KR20100128278A - 클리닝 공구, 클리닝 방법, 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

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겐이치 시라이시
아키카즈 다니모토
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가부시키가이샤 니콘
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Abstract

클리닝 공구는, 노광광으로 기판을 노광하는 노광 장치에 반입되어, 노광 장치 내의 부재를 클리닝한다. 클리닝 공구는, 베이스 부재와, 베이스 부재 상에 배치되고, 클리닝 액체를 스며들게 한 클리닝 부재를 구비한다.

Description

클리닝 공구, 클리닝 방법, 및 디바이스 제조 방법{CLEANING TOOL, CLEANING METHOD AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은, 노광 장치 내의 부재를 클리닝하는 클리닝 공구, 클리닝 방법, 및 디바이스 제조 방법에 관한 것이다.
본원은, 2008년 3월 19일에 출원된 일본 특허출원 2008-072524호, 및 2008년 8월 26일에 출원된 일본 특허출원 2008-216525호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
마이크로 디바이스의 제조 공정에 있어서, 노광광으로 기판을 노광하는 노광 장치가 사용된다. 노광 장치 내의 부재, 및/또는 부품이 오염되어 있으면, 예를 들어 기판에 형성되는 패턴에 결함이 생기는 등 노광 불량이 발생하고, 그 결과, 불량 디바이스가 발생할 가능성이 있다. 그 때문에, 예를 들어 하기 특허문헌에 개시되어 있는 바와 같이, 노광 장치 내의 부재, 및/또는 부품을 클리닝하는 기술이 안출되어 있다.
미국 특허 제6496257호 명세서 미국 특허출원공개 제2006/0023185 A1호 명세서
노광 장치 내의 부재, 및/또는 부품을 효율적으로 양호하게 클리닝할 수 있는 기술의 안출 (案出) 이 요망된다.
본 발명의 양태는, 노광 불량의 발생을 억제할 수 있는 클리닝 공구 및 클리닝 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한 본 발명의 양태는, 불량 디바이스의 발생을 억제할 수 있는 디바이스 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제 1 양태에 따르면, 노광광으로 기판을 노광하는 노광 장치에 반입되어, 노광 장치 내의 부재를 클리닝하는 클리닝 공구로서, 베이스 부재와, 베이스 부재 상에 배치되고, 클리닝 액체를 스며들게 한 클리닝 부재를 구비하는 클리닝 공구가 제공된다.
본 발명의 제 2 양태에 따르면, 노광광으로 기판을 노광하는 노광 장치에 제 1 양태의 클리닝 공구를 반입하는 것과, 클리닝 공구의 클리닝 부재와 노광 장치 내의 부재를 접촉시켜, 노광 장치 내의 부재의 적어도 일부를 클리닝하는 것을 포함하는 클리닝 방법이 제공된다.
본 발명의 제 3 양태에 따르면, 노광광으로 기판을 노광하는 노광 장치에 제 1 양태의 클리닝 공구를 반입하는 것과, 클리닝 공구의 클리닝 부재와 노광 장치 내의 부재를 접촉시켜, 노광 장치 내의 부재의 적어도 일부를 클리닝하는 것과, 클리닝 후에, 노광 장치로 기판을 노광하는 것과, 노광된 기판을 현상하는 것을 포함하는 디바이스 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 제 4 양태에 따르면, 제 1 액체를 통하여 노광광으로 기판을 노광하는 노광 장치에 반입되어, 노광 장치 내의 소정 부재를 클리닝하기 위한 클리닝 공구로서, 제 1 면, 제 1 면의 반대측인 제 2 면, 및 제 1 면과 제 2 면을 연통하는 복수의 구멍을 갖는 다공판과, 다공판을 지지하는 베이스 부재와, 제 2 면에 면하는 내부 공간을 구비하고, 내부 공간에 클리닝용의 제 2 액체가 유지되는 클리닝 공구가 제공된다.
본 발명의 제 5 양태에 따르면, 제 1 액체를 통하여 노광광으로 기판을 노광하는 노광 장치에 제 4 양태의 클리닝 공구를 반입하는 것과, 제 1 액체와 제 1 면을 접촉시켜, 제 1 면 상에 생성된 제 1 액체와 제 2 액체의 혼합 액체로 노광 장치 내의 소정 부재의 표면을 클리닝하는 것을 포함하는 클리닝 방법이 제공된다.
본 발명의 제 6 양태에 따르면, 제 1 액체를 통하여 노광광으로 기판을 노광하는 노광 장치에 제 4 양태의 클리닝 공구를 반입하는 것과, 제 1 액체와 제 1 면을 접촉시켜, 제 1 면 상에 생성된 제 1 액체와 제 2 액체의 혼합 액체로 노광 장치 내의 소정 부재의 적어도 일부를 클리닝하는 것과, 클리닝 후에, 노광 장치로 기판을 노광하는 것과, 노광된 기판을 현상하는 것을 포함하는 디바이스 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 제 7 양태에 따르면, 노광광으로 기판을 노광하는 노광 장치에 반입되어, 노광 장치 내의 부재를 클리닝하는 클리닝 공구로서, 베이스 부재와, 베이스 부재 상에 형성되고, 클리닝 액체를 유지할 수 있는 액체 유지 부재를 구비하는 클리닝 공구가 제공된다.
본 발명의 제 8 양태에 따르면, 노광광으로 기판을 노광하는 노광 장치에 제 7 양태의 클리닝 공구를 반입하는 것과, 그 클리닝 공구의 액체 유지 부재에 의해서 유지된 클리닝 액체에 의해서 노광 장치 내의 소정 부재의 표면을 클리닝하는 것을 포함하는 클리닝 방법이 제공된다.
본 발명의 제 9 양태에 따르면, 노광광으로 기판을 노광하는 노광 장치에 제 7 양태의 클리닝 공구를 반입하는 것과, 그 클리닝 공구의 액체 유지 부재에 의해서 유지된 클리닝 액체에 의해서 노광 장치 내의 소정 부재의 표면을 클리닝하는 것과, 클리닝 후에, 노광 장치로 기판을 노광하는 것과, 노광된 기판을 현상하는 것을 포함하는 디바이스 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 양태에 의하면 노광 불량의 발생을 억제할 수 있다. 또한 본 발명의 양태에 의하면 불량 디바이스의 발생을 억제할 수 있다.
도 1 은 제 1 실시형태에 관련된 클리닝 공구의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 2 는 제 1 실시형태에 관련된 클리닝 공구의 일례를 나타내는 측단면도이다.
도 3 은 제 1 실시형태에 관련된 노광 장치의 일례를 나타내는 개략 구성도이다.
도 4 는 제 1 실시형태에 관련된 액침 부재의 근방을 나타내는 측단면도이다.
도 5 는 제 1 실시형태에 관련된 액침 부재의 근방을 나타내는 측단면도이다.
도 6 은 제 1 실시형태에 관련된 액침 부재를 하측에서 본 사시도이다.
도 7a 는 제 1 실시형태에 관련된 클리닝 공구가 기판 유지부에 유지된 상태를 나타내는 도면이다.
도 7b 는 제 1 실시형태에 관련된 클리닝 공구가 기판 유지부에 유지된 상태를 나타내는 도면이다.
도 8 은 제 1 실시형태에 관련된 클리닝 방법의 일례를 나타내는 플로우차트이다.
도 9a 는 제 1 실시형태에 관련된 클리닝 방법의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 9b 는 제 1 실시형태에 관련된 클리닝 방법의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 10 은 제 1 실시형태에 관련된 클리닝 방법의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 11 은 제 1 실시형태에 관련된 클리닝 방법의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 12 는 제 2 실시형태에 관련된 액침 부재를 하측에서 본 사시도이다.
도 13 은 제 2 실시형태에 관련된 클리닝 공구가 기판 유지부에 유지된 상태를 나타내는 도면이다.
도 14 는 클리닝 공구의 일례를 나타내는 측단면도이다.
도 15 는 클리닝 공구의 일례를 나타내는 측단면도이다.
도 16 은 클리닝 공구 및 클리닝 방법의 일례를 나타내는 도면이다.
도 17 은 클리닝 공구 및 클리닝 방법의 일례를 나타내는 도면이다.
도 18 은 제 1 실시형태에 관련된 클리닝 공구의 일례를 나타내는 측단면도이다.
도 19 는 제 1 실시형태에 관련된 클리닝 공구의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 20 은 제 1 실시형태에 관련된 노광 장치의 일례를 나타내는 개략 구성도이다.
도 21 은 제 1 실시형태에 관련된 액침 부재의 근방을 나타내는 측단면도이다.
도 22a 는 제 1 실시형태에 관련된 클리닝 공구가 기판 유지부에 유지된 상태를 나타내는 도면이다.
도 22b 는 제 1 실시형태에 관련된 클리닝 공구가 기판 유지부에 유지된 상태를 나타내는 도면이다.
도 23 은 제 1 실시형태에 관련된 클리닝 공구가 반송 부재에 지지된 상태를 나타내는 도면이다.
도 24 는 제 1 실시형태에 관련된 클리닝 방법의 일례를 나타내는 플로우차트이다.
도 25a 는 제 1 실시형태에 관련된 클리닝 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
도 25b 는 제 1 실시형태에 관련된 클리닝 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
도 26 은 제 1 실시형태에 관련된 클리닝 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
도 27 은 제 1 실시형태에 관련된 클리닝 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
도 28 은 제 2 실시형태에 관련된 클리닝 공구의 일례를 나타내는 측단면도이다.
도 29 는 제 2 실시형태에 관련된 클리닝 공구의 일부를 나타내는 평면도이다.
도 30a 는 제 2 실시형태에 관련된 클리닝 공구의 일부를 나타내는 평면도이다.
도 30b 는 제 2 실시형태에 관련된 클리닝 공구의 일부를 나타내는 평면도이다.
도 31 은 마이크로 디바이스의 제조 공정의 일례를 설명하기 위한 플로우차트이다.
부호의 설명
1 … 클리닝 공구, 2 … 베이스 부재, 2A … 표면, 2B … 이면, 3 … 클리닝 부재, 3A … 제 1 클리닝 부재, 3B … 제 2 클리닝 부재, 5 … 주벽 (周壁) 부재, 12 … 기판 스테이지, 12H … 기판 유지부, 13 … 액침 부재, 19 … 종단 광학 소자, 20 … 사출면, 21 … 하면, 25 … 제 1 면, 26 … 제 2 면, 27 … 제 3 면, DP … 더미 기판, EL … 노광광, EX … 노광 장치, LC … 클리닝 액체, LQ … 액체 (클리닝 액체), P … 기판, 501 … 클리닝 공구, 502 … 다공판, 502A … 표면, 502B … 이면, 502H … 구멍, 503 … 베이스 부재, 504 … 내부 공간, 505 … 다공 부재, 506A … 제 1 볼록부, 506B … 제 2 볼록부, 507 … 오목부, 512 … 기판 스테이지, 512T … 상면, 513 … 계측 스테이지, 513T … 상면, 514 … 액침 부재, 515 … 반송 시스템, 523 … 하면, 524 … 반송 부재, 535 … 다공 부재
발명을 실시하기 위한 형태
이하, 본 발명의 실시형태에 관해서 도면을 참조하면서 설명하는데, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 이하의 설명에 있어서는, XYZ 직교 좌표계를 설정하고, 그 XYZ 직교 좌표계를 참조하면서 각 부재의 위치 관계에 대해 설명한다. 수평면 내의 소정 방향을 X 축 방향, 수평면 내에서 X 축 방향과 직교하는 방향을 Y 축 방향, X 축 방향 및 Y 축 방향의 각각과 직교하는 방향 (즉 연직 방향) 을 Z 축 방향으로 한다. 또한, X 축, Y 축 및 Z 축 둘레의 회전 (경사) 방향을 각각 θX, θY 및 θZ 방향으로 한다.
<제 1 실시형태>
제 1 실시형태에 관해서 설명한다. 도 1 은 제 1 실시형태에 관련된 클리닝 공구 (1) 의 일례를 나타내는 사시도, 도 2 는 측단면도이다. 후술하는 바와 같이, 클리닝 공구 (1) 는, 노광광 (EL) 으로 기판 (P) 을 노광하는 노광 장치 (EX) 에 반입되어, 그 노광 장치 (EX) 내 부재의 적어도 일부를 클리닝한다.
도 1 및 도 2 에 있어서, 클리닝 공구 (1) 는, 베이스 부재 (2) 와, 베이스 부재 (2) 상에 배치되고, 클리닝 액체 (LC) 를 스며들게 한 클리닝 부재 (3) 를 구비하고 있다.
베이스 부재 (2) 는 플레이트 부재로, 표면 (2A) 과 이면 (2B) 을 갖는다. 본 실시형태에 있어서, XY 평면 내에서의 베이스 부재 (2) 의 외형은 거의 원형이다. 본 실시형태에 있어서, 베이스 부재 (2) 의 외형은 기판 (P) 의 외형과 거의 동일하다. 베이스 부재 (2) 는, 예를 들어 스테인리스제이다.
클리닝 부재 (3) 는, 클리닝 대상인 노광 장치 (EX) 내의 부재의 표면과 접촉하여, 그 부재의 표면을 클리닝한다. 클리닝 부재 (3) 에는 클리닝 액체 (LC) 가 스며들어 있다. 본 실시형태에 있어서, 클리닝 부재 (3) 는 스폰지이다. 따라서, 클리닝 부재 (3) 에 클리닝 액체 (LC) 를 스며들게 할 수 있다. 도시를 생략한 클리닝 액체 공급원으로부터 클리닝 부재 (3) 에 클리닝 액체 (LC) 를 공급하여, 클리닝 부재 (3) 에 클리닝 액체 (LC) 를 유지시킨다. 도시를 생략한 클리닝 액체 공급원에서 클리닝 부재 (3) 로의 클리닝 액체 (LC) 의 공급은, 노광 장치 (EX) 내, 또는 노광 장치 (EX) 외에서 자동적으로 행해져도 되고, 오퍼레이터에 의해 행해져도 된다.
클리닝 부재 (3) 의 스폰지로서, 예를 들어 폴리비닐알코올제 스폰지 (PVA 스폰지), 또는 우레탄제 스폰지 (우레탄 스폰지) 를 사용할 수 있다. 또, 이물질 등의 오염물을 발생하지 않는 재료이면, 스폰지의 재료는 상기한 것에 한정되지 않는다.
클리닝 액체 (LC) 는, 노광 장치 (EX) 내의 부재를 클리닝할 수 있는 액체이다. 클리닝 액체 (LC) 는, 예를 들어 노광 장치 (EX) 내의 부재에 부착되어 있는 이물질 (오염물) 을 제거 가능한 액체이다. 클리닝 액체 (LC) 로서, 예를 들어 알칼리를 함유하는 알칼리 세정액을 사용할 수 있다. 알칼리는, 예를 들어 암모니아를 함유한다. 클리닝 액체 (LC) 로서 알칼리 세정액을 사용함으로써, 노광 장치 (EX) 내의 부재에 부착되어 있는, 예를 들어 유기물 등의 오염물을 양호하게 제거할 수 있다. 예를 들어, 알칼리 세정액으로서 수산화테트라메틸암모늄 (TMAH: tetramethyl ammonium hydroxide) 수용액을 사용할 수 있다. 또한, 클리닝 액체 (LC) 로서 물 (순수) 을 사용할 수도 있다. 또한, 액체 (LC) 는 이소프로필알코올 (IPA) 을 사용해도 된다.
본 실시형태에 있어서, 클리닝 부재 (3) 는, 제 1 부분 (3A) 과 제 2 부분 (3B) 을 포함한다. 본 실시형태에서는, 베이스 부재 (2) 상에 있어서 제 1 부분 (3A) 과 제 2 부분 (3B) 이 떨어져 있다. 이하의 설명에 있어서, 클리닝 부재 (3) 의 제 1 부분 (3A) 을 적당히 제 1 클리닝 부재 (3A) 로 부르고, 제 2 부분 (3B) 를 적당히 제 2 클리닝 부재 (3B) 로 부른다.
본 실시형태에서는, 제 1 클리닝 부재 (3A) 와 제 2 클리닝 부재 (3B) 는 동일한 재료로 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 제 1, 제 2 클리닝 부재 (3A, 3B) 의 양쪽이 PVA 스폰지이다. 또, 제 1, 제 2 클리닝 부재 (3A, 3B) 의 양쪽이 우레탄 스폰지여도 된다.
또, 제 1 클리닝 부재 (3A) 와 제 2 클리닝 부재 (3B) 가 상이한 재료로 형성되어도 된다. 예를 들어, 제 1 클리닝 부재 (3A) 및 제 2 클리닝 부재 (3B) 의 일방이 PVA 스폰지이고, 타방이 우레탄 스폰지여도 된다.
또한, 제 1 클리닝 부재 (3A) 와 제 2 클리닝 부재 (3B) 에서 기공률이 상이해도 된다. 기공률은, 스폰지 등과 같은 다공 부재의 기하학적 (외형적) 인 용적에 대한 기공의 용적 비율이다. 바꾸어 말하면, 기공률은 단위 체적당 기공의 함유율이다.
본 실시형태에서는, 제 1 클리닝 부재 (3A) 및 제 2 클리닝 부재 (3B) 의 양쪽에 클리닝 액체 (LC) 가 스며들어가 있다. 즉, 본 실시형태에 있어서 클리닝 액체 (LC) 는, 제 1 클리닝 부재 (3A) 에 스며들게 한 클리닝 액체와, 제 2 클리닝 부재 (3B) 에 스며들게 한 클리닝 액체를 포함한다.
본 실시형태에서는, 제 1 클리닝 부재 (3A) 에 스며들게 하는 클리닝 액체와 제 2 클리닝 부재 (3B) 에 스며들게 하는 클리닝 액체는 동일한 종류의 액체이다.
또, 제 1 클리닝 부재 (3A) 에 스며들게 하는 클리닝 액체와, 제 2 클리닝 부재 (3B) 에 스며들게 하는 클리닝 액체가 상이한 종류의 액체여도 된다. 또한, 제 1 클리닝 부재 (3A) 및 제 2 클리닝 부재 (3B) 의 일방에 클리닝 액체가 스며들게 하고, 타방에는 클리닝 액체가 스며들지 않도록 해도 된다.
제 2 클리닝 부재 (3B) 는, 제 1 클리닝 부재 (3A) 의 주위의 적어도 일부에 배치되어 있다. 본 실시형태에서는, 제 1 클리닝 부재 (3A) 는 베이스 부재 (2) 의 표면 (2A) 의 대략 중앙에 배치되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 표면 (2A) 과 평행한 XY 평면 내에서의 제 1 클리닝 부재 (3A) 의 형상은 직사각형이다. 제 2 클리닝 부재 (3B) 는, 제 1 클리닝 부재 (3A) 의 주위의 2 군데에 배치되어 있다. 즉, 본 실시형태에 있어서, 제 2 클리닝 부재 (3B) 는 2 개 배치되어 있다. 2 개의 제 2 클리닝 부재 (3B) 의 크기 및 형상은 거의 동일하다.
본 실시형태에 있어서, 제 2 클리닝 부재 (3B) 는, XY 평면 내에서의 제 1 클리닝 부재 (3A) 의 양측에 배치되어 있다. 즉, 제 2 클리닝 부재 (3B) 는, XY 평면 내에서 제 1 클리닝 부재 (3A) 의 일방측 (＋X 측), 및 타방측 (－X 측) 의 각각에 배치되어 있다. 본 실시형태에 있어서, Y 축 방향에 관한 제 1 클리닝 부재 (3A) 의 상면 (4A) 의 사이즈 (L1) 과, 제 2 클리닝 부재 (3B) 의 상면 (4B) 의 사이즈 (L2) 는 거의 동일하다. X 축 방향에 관한 제 1 클리닝 부재 (3A) 의 상면 (4A) 의 사이즈 (W1) 와, 제 2 클리닝 부재 (3B) 의 상면 (4B) 의 사이즈 (W2) 는 다르다. 본 실시형태에서는, 사이즈 (W1) 쪽이 사이즈 (W2) 보다 크다.
본 실시형태에 있어서, 제 1 클리닝 부재 (3A) 는, 베이스 부재 (2) 의 표면 (2A) 에 대하여 제 1 높이 (H1) 를 갖고, 제 2 클리닝 부재 (3B) 는, 베이스 부재 (2) 의 표면 (2A) 에 대하여 제 2 높이 (H2) 를 갖는다. 제 1 높이 (H1) 는, Z 축 방향 (베이스 부재 (2) 의 표면 (2A) 의 법선 방향) 에 관한 베이스 부재 (2) 의 표면 (2A) 과 제 1 클리닝 부재 (3A) 의 상면 (4A) 과의 거리이다. 제 2 높이 (H2) 는, Z 축 방향에 관한 베이스 부재 (2) 의 표면 (2A) 과 제 2 클리닝 부재 (3B) 의 상면 (4B) 과의 거리이다. 제 1, 제 2 높이 (H1, H2) 는, 제 1, 제 2 클리닝 부재 (3A, 3B) 가 축소되어 있지 않은 상태 (외력이 작용되지 않은 상태) 에서의 높이이다. 또한, 본 실시형태에서는, 제 1, 제 2 클리닝 부재 (3A, 3B) 가 축소되어 있지 않은 상태 (외력이 작용되지 않은 상태) 에 있어서, 상면 (4A, 4B) 은 대략 평탄하다. 또한, 베이스 부재 (2) 의 표면 (2A) 과, 제 1 클리닝 부재 (3A) 의 상면 (4A) 과, 제 2 클리닝 부재 (3B) 의 상면 (4B) 은 거의 평행하다. 또, 베이스 부재 (2) 의 표면 (2A) 과, 제 1 클리닝 부재 (3A) 의 상면 (4A), 및 제 2 클리닝 부재 (3B) 의 상면 (4B) 중 적어도 일방이 평행하지 않아도 된다. 또한 제 1 클리닝 부재 (3A) 의 상면 (4A) 과 제 2 클리닝 부재 (3B) 의 상면 (4B) 이 평행하지 않아도 된다.
제 1 높이 (H1) 및 제 2 높이 (H2) 는, 클리닝 대상인 노광 장치 (EX) 내의 부재의 표면 형상에 따라서 정해진다. 본 실시형태에서는, 제 2 높이 (H2) 는 제 1 높이 (H1) 보다 높다. 즉, 제 2 클리닝 부재 (3B) 는, 베이스 부재 (2) 의 표면 (2A) 에 대하여 제 1 클리닝 부재 (3A) 보다 높다.
또한, 본 실시형태에서는, 클리닝 공구 (1) 는, 베이스 부재 (2) 상에 배치되고, 클리닝 부재 (3) 의 주위에 배치된 주벽 (周壁) 부재 (5) 를 갖는다. 주벽 부재 (5) 는, 베이스 부재 (2) 의 표면 (2A) 의 외연 (外緣) 에 배치되어 있다. 주벽 부재 (5) 는, 소정의 폭 (W3) 을 갖는 고리 형상의 부재이다.
주벽 부재 (5) 는, 클리닝 액체 (LC) 의 누출을 억제한다. 즉, 주벽 부재 (5) 는, 클리닝 부재 (3) 에 스며들어 있는 클리닝 액체 (LC) 가 베이스 부재 (2) 의 외측으로 누출되는 것을 억제한다. 바꾸어 말하면, 클리닝 부재 (3) 로부터 스며나온 클리닝 액체 (LC) 의, 베이스 부재 (2) 외측으로의 유출을 저지한다.
본 실시형태에 있어서, 주벽 부재 (5) 는 클리닝 부재 (3) 로부터 스며나온 클리닝 액체 (LC) 를 회수한다.
본 실시형태에 있어서, 주벽 부재 (5) 는 스폰지이다. 따라서, 주벽 부재 (5) 는, 클리닝 부재 (3) 로부터 스며나온 클리닝 액체 (LC) 를 흡수하여 회수할 수 있다.
본 실시형태에서는, 노광 장치 (EX) 내의 부재의 클리닝 처리가 실행되기 전의 클리닝 공구 (1) 의 초기 상태에 있어서는, 클리닝 부재 (3) 에는 클리닝 액체 (LC) 가 스며들어가 있고, 주벽 부재 (5) 에는 액체가 스며들어 있지 않다. 즉, 클리닝 공구 (1) 의 초기 상태에 있어서, 주벽 부재 (5) 는 건조 상태이다. 따라서, 주벽 부재 (5) 는, 클리닝 부재 (3) 로부터 스며나오는 클리닝 액체 (LC) 를 양호하게 흡수하여 회수할 수 있다.
또한, 클리닝 공구 (1) 의 초기 상태에 있어서, 주벽 부재 (5) 에 액체가 약간 스며들어 있어도 된다.
주벽 부재 (5) 의 스폰지로서, 예를 들어 폴리비닐알코올제의 스폰지 (PVA 스폰지), 또는 우레탄제의 스폰지 (우레탄 스폰지) 를 사용할 수 있다. 또, 이물질 등의 오염물을 발생하지 않은 재료이면, 스폰지의 재료는 상기의 것에 한정되지 않는다.
주벽 부재 (5) 는, 베이스 부재 (2) 의 표면 (2A) 에 대하여 제 3 높이 (H3) 를 갖는다. 제 3 높이 (H3) 는, Z 축 방향 (베이스 부재 (2) 의 표면 (2A) 의 법선 방향) 에 관한 베이스 부재 (2) 의 표면 (2A) 과 주벽 부재 (5) 의 상면 (4C) 과의 거리이다. 본 실시형태에서는, 상면 (4C) 은 대략 평탄하다. 또한, 베이스 부재 (2) 의 표면 (2A) 과 주벽 부재 (5) 의 상면 (4C) 은 거의 평행하다.
본 실시형태에서는, 제 3 높이 (H3) 는 제 1, 제 2 높이 (H1, H2) 보다 낮다. 즉, 주벽 부재 (5) 는, 베이스 부재 (2) 의 표면 (2A) 에 대하여 클리닝 부재 (3, 3A, 3B) 보다 낮다. 제 3 높이 (H3) 는, 주벽 부재 (5) 가 축소되어 있지 않은 상태 (외력이 작용되어 있지 않은 상태) 에서의 높이이다.
주벽 부재 (5) 는, 클리닝 부재 (3) 보다 클리닝 액체 (LC) 에 대하여 친액성이다. 이것에 의해, 클리닝 부재 (3) 로부터 스며나온 클리닝 액체 (LC) 를 양호하게 회수 (흡수) 할 수 있어, 클리닝 액체 (LC) 의 누출을 억제할 수 있다. 또한, 주벽 부재 (5) 를 클리닝 액체 (LC) 에 대하여 친액성으로 함으로써, 주벽 부재 (5) 의 체적 또는 제 3 높이 (H3) 를 작게 해도, 클리닝 액체 (LC) 를 양호하게 회수 (흡수) 할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 주벽 부재 (5) 의 전부가 스폰지제이지만, 일부만이 스폰지제여도 된다.
다음으로, 클리닝 대상 부재를 포함하는 노광 장치 (EX) 의 일례에 관해서 설명한다. 도 3 은, 본 실시형태에 관련된 노광 장치 (EX) 의 일례를 나타내는 개략 구성도이다. 본 실시형태에서는, 노광 장치 (EX) 가, 노광용 액체 (LQ) 를 통하여 노광광 (EL) 으로 기판 (P) 을 노광하는 액침 노광 장치인 경우를 예로 하여 설명한다.
도 3 에 있어서, 노광 장치 (EX) 는, 마스크 (M) 를 유지하여 이동할 수 있는 마스크 스테이지 (11) 와, 기판 (P) 을 유지하여 이동할 수 있는 기판 스테이지 (12) 와, 마스크 (M) 를 노광광 (EL) 에 의해 조명하는 조명계 (IL) 과, 노광광 (EL) 에 의해 조명된 마스크 (M) 의 패턴의 이미지를 기판 (P) 에 투영하는 투영 광학계 (PL) 와, 노광광 (EL) 의 광로 (K) 의 적어도 일부가 액체 (LQ) 로 채워지도록 액침 공간 (LS) 을 형성할 수 있는 액침 부재 (13) 와, 기판 (P) 을 반송할 수 있는 반송 시스템 (14) 과, 노광 장치 (EX) 전체의 동작을 제어하는 제어 장치 (15) 를 구비하고 있다.
마스크 (M) 는, 기판 (P) 에 투영되는 디바이스 패턴이 형성된 레티클을 포함한다. 마스크 (M) 는, 예를 들어 유리판 등의 투명판 상에 크롬 등의 차광막을 사용하여 소정의 패턴이 형성된 투과형 마스크를 포함한다. 또, 마스크 (M) 로서 반사형 마스크를 사용할 수도 있다. 기판 (P) 은, 디바이스를 제조하기 위한 기판이다. 기판 (P) 은, 예를 들어 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 웨이퍼 등의 기재와, 그 기재 상에 형성된 감광막을 포함한다. 감광막은, 감광재 (포토레지스트) 의 막이다. 또한, 기판 (P) 이 감광막과 별도의 막을 포함해도 된다. 예를 들어, 기판 (P) 이 반사 방지막을 포함해도 되고, 감광막을 보호하는 보호막 (톱코트막) 을 포함해도 된다.
조명계 (IL) 는, 소정의 조명 영역 (IR) 을 균일한 조도 분포의 노광광 (EL) 으로 조명한다. 조명계 (IL) 는, 조명 영역 (IR) 에 배치된 마스크 (M) 의 적어도 일부를 균일한 조도 분포의 노광광 (EL) 으로 조명한다. 조명계 (IL) 에서 사출되는 노광광 (EL) 으로서, 예를 들어 수은 램프로부터 사출되는 휘선 (g 선, h 선, i 선) 및 KrF 엑시머 레이저광 (파장 248㎚) 등의 원자외광 (DUV 광), ArF 엑시머 레이저광 (파장 193㎚) 및 F2 레이저광 (파장 157㎚) 등의 진공 자외광 (VUV 광) 등이 사용된다. 본 실시형태에서는, 노광광 (EL) 으로서 자외광 (진공 자외광) 인 ArF 엑시머 레이저광을 사용한다.
마스크 스테이지 (11) 는, 마스크 (M) 를 릴리스 가능하게 유지하는 마스크 유지부 (11H) 를 갖는다. 본 실시형태에 있어서, 마스크 유지부 (11H) 는, 마스크 (M) 의 패턴 형성면 (하면) 과 XY 평면이 거의 평행해지도록 마스크 (M) 를 유지한다. 마스크 스테이지 (11) 는, 예를 들어 리니어 모터 등의 액추에이터를 포함하는 제 1 구동 시스템 (11D) 의 작동에 의해, 마스크 (M) 를 유지한 상태에서, 조명 영역 (IR) 을 포함하는 XY 평면 내를 이동할 수 있다. 본 실시형태에서는, 마스크 스테이지 (11) 는, 마스크 유지부 (11H) 에 의해 마스크 (M) 를 유지한 상태로, X 축, Y 축, 및 θZ 방향의 3 개 방향으로 이동할 수 있다.
마스크 스테이지 (11) (마스크 (M)) 의 위치 정보는, 간섭계 시스템 (16) 의 레이저 간섭계 (16A) 에 의해서 계측된다. 레이저 간섭계 (16A) 는, 마스크 스테이지 (11) 에 형성된 반사 미러 (11R) 를 사용하여 위치 정보를 계측한다. 제어 장치 (15) 는, 레이저 간섭계 (16A) 의 계측 결과에 기초하여 제 1 구동 시스템 (11D) 을 작동하고, 마스크 스테이지 (11) 에 유지되어 있는 마스크 (M) 의 위치 제어를 실시한다.
투영 광학계 (PL) 는, 소정의 투영 영역 (PR) 에 노광광 (EL) 을 조사한다. 투영 광학계 (PL) 는, 투영 영역 (PR) 에 배치된 기판 (P) 의 적어도 일부에, 마스크 (M) 의 패턴의 이미지를 소정의 투영 배율로 투영한다. 투영 광학계 (PL) 의 복수의 광학 소자는 경통 (17) 에 유지되어 있다. 본 실시형태의 투영 광학계 (PL) 는, 그 투영 배율이 예를 들어 1/4, 1/5, 또는 1/8 등의 축소계이다. 또한, 투영 광학계 (PL) 는 등배계 및 확대계 중 어느 것이어도 된다. 본 실시형태에서는, 투영 광학계 (PL) 의 광축 (AX) 은 Z 축 방향과 평행하다. 또, 투영 광학계 (PL) 는, 반사 광학 소자를 포함하지 않는 굴절계, 굴절 광학 소자를 포함하지 않는 반사계, 반사 광학 소자와 굴절 광학 소자를 포함하는 반사 굴절계 중 어느 것이어도 된다. 또한, 투영 광학계 (PL) 는, 도립상과 정립상 중 어느 것을 형성해도 된다.
기판 스테이지 (12) 는, 기판 (P) 을 릴리스 가능하게 유지하는 기판 유지부 (12H) 를 갖는다. 본 실시형태에 있어서, 기판 유지부 (12H) 는, 기판 (P) 의 표면 (노광면) 과 XY 평면이 거의 평행해지도록 기판 (P) 을 유지한다. 기판 스테이지 (12) 는, 예를 들어 리니어 모터 등의 액추에이터를 포함하는 제 2 구동 시스템 (12D) 의 작동에 의해, 기판 (P) 을 유지한 상태로, 정반 (18) 의 상면 (가이드면: 18G) 을 따라서, 투영 영역 (PR) 을 포함하는 XY 평면 내를 이동할 수 있다. 본 실시형태에서는, 기판 스테이지 (12) 는, 기판 유지부 (12H) 에 의해 기판 (P) 을 유지한 상태로, X 축, Y 축, Z 축, θX, θY, 및 θZ 방향의 6 개 방향으로 이동할 수 있다.
기판 스테이지 (12) 는, 기판 유지부 (12H) 의 주위에 배치된 상면 (12T) 을 갖는다. 기판 유지부 (12H) 는, 기판 스테이지 (12) 상에 형성된 오목부 (12C) 에 배치되어 있다. 기판 스테이지 (12) 의 상면 (12T) 은 평탄하고, XY 평면과 거의 평행하다. 기판 유지부 (12H) 에 유지된 기판 (P) 의 표면과 기판 스테이지 (12) 의 상면 (12T) 은, 거의 동일 평면 내에 배치된다 (거의 면일 (面一) 하다).
기판 스테이지 (12) (기판 (P)) 의 X 축, Y 축, 및 θZ 방향의 위치 정보는, 간섭계 시스템 (16) 의 레이저 간섭계 (16B) 에 의해서 계측된다. 레이저 간섭계 (16B) 는, 기판 스테이지 (12) 에 형성된 반사 미러 (12R) 를 사용하여 위치 정보를 계측한다. 또한, 기판 스테이지 (12) 에 유지되어 있는 기판 (P) 의 표면의 위치 정보 (Z 축, θX, 및 θY 방향에 관한 위치 정보) 가 포커스·레벨링 검출 시스템 (도시 생략) 에 의해서 검출된다. 제어 장치 (15) 는, 레이저 간섭계 (16B) 의 계측 결과 및 포커스·레벨링 검출 시스템의 검출 결과에 기초하여 제 2 구동 시스템 (12D) 를 작동시켜, 기판 스테이지 (12) 에 유지되어 있는 기판 (P) 의 위치 제어를 실시한다.
반송 시스템 (14) 은, 기판 (P) 을 반송할 수 있다. 본 실시형태에 있어서, 반송 시스템 (14) 은, 노광 전의 기판 (P) 을 기판 유지부 (12H) 에 반입 (로드) 시킬 수 있고, 노광 후의 기판 (P) 을 기판 유지부 (12H) 로부터 반출 (언로드) 시킬 수 있다.
제어 장치 (15) 는, 기판 (P) 을 기판 유지부 (12H) 에 로드할 때, 기판 스테이지 (12) 를, 투영 광학계 (PL) 로부터 사출되는 노광광 (EL) 의 조사 위치 (EP) 와 상이한 기판 교환 위치 (CP) 로 이동시킨다. 또한, 제어 장치 (15) 는, 기판 (P) 을 기판 유지부 (12H) 로부터 언로드할 때, 기판 스테이지 (12) 를 기판 교환 위치 (CP) 로 이동시킨다.
기판 스테이지 (12) 는, 노광광 (EL) 의 조사 위치 (EP) 및 기판 교환 위치 (CP) 를 포함하는 가이드면 (18G) 의 소정 영역 내를 이동할 수 있다. 반송 시스템 (14) 은, 기판 교환 위치 (CP) 로 이동한 기판 스테이지 (12) 의 기판 유지부 (12H) 에 대한 기판 (P) 의 반입 동작 (로딩 동작) 을 실행할 수 있고, 기판 스테이지 (12) 의 기판 유지부 (12H) 로부터의 기판 (P) 의 반출 동작 (언로딩 동작) 을 실행할 수 있다. 제어 장치 (15) 는, 반송 시스템 (14) 을 사용하여, 기판 교환 위치 (CP) 로 이동한 기판 스테이지 (12) (기판 유지부 (12H)) 로부터 노광 후의 기판 (P) 을 반출하는 언로딩 동작, 및 다음에 노광될 노광 전의 기판 (P) 을 기판 스테이지 (12) (기판 유지부 (12H)) 에 로드하는 로딩 동작을 포함한 기판 교환 처리를 실행할 수 있다.
액침 부재 (13) 는, 노광광 (EL) 의 광로 (K) 의 적어도 일부가 노광용 액체 (LQ) 로 채워지도록 액체 (LQ) 로 액침 공간 (LS) 을 형성할 수 있다. 액침 공간 (LS) 은, 액체 (LQ) 로 채워진 공간이다. 본 실시형태에서는, 액체 (LQ) 로서 물 (순수) 을 사용한다.
본 실시형태에 있어서, 액침 공간 (LS) 은, 투영 광학계 (PL) 의 복수의 광학 소자 중, 투영 광학계 (PL) 의 이미지면에 가장 가까운 종단 광학 소자 (19) 로부터 사출되는 노광광 (EL) 의 광로 (K) 가 액체 (LQ) 로 채워지도록 형성된다. 종단 광학 소자 (19) 는, 투영 광학계 (PL) 의 이미지면을 향하여 노광광 (EL) 을 사출하는 사출면 (20) 을 갖는다. 액침 공간 (LS) 은, 종단 광학 소자 (19) 와, 그 종단 광학 소자 (19) 의 사출면 (20) 과 대향하는 위치에 배치된 물체 사이의 광로 (K) 가 액체 (LQ) 로 채워지도록 형성된다. 사출면 (20) 과 대향하는 위치는, 사출면 (20) 으로부터 사출되는 노광광 (EL) 의 조사 위치 (EP) 를 포함한다.
액침 부재 (13) 는, 종단 광학 소자 (19) 의 근방에 배치되어 있다. 액침 부재 (13) 는, 종단 광학 소자 (19) 와, 사출면 (20) 으로부터 사출되는 노광광 (EL) 의 조사 위치 (EP) 에 배치된 물체 사이의 노광광 (EL) 의 광로 (K) 가 액체 (LQ) 로 채워지도록 액침 공간 (LS) 을 형성할 수 있다. 액침 부재 (13) 는, 사출면 (20) 으로부터 사출되는 노광광 (EL) 의 광로 (K) 주위에 배치되고, 노광광 (EL) 의 조사 위치 (EP) 에 배치된 물체의 표면과의 사이에서 액체 (LQ) 를 유지할 수 있는 하면 (21) 을 갖는다. 본 실시형태에 있어서, 사출면 (20) 과 대향 가능한 물체는 하면 (21) 과 대향 가능하다. 물체의 표면이 사출면 (20) 과 대향하는 위치에 배치되었을 때, 하면 (21) 의 적어도 일부와 물체의 표면이 대향한다. 사출면 (20) 과 물체의 표면이 대향하고 있을 때, 종단 광학 소자 (19) 는, 사출면 (20) 과 물체 표면과의 사이에 액체 (LQ) 를 유지할 수 있다. 또한, 하면 (21) 과 물체 표면이 대향하고 있을 때, 액침 부재 (13) 는, 하면 (21) 과 물체 표면과의 사이에 액체 (LQ) 를 유지할 수 있다. 일방측의 사출면 (20) 및 하면 (21) 과 타방측의 물체 표면과의 사이에 액체 (LQ) 가 유지됨으로써, 종단 광학 소자 (19) 의 사출면 (20) 과 물체 표면 사이의 노광광 (EL) 의 광로 (K) 가 액체 (LQ) 로 채워지도록 액침 공간 (LS) 이 형성된다.
본 실시형태에 있어서, 사출면 (20) 및 하면 (21) 과 대향 가능한 물체는, 종단 광학 소자 (19) 의 사출측 (이미지면측) 에서 이동할 수 있는 물체를 포함하고, 노광광 (EL) 의 조사 위치 (EP) 를 포함하는 소정 면 내에서 이동할 수 있는 물체를 포함한다. 본 실시형태에 있어서 그 물체는, 기판 스테이지 (12), 및 그 기판 스테이지 (12) 에 유지된 기판 (P) 중 적어도 일방을 포함한다.
기판 (P) 의 노광시에는, 기판 스테이지 (12) 에 유지된 기판 (P) 이, 종단 광학 소자 (19) 및 액침 부재 (13) 와 대향하도록 노광광 (EL) 의 조사 위치 (EP) 에 배치된다. 적어도 기판 (P) 의 노광시에는, 종단 광학 소자 (19) 의 사출면 (20) 으로부터 사출되는 노광광 (EL) 의 광로 (K) 가 액체 (LQ) 로 채워지도록 종단 광학 소자 (19) 및 액침 부재 (13) 와 기판 (P) 사이에 액체 (LQ) 가 유지되어, 액침 공간 (LS) 이 형성된다.
본 실시형태에서는, 투영 광학계 (PL) 의 투영 영역 (PR) 을 포함하는 기판 (P) 표면의 일부의 영역이 액체 (LQ) 로 덮여지도록 액침 공간 (LS) 이 형성된다. 액체 (LQ) 의 계면 (메니스커스, 에지) (LG) 은, 액침 부재 (13) 의 하면 (21) 과 기판 (P) 표면과의 사이에 형성된다. 즉, 본 실시형태의 노광 장치 (EX) 는 국소 액침 방식을 채용한다.
다음으로, 액침 부재 (13) 에 관해서, 도 4 ∼ 도 6 을 참조하여 설명한다. 도 4 는 액침 부재 (13) 의 근방을 나타내는 YZ 평면과 평행한 측단면도, 도 5 는 XZ 평면과 평행한 측단면도, 도 6 은 액침 부재 (13) 를 하측 (-Z 측) 에서 본 사시도이다.
또한, 이하의 설명에 있어서는, 주로, 종단 광학 소자 (19) 의 사출면 (20) 및 액침 부재 (13) 의 하면 (21) 과 대향하는 위치에 기판 (P) 이 배치되어 있는 상태를 예로 하여 설명하는데, 전술한 바와 같이, 종단 광학 소자 (19) 의 사출면 (20) 및 액침 부재 (13) 의 하면 (21) 과 대향하는 위치에는, 기판 스테이지 (12) 등 기판 (P) 이외의 물체도 배치할 수 있다.
액침 부재 (13) 는 고리 형상의 부재로서, 노광광 (EL) 의 광로 (K) 의 주위에 배치되어 있다. 본 실시형태에서는, 액침 부재 (13) 는, 종단 광학 소자 (19) 의 주위에 배치되는 상판부 (22) 와, Z 축 방향에 관해서 적어도 일부가 종단 광학 소자 (19) 의 사출면 (20) 과 기판 (P) 의 표면과의 사이에 배치되는 하판부 (23) 를 갖는다.
상판부 (22) 는, 종단 광학 소자 (19) 의 외주면과 대향하고, 그 외주면을 따라 형성된 내주면을 갖는다. 상판부 (22) 의 내주면과, 종단 광학 소자 (19) 의 외주면은, 소정의 간극을 사이에 두고 대향한다.
하판부 (23) 는, 중앙에 개구 (24) 를 갖는다. 종단 광학 소자 (19) 의 사출면 (20) 으로부터 사출된 노광광 (EL) 은 개구 (24) 를 통과할 수 있다. 예를 들어, 기판 (P) 의 노광 중, 사출면 (20) 으로부터 사출된 노광광 (EL) 은 개구 (24) 를 통과하고, 액체 (LQ) 를 통하여 기판 (P) 의 표면에 조사된다. 본 실시형태에서는, 개구 (24) 에 있어서의 노광광 (EL) 의 단면 형상은 X 축 방향을 길이 방향으로 하는 대략 직사각형상 (슬릿상) 이다. 개구 (24) 는, 노광광 (EL) 의 단면 형상에 따라서, XY 방향에서 대략 직사각형상 (슬릿상) 으로 형성되어 있다. 또한, 개구 (24) 에서의 노광광 (EL) 의 단면 형상과, 기판 (P) 에서의 투영 광학계 (PL) 의 투영 영역 (PR) 의 형상과는 거의 동일하다.
본 실시형태에 있어서, 액침 부재 (13) 는, 광로 (K) 의 주위에 배치되고, 종단 광학 소자 (19) 의 사출면 (20) 과 소정의 간극을 사이에 두고 대향하는 상면 (33) 을 갖는다. 본 실시형태에서는, 상면 (33) 은 하판부 (23) 의 상면을 포함한다. 상면 (33) 은 평탄하며, XY 평면과 거의 평행하다. 상면 (33) 은, 개구 (24) 의 주위에 배치되어 있다.
액침 부재 (13) 의 하면 (21) 은, 노광광 (EL) 의 광로 (K) 주위에 배치된 제 1 면 (25) 과, 제 1 면 (25) 의 주위의 일부에 배치된 제 2 면 (26) 과, 제 1 면 (25) 의 주위의 일부에 배치된 제 3 면 (27) 을 포함한다.
제 1 면 (25) 은, 기판 (P) 의 노광 중에 기판 (P) 과의 사이에서 액체 (LQ) 를 유지한다. 본 실시형태에서는, 제 1 면 (25) 은 평탄하며, 기판 (P) 의 표면 (XY 평면) 과 거의 평행하다. 본 실시형태에서는, XY 평면 내에서의 제 1 면 (25) 의 외형은 직사각형상이다. 제 1 면 (25) 의 외형은, X 축 방향으로 길고, X 축 방향에 관해서 사이즈 (W11) 를 가지며, Y 축 방향에 관해서 사이즈 (L11) 를 갖는다.
본 실시형태에서는, 제 1 면 (25) 은 하판부 (23) 의 하면을 포함한다. 제 1 면 (25) 은 개구 (24) 주위에 배치되어 있다. 제 1 면 (25) 은, 액체 (LQ) 를 회수 불가능하다.
제 2 면 (26) 은, 노광광 (EL) 의 광로 (K) 에 대하여 제 1 면 (25) 의 외측에 배치되어 있다. 제 2 면 (26) 은, Y 축 방향에 관해서 노광광 (EL) 의 광로 (K) 의 양측에 배치되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 제 2 면 (26) 은, 제 1 면 (25) 에 대하여 Y 축 방향 일방측 (＋Y 측) 과 타방측 (-Y 측) 의 각각에 형성되어 있다.
제 2 면 (26) 은, 기판 (P) 의 노광 중에, 기판 (P) 표면과의 사이에서 액체 (LQ) 를 유지할 수 있다. 제 2 면 (26) 은, 기판 (P) 의 표면에 대하여 제 1 면 (25) 보다도 떨어진 위치에 배치되어 있다. 제 2 면 (26) 은, Y 축 방향에 관해서 노광광 (EL) 의 광로로부터 멀어지는 방향 (방사 방향) 에 있어서, 기판 (P) 표면으로부터 서서히 멀어지도록 기울어져 있다. 제 2 면 (26) 은, 액체 (LQ) 를 회수 불가능하다.
본 실시형태에 있어서, 노광광 (EL) 의 광로 (K) 에 대하여 ＋Y 측에 배치된 제 2 면 (26) 의 -Y 측 에지와 제 1 면 (25) 의 ＋Y 측 에지는, Z 축 방향에 관해서 상이한 위치 (높이) 에 배치되어 있다. 또한, 노광광 (EL) 의 광로 (K) 에 대하여 -Y 측에 배치된 제 2 면 (26) 의 ＋Y 측 에지와 제 1 면 (25) 의 -Y 측 에지는, Z 축 방향에 관해서 상이한 위치 (높이) 에 배치되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 제 1 면 (25) 과 제 2 면 (26) 사이에 단차 (28) 가 형성되어 있다.
또한, 본 실시형태에서는, XY 평면 내에서의 제 2 면 (26) 의 외형은, 제 1 면 (25) 의 ＋Y 측, -Y 측 에지와 인접하는 부분을 윗변으로 하는 사다리꼴이다.
제 3 면 (27) 은, 노광광 (EL) 의 광로 (K) 에 대하여 제 1 면 (25) 의 외측에 배치되어 있다. 제 3 면 (27) 은, X 축 방향에 관해서 노광광 (EL) 의 광로 (K) 의 양측에 배치되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 제 3 면 (27) 은, 제 1 면 (25) 에 대하여 X 축 방향 일방측 (＋X 측) 과 타방측 (－X 측) 의 각각에 형성되어 있다.
제 3 면 (27) 은, 액체 (LQ) 를 회수할 수 있는 액체 회수면을 포함한다. 제 3 면 (27) 은, 기판 (P) 의 표면 (XY 평면) 과 거의 평행하다. 제 3 면 (27) 은, 기판 (P) 의 노광 중에, 그 제 3 면 (27) 과 대향하는 기판 (P) 상의 액체 (LQ) 를 회수할 수 있다. 본 실시형태에 있어서, 제 3 면 (27) 은, 다공 부재 (30) 의 표면 (하면) 을 포함한다. 제 3 면 (27) 과 대향하는 위치에 배치된 기판 (P) 상의 액체 (LQ) 의 적어도 일부는, 다공 부재 (30) 의 구멍을 통해서 회수된다. 제 3 면 (27) 은, 그 제 3 면 (27) (다공 부재 (30) 의 표면) 에 접촉한 액체 (LQ) 를 회수할 수 있다.
본 실시형태에 있어서, Z 축 방향에 관해서, 제 1 면 (25) 의 위치와 제 3 면 (27) 의 위치가 상이하다. 본 실시형태에 있어서, 노광광 (EL) 의 광로 (K) 에 대하여 ＋X 측에 배치된 제 3 면 (27) 의 －X 측 에지와 제 1 면 (25) 의 ＋X 측 에지는, Z 축 방향에 관해서 상이한 위치 (높이) 에 배치되어 있다. 또한, 노광광 (EL) 의 광로 (K) 에 대하여 －X 측에 배치된 제 3 면 (27) 의 ＋X 측 에지와 제 1 면 (25) 의 －X 측 에지는, Z 축 방향에 관해서 상이한 위치 (높이) 에 배치되어 있다.
본 실시형태에 있어서, 제 3 면 (27) 이, 제 1 면 (25) 에 대하여 ＋Z 측에 배치된다. 즉, 제 3 면 (27) 은, 기판 (P) 의 표면에 대하여 제 1 면 (25) 보다도 떨어진 위치에 배치되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 제 1 면 (25) 과 제 3 면 (27) 사이에 단차 (29) 가 형성되어 있다.
또한, 본 실시형태에서는, XY 평면 내에서의 제 3 면 (27) 의 외형은, 제 1 면 (25) 의 ＋X 측, －X 측 에지와 인접하는 부분을 윗변으로 하는 사다리꼴이다. 제 3 면 (27) 의 각각은, X 축 방향에 관해서 사이즈 (W12) 를 갖고, Y 축 방향에 관해서 사이즈 (L12) 를 갖는다.
액침 부재 (13) 는, 액체 (LQ) 를 공급하는 액체 공급구 (31) 와, 액체 (LQ) 를 회수하는 액체 회수구 (32) 를 갖는다. 액체 공급구 (31) 는, 액침 공간 (LS) 을 형성하기 위해서, 광로 (K) 를 향하여 액체 (LQ) 를 공급한다. 액체 회수구 (32) 는, 액침 부재 (13) 의 하면 (21) 과 대향하는 기판 (P) 상의 액체 (LQ) 의 적어도 일부를 회수한다.
액체 공급구 (31) 는, 광로 (K) 의 근방에 있어서, 그 광로 (K) 에 면하도록 액침 부재 (13) 의 소정 위치에 배치되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 액체 공급구 (31) 는, 사출면 (20) 과 상면 (33) 사이의 공간의 근방에 배치되어 있다.
액체 공급구 (31) 는, 유로 (34) 를 통해서 액체 공급 장치 (35) 와 접속되어 있다. 액체 공급 장치 (35) 는, 청정하고 온도 조정된 액체 (LQ) 를 송출 가능하다. 유로 (34) 는, 액침 부재 (13) 의 내부에 형성된 공급 유로, 및 그 공급 유로와 액체 공급 장치 (35) 를 접속하는 공급관으로 형성되는 유로를 포함한다. 액체 공급 장치 (35) 로부터 송출된 액체 (LQ) 는, 유로 (34) 를 통해서 액체 공급구 (31) 에 공급된다. 액체 공급구 (31) 는, 액체 공급 장치 (35) 로부터의 액체 (LQ) 를 광로 (K) 에 공급한다.
액체 회수구 (32) 는, 기판 (P) 의 표면과 대향하도록 액침 부재 (13) 의 소정 위치에 배치되어 있다. 액체 회수구 (32) 는, 광로 (K) 에 대하여 제 1 면 (25) 의 외측에 배치되어 있다. 액체 회수구 (32) 는, X 축 방향에 관해서 광로 (K) 의 양측에 배치되어 있다. 액체 회수구 (32) 에는, 복수의 구멍 (openings 또는 pores) 을 포함하는 플레이트 형상의 다공 부재 (30) 가 배치되어 있다. 즉, 본 실시형태에서는, 제 3 면 (액체 회수면) (27) 은, 액체 회수구 (32) 에 배치된 다공 부재 (30) 의 표면 (하면) 을 포함한다. 또, 액체 회수구 (32) 에, 메시 형상으로 다수의 작은 구멍이 형성된 다공 부재인 메시 필터가 배치되어도 된다.
액체 회수구 (32) (제 3 면 (27)) 는, 유로 (36) 를 통해서 액체 회수 장치 (37) 와 접속되어 있다. 액체 회수 장치 (37) 는 진공 시스템을 포함하여, 액체 (LQ) 를 흡인해서 회수할 수 있다. 유로 (36) 는, 액침 부재 (13) 의 내부에 형성된 회수 유로, 및 그 회수 유로와 액체 회수 장치 (37) 를 접속시키는 회수관으로 형성되는 유로를 포함한다. 액체 회수구 (32) (제 3 면 (27)) 로부터 회수된 액체 (LQ) 는, 유로 (36) 를 통해서 액체 회수 장치 (37) 에 회수된다.
본 실시형태에서는, 제어 장치 (15) 는, 액체 공급구 (31) 를 사용한 액체 (LQ) 의 공급 동작과 병행하여 액체 회수구 (32) 를 사용한 액체 (LQ) 의 회수 동작을 실행함으로써, 일방측의 종단 광학 소자 (19) 및 액침 부재 (13) 와, 타방측의 기판 (P) (물체) 과의 사이에서 액체 (LQ) 로 액침 공간 (LS) 을 형성할 수 있다.
액침 부재 (13) 는, 하면 (21) 과 대향하는 위치에 기판 (P) 이 배치되어 있을 때, 적어도 제 1 면 (25) 과 기판 (P) 표면과의 사이에서 액체 (LQ) 를 유지할 수 있다. 본 실시형태에서는, 액침 부재 (13) 중 적어도 제 1 면 (25) 은 액체 (LQ) 에 대하여 친액성으로, 기판 (P) 이 XY 방향으로 이동한 경우에서도, 액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ) 와 계속해서 접촉할 수 있다.
도 7a 는, 기판 유지부 (12H) 에 클리닝 공구 (1) 가 유지되어 있는 상태를 나타내는 평면도, 도 7b 는 측단면도이다. 전술한 바와 같이, 클리닝 공구 (1) 의 베이스 부재 (2) 의 외형은 기판 (P) 의 외형과 거의 동일하다. 도 7a 및 도 7b 에 나타내는 바와 같이, 기판 유지부 (12H) 는, 베이스 부재 (2) 의 이면 (裏面) (2B) 을 유지할 수 있다. 기판 유지부 (12H) 는, 클리닝 공구 (1) (베이스 부재 (2)) 를 릴리스 가능하게 유지한다.
또한, 본 실시형태에서는, 반송 시스템 (14) 은, 클리닝 공구 (1) 를 반송할 수 있다. 반송 시스템 (14) 은, 클리닝 공구 (1) 를 기판 유지부 (12H) 에 반입 (로드) 할 수 있고, 클리닝 공구 (1) 를 기판 유지부 (12H) 로부터 반출 (언로드) 할 수 있다.
제어 장치 (15) 는, 클리닝 공구 (1) 를 기판 유지부 (12H) 에 로드할 때, 기판 스테이지 (12) 를 기판 교환 위치 (CP) 로 이동시킨다. 또한, 제어 장치 (15) 는, 클리닝 공구 (1) 를 기판 유지부 (12H) 로부터 언로드할 때, 기판 스테이지 (12) 를 기판 교환 위치 (CP) 로 이동시킨다.
다음으로, 상기 서술한 노광 장치 (EX) 를 사용하여 기판 (P) 을 노광하는 방법의 일례에 관해서 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 종단 광학 소자 (19) 의 사출면 (20) 으로부터 사출되는 노광광 (EL) 의 조사 위치 (EP) 를 적당히 노광 위치 (EP) 라고 한다.
제어 장치 (15) 는, 기판 스테이지 (12) 를 기판 교환 위치 (CP) 로 이동시키고, 반송 시스템 (14) 을 사용하여, 기판 교환 위치 (CP) 에 배치된 기판 스테이지 (12) 에 노광 전의 기판 (P) 을 로드한다. 제어 장치 (15) 는, 노광 전의 기판 (P) 을 유지한 기판 스테이지 (12) 를 노광 위치 (EP) 로 이동시킨다.
제어 장치 (15) 는, 종단 광학 소자 (19) 및 액침 부재 (13) 와, 노광 위치 (EP) 로 이동한 기판 스테이지 (12) 에 유지되어 있는 기판 (P) 사이의 광로 (K) 가 액체 (LQ) 로 채워지도록 액침 공간 (LS) 을 형성한다.
본 실시형태의 노광 장치 (EX) 는, 마스크 (M) 와 기판 (P) 을 소정의 주사 방향으로 동기 이동시키면서, 마스크 (M) 의 패턴 이미지를 기판 (P) 에 투영하는 주사형 노광 장치 (이른바 스캐닝 스테퍼) 이다. 기판 (P) 의 노광시, 제어 장치 (15) 는, 마스크 스테이지 (11) 및 기판 스테이지 (12) 를 제어하여, 마스크 (M) 및 기판 (P) 을 광축 (AX) (노광광 (EL) 의 광로 (K)) 과 교차하는 XY 평면 내의 소정의 주사 방향으로 이동시킨다. 본 실시형태에서는, 기판 (P) 의 주사 방향 (동기 이동 방향) 을 Y 축 방향으로 하고, 마스크 (M) 의 주사 방향 (동기 이동 방향) 도 Y 축 방향으로 한다. 제어 장치 (15) 는, 기판 (P) 을 투영 광학계 (PL) 의 투영 영역 (PR) 에 대하여 Y 축 방향으로 이동시킴과 함께, 그 기판 (P) 의 Y 축 방향으로의 이동과 동기하여, 조명계 (IL) 의 조명 영역 (IR) 에 대해 마스크 (M) 를 Y 축 방향으로 이동시키면서, 투영 광학계 (PL) 와 기판 (P) 상의 액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ) 를 통하여 기판 (P) 에 노광광 (EL) 을 조사한다. 이것에 의해, 마스크 (M) 의 패턴 이미지가 기판 (P) 에 투영되고, 기판 (P) 은 노광광 (EL) 에 의해 노광된다.
노광 후의 기판 (P) 은, 기판 스테이지 (12) 로부터 언로드된다. 제어 장치 (15) 는, 노광 후의 기판 (P) 을 기판 스테이지 (12) 로부터 언로드하기 위해서 기판 스테이지 (12) 를 기판 교환 위치 (CP) 에 이동시킨다. 제어 장치 (15) 는 반송 시스템 (14) 을 사용하여, 그 기판 교환 위치 (CP) 에 배치된 기판 스테이지 (12) 로부터 노광 후의 기판 (P) 을 언로드한다.
제어 장치 (15) 는, 노광 전 기판 (P) 의 로드 동작, 기판 (P) 의 노광 동작, 및 노광 후 기판 (P) 의 언로드 동작을 반복하여, 복수의 기판 (P) 을 순차적으로 액침 노광한다.
본 실시형태에서는, 소정의 타이밍으로, 상기 서술한 클리닝 공구 (1) 를 사용하여 노광 장치 (EX) 내의 부재를 클리닝하는 클리닝 처리가 실행된다. 다음으로, 클리닝 공구 (1) 를 사용하여 노광 장치 (EX) 내의 부재를 클리닝하는 방법에 관해서, 도 8 의 플로우차트, 및 도 9a, 도 9b, 도 10, 도 11 의 모식도를 참조하여 설명한다. 본 실시형태에서는, 클리닝 공구 (1) 를 사용하여 액침 부재 (13) 의 하면 (21) 을 클리닝하는 경우를 예로 들어 설명한다.
본 실시형태에 있어서, 클리닝 공구 (1) 를 사용하여 액침 부재 (13) 를 클리닝 처리할 때, 액침 공간 (LS) 의 형성이 해제된다. 즉, 클리닝 처리할 때, 액침 부재 (13) 의 하면 (21) 측으로부터 액체 (LQ) 가 제거된다. 또한, 액침 부재 (13) 의 액체 공급구 (31) 및 공급 유로, 액체 회수구 (32) 및 회수 유로의 액체 (LQ) 도 제거된다.
도 8 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에서는, 제 1 클리닝 액체 (LC1) 를 스며들게 한 클리닝 부재 (3) 를 갖는 제 1 클리닝 공구 (1A) 를 노광 장치 (EX) 에 반입하는 처리 (단계 S1) 와, 그 제 1 클리닝 액체 (LC1) 를 스며들게 한 제 1 클리닝 공구 (1A) 의 클리닝 부재 (3) 와 액침 부재 (13) 의 하면 (21) 을 접촉시켜, 그 액침 부재 (13) 의 하면 (21) 을 클리닝하는 처리 (단계 S2) 와, 제 1 클리닝 공구 (1A) 를 사용한 클리닝 처리 후, 그 제 1 클리닝 공구 (1A) 를 노광 장치 (EX) 로부터 반출하는 처리 (단계 S3) 와, 제 1 클리닝 액체 (LC1) 와 상이한 제 2 클리닝 액체 (LC2) 를 스며들게 한 클리닝 부재 (3) 를 갖는 제 2 클리닝 공구 (1B) 를 노광 장치 (EX) 에 반입하는 처리 (단계 S4) 와, 그 제 2 클리닝 액체 (LC2) 를 스며들게 한 제 2 클리닝 공구 (1B) 의 클리닝 부재 (3) 와 액침 부재 (13) 의 하면 (21) 을 접촉시켜, 그 액침 부재 (13) 의 하면 (21) 을 클리닝하는 처리 (단계 S5) 와, 제 2 클리닝 공구 (1B) 를 사용하는 클리닝 처리 후, 그 제 2 클리닝 공구 (1B) 를 노광 장치 (EX) 로부터 반출하는 처리 (단계 S6) 와, 제 1, 제 2 클리닝 공구 (1A, 1B) 를 사용한 클리닝 처리 후, 기판 (P) 의 노광 전에, 액침 부재 (13) 로부터 클리닝 액체를 제거하기 위해, 액체 (LQ) 를 공급하는 플러싱 처리 (단계 S7) 를 포함한다.
액침 부재 (13) 를 클리닝하기 위해서, 제 1 클리닝 공구 (1A) 가 노광 장치 (EX) 에 반입된다. 클리닝 처리를 실행하기 전의 제 1 클리닝 공구 (1A) 의 클리닝 부재 (3) 에는, 제 1 클리닝 액체 (LC1) 가 미리 스며들어가 있다. 본 실시형태에 있어서, 제 1 클리닝 액체 (LC1) 는 알칼리를 함유하는 알칼리 세정액이다. 한편, 주벽 부재 (5) 는 건조 상태이다.
본 실시형태에서는, 반송 시스템 (14) 및 기판 스테이지 (12) 에 의해, 제 1 클리닝 공구 (1A) 가 액침 부재 (13) 와 대향하는 위치로 반입된다. 본 실시형태에 있어서, 반송 시스템 (14) 이 제 1 클리닝 공구 (1A) 를 기판 스테이지 (12) 상에 로드하여, 기판 스테이지 (12) 가 제 1 클리닝 공구 (1A) 를 액침 부재 (13) 와 대향하는 위치로 이동시킨다.
도 9a 및 도 9b 는, 제 1 클리닝 공구 (1A) 를 액침 부재 (13) 와 대향하는 위치로 반입시키는 동작의 일례를 나타내는 모식도이다. 도 9a 에 나타내는 바와 같이, 기판 교환 위치 (CP) 에 배치된 기판 스테이지 (12) 의 기판 유지부 (12H) 에 제 1 클리닝 공구 (1A) 가 로드된다. 본 실시형태에서는, 제어 장치 (15) 는, 기판 스테이지 (12) 를 기판 교환 위치 (CP) 로 이동시키고, 반송 시스템 (14) 을 사용하여, 그 기판 교환 위치 (CP) 에 배치된 기판 스테이지 (12) (기판 유지부 (12H)) 에 제 1 클리닝 공구 (1A) 를 로드한다. 기판 유지부 (12H) 는, 로드된 제 1 클리닝 공구 (1A) 의 베이스 부재 (2) 의 이면 (2B) 을 유지한다.
다음으로, 도 9b 에 나타내는 바와 같이, 제어 장치 (15) 는, 제 1 클리닝 공구 (1A) 를 유지한 기판 스테이지 (12) 를 이동시켜, 제 1 클리닝 공구 (1A) 를 액침 부재 (13) 와 대향하는 위치 (노광 위치 (EP)) 에 배치한다 (단계 S1).
또, 제 1 클리닝 공구 (1A) 를 유지한 상태로 기판 교환 위치 (CP) 에서 노광 위치 (EP) 로 기판 스테이지 (12) 를 이동시킬 때의 기판 스테이지 (12) 의 Z 축 방향에 관한 위치 (높이) 를, 기판 (P) 을 노광하기 위해서 기판 (P) 을 유지한 상태로 기판 교환 위치 (CP) 에서 노광 위치 (EP) 로 기판 스테이지 (12) 를 이동시킬 때의 기판 스테이지 (12) 의 Z 축 방향에 관한 위치 (높이) 보다 낮게 할 수 있다. 이것에 의해, 기판 스테이지 (12) 가 기판 교환 위치 (CP) 로부터 노광 위치 (EP) 로 이동 (진입) 할 때, 베이스 부재 (2) 상의 클리닝 부재 (3) 및 주벽 부재 (5) 가 액침 부재 (13) 에 접촉하는 것이 억제된다.
또한, 제 1 클리닝 공구 (1A) 가 유지된 상태로 기판 교환 위치 (CP) 에서 노광 위치 (EP) 로 기판 스테이지 (12) 를 이동시킬 때의 기판 스테이지 (12) 의 이동 속도 (진입 속도) 를, 기판 (P) 을 노광하기 위해서 기판 (P) 이 유지된 상태로 기판 교환 위치 (CP) 에서 노광 위치 (EP) 로 기판 스테이지 (12) 를 이동시킬 때의 기판 스테이지 (12) 의 이동 속도 (진입 속도) 보다 느리게 해도 된다.
다음으로, 제어 장치 (15) 는, 기판 스테이지 (12) 를 Z 축 방향으로 이동시키고, 기판 유지부 (12H) 에 유지되어 있는 제 1 클리닝 공구 (1A) 와 액침 부재 (13) 의 위치 관계를 조정하여, 제 1 클리닝 공구 (1A) 의 제 1 클리닝 액체 (LC1) 를 스며들게 한 클리닝 부재 (3) 와, 액침 부재 (13) 의 하면 (21) 을 접촉시킨다 (단계 S2). 이로써, 액침 부재 (13) 의 하면 (21) 이 제 1 클리닝 공구 (1A) 에 의해 클리닝된다.
도 10 은, 클리닝 부재 (3) 와 액침 부재 (13) 의 하면 (21) 이 접촉하고 있는 상태를 나타내는 도면이다. 본 실시형태에서는, 액침 부재 (13) 의 하면 (21) 의 형상에 따라서, 제 1, 제 2 클리닝 부재 (3A, 3B) 의 제 1, 제 2 높이 (H1, H2) 가 정해져 있다. 전술한 바와 같이 본 실시형태에서는, 액침 부재 (13) 의 하면 (21) 은, Z 축 방향에 관해서 위치가 상이한 제 1 면 (25) 과 제 3 면 (27) 을 포함한다. 본 실시형태에서는, 스폰지로 이루어지는 제 1, 제 2 클리닝 부재 (3A, 3B) 가 축소되어 있지 않은 상태로, 제 1 클리닝 부재 (3A) 의 상면 (4A) 이 제 1 면 (25) 과 접촉하고, 제 2 클리닝 부재 (3B) 의 상면 (4B) 이 제 3 면 (27) 과 접촉하도록 제 1, 제 2 높이 (H1, H2) 가 정해져 있다. 이로써, 제 1 클리닝 부재 (3A) 에 의해 제 1 면 (25) 이 양호하게 클리닝되고, 제 2 클리닝 부재 (3B) 에 의해 제 3 면 (27) 이 양호하게 클리닝된다.
본 실시형태에서는, 제어 장치 (15) 는, 제 1, 제 3 면 (25, 27) 에 대하여 제 1, 제 2 클리닝 부재 (3A, 3B) 의 상면 (4A, 4B) 을 소정의 힘으로 밀어 누르도록, Z 축 방향에 관한 기판 스테이지 (12) 의 위치를 조정한다. 이것에 의해, 스폰지로 이루어지는 제 1, 제 2 클리닝 부재 (3A, 3B) 가 약간 축소되어, 제 1, 제 2 클리닝 부재 (3A, 3B) 의 상면 (4A, 4B) 과 제 1, 제 3 면 (25, 27) 이 충분히 접촉한다. 따라서, 제 1, 제 2 클리닝 부재 (3A, 3B) 를 사용하여, 제 1, 제 3 면 (25, 27) 을 양호하게 클리닝할 수 있다.
본 실시형태에서는, 제어 장치 (15) 는, 제 1, 제 2 클리닝 부재 (3A, 3B) 의 상면 (4A, 4B) 과 제 1, 제 3 면 (25, 27) 을 접촉시킨 후, 그 제 1, 제 2 클리닝 부재 (3A, 3B) 를 거의 정지시킨 상태에서, 액침 부재 (13) 의 제 1, 제 3 면 (25, 27) 을 클리닝한다. 즉, 제어 장치 (15) 는, 제 1, 제 2 클리닝 부재 (3A, 3B) 의 상면 (4A, 4B) 과 제 1, 제 3 면 (25, 27) 을 접촉시킨 후, 그 제 1, 제 2 클리닝 부재 (3A, 3B) 와 액침 부재 (13) 의 제 1, 제 3 면 (25, 27) 의 위치 관계를 소정 시간 고정시킨다.
본 실시형태에서는, X 축 방향에 관한 제 1 클리닝 부재 (3A) 의 사이즈 (W1) 와 제 1 면 (25) 의 사이즈 (W11) 는 거의 동일하다. 또한, Y 축 방향에 관한 제 1 클리닝 부재 (3A) 의 사이즈 (L1) 는, 제 1 면 (25) 의 사이즈 (L11) 보다 충분히 크다. 이것에 의해, 제 1 면 (25) 의 전역과 제 1 클리닝 부재 (3A) 의 상면 (4A) 을 접촉시킬 수 있다. 따라서, 제 1 클리닝 부재 (3A) 에 의해 제 1 면 (25) 을 양호하게 클리닝할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, X 축 방향에 관한 제 2 클리닝 부재 (3B) 의 사이즈 (W2) 와 제 3 면 (27) 의 사이즈 (W12) 는 거의 동일하다. 또한, Y 축 방향에 관한 제 2 클리닝 부재 (3B) 의 사이즈 (L2) 과, 제 3 면 (27) 의 사이즈 (L12) 는 거의 동일하다. 이것에 의해, 제 3 면 (27) 의 전역과 제 2 클리닝 부재 (3B) 의 상면 (4B) 을 접촉시킬 수 있다. 따라서, 제 2 클리닝 부재 (3B) 에 의해 제 3 면 (27) 을 양호하게 클리닝할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 베이스 부재 (2) 상에 주벽 부재 (5) 가 배치되어 있기 때문에, 제 1 클리닝 공구 (1A) 의 반송 중, 또는 클리닝 처리 중에 클리닝 액체 (LC) 의 누출이 억제된다. 또한, 주벽 부재 (5) 는 스폰지를 포함하기 때문에, 제 1 클리닝 공구 (1A) 의 반송 중, 또는 클리닝 처리 중에, 클리닝 부재 (3) 로부터 스며나오는 클리닝 액체 (LC) 를 회수 (흡수) 할 수 있다.
제 1 클리닝 공구 (1A) 를 사용하는 클리닝 처리가 종료된 후, 제어 장치 (15) 는, 그 제 1 클리닝 공구 (1A) 를 노광 장치 (EX) 로부터 반출시키기 위해서, 그 제 1 클리닝 공구 (1A) 를 유지하고 있는 기판 스테이지 (12) 를 기판 교환 위치 (CP) 로 이동시킨다. 그리고, 제어 장치 (15) 는, 반송 시스템 (14) 을 사용하여, 기판 교환 위치 (CP) 에 배치된 기판 스테이지 (12) 로부터 제 1 클리닝 공구 (1A) 를 언로드한다. 이로써, 노광 장치 (EX) 로부터 제 1 클리닝 공구 (1A) 가 반출된다 (단계 S3).
제 1 클리닝 공구 (1A) 가 노광 장치 (EX) 로부터 반출된 후, 제 2 클리닝 공구 (1B) 가 노광 장치 (EX) 에 반입된다. 클리닝 처리를 실행하기 전의 제 2 클리닝 공구 (1B) 의 클리닝 부재 (3) 에는, 제 2 클리닝 액체 (LC2) 가 미리 스며들어 있다. 본 실시형태에 있어서, 제 2 클리닝 액체 (LC2) 는 물 (순수) 이다. 주벽 부재 (5) 는 건조 상태이다.
제 1 클리닝 공구 (1A) 와 제 2 클리닝 공구 (1B) 는, 클리닝 부재 (3) 에 스며들게 한 클리닝 액체의 종류가 상이할 뿐으로, 구조, 크기 등은 동일하다.
제어 장치 (15) 는, 반송 시스템 (14) 을 사용하여, 제 2 클리닝 공구 (1B) 를 기판 스테이지 (12) 에 로드하고, 그 기판 스테이지 (12) 를 이동시켜, 제 2 클리닝 공구 (1B) 를 액침 부재 (13) 와 대향하는 위치에 배치한다 (단계 S4). 제 2 클리닝 공구 (1B) 를 액침 부재 (13) 와 대향하는 위치에 배치하는 동작은, 제 1 클리닝 공구 (1A) 를 액침 부재 (13) 와 대향하는 위치에 배치하는 동작 (단계 S1) 과 거의 동일하기 때문에, 그 설명을 생략한다.
다음으로, 제어 장치 (15) 는, 기판 스테이지 (12) 를 Z 축 방향으로 이동시키고, 기판 유지부 (12H) 에 유지되어 있는 제 2 클리닝 공구 (1B) 와 액침 부재 (13) 의 위치 관계를 조정하여, 제 2 클리닝 공구 (1B) 의 제 2 클리닝 액체 (LC2) 를 스며들게 한 클리닝 부재 (3) 와 액침 부재 (13) 의 하면 (21) 을 접촉시킨다 (단계 S5). 이것에 의해, 액침 부재 (13) 의 하면 (21) 이 제 2 클리닝 공구 (1B) 에 의해 클리닝된다.
제 2 클리닝 공구 (1B) 를 사용하는 클리닝 처리에 있어서, 제어 장치 (15) 는, 제 2 클리닝 공구 (1B) 의 클리닝 부재 (3) 를 거의 정지시킨 상태에서 액침 부재 (13) 를 클리닝한다. 제 2 클리닝 공구 (1B) 를 사용하는 클리닝 처리시의 동작은, 제 1 클리닝 공구 (1A) 를 사용하는 클리닝 처리시의 동작 (단계 S2) 과 거의 동일하기 때문에, 그 설명을 생략한다.
제 2 클리닝 공구 (1B) 를 사용하는 클리닝 처리가 종료된 후, 제어 장치 (15) 는, 그 제 2 클리닝 공구 (1B) 를 노광 장치 (EX) 로부터 반출시키기 위해서, 그 제 2 클리닝 공구 (1B) 가 유지되어 있는 기판 스테이지 (12) 를 기판 교환 위치 (CP) 로 이동시킨다. 그리고, 제어 장치 (15) 는, 반송 시스템 (14) 을 사용하여, 기판 교환 위치 (CP) 에 배치된 기판 스테이지 (12) 로부터 제 2 클리닝 공구 (1B) 를 언로드한다. 이로써, 노광 장치 (EX) 로부터 제 2 클리닝 공구 (1B) 가 반출된다 (단계 S6).
제 1, 제 2 클리닝 공구 (1A, 1B) 를 사용하는 클리닝 처리 후, 액체 (LQ) 를 사용하는 기판 (P) 의 노광 전에, 액침 부재 (13) 의 하면 (21) 으로부터 클리닝 액체 (LC) 를 제거하기 위해서, 제어 장치 (15) 는 액체 공급구 (31) 로부터 액체 (LQ) 를 공급하는 플러싱 처리를 실행한다 (단계 S7).
도 11 은, 액체 (LQ) 를 사용하여 플러싱 처리가 실행되고 있는 상태를 나타내는 도면이다. 본 실시형태에서는, 플러싱 처리할 때, 기판 유지부 (12H) 에 더미 기판 (DP) 이 유지된다. 더미 기판 (DP) 은, 노광용 기판 (P) 과는 별도의, 이물질을 방출하기 힘든 높은 청정도를 갖는 (클린) 부재이다. 더미 기판 (DP) 은 기판 (P) 과 거의 동일한 외형으로서, 기판 유지부 (12H) 는, 더미 기판 (DP) 을 유지할 수 있다. 예를 들어, 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 웨이퍼 등의 기재에, 감광막을 형성하지 않고, 액체 (LQ) 에 대해서는 발액성의 보호막 (톱코트막) 을 형성하여, 더미 기판 (DP) 으로 할 수 있다.
제어 장치 (15) 는, 종단 광학 소자 (19) 및 액침 부재 (13) 와 대향하는 위치에 기판 유지부 (12H) 에 유지된 더미 기판 (DP) 을 배치한 상태에서, 액체 공급구 (31) 를 사용하는 액체 (LQ) 의 공급 동작과 병행하여, 액체 회수구 (32) 를 사용하는 액체 (LQ) 의 회수 동작을 실행한다. 이것에 의해, 액침 부재 (13) 의 하면 (21), 다공 부재 (30), 공급 유로 (34), 및 회수 유로 (36) 등에 잔류하고 있던 클리닝 액체 (LC) 가 씻겨 나간다. 본 실시형태에서는, 제 1 클리닝 액체 (LC1) (알칼리 세정액) 와 노광용 액체 (LQ) (순수) 의 종류가 상이하다. 기판 (P) 의 노광 전에, 노광용 액체 (LQ) 를 사용하여 클리닝 액체 (LC) 를 제거함으로써, 그 후에 실행되는 기판 (P) 의 노광 중에, 광로 (K) 를 채우는 액체 (LQ) 에 클리닝 액체 (LC) 가 혼입되는 것이 억제된다.
클리닝 공구 (1) 를 사용한 클리닝 처리를 포함하는 상기 서술한 단계 S1∼ S7 의 처리가 종료된 후, 기판 (P) 이 기판 유지부 (12H) 에 유지되어, 그 기판 (P) 의 노광 처리가 실행된다. 노광된 기판 (P) 은, 예를 들어 현상 처리 등, 소정의 프로세스 처리가 실행된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 의하면, 노광 장치 (EX) 내의 액침 부재 (13) 를, 클리닝 공구 (1) 를 사용하여 효율적으로 양호하게 클리닝할 수 있다. 따라서, 액침 부재 (13) 의 오염에서 기인하는 노광 불량의 발생을 억제할 수 있어, 불량 디바이스의 발생을 억제할 수 있다.
예를 들어 기판 (P) 의 노광 중, 기판 (P) 으로부터 발생 (용출) 한 물질 (예를 들어 감광재) 이 액체 (LQ) 중에 혼입될 가능성이 있다. 그 액체 (LQ) 중에 혼입된 물질은, 액침 부재 (13) 의 하면 (21) 에 이물질 (오염물) 로서 부착될 가능성이 있다. 또한, 기판 (P) 에서 발생하는 물질뿐만 아니라, 예를 들어 공중을 부유하는 이물질이 액체 (LQ) 에 혼입되어, 액침 부재 (13) 의 하면 (21) 에 부착될 가능성도 있다. 특히, 제 1 면 (25) 은, 기판 (P) 의 노광 중에 액체 (LQ) 와 계속해서 접촉하기 때문에, 오염될 가능성이 높다. 또, 제 3 면 (27) 도, 기판 (P) 의 노광 중에 액체 (LQ) 를 계속해서 회수하여, 액체 (LQ) 와 계속 접촉하기 때문에, 오염될 가능성이 높다. 이물질 (오염물) 이 액침 부재 (13) 의 하면 (21) 에 부착되어 있는 상태를 방치해 두면, 그 이물질이 노광 중에 기판 (P) 에 부착되거나, 액체 공급구 (31) 로부터 공급된 액체 (LQ) 를 오염시키거나 할 가능성이 있다. 그 결과, 예를 들어 기판 (P) 에 형성되는 패턴에 결함이 생기는 등, 노광 불량이 발생할 가능성이 있다.
본 실시형태에서는, 클리닝 공구 (1) 를 사용하여 액침 부재 (13) 의 하면 (21) 을 양호하게 클리닝할 수 있다. 따라서, 클리닝 처리 후에 노광되는 기판 (P) 의 노광 불량의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 본 실시형태의 클리닝 처리에 있어서, 기재 (2) 의 표면 (2A) 과 액침 부재 (13) 의 거리를 작게 하여, 제 1 클리닝 부재 (3A) 와 액침 부재 (13) 의 제 2 면 (26) 이 접촉하도록 해도 된다. 이 경우, 제 2 면 (26) 의 경사에 맞춰서, Y 축 방향에 있어서 제 1 클리닝 부재 (3A) 의 중심에서 에지를 향하여 제 1 클리닝 부재 (3A) 의 표면이 서서히 높아지도록 기울어져 있어도 된다. 물론, 제 2 면 (26) 을 클리닝하기 위해서, 제 1 클리닝 부재 (3A) 와는 상이한 클리닝 부재를, 제 1 클리닝 부재 (3A) 의 Y 축 방향의 양측에 각각 구비해도 된다. 요는, 액침 부재 (13) 의 하면 (21) 의 형상, 크기에 맞춰서, XY 평면에 있어서의 클리닝 부재의 배치, 크기, 및 클리닝 부재의 높이를 결정하면 된다.
<제 2 실시형태>
다음으로, 제 2 실시형태에 관해서 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 상기 서술한 실시형태와 동일 또는 동등한 구성 부분에 관해서는 동일한 부호를 붙이고, 그 설명을 간략하게 하거나 또는 생략한다.
도 12 는, 제 2 실시형태에 관련된 액침 부재 (13B) 를 하측 (-Z 측) 에서 본 사시도이다. 도 12 에 있어서, 액침 부재 (13B) 의 하면 (21B) 은, 기판 (P) 의 노광 중에 기판 (P) 과의 사이에서 액체 (LQ) 를 유지하는 제 1 면 (25B) 과, 제 1 면 (25B) 의 주위에 배치된 제 3 면 (27B) 을 포함한다. 제 1 면 (25B) 은, 기판 (P) 의 표면 (XY 평면) 과 거의 평행하다. 본 실시형태에 있어서, XY 평면에서의 제 1 면 (25B) 의 외형은 대략 정사각형이다.
제 3 면 (27B) 은, 액체 회수면을 포함한다. 제 3 면 (27B) 은, 액체 회수구 (32) 에 배치된 다공 부재 (30) 의 표면 (하면) 을 포함한다. 제 3 면 (27B) 은, 기판 (P) 의 표면 (XY 평면) 과 거의 평행하다. 본 실시형태에서는, 제 3 면 (27B) 은, 노광광 (EL) 의 광로 (K) 및 제 1 면 (25B) 을 둘러싸도록 배치되어 있다.
본 실시형태에 있어서, Z 축 방향에 관해서, 제 1 면 (25B) 의 위치와 제 3 면 (27B) 의 위치가 상이하다. 본 실시형태에 있어서 제 3 면 (27B) 이, 제 1 면 (25B) 에 대하여 ＋Z 측에 배치된다. 즉, 제 3 면 (27B) 은, 기판 (P) 의 표면에 대하여 제 1 면 (25B) 보다 떨어진 위치에 배치된다. 본 실시형태에 있어서, 제 1 면 (25B) 과 제 3 면 (27B) 사이에 단차 (29B) 가 형성되어 있다.
도 13 은, 본 실시형태에 관련된 클리닝 공구 (101) 가, 기판 유지부 (2H) 에 유지되어 있는 상태를 나타내는 평면도이다. 클리닝 공구 (101) 는, 액침 부재 (13B) 의 제 1 면 (25B) 과 접촉 가능한 상면 (4D) 을 갖는 제 1 클리닝 부재 (3D) 와, 제 3 면 (27B) 과 접촉 가능한 상면 (4E) 을 갖는 제 2 클리닝 부재 (3E) 를 포함하는 클리닝 부재 (3) 를 구비하고 있다. 제 1, 제 2 클리닝 부재 (3D, 3E) 는, 베이스 부재 (2) 상에 배치되어 있다. 베이스 부재 (2) 상에 있어서, 제 1, 제 2 클리닝 부재 (3D, 3E) 의 주위에는 주벽 부재 (5) 가 배치되어 있다.
제 1 클리닝 부재 (3D) 의 상면 (4D) 의 외형과, 액침 부재 (13B) 의 제 1 면 (25B) 의 외형은 거의 동일하다. 제 2 클리닝 부재 (3E) 의 상면 (4E) 의 외형과, 액침 부재 (13B) 의 제 3 면 (27B) 의 외형은 거의 동일하다. 또한, 제 2 클리닝 부재 (3E) 는, 베이스 부재 (2) 의 표면 (2A) 에 대하여 제 1 클리닝 부재 (3D) 보다 높다.
본 실시형태에서도, 제 1 클리닝 부재 (3D) 와 제 1 면 (25B) 이 충분히 접촉하고, 제 2 클리닝 부재 (3E) 와 제 3 면 (27B) 이 충분히 접촉하기 때문에, 클리닝 공구 (101) 는, 제 1, 제 3 면 (25B, 27B) 을 양호하게 클리닝할 수 있다.
또, 상기 서술한 제 1, 제 2 실시형태에서는, 액침 부재 (13) (13B) 의 하면 (21) (21B) 의 형상에 따라서, 제 1, 제 2 클리닝 부재 (3A, 3B) (3D, 3E) 의 높이가 상이한 경우를 예로 들어 설명하였는데, 예를 들어 도 14 에 나타내는 클리닝 공구 (1C) 와 같이, 제 1 클리닝 부재 (3A) 의 제 1 높이 (H1) 와, 제 2 클리닝 부재 (3B) 의 제 2 높이 (H2) 가 동일해도 된다. 스폰지로 이루어지는 제 1, 제 2 클리닝 부재 (3A, 3B) 는 신축하기 때문에, 축소되어 있지 않은 상태 (외력이 작용되어 있지 않은 상태) 에 있어서, 제 1 높이 (H1) 와 제 2 높이 (H2) 가 상이해도, 액침 부재 (13) 의 하면 (21) 에 제 1, 제 2 클리닝 부재 (3A, 3B) 를 밀어 누름으로써, 액침 부재 (13) 의 제 1, 제 3 면 (25, 27) 과, 제 1, 제 2 클리닝 부재 (3A, 3B) 의 상면 (4A, 4B) 을 접촉시킬 수 있다. 또한, Z 축 방향에 관해서, 액침 부재 (13) 의 제 1 면 (25) 과 제 3 면 (27) 이 동일한 위치 (높이) 인 경우, 즉, 제 1 면 (25) 과 제 3 면 (27) 이 면일한 경우, 베이스 부재 (2) 의 표면 (2A) 에 대한 높이가 동일한 제 1, 제 2 클리닝 부재 (3A, 3B) 를 갖는 클리닝 공구를 사용하여 클리닝 처리함으로써, 그 제 1, 제 3 면 (25, 27) 을 양호하게 클리닝할 수 있다.
또, 상기 서술한 각 실시형태에서는, 클리닝 부재 (3) 의 제 1 부분 (3A) (3D) 과 제 2 부분 (3B) (3E) 이 떨어져 있는 경우를 예로 들어 설명하였는데, 예를 들어 도 15 에 나타내는 클리닝 공구 (1D) 와 같이, 클리닝 부재 (3F) 가 하나의 부재여도 된다. 또한, 1 개의 클리닝 부재 (3F) 에, 베이스 부재 (2) 의 표면 (2A) 에 대한 높이가 상이한 제 1 부분 (3G), 제 2 부분 (3H) 을 형성할 수 있다. 또한, 클리닝 부재 (3F) 의 상면이 평탄해도 된다.
또, 상기 서술한 각 실시형태에서는, 클리닝 부재 (3) 와 액침 부재 (13) 의 하면 (21) 을 접촉시킨 후, 그 클리닝 부재 (3) 를 거의 정지시킨 상태에서 액침 부재 (13) 를 클리닝하는 것으로 하였지만, 클리닝 부재 (3) 와 액침 부재 (13) 의 하면 (21) 을 접촉시킨 상태에서, 클리닝 부재 (3) 와 액침 부재 (13) 를 XY 방향으로 상대 이동시켜, 액침 부재 (13) 를 클리닝해도 된다.
또, 상기 서술한 각 실시형태에서는, 기판 (P) 을 반송할 수 있는 반송 시스템 (14) 이, 클리닝 공구 (1) 를 기판 스테이지 (12) 에 로드하는 동작, 및 기판 스테이지 (12) 로부터 언로드하는 동작을 실행하고 있는데, 기판 (P) 을 반송할 수 있는 반송 시스템 (14) 과는 별도의, 클리닝 공구 (1) 를 반송하기 위한 반송 시스템을 형성하고, 그 반송 시스템을 사용하여 클리닝 공구 (1) 를 로드하는 동작 및 언로드하는 동작을 실행해도 된다. 또, 클리닝 공구 (1) 를 기판 스테이지 (12) 에 로드하는 동작, 및 기판 스테이지 (12) 로부터 언로드하는 동작을 작업자가 실행해도 된다.
또한, 상기 서술한 각 실시형태에서는, 클리닝 부재 (3) 가 스폰지인 경우를 예로 들어 설명하였는데, 스폰지에 한정되지 않는다. 클리닝 대상인 부재에 미치는 영향이 작고, 클리닝 액체 (LC) 를 스며들게 할 수 있는 다공 부재이면, 클리닝 부재 (3) 로서 채용할 수 있다. 예를 들어, 클리닝 부재 (3) 로서, 다수의 구멍 (pore) 이 형성된 소결 부재 (예를 들어, 소결 금속), 발포 부재 (예를 들어, 발포 금속) 등을 사용해도 된다.
또한, 클리닝 부재 (3) 는 다공 부재에 한정되지 않는다. 예를 들어 브러시 등, 섬유상 부재를 묶은 것, 클린룸용 무진지 (無塵紙) 등이어도 된다.
또, 상기 서술한 실시형태에서는, 주벽 부재 (5) 가 베이스 부재 (2) 의 표면 (2A) 에 대하여 클리닝 부재 (3) 보다 낮은 경우를 예로 들어 설명하였는데, 동일해도 되고, 높아도 된다.
또한, 상기 서술한 각 실시형태에서는, 주벽 부재 (5) 가 스폰지인 경우를 예로 들어 설명하였는데, 스폰지에 한정되지 않는다. 클리닝 액체 (LC) 의 누출을 억제할 수 있거나, 클리닝 부재 (3) 로부터 스며나오는 클리닝 액체 (LC) 를 회수할 수 있거나 하면, 임의의 구조의 주벽 부재를 채용할 수 있다. 예를 들어, 주벽 부재 (5) 로서 다수의 구멍 (pore) 이 형성된 소결 부재 (예를 들어, 소결 금속), 발포 부재 (예를 들어, 발포 금속) 등을 사용함으로써, 클리닝 액체 (LC) 의 누출을 억제할 수 있고, 클리닝 부재 (3) 로부터 스며나오는 클리닝 액체 (LC) 를 회수 (흡수) 할 수 있다.
또한, 주벽 부재 (5) 는 다공 부재가 아니어도 된다. 예를 들어 금속제의 링 부재여도 된다. 이것에 의해, 클리닝 액체 (LC) 가 베이스 부재 (2) 외측으로 누출되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 클리닝 부재 (3) 에 스며들어 있는 클리닝 액체 (LC) 가 새어 나올 가능성이 적은 경우, 주벽 부재 (5) 를 생략해도 된다.
또, 상기 서술한 각 실시형태에서는, 클리닝 공구 (1) 를 사용하여 액침 부재 (13) 의 하면 (21) 을 클리닝하는 경우를 예로 들어 설명하였는데, 종단 광학 소자 (19) 의 사출면 (20) 을 클리닝할 수도 있다. 그 경우, 예를 들어 도 16에서 클리닝 공구 (1J) 와 같이, 액침 부재 (13) 의 개구 (24) 를 사이에 두고 사출면 (20) 에 접촉 가능한 상면 (4J) 을 갖는 클리닝 부재 (3J) 를 베이스 부재 (2) 상에 형성함으로써, 그 사출면 (20) 을 클리닝할 수 있다.
또한, 상기 서술한 각 실시형태에서는, 액침 부재 (13) 가, 종단 광학 소자 (19) 의 사출면 (20) 의 일부와 대향하는 하판부 (23) 를 갖는 경우를 예로 들어 설명하였는데, 예를 들어 도 17 에 나타내는 바와 같이, 하판부 (23) 가 생략된 구조를 갖고, 종단 광학 소자 (19) 의 사출면 (20) 과 거의 면일한 하면 (21K) 을 갖는 액침 부재 (13K) 를 사용하는 경우, 도 17 에 나타내는 클리닝 공구 (1K) 의 클리닝 부재 (3K) 를 사용하여, 액침 부재 (13K) 의 하면 (21K) 과 종단 광학 소자 (19) 의 사출면 (20) 을 동시에 클리닝할 수 있다.
또한 전술한 바와 같이, 도시를 생략한 클리닝 액체 공급원으로부터 클리닝 부재 (3) 에 대해 클리닝 액체 (LC) 를 공급하는 것을 노광 장치 (EX) 안에서 실시해도 된다. 노광 장치 (EX) 가 액체 공급원을 구비하고 있는 경우에는, 그 액체 공급원으로부터 노광 장치 내의 부재의 상면 (예를 들어, 기판 스테이지 (12) 의 상면 (12T)) 에 클리닝 액체 (LC) 를 공급하여, 그 부재의 상면을 클리닝해도 된다. 또, 복수의 클리닝 액체 (예를 들어 LC1, LC2) 를 사용하는 경우에는, 복수의 클리닝 액체 중 일부만을 노광 장치 (EX) 안에서 클리닝 부재 (3) 에 공급해도 된다.
또, 상기 서술한 각 실시형태에 있어서, 클리닝 대상이 되는 노광 장치 (EX) 내의 부재는, 예를 들어 투영 광학계 (PL) (경통을 포함) 의 일부, 마스크 스테이지 (11) 의 일부, 기판 스테이지 (12) 의 일부, 조명계 (IL) 의 일부여도 된다. 예를 들어, 클리닝 공구를 마스크 스테이지 (11) 의 마스크 유지부 (1H) 로 유지함으로써, 그 마스크 유지부 (1H) 에 유지된 클리닝 공구로 조명계 (IL) 의 일부 및/또는 투영 광학계 (PL) 의 일부를 클리닝할 수 있다.
또, 상기 서술한 각 실시형태에서는, 노광 장치 (EX) 가 액체 (LQ) 를 통하여 기판 (P) 을 노광하는 액침 노광 장치인 경우를 예로 들어 설명하였는데, 노광광 (EL) 의 광로 (K) 가 액체로 채워지지 않고, 기체로 채워지는 드라이형 노광 장치여도 된다. 드라이형 노광 장치의 경우에서도, 투영 광학계의 종단 광학 소자의 사출면을, 상기 서술한 각 실시형태에서 설명한 클리닝 공구를 사용하여 클리닝할 수 있다.
<제 3 실시형태>
다음으로, 제 3 실시형태에 관해서 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 상기 서술한 실시형태와 동일 또는 동등한 구성 부분에 관해서는 동일한 부호를 붙이고, 그 설명을 간략하게 하거나 또는 생략한다. 도 18 은, 제 3 실시형태에 관련된 클리닝 공구 (501) 의 일례를 나타내는 측단면도, 도 19 는 평면도이다. 후술하는 바와 같이, 클리닝 공구 (501) 는, 액체 (LQ) 를 통하여 노광광 (EL) 으로 기판 (P) 을 노광하는 노광 장치 (EX) 에 반입되어, 그 노광 장치 (EX) 내의 부재, 및/또는 부품 (이하, 클리닝 대상 부재라고 한다) 의 적어도 일부를 클리닝한다.
도 18 및 도 19 에 있어서, 클리닝 공구 (501) 는, 원형의 다공판 (502) 과, 다공판 (502) 을 지지하는 베이스 부재 (503) 를 구비하고 있다. 다공판 (502) 은, 표면 (502A) 과, 표면 (502A) 의 반대측인 이면 (502B) 과, 표면 (502A) 과 표면 (502A) 의 반대측인 이면 (502B) 을 연통하는 복수의 구멍 (502H) 을 갖는다.
클리닝 공구 (501) 는, 이면 (502B) 에 면하는 내부 공간 (504) 을 구비하고 있다. 내부 공간 (504) 은, 베이스 부재 (503) 와 다공판 (502) 사이의 공간의 적어도 일부를 포함한다. 내부 공간 (504) 은, 클리닝용 액체 (LC) 를 유지할 수 있다.
본 실시형태에 있어서, 클리닝 공구 (501) 는, 내부 공간 (504) 에 배치된 다공 부재 (505) 를 구비하고 있다. 내부 공간 (504) 의 액체 (LC) 의 적어도 일부는 다공 부재 (505) 에 유지된다. 본 실시형태에 있어서, 다공 부재 (505) 의 구멍은 개기공 (open pore) 을 포함한다. 개기공은, 외기와 접속된 기공 (pore) 이다. 개기공은 유입된 액체를 유지할 수 있다. 또, 다공 부재 (505) 가 폐기공 (closed pore) 을 포함해도 된다. 또, 액체 (LC) 를 유지할 수 있다면, 내부 공간 (504) 에 다공 부재 (505) 가 배치되어 있지 않아도 된다.
베이스 부재 (503) 는, 플레이트부 (503A) 와, 플레이트부 (503A) 의 상면 (503C) 의 주연 (周緣) 을 따라서 배치된 주벽부 (503B) 를 포함한다. 내부 공간 (504) 은, 플레이트부 (503A) 의 상면 (503C) 과 다공판 (502) 의 이면 (502B) 사이의 공간의 적어도 일부를 포함한다.
본 실시형태에 있어서, 다공판 (502) 은, 이면 (502B) 의 주연 영역에 복수 배치되고, 이면 (502B) 에서부터 그 이면 (502B) 에 거의 수직인 방향으로 돌출되는 제 1 볼록부 (506A) 와, 각각의 제 1 볼록부 (506A) 로부터 다공판 (502) 의 중심에 대한 방사 방향 외측으로 돌출되는 제 2 볼록부 (506B) 를 갖는다. 제 1, 제 2 볼록부 (506A, 506B) 는, 이면 (502B) 의 주연 영역에 있어서 거의 등간격으로 배치되어 있다. 베이스 부재 (503) 의 주벽부 (503B) 는, 제 2 볼록부 (506B) 가 끼워 넣어지는 오목부 (507) 를 갖는다. 오목부 (507) 는, 주벽부 (503B) 의 내면에 있어서 거의 등간격으로 배치되어 있다.
제 1 볼록부 (506A) 와 제 2 볼록부 (506B) 는 일체이다. 또한, 제 1 볼록부 (506A) 와 다공판 (502) 은 고정되어 있다. 본 실시형태에서는, 다공판 (502) 의 제 2 볼록부 (506B) 가 오목부 (507) 에 유지됨으로써, 다공판 (502) 과 베이스 부재 (503) 가 접속된다. 다공판 (502) 의 에지 (외측면) 와 주벽부 (503B) 의 내면 사이에는 소정의 갭이 형성된다. 갭은, 내부 공간 (504) 의 액체 (LC) 의 누출이 억제되는 크기이다. 이와 같이, 본 실시형태에서는, 다공판 (502) 과 베이스 부재 (503) 는 견고하게 고정되어 있지 않으므로, 예를 들어 다공판 (502) 이 열팽창해도, 그 다공판 (502) 이 크게 변형되어 버리는 것을 억제할 수 있다.
본 실시형태에 있어서, 다공판 (502) 의 재질은, 노광 장치 (EX) 내의 클리닝 대상인 부재에 따라서 선정된다. 본 실시형태에 있어서, 다공판 (502) 은, 클리닝 대상인 부재와 동일한 재질이다. 본 실시형태에 있어서, 다공판 (502) 은 티탄제이다. 또한, 다공판 (502) 은, 클리닝 대상인 부재와 동일한 재질이 아니어도 된다.
또한, 본 실시형태에서는, 다공 부재 (505) 도 클리닝 대상인 부재와 동일한 재질이다. 본 실시형태에 있어서, 다공 부재 (505) 는 티탄제의 다공체이다. 또, 다공 부재 (505) 는, 클리닝 대상 부재와 동일한 재질이 아니어도 된다. 다공판 (502) 과 다공 부재 (505) 가 동일한 재질이 아니어도 된다.
본 실시형태에 있어서, 베이스 부재 (503) 는 세라믹스제이다. 본 실시형태에서는, 베이스 부재 (503) 는 탄화실리콘 (SiC) 을 포함한다. 탄화실리콘을 포함하는 세라믹스의 강성은 높기 때문에, 클리닝 공구 (501) 전체의 강성이 확보된다. 또, 베이스 부재 (503) 는 세라믹스제가 아니어도 된다.
본 실시형태에 있어서, 클리닝용 액체 (LC) 는, 노광 장치 (EX) 내의 부재를 클리닝 가능한 액체이다. 액체 (LC) 는, 예를 들어 노광 장치 (EX) 내의 부재에 부착되어 있는 이물질 (오염물) 을 제거 가능한 액체이다. 액체 (LC) 로서, 예를 들어 알칼리를 함유하는 알칼리 세정액을 사용할 수 있다. 액체 (LC) 로서 알칼리 세정액을 사용함으로써, 노광 장치 (EX) 내의 부재에 부착되어 있는, 예를 들어 유기물 등의 오염물을 양호하게 제거할 수 있다.
본 실시형태에 있어서, 클리닝용 액체 (LC) 는, 노광용 액체 (LQ) 로 희석시킬 수 있다. 본 실시형태에서는, 노광용 액체 (LQ) 로서 순수 (물) 를 사용하고, 클리닝용 액체 (LC) 로서 알칼리 수용액을 사용한다. 본 실시형태에서는, 액체 (LC) 는, 수산화테트라메틸암모늄 (TMAH: tetramethyl ammonium hydroxide) 수용액을 포함한다. 또, 액체 (LC) 는, 알칼리 수용액에 한정되지 않고, 예를 들어 이소프로필알코올 (IPA) 을 사용해도 된다.
본 실시형태에 있어서, 다공판 (502) 의 표면 (502A) 은 액체 (LQ) 및 액체 (LC) 에 대하여 발액성이다. 본 실시형태에서는, 다공판 (502) 의 표면 (502A) 은, 예를 들어 불소 등의 발액성 재료를 포함하는 막으로 형성되어 있다.
본 실시형태에서는, 구멍 (502H) 의 크기가 최적화되어 있어, 내부 공간 (504) 의 액체 (LC) 가 구멍 (502H) 을 통하여 외부 (표면 (502A) 측) 로 누출되거나, 기화된 내부 공간 (504) 의 액체 (LC) 가 구멍 (502H) 을 통하여 외부로 방출되거나 하는 것이 억제된다.
본 실시형태에서는, 클리닝 공구 (501) 의 외형은 기판 (P) 의 외형과 거의 동일하다. 본 실시형태에 있어서, 기판 (P) 은 반도체 웨이퍼를 포함한다. 본 실시형태에 있어서, XY 평면 내에서의 클리닝 공구 (501) 의 외형은 거의 원형으로, 기판 (P) 과 거의 동일한 직경을 갖는다. 또한, 클리닝 공구 (501) 는, 기판 (P) 과 거의 동일한 두께이다. 클리닝 공구 (501) 는, XY 평면과 거의 평행한 상면 (501A) 과, 상면 (501A) 과 반대쪽을 향하는 하면 (501B) 을 갖는다. 상면 (501A) 은, 다공판 (502) 의 표면 (502A) 및 그 표면 (502A) 의 주위에 배치된 베이스 부재 (503) (주벽부 (503B)) 의 상면 (503D) 을 포함한다. 상면 (501A) 의 반대측인 하면 (501B) 은, 베이스 부재 (503) 의 플레이트부 (503A) 의 하면 (503E) 을 포함한다. 또한, 클리닝 공구 (501) 의 외형은 기판 (P) 의 외형과 동일하지 않아도 되지만, 후술하는 바와 같이, 기판 (P) 을 반송하는 반송 부재에 의해서 반송할 수 있는 것이 바람직하다.
다음으로, 클리닝 대상 부재를 포함하는 노광 장치 (EX) 의 일례에 관해서 설명한다. 도 20 은, 본 실시형태에 관련된 노광 장치 (EX) 의 일례를 나타내는 개략 구성도이다. 본 실시형태의 노광 장치 (EX) 는, 노광용 액체 (LQ) 를 통하여 노광광 (EL) 으로 기판 (P) 을 노광하는 액침 노광 장치이다. 전술한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 액체 (LQ) 로서 순수 (물) 를 사용한다.
또한, 본 실시형태에서는, 노광 장치 (EX) 가, 예를 들어 미국 특허 제6897963호 명세서, 유럽 특허출원공개 제1713113호 명세서 등에 개시되어 있는 것과 같은, 기판 (P) 을 유지하여 이동할 수 있는 기판 스테이지 (12) 와, 기판 (P) 을 유지하지 않고, 노광광 (EL) 을 계측하는 계측기 (C) 를 탑재하여 이동할 수 있는 계측 스테이지 (13) 를 구비한 노광 장치인 경우를 예로 들어 설명한다.
도 20 에 있어서, 노광 장치 (EX) 는, 마스크 (M) 를 유지하여 이동할 수 있는 마스크 스테이지 (11) 와, 기판 (P) 을 유지하여 이동할 수 있는 기판 스테이지 (512) 와, 계측기 (C) 를 탑재하여 이동할 수 있는 계측 스테이지 (513) 와, 마스크 (M) 를 노광광 (EL) 에 의해 조명하는 조명계 (IL) 와, 노광광 (EL) 에 의해 조명된 마스크 (M) 의 패턴의 이미지를 기판 (P) 에 투영하는 투영 광학계 (PL) 와, 노광광 (EL) 의 광로의 적어도 일부가 액체 (LQ) 로 채워지도록 액침 공간 (LS) 을 형성할 수 있는 액침 부재 (514) 와, 기판 (P) 을 반송할 수 있는 반송 시스템 (515) 과, 노광 장치 (EX) 전체의 동작을 제어하는 제어 장치 (516) 를 구비하고 있다.
조명계 (IL) 는, 소정의 조명 영역 (IR) 을 균일한 조도 분포의 노광광 (EL) 으로 조명한다. 조명 영역 (IR) 은, 조명계 (IL) 로부터 사출되는 노광광 (EL) 의 조사 위치를 포함한다.
마스크 스테이지 (11) 는, 조명 영역 (IR) 으로 이동할 수 있다. 마스크 스테이지 (11) 는, 마스크 (M) 를 릴리스 가능하게 유지하는 마스크 유지부 (11H) 를 갖는다. 본 실시형태에 있어서, 마스크 유지부 (11H) 는, 마스크 (M) 의 패턴 형성면 (하면) 과 XY 평면이 거의 평행해지도록, 마스크 (M) 를 유지한다. 마스크 스테이지 (11) 는, 예를 들어 리니어 모터 등의 액추에이터를 포함하는 구동 시스템의 작동에 의해서, 마스크 (M) 를 유지한 상태로 X 축, Y 축, 및 θZ 방향의 3 개 방향으로 이동할 수 있다.
투영 광학계 (PL) 는, 소정의 투영 영역 (PR) 에 노광광 (EL) 을 조사한다. 투영 영역 (PR) 은, 투영 광학계 (PL) 로부터 사출되는 노광광 (EL) 의 조사 위치를 포함한다.
기판 스테이지 (512) 는, 투영 영역 (PR) 으로 이동할 수 있다. 기판 스테이지 (512) 는, 투영 영역 (PR) 을 포함하는 베이스 부재 (518) 의 가이드면 (518G) 상을 이동할 수 있다. 기판 스테이지 (512) 는, 기판 (P) 을 릴리스 가능하게 유지하는 기판 유지부 (512H) 를 갖는다. 기판 유지부 (512H) 는, 예를 들어 미국 특허공개 제2007/0177125호 명세서 등에 개시되어 있는 것과 같은, 이른바, 핀척 기구를 포함한다. 본 실시형태에 있어서, 기판 유지부 (512H) 는, 기판 (P) 의 표면 (노광면) 과 XY 평면이 거의 평행해지도록, 기판 (P) 을 유지한다. 기판 스테이지 (512) 는, 예를 들어 리니어 모터 등의 액추에이터를 포함하는 구동 시스템의 작동에 의해서, 기판 (P) 을 유지한 상태로 X 축, Y 축, Z 축, θX, θY, 및 θZ 방향의 6 개 방향으로 이동할 수 있다. 기판 스테이지 (512) 는, 기판 유지부 (512H) 의 주위에 배치된 상면 (512T) 을 갖는다. 기판 유지부 (512H) 는, 기판 스테이지 (512) 상에 형성된 오목부 (512C) 에 배치되어 있다. 기판 스테이지 (512) 의 상면 (512T) 은, XY 평면과 거의 평행한 평탄면이다. 기판 유지부 (512H) 에 유지된 기판 (P) 의 표면과 기판 스테이지 (512) 의 상면 (512T) 은, 거의 동일 평면 내에 배치된다 (거의 면일하다).
계측 스테이지 (513) 는, 투영 영역 (PR) 으로 이동할 수 있다. 계측 스테이지 (513) 는, 투영 영역 (PR) 을 포함하는 베이스 부재 (518) 의 가이드면 (518G) 상을 이동할 수 있다. 계측 스테이지 (513) 는, 예를 들어 리니어 모터 등의 액추에이터를 포함하는 구동 시스템의 작동에 의해서, 계측기 (C) 를 탑재한 상태로 X 축, Y 축, Z 축, θX, θY, 및 θZ 방향의 6 개 방향으로 이동할 수 있다. 계측 스테이지 (513) 는, 상면 (513T) 을 갖는다. 계측 스테이지 (513) 의 상면 (513T) 은, XY 평면과 거의 평행한 평탄면이다.
본 실시형태에 있어서, 마스크 스테이지 (11), 기판 스테이지 (512), 및 계측 스테이지 (513) 의 위치 정보는, 간섭계 시스템 (도시 생략) 에 의해서 계측된다. 기판 (P) 의 노광 처리를 실행할 때, 또는 소정의 계측 처리를 실행할 때, 제어 장치 (516) 는, 간섭계 시스템의 계측 결과에 기초하여, 마스크 스테이지 (11) (마스크 (M)), 기판 스테이지 (512) (기판 (P)), 및 계측 스테이지 (513) (계측기 (C)) 의 위치 제어를 실행한다.
액침 부재 (514) 는, 노광광 (EL) 의 광로의 적어도 일부가 액체 (LQ) 로 채워지도록 액침 공간 (LS) 을 형성할 수 있다. 액침 공간 (LS) 은, 액체 (LQ) 로 채워진 부분 (공간, 영역) 이다. 액침 부재 (514) 는, 투영 광학계 (PL) 의 복수의 광학 소자 중, 투영 광학계 (PL) 의 이미지면에 가장 가까운 종단 광학 소자 (21) 의 근방에 배치된다. 본 실시형태에 있어서, 액침 부재 (514) 는, 고리 형상 부재로, 노광광 (EL) 의 광로 주위에 배치된다. 본 실시형태에서는, 액침 부재 (514) 의 적어도 일부가 종단 광학 소자 (21) 의 주위에 배치된다.
종단 광학 소자 (21) 는, 투영 광학계 (PL) 의 이미지면을 향하여 노광광 (EL) 을 사출하는 사출면 (22) 을 갖는다. 본 실시형태에 있어서, 액침 공간 (LS) 은, 종단 광학 소자 (21) 와 종단 광학 소자 (21) 로부터 사출되는 노광광 (EL) 의 조사 위치 (투영 영역 (PR)) 에 배치되는 물체 사이의 노광광 (EL) 의 광로가 액체 (LQ) 로 채워지도록 형성된다. 본 실시형태에 있어서, 투영 영역 (PR) 에 배치할 수 있는 물체는, 기판 스테이지 (512), 기판 스테이지 (512) 에 유지된 기판 (P), 계측 스테이지 (513), 및 계측 스테이지 (513) 에 탑재된 계측기 (C) 중 적어도 하나를 포함한다.
본 실시형태에 있어서, 액침 부재 (514) 는, 투영 영역 (PR) 에 배치되는 물체와 대향 가능한 하면 (523) 을 갖는다. 액침 부재 (514) 의 하면 (523) 과 기판 (P) 표면과의 사이의 공간은, 기판 (P) 의 노광 중에, 기판 (P) 에 입사되는 노광광 (EL) 의 광로가 액체 (LQ) 로 채워지도록 액체 (LQ) 를 유지할 수 있다. 일방측의 사출면 (22) 및 하면 (523) 과, 타방측의 물체 표면과의 사이에 액체 (LQ) 가 유지됨으로써, 종단 광학 소자 (21) 와 물체 사이의 노광광 (EL) 의 광로가 액체 (LQ) 로 채워지도록 액침 공간 (LS) 이 형성된다.
본 실시형태에서는, 기판 (P) 에 노광광 (EL) 이 조사되어 있을 때, 투영 영역 (PR) 을 포함하는 기판 (P) 표면의 일부의 영역이 액체 (LQ) 로 덮여지도록 액침 공간 (LS) 이 형성된다. 액체 (LQ) 의 계면 (메니스커스, 에지) (LG) 의 적어도 일부는, 액침 부재 (514) 의 하면 (523) 과 기판 (P) 표면과의 사이에 형성된다. 즉, 본 실시형태의 노광 장치 (EX) 는 국소 액침 방식을 채용한다.
상면 (512T) 및 상면 (513T) 은, 사출면 (22) 및 하면 (523) 과 대향할 수 있다. 본 실시형태에서는, 예를 들어 미국 특허출원공개 제2006/0023186호 명세서, 미국 특허출원공개 제2007/0127006호 명세서 등에 개시되어 있는 것과 같이, 제어 장치 (516) 는, 기판 스테이지 (512) 및 계측 스테이지 (513) 의 적어도 일방이 종단 광학 소자 (21) 및 액침 부재 (514) 의 사이에서 액체 (LQ) 를 유지할 수 있는 공간을 계속해서 형성하도록, 상면 (512T) 과 상면 (513T) 을 접근 또는 접촉시킨 상태에서, 상면 (512T) 및 상면 (513T) 중 적어도 일방과 사출면 (22) 및 하면 (523) 을 대향시키면서, 종단 광학 소자 (21) 및 액침 부재 (514) 에 대해 기판 스테이지 (512) 와 계측 스테이지 (513) 를 XY 방향으로 동기 이동시킬 수 있다. 이것에 의해, 제어 장치 (516) 는, 종단 광학 소자 (21) 및 액침 부재 (514) 와 기판 스테이지 (512) 의 사이에 액침 공간 (LS) 을 형성할 수 있는 상태, 및 종단 광학 소자 (21) 및 액침 부재 (514) 와 계측 스테이지 (513) 의 사이에 액침 공간 (LS) 을 형성할 수 있는 상태의 일방에서 타방으로 변화시킬 수 있다. 즉, 액체 (LQ) 의 액침 공간 (LS) 은, 액체 (LQ) 의 누출을 억제하면서, 기판 스테이지 (512) 의 상면 (512T) 과 계측 스테이지 (513) 의 상면 (513T) 사이에서 이동할 수 있다.
이하의 설명에 있어서, 상면 (512T) 과 상면 (513T) 을 접근 또는 접촉시킨 상태에서, 상면 (512T) 및 상면 (513T) 중 적어도 일방과 사출면 (22) 및 하면 (523) 을 대향시키면서, 종단 광학 소자 (21) 및 액침 부재 (514) 에 대하여, 기판 스테이지 (512) 와 계측 스테이지 (513) 를 XY 방향으로 동기 이동시키는 동작을 적당히 스크럼 이동이라고 한다.
반송 시스템 (515) 은, 기판 (P) 을 지지하여 반송할 수 있는 반송 부재 (524) 를 갖는다. 반송 부재 (524) 는, 노광 전 기판 (P) 의 기판 유지부 (512H) 에 대한 반입 동작 (로딩 동작), 및 노광 후 기판 (P) 의 기판 유지부 (512H) 로부터의 반출 동작 (언로딩 동작) 중 적어도 일방을 실행할 수 있다. 제어 장치 (516) 는, 반송 시스템 (515) 을 사용하여, 기판 스테이지 (512) (기판 유지부 (512H)) 로부터, 노광 후의 기판 (P) 을 반출 (언로드) 하는 언로딩 동작, 및 다음에 노광될 노광 전의 기판 (P) 을 기판 스테이지 (512) (기판 유지부 (512H)) 에 반입 (로드) 하는 로딩 동작을 포함한 기판 교환 처리를 실행할 수 있다.
다음으로, 액침 부재 (514) 에 관해서, 도 21 을 참조하여 설명한다. 도 21 은, 액침 부재 (514) 의 근방을 나타내는 측단면도이다. 또, 이하의 설명에서는, 주로, 종단 광학 소자 (21) 의 사출면 (22) 및 액침 부재 (514) 의 하면 (523) 과 대향하는 위치에 기판 (P) 이 배치되어 있는 상태를 예로 들어 설명하는데, 전술한 바와 같이, 종단 광학 소자 (21) 의 사출면 (22) 및 액침 부재 (514) 의 하면 (523) 과 대향하는 위치에는, 기판 스테이지 (512), 계측 스테이지 (513) 등, 기판 (P) 이외의 물체도 배치 가능하다.
액침 부재 (514) 는 고리 형상의 부재로서, 노광광 (EL) 의 광로 주위에 배치되어 있다. 액침 부재 (514) 의 적어도 일부는, 종단 광학 소자 (21) 의 주위에 배치된다. 본 실시형태에서는, 액침 부재 (514) 는, Z 축 방향에 관해서 적어도 일부가 종단 광학 소자 (21) 의 사출면 (22) 과 기판 (P) 표면과의 사이에 배치되는 플레이트부 (525) 를 갖는다. 플레이트부 (525) 는, 중앙에 개구 (526) 를 갖는다. 또한, 플레이트부 (525) 는, 개구 (526) 의 주위에 배치되고, 노광광 (EL) 의 조사 위치 (투영 영역 (PR)) 에 배치되는 기판 (P) (물체) 과 대향 가능한 하면 (527) 과, 하면 (527) 과 반대쪽을 향하는 상면 (528) 을 갖는다. 하면 (527) 의 반대측인 상면 (528) 의 적어도 일부는, 사출면 (22) 의 일부와 대향한다. 사출면 (22) 으로부터 사출된 노광광 (EL) 은, 개구 (526) 를 통과할 수 있다. 예를 들어, 기판 (P) 의 노광 중, 사출면 (22) 으로부터 사출된 노광광 (EL) 은, 개구 (526) 를 통과하여, 액체 (LQ) 를 통해서 기판 (P) 의 표면에 조사된다.
또한, 액침 부재 (514) 는, 액체 (LQ) 를 공급할 수 있는 공급구 (529) 와, 액체 (LQ) 를 회수할 수 있는 회수구 (530) 를 구비하고 있다. 공급구 (529) 는, 유로 (531R) 를 통해서 액체 공급 장치 (531) 와 접속되어 있다. 액체 공급 장치 (531) 는, 청정하고 온도 조정된 액체 (LQ) 를 공급구 (529) 에 공급할 수 있다. 유로 (531R) 는, 액침 부재 (514) 의 내부에 형성된 공급 유로, 및 그 공급 유로와 액체 공급 장치 (531) 를 접속하는 공급관에 의해 형성되는 유로를 포함한다. 액체 공급 장치 (531) 로부터 송출된 액체 (LQ) 는, 유로 (531R) 를 통해서 공급구 (529) 에 공급된다. 공급구 (529) 는, 광로의 근방에 있어서, 광로에 면하는 액침 부재 (514) 의 소정 위치에 배치되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 공급구 (529) 는, 사출면 (22) 과 상면 (528) 사이의 공간 (532) 에 액체 (LQ) 를 공급한다. 공급구 (529) 로부터 공간 (532) 에 공급된 액체 (LQ) 는, 개구 (526) 를 통해서 기판 (P) 상에 공급된다.
회수구 (530) 는, 기판 (P) 상의 액체 (LQ) 를 회수할 수 있다. 회수구 (530) 는, 유로 (534R) 를 통해서 액체 회수 장치 (534) 와 접속되어 있다. 액체 회수 장치 (534) 는, 진공 시스템을 포함하여, 회수구 (530) 로부터 액체 (LQ) 를 흡인해서 회수할 수 있다. 유로 (534R) 는, 액침 부재 (514) 의 내부에 형성된 회수 유로, 및 그 회수 유로와 액체 회수 장치 (534) 를 접속하는 회수관에 의해 형성되는 유로를 포함한다. 회수구 (530) 로부터 회수된 액체 (LQ) 는, 유로 (534R) 를 통해서 액체 회수 장치 (534) 에 회수된다.
본 실시형태에서는, 회수구 (530) 는, 노광광 (EL) 의 광로 주위에 배치되어 있다. 회수구 (530) 는, 기판 (P) 의 표면과 대향 가능한 액침 부재 (514) 의 소정 위치에 배치되어 있다. 회수구 (530) 는, 액침 부재 (514) 의 하면 (523) 과 대향하는 기판 (P) 상의 액체 (LQ) 의 적어도 일부를 회수할 수 있다.
본 실시형태에 있어서, 회수구 (530) 에 다공 부재 (535) 가 배치되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 다공 부재 (535) 는 플레이트상의 부재로서, 기판 (P) 과 대향 가능한 하면 (536) 과, 하면 (536) 과 반대쪽을 향하는 상면 (537) 과, 하면 (536) 과 그 반대측인 상면 (537) 을 연결하는 복수의 구멍을 구비하고 있다. 기판 (P) 상의 액체 (LQ) 는, 다공 부재 (535) 의 구멍을 통해서 회수 유로 (534R) 에 유입이 가능하다. 액체 회수 장치 (534) 의 작동에 의해서, 예를 들어 다공 부재 (535) 의 하면 (536) 에 접촉한 기판 (P) 의 액체 (LQ) 는 회수 유로 (534R) 에 유입되어, 액체 회수 장치 (534) 로 회수된다.
본 실시형태에서는, 액침 부재 (514) 의 하면 (523) 은, 플레이트부 (525) 의 하면 (527) 과, 그 하면 (527) 의 주위에 배치되고, 기판 (P) 과 대향 가능한 다공 부재 (535) 의 하면 (536) 을 포함한다.
본 실시형태에서는, 기판 (P) 의 노광시, 제어 장치 (516) 는, 공급구 (529) 를 사용하는 액체 (LQ) 의 공급 동작과 병행하여 회수구 (530) 를 사용하는 액체 (LQ) 의 회수 동작을 실행함으로써, 일방측의 종단 광학 소자 (21) 및 액침 부재 (514) 와, 타방측의 기판 (P) (물체) 사이에 액체 (LQ) 에 의해 액침 공간 (LS) 을 형성할 수 있다.
본 실시형태에 있어서, 적어도 하면 (523) 을 형성하는 플레이트부 (525) 및 다공 부재 (535) 는 티탄제이다. 본 실시형태에서는, 액체 (LQ) 와 접촉하는 액침 부재 (514) 의 소정 부위는 티탄제이다.
도 22a 는, 기판 유지부 (512H) 에 클리닝 공구 (1) 가 유지되어 있는 상태를 나타내는 평면도, 도 22b 는 측단면도이다. 전술한 바와 같이, 클리닝 공구 (501) 의 외형은 기판 (P) 의 외형과 거의 동일하다. 도 22a 및 도 22b 에 나타내는 바와 같이, 기판 유지부 (512H) 는 클리닝 공구 (501) 를 유지할 수 있다. 본 실시형태에서는, 기판 유지부 (512H) 는, 클리닝 공구 (501) 의 하면 (501B) (베이스 부재 (503)) 을 릴리스 가능하게 유지한다. 기판 유지부 (512H) 에 유지된 클리닝 공구 (501) 의 상면 (501A) 은, 기판 스테이지 (512) 의 상면 (512T) 과 거의 동일하다.
도 23 은, 본 실시형태에 관련된 반송 시스템 (515) 의 동작의 일례를 나타내는 도면이다. 본 실시형태에 있어서, 반송 시스템 (515) 은, 클리닝 공구 (501) 를 반송할 수 있다. 반송 부재 (524) 는, 클리닝 공구 (501) 를 지지할 수 있다. 반송 부재 (524) 는, 클리닝 공구 (501) 의 기판 유지부 (512H) 에 대한 반입 동작 (로딩 동작), 및 클리닝 공구 (501) 의 기판 유지부 (512H) 로부터의 반출 동작 (언로딩 동작) 중 적어도 일방을 실행할 수 있다. 도 23 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에서는, 반송 부재 (524) 는 클리닝 공구 (501) 의 베이스 부재 (503) 를 지지한다.
전술한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 베이스 부재 (503) 는 세라믹스제이다. 베이스 부재 (503) 가 세라믹스제이기 때문에, 반송 부재 (524) 가 베이스 부재 (503) 를 지지함으로써, 그 반송 부재 (524) 의 오염이 억제된다. 또한, 반송 부재 (524) 에 의해 베이스 부재 (503) 를 지지한 후, 기판 (P) 을 지지한 경우라도, 그 기판 (P) 에 대한 영향이 억제된다.
또한, 본 실시형태에 있어서, 제어 장치 (516) 는, 반송 부재 (524) 에 의해 클리닝 공구 (501) 를 반송할 때의 가속도를, 기판 (P) 을 반송할 때의 가속도보다 작게 한다. 이것에 의해, 내부 공간 (504) 에 유지되어 있는 액체 (LC) 가 반송 부재 (524) 에 의한 반송 중에, 예를 들어 다공판 (502) 의 구멍으로부터 누출되는 것이 억제된다.
다음으로, 상기 서술한 노광 장치 (EX) 를 사용하여 기판 (P) 을 노광하는 방법의 일례에 관해서 설명한다.
기판 (P) 의 노광 처리를 시작하기 위해서, 제어 장치 (516) 는, 투영 영역 (PR) 과 떨어진 기판 교환 위치로 기판 스테이지 (512) 를 이동시키고, 반송 시스템 (515) 을 사용하여, 기판 교환 위치에 배치된 기판 스테이지 (512) 에 노광 전의 기판 (P) 을 로드한다. 기판 (P) 을 기판 스테이지 (512) 에 로드할 때, 제어 장치 (516) 는, 반송 부재 (524) 에 의해서 기판 (P) 이 소정의 속도 및 가속도로 반송되도록 반송 시스템 (515) 을 제어한다. 기판 스테이지 (512) 가 기판 교환 위치에 배치되어 있을 때, 투영 영역 (PR) 에는 계측 스테이지 (513) 가 배치되어 있고, 종단 광학 소자 (21) 및 액침 부재 (514) 와 계측 스테이지 (513) 의 사이에 액침 공간 (LS) 이 형성되어 있다.
노광 전의 기판 (P) 이 기판 스테이지 (512) 에 로드된 후, 제어 장치 (516) 는, 기판 스테이지 (512) 를 투영 영역 (PR) 을 향하여 이동시킨다. 제어 장치 (516) 는 스크럼 이동을 실행하여, 종단 광학 소자 (21) 및 액침 부재 (514) 와 계측 스테이지 (513) 의 사이에 액침 공간 (LS) 이 형성되어 있는 상태에서, 종단 광학 소자 (21) 및 액침 부재 (514) 와 기판 스테이지 (512) 의 사이에 액침 공간 (LS) 이 형성되는 상태로 변화시킨다. 이것에 의해, 종단 광학 소자 (21) 및 액침 부재 (514) 와, 기판 스테이지 (512) 에 유지되어 있는 기판 (P) 사이의 노광광 (EL) 의 광로가 액체 (LQ) 로 채워지도록 액침 공간 (LS) 이 형성된다.
본 실시형태의 노광 장치 (EX) 도, 마스크 (M) 와 기판 (P) 을 소정의 주사 방향으로 동기 이동시키면서, 마스크 (M) 의 패턴의 이미지를 기판 (P) 에 투영하는 주사형 노광 장치 (이른바 스캐닝 스테퍼) 이다. 기판 (P) 의 노광시, 제어 장치 (516) 는, 마스크 스테이지 (11) 및 기판 스테이지 (512) 를 제어하여, 마스크 (M) 및 기판 (P) 을 XY 평면 내의 소정의 주사 방향으로 이동시킨다. 본 실시형태에서는, 기판 (P) 의 주사 방향 (동기 이동 방향) 을 Y 축 방향으로 하고, 마스크 (M) 의 주사 방향 (동기 이동 방향) 도 Y 축 방향으로 한다. 제어 장치 (516) 는, 기판 (P) 을 투영 광학계 (PL) 의 투영 영역 (PR) 에 대하여 Y 축 방향으로 이동시킴과 함께, 그 기판 (P) 의 Y 축 방향으로의 이동과 동기하여, 조명계 (IL) 의 조명 영역 (IR) 에 대하여 마스크 (M) 를 Y 축 방향으로 이동시키면서, 투영 광학계 (PL) 와 기판 (P) 상의 액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ) 를 통하여 기판 (P) 에 노광광 (EL) 을 조사한다. 이것에 의해, 마스크 (M) 의 패턴의 이미지가 기판 (P) 에 투영되고, 기판 (P) 은 노광광 (EL) 에 의해 노광된다.
노광 후의 기판 (P) 은, 기판 스테이지 (512) 로부터 언로드된다. 제어 장치 (516) 는, 노광 후의 기판 (P) 을 기판 스테이지 (512) 로부터 언로드하기 위해서, 기판 스테이지 (512) 를 기판 교환 위치로 이동시킨다. 제어 장치 (516) 는, 반송 시스템 (515) 을 사용하여, 그 기판 교환 위치에 배치된 기판 스테이지 (512) 로부터 노광 후의 기판 (P) 을 언로드한다.
제어 장치 (516) 는, 노광 전 기판 (P) 의 로딩 동작, 기판 (P) 의 노광 동작, 및 노광 후 기판 (P) 의 언로딩 동작을 반복하여, 복수의 기판 (P) 을 순차적으로 액침 노광한다.
기판 (P) 의 노광 중, 기판 (P) 으로부터 발생 (용출) 한 물질 (예를 들어 감광재 등의 유기물) 이 이물질 (오염물) 로서 액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ) 중에 혼입될 가능성이 있다. 또한, 기판 (P) 에서 발생하는 물질뿐만 아니라, 예를 들어 공중을 부유하는 이물질이 액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ) 에 혼입될 가능성도 있다. 기판 (P) 의 노광 중, 액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ) 는, 액침 부재 (514) 의 하면 (523) 과 접촉한다. 또한, 본 실시형태에서는, 기판 (P) 의 노광 중, 액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ) 는 기판 스테이지 (512) 의 상면 (512T) 과도 접촉한다. 따라서, 액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ) 중에 이물질이 혼입되면, 액침 부재 (514) 의 하면 (523), 및 기판 스테이지 (512) 의 상면 (512T) 에 이물질이 부착될 가능성이 있다. 이들 노광 장치 (EX) 내의 부재의 액체 (LQ) 와 접촉하는 액체 접촉면에 이물질이 부착되어 있는 상태를 방치해 두면, 그 이물질이 노광 중에 기판 (P) 에 부착되거나, 공급구 (529) 로부터 공급된 액체 (LQ) 를 오염시키거나 할 가능성이 있다. 또한, 액침 부재 (514) 의 하면 (523) 이 오염되거나, 기판 스테이지 (512) 의 상면 (512T) 이 오염되거나 하면, 예를 들어 액침 공간 (LS) 을 양호하게 형성할 수 없게 될 가능성도 있다. 그 결과, 노광 불량이 발생할 가능성이 있다.
그래서, 본 실시형태에서는, 소정의 타이밍으로, 상기 서술한 클리닝 공구 (501) 를 사용하여 노광 장치 (EX) 내의 부재를 클리닝하는 클리닝 처리가 실행된다. 다음으로, 클리닝 공구 (501) 를 사용하여 노광 장치 (EX) 내의 부재를 클리닝하는 방법에 관해서, 도 24 의 플로우차트 및 도 25a, 도 25b, 도 26, 도 27 의 모식도를 참조하여 설명한다. 본 실시형태에서는, 클리닝 공구 (501) 를 사용하여 액침 부재 (514) 의 하면 (523) 을 클리닝하는 경우를 예로 들어 설명한다.
액침 부재 (514) 를 클리닝하기 위해서, 클리닝 공구 (501) 가 노광 장치 (EX) 내로 반입된다 (단계 S501). 클리닝 처리를 실행하기 전의 클리닝 공구 (501) 의 내부 공간 (504) 에는 액체 (LC) 가 미리 유지되어 있다. 노광 장치 (EX) 내로 반입된 클리닝 공구 (501) 는, 반송 시스템 (515) 에 의해서 반송된다. 제어 장치 (516) 는, 반송 시스템 (515) 을 사용하여, 기판 스테이지 (512) 에 대한 클리닝 공구 (501) 의 로딩 동작을 시작한다 (단계 S502).
클리닝 공구 (501) 를 기판 스테이지 (512) 에 로드하기 위해서, 제어 장치 (516) 는, 기판 스테이지 (512) 를 기판 교환 위치로 이동시킨다. 반송 시스템 (515) 은, 반송 부재 (524) 에 의해 클리닝 공구 (501) 의 베이스 부재 (503) 를 지지하고, 기판 교환 위치에 배치된 기판 스테이지 (512) 에 대한 클리닝 공구 (501) 의 로딩 동작을 실행한다. 기판 스테이지 (512) 는, 로드된 클리닝 공구 (501) 를 기판 유지부 (512H) 로 유지한다.
전술한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 반송 부재 (524) 로 클리닝 공구 (501) 를 반송할 때의 가속도가 기판 (P) 을 반송할 때의 가속도보다 작기 때문에, 예를 들어 반송 중에 있어서의 내부 공간 (504) 의 액체 (LC) 의 누출이 억제된다.
도 25a 에 나타내는 바와 같이, 기판 스테이지 (512) 에 클리닝 공구 (501) 를 로드하고 있을 때, 종단 광학 소자 (21) 및 액침 부재 (514) 와 대향하는 위치에 계측 스테이지 (513) 가 배치되고, 종단 광학 소자 (21) 및 액침 부재 (514) 와 계측 스테이지 (513) 사이에 액체 (LQ) 가 유지되어 액침 공간 (LS) 이 형성된다.
클리닝 공구 (501) 가 기판 스테이지 (512) 에 로드된 후, 제어 장치 (516) 는, 기판 스테이지 (512) 를 투영 영역 (PR) 을 향하여 이동시킨다. 제어 장치 (516) 는 스크럼 이동을 실행하여, 종단 광학 소자 (21) 및 액침 부재 (514) 와 계측 스테이지 (513) 의 사이에 액체 (LQ) 에 의해 액침 공간 (LS) 이 형성되어 있는 상태에서, 종단 광학 소자 (21) 및 액침 부재 (514) 와 기판 스테이지 (512) 상의 클리닝 공구 (501) 의 사이에 액침 공간 (LS) 이 형성되는 상태로 변화시킨다. 즉, 제어 장치 (516) 는, 기판 스테이지 (512) 를 이동시켜, 기판 유지부 (512H) 에 유지된 클리닝 공구 (501) 의 표면 (502A) 을, 종단 광학 소자 (21) 및 액침 부재 (514) 와 대향하는 위치에 배치한다. 이것에 의해, 도 25b 에 나타내는 바와 같이, 종단 광학 소자 (21) 및 액침 부재 (514) 와, 기판 스테이지 (512) 에 유지되어 있는 클리닝 공구 (501) 의 사이에 액체 (LQ) 가 유지되어, 액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ) 와 다공판 (502) 의 표면 (502A) 이 접촉한다 (단계 S503).
도 26 은, 종단 광학 소자 (21) 의 사출면 (22) 및 액침 부재 (514) 의 하면 (523) 과 대향하는 위치에, 기판 스테이지 (512) 에 유지된 클리닝 공구 (501) 의 표면 (502A) 이 배치된 상태를 나타내는 도면, 도 27 은, 다공판 (502) 의 근방을 모식적으로 나타내는 도면이다. 본 실시형태에서는, 도 26 에 나타내는 바와 같이, 종단 광학 소자 (21) 및 액침 부재 (514) 와 대향하는 위치에 클리닝 공구 (501) 를 이동시킨 후, 제어 장치 (516) 는, 공급구 (529) 를 사용하는 액체 (LQ) 의 공급 동작을 정지시킴과 함께, 회수구 (530) 를 사용하는 액체의 회수 동작을 정지시킨다.
액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ) 와 다공판 (502) 의 표면 (502A) 이 접촉함으로써, 표면 (502A) 상에 액체 (LQ) 와 액체 (LC) 의 혼합 액체 (LD) 가 생성된다. 도 27 에 나타내는 바와 같이, 액체 (LQ) 와 다공판 (502) 의 표면 (502A) 이 접촉함으로써, 표면 (502A) 측 액체 (LQ) 의 적어도 일부가 구멍 (502H) 을 통해서 내부 공간 (504) 으로 이동함과 함께, 내부 공간 (504) 의 액체 (LC) 의 적어도 일부가 구멍 (502H) 을 통해서 표면 (502A) 측으로 이동하는 현상이 생긴다. 이것에 의해, 액체 (LQ) 와 액체 (LC) 의 혼합 액체 (LD) 가 생성된다. 본 실시형태에서는, 액체 (LC) 는 액체 (LQ) 로 희석시키는 것이 가능하기 때문에, 혼합 액체 (LD) 가 원활하게 생성된다.
본 실시형태에서는, 구멍 (502H) 의 크기가 최적화되어 있고, 예를 들어 클리닝 공구 (501) 의 반송 중, 또는 표면 (502A) 와 액체 (LQ) 가 접촉하고 있지 않은 상태에 있어서는, 내부 공간 (504) 의 액체 (LC) 가 표면 (502A) 측으로 이동하는 것이 억제되어 있다. 액침 공간 (LS) 의 액체 (LQ) 와 표면 (502A) 을 접촉시키는 것에 의해서 전술한 바와 같은 현상이 생겨, 표면 (502A) 상에 액체 (LQ) 와 액체 (LC) 의 혼합 액체 (LD) 가 생성된다. 생성된 혼합 액체 (LD) 는, 종단 광학 소자 (21) 의 사출면 (22) 및 액침 부재 (514) 의 하면 (523) 과, 클리닝 공구 (501) 의 표면 (502A) 과의 사이에 유지된다. 이것에 의해, 액침 부재 (514) 의 하면 (523) 과 클리닝 공구 (501) 의 표면 (502A) 의 사이에, 혼합 액체 (LD) 에 의해 액침 공간이 형성된다. 본 실시형태에서는, 표면 (502A) 이 액체 (LQ) 및 액체 (LC) (즉 혼합 액체 (LD)) 에 대하여 발액성이기 때문에, 액침 부재 (514) 의 하면 (523) 과 클리닝 공구 (501) 의 표면 (502A) 의 사이에서, 혼합 액체 (LD) 의 액침 공간이 양호하게 형성된다. 혼합 액체 (LD) 와 액침 부재 (514) 의 하면 (523) 이 접촉함으로써, 그 혼합 액체 (LD) 에 의해서 액침 부재 (514) 의 하면 (523) 이 클리닝된다 (단계 S504).
본 실시형태에서는, 다공판 (502) 및 액침 부재 (514) (다공 부재 (535)) 의 각각은 티탄제이고, 다공판 (502) 과 액침 부재 (514) 는 동일한 재질이다. 혼합 액체 (LD) 가 전해액인 경우, 다공판 (502) 의 재질과 액침 부재 (514) 의 재질이 상이하면, 다공판 (502) 과 액침 부재 (514) 의 사이에 혼합 액체 (LD) 가 유지된 경우, 다공판 (502) 및 액침 부재 (514) 의 적어도 일방이 부식될 가능성이 높아진다. 본 실시형태에서는, 다공판 (502) 과 액침 부재 (514) 가 동일한 재질이기 때문에, 다공판 (502) 및 액침 부재 (514) 의 품질을 유지할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 액체 (LQ) 와 표면 (502A) 을 접촉시킬 때, 공급구 (529) 를 사용하는 액체 (LQ) 의 공급 동작, 및 회수구 (530) 를 사용하는 액체의 회수 동작이 정지되어 있기 때문에, 혼합 액체 (LD) 중의 액체 (LC) 의 비율 저하를 억제할 수 있다.
본 실시형태에서는, 제어 장치 (516) 는, 혼합 액체 (LD) 를 사용하는 클리닝시에, 기판 스테이지 (512) 를 XY 방향으로 이동시키고, 액침 부재 (514) 에 대하여 클리닝 공구 (501) 를 이동시킨다. 이것에 의해, 액침 부재 (514) 의 하면 (523) 의 넓은 영역과 혼합 액체 (LD) 를 접촉시켜, 클리닝할 수 있다. 또한, 본 실시형태에서는, 표면 (502A) 이 액체 (LQ) 및 액체 (LC) (즉 혼합 액체 (LD)) 에 대하여 발액성이기 때문에, 클리닝 공구 (501) 를 이동시킨 경우라도, 액침 부재 (514) 의 하면 (523) 과 클리닝 공구 (501) 의 표면 (502A) 과의 사이에서 혼합 액체 (LD) 의 액침 공간을 양호하게 형성할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 제어 장치 (516) 는, 혼합 액체 (LD) 의 액침 공간을 형성한 상태에서, 액침 부재 (514) 의 하면 (523) 과 기판 스테이지 (512) 의 상면 (512T) 이 대향하도록 기판 스테이지 (512) 를 이동시킨다. 이것에 의해, 클리닝 공구 (501) 의 상면 (501A) 주위에 배치된 상면 (512T) 의 적어도 일부와 혼합 액체 (LD) 를 접촉시켜, 그 상면 (512T) 의 적어도 일부를 혼합 액체 (LD) 에 의해 클리닝할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 제어 장치 (516) 는, 혼합 액체 (LD) 의 액침 공간을 형성한 상태에서, 액침 부재 (514) 의 하면 (523) 과 계측 스테이지 (513) 의 상면 (513T) 이 대향하도록 스크럼 이동시킨다. 이것에 의해, 상면 (513T) 의 적어도 일부와 혼합 액체 (LD) 를 접촉시켜, 그 상면 (513T) 의 적어도 일부를 혼합 액체 (LD) 에 의해 클리닝할 수 있다.
혼합 액체 (LD) 를 사용하는 클리닝 후, 액체 (LQ) 를 사용하는 기판 (P) 의 노광 전에 액침 부재 (514) 로부터 혼합 액체 (LD) 를 제거하기 위해서, 제어 장치 (516) 는, 공급구 (529) 를 사용하는 액체 (LQ) 의 공급 동작을 포함하는 플러싱 처리를 시작한다. 또한, 제어 장치 (516) 는, 회수구 (530) 를 사용하는 액체의 회수 동작을 시작한다 (단계 S505).
제어 장치 (516) 는, 종단 광학 소자 (21) 및 액침 부재 (514) 와 대향하는 위치에 계측 스테이지 (513) 를 배치한 상태에서, 공급구 (529) 를 사용하는 액체 (LQ) 의 공급 동작과 병행하여 회수구 (530) 를 사용하는 액체의 회수 동작을 실행한다. 이것에 의해, 제어 장치 (516) 는, 계측 스테이지 (513) 의 상면 (513T), 액침 부재 (514) 의 하면 (523), 다공 부재 (535), 공급 유로 (531R), 및 회수 유로 (534R) 등에 잔류하고 있는 혼합 액체 (LD) 를 씻어 낼 수 있다. 또한, 제어 장치 (516) 는, 종단 광학 소자 (21) 및 액침 부재 (514) 와 대향하는 위치에 기판 스테이지 (512) 를 배치한 상태에서, 공급구 (529) 를 사용하는 액체 (LQ) 의 공급 동작과 병행하여 회수구 (530) 를 사용하는 액체의 회수 동작을 실행함으로써, 기판 스테이지 (512) 의 상면 (512T) 등에 잔류하고 있는 혼합 액체 (LD) 를 씻어 낼 수 있다. 또한, 제어 장치 (516) 는, 종단 광학 소자 (21) 및 액침 부재 (514) 와 대향하는 위치에 클리닝 공구 (501) 를 배치한 상태에서, 공급구 (529) 를 사용하는 액체 (LQ) 의 공급 동작과 병행하여 회수구 (530) 를 사용하는 액체의 회수 동작을 실행함으로써, 클리닝 공구 (501) 등에 잔류하고 있는 혼합 액체 (LD) 를 씻어 낼 수 있다.
본 실시형태에서는, 액체 (LC) 와 액체 (LQ) 의 종류가 상이하다. 기판 (P) 의 노광 전에, 노광용 액체 (LQ) 를 사용하여 혼합 액체 (LD) 를 제거함으로써, 그 후에 실행되는 기판 (P) 의 노광 중에 광로를 채우는 액체 (LQ) 에 혼합 액체 (LD) (액체 (LC)) 가 혼입되는 것이 억제된다.
플러싱 처리 후, 제어 장치 (516) 는, 공급구 (529) 를 사용하는 액체 (LQ) 의 공급 동작을 정지시키고, 종단 광학 소자 (21) 및 액침 부재 (514) 와 대향하는 위치에 클리닝 공구 (501) 를 배치한 상태에서 회수구 (530) 를 사용하는 액체의 회수 동작을 실행하여, 클리닝 공구 (501) 의 상면 (501A) 의 액체를 회수한다 (단계 S506).
클리닝 공구 (501) 의 액체가 충분히 회수된 후, 그 클리닝 공구 (501) 가 기판 스테이지 (512) 로부터 언로드된다. 제어 장치 (516) 는, 클리닝 공구 (501) 를 기판 스테이지 (512) 로부터 언로드하기 위해서, 기판 스테이지 (512) 를 기판 교환 위치로 이동시킨다. 제어 장치 (516) 는, 반송 시스템 (515) 을 사용하여, 그 기판 교환 위치에 배치된 기판 스테이지 (512) 로부터 클리닝 공구 (501) 를 언로드한다 (단계 S507). 기판 스테이지 (512) 로부터 언로드된 클리닝 공구 (501) 는, 노광 장치 (EX) 로부터 반출된다 (단계 S508). 본 실시형태에서는, 기판 스테이지 (512) 로부터 클리닝 공구 (501) 를 언로드하기 전에, 클리닝 공구 (501) 의 상면 (501A) 의 액체를 회수하는 처리 (단계 S506) 가 실행되기 때문에, 언로드된 클리닝 공구 (501) 의 반송 중, 그 클리닝 공구 (501) 로부터의 액체의 누출, 비산 등이 억제된다.
클리닝 공구 (501) 를 사용하는 클리닝 처리를 포함한 상기 서술한 단계 S501 ∼ S508 의 처리가 종료된 후, 기판 (P) 이 기판 유지부 (512H) 에 유지되어, 그 기판 (P) 의 노광 처리가 실행된다. 노광된 기판 (P) 은, 예를 들어 현상 처리 등 소정의 프로세스 처리가 실행된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 의하면, 노광 장치 (EX) 내의 액침 부재 (514) 등을, 클리닝 공구 (501) 를 사용하여 효율적으로 양호하게 클리닝할 수 있다. 따라서, 액침 부재 (514) 등의 오염에서 기인하는 노광 불량의 발생을 억제할 수 있어, 불량 디바이스의 발생을 억제할 수 있다.
또, 상기 서술한 실시형태에서는, 기판 (P) 을 반송할 수 있는 반송 시스템 (515) 이, 클리닝 공구 (501) 를 기판 스테이지 (512) 에 로드하는 동작 및 기판 스테이지 (512) 로부터 언로드하는 동작을 실행하고 있지만, 기판 (P) 을 반송할 수 있는 반송 시스템 (515) 과는 별도의 클리닝 공구 (501) 를 반송하기 위한 반송 시스템을 형성하고, 그 반송 시스템을 사용하여, 클리닝 공구 (501) 를 로드하는 동작 및 언로드하는 동작을 실행해도 된다. 또, 클리닝 공구 (501) 를 기판 스테이지 (512) 에 로드하는 동작 및 기판 스테이지 (512) 로부터 언로드하는 동작을, 작업자가 실행해도 된다.
또한, 상기 서술한 실시형태에서는, 액체 (LQ) 의 액침 공간 (LS) 을 유지하면서, 종단 광학 소자 (21) 및 액침 부재 (514) 와 대향하는 위치로 클리닝 공구 (501) 를 이동시키고 있는데, 액침 공간 (LS) 을 형성하는 액체 (LQ) 를 제거한 다음에 종단 광학 소자 (21) 및 액침 부재 (514) 와 대향하는 위치로 클리닝 공구 (501) 를 이동시키고, 그 후에, 액체 (LQ) 의 공급 동작과 회수 동작을 재개하여, 일방측의 종단 광학 소자 (21) 및 액침 부재 (514) 와 타방측의 클리닝 공구 (501) 와의 사이에 액체 (LQ) 의 액침 공간 (LS) 을 형성해도 된다.
또한, 상기 서술한 실시형태에서는, 종단 광학 소자 (21) 및 액침 부재 (514) 와 대향하는 위치로 클리닝 공구 (501) 를 이동시킨 후, 즉, 클리닝 공구 (501) 를 사용한 클리닝 동작의 실행 중에, 액체 (LQ) 의 공급 동작 및 회수 동작을 정지시키고 있지만, 클리닝 동작 중에 액체 (LQ) 의 공급 동작 및 회수 동작을 실행해도 된다. 이 경우, 혼합 액체 (LD) 중의 액체 (LC) 의 비율 저하를 억제하기 위해서, 액체 (LQ) 의 공급량과 회수량 중 적어도 일방을 기판 (P) 의 노광 중보다 적은 것이 바람직하다.
또한, 상기 서술한 실시형태에서는, 기판 스테이지 (512) 의 상면 (512T) 상에 혼합 액체 (LD) 의 액침 공간을 형성하여 상면 (512T) 을 클리닝하는 동작, 및 계측 스테이지 (513) 의 상면 (513T) 상에 혼합 액체 (LD) 의 액침 공간을 형성하여 상면 (513T) 을 클리닝하는 동작을 실행하고 있는데, 상면 (512T) 을 클리닝하는 동작 및 상면 (513T) 을 클리닝하는 동작 중 적어도 일방을 생략해도 된다.
<제 4 실시형태>
다음으로, 제 4 실시형태에 관해서 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 상기 서술한 실시형태와 동일 또는 동등한 구성 부분에 관해서는 동일한 부호를 붙이고, 그 설명을 간략하게 하거나 또는 생략한다.
도 28 은, 제 4 실시형태에 관련된 클리닝 공구 (601) 의 일례를 나타내는 측단면도, 도 29 는, 클리닝 공구 (601) 의 일부를 나타내는 평면도이다. 도 29 에는, 다공판 (502) 이 없는 상태가 도시되어 있다.
도 28 및 도 29 에 있어서, 클리닝 공구 (601) 는, 다공판 (502) 과, 다공판 (502) 을 지지하는 베이스 부재 (603) 를 구비하고 있다. 또한, 클리닝 공구 (601) 는, 다공판 (502) 의 이면 (502B) 에 면하는 내부 공간 (504) 을 구비하고 있다.
본 실시형태에 있어서, 베이스 부재 (603) 는 다공판 (502) 과 동일한 재질이다. 본 실시형태에 있어서, 베이스 부재 (603) 및 다공판 (502) 은 티탄제이다. 다공판 (502) 과 베이스 부재 (603) 는 접합되어 있다. 본 실시형태에서는, 다공판 (502) 과 베이스 부재 (603) 는, 이른바 확산 접합법에 의해 접합되어 있다.
본 실시형태에 있어서, 베이스 부재 (603) 의 외면은, 불소를 함유하는 수지의 막으로 형성되어 있다. 베이스 부재 (603) 의 외면은, 다공판 (502) 의 표면 (502A) 주위에 배치된 베이스 부재 (603) 의 상면 (503D), 상면 (503D) 의 반대측인 하면 (503E), 및 상면 (503D) 과 하면 (503E) 을 연결하는 측면 (503F) 을 포함한다. 막을 형성하는 재료로는, 예를 들어 PFA (Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer), PTFE (Poly tetra fluoro ethylene), PEEK (polyetheretherketone), 테플론 (등록상표) 등을 들 수 있다.
베이스 부재 (603) 의 외면이 불소를 함유하는 수지의 막으로 형성되어 있기 때문에, 반송 부재 (524) 가 베이스 부재 (603) 를 지지한 경우라도, 그 반송 부재 (524) 의 오염이 억제된다. 또한, 반송 부재 (524) 에 의해 베이스 부재 (603) 를 지지한 후, 기판 (P) 을 지지한 경우라도, 그 기판 (P) 에 대한 영향이 억제된다.
본 실시형태에 있어서, 내부 공간 (504) 에 다공 부재가 배치되어 있지 않다. 본 실시형태에 있어서, 내부 공간 (504) 에는, 그 내부 공간 (504) 을 복수의 공간 (504P) 으로 분할하는 분할 부재 (550) 가 배치되어 있다. 클리닝 처리 전, 공간 (504P) 에는 클리닝용 액체 (LC) 가 배치된다. 본 실시형태에 있어서, 분할 부재 (550) 는 베이스 부재 (603) 와 동일한 재질이다. 즉, 본 실시형태에 있어서, 분할 부재 (550) 는 티탄제이다.
도 29 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에서는, 분할 부재 (550) 는, XY 평면 내에서 격자 형상으로 배치되어 있고, 공간 (504P) 은, XY 평면 내에서 매트릭스 형상으로 배치된다. 또, 도 30a 에 나타내는 바와 같이, 분할 부재 (550) 가, XY 평면 내에서, 베이스 부재 (603) 의 중심에 대하여 동심원 형상으로 배치되어도 되고, 도 30b 에 나타내는 바와 같이 방사상으로 배치되어도 된다. 내부 공간 (504) 을 복수의 공간 (504P) 으로 분할함으로써, 예를 들어 클리닝 공구 (601) 의 반송 중에, 공간 (504P) 의 액체 (LC) 가 외부로 누출되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 본 실시형태에서는, 내부 공간 (504) 에 다공 부재가 배치되어 있지 않기 때문에, 클리닝 처리 (단계 S504) 의 종료 후, 예를 들어 단계 S505, S506 의 동작에 있어서, 내부 공간 (504) 으로부터 액체 (LC) 를 양호하게 배제시킬 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 있어서도, 클리닝 공구 (501) 를 사용하여, 노광 장치 (EX) 내의 클리닝 대상 부재를 효율적으로 양호하게 클리닝할 수 있다.
또, 상기 서술한 제 3, 제 4 실시형태에 있어서도, 도시를 생략한 클리닝 액체 공급원에서부터 내부 공간으로의 액체 (LC) 의 공급을 노광 장치 (EX) 내에서 실시해도 된다. 이 경우에도, 액체 (LC) 의 액체 공급원에서부터 노광 장치 내의 부재의 상면 (예를 들어, 기판 스테이지 (512) 의 상면 (512T)) 에 액체 (LC) 를 공급하여, 그 부재의 상면을 클리닝해도 된다.
또, 상기 서술한 각 실시형태에서는, 투영 광학계 (PL) 의 종단 광학 소자 (21) 의 사출측 (상면측) 광로가 액체 (LQ) 로 채워지지만, 국제 공개 제2004/019128호 팜플렛에 개시되어 있는 바와 같이, 종단 광학 소자 (21) 의 입사측 (물체면측) 광로도 액체 (LQ) 로 채워지는 투영 광학계를 채용할 수도 있다.
또, 상기 서술한 각 실시형태의 액체 (LQ) 는 물이지만, 물 이외의 액체여도 된다. 예를 들어, 액체 (LQ) 로서, 하이드로플로로에테르 (HFE), 과불화 폴리에테르 (PFPE), 폼블린 오일 등을 사용할 수도 있다. 또한, 액체 (LQ) 로서 각종 유체, 예를 들어 초임계 유체를 사용할 수도 있다.
또, 상기 서술한 각 실시형태의 기판 (P) 로는, 반도체 디바이스 제조용의 반도체 웨이퍼뿐만 아니라, 디스플레이 디바이스용의 유리 기판, 박막 자기 헤드용의 세라믹 웨이퍼, 또는 노광 장치에서 사용되는 마스크 또는 레티클의 원판 (합성 석영, 실리콘 웨이퍼) 등이 적용된다.
노광 장치 (EX) 는, 마스크 (M) 와 기판 (P) 을 동기 이동시켜 마스크 (M) 의 패턴을 주사 노광하는 스텝 앤드 스캔 방식의 주사형 노광 장치 (스캐닝 스테퍼) 여도 되고, 마스크 (M) 와 기판 (P) 을 정지시킨 상태에서 마스크 (M) 의 패턴을 일괄 노광하고, 기판 (P) 을 순차 단계 이동시키는 스텝 앤드 리피트 방식의 투영 노광 장치 (스테퍼) 여도 된다.
그리고, 스텝 앤드 리피트 방식의 노광에 있어서, 제 1 패턴과 기판 (P) 을 거의 정지시킨 상태에서, 투영 광학계 (PL) 를 사용하여 제 1 패턴의 축소 이미지를 기판 (P) 상에 전사한 후, 제 2 패턴과 기판 (P) 을 거의 정지시킨 상태에서, 투영 광학계 (PL) 를 사용하여 제 2 패턴의 축소 이미지를 제 1 패턴과 부분적으로 겹쳐서 기판 (P) 상에 일괄 노광해도 된다 (스티치 방식의 일괄 노광 장치). 또한, 스티치 방식의 노광 장치로서, 기판 (P) 상에서 적어도 2 개의 패턴을 부분적으로 겹쳐서 전사하고, 기판 (P) 을 순차적으로 이동시키는 스텝 앤드 스티치 방식의 노광 장치를 채용할 수도 있다.
또한, 노광 장치 (EX) 는, 예를 들어 대응 미국 특허 제6611316호 명세서에 개시되어 있는 바와 같이, 2 개의 마스크의 패턴을, 투영 광학계를 통하여 기판 상에서 합성하고, 1 회의 주사 노광에 의해서 기판 상의 1 개의 쇼트 영역을 거의 동시에 이중 노광하는 노광 장치여도 된다. 또한, 노광 장치 (EX) 는, 프록시미티 방식의 노광 장치, 미러 프로젝션·얼라이너여도 된다.
또한, 상기 서술한 각 실시형태에 있어서, 노광 장치 (EX) 는 계측 스테이지 (13) 를 구비하고 있지 않아도 된다.
또, 노광 장치 (EX) 는, 미국 특허 제6341007호 명세서, 미국 특허 제6208407호 명세서, 미국 특허 제6262796호 명세서 등에 개시되어 있는 것 같은 복수의 기판 스테이지를 구비한 트윈 스테이지형의 노광 장치여도 된다.
그리고, 예를 들어 미국 특허 제6897963호 명세서 등에 개시되어 있는 것 같이, 기판을 유지하는 기판 스테이지와 기준 마크가 형성된 기준 부재 및/또는 각종 광전 센서를 탑재하여, 노광 대상인 기판을 유지하지 않은 계측 스테이지를 구비한 노광 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다. 또한, 노광 장치 (EX) 는, 복수의 기판 스테이지와 계측 스테이지를 구비한 노광 장치여도 된다.
노광 장치 (EX) 의 종류로는, 기판 (P) 에 반도체 소자 패턴을 노광하는 반도체 소자 제조용 노광 장치에 한정되지 않고, 액정 표시 소자 제조용 또는 디스플레이 제조용 노광 장치나, 박막 자기 헤드, 촬상 소자 (CCD), 마이크로머신, MEMS, DNA 칩, 혹은 레티클 또는 마스크 등을 제조하기 위한 노광 장치 등에도 널리 적용할 수 있다.
또, 상기 서술한 각 실시형태에서는, 레이저 간섭계를 포함하는 간섭계 시스템을 사용하여 마스크 스테이지 (11) 및 기판 스테이지 (12) (512) 의 각 위치 정보를 계측하는 것으로 하였지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들어 각 스테이지 (11, 12) (512) 에 형성되는 스케일 (회절 격자) 을 검출하는 인코더 시스템을 사용해도 된다. 이 경우, 간섭계 시스템과 인코더 시스템의 양쪽을 구비하는 하이브리드 시스템으로 해도 된다.
또한, 상기 서술한 각 실시형태에서는, 노광광 (EL) 으로서 ArF 엑시머 레이저광을 발생하는 광원 장치로 하여, ArF 엑시머 레이저를 사용해도 되고, 예를 들어, 미국 특허 제7023610호 명세서에 개시되어 있는 것 같이, DFB 반도체 레이저 또는 파이버 레이저 등의 고체 레이저 광원, 파이버 앰프 등을 갖는 광증폭부, 및 파장 변환부 등을 포함하고, 파장 193㎚ 의 펄스광을 출력하는 고조파 발생 장치를 사용해도 된다. 또한, 상기 실시형태에서는, 전술한 각 조명 영역과, 투영 영역이 각각 직사각형 형상인 것으로 했는데, 다른 형상, 예를 들어 원호 형상 등이어도 된다.
또, 상기 서술한 각 실시형태에서는, 광투과성의 기판 상에 소정의 차광 패턴 (또는 위상 패턴·감광 패턴) 을 형성한 광투과형 마스크를 사용했지만, 이 마스크 대신에, 예를 들어 미국 특허 제6778257호 명세서에 개시되어 있는 바와 같이, 노광해야 할 패턴의 전자 데이터에 기초하여 투과 패턴 또는 반사 패턴, 혹은 발광 패턴을 형성하는 가변 성형 마스크 (전자 마스크, 액티브 마스크, 혹은 이미지 제너레이터라고도 한다) 를 사용해도 된다. 가변 성형 마스크는, 예를 들어 비발광형 화상 표시 소자 (공간 광변조기) 의 일종인 DMD (Digital Micro-mirror Device) 등을 포함한다. 또한, 비발광형 화상 표시 소자를 구비하는 가변 성형 마스크를 대신하여, 자발광형 화상 표시 소자를 포함하는 패턴 형성 장치를 구비하도록 해도 된다. 자발광형 화상 표시 소자로는, 예를 들어, CRT (Cathode Ray Tube), 무기 EL 디스플레이, 유기 EL 디스플레이 (OLED : Organic Light Emitting Diode), LED 디스플레이, LD 디스플레이, 전계 방출 디스플레이 (FED : Field Emission Display), 플라즈마 디스플레이 (PDP : Plasma Display Panel) 등을 들 수 있다.
상기 서술한 각 실시형태에서는, 투영 광학계 (PL) 를 구비한 노광 장치를 예로 들어 설명해 왔는데, 투영 광학계 (PL) 를 사용하지 않은 노광 장치여도 된다. 이와 같이 투영 광학계 (PL) 를 사용하지 않은 경우라도, 노광광은 렌즈 등의 광학 부재를 통하여 기판에 조사되고, 그와 같은 광학 부재와 기판 사이의 소정 공간에 액침 공간이 형성된다.
또한, 노광 장치 (EX) 는, 예를 들어 국제 공개 제2001/035168호 팜플렛에 개시되어 있는 것과 같이, 간섭 무늬를 기판 (P) 상에 형성함으로써, 기판 (P) 상에 라인 앤드 스페이스 패턴을 노광하는 노광 장치 (리소그래피 시스템) 여도 된다.
이상과 같이, 본 실시형태의 노광 장치 (EX) 는, 본원 청구범위에 열거된 각 구성 요소를 포함하는 각종 서브 시스템을, 소정의 기계적 정밀도, 전기적 정밀도, 광학적 정밀도를 유지하도록 조립함으로써 제조된다. 이들 각종 정밀도를 확보하기 위해서, 이 조립의 전후에는, 각종 광학계에 대해서는 광학적 정밀도를 달성하기 위한 조정, 각종 기계계에 대해서는 기계적 정밀도를 달성하기 위한 조정, 각종 전기계에 대해서는 전기적 정밀도를 달성하기 위한 조정이 이루어진다. 각종 서브 시스템으로부터 노광 장치 (EX) 에 대한 조립 공정은, 각종 서브 시스템 상호의, 기계적 접속, 전기 회로의 배선 접속, 기압 회로의 배관 접속 등이 포함된다. 이 각종 서브 시스템으로부터 노광 장치 (EX) 에 대한 조립 공정 전에, 각 서브 시스템 개개의 조립 공정이 있음은 말할 필요도 없다. 각종 서브 시스템의 노광 장치 (EX) 에 대한 조립 공정이 종료되면, 종합 조정이 이루어져, 노광 장치 (EX) 전체로서의 각종 정밀도가 확보된다. 또한, 노광 장치 (EX) 의 제조는 온도 및 클린도 등이 관리된 클린룸에서 실시하는 것이 바람직하다.
반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스는, 도 31 에 나타내는 바와 같이, 마이크로 디바이스의 기능·성능 설계를 실시하는 단계 (201), 이 설계 단계에 기초한 마스크 (레티클) 를 제작하는 단계 (202), 디바이스의 기재인 기판을 제조하는 단계 (203), 전술한 실시형태에 따라서, 마스크의 패턴을 사용하여 노광광 (EL) 으로 기판을 노광하는 것, 및 노광된 기판 (P) 을 현상하는 것을 포함한 기판 처리 (노광 처리) 를 포함하는 기판 처리 단계 (204), 디바이스 조립 단계 (다이싱 공정, 본딩 공정, 패키지 공정 등의 가공 프로세스를 포함) (205), 검사 단계 (206) 등을 거쳐 제조된다. 상기 서술한 클리닝 공구를 사용하는 처리는, 기판 처리 단계 (204) 에 포함된다.
그리고, 상기 서술한 각 실시형태의 요건은 적절히 조합할 수 있다. 또한, 일부의 구성 요소를 사용하지 않는 경우도 있다. 또, 법령에 의해 허용되는 한, 상기 서술한 각 실시형태 및 변형예에서 인용한 노광 장치 등에 관한 모든 공개 공보 및 미국 특허의 개시를 원용하여 본문 기재의 일부로 한다.

Claims (62)

  1. 노광광으로 기판을 노광하는 노광 장치에 반입되어, 상기 노광 장치 내의 부재를 클리닝하는 클리닝 공구로서,
    베이스 부재와,
    상기 베이스 부재 상에 배치되고, 클리닝 액체를 스며들게 한 클리닝 부재를 구비하는, 클리닝 공구.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 클리닝 부재는, 제 1 부분과 제 2 부분을 포함하는, 클리닝 공구.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 부분은, 상기 베이스 부재의 표면에 대하여 제 1 높이를 갖고,
    상기 제 2 부분은, 상기 베이스 부재의 표면에 대하여 제 2 높이를 갖는, 클리닝 공구.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 2 부분은, 상기 베이스 부재의 표면에 대하여 상기 제 1 부분보다 높은, 클리닝 공구.
  5. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 노광 장치 내의 부재의 표면의 형상에 따라서, 상기 제 1 높이 및 상기 제 2 높이가 각각 정해진, 클리닝 공구.
  6. 제 2 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 부분은, 상기 제 1 부분의 주위의 적어도 일부에 배치되는, 클리닝 공구.
  7. 제 2 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 베이스 부재 상에 있어서, 상기 제 1 부분과 상기 제 2 부분이 떨어져 있는, 클리닝 공구.
  8. 제 2 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 클리닝 액체는, 상기 제 1 부분에 스며들게 한 제 1 클리닝 액체와, 상기 제 2 부분에 스며들게 한 제 2 클리닝 액체를 포함하는, 클리닝 공구.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 베이스 부재 상에 배치되고, 상기 클리닝 부재의 주위에 배치된 주벽 (周壁) 부재를 갖는, 클리닝 공구.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 주벽 부재는, 상기 클리닝 액체의 누출을 억제하는, 클리닝 공구.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 주벽 부재는, 상기 클리닝 부재로부터 스며나오는 상기 클리닝 액체를 회수하는, 클리닝 공구.
  12. 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 주벽 부재는, 다공 부재를 포함하는, 클리닝 공구.
  13. 제 9 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 주벽 부재는, 스폰지를 포함하는, 클리닝 공구.
  14. 제 9 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 주벽 부재는, 상기 베이스 부재의 표면에 대하여 상기 클리닝 부재보다 낮은, 클리닝 공구.
  15. 제 9 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 주벽 부재는, 상기 클리닝 부재보다 상기 클리닝 액체에 대하여 친액성인, 클리닝 공구.
  16. 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 베이스 부재는, 상기 기판과 실질적으로 동일한 외형을 갖는, 클리닝 공구.
  17. 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 클리닝 부재는, 다공 부재를 포함하는, 클리닝 공구.
  18. 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 클리닝 부재는, 스폰지를 포함하는, 클리닝 공구.
  19. 노광광으로 기판을 노광하는 노광 장치에 제 1 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 기재된 클리닝 공구를 반입하는 것과,
    상기 클리닝 공구의 상기 클리닝 부재와 상기 노광 장치 내의 부재를 접촉시켜, 상기 노광 장치 내의 부재의 적어도 일부를 클리닝하는 것을 포함하는, 클리닝 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 노광 장치 내의 기판 유지부로 상기 클리닝 공구를 유지하는 것과,
    상기 기판 유지부를 이동시켜, 상기 클리닝 부재와 상기 노광 장치 내의 부재의 표면을 접촉시키는 것을 포함하는, 클리닝 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 클리닝 부재를 거의 정지시킨 상태에서 상기 노광 장치 내의 부재를 클리닝하는, 클리닝 방법.
  22. 제 19 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 노광 장치는, 노광용 액체를 통하여 기판을 노광하는 액침 노광 장치로서,
    상기 클리닝 공구를 사용하는 클리닝 후, 상기 기판의 노광 전에, 상기 노광 장치 내의 부재의 표면에서부터 상기 클리닝 액체를 제거하기 위해서 상기 노광용 액체를 공급하는 것을 포함하는, 클리닝 방법.
  23. 제 19 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 노광 장치는, 노광용 액체를 통하여 기판을 노광하는 액침 노광 장치로서,
    상기 노광 장치 내의 부재의 표면은, 상기 기판의 노광 중에, 상기 기판과의 사이에서 상기 노광용 액체를 유지하는 유지면과, 상기 유지면 주위의 적어도 일부에 배치된 액체 회수면 중 적어도 일방을 포함하는, 클리닝 방법.
  24. 제 19 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 노광 장치 내의 부재의 표면은, 상기 노광광이 사출되는 광학 부재의 사출면을 포함하는, 클리닝 방법.
  25. 노광광으로 기판을 노광하는 노광 장치에 제 1 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 기재된 클리닝 공구를 반입하는 것과,
    상기 클리닝 공구의 상기 클리닝 부재와 상기 노광 장치 내의 부재를 접촉시켜, 상기 노광 장치 내의 부재의 적어도 일부를 클리닝하는 것과,
    상기 클리닝 후에, 상기 노광 장치로 기판을 노광하는 것과,
    노광된 상기 기판을 현상하는 것을 포함하는, 디바이스 제조 방법.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 클리닝 후에, 상기 기판을 기판 유지부에 유지시키는 것과,
    상기 클리닝 전에, 상기 클리닝 공구를 상기 기판 유지부에 유지시키는 것을 추가로 포함하는, 디바이스 제조 방법.
  27. 제 1 액체를 통하여 노광광으로 기판을 노광하는 노광 장치에 반입되어, 상기 노광 장치 내의 소정 부재를 클리닝하기 위한 클리닝 공구로서,
    제 1 면, 상기 제 1 면의 반대측인 제 2 면, 및 상기 제 1 면과 상기 제 2 면을 연통하는 복수의 구멍을 갖는 다공판과,
    상기 다공판을 지지하는 베이스 부재와,
    상기 제 2 면에 면하는 내부 공간을 구비하고,
    상기 내부 공간에 클리닝용의 제 2 액체가 유지되는, 클리닝 공구.
  28. 제 26 항에 있어서,
    상기 제 2 액체는, 상기 제 1 액체에 대하여 가용성인, 클리닝 공구.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 제 1 면은, 상기 제 1, 제 2 액체에 대하여 발액성인, 클리닝 공구.
  30. 제 27 항 내지 제 29 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 다공판은, 상기 소정 부재와 동일한 재질인, 클리닝 공구.
  31. 제 27 항 내지 제 30 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 다공판은, 상기 제 2 면의 주연 (周緣) 영역에 복수 배치되고, 상기 제 2 면에서 돌출되는 제 1 볼록부와, 상기 제 1 볼록부의 각각에서부터 상기 제 2 면의 중심에 대한 방사 방향 외측으로 돌출되는 제 2 볼록부를 갖고,
    상기 베이스 부재는, 상기 제 2 볼록부가 배치되는 오목부를 갖는, 클리닝 공구.
  32. 제 27 항 내지 제 31 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 베이스 부재는 세라믹스제인, 클리닝 공구.
  33. 제 27 항 내지 제 32 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 베이스 부재는, 상기 다공판과 동일한 재질인, 클리닝 공구.
  34. 제 33 항에 있어서,
    상기 베이스 부재의 외면은, 불소를 함유하는 수지의 막으로 형성되는, 클리닝 공구.
  35. 제 27 항 내지 제 34 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 내부 공간에 배치되고, 복수의 개기공 (開氣孔) 을 갖는 다공 부재를 구비하는, 클리닝 공구.
  36. 제 35 항에 있어서,
    상기 다공 부재는, 상기 소정 부재와 동일한 재질인, 클리닝 공구.
  37. 제 27 항 내지 제 34 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 내부 공간에 배치되고, 그 내부 공간을 복수의 공간으로 분할하는 분할 부재를 갖는, 클리닝 공구.
  38. 제 37 항에 있어서,
    상기 분할 부재는, 상기 베이스 부재와 동일한 재질인, 클리닝 공구.
  39. 제 27 항 내지 제 38 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판과 실질적으로 동일한 외형을 갖는, 클리닝 공구.
  40. 제 1 액체를 통하여 노광광으로 기판을 노광하는 노광 장치에 제 26 항 내지 제 39 항 중 어느 한 항에 기재된 클리닝 공구를 반입하는 것과,
    상기 제 1 액체와 상기 제 1 면을 접촉시켜, 상기 제 1 면 상에 생성된 상기 제 1 액체와 상기 제 2 액체의 혼합 액체로 상기 노광 장치 내의 소정 부재의 표면을 클리닝하는 것을 포함하는, 클리닝 방법.
  41. 제 40 항에 있어서,
    상기 클리닝 공구의 제 1 면은, 상기 노광 장치 내의 물체의 표면과 대향하는 위치에 배치되고,
    상기 제 1 면과 상기 물체의 표면과의 사이에서 상기 혼합 액체를 유지하는, 클리닝 방법.
  42. 제 41 항에 있어서,
    상기 다공판은, 상기 물체와 동일한 재질인, 클리닝 방법.
  43. 제 41 항 또는 제 42 항에 있어서,
    상기 소정 부재의 표면은 상기 물체의 표면을 포함하는, 클리닝 방법.
  44. 제 41 항 내지 제 43 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소정 부재의 표면은, 상기 제 1 면의 주위의 적어도 일부에 배치되는, 클리닝 방법.
  45. 제 41 항 내지 제 44 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 혼합 액체를 사용하는 클리닝시에, 상기 물체와 상기 클리닝 공구를 상대적으로 이동시키는, 클리닝 방법.
  46. 제 41 항 내지 제 45 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 노광광의 조사 위치로 이동할 수 있으며, 상기 기판을 릴리스 가능하게 유지하는 가동 부재로 상기 클리닝 공구를 유지하는 것을 포함하고,
    상기 가동 부재를 이동시켜, 상기 클리닝 공구의 제 1 면을 상기 물체의 표면과 대향하는 위치에 배치하는, 클리닝 방법.
  47. 제 40 항 내지 제 46 항 중 어느 한 항에 있어서,
    반송 부재로 상기 클리닝 공구를 지지하여 상기 가동 부재에 대한 반입 동작 및 상기 가동 부재로부터의 반출 동작 중 적어도 일방을 실행하는 것을 포함하고,
    상기 반송 부재는, 상기 클리닝 공구의 베이스 부재를 지지하는, 클리닝 방법.
  48. 제 47 항에 있어서,
    상기 반송 부재는, 상기 기판을 지지하고 상기 가동 부재에 대한 반입 동작 및 상기 가동 부재로부터의 반출 동작 중 적어도 일방을 실행할 수 있는, 클리닝 방법.
  49. 제 48 항에 있어서,
    상기 반송 부재로 상기 클리닝 공구를 반송할 때의 가속도는, 상기 기판을 반송할 때의 가속도보다 작은, 클리닝 방법.
  50. 제 40 항 내지 제 49 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 혼합 액체를 사용하는 클리닝 후, 상기 기판의 노광 전에, 상기 소정 부재로부터 상기 혼합 액체를 제거하기 위해서 상기 제 1 액체를 공급하는 것을 포함하는, 클리닝 방법.
  51. 제 40 항 내지 제 50 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 혼합 액체를 사용하는 클리닝 후, 상기 제 1 면 상의 액체를 회수하는 것을 포함하는, 클리닝 방법.
  52. 제 51 항에 있어서,
    상기 회수 후, 상기 노광 장치로부터 상기 클리닝 공구를 반출하는 것을 포함하는, 클리닝 방법.
  53. 제 40 항 내지 제 52 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소정 부재의 표면은, 상기 기판의 노광 중에 상기 제 1 액체와 접촉하는, 클리닝 방법.
  54. 제 40 항 내지 제 53 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소정 부재의 표면은, 상기 기판의 노광 중에, 상기 기판에 입사되는 노광광의 광로가 제 1 액체로 채워지도록, 상기 기판의 표면과의 사이에서 상기 제 1 액체를 유지하는, 클리닝 방법.
  55. 제 1 액체를 통하여 노광광으로 기판을 노광하는 노광 장치에 제 27 항 내지 제 39 항 중 어느 한 항에 기재된 클리닝 공구를 반입하는 것과,
    상기 제 1 액체와 상기 제 1 면을 접촉시켜, 상기 제 1 면 상에 생성된 상기 제 1 액체와 상기 제 2 액체의 혼합 액체로 상기 노광 장치 내의 소정 부재의 적어도 일부를 클리닝하는 것과,
    상기 클리닝 후에, 상기 노광 장치로 기판을 노광하는 것과,
    노광된 상기 기판을 현상하는 것을 포함하는, 디바이스 제조 방법.
  56. 제 55 항에 있어서,
    상기 클리닝 후에, 상기 노광광의 조사 위치로 이동할 수 있는 가동 부재로 상기 기판을 유지하는 것과,
    상기 클리닝 전에, 상기 클리닝 공구를 상기 가동 부재에 유지시키는 것을 포함하는, 디바이스 제조 방법.
  57. 노광광으로 기판을 노광하는 노광 장치에 반입되어, 상기 노광 장치 내의 부재를 클리닝하는 클리닝 공구로서,
    베이스 부재와,
    상기 베이스 부재 상에 형성되고, 클리닝 액체를 유지할 수 있는 액체 유지 부재를 구비하는, 클리닝 공구.
  58. 제 57 항에 있어서,
    상기 액체 유지 부재는 다공 부재를 포함하는, 클리닝 공구.
  59. 제 57 항 또는 제 58 항에 있어서,
    상기 액체 유지 부재는, 상기 클리닝 액체를 유지하는 내부 공간을 형성하는, 클리닝 공구.
  60. 제 57 항 또는 제 58 항에 있어서,
    상기 액체 유지 부재에 상기 클리닝 액체를 스며들게 함으로써, 상기 액체 유지 부재에 상기 클리닝 액체가 유지되는, 클리닝 공구.
  61. 노광광으로 기판을 노광하는 노광 장치에 제 57 항 내지 제 60 항 중 어느 한 항에 기재된 클리닝 공구를 반입하는 것과,
    상기 클리닝 공구의 상기 액체 유지 부재에 의해서 유지된 상기 클리닝 액체에 의해서 상기 노광 장치 내의 소정 부재의 표면을 클리닝하는 것을 포함하는, 클리닝 방법.
  62. 노광광으로 기판을 노광하는 노광 장치에 제 57 항 내지 제 60 항 중 어느 한 항에 기재된 클리닝 공구를 반입하는 것과,
    상기 클리닝 공구의 상기 액체 유지 부재에 의해서 유지된 상기 클리닝 액체에 의해서 상기 노광 장치 내의 소정 부재의 표면을 클리닝하는 것과,
    상기 클리닝 후에, 상기 노광 장치로 기판을 노광하는 것과,
    노광된 상기 기판을 현상하는 것을 포함하는, 디바이스 제조 방법.
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