位置付近での露光ビーム光路の環
境に悪影響を与えることなく原版搬送が可能となる。よ
って、低コストかつ高スループットの露光装置を提供す
ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施形態に係る露光装置を示
す概念図である。
【図２】 本発明の第２の実施形態を示す概念図であ
る。
【図３】 本発明の第３の実施形態を示す概念図であ
る。
【図４】 本発明の一実施形態に係る露光装置を含む半
導体デバイスの生産システムをある角度から見た概念図
である。
【図５】 本発明の一実施形態に係る露光装置を含む半
導体デバイスの生産システムを別の角度から見た概念図
である。
【図６】 本発明の一実施形態に係る露光装置を含む半
導体デバイスの生産システムにおけるユーザインタフェ
ースの具体例を示す図である。
【図７】 本発明の一実施形態に係る露光装置によるデ
バイスの製造プロセスのフローを説明する図である。
【図８】 本発明の一実施形態に係る露光装置によるウ
エハプロセスを説明する図である。
【符号の説明】
１：レチクル、２：投影光学系、３：ウエハ、４：ウエ
ハステージ、５，６：ＳＭＩＦポッド、７，８：ＳＭＩ
Ｆインデクサ、９，１５：多軸搬送ロボット、１０：ガ
イド、１１：ロードロック室、１２，１４，３３：開閉
手段、１３，２１，３５：窒素ガス置換制御手段、１
６，２６，２７，２８，３４：ガス検出器、１７：レチ
クル一時保管手段、１８：位置合せステージ、１９：回
転ハンド、２０，３１，３２：密閉容器、２１ａ，２１
ｂ，２１ｃ：配管系、２２，２３：開口部、２４，２
５：光学素子、１０１：ベンダの事業所、１０２，１０
３，１０４：製造工場、１０５：インターネット、１０
６：製造装置、１０７：工場のホスト管理システム、１
０８：ベンダ側のホスト管理システム、１０９：ベンダ
側のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、１１０：
操作端末コンピュータ、１１１：工場のローカルエリア
ネットワーク（ＬＡＮ）、２００：外部ネットワーク、
２０１：製造装置ユーザの製造工場、２０２：露光装
置、２０３：レジスト処理装置、２０４：成膜処理装
置、２０５：工場のホスト管理システム、２０６：工場
のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、２１０：露
光装置メーカ、２１１：露光装置メーカの事業所のホス
ト管理システム、２２０：レジスト処理装置メーカ、２
２１：レジスト処理装置メーカの事業所のホスト管理シ
ステム、２３０：成膜装置メーカ、２３１：成膜装置メ
ーカの事業所のホスト管理システム、４０１：製造装置
の機種、４０２：シリアルナンバー、４０３：トラブル
の件名、４０４：発生日、４０５：緊急度、４０６：症
状、４０７：対処法、４０８：経過、４１０，４１１，
４１２：ハイパーリンク機能。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H097 AA03 BA02 BA10 CA13 DA03 DA06 GB01 LA10 5F031 CA07 DA08 DA11 DA17 EA14 FA04 FA07 FA12 FA15 GA02 GA43 GA47 GA48 GA50 JA01 JA23 JA45 JA50 MA13 MA27 NA04 NA05 NA08 NA11 PA06 5F046 AA22 DA27 DB03

