KR100404651B1 - 반도체 제조 설비용 냉각장치 - Google Patents

반도체 제조 설비용 냉각장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100404651B1
KR100404651B1 KR10-2001-0009007A KR20010009007A KR100404651B1 KR 100404651 B1 KR100404651 B1 KR 100404651B1 KR 20010009007 A KR20010009007 A KR 20010009007A KR 100404651 B1 KR100404651 B1 KR 100404651B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
coolant
semiconductor manufacturing
line
cooling
tank
Prior art date
Application number
KR10-2001-0009007A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020068749A (ko
Inventor
유상준
안문걸
민경환
황세연
Original Assignee
유니셈 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 유니셈 주식회사 filed Critical 유니셈 주식회사
Priority to KR10-2001-0009007A priority Critical patent/KR100404651B1/ko
Publication of KR20020068749A publication Critical patent/KR20020068749A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100404651B1 publication Critical patent/KR100404651B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

반도체제조 설비용 냉각장치를 제공한다, 이러한 반도체 제조 설비용 냉각장치는 반도체제조설비와; 상기 반도체제조설비의 내부를 순환방식에 의해 냉각시키도록 설치되는 냉각제공급라인 및 냉각제회수라인과: 상기 반도체제조설비의 내부, 냉각제공급라인 및 냉각제회수라인을 따라 순환 될 냉각제를 저장하는 탱크와; 상기 탱크의 내부에 설치되며 냉각수 및 냉각제가 흐르는 냉각수순환로 및 냉각제순환로가 마련되는 열교환기와; 상기 냉각수가 흐르는 라인상에 설치되어 냉각수의 흐름량을 소정의 온도 영역대 또는 냉각부하별로 선택적으로 제어하는 자동밸브를 구비한 반도체 제조설비용 냉각장치에 있어서, 상기 탱크의 내부 바닥에는 상기 냉각제를 소정의 온도로 가열시키는 히터가 구성되고; 상기 냉각제회수라인에는 탱크와 직결되는 바이패스라인이 추가로 구비되며; 상기 바이패스라인에는 그 유로를 개폐시키는 솔레노이드밸브가 구비된다.

Description

반도체 제조 설비용 냉각장치{Chiller of Semiconductor Manufacturing Equipment}
본 발명은 반도체 제조 설비용 냉각장치에 관한 것으로서, 특히 반도체 제조설비(예컨데, 식각설비, 스퍼터설비, 화학기상증착설비, 노광설비 등)에서의 웨이퍼가 안착되는 척이나 챔버 월의 온도를 공정 중에서 적정온도를 유지시키는 칠러(chiller)의 구조를 냉각수의 유랑제어를 통하여 각 제조설비가 필요로 하는 온도로 쉽게 조절할 수 있도록 구현된 반도체 제조 설비용 냉각장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체를 제조하기 위한 설비는 각 공정을 수행하기 위한 독자적인 구조를 가지고 있으며, 이들 설비들은 공정환경을 엄밀하게 유지하도록 설계되어야 한다.
특히, 전원이 인가되면서 웨이퍼와 챔버의 온도가 상승하게 되고 또한, 이것이 반응율을 결정짓는 변수가 되는데, 그 반응율을 일정하게 유지하도록 온도를 일정하게 유지하는 온도조절시스템이 구성되며, 온도조절시스템의 대표적인 예가 칠러(chiller)이다.
칠러는 일정한 온도의 냉각제(coolant)를 공급 및 순환시켜 전극이 일정한 온도를 유지할 수 있도록 냉각시키는 장치이다.
도 7은 종래의 반도체 제조 설비용 냉각 장치의 구성을 도시한 도면으로서, 상기 도면에 도시한 바와 같이 반도체제조설비(10)가 있으며, 그 반도체제조설비(10) 내부의척과 챔버월에 배관이 설치되어 있으며, 공급된 냉각제가 척 또는 챔버월에서 순환된 후 탱크(20)로 회수되도록 냉각제공급라인(30) 및 냉각제회수라인(40)이 구성되어 있으며, 이러한 공급 및 순환을 조절하도록 각 라인에 밸브(31,41,43)가 각각 설치되어 있다.
