KR100707976B1 - 냉각수의 유량제어 수단과 냉각제의 가열수단을 구비한반도체 공정용 칠러 - Google Patents

냉각수의 유량제어 수단과 냉각제의 가열수단을 구비한반도체 공정용 칠러 Download PDF

Info

Publication number
KR100707976B1
KR100707976B1 KR1020050100981A KR20050100981A KR100707976B1 KR 100707976 B1 KR100707976 B1 KR 100707976B1 KR 1020050100981 A KR1020050100981 A KR 1020050100981A KR 20050100981 A KR20050100981 A KR 20050100981A KR 100707976 B1 KR100707976 B1 KR 100707976B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
coolant
heat exchanger
temperature
flow rate
chiller
Prior art date
Application number
KR1020050100981A
Other languages
English (en)
Inventor
김종수
이근수
김현우
Original Assignee
주식회사 에프에스티
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에프에스티 filed Critical 주식회사 에프에스티
Priority to KR1020050100981A priority Critical patent/KR100707976B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100707976B1 publication Critical patent/KR100707976B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Control Of Temperature (AREA)

Abstract

본 발명은 냉각수의 유량제어 수단과 냉각제의 가열수단을 구비한 반도체 공정용 칠러에 관한 것으로, 보다 상세하게는 쿨링제어기를 구비한 유량제어 수단과 히팅 PID제어기를 구비한 냉각제 가열수단을 사용하여 냉각제의 온도를 설정온도가 되도록 제어하는 반도체 공정용 칠러에 관한 것이다.
이와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 냉각수의 유량제어 수단과 냉각제의 가열수단을 구비한 반도체 공정용 칠러는 반도체 공정 장비와 열교환 후 유입되는 냉각제를 냉각수를 사용하여 냉각시키는 열교환기와, 상기 열교환기에서 유출되는 냉각제의 온도를 제어하기 위하여 상기 열교환기로 유입되는 냉각수의 유량을 조절하는 유량조절수단과, 상기 열교환기에서 유출된 냉각제를 수용하고, 상기 수용된 냉각제를 제1설정온도가 되도록 가열시키는 냉각제가열수단과, 상기 냉각제가 상기 열교환기, 냉각제가열수단, 반도체 공정 장비 내부를 순환하도록 연결된 냉각제순환배관과, 상기 냉각수가 상기 열교환기에 유입되어 유출되도록 연결된 냉각수배관과, 상기 가열기에서 냉각제가 유출되어 상기 반도체 공정 장비에 유입되도록 상기 냉각제를 순환시키는 펌프를 구비하는 것을 특징으로 한다.
칠러(chiller), PID 제어기

