JP4784513B2 - メンテナンス方法、メンテナンス機器、露光装置、及びデバイス製造方法 - Google Patents
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- 238000012423 maintenance Methods 0.000 title claims description 124
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 110
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 690
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 226
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 194
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 175
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 163
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 109
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 86
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 33
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 21
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 description 28
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 2
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000218645 Cedrus Species 0.000 description 1
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010067482 No adverse event Diseases 0.000 description 1
- 229920001774 Perfluoroether Polymers 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 239000008399 tap water Substances 0.000 description 1
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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Description
本願は、2004年12月6日に出願された特願2004−353093号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
露光装置の一実施形態について図1及び図2を参照しながら説明する。図1は露光装置EXの一実施形態を示す概略構成図、図2は投影光学系PLの像面側先端近傍を示す拡大図である。図1及び図2において、露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージMSTと、基板Pを保持して移動可能な基板ステージPSTと、マスクステージMSTに保持されているマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターン像を基板ステージPSTに保持されている基板Pに投影する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を統括制御する制御装置CONTとを備えている。
次に、上述した露光装置EXを使って基板Pを露光する方法に着いて説明する。基板Pの液浸露光を行うとき、制御装置CONTは、液浸機構1によって投影光学系PLと基板Pとの間の露光光ELの光路空間K1を液体LQで満たして基板P上に液体LQの液浸領域LRを形成する。制御装置CONTは、投影光学系PLと基板Pとの間の液体LQ及び投影光学系PLを介してマスクMを通過した露光光ELを基板Pに照射することによってマスクMのパターンの像を基板Pに投影する。露光装置EXは、基板ステージPSTに保持されている基板Pに対するステップ・アンド・スキャン方式の液浸露光を行う。
図3は、ノズル部材70をメンテナンスするメンテナンス機器の第1実施形態を示す図である。ノズル部材70は、メンテナンス機器30Aによってメンテナンス(洗浄)される。図3において、メンテナンス機器30Aは、洗浄用液LKを収容可能な容器31を備えている。メンテナンス機器30Aは、ノズル部材70を洗浄するために、容器31に収容された洗浄用液LKにノズル部材70を浸漬する。メンテナンス機器30Aは、容器31に収容されている洗浄用液LKにノズル部材70を浸漬し、ノズル部材70に付着している不純物を除去あるいは溶解することによって、ノズル部材70を洗浄する。
メンテナンス機器30Aを使った洗浄処理の開始が指令されると(ステップSA1)、例えば作業者によって、洗浄用液LKを収容した容器31とノズル部材70とが接続部32を介して接続される。これにより、ノズル部材70及び第1光学素子LS1が洗浄用液LKに浸漬される(ステップSA2)。このとき、図3に示すように、基板ステージPSTは投影光学系PLの下方の位置以外の所定の退避位置に退避している。
次に、メンテナンス機器及び方法の第2実施形態について図5を参照しながら説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
次に、メンテナンス機器及び方法の第3実施形態について図6を参照しながら説明する。図6に示すメンテナンス機器30Cは、容器31内の洗浄用液LKに超音波を印加する超音波振動子(超音波発生装置)37を備えている。超音波振動子37は、容器31の所定位置に取り付けられている。図6に示す例では、超音波振動子37は、容器31の外側面に取り付けられている。超音波振動子37としては、ピエゾ素子、電磁式などの振動子が挙げられる。超音波振動子37は、容器31を振動(超音波加振)することで、容器31内の洗浄用液LKに超音波を印加し、ノズル部材70、第1光学素子LS1などに付着している不純物の除去(溶解)を促進する。洗浄用液LKによる浸漬処理が終了した後は、上述の実施形態同様、液体LQによる浸漬処理、及びノズル部材70及び第1光学素子LS1と基板ステージPSTの上面95(又はダミー基板)とを対向させた状態での液浸機構1による液体LQの供給及び回収などが行われる。
次に、メンテナンス機器及び方法の第4実施形態について図7を参照しながら説明する。図7に示すメンテナンス機器30Dは、容器31を移動可能に支持する支持装置40を備えている。支持装置40は、露光装置EX内部と外部との間で容器31を移動可能であって、容器31を支持する支持台41と、支持台41と台車42とを連結する連結部材43とを備えている。支持台41は連結部材43の先端で支持され、連結部材43の他端部は台車42に接続されている。なお、支持台41と連結部材43の先端との間にアクチュエータ等を含む駆動機構を設け、連結部材43に対して支持台41をX軸、Y軸、及びZ軸方向に移動可能にしてもよい。
次に、メンテナンス機器及び方法の第5実施形態について図8を参照しながら説明する。上述の第1〜第4の実施形態においては、ノズル部材70を支持機構140で支持した状態で、洗浄用液LKに浸漬しているが、本実施形態の特徴的な部分は、ノズル部材70を支持機構140(露光装置EX)から外して、容器31内の洗浄用液LKに浸漬する点にある。すなわち、本実施形態のメンテナンス機器30Eは、露光装置EXの外部において、ノズル部材70の浸漬処理を行う。洗浄用液LKによる浸漬処理が終了した後は、ノズル部材70を支持機構140に接続する前に、液体LQを収容した容器31内にノズル部材70が配置され、液体LQにノズル部材70が浸漬される。これにより、ノズル部材70に残留している洗浄用液LKが除去される。そして、ノズル部材70に残留している洗浄用液LKが十分に除去された後、そのノズル部材と支持機構140との接続作業が行われる。
次に、メンテナンス機器及び方法の第6実施形態について図9を参照しながら説明する。本実施形態においては、上述の第5の実施形態のようにノズル部材70を支持機構140(露光装置EX)から外した後、回収管23をメンテナンス(洗浄)する場合について説明する。
次に、メンテナンス機器及び方法の第7実施形態について図10を参照しながら説明する。図10に示すように、支持機構140(露光装置EX)からノズル部材70を外した場合、回収管23のノズル部材70との接続部23S、及び供給管13のノズル部材70との接続部13Sが露出する。そこで、本実施形態においては、ノズル部材70を支持機構140から外した後に、供給管13の接続部13Sと回収管23の接続部23Sとを、メンテナンス機器30Gを使って接続することで、回収管23を洗浄する。
なお、上述の第1〜第3実施形態においては、容器31は、ノズル部材70に対して接続する接続部32を有しているが、例えば容器31に、基板ステージPSTに対して接続可能な接続部を設けておき、容器31を基板ステージPSTに接続した状態で、その容器31内の洗浄用液LK(又は液体LQ)にノズル部材70及び第1光学素子LS1を浸漬するようにしてもよい。また、基板ステージPST以外の、露光装置EX内の所定の機器又は部材と容器31とを接続し、その容器31内の洗浄用液LK(又は液体LQ)にノズル部材70及び第1光学素子LS1を浸漬するようにしてもよい。
Claims (48)
- 基板上に液浸領域を形成し、該液浸領域を形成する第1液体を介して基板上に露光光を照射することにより前記基板を露光する露光装置のメンテナンス方法において、
前記露光装置は、第1液体を供給する供給口及び第1液体を回収する回収口のうち少なくとも一方を有するノズル部材を有し、
前記ノズル部材を洗浄するために、所定の容器を前記ノズル部材に接続した状態で前記容器に収容された第2液体に浸漬するメンテナンス方法。 - 前記第1液体と前記第2液体とは異なる請求項1に記載のメンテナンス方法。
- 前記ノズル部材を前記第2液体に浸漬した後、前記第1液体に前記ノズル部材を浸漬する請求項2に記載のメンテナンス方法。
- 基板上に液浸領域を形成し、該液浸領域を形成する第1液体を介して基板上に露光光を照射することにより前記基板を露光する露光装置のメンテナンス方法において、
前記露光装置は、第1液体を供給する供給口及び第1液体を回収する回収口のうち少なくとも一方を有するノズル部材を有し、
前記ノズル部材を洗浄するために、所定の容器に収容された前記第1液体とは異なる第2液体に浸漬することと、
前記ノズル部材を前記第2液体に浸漬した後、前記第1液体に前記ノズル部材を浸漬することと、を含むメンテナンス方法。 - 前記ノズル部材は、前記第2液体に浸漬された後、前記容器に収容された前記第1液体に浸漬される請求項3又は4に記載のメンテナンス方法。
- 前記容器に収容された前記第1液体に前記ノズル部材を浸漬しているとき、前記回収口を介して前記第1液体を回収する請求項5に記載のメンテナンス方法。
- 前記容器に収容された前記第1液体に前記ノズル部材を浸漬しているとき、前記第1液体の温度が調整される請求項5又は6に記載のメンテナンス方法。
- 前記露光装置は、前記基板を保持する基板ホルダを有する基板ステージを備え、
前記ノズル部材は、前記第2液体に浸漬された後、前記ノズル部材と前記基板ステージの上面又は前記基板ホルダに保持されたダミー基板とを対向させた状態で、前記供給口からの前記第1液体の供給と前記回収口からの前記第1液体の回収とを行う請求項3〜7のいずれか一項に記載のメンテナンス方法。 - 前記ノズル部材を前記第2液体に浸漬した後、前記第1液体に前記ノズル部材を浸漬することにより、前記ノズル部材から前記第2液体を除去する請求項3〜8のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
- 前記露光装置は投影光学系を有し、
前記露光光は、前記投影光学系と前記第1液体を介して前記基板に照射される請求項1〜9のいずれか一項に記載のメンテナンス方法。 - 前記ノズル部材は、前記投影光学系を構成する複数の光学素子のうち該投影光学系の像面に最も近い第1光学素子近傍に配置されており、前記第1光学素子を前記ノズル部材と一緒に浸漬する請求項10記載のメンテナンス方法。
- 前記露光装置は、前記ノズル部材を前記投影光学系に対して所定の位置関係で支持する支持機構を有し、
前記ノズル部材を前記支持機構で支持した状態で前記ノズル部材を浸漬する請求項10又は11記載のメンテナンス方法。 - 前記露光装置は、前記ノズル部材を前記投影光学系に対して所定の位置関係で支持する支持機構を有し、
前記ノズル部材を前記支持機構から外して浸漬する請求項10記載のメンテナンス方法。 - 前記第2液体を前記容器を含む循環系で循環しつつ前記ノズル部材を浸漬する請求項1〜13のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
- 前記容器内の前記第2液体に超音波を印加する請求項1〜14のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
- 前記露光装置は、前記投影光学系と前記基板との間の光路空間を前記第1液体で満たした状態で前記基板上に前記露光光を照射し、
前記ノズル部材は、前記基板に接触した第1液体と接触する請求項1〜15のいずれか一項に記載のメンテナンス方法。 - 前記容器に収容された前記第2液体に前記ノズル部材を浸漬するとき、前記容器が配置されるように、前記基板を保持する基板ステージが退避される請求項1〜16のいずれか一項に記載のメンテナンス方法。
- 前記ノズル部材は、前記露光装置から取り外すことなく、前記容器に収容された前記第2液体に浸漬される請求項17に記載のメンテナンス方法。
- 前記回収口から回収された前記第1液体の性質及び成分の少なくとも一方を計測器で計測することと、
前記計測結果に基づいて、前記ノズル部材の洗浄の良否を判断することと、を含む請求項1〜18のいずれか一項に記載のメンテナンス方法。 - 前記回収口から回収された前記第1液体の性質及び成分の少なくとも一方を計測器で計測することと、
前記計測結果に基づいて前記ノズル部材が汚染されていると判断されたときに、前記ノズル部材の洗浄が実行される請求項1〜18のいずれか一項に記載のメンテナンス方法。 - 前記計測器は、TOC計を含む請求項19又は20に記載のメンテナンス方法。
- 前記計測器は、パーティクルカウンタを含む請求項19〜21のいずれか一項に記載のメンテナンス方法。
- 前記ノズル部材は、前記基板ステージに保持された前記基板の上面及び前記基板ステージの上面と対向可能な下面を有し、
前記容器に収容された前記第2液体に前記ノズル部材の前記下面が浸漬される請求項1〜22のいずれか一項に記載のメンテナンス方法。 - 前記ノズル部材の下面に、前記回収口が配置される請求項23に記載のメンテナンス方法。
- 前記回収口に多孔体が配置される請求項24に記載のメンテナンス方法。
- 前記ノズル部材の下面に、前記供給口が配置される請求項23〜25のいずれか一項に記載のメンテナンス方法。
- 前記ノズル部材を前記第2液体に浸漬することにより、前記ノズル部材の前記下面が洗浄される請求項23〜26のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
- 前記ノズル部材を前記第2液体に浸漬することにより、前記ノズル部材の側面が洗浄される請求項1〜27のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
- 前記容器に収容された前記第2液体に前記ノズル部材を浸漬しているとき、前記回収口を介して前記第2液体を回収する請求項1〜28のいずれか一項に記載のメンテナンス方法。
- 前記ノズル部材は、前記回収口に接続する回収流路を有し、
前記回収口を介して前記第2液体を回収することにより、前記回収流路を洗浄する請求項29記載のメンテナンス方法。 - 前記ノズル部材から不純物が除去される時間又は前記ノズル部材の不純物が溶解される時間だけ、前記容器に収容された前記第2液体に前記ノズル部材が浸漬される請求項1〜30のいずれか一項に記載のメンテナンス方法。
- 前記容器に収容された前記第2液体に前記ノズル部材を浸漬しているとき、前記第2液体の温度が調整される請求項1〜31のいずれか一項に記載のメンテナンス方法。
- 前記第1液体は、純水である請求項1〜32のいずれか一項に記載のメンテナンス方法。
- 前記第2液体は、イソプロピルアルコールである請求項1〜33のいずれか一項に記載のメンテナンス方法。
- 前記第2液体は、過酸化水素水ある請求項1〜33のいずれか一項に記載のメンテナンス方法。
- 前記ノズル部材をUV洗浄することをさらに含む請求項1〜35のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
- 基板上に液浸領域を形成し、該液浸領域の第1液体を介して基板上に露光光を照射することにより前記基板を露光する露光装置のメンテナンス機器において、
前記露光装置は、第1液体を供給する供給口及び第1液体を回収する回収口のうち少なくとも一方を有するノズル部材を有し、
第2液体を収容可能な容器を含み、前記ノズル部材を洗浄するために、前記ノズル部材を前記容器に収容された第2液体に浸漬する浸漬部と、
前記容器内の前記第2液体を循環する循環系と、を備えたメンテナンス機器。 - 前記露光装置は投影光学系を有し、
前記露光光は、前記投影光学系と前記第1液体を介して前記基板に照射される請求項37記載のメンテナンス機器。 - 前記露光装置内の物体と接続可能な接続部を備えた請求項37又は38記載のメンテナンス機器。
- 前記接続部と前記物体とを接続した状態で、前記ノズル部材を浸漬する請求項39記載のメンテナンス機器。
- 前記接続部は、前記ノズル部材と接続可能である請求項39又は40記載のメンテナンス機器。
- 前記浸漬部を移動可能に支持する支持装置を有する請求項39〜41のいずれか一項記載のメンテナンス機器。
- 前記容器内の第2液体に超音波を印加する超音波発生装置を備えた請求項37〜42のいずれか一項記載のメンテナンス機器。
- 前記第1液体と前記第2液体とは異なる請求項37〜43のいずれか一項記載のメンテナンス機器。
- 前記露光装置は、前記投影光学系と前記基板との間の光路空間を前記第1液体で満たした状態で前記基板上に前記露光光を照射し、
前記ノズル部材は、前記基板に接触した第1液体と接触する請求項37〜44のいずれか一項に記載のメンテナンス機器。 - 光学部材の光射出側の光路空間を第1液体で満たして、前記光学部材と前記第1液体とを介して基板上に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置において、
請求項37〜45のいずれか一項に記載のメンテナンス機器を備えた露光装置。 - 前記光学部材は投影光学系の一部である請求項46記載の露光装置。
- 請求項46又は47に記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006546680A JP4784513B2 (ja) | 2004-12-06 | 2005-12-05 | メンテナンス方法、メンテナンス機器、露光装置、及びデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004353093 | 2004-12-06 | ||
JP2004353093 | 2004-12-06 | ||
PCT/JP2005/022308 WO2006062065A1 (ja) | 2004-12-06 | 2005-12-05 | メンテナンス方法、メンテナンス機器、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2006546680A JP4784513B2 (ja) | 2004-12-06 | 2005-12-05 | メンテナンス方法、メンテナンス機器、露光装置、及びデバイス製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010092301A Division JP5056891B2 (ja) | 2004-12-06 | 2010-04-13 | メンテナンス方法、メンテナンス機器、露光装置、及びデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2006062065A1 JPWO2006062065A1 (ja) | 2008-06-12 |
JP4784513B2 true JP4784513B2 (ja) | 2011-10-05 |
Family
ID=36577892
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006546680A Expired - Fee Related JP4784513B2 (ja) | 2004-12-06 | 2005-12-05 | メンテナンス方法、メンテナンス機器、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2010092301A Expired - Fee Related JP5056891B2 (ja) | 2004-12-06 | 2010-04-13 | メンテナンス方法、メンテナンス機器、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2011225969A Pending JP2012044204A (ja) | 2004-12-06 | 2011-10-13 | メンテナンス方法、メンテナンス機器、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2013217616A Expired - Fee Related JP5655921B2 (ja) | 2004-12-06 | 2013-10-18 | メンテナンス方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010092301A Expired - Fee Related JP5056891B2 (ja) | 2004-12-06 | 2010-04-13 | メンテナンス方法、メンテナンス機器、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2011225969A Pending JP2012044204A (ja) | 2004-12-06 | 2011-10-13 | メンテナンス方法、メンテナンス機器、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2013217616A Expired - Fee Related JP5655921B2 (ja) | 2004-12-06 | 2013-10-18 | メンテナンス方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7804576B2 (ja) |
EP (1) | EP1821337B1 (ja) |
JP (4) | JP4784513B2 (ja) |
KR (2) | KR101559621B1 (ja) |
HK (1) | HK1109239A1 (ja) |
WO (1) | WO2006062065A1 (ja) |
Families Citing this family (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN106444292A (zh) | 2003-04-11 | 2017-02-22 | 株式会社尼康 | 沉浸式光刻装置、清洗方法、器件制造方法及液体沉浸式光刻装置 |
TWI612556B (zh) | 2003-05-23 | 2018-01-21 | Nikon Corp | 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法 |
EP1486827B1 (en) | 2003-06-11 | 2011-11-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI245163B (en) | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101942136B1 (ko) | 2004-02-04 | 2019-01-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
US7050146B2 (en) | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101433496B1 (ko) | 2004-06-09 | 2014-08-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
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KR20090060270A (ko) | 2006-09-08 | 2009-06-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 클리닝용 부재, 클리닝 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
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-
2005
- 2005-12-05 WO PCT/JP2005/022308 patent/WO2006062065A1/ja active Application Filing
- 2005-12-05 JP JP2006546680A patent/JP4784513B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-05 KR KR1020127030300A patent/KR101559621B1/ko active IP Right Grant
- 2005-12-05 EP EP05811795.3A patent/EP1821337B1/en not_active Not-in-force
- 2005-12-05 US US11/662,452 patent/US7804576B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-05 KR KR1020077002499A patent/KR101339887B1/ko active IP Right Grant
-
2007
- 2007-12-31 HK HK07114300.9A patent/HK1109239A1/zh not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-04-13 JP JP2010092301A patent/JP5056891B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-08-16 US US12/805,715 patent/US8456608B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-10-13 JP JP2011225969A patent/JP2012044204A/ja active Pending
-
2013
- 2013-04-26 US US13/871,452 patent/US8891055B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-10-18 JP JP2013217616A patent/JP5655921B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130235359A1 (en) | 2013-09-12 |
JP5056891B2 (ja) | 2012-10-24 |
JP5655921B2 (ja) | 2015-01-21 |
JP2010171453A (ja) | 2010-08-05 |
EP1821337A1 (en) | 2007-08-22 |
EP1821337B1 (en) | 2016-05-11 |
KR101559621B1 (ko) | 2015-10-13 |
JP2012044204A (ja) | 2012-03-01 |
US20100315609A1 (en) | 2010-12-16 |
US8456608B2 (en) | 2013-06-04 |
JP2014033224A (ja) | 2014-02-20 |
KR101339887B1 (ko) | 2013-12-10 |
JPWO2006062065A1 (ja) | 2008-06-12 |
US7804576B2 (en) | 2010-09-28 |
WO2006062065A1 (ja) | 2006-06-15 |
HK1109239A1 (zh) | 2008-05-30 |
US20080018867A1 (en) | 2008-01-24 |
EP1821337A4 (en) | 2008-02-27 |
KR20070083476A (ko) | 2007-08-24 |
US8891055B2 (en) | 2014-11-18 |
KR20120132699A (ko) | 2012-12-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140722 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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