JP4615335B2 - 温度制御システム及び基板処理装置 - Google Patents
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Description
12 サセプタ
20 上部電極
80 温度制御システム
91 循環系
92 冷凍機
100 熱交換器
111 第1の分岐管
112 第2の分岐管
W 基板
Claims (7)
- 基板処理装置の複数個所の部材の温度を制御する温度制御システムであって,
前記複数個所の各部材の内部を通過するように一次冷媒を循環させる第1の循環系と,
前記循環系の一次冷媒と二次冷媒との間で熱交換を行う第1の熱交換器と,
前記第1の熱交換器に二次冷媒を供給する冷凍機と,
前記循環系内の一次冷媒を回収し,その回収した一次冷媒を循環系に戻すことができる一次冷媒回収装置と,を備え,
前記循環系は,前記部材の内部を通過する分岐路を各部材毎に備え,
前記各部材毎の各分岐路には,前記部材に供給される一次冷媒を加熱する加熱部材が設けられており,
前記熱交換器は,前記基板処理装置が設置された室内に設置されており,
前記一次冷媒回収装置は,前記循環系に対して取り外し自在に構成され,前記各部材の温度制御が行われている際には,循環系から取り外されていることを特徴とする,温度制御システム。 - 前記室は,クリーンルームであることを特徴とする,請求項1に記載の温度制御システム
- 前記各分岐路には,流量調節弁が設けられていることを特徴とする,請求項1又は2のいずれかに記載の温度制御システム。
- 前記一次冷媒回収装置は,一次冷媒を貯留する貯留槽と,前記循環系の一次冷媒を前記貯留槽に導入するための第1の管路と,前記貯留槽の一次冷媒を前記循環系に導出するための第2の管路と,前記第2の管路内にガスを供給するガス供給管路と,を備えたことを特徴とする,請求項1〜3に記載の温度制御システム。
- 前記貯留槽は,密閉可能な貯留槽収容容器に収容されており,
前記ガス供給管路は,前記貯留槽収容容器内にも前記ガスを供給可能に構成されていることを特徴とする,請求項4に記載の温度制御システム。 - 前記複数個所の部材のうちの特定の部材について,前記循環系に代えて,当該特定の部材の内部を通過するように一次冷媒を循環させる第2の循環系と,前記熱交換器に代えて,前記第2の循環系の一次冷媒の熱交換を行う第2の熱交換器をさらに備え,
前記第2の熱交換器は,前記冷凍機に対する三次冷媒により前記一次冷媒の熱交換を行うことを特徴とする,請求項1〜5のいずれかに記載の温度制御システム。 - 請求項1〜6に記載の温度制御システムにおける部材を有する基板処理装置。
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KR20200099688A (ko) * | 2019-02-15 | 2020-08-25 | 이도형 | 진공증착장비 |
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KR102290401B1 (ko) * | 2020-01-10 | 2021-08-18 | 유니셈 주식회사 | 초저온을 구현하는 칠러 장치 |
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06117722A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 吸収ヒートポンプ装置 |
JPH09280756A (ja) * | 1996-02-15 | 1997-10-31 | Komatsu Ltd | マルチ温度制御システム及び同システムが適用された反応処理装置 |
JPH11302850A (ja) * | 1998-04-17 | 1999-11-02 | Ebara Corp | ガス噴射装置 |
JP2004040052A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-02-05 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
WO2004025199A1 (ja) * | 2002-09-10 | 2004-03-25 | Tokyo Electron Limited | 処理装置,および,処理装置のメンテナンス方法 |
JP2005024178A (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-27 | Sony Corp | 冷媒回収方法および冷媒回収装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5653806A (en) * | 1995-03-10 | 1997-08-05 | Advanced Technology Materials, Inc. | Showerhead-type discharge assembly for delivery of source reagent vapor to a substrate, and CVD process utilizing same |
EP1077274A1 (en) * | 1999-08-17 | 2001-02-21 | Applied Materials, Inc. | Lid cooling mechanism and method for optimized deposition of low-k dielectric using tri methylsilane-ozone based processes |
WO2001037316A1 (en) * | 1999-11-15 | 2001-05-25 | Lam Research Corporation | Temperature control system for plasma processing apparatus |
JP4593007B2 (ja) * | 2001-05-23 | 2010-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置装置 |
US6822202B2 (en) * | 2002-03-15 | 2004-11-23 | Oriol, Inc. | Semiconductor processing temperature control |
-
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-
2006
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06117722A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 吸収ヒートポンプ装置 |
JPH09280756A (ja) * | 1996-02-15 | 1997-10-31 | Komatsu Ltd | マルチ温度制御システム及び同システムが適用された反応処理装置 |
JPH11302850A (ja) * | 1998-04-17 | 1999-11-02 | Ebara Corp | ガス噴射装置 |
JP2004040052A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-02-05 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
WO2004025199A1 (ja) * | 2002-09-10 | 2004-03-25 | Tokyo Electron Limited | 処理装置,および,処理装置のメンテナンス方法 |
JP2005024178A (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-27 | Sony Corp | 冷媒回収方法および冷媒回収装置 |
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