Description

냉각수의 유량제어 수단과 냉각제의 가열수단을 구비한 반도체 공정용 칠러{CHILLER FOR SEMICONDUCTOR PROGRESS HAVING CONTROL MEANS FOR THE AMOUNT OF COOLING WATER AND HEATING MEANS FOR COOLANT}
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 냉각수의 유량제어 수단과 냉각제의 가열수단을 구비한 반도체 공정용 칠러의 개념도,
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 일실시예에 따른 냉각수의 유량제어 수단과 냉각제의 가열수단을 구비한 반도체 공정용 칠러의 개념도,
도 3a는 종래의 반도체 공정용 칠러를 사용한 경우 반도체 공정 장비로 유입 및 유출되는 냉각제의 온도,
도 3b는 도 1의 실시예에 따른 반도체 공정용 칠러를 사용한 경우 반도체 공정 장비로 유입 및 유출되는 냉각제의 온도,
도 4는 종래의 반도체 공정용 칠러의 개념도이다.
<주요 도면부호에 대한 간단한 설명>
10 : 쿨링 PID제어기 20 : 히팅 PID제어기
30 : 펌프 40 : 열교환기
50 : 가열기 60 : 콘트롤밸브
70 : 반도체 공정 장비
본 발명은 냉각수의 유량제어 수단과 냉각제의 가열수단을 구비한 반도체 공정용 칠러에 관한 것으로, 보다 상세하게는 쿨링제어기를 구비한 유량제어 수단과 히팅 PID제어기를 구비한 냉각제 가열수단을 사용하여 냉각제의 온도를 설정온도가 되도록 제어하는 반도체 공정용 칠러에 관한 것이다.
칠러(chiller)란 반도체 소자의 제조공정에서 안정적인 공정제어를 위한 온도조절 장치이다.
통상, 반도체 공정은 각 단위 공정별 공정챔버에서 정해진 순서에 따라서 공정이 수행되며, 공정챔버에서 정상적인 공정이 수행될 수 있도록 여러 종류의 부대장치들이 구성되어 있다.
또한, 반도체 공정은 공정환경으로 산화공정과 같이 고온이 요구되는 것도 포함되어 있고, 이와 다르게 반도체 공정을 수행하기 위하여 설치되는 각 구성 부품 또는 부대 설비들이 자체 발열되는 경우도 있다.
정상적인 반도체 공정의 진행을 위해서는 전자나 후자 모두 일정 온도 이하로 냉각되어야 하며, 이를 위하여 냉각제 순환 시스템이 반도체 공정 설비에 구성되어 있다.
따라서, 반도체 소자의 제조공정에서는 안정적인 공정제어를 위하여 칠러(chiller)가 필요하다. 특히 반도체 소자 제조공정에서 칠러는 여러 공정 중에서 식각 및 노광공정에서 주로 사용하게 되는데 공정 중 과도한 열이 발생하는 전극판 및 챔버(chamber)의 온도를 일정하게 유지시켜 줌으로써 고온으로 인한 웨이퍼의 파손 및 생산성의 저하를 막아주게 된다.
반도체 공정에 사용되는 장비의 공정시 발생하는 열을 흡수하기 위한 종래의 칠러는 도 4와 같이 구성된다.
도 4를 참조하면 종래의 칠러는 열교환기(240), 가열기(250), 펌프(230), 히팅 PID제어기(220), 냉각제순환배관(290), 냉각수배관(280), 온도 센서(273)을 구비하고 있다. 냉각제순환배관(290)은 열교환기(240), 가열기(250), 반도체 공정장비(270)를 거쳐서 다시 열교환기(240)로 돌아오도록 연결된다. 따라서 냉각제는 펌프(230)에 의하여 반도체 공정장비(270)에 유입된 후 열교환기(240), 가열기(250)를 거쳐 다시 반도체 공정장비(270)로 유입된다.
냉각수배관(280)은 화살표(1,3) 방향으로 냉각수가 열교환기(240)에 유입되어 나가도록 열교환기(240)에 연결된다.
열교환기(240)에는 반도체 공정장비(270)로부터 열을 흡수한 고온의 냉각제가 냉각제순환배관(290)으로부터 유입되며, 또한, 일정한 온도의 저온의 냉각수가 냉각수배관(280)으로부터 유입된다. 따라서, 열교환기(240)에서는 고온의 냉각제와 저온의 냉각수의 온도차에 의하여 열교환이 발생하며, 냉각제는 냉각수에 의하여 냉각되어 열교환기(240)로부터 유출된다.
가열기(250)는 열교환기(240)로부터 유출된 냉각제를 저장하여 냉각제를 가열한다.
히팅 PID제어기(220)는 가열기(250)로부터 유출되어 반도체 공정장비(270)로 공급되는 냉각제의 온도가 설정온도가 되도록 제어한다. 냉각제가 유입되는 반도체 공정장비(270)의 입구에는 온도 센서(273)가 설치되어 있다. 냉각제는 가열기(250)에 의하여 가열되므로 히팅 PID 제어기(220)는 상기 온도 센서(273)를 사용하여 반도체 공정장비(270)로 공급되는 냉각제의 온도를 측정한 후, 냉각제가 설정온도가 되도록 가열기(250)를 조정하여 냉각제의 온도를 PID 제어하였다. 도 3a는 종래의 반도체용 칠러를 사용한 경우, 반도체 공정 장비로 유입되는 냉각제의 유입온도 및 반도체 공정 장비로부터 열을 공급받은 후 유출되는 냉각제의 유출온도를 도시한 그래프이다.
종래의 반도체 공정용 칠러는 쿨링(Cooling)이 고정된 상태에서 가열기로 제어를 하였기 때문에 외부 부하에 따른 쿨링 속도가 늦어진다는 문제점이 있었다.
