KR102217452B1 - 상부 모듈 온도 제어 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템 - Google Patents

상부 모듈 온도 제어 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템 Download PDF

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Abstract

하부 모듈을 냉각시키는 데에 이용되는 냉각 장치를 이용하여 상부 모듈의 내부 온도를 제어하는 상부 모듈 온도 제어 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템을 제공한다. 상기 기판 처리 시스템은, 상부가 개구되는 하우징; 하우징의 상부를 덮어 하우징의 내부를 밀폐시키며, 윈도우 부재 및 윈도우 부재 상에 설치되며 하우징의 내부에 플라즈마를 발생시키는 안테나 부재를 구비하는 상부 모듈; 하우징의 내부 상측에 설치되며, 기판을 처리하기 위한 공정 가스를 하우징의 내부로 유입시키는 샤워 헤드; 하우징의 내부 하측에 설치되며, 기판을 지지하는 지지 유닛; 및 지지 유닛을 냉각시키는 냉각 장치를 이용하여 상부 모듈을 냉각시켜 상부 모듈의 내부 온도를 제어하는 상부 모듈 온도 제어 장치를 포함한다.

Description

상부 모듈 온도 제어 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템 {Apparatus for controlling temperature of top module and system for treating substrate with the apparatus}
본 발명은 상부 모듈의 온도를 제어하는 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 유전체 윈도우를 구비하는 상부 모듈의 온도를 제어하는 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템에 관한 것이다.
반도체 소자는 기판 상에 소정의 패턴을 형성함으로써 제조될 수 있다. 기판 상에 소정의 패턴을 형성할 때에는 증착 공정(depositing process), 사진 공정(lithography process), 식각 공정(etching process) 등 다수의 공정이 반도체 제조 공정에 사용되는 설비 내에서 연속적으로 수행될 수 있다.
한국공개특허 제10-2014-0099219호 (공개일: 2014.08.11.)
최근 들어 플라즈마 공정(plasma process)을 이용하여 기판(예를 들어, 웨이퍼(wafer))을 식각하는 건식 식각 공정(dry etching process)이 반도체 소자를 제조하는 데에 많이 이용되고 있다.
건식 식각 공정은 공정 챔버(process chamber) 내에서 수행될 수 있다. 이러한 공정 챔버에서는 ACP 플레이트의 내부에 설치되는 냉각 라인(cooling line)을 통해 클린 드라이 에어(CDA; Clean Dry Air)를 유입시켜 히팅(heating) 또는 냉각(cooling)시킴으로써, 탑 윈도우(top window)의 온도를 제어하고 있다.
그러나 이와 같은 방식으로 탑 윈도우의 온도를 제어하는 경우, 탑 윈도우의 표면만 냉각되어 상부 모듈(top module)의 내부 전체에 대한 냉각 효율이 떨어질 수 있으며, 공정 챔버 내에서 식각 공정이 수행될 때에 상부 모듈이 제대로 냉각되지 않을 수 있다.
본 발명에서 해결하고자 하는 과제는, 하부 모듈을 냉각시키는 데에 이용되는 냉각 장치(chiller)를 이용하여 상부 모듈의 내부 온도를 제어하는 상부 모듈 온도 제어 장치를 제공하는 것이다.
또한 본 발명에서 해결하고자 하는 과제는, 하부 모듈을 냉각시키는 데에 이용되는 냉각 장치를 이용하여 상부 모듈의 내부 온도를 제어하는 상부 모듈 온도 제어 장치를 구비하는 기판 처리 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 시스템의 일 면(aspect)은, 상부가 개구되는 하우징; 상기 하우징의 상부를 덮어 상기 하우징의 내부를 밀폐시키며, 윈도우 부재 및 상기 윈도우 부재 상에 설치되며 상기 하우징의 내부에 플라즈마를 발생시키는 안테나 부재를 구비하는 상부 모듈; 상기 하우징의 내부 상측에 설치되며, 기판을 처리하기 위한 공정 가스를 상기 하우징의 내부로 유입시키는 샤워 헤드; 상기 하우징의 내부 하측에 설치되며, 상기 기판을 지지하는 지지 유닛; 및 상기 지지 유닛을 냉각시키는 냉각 장치를 이용하여 상기 상부 모듈을 냉각시켜 상기 상부 모듈의 내부 온도를 제어하는 상부 모듈 온도 제어 장치를 포함한다.
상기 상부 모듈 온도 제어 장치는 상기 냉각 장치에 의해 공급되는 유체를 상기 지지 유닛으로부터 외부로 배출시키는 배출 라인 상에 설치될 수 있다.
상기 상부 모듈 온도 제어 장치는, 상기 냉각 장치에 의해 공급되는 유체를 일시 저장하는 커버 부재; 상기 커버 부재의 제1 측면에 연결되며, 상기 유체를 상기 상부 모듈로 안내하는 배관 부재; 및 상기 커버 부재의 제2 측면에 설치되며, 에어의 흐름을 발생시켜 상기 유체를 상기 배관 부재가 위치한 방향으로 이동시키는 제1 팬 부재를 포함할 수 있다.
상기 커버 부재는 상기 유체를 상기 지지 유닛으로부터 외부로 배출시키는 배출 라인 상에 설치될 수 있다.
상기 제1 팬 부재는 상기 배관 부재에 대향하는 위치에 설치될 수 있다.
상기 상부 모듈 온도 제어 장치는, 상기 안테나 부재의 측면에 설치되며, 일측이 상기 배관 부재의 단부와 연결되고, 타측이 상기 안테나 부재의 내부와 통하는 제2 팬 부재를 더 포함할 수 있다.
상기 상부 모듈 온도 제어 장치는, 상기 안테나 부재의 내부 온도를 측정하는 온도 측정부; 및 상기 배관 부재 상에 설치되는 개폐 밸브를 더 포함할 수 있다.
상기 개폐 밸브는 상기 안테나 부재의 내부 온도가 기준 온도 이상인 것으로 판단되면 상기 배관 부재를 개방하며, 상기 안테나 부재의 내부 온도가 상기 기준 온도 미만인 것으로 판단되면 상기 배관 부재를 폐쇄할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 상부 모듈 온도 제어 장치의 일 면은, 기판을 지지하는 지지 유닛을 냉각시키는 냉각 장치에 의해 공급되는 유체를 일시 저장하는 커버 부재; 상기 커버 부재의 제1 측면에 연결되며, 플라즈마가 발생되는 하우징의 내부 공간을 덮는 상부 모듈로 상기 유체를 안내하는 배관 부재; 및 상기 커버 부재의 제2 측면에 설치되며, 에어의 흐름을 발생시켜 상기 유체를 상기 배관 부재가 위치한 방향으로 이동시키는 제1 팬 부재를 포함하며, 상기 유체를 이용하여 상기 상부 모듈을 냉각시켜 상기 상부 모듈의 온도를 제어한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 상부 모듈을 구비하는 기판 처리 시스템의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 상부 모듈 온도 제어 장치의 설치 형태를 보여주는 제1 예시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 상부 모듈 온도 제어 장치의 작동 방법을 설명하기 위한 참고도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 상부 모듈 온도 제어 장치의 설치 형태를 보여주는 제2 예시도이다.
도 5는 도 4에 도시된 상부 모듈 온도 제어 장치의 작동 방법을 설명하기 위한 참고도이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 상부 모듈 온도 제어 장치의 내부 구성을 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 7은 도 6에 도시된 상부 모듈 온도 제어 장치의 작동 방법을 설명하기 위한 제1 예시도이다.
도 8은 도 6에 도시된 상부 모듈 온도 제어 장치의 작동 방법을 설명하기 위한 제2 예시도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 상부 모듈 온도 제어 장치를 개략적으로 도시한 개념도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
건식 식각 공정(dry etching process)을 수행하는 공정 챔버(process chamber)에서는 클린 드라이 에어(CDA; Clean Dry Air)를 이용하여 그 상부에 설치되는 탑 윈도우(top window)의 온도를 제어하고 있다.
그러나 이러한 방식은 식각 공정을 진행한 후 상승한 탑 윈도우의 온도를 아이들(window temp idle) 상태로 리셋(reset)시킬 때에 냉각(cooling) 능력 및 효율성이 떨어지는 문제가 있다.
또한, ACP 플레이트(plate)의 내부에 한정하여 냉각이 진행되기 때문에, 상부 모듈에 설치되는 안테나의 온도를 제어(antenna temp control)하는 것이 어려운 문제도 있다.
본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위해 하부 모듈을 냉각시키는 데에 이용되는 냉각 장치(chiller)를 이용하여 상부 모듈(top module)의 내부 전체를 냉각시켜 상부 모듈의 내부 온도를 제어하는 상부 모듈 온도 제어 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템에 관한 것이다. 이하에서는 도면 등을 참조하여 본 발명을 자세하게 설명하기로 한다.
도 1은 상부 모듈을 구비하는 기판 처리 시스템의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 1에 따르면, 기판 처리 시스템(100)은 하우징(110), 지지 유닛(120), 플라즈마 생성 유닛(130), 샤워 헤드 유닛(140), 제1 가스 공급 유닛(150), 제2 가스 공급 유닛(160), 라이너(liner; 170), 배플 유닛(baffle unit; 180) 및 상부 모듈(190)을 포함하여 구성될 수 있다.
기판 처리 시스템(100)은 건식 식각 공정을 이용하여 기판(W)을 처리하는 시스템이다. 기판 처리 시스템(100)은 예를 들어, 플라즈마 공정(plasma process)을 이용하여 기판(W)을 처리할 수 있다.
하우징(110)은 플라즈마 공정이 수행되는 공간을 제공하는 것이다. 이러한 하우징(110)은 그 하부에 배기 홀(111)을 구비할 수 있다.
배기 홀(111)은 펌프(112)가 장착된 배기 라인(113)과 연결될 수 있다. 이러한 배기 홀(111)은 배기 라인(113)을 통해 플라즈마 공정 과정에서 발생된 반응 부산물과 하우징(110)의 내부에 잔여하는 가스를 하우징(110)의 외부로 배출할 수 있다. 이 경우, 하우징(110)의 내부 공간은 소정의 압력으로 감압될 수 있다.
하우징(110)은 그 측벽에 개구부(114)가 형성될 수 있다. 개구부(114)는 하우징(110)의 내부로 기판(W)이 출입하는 통로로서 기능할 수 있다. 이러한 개구부(114)는 도어 어셈블리(115)에 의해 개폐되도록 구성될 수 있다.
도어 어셈블리(115)는 외측 도어(115a) 및 도어 구동기(115b)를 포함하여 구성될 수 있다. 외측 도어(115a)는 하우징(110)의 외벽에 제공되는 것이다. 이러한 외측 도어(115a)는 도어 구동기(115b)를 통해 상하 방향(즉, 제3 방향(30))으로 이동될 수 있다. 도어 구동기(115b)는 모터, 유압 실린더, 공압 실린더 등을 이용하여 작동할 수 있다.
지지 유닛(120)은 하우징(110)의 내부 하측 영역에 설치되는 것이다. 이러한 지지 유닛(120)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 지지 유닛(120)은 기계적 클램핑(mechanical clamping), 진공(vacuum) 등과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지하는 것도 가능하다.
