JPH1083959A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

Info

Publication number
JPH1083959A
JPH1083959A JP9273725A JP27372597A JPH1083959A JP H1083959 A JPH1083959 A JP H1083959A JP 9273725 A JP9273725 A JP 9273725A JP 27372597 A JP27372597 A JP 27372597A JP H1083959 A JPH1083959 A JP H1083959A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
container
oxygen concentration
exposure
supply amount
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9273725A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3072277B2 (ja
Inventor
Hiroto Kagaya
寛人 加賀屋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP9273725A priority Critical patent/JP3072277B2/ja
Publication of JPH1083959A publication Critical patent/JPH1083959A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3072277B2 publication Critical patent/JP3072277B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光学素子の汚染を防止するための不活性ガス
を大量に消費することのない露光装置を提供する。 【解決手段】 遠紫外線もしくはエキシマレーザ光を光
源1からの露光光として利用してウエハ4を露光する露
光装置において、露光光路中に配置されるレンズ2a,
2b,2cの少なくとも一方の面側を窒素ガス雰囲気と
するための容器2dと、容器2d内の酸素濃度を所定の
値に維持するように容器2dに供給される窒素ガスの供
給量を制御する窒素ガス供給装置8を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、雰囲気ガスを活性
化しやすい遠紫外線もしくはエキシマレーザ光を露光光
として利用して基板を露光する露光装置に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】半導体装置製造用の露光装置において、
遠紫外線やエキシマレーザ光を露光用の照明光とするも
のは知られている。一般に、強力な遠紫外線やエキシマ
レーザ光は雰囲気ガスを活性化しやすいので、これらの
露光装置では、光源レンズ系や投影レンズ系等の光学系
の周囲の雰囲気ガスの酸素や有機物等が露光光によって
活性化され、その化学反応によって該光学系の光学素子
の表面が汚染されることがある。そこで、このような露
光装置では、光学系を収納する容器の空気を窒素ガス等
の不活性ガスで置換することにより各光学素子の汚染を
防ぐことが、例えば特開平2−210813号公報で提
案されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来で
は、光学系を収容する容器への不活性ガスの供給につい
ての充分な配慮がなされておらず、露光光が通過しても
問題のない程度まで容器内の酸素や不純物を除去するた
めに不活性ガスを大量に消費していた。
【0004】本発明は、このような従来技術の未解決の
課題に鑑みなされたものであり、その目的は、光学素子
の汚染を防止するための不活性ガスを大量に消費するこ
とのない露光装置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、遠紫外線もしくはエキシマレーザ光
(レーザ光L1 ,L2 )を光源(光源1;21)からの
露光光として利用して基板(ウエハ4;24)を露光す
る露光装置において、前記光源から前記基板に至る露光
光路中に配置される光学素子(レンズ2a,2b,2
c;22a,22b)の少なくとも一方の面側を不活性
ガス(窒素ガス)雰囲気とするための容器(容器2d;
22d)と、前記容器内の酸素濃度を所定の値に維持す
るように前記容器に供給される不活性ガスの供給量を制
御するガス供給量制御手段(窒素ガス供給装置8;2
8)を有することを特徴としている。
【0006】前記ガス供給量制御手段は、前記容器内の
酸素濃度が所定値に減少した際に、前記容器に供給され
る不活性ガスの供給量を減少させるとより好ましい。
【0007】また、本発明は、遠紫外線もしくはエキシ
マレーザ光(レーザ光L1 ,L2 )を光源(光源1;2
1)からの露光光として利用して基板(ウエハ24)を
露光する露光装置において、前記光源から前記基板に至
る露光光路中に配置される光学素子(レンズ2a,2
b,2c;22a,22b)の少なくとも一方の面側を
不活性ガス(窒素ガス)雰囲気とするための容器(容器
2d;22d)と、前記容器内の酸素濃度を検出する酸
素濃度検出器(センサ28f)と、前記酸素濃度検出器
が検出した酸素濃度に応じて前記容器に供給される不活
性ガスの供給量を制御するガス供給量制御手段(窒素ガ
ス供給装置8;28)を有することを特徴としている。
【0008】前記ガス供給量制御手段は、前記酸素濃度
検出器が前記容器内の酸素濃度が所定値に減少したこと
を検出した際に、前記容器に供給される不活性ガスの供
給量を減少させるとよい。前記酸素濃度検出器は、前記
容器内の酸素濃度が所定値に減少したことを検出した後
も記容器内の酸素濃度の検出を継続するとよい。
【0009】さらに、前記ガス供給量制御手段は、前記
容器内の酸素濃度が所定値に減少したことを検出した後
の前記酸素濃度検出器の検出酸素濃度に基づいて前記容
器に供給される不活性ガスの供給量を減少させた後の不
活性ガスの供給量を制御するとよい。
【0010】
【作用】本発明の露光装置では、容器内の酸素濃度を所
定の値に維持するように該容器に供給される不活性ガス
の供給量が制御される。このため、本発明の露光装置に
よれば、不活性ガスの消費量を低減することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明の実施例を図面に基づいて
説明する。
【0012】図1は、第1実施例を説明する説明図であ
って、本実施例の露光装置E1 は一般にステッパと呼ば
れる縮小投影型の半導体露光装置である。この装置は、
エキシマレーザからなる光源1と、光源1から発せられ
た照明光(露光光)であるレーザ光L1 を所定の形状の
光束に成形する光学系である光源レンズ系2と、光源レ
ンズ系2によって所定の形状に成形されたレーザ光L1
で照明されたレチクル3上のパターンを基板であるウエ
ハ4に結像させる投影レンズ系5を有する。光源1はそ
のレーザ出力を制御するレーザ制御装置6を有し、レー
ザ制御装置6は制御手段であるコントローラ7によって
制御される。
【0013】光源レンズ系2は、レーザ光L1 の露光光
路に沿って光源1側から順に並べられ、レーザ光L1
所定の形状の光束に成形するための複数のレンズ2a,
2b,2cを有し、これらは少なくとも一方のレンズ面
が容器2d内のガス雰囲気側となるように容器2dに収
容されている。容器2dは、露光光路に沿って光源1に
対向する側の端壁に窓2eを有し、容器2d内を2つの
内部空間2f,2gに分割するための隔壁2iを有す
る。なお、容器2dはレチクル3(ウエハ4)に対向す
る側の端壁でレンズ2cを保持し、レンズ2cはレチク
ル3に向ってレーザ光L1 を放出する第2の窓を兼ねて
いる。
【0014】容器2dの各内部空間2f,2gにそれぞ
れ不活性ガスである窒素ガスを供給する窒素ガス供給装
置8は、図示しない窒素ガス供給源に接続された給気ラ
イン8aと、給気ライン8aに設けられた開閉弁である
第1の電磁弁8bと、その下流側に接続された第2の開
閉弁である第2の電磁弁8cと、これを迂回(バイパ
ス)するバイパスライン8dと、該バイパスライン8d
に設けられた第1の絞り弁8eと、バイパスライン8d
の下流側に設けられた一対の分岐ライン8f,8gと、
分岐ライン8f,8gにそれぞれ設けられた第2および
第3の絞り弁8i,8hを有し、第2および第3の絞り
弁8i,8hの吐出側はそれぞれ客器2dの内部空間2
f,2gに接続されている。
【0015】第1の電磁弁8bは、レーザ制御装置6の
出力によって光源1が駆動あるいは停止されると同時に
コントローラ7の出力信号によって開閉されるものであ
り、第2の電磁弁8cは、光源1が駆動されると同時に
第1の電磁弁8bとともに開かれて、所定の流量の窒素
ガスを分岐ライン8f,8gに供給し、コントローラ7
に設定されたプログラムである窒素供給プログラムによ
って制御され、容器2dの各内部空間2f,2gの酸素
濃度を検出するセンサの出力に基づいて閉じられる。
【0016】第1の絞り弁8eは、第1の電磁弁8bが
開かれた後、常時バイパスライン8dを経て所定の流量
の窒素ガスを容器2dの内部空問2f,2gに供給す
る。第2,第3の絞り弁8i,8hは、それぞれ分岐ラ
イン8f,8gから容器2dの内部空間2f,2gに供
給される窒素ガスの流量(の比率)を調節するものであ
る。
【0017】第2の電磁弁8cを閉じるタイミングは、
図2のタイムチャートA〜Dに示すような窒素供給プロ
グラムによって制御される。露光装置E1 において露光
が終了し、光源1の駆動が停止されると同時に、第1の
電磁弁8bが閉じられて、窒素ガスの供給が停止され
る。
【0018】図2のタイムチャートAに示す窒素供給プ
ログラムは、光源1の駆動開始時刻t0 において第1お
よび第2の電磁弁8b,8cを開き、大流量値q1 で示
す供給量の窒素ガスを容器2dの各内部空間2f,2g
に供給し、各内部空間2f,2gの雰囲気の酸素濃度を
速かに低下させた後、酸素濃度が所定値となる時刻t 1
において第2の電磁弁8cを閉じる。光源1がエキシマ
レーザである場合は、光源1を駆動したのちに所定の出
力のレーザ光が得られるまでに数分以上の時間を必要と
する。前述の時刻t1 は、このような光源1の立上り時
間に対応する。
【0019】時刻t1 において第2の電磁弁8cが閉じ
られると、窒素ガスはバイパスライン8dのみを経て容
器2dの各内部空間2f,2gに供給されるため、窒素
ガスの供給量は小流量値(定常値)q2 に低下する。時
刻t2 において露光装置の露光が終了し、光源1の駆動
が停止されると、これと同時に第1の電磁弁8bが閉じ
られて窒素ガスの供給が停止される。なお、小流量値q
2 は容器2から漏出する窒素ガスを補うのに充分であれ
ばよい。
【0020】すなわち、タイムチャートAは、前述のセ
ンサによって検出された酸素濃度が所定の値に減少した
時刻t1 において第2の電磁弁8cを閉じるように設定
した窒素供給プログラムを示している。また、タイムチ
ャートBは、上記酸素濃度が所定の値に減少した時刻t
1 から所定の時間遅れΔtを経た時刻t4 において第2
の電磁弁8cを閉じるように設定した窒素供給プログラ
ムを示している。タイムチャートCは、前述のタイムチ
ャートA,Bの時刻t1 またはt4 において第2の電磁
弁8cを閉じた後、これを間欠的に開くことによって容
器2dから漏出する窒素ガスを補充する窒素供給プログ
ラムを示すもので、この場合はバイパスライン8dを必
要としない。
【0021】また、タイムチャートDは、前述のセンサ
によって検出された酸素濃度が所定の値d1 に減少した
時刻t1 において第2の電磁弁8cを閉じたのちも時刻
5まで前記センサによる測定を継続し、これによって
容器2dの酸素濃度を所定の値に維持するのに必要な窒
素ガスの供給量を実測し、これに基づいて窒素ガスの補
充量を設定する窒素供給プログラムを示すものである。
【0022】本実施例によれば、光源1の駆動開始とと
もに大流量の窒素ガスを光源レンズ系の容器2d内へ供
給し、容器2d内の空気を短時間で窒素ガスによって置
換させると共に、容器2d内の酸素濃度が所定の値に低
減したのちに窒素ガスの供給量を縮小することで、大量
の窒素ガスを消費することなく容器の空気を迅速に窒素
ガスと置換させることができる。
【0023】図3は、第2実施例を説明する図であっ
て、本実施例の露光装置E2 は、第1実施例と同様に、
エキシマレーザからなる光源21と、光源21から発せ
られた照明光であるレーザ光L2 を所定の光束に成形す
る光学系である光源レンズ系22と、光源レンズ系22
によって所定の光束に成形されたレーザ光L2 で照明さ
れたレチクル23のパターンをウエハ24に結像させる
投影レンズ系25からなる。光源21はそのレーザ出力
を制御するレーザ制御装置26を有し、レーザ制御装置
26は制御手段であるコントローラ27によって制御さ
れる。
【0024】光源レンズ系22は、レーザ光L2 の露光
光路に沿って光源21側から順に並べられ、レーザ光L
2 を所定の光束に成形するためのレンズ22a,22b
を有し、これらは少なくとも一方のレンズ面が容器22
d内のガス雰囲気側となるように容器22dに収容さ
れ、容器22dは露光光路に沿って光源21に対向する
側の端壁に窓22e有している。また、容器22dはレ
チクル23(ウエハ24)に対向する側の端壁でレンズ
22bを保持し、レンズ22bはレチクル23に向って
レーザ光L2 を放出する第2の窓を兼ねている。
【0025】容器22dの内部空間22fに不活性ガス
である窒素ガスを供給する窒素ガス供給装置28は、図
示しない窒素ガス供給源から容器22dの内部空間22
fに窒素ガスを供給する給気ライン28aと、該給気ラ
イン28aに直列に設けられた開閉弁である第1の電磁
弁28bおよび可変弁28cと、容器22dの内部空間
22fから雰囲気ガスを排出する排気ライン28hと、
これに設けられた第2の電磁弁28gと、容器22dの
内部空問22fの酸素濃度を検出するセンサ28fを有
している。
【0026】給気ライン28aはレーザ光L2 の露光光
路に沿って容器22dの光源側端壁とレンズ22aの間
から容器22d内に窒素ガスを供給し、排気ライン28
hはレーザ光L2 の露光光路に沿って容器22dのレチ
クル側端壁とレンズ22aの間から容器22d内の窒素
ガスを排気している。このため、窒素ガスは容器22d
内をレーザ光L2 の露光光路に沿って上流側(光源21
側)から下流側(レチクル23側)に流れ、レンズ22
aの周囲を充分な窒素雰囲気に維持する。
【0027】この実施例では、図3から明らかなよう
に、容器22d内に完全に収納されているレンズ(図3
の実施例では、容器22d内に完全に収納されているレ
ンズはレンズ22aのみである)は、容器22dに対す
る給気ライン28aの給気口より光源側にはなく、容器
22dに対する排気ライン28hの排気口よりレチクル
側にもない。
【0028】第1の電磁弁28bおよび可変弁28c
は、光源21の駆動開始と同時に開かれて容器22dの
内部空間22fに所定の大流量値の窒素ガスを供給し、
センサ28fによって検出される酸素濃度が所定の値に
減少したとき、可変弁28cが切換えられて、窒素ガス
の供給量を所定の小流量値(定常値)に減少させる。な
お、光源21の駆動開始と同時に、第2の電磁弁28g
を開き、排気ライン28hから容器22dの内部空間2
2fの空気を排出すれば、窒素ガスによる置換をより一
層迅速に行うことができる。
【0029】本実施例は、バイパスラインを必要とせ
ず、また、容器22dの密封状態に応じて可変弁28c
を数段階に切換えることによって補充用の窒素ガスの流
量を変化させることができる。
【0030】
【発明の効果】本発明によれば、紫外線もしくはエキシ
マレーザ光を光源からの露光光として利用して基板を露
光する露光装置において、容器内の雰囲気を少量の不活
性ガスによって不活性ガス雰囲気に維持することがで
き、光学素子の汚染を防止するための不活性ガスを大量
に消費することのない露光装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施例を説明する説明図である。
【図2】図1の装置を制御するタイムチャートの様々な
例を示す図である。
【図3】第2実施例を説明する説明図である。
【符号の説明】
1 ,L2 レーザ光 1,21 光源 2,22 光源レンズ系 2d,22d 容器 3,23 レチクル 4,24 ウエハ 5,25 投影レンズ系 6,26 レーザ制御装置 7,27 コントローラ 8,28 窒素ガス供給装置 8a,28a 給気ライン 8b,28b 第1の電磁弁 8c,28g 第2の電磁弁 8d バイパスライン 8e 第1の絞り弁 8i 第2の絞り弁 8h 第3の絞り弁 28c 可変弁 28f センサ 28h 排気ライン

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 遠紫外線もしくはエキシマレーザ光を光
    源からの露光光として利用して基板を露光する露光装置
    において、前記光源から前記基板に至る露光光路中に配
    置される光学素子の少なくとも一方の面側を不活性ガス
    雰囲気とするための容器と、前記容器内の酸素濃度を所
    定の値に維持するように前記容器に供給される不活性ガ
    スの供給量を制御するガス供給量制御手段を有すること
    を特徴とする露光装置。
  2. 【請求項2】 前記ガス供給量制御手段は、前記容器内
    の酸素濃度が所定値に減少した際に、前記容器に供給さ
    れる不活性ガスの供給量を減少させることを特徴とする
    請求項1記載の露光装置。
  3. 【請求項3】 遠紫外線もしくはエキシマレーザ光を光
    源からの露光光として利用して基板を露光する露光装置
    において、前記光源から前記基板に至る露光光路中に配
    置される光学素子の少なくとも一方の面側を不活性ガス
    雰囲気とするための容器と、前記容器内の酸素濃度を検
    出する酸素濃度検出器と、前記酸素濃度検出器が検出し
    た酸素濃度に応じて前記容器に供給される不活性ガスの
    供給量を制御するガス供給量制御手段を有することを特
    徴とする露光装置。
  4. 【請求項4】 前記ガス供給量制御手段は、前記酸素濃
    度検出器が前記容器内の酸素濃度が所定値に減少したこ
    とを検出した際に、前記容器に供給される不活性ガスの
    供給量を減少させることを特徴とする請求項3記載の露
    光装置。
  5. 【請求項5】 前記酸素濃度検出器は、前記容器内の酸
    素濃度が所定値に減少したことを検出した後も記容器内
    の酸素濃度の検出を継続することを特徴とする請求項4
    記載の露光装置。
  6. 【請求項6】 前記ガス供給量制御手段は、前記容器内
    の酸素濃度が所定値に減少したことを検出した後の前記
    酸素濃度検出器の検出酸素濃度に基づいて前記容器に供
    給される不活性ガスの供給量を減少させた後の不活性ガ
    スの供給量を制御することを特徴とする請求項5記載の
    露光装置。
JP9273725A 1997-09-19 1997-09-19 露光装置 Expired - Fee Related JP3072277B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9273725A JP3072277B2 (ja) 1997-09-19 1997-09-19 露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9273725A JP3072277B2 (ja) 1997-09-19 1997-09-19 露光装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP05023564A Division JP3084332B2 (ja) 1993-01-19 1993-01-19 露光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1083959A true JPH1083959A (ja) 1998-03-31
JP3072277B2 JP3072277B2 (ja) 2000-07-31

Family

ID=17531700

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9273725A Expired - Fee Related JP3072277B2 (ja) 1997-09-19 1997-09-19 露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3072277B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002246283A (ja) * 2001-02-14 2002-08-30 Canon Inc デバイス製造装置
JP2008004969A (ja) * 2002-09-13 2008-01-10 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002246283A (ja) * 2001-02-14 2002-08-30 Canon Inc デバイス製造装置
JP4585702B2 (ja) * 2001-02-14 2010-11-24 キヤノン株式会社 露光装置
JP2008004969A (ja) * 2002-09-13 2008-01-10 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3072277B2 (ja) 2000-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3084332B2 (ja) 露光装置
US6999159B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method including gas purging of a space containing optical components
JP3531914B2 (ja) 光学装置、露光装置及びデバイス製造方法
US6571057B2 (en) Optical instrument, gas replacement method and cleaning method of optical instrument, exposure apparatus, exposure method and manufacturing method for devices
US6208406B1 (en) Environmental control apparatus for exposure apparatus
EP1075017A1 (en) Optical device and exposure system equipped with optical device
US6492649B1 (en) Projection exposure apparatus, projection exposure method, optical cleaning method and method of fabricating semiconductor device
US20050162625A1 (en) Exposure apparatus and purging method for the same
JP2000091192A (ja) 露光装置
JPH09162117A (ja) 露光装置
JP3072277B2 (ja) 露光装置
JP2005064210A (ja) 露光方法、該露光方法を利用した電子デバイスの製造方法及び露光装置
JP3126328B2 (ja) 露光装置
JPH1097990A (ja) 露光装置
JP2003163159A (ja) パージガスの供給方法及び露光装置並びにデバイスの製造方法
US6590631B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method using the same
WO2003036695A1 (fr) Procede d'alimentation en gaz de purge d'un appareil d'exposition, appareil d'exposition, et procede de fabrication de cet appareil
US6819396B1 (en) Exposure apparatus, and device manufacturing method
JPH11191525A (ja) 投影露光装置
JPH11202496A (ja) パージ装置および露光装置
US7130015B2 (en) Inert-gas purge method, exposure apparatus, device fabrication method and devices
JPH11195585A (ja) 露光装置および露光方法
JP4878082B2 (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
JP2006339346A (ja) 露光装置
JP2004014726A (ja) 露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090526

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100526

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100526

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110526

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120526

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees