JP2002134389A - 露光装置 - Google Patents
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/42—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera for automatic sequential copying of the same original
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- G—PHYSICS
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
Abstract
(57)【要約】
【課題】 照明系容器内および投影レンズ容器内の不活
性ガスヘの置換効率を高いものにし、大気から不活性ガ
スヘの置換にかかる時間を最小限にする露光装置を提供
する。 【解決手段】 露光光源１からの露光光により照明光学
系である光源レンズ系２を介してレチクルＲ１を照明
し、レチクルＲ１に形成されたパターンを投影光学系で
ある投影レンズ系６を介してウエハＷ１上に投影露光す
る露光装置であって、露光光源１からレチクルＲ１に至
る露光光の光路上に配置される光学レンズ系２および投
影レンズ系６を密閉する容器３を含む容器と、該容器内
に特定ガスを供給する手段と、該容器内を真空排気する
ための真空源１８と、該容器内圧力を一定圧力に制御す
る真空圧力制御器１９と該容器内圧力と大気との差圧を
所定圧力以下にするための圧力逃がし弁２０とを有す
る。
性ガスヘの置換効率を高いものにし、大気から不活性ガ
スヘの置換にかかる時間を最小限にする露光装置を提供
する。 【解決手段】 露光光源１からの露光光により照明光学
系である光源レンズ系２を介してレチクルＲ１を照明
し、レチクルＲ１に形成されたパターンを投影光学系で
ある投影レンズ系６を介してウエハＷ１上に投影露光す
る露光装置であって、露光光源１からレチクルＲ１に至
る露光光の光路上に配置される光学レンズ系２および投
影レンズ系６を密閉する容器３を含む容器と、該容器内
に特定ガスを供給する手段と、該容器内を真空排気する
ための真空源１８と、該容器内圧力を一定圧力に制御す
る真空圧力制御器１９と該容器内圧力と大気との差圧を
所定圧力以下にするための圧力逃がし弁２０とを有す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に強力な光束を
有し、雰囲気ガスを活性化しやすい紫外線やエキシマレ
ーザ光等を照明光とする露光装置に関するものである。
有し、雰囲気ガスを活性化しやすい紫外線やエキシマレ
ーザ光等を照明光とする露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体等の製造に用いられている露光装
置において、近年、パターン線幅の微細化のため、スル
ープット・解像度の向上が要求されるようになってい
る。これに伴い露光光としては、ますます高照度なもの
が要求されると同時に、露光光の短波長化が進んでい
る。
置において、近年、パターン線幅の微細化のため、スル
ープット・解像度の向上が要求されるようになってい
る。これに伴い露光光としては、ますます高照度なもの
が要求されると同時に、露光光の短波長化が進んでい
る。
【０００３】しかし、ｉ線（波長λ＝３６５［ｎｍ］）
を露光光とする露光装置およびｉ線より短波長の露光光
を用いる露光装置においては、短波長化により、露光光
が空気中の不純物を酸素と光化学反応をさせることが知
られており、かかる反応による生成物（曇り物質）がガ
ラス部材に付着し、ガラス部材に不透明な「曇り」が生
じるという不都合があった。ここで、曇り物質として
は、例えば亜硫酸（ＳＯ 2 ）が光のエネルギーを吸収し
て励起状態となると、空気中の酸素と反応（酸化）する
ことによって生じる硫酸アンモニウム（ＮＨ4 ）2 ＳＯ
4 が代表的にあげられる。この硫酸アンモニウムは白色
を帯びており、レンズやミラー等の光学部材の表面に付
着すると前記「曇り」状態となる。そして、露光光は硫
酸アンモニウムで散乱、吸収される結果、前記光学系の
透過率が減少することとなる。
を露光光とする露光装置およびｉ線より短波長の露光光
を用いる露光装置においては、短波長化により、露光光
が空気中の不純物を酸素と光化学反応をさせることが知
られており、かかる反応による生成物（曇り物質）がガ
ラス部材に付着し、ガラス部材に不透明な「曇り」が生
じるという不都合があった。ここで、曇り物質として
は、例えば亜硫酸（ＳＯ 2 ）が光のエネルギーを吸収し
て励起状態となると、空気中の酸素と反応（酸化）する
ことによって生じる硫酸アンモニウム（ＮＨ4 ）2 ＳＯ
4 が代表的にあげられる。この硫酸アンモニウムは白色
を帯びており、レンズやミラー等の光学部材の表面に付
着すると前記「曇り」状態となる。そして、露光光は硫
酸アンモニウムで散乱、吸収される結果、前記光学系の
透過率が減少することとなる。
【０００４】特に、ＫｒＦエキシマレーザのように、露
光光がｉ線より波長が短い２４８［ｎｍ］以下になる短
波長領域では、露光光がより強い光化学反応を起こさ
せ、前記「曇り」を生じるばかりでなく、同時に露光光
がさらに空気中の酸素を反応させてオゾンを発生し、残
存酸素と生成オゾンが共に露光光を吸収してしまう現象
がある。
光光がｉ線より波長が短い２４８［ｎｍ］以下になる短
波長領域では、露光光がより強い光化学反応を起こさ
せ、前記「曇り」を生じるばかりでなく、同時に露光光
がさらに空気中の酸素を反応させてオゾンを発生し、残
存酸素と生成オゾンが共に露光光を吸収してしまう現象
がある。
【０００５】そこで、光源のレンズ系や投影レンズ系等
の光学系を容器内に収容し、該容器の空気を窒素ガス等
の不活性なガスや不純物を取り除いた他のガスにより置
換することで各光学部材の汚染を防ぐ方法が開発されて
いる。
の光学系を容器内に収容し、該容器の空気を窒素ガス等
の不活性なガスや不純物を取り除いた他のガスにより置
換することで各光学部材の汚染を防ぐ方法が開発されて
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
その多様な照明条件や変形照明を実現するために露光装
置の照明系等は複雑化したため、メンテナンスが欠かせ
ないものとなっており、作業の度に不活性ガス充填空間
が度々外気にさらされることとなる。また、不活性ガス
として使用されるものには、Ｎ2 やＨｅ2 のように人体
に影響のあるものが少なくない。そのため、メンテナン
ス作業の間、不活性ガスの供給をストップする等して安
全性の確保が必要となり、メンテナンス作業の間に容器
内は大気で満たされてしまう。また、作業後には、再度
不活性ガスに置換することが必要となる。さらに、長期
にわたり露光装置を休止した場合にも、同様に不活性ガ
スヘの置換が必要となる。
その多様な照明条件や変形照明を実現するために露光装
置の照明系等は複雑化したため、メンテナンスが欠かせ
ないものとなっており、作業の度に不活性ガス充填空間
が度々外気にさらされることとなる。また、不活性ガス
として使用されるものには、Ｎ2 やＨｅ2 のように人体
に影響のあるものが少なくない。そのため、メンテナン
ス作業の間、不活性ガスの供給をストップする等して安
全性の確保が必要となり、メンテナンス作業の間に容器
内は大気で満たされてしまう。また、作業後には、再度
不活性ガスに置換することが必要となる。さらに、長期
にわたり露光装置を休止した場合にも、同様に不活性ガ
スヘの置換が必要となる。
【０００７】しかし、現状では照明系内および投影レン
ズ内の不活性ガス充填エリア内の構造が複雑化してお
り、大気から不活性ガスヘの置換の際に不活性ガスが流
れ込みにくい、よどみが多数存在する。このよどみに空
気がたまり、この空気が少量ずつ流出するため、容器内
が完全に不活性ガスヘ置換されるまでの時間が著しく引
き伸ばされてしまう。特に、投影レンズ内は構造が複雑
化しており、この容器内に空気だまりを防ぐ機構等を組
み込むことが不可能であった。
ズ内の不活性ガス充填エリア内の構造が複雑化してお
り、大気から不活性ガスヘの置換の際に不活性ガスが流
れ込みにくい、よどみが多数存在する。このよどみに空
気がたまり、この空気が少量ずつ流出するため、容器内
が完全に不活性ガスヘ置換されるまでの時間が著しく引
き伸ばされてしまう。特に、投影レンズ内は構造が複雑
化しており、この容器内に空気だまりを防ぐ機構等を組
み込むことが不可能であった。
【０００８】本発明は、上記従来の技術の未解決の課題
に鑑みてなされたものであり、照明系容器内および投影
レンズ容器内の不活性ガスヘの置換効率を高いものに
し、大気から不活性ガスヘの置換にかかる時間を最小限
にする露光装置を提供することを目的とする。
に鑑みてなされたものであり、照明系容器内および投影
レンズ容器内の不活性ガスヘの置換効率を高いものに
し、大気から不活性ガスヘの置換にかかる時間を最小限
にする露光装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
達成のため試行錯誤して検討した結果、以下の手段によ
って上記目的が達成されることを見いだし、本発明を完
成せしめた。
達成のため試行錯誤して検討した結果、以下の手段によ
って上記目的が達成されることを見いだし、本発明を完
成せしめた。
【００１０】すなわち、上記目的を達成するために、本
発明の露光装置は、露光光源からの露光光により照明光
学系を介して原版を照明し、該原版に形成されたパター
ンを投影光学系を介して基板上に投影露光する露光装置
において、前記照明光学系および前記投影光学系がそれ
ぞれ密閉された第１および第２の容器の内部に配置さ
れ、該第１および第２の容器には第１のガスおよび第２
のガスの流入口および流出口が設けられ、該第１および
／または第２の容器の内部のガスを該第１および／また
は第２のガスヘ置換する手段と、前記第１および第２の
容器内部における前記第１および／または第２のガスへ
の置換時に該第１および／または第２の容器の内部圧力
を負圧にするために真空排気する手段とを有することを
特徴とする。
発明の露光装置は、露光光源からの露光光により照明光
学系を介して原版を照明し、該原版に形成されたパター
ンを投影光学系を介して基板上に投影露光する露光装置
において、前記照明光学系および前記投影光学系がそれ
ぞれ密閉された第１および第２の容器の内部に配置さ
れ、該第１および第２の容器には第１のガスおよび第２
のガスの流入口および流出口が設けられ、該第１および
／または第２の容器の内部のガスを該第１および／また
は第２のガスヘ置換する手段と、前記第１および第２の
容器内部における前記第１および／または第２のガスへ
の置換時に該第１および／または第２の容器の内部圧力
を負圧にするために真空排気する手段とを有することを
特徴とする。
【００１１】本発明においては、前記第１のガスは不活
性ガスであり、前記第２のガスは特定活性ガスであるこ
とが好ましい。また、前記露光装置は、前記流出口に真
空源が接続され、かつ前記第１および第２の容器の内部
の圧力を制御する真空圧力制御器が該第１および第２の
容器から前記真空源に至る配管経路中に設けられている
ことが好ましい。
性ガスであり、前記第２のガスは特定活性ガスであるこ
とが好ましい。また、前記露光装置は、前記流出口に真
空源が接続され、かつ前記第１および第２の容器の内部
の圧力を制御する真空圧力制御器が該第１および第２の
容器から前記真空源に至る配管経路中に設けられている
ことが好ましい。
【００１２】また、前記露光装置は、前記第１および／
または第２の容器における前記第１および／または第２
のガスの濃度が所定の濃度に到達すると、前記真空源を
含む真空排気機構と大気開放機構とを自動切替えする手
段を有することが可能である。そして、前記露光装置
は、前記第１および／または第２の容器内部と大気との
差圧が所定の値を超えた場合に該各容器の内部圧力を大
気開放する圧力逃がし弁が設けられていることが好まし
い。さらに、前記露光装置は、前記第１および／または
第２の容器内部に導入する前記第１および／または第２
のガスの流量を制御する手段と、該各容器内部と大気と
の差圧を一定に制御する手段とを有するよう構成するこ
とができる。
または第２の容器における前記第１および／または第２
のガスの濃度が所定の濃度に到達すると、前記真空源を
含む真空排気機構と大気開放機構とを自動切替えする手
段を有することが可能である。そして、前記露光装置
は、前記第１および／または第２の容器内部と大気との
差圧が所定の値を超えた場合に該各容器の内部圧力を大
気開放する圧力逃がし弁が設けられていることが好まし
い。さらに、前記露光装置は、前記第１および／または
第２の容器内部に導入する前記第１および／または第２
のガスの流量を制御する手段と、該各容器内部と大気と
の差圧を一定に制御する手段とを有するよう構成するこ
とができる。
【００１３】また、前記露光装置は、前記真空圧力制御
器により内部圧力を所定の周波数で変化させることによ
り脈動を発生させ前記第１および／または第２の容器の
内部のガスを排気するものであり、前記第１および／ま
たは第２の容器の内部圧力を負圧で脈動させ前記第１お
よび／または第２のガスを該第１および／または第２の
容器へ供給するものであることが好ましい。
器により内部圧力を所定の周波数で変化させることによ
り脈動を発生させ前記第１および／または第２の容器の
内部のガスを排気するものであり、前記第１および／ま
たは第２の容器の内部圧力を負圧で脈動させ前記第１お
よび／または第２のガスを該第１および／または第２の
容器へ供給するものであることが好ましい。
【００１４】また、本発明の前記露光装置は、ディスプ
レイと、ネットワークインタフェースと、ネットワーク
用ソフトウェアを実行するコンピュータとをさらに有
し、露光装置の保守情報をコンピュータネットワークを
介してデータ通信するよう構成することが可能である。
さらに、前記ネットワーク用ソフトウェアは、前記露光
装置が設置された工場の外部ネットワークに接続され前
記露光装置のベンダ若しくはユーザが提供する保守デー
タベースにアクセスするためのユーザインタフェースを
前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネットワークを
介して該データベースから情報を得るよう構成すること
が可能である。
レイと、ネットワークインタフェースと、ネットワーク
用ソフトウェアを実行するコンピュータとをさらに有
し、露光装置の保守情報をコンピュータネットワークを
介してデータ通信するよう構成することが可能である。
さらに、前記ネットワーク用ソフトウェアは、前記露光
装置が設置された工場の外部ネットワークに接続され前
記露光装置のベンダ若しくはユーザが提供する保守デー
タベースにアクセスするためのユーザインタフェースを
前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネットワークを
介して該データベースから情報を得るよう構成すること
が可能である。
【００１５】本発明の半導体デバイス製造方法は、前記
露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製
造工場に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数の
プロセスによって半導体デバイスを製造する工程とを有
することを特徴とする。また、本発明の半導体デバイス
製造方法は、前記製造装置群をローカルエリアネットワ
ークで接続する工程と、前記ローカルエリアネットワー
クと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの間
で、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報をデ
ータ通信する工程とをさらに有することができる。さら
に、本発明の半導体デバイス製造方法は、前記露光装置
のベンダ若しくはユーザが提供するデータベースに前記
外部ネットワークを介してアクセスしてデータ通信によ
って前記製造装置の保守情報を得る、若しくは前記半導
体製造工場とは別の半導体製造工場との間で前記外部ネ
ットワークを介してデータ通信して生産管理を行うこと
が好ましい。
露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製
造工場に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数の
プロセスによって半導体デバイスを製造する工程とを有
することを特徴とする。また、本発明の半導体デバイス
製造方法は、前記製造装置群をローカルエリアネットワ
ークで接続する工程と、前記ローカルエリアネットワー
クと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの間
で、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報をデ
ータ通信する工程とをさらに有することができる。さら
に、本発明の半導体デバイス製造方法は、前記露光装置
のベンダ若しくはユーザが提供するデータベースに前記
外部ネットワークを介してアクセスしてデータ通信によ
って前記製造装置の保守情報を得る、若しくは前記半導
体製造工場とは別の半導体製造工場との間で前記外部ネ
ットワークを介してデータ通信して生産管理を行うこと
が好ましい。
【００１６】本発明の露光装置を収容する半導体製造工
場は、前記露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群
と、該製造装置群を接続するローカルエリアネットワー
クと、該ローカルエリアネットワークから工場外の外部
ネットワークにアクセス可能にするゲートウェイを有
し、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報をデ
ータ通信することを特徴とする。
場は、前記露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群
と、該製造装置群を接続するローカルエリアネットワー
クと、該ローカルエリアネットワークから工場外の外部
ネットワークにアクセス可能にするゲートウェイを有
し、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報をデ
ータ通信することを特徴とする。
【００１７】本発明の露光装置の保守方法は、半導体製
造工場に設置された前記露光装置の保守方法であって、
前記露光装置のベンダ若しくはユーザが、半導体製造工
場の外部ネットワークに接続された保守データベースを
提供する工程と、前記半導体製造工場内から前記外部ネ
ットワークを介して前記保守データベースへのアクセス
を許可する工程と、前記保守データベースに蓄積される
保守情報を前記外部ネットワークを介して半導体製造工
場側に送信する工程とを有することを特徴とする。
造工場に設置された前記露光装置の保守方法であって、
前記露光装置のベンダ若しくはユーザが、半導体製造工
場の外部ネットワークに接続された保守データベースを
提供する工程と、前記半導体製造工場内から前記外部ネ
ットワークを介して前記保守データベースへのアクセス
を許可する工程と、前記保守データベースに蓄積される
保守情報を前記外部ネットワークを介して半導体製造工
場側に送信する工程とを有することを特徴とする。
【００１８】
【作用】照明系（照明光学系）および投影レンズ（投影
光学系）の容器排出口に真空源を接続し、かつ容器内の
圧力を制御する真空圧力制御器を排気側に設け、大気等
から不活性ガス等への置換時に容器内を真空排気するこ
とにより、容器内の空気だまり部に存在していた気体
（大気等）を短時間に排出することができる。これによ
り、容器内の全域に不活性ガスが流れ込み、空気だまり
が無くなり、置換しようとする不活性ガスとそれ以前に
存在していた気体（大気等）が容器内全域においてムラ
なく混ざる。混ざった気体は、容器内から真空排気口を
通って排出され、新たに純粋な不活性ガスが次々に供給
口から供給される。そのため、空間内全域で均一に不活
性ガス濃度があがり、短時間に不活性ガスヘの置換が進
む。
光学系）の容器排出口に真空源を接続し、かつ容器内の
圧力を制御する真空圧力制御器を排気側に設け、大気等
から不活性ガス等への置換時に容器内を真空排気するこ
とにより、容器内の空気だまり部に存在していた気体
（大気等）を短時間に排出することができる。これによ
り、容器内の全域に不活性ガスが流れ込み、空気だまり
が無くなり、置換しようとする不活性ガスとそれ以前に
存在していた気体（大気等）が容器内全域においてムラ
なく混ざる。混ざった気体は、容器内から真空排気口を
通って排出され、新たに純粋な不活性ガスが次々に供給
口から供給される。そのため、空間内全域で均一に不活
性ガス濃度があがり、短時間に不活性ガスヘの置換が進
む。
【００１９】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を用いて詳細に説明する。 ［露光装置の実施形態］図１は、本発明の一実施形態に
係る露光装置の全体構成を概略的に示す図である。本実
施形態の露光装置Ｅ１は、一般にエキシマレーザからな
る露光光源１と、光源１から発せられた照明光であるレ
ーザ光Ｌ１を所定の形状の光束に成形する照明光学系で
ある光源レンズ系２と、光源レンズ系２によって所定の
形状に形成されたレーザ光Ｌ１を原版であるレチクルＲ
１を経て基板であるウエハＷ１に結像させる投影光学系
である投影レンズ系６からなる。
図面を用いて詳細に説明する。 ［露光装置の実施形態］図１は、本発明の一実施形態に
係る露光装置の全体構成を概略的に示す図である。本実
施形態の露光装置Ｅ１は、一般にエキシマレーザからな
る露光光源１と、光源１から発せられた照明光であるレ
ーザ光Ｌ１を所定の形状の光束に成形する照明光学系で
ある光源レンズ系２と、光源レンズ系２によって所定の
形状に形成されたレーザ光Ｌ１を原版であるレチクルＲ
１を経て基板であるウエハＷ１に結像させる投影光学系
である投影レンズ系６からなる。
【００２０】光源レンズ系２は、多数のレンズ、ミラー
４ａ，４ｂ等の光学要素を含んで構成され、光源１から
のレーザ光Ｌ１をレチクルＲ１上の照明領域を均一な照
度で照明する。この光源レンズ系２は、コリメータレン
ズ５ａ，５ｂ、オプティカルインテグレータとしてのフ
ライアイレンズ８、コンデンサレンズ７ａ，７ｂ，７
ｃ、レチクルＲ１上の照明領域の形状を規定するブライ
ンド部９等のサブユニットによって構成される。光源レ
ンズ系２は、容器（第１の容器）３の内部に配置され、
容器３内部はガスの流入口から不活性ガス（第１のガ
ス）である窒素ガスを供給する窒素ガス供給装置１１
と、窒素ガス供給ライン（配管）１２と、窒素ガス供給
ライン１２に設けられた開閉弁である電磁弁１３とを介
して接続される。さらに、容器３のガスの流出口に接続
されたガス排気ライン（配管）１５には、真空排気用真
空源１８、真空圧力制御器１９および酸素濃度計２１等
からなる真空排気機構とガス排気（換気）装置１４等に
よる大気開放機構とを切替え可能なガス排気切替え装置
１６（容器３内部におけるガスの濃度が所定の濃度に達
すると真空排気機構と大気開放機構とを自動切替え可
能）が接続される。
４ａ，４ｂ等の光学要素を含んで構成され、光源１から
のレーザ光Ｌ１をレチクルＲ１上の照明領域を均一な照
度で照明する。この光源レンズ系２は、コリメータレン
ズ５ａ，５ｂ、オプティカルインテグレータとしてのフ
ライアイレンズ８、コンデンサレンズ７ａ，７ｂ，７
ｃ、レチクルＲ１上の照明領域の形状を規定するブライ
ンド部９等のサブユニットによって構成される。光源レ
ンズ系２は、容器（第１の容器）３の内部に配置され、
容器３内部はガスの流入口から不活性ガス（第１のガ
ス）である窒素ガスを供給する窒素ガス供給装置１１
と、窒素ガス供給ライン（配管）１２と、窒素ガス供給
ライン１２に設けられた開閉弁である電磁弁１３とを介
して接続される。さらに、容器３のガスの流出口に接続
されたガス排気ライン（配管）１５には、真空排気用真
空源１８、真空圧力制御器１９および酸素濃度計２１等
からなる真空排気機構とガス排気（換気）装置１４等に
よる大気開放機構とを切替え可能なガス排気切替え装置
１６（容器３内部におけるガスの濃度が所定の濃度に達
すると真空排気機構と大気開放機構とを自動切替え可
能）が接続される。
【００２１】上記した窒素ガス供給装置１１、ガス排気
切替え装置１６およびガス排気装置１４の作動するタイ
ミングは、コントローラ１０に設定されたプログラムに
より行われる。
切替え装置１６およびガス排気装置１４の作動するタイ
ミングは、コントローラ１０に設定されたプログラムに
より行われる。
【００２２】通常の露光装置の作動時には、窒素ガス供
給ライン１２とガス供給装置１１内の流量制御器により
供給ガス圧力を精度良く一定に保たれた（制御された）
ガスが供給される。ここで、ガス切替え装置１６の切替
は、大気開放側であるガス排気装置１４に切り替えら
れ、連続して、あるいは断続的にガスが供給され、窒素
ガスヘの置換が常に行われているように設定される。
給ライン１２とガス供給装置１１内の流量制御器により
供給ガス圧力を精度良く一定に保たれた（制御された）
ガスが供給される。ここで、ガス切替え装置１６の切替
は、大気開放側であるガス排気装置１４に切り替えら
れ、連続して、あるいは断続的にガスが供給され、窒素
ガスヘの置換が常に行われているように設定される。
【００２３】以上のように、光学部品が配置された場
合、窒素が流れ込みにくい場所１７ａ，１７ｂ，１７
ｃ，１７ｄ，１７ｅの内圧（内部圧力）と大気との差圧
が所定の値を超えた際、それ以上の圧力にならない様、
大気開放可能な圧力逃がし弁２０を設けている。真空排
気用真空源１８は、真空圧力制御器１９に接続され、容
器３内の内部圧力を負圧で一定に制御する（差圧を一定
制御可能）。また真空圧力制御器１９により内部圧力を
適当な周波数で変化させ脈動を発生させてもよい（排気
可能）。メンテナンス等の理由から容器３を開放して作
業した場合は、容器３内に大気が流入する。また、再び
露光装置Ｅ１を稼動する場合、容器３内を大気から不活
性ガスヘ再置換する必要がある。この場合、排気口側の
ガス排気切替え装置１６により真空排気側に切り替えて
容器３を真空排気する。そして、容器３の内圧を負圧の
適性な圧力とし、または内圧を負圧で脈動させ窒素ガス
供給装置１１よりガスを供給する。
合、窒素が流れ込みにくい場所１７ａ，１７ｂ，１７
ｃ，１７ｄ，１７ｅの内圧（内部圧力）と大気との差圧
が所定の値を超えた際、それ以上の圧力にならない様、
大気開放可能な圧力逃がし弁２０を設けている。真空排
気用真空源１８は、真空圧力制御器１９に接続され、容
器３内の内部圧力を負圧で一定に制御する（差圧を一定
制御可能）。また真空圧力制御器１９により内部圧力を
適当な周波数で変化させ脈動を発生させてもよい（排気
可能）。メンテナンス等の理由から容器３を開放して作
業した場合は、容器３内に大気が流入する。また、再び
露光装置Ｅ１を稼動する場合、容器３内を大気から不活
性ガスヘ再置換する必要がある。この場合、排気口側の
ガス排気切替え装置１６により真空排気側に切り替えて
容器３を真空排気する。そして、容器３の内圧を負圧の
適性な圧力とし、または内圧を負圧で脈動させ窒素ガス
供給装置１１よりガスを供給する。
【００２４】また、上記説明は照明系装置について行っ
たが、投影レンズ系６におけるレンズ容器（第２の容
器）内の不活性ガス等のガス置換（不図示）において
も、同様な方法により、同様な効果を得ることができ
る。また、ウエハステージ空間やレチクルステージ空間
等を密閉空間容器（第３、第４の容器）として、不活性
ガス等のガス置換（不図示）においても、同様な方法に
より、同様な効果を得ることができる。
たが、投影レンズ系６におけるレンズ容器（第２の容
器）内の不活性ガス等のガス置換（不図示）において
も、同様な方法により、同様な効果を得ることができ
る。また、ウエハステージ空間やレチクルステージ空間
等を密閉空間容器（第３、第４の容器）として、不活性
ガス等のガス置換（不図示）においても、同様な方法に
より、同様な効果を得ることができる。
【００２５】上記説明したように、窒素が流れ込みにく
い場所１７ａ〜１７ｅの部位や投影レンズ系６内の不図
示の空気だまり部にも強制的に流れを作り出し、大気の
空気だまりを早期に消滅させることができる。
い場所１７ａ〜１７ｅの部位や投影レンズ系６内の不図
示の空気だまり部にも強制的に流れを作り出し、大気の
空気だまりを早期に消滅させることができる。
【００２６】なお、不活性ガスとしては、窒素に限ら
ず、ヘリウム等であっても良い。また、不活性ガスに限
らず、クリーンドライエアや光学部材洗浄用のオゾン等
の特定活性ガス（第２のガス）であっても良い。
ず、ヘリウム等であっても良い。また、不活性ガスに限
らず、クリーンドライエアや光学部材洗浄用のオゾン等
の特定活性ガス（第２のガス）であっても良い。
【００２７】［半導体生産システムの実施形態］次に、
上記説明した露光装置を利用した半導体等のデバイス
（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣ
Ｄ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の生産システ
ムの例を説明する。これは、半導体製造工場に設置され
た製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、若しく
はソフトウェア提供等の保守サービスを、製造工場外の
コンピュータネットワーク等を利用して行うものであ
る。
上記説明した露光装置を利用した半導体等のデバイス
（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣ
Ｄ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の生産システ
ムの例を説明する。これは、半導体製造工場に設置され
た製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、若しく
はソフトウェア提供等の保守サービスを、製造工場外の
コンピュータネットワーク等を利用して行うものであ
る。
【００２８】図２は、全体システムをある角度から切り
出して表現したものである。図中、１０１は半導体デバ
イスの製造装置を提供するベンダ（装置供給メーカ）の
事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工場
で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、
前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチン
グ装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、
平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置
等）を想定している。事業所１０１内には、製造装置の
保守データベースを提供するホスト管理システム１０
８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結ん
でイントラネット等を構築するローカルエリアネットワ
ーク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１
０８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークであ
るインターネット１０５に接続するためのゲートウェイ
と、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を
備える。
出して表現したものである。図中、１０１は半導体デバ
イスの製造装置を提供するベンダ（装置供給メーカ）の
事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工場
で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、
前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチン
グ装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、
平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置
等）を想定している。事業所１０１内には、製造装置の
保守データベースを提供するホスト管理システム１０
８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結ん
でイントラネット等を構築するローカルエリアネットワ
ーク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１
０８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークであ
るインターネット１０５に接続するためのゲートウェイ
と、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を
備える。
【００２９】一方、１０２〜１０４は、製造装置のユー
ザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工
場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカに属する工場
であっても良いし、同一のメーカに属する工場（例え
ば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良
い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の製造装
置１０６と、それらを結んでイントラネット等を構築す
るローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１と、各
製造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホ
スト管理システム１０７とが設けられている。各工場１
０２〜１０４に設けられたホスト管理システム１０７
は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワーク
であるインターネット１１０５に接続するためのゲート
ウェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１から
インターネット１０５を介してベンダ１０１側のホスト
管理システム１０８にアクセスが可能となり、ホスト管
理システム１０８のセキュリティ機能によって限られた
ユーザだけがアクセスが許可となっている。具体的に
は、インターネット１０５を介して、各製造装置１０６
の稼動状況を示すステータス情報（例えば、トラブルが
発生した製造装置の症状）を工場側からベンダ側に通知
する他、その通知に対応する応答情報（例えば、トラブ
ルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソフトウ
ェアやデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報等
の保守情報をベンダ側から受け取ることができる。各工
場１０２〜１０４とベンダ１０１との間のデータ通信お
よび各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通信には、イン
ターネットで一般的に使用されている通信プロトコル
（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネ
ットワークとしてインターネットを利用する代わりに、
第三者からのアクセスができずにセキュリティの高い専
用線ネットワーク（ＩＳＤＮ等）を利用することもでき
る。また、ホスト管理システムはベンダが提供するもの
に限らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワ
ーク上に置き、ユーザの複数の工場から該データベース
へのアクセスを許可するようにしてもよい。
ザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工
場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカに属する工場
であっても良いし、同一のメーカに属する工場（例え
ば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良
い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の製造装
置１０６と、それらを結んでイントラネット等を構築す
るローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１と、各
製造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホ
スト管理システム１０７とが設けられている。各工場１
０２〜１０４に設けられたホスト管理システム１０７
は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワーク
であるインターネット１１０５に接続するためのゲート
ウェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１から
インターネット１０５を介してベンダ１０１側のホスト
管理システム１０８にアクセスが可能となり、ホスト管
理システム１０８のセキュリティ機能によって限られた
ユーザだけがアクセスが許可となっている。具体的に
は、インターネット１０５を介して、各製造装置１０６
の稼動状況を示すステータス情報（例えば、トラブルが
発生した製造装置の症状）を工場側からベンダ側に通知
する他、その通知に対応する応答情報（例えば、トラブ
ルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソフトウ
ェアやデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報等
の保守情報をベンダ側から受け取ることができる。各工
場１０２〜１０４とベンダ１０１との間のデータ通信お
よび各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通信には、イン
ターネットで一般的に使用されている通信プロトコル
（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネ
ットワークとしてインターネットを利用する代わりに、
第三者からのアクセスができずにセキュリティの高い専
用線ネットワーク（ＩＳＤＮ等）を利用することもでき
る。また、ホスト管理システムはベンダが提供するもの
に限らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワ
ーク上に置き、ユーザの複数の工場から該データベース
へのアクセスを許可するようにしてもよい。
【００３０】さて、図３は、本実施形態の全体システム
を図２とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例では、それぞれが製造装置を備えた複数のユ
ーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外
部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介し
て各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報
をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複
数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装
置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部
ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデー
タ通信するものである。図中、２０１は製造装置ユーザ
（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、工場
の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここで
は例として露光装置２０２、レジスト処理装置２０３、
成膜処理装置２０４が導入されている。なお、図３で
は、製造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複
数の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の
各装置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネット等を
構成し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼動
管理がされている。一方、露光装置メーカ２１０、レジ
スト処理装置メーカ２２０、成膜装置メーカ２３０等、
ベンダ（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供
給した機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム
２１１，２２１，２３１を備え、これらは上述したよう
に保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイ
を備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホス
ト管理システム２０５と、各装置のベンダの管理システ
ム２１１，２２１，２３１とは、外部ネットワーク２０
０であるインターネット若しくは専用線ネットワークに
よって接続されている。このシステムにおいて、製造ラ
インの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きる
と、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが
起きた機器のベンダからインターネット２００を介した
遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ライ
ンの休止を最小限に抑えることができる。
を図２とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例では、それぞれが製造装置を備えた複数のユ
ーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外
部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介し
て各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報
をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複
数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装
置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部
ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデー
タ通信するものである。図中、２０１は製造装置ユーザ
（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、工場
の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここで
は例として露光装置２０２、レジスト処理装置２０３、
成膜処理装置２０４が導入されている。なお、図３で
は、製造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複
数の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の
各装置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネット等を
構成し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼動
管理がされている。一方、露光装置メーカ２１０、レジ
スト処理装置メーカ２２０、成膜装置メーカ２３０等、
ベンダ（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供
給した機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム
２１１，２２１，２３１を備え、これらは上述したよう
に保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイ
を備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホス
ト管理システム２０５と、各装置のベンダの管理システ
ム２１１，２２１，２３１とは、外部ネットワーク２０
０であるインターネット若しくは専用線ネットワークに
よって接続されている。このシステムにおいて、製造ラ
インの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きる
と、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが
起きた機器のベンダからインターネット２００を介した
遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ライ
ンの休止を最小限に抑えることができる。
【００３１】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェア並びに装置動作用のソフトウェアを実行す
るコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモリ
やハードディスク、若しくはネットワークファイルサー
バ等である。上記ネットワークアクセス用ソフトウェア
は、専用または汎用のウェブブラウザを含み、例えば図
４に一例を示す様な画面のユーザインタフェースをディ
スプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理するオ
ペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種４０
１、シリアルナンバー４０２、トラブルの件名４０３、
発生日４０４、緊急度４０５、症状４０６、対処法４０
７、経過４０８等の情報を画面上の入力項目に入力す
る。入力された情報はインターネットを介して保守デー
タベースに送信され、その結果の適切な保守情報が保守
データベースから返信されディスプレイ上に提示され
る。また、ウェブブラウザが提供するユーザインタフェ
ースは、さらに図示のごとくハイパーリンク機能４１
０，４１１，４１２を実現し、オペレータは各項目の更
に詳細な情報にアクセスしたり、ベンダが提供するソフ
トウェアライブラリから製造装置に使用する最新バージ
ョンのソフトウェアを引出したり、工場のオペレータの
参考に供する操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりす
ることができる。ここで、保守データベースが提供する
保守情報には、上記説明した本発明に関する情報も含ま
れ、また前記ソフトウェアライブラリは本発明を実現す
るための最新のソフトウェアも提供する。
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェア並びに装置動作用のソフトウェアを実行す
るコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモリ
やハードディスク、若しくはネットワークファイルサー
バ等である。上記ネットワークアクセス用ソフトウェア
は、専用または汎用のウェブブラウザを含み、例えば図
４に一例を示す様な画面のユーザインタフェースをディ
スプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理するオ
ペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種４０
１、シリアルナンバー４０２、トラブルの件名４０３、
発生日４０４、緊急度４０５、症状４０６、対処法４０
７、経過４０８等の情報を画面上の入力項目に入力す
る。入力された情報はインターネットを介して保守デー
タベースに送信され、その結果の適切な保守情報が保守
データベースから返信されディスプレイ上に提示され
る。また、ウェブブラウザが提供するユーザインタフェ
ースは、さらに図示のごとくハイパーリンク機能４１
０，４１１，４１２を実現し、オペレータは各項目の更
に詳細な情報にアクセスしたり、ベンダが提供するソフ
トウェアライブラリから製造装置に使用する最新バージ
ョンのソフトウェアを引出したり、工場のオペレータの
参考に供する操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりす
ることができる。ここで、保守データベースが提供する
保守情報には、上記説明した本発明に関する情報も含ま
れ、また前記ソフトウェアライブラリは本発明を実現す
るための最新のソフトウェアも提供する。
【００３２】次に、上記説明した生産システムを利用し
た半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図５は、
半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示
す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路
設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回
路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステッ
プ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエ
ハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程
と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソ
グラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成す
る。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ス
テップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チッ
プ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、
ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等
の組立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デ
バイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工
程と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの
工場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守が
なされる。また、前工程工場と後工程工場との間でも、
インターネットまたは専用線ネットワークを介して生産
管理や装置保守のための情報等がデータ通信される。
た半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図５は、
半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示
す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路
設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回
路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステッ
プ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエ
ハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程
と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソ
グラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成す
る。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ス
テップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チッ
プ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、
ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等
の組立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デ
バイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工
程と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの
工場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守が
なされる。また、前工程工場と後工程工場との間でも、
インターネットまたは専用線ネットワークを介して生産
管理や装置保守のための情報等がデータ通信される。
【００３３】図６は、上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造
機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
されているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしト
ラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて
半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造
機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
されているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしト
ラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて
半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
これら不活性ガス充填空間を大気等から不活性ガスに置
換する際、容器内の内部圧力を負圧に保ち、かつ不活性
ガスを供給することにより容器内の全空間の気体を均一
に混合して排出することにより、空気だまりを残すこと
なく、確実な置換をより短時間で行うことができる。こ
れにより、メンテナンス等で不活性ガス充填空間を大気
にさらした後等でも、より早く不活性ガスヘの置換が終
了（高置換効率）し、露光装置を運転可能状態に早く復
帰させることができるため、生産量低下を最小限に押さ
えることができる。
これら不活性ガス充填空間を大気等から不活性ガスに置
換する際、容器内の内部圧力を負圧に保ち、かつ不活性
ガスを供給することにより容器内の全空間の気体を均一
に混合して排出することにより、空気だまりを残すこと
なく、確実な置換をより短時間で行うことができる。こ
れにより、メンテナンス等で不活性ガス充填空間を大気
にさらした後等でも、より早く不活性ガスヘの置換が終
了（高置換効率）し、露光装置を運転可能状態に早く復
帰させることができるため、生産量低下を最小限に押さ
えることができる。
【図１】 本発明の一実施形態に係る露光装置の全体構
成を概略的に示す図である。
成を概略的に示す図である。
【図２】 本発明の一実施形態に係る露光装置を含む半
導体デバイスの生産システムをある角度から見た概念図
である。
導体デバイスの生産システムをある角度から見た概念図
である。
【図３】 本発明の一実施形態に係る露光装置を含む半
導体デバイスの生産システムを別の角度から見た概念図
である。
導体デバイスの生産システムを別の角度から見た概念図
である。
【図４】 本発明の一実施形態に係る露光装置を含む半
導体デバイスの生産システムにおけるユーザインタフェ
ースの具体例を示す図である。
導体デバイスの生産システムにおけるユーザインタフェ
ースの具体例を示す図である。
【図５】 本発明の一実施形態に係る露光装置によるデ
バイスの製造プロセスのフローを説明する図である。
バイスの製造プロセスのフローを説明する図である。
【図６】 本発明の一実施形態に係る露光装置によるウ
エハプロセスを説明する図である。
エハプロセスを説明する図である。
Ｅ１：露光装置（エキシマレーザステッパ）、Ｌ１：レ
ーザ光、Ｒ１：レチクル、Ｗ１：ウエハ、１：露光光
源、２：光源レンズ系、３：容器、４ａ，４ｂ：ミラ
ー、５ａ，５ｂ：コリメータレンズ、６：投影レンズ
系、７ａ，７ｂ，７ｃ：コンデンサレンズ、８：フライ
アイレンズ、９：ブラインド部、１０：コントローラ、
１１：窒素ガス供給装置、１２：窒素ガス供給ライン、
１３：電磁弁、１４：ガス排気装置、１５：ガス排気ラ
イン、１６：ガス排気切替え装置、１７ａ，１７ｂ，１
７ｃ，１７ｄ，１７ｅ：窒素が流れ込みにくい場所、１
８：真空源、１９：真空圧力制御器、２０：圧力逃がし
弁、２１：酸素濃度計、１０１：ベンダの事業所、１０
２，１０３，１０４：製造工場、１０５：インターネッ
ト、１０６：製造装置、１０７：工場のホスト管理シス
テム、１０８：ベンダ側のホスト管理システム、１０
９：ベンダ側のローカルエリアネットワーク（ＬＡ
Ｎ）、１１０：操作端末コンピュータ、１１１：工場の
ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、２００：外部
ネットワーク、２０１：製造装置ユーザの製造工場、２
０２：露光装置、２０３：レジスト処理装置、２０４：
成膜処理装置、２０５：工場のホスト管理システム、２
０６：工場のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、
２１０：露光装置メーカ、２１１：露光装置メーカの事
業所のホスト管理システム、２２０：レジスト処理装置
メーカ、２２１：レジスト処理装置メーカの事業所のホ
スト管理システム、２３０：成膜装置メーカ、２３１：
成膜装置メーカの事業所のホスト管理システム、４０
１：製造装置の機種、４０２：シリアルナンバー、４０
３：トラブルの件名、４０４：発生日、４０５：緊急
度、４０６：症状、４０７：対処法、４０８：経過、４
１０，４１１，４１２：ハイパーリンク機能。
ーザ光、Ｒ１：レチクル、Ｗ１：ウエハ、１：露光光
源、２：光源レンズ系、３：容器、４ａ，４ｂ：ミラ
ー、５ａ，５ｂ：コリメータレンズ、６：投影レンズ
系、７ａ，７ｂ，７ｃ：コンデンサレンズ、８：フライ
アイレンズ、９：ブラインド部、１０：コントローラ、
１１：窒素ガス供給装置、１２：窒素ガス供給ライン、
１３：電磁弁、１４：ガス排気装置、１５：ガス排気ラ
イン、１６：ガス排気切替え装置、１７ａ，１７ｂ，１
７ｃ，１７ｄ，１７ｅ：窒素が流れ込みにくい場所、１
８：真空源、１９：真空圧力制御器、２０：圧力逃がし
弁、２１：酸素濃度計、１０１：ベンダの事業所、１０
２，１０３，１０４：製造工場、１０５：インターネッ
ト、１０６：製造装置、１０７：工場のホスト管理シス
テム、１０８：ベンダ側のホスト管理システム、１０
９：ベンダ側のローカルエリアネットワーク（ＬＡ
Ｎ）、１１０：操作端末コンピュータ、１１１：工場の
ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、２００：外部
ネットワーク、２０１：製造装置ユーザの製造工場、２
０２：露光装置、２０３：レジスト処理装置、２０４：
成膜処理装置、２０５：工場のホスト管理システム、２
０６：工場のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、
２１０：露光装置メーカ、２１１：露光装置メーカの事
業所のホスト管理システム、２２０：レジスト処理装置
メーカ、２２１：レジスト処理装置メーカの事業所のホ
スト管理システム、２３０：成膜装置メーカ、２３１：
成膜装置メーカの事業所のホスト管理システム、４０
１：製造装置の機種、４０２：シリアルナンバー、４０
３：トラブルの件名、４０４：発生日、４０５：緊急
度、４０６：症状、４０７：対処法、４０８：経過、４
１０，４１１，４１２：ハイパーリンク機能。
Claims (14)
- 【請求項１】 露光光源からの露光光により照明光学系
を介して原版を照明し、該原版に形成されたパターンを
投影光学系を介して基板上に投影露光する露光装置にお
いて、 前記照明光学系および前記投影光学系がそれぞれ密閉さ
れた第１および第２の容器の内部に配置され、 該第１および第２の容器には第１のガスおよび第２のガ
スの流入口および流出口が設けられ、該第１および／ま
たは第２の容器の内部のガスを該第１および／または第
２のガスヘ置換する手段と、 前記第１および第２の容器内部における前記第１および
／または第２のガスへの置換時に該第１および／または
第２の容器の内部圧力を負圧にするために真空排気する
手段とを有することを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 前記第１のガスは不活性ガスであり、前
記第２のガスは特定活性ガスであることを特徴とする請
求項１に記載の露光装置。 - 【請求項３】 前記露光装置は、前記流出口に真空源が
接続され、かつ前記第１および第２の容器の内部の圧力
を制御する真空圧力制御器が該第１および第２の容器か
ら前記真空源に至る配管経路中に設けられていることを
特徴とする請求項１に記載の露光装置。 - 【請求項４】 前記露光装置は、前記第１および／また
は第２の容器における前記第１および／または第２のガ
スの濃度が所定の濃度に到達すると、前記真空源を含む
真空排気機構と大気開放機構とを自動切替えする手段を
有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載
の露光装置。 - 【請求項５】 前記露光装置は、前記第１および／また
は第２の容器内部と大気との差圧が所定の値を超えた場
合に該各容器の内部圧力を大気開放する圧力逃がし弁が
設けられていることを特徴とする請求項１〜４のいずれ
かに記載の露光装置。 - 【請求項６】 前記露光装置は、前記第１および／また
は第２の容器内部に導入する前記第１および／または第
２のガスの流量を制御する手段と、該各容器内部と大気
との差圧を一定に制御する手段とを有することを特徴と
する請求項１〜５のいずれかに記載の露光装置。 - 【請求項７】 前記露光装置は、前記真空圧力制御器に
より内部圧力を所定の周波数で変化させることにより脈
動を発生させ前記第１および／または第２の容器の内部
のガスを排気するものであり、前記第１および／または
第２の容器の内部圧力を負圧で脈動させ前記第１および
／または第２のガスを該第１および／または第２の容器
へ供給するものであることを特徴とする請求項３〜６の
いずれかに記載の露光装置。 - 【請求項８】 請求項１〜７のいずれかに記載の露光装
置において、ディスプレイと、ネットワークインタフェ
ースと、ネットワーク用ソフトウェアを実行するコンピ
ュータとをさらに有し、露光装置の保守情報をコンピュ
ータネットワークを介してデータ通信することを可能に
することを特徴とする露光装置。 - 【請求項９】 前記ネットワーク用ソフトウェアは、前
記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接続
され前記露光装置のベンダ若しくはユーザが提供する保
守データベースにアクセスするためのユーザインタフェ
ースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネットワ
ークを介して該データベースから情報を得ることを可能
にすることを特徴とする請求項８に記載の露光装置。 - 【請求項１０】 請求項１〜９のいずれかに記載の露光
装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工
場に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロ
セスによって半導体デバイスを製造する工程とを有する
ことを特徴とする半導体デバイス製造方法。 - 【請求項１１】 前記製造装置群をローカルエリアネッ
トワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネット
ワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの
間で、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報を
データ通信する工程とをさらに有することを特徴とする
請求項１０に記載の半導体デバイス製造方法。 - 【請求項１２】 前記露光装置のベンダ若しくはユーザ
が提供するデータベースに前記外部ネットワークを介し
てアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の保守
情報を得る、若しくは前記半導体製造工場とは別の半導
体製造工場との間で前記外部ネットワークを介してデー
タ通信して生産管理を行うことを特徴とする請求項１１
に記載の半導体デバイス製造方法。 - 【請求項１３】 請求項１〜９のいずれかに記載の露光
装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造装置
群を接続するローカルエリアネットワークと、該ローカ
ルエリアネットワークから工場外の外部ネットワークに
アクセス可能にするゲートウェイを有し、前記製造装置
群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信すること
を可能にすることを特徴とする半導体製造工場。 - 【請求項１４】 半導体製造工場に設置された請求項１
〜９のいずれかに記載の露光装置の保守方法であって、
前記露光装置のベンダ若しくはユーザが、半導体製造工
場の外部ネットワークに接続された保守データベースを
提供する工程と、前記半導体製造工場内から前記外部ネ
ットワークを介して前記保守データベースへのアクセス
を許可する工程と、前記保守データベースに蓄積される
保守情報を前記外部ネットワークを介して半導体製造工
場側に送信する工程とを有することを特徴とする露光装
置の保守方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000322331A JP2002134389A (ja) | 2000-10-23 | 2000-10-23 | 露光装置 |
| US09/975,989 US6778255B2 (en) | 2000-10-23 | 2001-10-15 | Exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000322331A JP2002134389A (ja) | 2000-10-23 | 2000-10-23 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002134389A true JP2002134389A (ja) | 2002-05-10 |
Family
ID=18800230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000322331A Pending JP2002134389A (ja) | 2000-10-23 | 2000-10-23 | 露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6778255B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002134389A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010040831A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Orc Mfg Co Ltd | 露光装置における基板の露光方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7230964B2 (en) * | 2001-04-09 | 2007-06-12 | Cymer, Inc. | Lithography laser with beam delivery and beam pointing control |
| US7385673B2 (en) * | 2005-06-10 | 2008-06-10 | International Business Machines Corporation | Immersion lithography with equalized pressure on at least projection optics component and wafer |
| EP2287644B1 (en) * | 2009-08-18 | 2014-04-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Light source device and method of producing the same |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4690528A (en) * | 1983-10-05 | 1987-09-01 | Nippon Kogaku K. K. | Projection exposure apparatus |
| JP3336436B2 (ja) * | 1991-04-02 | 2002-10-21 | 株式会社ニコン | リソグラフィシステム、情報収集装置、露光装置、及び半導体デバイス製造方法 |
| US5559584A (en) * | 1993-03-08 | 1996-09-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| US5696623A (en) * | 1993-08-05 | 1997-12-09 | Fujitsu Limited | UV exposure with elongated service lifetime |
| US6341006B1 (en) * | 1995-04-07 | 2002-01-22 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
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| WO1999010917A1 (fr) * | 1997-08-26 | 1999-03-04 | Nikon Corporation | Dispositif d'alignement, procede d'exposition, procede de regulation de la pression d'un systeme optique de projection, et procede de montage du dispositif d'alignement |
| DE19939088A1 (de) * | 1998-08-18 | 2000-02-24 | Nikon Corp | Belichtungsvorrichtung und -verfahren |
-
2000
- 2000-10-23 JP JP2000322331A patent/JP2002134389A/ja active Pending
-
2001
- 2001-10-15 US US09/975,989 patent/US6778255B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010040831A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Orc Mfg Co Ltd | 露光装置における基板の露光方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6778255B2 (en) | 2004-08-17 |
| US20020051126A1 (en) | 2002-05-02 |
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