상기 탱크(20)의 내부에는 냉각제 및 냉각수가 순환하는 냉각제순환로 및 냉각수순환로가 구성된 열교환기(21)가 설치되며, 그 내부 저면에는 냉각제의 온도를 가열하는 히터(23)가 설치된다.
또한, 상기 열교환기(20)에는 상기 열교환기(20)로 냉각수를 공급하는 냉각수공급라인(50)과, 상기 열교환기(20)를 통과한 냉각수를 회수하는 냉각수회수라인(60)이 연결되어 상기 열교환기(20)의 내부를 통과하는 냉각제를 냉각시키도록 구성된다.
상기 열교환기(20) 및 히터(23)의 적절한 가열조건에 의해 냉각제가 적정의 온도가 유지되어 반도체제조설비(10)로 공급되게 되는 것이다.
그러나, 이와 같이 구성된 종래의 반도체 제조 설비용 냉각장치는 냉각수의 유량이 항상 일정한 상태로 흐르도록 구성됨에 따라 냉각수가 오히려 부하를 가중시켜서 전력소모를 증가할 뿐만 아니라 필요 이상의 냉각수를 소모시킨다는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출 된 것으로서, 본 발명의 목적은 냉각수의 흐름 량이 반도체 제조 장치에서 필요로 하는 온도 영역 대별로 자동으로 콘트롤되도록 구성함에 따라 온도조절을 보다 쉽게 행할 수 있도록 함과 동시에 온도조절효과를 높이도록 하는 반도체 제조 설비용 냉각장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 항상 일정량의 냉각수를 흘려보내야만 하는 점을 해소시켜 불필요한 냉각수의 소모를 감소시킴은 물론 냉각수가 오히려 부하를 가중시켜 전력소모를 증가시키는 것을 해소시키는 반도체 제조 설비용 냉각장치를 제공하는 데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 반도체제조설비와; 상기 반도체제조설비의 내부를 순환방식에 의해 냉각시키도록 설치되는 냉각제공급라인 및 냉각제회수라인과: 상기 반도체제조설비의 내부, 냉각제공급라인 및 냉각제회수라인을 따라 순환 될 냉각제를 저장하는 탱크와; 상기 탱크의 내부에 설치되며 냉각수 및 냉각제가 흐르는 냉각수순환로 및 냉각제순환로가 마련되는 열교환기와 상기 냉각수가 흐르는 라인상에 설치되어 냉각수의 흐름량을 소정의 온도 영역대 또는 냉각부하별로 선택적으로 제어하는 자동밸브를 구비한 반도체 제조설비용 냉각장치에 있어서, 상기 탱크의 내부 바닥에는 상기 냉각제를 소정의 온도로 가열시키는 히터가 구성된 것을 특징으로 한다.상기 냉각제가 흐르는 라인 상에는 공급되는 냉각제에 포함된 이온을 흡착시키는 레진필터를 구비하고; 상기 레진필터의 다음 단계에서는 상기 레진필터를 통과한 냉각제가 다시 압력이 낮은 레진필터쪽으로 역류하는 것을 방지하도록 체크밸브를 설치함이 바람직하다.상기 냉각제회수라인에는 탱크와 직결되는 바이패스라인이 추가로 구비되며; 상기 바이패스라인에는 그 유로를 개폐시키는 솔레노이드밸브가 구비됨이 바람직하다.상기 냉각제가 흐르는 라인에는 상기 레진필터로 유입되는 냉각제의 온도를 낮추는 냉각수단이 설치됨이 바람직하다.상기 냉각수단은 그 냉각제가 흐르는 라인의 외부를 감싸도록 설치되며, 냉각수라인으로부터 바이패스되도록 설치된 냉각코일로 함이 바람직하다.상기 냉각수단은 다수개의 방열핀이 적층되어 구성되며, 그 내부에 냉각제가 순환되는 냉각제순환로 및 냉각수가 순환되는 냉각수순환로가 마련되고, 그 냉각수순환로는 냉각수라인으로부터 바이패스되도록 설치된 열교환기로 함이 바람직하다.상기 냉각제는 갈덴(Galden), 플러리너트(Fluorinert), DI워터(De-Ionized Water)를 사용하거나 또는 에틸렌글리콜(Ethylene Glycol)과의 혼합물로 함이 바람직하다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 의한 반도체 제조 설비용 냉각장치의 구성을 도시한 도면,
도 2는 상기 도 1에 도시된 냉각장치가 멀티채널로 구성된 상태를 도시한 도면,
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 의한 반도체 제조 설비용 냉각장치의 구성을 도시한 도면,
도 4는 상기 도 3에 도시된 냉각장치가 멀티채널로 구성된 상태를 도시한 도면,
도 5는 상기 도 3 및 도 4에 도시된 냉각수단(263)의 다른 실시 예를 도시한 도면,
도 6은 상기 도 1 내지 도 5에 도시된 열교환기(211, 263b)의 기본 구성을 개략적으로 도시한 사시도,
도 7은 종래의 반도체 제조 설비용 냉각장치의 구성을 도시한 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 반도체제조설비 110 : 전극
200 : 냉각장치 210 : 탱크
211 : 열교환기 213 : 히터
220 : 냉각제공급라인 230 : 냉각제회수라인
240 : 냉각수공급라인 250 : 냉각수회수라인
253 : 자동밸브 261 : 레진필터
263 : 냉각수단 263a : 냉각코일
263b : 열교환기 267 : 솔레노이드밸브
이하, 첨부도면 도 1내지 도 6을 참조로 하여 본 발명의 구성 및 작용에 대해서 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시 예에 의한 반도체 제조 설비용 냉각장치의 구성을 개략적으로 도시한 구성도로서, 상기 도면에 도시된 바와 같이 그 내부에 척(미도시)과 챔버월(미도시)에 배관이 설치되어 있으며, 전원이 인가되면서 웨이퍼와 챔버의 온도가 상승하게 되고 또한 이것이 반응율을 결정짓는 변수가 되는데, 그 반응율을 일정하게 유지하도록 온도를 일정하게 유지하는 냉각장치(Chiller)(200)가 구성된다.
상기 냉각장치(200)는 반도체제조설비(100)로 공급된 냉각제(Coolant)가 전극(110)에서 순환된 후 탱크(210)로 회수하도록 된 냉각제공급라인(220) 및 냉각제회수라인(230)과, 상기 탱크(210)의 내부에 설치되어 냉각제 및 냉각수(Cooling Water)를 순환시키는 각 순환로가 형성된 열교환기(211)와, 상기 탱크(210)의 내부 저면에 설치되어 냉각제의 온도를 가열하는 히터(213)와, 상기 열교환기(211)의 냉각수순환로에 연결되어 냉각수를 상기 열교환기(211)로 유·출입시키는 냉각수공급라인(240) 및 냉각수회수라인(250)으로 구성된다.
상기 냉각제공급라인(220) 및 냉각제회수라인(230)에는 냉각제개폐밸브(221,231)가 각각 설치되며, 상기 냉각제공급라인(220)에는 냉각제의 온도를 감지하는 복수개의 온도감지기(223)가 설치되며, 상기 온도감지기(223)가 설치된 일측에는 냉각제의 압력을 감지하는 압력감지기(225)가 설치되며, 상기 냉각제공급라인(220)에는 상기 열교환기(211) 및 히터(213)에 의해 소정의 온도로 된 냉각제를 펌핑시키는 펌프(229)가 설치된다.
한편, 상기 냉각제공급라인(220) 및 냉각제회수라인(230)에는 반도체제조설비(100)로 공급되는 냉각제의 압력이 상기 압력감지기(225)를 통해 설정된 압력보다 높게 감지될 경우 상기 냉각제회수라인(230)측으로 냉각제를 일부 바이패스하는 바이패스밸브(227)가 설치된다.
상기 냉각제회수라인(230)에는 상기 반도체제조설비(100)로부터 회수되는 냉각제의 흐름 량을 재차 조정하는 조절밸브(233)가 마련된다.
다음 상기 냉각수공급라인(240) 및 냉각수회수라인(250) 역시 냉각수개폐밸브(241, 251)가 설치되며, 상기 냉각수공급라인(240)에는 공급되는 냉각수의 압력을 감지하는 냉각수압력감지기(243)가 설치되며, 상기 냉각수공급라인(240) 및 냉각수회수라인(250)의 사이에는 상기 냉각수압력감지기(243)에 의해 감지된 냉각수의 압력이 소정의 압력보다 높을 경우 상기 냉각수공급라인(240)을 통해 열교환기(211)의 내부로 공급되는 냉각수의 일부를 상기 냉각수회수라인(250)측으로 바이패스하는 냉각수바이패스밸브(245)가 설치된다.
다음, 상기 냉각수회수라인(250)에는 냉각수의 흐름 량을 자동으로 조절하는 자동밸브(253)가 설치되고, 그 흐름 량의 조절은 반도체제조설비(100)의 전극(110)이 필요로 하는 온도에 따라 가변적으로 조절하게 되며, 그 흐름 량의 조절은 도시되지 않은 마이크로프로세서나 PLC(Programmable Logic Controller)회로에 의해 자동 콘트롤된다.
상술한 내용에 있어 상기 냉각제는 냉각제회수라인(230)을 통해 회수되는 냉각제는 탱크(210)의 내부에 설치된 열교환기(211)를 순환한 후 저장탱크(210)의 내부에 수용되도록 구성되어 그 수용된 냉각제가 펌프(229)에 의해 펌핑되어 다시 냉각제공급라인(220)을 통해 흐르도록 구성된다.
한편, 상기 냉각수는 열교환기(211)의 내부에 마련된 냉각수순환로의 입출로(미도시)에 연결된 냉각수공급라인(240) 및 냉각수회수라인(250)에 의해 열교환기(211)에 마련된 냉각수순환로를 따라 순환된 후 탱크(210)의 밖으로 빠져 나오도록 구성된다.
즉, 냉각수는 상기 열교환기(211)를 지나는 냉각제가 흐르는 방향에 대향하여 냉각수가 흐르도록 구성되어 냉각제의 온도를 낮추어주는 역할을 하게 되는 것이며, 탱크(210)에는 냉각제만 수용된다.
다음 상기 탱크(210)에는 탱크(210)내의 냉각제를 새것으로 교체시키기 위해 탱크(210) 내부에 수용된 오래된 냉각제를 배출하는 냉각제드레인밸브(215)가 구성되며, 한편, 상기 열교환기(211)에는 냉각수를 배출시키는 냉각수드레인밸브(255)가 구성된다.
상기 도면에서 미설명부호(280)는 냉각수공급부를 나타낸다.
도 2는 상기 도 1의 구성을 활용하여 멀티채널로 채용하여 복수개의 반도체제조설비(100)를 동시에 냉각시키도록 구성할 수 있다.
상기 도 2에 도시된 구성은 상기 도 1의 구성을 복수개로 채용하여 멀티채널을 이루도록 구성된 것으로서, 특이점이라면, 냉각수공급라인(240) 및 냉각수회수라인(250)을 공통으로 채용하여 각 채널로 바이패스하도록 구성된다.
상기 도 2에 있어서, 상기 도 1에 도시된 부품과 동일한 부품에 대해서는 동일부호를 명기하며, 그에 대한 자세한 설명은 생략한다.
상기 도 1 및 도 2에 도시된 냉각장치(200)에 사용되는 냉각제는 갈덴(Galden) 이나 플러리오너트(Fluorionert)를 사용함이 가장 바람직하다.
다음 도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 의한 반도체 제조 설비용 냉각장치의 구성을 도시한 도면으로서, 도 1에 도시된 부분과 동일한 부분에 대해서는 동일부호를 명기하며, 그에 대한 중복된 설명은 생략한다.
상기 도면에 도시된 바와 같이 냉각제가 흐르는 라인 상 예컨데, 냉각제회수라인(230)에는 레진필터(Resin Filter)(261)가 설치되며, 상기 레진필터(261)의 다음 단계에서는 상기 레진필터(261)를 통과한 냉각제가 다시 압력이 낮은 레진필터(261)쪽으로 역류하는 것을 방지하도록 체크밸브(262)가 설치된다.
상기 레진필터(261)를 설치함은 반도체공정 중에 냉각제, 특히 DI워터(De-Ionized Water)의 저항값이 크게 감소하여 반도체 공정에 악영향을 끼치는 것을 방지하기 위한 것으로서, 상기 레진필터(261)를 통과하는 냉각제의 이온을 흡착을 하기 위한 것이다.
다음, 상기 냉각제가 흐르는 라인 예컨대, 냉각제회수라인(230)에는 냉각제의 온도를 낮추도록 냉각수단(263)구성되며, 그 냉각수단(263)은 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 냉각제가 흐르는 라인을 외감하도록 설치된 냉각코일(263a)로 이루어지며, 그 냉각코일(263a)은 냉각수라인 예컨대, 냉각수공급라인(240)으로부터 분기되어 냉각코일(263a)을 따라 흐른 후 다시 냉각수회수라인(250)측으로 흐르도록 바이패스로 설치되며, 그 분기관에는 바이패스밸브(265)가 마련되어 그 유로의 흐름을 제어하도록 구성한다.
또한, 상기 냉각수단(263)은 도 5에 도시된 바와 같이 내부에 다수개의 방열핀이 적층되어 구성되며, 그 내부에 냉각제 순환되는 냉각제순환로 및 냉각수가 순환되는 냉각수순환로가 마련되고, 그 냉각수순환로는 냉각수라인으로부터 바이패스되도록 설치된 소형 열교환기(263b)로 이루어진다.
상술한 내용에 있어 온도를 낮추도록 구성함은 냉각제의 저항값의 상승을 위한 것으로서, 저항값을 상승시키는 이유로는 상술한 바와 같이 레진필터(261)를 채용시키는 이유와 동일하며, 온도가 높아지면 저항값이 감소하게 되므로 이를 해소하기 위한 방법으로 냉각코일(263)을 채용하게 된 것이다.
또한, 상기 냉각제회수라인(230)에는 도 3에 도시된 바와 같이 탱크(210)와 직결되는 바이패스라인(235)가 추가로 구비되고, 상기 바이패스라인(235)에 솔레노이드밸브(Solenoid Valve)(267)가 마련되어 냉각제의 온도를 급격히 상승시키고자 할 경우 예컨대, 40℃에서 60℃로 상승시키는 경우 냉각제가 열교환기(211)의 내부를 통과하지 않고 바로 탱크(210)의 내부로 유입되어 히터(213)에 의해 가열되도록 한다.
미설명부호(269)는 바이패스밸브를 나타내는 것으로서, 회수되는 냉각제의일부를 바로 열교환기(211)의 내부로 유입되도록 하고 일부는 상기 레진필터(261)가 설치된 측으로 흐르도록 제어한다.
한편, 상기 레진필터(261)를 통과하기 전 단계의 라인에서 또한 조절밸브(271)가 마련되어 냉각제 유량을 조절하도록 한다.
다음, 도 4에 도시된 구성은 상기 도 3의 구성을 복수개로 채용하여 멀티채널을 이루도록 구성된 것으로서, 이 또한, 도 2에 도시된 구성과 같이 냉각수공급라인(240) 및 냉각수회수라인(250)을 공통으로 채용하여 각 채널로 바이패스하도록 구성된다.
상기 도 4에 있어서, 상기 도 3에 도시된 부품과 동일한 부품에 대해서는 동일부호를 명기하며, 그에 대한 자세한 설명은 생략한다.
상기 도 3 및 도 4에 도시된 냉각장치에서 사용되는 냉각제는 DI워터(De-Ionized Water)를 사용하거나 또는 에틸렌글리콜(Ethylene Glycol)과의 혼합물을 사용함이 가장바람직 하며, 상기 도면에 도시된 레진필터(261), 냉각수단(263), 솔레노이드밸브(267)가 각각 냉각제회수라인(230)에 설치된 것을 예로 들어 설명하였으나, 그에 한정된 것은 물론 아니며, 냉각제공급라인(220)측은 물론 실제 냉각제가 흐르는 라인 상이면 어디든지 설치 가능하다.
상기 도 1내지 도 6의 구성에 사용되는 냉각수의 온도는 18℃~23℃로서, 상기 도 1내지 도 6에 도시된 냉각장치(200)는 반도체제조설비(100)의 공정온도를 30℃~90℃ 범위로 유지시키는 데 사용함이 가장바람직 하다.
한편, 상기 도 1내지 도 6의 구성에서 그 냉각제의 순환이 전극(110)의 내부를 순환하는 것에 한정하여 설명하였으나, 그에 한정된 것은 물론 아니며, 공정챔버의 내벽에 그 순환로를 설치하여 냉각작용을 행하도록 구성되는 반도체제조설비는 물론 냉각제의 순환에 의해 소정의 온도를 유지시키도록 구현되는 모든 유사제품에 적용시킬 수 있음은 물론이다.
도 6은 도 1 내지 도 5에 도시된 열교환기(211, 263b)의 구성을 개략적으로 도시한 도면으로서, 그 기본구성은 동일하며, 열교환기(263b)의 크기가 열교환기(211)에 비해 물론 작게 구성되어질 것이다.
도면에서, F는 방열핀을 나타내며, P1,P2는 냉각제 또는 냉각수가 유입되는 유입구를 나타내며, P3,P4는 냉각제 또는 냉각수가 유출되는 토출구를 나타내며, 그 위치는 물론 경우에 따라 달라질 수 있을 것이다.
상술한 바와 같이 구성된 본 발명은 냉각수 흐름량을 제어하는 자동밸브를 채용하여 반도체제조설비가 요구하는 온도영역 또는 냉각부하별로 그 유량 조절에 의해 온도조절을 할 수 있도록 구성하여 냉각수 흐름량을 일정한 상태에서 단순히, 히터의 히팅레이트(Heating Rate)의 PID 제어에 의존했던 종래의 구조에서 열교환기로 흐르는 냉각수 유량을 제어하여 쿨링레이트(Cooling Rate)를 조절함으로써 불필요한 전력소모를 줄임과 동시에 냉각수 소모량을 줄일 수 있는 이점이 있다.
또한, 레진필터를 사용하여 냉각제의 이온을 흡착함으로써 냉각제, 특히 DI워터(De-Ionized Water)의 저항값이 크게 감소되어 반도체 제조 공정에 악영향을 끼치는 것을 해소시킬 수 있는 이점이 있다.
또한, 고온에서 유량의 작은 변화로도 온도의 요동(Fluctuation)이 심한 점을 감안하여 냉각제를 열교환기를 거치지 않고 히터쪽으로 바이패스시킴에 따라 냉각제의 온도가 떨어지는 것을 방지하여 열교환기로의 냉각수 유량을 줄일 수 있는 이점이 있다.