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 原版上のパターンを光学系を介して基板
    に転写する露光装置において、 前記原版の露光位置を包囲する第１の筐体と、 前記原版を保管する第２の筐体と、 前記第１の筐体の内部と外部で前記原版を受け渡す第３
    の筐体とを有し、各筐体の内部を所定の雰囲気に制御す
    ることを特徴とする露光装置。
  2. 【請求項２】 前記第３の筐体を介して前記第１の筐体
    の外部から受け渡された原版は、前記第２の筐体に保管
    されることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
  3. 【請求項３】 前記第３の筐体はロードロック室であ
    り、前記第１の筐体の外部と該ロードロック室の間に第
    １の開閉手段を、該ロードロック室と該第１の筐体の内
    部の間に第２の開閉手段を備えることを特徴とする請求
    項１または２記載の露光装置。
  4. 【請求項４】 前記原版を前記第１の筐体の外部から内
    部に受け渡す際に、まず前記第１の開閉手段が開き該原
    版を該第１の筐体の外部から前記ロードロック室へ搬送
    し、次いで該第１の開閉手段が閉じ該ロードロック室を
    所定雰囲気に制御し、さらに前記第２の開閉手段が開き
    該原版を該第１の筐体の内部へ搬送することを特徴とす
    る請求項３記載の露光装置。
  5. 【請求項５】 前記第２の筐体は、前記第１の筐体内に
    配置されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれ
    か１つに記載の露光装置。
  6. 【請求項６】 前記第２の筐体は、前記第１の筐体の外
    側に該第１の筐体と密着して配置されていることを特徴
    とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の露光装置。
  7. 【請求項７】 前記第２の筐体には、前記第１の筐体と
    該第２の筐体の間に第３の開閉手段を備えることを特徴
    とする請求項６に記載の露光装置。
  8. 【請求項８】 前記第２の筐体は、棚状で、複数の原版
    を保管可能であることを特徴とする請求項１〜７のいず
    れか１つに記載の露光装置。
  9. 【請求項９】 前記第１の筐体内の雰囲気を検出し、そ
    の検出結果に応じて該第１の筐体内の雰囲気を制御する
    ことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載の
    露光装置。
  10. 【請求項１０】 前記第１の筐体内には、原版を位置合
    せする位置合せ手段と、前記第３の筐体と前記第２の筐
    体の間および該第２の筐体と該位置合せ手段の間で原版
    を搬送する第１の搬送手段と、該位置合せ手段と前記露
    光位置の間で原版を搬送する第２の搬送手段とを備える
    ことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１つに記載の
    露光装置。
  11. 【請求項１１】 前記第１の筐体には、前記露光位置の
    上側と下側に露光ビーム透過口が設けられていることを
    特徴とする請求項１〜１０のいずれか１つに記載の露光
    装置。
  12. 【請求項１２】 前記所定雰囲気は、不活性ガス雰囲気
    であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１つ
    に記載の露光装置。
  13. 【請求項１３】 前記雰囲気制御は、清浄手段を介した
    循環系により行うことを特徴とする請求項１２記載の露
    光装置。
  14. 【請求項１４】 前記所定雰囲気を形成するための不活
    性ガスを、前記露光位置へ供給することを特徴とする請
    求項１２または１３記載の露光装置。
  15. 【請求項１５】 前記所定雰囲気を形成するための不活
    性ガスを、前記第１の筐体内で前記第２の筐体近傍へ供
    給することを特徴とする請求項１２または１３記載の露
    光装置。
  16. 【請求項１６】 前記所定雰囲気は、真空であることを
    特徴とする請求項１〜１１のいずれか１つに記載の露光
    装置。
  17. 【請求項１７】 前記露光光源は、Ｆ2エキシマレーザ
    であることを特徴とする請求項１〜１６のいずれか１つ
    に記載の露光装置。
  18. 【請求項１８】 請求項１〜１７のいずれか１つに記載
    の露光装置において、ディスプレイと、ネットワークイ
    ンタフェースと、ネットワーク用ソフトウェアを実行す
    るコンピュータとをさらに有し、露光装置の保守情報を
    コンピュータネットワークを介してデータ通信すること
    を可能にすることを特徴とする露光装置。
  19. 【請求項１９】 前記ネットワーク用ソフトウェアは、
    前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接
    続され前記露光装置のベンダもしくはユーザが提供する
    保守データベースにアクセスするためのユーザインタフ
    ェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネット
    ワークを介して該データベースから情報を得ることを可
    能にすることを特徴とする請求項１８記載の露光装置。
  20. 【請求項２０】 原版上のパターンを光学系を介して基
    板に転写する露光方法において、 前記原版の露光位置を包囲する第１の筐体と、前記露光
    位置に搬送する前の前記原版を保管する第２の筐体と、
    前記第１の筐体の内部と外部で前記原版を受け渡す第３
    の筐体とを設け、各筐体の内部を所定の雰囲気に制御す
    ることを特徴とする露光方法。
  21. 【請求項２１】 請求項１〜１９のいずれか１つに記載
    の露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体
    製造工場に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数
    のプロセスによって半導体デバイスを製造する工程とを
    有することを特徴とする半導体デバイス製造方法。
  22. 【請求項２２】 前記製造装置群をローカルエリアネッ
    トワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネット
    ワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの
    間で、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報を
    データ通信する工程とをさらに有することを特徴とする
    請求項２１に記載の半導体デバイス製造方法。
  23. 【請求項２３】 前記露光装置のベンダもしくはユーザ
    が提供するデータベースに前記外部ネットワークを介し
    てアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の保守
    情報を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の半導
    体製造工場との間で前記外部ネットワークを介してデー
    タ通信して生産管理を行うことを特徴とする請求項２２
    に記載の半導体デバイス製造方法。
  24. 【請求項２４】 請求項１〜１９のいずれか１つに記載
    の露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製
    造装置群を接続するローカルエリアネットワークと、該
    ローカルエリアネットワークから工場外の外部ネットワ
    ークにアクセス可能にするゲートウェイを有し、前記製
    造装置群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信す
    ることを可能にすることを特徴とする半導体製造工場。
  25. 【請求項２５】 半導体製造工場に設置された請求項１
    〜１９のいずれか１つに記載の露光装置の保守方法であ
    って、前記露光装置のベンダもしくはユーザが、半導体
    製造工場の外部ネットワークに接続された保守データベ
    ースを提供する工程と、前記半導体製造工場内から前記
    外部ネットワークを介して前記保守データベースへのア
    クセスを許可する工程と、前記保守データベースに蓄積
    される保守情報を前記外部ネットワークを介して半導体
    製造工場側に送信する工程とを有することを特徴とする
    露光装置の保守方法。
JP2000350817A 2000-11-17 2000-11-17 露光装置および露光方法 Pending JP2002158155A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000350817A JP2002158155A (ja) 2000-11-17 2000-11-17 露光装置および露光方法
US09/987,568 US6829038B2 (en) 2000-11-17 2001-11-15 Exposure apparatus and exposure method
US10/936,525 US7009684B2 (en) 2000-11-17 2004-09-09 Exposure apparatus and exposure method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000350817A JP2002158155A (ja) 2000-11-17 2000-11-17 露光装置および露光方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002158155A true JP2002158155A (ja) 2002-05-31

Family

ID=18823979

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000350817A Pending JP2002158155A (ja) 2000-11-17 2000-11-17 露光装置および露光方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US6829038B2 (ja)
JP (1) JP2002158155A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004064079A (ja) * 2002-07-29 2004-02-26 Asml Holding Nv リソグラフィツール
WO2004088741A1 (ja) * 2003-03-28 2004-10-14 Hirata Corporation 基板搬送システム
US7515245B2 (en) 2003-09-18 2009-04-07 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7670754B2 (en) 2003-12-03 2010-03-02 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus having a processing chamber, a vacuum chamber and first and second load lock chambers

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003173958A (ja) * 2001-12-06 2003-06-20 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
US6826451B2 (en) * 2002-07-29 2004-11-30 Asml Holding N.V. Lithography tool having a vacuum reticle library coupled to a vacuum chamber
TWI228750B (en) * 2003-02-25 2005-03-01 Samsung Electronics Co Ltd Apparatus and method for processing wafers
SG125948A1 (en) * 2003-03-31 2006-10-30 Asml Netherlands Bv Supporting structure for use in a lithographic apparatus
US7205095B1 (en) * 2003-09-17 2007-04-17 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for packaging image sensing semiconductor chips
US7123344B2 (en) * 2003-09-29 2006-10-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4383911B2 (ja) * 2004-02-03 2009-12-16 キヤノン株式会社 露光装置及び半導体デバイスの製造方法
US7349067B2 (en) * 2004-06-21 2008-03-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4504228B2 (ja) * 2005-03-01 2010-07-14 川崎重工業株式会社 ロボットの制御装置および制御方法
US7245350B2 (en) * 2005-11-11 2007-07-17 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
US7961291B2 (en) * 2005-12-23 2011-06-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070146658A1 (en) * 2005-12-27 2007-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US7522263B2 (en) * 2005-12-27 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
JP2008173744A (ja) * 2007-01-22 2008-07-31 Tokyo Electron Ltd 搬送システムの搬送位置合わせ方法
JP4522422B2 (ja) * 2007-02-21 2010-08-11 キヤノン株式会社 露光装置
US8339573B2 (en) * 2009-05-27 2012-12-25 3M Innovative Properties Company Method and apparatus for photoimaging a substrate
US20130079912A1 (en) * 2011-09-26 2013-03-28 Globalfoundries Inc. Methods and systems for semiconductor fabrication with local reticle management

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4690528A (en) * 1983-10-05 1987-09-01 Nippon Kogaku K. K. Projection exposure apparatus
US4999671A (en) * 1986-07-11 1991-03-12 Canon Kabushiki Kaisha Reticle conveying device
JP3336436B2 (ja) * 1991-04-02 2002-10-21 株式会社ニコン リソグラフィシステム、情報収集装置、露光装置、及び半導体デバイス製造方法
JP3493725B2 (ja) 1994-05-24 2004-02-03 株式会社ニコン 露光装置
US5559584A (en) * 1993-03-08 1996-09-24 Nikon Corporation Exposure apparatus
JP3306962B2 (ja) 1993-03-08 2002-07-24 株式会社ニコン 露光装置
JP3441973B2 (ja) * 1998-06-30 2003-09-02 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
DE19939088A1 (de) * 1998-08-18 2000-02-24 Nikon Corp Belichtungsvorrichtung und -verfahren
JP2000294496A (ja) 1999-04-08 2000-10-20 Canon Inc 半導体製造装置、基板収納ケースおよびデバイス製造方法
TW446858B (en) * 1999-04-21 2001-07-21 Asm Lithography Bv Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using such a lithographic projection apparatus, and device made by such a method of manufacturing

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004064079A (ja) * 2002-07-29 2004-02-26 Asml Holding Nv リソグラフィツール
KR100880196B1 (ko) * 2002-07-29 2009-01-28 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. 진공 챔버에 연결된 진공 레티클 라이브러리를 갖는리소그래피 도구
JP4485155B2 (ja) * 2002-07-29 2010-06-16 エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． リソグラフィツール
WO2004088741A1 (ja) * 2003-03-28 2004-10-14 Hirata Corporation 基板搬送システム
JPWO2004088741A1 (ja) * 2003-03-28 2006-07-06 平田機工株式会社 基板搬送システム
US7515245B2 (en) 2003-09-18 2009-04-07 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7670754B2 (en) 2003-12-03 2010-03-02 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus having a processing chamber, a vacuum chamber and first and second load lock chambers

Also Published As

Publication number Publication date
US6829038B2 (en) 2004-12-07
US7009684B2 (en) 2006-03-07
US20020071105A1 (en) 2002-06-13
US20050030505A1 (en) 2005-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002158155A (ja) 露光装置および露光方法
JP3595756B2 (ja) 露光装置、リソグラフィ装置、ロードロック装置、デバイス製造方法およびリソグラフィ方法
JP4689064B2 (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
EP1731967B1 (en) Exposure apparatus
JP2003045947A (ja) 基板処理装置及び露光装置
JP2002057100A (ja) 露光装置、コートデベロップ装置、デバイス製造システム、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法
JP2002372777A (ja) ガス置換方法および露光装置
JP2001326162A (ja) 半導体製造装置および半導体デバイス製造方法
US6734950B2 (en) Load-lock chamber and exposure apparatus using the same
JP2002050667A (ja) 基板搬送装置、半導体製造装置および半導体デバイス製造方法
JP2001284211A (ja) 露光装置、ガス置換方法、デバイス製造方法、半導体製造工場、保守方法
JP2002158153A (ja) 露光装置およびペリクル空間内ガス置換方法
JP2003031639A (ja) 基板処理装置、基板の搬送方法及び露光装置
JP2001284210A (ja) 露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法
WO2000051172A1 (fr) Systeme de sensibilisation, systeme de gravure optique et procede de convoyage, procede de production d'un dispositif, et dispositif y relatif
US20010027351A1 (en) Stocker, exposure apparatus, device manufacturing method, semiconductor manufacturing factory, and exposure apparatus maintenance method
JP2001274054A (ja) 露光装置、半導体デバイス製造方法および半導体デバイス製造工場
JP2002075856A (ja) ロードロックチャンバ及びそれを用いた露光装置
JP2001267237A (ja) 露光装置および露光方法
JP2003173964A (ja) 露光装置
JPWO2002093626A1 (ja) 露光方法及び装置、並びに基板の搬送方法及び装置
JP2001274220A (ja) 半導体製造装置
JP2003092327A (ja) 露光装置及び基板搬入出装置
JP2002134389A (ja) 露光装置
JP2001284217A (ja) 露光装置