KR20080031376A

KR20080031376A - 노광 장치 및 디바이스 제조 방법

Info

Publication number: KR20080031376A
Application number: KR1020087002983A
Authority: KR
Inventors: 다케유키 미즈타니; 마사히코 오쿠무라; 히로타카 고노
Original assignee: 가부시키가이샤 니콘
Priority date: 2005-07-11
Filing date: 2006-07-11
Publication date: 2008-04-08
Also published as: CN101180707A; EP1909310A1; JP5353005B2; CN100565799C; US20080137047A1; WO2007007746A1; TW200710616A; EP1909310A4; JPWO2007007746A1

Abstract

본 발명의 노광 장치(EX)는 제 1 스테이지(WST)와, 제 2 스테이지(MST)를 구비한다. 정비 장치(55)는 제 1 스테이지에 보유유지된 웨이퍼(W)의 노광 처리를 한창 진행하고 있는 도중에 제 2 스테이지(MST)의 정비를 행한다.

Description

노광 장치 및 디바이스 제조 방법{EXPOSURE APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE}

본 발명은 마스크의 패턴을 기판에 전사하는 노광 장치, 및 당해 노광 장치를 이용한 디바이스 제조 방법에 관한 것이다.

본원은 2005년 7월 11일에 출원된 일본 특허출원 제 2005-201582 호에 의거하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.

반도체 소자, 액정 표시 소자, 촬상 장치[CCD(Charge Coupled Device) 등], 박막 자기 헤드 등의 디바이스의 제조공정 중 하나인 리소그래피 공정에 있어서는, 마스크로서의 레티클의 패턴을, 투영 광학계를 거쳐서 기판으로서의 포토 레지스트가 도포된 웨이퍼(또는 유리 플레이트 등) 위에 전사하기 위하여, 노광 장치가 사용되고 있다. 이 노광 장치로서는 스테퍼 등의 일괄 노광형(정지 노광형)의 투영 노광 장치, 또는 스캐닝 스테퍼 등의 주사 노광형의 투영 노광 장치(주사형 노광 장치) 등이 사용되고 있다.

최근에 있어서는, 디바이스의 고집적화를 위하여 노광 정밀도(해상도, 전사 충실도, 겹침 정밀도, 선폭 오차 등)의 향상이 요구되고 있다. 디바이스의 제조 효율 향상의 관점에서 처리량(단위 시간에 노광 처리할 수 있는 웨이퍼의 매수)의 향상도 요구되고 있다. 이러한 요구에 부응하기 위하여, 웨이퍼를 보유유지하는 웨이퍼 스테이지의 고정밀도화 및 고속화, 및 노광 처리에 앞서 행해지는 각종 계측에 필요로 하는 시간의 단축 및 고정밀도화가 도모되고 있다.

상기의 노광 정밀도의 향상 및 높은 처리량을 동시에 달성하기 위하여, 웨이퍼 스테이지를 2개 갖는 트윈 스테이지를 구비하는 노광 장치가 개발되어 있다.

이하의 특허문헌 1에는, 웨이퍼 스테이지로부터 각종 계측 기기를 분리하여, 웨이퍼 스테이지와는 별도로 각종 계측 기기를 구비하는 계측 스테이지를 구비함으로써, 더욱더 노광 정밀도를 향상시키고 작은 풋프린트를 실현한 노광 장치가 개시되어 있다. 또, 최근에 있어서는, 해상도 향상을 위하여 투영 광학계와 웨이퍼 사이에 기체보다 굴절률이 높은 액체를 충만하게 하여 투영 광학계의 개구 수를 크게 하여 해상도를 향상시키는 액침(液浸)식의 노광 장치도 실현되어 있다.

특허문헌 1. 일본 공개특허 평11-135400 호 공보

발명의 요약

그런데, 앞으로 점점 처리량의 향상이 요구되는 것은 물론이고, 노광 정밀도의 향상이 요구될 것으로 생각된다. 또, 상술한 복수의 웨이퍼 스테이지를 구비하는 노광 장치, 및 웨이퍼 스테이지 및 계측 스테이지를 구비하는 노광 장치에 있어서도, 소기의 성능을 유지하기 위하여 정기적으로 각종 정비가 행해진다. 정비에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있으면, 노광 장치의 가동 시간을 길게 할 수 있어, 결과적으로 처리량의 향상을 도모할 수 있다고 생각된다.

또, 현재의 노광 장치의 대부분은 웨이퍼 스테이지가 배치된 챔버 내가 높은 정밀도로 온도 조절되어 있다. 이에 의하여 웨이퍼 스테이지의 위치를 계측하는 레이저 간섭계의 계측 오차를 저감하는 동시에, 온도 변화에 의해서 생기는 웨이퍼 스테이지를 구성하는 부재의 팽창 및 수축을 방지하고 있다. 상기의 복수의 웨이퍼 스테이지를 구비한 노광 장치, 및 웨이퍼 스테이지 및 계측 스테이지를 구비하는 노광 장치에 있어서도, 챔버 내가 높은 정밀도로 온도 조절이 되고 있으나, 각각의 스테이지 사이의 공간은 온도 조절된 공기(기체)의 침전이 생기기 쉽고, 이에 의하여 노광 정밀도가 저하될 우려를 생각할 수 있다.

본 발명은, 노광 정밀도 및 처리량이 더 향상하는 것을 도모할 수 있는 노광 장치 및 당해 노광 장치를 이용한 디바이스 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은 실시형태에 도시하는 각 도면에 대응한 이하의 구성을 채용하고 있다. 다만, 각 요소에 괄호와 함께 붙인 부호는 그 요소의 예시에 불과하며, 각 요소를 한정하는 것은 아니다.

본 발명의 제 1 관점에 의한 노광 장치는, 제 1 스테이지(WST)와, 제 2 스테이지(MST)를 구비하는 노광 장치(EX)에 있어서, 상기 제 2 스테이지의 정비를 행하는 정비 장치(55)와, 상기 제 1 스테이지에 탑재된 기판(W)의 노광 처리 중에 상기 정비 장치에 의한 상기 정비를 실행시키는 제어장치(20)를 구비한다.

본 발명에 의하면, 제 1 스테이지에 탑재된 기판에 대한 노광 처리가 행해지 고 있는 동안에, 제어장치의 제어 하에서 정비 장치에 의한 제 2 스테이지의 정비가 실행된다.

본 발명의 제 2 관점에 의한 노광 장치는, 복수의 스테이지(WST, MST)를 구비하는 노광 장치에 있어서, 상기 복수의 스테이지 중 하나의 스테이지는, 다른 스테이지와의 사이의 공간의 기체의 흐름을 제어하여 상기 하나의 스테이지 및 상기 다른 스테이지의 적어도 한쪽을 온도 조절하는 온도 조절 장치(81∼84)를 구비한다.

본 발명에 의하면, 복수의 스테이지 중 하나의 스테이지에 설치된 온도 조절 장치에 의하여, 당해 하나의 스테이지와 다른 스테이지 사이의 공간의 기체의 흐름이 제어되어, 이들 스테이지 중 적어도 한쪽이 온도 조절된다.

본 발명의 디바이스 제조 방법은, 상기의 어느 하나에 기재된 노광 장치를 이용하여 디바이스의 패턴을 기판에 전사하는 공정을 포함한다.

본 발명의 노광 방법은, 기판을 노광하는 노광 방법에 있어서, 상기 기판을 보유유지하는 제 1 스테이지를 사용하여 소정 처리를 실행하고, 상기 소정 처리의 실행 중에, 상기 제 1 스테이지와 다른 제 2 스테이지의 정비를 실행하는 것이다.

또, 본 발명의 디바이스 제조 방법은, 상기의 노광 방법을 이용하여 기판을 노광하는 것을 포함한다.

본 발명에 의하면, 제 1 스테이지에 탑재된 기판에 대한 노광 처리가 행해지고 있는 동안에, 제어장치의 제어 하에서 정비 장치에 의한 제 2 스테이지의 정비가 실행되기 때문에, 노광 장치의 가동률을 높일 수 있다. 이에 의하여, 처리량이 더 향상하는 것을 도모할 수 있다는 효과가 있다.

또, 본 발명에 의하면, 복수의 스테이지 중 하나의 스테이지에 설치된 온도조절 장치에 의하여, 당해 하나의 스테이지와 다른 스테이지 사이의 공간의 기체의 흐름이 제어되고, 이들 스테이지 중 적어도 한쪽이 온도 조절되기 때문에, 노광 정밀도 등을 향상시킬 수 있다는 효과가 있다.

또, 본 발명의 노광 방법에 의하면, 처리량이 더 향상하는 것을 도모할 수 있다는 효과가 있다.

또한, 본 발명의 디바이스 제조 방법에 의하면, 노광 정밀도 및 처리량이 더 향상하는 것을 도모할 수 있기 때문에, 미세한 디바이스를 효율적으로 제조할 수 있다는 효과가 있다. 그 결과로서, 수율 향상을 기대할 수 있고, 또한 제조되는 디바이스의 제조 비용을 저감시킬 수도 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 의한 노광 장치의 개략적인 구성을 도시하는 측면도,

도 2는 스테이지 장치의 구성을 도시하는 사시도,

도 3은 노광 장치의 제어계의 구성을 도시하는 블록도,

도 4a는 정비 장치의 구성 예를 도시하는 도면,

도 4b는 정비 장치의 구성 예를 도시하는 도면,

도 5는 정비 장치의 구성 예를 도시하는 도면,

도 6은 정비 장치의 다른 구성 예를 도시하는 사시도,

도 7은 도 6에 도시한 정비 장치에 설치되는 위치 계측 장치를 도시하는 측면도,

도 8a는 계측 스테이지에 설치되는 온도 조절 장치를 도시하는 도면,

도 8b는 계측 스테이지에 설치되는 온도 조절 장치를 도시하는 도면,

도 9는 계측 스테이지에 설치되는 온도 조절 장치를 도시하는 도면,

도 10은 마이크로 디바이스의 제조 공정의 일례를 나타내는 플로우차트.

이하에서 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시형태에 의한 노광 장치 및 디바이스 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시형태에 의한 노광 장치의 개략적인 구성을 도시하는 측면도이다. 도 1에 도시한 노광 장치(EX)는 도 1 내의 투영 광학계(PL)에 대하여 마스크로서의 레티클(R)과 기판으로서의 웨이퍼(W)를 상대적으로 이동시키면서, 레티클(R)에 형성된 패턴을 웨이퍼(W)에 순차적으로 전사하는 스텝 앤드 스캔 방식의 주사 노광형의 노광 장치이다.

또한, 이하의 설명에 있어서는, 필요하다면 도면 내에 XYZ 직교 좌표계를 설정하고, 이 XYZ 직교 좌표계를 참조하면서 각 부재의 위치 관계에 대하여 설명한다. 도 1에 도시한 XYZ 직교 좌표계는, X축 및 Y축이 웨이퍼(W)의 이동면에 평행한 면에 포함되도록 설정되고, Z축이 투영 광학계(PL)의 광축(AX)을 따르는 방향으로 설정되어 있다. 또, 본 실시형태에서는 레티클(R) 및 웨이퍼(W)를 동기 이동시키는 방향(주사 방향)을 Y 방향으로 설정하고 있다.

도 1에 도시한 대로, 본 실시형태의 노광 장치(EX)는, 조명 광학계(ILS), 레티클(R)을 보유유지하는 레티클 스테이지(RST), 투영 유닛(PU), 웨이퍼(W)를 보유유지하는 웨이퍼 스테이지(WST)와 계측 스테이지(MST)를 갖는 스테이지 장치(ST), 및 이들의 제어계를 포함한다. 조명 광학계(ILS)는 도시하지 않은 레티클 블라인드로 규정된 레티클(R) 위의 슬릿 형상의 조명 영역을 조명광(노광광)(IL)에 의해서 대략 균일한 조도로 조명한다. 여기서, 조명광(IL)으로는 일례로서 ArF 엑시머 레이저 광(파장 193nm)이 이용되고 있다.

레티클 스테이지(RST) 위에는, 패턴면(도 1에 있어서의 -Z측의 면)에 패턴이 형성된 레티클(R)이, 예를 들어 진공흡착에 의하여 보유유지되어 있다. 레티클 스테이지(RST)는, 예를 들어 리니어 모터를 포함하는 레티클 스테이지 구동부(11)(도 1에서는 도시하지 않음, 도 3 참조)에 의해서, 조명 광학계(ILS)의 광축[후술하는 투영 광학계(PL)의 광축(AX)에 일치]에 수직인 XY 평면 내에서 미소 구동 가능한 동시에, 주사 방향(Y 방향)으로 지정된 주사 속도로 구동 가능하게 구성되어 있다.

