JP2003100587A - 基板処理システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スループットの良好な基板処理システムを提
供する。 【解決手段】 基板処理システム１において、塗布モジ
ュール１０、露光装置２０、現像モジュール３０が順に
並んで設けられている。レジスト塗布、露光、現像とい
った一連の基板処理を行う際に、基板の搬送が一方向と
なるので、スループットが向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光
ディスク用基板等（以下、「基板」と称する）に形成さ
れたレジスト膜に所定のパターンを形成する基板処理シ
ステムに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、基板上に所定のパターンを形
成するため、基板にレジストを塗布し、そのレジスト膜
にパターンを露光した後、現像を行うという一連の処理
を行う基板処理システムが用いられている。

【０００３】このような基板処理システムにおいては、
基板にレジスト塗布処理を行う塗布モジュールと現像処
理を行う現像モジュールが露光装置の一方側に並置さ
れ、塗布モジュールおよび現像モジュールと露光装置と
の間に１台の搬送ロボットを設けたインターフェイスユ
ニットが設けられていた。

【０００４】そして、塗布モジュールおよび現像モジュ
ールのそれぞれと露光装置との間の基板の受け渡しは、
いずれも共通のインターフェイスユニットにおける搬送
ロボットが行っていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来技術によって、レジスト塗布から露光、現像といっ
た一連の基板処理を行う場合には以下のような問題点が
あった。

【０００６】すなわち、このような基板処理システムに
おいて、塗布モジュールおよび現像モジュールのそれぞ
れと露光装置との間での基板の受け渡しの際に、インタ
ーフェイスユニットの搬送ロボットは、塗布モジュール
と露光装置との間において露光前の基板の露光装置への
搬入を行うとともに、現像モジュールと露光装置との間
において露光後の基板の露光装置からの搬出を行ってい
る。

【０００７】そのため、複数枚の基板を連続的に処理す
る場合、インターフェイスユニットの搬送ロボットの動
作が煩雑となり、基板処理のスループットが上がらない
という問題が生じていた。

【０００８】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、スループットの良好な基板処理システムを提供
することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項１の発明は、基板上に形成されたレジスト膜
に所定のパターンを露光する露光装置と、前記露光装置
の一方側に配置され、露光前に行うべき処理を基板に対
して行う露光前処理装置と、前記露光前処理装置ととも
に前記露光装置を挟み込むように前記露光装置の他方側
に配置され、露光後に行うべき処理を基板に対して行う
露光後処理装置と、を備えている。

【００１０】また、請求項２の発明は、請求項１記載の
基板処理システムであって、前記露光前処理装置および
前記露光後処理装置のうちの少なくとも一方を基準とし
て前記露光装置のほぼ反対側に、前記露光装置とは異な
る露光装置を、さらに備えている。

【００１１】また、請求項３の発明は、基板上に形成さ
れたレジスト膜に所定のパターンを露光する第１および
第２露光装置と、前記第１および第２露光装置の間に挟
み込まれるようにして設けられるとともに、露光後に行
うべき処理を基板に対して行う露光後処理装置と、を備
えている。

【００１２】また、請求項４の発明は、請求項３記載の
基板処理システムであって、露光前に行うべき処理を基
板に対して行う第１および第２露光前処理装置をさらに
備え、前記第１露光装置を基準として前記露光後処理装
置とほぼ反対側に前記第１露光前処理装置を配置すると
ともに、前記第２露光装置を基準として前記露光後処理
装置とほぼ反対側に前記第２露光前処理装置を配置して
いる。

【００１３】また、請求項５の発明は、基板上に形成さ
れたレジスト膜に所定のパターンを露光する第１および
第２露光装置と、前記第１および第２露光装置の間に挟
み込まれるようにして設けられるとともに、露光前に行
うべき処理を基板に対して行う露光前処理装置と、を備
えている。

【００１４】また、請求項６の発明は、請求項５記載の
基板処理システムであって、露光後に行うべき処理を基
板に対して行う第１および第２露光後処理装置をさらに
備え、前記第１露光装置を基準として前記露光前処理装
置とほぼ反対側に前記第１露光後処理装置を配置すると
ともに、前記第２露光装置を基準として前記露光前処理
装置とほぼ反対側に前記第２露光後処理装置を配置して
いる。

【００１５】また、請求項７の発明は、請求項１、請求
項２、請求項４、請求項５および請求項６のいずれかに
記載の基板処理システムであって、前記露光前処理装置
に、基板にレジスト塗布処理を行う塗布処理装置を含ま
せている。

【００１６】さらに、請求項８の発明は、請求項１、請
求項２、請求項３、請求項４および請求項６のいずれか
に記載の基板処理システムであって、前記露光後処理装
置に、基板に現像処理を行う現像処理装置を含ませてい
る。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。

【００１８】＜１.第１実施形態＞図１は、本発明の第
１実施形態に係る基板処理システム１を模式的に示す概
要図である。

【００１９】図１に示すように、この基板処理システム
１は、塗布モジュール１０、露光装置２０、現像モジュ
ール３０、インデクサ４０ａ，４０ｂ、インターフェイ
スユニット５０ａ，５０ｂ、搬送ユニット６０を備えて
いる。なお、これら基板処理システム１を構成する各装
置、各ユニット、各モジュールの詳細は図示を省略す
る。

【００２０】塗布モジュール１０（露光前処理装置に相
当）は、露光前処理であるレジスト塗布処理を主に行う
モジュールである。具体的には、塗布モジュール１０
は、未処理の基板を水平に保持、回転させつつ、基板上
にレジスト液を吐出させて、基板にレジストを塗布する
塗布ユニットや、レジスト塗布処理に付随する各種熱処
理（密着強化処理や露光前のプリベーク）を行う熱処理
ユニットを含んでいる。

【００２１】露光装置２０は、所定の光源（線源）を備
え、基板上に形成されたレジスト膜に所定のパターンを
露光する。

【００２２】現像モジュール３０（露光後処理装置に相
当）は、露光後処理である現像処理を主に行うモジュー
ルである。具体的には、現像モジュール３０は、基板を
水平に保持、回転させつつパターンが露光されたレジス
トに現像液を供給することによって現像を行う現像処理
ユニットや、現像後の基板に対して熱処理（ＰＥＢ（Po
st Exposure Bake））を行う熱処理ユニットが含まれて
いる。

【００２３】インデクサ４０ａ，４０ｂは、複数枚の基
板を収容可能なカセットの載置台を備えたユニットであ
り、未処理の基板を収納したカセットが載置されたり、
処理後の基板を収納すべき空のカセットが載置されたり
する。

【００２４】インターフェイスユニット５０ａ，５０ｂ
は、基板の移載を行う移載機構を備えたユニットであ
る。このうち、インターフェイスユニット５０ａはイン
デクサ４０ａに載置されたカセット、塗布モジュール１
０、搬送ユニット６０の搬送ロボット（後述）のそれぞ
れとの間で基板を受け渡す。インターフェイスユニット
５０ｂはインデクサ４０ｂに載置されたカセット、現像
モジュール３０、搬送ユニット６０の搬送ロボットのそ
れぞれとの間で基板を受け渡す。

【００２５】搬送ユニット６０は、基板を搬送する搬送
ロボットを備える。搬送ロボットは回転動作と鉛直方向
の昇降動作および並進動作が可能に構成され、基板を保
持して移動したり、隣接するインターフェイスユニット
５０ａ，５０ｂおよび露光装置２０それぞれと基板の受
け渡しを行う。

【００２６】そして、この基板処理システム１では、イ
ンデクサ４０ａに搬入された未処理の基板を複数枚収容
したカセットからインターフェイスユニット５０ａによ
り１枚ずつ未処理基板が取り出され、塗布モジュール１
０に渡され、そこでレジストが塗布される。その後、再
びインターフェイスユニット５０ａを介して搬送ユニッ
ト６０の搬送ロボットにレジスト膜が形成された基板が
渡され、さらに露光装置２０において所定のパターンが
露光される。そして、露光後の基板は搬送ユニット６０
の搬送ロボットによって取り出され、インターフェイス
ユニット５０ｂを介して現像モジュール３０に渡され
る。そこで現像処理が施された後、インターフェイスユ
ニット５０ｂを介してインデクサ４０ｂに取り付けられ
たカセットに処理後の基板が収納される。この基板処理
システム１は、こういった一連の基板処理が複数枚の基
板それぞれに対して順次行われる枚葉式の基板処理シス
テムである。

【００２７】ところで、この基板処理システム１には、
図１に示すように、塗布モジュール１０、露光装置２
０、現像モジュール３０が順に並んで配置されている。
すなわち、露光前処理装置である塗布モジュール１０が
露光装置２０の一方側に隣接して配置されるとともに、
露光後処理装置である現像モジュール３０が、塗布モジ
ュール１０とともに露光装置２０を挟み込むように露光
装置２０の反対側に隣接して配置された構造となってい
る。

【００２８】このような構造により、前述のように一連
の基板処理を行う際の基板の搬送が一方向（塗布モジュ
ール１０から露光装置２０を経て現像モジュール３０の
方向）となっている。すなわち、塗布モジュール１０と
露光装置２０の間の基板の搬送と、露光装置２０と現像
モジュール３０の間の基板の搬送とが干渉することがな
く、スループットが向上する。

【００２９】また、各搬送ロボットの動作が簡略化でき
ることから、装置の製造も容易になるとともに、スルー
プットも一層向上する。

【００３０】さらに、露光前処理装置である塗布モジュ
ール１０と、露光後処理装置である現像モジュール３０
との間に、露光装置２０が設けられているため、露光前
と露光後とで雰囲気を分離することができ、現像後のパ
ターン寸法の変動であるＣＤ変動を抑制することができ
る。特に、塗布モジュール１０において密着強化処理に
使用されるＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）が現像
モジュール３０に混入することが防止される。ＨＭＤＳ
はアルカリ雰囲気であって、化学増幅型レジストの酸反
応を阻害するものであるため、その現像モジュール３０
への混入を防止することができれば、ＣＤ変動の抑制効
果がより顕著となる。

【００３１】また、この基板処理システム１では露光装
置２０を含めたタクト（TACT）管理を行っている。これ
により、基板間の履歴差を排除することができ、ＣＤ変
動を一層抑制することができる。

【００３２】＜２.第２実施形態＞図２は、本発明の第
２実施形態に係る基板処理システム２を模式的に示す概
要図である。

【００３３】図２に示すように、この基板処理システム
２は、塗布モジュール１０ａ，１０ｂ、露光装置２０
ａ，２０ｂ、現像モジュール３０、インデクサ４０ａ，
４０ｂ，４０ｃ、インターフェイスユニット５０ａ，５
０ｂ，５０ｃ、搬送ユニット６０ａ，６０ｂを備えてい
る。なお、これら基板処理システム２を構成する各装
置、各ユニット、各モジュールの詳細は図示を省略する
が、第１実施形態におけるそれらとほぼ同様の構造を有
している。

【００３４】ただし、露光装置２０ａ，２０ｂはそれぞ
れ異なる光源（線源）を備えている。例えばｉ線の光源
とKrFの光源や、ArFの光源とＥＢ（電子ビーム）の線源
といった具合である。

【００３５】この基板処理システム２では、図２に示す
ように、塗布モジュール１０ａ、露光装置２０ａ、現像
モジュール３０、露光装置２０ｂ、塗布モジュール１０
ｂが順に並んで配置されている。

【００３６】すなわち、露光前処理装置である塗布モジ
ュール１０ａが露光装置２０ａの一方側に隣接して配置
されるとともに、露光後処理装置である現像モジュール
３０が塗布モジュール１０ａとともに露光装置２０ａを
挟み込むように露光装置２０ａの他方側に隣接して配置
されており、さらに、現像モジュール３０を基準として
露光装置２０ａの反対側に、露光装置２０ａとは異なる
露光装置２０ｂが配置されている。

【００３７】また、露光装置２０ｂを基準として現像モ
ジュール３０と反対側に塗布モジュール１０ｂが配置さ
れた構造となっている。

【００３８】換言すると、露光装置２０ａ（第１露光装
置に相当）および露光装置２０ｂ（第２露光装置に相
当）の間に挟み込まれるように現像モジュール３０が設
けられ、さらに、露光装置２０ａを基準として現像モジ
ュール３０と反対側に塗布モジュール１０ａが配置され
るとともに、露光装置２０ｂを基準として現像モジュー
ル３０と反対側に塗布モジュール１０ｂが配置された構
造となっている。

【００３９】このように基板処理システム２では、露光
後処理装置である現像モジュールの台数が、露光前処理
装置である塗布モジュールや、露光装置の台数より少な
くなっている。

【００４０】そして、この基板処理システム２では、露
光装置２０ａで露光された基板と、露光装置２０ｂで露
光された基板のいずれも現像モジュール３０において現
像が行われる。すなわち、現像モジュール３０を露光装
置２０ａ，２０ｂで露光したそれぞれの基板で共通に使
用する。

【００４１】このように現像モジュールを共用できるの
は、複数種の光源による露光を行う場合、光源によりレ
ジスト種が異なっても、現像液として共通のものを使用
できるためである。

【００４２】具体的な基板処理の流れは以下の通りであ
る。インデクサ４０ａに搬入された未処理の基板はイン
ターフェイスユニット５０ａを介して塗布モジュール１
０ａに渡され、そこでレジストが塗布される。その後、
再びインターフェイスユニット５０ａ、搬送ユニット６
０ａを介して、露光装置２０ａに基板が渡され、そこで
露光が行われる。さらに、露光後の基板は搬送ユニット
６０ａ、インターフェイスユニット５０ｂを介して現像
モジュール３０に渡され、そこで現像処理が施された
後、インターフェイスユニット５０ｂを介してインデク
サ４０ｂに払い出される。

【００４３】これに対し、インデクサ４０ｃに搬入され
た未処理の基板はインターフェイスユニット５０ｃを介
して塗布モジュール１０ｂに渡され、そこでレジストが
塗布される。その後、再びインターフェイスユニット５
０ｃ、搬送ユニット６０ｂを介して、露光装置２０ｂに
基板が渡され、そこで露光が行われる。さらに、露光後
の基板は搬送ユニット６０ｂ、インターフェイスユニッ
ト５０ｂを介して現像モジュール３０に渡され、そこで
現像処理が施された後、インターフェイスユニット５０
ｂを介してインデクサ４０ｂに払い出される。

【００４４】この基板処理システム２は、こういった一
連の基板処理が複数枚の基板それぞれに対して順次行わ
れる枚葉式の基板処理システムである。

【００４５】このように一連の基板処理を行う際の基板
の搬送が一方向（塗布モジュール１０ａから露光装置２
０ａを経て現像モジュール３０の方向、塗布モジュール
１０ｂから露光装置２０ｂを経て現像モジュール３０の
方向）となっている。すなわち、塗布モジュール１０ａ
と露光装置２０ａの間の基板の搬送と、露光装置２０ａ
と現像モジュール３０の間の基板の搬送とが干渉するこ
とがなく、同様に、塗布モジュール１０ｂと露光装置２
０ｂの間の基板の搬送と、露光装置２０ｂと現像モジュ
ール３０の間の基板の搬送とが干渉することがないた
め、スループットが向上する。

【００４６】また、この基板処理システム２では露光装
置２０ａ，２０ｂを含めたタクト（TACT）管理を行って
いる。これにより、基板間の履歴差を排除することがで
き、ＣＤ変動を一層抑制することができる。

【００４７】また、基板処理システム２では露光前処理
装置である塗布モジュール１０ａ，１０ｂと、露光後処
理装置である現像モジュール３０との間に、それぞれ露
光装置２０ａ，２０ｂが設けられているため、露光前と
露光後とで雰囲気を分離することができ、ＨＭＤＳ等の
アルカリ雰囲気の現像モジュール３０への混入を防止し
て現像後のパターン寸法の変動であるＣＤ変動を抑制す
ることができる。

【００４８】以上説明したように、第２実施形態によれ
ば、第１実施形態と同様の効果を奏する。

【００４９】また、従来の基板処理システムでは光源が
異なる露光装置に対して、それぞれ塗布装置と現像装置
を備えているのに対して、この基板処理システム２で
は、現像モジュール３０を共用しているので、装置構成
が簡略化でき、安価なシステムとすることができる。

【００５０】また、一般に露光装置は光源の種類により
稼働率が大きく異なる。そのため、従来、光源が異なる
２台の露光装置を備えた基板処理システムでは、露光装
置ごとに露光時間が異なり、露光時間の長い露光装置に
付随する現像装置は比較的稼働率が低いのに対して、露
光時間の短い露光装置に付随する現像装置は比較的稼働
率が高くなるといったアンバランスな状態が発生する。
これにより従来の基板処理システムではシステム全体の
スループットが低下していた。これに対し、第２実施形
態の基板処理システム２ではこういった両現像装置を１
台の現像モジュール３０で兼用しているので、現像装置
の待ち時間を減らし、全体としてスループットを向上さ
せることができる。

【００５１】なお、上記基板処理システム２では、光源
（線源）が異なるものとしたが、光源（線源）が同種の
ものであってもよい。その場合には露光装置２０ａ，２
０ｂも１台のみとしてもよい。

【００５２】＜３.第３実施形態＞図３は、本発明の第
３実施形態に係る基板処理システム３を模式的に示す概
要図である。

【００５３】図３に示すように、この基板処理システム
３は、塗布モジュール１０、露光装置２０ａ，２０ｂ、
現像モジュール３０ａ，３０ｂ、インデクサ４０ａ，４
０ｂ，４０ｃ、インターフェイスユニット５０ａ，５０
ｂ，５０ｃ、搬送ユニット６０ａ，６０ｂを備えてい
る。なお、これら基板処理システム３を構成する各装
置、各ユニット、各モジュールの詳細は図示を省略する
が、第１実施形態におけるそれらとほぼ同様の構造を有
している。

【００５４】ただし、露光装置２０ａ，２０ｂはそれぞ
れ異なる光源（線源）を備えている。ただし、これらの
光源（線源）は、露光に用いられるレジスト液が同種の
ものである必要がある。例えば、露光装置２０ａはKrF
の光源を、露光装置２０ｂではＥＢ（電子ビーム）の線
源を用いるといった具合である。

【００５５】この基板処理システム３は、図３に示すよ
うに、現像モジュール３０ａ、露光装置２０ａ、塗布モ
ジュール１０、露光装置２０ｂ、現像モジュール３０ｂ
の順に並んで配置されている。

【００５６】すなわち、露光後処理装置である現像モジ
ュール３０ａが露光装置２０ａの一方側に隣接して配置
されるとともに、露光前処理装置である塗布モジュール
１０が現像モジュール３０ａとともに露光装置２０ａを
挟み込むように露光装置２０ａの他方側に隣接して配置
されており、さらに、塗布モジュール１０を基準として
露光装置２０ａの反対側に、露光装置２０ａとは異なる
露光装置２０ｂが配置されている。

【００５７】また、露光装置２０ｂを基準として塗布モ
ジュール１０と反対側に現像モジュール３０ｂが配置さ
れた構造となっている。

【００５８】換言すると、露光装置２０ａ（第１露光装
置に相当）および露光装置２０ｂ（第２露光装置に相
当）の間に挟み込まれるように塗布モジュール１０が設
けられ、さらに、露光装置２０ａを基準として塗布モジ
ュール１０と反対側に現像モジュール３０ａが配置され
るとともに、露光装置２０ｂを基準として塗布モジュー
ル１０と反対側に現像モジュール３０ｂが配置された構
造となっている。

【００５９】このように基板処理システム３では、露光
前処理装置である塗布モジュールの台数が、露光後処理
装置である現像モジュールや、露光装置の台数より少な
くなっている。

【００６０】そして、露光装置２０ａで露光される基板
と、露光装置２０ｂで露光される基板のいずれも塗布モ
ジュール１０においてレジストが塗布される。すなわ
ち、塗布モジュール１０を現像モジュール３０ａ，３０
ｂでそれぞれ現像される基板のそれぞれで共通に使用す
る。

【００６１】具体的な基板処理の流れは以下の通りであ
る。ただし、露光装置２０ａで露光されるべき基板と、
露光装置２０ｂで露光されるべき基板はそれぞれ以下の
ように処理が行われる。

【００６２】露光装置２０ａで露光されるべき基板は以
下のように処理が行われる。インデクサ４０ｂに搬入さ
れた未処理の基板はインターフェイスユニット５０ｂを
介して塗布モジュール１０に渡され、そこでレジストが
塗布される。次に、再びインターフェイスユニット５０
ｂ、搬送ユニット６０ａを介して、露光装置２０ａに基
板が渡され、そこで露光が行われ、さらに、露光後の基
板は搬送ユニット６０ａ、インターフェイスユニット５
０ａを介して現像モジュール３０ａに渡され、そこで現
像処理が施された後、インターフェイスユニット５０ａ
を介してインデクサ４０ａに払い出される。

【００６３】また、露光装置２０ｂで露光されるべき基
板は以下のように処理が行われる。インデクサ４０ｂに
搬入された未処理の基板はインターフェイスユニット５
０ｂを介して塗布モジュール１０に渡され、そこでレジ
ストが塗布される。次に、再びインターフェイスユニッ
ト５０ｂ、搬送ユニット６０ｂを介して、露光装置２０
ｂに基板が渡され、そこで露光が行われ、さらに、露光
後の基板は搬送ユニット６０ｂ、インターフェイスユニ
ット５０ｃを介して現像モジュール３０ｂに渡され、そ
こで現像処理が施された後、インターフェイスユニット
５０ｃを介してインデクサ４０ａに払い出される。

【００６４】この基板処理システム３は、こういった一
連の基板処理が複数枚の基板それぞれに対して順次行わ
れる枚葉式の基板処理システムである。

【００６５】このように一連の基板処理を行う際の基板
の搬送が一方向（塗布モジュール１０から露光装置２０
ａを経て現像モジュール３０ａの方向、塗布モジュール
１０から露光装置２０ｂを経て現像モジュール３０ｂの
方向）となっている。すなわち、塗布モジュール１０と
露光装置２０ａの間の基板の搬送と、露光装置２０ａと
現像モジュール３０ａの間の基板の搬送とが干渉するこ
とがなく、同様に、塗布モジュール１０と露光装置２０
ｂの間の基板の搬送と、露光装置２０ｂと現像モジュー
ル３０ｂの間の基板の搬送とが干渉することがないた
め、スループットが向上する。

【００６６】また、この基板処理システム３でも露光装
置２０を含めたタクト（TACT）管理を行っている。これ
により、基板間の履歴差を排除することができ、ＣＤ変
動を一層抑制することができる。

【００６７】また、基板処理システム３では露光前処理
装置である塗布モジュール１０と、露光後処理装置であ
る現像モジュール３０ａ，３０ｂとの間に、それぞれ露
光装置２０ａ，２０ｂが設けられているため、露光前と
露光後とで雰囲気を分離することができ、ＨＭＤＳ等の
アルカリ雰囲気の現像モジュール３０ａ，３０ｂへの混
入を防止して現像後のパターン寸法の変動であるＣＤ変
動を抑制することができる。

【００６８】以上説明したように、第３実施形態によれ
ば、第１実施形態と同様の効果を奏する。

【００６９】また、従来装置では光源が異なる露光装置
に対して、それぞれ塗布装置と現像装置を備えているの
に対して、この基板処理システム２では、塗布モジュー
ル１０を共用しているので、装置構成が簡略化でき、安
価なシステムとすることができる。

【００７０】また、一般に露光装置は光源の種類により
稼働率が大きく異なる。そのため、従来、光源が異なる
２台の露光装置を備えた基板処理システムでは、露光装
置ごとに露光時間が異なり、露光時間の長い露光装置に
付随する塗布装置は比較的稼働率が低いのに対して、露
光時間の短い露光装置に付随する塗布装置は比較的稼働
率が高くなるといったアンバランスな状態が発生する。
これにより従来の基板処理システムではシステム全体の
スループットが低下していた。これに対し、第３実施形
態の基板処理システム３ではこういった両塗布装置を１
台の塗布モジュール１０で兼用しているので、塗布装置
の待ち時間を減らし、全体としてスループットを向上さ
せることができる。

【００７１】ところで、上記基板処理システム３では、
光源（線源）が異なるものとしたが、光源（線源）が同
種のものであってもよい。その場合には露光装置２０
ａ，２０ｂも１台のみとしてもよい。

【００７２】＜４.第４実施形態＞図４は、本発明の第
４実施形態に係る基板処理システム４を模式的に示す概
要図である。

【００７３】図４に示すように、この基板処理システム
４は、塗布モジュール１０ａ，１０ｂ，・・・、露光装
置２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，・・・、現像モジュール３
０ａ，・・・、インデクサ４０ａ，４０ｂ，４０ｃ・・
・、インターフェイスユニット５０ａ，５０ｂ，５０ｃ
・・・、搬送ユニット６０ａ，６０ｂ，６０ｃ・・・を
備えている。なお、これら基板処理システム４を構成す
る各装置、各ユニット、各モジュールの詳細は図示を省
略するが、第１実施形態におけるそれらとほぼ同様の構
造を有している。

【００７４】ただし、露光装置２０ａ，２０ｂ，２０
ｃ，・・・は、例えばｉ線、KrF、ArF、ＥＢ等のそれぞ
れ異なる種類の光源（線源）を備えるものとしたり、同
種の光源（線源）を備えるものとしたり、さらには異
種、同種の光源（線源）が混在するものとしてもよい。

【００７５】この基板処理システム４は、図４に示すよ
うに、露光装置をＮ台（Ｎは２以上の整数）備え、それ
ら露光装置２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，・・・の両端およ
び各露光装置の間に露光前処理装置である塗布モジュー
ルと露光後処理装置である現像モジュールを交互に備え
た構成となっている。

【００７６】そして、インデクサ４０ａに搬入された未
処理の基板は塗布モジュール１０ａでレジストが塗布さ
れ、露光装置２０ａで露光が行われ、現像モジュール３
０ａで処理された後、インデクサ４０ｂに払い出され
る。また、インデクサ４０ｃに搬入された未処理基板
は、露光装置２０ｂまたは露光装置２０ｃのいずれかで
露光され、露光装置２０ｂで露光された基板は現像モジ
ュール３０ａで現像されインデクサ４０ｂに払い出さ
れ、逆に、露光装置２０ｃで露光された基板は図４中で
露光装置２０ｃの右側に位置する現像モジュール（図示
省略）で現像された後、その現像モジュールに対応して
設けられたインデクサに払い出される。

【００７７】このように、この基板処理システム４では
塗布モジュール１０ａ以外の塗布モジュール１０ｂ，・
・・においては、それぞれの両側に隣接する露光装置の
いずれによっても露光を行うことができる。

【００７８】以上説明したように、第４実施形態によれ
ば、第１〜第３実施形態と同様の効果を奏する。

【００７９】また、多数の露光装置を備えるため、様々
な光源（線源）を用いた基板処理を並列して行う場合に
も、基板の流れが一方向となるとともに、塗布モジュー
ルや現像モジュールを共用することができるので、スル
ープットが向上する。

【００８０】上記、第４実施形態では、現像モジュール
と塗布モジュールとの間に必ず露光装置を設けるものと
したが、現像モジュールの台数をさらに少なくしたり、
光源が同じ種類の場合や光源がKrFとＥＢ光源とのよう
な同種のレジストを用いることができる場合には、塗布
モジュールの台数をさらに少なくしてもよい。

【００８１】また、現像モジュールと塗布モジュールと
を同数としたが、異なる台数備えるものとしてもよい。

【００８２】また、本発明は以上の実施の形態に限定さ
れるものではない。例えば、この第１〜第４実施形態で
は露光前処理として主にレジストの塗布処理およびそれ
に付随する熱処理（密着強化処理やプリベーク等）と
し、露光後処理として主に現像処理およびそれに付随す
る熱処理（露光後ベーク処理）としたが、露光前処理装
置としては露光前に行うべき何らかの処理を行うユニッ
ト（例えば、膜厚測定ユニット）を備えるものとすれば
よく、また露光後処理装置としては露光後に行うべき何
らかの処理を行うユニット（例えば、エッジ露光ユニッ
ト）を備えるものとすればよい。

【００８３】また、上記の各実施形態においては、露光
前処理装置を塗布モジュール１０（１０ａ，１０ｂ）と
し、露光後処理装置を現像モジュール３０（３０ａ，３
０ｂ）とするとともに、塗布モジュール１０に密着強化
処理や露光前のプリベークを行う熱処理ユニットを含ま
せ、現像モジュール３０にＰＥＢを行う熱処理ユニット
を含ませるようにしていたが、これに限定されるもので
はなく、例えば、密着強化処理や露光前のプリベークを
行う熱処理ユニットを単体で露光前処理装置としても良
い。また、ＰＥＢを行う熱処理ユニットを単体で露光後
処理装置としても良い。

【００８４】また、第１〜第４実施形態の基板処理シス
テムはいずれも、塗布モジュール、露光装置、現像モジ
ュールが直線状に並んで配置されるものとしたが、若干
の角度をもってそれらが並ぶ配置としたり、それらが並
び方向に対して垂直方向に若干ずれて配置されてもよ
い。

【００８５】

【発明の効果】以上、説明したように、請求項１の発明
によれば、露光前処理装置が露光装置の一方側に、露光
後処理装置が露光前処理装置とともに露光装置を挟み込
むように露光装置の他方側に、それぞれ配置されるた
め、基板の搬送方向が一方向になるとともに露光前処理
装置と露光装置との間の基板の搬送と露光装置と露光後
処理装置との間の基板の搬送とが干渉することがなく、
搬送動作が簡略化できるので、スループットが向上す
る。また、露光前処理装置と、露光後処理装置との間
に、露光装置が設けられているため、露光前と露光後と
で雰囲気を分離することができ、ＣＤ変動を抑制するこ
とができる。

【００８６】また、請求項２の発明によれば、露光前処
理装置および露光後処理装置のうちの少なくとも一方を
基準として露光装置のほぼ反対側に、前記露光装置とは
異なる露光装置を、さらに備えるため、請求項１の発明
と同様の効果を奏するとともに、露光装置と、その露光
装置とは異なる露光装置との間で、露光前処理装置およ
び露光後処理装置のうちの少なくとも一方を共用できる
ため、装置構成を簡略化でき、安価な装置とすることが
できる。

【００８７】また、請求項３の発明によれば、露光後処
理装置が、第１および第２露光装置の間に挟み込まれる
ようにして設けられるため、第１露光装置と第２露光装
置との間で露光後処理装置を共用することができ、装置
構成を簡略化でき、安価な装置とすることができる。

【００８８】また、請求項４の発明によれば、第１露光
装置を基準として露光後処理装置とほぼ反対側に第１露
光前処理装置を配置するとともに、第２露光装置を基準
として露光後処理装置とほぼ反対側に第２露光前処理装
置を配置するため、請求項３の発明と同様の効果を奏す
るとともに、露光前処理装置と、露光後処理装置との間
に、露光装置が設けられているため、露光前と露光後と
で雰囲気を分離することができ、ＣＤ変動を抑制するこ
とができる。

【００８９】また、請求項５の発明によれば、露光前処
理装置が、第１および第２露光装置の間に挟み込まれる
ようにして設けられるため、第１露光装置と第２露光装
置との間で露光前処理装置を共用することができ、装置
構成を簡略化でき、安価な装置とすることができる。

【００９０】また、請求項６の発明によれば、第１露光
装置を基準として露光前処理装置とほぼ反対側に第１露
光後処理装置を配置するとともに、第２露光装置を基準
として露光前処理装置とほぼ反対側に第２露光後処理装
置を配置するため、請求項５の発明と同様の効果を奏す
るとともに、露光前処理装置と、露光後処理装置との間
に、露光装置が設けられているため、露光前と露光後と
で雰囲気を分離することができ、ＣＤ変動を抑制するこ
とができる。

【００９１】また、請求項７の発明によれば、露光前処
理装置は、基板にレジスト塗布処理を行う塗布処理装置
を含むため、いわゆるフォトリソグラフィーのスループ
ットを向上することができる。

【００９２】また、請求項８の発明によれば、露光後処
理装置は、基板に現像処理を行う現像処理装置を含むた
め、いわゆるフォトリソグラフィーのスループットを向
上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理システム
を模式的に示す概要図である。

【図２】本発明の第２実施形態に係る基板処理システム
を模式的に示す概要図である。

【図３】本発明の第３実施形態に係る基板処理システム
を模式的に示す概要図である。

【図４】本発明の第４実施形態に係る基板処理システム
を模式的に示す概要図である。

【符号の説明】

１，２，３，４ 基板処理システム １０，１０ａ，１０ｂ 塗布モジュール ２０，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ 露光装置 ３０，３０ａ，３０ｂ 現像モジュール ４０，４０ａ，４０ｂ，４０ｃ インデクサ ５０ａ，５０ｂ，５０ｃ インターフェイスユニット ６０，６０ａ，６０ｂ，６０ｃ 搬送ユニット

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に形成されたレジスト膜に所定の
   パターンを露光する露光装置と、 前記露光装置の一方側に配置され、露光前に行うべき処
   理を基板に対して行う露光前処理装置と、 前記露光前処理装置とともに前記露光装置を挟み込むよ
   うに前記露光装置の他方側に配置され、露光後に行うべ
   き処理を基板に対して行う露光後処理装置と、を備える
   ことを特徴とする基板処理システム。
2. 【請求項２】 請求項１記載の基板処理システムにおい
   て、 前記露光前処理装置および前記露光後処理装置のうちの
   少なくとも一方を基準として前記露光装置のほぼ反対側
   に、前記露光装置とは異なる露光装置を、さらに備える
   ことを特徴とする基板処理システム。
3. 【請求項３】 基板上に形成されたレジスト膜に所定の
   パターンを露光する第１および第２露光装置と、 前記第１および第２露光装置の間に挟み込まれるように
   して設けられるとともに、露光後に行うべき処理を基板
   に対して行う露光後処理装置と、を備えることを特徴と
   する基板処理システム。
4. 【請求項４】 請求項３記載の基板処理システムにおい
   て、 露光前に行うべき処理を基板に対して行う第１および第
   ２露光前処理装置をさらに備え、 前記第１露光装置を基準として前記露光後処理装置とほ
   ぼ反対側に前記第１露光前処理装置を配置するととも
   に、前記第２露光装置を基準として前記露光後処理装置
   とほぼ反対側に前記第２露光前処理装置を配置すること
   を特徴とする基板処理システム。
5. 【請求項５】 基板上に形成されたレジスト膜に所定の
   パターンを露光する第１および第２露光装置と、 前記第１および第２露光装置の間に挟み込まれるように
   して設けられるとともに、露光前に行うべき処理を基板
   に対して行う露光前処理装置と、を備えることを特徴と
   する基板処理システム。
6. 【請求項６】 請求項５記載の基板処理システムにおい
   て、 露光後に行うべき処理を基板に対して行う第１および第
   ２露光後処理装置をさらに備え、 前記第１露光装置を基準として前記露光前処理装置とほ
   ぼ反対側に前記第１露光後処理装置を配置するととも
   に、前記第２露光装置を基準として前記露光前処理装置
   とほぼ反対側に前記第２露光後処理装置を配置すること
   を特徴とする基板処理システム。
7. 【請求項７】 請求項１、請求項２、請求項４、請求項
   ５および請求項６のいずれかに記載の基板処理システム
   において、 前記露光前処理装置は、基板にレジスト塗布処理を行う
   塗布処理装置を含むことを特徴とする基板処理システ
   ム。
8. 【請求項８】 請求項１、請求項２、請求項３、請求項
   ４および請求項６のいずれかに記載の基板処理システム
   において、 前記露光後処理装置は、基板に現像処理を行う現像処理
   装置を含むことを特徴とする基板処理システム。