JP2007165874A - リソグラフィ装置のためのラジカルクリーニング構成 - Google Patents

Abstract

【課題】ＥＵＶ光学部品をクリーニングする。
【解決手段】コレクタＣＯは、コレクタＣＯを二つの特定の体積またはエンクロージャ１２、１４の間に配置するように、例えばクリーニングコクーンの中に配置される。体積１２、１４の一方または両方の中で、Ｈラジカルなどのラジカルが作り出され、ラジカルがコレクタＣＯ中を動くように流束を作り出すために、１〜１０Ｐａの間の範囲の圧力領域が用いられる。Ｈラジカルは体積１２から体積１４へ移動し、それによって、コレクタＣＯの壁に衝突し、コレクタＣＯの壁の例えばＳｎ汚染物質をクリーニングすることができる。
【選択図】図２

Description

本発明は、リソグラフィ装置と該装置のためのクリーニング方法とに関する。より詳しくは、本発明は、リソグラフィ装置のためのラジカルクリーニング構成に関する。

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板の上に、通常は基板のターゲット部分の上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、択一的にマスクまたはレチクルと呼ばれるパターニングデバイスを用いて、ＩＣの個々の層に形成される回路パターンを作り出すことができる。パターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、一つのダイの一部、一つのダイまたはいくつかのダイを含む）の上に転写することができる。パターンの転写は、通常、基板の上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層の上への画像形成による。通常、一つの基板は隣り合うターゲット部分のネットワークを含み、隣リ合うターゲット部分は連続してパターン形成される。既知のリソグラフィ装置は、ターゲット部分の上にパターン全体を一度に露光させることによって各ターゲット部分を照射するステッパと、放射ビームによってパターンを所定の方向（「スキャン」方向）にスキャンしながら、この方向と平行または反平行に基板を同期スキャンすることによって各ターゲット部分を照射するスキャナとを含む。基板の上にパターンをインプリントすることによってパターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。

電磁スペクトルのＥＵＶ域（一般に５〜２０ｎｍの波長）で動作するリソグラフィ装置のための現在の設計では、パターニングデバイスから基板上にパターンを転写する及びリソグラフィツールの高い生産性を維持するためのビームの調整及びパターン形成のために、非常に反射率の大きい素子を提供することが望ましい。電磁スペクトルのこの部分は、放射がほとんどの表面によって容易に吸収されるので、透過損失に非常に敏感である。反射率を高くするために、通常、ルテニウム（Ｒｕ）層などの金属表層を含むＭｏ／Ｓｉ多層ミラーが作られる。金属表層は酸化を防ぐためのものであるが、反射率を低下させる。さらに、通常、そのようなＥＵＶ放射を発生させるために用いられる放射源は、特に、現在の設計では、スズ原料を用いるプラズマ源である。これらのプラズマ源は、ＥＵＶ放射に加えて、さまざまなデブリ粒子(debris particle)を発生する傾向がある。これらのデブリ粒子は、適切な対策を講じないと、システム内に移行し、汚染および不具合の原因となり得る。

特に、プラズマ源からのスズ汚染物質は、ミラー素子の上に沈積し、ミラーの反射率をひどく低下させる。これは、デブリがなにか害をもたらす前に捕捉する仕掛けによって防止される。しかし、これらの仕掛けの保護効率には限界がある。典型的には、そのような仕掛けは、実質的に整列したフォイルプレート内でデブリ粒子を捕捉するように設計されたいわゆるフォイルトラップである。典型的には、ＥＵＶ放射源から出て来る放射の最適部分を集めるように、ＥＵＶ放射の方向に対して下流側にコレクタが配置されている。典型的には、そのようなコレクタは、入射放射を集め、導いてＥＵＶ放射のビームにするためにすれすれ入射反射を用いるミラー素子の構成である。特に、コレクタのミラー素子だけでなく、汚染される他のミラー素子についても、従って、これらのミラー素子の汚染物質をクリーニングするクリーニング技法を提供することが望まれる。そのような一技法は水素クリーニングである。この方法では、特に、スズ源と組み合わせて、水素ラジカルがスズと反応して気体状水素化スズ（ＳｎＨ_４）を生成する。別の技法はハロゲンクリーニングである。さらに、特に、水素を用いて酸化スズをスズに還元し、こうして生成したスズをハロゲンクリーニングによって除去する複合技法を用いてもよい。

ＥＵＶリソグラフィ装置と、該装置のための汚染物質除去を効率的に行うクリーニング構成とを提供することが望まれる。

水素ラジカルおよびハロゲン分子の少なくとも一種類を供給することによって光学部品の汚染物質をクリーニングするように構成されており、ラジカル／分子の分圧は０．１から１０Ｐａの範囲にある、クリーニング構成。

本発明の別の態様では、ＥＵＶ放射を発生するように構成された放射源、ＥＵＶ放射を導くように構成されたＥＵＶ光学部品、および本発明によるクリーニング構成を備えるＥＵＶリソグラフィ装置が提供される。

本発明の別の態様では、ＥＵＶ放射を発生するように構成された放射源、ＥＵＶ放射を用いて放射ビームを調整するように構成された照射システム、パターニングデバイスを支持するように構成された支持体であって、パターニングデバイスが放射ビームの断面にパターンを付与してパターン形成された放射ビームを形成させるように構成されている支持体、基板を保持するように構成された基板テーブル、パターン形成された放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システム、ＥＵＶ放射を導くように構成されたＥＵＶ光学部品、ならびに水素ラジカルおよびハロゲン分子の少なくとも一種類を供給することによって光学部品の汚染物質をクリーニングするように構成され、ラジカル／分子の分圧が０．１から１０Ｐａの範囲にあるクリーニング構成、を備えるＥＵＶリソグラフィ装置が提供される。

本発明の別の態様では、水素ラジカルおよびハロゲン分子の少なくとも一種類を供給することを有し、ラジカル／分子の分圧が０．１から１０Ｐａの範囲にある、光学部品の汚染物質をクリーニングする方法ラジカル分子が提供される。

本発明の別の態様では、ＥＵＶ放射を発生するように構成された放射源、ＥＵＶ放射を導くように構成されたＥＵＶ光学部品、ラジカルまたは分子をＥＵＶ光学部品の表面にパルス状に供給して、ＥＵＶ光学部品の汚染物質をクリーニングするように構成されたクリーニング構成、を備えるＥＵＶリソグラフィ装置が提供される。

本発明の別の態様では、ラジカルまたは分子をＥＵＶ光学部品にパルス状に供給することを有する、ＥＵＶ光学部品の汚染物質をクリーニングする方法が提供される。

本発明の別の態様では、ＥＵＶ放射を発生するように構成された放射源、ＥＵＶ放射を導くように構成されたＥＵＶ光学部品であって、パラジウムＰｄを含む表面を備えるＥＵＶ光学部品、ラジカルおよび／または分子をＥＵＶ光学部品の表面に予め定められた時間の間供給して、ＥＵＶ光学部品の表面からのＳｎのクリーニングおよび／または残存するＳｎのＰｄ層中への相互拡散によって、ＥＵＶ光学部品の反射率を回復させるように構成されたクリーニング構成、を備えるＥＵＶリソグラフィ装置が提供される。

本発明の別の態様では、ラジカルをＥＵＶ光学部品に予め定められた時間の間供給して、ＥＵＶ光学部品の表面からのＳｎのクリーニングおよび／またはＳｎのＰｄ層中への相互拡散によって、ＥＵＶ光学部品の反射率を回復させることを有する、ＥＵＶ光学部品の汚染物質をクリーニングする方法が提供される。

本文書全体にわたって、別途指定しない限り、用語「水素」および「水素ラジカル」は、水素の同位元素、特に重水素を含むものとする。

次に、添付の概略図を参照して、例としてのみ、本発明の実施形態を説明する。概略図の中で、対応する参照符号は対応する部品を示している。

図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の概略を表す。装置は、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照射システム（イルミネータ）ＩＬを備える。支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴは、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一の位置決め装置ＰＭに結合される。基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴは、基板（例えばレジストで被覆されたウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二の位置決め装置ＰＷに結合される。投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳは、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば一つ以上のダイを含む）の上に投影するように構成される。

照射システムは、放射を導き、成形し、または制御するために、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気またはその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせなど、さまざまなタイプの光コンポーネントを備えてもよい。

支持体は、パターニングデバイスを支持し、例えばパターニングデバイスの重量を支える。支持体は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、および例えばパターニングデバイスが真空環境中に保持されているか否かなどのその他の条件に依存して、パターニングデバイスを保持する。支持体は、機械的、真空、静電気またはその他のクランプ技術を用いてパターニングデバイスを保持してもよい。支持体は、例えば、フレームまたはテーブルであってもよく、必要に応じて固定されていてもよく、あるいは可動式であってもよい。支持体は、パターニングデバイスが、例えば、投影システムに対して所望の位置にあることを確実にすればよい。本明細書中の用語「レチクル」または「マスク」の使用はすべて、もっと一般的な用語「パターニングデバイス」と同義とみなしてよい。

本明細書で用いられる用語「パターニングデバイス」は、放射ビームの断面にパターンを付与し、これによって、基板のターゲット部分にパターンを作り出すために用いることができる任意のデバイスを指すものとして広義に解釈するべきである。放射ビームに付与されるパターンは、例えば、パターンが位相シフト機能またはいわゆるアシスト機能を備える場合には、基板のターゲット部分の所望のパターンに厳密に一致しなくてもよい点に注意すべきである。一般に、放射ビームに付与されるパターンは、集積回路などのターゲット部分に作られるデバイス中の特定の機能層に対応する。

パターニングデバイスは、透過型であってもよく、あるいは反射型であってもよい。パターニングデバイスの例は、マスク、プログラマブルミラーアレイおよびプログラマブルＬＣＤパネルを含む。マスクはリソグラフィの分野では公知であり、バイナリ、Alternating位相シフトおよび減衰型位相シフト、ならびにさまざまなハイブリッドマスク型などのマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの例は、小型ミラーのマトリックス配置を使用する。小型ミラーのそれぞれを個別に傾け、これによって、入射する放射ビームをさまざまな方向に反射させることができる。傾けられたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付与する。

本明細書で用いられる用語「投影システム」は、用いられる露光放射に応じて、あるいは液浸液の使用または真空の使用などの他の因子に応じて、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁気型および静電気型光学システムまたはそれらの任意の組み合わせを含む任意のタイプの投影システムを包含するとして、広義に解釈するべきである。本明細書での用語「投影レンズ」の使用はすべて、もっと一般的な用語「投影システム」と同義であるとみなしてもよい。

ここで示すように、本装置は反射型（例えば反射型マスクを使用する）である。あるいは、本装置は透過型（例えば透過型マスクを使用する）であってもよい。

本リソグラフィ装置は、二つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または二つ以上のマスクテーブル）を有する種類であってもよい。そのような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルを並列で用いることができ、また、一つ以上のテーブルで準備工程を実行しながら一つ以上の他のテーブルを露光に用いることができる。

本リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高い屈折率を有する液体、例えば水で基板の少なくとも一部分が被覆されるタイプであってもよい。液浸液は、本リソグラフィ装置の中の他の空間、例えば、マスクと投影システムとの間に適用してもよい。投影システムの開口数を増加させるための液浸技術は、当分野では公知である。本明細書で用いられる用語「液浸」は、基板などの構造物を液体中に沈めなければならないことを意味するのではなく、露光時に投影システムと基板との間に液体が配置されることだけを意味する。

図１を参照すると、イルミネータＩＬはコレクタＣＯから放射を受け取り、コレクタＣＯは放射源ＳＯから放射を受け取る。例えば、光源がエキシマレーザであるとき、放射源ＳＯとリソグラフィ装置とは別個の実体であってもよい。そのような場合、例えば適当な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを備えるビームデリバリシステムの助けを借りて、放射源ＳＯからコレクタＣＯを経てイルミネータＩＬに放射ビームを渡すとよい。その他の場合、例えば光源が水銀ランプのとき、放射源は、リソグラフィ装置の統合された部分であってもよい。放射源ＳＯ、コレクタＣＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならビームデリバリシステムと一緒にして、放射システムと呼んでもよい。

イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタを備えてもよい。一般に、少なくともイルミネータの瞳面内の強度分布の外側および／または内側半径範囲（通常それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬはインテグレータおよびコレクタなど、さまざまな他のコンポーネントを備えてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調節し、放射ビームの断面の所望の均一性および強度分布を得てもよい。

放射ビームＢは、支持体（例えばマスクテーブルＭＴ）の上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）の上に入射し、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを横切った後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは放射ビームＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃの上に集束させる。第二の位置決め装置ＰＷと位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ）との助けを借りて、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの光路上に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、例えばマスクライブラリからの機械的な取り出しの後、またはスキャン時に、第一の位置決め装置ＰＭと別の位置センサＩＦ１（例えば干渉計測デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ）を用いて、放射ビームＢの通路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることもできる。一般に、第一の位置決め装置ＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）とショートストロークモジュール（微動位置決め）との助けを借りてマスクテーブルＭＴの移動を実現することができる。同様に、第二の位置決め装置ＰＭの一部を形成するロングストロークモジュールとショートストロークモジュールとを用いて基板テーブルＷＴの移動を実現することができる。ステッパの場合（スキャナとの対比で）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータだけに接続してもよく、あるいは固定してもよい。マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と基板アライメントマークＰ１、Ｐ２とを用いて、マスクＭＡと基板Ｗとを位置決めしてもよい。例に示した基板アライメントマークは専用ターゲット部分を占有しているが、これらのマークはターゲット部分の間の空間に配置してもよい（これらはけがき線(scribe-lane)アライメントマークとして知られている）。同様に、マスクＭＡの上に二つ以上のダイが設けられる場合には、マスクアライメントマークをダイの間に配置してもよい。

図に示した装置は、以下のモードの少なくとも一つで用いることができると考えられる。

１．ステップモードでは、基本的に、放射ビームに付与されたパターン全体をターゲット部分Ｃの上に一度に投影する間、マスクテーブルＭＴと基板テーブルＷＴとを静止させておく（すなわち単一静止露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光させることができるように、基板テーブルＷＴをＸおよび／またはＹ方向に移動させる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが単一静止露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズを限定する。

２．スキャンモードでは、放射ビームに付与されたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する間、マスクテーブルＭＴと基板テーブルＷＴとを同期スキャンする（すなわち単一動的露光）。投影システムＰＳの倍率（縮尺率）および画像反転特性によって、マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速さおよび方向を決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズが単一動的露光のターゲット部分の幅（非スキャン方向）を限定し、一方、スキャン運動の長さがターゲット部分の高さ（スキャン方向の）を決定する。

３．別のモードでは、基本的に、マスクテーブルＭＴを静止させてプログラマブルパターニングデバイスを保持させ、放射ビームに付与されたパターンをターゲット部分Ｃの上に投影する間、基板テーブルＷＴを移動させるかまたはスキャンする。一般に、このモードでは、パルス放射源を使用し、基板テーブルＷＴの各移動後、あるいはスキャン時の連続放射パルスの合間に、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスを更新する。この動作モードは、上記で参照した種類のプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

上述した使用モードの組み合わせおよび／またはバリエーション、あるいはまったく異なる使用モードを使用してもよい。

以下の二つの反応は、フィラメント上での水素ラジカルの発生を記述する。
Ｈ_２＋Ｓ^＊←→Ｈ＋ＳＨ （１）
ＳＨ←→Ｈ＋Ｓ^＊ （２）

反応（１）は、活性フィラメント表面部位（Ｓ^＊）でのＨ_２の解離吸着を記述する。反応（１）の逆反応は、水素末端フィラメント表面でのＨ原子再結合を記述する。反応（２）は、フィラメント表面への原子状水素の脱着および吸着を記述する。気相水素原子を作り出すには、まず反応（１）によって水素原子を作り出す必要があり、次に、反応（２）で脱着させる必要がある。フィラメントの温度の変化は、Ｈ原子生成反応式に対するそのエネルギー的な影響とともに、フィラメント表面上の化学吸着種の平均寿命に影響を及ぼすことによって、Ｈ原子のフィラメントでの生成速度に影響する。フィラメントの温度は、利用できるＳ^＊の比率および局所気相Ｈ原子数密度にも影響を及ぼし、局所気相Ｈ原子数密度は、今度は反応（２）の逆反応によって活性部位の比率に影響する。原子状水素を作り出すために、まず、分子水素が表面の方へ輸送されなければならない。従って、拡散律速の原子状水素の生成が十分に可能である。

水素ラジカルの寿命は、二つの反応によって制限される。水素原子の第一の損失機構は、コレクタの壁上での再結合である。再結合の反応は、反応（１）および（２）と同じに見えるが、この場合の唯一の相違は、原子がフィラメントの代わりに真空系の壁（Ｓｗ）と反応することである。
Ｈ＋Ｓｗ^＊→ＳｗＨ （３）
Ｈ＋ＳｗＨ→Ｈ_２＋Ｓｗ^＊ （４）
反応（３）は壁表面への水素原子の吸着を記述し、反応（４）は水素末端壁表面でのＨ原子再結合を示す。壁での再結合速度は、表面に衝突する各原子の再結合確率γによって記述することができる。

第二の損失機構は三体再結合であり、これは反応（５）によって記述される。
Ｈ＋Ｈ＋Ｍ（Ｈ_２）→Ｈ_２＋Ｍ（Ｈ_２） （５）

この反応では、二つの水素原子が再結合して水素分子になる。再結合によって放出されるエネルギーは、例えば水素分子Ｍ（Ｈ_２）であってもよい第三の分子へ移動し、運動量が第三の物体からまたは第三の物体へ移動する。この反応が生じる速度は、Ｈ原子の（分）圧［Ｈ］と潜在的な第三の物体の圧力とに依存（二次）する。実際の実施形態では、最適圧力域を用いることに複数の制約が適用される。

特に、水素ラジカルが水素分子になる三体再結合に起因し、三体再結合による過大な損失を防ぐためにシステム中の圧力をできるだけ低くする必要がある。このプロセスの効率が、全圧と、気体混合物中に存在する水素ラジカルの数とによって制限されるからである。しかし、低圧領域(low pressure regime)（すなわち通常１００Ｐａ未満）では、第二の損失機構が取って替る。それは、壁の上での再結合である。この場合、水素ラジカルは表面の存在下で再結合している。反応（１）の再結合効率は、表面材料の種類に依存する。特に、考察される金属表面での再結合定数は非常に大きい。この機構を考慮すると、プロセスを拡散律速にするためにシステム内の圧力をできるだけ高くすることによって、この機構による損失の量を制限することができる。これらの高い圧力（すなわち、通常１０ｋＰａより高い）では、コンプレッサを用いる必要がある。さらに、この方法の問題は、気体使用率が非常に高くなることと、高圧では三体再結合が大きくなることである。これは、衝突のための時間をなくすように、非常に速く流すことによって解決することができる。

本発明のある態様によれば、水素、ハロゲンおよびヨウ素ラジカルの少なくとも一つの発生を含み、ラジカルの分圧が０．１〜１０Ｐａの範囲にある、ＥＵＶ光学部品の汚染物質をクリーニングする方法が提供される。この分圧領域では、リソグラフィ装置のコレクタ中でのＳｎクリーニングまたはＳｎＯｘ還元が非常に良好に進むことを見いだした。０．１〜１０Ｐａの圧力範囲では、光学デバイス中への原子状水素の透過率は高いが、一方、分子状水素への再結合および水素消費は限られている。

図２は、コレクタＣＯがリソグラフィ装置から取り外され、クリーニングされる実施形態を示す。コレクタＣＯは複数のシェル１０を備える。シェル１０はコレクタＣＯの開口部にシェルギャップｇと呼ばれるアパーチャｇを有する。

コレクタＣＯは、コレクタＣＯを二つの特定の体積またはエンクロージャ１２、１４の間に配置するように、例えばクリーニングコクーンの中に配置される。図２参照。体積１２、１４の一方または両方の中で、Ｈラジカルなどのラジカルが作り出され、ラジカルがコレクタＣＯ中を動くように流束を作り出すために、１〜１０Ｐａの間の範囲の圧力領域(pressure regime)が用いられる。Ｈラジカルは、例えば、体積１２から体積１４へ移動し、それによって、コレクタＣＯの壁に衝突し、コレクタＣＯの壁の例えばＳｎ汚染物質をクリーニングすることができる。

図３は、Ｐａで表される圧力の関数としてのラジカルの流束のグラフを示す。図３は、それぞれ異なるコレクタシェルギャップｇでの三つのグラフを示す。図３では、高い圧力Ｐａで流束が減少することを示す。ライン２２は、コレクタのＳｎ汚染物質をクリーニングするのに十分高い流束レベルを示す。図３は、０．６ｃｍのコレクタシェルギャップでは０．２〜３．２Ｐａの間の圧力で十分な流束を作り出すことができることを示す。この低圧領域では、ガスの消費は非常に低く、さらに、他の領域より安全問題を解決しやすい。

本発明のある実施形態では、コレクタＣＯの中で消費されるラジカルは、コレクタの外、例えばコクーンのドアの中で作られる。図４参照。ドア３２は、複数のガス入口３４と複数のフィラメント３６とを備える。ガスの流れは、ガス入口３４からフィラメント３６へ導かれる。コクーンのドア３２の中の圧力領域は、通常１０〜１００Ｐａの間である。しかし、本発明によれば、コレクタＣＯの中の圧力は０．１〜１０Ｐａの間、例えば０．８Ｐａしかない。この圧力領域では、ラジカルの平均自由行程は、いくつかのラジカルがコレクタＣＯの中に深く到達するのに十分大きい。平均自由行程λは、コレクタＣＯのシェルは考慮せずに、分子または原子が他の原子または分子との二回の衝突の間に移動する経路の長さと定義される。

従って、平均自由工程は、原子のサイズ（衝突断面積）と、この原子が衝突することができる相手の原子の数密度とに依存する。
λ＝１／（√２ｎ・σ） （６）
式中、ｎは原子／分子の数密度、σは衝突断面積［ｍ^２］である。

数密度ｎは、圧力に関連づけることができる。
ｎ＝ｐ／（ｋＢ・Ｔ） （７）
式中、ｋＢはボルツマン定数（１．３８×１０^−２３ｊｏｕｌｅ／Ｋ）、ｐは圧力、ＴはＫｅｌｖｉｎで表したガス温度である。

断面積については、原子および分子の寸法を採用することができる。Ｈ原子が主にＨ_２のガスで存在する（例えば９５％がまだ分子である）とき、支配的な原子の衝突は、原子と分子との衝突である。
σ＝π（ｒＨ＋ｒＨ_２）^２ （８）
式中、ｒＨは水素原子の半径（３×１０^−１１ｍ）、ｒＨ_２はＨ_２分子の一般的な寸法（７．４×１０^−１１ｍ）の半分である。従って、断面積として
σ＝３．４×１０^−２０ｍ^２ （９）
を得る。

これは一般的な数としてのみ考えなければならない点に注意されたい。

次に、温度が室温（２９３Ｋ）のとき、平均自由行程λを圧力ｐに直接関連づけることができる。
λ＝８．４ｃｍ＊（１Ｐａ）／ｐ （１０）

従って、１Ｐａ、２９３Ｋでは、平均自由行程λは８．４ｃｍとなり、１０Ｐａでは０．８ｃｍである。

最後に、クヌーセン数（Ｋｎ）を導入する。
Ｋｎ＝ｄ／λ
式中、ｄは容器／光学部品の代表寸法である。コレクタの場合、これはギャップ幅ｇ（図２参照）となる。直角に近いミラーの場合、これはフィラメントとミラーとの間の距離になる。

図３を参照すると、低い圧力では、分子、従って水素原子の総数は限られるので、原子状水素の流束は限られる。高い圧力では、衝突が重要になる（クヌーセン数＜１）と流束は減少する。例えば、コレクタギャップｇが０．９ｃｍに等しいとき、クヌーセン数Ｋｎは１０Ｐａで１．１であり、流束の最大値（１Ｐａ）では、クヌーセン数は０．１１である。クヌーセン数が１より小さい、この場合には０．１１のとき、原子の平均自由行程は代表寸法より９倍大きく、コレクタの中の一方の壁から別の壁に移動するとき原子の一部しか衝突しないことを示唆する。しかし、コレクタＣＯに透過するために、原子はこのギャップを数回通過しなければならない。図３に結果を示した計算の場合、コレクタの長さは１１ｃｍであり、通常、コレクタＣＯの末端に到達する前に、原子は壁から壁に１０〜１５回移動しなければならない。従って、全体の運動の中で、流束の最大値は原子‐分子衝突の開始時になる。

図４を参照すると、フィラメント３６は、コレクタＣＯの中にラジカルを発生させるように配置される。ラジカルは、コレクタＣＯの入り口に向かう主方向を持つ。

コレクタＣＯ全体をリソグラフィ装置から取り出す代わりに、コレクタＣＯをin situでクリーニングすることもできる。図５は、リソグラフィ装置の中のコレクタの概略を示し、Ｈラジカルを発生させるように構成された複数のフィラメント５１が第一の体積５０の中に配置されている。ある実施形態では、フィラメント５１は、コレクタシェル１０の表面の視線内にあるように配置される。フィラメント５１は、コレクタＣＯの円形開口部の前で円形にすることができる。

フィラメントをコレクタＣＯの前面（すなわち上流）に配置する代わりに、フィラメントをコレクタＣＯの下流に配置することもできる。図５に下流フィラメント５３を示す。それらは第二の体積５２の中に配置され、例えばコレクタの一部またはコレクタＣＯの下流の別の体積とすることができる。この実施形態では、コレクタＣＯへの分子状水素の二つの入口がある。フィラメント５１、５２をそれぞれ通過した後、水素はラジカルに変換され、コレクタＣＯの表面に到達する。フィラメント５１、５３は、例えば、２２００Ｋの温度で動作し、０．４ｍｍの直径ｄを有するタングステン（Ｗ）で作ることができる。フィラメントの典型的な電圧は１．２Ｖ／ｃｍであり、その電圧での典型的な電流は０．７Ａである。フィラメント５１、５３の典型的な長さは１０ｃｍである。コレクタＣＯをin situでクリーニングすれば、リソグラフィ装置を分解する必要はまったくない。

露光時間中に投影システムＰＳの中にＨ_２が存在するという事実に起因して、ある量のＨ_２がイルミネータＩＬを経由してコレクタＣＯとイルミネータＩＬとの間の開口部を通り、コレクタＣＯ内に透過する。この場合に予想されるＨ_２の圧力は約１０Ｐａである。これによって、コレクタ体積５２の中、またはコレクタ体積５２とイルミネータＩＬとの間の接続部分の中にフィラメント５３を配置して、コレクタＣＯのクリーニングをオンラインで実行させる機会が得られる。これは、基板Ｗを露光させている間に、例えばコレクタＣＯの上のＳｎ汚染物質のクリーニングを実行することができることを意味する。

別の実施形態では、ＥＵＶ放射を導くように構成されたＥＵＶ光学部品は投影システムＰＳ内のＥＵＶミラーである。図６を参照して、この実施形態をさらに詳しく説明する。投影システムＰＳは、ＥＵＶ放射６６を基板テーブルＷＴに導くように構成された一つ以上のミラー６２、６３、６４を備える。図６は、ラジカルクリーニング構成７０の可能な位置を示す。ラジカルクリーニング構成７０は、例えば、電圧源に接続されたタングステンフィラメントを備えてもよい。電圧源はフィラメントを加熱し、フィラメントが今度は既に存在するＨ_２をＨラジカルに変換する。ラジカルはミラー６２の表面に到達し、それによって、ミラー６２の表面の汚染物質をクリーニングする。異なる構成が可能な点に注意すべきである。各ミラーでの１つのラジカルクリーニング構成７０の代わりに、二つ以上のラジカルクリーニング構成を用いてもよい。この構成では、製造状態時に投影システムＰＳの中にＨ_２が既に存在するという事実に起因して、別のＨ_２源はまったく必要ない点に注意されたい。

ある実施形態では、クリーニング構成のフィラメントとミラー６２との間の距離は５〜５０ｃｍの間である。より詳しくは、この場合、ミラー６２に到達する前に平均して一回の水素原子の衝突がある分圧は、２Ｐａ（５ｃｍの場合）と０．２Ｐａ（５０ｃｍの場合）との間である。

ある実施形態によれば、ＥＵＶリソグラフィ装置は、ラジカルクリーニング構成からＥＵＶ光学部品へラジカルを導くように構成された、ラジカルクリーニング構成とともに用いられるガイドを備える。図７は、この実施形態の例を示す。ガイドは、平行に配置された二つのガイドプレート６７、６８を備えてもよい。ガイドプレート６７、６８は、ガラスなど、原子状水素をあまり効率的に停止反応させない材料で作ってもよい。ラジカル供給源６９は、ラジカルがガイドプレート６７と６８の間の空間に入るように、ガイドプレート６７、６８の開口部に設置してもよい。ガイドプレート６７、６８は、互いに近く、例えば約１ｍｍの距離に配置される。距離は、ガイドの中の圧力に依存してもよい。ガイドプレート６７、６８は、ラジカル供給源６９によって発生されたラジカルを図７に示す移動方向で提供する。ガイドは、クリーニングされるＥＵＶ光学部品にラジカルを導くパイプを備えてもよい。この特定のガイドの構成によって、ラジカル供給源６９でランダムな方向を向いていたラジカルは特定の方向に向き、それによってクリーニングの効率を改善する。この効率は、低いＨ停止反応確率を有する材料、例えばガラスでできている密閉した箱の中で原子状水素の発生が行われるとき、最も高くなる。ラジカル供給源６９は、例えば、水素、ハロゲンまたはヨウ素ラジカルを供給する供給源としてもよい。

熱フィラメントの使用によって、あるいはＲＦ方法またはその他の適当な方法によって、ラジカルの発生を実行することができると理解すべきである。さらに、ラジカルの発生およびコレクタＣＯへの注入は、片側からだけではなく両側から同時に実行することができると理解すべきである。コレクタＣＯの各シェルの非ミラー側は、ガラス、パイレックス（登録商標）（ホウケイ酸ガラス）または特定の酸化物など、Ｈが付着しにくい表面を有すべきである。コレクタＣＯの一部ではない他のすべての露出された表面は、例えば、ガラス、パイレックス（登録商業）またはいくつかの特定の酸化物など、Ｈが付着しにくい材料またはコーティングで作られる。

水素ラジカルクリーニングの問題の一つは、フィラメントによって発生する熱によって、および光学部品の表面でのＨラジカルの再結合によって、ＥＵＶ光学部品が非常に熱くなることである。光学部品はあまり熱くなると損傷する（代表温度は５０℃未満に維持する必要があり、一方Ｈ源の温度は＞２０００℃である）。高温では、多層ミラー中の層間拡散が大きくなり、ひいては反射率が低くなる。非常に高い温度では、層が剥離または破裂することさえある。

従って、本発明のある態様によれば、ＥＵＶ放射を発生するように構成された放射源、ＥＵＶ放射を導くように構成されたＥＵＶ光学部品、ＥＵＶ光学部品の表面にラジカルおよび／または分子をパルス状に供給してＥＵＶ光学部品の汚染物質をクリーニングするように構成されたラジカルクリーニング構成を備えるＥＵＶリソグラフィ装置が提供される。

ＥＵＶ光学部品の温度が臨界限界を超えないことを確実にするように各パルスの継続時間を設定したパルス処理を用いることによって、損傷を防ぐことができる。

図８を参照すると、基板またはミラーホルダ７２にＥＵＶ光学部品７１が取り付けられる。ＥＵＶ光学部品７１の近くにフィラメント７３が構成され、電流コントローラ７４を用いてフィラメント中に電流を流すことによって加熱される。水素ガス源７５から発生された水素ガスがフィラメント７３の上に流れ、ここで水素ラジカルに解離し、水素ラジカルはＥＵＶ光学部品７１の表面に衝突する。光学部品の表面では、水素ラジカルは光学部品の表面から汚染物質（例えば炭素またはＳｎなどの汚染物質）を除去する。残存する水素ガス、水素ラジカルおよびクリーニング生成物はすべて真空ポンプ７６によって真空システムから除去される。ＥＵＶ光学部品７１は、ＥＵＶミラー、レチクル、センサ、レンズ素子または放射を導くための任意の他の光学装置であってもよい。

この実施形態によるクリーニング方法を用いて炭素クリーニング実験を実行し、炭素汚染されたＥＵＶミラーを水素ラジカルで処理した。処理後、すべての炭素は除去され、ミラーは損傷されていないようであった。水素処理は、１０回のクリーニングサイクルからなり、各回、高温タングステンフィラメントで発生された水素ラジカルに１０秒間暴露した後、０．５時間暴露を止めた。

ある実施形態では、ＥＵＶ光学部品は、例えば熱電対１０７などの温度モニタ１０７を備える。こうすると、ＥＵＶ光学部品７１の温度を監視することができる。熱電対１０７は、測定した温度の値に従って、クリーニングサイクルの継続時間と、次のパルスとの間の遅延時間とを決定するように構成されたクリーニング制御ユニット１０８に接続される。このフィードバックによって、ＥＵＶ光学部品の温度が臨界限界を超えないことを確実ならしめ、ＥＵＶ光学部品への損傷を予防することができる。

クリーニング制御ユニット１０８は、電流コントローラ７４へ入力される出力信号を発生させるように構成されたプロセッサ（図に示していない）を備えてもよい。電流コントローラ７４は、入力信号に依存して電流を出力する。図９は、電流コントローラ７４の出力の例を示す。電流は、１０秒間の間２０Ａである。このパルスの後、電流は９０秒間０である。その後、次のパルスが開始される。典型的には、ＥＵＶ光学部品７１をクリーニングするために約３０のパルスが発生される。ある実施形態では、パルスの間の遅延時間は１００秒と１０００秒との間である。

ＥＵＶ光学部品７１の温度が高くなり過ぎたら、パルスのデューティサイクルを減少させる。例えば、パルスを１０秒の代わりに５秒だけ持続させる。ある実施形態では、パルスの数は温度に依存しない。パルスのデューティサイクルを測定された温度の関数として変化させる代わりに、各サイクルの持続時間を測定された温度の関数とすることができる。デューティサイクルをフィラメント温度の関数として変化させるために、フィラメントの温度を測定し、これをクリーニング制御ユニット１０への入力として用いることも考えられる。

典型的には、フィラメント７３は約０．４ｍｍの直径を有し、通常２５００Ｋの温度に加熱される。ある実施形態によれば、水素ラジカルまたはハロゲン分子を供給するクリーニング構成が用いられる。これらの気体は、コレクタＣＯ中またはイルミネータＩＬ中のミラーをクリーニングするのに良好な結果を示す。

ルテニウム（Ｒｕ）などの材料で作られたＥＵＶ光学部品をクリーニングするときの別の問題は、Ｓｎの最終層がＲｕ表面から除去し難いことである。数オングストロームの非常に薄いＳｎ層が残る。この薄い層は、光学部品の反射率が回復することができない理由である。

従って、本発明の別の態様によれば、ＥＵＶ放射を発生させるように構成された放射源、ＥＵＶ放射を導くように構成されたＥＵＶ光学部品であって、パラジウムＰｄを含む表面を備えるＥＵＶ光学部品、ＥＵＶ光学部品の表面にラジカルを供給して、ＥＵＶ光学部品の表面からのＳｎの除去および残存するＳｎのＰｄ層への相互拡散によって、ＥＵＶ光学部品のＳｎをクリーニングするように構成されたラジカルクリーニング構成、を備えるリソグラフィ装置が提供される。

ある実施形態によれば、ＥＵＶ光学部品を例えば水素に曝露することによって、ＥＵＶ光学部品のＳｎ析出物をクリーニングする。パラジウムはＳｎとの相互拡散性が高く、従ってクリーニングの間に、Ｓｎ析出物は表面から除去され、残存するＳｎはＰｄ材料と相互拡散する。残りの表層は、ＳｎとＰｄとの混合物となり、この層は比較的良好なＥＵＶ反射率を有する。ＥＵＶ反射率はこの表層の中のＳｎ原子とＰｄ原子との比によって定まる。

図１０は、本発明のある実施形態によってＥＵＶ光学部品をクリーニングするための構成を示す。この構成は、真空チャンバ９１、水素ガス源９２、フィラメント９３、反射面９５としてＰｄを有するＥＵＶ光学部品９４、および真空ポンプ９６からなる。フィラメント９３を加熱し、気体源９２を作動させた。特定のクリーニング時間の間、ＥＵＶ光学部品９４をラジカルに曝露した。クリーニングの前後に、ＥＵＶ光学部品９４の反射率を測定した。シリコン基板上の１００ｎｍのＰｄ上の１０ｎｍのＳｎ（ＰｄＳｎ試料と呼ばれる）を有する試料の上で実験を実行した。結果は非常に良好であった。第一の実験時、ＰｄＳｎ試料をできるだけ短い持続時間（２から２０秒の間）水素ラジカルに曝露した。次に、蛍光Ｘ線（ＸＲＦ）技法を用いてＰｄＳｎ試料を測定した。ＸＲＦの結果（表１参照）から、この処理によって約２．８ｎｍのＳｎが除去されたことがわかる。これは、Ｒｕ基板での結果と類似している。同じＰｄＳｎ試料で、今度は試料を三回の約１５秒間の処理に曝露する第二の処理を実行した。驚くべき結果は、これらの処理では、Ｓｎがまったく除去されない（表２参照）ことであった。別のＰｄＳｎ試料でこの実験を繰り返したとき、同じ挙動が繰り返された。

ここで観測された効果に対する説明は、Ｓｎ層とＰｄ層とが相互混合されたということである。オージェ分析によってその通りであることを実際に示した。図１１参照。ＰｄＳｎ_４とＰｄＳｎ_３との金属間化合物層の形成は、ChromikとCottsの”A STUDY OF THE KINETICS AND ENERGETICS OF SOLID STATE REACTIONSIN Pd/Sn DIFFUSION COUPLES” http://www.binghamton.edu/physics/pub/kinetic2.pdf.にて研究されている
は、。かれらは、２００℃より高い温度ではＰｄＳｎ_４金属間化合物層が急速に形成されることを見いだした。もっと高い温度では、ＰｄＳｎ_３も生成する。我々の実験結果は、室温でもこの効果が非常に速いことを示している。なぜなら、まだ水素ラジカルで処理されたことがない（従って、おそらく析出時以外はまだ加熱されたことがない）試料について、オージェ分析によってＰｄ層とＳｎ層とが既に相互混合していることが示されたからである。

図１１および１２は、クリーニングの前（図１１）および後（図１２）のＰｄＳｎ試料のＥＵＶ反射率のオージェ（Ａｕｇｅｒ）分析を示す。オージェプロットのｘ軸は実際に試料中の深さに等価である点に注意されたい。さらに、測定された信号は、決して単独の薄い層を代表せず、実際には数層にわたって平均されたものであることを認識する必要がある。言い換えれば、鋭い実際の境界はオージェ分析では鋭くなくなる。

図１１の曲線１００は、酸素の濃度を示す。曲線１０１はＳｎの濃度を示し、曲線１０２はＰｄの濃度を示す。図１１から分かるように、最上部にＳｎの非常に薄い層があり、続いてＰｄとＳｎとの混合物があるように見える。図１２は、処理の後の濃度を示す。曲線１０３は酸素の濃度を示し、曲線１０４はＳｎの濃度を示し、曲線１０５はＰｄの濃度を示す。曲線１０４と曲線１０５とから分かるように、試料の上に残存するＳｎの大部分はＰｄと混合されていた。曲線１０５は、図１１の曲線１０２と比較すると左へ移動している（すなわちミラーとの界面に近づいた）ことに注意する。

図１３は、特定のＰｄＳｎ試料のクリーニングの前と後とのＥＵＶ反射率の比較を示す。曲線１０９はクリーニングの前のＰｄＳｎ試料の反射率を表し、曲線１０８はクリーニングの後の反射率を表す。参考のために、高品質Ｐｄミラーの反射率をライン１１０に示し、測定されたＲｕミラーをライン１１１に示す。測定され、図１２に例を示されたクリーニングされたミラーと類似の組成を有する材料Ｓｎ_２ＰｄＯ_２のライン１１２を最後に加えた。

図１３は、試料の上に若干のＳｎが依然残ってはいるが、実際にＥＵＶ反射率が増加したことを示す。これは、試料の表層が純Ｓｎではなく、ＰｄとＳｎとの組み合わせだからである。従って、ＥＵＶ反射率は純Ｐｄ試料ほど高くはないが、ＳｎとＰｄとの反射率の間のどこかにある。クリーニングの後、反射率はツールＣＸＲＯによる計算から予測されたほど高くないことにも注意すべきである（例えば、オージェ分析で見いだされるのとほぼ同じ表面濃度を有するＳｎ_２ＰｄＯ_２は１０°で５５％の理論反射率を有する）。

本文中で、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用について特に言及しているかもしれないが、本明細書で説明したリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリのためのガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造など、他の用途を有する可能性があると理解すべきである。そのような代わりの用途の場合には、本明細書における用語「ウェーハ」または「ダイ」の使用を、もっと一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」とそれぞれ同義であるとみなしてよいことは、当業者には自明である。本明細書で言及される基板は、露光前または露光後に例えばトラック（通常、基板にレジストの層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツールおよび／またはインスペクションツール中で加工することができる。適用可能な場合には、そのような、およびその他の基板プロセス加工ツールに本明細書における開示を適用してもよい。さらに、例えば多層ＩＣを作り出すために、基板を二回以上加工してもよく、これによって、本明細書で用いられる用語「基板」は既に複数の加工ずみの層を含む基板を指してもよい。

上記で、光学リソグラフィの場合に本発明の実施形態の使用を特に参照したが、本発明を他の用途で、例えば、インプリントリソグラフィで用いてもよく、状況が許せば光学リソグラフィに限定されないことはいうまでもない。インプリントリソグラフィでは、パターン形成構造物中のトポグラフィーによって基板上に作り出されるパターンが定まる。パターン形成構造物のトポグラフィーを基板に設けられたレジストの層の中に押印した後、電磁放射、熱、圧力またはそれらの組み合わせを印加することによってレジストを硬化させることができる。レジストを硬化させた後、パターン形成構造物をレジストから取り出し、レジスト中にパターンを残す。

本明細書で用いられる用語「放射」および「ビーム」は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば３６５、３５５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍあるいはその近辺の波長を有する）、および極端紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含する。

状況によっては、用語「レンズ」は、屈折、反射、磁気、電磁気、静電光学コンポーネントを含むさまざまな種類の光学コンポーネントの任意の一つまたは組み合わせを指してもよい。

上記で、本発明の特定の実施形態を説明してきたが、説明してきた態様と異なる態様によって本発明を実施してもよいことはいうまでもない。例えば、本発明は、上記で開示された方法を記述する機械読取可能指令の一つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはそのようなコンピュータプログラムを内部に格納したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気または光学ディスク）の形であってもよい。

上記の説明は、例を示すことを意図し、限定することを意図しない。従って、請求項の範囲から逸脱することなく本説明の範囲内で本発明に変更を施すことができることは、当業者には自明である。ＥＵＶミラーをクリーニングする代わりに、レチクル、ウェーハ、イメージセンサ、波面センサまたはエネルギーセンサなど、他の光学部品をクリーニングするために上記で説明した方法を用いてもよい。

本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を表す。 特定の体積で囲まれたリソグラフィ装置のコレクタを表す。 三つの異なるシェルギャップ距離の場合の分圧の関数としてのクリーニング粒子の流束のグラフを表す。 コレクタを表し、クリーニング構成の設定を示す。 コレクタと、フィラメントの可能な配置とを表す。 ある実施形態によるクリーニング構成によってミラーをクリーニングする投影システムを表す。 平行に配置された二つのガイドプレートを持つガイドを備える実施形態を表す。 ラジカルをＥＵＶ光学部品の表面にパルス状に供給するように構成されたラジカルクリーニング構成を表す。 図８の実施形態の電流コントローラの出力を表す。 本発明のある実施形態によってＥＵＶ光学部品をクリーニングするための構成を表す。 クリーニングの前のＰｄＳｎ試料のＥＵＶ反射率のオージェ分析を表す。 クリーニングの後の図１１のＰｄＳｎ試料のＥＵＶ反射率のオージェ分析を表す。 クリーニングの前後の図１１および１２のＰｄＳｎ試料のＥＵＶ反射率の比較を表す。

Claims (23)

1. 水素ラジカルおよび／またはハロゲン分子を供給することによって光学部品の汚染物質をクリーニングするように構成され、ラジカル／分子の分圧が０．１から１０Ｐａの範囲にある、クリーニング構成。
2. ＥＵＶ放射を発生させるように構成された放射源、
   ＥＵＶ放射を導くように構成されたＥＵＶ光学部品、
   水素ラジカルおよび／またはハロゲン分子を供給することによって光学部品の汚染物質をクリーニングするように構成され、ラジカル／分子の分圧が０．１から１０Ｐａの範囲にあるクリーニング構成
   を備える、ＥＵＶリソグラフィ装置。
3. クリーニング構成は光学部品の視線上にあるように構成されている、請求項２に記載のＥＵＶリソグラフィ装置。
4. ラジカルおよび／または分子をクリーニング構成から光学部品へ導くように構成され、前記クリーニング構成とともに用いられるガイドをさらに備える、請求項２に記載のＥＵＶリソグラフィ装置。
5. 光学部品はＥＵＶコレクタ内のミラー素子である、請求項２に記載のＥＵＶリソグラフィ装置。
6. コレクタのシェル間の距離は０．５から１．５ｃｍである、請求項５に記載のＥＵＶリソグラフィ装置。
7. 光学部品はリソグラフィ装置の投影システムのミラーである、請求項２に記載のＥＵＶリソグラフィ装置。
8. クリーニング構成とミラーとの間の距離は５から５０ｃｍである、請求項７に記載のＥＵＶリソグラフィ装置。
9. 汚染物質はＳｎおよび／またはＣを含む、請求項２に記載のＥＵＶリソグラフィ装置。
10. ＥＵＶ放射を発生させるように構成された放射源、
    ＥＵＶ放射を用いて放射ビームを調整するように構成された照射システム、
    パターニングデバイスを支持するように構成された支持体であって、パターニングデバイスはパターン形成された放射ビームを形成させるために放射ビームの断面にパターンを付与するように構成されている、支持体、
    基板を保持するように構成された基板ホルダ、
    パターン形成された放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システム、
    ＥＵＶ放射を導くように構成されたＥＵＶ光学部品、
    水素ラジカルおよび／またはハロゲン分子を供給することによってＥＵＶ光学部品の汚染物質をクリーニングするように構成され、ラジカルおよび／または分子の分圧が０．１から１０Ｐａの範囲にあるクリーニング構成
    を備える、ＥＵＶリソグラフィ装置。
11. 光学部品の汚染物質をクリーニングする方法であって
    水素ラジカルおよび／またはハロゲン分子を供給することを有しラジカルおよび／または分子の分圧は０．１〜１０Ｐａの範囲にある、方法。
12. クリーニング構成を配置することをさらに有し、クリーニング構成は、光学部品の視線上に水素ラジカルおよび／またはハロゲン分子を供給するように構成されている、請求項１１に記載の方法。
13. 光学部品はリソグラフィ装置のＥＵＶコレクタ内のミラーを備え、クリーニングはＥＵＶ放射による基板の露光時に行われる、請求項１１に記載の方法。
14. ＥＵＶ放射を発生させるように構成された放射源、
    ＥＵＶ放射を導くように構成されたＥＵＶ光学部品、
    ラジカルおよび／または分子をＥＵＶ光学部品の表面にパルス状に供給して、ＥＵＶ光学部品の汚染物質をクリーニングするように構成されたクリーニング構成
    を備える、ＥＵＶリソグラフィ装置。
15. クリーニング構成はフィラメントと電流源とを備え、フィラメントにパルス電流を供給することによってフィラメントを定期的に加熱するように構成されている、請求項１４に記載のＥＵＶリソグラフィ装置。
16. クリーニング構成は水素ラジカルおよび／またはハロゲン分子を供給するように構成されている、請求項１４に記載のＥＵＶリソグラフィ装置。
17. クリーニング構成は光学部品の温度を測定するように構成された温度センサを備え、クリーニング構成は測定された温度の関数としてデューティサイクルおよび／または各クリーニングサイクルの持続時間を設定するように構成されたクリーニング制御ユニットをさらに備える、請求項１４に記載のＥＵＶリソグラフィ装置。
18. クリーニング構成は光学部品を３０回のパルスに曝露するように構成され、各パルスは約１０秒間持続する、請求項１４に記載のＥＵＶリソグラフィ装置。
19. 前記クリーニング構成は前記光学部品を数回のパルスに曝露するように構成され、各パルス間の遅延時間は１００秒と１０００秒との間である、請求項１４に記載のＥＵＶリソグラフィ装置。
20. ＥＵＶ光学部品の汚染物質をクリーニングする方法であって、
    ラジカルおよび／または分子をＥＵＶ光学部品にパルス状に供給すること
    を有する方法。
21. ＥＵＶ放射を発生させるように構成された放射源、
    ＥＵＶ放射を導くように構成されたＥＵＶ光学部品であって、パラジウムＰｄを含む表面を備えるＥＵＶ光学部品、
    ラジカルおよび／または分子をＥＵＶ光学部品の表面に予め定められた時間の間供給して、ＥＵＶ光学部品の表面のＳｎのクリーニングおよび／または残存するＳｎのＰｄ層中への相互拡散によって、ＥＵＶ光学部品の反射率を回復させるように構成されたクリーニング構成
    を備えるＥＵＶリソグラフィ装置。
22. クリーニング構成は、ラジカルおよび／または分子をＥＵＶ光学部品の表面に連続供給するように構成されている、請求項２１に記載のＥＵＶリソグラフィ装置。
23. ＥＵＶ光学部品の汚染物質をクリーニングする方法であって、
    ラジカルをＥＵＶ光学部品に予め定められた時間の間供給して、ＥＵＶ光学部品の表面のＳｎのクリーニングおよび／またはＳｎのＰｄ層中への相互拡散によって、ＥＵＶ光学部品の反射率を回復させること
    を有する方法。

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