레티클 스테이지(RST)의 스테이지 이동면 내의 위치(Z축 주위의 회전을 포함함)는 레이저 간섭계(이하, 레티클 간섭계라 함)(12)에 의해서, 이동경(移動鏡)(13)(실제로는 Y축에 직교하는 반사면을 갖는 Y 이동경과 X축에 직교하는 반사면을 갖는 X 이동경이 설치되어 있음)을 거쳐, 예를 들어 0.5∼1nm 정도의 분해능으로 항상 검출된다. 이 레티클 간섭계(12)의 계측치는 주 제어장치(20)(도 1에서는 도시하지 않음, 도 3 참조)에 출력된다. 주 제어장치(20)는 이 레티클 간섭계(12)의 계측치에 의거하여 레티클 스테이지(RST)의 X 방향, Y 방향 및 θZ 방향(Z축 주위의 회전 방향)의 위치를 산출하는 동시에, 이 산출 결과에 의거하여 레티클 스테이지 구동부(11)를 제어함으로써, 레티클 스테이지(RST)의 위치(및 속도)를 제어한다.

레티클 스테이지(RST)의 위쪽에는 노광 파장의 빛을 이용한 TTR(Through The Reticle) 얼라이먼트계로 이루어지는 한 쌍의 레티클 얼라이먼트 검출계(14a, 14b)가 X 방향으로 소정 거리를 사이에 두고 설치되어 있다. 레티클 얼라이먼트 검출계(14a, 14b)는 레티클(R) 위의 한 쌍의 레티클 얼라이먼트 마크와, 이들에 대응하는 계측 스테이지(MST) 위의 한 쌍의 기준 마크(이하, 제 1 기준 마크라 함)의 투영 광학계(PL)를 개재한 공역상(conjugate image)을 동시에 관찰하는 것이다. 이들 레티클 얼라이먼트 검출계(14a, 14b)로서는 예를 들어, 일본 공개특허 평7-176468 호 공보(대응 미국 특허 제 5,646,413 호) 등에 개시되는 것과 동일한 구성의 것이 이용되고 있다.

투영 유닛(PU)은 경통(15)과, 경통(15) 내에 소정의 위치 관계로 보유유지된 복수의 광학 소자를 포함하는 투영 광학계(PL)를 포함한다. 투영 광학계(PL)로서는 예를 들어, Z 방향의 공통의 광축(AX)을 갖는 복수의 렌즈(렌즈 엘리먼트)로 이루어지는 굴절 광학계가 이용되고 있다.

또, 본 실시형태의 노광 장치(EX)는, 액침법을 적용한 노광을 행하기 위하여, 투영 광학계(PL)의 가장 상면(像面)[웨이퍼(W)]에 가까운 광학 소자로서의 렌즈[이하, 선옥(先玉)이라고도 함](GL)의 근방에는, 액침 장치(17)의 액체 공급 노즐(18a)과, 액체 회수 노즐(18b)이 설치되어 있다. 액체 공급 노즐(18a)에는 그 일단이 액체 공급 장치(19a)(도 1에서는 도시하지 않음, 도 3 참조)에 접속된 도시하지 않은 공급관의 타단이 접속되어 있다. 액체 회수 노즐(18b)에는 그 일단이 액체 회수 장치(19b)(도 1에서는 도시하지 않음, 도 3 참조)에 접속된 도시하지 않은 회수관의 타단이 접속되어 있다.

상기의 액체로서는, 여기서는 ArF 엑시머 레이저 광(파장 193nm의 빛)이 투과하는 초순수(이하, 특별히 필요한 경우를 제외하고, 단순히 「물」이라고 기술함)를 이용한다. 초순수는 반도체 제조 공장 등에서 용이하게 대량으로 입수할 수 있는 동시에, 웨이퍼(W) 위에 도포된 포토 레지스트 및 광학 렌즈 등에 대한 악영향을 미치지 않는다는 이점이 있다. 여기서, 물의 굴절율(n)은 약 1.44이며, 이 물 속에서는 조명광(IL)의 파장은 193nm×1/n = 약 134nm로 단파장화된다. 또, 웨이퍼(W)의 온도와 대략 동일한 온도의 액체를 공급하여 액침 영역을 형성하는 것으로 해도 된다. 이에 의하여, 액체와의 온도차에 의한 웨이퍼(W)의 열 변형 등을 방지할 수 있다.

액체 공급 장치(19a)는 주 제어장치(20)로부터의 지시에 따라 공급관에 접속된 밸브를 소정의 개방도로 개방하여, 액체 공급 노즐(18a)을 거쳐 선옥(GL)과 웨이퍼(W) 사이에 물을 공급한다. 또, 액체 회수 장치(19b)는, 주 제어장치(20)로부터의 지시에 따라 회수관에 접속된 밸브를 소정의 개방도로 개방하여, 액체 회수 노즐(18b)을 거쳐서 선옥(GL)과 웨이퍼(W) 사이로부터 액체 회수 장치(19b)(액체의 탱크)의 내부에 물을 회수한다. 이 때, 주 제어장치(20)는 선옥(GL)과 웨이퍼(W) 사이에 액체 공급 노즐(18a)로부터 공급되는 물의 양과, 액체 회수 노즐(18b)을 거쳐 회수되는 물의 양이 항상 동일해지도록, 액체 공급 장치(19a) 및 액체 회수 장치(19b)에 대하여 지령을 부여한다. 따라서, 선옥(GL)과 웨이퍼(W) 사이에 일정량의 물(Lq)(도 1 참조)이 보유유지된다. 또한, 선옥(GL)과 웨이퍼(W) 사이에 보유유지되는 물(Lq)은 항상 교체되게 된다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 실시형태의 노광 장치의 액침 장치(17)는 액체 공급 장치(19a), 액체 회수 장치(19b), 공급관, 회수관, 액체 공급 노즐(18a) 및 액체 회수 노즐(18b) 등을 포함하는 국소 액침 장치이다.

스테이지 장치(ST)는, 예를 들어 반도체 공장의 바닥면(FL) 위에 배치된 프레임 캐스터(FC), 프레임 캐스터(FC) 위에 설치된 베이스 반(盤)(21), 베이스 반(21)의 위쪽에 배치되어 베이스 반(21)의 상면(이동면)(21a)을 따라서 이동하는 웨이퍼 스테이지(WST) 및 계측 스테이지(MST), 이들 스테이지(WST, MST)의 위치를 검출하는 Y축 간섭계(52, 44)를 포함하는 간섭계 시스템(24)(도 3 참조), 및 스테이지(WST, MST)를 구동하는 스테이지 구동부(25)(도 3 참조)를 포함한다. 상기의 웨이퍼 스테이지(WST)는 레티클(R)의 패턴을 웨이퍼(W)에 노광 전사하기 위하여 웨이퍼(W)를 보유유지하여 이동한다. 한편, 계측 스테이지(MST)는 웨이퍼 스테이지(WST)가 투영 광학계(PL)과 대향하고 있지 않은 기간 중, 예를 들어 웨이퍼 스테이지(WST)가 웨이퍼(W)의 교환을 위하여 로딩 포지션에 위치하고 있는 동안에 투영 광학계(PL)의 아래쪽에 위치하여 각종 계측을 행하는 것이다. 또한, 액침 장치(17)는 투영 광학계(PL)의 선옥(GL)과 웨이퍼 스테이지(WST) 사이, 및 투영 광학계(PL)의 선옥(GL)과 계측 스테이지(MST) 사이도 물로 채우는 것이 가능하다.

다음에, 스테이지 장치(ST)의 구성에 대하여 상세하게 설명한다. 도 2는 스테이지 장치(ST)의 구성을 도시하는 사시도이다. 도 2에 도시한 바와 같이, 프레임 캐스터(FC)는, X 방향의 일측과 타측의 단부 근방에 Y 방향을 길이방향으로 하여 위쪽으로 돌출한 돌출부(FCa, FCb)가 일체적으로 형성된 개략 평판 형상으로 이루어지는 것이다. 베이스 반(정반)(21)은 프레임 캐스터(FC)의 돌출부(FCa, FCb)에 끼인 영역 위에 배치되어 있다. 베이스 반(21)의 상면(21a)은 평탄도가 매우 높게 마무리되어, 웨이퍼 스테이지(WST) 및 계측 스테이지(MST)의 XY 평면을 따른 이동시의 가이드 면으로 되어 있다.

웨이퍼 스테이지(WST)는, 도 2에 도시한 바와 같이 베이스 반(21) 위에 배치된 웨이퍼 스테이지 본체(26)와 웨이퍼 스테이지 본체(26) 위에 탑재된 웨이퍼 테이블(WTB)을 포함한다. 웨이퍼 스테이지 본체(26)는 단면이 직사각형인 프레임 형상이고 X 방향으로 연장되는 중공 부재에 의해서 구성되어 있다. 이 웨이퍼 스테이지 본체(26)의 하면에는 자중(自重) 캔슬러(canceller) 기구가 마련되어 있다. 이 자중 캔슬러 기구는 밸로즈에 내압을 걸어 웨이퍼 스테이지(WST)를 지탱하는 지지부와, 가이드 면으로서의 이동면(21a)에 대향하여 웨이퍼 스테이지(WST)를 이동면(21a)에 대하여 부상시키는 에어 베어링부를 갖고 있다.

또, 웨이퍼 스테이지(WST)는 웨이퍼 스테이지 본체(26)를 X 방향으로 롱 스트로크로 구동하는 동시에, Y 방향, Z 방향, θx(X축 주위의 회전 방향), θy(Y축 주위의 회전 방향), θz(Z축 주위의 회전 방향)으로 미소 구동하는 제 1 구동계(27)와, 웨이퍼 스테이지 본체(26) 및 제 1 구동계(27)를 Y 방향으로 롱 스트로크로 구동하는 제 2 구동계(28a, 28b)를 구비하고 있다. 또한, 웨이퍼 스테이지(WST)는 X 방향으로 등속 운동을 하는 튜브 캐리어(29)와, 진공 또는 에어 등의 용력(用力)을 튜브 캐리어(29)로부터 웨이퍼 스테이지 본체(26)에 비접촉으로 전달하는 도시하지 않은 6 자유도 파이프를 구비하고 있다. 여기서, 튜브 캐리어(29)가 X 방향으로 등속 운동하는 것은, 튜브 캐리어(29)의 구동에 의해 발생하는 반력이 웨이퍼 스테이지 본체(26)에 미치는 영향을 적게 하기 위함이다.

웨이퍼 스테이지 본체(26)의 ＋X측의 측면 및 －X측의 측면에는, 각각 세 개의 개구가 형성되어 있다. 이들 개구 중 각각의 측면의 대략 중앙부에 형성된 개구를 거쳐 웨이퍼 스테이지 본체(26)를 관통하도록, 복수의 코일을 구비하는 Y축용 고정자(33)가 마련되어 있다. 또, 각각의 측면에 형성된 세 개의 개구 중, Y축용 고정자(33)가 관통하고 있는 개구를 Y 방향으로 사이에 두도록 형성된 두 개의 개구의 각각을 거쳐 웨이퍼 스테이지 본체(26)를 관통하도록, 두 개의 X축용 고정자(34a, 34b)가 마련되어 있다. 또한, 상술한 세 개의 개구의 각각에는 영구자석이 마련되어 있다.

상기의 Y축용 고정자(33)는 그것이 관통하고 있는 개구에 설치된 영구자석과 협동하여 웨이퍼 스테이지 본체(26)를 Y 방향으로 미소 구동한다. 또, 상기의 두 개의 X축용 고정자(34a, 34b)는 각각이 관통하고 있는 개구에 설치된 영구자석과 각각 협동하여 웨이퍼 스테이지 본체(26)를 X 방향으로 롱 스트로크로 구동한다. 여기서, 각각의 X축용 고정자(34a, 34b)의 구동량을 다르게 함으로써, 웨이퍼 스테이지 본체(26)를 θz 방향으로 회전시킬 수 있다.

즉, 제 1 구동계(27)는 X축용 고정자(34a, 34b)와 영구자석으로 이루어지는 무빙 마그네트형의 리니어 모터와, X축용 고정자(34a, 34b)와 영구자석으로 이루어지는 무빙 마그네트형의 리니어 모터를 구비하고 있다. 또, 여기서는 무빙 마그네트형의 리니어 모터를 구비하는 경우를 예로 들어 설명하나, 무빙 코일형의 리니어 모터를 구비하고 있어도 된다. 또, 이상과 같이 웨이퍼 스테이지(WST)는, X 방향의 이동에 관해서, 그 이동을 가이드하는 가이드 부재를 갖지 않는 가이드리스 스테이지이다.