또한, 종래의 반도체 공정용 칠러는 쿨링 용량(Capacity)이 히팅 용량보다 크면 부하가 없을 때 제어를 할 수 없으므로 가열기 용량보다 큰 부하를 흡수할 수 없었다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로 본 발명의 목적은 반도체 공정장비를 냉각시킨 후 반도체 공정용 칠러로 유입된 냉각제를 쿨링제어기를 사용하여 냉각시킴으로써 냉각제의 쿨링 속도를 빠르게 향상시킨 반도체 공정용 칠러를 제공하기 위함이다.
본 발명의 다른 목적은 쿨링제어기를 사용하여 냉각된 냉각제를 히팅PID 제 어기를 사용하여 가열함으로써 온도안정화 시간을 단축시킨 반도체 공정용 칠러를 제공하기 위함이다.
이와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 냉각수의 유량제어 수단과 냉각제의 가열수단을 구비한 반도체 공정용 칠러는 반도체 공정 장비와 열교환 후 유입되는 냉각제를 냉각수를 사용하여 냉각시키는 열교환기와, 상기 열교환기에서 유출되는 냉각제의 온도를 제어하기 위하여 상기 열교환기로 유입되는 냉각수의 유량을 조절하는 유량조절수단과, 상기 열교환기에서 유출된 냉각제를 수용하고, 상기 수용된 냉각제를 제1설정온도가 되도록 가열시키는 냉각제가열수단과, 상기 냉각제가 상기 열교환기, 냉각제가열수단, 반도체 공정 장비 내부를 순환하도록 연결된 냉각제순환배관과, 상기 냉각수가 상기 열교환기에 유입되어 유출되도록 연결된 냉각수배관과, 상기 가열기에서 냉각제가 유출되어 상기 반도체 공정 장비에 유입되도록 상기 냉각제를 순환시키는 펌프를 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 냉각제 가열수단은 상기 열교환기에서 유출된 냉각제를 수용하여 가열시키는 히터와, 상기 히터로부터 유출되어 상기 반도체 공정 장비로 유입되는 냉각제의 온도를 측정하는 제2센서와, 상기 히터를 조정하여 상기 제2센서에서 측정된 냉각제의 온도가 제1설정온도가 되도록 PID 제어하는 히팅 PID제어기를 구비하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 유량조절수단은, 상기 열교환기에서 유출되는 냉각제의 온도를 측정하는 제1센서와, 상기 열교환기로 유입되는 냉각수의 유량을 조절하는 콘트롤 밸브와, 상기 콘트롤밸브를 조정하여 상기 제1센서에서 측정된 냉각제의 온도가 제2설정온도가 되도록 PID 제어하는 쿨링 PID제어기를 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 유량조절수단은, 상기 제2센서와, 상기 열교환기로 유입되는 냉각수의 유량을 조절하는 콘트롤밸브와, 각각의 온도범위에 따른 상기 열교환기로 유입되는 냉각수의 유량을 설정한 후 상기 제2센서에서 측정된 온도에 해당하는 상기 온도범위에 설정된 냉각수의 유량이 열교환기에 유입되도록 상기 콘트롤밸브를 제어하는 쿨링 제어기를 구비하는 것을 특징으로 할 수 있다.
이하에서는, 본 발명에 따른 냉각수의 유량제어 수단과 냉각제의 가열수단을 구비한 반도체 공정용 칠러의 바람직한 실시예를 첨부된 도면들에 의거하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 냉각수의 유량제어 수단과 냉각제의 가열수단을 구비한 반도체 공정용 칠러의 제1 실시예의 개념도이다. 도 1을 참조하면, 반도체 공정용 칠러는 열교환기(40), 유량조절수단, 냉각제가열수단, 펌프(30), 냉각제 순환배관(90) 및 냉각수배관(80)을 구비하고 있다.
냉각제순환배관(90)은 열교환기(40), 가열기(50), 반도체 공정장비(70)의 순으로 연결된 배관이며, 펌프(30)는 냉각제순환배관(90)에서 냉각제를 순환시키는 역할을 한다. 따라서, 냉각제는 냉각제순환배관(90)을 통하여 열교환기(40), 가열기(50), 반도체 공정장비(70), 열교환기(40)의 순으로 순환된다.
냉각제는 반도체 공정장비(70)로부터 열을 공급받거나 또는 열을 공급한 후 열교환기(40)로 유입되어 냉각수와 열교환한 후 가열기(50)로 유입된다. 가열기 (50)로 유입된 냉각제는 일정한 온도로 가열된 후 다시 반도체 공정장비(70)로 유입된다.
반도체 공정 장비(70)로 공급되는 냉각제의 온도는 반도체 공정에 따라 다르지만 대략 30℃ 내지 180℃ 범위 내의 온도로 설정된 냉각제가 반도체 공정 장비(70)로 공급된다. 반도체 공정 장비(70)로 공급된 냉각제는 공정시 반도체 공정 장비(70)에 발생하는 열량을 흡수하거나 또는 반도체 공정 장비(70)에 열량을 공급한 다.
냉각수배관(80)은 냉각수가 열교환기(40)를 흐르도록 열교환기(40)에 연결되어 있다. 따라서, 열교환기(40)에는 20℃ 가량의 저온의 냉각수와 반도체 공정 장비(70)를 통과한 30℃ 내지 180℃ 범위의 고온의 냉각제가 흐른다. 냉각수는 화살표 1의 방향으로 유입되어 화살표 3의 방향으로 유출되어 나가는 반면, 냉각제는 반도체 공정 장비(70)로부터 유입되어 가열기(50)로 유출되어 나간다. 따라서, 열교환기 내부에서 냉각제와 냉각수 간의 온도차이에 의하여 열교환이 발생한다. 냉각제는 냉각수로 열을 공급하여 냉각되어 열교환기(40)로부터 유출되어 나가는 반면, 냉각수는 냉각제로부터 열을 공급받아 가열되어 열교환기(40)로부터 유출되어 나간다.
유량조절수단은 콘트롤밸브(60)와, 제1센서(71) 및 쿨링 PID제어기(10)를 구비하고 있다.
콘트롤밸브(60)는 열교환기(40)로 냉각수가 유입되는 냉각수배관(80)에 설치되어 있으며, 냉각수배관(80)으로 흐르는 냉각수의 유량을 조절하는 밸브이다.
제1센서(71)은 열교환기(40)에서 가열기(50)로 유입되는 냉각제순환배관(90)에 설치되어 있으며, 가열기(50)로 유입되는 냉각제의 온도를 측정하는 역할을 한다.
쿨링 PID제어기(10)는 가열기(50)로 유입되는 냉각제의 온도를 제2설정온도가 되도록 제어한다. 열교환기(40)에서 냉각제로부터 냉각수로 열교환 되는 열량은 냉각제와 냉각수의 온도차 및 냉각수의 유량 등에 따라 달라지므로, 열교환기(40)로 유입되는 냉각수의 유량을 조절하여 열교환 되는 열량을 제어할 수 있다. 따라서 쿨링 PID제어기(10)는 제1센서(71)에서 측정되는 냉각제의 온도가 제2설정온도가 되도록 열교환기(40)로 공급되는 냉각수의 양을 조절하는 콘트롤밸브(60)를 제어한다. 즉, 제1센서(71)에 측정된 냉각제의 온도가 제2설정온도보다 높으면, 콘트롤밸브(60)를 조절하여 상기 열교환기(40)로 유입되는 냉각수의 유량을 증가시키고, 냉각제의 온도가 제2설정온도보다 낮으면, 상기 열교환기(40)로 유입되는 냉각수의 유량을 감소시키어 냉각제가 제2설정온도가 되도록 PID 제어한다.
냉각제가열수단은 가열기(50), 히팅 PID제어기(20)와 제2센서(73)를 구비하고 있다.
열교환기(40)에서 냉각되어 유출된 냉각제는 가열기(50)로 유입된다. 가열기(50)로 유입된 냉각제는 가열기(50)에 의하여 가열된 후 반도체 공정장비(70)로 공급된다.
히팅 PID제어기(20)는 가열기(50)에서 유출되어 반도체 공정장비(70)로 공급되는 냉각제의 온도가 제1설정온도가 되도록 제어한다. 냉각제가 유입되는 반도체 공정장비(70)의 입구에는 냉각제의 온도를 측정하는 제2센서(73)가 설치되어 있다. 냉각제는 가열기(50)에 의하여 가열되므로 히팅 PID제어기(20)는 상기 제2센서(73)를 사용하여 반도체 공정장비(70)로 공급되는 냉각제의 온도를 측정한 후, 냉각제가 제1설정온도가 되도록 가열기(50)를 조정하여 냉각제의 온도를 PID 제어한다.
도 3b는 제1 실시예에 따른 반도체 공정용 칠러를 사용한 경우 반도체 공정 장비에 유입되는 냉각제의 온도 및 반도체 공정 장비로부터 열을 공급받은 후 유출되는 냉각제의 온도를 도시한 그래프이다. 본 실시예에서는 반도체 공정 장비(70)로 유입되는 냉각제의 설정 온도를 40℃로 하였다. 도 3a의 종래의 반도체 공정용 칠러에 의한 반도체 공정 장비로 유입되는 냉각제의 온도를 비교하면, 균일한 온도로 유입됨을 알 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 냉각수의 유량제어 수단과 냉각제의 가열수단을 구비한 반도체 공정용 칠러의 제2 실시예의 개념도이다. 도 2를 참조하면, 반도체 공정용 칠러는 열교환기(40), 유량조절수단, 냉각제가열수단, 냉각수배관(80), 냉각제순환배관(90) 및 펌프(30)를 구비하고 있다. 열교환기(40), 냉각제가열수단, 냉각수배관(80), 냉각제순환배관(90) 및 펌프(30)는 제1 실시예의 경우와 그 구성이 동일하므로 제1 실시예를 참조하기로 하고 자세한 설명은 생략한다.
유량조절수단은 콘트롤밸브(61), 제2센서(73) 및 쿨링제어기(11)를 구비하고 있다.
열교환기(40)는 제1 실시예의 경우와 같이 냉각제와 냉각수 간의 온도차에 의하여 냉각제와 냉각수를 열교환 시킨다. 따라서 냉각수가 유입되는 열교환기(40)의 입구에는 콘트롤밸브(61)가 설치되어 있다. 콘트롤밸브(61)는 제1 실시예의 경 우와 달리 반도체 공정 장비(70)로 유입되는 냉각제의 온도범위에 따라 열교환기(40)에 유입되는 냉각수의 유량이 설정되어 있다. 예를 들면, 냉각제의 온도가 30℃이상 40℃ 미만, 40℃ 이상 50℃ 미만, ..., 120℃ 이상 130℃ 미만의 범위에 대하여 열교환기로 유입되는 냉각수의 유량이 각각 설정되어 있다.
쿨링제어기(11)는 열교환기(40)로 유입되는 냉각수의 유량을 조절하여 열교환기(40)에서 유출되는 냉각제의 온도를 제어한다. 다만, 제1 실시예의 경우와 달리 반도체 공정 장비(70)로 유입되는 냉각제의 온도를 측정하기 위하여 설치된 제2 센서(73)로부터 냉각제의 온도를 측정한 후 콘트롤밸브(61)을 조정하여 열교환기(40)로 냉각수를 유입시킨다. 예를 들면, 제2센서(73)에서 측정된 반도체 공장 장비(70)에 유입된 냉각제의 온도가 125℃이면 쿨링제어기(11)는 콘트롤밸브(61)를 조정하여 120℃ 이상 130℃ 미만의 범위에 설정된 유량을 열교환기(40)로 유입시킨다.
본 발명에 의하면, 반도체 공정장비를 냉각시킨 후 반도체 공정용 칠러로 유입된 냉각제를 쿨링제어기를 사용하여 냉각시킴으로써 냉각제의 쿨링 속도를 빠르게 향상시킬 수 있을 뿐 아니라, 쿨링제어기를 사용하여 냉각된 냉각제를 히팅 PID제어기를 사용하여 가열함으로써 온도안정화 시간을 단축시킨 반도체 공정용 칠러를 제공할 수 있다.
앞서 설명되고, 도면에 도시된 본 발명의 일 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기 재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서, 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.

Claims (4)

  1. 냉각수와, 반도체 공정 장비로부터 유출된 냉각제를 유입하여 열교환시키는 열교환기와,
    상기 열교환기에서 유출되는 냉각제의 온도를 제어하기 위하여 상기 열교환기로 유입되는 냉각수의 유량을 조절하는 유량조절수단과,
    상기 열교환기에서 유출된 냉각제를 수용하고, 상기 수용된 냉각제를 제1설정온도가 되도록 가열시키는 냉각제가열수단과,
    상기 냉각제가열수단, 반도체 공정장비, 열교환기의 순으로 연결된 냉각제순환배관과,
    상기 냉각수가 상기 열교환기에 유입되어 유출되도록 연결된 냉각수배관과,
    상기 냉각제순환배관 내에서 상기 냉각제를 순환시키는 펌프를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 칠러.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 냉각제 가열수단은 상기 열교환기에서 유출된 냉각제를 수용하여 가열시키는 가열기와, 상기 가열기로부터 유출되어 상기 반도체 공정 장비로 유입되는 냉각제의 온도를 측정하는 제2센서와, 상기 가열기를 조정하여 상기 제2센서에서 측정된 냉각제의 온도가 제1설정온도가 되도록 PID 제어하는 히팅 PID제어기를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 칠러.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 유량조절수단은, 상기 열교환기에서 유출되는 냉각제의 온도를 측정하는 제1센서와, 상기 열교환기로 유입되는 냉각수의 유량을 조절하는 콘트롤밸브와, 상기 콘트롤밸브를 조정하여 상기 제1센서에서 측정된 냉각제의 온도가 제2설정온도가 되도록 PID 제어하는 쿨링 PID제어기를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 칠러.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 유량조절수단은, 상기 제1센서와, 상기 열교환기로 유입되는 냉각수의 유량을 조절하는 콘트롤밸브와, 각각의 온도범위에 따른 상기 열교환기로 유입되는 냉각수의 유량을 설정한 후 상기 제1센서에서 측정된 온도에 해당하는 상기 온도범위에 설정된 냉각수의 유량이 열교환기에 유입되도록 상기 콘트롤밸브를 제어하는 쿨링 제어기를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 칠러.
KR1020050100981A 2005-10-25 2005-10-25 냉각수의 유량제어 수단과 냉각제의 가열수단을 구비한반도체 공정용 칠러 KR100707976B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050100981A KR100707976B1 (ko) 2005-10-25 2005-10-25 냉각수의 유량제어 수단과 냉각제의 가열수단을 구비한반도체 공정용 칠러

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050100981A KR100707976B1 (ko) 2005-10-25 2005-10-25 냉각수의 유량제어 수단과 냉각제의 가열수단을 구비한반도체 공정용 칠러

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100707976B1 true KR100707976B1 (ko) 2007-04-16

Family

ID=38181458

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050100981A KR100707976B1 (ko) 2005-10-25 2005-10-25 냉각수의 유량제어 수단과 냉각제의 가열수단을 구비한반도체 공정용 칠러

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100707976B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100991976B1 (ko) * 2008-05-14 2010-11-04 현대정보기술주식회사 제조설비용 냉각장치의 제어방법
KR101458132B1 (ko) 2013-06-07 2014-11-05 (주)티티에스 절감형 온도 조절 장치 및 이의 제어 방법
KR102339630B1 (ko) * 2021-02-16 2021-12-23 ㈜엑스포 반도체 공정용 칠러

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030085058A (ko) * 2001-03-26 2003-11-01 야자키 소교 가부시키가이샤 에어콘

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030085058A (ko) * 2001-03-26 2003-11-01 야자키 소교 가부시키가이샤 에어콘

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100991976B1 (ko) * 2008-05-14 2010-11-04 현대정보기술주식회사 제조설비용 냉각장치의 제어방법
KR101458132B1 (ko) 2013-06-07 2014-11-05 (주)티티에스 절감형 온도 조절 장치 및 이의 제어 방법
KR102339630B1 (ko) * 2021-02-16 2021-12-23 ㈜엑스포 반도체 공정용 칠러

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100524831B1 (ko) 처리장치 및 그 온도제어방법
KR101367086B1 (ko) 반도체 제조 설비를 위한 온도제어 시스템
KR101739369B1 (ko) 반도체 공정 설비용 온도 제어시스템
US20060225876A1 (en) Constant temperature controller
TWI652756B (zh) 半導體製造設備的高科技控溫裝置
JP2008537322A (ja) チャックシステムにおける温度制御のための装置および方法
WO2005064659A1 (ja) 基板処理システムのための温度調節方法および基板処理システム
JP5297014B2 (ja) 熱媒加熱冷却装置及び熱媒温度制御方法
KR101177112B1 (ko) 전기식 칠러 장치 및 이의 온도제어 방법
KR100707976B1 (ko) 냉각수의 유량제어 수단과 냉각제의 가열수단을 구비한반도체 공정용 칠러
KR20220012301A (ko) 온도 제어 시스템 및 온도 제어 방법
JP5496771B2 (ja) 温度制御装置を用いた温度制御方法
JP2016053863A (ja) 温度調節装置
KR20030061330A (ko) 식각장치
KR100404651B1 (ko) 반도체 제조 설비용 냉각장치
KR100653455B1 (ko) 고온용 및 저온용 열교환기를 구비한 반도체 공정용 칠러
KR102339630B1 (ko) 반도체 공정용 칠러
JP4121361B2 (ja) チャック温度制御方式
KR102107594B1 (ko) 반도체 공정 설비용 온도 제어시스템
JP3061067U (ja) 熱交換装置
CN111627876B (zh) 一种散热装置
KR19990006301U (ko) 온도조절장치가 형성된 웨이퍼 스테이지
KR102398341B1 (ko) 액체 가열 장치 및 세정 시스템
TWI840571B (zh) 溫度控制系統及溫度控制方法
KR101345410B1 (ko) 온도조절장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee