WO2009116625A1

WO2009116625A1 - クリーニング工具、クリーニング方法、及びデバイス製造方法

Info

Publication number: WO2009116625A1
Application number: PCT/JP2009/055431
Authority: WO
Inventors: 健一白石; 昭一谷元
Original assignee: 株式会社ニコン
Priority date: 2008-03-19
Filing date: 2009-03-19
Publication date: 2009-09-24
Also published as: JPWO2009116625A1; US20100039628A1; KR20100128278A; TW200946252A; JP5152321B2

Abstract

　クリーニング工具は、露光光で基板を露光する露光装置に搬入され、露光装置内の部材をクリーニングする。クリーニング工具は、ベース部材と、ベース部材上に配置され、クリーニング液体を染み込ませたクリーニング部材とを備える。

Description

クリーニング工具、クリーニング方法、及びデバイス製造方法

　本発明は、露光装置内の部材をクリーニングするクリーニング工具、クリーニング方法、及びデバイス製造方法に関する。
　本願は、２００８年３月１９日に出願された特願２００８－０７２５２４号、及び２００８年８月２６日に出願された特願２００８－２１６５２５号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

　マイクロデバイスの製造工程において、露光光で基板を露光する露光装置が用いられる。露光装置内の部材、及び／又は部品が汚染していると、例えば基板に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生し、その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。そのため、例えば下記特許文献に開示されているように、露光装置内の部材、及び／又は部品をクリーニングする技術が案出されている。
米国特許第６４９６２５７号明細書米国特許出願公開第２００６／００２３１８５Ａ１号明細書

　露光装置内の部材、及び／又は部品を効率良く良好にクリーニングできる技術の案出が望まれる。

　本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できるクリーニング工具及びクリーニング方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。

　本発明の第１の態様に従えば、露光光で基板を露光する露光装置に搬入され、露光装置内の部材をクリーニングするクリーニング工具であって、ベース部材と、ベース部材上に配置され、クリーニング液体を染み込ませたクリーニング部材と、を備えるクリーニング工具が提供される。

　本発明の第２の態様に従えば、露光光で基板を露光する露光装置に第１の態様のクリーニング工具を搬入することと、クリーニング工具のクリーニング部材と露光装置内の部材とを接触させて、露光装置内の部材の少なくとも一部をクリーニングすることと、を含むクリーニング方法が提供される。

　本発明の第３の態様に従えば、露光光で基板を露光する露光装置に第１の態様のクリーニング工具を搬入することと、クリーニング工具のクリーニング部材と露光装置内の部材とを接触させて、露光装置内の部材の少なくとも一部をクリーニングすることと、クリーニング後に、露光装置で基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

　本発明の第４の態様に従えば、第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置に搬入され、露光装置内の所定部材をクリーニングするためのクリーニング工具であって、第１面、第１面の反対側の第２面、及び第１面と第２面とを連通する複数の孔を有する多孔板と、多孔板を支持するベース部材と、第２面に面する内部空間と、を備え、内部空間に、クリーニング用の第２液体が保持されるクリーニング工具が提供される。

　本発明の第５の態様に従えば、第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置に第４の態様のクリーニング工具を搬入することと、第１液体と第１面とを接触させ、第１面上に生成された第１液体と第２液体との混合液体で、露光装置内の所定部材の表面をクリーニングすることと、を含むクリーニング方法が提供される。

　本発明の第６の態様に従えば、第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置に第４の態様のクリーニング工具を搬入することと、第１液体と第１面とを接触させ、第１面上に生成された第１液体と第２液体との混合液体で、露光装置内の所定部材の少なくとも一部をクリーニングすることと、クリーニング後に、露光装置で基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
　本発明の第７の態様に従えば、露光光で基板を露光する露光装置に搬入され、露光装置内の部材をクリーニングするクリーニング工具であって、ベース部材と、ベース部材上に設けられ、クリーニング液体を保持可能な液体保持部材と、を備えるクリーニング工具が提供される。
　本発明の第８の態様に従えば、露光光で基板を露光する露光装置に第７の態様のクリーニング工具を搬入することと、そのクリーニング工具の液体保持部材によって保持されたクリーニング液体によって露光装置内の所定部材の表面をクリーニングすることと、を含むクリーニング方法が提供される。
　本発明の第９の態様に従えば、露光光で基板を露光する露光装置に第７の態様のクリーニング工具を搬入することと、そのクリーニング工具の液体保持部材によって保持されたクリーニング液体によって露光装置内の所定部材の表面をクリーニングすることと、クリーニング後に、露光装置で基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

　本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。

第１実施形態に係るクリーニング工具の一例を示す斜視図である。第１実施形態に係るクリーニング工具の一例を示す側断面図である。第１実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。第１実施形態に係る液浸部材の近傍を示す側断面図である。第１実施形態に係る液浸部材の近傍を示す側断面図である。第１実施形態に係る液浸部材を下側から見た斜視図である。第１実施形態に係るクリーニング工具が基板保持部に保持された状態を示す図である。第１実施形態に係るクリーニング工具が基板保持部に保持された状態を示す図である。第１実施形態に係るクリーニング方法の一例を示すフローチャートである。第１実施形態に係るクリーニング方法の一例を示す模式図である。第１実施形態に係るクリーニング方法の一例を示す模式図である。第１実施形態に係るクリーニング方法の一例を示す模式図である。第１実施形態に係るクリーニング方法の一例を示す模式図である。第２実施形態に係る液浸部材を下側から見た斜視図である。第２実施形態に係るクリーニング工具が基板保持部に保持された状態を示す図である。クリーニング工具の一例を示す側断面図である。クリーニング工具の一例を示す側断面図である。クリーニング工具及びクリーニング方法の一例を示す図である。クリーニング工具及びクリーニング方法の一例を示す図である。第１実施形態に係るクリーニング工具の一例を示す側断面図である。第１実施形態に係るクリーニング工具の一例を示す平面図である。第１実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。第１実施形態に係る液浸部材の近傍を示す側断面図である。第１実施形態に係るクリーニング工具が基板保持部に保持された状態を示す図である。第１実施形態に係るクリーニング工具が基板保持部に保持された状態を示す図である。第１実施形態に係るクリーニング工具が搬送部材に支持された状態を示す図である。第１実施形態に係るクリーニング方法の一例を示すフローチャートである。第１実施形態に係るクリーニング方法を説明するための模式図である。第１実施形態に係るクリーニング方法を説明するための模式図である。第１実施形態に係るクリーニング方法を説明するための模式図である。第１実施形態に係るクリーニング方法を説明するための模式図である。第２実施形態に係るクリーニング工具の一例を示す側断面図である。第２実施形態に係るクリーニング工具の一部を示す平面図である。第２実施形態に係るクリーニング工具の一部を示す平面図である。第２実施形態に係るクリーニング工具の一部を示す平面図である。マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。

符号の説明

　１…クリーニング工具、２…ベース部材、２Ａ…表面、２Ｂ…裏面、３…クリーニング部材、３Ａ…第１クリーニング部材、３Ｂ…第２クリーニング部材、５…周壁部材、１２…基板ステージ、１２Ｈ…基板保持部、１３…液浸部材、１９…終端光学素子、２０…射出面、２１…下面、２５…第１面、２６…第２面、２７…第３面、ＤＰ…ダミー基板、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＬＣ…クリーニング液体、ＬＱ…液体（クリーニング液体）、Ｐ…基板、５０１…クリーニング工具、５０２…多孔板、５０２Ａ…表面、５０２Ｂ…裏面、５０２Ｈ…孔、５０３…ベース部材、５０４…内部空間、５０５…多孔部材、５０６Ａ…第１凸部、５０６Ｂ…第２凸部、５０７…凹部、５１２…基板ステージ、５１２Ｔ…上面、５１３…計測ステージ、５１３Ｔ…上面、５１４…液浸部材、５１５…搬送システム、５２３…下面、５２４…搬送部材、５３５…多孔部材

発明を実施するための形態

　以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、そのＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ及びθＺ方向とする。

＜第１実施形態＞
　第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係るクリーニング工具１の一例を示す斜視図、図２は、側断面図である。後述するように、クリーニング工具１は、露光光ＥＬで基板Ｐを露光する露光装置ＥＸに搬入され、その露光装置ＥＸ内の部材の少なくとも一部をクリーニングする。

　図１及び図２において、クリーニング工具１は、ベース部材２と、ベース部材２上に配置され、クリーニング液体ＬＣを染み込ませたクリーニング部材３とを備えている。

　ベース部材２は、プレート部材であり、表面２Ａと裏面２Ｂとを有する。本実施形態において、ＸＹ平面内におけるベース部材２の外形は、ほぼ円形である。本実施形態において、ベース部材２の外形は、基板Ｐの外形とほぼ同じである。ベース部材２は、例えばステンレス製である。

　クリーニング部材３は、クリーニング対象である露光装置ＥＸ内の部材の表面と接触して、その部材の表面をクリーニングする。クリーニング部材３には、クリーニング液体ＬＣが染み込ませてある。本実施形態において、クリーニング部材３は、スポンジである。したがって、クリーニング部材３にクリーニング液体ＬＣを染み込ませることができる。不図示のクリーニング液体供給源からクリーニング部材３にクリーニング液体ＬＣを供給し、クリーニング部材３に、クリーニング液体ＬＣを保持する。不図示のクリーニング液体供給源からクリーニング部材３へのクリーニング液体ＬＣの供給は、露光装置ＥＸ内、あるいは露光装置ＥＸの外で自動的に行われてもよいし、オペレータによって行われてもよい。

　クリーニング部材３のスポンジとして、例えばポリビニルアルコール製のスポンジ（ＰＶＡスポンジ）、あるいはウレタン製のスポンジ（ウレタンスポンジ）を用いることができる。なお、異物などの汚染物を発生しない材料であれば、スポンジの材料は、上記のものに限定されない。

　クリーニング液体ＬＣは、露光装置ＥＸ内の部材をクリーニング可能な液体である。クリーニング液体ＬＣは、例えば露光装置ＥＸ内の部材に付着している異物（汚染物）を除去可能な液体である。クリーニング液体ＬＣとして、例えばアルカリを含有するアルカリ洗浄液を用いることができる。アルカリは、例えばアンモニアを含む。クリーニング液体ＬＣとしてアルカリ洗浄液を用いることにより、露光装置ＥＸ内の部材に付着している、例えば有機物等の汚染物を良好に除去することができる。たとえば、アルカリ洗浄液として、水酸化テトラメチルアンモニウム（TMAH：tetramethyl ammonium hydroxide）水溶液を用いることができる。また、クリーニング液体ＬＣとして、水（純水）を用いることもできる。また、液体ＬＣは、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を用いてもよい。

　本実施形態において、クリーニング部材３は、第１部分３Ａと、第２部分３Ｂとを含む。本実施形態においては、ベース部材２上において、第１部分３Ａと第２部分３Ｂとが離れている。以下の説明において、クリーニング部材３の第１部分３Ａを適宜、第１クリーニング部材３Ａ、と称し、第２部分３Ｂを適宜、第２クリーニング部材３Ｂ、と称する。

　本実施形態においては、第１クリーニング部材３Ａと第２クリーニング部材３Ｂとは、同じ材料で形成されている。本実施形態においては、第１、第２クリーニング部材３Ａ、３Ｂの両方が、ＰＶＡスポンジである。なお、第１、第２クリーニング部材３Ａ、３Ｂの両方が、ウレタンスポンジでもよい。

　なお、第１クリーニング部材３Ａと第２クリーニング部材３Ｂとが異なる材料で形成されてもよい。例えば、第１クリーニング部材３Ａ及び第２クリーニング部材３Ｂの一方がＰＶＡスポンジで、他方がウレタンスポンジでもよい。

　また、第１クリーニング部材３Ａと第２クリーニング部材３Ｂとで、気孔率が異なってもよい。気孔率は、スポンジ等の多孔部材の幾何学的（外形的）な容積に対する気孔の容積の割合である。換言すれば、気孔率は、単位体積当たりの気孔の含有率である。

　本実施形態においては、第１クリーニング部材３Ａ及び第２クリーニング部材３Ｂの両方に、クリーニング液体ＬＣが染み込ませてある。すなわち、本実施形態おいて、クリーニング液体ＬＣは、第１クリーニング部材３Ａに染み込ませたクリーニング液体と、第２クリーニング部材３Ｂに染み込ませたクリーニング液体とを含む。

　本実施形態においては、第１クリーニング部材３Ａに染み込ませるクリーニング液体と、第２クリーニング部材３Ｂに染み込ませるクリーニング液体とは、同じ種類の液体である。

　なお、第１クリーニング部材３Ａに染み込ませるクリーニング液体と、第２クリーニング部材３Ｂに染み込ませるクリーニング液体とが、異なる種類の液体でもよい。また、第１クリーニング部材３Ａ及び第２クリーニング部材３Ｂの一方にクリーニング液体を染み込ませ、他方にはクリーニング液体を染み込ませないようにしてもよい。

　第２クリーニング部材３Ｂは、第１クリーニング部材３Ａの周囲の少なくとも一部に配置されている。本実施形態においては、第１クリーニング部材３Ａは、ベース部材２の表面２Ａのほぼ中央に配置されている。本実施形態において、表面２Ａと平行なＸＹ平面内における第１クリーニング部材３Ａの形状は、矩形である。第２クリーニング部材３Ｂは、第１クリーニング部材３Ａの周囲の２箇所に配置されている。すなわち、本実施形態において、第２クリーニング部材３Ｂは、２つ配置されている。２つの第２クリーニング部材３Ｂの大きさ及び形状は、ほぼ同じである。

　本実施形態において、第２クリーニング部材３Ｂは、ＸＹ平面内における第１クリーニング部材３Ａの両側に配置されている。すなわち、第２クリーニング部材３Ｂは、ＸＹ平面内において、第１クリーニング部材３Ａの一方側（＋Ｘ側）、及び他方側（－Ｘ側）のそれぞれに配置されている。本実施形態において、Ｙ軸方向に関する第１クリーニング部材３Ａの上面４ＡのサイズＬ１と、第２クリーニング部材３Ｂの上面４ＢのサイズＬ２とは、ほぼ同じである。Ｘ軸方向に関する第１クリーニング部材３Ａの上面４ＡのサイズＷ１と、第２クリーニング部材３Ｂの上面４ＢのサイズＷ２とは、異なる。本実施形態においては、サイズＷ１のほうが、サイズＷ２より大きい。

　本実施形態において、第１クリーニング部材３Ａは、ベース部材２の表面２Ａに対して第１高さＨ１を有し、第２クリーニング部材３Ｂは、ベース部材２の表面２Ａに対して第２高さＨ２を有する。第１高さＨ１は、Ｚ軸方向（ベース部材２の表面２Ａの法線方向）に関するベース部材２の表面２Ａと第１クリーニング部材３Ａの上面４Ａとの距離である。第２高さＨ２は、Ｚ軸方向に関するベース部材２の表面２Ａと第２クリーニング部材３Ｂの上面４Ｂとの距離である。第１、第２高さＨ１、Ｈ２は、第１、第２クリーニング部材３Ａ、３Ｂが縮んでいない状態（外力が作用されていない状態）での高さである。また、本実施形態においては、第１、第２クリーニング部材３Ａ、３Ｂが縮んでいない状態（外力が作用されていない状態）において、上面４Ａ、４Ｂは、ほぼ平坦である。また、ベース部材２の表面２Ａと、第１クリーニング部材３Ａの上面４Ａと、第２クリーニング部材３Ｂの上面４Ｂとは、ほぼ平行である。なお、ベース部材２の表面２Ａと、第１クリーニング部材３Ａの上面４Ａ、及び第２クリーニング部材３Ｂの上面４Ｂの少なくとも一方とが平行でなくてもよい。また第１クリーニング部材３Ａの上面４Ａと第２クリーニング部材３Ｂの上面４Ｂとが平行でなくてもよい。

　第１高さＨ１及び第２高さＨ２は、クリーニング対象である露光装置ＥＸ内の部材の表面の形状に応じて定められる。本実施形態においては、第２高さＨ２は、第１高さＨ１より高い。すなわち、第２クリーニング部材３Ｂは、ベース部材２の表面２Ａに対して第１クリーニング部材３Ａより高い。

　また、本実施形態においては、クリーニング工具１は、ベース部材２上に配置され、クリーニング部材３の周囲に配置された周壁部材５を有する。周壁部材５は、ベース部材２の表面２Ａの外縁に配置されている。周壁部材５は、所定の幅Ｗ３を有する環状の部材である。

　周壁部材５は、クリーニング液体ＬＣの漏出を抑制する。すなわち、周壁部材５は、クリーニング部材３に染み込ませてあるクリーニング液体ＬＣが、ベース部材２の外側に漏出することを抑制する。換言すれば、クリーニング部材３から染み出たクリーニング液体ＬＣの、ベース部材２の外側への流出をくい止める。

　本実施形態において、周壁部材５は、クリーニング部材３から染み出したクリーニング液体ＬＣを回収する。

　本実施形態において、周壁部材５は、スポンジである。したがって、周壁部材５は、クリーニング部材３から染み出したクリーニング液体ＬＣを吸収し、回収することができる。

　本実施形態においては、露光装置ＥＸ内の部材のクリーニング処理が実行される前のクリーニング工具１の初期状態においては、クリーニング部材３にはクリーニング液体ＬＣが染み込ませてあり、周壁部材５には液体が染み込んでいない。すなわち、クリーニング工具１の初期状態においては、周壁部材５は、乾燥状態である。したがって、周壁部材５は、クリーニング部材３から染み出したクリーニング液体ＬＣを良好に吸収し、回収することができる。

　なお、クリーニング工具１の初期状態において、周壁部材５に液体が僅かに染み込んでいてもよい。

　周壁部材５のスポンジとして、例えばポリビニルアルコール製のスポンジ（ＰＶＡスポンジ）、あるいはウレタン製のスポンジ（ウレタンスポンジ）を用いることができる。なお、異物などの汚染物を発生しない材料であれば、スポンジの材料は、上記のものに限定されない。

　周壁部材５は、ベース部材２の表面２Ａに対して第３高さＨ３を有する。第３高さＨ３は、Ｚ軸方向（ベース部材２の表面２Ａの法線方向）に関するベース部材２の表面２Ａと周壁部材５の上面４Ｃとの距離である。本実施形態においては、上面４Ｃは、ほぼ平坦である。また、ベース部材２の表面２Ａと、周壁部材５の上面４Ｃとは、ほぼ平行である。

　本実施形態においては、第３高さＨ３は、第１、第２高さＨ１、Ｈ２より低い。すなわち、周壁部材５は、ベース部材２の表面２Ａに対してクリーニング部材３（３Ａ、３Ｂ）より低い。第３高さＨ３は、周壁部材５が縮んでいない状態（外力が作用されていない状態）での高さである。

　周壁部材５は、クリーニング部材３よりクリーニング液体ＬＣに対して親液性である。これにより、クリーニング部材３から染み出たクリーニング液体ＬＣを良好に回収（吸収）でき、クリーニング液体ＬＣの漏出を抑制できる。また、周壁部材５をクリーニング液体ＬＣに対して親液性にすることで、周壁部材５の体積、あるいは第３高さＨ３を小さくしても、クリーニング液体ＬＣを良好に回収（吸収）することができる。

　なお、本実施形態においては、周壁部材５の全部がスポンジ製であるが、一部のみがスポンジ製でもよい。

　次に、クリーニング対象の部材を含む露光装置ＥＸの一例について説明する。図３は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。本実施形態においては、露光装置ＥＸが、露光用の液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である場合を例にして説明する。

　図３において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ１２と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光光ＥＬの光路Ｋの少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能な液浸部材１３と、基板Ｐを搬送可能な搬送システム１４と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置１５とを備えている。

　マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクＭは、例えばガラス板等の透明板上にクロム等の遮光膜を用いて所定のパターンが形成された透過型マスクを含む。なお、マスクＭとして、反射型マスクを用いることもできる。基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。基板Ｐは、例えばシリコンウエハのような半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐが、感光膜と別の膜を含んでもよい。例えば、基板Ｐが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜（トップコート膜）を含んでもよい。

　照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲを均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。

　マスクステージ１１は、マスクＭをリリース可能に保持するマスク保持部１１Ｈを有する。本実施形態において、マスク保持部１１Ｈは、マスクＭのパターン形成面（下面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。マスクステージ１１は、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含む第１駆動システム１１Ｄの作動により、マスクＭを保持した状態で、照明領域ＩＲを含むＸＹ平面内を移動可能である。本実施形態においては、マスクステージ１１は、マスク保持部１１ＨでマスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。

　マスクステージ１１（マスクＭ）の位置情報は、干渉計システム１６のレーザ干渉計１６Ａによって計測される。レーザ干渉計１６Ａは、マスクステージ１１に設けられた反射ミラー１１Ｒを用いて位置情報を計測する。制御装置１５は、レーザ干渉計１６Ａの計測結果に基づいて第１駆動システム１１Ｄを作動し、マスクステージ１１に保持されているマスクＭの位置制御を行う。

　投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。投影光学系ＰＬの複数の光学素子は、鏡筒１７に保持されている。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸはＺ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。

　基板ステージ１２は、基板Ｐをリリース可能に保持する基板保持部１２Ｈを有する。本実施形態において、基板保持部１２Ｈは、基板Ｐの表面（露光面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。基板ステージ１２は、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含む第２駆動システム１２Ｄの作動により、基板Ｐを保持した状態で、定盤１８の上面（ガイド面）１８Ｇに沿って、投影領域ＰＲを含むＸＹ平面内を移動可能である。本実施形態においては、基板ステージ１２は、基板保持部１２Ｈで基板Ｐを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。

　基板ステージ１２は、基板保持部１２Ｈの周囲に配置された上面１２Ｔを有する。基板保持部１２Ｈは、基板ステージ１２上に設けられた凹部１２Ｃに配置されている。基板ステージ１２の上面１２Ｔは、平坦で、ＸＹ平面とほぼ平行である。基板保持部１２Ｈに保持された基板Ｐの表面と基板ステージ１２の上面１２Ｔとは、ほぼ同一平面内に配置される（ほぼ面一である）。

　基板ステージ１２（基板Ｐ）のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の位置情報は、干渉計システム１６のレーザ干渉計１６Ｂによって計測される。レーザ干渉計１６Ｂは、基板ステージ１２に設けられた反射ミラー１２Ｒを用いて位置情報を計測する。また、基板ステージ１２に保持されている基板Ｐの表面の位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報）が、フォーカス・レベリング検出システム（不図示）によって検出される。制御装置１５は、レーザ干渉計１６Ｂの計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて第２駆動システム１２Ｄを作動し、基板ステージ１２に保持されている基板Ｐの位置制御を行う。

　搬送システム１４は、基板Ｐを搬送可能である。本実施形態において、搬送システム１４は、露光前の基板Ｐを基板保持部１２Ｈに搬入（ロード）可能であり、露光後の基板Ｐを基板保持部１２Ｈから搬出（アンロード）可能である。

　制御装置１５は、基板Ｐを基板保持部１２Ｈにロードするとき、基板ステージ１２を、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬの照射位置ＥＰと異なる基板交換位置ＣＰに移動する。また、制御装置１５は、基板Ｐを基板保持部１２Ｈからアンロードするとき、基板ステージ１２を、基板交換位置ＣＰに移動する。

　基板ステージ１２は、露光光ＥＬの照射位置ＥＰ及び基板交換位置ＣＰを含むガイド面１８Ｇの所定領域内を移動可能である。搬送システム１４は、基板交換位置ＣＰに移動した基板ステージ１２の基板保持部１２Ｈに対する基板Ｐの搬入動作（ローディング動作）を実行可能であり、基板ステージ１２の基板保持部１２Ｈからの基板Ｐの搬出動作（アンローディング動作）を実行可能である。制御装置１５は、搬送システム１４を用いて、基板交換位置ＣＰに移動した基板ステージ１２（基板保持部１２Ｈ）より、露光後の基板Ｐを搬出するアンローディング動作、及び次に露光されるべき露光前の基板Ｐを基板ステージ１２（基板保持部１２Ｈ）にロードするローディング動作を含む基板交換処理を実行可能である。

　液浸部材１３は、露光光ＥＬの光路Ｋの少なくとも一部が露光用の液体ＬＱで満たされるように液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成可能である。液浸空間ＬＳは、液体ＬＱで満たされた空間である。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。

　本実施形態において、液浸空間ＬＳは、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子１９から射出される露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように形成される。終端光学素子１９は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面２０を有する。液浸空間ＬＳは、終端光学素子１９とその終端光学素子１９の射出面２０と対向する位置に配置された物体との間の光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように形成される。射出面２０と対向する位置は、射出面２０から射出される露光光ＥＬの照射位置ＥＰを含む。

　液浸部材１３は、終端光学素子１９の近傍に配置されている。液浸部材１３は、終端光学素子１９と、射出面２０から射出される露光光ＥＬの照射位置ＥＰに配置された物体との間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能である。液浸部材１３は、射出面２０から射出される露光光ＥＬの光路Ｋの周囲に配置され、露光光ＥＬの照射位置ＥＰに配置された物体の表面との間で液体ＬＱを保持可能な下面２１を有する。本実施形態において、射出面２０と対向可能な物体は、下面２１と対向可能である。物体の表面が射出面２０と対向する位置に配置されたとき、下面２１の少なくとも一部と物体の表面とが対向する。射出面２０と物体の表面とが対向しているとき、終端光学素子１９は、射出面２０と物体の表面との間に液体ＬＱを保持可能である。また、下面２１と物体の表面とが対向しているとき、液浸部材１３は、下面２１と物体の表面との間に液体ＬＱを保持可能である。一方側の射出面２０及び下面２１と他方側の物体の表面との間に液体ＬＱが保持されることによって、終端光学素子１９の射出面２０と物体の表面との間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。

　本実施形態において、射出面２０及び下面２１と対向可能な物体は、終端光学素子１９の射出側（像面側）で移動可能な物体を含み、露光光ＥＬの照射位置ＥＰを含む所定面内を移動可能な物体を含む。本実施形態において、その物体は、基板ステージ１２、及びその基板ステージ１２に保持された基板Ｐの少なくとも一方を含む。

　基板Ｐの露光時には、基板ステージ１２に保持された基板Ｐが、終端光学素子１９及び液浸部材１３と対向するように、露光光ＥＬの照射位置ＥＰに配置される。少なくとも基板Ｐの露光時には、終端光学素子１９の射出面２０から射出される露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように、終端光学素子１９及び液浸部材１３と基板Ｐとの間に液体ＬＱが保持され、液浸空間ＬＳが形成される。

　本実施形態においては、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成される。液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧは、液浸部材１３の下面２１と基板Ｐの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。

　次に、液浸部材１３について、図４～図６を参照して説明する。図４は、液浸部材１３の近傍を示すＹＺ平面と平行な側断面図、図５は、ＸＺ平面と平行な側断面図、図６は、液浸部材１３を下側（－Ｚ側）から見た斜視図である。

　なお、以下の説明においては、主に、終端光学素子１９の射出面２０及び液浸部材１３の下面２１と対向する位置に基板Ｐが配置されている状態を例にして説明するが、上述のように、終端光学素子１９の射出面２０及び液浸部材１３の下面２１と対向する位置には、基板ステージ１２等、基板Ｐ以外の物体も配置可能である。

　液浸部材１３は、環状の部材であって、露光光ＥＬの光路Ｋの周囲に配置されている。本実施形態においては、液浸部材１３は、終端光学素子１９の周囲に配置される上板部２２と、Ｚ軸方向に関して少なくとも一部が終端光学素子１９の射出面２０と基板Ｐの表面との間に配置される下板部２３とを有する。

　上板部２２は、終端光学素子１９の外周面と対向し、その外周面に沿って形成された内周面を有する。上板部２２の内周面と、終端光学素子１９の外周面とは、所定の間隙を介して対向する。

　下板部２３は、中央に開口２４を有する。終端光学素子１９の射出面２０から射出された露光光ＥＬは、開口２４を通過可能である。例えば、基板Ｐの露光中、射出面２０から射出された露光光ＥＬは、開口２４を通過し、液体ＬＱを介して基板Ｐの表面に照射される。本実施形態においては、開口２４における露光光ＥＬの断面形状はＸ軸方向を長手方向とする略矩形状（スリット状）である。開口２４は、露光光ＥＬの断面形状に応じて、ＸＹ方向において略矩形状（スリット状）に形成されている。また、開口２４における露光光ＥＬの断面形状と、基板Ｐにおける投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲの形状とはほぼ同じである。

　本実施形態において、液浸部材１３は、光路Ｋの周囲に配置され、終端光学素子１９の射出面２０と所定の間隙を介して対向する上面３３を有する。本実施形態においては、上面３３は、下板部２３の上面を含む。上面３３は、平坦であり、ＸＹ平面とほぼ平行である。上面３３は、開口２４の周囲に配置されている。

　液浸部材１３の下面２１は、露光光ＥＬの光路Ｋの周囲に配置された第１面２５と、第１面２５の周囲の一部に配置された第２面２６と、第１面２５の周囲の一部に配置された第３面２７とを含む。

　第１面２５は、基板Ｐの露光中に、基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持する。本実施形態においては、第１面２５は、平坦であり、基板Ｐの表面（ＸＹ平面）とほぼ平行である。本実施形態においては、ＸＹ平面内における第１面２５の外形は、矩形状である。第１面２５の外形は、Ｘ軸方向に長く、Ｘ軸方向に関してサイズＷ１１を有し、Ｙ軸方向に関してサイズＬ１１を有する。

　本実施形態においては、第１面２５は、下板部２３の下面を含む。第１面２５は、開口２４の周囲に配置されている。第１面２５は、液体ＬＱを回収不可能である。

　第２面２６は、露光光ＥＬの光路Ｋに対して第１面２５の外側に配置されている。第２面２６は、Ｙ軸方向に関して露光光ＥＬの光路Ｋの両側に配置されている。本実施形態において、第２面２６は、第１面２５に対してＹ軸方向一方側（＋Ｙ側）と他方側（－Ｙ側）とのそれぞれに設けられている。

　第２面２６は、基板Ｐの露光中に、基板Ｐの表面との間で液体ＬＱを保持可能である。第２面２６は、基板Ｐの表面に対して第１面２５よりも離れた位置に配置されている。第２面２６は、Ｙ軸方向に関して露光光ＥＬの光路から離れる方向（放射方向）において、基板Ｐの表面から徐々に離れるように傾斜している。第２面２６は、液体ＬＱを回収不可能である。

　本実施形態において、露光光ＥＬの光路Ｋに対して＋Ｙ側に配置された第２面２６の－Ｙ側のエッジと第１面２５の＋Ｙ側のエッジとは、Ｚ軸方向に関して異なる位置（高さ）に配置されている。また、露光光ＥＬの光路Ｋに対して－Ｙ側に配置された第２面２６の＋Ｙ側のエッジと第１面２５の－Ｙ側のエッジとは、Ｚ軸方向に関して異なる位置（高さ）に配置されている。本実施形態において、第１面２５と第２面２６との間に段差２８が形成されている。

　また、本実施形態においては、ＸＹ平面内における第２面２６の外形は、第１面２５の＋Ｙ側、－Ｙ側のエッジと隣接する部分を上辺とする台形である。

　第３面２７は、露光光ＥＬの光路Ｋに対して第１面２５の外側に配置されている。第３面２７は、Ｘ軸方向に関して露光光ＥＬの光路Ｋの両側に配置されている。本実施形態において、第３面２７は、第１面２５に対してＸ軸方向一方側（＋Ｘ側）と他方側（－Ｘ側）とのそれぞれに設けられている。

　第３面２７は、液体ＬＱを回収可能な液体回収面を含む。第３面２７は、基板Ｐの表面（ＸＹ平面）とほぼ平行である。第３面２７は、基板Ｐの露光中に、その第３面２７と対向する基板Ｐ上の液体ＬＱを回収可能である。本実施形態において、第３面２７は、多孔部材３０の表面（下面）を含む。第３面２７と対向する位置に配置された基板Ｐ上の液体ＬＱの少なくとも一部は、多孔部材３０の孔を介して回収される。第３面２７は、その第３面２７（多孔部材３０の表面）に接触した液体ＬＱを回収可能である。

　本実施形態において、Ｚ軸方向に関して、第１面２５の位置と第３面２７との位置が異なる。本実施形態において、露光光ＥＬの光路Ｋに対して＋Ｘ側に配置された第３面２７の－Ｘ側のエッジと第１面２５の＋Ｘ側のエッジとは、Ｚ軸方向に関して異なる位置（高さ）に配置されている。また、露光光ＥＬの光路Ｋに対して－Ｘ側に配置された第３面２７の＋Ｘ側のエッジと第１面２５の－Ｘ側のエッジとは、Ｚ軸方向に関して異なる位置（高さ）に配置されている。

　本実施形態において、第３面２７が、第１面２５に対して＋Ｚ側に配置される。すなわち、第３面２７は、基板Ｐの表面に対して第１面２５よりも離れた位置に配置されている。本実施形態において、第１面２５と第３面２７との間に段差２９が形成されている。

　また、本実施形態においては、ＸＹ平面内における第３面２７の外形は、第１面２５の＋Ｘ側、－Ｘ側のエッジと隣接する部分を上辺とする台形である。第３面２７のそれぞれは、Ｘ軸方向に関してサイズＷ１２を有し、Ｙ軸方向に関してサイズＬ１２を有する。

　液浸部材１３は、液体ＬＱを供給する液体供給口３１と、液体ＬＱを回収する液体回収口３２とを有する。液体供給口３１は、液浸空間ＬＳを形成するために、光路Ｋに向けて液体ＬＱを供給する。液体回収口３２は、液浸部材１３の下面２１と対向する基板Ｐ上の液体ＬＱの少なくとも一部を回収する。

　液体供給口３１は、光路Ｋの近傍において、その光路Ｋに面するように液浸部材１３の所定位置に配置されている。本実施形態において、液体供給口３１は、射出面２０と上面３３との間の空間の近傍に配置されている。

　液体供給口３１は、流路３４を介して、液体供給装置３５と接続されている。液体供給装置３５は、清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能である。流路３４は、液浸部材１３の内部に形成された供給流路、及びその供給流路と液体供給装置３５とを接続する供給管で形成される流路を含む。液体供給装置３５から送出された液体ＬＱは、流路３４を介して液体供給口３１に供給される。液体供給口３１は、液体供給装置３５からの液体ＬＱを光路Ｋに供給する。

　液体回収口３２は、基板Ｐの表面と対向するように液浸部材１３の所定位置に配置されている。液体回収口３２は、光路Ｋに対して第１面２５の外側に配置されている。液体回収口３２は、Ｘ軸方向に関して光路Ｋの両側に配置されている。液体回収口３２には、複数の孔(openingsあるいはpores)を含むプレート状の多孔部材３０が配置されている。すなわち、本実施形態においては、第３面（液体回収面）２７は、液体回収口３２に配置された多孔部材３０の表面（下面）を含む。なお、液体回収口３２に、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタが配置されてもよい。

　液体回収口３２（第３面２７）は、流路３６を介して、液体回収装置３７と接続されている。液体回収装置３７は、真空システムを含み、液体ＬＱを吸引して回収可能である。流路３６は、液浸部材１３の内部に形成された回収流路、及びその回収流路と液体回収装置３７とを接続する回収管で形成される流路を含む。液体回収口３２（第３面２７）から回収された液体ＬＱは、流路３６を介して、液体回収装置３７に回収される。

　本実施形態においては、制御装置１５は、液体供給口３１を用いる液体ＬＱの供給動作と並行して、液体回収口３２を用いる液体ＬＱの回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子１９及び液浸部材１３と、他方側の基板Ｐ（物体）との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成可能である。

　液浸部材１３は、下面２１と対向する位置に基板Ｐが配置されているとき、少なくとも第１面２５と基板Ｐの表面との間で液体ＬＱを保持できる。本実施形態においては、液浸部材１３のうち、少なくとも第１面２５は、液体ＬＱに対して親液性であり、基板ＰがＸＹ方向に移動した場合でも、液浸空間ＬＳの液体ＬＱと接触し続けることができる。

　図７Ａは、基板保持部１２Ｈにクリーニング工具１が保持されている状態を示す平面図、図７Ｂは、側断面図である。上述のように、クリーニング工具１のベース部材２の外形は、基板Ｐの外形とほぼ同じである。図７Ａ及び７Ｂに示すように、基板保持部１２Ｈは、ベース部材２の裏面２Ｂを保持可能である。基板保持部１２Ｈは、クリーニング工具１（ベース部材２）をリリース可能に保持する。

　また、本実施形態においては、搬送システム１４は、クリーニング工具１を搬送可能である。搬送システム１４は、クリーニング工具１を基板保持部１２Ｈに搬入（ロード）可能であり、クリーニング工具１を基板保持部１２Ｈから搬出（アンロード）可能である。

　制御装置１５は、クリーニング工具１を基板保持部１２Ｈにロードするとき、基板ステージ１２を、基板交換位置ＣＰに移動する。また、制御装置１５は、クリーニング工具１を基板保持部１２Ｈからアンロードするとき、基板ステージ１２を、基板交換位置ＣＰに移動する。

　次に、上述の露光装置ＥＸを用いて基板Ｐを露光する方法の一例について説明する。以下の説明において、終端光学素子１９の射出面２０から射出される露光光ＥＬの照射位置ＥＰを適宜、露光位置ＥＰ、と称する。

　制御装置１５は、基板ステージ１２を基板交換位置ＣＰに移動し、搬送システム１４を用いて、基板交換位置ＣＰに配置された基板ステージ１２に露光前の基板Ｐをロードする。制御装置１５は、露光前の基板Ｐを保持した基板ステージ１２を、露光位置ＥＰに移動する。

　制御装置１５は、終端光学素子１９及び液浸部材１３と、露光位置ＥＰに移動した基板ステージ１２に保持されている基板Ｐとの間の光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する。

　本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。基板Ｐの露光時、制御装置１５は、マスクステージ１１及び基板ステージ１２を制御して、マスクＭ及び基板Ｐを、光軸ＡＸ（露光光ＥＬの光路Ｋ）と交差するＸＹ平面内の所定の走査方向に移動する。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。制御装置１５は、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影され、基板Ｐは露光光ＥＬで露光される。

　露光後の基板Ｐは、基板ステージ１２よりアンロードされる。制御装置１５は、露光後の基板Ｐを基板ステージ１２からアンロードするために、基板ステージ１２を基板交換位置ＣＰに移動する。制御装置１５は、搬送システム１４を用いて、その基板交換位置ＣＰに配置された基板ステージ１２から露光後の基板Ｐをアンロードする。

　制御装置１５は、露光前の基板Ｐのロード動作、基板Ｐの露光動作、及び露光後の基板Ｐのアンロード動作を繰り返し、複数の基板Ｐを順次液浸露光する。

　本実施形態においては、所定のタイミングで、上述のクリーニング工具１を用いて露光装置ＥＸ内の部材をクリーニングするクリーニング処理が実行される。次に、クリーニング工具１を用いて露光装置ＥＸ内の部材をクリーニングする方法について、図８のフローチャート、及び図９Ａ、図９Ｂ、図１０、図１１の模式図を参照して説明する。本実施形態においては、クリーニング工具１を用いて、液浸部材１３の下面２１をクリーニングする場合を例にして説明する。

　本実施形態において、クリーニング工具１を用いて液浸部材１３をクリーニング処理するとき、液浸空間ＬＳの形成が解除される。すなわち、クリーニング処理するとき、液浸部材１３の下面２１側から液体ＬＱが取り去られる。また、液浸部材１３の液体供給口３１及び供給流路、液体回収口３２及び回収流路の液体ＬＱも取り去られる。

　図８に示すように、本実施形態においては、第１クリーニング液体ＬＣ１を染み込ませたクリーニング部材３を有する第１クリーニング工具１Ａを露光装置ＥＸに搬入する処理（ステップＳ１）と、その第１クリーニング液体ＬＣ１を染み込ませた第１クリーニング工具１Ａのクリーニング部材３と液浸部材１３の下面２１とを接触させて、その液浸部材１３の下面２１をクリーニングする処理（ステップＳ２）と、第１クリーニング工具１Ａを用いるクリーニング処理後、その第１クリーニング工具１Ａを露光装置ＥＸから搬出する処理（ステップＳ３）と、第１クリーニング液体ＬＣ１と異なる第２クリーニング液体ＬＣ２を染み込ませたクリーニング部材３を有する第２クリーニング工具１Ｂを露光装置ＥＸに搬入する処理（ステップＳ４）と、その第２クリーニング液体ＬＣ２を染み込ませた第２クリーニング工具１Ｂのクリーニング部材３と液浸部材１３の下面２１とを接触させて、その液浸部材１３の下面２１をクリーニングする処理（ステップＳ５）と、第２クリーニング工具１Ｂを用いるクリーニング処理後、その第２クリーニング工具１Ｂを露光装置ＥＸから搬出する処理（ステップＳ６）と、第１、第２クリーニング工具１Ａ、１Ｂを用いるクリーニング処理後、基板Ｐの露光前に、液浸部材１３からクリーニング液体を除去するために、液体ＬＱを供給するフラッシング処理（ステップＳ７）とを含む。

　液浸部材１３をクリーニングするために、第１クリーニング工具１Ａが露光装置ＥＸに搬入される。クリーニング処理を実行する前の第１クリーニング工具１Ａのクリーニング部材３には、第１クリーニング液体ＬＣ１が予め染み込ませてある。本実施形態において、第１クリーニング液体ＬＣ１は、アルカリを含有するアルカリ洗浄液である。一方、周壁部材５は、乾燥状態である。

　本実施形態においては、搬送システム１４及び基板ステージ１２により、第１クリーニング工具１Ａが液浸部材１３と対向する位置に搬入される。本実施形態において、搬送システム１４が第１クリーニング工具１Ａを基板ステージ１２上にロードし、基板ステージ１２が第１クリーニング工具１Ａを液浸部材１３と対向する位置に移動させる。

　図９Ａ及び９Ｂは、第１クリーニング工具１Ａを液浸部材１３と対向する位置に搬入する動作の一例を示す模式図である。図９Ａに示すように、基板交換位置ＣＰに配置された基板ステージ１２の基板保持部１２Ｈに第１クリーニング工具１Ａがロードされる。本実施形態においては、制御装置１５は、基板ステージ１２を基板交換位置ＣＰに移動し、搬送システム１４を用いて、その基板交換位置ＣＰに配置された基板ステージ１２（基板保持部１２Ｈ）に第１クリーニング工具１Ａをロードする。基板保持部１２Ｈは、ロードされた第１クリーニング工具１Ａのベース部材２の裏面２Ｂを保持する。

　次に、図９Ｂに示すように、制御装置１５は、第１クリーニング工具１Ａを保持した基板ステージ１２を移動して、第１クリーニング工具１Ａを液浸部材１３と対向する位置（露光位置ＥＰ）に配置する（ステップＳ１）。

　なお、第１クリーニング工具１Ａを保持した状態で基板交換位置ＣＰから露光位置ＥＰへ基板ステージ１２を移動するときの基板ステージ１２のＺ軸方向に関する位置（高さ）を、基板Ｐを露光するために基板Ｐを保持した状態で基板交換位置ＣＰから露光位置ＥＰへ基板ステージ１２を移動するときの基板ステージ１２のＺ軸方向に関する位置（高さ）より、低くすることができる。これにより、基板ステージ１２が基板交換位置ＣＰから露光位置ＥＰへ移動（進入）するときに、ベース部材２上のクリーニング部材３及び周壁部材５が、液浸部材１３に接触することが抑制される。

　また、第１クリーニング工具１Ａを保持した状態で基板交換位置ＣＰから露光位置ＥＰへ基板ステージ１２を移動するときの基板ステージ１２の移動速度（進入速度）を、基板Ｐを露光するために基板Ｐを保持した状態で基板交換位置ＣＰから露光位置ＥＰへ基板ステージ１２を移動するときの基板ステージ１２の移動速度（進入速度）より遅くしてもよい。

　次に、制御装置１５は、基板ステージ１２をＺ軸方向に移動して、基板保持部１２Ｈに保持されている第１クリーニング工具１Ａと液浸部材１３との位置関係を調整して、第１クリーニング工具１Ａの第１クリーニング液体ＬＣ１を染み込ませたクリーニング部材３と、液浸部材１３の下面２１とを接触させる（ステップＳ２）。これにより、液浸部材１３の下面２１が第１クリーニング工具１Ａでクリーニングされる。

　図１０は、クリーニング部材３と液浸部材１３の下面２１とが接触している状態を示す図である。本実施形態においては、液浸部材１３の下面２１の形状に応じて、第１、第２クリーニング部材３Ａ、３Ｂの第１、第２高さＨ１、Ｈ２が定められている。上述のように、本実施形態においては、液浸部材１３の下面２１は、Ｚ軸方向に関して位置が異なる第１面２５と第３面２７とを含む。本実施形態においては、スポンジからなる第１、第２クリーニング部材３Ａ、３Ｂが縮んでいない状態で、第１クリーニング部材３Ａの上面４Ａが第１面２５と接触し、第２クリーニング部材３Ｂの上面４Ｂが第３面２７と接触するように、第１、第２高さＨ１、Ｈ２が定められている。これにより、第１クリーニング部材３Ａで第１面２５が良好にクリーニングされ、第２クリーニング部材３Ｂで第３面２７が良好にクリーニングされる。

　本実施形態においては、制御装置１５は、第１、第３面２５、２７に対して、第１、第２クリーニング部材３Ａ、３Ｂの上面４Ａ、４Ｂを所定の力で押し付けるように、Ｚ軸方向に関する基板ステージ１２の位置を調整する。これにより、スポンジからなる第１、第２クリーニング部材３Ａ、３Ｂが僅かに縮み、第１、第２クリーニング部材３Ａ、３Ｂの上面４Ａ、４Ｂと、第１、第３面２５、２７とが十分に接触する。したがって、第１、第２クリーニング部材３Ａ、３Ｂを用いて、第１、第３面２５、２７を良好にクリーニングできる。

　本実施形態のおいては、制御装置１５は、第１、第２クリーニング部材３Ａ、３Ｂの上面４Ａ、４Ｂと、第１、第３面２５、２７とを接触させた後、その第１、第２クリーニング部材３Ａ、３Ｂをほぼ静止させた状態で、液浸部材１３の第１、第３面２５、２７をクリーニングする。すなわち、制御装置１５は、第１、第２クリーニング部材３Ａ、３Ｂの上面４Ａ、４Ｂと、第１、第３面２５、２７とを接触させた後、その第１、第２クリーニング部材３Ａ、３Ｂと液浸部材１３の第１、第３面２５、２７との位置関係を所定時間固定する。

　本実施形態においては、Ｘ軸方向に関する第１クリーニング部材３ＡのサイズＷ１と、第１面２５のサイズＷ１１とはほぼ同じである。また、Ｙ軸方向に関する第１クリーニング部材３ＡのサイズＬ１は、第１面２５のサイズＬ１１より十分に大きい。これにより、第１面２５の全域と、第１クリーニング部材３Ａの上面４Ａとを接触させることができる。したがって、第１クリーニング部材３Ａで第１面２５を良好にクリーニングできる。

　また、本実施形態においては、Ｘ軸方向に関する第２クリーニング部材３ＢのサイズＷ２と、第３面２７のサイズＷ１２とはほぼ同じである。また、Ｙ軸方向に関する第２クリーニング部材３ＢのサイズＬ２と、第３面２７のサイズＬ１２とはほぼ同じである。これにより、第３面２７の全域と、第２クリーニング部材３Ｂの上面４Ｂとを接触させることができる。したがって、第２クリーニング部材３Ｂで第３面２７を良好にクリーニングできる。

　また、本実施形態においては、ベース部材２上に周壁部材５が配置されているので、第１クリーニング工具１Ａの搬送中、あるいはクリーニング処理中に、クリーニング液体ＬＣの漏出が抑制される。また、周壁部材５はスポンジを含むので、第１クリーニング工具１Ａの搬送中、あるいはクリーニング処理中に、クリーニング部材３から染み出したクリーニング液体ＬＣを回収（吸収）することができる。

　第１クリーニング工具１Ａを用いるクリーニング処理が終了した後、制御装置１５は、その第１クリーニング工具１Ａを露光装置ＥＸから搬出するために、その第１クリーニング工具１Ａを保持した基板ステージ１２を基板交換位置ＣＰへ移動する。そして、制御装置１５は、搬送システム１４を用いて、基板交換位置ＣＰに配置された基板ステージ１２から第１クリーニング工具１Ａをアンロードする。これにより、露光装置ＥＸから第１クリーニング工具１Ａが搬出される（ステップＳ３）。

　第１クリーニング工具１Ａが露光装置ＥＸから搬出された後、第２クリーニング工具１Ｂが露光装置ＥＸに搬入される。クリーニング処理を実行する前の第２クリーニング工具１Ｂのクリーニング部材３には、第２クリーニング液体ＬＣ２が予め染み込ませてある。本実施形態において、第２クリーニング液体ＬＣ２は、水（純水）である。周壁部材５は、乾燥状態である。

　第１クリーニング工具１Ａと第２クリーニング工具１Ｂとは、クリーニング部材３に染み込ませたクリーニング液体の種類が異なるだけで、構造、大きさ等は同じである。

　制御装置１５は、搬送システム１４を用いて、第２クリーニング工具１Ｂを基板ステージ１２にロードし、その基板ステージ１２を移動して、第２クリーニング工具１Ｂを液浸部材１３と対向する位置に配置する（ステップＳ４）。第２クリーニング工具１Ｂを液浸部材１３と対向する位置に配置する動作は、第１クリーニング工具１Ａを液浸部材１３と対向する位置に配置する動作（ステップＳ１）とほぼ同様であるため、その説明を省略する。

　次に、制御装置１５は、基板ステージ１２をＺ軸方向に移動して、基板保持部１２Ｈに保持されている第２クリーニング工具１Ｂと液浸部材１３との位置関係を調整して、第２クリーニング工具１Ｂの第２クリーニング液体ＬＣ２を染み込ませたクリーニング部材３と、液浸部材１３の下面２１とを接触させる（ステップＳ５）。これにより、液浸部材１３の下面２１が第２クリーニング工具１Ｂでクリーニングされる。

　第２クリーニング工具１Ｂを用いるクリーニング処理において、制御装置１５は、第２クリーニング工具１Ｂのクリーニング部材３をほぼ静止させた状態で、液浸部材１３をクリーニングする。第２クリーニング工具１Ｂを用いるクリーニング処理時の動作は、第１クリーニング工具１Ａを用いるクリーニング処理時の動作（ステップＳ２）とほぼ同様であるため、その説明を省略する。

　第２クリーニング工具１Ｂを用いるクリーニング処理が終了した後、制御装置１５は、その第２クリーニング工具１Ｂを露光装置ＥＸから搬出するために、その第２クリーニング工具１Ｂを保持した基板ステージ１２を基板交換位置ＣＰへ移動する。そして、制御装置１５は、搬送システム１４を用いて、基板交換位置ＣＰに配置された基板ステージ１２から第２クリーニング工具１Ｂをアンロードする。これにより、露光装置ＥＸから第２クリーニング工具１Ｂが搬出される（ステップＳ６）。

　第１、第２クリーニング工具１Ａ、１Ｂを用いるクリーニング処理後、液体ＬＱを用いる基板Ｐの露光前に、液浸部材１３の下面２１からクリーニング液体ＬＣを除去するために、制御装置１５は、液体供給口３１より液体ＬＱを供給するフラッシング処理を実行する（ステップＳ７）。

　図１１は、液体ＬＱを用いてフラッシング処理が実行されている状態を示す図である。本実施形態においては、フラッシング処理するとき、基板保持部１２Ｈにダミー基板ＤＰが保持される。ダミー基板ＤＰは、露光用の基板Ｐとは別の、異物を放出しにくい高い清浄度を有する（クリーンな）部材である。ダミー基板ＤＰは、基板Ｐとほぼ同じ外形であり、基板保持部１２Ｈは、ダミー基板ＤＰを保持可能である。例えば、シリコンウエハのような半導体ウエハ等の基材に、感光膜を形成せずに、液体ＬＱに対しては撥液性の保護膜（トップコート膜）を形成して、ダミー基板ＤＰとすることができる。

　制御装置１５は、終端光学素子１９及び液浸部材１３と対向する位置に、基板保持部１２Ｈに保持されたダミー基板ＤＰを配置した状態で、液体供給口３１を用いる液体ＬＱの供給動作と並行して、液体回収口３２を用いる液体ＬＱの回収動作を実行する。これにより、液浸部材１３の下面２１、多孔部材３０、供給流路３４、及び回収流路３６等に残留しているクリーニング液体ＬＣが洗い流される。本実施形態においては、第１クリーニング液体ＬＣ１（アルカリ洗浄液）と露光用の液体ＬＱ（純水）との種類が異なる。基板Ｐの露光前に、露光用の液体ＬＱを用いて、クリーニング液体ＬＣを除去することによって、その後に実行される基板Ｐの露光中に、光路Ｋを満たす液体ＬＱにクリーニング液体ＬＣが混入することが抑制される。

　クリーニング工具１を用いるクリーニング処理を含む上述のステップＳ１～Ｓ７の処理が終了した後、基板Ｐが基板保持部１２Ｈに保持され、その基板Ｐの露光処理が実行される。露光された基板Ｐは、例えば現像処理等、所定のプロセス処理を実行される。

　以上説明したように、本実施形態によれば、露光装置ＥＸ内の液浸部材１３を、クリーニング工具１を用いて効率良く良好にクリーニングできる。したがって、液浸部材１３の汚染に起因する露光不良の発生を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制できる。

　例えば基板Ｐの露光中、基板Ｐから発生（溶出）した物質（例えば感光材）が液体ＬＱ中に混入する可能性がある。その液体ＬＱ中に混入した物質は、液浸部材１３の下面２１に異物（汚染物）として付着する可能性がある。また、基板Ｐから発生する物質のみならず、例えば空中を浮遊する異物が液体ＬＱに混入し、液浸部材１３の下面２１に付着する可能性もある。特に、第１面２５は、基板Ｐの露光中、液体ＬＱと接触し続けるので、汚染される可能性が高い。また、第３面２７も、基板Ｐの露光中、液体ＬＱを回収し続け、液体ＬＱと接触し続けるので、汚染される可能性が高い。異物（汚染物）が液浸部材１３の下面２１に付着している状態を放置しておくと、その異物が露光中に基板Ｐに付着したり、液体供給口３１から供給された液体ＬＱを汚染したりする可能性がある。その結果、例えば基板Ｐに形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生する可能性がある。

　本実施形態においては、クリーニング工具１を用いて、液浸部材１３の下面２１を良好にクリーニングできる。したがって、クリーニング処理後に露光される基板Ｐの露光不良の発生を抑制することができる。

　なお、本実施形態のクリーニング処理において、基材２の表面２Ａと液浸部材１３との距離を小さくして、第１クリーニング部材３Ａと液浸部材１３の第２面２６とが接触するようにしてもよい。この場合、第２面２６の傾斜に合わせて、Ｙ軸方向において第１クリーニング部材３Ａの中心からエッジに向かって、第１クリーニング部材３Ａの表面が徐々に高くなるように傾斜していてもよい。もちろん、第２面２６をクリーニングするために、第１クリーニング部材３Ａとは異なるクリーニング部材を、第１クリーニング部材３ＡのＹ軸方向の両側にそれぞれ備えてもよい。要は、液浸部材１３の下面２１の形状、大きさに合わせて、ＸＹ平面におけるクリーニング部材の配置、大きさ、及びクリーニング部材の高さを決定すればよい。

＜第２実施形態＞
　次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

　図１２は、第２実施形態に係る液浸部材１３Ｂを下側（－Ｚ側）から見た斜視図である。図１２において、液浸部材１３Ｂの下面２１Ｂは、基板Ｐの露光中に、基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持する第１面２５Ｂと、第１面２５Ｂの周囲に配置された第３面２７Ｂとを含む。第１面２５Ｂは、基板Ｐの表面（ＸＹ平面）とほぼ平行である。本実施形態において、ＸＹ平面における第１面２５Ｂの外形は、ほぼ正方形である。

　第３面２７Ｂは、液体回収面を含む。第３面２７Ｂは、液体回収口３２に配置された多孔部材３０の表面（下面）を含む。第３面２７Ｂは、基板Ｐの表面（ＸＹ平面）とほぼ平行である。本実施形態においては、第３面２７Ｂは、露光光ＥＬの光路Ｋ及び第１面２５Ｂを囲むように配置されている。

　本実施形態において、Ｚ軸方向に関して、第１面２５Ｂの位置と第３面２７Ｂとの位置が異なる。本実施形態において、第３面２７Ｂが、第１面２５Ｂに対して＋Ｚ側に配置される。すなわち、第３面２７Ｂは、基板Ｐの表面に対して第１面２５Ｂよりも離れた位置に配置される。本実施形態において、第１面２５Ｂと第３面２７Ｂとの間に段差２９Ｂが形成されている。

　図１３は、本実施形態に係るクリーニング工具１０１が、基板保持部２Ｈに保持されている状態を示す平面図である。クリーニング工具１０１は、液浸部材１３Ｂの第１面２５Ｂと接触可能な上面４Ｄを有する第１クリーニング部材３Ｄと、第３面２７Ｂと接触可能な上面４Ｅを有する第２クリーニング部材３Ｅとを含むクリーニング部材３を備えている。第１、第２クリーニング部材３Ｄ、３Ｅは、ベース部材２上に配置されている。ベース部材２上において、第１、第２クリーニング部材３Ｄ、３Ｅの周囲には、周壁部材５が配置されている。

　第１クリーニング部材３Ｄの上面４Ｄの外形と、液浸部材１３Ｂの第１面２５Ｂの外形とはほぼ同じである。第２クリーニング部材３Ｅの上面４Ｅの外形と、液浸部材１３Ｂの第３面２７Ｂの外形とはほぼ同じである。また、第２クリーニング部材３Ｅは、ベース部材２の表面２Ａに対して第１クリーニング部材３Ｄより高い。

　本実施形態においても、第１クリーニング部材３Ｄと第１面２５Ｂとが十分に接触し、第２クリーニング部材３Ｅと第３面２７Ｂとが十分に接触するので、クリーニング工具１０１は、第１、第３面２５Ｂ、２７Ｂを良好にクリーニングすることができる。

　なお、上述の第１、第２実施形態においては、液浸部材１３（１３Ｂ）の下面２１（２１Ｂ）の形状に応じて、第１、第２クリーニング部材３Ａ、３Ｂ（３Ｄ、３Ｅ）の高さが異なる場合を例にして説明したが、例えば図１４に示すクリーニング工具１Ｃのように、第１クリーニング部材３Ａの第１高さＨ１と、第２クリーニング部材３Ｂの第２高さＨ２とが同じでもよい。スポンジからなる第１、第２クリーニング部材３Ａ、３Ｂは、伸縮するので、縮んでいない状態（外力が作用されていない状態）において、第１高さＨ１と第２高さＨ２とが異なっていても、液浸部材１３の下面２１に第１、第２クリーニング部材３Ａ、３Ｂを押し付けることで、液浸部材１３の第１、第３面２５、２７と、第１、第２クリーニング部材３Ａ、３Ｂの上面４Ａ、４Ｂとを接触させることができる。また、Ｚ軸方向に関して、液浸部材１３の第１面２５と第３面２７とが同じ位置（高さ）の場合、すなわち、第１面２５と第３面２７とが面一である場合、ベース部材２の表面２Ａに対する高さが等しい第１、第２クリーニング部材３Ａ、３Ｂを有するクリーニング工具を用いてクリーニング処理することで、その第１、第３面２５、２７を良好にクリーニングできる。

　なお、上述の各実施形態においては、クリーニング部材３の第１部分３Ａ（３Ｄ）と第２部分３Ｂ（３Ｅ）とが離れている場合を例にして説明したが、例えば図１５に示すクリーニング工具１Ｄのように、クリーニング部材３Ｆが１つの部材でもよい。また、１つのクリーニング部材３Ｆに、ベース部材２の表面２Ａに対する高さが異なる第１部分３Ｇ、第２部分３Ｈを設けることができる。また、クリーニング部材３Ｆの上面が平坦でもよい。

　なお、上述の各実施形態においては、クリーニング部材３と液浸部材１３の下面２１とを接触させた後、そのクリーニング部材３をほぼ静止させた状態で、液浸部材１３をクリーニングすることとしたが、クリーニング部材３と液浸部材１３の下面２１とを接触させた状態で、クリーニング部材３と液浸部材１３とをＸＹ方向に相対移動して、液浸部材１３をクリーニングしてもよい。

　なお、上述の各実施形態においては、基板Ｐを搬送可能な搬送システム１４が、クリーニング工具１を基板ステージ１２にロードする動作、及び基板ステージ１２からアンロードする動作を実行しているが、基板Ｐを搬送可能な搬送システム１４とは別の、クリーニング工具１を搬送するための搬送システムを設け、その搬送システムを用いて、クリーニング工具１をロードする動作及びアンロードする動作を実行してもよい。また、クリーニング工具１を基板ステージ１２にロードする動作、及び基板ステージ１２からアンロードする動作を、作業者が実行してもよい。

　なお、上述の各実施形態においては、クリーニング部材３がスポンジである場合を例にして説明したが、スポンジに限定されない。クリーニング対象の部材に与える影響が小さく、クリーニング液体ＬＣを染み込ませることができる多孔部材であれば、クリーニング部材３として採用できる。例えば、クリーニング部材３として、多数の孔（pore）が形成された焼結部材（例えば、焼結金属）、発泡部材（例えば、発泡金属）等を用いてもよい。

　また、クリーニング部材３は、多孔部材に限られない。例えば刷毛等、繊維状の部材を束ねたもの、クリーンルーム用無塵紙等でもよい。

　なお、上述した実施形態においては、周壁部材５が、ベース部材２の表面２Ａに対してクリーニング部材３より低い場合を例にして説明したが、同じでもよいし、高くてもよい。

　なお、上述の各実施形態においては、周壁部材５がスポンジである場合を例にして説明したが、スポンジに限定されない。クリーニング液体ＬＣの漏出を抑制できたり、クリーニング部材３から染み出したクリーニング液体ＬＣを回収できたりすれば、任意の構造の周壁部材を採用することができる。例えば、周壁部材５として、多数の孔（pore）が形成された焼結部材（例えば、焼結金属）、発泡部材（例えば、発泡金属）等を用いることにより、クリーニング液体ＬＣの漏出を抑制でき、クリーニング部材３から染み出したクリーニング液体ＬＣを回収（吸収）できる。

　また、周壁部材５は、多孔部材でなくてもよい。例えば金属製のリング部材でもよい。これにより、クリーニング液体ＬＣのベース部材２の外側への漏出を抑制できる。

　また、クリーニング部材３に染み込ませたクリーニング液体ＬＣが染み出る可能性が少ない場合、周壁部材５を省略してもよい。

　なお、上述の各実施形態においては、クリーニング工具１を用いて、液浸部材１３の下面２１をクリーニングする場合を例にして説明したが、終端光学素子１９の射出面２０をクリーニングすることもできる。その場合、例えば図１６にクリーニング工具１Ｊのように、液浸部材１３の開口２４を介して射出面２０に接触可能な上面４Ｊを有するクリーニング部材３Ｊをベース部材２上に設けることによって、その射出面２０をクリーニングできる。

　なお、上述の各実施形態においては、液浸部材１３が、終端光学素子１９の射出面２０の一部と対向する下板部２３を有する場合を例にして説明したが、例えば図１７に示すように、下板部２３が省略された構造を有し、終端光学素子１９の射出面２０とほぼ面一となる下面２１Ｋを有する液浸部材１３Ｋを用いる場合、図１７に示すようなクリーニング工具１Ｋのクリーニング部材３Ｋを用いて、液浸部材１３Ｋの下面２１Ｋと終端光学素子１９の射出面２０とを同時にクリーニングできる。

　なお、上述したように、不図示のクリーニング液体供給源からクリーニング部材３へのクリーニング液体ＬＣの供給を露光装置ＥＸ内で行ってもよい。露光装置ＥＸが液体供給源を備えている場合には、その液体供給源から露光装置内の部材の上面（例えば、基板ステージ１２の上面１２Ｔ）にクリーニング液体ＬＣを供給して、その部材の上面をクリーニングしてもよい。また、複数のクリーニング液体（例えばＬＣ１、ＬＣ２）を用いる場合には、複数のクリーニング液体のうちの一部だけを露光装置ＥＸ内でクリーニング部材３へ供給してもよい。

　なお、上述の各実施形態において、クリーニング対象となる露光装置ＥＸ内の部材は、例えば投影光学系ＰＬ（鏡筒を含む）の一部、マスクステージ１１の一部、基板ステージ１２の一部、照明系ＩＬの一部でもよい、例えば、クリーニング工具をマスクステージ１１のマスク保持部１Ｈで保持することにより、そのマスク保持部１Ｈに保持されたクリーニング工具で照明系ＩＬの一部及び／又は投影光学系ＰＬの一部をクリーニングできる。

　なお、上述の各実施形態においては、露光装置ＥＸが液体ＬＱを介して基板Ｐを露光する液浸露光装置である場合を例にして説明したが、露光光ＥＬの光路Ｋが液体で満たされず、気体で満たされるドライ型露光装置でもよい。ドライ型露光装置の場合でも、投影光学系の終端光学素子の射出面を、上述の各実施形態で説明したクリーニング工具を用いてクリーニングできる。

＜第３実施形態＞
　　次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。図１８は、第３実施形態に係るクリーニング工具５０１の一例を示す側断面図、図１９は、平面図である。後述するように、クリーニング工具５０１は、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する露光装置ＥＸに搬入され、その露光装置ＥＸ内の部材、及び／又は部品（以下、クリーニング対象の部材と称する）の少なくとも一部をクリーニングする。

　図１８及び図１９において、クリーニング工具５０１は、円形の多孔板５０２と、多孔板５０２を支持するベース部材５０３とを備えている。多孔板５０２は、表面５０２Ａと、表面５０２Ａの反対側の裏面５０２Ｂと、表面５０２Ａと表面５０２Ａの反対側の裏面５０２Ｂとを連通する複数の孔５０２Ｈとを有する。

　クリーニング工具５０１は、裏面５０２Ｂに面する内部空間５０４を備えている。内部空間５０４は、ベース部材５０３と多孔板５０２との間の空間の少なくとも一部を含む。内部空間５０４は、クリーニング用の液体ＬＣを保持可能である。

　本実施形態において、クリーニング工具５０１は、内部空間５０４に配置された多孔部材５０５を備えている。内部空間５０４の液体ＬＣの少なくとも一部は、多孔部材５０５に保持される。本実施形態において、多孔部材５０５の孔は、開気孔（open pore）を含む。開気孔は、外気と接続された気孔（pore）である。開気孔は、流入した液体を保持可能である。なお、多孔部材５０５が、閉気孔（closed pore）を含んでもよい。なお、液体ＬＣが保持できれば、内部空間５０４に多孔部材５０５を配置してなくてもよい。

　ベース部材５０３は、プレート部５０３Ａと、プレート部５０３Ａの上面５０３Ｃの周縁に沿って配置された周壁部５０３Ｂとを含む。内部空間５０４は、プレート部５０３Ａの上面５０３Ｃと多孔板５０２の裏面５０２Ｂとの間の空間の少なくとも一部を含む。

　本実施形態において、多孔板５０２は、裏面５０２Ｂの周縁領域に複数配置され、裏面５０２Ｂからその裏面５０２Ｂにほぼ垂直な方向に突出する第１凸部５０６Ａと、第１凸部５０６Ａのそれぞれから多孔板５０２の中心に対する放射方向外側に突出する第２凸部５０６Ｂとを有する。第１，第２凸部５０６Ａ，５０６Ｂは、裏面５０２Ｂの周縁領域において、ほぼ等間隔に配置されている。ベース部材５０３の周壁部５０３Ｂは、第２凸部５０６Ｂが差し込まれる凹部５０７を有する。凹部５０７は、周壁部５０３Ｂの内面において、ほぼ等間隔に配置されている。

　第１凸部５０６Ａと第２凸部５０６Ｂとは一体である。また、第１凸部５０６Ａと多孔板５０２とは固定されている。本実施形態においては、多孔板５０２の第２凸部５０６Ｂが凹部５０７に保持されることによって、多孔板５０２とベース部材５０３とが接続される。多孔板５０２のエッジ（外側面）と周壁部５０３Ｂの内面との間には所定のギャップが形成される。ギャップは、内部空間５０４の液体ＬＣの漏出が抑制される大きさである。このように、本実施形態においては、多孔板５０２とベース部材５０３とは、堅固に固定されていないので、例えば多孔板５０２が熱膨張しても、その多孔板５０２が大きく変形してしまうことを抑制することができる。

　本実施形態において、多孔板５０２の材質は、露光装置ＥＸ内のクリーニング対象の部材に応じて選定される。本実施形態において、多孔板５０２は、クリーニング対象の部材と同じ材質である。本実施形態において、多孔板５０２は、チタン製である。なお、多孔板５０２は、クリーニング対象の部材と同じ材質でなくてもよい。

　また、本実施形態においては、多孔部材５０５も、クリーニング対象の部材と同じ材質である。本実施形態において、多孔部材５０５は、チタン製の多孔体である。なお、多孔部材５０５は、クリーニング対象の部材と同じ材質でなくてもよい。多孔板５０２と多孔部材５０５とが同じ材質でなくてもよい。

　本実施形態において、ベース部材５０３は、セラミックス製である。本実施形態においては、ベース部材５０３は、炭化珪素（ＳｉＣ）を含む。炭化珪素を含むセラミックスの剛性は高いので、クリーニング工具５０１全体の剛性が確保される。なお、ベース部材５０３はセラミックス製でなくてもよい。

　本実施形態において、クリーニング用の液体ＬＣは、露光装置ＥＸ内の部材をクリーニング可能な液体である。液体ＬＣは、例えば露光装置ＥＸ内の部材に付着している異物（汚染物）を除去可能な液体である。液体ＬＣとして、例えばアルカリを含有するアルカリ洗浄液を用いることができる。液体ＬＣとしてアルカリ洗浄液を用いることにより、露光装置ＥＸ内の部材に付着している、例えば有機物等の汚染物を良好に除去することができる。

　本実施形態において、クリーニング用の液体ＬＣは、露光用の液体ＬＱで希釈可能である。本実施形態においては、露光用の液体ＬＱとして純水（水）を用い、クリーニング用の液体ＬＣとして、アルカリ水溶液を用いる。本実施形態においては、液体ＬＣは、水酸化テトラメチルアンモニウム（TMAH：tetramethyl ammonium hydroxide）水溶液を含む。なお、液体ＬＣは、アルカリ水溶液に限られず、例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を用いてもよい。

　本実施形態において、多孔板５０２の表面５０２Ａは、液体ＬＱ及び液体ＬＣに対して撥液性である。本実施形態においては、多孔板５０２の表面５０２Ａは、例えばフッ素等の撥液性の材料を含む膜で形成されている。

　本実施形態においては、５０孔２Ｈの大きさが最適化されており、内部空間５０４の液体ＬＣが孔５０２Ｈを介して外部（表面５０２Ａ側）に漏出したり、気化した内部空間５０４の液体ＬＣが孔５０２Ｈを介して外部に放出されたりすることが抑制される。

　本実施形態においては、クリーニング工具５０１の外形は、基板Ｐの外形とほぼ同じである。本実施形態において、基板Ｐは、半導体ウエハを含む。本実施形態において、ＸＹ平面内におけるクリーニング工具５０１の外形は、ほぼ円形であり、基板Ｐとほぼ同じ直径を有する。また、クリーニング工具５０１は、基板Ｐとほぼ同じ厚さである。クリーニング工具５０１は、ＸＹ平面とほぼ平行な上面５０１Ａと、上面５０１Ａと逆向きの下面５０１Ｂとを有する。上面５０１Ａは、多孔板５０２の表面５０２Ａ及びその表面５０２Ａの周囲に配置されたベース部材５０３（周壁部５０３Ｂ）の上面５０３Ｄを含む。上面５０１Ａの反対側の下面５０１Ｂは、ベース部材５０３のプレート部５０３Ａの下面５０３Ｅを含む。なお、クリーニング工具５０１の外形は、基板Ｐの外形と同じでなくてもよいが、後述のように、基板Ｐを搬送する搬送部材で搬送可能であることが望ましい。

　次に、クリーニング対象の部材を含む露光装置ＥＸの一例について説明する。図２０は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。本実施形態の露光装置ＥＸは、露光用の液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。上述のように、本実施形態においては、液体ＬＱとして純水（水）を用いる。

　また、本実施形態においては、露光装置ＥＸが、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書、欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されているような、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ１２と、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測器Ｃを搭載して移動可能な計測ステージ１３とを備えた露光装置である場合を例にして説明する。

　図２０において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ５１２と、計測器Ｃを搭載して移動可能な計測ステージ５１３と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能な液浸部材５１４と、基板Ｐを搬送可能な搬送システム５１５と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置５１６とを備えている。

　照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲを均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明領域ＩＲは、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬの照射位置を含む。

　マスクステージ１１は、照明領域ＩＲに移動可能である。マスクステージ１１は、マスクＭをリリース可能に保持するマスク保持部１１Ｈを有する。本実施形態において、マスク保持部１１Ｈは、マスクＭのパターン形成面（下面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。マスクステージ１１は、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含む駆動システムの作動により、マスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。

　投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬの照射位置を含む。

　基板ステージ５１２は、投影領域ＰＲに移動可能である。基板ステージ５１２は、投影領域ＰＲを含むベース部材５１８のガイド面５１８Ｇ上を移動可能である。基板ステージ５１２は、基板Ｐをリリース可能に保持する基板保持部５１２Ｈを有する。基板保持部５１２Ｈは、例えば米国特許公開第２００７／０１７７１２５号明細書等に開示されているような、所謂、ピンチャック機構を含む。本実施形態において、基板保持部５１２Ｈは、基板Ｐの表面（露光面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。基板ステージ５１２は、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含む駆動システムの作動により、基板Ｐを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。基板ステージ５１２は、基板保持部５１２Ｈの周囲に配置された上面５１２Ｔを有する。基板保持部５１２Ｈは、基板ステージ５１２上に設けられた凹部５１２Ｃに配置されている。基板ステージ５１２の上面５１２Ｔは、ＸＹ平面とほぼ平行な平坦面である。基板保持部５１２Ｈに保持された基板Ｐの表面と基板ステージ５１２の上面５１２Ｔとは、ほぼ同一平面内に配置される（ほぼ面一である）。

　計測ステージ５１３は、投影領域ＰＲに移動可能である。計測ステージ５１３は、投影領域ＰＲを含むベース部材５１８のガイド面５１８Ｇ上を移動可能である。計測ステージ５１３は、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含む駆動システムの作動により、計測器Ｃを搭載した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。計測ステージ５１３は、上面５１３Ｔを有する。計測ステージ５１３の上面５１３Ｔは、ＸＹ平面とほぼ平行な平坦面である。

　本実施形態において、マスクステージ１１、基板ステージ５１２、及び計測ステージ５１３の位置情報は、干渉計システム（不図示）によって計測される。基板Ｐの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置５１６は、干渉計システムの計測結果に基づいて、マスクステージ１１（マスクＭ）、基板ステージ５１２（基板Ｐ）、及び計測ステージ５１３(計測器Ｃ）の位置制御を実行する。

　液浸部材５１４は、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能である。液浸空間ＬＳは、液体ＬＱで満たされた部分（空間、領域）である。液浸部材５１４は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子２１の近傍に配置される。本実施形態において、液浸部材５１４は、環状の部材であり、露光光ＥＬの光路の周囲に配置される。本実施形態においては、液浸部材５１４の少なくとも一部が、終端光学素子２１の周囲に配置される。

　終端光学素子２１は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面２２を有する。本実施形態において、液浸空間ＬＳは、終端光学素子２１と、終端光学素子２１から射出される露光光ＥＬの照射位置（投影領域ＰＲ）に配置される物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように形成される。本実施形態において、投影領域ＰＲに配置可能な物体は、基板ステージ５１２、基板ステージ５１２に保持された基板Ｐ、計測ステージ５１３、及び計測ステージ５１３に搭載された計測器Ｃの少なくとも一つを含む。

　本実施形態において、液浸部材５１４は、投影領域ＰＲに配置される物体と対向可能な下面５２３を有する。液浸部材５１４の下面５２３と基板Ｐの表面との間の空間は、基板Ｐの露光中に、基板Ｐに入射する露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液体ＬＱを保持可能である。一方側の射出面２２及び下面５２３と、他方側の物体の表面との間に液体ＬＱが保持されることによって、終端光学素子２１と物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。

　本実施形態においては、基板Ｐに露光光ＥＬが照射されているとき、投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成される。液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧの少なくとも一部は、液浸部材５１４の下面５２３と基板Ｐの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。

　上面５１２Ｔ及び上面５１３Ｔは、射出面２２及び下面５２３と対向可能である。本実施形態においては、例えば米国特許出願公開第２００６／００２３１８６号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１２７００６号明細書等に開示されているように、制御装置５１６は、基板ステージ５１２及び計測ステージ５１３の少なくとも一方が終端光学素子２１及び液浸部材５１４との間で液体ＬＱを保持可能な空間を形成し続けるように、上面５１２Ｔと上面５１３Ｔとを接近又は接触させた状態で、上面５１２Ｔ及び上面５１３Ｔの少なくとも一方と射出面２２及び下面５２３とを対向させつつ、終端光学素子２１及び液浸部材５１４に対して、基板ステージ５１２と計測ステージ５１３とをＸＹ方向に同期移動させることができる。これにより、制御装置５１６は、終端光学素子２１及び液浸部材５１４と基板ステージ５１２との間に液浸空間ＬＳが形成可能な状態、及び終端光学素子２１及び液浸部材５１４と計測ステージ５１３との間に液浸空間ＬＳが形成可能な状態の一方から他方へ変化させることができる。すなわち、液体ＬＱの液浸空間ＬＳは、液体ＬＱの漏出を抑制しつつ、基板ステージ５１２の上面５１２Ｔと計測ステージ５１３の上面５１３Ｔとの間で移動可能である。

　以下の説明において、上面５１２Ｔと上面５１３Ｔとを接近又は接触させた状態で、上面５１２Ｔ及び上面５１３Ｔの少なくとも一方と射出面２２及び下面５２３とを対向させつつ、終端光学素子２１及び液浸部材５１４に対して、基板ステージ５１２と計測ステージ５１３とをＸＹ方向に同期移動させる動作を適宜、スクラム移動、と称する。

　搬送システム５１５は、基板Ｐを支持して搬送可能な搬送部材５２４を有する。搬送部材５２４は、露光前の基板Ｐの基板保持部５１２Ｈに対する搬入動作（ローディング動作）、及び露光後の基板Ｐの基板保持部５１２Ｈからの搬出動作（アンローディング動作）の少なくとも一方を実行可能である。制御装置５１６は、搬送システム５１５を用いて、基板ステージ５１２（基板保持部５１２Ｈ）より、露光後の基板Ｐを搬出（アンロード）するアンローディング動作、及び次に露光されるべき露光前の基板Ｐを基板ステージ５１２（基板保持部５１２Ｈ）に搬入（ロード）するローディング動作を含む基板交換処理を実行可能である。

　次に、液浸部材５１４について、図２１を参照して説明する。図２１は、液浸部材５１４の近傍を示す側断面図である。なお、以下の説明においては、主に、終端光学素子２１の射出面２２及び液浸部材５１４の下面５２３と対向する位置に基板Ｐが配置されている状態を例にして説明するが、上述のように、終端光学素子２１の射出面２２及び液浸部材５１４の下面５２３と対向する位置には、基板ステージ５１２、計測ステージ５１３等、基板Ｐ以外の物体も配置可能である。

　液浸部材５１４は、環状の部材であって、露光光ＥＬの光路の周囲に配置されている。液浸部材５１４の少なくとも一部は、終端光学素子２１の周囲に配置される。本実施形態においては、液浸部材５１４は、Ｚ軸方向に関して少なくとも一部が終端光学素子２１の射出面２２と基板Ｐの表面との間に配置されるプレート部５２５とを有する。プレート部５２５は、中央に開口５２６を有する。また、プレート部５２５は、開口５２６の周囲に配置され、露光光ＥＬの照射位置（投影領域ＰＲ）に配置される基板Ｐ（物体）と対向可能な下面５２７と、下面５２７と逆向きの上面５２８とを有する。下面５２７の反対側の上面５２８の少なくとも一部は、射出面２２の一部と対向する。射出面２２から射出された露光光ＥＬは、開口５２６を通過可能である。例えば、基板Ｐの露光中、射出面２２から射出された露光光ＥＬは、開口５２６を通過し、液体ＬＱを介して基板Ｐの表面に照射される。

　また、液浸部材５１４は、液体ＬＱを供給可能な供給口５２９と、液体ＬＱを回収可能な回収口５３０とを備えている。供給口５２９は、流路５３１Ｒを介して、液体供給装置５３１と接続されている。液体供給装置５３１は、清浄で温度調整された液体ＬＱを供給口５２９に供給可能である。流路５３１Ｒは、液浸部材５１４の内部に形成された供給流路、及びその供給流路と液体供給装置５３１とを接続する供給管で形成される流路を含む。液体供給装置５３１から送出された液体ＬＱは、流路５３１Ｒを介して供給口５２９に供給される。供給口５２９は、光路の近傍において、光路に面する液浸部材５１４の所定位置に配置されている。本実施形態において、供給口５２９は、射出面２２と上面５２８との間の空間５３２に液体ＬＱを供給する。供給口５２９から空間５３２に供給された液体ＬＱは、開口５２６を介して、基板Ｐ上に供給される。

　回収口５３０は、基板Ｐ上の液体ＬＱを回収可能である。回収口５３０は、流路５３４Ｒを介して、液体回収装置５３４と接続されている。液体回収装置５３４は、真空システムを含み、回収口５３０より液体ＬＱを吸引して回収可能である。流路５３４Ｒは、液浸部材５１４の内部に形成された回収流路、及びその回収流路と液体回収装置５３４とを接続する回収管で形成される流路を含む。回収口５３０から回収された液体ＬＱは、流路５３４Ｒを介して、液体回収装置５３４に回収される。

　本実施形態においては、回収口５３０は、露光光ＥＬの光路の周囲に配置されている。回収口５３０は、基板Ｐの表面と対向可能な液浸部材５１４の所定位置に配置されている。回収口５３０は、液浸部材５１４の下面５２３と対向する基板Ｐ上の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。

　本実施形態において、回収口５３０に多孔部材５３５が配置されている。本実施形態において、多孔部材５３５は、プレート状の部材であり、基板Ｐと対向可能な下面５３６と、下面５３６と逆向きの上面５３７と、下面５３６とその反対側の上面５３７とを結ぶ複数の孔とを備えている。基板Ｐ上の液体ＬＱは、多孔部材５３５の孔を介して、回収流路５３４Ｒに流入可能である。液体回収装置５３４の作動により、例えば多孔部材５３５の下面５３６に接触した基板Ｐの液体ＬＱは、回収流路５３４Ｒに流入し、液体回収装置５３４に回収される。

　本実施形態においては、液浸部材５１４の下面５２３は、プレート部５２５の下面５２７と、その下面５２７の周囲に配置され、基板Ｐと対向可能な多孔部材５３５の下面５３６とを含む。

　本実施形態においては、基板Ｐの露光時、制御装置５１６は、供給口５２９を用いる液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口５３０を用いる液体ＬＱの回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子２１及び液浸部材５１４と、他方側の基板Ｐ（物体）との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成可能である。

　本実施形態において、少なくとも下面５２３を形成するプレート部５２５及び多孔部材５３５は、チタン製である。本実施形態においては、液体ＬＱと接触する液浸部材５１４の所定部位は、チタン製である。

　図２２Ａは、基板保持部５１２Ｈにクリーニング工具１が保持されている状態を示す平面図、図２２Ｂは、側断面図である。上述のように、クリーニング工具５０１の外形は、基板Ｐの外形とほぼ同じである。図２２Ａ及び２２Ｂに示すように、基板保持部５１２Ｈは、クリーニング工具５０１を保持可能である。本実施形態においては、基板保持部５１２Ｈは、クリーニング工具５０１の下面５０１Ｂ（ベース部材５０３）をリリース可能に保持する。基板保持部５１２Ｈに保持されたクリーニング工具５０１の上面５０１Ａは、基板ステージ５１２の上面５１２Ｔとほぼ同一である。

　図２３は、本実施形態に係る搬送システム５１５の動作の一例を示す図である。本実施形態において、搬送システム５１５は、クリーニング工具５０１を搬送可能である。搬送部材５２４は、クリーニング工具５０１を支持可能である。搬送部材５２４は、クリーニング工具５０１の基板保持部５１２Ｈに対する搬入動作（ローディング動作）、及びクリーニング工具５０１の基板保持部５１２Ｈからの搬出動作（アンローディング動作）の少なくとも一方を実行可能である。図２３に示すように、本実施形態においては、搬送部材５２４は、クリーニング工具５０１のベース部材５０３を支持する。

　上述のように、本実施形態においては、ベース部材５０３はセラミックス製である。ベース部材５０３がセラミックス製なので、搬送部材５２４がベース部材５０３を支持することによって、その搬送部材５２４の汚染が抑制される。また、搬送部材５２４でベース部材５０３を支持した後、基板Ｐを支持した場合でも、その基板Ｐに対する影響が抑制される。

　また、本実施形態において、制御装置５１６は、搬送部材５２４でクリーニング工具５０１を搬送するときの加速度を、基板Ｐを搬送するときの加速度より小さくする。これにより、内部空間５０４に保持されている液体ＬＣが、搬送部材５２４による搬送中に、例えば多孔板５０２の孔から漏出することが抑制される。

　次に、上述の露光装置ＥＸを用いて基板Ｐを露光する方法の一例について説明する。

　基板Ｐの露光処理を開始するために、制御装置５１６は、投影領域ＰＲと離れた基板交換位置に基板ステージ５１２を移動し、搬送システム５１５を用いて、基板交換位置に配置された基板ステージ５１２に露光前の基板Ｐをロードする。基板Ｐを基板ステージ５１２にロードするとき、制御装置５１６は、搬送部材５２４によって基板Ｐが所定の速度及び加速度で搬送されるように、搬送システム５１５を制御する。基板ステージ５１２が基板交換位置に配置されているとき、投影領域ＰＲには計測ステージ５１３が配置されており、終端光学素子２１及び液浸部材５１４と計測ステージ５１３との間に液浸空間ＬＳが形成されている。

　露光前の基板Ｐが基板ステージ５１２にロードされた後、制御装置５１６は、基板ステージ５１２を投影領域ＰＲに向けて移動する。制御装置５１６は、スクラム移動を実行して、終端光学素子２１及び液浸部材５１４と計測ステージ５１３との間に液浸空間ＬＳが形成されている状態から、終端光学素子２１及び液浸部材５１４と基板ステージ５１２との間に液浸空間ＬＳが形成される状態へ変化させる。これにより、終端光学素子２１及び液浸部材５１４と、基板ステージ５１２に保持されている基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。

　本実施形態の露光装置ＥＸも、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。基板Ｐの露光時、制御装置５１６は、マスクステージ１１及び基板ステージ５１２を制御して、マスクＭ及び基板Ｐを、ＸＹ平面内の所定の走査方向に移動する。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。制御装置５１６は、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影され、基板Ｐは露光光ＥＬで露光される。

　露光後の基板Ｐは、基板ステージ５１２よりアンロードされる。制御装置５１６は、露光後の基板Ｐを基板ステージ５１２からアンロードするために、基板ステージ５１２を基板交換位置に移動する。制御装置５１６は、搬送システム５１５を用いて、その基板交換位置に配置された基板ステージ５１２から露光後の基板Ｐをアンロードする。

　制御装置５１６は、露光前の基板Ｐのローディング動作、基板Ｐの露光動作、及び露光後の基板Ｐのアンローディング動作を繰り返し、複数の基板Ｐを順次液浸露光する。

　基板Ｐの露光中、基板Ｐから発生（溶出）した物質（例えば感光材等の有機物）が、異物（汚染物）として液浸空間ＬＳの液体ＬＱ中に混入する可能性がある。また、基板Ｐから発生する物質のみならず、例えば空中を浮遊する異物が、液浸空間ＬＳの液体ＬＱに混入する可能性もある。基板Ｐの露光中、液浸空間ＬＳの液体ＬＱは、液浸部材５１４の下面５２３と接触する。また、本実施形態においては、基板Ｐの露光中、液浸空間ＬＳの液体ＬＱは、基板ステージ５１２の上面５１２Ｔとも接触する。したがって、液浸空間ＬＳの液体ＬＱ中に異物が混入すると、液浸部材５１４の下面５２３、及び基板ステージ５１２の上面５１２Ｔに異物が付着する可能性がある。それら露光装置ＥＸ内の部材の液体ＬＱと接触する液体接触面に異物が付着している状態を放置しておくと、その異物が露光中に基板Ｐに付着したり、供給口５２９から供給された液体ＬＱを汚染したりする可能性がある。また、液浸部材５１４の下面５２３が汚染されたり、基板ステージ５１２の上面５１２Ｔが汚染されたりすると、例えば液浸空間ＬＳを良好に形成できなくなる可能性もある。その結果、露光不良が発生する可能性がある。

　そこで、本実施形態においては、所定のタイミングで、上述のクリーニング工具５０１を用いて露光装置ＥＸ内の部材をクリーニングするクリーニング処理が実行される。次に、クリーニング工具５０１を用いて露光装置ＥＸ内の部材をクリーニングする方法について、図２４のフローチャート、及び図２５Ａ、２５Ｂ、図２６、図２７の模式図を参照して説明する。本実施形態においては、クリーニング工具５０１を用いて、液浸部材５１４の下面５２３をクリーニングする場合を例にして説明する。

　液浸部材５１４をクリーニングするために、クリーニング工具５０１が露光装置ＥＸ内に搬入される（ステップＳ５０１）。クリーニング処理を実行する前のクリーニング工具５０１の内部空間５０４には、液体ＬＣが予め保持されている。露光装置ＥＸ内に搬入されたクリーニング工具５０１は、搬送システム５１５によって搬送される。制御装置５１６は、搬送システム５１５を用いて、基板ステージ５１２に対するクリーニング工具５０１のローディング動作を開始する（ステップＳ５０２）。

　クリーニング工具５０１を基板ステージ５１２にロードするために、制御装置５１６は、基板ステージ５１２を基板交換位置に移動する。搬送システム５１５は、搬送部材５２４でクリーニング工具５０１のベース部材５０３を支持して、基板交換位置に配置された基板ステージ５１２に対するクリーニング工具５０１のローディング動作を実行する。基板ステージ５１２は、ロードされたクリーニング工具５０１を基板保持部５１２Ｈで保持する。

　上述のように、本実施形態においては、搬送部材５２４でクリーニング工具５０１を搬送するときの加速度が、基板Ｐを搬送するときの加速度より小さいので、例えば搬送中における内部空間５０４の液体ＬＣの漏出が抑制される。

　図２５Ａに示すように、基板ステージ５１２にクリーニング工具５０１をロードしているとき、終端光学素子２１及び液浸部材５１４と対向する位置に計測ステージ５１３が配置され、終端光学素子２１及び液浸部材５１４と計測ステージ５１３との間に液体ＬＱが保持されて液浸空間ＬＳが形成される。

　クリーニング工具５０１が基板ステージ５１２にロードされた後、制御装置５１６は、基板ステージ５１２を投影領域ＰＲに向けて移動する。制御装置５１６は、スクラム移動を実行して、終端光学素子２１及び液浸部材５１４と計測ステージ５１３との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成されている状態から、終端光学素子２１及び液浸部材５１４と基板ステージ５１２上のクリーニング工具５０１との間に液浸空間ＬＳが形成される状態へ変化させる。すなわち、制御装置５１６は、基板ステージ５１２を移動して、基板保持部５１２Ｈに保持されたクリーニング工具５０１の表面５０２Ａを、終端光学素子２１及び液浸部材５１４と対向する位置に配置する。これにより、図２５Ｂに示すように、終端光学素子２１及び液浸部材５１４と、基板ステージ５１２に保持されているクリーニング工具５０１との間に液体ＬＱが保持され、液浸空間ＬＳの液体ＬＱと多孔板５０２の表面５０２Ａとが接触する（ステップＳ５０３）。

　図２６は、終端光学素子２１の射出面２２及び液浸部材５１４の下面５２３と対向する位置に、基板ステージ５１２に保持されたクリーニング工具５０１の表面５０２Ａが配置された状態を示す図、図２７は、多孔板５０２の近傍を模式的に示す図である。本実施形態においては、図２６に示すように、終端光学素子２１及び液浸部材５１４と対向する位置にクリーニング工具５０１を移動した後、制御装置５１６は、供給口５２９を用いる液体ＬＱの供給動作を停止するとともに、回収口５３０を用いる液体の回収動作を停止する。

　液浸空間ＬＳの液体ＬＱと多孔板５０２の表面５０２Ａとが接触することによって、表面５０２Ａ上に液体ＬＱと液体ＬＣとの混合液体ＬＤが生成される。図２７に示すように、液体ＬＱと多孔板５０２の表面５０２Ａとが接触することによって、表面５０２Ａ側の液体ＬＱの少なくとも一部が、孔５０２Ｈを介して内部空間５０４に移動するとともに、内部空間５０４の液体ＬＣの少なくとも一部が、孔５０２Ｈを介して表面５０２Ａ側に移動する現象が生じる。これにより、液体ＬＱと液体ＬＣとの混合液体ＬＤが生成される。本実施形態においては、液体ＬＣは、液体ＬＱで希釈することが可能なので、混合液体ＬＤが円滑に生成される。

　本実施形態においては、孔５０２Ｈの大きさが最適化されており、例えばクリーニング工具５０１の搬送中、あるいは表面５０２Ａと液体ＬＱとが接触していない状態においては、内部空間５０４の液体ＬＣが表面５０２Ａ側に移動することが抑制されている。液浸空間ＬＳの液体ＬＱと表面５０２Ａとを接触させることによって、上述のような現象が生じ、表面５０２Ａ上に液体ＬＱと液体ＬＣとの混合液体ＬＤが生成される。生成された混合液体ＬＤは、終端光学素子２１の射出面２２及び液浸部材５１４の下面５２３と、クリーニング工具５０１の表面５０２Ａとの間に保持される。これにより、液浸部材５１４の下面５２３とクリーニング工具５０１の表面５０２Ａとの間に、混合液体ＬＤで液浸空間が形成される。本実施形態においては、表面５０２Ａが液体ＬＱ及び液体ＬＣ（すなわち混合液体ＬＤ）に対して撥液性なので、液浸部材５１４の下面５２３とクリーニング工具５０１の表面５０２Ａとの間において、混合液体ＬＤの液浸空間が良好に形成される。混合液体ＬＤと液浸部材５１４の下面５２３とが接触することによって、その混合液体ＬＤによって、液浸部材５１４の下面５２３がクリーニングされる（ステップＳ５０４）。

　本実施形態においては、多孔板５０２及び液浸部材５１４（多孔部材５３５）のそれぞれは、チタン製であり、多孔板５０２と液浸部材５１４とは、同じ材質である。混合液体ＬＤが電解液の場合、多孔板５０２の材質と液浸部材５１４の材質とが異なると、多孔板５０２と液浸部材５１４との間に混合液体ＬＤが保持された場合、多孔板５０２及び液浸部材５１４の少なくとも一方が腐食する可能性が高くなる。本実施形態においては、多孔板５０２と液浸部材５１４とが同じ材質なので、多孔板５０２及び液浸部材５１４の品質を維持できる。

　また、本実施形態においては、液体ＬＱと表面５０２Ａとを接触させるとき、供給口５２９を用いる液体ＬＱの供給動作、及び回収口５３０を用いる液体の回収動作が停止されているので、混合液体ＬＤ中の液体ＬＣの比率の低下を抑制することができる。

　本実施形態においては、制御装置５１６は、混合液体ＬＤを用いるクリーニング時に、基板ステージ５１２をＸＹ方向に移動して、液浸部材５１４に対してクリーニング工具５０１を移動させる。これにより、液浸部材５１４の下面５２３の広い領域と混合液体ＬＤとを接触させ、クリーニングすることができる。また、本実施形態においては、表面５０２Ａが液体ＬＱ及び液体ＬＣ（すなわち混合液体ＬＤ）に対して撥液性なので、クリーニング工具５０１を移動した場合でも、液浸部材５１４の下面５２３とクリーニング工具５０１の表面５０２Ａとの間において、混合液体ＬＤの液浸空間を良好に形成することができる。

　また、本実施形態においては、制御装置５１６は、混合液体ＬＤの液浸空間を形成した状態で、液浸部材５１４の下面５２３と基板ステージ５１２の上面５１２Ｔとが対向するように、基板ステージ５１２を移動する。これにより、クリーニング工具５０１の上面５０１Ａの周囲に配置された上面５１２Ｔの少なくとも一部と混合液体ＬＤとを接触させ、その上面５１２Ｔの少なくとも一部を混合液体ＬＤでクリーニングすることができる。

　また、本実施形態においては、制御装置５１６は、混合液体ＬＤの液浸空間を形成した状態で、液浸部材５１４の下面５２３と計測ステージ５１３の上面５１３Ｔとが対向するように、スクラム移動する。これにより、上面５１３Ｔの少なくとも一部と混合液体ＬＤとを接触させ、その上面５１３Ｔの少なくとも一部を混合液体ＬＤでクリーニングすることができる。

　混合液体ＬＤを用いるクリーニング後、液体ＬＱを用いる基板Ｐの露光前に、液浸部材５１４から混合液体ＬＤを除去するために、制御装置５１６は、供給口５２９を用いる液体ＬＱの供給動作を含むフラッシング処理を開始する。また、制御装置５１６は、回収口５３０を用いる液体の回収動作を開始する（ステップＳ５０５）。

　制御装置５１６は、終端光学素子２１及び液浸部材５１４と対向する位置に計測ステージ５１３を配置した状態で、供給口５２９を用いる液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口５３０を用いる液体の回収動作を実行する。これにより、制御装置５１６は、計測ステージ５１３の上面５１３Ｔ、液浸部材５１４の下面５２３、多孔部材５３５、供給流路５３１Ｒ、及び回収流路５３４Ｒ等に残留している混合液体ＬＤを洗い流すことができる。また、制御装置５１６は、終端光学素子２１及び液浸部材５１４と対向する位置に基板ステージ５１２を配置した状態で、供給口５２９を用いる液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口５３０を用いる液体の回収動作を実行することにより、基板ステージ５１２の上面５１２Ｔ等に残留している混合液体ＬＤを洗い流すことができる。また、制御装置５１６は、終端光学素子２１及び液浸部材５１４と対向する位置にクリーニング工具５０１を配置した状態で、供給口５２９を用いる液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口５３０を用いる液体の回収動作を実行することにより、クリーニング工具５０１等に残留している混合液体ＬＤを洗い流すことができる。

　本実施形態においては、液体ＬＣと液体ＬＱとの種類が異なる。基板Ｐの露光前に、露光用の液体ＬＱを用いて混合液体ＬＤを除去することによって、その後に実行される基板Ｐの露光中に、光路を満たす液体ＬＱに混合液体ＬＤ（液体ＬＣ）が混入することが抑制される。

　フラッシング処理後、制御装置５１６は、供給口５２９を用いる液体ＬＱの供給動作を停止し、終端光学素子２１及び液浸部材５１４と対向する位置にクリーニング工具５０１を配置した状態で、回収口５３０を用いる液体の回収動作を実行して、クリーニング工具５０１の上面５０１Ａの液体を回収する（ステップＳ５０６）。

　クリーニング工具５０１の液体が十分に回収された後、そのクリーニング工具５０１が、基板ステージ５１２よりアンロードされる。制御装置５１６は、クリーニング工具５０１を基板ステージ５１２からアンロードするために、基板ステージ５１２を基板交換位置に移動する。制御装置５１６は、搬送システム５１５を用いて、その基板交換位置に配置された基板ステージ５１２からクリーニング工具５０１をアンロードする（ステップＳ５０７）。基板ステージ５１２からアンロードされたクリーニング工具５０１は、露光装置ＥＸから搬出される（ステップＳ５０８）。本実施形態においては、基板ステージ５１２からクリーニング工具５０１をアンロードする前に、クリーニング工具５０１の上面５０１Ａの液体を回収する処理（ステップＳ５０６）が実行されるので、アンロードされたクリーニング工具５０１の搬送中、そのクリーニング工具５０１からの液体の漏出、飛散等が抑制される。

　クリーニング工具５０１を用いるクリーニング処理を含む上述のステップＳ５０１～Ｓ５０８の処理が終了した後、基板Ｐが基板保持部５１２Ｈに保持され、その基板Ｐの露光処理が実行される。露光された基板Ｐは、例えば現像処理等、所定のプロセス処理を実行される。

　以上説明したように、本実施形態によれば、露光装置ＥＸ内の液浸部材５１４等を、クリーニング工具５０１を用いて効率良く良好にクリーニングできる。したがって、液浸部材５１４等の汚染に起因する露光不良の発生を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制できる。

　なお、上述の実施形態においては、基板Ｐを搬送可能な搬送システム５１５が、クリーニング工具５０１を基板ステージ５１２にロードする動作、及び基板ステージ５１２からアンロードする動作を実行しているが、基板Ｐを搬送可能な搬送システム５１５とは別の、クリーニング工具５０１を搬送するための搬送システムを設け、その搬送システムを用いて、クリーニング工具５０１をロードする動作及びアンロードする動作を実行してもよい。また、クリーニング工具５０１を基板ステージ５１２にロードする動作、及び基板ステージ５１２からアンロードする動作を、作業者が実行してもよい。

　また、上述の実施形態においては、液体ＬＱの液浸空間ＬＳを維持しつつ、終端光学素子２１及び液浸部材５１４と対向する位置にクリーニング工具５０１を移動させているが、液浸空間ＬＳを形成する液体ＬＱを除去した後に、終端光学素子２１及び液浸部材５１４と対向する位置にクリーニング工具５０１を移動し、その後に、液体ＬＱの供給動作と回収動作を再開して、一方側の終端光学素子２１及び液浸部材５１４と他方側のクリーニング工具５０１との間に液体ＬＱの液浸空間ＬＳを形成してもよい。

　また、上述の実施形態においては、終端光学素子２１及び液浸部材５１４と対向する位置にクリーニング工具５０１を移動した後、すなわち、クリーニング工具５０１を用いたクリーニング動作の実行中に、液体ＬＱの供給動作、及び回収動作を停止しているが、クリーニング動作中に液体ＬＱの供給動作、及び回収動作を実行してもよい。この場合、混合液体ＬＤ中の液体ＬＣの比率の低下を抑制するために、液体ＬＱの供給量と回収量の少なくとも一方を基板Ｐの露光中よりも少ないことが望ましい。

　また、上述の実施形態においては、基板ステージ５１２の上面５１２Ｔ上に混合液体ＬＤの液浸空間を形成して、上面５１２Ｔをクリーニングする動作、及び計測ステージ５１３の上面５１３Ｔ上に混合液体ＬＤの液浸空間を形成して、上面５１３Ｔをクリーニングする動作を実行しているが、上面５１２Ｔをクリーニングする動作、及び上面５１３Ｔをクリーニングする動作の少なくとも一方を省いてもよい。

＜第４実施形態＞
　次に、第４実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

　図２８は、第４実施形態に係るクリーニング工具６０１の一例を示す側断面図、図２９は、クリーニング工具６０１の一部を示す平面図である。図２９には、多孔板５０２が無い状態が示されている。

　図２８及び図２９において、クリーニング工具６０１は、多孔板５０２と、多孔板５０２を支持するベース部材６０３とを備えている。また、クリーニング工具６０１は、多孔板５０２の裏面５０２Ｂに面する内部空間５０４を備えている。

　本実施形態において、ベース部材６０３は、多孔板５０２と同じ材質である。本実施形態において、ベース部材６０３及び多孔板５０２は、チタン製である。多孔板５０２とベース部材６０３とは接合されている。本実施形態においては、多孔板５０２とベース部材６０３とは、所謂、拡散接合法によって接合されている。

　本実施形態において、ベース部材６０３の外面は、フッ素を含む樹脂の膜で形成されている。ベース部材６０３の外面は、多孔板５０２の表面５０２Ａの周囲に配置されたベース部材６０３の上面５０３Ｄ、上面５０３Ｄの反対側の下面５０３Ｅ、及び上面５０３Ｄと下面５０３Ｅとを結ぶ側面５０３Ｆを含む。膜を形成する材料としては、例えばＰＦＡ（Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer）、ＰＴＦＥ（Poly tetra fluoro ethylene）、ＰＥＥＫ（polyetheretherketone）、テフロン（登録商標）等が挙げられる。

　ベース部材６０３の外面がフッ素を含む樹脂の膜で形成されているので、搬送部材５２４がベース部材６０３を支持した場合でも、その搬送部材５２４の汚染が抑制される。また、搬送部材５２４でベース部材６０３を支持した後、基板Ｐを支持した場合でも、その基板Ｐに対する影響が抑制される。

　本実施形態において、内部空間５０４に多孔部材が配置されていない。本実施形態において、内部空間５０４には、その内部空間５０４を複数の空間５０４Ｐに分割する分割部材５５０が配置されている。クリーニング処理前、空間５０４Ｐには、クリーニング用の液体ＬＣが配置される。本実施形態において、分割部材５５０は、ベース部材６０３と同じ材質である。すなわち、本実施形態において、分割部材５５０は、チタン製である。

　図２９に示すように、本実施形態においては、分割部材５５０は、ＸＹ平面内において格子状に配置されており、空間５０４Ｐは、ＸＹ平面内においてマトリクス状に配置される。なお、図３０Ａに示すように、分割部材５５０が、ＸＹ平面内において、ベース部材６０３の中心に対して同心円状に配置されてもよいし、図３０Ｂに示すように、放射状に配置されてもよい。内部空間５０４を複数の空間５０４Ｐに分割することによって、例えばクリーニング工具６０１の搬送中に、空間５０４Ｐの液体ＬＣが外部に漏出することを抑制することができる。また、本実施形態においては、内部空間５０４に多孔部材が配置されていないので、クリーニング処理（ステップＳ５０４）の終了後、例えばステップＳ５０５、Ｓ５０６の動作において、内部空間５０４から液体ＬＣを良好に排除することができる。

　以上説明したように、本実施形態においても、クリーニング工具５０１を用いて、露光装置ＥＸ内のクリーニング対象の部材を、効率良く良好にクリーニングできる。

　なお、上述の第３、第４実施形態においても、不図示のクリーニング液体供給源から内部空間への液体ＬＣの供給を露光装置ＥＸ内で行ってもよい。この場合も、液体ＬＣの液体供給源から露光装置内の部材の上面（例えば、基板ステージ５１２の上面５１２Ｔ）に液体ＬＣを供給して、その部材の上面をクリーニングしてもよい。

　なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子２１の射出側（像面側）の光路が液体ＬＱで満たされるが、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子２１の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たす投影光学系を採用することもできる。

　なお、上述の各実施形態の液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。

　なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

　露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）であってもよいし、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）であってもよい。

　さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系ＰＬを用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系ＰＬを用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置として、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置を採用することもできる。

　また、露光装置ＥＸは、例えば対応米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置であってもよい。また、露光装置ＥＸは、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーであってもよい。

　また、上述の各実施形態において、露光装置ＥＸは、計測ステージ１３を備えていなくてもよい。

　また、露光装置ＥＸは、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置であってもよい。

　更に、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載し、露光対象の基板を保持しない計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。また、露光装置ＥＸは、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置であってもよい。

　露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

　なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いてマスクステージ１１及び基板ステージ１２（５１２）の各位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージ１１、１２（５１２）に設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムとの両方を備えるハイブリッドシステムとしてもよい。

　また、上述の各実施形態では、露光光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ＡｒＦエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許第７０２３６１０号明細書に開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長１９３ｎｍのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域ＩＲと、投影領域ＰＲがそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。

　なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）等を含む。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。自発光型画像表示素子としては、例えば、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、無機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）、ＬＥＤディスプレイ、ＬＤディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Field Emission Display）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）等が挙げられる。

　上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置であってもよい。このように投影光学系ＰＬを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸空間が形成される。

　また、露光装置ＥＸは、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）であってもよい。

　以上のように、本実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置ＥＸへの組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置ＥＸへの組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置ＥＸへの組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置ＥＸ全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置ＥＸの製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

　半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図３１に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光ＥＬで基板Ｐを露光すること、及び露光された基板Ｐを現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。上述のクリーニング工具を用いる処理は、基板処理ステップ２０４に含まれる。

　なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

Claims

　露光光で基板を露光する露光装置に搬入され、前記露光装置内の部材をクリーニングするクリーニング工具であって、
　ベース部材と、
　前記ベース部材上に配置され、クリーニング液体を染み込ませたクリーニング部材と、を備えるクリーニング工具。
　前記クリーニング部材は、第１部分と、第２部分とを含む請求項１記載のクリーニング工具。
　前記第１部分は、前記ベース部材の表面に対して第１高さを有し、
　前記第２部分は、前記ベース部材の表面に対して第２高さを有する請求項２記載のクリーニング工具。
　前記第２部分は、前記ベース部材の表面に対して前記第１部分より高い請求項３記載のクリーニング工具。
　前記露光装置内の部材の表面の形状に応じて、前記第１高さ及び前記第２高さがそれぞれ定められた請求項３又は４記載のクリーニング工具。
　前記第２部分は、前記第１部分の周囲の少なくとも一部に配置される請求項２～５のいずれか一項記載のクリーニング工具。
　前記ベース部材上において、前記第１部分と前記第２部分とが離れている請求項２～６のいずれか一項記載のクリーニング工具。
　前記クリーニング液体は、前記第１部分に染み込ませた第１クリーニング液体と、前記第２部分に染み込ませた第２クリーニング液体とを含む請求項２～７のいずれか一項記載のクリーニング工具。
　前記ベース部材上に配置され、前記クリーニング部材の周囲に配置された周壁部材を有する請求項１～８のいずれか一項記載のクリーニング工具。
　前記周壁部材は、前記クリーニング液体の漏出を抑制する請求項９記載のクリーニング工具。
　前記周壁部材は、前記クリーニング部材から染み出した前記クリーニング液体を回収する請求項９又は１０記載のクリーニング工具。
　前記周壁部材は、多孔部材を含む請求項９～１１のいずれか一項記載のクリーニング工具。
　前記周壁部材は、スポンジを含む請求項９～１２のいずれか一項記載のクリーニング工具。
　前記周壁部材は、前記ベース部材の表面に対して前記クリーニング部材より低い請求項９～１３のいずれか一項記載のクリーニング工具。
　前記周壁部材は、前記クリーニング部材より前記クリーニング液体に対して親液性である請求項９～１４のいずれか一項記載のクリーニング工具。
　前記ベース部材は、前記基板と実質的に同じ外形を有する請求項１～１５のいずれか一項記載のクリーニング工具。
　前記クリーニング部材は、多孔部材を含む請求項１～１６のいずれか一項記載のクリーニング工具。
　前記クリーニング部材は、スポンジを含む請求項１～１７のいずれか一項記載のクリーニング工具。
　露光光で基板を露光する露光装置に請求項１～１８のいずれか一項記載のクリーニング工具を搬入することと、
　前記クリーニング工具の前記クリーニング部材と前記露光装置内の部材とを接触させて、前記露光装置内の部材の少なくとも一部をクリーニングすることと、を含むクリーニング方法。
　前記露光装置内の基板保持部で前記クリーニング工具を保持することと、
　前記基板保持部を移動して、前記クリーニング部材と前記露光装置内の部材の表面とを接触させることと、を含む請求項１９記載のクリーニング方法。
　前記クリーニング部材をほぼ静止させた状態で前記露光装置内の部材をクリーニングする請求項２０記載のクリーニング方法。
　前記露光装置は、露光用液体を介して基板を露光する液浸露光装置であって、
　前記クリーニング工具を用いるクリーニング後、前記基板の露光前に、前記露光装置内の部材の表面から前記クリーニング液体を除去するために、前記露光用液体を供給することを含む請求項１９～２１のいずれか一項記載のクリーニング方法。
　前記露光装置は、露光用液体を介して基板を露光する液浸露光装置であって、
　前記露光装置内の部材の表面は、前記基板の露光中に、前記基板との間で前記露光用液体を保持する保持面と、前記保持面の周囲の少なくとも一部に配置された液体回収面との少なくとも一方を含む請求項１９～２２のいずれか一項記載のクリーニング方法。
　前記露光装置内の部材の表面は、前記露光光が射出される光学部材の射出面を含む請求項１９～２３のいずれか一項記載のクリーニング方法。
　露光光で基板を露光する露光装置に請求項１～１８のいずれか一項記載のクリーニング工具を搬入することと、
　前記クリーニング工具の前記クリーニング部材と前記露光装置内の部材とを接触させて、前記露光装置内の部材の少なくとも一部をクリーニングすることと、
　前記クリーニング後に、前記露光装置で基板を露光することと、
　露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
　前記クリーニング後に、前記基板を基板保持部に保持することと、
　前記クリーニング前に、前記クリーニング工具を前記基板保持部に保持することと、をさらに含む請求項２５記載のデバイス製造方法。
　第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置に搬入され、前記露光装置内の所定部材をクリーニングするためのクリーニング工具であって、
　第１面、前記第１面の反対側の第２面、及び前記第１面と前記第２面とを連通する複数の孔を有する多孔板と、
　前記多孔板を支持するベース部材と、
　前記第２面に面する内部空間と、を備え、
　前記内部空間に、クリーニング用の第２液体が保持されるクリーニング工具。
　前記第２液体は、前記第１液体に対して可溶性である請求項２６記載のクリーニング工具。
　前記第１面は、前記第１，第２液体に対して撥液性である請求項２８記載のクリーニング工具。
　前記多孔板は、前記所定部材と同じ材質である請求項２７～２９のいずれか一項記載のクリーニング工具。
　前記多孔板は、前記第２面の周縁領域に複数配置され、前記第２面から突出する第１凸部と、前記第１凸部のそれぞれから前記第２面の中心に対する放射方向外側に突出する第２凸部とを有し、
　前記ベース部材は、前記第２凸部が配置される凹部を有する請求項２７～３０のいずれか一項記載のクリーニング工具。
　前記ベース部材は、セラミックス製である請求項２７～３１のいずれか一項記載のクリーニング工具。
　前記ベース部材は、前記多孔板と同じ材質である請求項２７～３２のいずれか一項記載のクリーニング工具。
　前記ベース部材の外面は、フッ素を含む樹脂の膜で形成される請求項３３記載のクリーニング工具。
　前記内部空間に配置され、複数の開気孔を有する多孔部材を備える請求項２７～３４のいずれか一項記載のクリーニング工具。
　前記多孔部材は、前記所定部材と同じ材質である請求項３５記載のクリーニング工具。
　前記内部空間に配置され、該内部空間を複数の空間に分割する分割部材を有する請求項２７～３４のいずれか一項記載のクリーニング工具。
　前記分割部材は、前記ベース部材と同じ材質である請求項３７記載のクリーニング工具。
　前記基板と実質的に同じ外形を有する請求項２７～３８のいずれか一項記載のクリーニング工具。
　第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置に請求項２６～３９のいずれか一項記載のクリーニング工具を搬入することと、
　前記第１液体と前記第１面とを接触させ、前記第１面上に生成された前記第１液体と前記第２液体との混合液体で、前記露光装置内の所定部材の表面をクリーニングすることと、を含むクリーニング方法。
　前記クリーニング工具の第１面は、前記露光装置内の物体の表面と対向する位置に配置され、
　前記第１面と前記物体の表面との間で前記混合液体を保持する請求項４０記載のクリーニング方法。
　前記多孔板は、前記物体と同じ材質である請求項４１記載のクリーニング方法。
　前記所定部材の表面は、前記物体の表面を含む請求項４１又は４２記載のクリーニング方法。
　前記所定部材の表面は、前記第１面の周囲の少なくとも一部に配置される請求項４１～４３のいずれか一項記載のクリーニング方法。
　前記混合液体を用いるクリーニング時に、前記物体と前記クリーニング工具とを相対的に移動する請求項４１～４４のいずれか一項記載のクリーニング方法。
　前記露光光の照射位置に移動可能であり、前記基板をリリース可能に保持する可動部材で前記クリーニング工具を保持することを含み、
　前記可動部材を移動して、前記クリーニング工具の第１面を、前記物体の表面と対向する位置に配置する請求項４１～４５のいずれか一項記載のクリーニング方法。
　搬送部材で前記クリーニング工具を支持して前記可動部材に対する搬入動作及び前記可動部材からの搬出動作の少なくとも一方を実行することを含み、
　前記搬送部材は、前記クリーニング工具のベース部材を支持する請求項４０～４６のいずれか一項記載のクリーニング方法。
　前記搬送部材は、前記基板を支持して前記可動部材に対する搬入動作及び前記可動部材からの搬出動作の少なくとも一方を実行可能である請求項４７記載のクリーニング方法。
　前記搬送部材で前記クリーニング工具を搬送するときの加速度は、前記基板を搬送するときの加速度より小さい請求項４８記載のクリーニング方法。
　前記混合液体を用いるクリーニング後、前記基板の露光前に、前記所定部材から前記混合液体を除去するために、前記第１液体を供給することを含む請求項４０～４９のいずれか一項記載のクリーニング方法。
　前記混合液体を用いるクリーニング後、前記第１面上の液体を回収することを含む請求項４０～５０のいずれか一項記載のクリーニング方法。
　前記回収後、前記露光装置から前記クリーニング工具を搬出することを含む請求項５１記載のクリーニング方法。
　前記所定部材の表面は、前記基板の露光中に、前記第１液体と接触する請求項４０～５２のいずれか一項記載のクリーニング方法。
　前記所定部材の表面は、前記基板の露光中に、前記基板に入射する露光光の光路が第１液体で満たされるように、前記基板の表面との間で前記第１液体を保持する請求項４０～５３のいずれか一項記載のクリーニング方法。
　第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置に請求項２７～３９のいずれか一項記載のクリーニング工具を搬入することと、
　前記第１液体と前記第１面とを接触させ、前記第１面上に生成された前記第１液体と前記第２液体との混合液体で、前記露光装置内の所定部材の少なくとも一部をクリーニングすることと、
　前記クリーニング後に、前記露光装置で基板を露光することと、
　露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
　前記クリーニング後に、前記露光光の照射位置に移動可能な可動部材で前記基板を保持することと、
　前記クリーニング前に、前記クリーニング工具を前記可動部材に保持することと、を含む請求項５５記載のデバイス製造方法。
　露光光で基板を露光する露光装置に搬入され、前記露光装置内の部材をクリーニングするクリーニング工具であって、
　ベース部材と、
　前記ベース部材上に設けられ、クリーニング液体を保持可能な液体保持部材と、を備えるクリーニング工具。
　前記液体保持部材は、多孔部材を含む請求項５７記載のクリーニング工具。
　前記液体保持部材は、前記クリーニング液体を保持する内部空間を形成する請求項５７又は５８記載の露光クリーニング工具。
　前記液体保持部材に前記クリーニング液体を染みこませることによって、前記液体保持部材に前記クリーニング液体が保持される請求項５７又は５８記載のクリーニング工具。
　露光光で基板を露光する露光装置に請求項５７～６０のいずれか一項記載のクリーニング工具を搬入することと、
　前記クリーニング工具の前記液体保持部材によって保持された前記クリーニング液体によって前記露光装置内の所定部材の表面をクリーニングすることと、を含むクリーニング方法。
　露光光で基板を露光する露光装置に請求項５７～６０のいずれか一項記載のクリーニング工具を搬入することと、
　前記クリーニング工具の前記液体保持部材によって保持された前記クリーニング液体によって前記露光装置内の所定部材の表面をクリーニングすることと、
　前記クリーニング後に、前記露光装置で基板を露光することと、
　露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。