KR20030061330A

KR20030061330A - 식각장치

Info

Publication number: KR20030061330A
Application number: KR10-2003-0001379A
Authority: KR
Inventors: 하라노히데키; 세오히로후미
Original assignee: 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션
Priority date: 2002-01-10
Filing date: 2003-01-09
Publication date: 2003-07-18
Also published as: JP2003203905A; US6843069B2; TWI221644B; JP3594583B2; TW200301935A; US20030126872A1

Abstract

본 발명의 식각장치는 내장된 냉매순환로가 구비된 전극을 장착한 반응챔버를 가진 처리장치, 소정의 온도로 냉매를 냉각하고 냉매순환로에 냉매를 소정의 유량으로 순환시키기 위한 냉각기, 냉매의 온도 또는 유량을 제어하기 위한 제어장치, 동작상태를 감시하기 위한 상태감시장치 및 동작상태에 대한 정보를 기초로, 냉매의 온도 또는 유량을 제어함으로써 전극의 온도를 제어하기 위한 온도제어장치를 포함한다.

Description

식각장치{Etching apparatus}

본 발명은 식각장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 동작상태에 따라 온도를 제어하기 위한 식각장치에 관한 것이다.

반응이온빔식각(RIE)장치들은 증기상태에서 유리기판들 및 웨이퍼들(즉, 처리대상들)과 같은 기판들 위의 식각패턴의 형성에 사용되고 있다. 그것들 중, 플라즈마식각장치는 플라즈마생성반응가스를 이용하여 챔버내의 전극상에 배치된 기판상에 식각패턴을 형성한다. 식각패턴의 형성공정에서는, 반응가스내의 라디칼들이 기판상에서 화학반응을 진행시키기 위해 기판의 표면과 충돌함에 따라 기판의 온도가 상승하게 된다. 기판온도의 상승은 기판의 변형을 초래하여, 미세제조공정시에 문제를 일으킬 것이다. 종래에는, 이러한 변형을 피하기 위해, 기판탑재대로서 사용될 전극 위에 냉각기구가 마련된 냉각시스템을 사용하여 기판의 온도를 제어한다.

도 2를 참조하면, 종래의 냉각시스템의 구조가 개략적으로 도시된다. 종래의 냉각시스템(120)은 처리장치(110)에 연결되어 있고 장치(110)내에서 기판(160)으로부터의 열을 흡수하도록 구성된다. 즉, 냉매탱크(122)내에 저장된 냉매는 펌프(124)에 의해 냉매순환로(121)를 따라 소정의 유량으로 전극(112)내부로 공급된다. 그 후, 전극(112)내의 냉매는 열을 흡수하여 전극(112) 위의 기판(160)을 냉각시킨다. 뒤이어, 열을 흡수한 냉매는 냉매순환로(121)를 따라 냉매탱크(122)로 보내진 후, 이 냉매는 냉매탱크(122)내의 제1열교환기(125)에 의해 냉각되고, 다시기판(160)을 냉각하기 위한 냉매로 이용된다.

여기서, 냉각시스템(120)의 온도센서(123)는 냉매탱크(122)내의 냉매온도를 계속하여 감시한다. 온도제어장치(130)가 온도센서(123)에 의해 검출되는 온도가 소정의 온도와 일치될 수 있도록 압축기(126)로 가스냉매의 유량을 제어함으로써, 제1열교환기(125)를 통해 냉매탱크(122)내의 냉매의 온도 또는 유량을 제어하게 된다.

처리장치(110)에 의한 기판(160)상에서의 식각패턴의 형성처리를 고려하면, 그러한 처리의 시작 전에는 열축적이 발생하지 않기 때문에 기판을 과도하게 냉각시킬 필요가 없다. 이 경우, 즉, 처리시작 전에는 플라즈마로부터 전극(112)으로의 직접적인 열부하는 없다. 반면, 식각처리를 계속하여 기판에 행하면, 열이 기판에 점진적으로 축적되기 때문에, 그 기판은 과도하게 냉각될 것이다.

그러나, 종래의 냉각시스템에서, 냉매의 유량은 처리가 초기상태인지 최종상태인지에 관계없이 일정하게 유지된다. 그러므로, 전극의 온도는 처리될 기판들의 수가 적은 경우 비교적 낮지만 처리될 기판들의 수가 증가하면 증가되는 문제가 발생한다.

이러한 문제를 고려할 때, 예컨대, 첫 번째 기판(이하, 제1기판)상에서의 식각패턴형성처리의 시작시의 기판의 온도 및 22번 째 기판(이하, 제22기판)상에서의 식각패턴형성처리의 시작시의 기판의 온도차가 5.2℃(즉, 첫 번째 식각처리의 시작시에는 30℃이고 22번 째 식각처리의 시작시에는 35.2℃이다)로 측정되었다. 게다가, 제1기판상에서의 식각패턴형성처리의 완료시의 기판의 온도 및 제22기판상에서의 식각처리의 완료시의 기판의 온도차는 3.0℃(즉, 첫 번째 식각처리의 완료시에는 34.8℃이고 22번 째 식각처리의 완료시에는 37.8℃이다)이었다.

이와 더불어, 도 3을 참조하면, 기판들이 연속적으로 처리되었던 경우의 처리된 기판들의 수와 제1기판 및 제3 또는 그 후의 기판간의 형상차이(즉, CD-시프트(㎛)량) 사이의 관계를 나타내는 그래프가 도시된다. 여기서, "CD-시프트"라는 말은 식각패턴형성 처리 후의 식각대상재료(즉, 기판들 각각)의 선폭에서 식각패턴형성 처리전의 식각마스크의 선폭을 빼서 얻어진 값을 의미한다. 도면에 보인 바와 같이, 식각대상재료가 실리콘산화막(막두께 3.8㎚)이었던 경우, CD-시프트는 대략 4㎚(제1기판의 CD-시프트는 -36㎚인 반면, 제3 또는 그 후의 기판의 CD-시프트는 -40㎚)이었다. 이러한 CD-시프트의 열변화는 소망하는 소자의 미세제조에 영향을 미칠 수 있다.

게다가, 처리장치가 동작하지 않거나 처리의 초기상태에 있는 경우, 전극의 온도를 제어하기 위한 냉매의 유량은 필요한 양을 실질적으로 초과하기 때문에 냉각이 과도하게 행해진다. 그러므로, 냉매의 유량이 장치가 동작하는 경우와 그렇지 않은 경우의 냉매의 사용패턴에 관계없이 일정하게 유지되기 때문에, 전력소비가 증가하는 다른 문제가 발생한다.

본 발명은 동작시의 기판의 CD-시프트의 차이를 억제할 수 있는 건식식각장치 및 비동작시의 소비젼력량을 억제할 수 있는 건식식각장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.

도 1은 본 발명의 제1실시예의 식각장치의 구성을 개략적으로 보여주는 블록도,

도 2는 종래의 식각장치의 실시형태의 구성을 개략적으로 보여주는 블록도, 및

도 3은 처리된 기판들의 수 및 기판들이 연속적으로 처리되었던 경우의 CD-시프트량 사이의 관계를 나타내는 그래프.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

10:처리장치11:챔버

12:전극20:냉각기

21:냉매순환로22:냉매탱크

23:온도센서24:인버터펌프

25:제1열교환기26:압축기

27:열교환로28:밸브

29:제2열교환기30:온도제어장치

40:유량제어장치50:상태감시장치

본 발명의 식각장치는, 내장된 냉매순환로를 구비한 전극이 장착된 반응챔버를 가진 처리장치; 소정의 온도로 냉매를 냉각시키고 소정의 유량으로 냉매순환로에 냉매를 순환시키기 위한 냉각기; 냉매의 온도 또는 유량을 제어하기 위한 제어장치; 동작상태를 감시하기 위한 상태감시장치; 및 동작상태에 대한 정보를 기초로 냉매의 온도 또는 유량을 제어함으로써 전극의 온도를 제어하기 위한 온도제어장치를 포함한다.

본 발명의 상술한 및 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 도면을 참조한 이후의 상세한 설명에 의해 보다 분명해질 것이다.

이하, 도 1을 참조하여 본 발명을 설명할 것이다. 이 도면에서, 식각장치의 구성이 개략적으로 보여진다. 이 식각장치는, 내장된 냉매순환로(21)가 구비된 전극(12)이 장착된 처리장치(10); 소정의 온도로 냉매를 냉각하고 냉매순환로(21)에 냉매를 소정의 유량으로 순환시키기 위한 냉각기(20); 냉매의 온도 또는 유량을 제어하기 위한 제어장치(30 또는 40); 및 식각장치의 동작상태를 감시하기 위한 상태감시장치(50)를 포함한다. 이 식각장치에서, 본 발명에 따른 이러한 장치의 온도를 제어하기 위한 방법은, 상태감시장치(50)로 처리장치(10)의 동작상태를 감시하는 단계; 얻어진 동작상태에 대한 정보에 기초하여 냉매의 온도 또는 유량을 제어함으로써 전극(12)의 온도를 제어하는 단계를 포함한다. 따라서, 적절한 방식으로 식각장치를 사용할 수 있게 된다. 즉, 전극(12)은 처리장치(10)가 동작하는 경우(예컨대, 대상재료들의 수 및 처리장치(10)의 동작시간에 의존하여) 일정한 온도로 유지될 수 있다. 게다가, 전극(12)은 처리장치(10)가 동작하지 않는 경우에 냉각을 약하게 하거나 중단시킴으로써 과도한 냉각으로부터 보호될 수 있다. 그래서, 식각장치는 적절하게 동작될 수 있다.

[제1실시예]

다시 도 1을 참조하여 본 발명의 제1실시예를 설명한다. 이 실시예에서, 식각장치는 처리장치(10), 냉각기(20), 온도제어장치(30), 유량제어장치(40) 및 상태감시장치(50)를 포함한다.

처리장치(10)는 기판(60)상에 건식식각패턴의 형성(즉, 플라즈마식각패턴의 형성)처리를 행하기 위해 구비되고 반응챔버(11) 및 전극(12)으로 이루어진다.

챔버(11)는, 기판(60)상의 식각패턴형성을 위한 반응용기로서 구비되며, 이 챔버내에서 상부전극 및 하부전극(즉, 전극(12))이 서로 대향하도록 평행하게 배치된다.

전극(12)은 챔버(11)내에 쌍으로 배치된 전극 중의 하부전극이며 기판이 탑재될 수 있는 탑재기로서 제공된다. 게다가, 전극(12)에서, 기판(60)을 소정의 온도로 냉각하여 유지하기 위한 냉매순환로의 일부가 전극(12)에 장착된다.

냉각기(20)는 냉매를 냉각시키기 위한 기구를 구비한 냉각장치로서 구비된다. 냉각기(20)는 냉매순환로(21)의 일부, 냉매탱크(22), 온도센서(23), 인버터펌프(24), 제1열교환기(25), 압축기(26), 열교환로(27), 밸브(28) 및 제2열교환기(29)를 포함한다.

냉매순환로(21)는 냉매탱크(22) 및 전극(12) 사이에서 냉매가 순환될 수 있도록 하는 유로로서 구비된다. 즉, 냉매순환로(12)는 냉매탱크(22)에 입구 및 출구가 각각 연결된 유로로서 구비된다. 게다가, 유로(21)의 일부는 전극(12)의 내부를 지나도록 전극(12)내에 내장되고 유로(21)의 다른 부분은 인버터펌프(24)에 부착된다.

냉매탱크(22)는 냉각기(20)내에 장착되어 전극(12)으로부터 나오는 냉매의 온도를 낮추기 위해 축적하는 용기로서 제공된다. 냉매탱크(22)는 제1열교환기(25)를 구비하고, 동시에 온도센서(23)는 냉매순환로(21)의 출구부근에 부착된다. 따라서, 냉매탱크(22)는 냉매순환로(21)의 입구 및 출구 사이에 연결된 유로로서 제공된다.

온도센서(23)는 냉매탱크(22)에서의 냉매의 온도를 측정하기 위한 센서로서 제공되며 온도제어장치(30)에 전기적으로 접속된다.

인버터펌프(24)는 냉매순환로(21)의 도중에서의 냉매를 순환시키기 위해 구비된다. 게다가, 인버터펌프(24)는 유량제어장치(40)에 전기적으로 접속되어 유량제어장치(40)에 의해 제어된다.

제1열교환기(25)는 냉매탱크(22)내의 냉매를 냉각시키기 위해(즉, 냉매로부터 열을 흡수하기 위해) 구비된다.

압축기(26)는 열교환로(27)의 도중에서의 가스냉매를 순환시키기 위해 제공되어, 제1열교환기(25)측을 감압하고, 동시에 제2열교환기(29)측을 가압한다. 게다가, 압축기(26)는 온도제어장치(30)에 전기적으로 접속되어, 압축기(26)의 온도는 온도제어장치(30)에 의해 제어될 수 있다.

열교환로(27)는 제1 및 제2열교환기들(25, 29)에서의 가스냉매를 순화시키기 위한 유로이다. 이 유로의 도중에, 압축기(26) 및 밸브(28)가 배치된다. 따라서, 압축기(26)는 밸브(28)로 유로를 억제시킴으로써 제1교환기(25)측을 감압하고 제2열교환기(29)측을 가압한다.

밸브(28)는 유로를 억제하도록 열교환로(27)의 도중에 배치된다.

열교환로(27)의 일부가 장착된 제2열교환기(29)는 가스냉매를 냉각시키기 위해 제공된다. 압축기(26)에 의해 가압된 가스냉매의 열이 냉각기(20)의 외부로부터 도입된 냉각재(냉각수 등)에 의해 흡수되도록 제1열교환기(25)가 냉매로부터 열을 흡수하여 가스냉매를 냉각함으로써, 냉각기(20)의 외부로부터 도입된 냉각재는 가스냉매를 냉각시킨다. 그 후, 열을 흡수한 냉각재는 냉각기(20) 밖으로 방출된다.

온도제어장치(30)는 냉매탱크(22)내의 냉매의 온도를 제어하기 위해 구비된다. 온도센서(23)는 압축기(26) 및 유량제어장치(40)에 전기적으로 접속된다. 온도제어장치(30)는 유량제어장치(40)로부터의 동작상태에 대한 정보와 더불어 온도센서(23)에 의해 검출된 온도에 대한 정보를 얻는다. 이렇게 얻어진 정보는 앞서 정의한 온도제어프로그램에 따라 온도를 제어하기 위해 이용된다. 따라서, 냉매의 온도는 동작상태에 따라 적절하게 조절될 수 있다. 여기서, 온도제어프로그램은 동작상태에 맞게 냉매의 온도를 조절하기 위해, 플라즈마에 의한 열부하, 그러한 열부하에 의해 야기되는 전극(12)에서의 열축적, 처리 시작 후에 처리된 기판들의 수, 식각장치의 동작시간 등에 기초하여 압축기(26)의 동작을 제어하는 프로그램이다.

유량제어장치(40)는 냉매순환로(21)에서의 냉매의 유량을 자동으로 제어하기위해 구비되고, 인버터펌프(24), 온도제어장치(30) 및 상태감시장치(50)에 전기적으로 접속된다. 유량제어장치(40)는 상태감시장치(50)로부터 동작상태에 대한 정보를 받는다. 그 후, 유량제어장치(40)는 수신된 동작상태에 관한 정보 및 미리 정의된 유량제어프로그램을 기초로, 인버터펌프(24)의 동작을 제어하여 동작상태에 맞게 냉매의 유량을 조절하는 한편, 동작상태에 대한 정보를 온도제어장치(30)에 보낸다. 유량제어프로그램은 동작상태에 대한 정보를 기초로, 냉매의 유량을 동작상태에 부합하도록 하기 위해 인버터펌프(24)를 제어한다.

상태감시장치(50)는 처리장치(10)의 동작상태를 감시하는 컴퓨터 등을 제어하기 위해 구비되고, 처리장치(10)와 유량제어장치(40)에 전기적으로 접속된다. 상태감시장치(50)는 연속적으로 또는 주기적으로 처리장치(10)의 동작상태에 대한 정보를 모아, 그러한 정보를 유량제어장치(40)에 보낸다. 여기서, 상기 동작상태에 대한 정보는 처리장치가 동작중인지 동작하지 않는지를 나타내고, 처리 시작 후의 처리된 기판들의 수, 처리 시작으로부터의 경과시간(즉, 처리장치(10)가 동작중인 기간) 및 처리 완료로부터의 경과시간(즉, 처리장치(10)가 동작하지 않는 기간)도 포함한다.

다음, 본 발명의 제1실시예에 따른 건식식각장치의 동작을 설명한다.

먼저, 처리장치(10)가 동작하는 경우(기판들을 연속적으로 처리하고 있는 기간동안)의 시스템의 동작을 설명한다. 챔버(11)내에서 처리될 기판들(60) 각각이 전극(12) 위에 놓인 후 플라즈마에 의해 식각된다. 안정된 방식으로 기판(60)을 식각하기 위해, 전극(12)의 온도는 일정하게 유지되어야 한다. 동작의 초기상태에서는 전극(12)에 플라즈마에 의한 열부하가 걸리지 않는다. 이 경우, 열축적이 없어, 높은 냉각성능이 요구되지 않아도 된다. 그러나, 식각장치는 기판들의 연속처리에 의해 열축적이 점점 증가함에 따라 높은 냉각성능을 요구하게 된다. 따라서, 이 실시예에서, 식각장치는 다음의 처리를 행한다.

여기서, 온도센서(23)는 냉각기(20)내의 냉매탱크(22)의 냉매온도를 계속하여 감시한다. 게다가, 온도제어장치(30)는 온도센서(23)에 의해 검출된 냉매의 온도가 소정의 온도로 조절되도록 압축기(26)로 가스냉매의 유량을 제어한다. 그래서, 온도제어장치(30)는 제1열교환기(25)를 통해 냉매탱크(22)내의 냉매의 온도를 소정의 온도로 조절한다. 뒤이어, 인버터펌프(24)는 온도가 조절된 냉매를 냉매순환로(21)를 통해 냉매탱크(22)에서 챔버(11)내의 전극(12)으로 공급한다.

다시 도 1을 참조하면, 먼저, 상태감시장치(50)는 챔버(11)내의 전극(12)의 온도를 소정의 온도로 유지하기 위한 정보로서, 처리장치(10)로부터 식각장치의 동작에 대한 정보를 요구한다(단계 A1). 동작에 대한 정보에는 처리가 시작된 후에 처리된 기판들의 수 및 식각장치의 동작시간이 포함되어 있다.

그 후, 상태감시장치(5)는 유량제어장치(40)로 동작에 대한 정보를 전송한다(단계 A2).

뒤이어, 유량제어장치(40)는 온도제어장치(30)로 수신된 동작에 대한 정보를 보낸다(단계 A3). 그 후, 유량제어장치(40)는 동작에 대한 정보 및 유량제어프로그램을 기초로, 처리의 시작단계에서 인버터펌프(24)가 냉매를 조금씩 공급하게 하고, 동시에 처리기판들의 수(동작시간)가 증가함에 따라 인버터펌프(24)로 냉매의유량을 점진적으로 증가시킨다(단계 A4).

마지막으로, 온도제어장치(30)는 동작상태에 대한 정보 및 온도센서(23)에 의해 검출된 온도에 대한 정보를 수신하여, 이렇게 수신된 동작상태에 대한 정보 및 온도에 대한 정보를 기초로, 온도제어프로그램에 따라 압축기(26)가 가스냉매의 유량을 증가시키게 한다(단계 A5). 결과적으로, 전극(12)의 온도는 온도제어장치(30) 및 유량제어장치(40)의 동작에 의해 소정의 온도로 조절될 수 있다.

필요한 경우, 상기 단계들(A1 내지 A5)이 반복적으로 행해질 수 있다.

따라서, 처리의 시작단계에서의 전극의 온도 및 기판들이 연속적으로 처리된 단계에서의 전극의 온도간의 차이는, 처리장치(10)가 동작중인 때 최소화될 수 있어, 식각장치의 안정된 처리능력이 처리될 기판들의 수에 의존하지 않고 달성될 수 있다.

다음으로, 처리장치가 동작하지 않는 경우(즉, 기판상에 식각을 행하지 않는 기간동안)에서의 식각장치의 동작을 설명한다.

처리장치(10)내에서 기판의 식각처리가 행해지지 않는다. 그러나, 온도센서(23)는 냉각기(20)내의 냉매탱크(22)의 냉매온도를 계속 감시한다. 게다가, 온도제어장치(30)는 온도가 소정의 온도와 일치하도록 압축기(26)로 가스냉매의 유량을 제어한다. 따라서, 냉매탱크(22)의 냉매온도는 제1열교환기(25)로 조절된다. 더구나, 온도가 제어된 냉매는 인버터펌프(24)의 작용으로 냉매탱크(22)에서 냉배순환로(21)를 통해 챔버(11)내의 전극(12)으로 공급된다. 챔버(11)가 동작하지않는 경우에는 플라즈마에 의한 냉각부하가 없다. 따라서, 이 경우에는, 다음 단계들이 교대로 행해질 것이다.

먼저, 상태감사장치(50)가 챔버(11)내의 전극(11)을 소정의 온도로 유지하기 위한 정보로서, 처리장치(동작하지 않는)로부터 동작하지 않는 처리장치의 동작상태에 대한 정보를 요구한다(단계 B1). 비동작상태에 대한 정보에는 처리의 완료로부터 경과된 시간에 대한 정보가 포함되어 있다.

다음, 상태감시장치(50)는 처리장치가 동작하지 않는 동작상태에 대한 정보를 유량제어장치(40)로 보낸다(단계 B2).

뒤이어, 유량제어장치(40)는 처리장치가 동작하지 않는 동작상태에 대한 수신된 정보를 온도제어장치(30)로 전송하고(단계 B3), 그 후 처리장치가 동작하지 않는 동작상태에 대한 정보를 기초로 유량제어프로그램에 따라 인버터펌프(24)로 냉매의 유량을 감소시킨다(단계 B4).

마지막으로, 온도제어장치(30)는 처리장치가 동작하지 않는 동작상태에 대한 정보 및 온도센서(23)에 의해 검출된 온도에 대한 정보를 수신하여, 처리장치가 동작하지 않는 동작상태에 대한 정보 및 온도에 대한 정보를 기초로, 온도제어프로그램에 따라 가스냉매의 유량을 감소시킨다(단계 B5).

결과적으로, 식각장치가 동작하지 않는 경우에는 냉각기의 냉각능력을 감소시킴으로서 전력소비를 줄일 수 있다.

상술한 바와 같이, 인버터펌프(24) 및 압축기(26)의 전력소비는 동작상태에 따라 전극(12)의 온도 및 냉매의 유량을 적절하게 제어함으로써 최소화될 수 있다.

[제2실시예]

전력소비를 다른 방식으로 낮추기 위한 본 발명의 제2실시예를 설명한다. 이 실시예에서, 처리장치로부터 전송된 처리장치가 동작하지 않는 동작상태에 대한 정보를 기초로, 식각장치가 동작하지 않는 경우(쉬는 상태), 냉각기는 냉각기내에서 플라즈마에 의한 냉각부하가 없는 전극에 냉매를 보내지 않는다.

본 발명에 따른 식각장치는 처리장치의 동작상태에 따라서, 최적의 온도제어 및 냉매의 유량제어를 통해, 동작중인 경우에는 전극의 온도를 안정적으로 제어할 수 있고, 기판에 대한 열제어가 안정적이며 기판의 CD-시프트의 차이를 감소시킬 수 있다. 따라서, 기판처리의 시작에서 완료까지 안정된 처리성능을 얻을 수 있다.

또한, 동작하지 않는 경우에는 냉각기소비전력을 감소시킬 수 있다. 동작상태에 따라 부하를 변화시킴으로써, 인버터펌프 및 압축기의 소비전력을 최소로 억제할 수 있다.

Claims

내장된 냉매순환로를 구비한 전극이 장착된 반응챔버를 가진 처리장치;

소정의 온도로 냉매를 냉각하고 상기 냉매순환로에 상기 냉매를 소정의 유량으로 순환시키기 위한 냉각기;

상기 냉매의 온도 또는 유량을 제어하기 위한 제어장치;

동작상태를 감시하기 위한 상태감시장치; 및

상기 동작상태에 대한 정보를 기초로, 상기 냉매의 상기 온도 또는 유량을 제어하기 위한 온도제어장치를 포함하는 식각장치.
내장된 냉매순환로를 구비한 전극이 장착된 반응챔버를 가진 처리장치;

소정의 온도로 냉매를 냉각하고 상기 냉매순환로에 상기 냉매를 소정의 유량으로 순환시키기 위한 냉각기;

상기 냉매의 온도 또는 유량을 제어하기 위한 제어장치;

동작상태를 감시하기 위한 상태감시장치; 및

상기 처리장치가 동작중임을 나타내는 동작상태에 대한 정보를 기초로, 상기 냉매의 유량을 처리대상재료들의 수의 증가에 비례하게 점진적으로 증가시킴으로써, 상기 전극의 온도가 일정하게 유지되도록 제어하고, 상기 처리장치가 동작하지 않을 때의 상기 처리장치가 동작중이 아님을 나타내는 동작상태에 대한 정보를 기초로, 상기 냉매의 순환을 감소시키는 온도제어장치를 포함하는 식각장치.
내장된 냉매순환로를 구비한 전극이 장착된 반응챔버를 가진 처리장치;

소정의 온도로 냉매를 냉각하고 상기 냉매순환로에 상기 냉매를 소정의 유량으로 순환시키기 위한 냉각기;

상기 냉매의 온도 또는 유량을 제어하기 위한 제어장치;

동작상태를 감시하기 위한 상태감시장치; 및

상기 처리장치가 동작중임을 나타내는 동작상태에 대한 정보를 기초로, 상기 냉매의 유량을 처리대상재료들의 수의 증가에 비례하게 점진적으로 증가시킴으로써, 상기 전극의 온도를 일정하게 유지하도록 제어하는 온도제어장치를 포함하는 식각장치.
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 동작상태에 대한 정보는 동작이 시작된 후에 처리된 처리대상재료들의 수에 대한 정보를 포함하는 식각장치.
내장된 냉매순환로를 구비한 전극이 장착된 반응챔버를 가진 처리장치;

소정의 온도로 냉매를 냉각하고 상기 냉매순환로에 상기 냉매를 소정의 유량으로 순환시키기 위한 냉각기;

상기 냉매의 온도 또는 유량을 제어하기 위한 제어장치;

동작상태를 감시하기 위한 상태감시장치; 및

상기 처리장치가 동작하지 않을 때의 처리장치가 동작중이 아님을 나타내는동작상태에 대한 정보를 기초로, 냉매의 순환을 감소시키는 유량제어장치를 포함하는 식각장치.
내장된 냉매순환로를 구비한 전극이 장착된 반응챔버를 가진 처리장치;

소정의 온도로 냉매를 냉각하고 상기 냉매순환로에 상기 냉매를 소정의 유량으로 순환시키기 위한 냉각기;

상기 냉매의 온도 또는 유량을 제어하기 위한 제어장치;

동작상태를 감시하기 위한 상태감시장치; 및

상기 처리장치가 동작하지 않을 때의 상기 처리장치가 동작중이 아님을 나타내는 동작상태에 대한 정보를 기초로, 상기 냉매의 순환을 중단시키는 유량제어장치를 포함하는 식각장치.