지지 유닛(120)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 경우, 베이스(121) 및 정전 척(ESC; Electro-Static Chuck)(122)을 포함하여 구성될 수 있다.
정전 척(122)은 정전기력을 이용하여 그 상부에 안착되는 기판(W)을 지지하는 것이다. 이러한 정전 척(122)은 세라믹 재질로 제공될 수 있으며, 베이스(121) 상에 고정되도록 베이스(121)와 결합될 수 있다.
정전 척(122)은 구동 부재(미도시)를 이용하여 하우징(110)의 내부에서 상하 방향(즉, 제3 방향(30))으로 이동 가능하게 설치될 수도 있다. 정전 척(122)이 이와 같이 상하 방향으로 이동 가능하게 형성되는 경우, 기판(W)을 보다 균일한 플라즈마 분포를 나타내는 영역에 위치시키는 것이 가능해질 수 있다.
링 어셈블리(123)는 정전 척(122)의 테두리를 감싸도록 제공되는 것이다. 이러한 링 어셈블리(123)는 링 형상으로 제공되어, 기판(W)의 테두리 영역을 지지하도록 구성될 수 있다. 링 어셈블리(123)는 포커스 링(focus ring; 123a) 및 절연 링(123b)을 포함하여 구성될 수 있다.
포커스 링(123a)은 절연 링(123b)의 내측에 형성되며, 정전 척(122)을 감싸도록 제공된다. 이러한 포커스 링(123a)은 실리콘 재질로 제공될 수 있으며, 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킬 수 있다.
절연 링(123b)은 포커스 링(123a)의 외측에 형성되며, 포커스 링(123a)을 감싸도록 제공된다. 이러한 절연 링(123b)은 쿼츠(quartz) 재질로 제공될 수 있다.
한편, 링 어셈블리(123)는 포커스 링(123a)의 테두리에 밀착 형성되는 에지 링(edge ring)을 더 포함할 수 있다. 에지 링은 플라즈마에 의해 정전 척(122)의 측면이 손상되는 것을 방지하기 위해 형성될 수 있다.
제1 가스 공급 유닛(150)은 링 어셈블리(123)의 상부나 정전 척(122)의 테두리 부분에 잔류하는 이물질을 제거하기 위해 가스를 공급하는 것이다. 이러한 제1 가스 공급 유닛(150)은 제1 가스 공급원(151) 및 제1 가스 공급 라인(152)을 포함하여 구성될 수 있다.
제1 가스 공급원(151)은 이물질을 제거하기 위한 가스로 질소 가스(N2 gas)를 공급할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 가스 공급원(151)은 다른 가스나 세정제 등을 공급하는 것도 가능하다.
제1 가스 공급 라인(152)은 정전 척(122)과 링 어셈블리(123) 사이에 제공되는 것이다. 제1 가스 공급 라인(152)은 예를 들어, 정전 척(122)과 포커스 링(123a) 사이로 연결되도록 형성될 수 있다.
한편, 제1 가스 공급 라인(152)은 포커스 링(123a)의 내부에 제공되어, 정전 척(122)과 포커스 링(123a) 사이로 연결되도록 절곡되도록 형성되는 것도 가능하다.
가열 부재(124) 및 냉각 부재(125)는 하우징(110)의 내부에서 식각 공정이 진행되고 있을 때에 기판(W)이 공정 온도를 유지할 수 있도록 제공되는 것이다. 가열 부재(124)는 이를 위해 열선으로 제공될 수 있으며, 냉각 부재(125)는 이를 위해 냉매가 흐르는 냉각 라인으로 제공될 수 있다.
가열 부재(124) 및 냉각 부재(125)는 기판(W)이 공정 온도를 유지할 수 있도록 하기 위해 지지 유닛(120)의 내부에 설치될 수 있다. 일례로, 가열 부재(124)는 정전 척(122)의 내부에 설치될 수 있으며, 냉각 부재(125)는 베이스(121)의 내부에 설치될 수 있다.
냉각 부재(125)는 냉각 장치(chiller; 200)를 이용하여 냉매를 공급받을 수 있다. 냉각 장치(200)는 하우징(110)의 외부에 설치될 수 있다.
플라즈마 생성 유닛(130)은 방전 공간에 잔류하는 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 것이다. 여기서, 방전 공간은 하우징(110)의 내부 공간 중에서 지지 유닛(120)의 상부에 위치하는 공간을 의미한다.
플라즈마 생성 유닛(130)은 유도 결합형 플라즈마(ICP; Inductively Coupled Plasma) 소스를 이용하여 하우징(110) 내부의 방전 공간에 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 이 경우, 플라즈마 생성 유닛(130)은 상부 모듈(190)에 설치되는 안테나 유닛(antenna unit; 193)을 상부 전극으로 이용하고, 정전 척(122)을 하부 전극으로 이용할 수 있다.
플라즈마 생성 유닛(130)은 상부 전극, 하부 전극, 상부 전원(131) 및 하부 전원(133)을 포함하여 구성될 수 있다.
상부 전원(131)은 상부 전극, 즉 안테나 유닛(193)에 전력을 인가하는 것이다. 이러한 상부 전원(131)은 플라즈마의 특성을 제어하도록 제공될 수 있다. 상부 전원(131)은 예를 들어, 이온 충격 에너지(ion bombardment energy)를 조절하도록 제공될 수 있다.
상부 전원(131)은 도 1에 단일 개 도시되어 있지만, 본 실시예에서 복수 개 구비되는 것도 가능하다. 상부 전원(131)이 복수 개 구비되는 경우, 기판 처리 시스템(100)은 복수 개의 상부 전원과 전기적으로 연결되는 제1 매칭 네트워크(미도시)를 더 포함할 수 있다.
제1 매칭 네트워크는 각각의 상부 전원으로부터 입력되는 상이한 크기의 주파수 전력들을 매칭하여 안테나 유닛(193)에 인가할 수 있다.
한편, 상부 전원(131)과 안테나 유닛(193)을 연결하는 제1 전송 선로(132) 상에는 임피던스 정합을 목적으로 제1 임피던스 정합 회로(미도시)가 마련될 수 있다.
제1 임피던스 정합 회로는 무손실 수동 회로로 작용하여 상부 전원(131)으로부터 안테나 유닛(193)으로 전기 에너지가 효과적으로(즉, 최대로) 전달되도록 할 수 있다.
하부 전원(133)은 하부 전극, 즉 정전 척(122)에 전력을 인가하는 것이다. 이러한 하부 전원(133)은 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스 역할을 하거나, 상부 전원(131)과 더불어 플라즈마의 특성을 제어하는 역할을 할 수 있다.
하부 전원(133)은 도 1에 단일 개 도시되어 있지만, 상부 전원(131)과 마찬가지로 본 실시예에서 복수 개 구비되는 것도 가능하다. 하부 전원(133)이 복수 개 구비되는 경우, 복수 개의 하부 전원과 전기적으로 연결되는 제2 매칭 네트워크(미도시)를 더 포함할 수 있다.
제2 매칭 네트워크는 각각의 하부 전원으로부터 입력되는 상이한 크기의 주파수 전력들을 매칭하여 정전 척(122)에 인가할 수 있다.
한편, 하부 전원(133)과 정전 척(122)을 연결하는 제2 전송 선로(134) 상에는 임피던스 정합을 목적으로 제2 임피던스 정합 회로(미도시)가 마련될 수 있다.
제2 임피던스 정합 회로는 제1 임피던스 정합 회로와 마찬가지로 무손실 수동 회로로 작용하여 하부 전원(133)으로부터 정전 척(122)으로 전기 에너지가 효과적으로(즉, 최대로) 전달되도록 할 수 있다.
샤워 헤드 유닛(140)은 정전 척(122)과 하우징(110)의 내부에서 상하로 대향되도록 설치될 수 있다. 이러한 샤워 헤드 유닛(140)은 하우징(110)의 내부로 가스를 분사하기 위해 복수 개의 가스 분사 홀(gas feeding hole; 141)을 구비할 수 있으며, 정전 척(122)보다 더 큰 직경을 가지도록 제공될 수 있다.
한편, 샤워 헤드 유닛(140)은 실리콘 재질로 제공되거나, 금속 재질로 제공될 수 있다.
제2 가스 공급 유닛(160)은 샤워 헤드 유닛(140)을 통해 하우징(110)의 내부로 공정 가스를 공급하는 것이다. 이러한 제2 가스 공급 유닛(160)은 제2 가스 공급원(161) 및 제2 가스 공급 라인(162)을 포함할 수 있다.
제2 가스 공급원(161)은 기판(W)을 처리하는 데에 이용되는 에칭 가스(etching gas)를 공정 가스로 공급하는 것이다. 이러한 제2 가스 공급원(161)은 에칭 가스로 불소(fluorine) 성분을 포함하는 가스(예를 들어, SF6, CF4 등의 가스)를 공급할 수 있다.
제2 가스 공급원(161)은 단일 개 구비되어 에칭 가스를 샤워 헤드 유닛(140)로 공급할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 가스 공급원(161)은 복수 개 구비되어 공정 가스를 샤워 헤드 유닛(140)로 공급하는 것도 가능하다.
제2 가스 공급 라인(162)은 제2 가스 공급원(161)과 샤워 헤드 유닛(140)을 연결하는 것이다. 제2 가스 공급 라인(162)은 제2 가스 공급원(161)을 통해 공급되는 공정 가스를 샤워 헤드 유닛(140)으로 이송하여, 에칭 가스가 하우징(110)의 내부로 유입될 수 있도록 한다.
한편, 샤워 헤드 유닛(140)이 센터 영역(center zone), 미들 영역(middle zone), 에지 영역(edge zone) 등으로 분할되는 경우, 제2 가스 공급 유닛(160)은 샤워 헤드 유닛(140)의 각 영역으로 공정 가스를 공급하기 위해 가스 분배기(미도시)와 가스 분배 라인(미도시)을 더 포함할 수 있다.
가스 분배기는 제2 가스 공급원(161)으로부터 공급되는 공정 가스를 샤워 헤드 유닛(140)의 각 영역으로 분배하는 것이다. 이러한 가스 분배기는 제2 가스 공급 라인(161)을 통해 제2 가스 공급원(161)과 연결될 수 있다.
가스 분배 라인은 가스 분배기와 샤워 헤드 유닛(140)의 각 영역을 연결하는 것이다. 가스 분배 라인은 이를 통해 가스 분배기에 의해 분배된 공정 가스를 샤워 헤드 유닛(140)의 각 영역으로 이송할 수 있다.
한편, 제2 가스 공급 유닛(160)은 증착 가스(deposition gas)를 공급하는 제2 가스 공급원(미도시)을 더 포함하는 것도 가능하다.
제2 가스 공급원은 기판(W) 패턴의 측면을 보호하여 이방성 에칭이 가능해지도록 샤워 헤드 유닛(140)로 공급하는 것이다. 이러한 제2 가스 공급원은 C4F8, C2F4 등의 가스를 증착 가스로 공급할 수 있다.
라이너(170)(또는 월 라이너(wall-liner))는 공정 가스가 여기되는 과정에서 발생되는 아크 방전, 기판 처리 공정 중에 발생되는 불순물 등으로부터 하우징(110)의 내측면을 보호하기 위한 것이다. 이러한 라이너(170)는 하우징(110)의 내부에 상부와 하부가 각각 개방된 원통 형상으로 제공될 수 있다.
라이너(170)는 하우징(110)의 내측벽에 인접하도록 제공될 수 있다. 이러한 라이너(170)는 그 상부에 지지 링(171)을 구비할 수 있다. 지지 링(171)은 라이너(170)의 상부에서 외측 방향(즉, 제1 방향(10))으로 돌출 형성되며, 하우징(110)의 상단에 놓여 라이너(170)를 지지할 수 있다.
배플 유닛(180)은 플라즈마의 공정 부산물, 미반응 가스 등을 배기하는 역할을 한다. 이러한 배플 유닛(180)은 하우징(110)의 내측벽과 지지 유닛(120) 사이에 설치될 수 있다.
배플 유닛(180)은 환형의 링 형상으로 제공될 수 있으며, 상하 방향(즉, 제3 방향(30))으로 관통되는 복수 개의 관통 홀(181)을 구비할 수 있다. 배플 유닛(180)은 관통 홀(181)의 개수 및 형상에 따라 공정 가스의 흐름을 제어할 수 있다.
상부 모듈(190)은 하우징(110)의 개방된 상부를 덮도록 설치되는 것이다. 이러한 상부 모듈(190)은 윈도우 부재(191) 및 안테나 부재(192)를 포함할 수 있다.
윈도우 부재(191)는 하우징(110)의 내부 공간을 밀폐시키기 위해 하우징(110)의 상부를 덮도록 형성되는 것이다. 이러한 윈도우 부재(191)는 판(예를 들어, 원판) 형상으로 제공될 수 있으며, 절연 물질(예를 들어, 알루미나(Al2O3))을 소재로 하여 형성될 수 있다.
윈도우 부재(191)는 유전체 창(dielectric window)을 포함하여 형성될 수 있다 윈도우 부재(191)는 제2 가스 공급 라인(162)이 삽입되기 위한 통공이 형성될 수 있으며, 하우징(110)의 내부에서 플라즈마 공정이 수행될 때 파티클(particle)의 발생을 억제하기 위해 그 표면에 코팅막이 형성될 수 있다.
안테나 부재(192)는 윈도우 부재(191)의 상부에 설치되는 것으로서, 안테나 유닛(193)이 그 내부에 배치될 수 있도록 소정 크기의 공간이 제공될 수 있다.
안테나 부재(192)는 하부가 개방된 원통 형상으로 형성될 수 있으며, 하우징(110)과 대응되는 직경을 가지도록 제공될 수 있다. 안테나 부재(192)는 윈도우 부재(191)에 탈착 가능하도록 제공될 수 있다.
안테나 유닛(193)은 상부 전극으로 기능하는 것으로서, 폐루프를 형성하도록 제공되는 코일이 장착된 것이다. 이러한 안테나 유닛(193)은 상부 전원(131)으로부터 공급되는 전력을 기초로 하우징(110)의 내부에 자기장 및 전기장을 생성하여, 샤워 헤드 유닛(140)를 통해 하우징(110)의 내부로 유입된 가스를 플라즈마로 여기시키는 기능을 한다.
안테나 유닛(193)은 평판 스파이럴(planar spiral) 형태의 코일을 장착할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 코일의 구조나 크기 등은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양하게 변경될 수 있다.
다음으로, 베이스(121)를 냉각시키는 데에 이용되는 냉각 장치(200)를 이용하여 상부 모듈(190)의 내부 전체를 냉각시켜 상부 모듈(190)의 내부 온도를 제어하는 상부 모듈 온도 제어 장치(300)에 대하여 설명한다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 상부 모듈 온도 제어 장치의 설치 형태를 보여주는 제1 예시도이다. 이하 설명은 도 2를 참조한다.
상부 모듈 온도 제어 장치(300)는 상부 모듈(190)을 구성하는 윈도우 부재(191)와 안테나 부재(192)의 온도를 제어하는 것이다. 이러한 상부 모듈 온도 제어 장치(300)는 냉각 장치(200)를 이용하여 윈도우 부재(191)와 안테나 부재(192)의 온도를 제어할 수 있다. 상기에서, 냉각 장치(200)는 베이스(121)에 설치되는 냉각 부재(125)로 냉매를 공급하여 지지 유닛(120)을 냉각시키는 것을 말한다.
상부 모듈 온도 제어 장치(300)는 냉각 장치(200)를 이용하여 윈도우 부재(191)와 안테나 부재(192)의 온도를 제어하는 경우, 냉매 배출 라인(chiller out line; 310) 상에 설치될 수 있다.
상부 모듈 온도 제어 장치(300)는 이와 같이 설치되는 경우, 도 3에 도시된 바와 같이 냉매 배출 라인(310)을 통해 외부로 배출되는 저온의 유체(330) 중 적어도 일부를 상부 모듈(190)의 내부로 공급할 수 있다. 도 3은 도 2에 도시된 상부 모듈 온도 제어 장치의 작동 방법을 설명하기 위한 참고도이다.
저온 공정을 진행하기 위해 사용하는 냉각 장치(200)는 그 온도가 영하 20ㅀC로 제어되고 있다. 상부 모듈 온도 제어 장치(300)는 저온 공정에 영향을 끼치지 않는 냉매 배출 라인(310)의 저온의 열에너지를 재활용함으로써, 상부 모듈(190) 내부의 윈도우 부재(191) 뿐만 아니라 안테나 부재(192)까지 냉각시키는 온도 제어 시스템(temp control system)으로 구현될 수 있다.
상부 모듈 온도 제어 장치(300)가 이와 같이 구현되면, 잔여하는 저온의 열에너지를 재활용할 수 있는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 상부 모듈(190)의 온도를 제어하기 위한 구성을 구비하지 않아도 되며, 이에 따라 비용 절감이 가능해지는 효과도 얻을 수 있다.
한편, 상부 모듈 온도 제어 장치(300)는 냉각 장치(200)를 이용하여 윈도우 부재(191)와 안테나 부재(192)의 온도를 제어하는 경우, 도 4에 도시된 바와 같이 냉매 공급 라인(320) 상에 설치되는 것도 가능하다. 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 상부 모듈 온도 제어 장치의 설치 형태를 보여주는 제2 예시도이다.
상부 모듈 온도 제어 장치(300)는 이와 같이 설치되는 경우, 도 5에 도시된 바와 같이 저온의 유체(330)가 냉각 장치(200)로부터 베이스(121) 내부의 냉각 라인으로 공급될 때 그 일부를 상부 모듈(190)의 내부로 공급할 수 있다. 도 5는 도 4에 도시된 상부 모듈 온도 제어 장치의 작동 방법을 설명하기 위한 참고도이다.
상부 모듈 온도 제어 장치(300)는 도 6에 도시된 바와 같이 커버 부재(410), 제1 팬 부재(420) 및 배관 부재(430)를 포함하여 구성될 수 있다. 도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 상부 모듈 온도 제어 장치의 내부 구성을 개략적으로 도시한 사시도이다.
커버 부재(410)는 냉매 배출 라인(310)을 통해 배출되는 저온의 유체(330)가 일시 저장되는 것이다. 커버 부재(410)는 이를 위해 양측에서 냉매 배출 라인(310)과 결합할 수 있다. 커버 부재(410)는 예를 들어, 상부와 하부를 통해 냉매 배출 라인(310)과 결합할 수 있다.
커버 부재(410)는 제1 팬 부재(420) 및 배관 부재(430)를 이용하여 그 내부에 일시 저장된 저온의 유체(330)를 상부 모듈(190)로 공급할 수 있다. 이러한 커버 부재(410)는 에어컨의 콘덴서(condenser) 역할을 하여, 저온의 유체(330)를 상부 모듈(190)로 공급할 수 있다.
한편, 커버 부재(410)는 냉기 보관용 뿐만 아니라 결로 방지용으로도 구현될 수 있다.
제1 팬 부재(420)는 커버 부재(410)에 일시 저장되는 저온의 유체(330)를 배관 부재(430)가 위치한 방향으로 이동시키는 것이다. 이러한 제1 팬 부재(420)는 흡입 팬(suction fan)으로 구현될 수 있으며, 도 7에 도시된 바와 같이 내부에 구비되는 회전체(421)의 회전에 따라 발생되는 에어(air; 422)의 흐름을 이용하여 저온의 유체(330)를 냉매 배출 라인(310)에서 배관 부재(430)로 이동시킬 수 있다. 도 7은 도 6에 도시된 상부 모듈 온도 제어 장치의 작동 방법을 설명하기 위한 제1 예시도이다.
제1 팬 부재(420)는 커버 부재(410)의 측면에 결합될 수 있다. 이때 제1 팬 부재(420)와 결합되는 커버 부재(410)의 측면은 개구됨으로써, 제1 팬 부재(410)에 의해 발생된 에어(422)가 저온의 유체(330)를 이동시킬 수 있도록 할 수 있다. 이러한 제1 팬 부재(420)는 에어컨의 블로우 팬(blow fan) 역할을 할 수 있다.
다시 도 6을 참조하여 설명한다.
배관 부재(430)는 저온의 유체(330)를 상부 모듈(190)로 안내하는 것이다. 이러한 배관 부재(430)는 커버 부재(410)와 상부 모듈(190)에 각각 연결될 수 있다.
배관 부재(430)는 커버 부재(410)의 측면에 결합될 수 있다. 제1 팬 부재(420)가 커버 부재(410)의 제1 측면에 결합되는 경우, 배관 부재(430)는 커버 부재(410)의 제2 측면에 결합될 수 있다. 여기서, 제2 측면은 제1 측면에 대향하는 측면일 수 있다.
배관 부재(430)는 저온의 유체(330)가 이동하는 통로로서, 에어컨의 덕트(duct) 역할을 할 수 있다. 이러한 배관 부재(430)는 예를 들어, 자바라 타입의 배관으로 형성될 수 있다.
이상 도 6 및 도 7을 참조하여 본 발명의 일실시 형태에 따른 상부 모듈 온도 제어 장치(300)에 대하여 설명하였다. 상부 모듈 온도 제어 장치(300)는 냉각기의 아웃 라인(chiller out line) 부분(즉, 냉매 배출 라인(310)에 자바라 형식의 배관(즉, 배관 부재(430))을 연결하고, 흡입 팬(fan)(즉, 제1 팬 부재(420))을 장착하여 냉각기의 아웃 라인에서 나오는 냉기가 자바라식 배관을 타고 상부 모듈(190)의 내부로 유입되도록 할 수 있다.
따라서 상부 모듈 온도 제어 장치(300)는 에어컨의 냉동 시스템 방식과 유사하게, 냉각기의 아웃 라인에 연결되는 자바라식 배관이 수냉식 콘덴서 역할을 하여 상부 모듈(190)의 내부 전체를 냉각시키는 방식의 냉동 시스템으로 구현될 수 있다.
한편, 상부 모듈 온도 제어 장치(300)는 배관 부재(430)와 결합하는 제2 팬 부재(440)를 더 포함할 수 있다.
제2 팬 부재(440)는 배관 부재(430)를 따라 이동되는 저온의 유체(330)를 상부 모듈(190)의 내부로 이동시키는 것이다. 이러한 제2 팬 부재(440)는 배출 팬으로 구현될 수 있다.
제2 팬 부재(440)는 배관 부재(430)의 단부에 결합된 상태로 상부 모듈(190)을 구성하는 안테나 부재(192)의 측면에 결합될 수 있다. 이때 제2 팬 부재(440)를 통과하는 저온의 유체(330)가 안테나 부재(192)의 내부로 유입될 수 있도록 안테나 부재(192)의 측면은 개구될 수 있다.
제2 팬 부재(440)는 이와 같이 구성되어, 도 8에 도시된 바와 같이 안테나 부재(192)의 내부 전역에 고르게 분산시킬 수 있다. 제2 팬 부재(440)를 통해 안테나 부재(192)의 내부로 유입된 저온의 유체(330)는 계속적으로 순환하여 안테나 유닛(193) 뿐만 아니라 그 하부에 위치하는 윈도우 부재(191)도 효과적으로 냉각시킬 수가 있다. 도 8은 도 6에 도시된 상부 모듈 온도 제어 장치의 작동 방법을 설명하기 위한 제2 예시도이다.
한편, 상부 모듈 온도 제어 장치(300)는 온도 측정부(450) 및 개폐 밸브(460)를 더 포함할 수 있다. 이하에서는 이에 대해 설명한다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 상부 모듈 온도 제어 장치를 개략적으로 도시한 개념도이다. 이하 설명은 도 9를 참조한다.
온도 측정부(450)는 안테나 부재(192)의 내부 온도를 측정하는 것이다. 이러한 온도 측정부(450)는 온도 센서(예를 들어, 티씨 센서(TC sensor))를 포함하여 구성될 수 있다.
개폐 밸브(460)는 배관 부재(430) 상에 설치되어 배관 부재(430)를 개폐하는 것이다. 이러한 개폐 밸브(460)는 배관 부재(430)를 따라 이동하는 저온의 유체(330)의 흐름을 제어할 수 있다.
개폐 밸브(460)는 온도 측정부(450)의 측정 결과를 기초로 배관 부재(430)를 개폐할 수 있다. 개폐 밸브(460)는 예를 들어, 안테나 부재(192)의 내부 온도가 기준 온도 이상인 것으로 판단되면 배관 부재(430)를 개방하고, 안테나 부재(192)의 내부 온도가 기준 온도 미만인 것으로 판단되면 배관 부재(430)를 폐쇄할 수 있다.
다음으로, 상부 모듈 온도 제어 장치(300)의 작동 방법에 대하여 설명한다.
먼저, 냉매 배출 라인(310)을 통과하는 저온의 유체(330)가 커버 부재(410)를 지나면서 커버 부재(410)의 내부에 저온의 유체(330)가 일시 저장된다.
이후, 온도 측정부(450)의 온도 측정 결과를 기초로 안테나 부재(192)의 내부 온도가 기준 온도 이상인 것으로 판단되면, 개폐 밸브(460)가 배관 부재(430)를 개방한다.
이후, 제1 팬 부재(420)와 제2 팬 부재(440)가 작동하면서 커버 부재(410)에 일시 저장되는 저온의 유체(330)가 배관 부재(430)를 따라 안테나 부재(192)의 내부로 유입된다. 그러면 저온의 유체(330)가 안테나 부재(192)의 내부를 냉각하여 윈도우 부재(191), 안테나 유닛(193) 등을 포함하는 상부 모듈(190) 전체에 대해 온도 제어가 실현된다.
이후, 온도 측정부(450)의 온도 재측정 결과를 기초로 안테나 부재(192)의 내부 온도가 기준 온도 미만인 것으로 판단되면, 제1 팬 부재(420)와 제2 팬 부재(440)가 작동 중지되며, 개폐 밸브(460)가 배관 부재(430)를 폐쇄하여, 상부 모듈(190)의 온도 제어 절차를 종료한다.
상부 모듈 온도 제어 장치(300)는 하부 모듈을 냉각시키는 데에 이용되는 냉각 장치(200)를 이용하여 상부 모듈(190)을 냉각시켜 상부 모듈(190)의 온도를 제어하는 것이다. 상부 모듈 온도 제어 장치(300)는 이와 같이 구성됨으로써 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
첫째, 온도 제어 영역을 확대할 수 있다. 상부 모듈 온도 제어 장치(300)는 냉각 시스템 개선을 통해 기존 ACP 플레이트 방식에서 이루어지는 탑 윈도우 냉각(top window cooling) 뿐만 아니라, 상부 모듈 전체를 냉각하여 탑 윈도우 뿐만 아니라 탑 안테나(top antenna)의 온도 제어가 가능한 상부 모듈 냉각 시스템으로 구현될 수 있다.
둘째, 온도 제어 효과를 증대할 수 있다. 상부 모듈 온도 제어 장치(300)는 탑 윈도우 온도 제어를 위한 냉각 능력 및 효율성을 증대시킬 수 있다.
셋째, 저온의 열에너지를 재활용할 수 있다. 상부 모듈 온도 제어 장치(300)는 하부 저온 공정에 사용하는 극저온 냉각기의 저온 에너지를 활용할 수 있다.
넷째, 에너지 사용 효율을 증가시켜 환경 친화성이 있다. 상부 모듈 온도 제어 장치(300)는 기존에 저온 공정에 사용되는 극저온 Chiller Out Line의 잔여 에너지를 재활용한 복합적인 Chiller System으로 구축되어 에너지를 보다 효율적으로 사용 가능하게 될 수 있다.
다섯째, 비용 절감이 가능하여 경제성이 있다. 상부 모듈 온도 제어 장치(300)는 상부 모듈(190)의 냉각을 위해 저온의 열에너지를 별도로 생성하지 않아도 되므로, 에너지 비용을 절감할 수 있다.
여섯째, 냉각 능력을 향상시킬 수 있다. 상부 모듈 온도 제어 장치(300)는 저온의 냉기가 유입되어 Cooling되므로 기존 대비 온도 제어를 하는 데 있어 시간 단축으로 인한 효율성을 증대시킬 수 있다.
일곱째, 적용성이 편리하다. 상부 모듈 온도 제어 장치(300)는 배관, 밸브, 팬 등 외에 별도의 구성품이 필요하지 않으므로, 설비를 적용하기에 매우 간단하여 시스템 적용성이 우수하다.
이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 기판 처리 시스템 110: 하우징
120: 지지 유닛 121: 베이스
122: 정전 척 123: 링 어셈블리
124: 가열 부재 125: 냉각 부재
130: 플라즈마 생성 유닛 131: 상부 전원
133: 하부 전원 140: 샤워 헤드 유닛
150: 제1 가스 공급 유닛 160: 제2 가스 공급 유닛
170: 라이너 180: 배플 유닛
190: 상부 모듈 191: 윈도우 부재
192: 안테나 부재 193: 안테나 유닛
200: 냉각 장치 300: 상부 모듈 온도 제어 장치
310: 냉매 배출 라인 320: 냉매 공급 라인
410: 커버 부재 420: 제1 팬 부재
430: 배관 부재 440: 제2 팬 부재
450: 온도 측정부 460: 개폐 밸브

Claims (10)

  1. 상부가 개구되는 하우징;
    상기 하우징의 상부를 덮어 상기 하우징의 내부를 밀폐시키며, 윈도우 부재 및 상기 윈도우 부재 상에 설치되며 상기 하우징의 내부에 플라즈마를 발생시키는 안테나 부재를 구비하는 상부 모듈;
    상기 하우징의 내부 상측에 설치되며, 기판을 처리하기 위한 공정 가스를 상기 하우징의 내부로 유입시키는 샤워 헤드;
    상기 하우징의 내부 하측에 설치되며, 상기 기판을 지지하는 지지 유닛; 및
    상기 지지 유닛을 냉각시키는 냉각 장치를 이용하여 상기 상부 모듈을 냉각시켜 상기 상부 모듈의 내부 온도를 제어하는 상부 모듈 온도 제어 장치를 포함하며,
    상기 상부 모듈 온도 제어 장치는 상기 냉각 장치에 의해 공급되는 유체를 상기 지지 유닛으로부터 외부로 배출시키는 배출 라인 상에 설치되는 기판 처리 시스템.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 모듈 온도 제어 장치는,
    상기 냉각 장치에 의해 공급되는 유체를 일시 저장하는 커버 부재;
    상기 커버 부재의 제1 측면에 연결되며, 상기 유체를 상기 상부 모듈로 안내하는 배관 부재; 및
    상기 커버 부재의 제2 측면에 설치되며, 에어의 흐름을 발생시켜 상기 유체를 상기 배관 부재가 위치한 방향으로 이동시키는 제1 팬 부재를 포함하는 기판 처리 시스템.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 커버 부재는 상기 유체를 상기 지지 유닛으로부터 외부로 배출시키는 배출 라인 상에 설치되는 기판 처리 시스템.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 제1 팬 부재는 상기 배관 부재에 대향하는 위치에 설치되는 기판 처리 시스템.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 상부 모듈 온도 제어 장치는,
    상기 안테나 부재의 측면에 설치되며, 일측이 상기 배관 부재의 단부와 연결되고, 타측이 상기 안테나 부재의 내부와 통하는 제2 팬 부재를 더 포함하는 기판 처리 시스템.
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 상부 모듈 온도 제어 장치는,
    상기 안테나 부재의 내부 온도를 측정하는 온도 측정부; 및
    상기 배관 부재 상에 설치되는 개폐 밸브를 더 포함하는 기판 처리 시스템.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 개폐 밸브는 상기 안테나 부재의 내부 온도가 기준 온도 이상인 것으로 판단되면 상기 배관 부재를 개방하며, 상기 안테나 부재의 내부 온도가 상기 기준 온도 미만인 것으로 판단되면 상기 배관 부재를 폐쇄하는 기판 처리 시스템.
  9. 기판을 지지하는 지지 유닛을 냉각시키는 냉각 장치에 의해 공급되는 유체를 일시 저장하는 커버 부재;
    상기 커버 부재의 제1 측면에 연결되며, 플라즈마가 발생되는 하우징의 내부 공간을 덮는 상부 모듈로 상기 유체를 안내하는 배관 부재; 및
    상기 커버 부재의 제2 측면에 설치되며, 에어의 흐름을 발생시켜 상기 유체를 상기 배관 부재가 위치한 방향으로 이동시키는 제1 팬 부재를 포함하며,
    상기 유체를 이용하여 상기 상부 모듈을 냉각시켜 상기 상부 모듈의 온도를 제어하며,
    상기 커버 부재는 상기 유체를 상기 지지 유닛으로부터 외부로 배출시키는 배출 라인 상에 설치되는 상부 모듈 온도 제어 장치.
  10. 삭제
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