JP3061067U - 熱交換装置 - Google Patents

熱交換装置

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JP3061067U
JP3061067U JP1999000324U JP32499U JP3061067U JP 3061067 U JP3061067 U JP 3061067U JP 1999000324 U JP1999000324 U JP 1999000324U JP 32499 U JP32499 U JP 32499U JP 3061067 U JP3061067 U JP 3061067U
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cooling
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heating
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拓郎 橋口
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体製造装置や液晶製造装置ユニットの冷
却に際して消費エネルギーを低く抑えることが可能であ
るとともに装置全体を小型化することが可能であり、更
に、工場等の冷却設備の負担を少なくすることが可能な
熱交換装置を提供すること。 【解決手段】 熱媒体を蓄えるためのブラインタンク
と、該ブラインタンク内の熱媒体を被冷却物に循環供給
するためのブライン流路及び循環ポンプと、前記被冷却
物を冷却した後の前記熱媒体を設定温度以下に冷却する
ための冷却装置ユニットと、該冷却装置ユニットにより
設定温度より低い温度に冷却された熱媒体を加熱するこ
とにより熱媒体を設定温度まで上昇させるための加熱手
段と、前記冷却装置ユニットから排出される高温の水を
前記加熱手段に供給するための加熱媒体供給手段と、該
加熱媒体供給手段を制御するための制御手段とを備えた
ことを特徴とする。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【考案の属する技術分野】
本考案は、一定の温度の熱媒体を一定の圧力で循環供給することにより被冷却 対象物を冷却する熱交換装置に係り、より詳しくは、半導体製造装置ユニット、 液晶製造装置ユニット等を冷却する場合のように、熱媒体の微細な温度調節を必 要とする冷却の場合に用いられる熱交換装置の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体や液晶の製造においては、不良品の発生を防止するために、これらの製 造装置のユニットを加熱あるいは冷却することによって、その温度を一定に保つ 必要がある。そして、従来から、この半導体製造装置や液晶製造装置のユニット の冷却あるいは加熱は、熱媒体(以下「ブライン」という。)を一定の温度と圧 力で循環供給することによって行われていた。
【0003】 ここで、図2は、半導体製造装置等を冷却するために従来から行われている低 温熱交換装置を示す図であり、図において31は、冷却対象となる半導体製造装 置等のユニットである。
【0004】 また、図において32はブラインタンクであり、このブラインタンク32内に は純水、エチレングリコール、フッ素混合液体等のブライン33が蓄えられると ともに、このブライン33は、循環用ポンプ35によって、矢印方向に向かって 循環流路34内を循環する。
【0005】 更に、図において36は冷却装置ユニットであり、前記半導体製造装置ユニッ ト31を冷却することにより温度が上昇した前記ブライン33は、この冷却装置 ユニット36によって冷却された後に、前記ブラインタンク32内に戻される。
【0006】 また、冷却装置ユニット36内には、フロンガス等の冷媒を用いて前記ブライ ン32を冷却するための第一の冷却装置3601と、前記フロンガス等の冷媒を 冷却するための第二の冷却装置3602が備えられている。そして、前記第二の 冷却装置3602内においては、工場等の冷却設備等から供給される冷却水を用 いて前記フロンガス等の冷媒を冷却することとしている。
【0007】 ところで、半導体製造装置ユニットや液晶製造装置ユニット等を冷却する場合 には微細な温度調節が必要であり、その結果、これらを冷却するためのブライン 33の微細な温度制御が必要となる。そのために、従来から用いられている低温 熱交換装置では、前記冷却装置ユニット36内において、一度ブライン33の温 度を設定温度よりも低い温度に冷却し、その後に、ヒーター等によってこの設定 温度よりも低い温度まで冷却されたブライン33を加熱して設定温度に戻すとい う作業が行われていた。
【0008】 即ち、図において37はヒーターであり、このヒーター37は、冷却装置ユニ ット36によって一旦設定温度よりも低い温度にされてブラインタンク32内に 戻されたブライン33を加熱することにより、ブラインタンク32内のブライン 33の温度を設定温度に調節するために用いられていた。
【0009】 そして、このように構成される従来の低温熱交換装置の作用を説明すると、ま ず、温度調節計38によって、所望するブライン33の温度が設定される。
【0010】 そして、その後に、循環ポンプ35が作動して、ブラインタンク32内のブラ イン33が半導体製造装置ユニット等の被冷却物に供給され、熱交換によって被 冷却物31が冷却される。
【0011】 そうすると、ブライン33は、被冷却物の熱を吸収して設定温度よりも高い温 度になるため、冷却装置ユニット36において、フロンガス等の冷媒を用いるこ とにより、ブライン33の温度を設定温度よりも低い温度に冷却して、ブライン タンク32に戻すとともに、前記フロンガスは、工場等の冷却設備等から供給さ れる冷却水によって冷却される。
【0012】 そして次に、ブラインタンク32内において、ヒーター37によってブライン 33を加熱し、ブラインタンク32内のブライン33の温度を設定温度まで上げ 、設定温度まで上げたブライン33を再び被冷却物に供給する。なお、図におい て39は温度センサーであり、この温度センサー39により被冷却物31に供給 されるブライン33の温度を常に監視するとともに、この温度センサー39によ り監視しているブライン33の温度に基づいて、温度調節計38がヒーター37 を制御し、ブラインタンク32内のブライン33の温度を設定温度に調節してい る。
【0013】
【考案が解決しようとする課題】
このように、従来の低温熱交換装置においては、ブラインの微細な温度制御を 行う方法として、冷却装置ユニットによってブラインの温度を一旦設定温度より も低い温度まで冷却し、その後に、この設定温度よりも低い温度に冷却されたブ ラインを、ブラインタンク内においてヒーターを用いて加熱し、それによって設 定温度に戻す方法を採用していた。そのために、ヒーターを作動させるための電 力を必要とし、その結果、半導体製造装置や液晶製造装置のユニットの冷却に際 して必要とするエネルギーが高くならざるを得ないという問題があった。
【0014】 また、ヒーターを用いているために、このヒーターの作動を正確にするための 各種の手段を備える必要があり、そのため、装置全体が大きくならざるを得ない という問題も存在した。
【0015】 更に、前述したように、従来から使用されている熱交換装置では、ブラインの 冷却のために使用するフロンガス等の冷媒を冷却するために、工場等の冷却設備 等から供給される冷却水を用いており、工場等の冷却設備等においては、フロン ガス等の冷媒の熱を吸収して高温になった水を再び冷却して前記冷却装置ユニッ トに供給していた。そのために、従来の熱交換装置では工場等の冷却設備等の負 担が大きくなっていた。
【0016】 そこで、本考案は、半導体製造装置や液晶製造装置ユニットの冷却に際して消 費エネルギーを低く抑えることが可能であるとともに装置全体を小型化すること が可能であり、更に、工場等の冷却設備の負担を少なくすることが可能な熱交換 装置を提供することを課題としている。
【0017】
【課題を解決するための手段】
本考案の熱交換装置は、予め設定した温度の熱媒体を循環供給することにより 被冷却物を冷却するための熱交換装置であって、前記熱媒体を蓄えるためのブラ インタンクと、該ブラインタンク内の熱媒体を前記被冷却物に循環供給するため のブライン流路及び循環ポンプと、前記被冷却物を冷却した後の前記熱媒体を設 定温度以下に冷却するための冷却装置ユニットと、該冷却装置ユニットにより設 定温度より低い温度に冷却された熱媒体を加熱することにより熱媒体を設定温度 まで上昇させるための加熱手段と、前記冷却装置ユニットから排出される高温の 水を前記加熱手段に供給するための加熱媒体供給手段と、該加熱媒体供給手段を 制御するための制御手段とを備えたことを特徴とする。
【0018】 本考案の熱交換装置では、冷却装置ユニットから排出されて工場等の冷却設備 等に戻される高温の水を用いて、設定温度よりも低い温度に冷却された熱媒体を 加熱し、これにより熱媒体の温度を設定温度まで上昇させる構造としている。そ のために、設定温度よりも低い温度まで冷却した熱媒体を設定温度まで上昇させ るためのヒーターが不要となり、半導体製造装置ユニットや液晶製造装置ユニッ ト等を冷却する場合のように微細な温度調節を必要とする場合であっても、ヒー ターを作動させるための電力を不要とし、省エネルギーを達成することが可能と なった。また、ヒーターが不要となったために、ヒーターを制御するための各種 の手段をも不要となり、その結果、装置全体を小型化することが可能となった。
【0019】 更に、本考案の熱交換装置では、前述したように、冷却装置ユニットから排出 されて工場等の冷却設備等に戻される高温の水を利用することにより、設定温度 よりも低い温度に冷却された熱媒体を加熱して熱媒体の温度を設定温度まで上昇 させる構造としているため、冷却設備等に戻される水の温度を低くすることがで き、その結果、冷却設備等の負担を少なくすることが可能となった。
【0020】
【実施例】
本考案の熱交換装置の実施例について図面を参照して説明すると、図1は、本 実施例の熱交換装置のブロック図であり、図において1は、熱媒体であるブライ ン2を蓄えておくためのブラインタンクである。そして、図において3はブライ ン流路であり、4はブライン流路3内で矢印方向へブライン2を循環させるため の循環ポンプである。
【0021】 また、図において5は半導体製造装置ユニット、液晶製造装置ユニット等の被 冷却対象物であり、この被冷却対象物5は、ブライン2によって所望する温度ま で冷却され、一定の温度を維持することができる。
【0022】 更に、図において6は冷却装置ユニットであり、この冷却装置ユニット6にお いて、被冷却対象物5を冷却した後のブライン2が、予め定めた設定温度よりも 低い温度に冷却される。
【0023】 ここで、図において601は、ブライン2を冷却するための第一の冷却装置で あり、この第一の冷却装置601においては、フロンガス等の冷媒を用いること により、前記ブライン2を冷却している。
【0024】 また、図において602は、前記フロンガス等の冷媒を冷却するための第二の 冷却装置であり、この第二の冷却装置602においては、工場等の冷却設備等か ら供給される冷却水を用いることにより、前記フロンガス等の冷媒を冷却してい る。
【0025】 そして、図において7は、前記ブライン2の温度を上昇させるための加熱ユニ ットであり、前記冷却装置ユニット6により設定温度よりも低い温度に冷却され たブライン2は、この加熱ユニット7内において設定温度まで上昇され、その後 に前記ブラインタンク1に戻される。
【0026】 ここで、図において8は比例制御三方弁であり、この比例制御三方弁8は、前 記第二の冷却装置602においてフロンガス等の冷媒を冷却した後の高温の水の 一部を、前記加熱ユニット7に供給しており、これにより、設定温度よりも低い 温度に冷却されたブライン2が設定温度まで加熱される。そして、前記比例制御 三方弁8の作動は、温度センサー10によって監視している前記ブラインタンク 1と被冷却対象物5間の温度に基づいて、温度調節計9が制御している。
【0027】 なお、前記比例制御三方弁8においては、工場等の冷却設備等に戻される高温 の水と加熱ユニット7に供給される高温の水の流量を0:100〜100:0に 制御することが可能である。
【0028】 このように構成される本実施例の熱交換装置では、まず、温度調節計9におい て被冷却媒体5に供給されるブライン2の温度が設定されるとともに温度センサ ー10によって被冷却対象物5に循環供給されるブライン2の温度が監視される 。
【0029】 次に、循環ポンプ4によって、設定温度にされたブライン2が半導体製造装置 ユニット等の被冷却対象物5に供給され、熱交換によって被冷却対象物5が冷却 される。
【0030】 その後に、被冷却対象物5の熱を吸収したブライン2は、冷却装置ユニット6 において、フロンガス等の冷媒によって設定温度よりも低い温度に冷却されて、 加熱ユニット7に流される。
【0031】 一方、ブライン2を冷却するために用いたフロンガス等の冷媒を冷却して冷却 装置ユニット6より排出された高温の水は、比例制御三方弁8によってその一部 が前記加熱ユニット7に供給される。そして、冷却装置ユニット6によって設定 温度よりも低い温度に冷却されたブライン2は、加熱ユニット7内において、比 例制御三方弁8によって供給された高温の水によって加熱され、設定温度に調節 され、その後にブラインタンク1内に戻される。
【0032】 一方、加熱ユニット7内においてブライン2を加熱して水温が下がった高温の 水は、前記加熱ユニット7に供給されなかった高温の水とともに、工場等の冷却 設備等に戻され、そこで冷却された後に再び、フロンガスを冷却するために前記 第一の冷却装置602に循環供給される。
【0033】 ここでより具体的な例を挙げて説明すると、例えば設定温度が20度であった 場合には、被冷却対象物5を冷却した後のブライン2は23度程度まで温度が上 昇している。そして、第一の冷却装置601によって18度程度まで冷却される 。一方、第二の冷却装置601に供給される冷却水は20度程度であり、この2 0度程度の冷却水はフロンガス等の冷媒を冷却することにより35度程度まで水 温が上昇している。そして、この35度程度になった高温の水は、温度調節計9 によって作動が制御される比例制御三方弁8によって加熱ユニット7に供給され 、この加熱ユニット7内において前記18度程度まで冷却されたブライン2を設 定温度まで加熱した後に、25度程度まで水温が下がった後に、35度程度の高 温の冷却水と混合され冷却設備等に戻される。
【0034】 このように、本実施例の熱交換装置を用いることにより、半導体製造装置ユニ ット等を冷却する場合のように、ブラインの微細な温度調節を必要とする冷却の 場合であっても、ヒーターを用いることなく被冷却対象物を正確に冷却すること が可能となる。
【0035】 また、本実施例の熱交換装置では、冷却設備等に戻る高温の水を用いてブライ ンを加熱しており、そのため、冷却設備等に戻る高温の水の温度を下げることが 可能であり、冷却設備等の負担を少なくすることができる。
【0036】 更に、本実施例では、温度調節計9によって作動が制御される比例制御三方弁 8を用いることにより、加熱ユニット7に供給される高温の水の流量と加熱ユニ ット7に供給されない高温の水の流量を調節しているために、正確に、設定温度 にされたブライン2を被冷却対象物5に供給することが可能となる。
【0037】 なお、前記ブライン2としては、純水、エチレングリコール、フッ素混合液体 等、温度条件等に合わせた選択をすることによってその種類を決定すると良い。
【0038】
【考案の効果】
本考案の熱交換装置は以上説明したような形態で実施され、以下に記載するよ うな効果を奏する。
【0039】 本考案の熱交換装置は、熱媒体であるブラインを蓄えるためのブラインタンク と、前記ブラインタンク内のブラインを前記被冷却物に循環供給するためのブラ イン流路及び循環ポンプと、前記被冷却物を冷却した後の前記ブラインを設定温 度以下に冷却するための冷却装置ユニットと、該冷却装置ユニットにより設定温 度より低い温度に冷却されたブラインを加熱することによりブラインを設定温度 まで上昇させるための加熱ユニットと、前記冷却装置ユニットにおいて前記ブラ インを冷却した後の冷却媒体を前記加熱手段に供給するための比例制御三方弁と 、該比例制御三方弁を制御するための温度調節計とを備えたことを特徴とする。
【0040】 このように、本考案の熱交換装置では、冷却装置ユニット内においてフロンガ ス等の冷媒を冷却して高温になった水を用いて、設定温度よりも低い温度に冷却 されたブラインを加熱し、これによりブラインの温度を設定温度まで上昇させる 構造としている。そのために、設定温度よりも低い温度まで冷却したブラインを 設定温度まで上昇させるためのヒーターが不要となり、その結果、半導体製造装 置や液晶製造装置のユニットを冷却する場合のように微細な温度調節を必要とす る場合であっても、ヒーターを作動させるための電力を不要とし、省エネルギー を達成することが可能となった。
【0041】 また、ヒーターが不要となったために、これを制御するための各種手段をも不 要となり、装置全体を小型化することが可能となった。
【0042】 更に、本来はそのすべてが工場等の冷却設備等に戻される高温の水を再利用し て、これをブラインの加熱媒体としているために、冷却設備等に戻る水の温度を 低くすることができ、その結果、冷却設備等の負担を少なくすることが可能とな った。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の熱交換装置の実施例を示すブロック図
である。
【図2】従来の熱交換装置のブロック図である。
【符号の説明】
1 ブラインタンク 2 ブライン 3 ブライン流路 4 循環ポンプ 5 被冷却対象物 6 冷却装置ユニット 7 加熱ユニット 8 比例制御三方弁 9 温度調節計 10 温度センサー

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】予め設定した温度の熱媒体(2)を循環供
    給することにより被冷却物(5)を冷却するための熱交
    換装置であって、前記熱媒体(2)を蓄えるためのブラ
    インタンク(1)と、該ブラインタンク(1)内の熱媒
    体(2)を前記被冷却物(5)に循環供給するためのブ
    ライン流路(3)及び循環ポンプ(4)と、前記被冷却
    物(5)を冷却した後の前記熱媒体(2)を設定温度以
    下に冷却するための冷却装置ユニット(6)と、該冷却
    装置ユニット(6)により設定温度より低い温度に冷却
    された熱媒体(2)を加熱することにより熱媒体(2)
    を設定温度まで上昇させるための加熱手段(7)と、前
    記冷却装置ユニット(6)から排出される高温の水を前
    記加熱手段(7)に供給するための加熱媒体供給手段
    (8)と、該加熱媒体供給手段(8)を制御するための
    制御手段(9)とを備えたことを特徴とする熱交換装
    置。
  2. 【請求項2】前記加熱媒体供給手段(8)が比例制御三
    方弁であることを特徴とする請求項1に記載の熱交換装
    置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001003169A1 (fr) * 1999-07-02 2001-01-11 Tokyo Electron Limited Installation, procede et dispositif de fabrication de semi-conducteurs
WO2001003168A1 (fr) * 1999-07-02 2001-01-11 Tokyo Electron Limited Installation de fabrication de semi-conducteurs
JP2002195728A (ja) * 2000-12-28 2002-07-10 Daikin Ind Ltd チラー装置
JP2006261497A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Canon Inc デバイス製造装置

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