JP2004169933A

JP2004169933A - 処理装置用のチラー制御方法及びチラー制御装置

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Publication number: JP2004169933A
Application number: JP2002332800A
Authority: JP
Inventors: Norikazu Sasaki; 則和佐々木
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2002-11-15
Filing date: 2002-11-15
Publication date: 2004-06-17
Anticipated expiration: 2022-11-15
Also published as: JP4295490B2

Abstract

【課題】処理装置の稼動状況に応じてチラーの冷媒供給動作を適確に制御して処理システム内の効果的な省エネを実現すること。
【解決手段】ホストコンピュータ１６が各被処理基板Ｗについての工程シーケンス上のレシピ情報を先読みした結果、プラズマエッチング装置１０が所定の閾値時間Ｔｓ以上の休止状態つまりアイドル状態になることを事前に検知したときは、ホストコンピュータ１６からの連絡に応じてコントローラ１４がチラーユニット１２に昇エネモードを指示する信号を発信する。チラーユニット１２では、エッチング装置１０に供給する冷媒ＣＷ１の流量を通常モード用の第１の流量Ｎ１から昇エネモード用の第２の流量Ｎ２に抑制する。こうして、昇エネモード中は、チラーユニット１２内の各部が低出力で動作し、ポンプ５６，６８およびインバータ５８，６６全体の消費電力は相当低いレベルに下がる。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、処理装置の温度制御に用いるチラーを制御する方法および装置に係り、特にチラーで消費されるエネルギーを効率的に節約するための省エネ技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
チラーを使用する処理装置の典型例として、半導体デバイスやＦＰＤ（ＦｌａｔＰａｎｅｌＤｉｓｐｌａｙ）の製造プロセスにおけるエッチング、堆積、酸化、スパッタリング等の処理に広く用いられているプラズマ処理装置が挙げられる。プラズマ処理装置では、反応容器またはチャンバの中にプラズマ生成用またはイオン引き込み用の電極を１つまたは一対配置し、該電極に高周波電力を印加するようにしている。通常は、チャンバ内の中心部に上向きに配置される電極が被処理基板（半導体ウエハ、ガラス基板等）を載置する載置台またはサセプタも兼ねる。このようなサセプタ電極は、基板と直接接触することから、その電極の温度が基板の温度つまり処理温度に直接影響する。そこで、サセプタ電極またはこれに一体結合する導電性の支持部材の中に冷媒室を設け、外付けのチラーユニットより所定温度の液状またはガス状の冷媒を該冷媒室に循環供給して、電極の温度を制御するようにしている（たとえば特許文献１）。
【０００３】
【特許文献】
特開２００１−４４１７６号公報（第４頁、図１）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来は、処理装置が基板に処理を施するために通常に稼動している状態であるかアイドル状態（休止状態）であるかにかかわらず、チラーより処理装置に対して冷媒を常時一定の流量（つまりサセプタ電極ないし基板の温度を設定温度に維持するための流量）で供給し続けている。このため、無駄なエネルギーがチラーで消費されていた。一般に処理装置における長時間のアイドル状態はロットの切れ目で起きるが、近年普及している少量多品種の生産ラインでは基板１枚単位つまり枚葉処理の合間でも不定な長い時間（時には数１０分以上）のアイドル状態が続くことがあり、チラーのエネルギー消費量は無視できなくなってきている。
【０００５】
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、処理装置の稼動状況に応じてチラーの冷媒供給動作を適確に制御して処理システム内の効果的な省エネを実現する処理装置用のチラー制御方法およびチラー制御装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の処理装置用のチラー制御方法は、処理装置に対して温度制御用の冷媒を供給するチラーの制御方法であって、前記処理装置が前記処理のために通常に稼動している期間中に前記チラーより前記処理装置に対して前記冷媒を第１の流量で供給する第１の工程と、前記処理装置が所定時間以上アイドル状態になることを工程シーケンス上のレシピ情報に基づいて検知する第２の工程と、前記処理装置が通常稼動状態からアイドル状態に切り換わった後に前記冷媒の流量を前記第１の流量からそれよりも小さな第２の流量に抑制する第３の工程と、前記処理装置がアイドル状態から通常稼動状態に切り換わる前に前記冷媒の流量を前記第２の流量から前記第１の流量に戻す第４の工程とを有する。
【０００７】
また、本発明の処理装置用のチラー制御装置は、被処理基板に所定の処理を施すための処理装置に対して温度制御用の冷媒を冷媒循環路を介して供給するチラーの制御装置であって、前記チラーより前記処理装置に対して供給する前記冷媒の流量を調整するための冷媒流量調整手段と、前記処理装置が所定時間以上のアイドル状態になることを工程シーケンス上のレシピ情報に基づいて検出する第１のシーケンス検出手段と、前記第１のシーケンス検出手段による検出結果にしたがい、前記処理装置が通常稼動状態から前記アイドル状態に切り換わった後に前記冷媒流量調整手段を制御して、前記冷媒の流量を通常稼動状態のときの第１の流量からそれよりも小さな第２の流量に抑制させる冷媒流量抑制手段と、前記処理装置が前記アイドル状態から通常稼動状態に切り換わる前に前記冷媒流量調整手段を制御して、前記冷媒の流量を前記第２の流量から前記第１の流量に戻させる冷媒流量復帰手段とを有する。
【０００８】
本発明では、第２の工程において（第１のシーケンス検出手段により）、処理装置が所定時間以上アイドル状態になることを工程シーケンス上のレシピ情報に基づいた先読みからキャッチ（検出）し、第３の工程において（冷媒流量抑制手段および冷媒流量調整手段により）チラーユニットより処理装置に対して供給する冷媒の流量を通常稼動状態のときの第１の流量からそれよりも小さな第２の流量に抑制する。そして、処理装置がアイドル状態から通常稼動状態に切り換わるときは、それよりも前に第４の工程において（冷媒流量復帰手段および冷媒流量調整手段により）冷媒の流量を第２の流量から第１の流量に戻す。こうして、適度な期間にわたって適度に低い流量に抑制するようにしたので、チラーの大幅な省エネを実現することができる。
【０００９】
本発明において、好ましくは、第４の工程において、処理装置が通常稼動状態に戻る第１のタイミングより前に冷媒の流量が第１の流量に復帰するように第２の流量から第１の流量への切換動作を第１のタイミングより第２の時間以上前の第２のタイミングで開始させるようにしてよい。この場合、第１のタイミングを工程シーケンス上のレシピ情報に基づいて検出することができる。
【００１０】
また、チラーの効率的な省エネをはかるうえで、好ましくは、上記閾値時間が、チラーにおいて冷媒の流量を第１の流量から第２の流量に切り換えるのに要する第１の時間と第２の流量から第１の流量に切り換えるのに要する第２の時間とを足し合わせた時間よりも長い時間に設定されるのがよい。、
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
【００１２】
図１に、本発明のチラー制御方法または装置の適用可能な処理システムの構成例を示す。この処理システムは、処理装置１０と、チラーユニット１２と、コントローラ１４と、ホストコンピュータ１６とを含んでいる。
【００１３】
処理装置１０は、たとえばプラズマエッチング装置であり、密閉可能なプロセスチャンバ１８を有している。このプロセスチャンバ１８内の中心部には、被処理基板（たとえば半導体ウエハ）Ｗを載置するための載置台（サセプタ）を兼ねる下部電極２０が配置されている。
【００１４】
下部電極２０はたとえばアルミニウム製の板状ブロックからなり、この板状ブロックの中にたとえば円周方向に延在する環状の冷媒室２２が形成されている。この冷媒室２２には、冷媒循環路を構成する冷媒供給管２４および冷媒回収管２６が接続されている。後述するように、チラーユニット１２より温調された冷媒が冷媒供給管２４および冷媒回収管２６を介して冷媒室２２に循環供給されるようになっている。
【００１５】
プロセスチャンバ１８において、下部電極２０の上方にはこの電極と平行に対向して上部電極２８が配置されている。この上部電極２８には、シャワーヘッドを構成するための多数の貫通孔またはガス吐出口２８ａが形成されている。上部電極２８の背後に設けられているガス導入口３０には、処理ガス供給源３２からのガス供給配管３４が接続されている。このガス供給配管３４の途中には流量調整器（ＭＦＣ）３６および開閉弁３８が設けられている。
【００１６】
上部電極２８はプロセスチャンバ１８を介してグランド電位に接続（接地）されている。一方、下部電極２０には、整合器４０を介して高周波電源４２が電気的に接続されている。なお、下部電極２０は絶縁材４４によってプロセスチャンバ１８から電気的に絶縁されている。
【００１７】
プロセスチャンバ１８の底部には排気口４６が設けられ、この排気口４６に排気管４８を介して排気装置たとえば真空ポンプ（図示せず）が接続されている。プロセスチャンバ１８の側面には基板搬入出口（図示せず）が設けられ、この基板搬入出口にゲートバルブ（図示せず）を介してたとえばロードロック室（図示せず）が接続されている。
【００１８】
このエッチング装置において、エッチング処理を行うには、プロセスチャンバ１８内に基板Ｗを搬入して下部電極２０の上に載置し、処理ガス供給源３２よりエッチングガスを所定の流量でチャンバ１８内に導入し、排気装置により真空引きしてチャンバ１８内の圧力を設定値とする。さらに、高周波電源４２よりたとえば１３．５６ＭＨｚの高周波を所定のパワーで下部電極２０に印加する。そうすると、上部電極２８のシャワーヘッド２８ａより吐出されたエッチングガスが電極間のグロー放電中でプラズマ化し、このプラズマで生成されるラジカルやイオンによって基板Ｗの被処理面がエッチングされる。このようなエッチング処理において、エッチングガス供給のオン・オフ制御（開閉弁３８のオン・オフ制御）や高周波電力のオン・オフ制御（高周波電源４２のオン・オフ制御）はコントローラ１４により行なわれてよい。
【００１９】
チラーユニット１２は、液状の冷媒（たとえば冷却水またはブライン）ＣＷ１を貯留するための冷媒タンク５０と、冷媒ＣＷ１の温度を調節するための冷却器５２とを有している。冷媒タンク５０には、タンク内の冷媒ＣＷ１を加熱するためのヒータ５４と、冷媒ＣＷ１を冷媒供給管２４に送出するためのポンプ５６が設けられている。ポンプ５６は、インバータ５８によって駆動制御され、タンク５０内の冷媒ＣＷ１を所望の圧力または流量で吐出するようになっている。コントローラ１４は、インバータ５８を通じてポンプ５６の出力つまり吐出流量を制御できるようになっている。
【００２０】
冷却器５２は、冷媒回収管２６より回送されてきた冷媒ＣＷ１を所定温度に冷却してから冷媒タンク５０に戻す第１熱交換器６０と、冷媒ＣＷ１よりも低い温度の第２冷媒ＣＷ２を外部の冷媒供給手段（図示せず）より供給される第２熱交換器６２と、第１熱交換器６０と第２熱交換器６２との間で熱の受け渡しを行うための第３冷媒ＣＷ３を循環させる冷媒循環路６４とを有している。冷媒循環路６４には、インバータ６６によって駆動制御される循環用のポンプ６８が設けられている。
【００２１】
コントローラ１４は、冷媒タンク５０内の冷媒ＣＷ１を所望の温度に調整するために、インバータ６６を通じてポンプ６８の出力つまり第３冷媒ＣＷ３の循環速度を制御できるようになっている。冷媒タンク５０、冷媒供給管２４あるいは冷媒回収管２６内の冷媒ＣＷ１の温度を検出する温度センサ（図示せず）を設けて、冷媒ＣＷ１の温度調整をフィードバック制御で行うことも可能である。さらに、冷媒循環路（２４，２６）に流量センサ（図示せず）を設けて、冷媒ＣＷ１の流量をフィードバック制御で行うことも可能である。
【００２２】
ホストコンピュータ１６は、このエッチング装置１０が属する処理システムの全体を統括制御するもので、コントローラ１４を通じてエッチング装置１０およびその周辺装置（特にチラーユニット１２）の動作を制御できるとともに、システム内の他の処理装置や搬送装置等に対してもそれぞれのコントローラを介して所要の制御を行えるようになっている。
【００２３】
ホストコンピュータ１６は、各装置の動作を制御するため、各被処理基板Ｗについて工程シーケンス上のレシピ情報をルックアヘッド方式（先読み方式）で管理し、適宜所要の動作またはイベントを指示する信号を各装置のコントローラに与える。また、ホストコンピュータ１６に対して各装置側からもコントローラを通じて各装置の動作状況や現在扱っている基板Ｗについての工程状況等を知らせることができるようになっている。ホストコンピュータ１６は、システム内に在る各基板Ｗについて現在位置を把握することが可能であり、工程レシピ情報の中で現在位置情報を随時更新できるようになっている。
【００２４】
次に、図２および図３につき本実施形態における作用を説明する。図２は、チラー制御のシーケンスを示すフローチャートである。図３は、チラー消費電力の時間的な特性を示すタイムチャートである。
【００２５】
エッチング装置１０がエッチング処理のために通常に稼動している間、チラーユニット１２は通常モードで動作する（ステップＳ１）。この通常モードでは、コントローラ１４の制御の下でチラーユニット１２より冷媒循環路（２４，２６）を介して下部電極２０の冷却室２２に所定温度に温調された冷媒ＣＷ１が通常モード用の第１の流量Ｎ１（たとえば２５リットル／分）で循環供給される。チラーユニット１２内では、冷媒タンク５０のポンプ５６が第１の流量Ｎ１を確保するために相当の高出力で作動するとともに、冷却器５２のポンプ５６も冷媒ＣＷ１を高速に熱交換または冷却するために比較的高い出力で作動し、これらのポンプ５６，６８およびインバータ５８，６６全体で比較的高い電力Ｐ１（たとえば３．３１ｋＷ）が消費される。
【００２６】
なお、エッチング装置１０がエッチング処理のために通常に稼動している状態つまり「通常稼動状態」とは、プロセスチャンバ１８内で下部電極２０上の基板Ｗにプラズマエッチング処理を施している最中はもちろん、プラズマエッチング処理の前後の基板搬入／搬出動作の状態を含み、さらには次の基板Ｗがチャンバ１８内に導入されたなら直ちにこの基板Ｗに対してプラズマ処理を実行できるようなスタンバイ状態も含んでよい。したがって、プロセスチャンバ１８内に基板Ｗが存在せず、処理ガス供給配管３４の開閉弁３８が閉じられ、高周波電源４２がオフ状態になっている時でも、エッチング装置１０がスタンバイ状態にある限りチラーユニット１２は上記のような通常モードで動作し続ける。
【００２７】
さて、エッチング装置１０が通常稼動状態にある間に、ホストコンピュータ１６が各被処理基板Ｗについての工程シーケンス上のレシピ情報を先読みした結果、当該エッチング装置１０が所定の閾値時間Ｔｓ以上の休止状態つまりアイドル状態になることを事前に検知または判定したとする（ステップＳ２）。ここで、「アイドル状態」とは、当該処理装置内に次の被処理基板Ｗが導入されるまでの時間がしばらくかかる状態であり、次の基板導入の時刻またはタイミングが確定している場合だけでなく、未定である場合も含む。また、「閾値時間Ｔｓ」は、後述するようにチラーユニット１２における冷媒流量切換動作に要する時間（Ｔ１，Ｔ２）を考慮した値に設定される。
【００２８】
この実施形態では、上記のようにホストコンピュータ１６がレシピ情報の先読みでエッチング装置１０の閾値時間Ｔｓ以上のアイドル状態を事前にキャッチまたは検知したときは、ホストコンピュータ１６からの連絡に応じてコントローラ１４がチラーユニット１２に省エネモードを指示する信号を発信する（ステップＳ３、時点ｔ１）。
【００２９】
こうして省エネモード指示信号が出されると、チラーユニット１２では、エッチング装置１０に供給する冷媒ＣＷ１の流量を通常モード用の第１の流量Ｎ１から省エネモード用の第２の流量Ｎ２（たとえば１５リットル／分）に抑制する（ステップＳ３、時点ｔ２）。図１の構成例では、コントローラ１４がインバータ５８を直接制御してポンプ５６の出力を設定値まで下げる。この流量抑制のための流量切換に要する時間Ｔ１は、ポンプ５６の出力特性、冷媒ＣＷ１の特性（比重等）、流量変化量（Ｎ１→Ｎ２）、冷媒循環路（２４，２２，２６）の流体容量やコンダクタンス等によって決まり、通常は１〜２分程度である。
【００３０】
また、エッチング装置１０がアイドル状態になっている間は、エッチング装置１０から冷媒回収管２６を介して回送されてくる冷媒ＣＷ１の温度はそれほど上昇していないため、省エネモード中は冷却器５２の冷却能力を下げることもできる。
【００３１】
こうして、省エネモード中は、チラーユニット１２内の各部が低出力で動作し、特に冷媒タンク５０内の冷媒ＣＷ１を抑制流量Ｎ２でエッチング装置１０に供給すればよいので、ポンプ５６およびインバータ５８が通常モードのときよりも負荷が軽くなってかなり低い出力で動作し、ポンプ５６，６８およびインバータ５８，６６全体の消費電力は相当低いレベルＰ２（たとえば２．２６ｋＷ）に下がる。
【００３２】
このようなチラーユニット１２の省エネモードによってエッチング装置１０に供給する冷媒ＣＷ１の流量を抑制しても、装置１０内の下部電極２０の温度を通常稼動状態のときとほぼ等しい温度に維持することができる。すなわち、通常稼動状態、特に処理中は下部電極２０自体が高周波電流で発熱するだけでなくプラズマからの熱を受けるため、下部電極２０の冷却室２２に冷媒ＣＷ１を比較的大きな第１の流量Ｎ１で循環供給して冷却レートを高くする必要がある。しかし、アイドル状態の下では、下部電極２０自体の発熱もなければプラズマからの入熱もないため、そのぶん冷却レートを下げても、したがって冷媒ＣＷ１の流量を抑制しても下部電極２０の温度を設定温度付近に維持することができる。逆な見方をすれば、省エネモードにおける冷媒ＣＷ１の流量Ｎ２は、下部電極２０の温度が通常稼動状態のときの電極温度設定値付近に維持されるような流量に選ばれるのが好ましい。
【００３３】
なお、省エネモード中に下部電極２０の温度を設定温度付近に維持するうえで、プロセスチャンバ１８の中を真空に保つのが好ましい。つまり、下部電極２０を真空空間内に置くことで、下部電極２０回りの熱伝導を小さくして、断熱状態を維持することができる。
【００３４】
上記のようにしてエッチング装置１０がアイドル状態でチラーユニット１２が省エネモードを維持している間に、ホストコンピュータ１６が工程シーケンス上のレシピ情報に基づいて先読みした結果から、エッチング装置１０でエッチング処理を受けるため新たな基板Ｗが導入されることを事前にキャッチまたは検出したとする（ステップＳ６）。この場合、ホストコンピュータ１６は、その新たな基板Ｗがプロセスチャンバ１８に搬入される時刻をコントローラ１４に送ってよい。また、必要に応じて、当該基板Ｗに対する固有のエッチング処理条件（レシピ）も送ってよい。
【００３５】
コントローラ１４は、ホストコンピュータ１６からの連絡を受けると、ホストコンピュータ１６より指定された基板搬入時刻よりも前にエッチング装置１０をアイドル状態から通常稼動状態に完全復帰させる時刻ｔ５を設定し、エッチング装置１０内の各部に対してスタンバイ状態に戻るよう所要の指示信号を出す。また、チラーユニット１２に対しては省エネモードから通常モードに戻るように指示信号を出す（ステップＳ７）。
【００３６】
こうして通常モード指示信号が出されると、チラーユニット１２では、エッチング装置１０に供給する冷媒ＣＷ１の流量を省エネモード用の第２の流量Ｎ２から通常モード用の第１の流量Ｎ１に戻す動作を開始する（ステップＳ８、時点ｔ３）。図１の構成例では、コントローラ１４がインバータ５８を直接制御してポンプ５６の出力を設定値まで上げていく。この流量復帰のための流量切換に要する時間Ｔ２は、ポンプ５６の出力特性、冷媒ＣＷ１の特性（比重等）、流量変化量（Ｎ２→Ｎ１）、冷媒循環路（２４，２２，２６）の流体容量やコンダクタンス等によって決まり、通常は５〜８分程度である。したがって、エッチング装置１０側が通常稼動状態に完全復帰する時刻ｔ５よりも前に（たとえば時点ｔ４で）冷媒流量が第１の流量Ｎ１に完全復帰するように（ステップＳ９）、冷媒流量切換または復帰動作の開始時刻ｔ３を決定してよい。
【００３７】
こうして、チラーユニット１２が通常モードに復帰することによってエッチング装置１０はスタンバイ状態となることができ、ホストコンピュータ１６より指定された基板搬入時刻に間に合わせることができる。
【００３８】
図３のシーケンスでは、エッチング装置１０をアイドル状態から通常稼動状態に復帰すべきタイミングをアイドル状態中にホストコンピュータ１６が工程シーケンス上のレシピ情報から先読みで検知した場合であった。つまり、チラーユニット１２に冷媒流量の抑制を指示した時刻ｔ１から冷媒流量の復帰を指示した時刻ｔ４までの時間Ｔ４が不定の場合であった。しかし、先にチラーユニット１２を通常モードから省エネモードに切り換える段階でエッチング装置１０のアイドル状態期間を計算できている場合は、コントローラ１４側のタイマ機能により時間Ｔ３ないしＴ４を前以て設定することができる。
【００３９】
また、エッチング装置１０のアイドル状態期間が著しく長いことが最初から分かっている場合は、復旧に支障を来さない限度で冷媒ＣＷ１の流量を上記第２の流量Ｎ２よりもさらに抑制された流量に制御したり、あるいはチラーユニット１０内の各部の動作を完全停止させることも可能である。
【００４０】
また、上記のように、チラーユニット１２において冷媒ＣＷ１の流量を通常モード用の第１の流量Ｎ１と省エネモード用の第２の流量Ｎ２との間で切り換えるに際しては相当の所要時間（Ｔ１，Ｔ２）を必要とする。したがって、チラーユニット１２を通常モードから省エネモードに切り換えるための分岐点であるエッチング装置１０におけるアイドル状態持続時間の「閾値時間Ｔｓ」は、流量切換時間（所定時間Ｔ１＋Ｔ２）よりも長い時間に選ばれるのが好ましい。
【００４１】
上記したように、この実施形態においては、処理装置が所定の閾値時間以上アイドル状態になることを工程シーケンス上のレシピ情報に基づいた先読みからキャッチ（検出）して、チラーユニットより処理装置に対して供給する冷媒の流量を適度な期間にわたって適度に低い流量に抑制するようにしたので、チラーの大幅な省エネを実現することができる。
【００４２】
上記した実施形態では、エッチング装置１０内の下部電極２０だけをチラーユニット１２によって温調した。しかし、上部電極２８も上記と同様の冷媒室または冷媒通路を設けてチラーユニット１２により温調することが可能であり、さらには電極以外の部品または部材もチラーの温度制御の対象となり得る。
【００４３】
上記した実施形態におけるチラーユニット１２内の構成は一例であり、種々の変形・変更が可能である。たとえば、プラズマエッチング装置１０に供給する液状の冷媒ＣＷ１をガス状の冷媒に置き換え、ポンプ５６に代えてコンブレッサを用いることも可能である。また、チラーを用いる処理装置内の各部の温度制御は冷却方式に限るものではなく、加熱方式も可能である。また、プラズマエッチング装置１０も本発明における処理装置の一例であり、チラーを必要とする他の種々の方式または用途（たとえばＣＶＤ、酸化、スパッタリング等）の処理装置に本発明を適用することが可能である。
【００４４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の処理装置用のチラー制御方法またはチラー制御装置によれば、処理装置の稼動状況に応じてチラーの冷媒供給動作を適確に制御して処理システム内の効果的な省エネを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態における処理システムの構成を示す図である。
【図２】実施形態におけるチラー制御の主要な手順を示すフローチャート図である。
【図３】実施形態におけるチラー制御のタイミングを示すタイムチャート図である。
【符号の説明】
１０プラズマエッチング装置（処理装置）
１２チラーユニット
１４コントローラ
１６ホストコントローラ
２０下部電極
２２冷媒室
２４冷媒供給管
２６冷媒回収管
４２高周波電源
５０冷媒タンク
５２冷却器
５６ポンプ
５８インバータ
６６インバータ
６８ポンプ

Claims

被処理基板に所定の処理を施すための処理装置に対して温度制御用の冷媒を供給するチラーの制御方法であって、
前記処理装置が前記処理のために通常に稼動している期間中は前記チラーより前記処理装置に対して前記冷媒を第１の流量で供給する第１の工程と、
前記処理装置が所定の閾値時間以上のアイドル状態になることを工程シーケンス上のレシピ情報に基づいて検出する第２の工程と、
前記処理装置が通常稼動状態から前記アイドル状態に切り換わった後に前記冷媒の流量を前記第１の流量からそれよりも小さな第２の流量に抑制する第３の工程と、
前記処理装置が前記アイドル状態から通常稼動状態に切り換わる前に前記冷媒の流量を前記第２の流量から前記第１の流量に戻す第４の工程と
を有する処理装置用のチラー制御方法。
前記処理装置内に高周波電力を印加される電極が設けられ、前記電極の温度を制御するために前記チラーより前記処理装置に前記冷媒を供給する請求項１に記載のチラー制御方法。
前記電極に前記基板が載置される請求項２に記載のチラー制御方法。
前記処理装置が前記アイドル状態にある期間中は、前記電極に対する高周波電力の印加を停止する請求項２または３に記載のチラー制御方法。
前記冷媒の第２の流量は、前記電極の温度が前記処理装置が通常稼動状態にあるときの電極温度設定値にほぼ等しい温度に維持されるような流量に設定される請求項４に記載のチラー制御方法。
前記高周波電界の印加によって前記電極の付近にプラズマが生成される請求項２〜５のいずれか一項に記載のチラー制御方法。
前記閾値時間が、前記チラーにおいて前記冷媒の流量を前記第１の流量から前記第２の流量に切り換えるのに要する第１の時間と前記第２の流量から前記第１の流量に切り換えるのに要する第２の時間とを足し合わせた時間よりも長い時間に設定される請求項１〜６のいずれか一項に記載のチラー制御方法。
前記第４の工程が、前記処理装置が通常稼動状態に戻る第１のタイミングより前に前記冷媒の流量が前記第１の流量に復帰するように前記第２の流量から前記第１の流量への切換動作を前記第１のタイミングより前記第２の時間以上前の第２のタイミングで開始させる工程とを含む請求項７のいずれか一項に記載のチラー制御方法。
前記第４の工程が、前記第１のタイミングを工程シーケンス上のレシピ情報に基づいて検出する工程を含む請求項８に記載のチラー制御方法。
被処理基板に所定の処理を施すための処理装置に対して温度制御用の冷媒を冷媒循環路を介して供給するチラーの制御装置であって、
前記チラーより前記処理装置に対して供給する前記冷媒の流量を調整するための冷媒流量調整手段と、
前記処理装置が所定の閾値時間以上のアイドル状態になることを工程シーケンス上のレシピ情報に基づいて検出する第１のシーケンス検出手段と、
前記第１のシーケンス検出手段による検出結果にしたがい、前記処理装置が通常稼動状態から前記アイドル状態に切り換わった後に前記冷媒流量調整手段を制御して、前記冷媒の流量を通常稼動状態のときの第１の流量からそれよりも小さな第２の流量に抑制させる冷媒流量抑制手段と、
前記処理装置が前記アイドル状態から通常稼動状態に切り換わる前に前記冷媒流量調整手段を制御して、前記冷媒の流量を前記第２の流量から前記第１の流量に戻させる冷媒流量復帰手段と
を有する処理装置用のチラー制御装置。
前記冷媒流量復帰手段が、前記処理装置が通常稼動状態に戻る第１のタイミングより前に前記冷媒の流量が前記第１の流量に復帰するように前記第２の流量から前記第１の流量への切換動作を前記第１のタイミングより前記第２の時間以上前の第２のタイミングで開始させる流量復帰制御手段を有する請求項１０に記載のチラー制御装置。
前記第１のタイミングを工程シーケンス上のレシピ情報に基づいて検出して、検出結果を前記冷媒流量復帰手段に与える第２のシーケンス検出手段を有する請求項１１に記載のチラー制御装置。