또, 웨이퍼 스테이지 본체(26) 아래쪽에는 X 방향으로 연장되는 두 개의 Z축 고정자 및 이들에 대응한 영구자석(모두 도시생략)이 마련되어 있다. 각각의 Z축 고정자의 구동량을 개별적으로 제어함으로써, 웨이퍼 스테이지 본체(26)를 Z 방향, θx, θy 방향으로 구동할 수 있다. 또, 튜브 캐리어(29)를 X 방향으로 구동하기 위하여, X 방향으로 연장되는 고정자(37)도 마련되어 있다. 또한, 상기의 Y축용 고정자(33), X축용 고정자(34a, 34b), Z축 고정자 및 고정자(37)의 각각은 양단이 제 2 구동계(28a, 28b)를 구성하는 가동자(39a, 39b)에 각각 고정되어 있다.

프레임 캐스터(FC)의 돌출부(FCa, FCb)의 위쪽에는, 제 2 구동계(28a, 28b)를 구성하는 Y 방향으로 연장되는 Y축용의 고정자(38a, 38b)가 각각 배치되어 있다. 이들 Y축용의 고정자(38a, 38b)는 각각의 하면에 설치된 도시하지 않은 기체 정압 베어링, 예를 들어 베어링에 의해 돌출부(FCa, FCb)의 위쪽에 있어서 소정의 간극을 개재하여 부상 지지되어 있다. 이것은 웨이퍼 스테이지(WST) 및/또는 계측 스테이지(MST)의 Y 방향의 이동에 의해 발생한 반력에 의하여, 고정자(38a, 38b)가 Y 방향의 Y 카운터매스(countermass)로서 역방향으로 이동하여, 이 반력을 연동량 보존의 법칙에 의하여 상쇄하기 위함이다.

이들 고정자(38a, 38b)의 사이에는 상술한 웨이퍼 스테이지 본체(26) 등이 배치되어 있고, Y축용 고정자(33), X축용 고정자(34a, 34b), Z축 고정자 및 고정자(37)의 각각의 양단에 고정된 가동자(39a, 39b)가 고정자(38a, 38b)의 내측으로부터 각각 삽입되어 있다. 고정자(38a, 38b)는 Y 방향을 따라서 배열된 영구자석을 구비하고 있고, 가동자(39a, 39b)는 Y 방향을 따라서 배열된 코일을 구비하고 있다. 즉, 제 2 구동계(28a, 28b)는 웨이퍼 스테이지(WST)를 Y 방향으로 구동하는 무빙 코일형의 리니어 모터를 구비하고 있다. 또한, 여기서는 무빙 코일형의 리니어 모터를 구비하는 경우를 예로 들어 설명하나, 무빙 마그네트형의 리니어 모터를 구비하고 있어도 된다.

웨이퍼 스테이지(WST)는 Y 방향의 이동에 관해서, 고정자(38a)와 가동자(39a)의 전자적 결합, 및 고정자(38b)와 가동자(39b)의 전자적 결합을 제외하고, 그 이동을 가이드하는 가이드 부재를 갖지 않는 가이드리스 스테이지이다. 또한, 웨이퍼 스테이지(WST)를 X 방향으로 구동하였을 때의 반력은, 제 2 구동계(28a, 28b)에 마련되는 고정자(38a, 38b)와 가동자(39a, 39b) 사이의 전자적인 결합을 거쳐 도시하지 않은 X 카운터매스에 전달된다. 이 X 카운터매스는 프레임 캐스터(FC)의 돌출부(FCa, FCb)와 고정자(38a, 38b) 사이에 마련되어 있고, Y 방향의 카운터매스로서 이용되는 고정자(38a, 38b)를 지지하여 X 방향으로 이동 가능하게 구성된다. 웨이퍼 스테이지(WST) 및/또는 계측 스테이지(MST)의 X 방향의 이동과는 역방향으로 X 카운터매스가 이동함으로써, 웨이퍼 스테이지(WST)를 X 방향으로 구동하였을 때의 반력을 상쇄한다. 또한, 본 실시형태의 스테이지 장치(ST)는 X 카운터매스 및 Y 카운터매스가 웨이퍼 스테이지(WST)와 계측 스테이지(MST)에 공유되어 있으나, 어느 한쪽의 카운터매스만이 웨이퍼 스테이지(WST)와 계측 스테이지(MST)에 공유되어 있어도 된다.

웨이퍼 테이블(WTB) 위에는 웨이퍼(W)를 보유유지하는 웨이퍼 홀더(40)가 마련되어 있다. 웨이퍼 홀더(40)는 판 형상의 본체부와, 이 본체부의 상면에 고정되고, 그 중앙에 웨이퍼(W)의 직경보다 큰 원형 개구가 형성된 발액성(발수성)을 갖는 보조 플레이트를 구비하고 있다. 이 보조 플레이트의 원형 개구 내부의 본체부의 영역에는 다수(복수)의 핀이 배치되어 있다. 그 다수의 핀에 의해서 웨이퍼(W)가 지지된 상태에서 진공 흡착되어 있다. 이 경우, 웨이퍼(W)가 진공 흡착된 상태에서는, 그 웨이퍼(W)의 표면과 보조 플레이트의 표면과의 높이가 대략 동일한 높이가 된다. 또한, 보조 플레이트를 설치하지 않고, 웨이퍼 테이블(WTB)의 표면에 발액성을 부여해도 된다.

또, 도 2에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 테이블(WTB)의 X 방향의 일단(＋X측 끝)에는, X 방향에 직교하는(Y 방향으로 연장되는) 반사면(41X)이 경면 가공에 의하여 형성되어 있다. 웨이퍼 테이블(WTB)의 Y 방향의 일단(＋Y측 끝)에는, Y 방향에 직교하는(X 방향으로 연장되는) 반사면(41Y)이 동일하게 경면 가공에 의하여 형성되어 있다. 이들 반사면(41X, 41Y)에는 간섭계 시스템(24)(도 3 참조)을 구성하는 X축 간섭계(42), Y축 간섭계(44)로부터의 간섭계 빔(빔)이 각각 투사된다.

X축 간섭계(42) 및 Y축 간섭계(44)가 반사면(41X, 41Y)으로부터의 반사광을 각각 수광함으로써, 각 반사면(41X, 41Y)의 기준위치[일반적으로는 투영 유닛(PU) 측면, 및/또는 투영 광학계(PL)의 ＋Y 방향측에 배치된 오프 액시스형의 얼라이먼트계(45)(도 1, 도 3 참조)의 측면에 고정 미러를 배치하고, 그곳을 기준면으로 함]로부터의 계측 방향의 변위를 검출한다. 또한, 웨이퍼 테이블(WTB)의 단면에 반사면(41X, 41Y)을 형성하는 구성 대신에, 웨이퍼 테이블(WTB)의 상면에, X 방향으로 연장되는 반사면(41Y)을 갖는 Y 이동경 및 Y 방향으로 연장되는 반사면(41X)을 갖는 X 이동경을 각각 설치하는 구성으로 해도 된다.

X축 간섭계(42)는 투영 광학계(PL)의 투영 중심[광축(AX), 도 1 참조]을 통과하여 X축에 평행한 측장축과, 얼라이먼트계(45)의 계측 시야 중심을 통과하여 X축에 평행한 측장축을 갖는다. X축 간섭계(42)는 노광시에는 투영 광학계(PL)의 투영 중심 위치를 통과하는 측장축으로 웨이퍼 테이블(WTB)의 X 방향의 위치를 검출하고, 인핸스드 글로벌 얼라이먼트(Enhanced Global Alignment)(EGA)할 때에는 얼라이먼트계(45)의 계측 시야 중심을 통과하는 측장축으로 웨이퍼 테이블(WTB)의 X 방향의 위치를 측정한다. 또, X축 간섭계(42)는 베이스 라인 양의 계측 및/또는 계측 스테이지(MST)에 설치된 각종 계측기의 계측 내용에 따라서 두 개의 측장축을 적절히 이용하여 계측 테이블(MTB)의 X 방향의 위치를 측정한다.

즉, X축 간섭계(42)는 웨이퍼 테이블(WTB) 또는 계측 테이블(MTB)의 X 방향의 위치를, Y 방향의 투영 중심 위치 및 얼라이먼트 중심 위치의 각각에서 계측 가능하게 되어 있다. 또한, 베이스 라인 양이란, 투영 광학계(PL)에 의하여 투영되는 패턴의 투영 상(像)에 대한 웨이퍼 스테이지(WST)의 위치 관계를 나타내는 양이며, 구체적으로는 투영 광학계(PL)의 투영 중심과 얼라이먼트계(45)의 계측 시야 중심과의 거리이다. Y축 간섭계(44)는 투영 광학계(PL)의 투영 중심[광축(AX), 도 1 참조] 및 얼라이먼트계(45)의 계측 시야 중심을 연결하는 Y축에 평행한 측장축을 갖고, 웨이퍼 테이블(WTB)의 Y 방향의 위치를 주로 검출한다.

계측 스테이지(MST)는 튜브 캐리어(29) 및 도시하지 않은 6 자유도 파이프를 제외하고 대략 웨이퍼 스테이지(WST)와 동일한 구성이다. 즉, 계측 스테이지(MST)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 베이스 반(21) 위에 배치된 계측 스테이지 본체(46)와, 계측 스테이지 본체(46) 위에 탑재된 계측 테이블(MTB)을 구비하고 있다. 또, 계측 스테이지(MST)는 계측 스테이지 본체(46)를 X 방향으로 롱 스트로크로 구동하는 동시에, Y 방향, Z 방향, θx, θy, θz로 미소 구동하는 제 1 구동계(47)와, 계측 스테이지 본체(46) 및 제 1 구동계(47)를 Y 방향으로 롱 스트로크로 구동하는 제 2 구동계(48a, 48b)를 구비하고 있다. 계측 스테이지 본체(46)는 단면이 직사각형인 프레임 형상이고 X 방향으로 연장되는 중공 부재에 의해 구성되어 있다.

제 1 구동계(47)는 웨이퍼 스테이지(WST)에 대하여 설치된 제 1 구동계(27)와 동일하게, 계측 스테이지 본체(46)의 ±X 방향의 단면에 설치된 세 개의 개구의 각각에 배치된 쌍을 이루는 영구자석과, 개구의 각각을 거쳐 계측 스테이지 본체(46)를 X 방향으로 관통하도록 복수의 코일을 구비하는 한 개의 Y축용 고정자 및 두 개의 X축용 고정자를 포함한다. 이들 영구자석 및 X축용 고정자 및 Y축용 고정자는 계측 스테이지 본체(46)를 X 방향으로 긴 스트로크로 구동하는 동시에 Y 방향으로 미소 구동하고, 또한 θz 방향으로 회전시킨다. 또, 제 1 구동계(47)는 계측 스테이지 본체(46)의 하면에 설치된 영구자석과, 이들 영구자석과 협동하여 추력(推力)을 발생하는 Z축 고정자를 구비하고 있다. 이들 영구자석 및 Z축 고정자에 의해, 계측 스테이지 본체(46)를 Z 방향, θx, θy 방향으로 구동할 수 있다. 또한, 여기서는 제 1 구동계(47)가 무빙 마그네트형의 리니어 모터를 구비하는 경우를 예로 들어 설명하나, 무빙 코일형의 리니어 모터를 구비하고 있어도 된다.

제 2 구동계(48a, 48b)는 고정자(38a, 38b)와, 계측 스테이지 본체(46)를 X 방향으로 관통하는 X축용 고정자 및 Y축용 고정자 및 계측 스테이지 본체(46)의 아래쪽(－Z 방향)에 배치된 Z축용 고정자의 양단에 고정된 가동자(49a, 49b)를 포함한다. 가동자(49a, 49b)는 고정자(38a, 38b)의 내측으로부터 각각 삽입되어 있다. 가동자(49a, 49b)는 Y 방향을 따라서 배열된 코일을 구비하고 있고, Y 방향을 따라서 배열된 영구자석을 구비하는 고정자(38a, 38b)와 협동하여 Y 방향으로의 추력을 발생시킨다. 즉, 제 2 구동계(48a, 48b)는 계측 스테이지(MST)를 Y 방향으로 구동하는 무빙 코일형의 리니어 모터를 구비하고 있다. 이와 같이, 본 실시형태에서는 고정자(38a, 38b)가 웨이퍼 스테이지(WST)를 Y 방향으로 구동하는 리니어 모터(액추에이터부)와, 계측 스테이지(MST)를 Y 방향으로 구동하는 리니어 모터(액추에이터부)에 공유된 구성이다. 또한, 여기서는 무빙 코일형의 리니어 모터를 구비하는 경우를 예로 들어 설명하나, 무빙 마그네트형의 리니어 모터를 구비하고 있어도 된다.

이상 설명한 웨이퍼 스테이지(WST)를 구동하는 제 1 구동계(27) 및 제 2 구동계(28a, 28b), 및 계측 스테이지(MST)를 구동하는 제 1 구동계(47) 및 제 2 구동계(48a, 48b)에 의해 도 3에 도시한 스테이지 구동부(25)의 적어도 일부가 구성되어 있다. 이 스테이지 구동부(25)를 구성하는 각종 구동기구는 도 3에 도시한 주 제어장치(20)에 의해 제어된다. 즉, 주 제어장치(20)는 스테이지 구동부(25)를 거쳐, 예를 들어 웨이퍼(W)의 노광 전에 있어서의 계측 스테이지(MST)의 이동,및 노광시에 있어서의 웨이퍼 스테이지(WST)의 이동을 제어한다.

계측 테이블(MTB)은 예를 들어 쇼트 니혼 주식회사제의 ZERODUR(등록상표) 등의 저열팽창 재료로 형성되어 있고, 그 상면은 발액성(발수성)을 갖고 있다. 이 계측 테이블(MTB)은 예를 들어 진공 흡착에 의해 계측 스테이지 본체(46) 위에 보유유지되어 있고, 교환 가능하게 구성되어 있다. 계측 테이블(MTB)의 표면의 높이는, 웨이퍼 테이블(WTB) 위에 설치된 웨이퍼 홀더(40)의 표면의 높이와 대략 동일하게 되도록 설정되어 있다. 이 계측 테이블(MTB)의 X 방향의 일단(＋X측 끝)에는 X 방향에 직교하는(Y 방향으로 연장되는) 반사면(51X)이 경면 가공에 의해 형성되어 있다. 계측 테이블(MTB)의 Y 방향의 일단(－Y측 끝)에는 Y 방향에 직교하는(X 방향으로 연장되는) 반사면(51Y)이 동일하게 경면 가공에 의해 형성되어 있다.

이들 반사면(51X, 51Y)에는, 간섭계 시스템(24)(도 3 참조)을 구성하는 X축 간섭계(42), Y축 간섭계(52)로부터의 간섭계 빔(빔)이 각각 투사된다. X축 간섭계(42) 및 Y축 간섭계(52)가 반사면(51X, 51Y)으로부터의 반사광을 각각 수광함으로써, 각 반사면(51X, 51Y)의 기준위치[일반적으로는 투영 유닛(PU) 측면, 및/또는 오프 액시스형의 얼라이먼트계(45)(도 1, 도 3 참조)의 측면에 고정 미러를 배치하고, 그곳을 기준면으로 함]로부터의 계측 방향의 변위를 검출한다.

또한, 계측 테이블(MTB)의 단면에 반사면(51X, 51Y)을 형성하는 구성 대신에, 계측 테이블(MTB)의 상면에, X 방향으로 연장되는 반사면(51Y)을 갖는 Y 이동경 및 Y 방향으로 연장되는 반사면(51X)을 갖는 X 이동경을 각각 마련하는 구성으로 해도 된다. 상기의 Y축 간섭계(52)는 Y축 간섭계(44)와 동일하게, 투영 광학계(PL)의 투영 중심[광축(AX), 도 1 참조] 및 얼라이먼트계(45)의 계측 시야 중심을 연결하는 Y축에 평행한 측장축을 갖고 있다. 웨이퍼 스테이지(WST)가 웨이퍼(W)의 교환을 위하여 로딩 포지션(도시하지 않음)에 위치하고 있는 동안 이외에는, Y축 간섭계(52)는 계측 테이블(MTB)의 Y 방향의 위치를 검출한다.

또, 계측 스테이지(MST)는, 노광에 관한 각종 계측을 행하기 위한 계측기군을 구비하고 있다. 이 계측기군으로서는, 예를 들어 공간 상(像) 계측 장치, 파면 수차 측정 장치, 및 노광 검출 장치 등이 있다. 공간 상 계측 장치는, 투영 광학계(PL)와 물을 거쳐 계측 테이블(MTB) 위에 투영되는 공간 상을 계측하는 것이다. 또, 상기의 파면 수차 측정 장치로서는, 예를 들어 국제공개 제 99/60361 호 팜플렛(대응 유럽 특허 제 1,079,223 호 명세서) 등에 개시되는 파면 수차 측정 장치를 이용할 수 있다.

또, 상기의 노광 검출 장치는, 투영 광학계(PL)를 거쳐 계측 테이블(MTB)상에 조사되는 노광 광의 노광 에너지에 관한 정보(광량, 조도, 조도 불균일 등)를 검출하는 검출장치이며, 예를 들어 일본 공개특허 소57-117238 호 공보(대응 미국 특허 제 4,465,368 호) 등에 개시되는 조도 불균일 계측기, 및 예를 들어 일본 공개특허 평11-16816 호 공보(대응 미국 특허출원공개 제 2002/0061469 호 명세서) 등에 개시되는 조도 모니터를 이용할 수 있다. 또한, 도 3에 있어서는, 이상 설명한 공간 상 계측 장치, 파면 수차 측정 장치, 및 노광 검출 장치를 계측기군(63)으로서 도시하고 있다.

계측 테이블(MTB) 상면의 소정 위치에는, 이들 계측기군 또는 얼라이먼트계(45)(도 1, 도 3 참조)에서 이용되는 각종 마크가 형성된 계측 패턴부로서의 기준판(53)이 마련되어 있다. 이 기준판(53)은 저열팽창 재료로 형성되어 있는 동시에, 상면이 발액성(발수성)을 갖고 있고, 계측 테이블(MTB)에 대하여 교환 가능하게 구성되어 있다.

도 1로 되돌아와서, 투영 유닛(PU)을 보유유지하는 보유유지 부재에 마련된 오프 액시스형의 얼라이먼트계(45)는, 대상 마크[웨이퍼(W)에 형성된 얼라이먼트 마크, 기준판(53)에 형성된 기준 마크 등]의 위치를 계측한다. 이 얼라이먼트계(45)는 웨이퍼(W) 위의 레지스트를 감광시키지 않는 광대역(broadband) 검출 광속을 대상 마크에 조사하고, 그 대상 마크로부터의 반사광에 의하여 수광면에 결상 된 대상 마크의 상과 도시하지 않은 지표[얼라이먼트계(45) 내에 설치된 지표판 위의 지표 패턴]의 상을 촬상 소자(CCD 등)를 이용하여 촬상하고, 그들의 촬상 신호를 출력하는 화상처리방식의 FIA(Field Image Alignment)계의 얼라이먼트 센서이다. 얼라이먼트계(45)로부터의 촬상 신호는 도 3에 도시한 주 제어장치(20)에 공급된다.

또, 본 실시형태의 노광 장치(EX)는, 계측 스테이지(MST)의 정비를 행하는 정비 장치(55)를 구비한다. 이 정비 장치(55)는, 예를 들어 계측 테이블(MTB)의 발액성을 회복시키는 정비를 행한다. 본 실시형태의 노광 장치(EX)는 액침식의 노광 장치이기 때문에, 액체 공급 장치(19a)(도 3 참조)로부터 액체 공급 노즐(18a) 을 거쳐서 공급되는 물(Lq)이 웨이퍼 스테이지(WST) 및 계측 스테이지(MST)의 내부에 진입하는 것을 방지하기 위하여, 및/또는, 공급 노즐(18a)로부터 공급된 물(Lq)을 회수 노즐(18b)을 거쳐 용이하게 회수하기 위하여, 웨이퍼 스테이지(WST)의 웨이퍼 홀더(40)의 상면, 및 계측 스테이지(MST)의 계측 테이블(MTB)의 상면에 발액 코팅이 이루어져 있다.

이 발액 코팅은 조명광(IL)(자외선)의 조사에 따라서 발액성이 저하되고, 또한 조명광(IL)의 조사에 의해 발액 코팅과 계측 테이블(MTB)의 밀착성이 저하되어 박리되는 일도 있다. 또, 장시간의 사용에 의해 발액 코팅이 화학적으로 오염되어 발액성이 저하되는 일도 있다. 또, 발액 코팅에 유기물 등이 부착되어 발액성이 저하되는 일도 있다. 발액성이 열화되면, 발액 코팅의 표면에 워터마크가 발생되는 일도 있다. 이 때문에, 정기적으로 발액 코팅의 발액 성능을 회복시킬 필요가 있다.

일반적으로, 노광 장치(EX)를 정지시켜서 행하는 정비는 정기적 또는 부정기적으로 행해진다. 발액 코팅의 발액 성능을 회복시키는 정비를 노광 장치(EX)를 정지시켜서 행하려고 하면, 정비의 횟수가 늘어나 노광 장치(EX)의 가동률이 저하되고, 결과적으로 처리량의 저하를 초래할 우려가 있다. 본 실시형태에서는, 계측 스테이지(MST)의 정비를 실행하는 정비 장치(55)를 마련하고, 웨이퍼 스테이지(WST)에 보유유지된 웨이퍼(W)에 대한 노광 처리가 행해지고 있는 동안에 주 제어장치(20)가 계측 스테이지(MST)를 정비 장치(55)의 근방(바로 아래)으로 이동하는 동시에, 정비 장치(55)를 제어하여 계측 스테이지(MST)에 대한 정비를 실행시킨다.

또한, 본 실시형태의 노광 장치(EX)는, 도 1에서는 도시를 생략하고 있으나, 조사계(64a) 및 수광계(64b)(도 3 참조)로 이루어지는 초점 위치 검출계가 설치되어 있다. 이 초점 위치 검출계는, 조사계(64a)로부터 웨이퍼(W) 위의 복수의 검출 점의 각각에 비스듬한 방향으로부터 검지 광을 조사하여, 그 반사광을 수광계(64b)로 수광함으로써, 예를 들어 웨이퍼(W)의 Z 방향의 위치 및 자세(X축 및 Y축 주위의 회전)를 검출한다.

또, 초점 위치 검출계는 그 복수의 계측점에서 각각 웨이퍼(W)의 Z축 방향의 위치 정보를 계측함으로써, 웨이퍼(W)의 θX 및 θY 방향의 경사 정보(회전각)를 검출하는 것이나, 이 복수의 계측점은 그 적어도 일부가 액침 영역(또는 투영 영역) 내에 설정되어도 되고, 또는 그 전부가 액침 영역의 외측에 설정되어도 된다. 또한, 예를 들어 간섭계(42, 44)가 웨이퍼(W)[웨이퍼 스테이지(WST)]의 Z축, θX 및 θY 방향의 위치 정보를 계측 가능할 때에는, 웨이퍼(W)의 노광 동작 중에 그 Z축 방향의 위치 정보가 계측 가능하게 되도록 초점 위치 검출계를 설치하지 않아도 되며, 적어도 노광 동작 중에는 간섭계(42, 44)의 계측 결과를 이용하여 Z축, θX 및 θY 방향에 관한 웨이퍼(W)의 위치 제어를 행하도록 해도 된다.

도 3은 노광 장치(EX)의 제어계의 구성을 도시한 블록도이다. 도 3에 도시한 제어계는, 노광 장치(EX)의 전체적인 동작을 통괄적으로 제어하는 마이크로 컴퓨터(또는 워크 스테이션)로 이루어지는 주 제어장치(20)를 중심으로 하여 구성되어 있다. 또, 주 제어장치(20)에는, 메모리(65), CRT(Cathode Ray Tube) 디스플레이(또는 액정 디스플레이) 등의 디스플레이(66)가 접속되어 있다. 메모리(65)는 노광 장치(EX)의 동작을 제어하는 데에 필요한 정보, 예를 들어 베이스 라인 양, EGA 연산을 행하여 얻어진 쇼트 배열, 노광량의 이력 등을 기억한다. 디스플레이(66)는 주 제어장치(20)로부터 출력되는 노광 장치(EX)의 장치 상태를 나타내는 정보 및 에러 정보 등의 각종 정보를 표시한다.

다음으로, 정비 장치(55)에 대하여 설명한다. 도 4a, 4b 및 도 5는 정비 장치(55)의 구성예를 도시한다. 또한, 이들 도면에 있어서, 도 1, 도 2에 도시한 부재와 동일한 부재에 대해서는 동일한 부호가 붙여져 있다. 도 4a, 4b 및 도 5에 도시한 정비 장치(55)는 계측 스테이지(MST) 위의 계측 테이블(MTB)의 표면을 세정(클리닝)하고, 계측 테이블(MTB) 위의 발액 코팅(발수 코팅)의 발액성을 유지하는 것이다. 도 4a 및 4b에 도시한 정비 장치(55)는 세정제를 이용하여 계측 테이블(MTB)의 표면을 세정하고, 도 5에 도시한 정비 장치(55)는 광 세정에 의해 세정한다.

도 4a 및 도 4b에 도시한 정비 장치(55)는 계측 테이블(MTB)의 표면을 국소적으로 세정한다. 도 4a 및 4b에 도시한 정비 장치(55)에서 이용하는 세정제로서는 메탄올, 에탄올 등의 알코올 또는 과산화 수소(H₂O₂)를 사용할 수 있다.

도 4a에 도시한 정비 장치(55)는 세정용 노즐(71, 72)을 구비하고 있다. 세정용 노즐(71, 72)의 각각의 일단(71a, 72a)은 계측 테이블(MTB)의 표면에 근접 가능하게 배치되고, 또한 서로가 대향하도록 배치되어 있다. 또, 세정용 노즐(71)의 타단은 세정제(세정액)를 공급하는 세정제 공급 장치(도시생략)에 접속되어 있고, 세정용 노즐(72)의 타단은 계측 테이블(MTB) 위에 공급된 세정제를 회수하는 세정제 회수 장치(도시생략)에 접속되어 있다. 또한, 이들 도시를 생략하고 있는 세정제 공급 장치 및 세정제 회수 장치는 정비 장치(55)의 일부를 이루고 있고, 도 3에 도시한 주 제어장치(20)에 의해 동작이 제어된다. 세정용 노즐(71, 72)은 웨이퍼 스테이지(WST)에 보유유지된 웨이퍼(W)의 노광 중에 계측 스테이지(MST)가 소정의 대피 위치로 이동했을 때에, 계측 테이블(MTB)의 위쪽에 배치되는 위치에 마련해도 되며, 또한 계측 스테이지(MST)에 상설(常設)해도 된다.

도 4a에 도시한 예에서는, 세정용 노즐(71, 72)의 일단(71a, 72a)이 기준판(53) 위쪽에 배치되어 있는 상태를 도시하고 있다. 이 상태에 있어서, 주 제어장치(20)가 정비 장치(55)에 마련되는 도시하지 않은 세정제 공급 장치 및 세정제 회수 장치를 제어하여, 세정용 노즐(71)의 일단(공급구)(71a)으로부터 기준판(53) 위에 공급된 세정제가 바로 세정용 노즐(72)의 일단(회수구)(72a)에서 회수되도록 하면, 기준판(53)을 국소적으로 세정할 수 있다. 세정용 노즐(71, 72)에 대하여 계측 스테이지(MST)를 이동시킴으로써, 계측 테이블(MTB) 위의 임의의 부분을 국소적으로(점 형상으로) 세정할 수 있다. 또, 세정용 노즐(71)로부터의 세정제의 공급과 세정용 노즐(72)로부터의 세정제의 회수를 실행하고 있는 상태에서 계측 스테이지(MST)를 이동시키면, 계측 테이블(MTB) 위의 임의의 영역(예를 들어, 선 형상의 영역)을 세정할 수 있다.

여기서, 간단하게 기준판(53)에 대하여 설명한다. 기준판(53)은 원형 형상이며, 그 상면에는 전술한 제 1 기준 마크[이하, 제 1 기준 마크(FM1)라 함]와 베이스 라인 양을 계측할 때에 얼라이먼트계(45)로 계측하는 기준 마크(이하, 제 2 기준 마크라 함)(FM2)가 형성되어 있다. 기준판(53)을 원형으로 하는 것은, 계측 테이블(MTB)의 면 내에 있어서의 기준판(53)의 각도 조정을 용이하게 하는 동시에, 계측 테이블(MTB) 상면에 공급되는 물이 계측 테이블(MTB) 및 계측 스테이지(MST)의 내부에 침입하는 것을 최대한 방지하기 위함이다.

제 1 기준 마크(FM1)는 Cr(크롬) 등의 금속으로 형성된 차광 영역에 대하여 십자 형상의 개구(슬릿)를 형성하여 이루어지는 것이다. 또, 제 2 기준 마크(FM2)는 길이 방향이 Y 방향의 마크 요소를 X 방향으로 소정 간격으로 배열한 마크 군을 X 방향으로 소정의 거리만큼 이간하여 형성한 X 마크와, 길이방향이 X 방향의 마크 요소를 Y 방향으로 소정 간격으로 배열한 마크 군을 Y 방향으로 소정의 거리만큼 이간하여 형성한 Y 마크로 이루어지는 것이다. 또한, 제 2 기준 마크(FM2)는 Cr(크롬) 등의 금속으로 각 마크 요소를 형성해도 되며, Cr(크롬) 등의 금속으로 형성된 차광 영역에 대하여 개구(슬릿)를 형성함으로써 각 마크 요소를 형성해도 된다.

도 4b에 도시한 정비 장치(55)는 세정용 플레이트(73)를 구비하고 있다. 이 세정용 플레이트(73)는 그 저면이 대략 계측 테이블(MTB)의 표면과 평행이 되도록 배치되어 있다. 세정용 플레이트(73)에는 세정제를 공급하는 세정제 공급 장치(도시생략)에 접속된 하나의 공급관(73a)과, 계측 테이블(MTB) 위에 공급된 세정제를 회수하는 세정제 회수 장치(도시생략)에 접속된 두 개의 회수관(73b)이 설치되어 있다. 또, 세정용 플레이트(73)의 저면 중앙 부분에는, 이들 공급관(73a) 및 회수관(73b)이 연통하고, 소정량의 세정제가 괴는 구멍부(오목부)(73c)가 형성되어 있다.

또한, 도 4a의 경우와 동일하게, 도시를 생략하고 있는 세정제 공급 장치 및 세정제 회수 장치는 정비 장치(55)의 일부를 이루고 있고, 도 3에 도시한 주 제어장치(20)에 의해 동작이 제어된다. 또, 세정용 플레이트(73)는 계측 스테이지(MST)가 소정의 대피 위치에 이동했을 때에, 계측 테이블(MTB)의 위쪽에 배치되는 위치에 설치해도 되며, 또한 계측 스테이지(MST)에 상설해도 된다.

도 4b에는 세정용 플레이트(73)가 기준판(53) 위에 배치되어 있는 상태가 도시되어 있다. 이 상태에 있어서, 주 제어장치(20)가 정비 장치(55)에 설치되는 도시하지 않은 세정제 공급 장치 및 세정제 회수 장치를 제어하여, 공급관(73a)으로부터 기준판(53) 위에 세정제를 공급하는 동시에, 공급된 세정제가 회수관(73b)으로부터 회수되도록 하면, 일정량의 세정제가 구멍부(73c)에 괴어 기준판(53) 위의 소정 면적의 영역에 세정제가 공급되고, 이에 의해 기준판(53)을 면 형상으로 세정할 수 있다. 또, 구멍부(73c)에 괴는 세정제는 항상 교체되고 있다. 이 상태에서 계측 스테이지(MST)를 이동시키면, 계측 테이블(MTB) 위의 임의의 부분을 넓은 면적에 걸쳐서 세정할 수 있다. 또한, 도 4a, 도 4b에 있어서, 계측 테이블(MTB)[예를 들어, 기준판(53)]의 상면을, 세정제(세정액)를 이용하여 세정하고 있으나, 액침 노광용으로 이용되는 액체(본 실시형태에 있어서는 물)를 이용하여 계측 테이블(MTB)의 상면을 세정해도 된다.

도 5에 도시한 정비 장치(55)는 계측 스테이지(MST) 위의 계측 테이블(MTB)의 표면을 광 세정에 의해 세정하여 계측 테이블(MTB) 위의 발액 코팅의 발액성을 유지하는 것이다. 이 정비 장치(55)는 조명광(IL)보다 파장이 긴 자외광(예를 들어, 230∼400nm 정도)을 발하는 자외선 램프(74)를 구비하고 있다. 이 자외선 램프(74)는 계측 테이블(MTB)의 위쪽에 배치되어 있다. 또한, 자외선 램프(74)는 계측 스테이지(MST)가 소정의 대피 위치에 이동했을 때에, 계측 테이블(MTB)의 위쪽에 배치되는 위치에 설치해도 되며, 또한 계측 스테이지(MST)에 상설해도 된다. 이 자외선 램프(74)를 이용하여 계측 테이블(MTB) 위에 자외선을 조사함으로써, 발액 코팅에 부착된 유기물을 비산(분해, 제거)시킬 수 있고, 이에 의하여 발액 코팅의 표면이 세정되어 발액 코팅의 발액성을 높일 수 있다. 이 경우, 자외선 램프(74)로부터의 세정광의 조사에 의해 발액 코팅의 발액 성능이 열화되지 않도록, 실험 및/또는 시뮬레이션 등에 의해 세정 광의 파장, 강도, 조사 시간 등을 최적화해 두는 것이 바람직하다. 또한, 상술의 세정제에 의한 세정과 세정 광에 의한 세정를 병용해도 된다.

정비 장치(55)는 계측 테이블(MTB) 위의 발액 코팅의 박리 및 재도포(정비)를 행하는 기구를 구비한 구성으로 하는 것도 가능하다. 이러한 기구에 의해, 정기적으로 계측 테이블(MTB) 위의 발액 코팅을 재생함으로써, 계측 테이블(MTB)의 표면의 발액성이 유지된다. 이상으로 설명한 정비 장치(55)를 이용하여 계측 테이블(MTB)의 표면을 세정하고, 또는 발액 코팅의 박리 및 재도포를 행함으로써, 항상 계측 테이블(MTB)의 표면의 발액성이 높게 유지된다. 이에 의하여, 계측 스테이지(MST)에 탑재되어 있는 각종 계측 부재가 청정하게 유지되어, 그들을 이용한 각종 계측의 정밀도의 열화를 방지할 수 있다. 그 결과, 고정밀도의 노광이 가능하게 된다.

도 4a, 4b 및 도 5를 이용하여 설명한 정비 장치(55)는, 계측 테이블(MTB)의 표면을 세정하여 계측 테이블(MTB)의 발액성을 유지하는 것이었으나, 발액성이 저하된 계측 테이블(MTB) 그 자체 또는 일부를, 발액성이 높은 것으로 교환함으로써, 계측 테이블(MTB)의 발액성을 유지하는 정비 장치(55)를 구비하고 있어도 된다. 도 6은 정비 장치(55)의 다른 구성 예를 도시한 사시도이다. 도 6에 도시한 정비 장치(55)는 계측 테이블(MTB)에 설치된 기준판(53)을 교환하는 교환 기능을 구비한다.

도 6에 도시한 정비 장치(55)는 기준판(53)을 교환하는 교환 기능으로서의 반송 아암(75)을 구비하고 있다. 이 반송 아암(75)은 기준판(53)을 보유유지하여 Y 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있고, 그 상면에는 기준판(53)을 진공 흡착 등에 의해 보유유지하는 흡착부(75a)가 마련되어 있다. 또, 도 6에 도시한 바와 같이, 계측 스테이지(MST)에는 계측 테이블(MTB)에 대하여 기준판(53)을 Z 방향으로 승강하게 하는 승강 기구(76)가 설치되어 있다. 이들 반송 아암(75) 및 승강 기구(76)는 도 3에 도시한 주 제어장치(20)에 의해 제어된다. 또, 도 6에 도시한 바와 같이, 계측 테이블(MTB)에는 다수의 흡착 구멍(77)이 형성되어 있다. 기준판(53)은 이 흡착 구멍(77)에 의해 진공 흡착됨으로써, 계측 테이블(MTB) 위에 보유유지되어 있다.

기준판(53)의 교환은 주 제어장치(20)의 제어 하에서 이하의 순서로 행해진다. 즉, 먼저 흡착 구멍(77)에 의한 기준판(53)의 흡착을 해제하고, 승강 기구(76)를 구동하여 기준판(53)을 위쪽(＋Z 방향)으로 상승시킨다. 다음으로, 반송 아암(75)을 ＋Y 방향으로 이동시켜서 반송 아암(75)을 기준판(53)의 아래쪽(－Z 방향)에 배치시킨다. 이 상태에서 반송 아암(75)을 하강시킴으로써, 기준판(53)이 승강 기구(76)로부터 반송 아암(75)에 주고 받아진다. 기준판(53)의 주고 받음을 끝마치면, 반송 아암(75)을 ―Y 방향으로 이동시키고, 반송한 기준판(53)을 도시하지 않은 스토커에 저장하는 동시에, 스토커로부터 새로운 기준판을 인출하여 반송 아암(75) 위에 보유유지한다.

다음으로, 반송 아암(75)을 ＋Y 방향으로 이동시켜서 복수의 흡착부(75a)가 형성된 부위의 위쪽에 새로운 기준판을 배치한다. 이 상태에서 승강 기구(76)를 구동하여 위쪽(＋Z 방향)으로 상승시키면 새로운 기준판이 반송 아암(75)으로부터 승강 기구(76)에 주고 받아진다. 그 후에 반송 아암(75)을 －Y 방향으로 이동시켜 반송 아암(75)을 기준판(53) 아래로부터 대피시키고, 승강 기구(76)를 하강시켜서 흡착 구멍(77)에 의한 기준판의 흡착을 행하면, 새로운 기준판(53)이 계측 테이블(MTB) 위에 보유유지된다. 이상으로 설명한 정비 장치(55)에 의하여 기준판(53)을 교환함으로써, 계측할 때마다 빈번하게 물(Lq)이 공급되는 기준판(53)의 발액성의 저하를 방지할 수 있다. 또한, 도 6에 도시한 정비 장치(55)는 계측 테이블(MTB)의 일부인 기준판(53)을 교환하는 것이었으나, 계측 테이블(MTB) 그 자체를 교환하는 것이더라도 상관없다. 또, 기준판(53)뿐만 아니라, 계측 스테이지(MST)에 설치되는 공간 상 계측 장치, 파면 수차 측정 장치, 및 노광 검출 장치 등의 각종 계측 장치의 액체와 접촉하는 부재의 교환을 가능하게 해도 된다.

그런데, 기준판(53)은 노광 장치(EX)에서 행해지는 각종 계측을 행할 때의 기준이 되는 부재이다. 이 때문에, 계측 테이블(MTB)의 소정의 위치에 높은 정밀도를 갖고 보유유지될 필요가 있다. 이상 설명한 도 6에 도시한 정비 장치(55)에 의하여 기준판(53)의 교환을 행하면, 새로이 보유유지된 기준판(53)이 위치를 어긋나게 한 상태로 보유유지되고 있을 가능성이 있다. 이 때문에, 기준판(53)의 위치를 계측하는 위치 계측 장치를 설치하는 것이 바람직하다. 도 7은 도 6에 도시한 정비 장치(55)에 설치되는 위치 계측 장치를 도시한 측면도이다.

도 7에 도시한 바와 같이, 투영 광학계(PL)의 ―Y 방향에는, 얼라이먼트계(45)와는 별도로, 계측 스테이지(MST) 위의 기준판(53)에 형성된 기준 마크[제 1 기준 마크(FM1) 또는 제 2 기준 마크(FM2)]의 위치를 계측하는 위치 계측 장치(78)가 설치되어 있다. 또한, 위치 계측 장치(78)는 투영 광학계(PL)의 광축과 얼라이먼트계(45)의 광축에 교차하여 Y 방향으로 연장되는 직선 위에 배치되는 것이 바람직하나, 기준 마크의 위치를 계측 가능한 위치라면 임의의 위치에 설치할 수 있다.

위치 계측 장치(78)의 계측 결과는 주 제어장치(20)(도 3 참조)에 출력되고, 주 제어장치(20)는 이 계측 결과에 의거하여 얼라이먼트계(45)의 계측 결과를 보정한다. 즉, 기준판(53)의 교환 등에 의해 기준판(53)의 위치 오차가 생기거나, 또는 교환한 기준판(53)에 제조 오차가 있으면, 이들 오차가 얼라이먼트계(45)로 기준판(53)을 계측했을 때의 계측 오차가 되어 나타난다. 이 때문에, 미리 위치 계측 장치(78)로 기준판(53)의 위치 오차 등을 측정해 두고, 얼라이먼트계(45)의 계측 결과를 위치 계측 장치(78)의 계측 결과에 의해 보정함으로써, 기준판(53)의 위치 오차의 영향을 배제하고 있다.

위치 계측 장치(78)에 의한 기준판(53)의 계측은, 기준판(53)이 계측되었을 때 또는 정기적으로 행해진다. 이러한 위치 계측을 행함으로써, 얼라이먼트계(45)에 의한 높은 정밀도의 계측이 가능하게 된다. 또한, 여기서는 주 제어장치(20)가 얼라이먼트계(45)의 계측 결과를 위치 계측 장치(78)의 계측 결과에 의해 보정하는 경우를 예로 들어 설명하고 있으나, 위치 계측 장치(78)의 계측 결과에 의거하여 기준판(53)의 위치를 조정하는 기구를 설치하여, 기준판(53)의 위치를 조정하도록 해도 된다.

전술한 바와 같이, 도 4a∼도 7에 도시한 정비 장치(55)에 의한 정비는, 웨이퍼 스테이지(WST) 위의 웨이퍼(W)에 대한 노광 처리가 한창 진행되고 있는 도중에 행해진다. 이 때문에, 발액성의 유지를 위하여(발액성을 회복시키기 위하여), 정기적 또는 부정기적으로 노광 장치(EX)를 정지시켜서 계측 스테이지(MST)에 대한 정비를 할 필요가 없어지기 때문에, 노광 장치의 가동률을 높일 수 있다. 이에 의하여, 처리량이 더 향상되는 것을 도모할 수 있다.

다음으로, 상기 구성의 노광 장치(EX)의 동작에 대하여 설명한다. 또한, 이하의 동작 중, 주 제어장치(20)에 의해 액침장치(17)의 액체 공급 장치(19a) 및 액체 회수 장치(19b)의 각 밸브의 개폐 제어가 전술한 바와 같이 행해지고, 투영 광학계(PL)의 선옥(GL)의 바로 아래에는 항상 물이 채워져 있으나, 이하의 설명에서는 설명을 용이하게 하기 위하여, 액체 공급 장치(19a) 및 액체 회수 장치(19b)의 제어에 관한 설명은 생략한다.

웨이퍼 스테이지(WST) 위의 웨이퍼(W)의 노광을 행할 때에는, 투영 광학계(PL)의 아래쪽(－Z 방향)에 웨이퍼 스테이지(WST)가 배치되어 있고, 계측 스테이지(MST)는 웨이퍼 스테이지(WST)와 충돌(접촉)하지 않는 ―Y 방향의 소정의 대피 위치에서 대피하고 있다. 웨이퍼(W)에 대한 노광 동작은 주 제어장치(20)에 의해, 사전에 행해진, 예를 들어 인핸스드 글로벌 얼라이먼트(EGA) 등의 웨이퍼 얼라이먼트의 결과 및 최신의 얼라이먼트계(45)의 베이스 라인 양의 계측 결과 등에 의거하여, 웨이퍼(W) 위의 각 쇼트 영역의 노광을 위한 주사 개시 위치(가속 개시 위치)로 웨이퍼 스테이지(WST)가 이동되는 쇼트 간 이동 동작과, 각 쇼트 영역에 대하여 레티클(R)에 형성된 패턴을 주사 노광 방식으로 전사하는 주사 노광 동작을 반복함으로써 행해진다.

또, 웨이퍼 얼라이먼트와 함께, 조사계(64a) 및 수광계(64b)로 이루어지는 도시하지 않은 초점 위치 검출계를 이용하여 웨이퍼(W)에 대한 초점 위치 검출이 행해지고, 웨이퍼(W)의 표면이 투영 광학계(PL)의 초점 위치에 위치 결정된다. 웨이퍼(W)에 대한 초점 위치 검출, 즉 조사계(64a)로부터의 검지 광이 웨이퍼에 조사되는 위치는, 물(Lq)이 채워지지 않는 위치에 설정된다. 최초로 노광 처리가 행해지는 쇼트 영역(제 1 쇼트 영역)에 대해서는, 이 쇼트 영역이 물(Lq)에 잠기기 전의 위치에서 초점 위치 검출이 행해진다. 그리고, 이 제 1 쇼트 영역에 대한 노광 처리가 행해지고 있는 동안에도 조사계(64a)로부터의 검지 광 조사를 계속하고, 검지 광이 조사된 쇼트 영역의 초점 위치 정보를 수집한다. 이어서, 제 1 쇼트 영역에 대한 노광 처리가 종료하여 다음의 쇼트 영역(제 2 쇼트 영역)에 대한 노광 처리를 실시할 때에는, 제 1 쇼트 영역에의 노광 처리 중에 수집한 초점 위치 정보를 이용하여, 제 2 쇼트 영역의 표면을 투영 광학계(PL)의 초점 위치에 위치 결정한다. 이와 같이, 제 2 쇼트 영역 이후의 쇼트 영역에 대해서는, 먼저 행해진 노광 처리 중에 검출·수집된 초점 위치 정보를 이용하여 투영 광학계(PL)의 초점 위치에의 위치 결정이 이루어진다. 환언하면, 초점 위치 정보의 검출 공정을 별도로 설치할 필요가 없어지기 때문에, 처리량을 향상시키는 것이 가능하게 되어 있다.

여기서, 상기의 웨이퍼 스테이지(WST)의 이동은, 주 제어장치(20)가 X축 간섭계(42) 및 Y축 간섭계(44)의 검출치를 모니터하면서, 웨이퍼 스테이지(WST)에 설치되어 있는 제 1 구동계(27) 및 제 2 구동계(28a, 28b)의 구동을 제어함으로써 행해진다. 또, 상기의 주사 노광은, 주 제어장치(20)가 X축 간섭계(42) 및 Y축 간섭계(44) 및 레티클 간섭계(12)의 검출치를 모니터하면서, 레티클 스테이지 구동부(11) 및 제 1 구동계(27) 및 제 2 구동계(28a, 28b)의 구동을 제어하여, 레티클(R)[레티클 스테이지(RST)]과 웨이퍼(W)[웨이퍼 스테이지(WST)]를 Y 방향에 관하여 상대적으로 주사하고, 그 주사 중의 가속 종료 후와 감속 개시 직전과의 사이의 등속 이동시에, 조명광(IL)의 조명 영역에 대하여 레티클(R)[레티클 스테이지(RST)]과 웨이퍼(W)[웨이퍼 스테이지(WST)]를 Y 방향에 관하여 등속 동기 이동함으로써 실현된다. 또한, 상기의 노광 동작은 선옥(GL)과 웨이퍼(W) 사이에 물(Lq)를 보유유지한 상태에서 행해진다.

이상의 노광 처리가 한창 행해지고 있는 도중에, 도 4a, 4b 또는 도 5에 도시한 정비 장치(55)에 의해, 소정의 대피 위치에 대피하고 있는 계측 스테이지(MST)의 계측 테이블(MTB)의 표면이 세정(클리닝)된다. 또는 계측 테이블(MTB)의 표면의 발액 코팅의 박리 및 재도포(정비)가 행해진다. 또는, 도 6 또는 도 7에 도시한 정비 장치(55)에 의해 계측 테이블(MTB)에 설치되는 기준판(53)이 교환된다. 또한, 도 5에 도시한 정비 장치(55)에 의해 계측 테이블(MTB)의 표면을 광 세정하는 경우에는, 자외선 램프(74)로부터의 자외선이 웨이퍼(W)에 조사되는 것을 방지하기 위하여, 계측 스테이지(MST)와 웨이퍼 스테이지(WST) 사이를 차광판 등에 의해 차광하는 것이 바람직하다.

또한, 정비 장치(55)는 상술한 도 4a∼도 7을 사용하여 설명한 정비 기능의 전부를 구비하고 있을 필요는 없고, 그들 중 적어도 하나의 기능을 구비하고 있으면 된다. 또, 정비 장치(55)가 복수의 정비 기능을 구비하고 있는 경우에, 1매의 웨이퍼에 대한 노광 처리 중에, 복수의 정비 기능을 이용해도 되고, 하나의 정비 기능을 이용하는 것만으로도 상관없다.

웨이퍼 스테이지(WST) 위에 보유유지되어 있는 웨이퍼(W)에 대한 노광이 종료되면, 주 제어장치(20)는 Y축 간섭계(52)의 검출치에 의거하여 계측 스테이지(MST)에 마련되어 있는 제 1 구동계(47) 및 제 2 구동계(48a, 48b)의 구동을 제어하여, 계측 스테이지(MST)[계측 테이블(MTB)]의 ＋Y측 면과 웨이퍼 스테이지(WST)의 ―Y측 면을 접촉시킨다. 또한, 여기서는 계측 테이블(MTB)의 ＋Y측 면과 웨이퍼 홀더(보조 플레이트)의 ―Y측 면을 접촉시키는 경우를 예로 들어 설명하나, 간섭계(44, 52)의 계측치를 모니터하여 계측 테이블(MTB)과 웨이퍼 테이블(WTB)을 Y 방향으로, 예를 들어 300㎛ 정도(물이 표면 장력에 의해 누출되지 않는 간극) 이간시켜서 비접촉 상태를 유지해도 된다.

이어서, 주 제어장치(20)는 웨이퍼 테이블(WTB)과 계측 테이블(MTB)과의 Y 방향의 위치 관계를 보유유지하면서, 양쪽 스테이지(WST, MST)를 ＋Y 방향으로 구동하는 동작을 개시한다. 이와 같이 하여, 주 제어장치(20)에 의해, 웨이퍼 스테이지(WST)와 계측 스테이지(MST)가 동시에 구동되면, 투영 유닛(PU)에 설치된 선옥(GL)과 웨이퍼(W) 사이에 보유유지되어 있던 물(Lq)이 웨이퍼 스테이지(WST) 및 계측 스테이지(MST)의 ＋Y 방향으로의 이동에 따라, 웨이퍼(W), 웨이퍼 홀더(40), 계측 테이블(MTB) 위를 순차적으로 이동한다. 또한, 상기의 이동 중, 웨이퍼 테이블(WTB)과 계측 테이블(MTB)은 서로 접촉하는 위치 관계를 유지하고 있다.

또한, 웨이퍼 스테이지(WST), 계측 스테이지(MST)가 ＋Y 방향으로 동시에 소정 거리만큼 구동되면, 계측 스테이지(MST)와 선옥(GL) 사이에 물이 보유유지된 상태가 된다. 이어서, 주 제어장치(20)는 웨이퍼 스테이지(WST)의 위치를 X축 간섭계(43) 및 Y축 간섭계(44a)의 검출치에 의거하여 관리하면서, 웨이퍼 스테이지(WST)에 설치되어 있는 제 1 구동계(27) 및 제 2 구동계(28a, 28b)의 구동을 제어하여, 소정의 로딩 포지션에 웨이퍼 스테이지(WST)를 이동시키는 동시에, 다음 로트의 최초의 웨이퍼로의 교환을 행한다. 이와 병행하여, 계측 스테이지(MST)를 이용한 소정의 계측을 필요에 따라서 실행한다. 이 계측으로서는, 예를 들어 레티클 스테이지(RST) 위의 레티클 교환 후에 행해지는 얼라이먼트계(45)의 베이스 라인 양의 계측을 일례로 들 수 있다.

이상의 웨이퍼 스테이지(WST) 위의 웨이퍼(W)의 교환 및 계측 스테이지(MST)를 이용한 계측이 종료되면, 주 제어장치(20)는 계측 스테이지(MST)와 웨이퍼 스테이지(WST)를 접촉시키고, 그 상태를 유지시키면서 XY 면 내에서 구동하고, 웨이퍼 스테이지(WST)를 투영 유닛(PU)의 바로 아래로 리턴한다. 그리고, 웨이퍼 스테이지(WST)측에서는 교환 후의 웨이퍼(W)에 대하여 웨이퍼 얼라이먼트, 즉 얼라이먼트계(45)에 의한 교환 후의 웨이퍼(W) 위의 얼라이먼트 마크의 검출을 행하고, EGA 연산을 행하여 웨이퍼(W) 위의 복수의 쇼트 영역의 위치 좌표를 산출한다.

그 후, 주 제어장치(20)는 조금전과는 반대로 웨이퍼 스테이지(WST)와 계측 스테이지(MST)와의 Y 방향의 위치 관계를 유지하면서, 웨이퍼 스테이지(WST) 및 계측 스테이지(MST)를 ―Y 방향으로 동시에 구동하여, 웨이퍼 스테이지(WST)[웨이퍼(W)]를 투영 광학계(PL)의 아래쪽으로 이동시킨 후에, 계측 스테이지(MST)를 소정의 위치로 퇴피시킨다. 그리고, 주 제어장치(20)는 상기와 동일하게 새로운 웨이퍼(W)에 대하여 스텝 앤드 스캔 방식의 노광 동작을 실행하고, 웨이퍼 위의 복수의 쇼트 영역에 레티클 패턴을 순차적으로 전사시킨다.

또한, 상기의 설명에 있어서는 웨이퍼의 노광 처리 중에, 정비 장치(55)를 이용하여 계측 스테이지(MST)[계측 테이블(MTB)]의 정비를 행하고 있으나, 웨이퍼의 노광 처리가 행해지고 있지 않을 때에 정비 장치(55)를 이용하여 정비 동작을 행해도 된다. 이 경우, 계측 스테이지(MST)[계측 테이블(MTB)]의 정비 뿐만 아니라, 웨이퍼 스테이지(WST)의 정비[예를 들어, 웨이퍼 스테이지(WST)의 상면의 세정]를 행해도 된다. 또한, 웨이퍼 스테이지(WST)의 정비를 행하는 경우에는, 웨이퍼 대신에, 정비용의 더미 기판을 웨이퍼 스테이지(WST)에 탑재해 두는 것이 바람직하다.

도 1에 도시한 노광 장치(EX)는 온도 조절된 챔버(도시하지 않음) 내에 배치되어 있으나, 계측 스테이지(MST)와 웨이퍼 스테이지(WST) 사이의 공간이 가라앉기 쉽고, 웨이퍼 스테이지(WST) 또는 계측 스테이지(MST)는 내부에 설치된 리니어 모터 등의 발열원으로부터 발생되는 열에 의하여 온도 변화가 생길 가능성을 생각할 수 있다. 이 때문에, 본 실시형태의 노광 장치(EX)는, 계측 스테이지(MST)와 웨이퍼 스테이지(WST) 사이의 공간의 기체(공기)의 흐름을 제어하여 계측 스테이지(MST) 및 웨이퍼 스테이지(WST) 중 적어도 한쪽을 온도 조절하는 온도 조절 장치를 계측 스테이지(MST)에 설치하고 있다.

도 8a, 8b 및 도 9는 계측 스테이지(MST)에 설치되는 온도 조절 장치를 도시한다. 또한, 도 8a, 8b 및 도 9에 도시한 바와 같이, 본 실시형태의 노광 장치는, 도시하지 않은 챔버 내에 있어서 소정의 온도로 온도 조절된 기체(공기)를 아래쪽 방향(－Z 방향)을 향하여 공급함으로써, 아래쪽 방향의 기체의 흐름(이하, 다운 플로우라 함)(DF)을 생기게 하는 공기 조절 장치(도시생략)가 설치되어 있다. 이 다운 플로우(DF)에 의해, 예를 들어 도 1에 도시한 간섭계(52, 44)의 검출 오차를 작게 할 수 있고, 또한 웨이퍼 스테이지(WST) 및 계측 스테이지(MST)의 온도를 소정의 온도로 유지하고 있다.

도 8a에 도시한 예에서는, 소정의 온도로 조정된 기체를, 웨이퍼 스테이지(WST)를 향하여 공급하는 온도 조절 장치(81)가 계측 스테이지 본체(46)의 ＋Y측 면에 설치되어 있다. 도 8a 및 8b에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 스테이지(WST)에 대해서는 웨이퍼 테이블(WTB)의 XY면 내에서 차지하는 면적이 웨이퍼 스테이지 본체(26)의 그것보다 크기 때문에, 다운 플로우(DF)가 웨이퍼 테이블(WTB)로 차단되어 웨이퍼 스테이지 본체(26)의 주위에 날려 들어가기 어려울 가능성이 있다. 계측 스테이지(MST)에 대해서도 동일하며, 다운 플로우(DF)가 계측 테이블(MTB)로 차단되어 계측 스테이지 본체(46)의 주위에 날려 들어가기 어려울 가능성이 있다. 이 경우, 계측 스테이지(MST)와 웨이퍼 스테이지(WST) 사이의 공간(SP1)에 있어서 기체의 흐름이 가라앉고, 이 결과로서 계측 스테이지(MST) 및 웨이퍼 스테이지(WST)의 온도 변화가 생길 가능성이 있다.

계측 스테이지(MST)에 온도 조절 장치(81)를 설치하여 온도 조절된 기체를 웨이퍼 스테이지(WST)를 향하여 공급하고 있기 때문에, 계측 스테이지(MST)와 웨이퍼 스테이지(WST) 사이이면서, 다운 플로우(DF)가 차단되는 부분에도 온도 조절된 기체가 공급된다. 이에 의해, 계측 스테이지(MST) 및 웨이퍼 스테이지(WST)의 양쪽 스테이지를 온도 조절할 수 있다.

도 8b에 도시한 예에서는, 계측 스테이지 본체(46)의 ＋Y측 면에 배기 덕트(82)가 설치되어 있다. 이 배기 덕트(82)에 의해 계측 스테이지(MST)와 웨이퍼 스테이지(WST) 사이의 공간(SP1)의 기체가 흡기되고, 대신에 온도 조절된 기체[예를 들어, 다운 플로우(DF)]가 공간(SP1)에 유입된다. 이에 의해, 계측 스테이지(MST)와 웨이퍼 스테이지(WST) 사이의 공간(SP1)의 가라앉음을 해소할 수 있고, 그 결과로서 계측 스테이지(MST) 및 웨이퍼 스테이지(WST)의 양쪽 스테이지를 온도 조절할 수 있다.

도 9에 도시한 예에서는, 다운 플로우(DF)를 웨이퍼 스테이지(WST)로 향하는 흐름으로 하는 도풍판(導風板)(83, 84)이 설치되어 있다. 도풍판(83)은 계측 스테이지 본체(46)의 ＋Y측 면에 장착되어 있고, 도풍판(84)은 계측 스테이지 본체(46)의 ＋X측 면 및 ―X측 면(도시생략)에 장착되어 있다. 또한, 이들 도풍판(83, 84)은 전술한 계측 스테이지(MST)[계측 테이블(MTB)]와 웨이퍼 스테이지(WST)의 접촉을 방해하지 않도록 각각 장착되어 있다. 도 9에 도시한 바와 같이, 도풍판(83, 84)에 의해, 다운 플로우(DF)가 웨이퍼 스테이지(WST)로 향하는 흐름이 되고, 이에 의해 계측 스테이지(MST)와 웨이퍼 스테이지(WST) 사이의 공간(SP1)의 가라앉음을 해소할 수 있고, 그 결과로서 계측 스테이지(MST) 및 웨이퍼 스테이지(WST)의 양쪽 스테이지를 온도 조절할 수 있다.

이상 설명한 온도 조절 장치를 구비함으로써, 계측 스테이지(MST)에 대해서는 각종 계측 기기의 계측 정밀도를 향상시킬 수 있고, 웨이퍼 스테이지(WST)에 대해서는 웨이퍼 스테이지(WST)의 팽창 등에 의한 노광 정밀도의 악화를 방지할 수 있다.

이상으로 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시 형태에 제한되지 않고, 액침법을 적용하지 않는 노광 장치에도 이용할 수 있다. 또, 상기 실시 형태에서는 ArF 엑시머 레이저 광을 이용하는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 그 이외에, 예를 들어 g선(파장 436nm), i선(파장 365nm), 또는 KrF 엑시머 레이저 광(파장 248nm), F₂ 레이저 광(파장 157nm), Kr₂ 레이저 광(파장 146nm), YAG 레이저 광, 또는 반도체 레이저의 고주파를 이용할 수 있다. 또한, DFB 반도체 레이저 또는 파이버 레이저로부터 발진되는 적외 영역, 또는 가시 영역의 단일 파장 레이저 광을, 예를 들어 에르븀(또는 에르븀과 이트리븀의 양쪽)이 도핑된 파이버 앰플리파이어로 증폭하고, 비선형 광학 결정을 이용하여 자외광으로 파장 변환한 고조파를 이용해도 된다. 예를 들어, 단일 파장 레이저의 발진 파장을 1.51∼1.59㎛의 범위 내로 하면, 발생 파장이 189∼199㎚의 범위 내인 8배 고조 파, 또는 발생 파장이 151∼159㎚의 범위 내인 10배 고조파가 출력된다.

또한, 상기 각 실시 형태에서는 간섭계 시스템(24)을 이용하여 레티클 스테이지(RST), 및 웨이퍼 스테이지(WST)의 각 위치 정보를 계측하는 것으로 하였으나, 이것에 한정하지 않고, 예를 들어 각 스테이지에 설치되는 스케일(회절격자)을 검출하는 엔코더 시스템을 이용해도 된다. 이 경우, 간섭계 시스템과 엔코더 시스템의 양쪽을 구비하는 하이브리드 시스템으로 하고, 간섭계 시스템의 계측 결과를 이용하여 엔코더 시스템의 계측 결과의 교정(calibration)을 행하는 것이 바람직하다. 또, 간섭계 시스템과 엔코더 시스템을 전환하여 이용하거나 또는 그 양쪽을 이용하여 스테이지의 위치 제어를 행하도록 해도 된다.

또, 본 발명은, 웨이퍼 스테이지가 복수 설치되는 트윈 스테이지형의 노광 장치에도 적용할 수 있다. 트윈 스테이지형의 노광 장치의 구조 및 노광 동작은, 예를 들어 일본 공개특허 평10-163099 호 공보 및 일본 공개특허 평10-214783호 공보(대응 미국 특허 제 6,341,007 호, 제 6,400,441 호, 제 6,549,269 호 및 제 6,590,634 호), 일본국 공표특허 제 2000-505958 호(대응 미국 특허 제 5,969,441 호) 또는 미국 특허 제 6,208,407 호에 개시되어 있다. 트윈 스테이지형의 노광 장치의 경우에는 예를 들어, 한쪽 스테이지에 보유유지된 웨이퍼의 노광 처리 중에, 다른 쪽 스테이지의 정비를 행할 수 있다. 또, 두 개의 스테이지의 정비를 번갈아 행할 수도 있다.

또한, 본 발명을 본원 출원인이 앞서 출원한 일본 특허출원 제 2004-168481 호(대응 국제 공개 제 2005/122242 호 팜플렛)의 웨이퍼 스테이지에 적용해도 된다.

또, 상기의 노광 장치에 있어서는, 노광 대상의 기판 위에 액침 영역을 형성하고, 액체를 거쳐 기판을 노광하고 있으나, 액체를 거치지 않고 기판을 노광하는, 소위 건식 노광 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다.

또, 투영 광학계(PL)는 물체면[레티클(R)]측과 상면[웨이퍼(W)]측의 양쪽이 텔레센트릭이어도 되고, 한쪽이 텔레센트릭이어도 된다. 또, 마스크(M)의 패턴 상을 축소 투영하는 축소계 뿐만 아니라, 등배상(等倍像)을 투영하는 것이더라도 상관없다. 또한, 투영 광학계(PL)로서는 반사 광학 소자만으로 이루어지는 반사계, 또는 반사 광학 소자와 굴절 광학 소자를 갖는 반사 굴절계(카타디오프트릭계)를 채용해도 된다. 또한, 투영 광학계(PL)가 구비하는 복수의 렌즈 소자의 초재(硝材)는 조명광(IL)의 파장에 따라서, 예를 들어 석영 또는 형석이 이용된다.

또한, 상기 각 실시 형태에서 이동 스테이지에 보유유지되는 기판으로서는, 반도체 디바이스 제조용의 반도체 웨이퍼 뿐만 아니라, 디스플레이 디바이스용의 유리 기판, 박막 자기 헤드용의 세라믹 웨이퍼, 또는 노광 장치에서 이용되는 마스크 또는 레티클의 원판(합성 석영, 실리콘 웨이퍼) 등이 적용된다. 노광 장치(EX)로서는, 액침법을 이용하지 않는 주사형 노광 장치, 또는 레티클(R)과 웨이퍼(W)를 정지한 상태에서 레티클(R)의 패턴을 일괄 노광하고, 웨이퍼(W)를 순차적으로 단계 이동시키는 스텝 앤드 리피트 방식의 투영 노광 장치(스테퍼)에도 적용할 수 있다. 또, 본 발명은 웨이퍼(W) 위에서 적어도 두 개의 패턴을 부분적으로 겹쳐서 전사하는 스텝 앤드 스티치 방식의 노광 장치에도 적용할 수 있다. 노광 장치(EX)의 종류로서는, 웨이퍼(W)에 반도체 소자 패턴을 노광하는 반도체 소자 제조용의 노광 장치에 한정되지 않고, 액정 표시 소자 제조용 또는 디스플레이 제조용의 노광 장치, 박막 자기 헤드, 촬상 소자(CCD), 마이크로 머신, MEMS, DNA 칩, 또는 레티클 또는 마스크 등을 제조하기 위한 노광 장치 등에도 널리 적용할 수 있다.

또, 상기 각 실시형태에서는 투영 광학계(PL)를 구비한 노광 장치를 예로 들어 설명해 왔으나, 투영 광학계(PL)를 이용하지 않는 노광 장치 및 노광 방법에 본 발명을 적용할 수 있다. 투영 광학계를 이용하지 않는 경우이더라도, 노광 광은 마스크 또는 렌즈 등의 광학 부재를 거쳐 기판에 조사되고, 그와 같은 광학 부재와 기판 사이의 소정 공간에 액침 영역이 형성된다.

또한, 상술한 실시 형태에 있어서는, 광 투과성의 기판 위에 소정의 차광 패턴(또는 위상 패턴·감광 패턴)을 형성한 광투과형 마스크를 이용하였으나, 이 마스크 대신에, 예를 들어 미국 특허 제 6,778,257 호 공보에 개시되어 있는 바와 같이, 노광해야 할 패턴의 전자 데이터에 의거하여 투과 패턴 또는 반사 패턴, 또는 발광 패턴을 형성하는 전자 마스크[가변 성형 마스크라고도 하며, 예를 들어 비발광형 화상 표시 소자(공간 광 변조기)의 일종인 DMD(Digital Micro-mirror Device) 등을 포함함]를 이용해도 된다.

또한, 예를 들어 일본 공표특허 제 2004-519850 호 공보(대응 미국 특허 제 6,611,316 호)에 개시되어 있는 바와 같이, 두 개의 마스크의 패턴을, 투영 광학계를 거쳐 기판 위에서 합성하고, 1회의 스캔 노광에 의해 기판 위의 하나의 쇼트 영역을 대략 동시에 이중 노광하는 노광 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다.

웨이퍼 스테이지(WST) 및/또는 레티클 스테이지(RST)에 리니어 모터(USP 5,623,853 또는 USP 5,528,118 참조)를 이용하는 경우에는, 에어 베어링을 이용한 에어 부상형 및 로렌츠력 또는 리액턴스력을 이용한 자기 부상형 중 어느 것을 이용해도 된다. 또, 각 스테이지(WST, RST)는 가이드를 따라 이동하는 타입이더라도 상관없고, 가이드를 설치하지 않는 가이드리스 타입이더라도 상관없다. 각 스테이지(WST, RST)의 구동 기구로서는, 이차원에 자석을 배치한 자석 유닛과, 이차원에 코일을 배치한 전기자 유닛을 대향시켜 전자력에 의해 각 스테이지(WST, RST)를 구동하는 평면 모터를 이용해도 된다. 이 경우, 자석 유닛과 전기자 유닛 중 어느 한쪽을 스테이지(WST, RST)에 접속하고, 자석 유닛과 전기자 유닛 중 다른 한쪽을 스테이지(WST, RST)의 이동면측에 설치하면 된다.

웨이퍼 스테이지(WST)의 이동에 의해 발생하는 반력은, 투영 광학계(PL)에 전달되지 않도록, 일본 공개특허 평8-166475 호 공보(USP 5,528,118)에 기재되어 있는 바와 같이, 프레임 부재를 이용하여 기계적으로 바닥(대지)에 도피시켜도 된다. 레티클 스테이지(RST)의 이동에 의해 발생하는 반력은, 투영 광학계(PL)에 전달되지 않도록, 일본 공개특허 평8-330224 호 공보(대응 미국 특허 제 5,874,820 호)에 기재되어 있는 바와 같이, 프레임 부재를 이용하여 기계적으로 바닥(대지)에 도피시켜도 된다.

또한, 본 국제출원에서 지정 또는 선택된 국가의 법령에서 허용되는 한에 있어서, 상기 각 실시형태 및 변형예에서 인용한 노광 장치 등에 관한 모든 공개 공보 및 미국 특허의 개시를 원용하여 본문의 기재의 일부로 한다.

이상과 같이, 본 실시형태의 노광 장치(EX)는, 각 구성요소를 포함하는 각종 서브 시스템을, 소정의 기계적 정밀도, 전기적 정밀도, 광학적 정밀도를 유지하도록, 조립함으로써 제조된다. 이들 각종 정밀도를 확보하기 위하여, 이 조립의 전후에는 각종 광학계에 대해서는 광학적 정밀도를 달성하기 위한 조정, 각종 기계계에 대해서는 기계적 정밀도를 달성하기 위한 조정, 각종 전기계에 대해서는 전기적 정밀도를 달성하기 위한 조정이 행해진다. 각종 서브 시스템으로부터 노광 장치에의 조립 공정은 각종 서브 시스템 상호의, 기계적 접속, 전기 회로의 배선 접속, 기압 회로의 배관 접속 등이 포함된다. 이 각종 서브 시스템으로부터 노광 장치에의 조립 공정 전에, 각 서브 시스템 각각의 조립 공정이 있음은 물론이다. 각종 서브 시스템의 노광 장치에의 조립 공정이 종료되면, 종합 조정이 행해져, 노광 장치 전체로서의 각종 정밀도가 확보된다. 또한, 노광 장치의 제조는 온도 및 청정도 등이 관리된 클린 룸에서 행하는 것이 바람직하다.

도 10은 마이크로 디바이스(IC 또는 LSI 등의 반도체 칩, 액정 패널, CCD, 박막 자기 헤드, 마이크로 머신 등)의 제조공정의 일례를 나타내는 플로우차트이다. 반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스는, 도 11에 도시한 바와 같이, 마이크로 디바이스의 기능·성능 설계를 행하는 단계(S11), 이 설계 단계에 의거한 마스크(레티클)를 제작하는 단계(S12), 디바이스의 기재인 기판(웨이퍼)을 제조하는 단계(S13), 전술한 실시형태의 노광 장치(EX)에 의해 마스크의 패턴을 기판에 전사하는 공정, 노광한 기판을 현상하는 공정, 현상한 기판의 가열(큐어) 및 에칭 공정 등의 기판 처리 프로세스를 포함하는 단계(S14), 디바이스 조립 단계(다이싱 공정, 본딩 공정, 패키징 공정 등의 가공 프로세스를 포함함)(S15), 검사 단계(S16) 등을 거쳐 제조된다.

Claims

제 1 스테이지와,

제 2 스테이지와,

상기 제 2 스테이지의 정비를 행하는 정비 장치와,

상기 제 1 스테이지에 탑재된 기판의 노광 처리 중에 상기 정비 장치에 의한 상기 정비를 실행시키는 제어장치를 구비하는 것을 특징으로 하는

노광 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 기판에 패턴 상을 투영하는 투영 광학계와,

상기 제 1 스테이지를 상기 투영 광학계와 대향하는 위치로 이동 가능한 제 1 구동장치와,

상기 제 2 스테이지를 상기 투영 광학계와 대향하는 위치로 이동 가능한 제 2 구동장치를 더 구비하는 것을 특징으로 하는

노광 장치.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 제 2 스테이지는, 노광에 관한 계측을 행하는 계측 스테이지인 것을 특징으로 하는

노광장치.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 정비 장치는, 상기 제 2 스테이지를 클리닝하는 것을 특징으로 하는

노광 장치.
제 4 항에 있어서,

상기 정비 장치는, 상기 제 2 스테이지에 세정제를 공급하는 공급 장치와, 상기 세정제를 회수하는 회수 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는

노광 장치.
제 4 항에 있어서,

상기 정비 장치는, 상기 제 2 스테이지의 적어도 일부의 영역에 자외선을 조사하는 광 세정 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는

노광 장치.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 제 2 스테이지는 교환 가능한 교환 부재를 구비하고 있고,

상기 정비 장치는 상기 교환 부재를 교환하는 것을 특징으로 하는

노광 장치.
제 7 항에 있어서,

상기 정비 장치는, 상기 제 2 스테이지에 대한 상기 교환 부재의 위치를 조정하는 조정 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는

노광 장치.
제 3 항에 있어서,

상기 제 2 스테이지의 적어도 일부에는 발액 코팅이 실시되어 있고,

상기 정비 장치는, 상기 발액 코팅의 정비를 행하는 것을 특징으로 하는

노광 장치.
제 1 스테이지와,

제 2 스테이지와,

상기 제 1 스테이지와 상기 제 2 스테이지 사이의 공간의 기체의 흐름을 제어하여 상기 제 1 스테이지 및 상기 제 2 스테이지의 적어도 한쪽을 온도 조절하는 온도 조절 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는

노광 장치.
제 10 항에 있어서,

상기 온도 조절 장치는, 상기 제 1 스테이지 또는 상기 제 2 스테이지에 마 련되는 것을 특징으로 하는

노광 장치.
제 10 항에 있어서,

상기 온도 조절 장치는, 소정의 온도로 조정된 기체를 상기 제 1 스테이지와 상기 제 2 스테이지 사이의 공간에 공급하는 것을 특징으로 하는

노광 장치.
제 10 항에 있어서,

상기 온도 조절 장치는, 상기 제 1 스테이지와 상기 제 2 스테이지 사이의 공간의 기체를 흡인하는 것을 특징으로 하는

노광 장치.
제 10 항에 있어서,

상기 온도 조절 장치는, 다른 공간을 흐르는 기체를 상기 제 1 스테이지와 상기 제 2 스테이지 사이의 공간에 유도하는 도풍 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는

노광 장치.
제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 기재된 노광 장치를 이용하여 디바 이스의 패턴을 기판에 전사하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는

디바이스 제조 방법.
기판을 노광하는 노광 방법에 있어서,

상기 기판을 보유유지하는 제 1 스테이지를 사용하여 소정 처리를 실행하고;

상기 소정 처리의 실행 중에, 상기 제 1 스테이지와 다른 제 2 스테이지의 정비를 실행하는

노광 방법.
제 16 항에 있어서,

상기 제 2 스테이지는 노광에 관한 계측을 행하는 계측 스테이지를 포함하는

노광 방법.
제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,

상기 정비는, 상기 제 2 스테이지의 클리닝을 포함하는

노광 방법.
제 18 항에 있어서,

상기 클리닝은, 상기 제 2 스테이지의 상면에 세정액을 공급함으로써 실행되는

노광 방법.
제 18 항에 있어서,

상기 클리닝은, 상기 제 2 스테이지의 상면에 자외선을 조사함으로써 실행되는

노광 방법.
제 16 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 소정 처리는, 상기 제 1 스테이지에 보유유지된 기판의 노광 처리를 포함하는

노광 방법.
제 16 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 기재된 노광 방법을 이용하여 상기 기판을 노광하는 것과,

노광된 기판을 현상 처리하는 것을 포함하는

디바이스 제조 방법.