Claims (8)

  1. 반도체제조설비와; 상기 반도체제조설비의 내부를 순환방식에 의해 냉각시키도록 설치되는 냉각제공급라인 및 냉각제회수라인과: 상기 반도체제조설비의 내부, 냉각제공급라인 및 냉각제회수라인을 따라 순환 될 냉각제를 저장하는 탱크와; 상기 탱크의 내부에 설치되며 냉각수 및 냉각제가 흐르는 냉각수순환로 및 냉각제순환로가 마련되는 열교환기와; 상기 냉각수가 흐르는 라인상에 설치되어 냉각수의 흐름량을 소정의 온도 영역대 또는 냉각부하별로 선택적으로 제어하는 자동밸브를 구비한 반도체 제조설비용 냉각장치에 있어서,
    상기 탱크의 내부 바닥에는 상기 냉각제를 소정의 온도로 가열시키는 히터가 구성되고;
    상기 냉각제회수라인에는 탱크와 직결되는 바이패스라인이 추가로 구비되며;
    상기 바이패스라인에는 그 유로를 개폐시키는 솔레노이드밸브가 구비된 것을 특징으로 하는 반도체제조설비용 냉각장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 냉각제가 흐르는 라인 상에는 공급되는 냉각제에 포함된 이온을 흡착시키는 레진필터가 구비되고;
    상기 레진필터의 다음 단계에서는 상기 레진필터를 통과한 냉각제가 다시 압력이 낮은 레진필터쪽으로 역류하는 것을 방지하도록 체크밸브가 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 냉각장치.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 냉각제가 흐르는 라인에는 상기 레진필터로 유입되는 냉각제의 온도를 낮추는 냉각수단이 설치된 것을 특징으로 하는 반도체제조설비용 냉각장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 냉각수단은 그 냉각제가 흐르는 라인의 외부를 감싸도록 설치되며, 상기 냉각수라인으로부터 바이패스되도록 설치된 냉각코일인 것을 특징으로 하는 반도체제조설비용 냉각장치.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 냉각수단은 다수개의 방열핀이 적층되어 구성되며, 그 내부에 냉각제가 순환되는 냉각제순환로 및 냉각수가 순환되는 냉각수순환로가 마련되고, 그 냉각수순환로는 냉각수라인으로부터 바이패스되도록 설치된 열교환기인 것을 특징으로 하는 반도체제조설비용 냉각장치.
  8. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 냉각제는 갈덴(Galden), 플러리너트(Fluorinert), DI워터(De-Ionized Water)를 사용하거나 또는 에틸렌글리콜(Ethylene Glycol)과의 혼합물인 것을 특징으로 하는 반도체제조설비용 냉각장치.
KR10-2001-0009007A 2001-02-22 2001-02-22 반도체 제조 설비용 냉각장치 KR100404651B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0009007A KR100404651B1 (ko) 2001-02-22 2001-02-22 반도체 제조 설비용 냉각장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0009007A KR100404651B1 (ko) 2001-02-22 2001-02-22 반도체 제조 설비용 냉각장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020068749A KR20020068749A (ko) 2002-08-28
KR100404651B1 true KR100404651B1 (ko) 2003-11-10

Family

ID=27695216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-0009007A KR100404651B1 (ko) 2001-02-22 2001-02-22 반도체 제조 설비용 냉각장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100404651B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100719225B1 (ko) * 2005-12-21 2007-05-17 주식회사 글로벌스탠다드테크놀로지 반도체 제조 공정용 온도조절 시스템
EP4187175A4 (en) * 2020-07-21 2024-08-21 Smc Corp COOLER

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100611774B1 (ko) 2004-06-03 2006-08-10 주식회사 하이닉스반도체 반도체 기억 소자의 뱅크 베이스드 부분 어레이 셀프 리프레쉬 장치 및 방법
KR100689723B1 (ko) * 2005-03-24 2007-03-08 삼성전자주식회사 온도조절 장치
KR100775517B1 (ko) * 2006-04-13 2007-11-15 (주)팀코리아 냉매의 수분과 불소 제거가 가능한 반도체 제조 장비용열교환시스템
KR100867087B1 (ko) * 2007-06-26 2008-11-04 주식회사 동부하이텍 이온주입기의 파티클 제거구조
KR101352056B1 (ko) * 2013-06-25 2014-01-15 (주)테키스트 온도조절장치
KR101345410B1 (ko) * 2013-06-25 2014-01-10 (주)테키스트 온도조절장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5501870A (en) * 1992-10-15 1996-03-26 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for hydrophobic treatment
KR960019080U (ko) * 1994-11-05 1996-06-19 현대반도체주식회사 반도체 제조장비용 냉각장치
JPH09162155A (ja) * 1995-12-07 1997-06-20 Tokyo Electron Ltd 処理方法及び処理装置
KR20000013614U (ko) * 1998-12-28 2000-07-15 김영환 반도체 웨이퍼 건조장치
KR20000017287U (ko) * 1999-02-22 2000-09-25 김영환 반도체 마킹장비의 온도조절시스템

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5501870A (en) * 1992-10-15 1996-03-26 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for hydrophobic treatment
KR960019080U (ko) * 1994-11-05 1996-06-19 현대반도체주식회사 반도체 제조장비용 냉각장치
KR200198413Y1 (ko) * 1994-11-05 2000-11-01 김영환 반도체 제조장비용 냉각장치
JPH09162155A (ja) * 1995-12-07 1997-06-20 Tokyo Electron Ltd 処理方法及び処理装置
KR20000013614U (ko) * 1998-12-28 2000-07-15 김영환 반도체 웨이퍼 건조장치
KR20000017287U (ko) * 1999-02-22 2000-09-25 김영환 반도체 마킹장비의 온도조절시스템

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100719225B1 (ko) * 2005-12-21 2007-05-17 주식회사 글로벌스탠다드테크놀로지 반도체 제조 공정용 온도조절 시스템
EP4187175A4 (en) * 2020-07-21 2024-08-21 Smc Corp COOLER

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020068749A (ko) 2002-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1746369B1 (en) Water removal apparatus and inspection apparatus including same
JP3623696B2 (ja) ワークステーション温度制御システム及びワークステーション温度調節方法
JP4815295B2 (ja) プラズマ処理装置
KR101109730B1 (ko) 반도체 공정용 칠러 장치 및 이의 온도제어 방법
KR100925236B1 (ko) 반도체 제조 장비의 온도 조절 시스템
KR101739369B1 (ko) 반도체 공정 설비용 온도 제어시스템
WO2005064659A1 (ja) 基板処理システムのための温度調節方法および基板処理システム
TWI735124B (zh) 溫度控制系統及溫度控制方法
JP2008288615A (ja) 基板処理装置及び温度調節装置
US20180158710A1 (en) High-tech temperature control device for semiconductor manufacturing facility
KR100404651B1 (ko) 반도체 제조 설비용 냉각장치
KR102134949B1 (ko) 처리액 공급 장치, 기판 처리 장치, 및 처리액 공급 방법
KR101975008B1 (ko) 수분 결빙 방지가 가능한 반도체 설비 냉각용 냉각 시스템
US20090126378A1 (en) Chiller of etch equipment for semiconductor processing
KR100906629B1 (ko) 온도 조절 장치
KR100707976B1 (ko) 냉각수의 유량제어 수단과 냉각제의 가열수단을 구비한반도체 공정용 칠러
KR100653455B1 (ko) 고온용 및 저온용 열교환기를 구비한 반도체 공정용 칠러
KR100427654B1 (ko) 반도체 제조 설비용 냉각장치 및 냉각방법
KR20020066358A (ko) 반도체 제조 장치에 사용되는 다채널 온도 조절 장치
JPH06174388A (ja) 2チャンネル液体冷却装置
JP2005345076A (ja) 冷却装置
JP2001313328A (ja) 基板熱処理装置
KR102107594B1 (ko) 반도체 공정 설비용 온도 제어시스템
KR102398341B1 (ko) 액체 가열 장치 및 세정 시스템
KR100453025B1 (ko) 반도체 제조 설비용 냉각장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20081016

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee