CN100565799C - 曝光装置及元件制造方法 - Google Patents

曝光装置及元件制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN100565799C
CN100565799C CNB2006800172942A CN200680017294A CN100565799C CN 100565799 C CN100565799 C CN 100565799C CN B2006800172942 A CNB2006800172942 A CN B2006800172942A CN 200680017294 A CN200680017294 A CN 200680017294A CN 100565799 C CN100565799 C CN 100565799C
Authority
CN
China
Prior art keywords
microscope carrier
exposure
maintenance
wafer
measurement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CNB2006800172942A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101180707A (zh
Inventor
水谷刚之
奥村正彦
河野博高
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Publication of CN101180707A publication Critical patent/CN101180707A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100565799C publication Critical patent/CN100565799C/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70975—Assembly, maintenance, transport or storage of apparatus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

曝光装置(EX)，具备第1载台(WST)、及第2载台(MST)。维护装置(55)，在保持于第1载台的晶片(W)的曝光处理中执行第2载台(MST)的维护。

Description

曝光装置及元件制造方法
技术领域
本发明有关于将光掩膜的图案转印于基板上的曝光装置、及使用该曝光装置的元件制造方法。
本案根据2005年7月11日提出的日本特愿2005-201582号主张优先权，在此援用其内容。
背景技术
在半导体元件、液晶显示元件、摄影装置(CCD(Charge Coupled Device)等)、薄膜磁头等元件的制造步骤之一的光刻步骤，为要将标线片(光掩膜)的图案，通过投影光学系统转印于涂布有光刻胶的晶片(或玻璃板等)上，而使用曝光装置。该曝光装置，使用步进机等整批曝光型(静止曝光型)的投影曝光装置，或扫描步进机等扫描曝光型的投影曝光装置(扫描型曝光装置)等。
近年来，由于元件的高积体化而要求曝光精度(分辨率、转印忠实度、叠合精度、线宽误差等)的提高。从元件制造效率提高的观点，也要求产能(单位时间内能曝光处理的晶片片数)的提高。为要满足这些要求，而谋求保持晶片的晶图载台的高精度化及高速化，及在曝光处理前进行的各种测量所需时间的缩短及高精度化。
为要同时达成上述曝光精度的提高及高产能，已开发具有2个晶片载台的双载台曝光装置。
在以下的专利文献1揭示有一种曝光装置，其将各种测量机器从晶片载台分离，而设置有别于晶片载台的测量载台(具备各种测量机器)，由此来实现进一步提高曝光精度及小设置面积。又，近年来也实现一种液浸式曝光装置，为提高分辨率，而在投影光学系统与晶片之间填满比气体为高折射率的液体，以使投影光学系统的数值孔径增大来提高分辨率。
专利文献1：日本特开平11-1354400号公报
发明内容
然而，今后要求产能的更提高乃时势所趋，而要求曝光精度的提高。又，具备上述复数个晶片载台的曝光装置，以及具备晶片载台与测量载台的曝光装置，为维持期望性能而定期进行各种维护。若能缩短维护所需时间，能使曝光装置的运转时间延长，其结果能谋求产能的提高。
又，现在大多曝光装置是将配置有晶片载台的室(chamber)内以高精度调温。由此，减低用以测量晶片载台位置的激光干涉计的测量误差，并且防止温度变化所产生的构成晶片载台的构件的膨胀及收缩。具备上述复数个晶片载台的曝光装置，以及具备晶片载台与测量载台的曝光装置，虽也将室内以高精度调温，但各载台间的空间容易产生已调温空气(气体)的阻滞，因此有曝光精度降低之虞。
本发明的目的在于提供，能谋求曝光精度及产能更提高的曝光装置、及使用该曝光装置的元件制造方法。
本发明采用对应实施方式所示各图的以下构成。但是，加在各要件的括号符号，仅止于其要件的例示，并非用以限定各要件者。
本发明第1观点的曝光装置，具备第1载台WST、及第2载台MST；且具备：维护装置55，用以进行该第2载台的维护；及控制装置20，在载置于该第1载台的基板W的曝光处理中执行通过该维护装置的维护；所述维护装置55具备：供应装置，用以将洗净剂供应至所述第2载台；及用以回收所述洗净剂的回收装置；所述第2载台的维护是洗净所述第2载台。
本发明第2观点的曝光装置，具备：第1载台；第2载台；维护装置，其进行所述第2载台的维护；及控制装置，用于在载置于所述第1载台的基板的曝光处理中通过所述维护装置执行所述维护；所述维护装置具备光洗净装置，以将紫外线照射于所述第2载台的至少一部分区域；所述第2载台的维护是洗净所述第2载台。
本发明第3观点的曝光装置，具备：第1载台；第2载台；维护装置，其进行所述第2载台的维护；及控制装置，用于在载置于所述第1载台的基板的曝光处理中通过所述维护装置执行所述维护；所述维护装置是进行在所述第2载台的至少一部分所设置的疏液涂层的维护。
依此发明，对载置于第1载台的基板进行曝光处理期间，在控制装置的控制下执行通过维护装置的第2载台的维护。
本发明第4观点的曝光装置，具备复数个载台WST、MST；该复数个载台中的一载台具备调温装置81～84，用以控制与另一载台间的空间的气体流动，将该一载台及该另一载台的至少一方调温。
依此发明，通过复数个载台中一载台所设置的调温装置，控制该一载台与另一载台间的空间的气体流动，将这些载台的至少一方调温。
本发明的元件制造方法，包含使用上述任一曝光装置，将元件图案转印于基板上的步骤。
本发明的曝光方法，用以将基板曝光，其包含以下步骤：
使用保持该基板的第1载台执行既定处理；及
在该既定处理的执行中，执行与该第1载台不同的第2载台的维护；
所述维护包含所述第2载台的洗净；所述洗净是通过将洗净剂供应至所述第2载台上面来执行。
本发明第5观点的曝光方法，包含以下步骤：使用保持所述基板的第1载台来执行既定处理；及在所述既定处理的执行中，执行与所述第1载台不同的第2载台的维护；所述维护包含所述第2载台的洗净；所述洗净是通过将紫外线照射于所述第2载台上面来执行。
本发明第6观点的曝光方法，其用以将基板曝光，所述曝光方法包含以下步骤：使用保持所述基板的第1载台来执行既定处理；及在所述既定处理的执行中，执行与所述第1载台不同的第2载台的维护；所述维护装置是进行在所述第2载台的至少一部分所设置的疏液涂层的维护。
又，本发明的元件制造方法，包含使用上述曝光方法来曝光基板。
依本发明，因对载置于第1载台的基板进行曝光处理期间，在控制装置的控制下执行通过维护装置的第2载台的维护，故能提高曝光装置的运转率。由此，具有能获得产能更提高的效果。
又，依本发明，因通过复数个载台中一载台所设置的调温装置，控制该一载台与另一载台间的空间的气体流动，将这些载台的至少一方调温，故具有能使曝光精度等提高的效果。
又依本发明的曝光方法，有能获得产能更提高的效果。
再者，依本发明的元件制造方法，因能获得曝光精度及产能量的更提高，故具有将微细元件有效率地制造的效果。其结果，能期待良率提高，进而能降低所制造元件的制造成本。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的曝光装置的概略构成的侧视图。
图2是表示载台装置的构成的立体图。
图3是表示曝光装置的控制系统的方块图。
图4A是表示维护装置的构成例。
图4B是表示维护装置的构成例。
图5是表示维护装置的构成例。
图6是表示维护装置的另一构成例的立体图。
图7是表示设置于图6所示的维护装置的位置测量装置的侧视图。
图8A是表示设置于测量载台的调温装置。
图8B是表示设置于测量载台的调温装置。
图9是表示设置于测量载台的调温装置。
图10是表示微元件的制造工艺的一例的流程图。
主要元件符号说明：
20：主控制装置
27：第1驱动系统
28a、28b：第2驱动系统
47：第1驱动系统
48a、48b：第2驱动系统
53：基准板
55：维护装置
71：洗净用嘴
72：洗净用嘴
74：紫外线灯
78：位置测量装置
81：调温装置
82：排气导管
83、84：导风板
EX：曝光装置
MST：测量载台
PL：投影光学系统
W：晶片(基板)
WST：晶片载台
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本发明的一实施方式的曝光装置及元件制造方法。图1表示本发明的一实施方式的曝光装置的概略构成的侧视图。图1所示的曝光装置EX是步进扫描方式的扫描曝光型曝光装置，对图1中的投影光学系统PL边将光掩膜的标线片R与基板的晶片W相对移动，边将形成于标线片R的图案逐次转印于晶片W。
又，在以下的说明，若有必要则在图中设定XYZ正交坐标系统，参照此XYZ正交坐标系统来说明各构件的位置关系。图1所示的XYZ正交坐标系统，设定X轴及Y轴使其包含于与晶片W的移动面平行的面，设定Z轴为沿投影光学系统PL的光轴AX方向。又，在本实施方式将使标线片R及晶片W同步移动的方向(扫描方向)设定为Y方向。
如图1所示，本实施方式的曝光装置EX包含：照明光学系统ILS；保持标线片R的标线片载台RST；投影单元PU；载台装置ST，具有保持晶片W的晶片载台WST与测量载台MST；及这些的控制系统。照明光学系统ILS，将以未图标的标线片遮板所界定标线片R上的狭缝状照明区域，通过照明光(曝光用光)IL以大致均匀的照度照明。在此，照明光IL，作为一例使用ArF准分子激光(波长193nm)。
在标线片载台RST上，将形成图案于图案面(图1的Z侧面)的标线片R，例如以真空吸附保持。标线片载台RST，通过例如含有线性马达的标线片载台驱动部11(在图1未图标，参照图3)，能微驱动于与照明光学系统ILS的光轴(与后述的投影光学系统PL的光轴AX一致)垂直的XY平面内，并且能以所指定的扫描速度朝扫描方向(Y方向)驱动。
标线片载台RST的载台移动面内的位置(包含Z轴周围的旋转)，以激光干涉计(以下，称为标线片干涉计)12，通过移动镜13(实际上设置具有正交于Y轴的反射面的Y移动镜与具有正交于X轴的反射面的X移动镜)，以例如0.5～1nm左右的分辨率持续检测。此标线片干涉计12的测量值输出至主控制装置20(在图1未图标，参照图3)。主控制装置20，根据此标线片干涉计12的测量值算出标线片载台RST在X方向、Y方向、及θZ方向(绕Z轴的旋转方向)上的位置，并且通过根据此算出结果控制标线片载台驱动部11，来控制标线片载台RST的位置(及速度)。
在标线片载台RST上方，将使用曝光波长的光且由TTR(Through TheReticle)对准系统构成的一对标线片对准检测系统14a、14b，朝X方向隔着既定距离设置。标线片对准检测系统14a、14b，用以同时观察标线片载台RST上的一对标线片对准标记，与通过对应这些的测量载台MST上的一对基准标记(以下，称为第1准标记)的投影光学系统PL的共轭像。这些标线片对准检测系统14a、14b，使用例如与日本特开平7-176468号公报(对应美国专利第5,646,413号)等所揭示者同样构成。
投影单元PU包含：镜筒15；及投影光学系统PL，含有以既定的位置关系保持于镜筒15内的复数个光学元件。投影光学系统PL，例如使用由具有Z方向的共通光轴AX的复数个透镜(透镜元件)所构成的折射光学系统。
又，本实施方式的曝光装置EX，为了要进行适用液浸法的曝光，在投影光学系统PL的最靠近像面(晶片W)的光学元件的透镜(以下，也称为前透镜)GL附近，设置液浸装置17的液体供应嘴18a与液体回收嘴18b。液体供应嘴18a，连接于未图标的供应管[其一端连接于液体供应装置19a(在图1未图标，参照图3)]的另一端。液体回收嘴18b，连接于未图标的回收管[其一端连接于液体回收装置19b(在图1未图标，参照图3)]的另一端。
上述的液体，在此，使用能使ArF准分子激光(波长193nm的光)通过的超纯水(以下，除特别必要的情形外，仅称为“水”)。超纯水，有能在半导体制造厂等容易大量获得，并且对涂布于晶片W上的光刻胶及光学透镜等不会产生不良影响等优点。在此，水的折射率n是大致1.44，在此水中照明光IL的波长被短波长化为193nm×1/n＝约134nm。又，也可供应与晶片W大致相同温度的液体来形成液浸区域。由此，能防止与液体的温度差所引起的晶片W热变形等。
液体供应装置19a，按照来自主控制装置20的指示使连接于供应管的阀打开既定开度，然后通过液体供应嘴18a将水供应至前透镜GL与晶片W之间。又，液体回收装置19b，按照来自主控制装置20的指示使连接于回收管的阀打开既定开度，然后通过液体回收嘴18b从前透镜GL与晶片W之间将水回收至液体回收装置19b(液体槽)的内部。此时，主控制装置20，对液体供应装置19a及液体回收装置19b发出指令，以使从液体供应嘴18a供应至前透镜GL与晶片W间的水量，持续与通过液体回收嘴18b回收的水量相等。因此，能在前透镜GL与晶片W间保持一定量的水Lq(参照图1)。又，保持于前透镜GL与晶片W之间的水Lq持续更换。
如以上所说明，本实施方式的曝光装置的液浸装置17，包含液体供应装置19a、液体回收装置19b、供应管、回收管、液体供应嘴18a、及液体回收嘴18b等的局部液浸装置。
载台装置ST例如包含：框架FC，配置于半导体工厂地面FL上；底盘21，设置于框架FC上；晶片载台WST及测量载台MST，配置于底盘21上方，沿底盘21上面(移动面)21a移动；包含Y轴干涉计52、44的干涉计系统24(参照图3)，用以检测这些载台WST、MST的位置；及用以驱动载台WST、MST的载台驱动部25(参照图3)。上述晶片载台WST，为要将标线片R的图案曝光转印于晶片W，保持晶片W而移动。另一方面，测量载台MST，在晶片载台WST尚未与投影光学系统PL对向的期间中，例如晶片载台WST为了进行晶片W交换而位于装载位置的期间，位于投影光学系统PL下方来进行各种测量。又，液浸装置17，在投影光学系统PL的前透镜GL与晶片载台WST之间，及投影光学系统PL的前透镜GL与测量载台MST之间，也能以水填满。
其次，详细说明载台装置ST的构成。图2表示载台装置ST的构成的立体图。如图2所示，框架FC构成概略平板状，在X方向一侧与另一侧的端部附近一体形成以Y方向为长边方向突出上方的突部FCa、FCb。底盘(定盘)21，配置于被框架FC的突部Fca、FCb夹住的区域上。底盘21的上面21a将其平坦度加工成非常高精度，作为晶片载台WST及测量载台MST沿XY平面移动时的导引面。
晶片载台WST如图2所示，包含：晶片载台本体26，配置于底盘21上；及晶片台WTB，搭载于晶片载台本体26上。晶片载台本体26，由截面矩形框状且朝X方向延伸的中空构件构成。在此晶片载台本体26下面设置自重消除机构。此自重消除机构具有：支持部，对伸缩构件(bellows)施加内压来支撑晶片载台WST；及空气轴承部，与移动面(导引面)21a对向使晶片载台WST相对于移动面21a浮起。
又，晶片载台WST具备：第1驱动系统27，使晶片载台本体26以长行程(stroke)朝X方向驱动，并朝Y方向、Z方向、θx(X轴周围的旋转方向)、θy(Y轴周围的旋转方向)、θz(绕Z轴的旋转方向)微驱动；及第2驱动系统28a、28b，使晶片载台本体26及第1驱动系统27以长行程朝Y方向驱动。再者，晶片载台WST具备：管路托架29，朝X方向等速运动；及未图标的6自由度管，将真空或空气等动力从管路托架29以非接触方式传达至晶片载台本体26。在此，管路托架29朝X方向等速运动，其理由为要使管路托架29的驱动所产生的反作用力对晶片载台本体26的影响减少。
在晶片载台本体26的+X侧的侧面及-X侧的侧面，分别形成3个开口。以通过这些开口中形成于各侧面大致中央部的开口贯穿晶片载台本体26的方式，设置具备复数个线圈的Y轴用固定件33。又，以形成于各侧面的3个开口中，通过2个各开口(将Y轴用固定件33贯穿的开口隔着Y方向形成)贯穿晶片载台本体26的方式，设置2个X轴用固定件34a、34b。再者，在上述3个开口分别设置永久磁铁。
上述Y轴用固定件33，与于其所贯穿的开口所设置的永久磁铁共同作用而使晶片载台本体26朝Y方向微驱动。又，上述2个X轴用固定件34a、34b，与于其分别贯穿的开口所设置的永久磁铁分别共同作用而使晶片载台本体26朝X方向以长行程驱动。在此，通过使各X轴用固定件34a、34b的驱动量不同，能使晶片载台本体26朝θz方向旋转。
即，第1驱动系统27具备：可动磁铁型线性马达，由X轴用固定件34a、34b与永久磁铁构成；及可动磁铁型线性马达，由X轴用固定件34a、34b与永久磁铁构成。又，虽在此以具备可动磁铁型线性马达的情形为例说明，但也可具备可动线圈型线性马达。又，如上述，晶片载台WST是无导件载台，其对X方向的移动未具有导引其移动的导件。
又，在晶片载台本体26下方，设置朝X方向延伸的2个Z轴用固定件及对应这些的永久磁铁(均省略图标)。通过使各Z轴用固定件的驱动量个别控制，能使晶片载台本体26朝Z方向、θx、θy方向驱动。又，为要使管路托架29朝X方向驱动，也设置朝X方向延伸的固定件37。又，上述的Y轴用固定件33、X轴用固定件34a、34b、Z轴用固定件、及固定件37分别固定于，两端构成第2驱动系统28a、28b的可动件39a、39b。
在框架FC的突部Fca、FCb上方，分别配设朝Y方向延伸的构成第2驱动系统28a、28b的Y轴用固定件38a、38b。这些Y轴用固定件38a、38b，通过设置于各下面的未图标的气体静压轴承例如空气轴承，在突部Fca、FCb上方通过既定间隙浮起支撑。此目的在于，通过晶片载台WST及/或测量载台MST的Y方向移动产生的反作用力，使固定件38a、38b当作Y方向的Y配冲质量(counter mass)朝相反方向移动，将此反作用力依据运动量保存法则抵消。
在这些固定件38a、38b之间配置上述晶片载台本体26等，将Y轴用固定件33、X轴用固定件34a、34b、Z轴用固定件、及在固定件37的各两端固定的可动件39a、39b，从固定件38a、38b内侧分别插入。固定件38a、38b具备沿Y方向排列的永久磁铁，可动件39a、39b具备沿Y方向排列的线圈。即，第2驱动系统28a、28b具备使晶片载台WST朝Y方向驱动的可动线圈型线性马达。又，在此虽举具备可动线圈型线性马达的情形为例说明，但也可具备可动磁铁型线性马达。
晶片载台WST是无导件载台，在朝Y方向的移动，除固定件38a与可动件39a的电磁耦合、及固定件38b与可动件39b的电磁耦合外，未具有用以导引其移动的导件。又，使晶片载台WST朝X方向驱动时的反作用力，通过设置于第2驱动系统28a、28b的固定件38a、38b与可动件39a、39b间的电磁耦合传至未图标的X配冲质量。此X配冲质量，设置于框架FC的突部Fca、FCb与固定件38a、38b间，支撑当作Y方向的配冲质量使用的固定件38a、38b且能朝X方向移动。通过朝与晶片载台WST及/或测量载台MST的X方向的移动相反方向移动X配冲质量，将晶片载台WST朝X方向驱动时的反作用力抵消。又，本实施方式的载台装置ST，虽将X配冲质量及Y配冲质量共有于晶片载台WST与测量载台MST，但也可仅将任何其中的一配冲质量共有于晶片载台WST与测量载台MST。
在晶片台WTB上，设置保持晶片W的晶片保持具40。晶片保持具40具备：板状本体部；及具疏液性(疏水性)的辅助板，固定于此本体部上面，在其中央形成比晶片W直径大的圆形开口。在此辅助板的圆形开口内部的本体部区域，配置多数支(复数支)销。通过其多数支销以支撑晶片W的状态真空吸附。此情形，在将晶片W真空吸附的状态，该晶片W的表面与辅助板的表面的高度则形成大致相同高度。又，也可不设置辅助板，而对晶片台WTB的表面赋与疏液性。
又，如图2所示，在晶片台WTB的X方向一端(+X侧端)，将正交于X方向(延在于Y方向)的反射面41X利用镜面加工形成。在晶片台WTB的Y方向一端(+Y侧端)，将正交于Y方向(延在于X方向)的反射面41Y同样利用镜面加工形成。对这些反射面41X、41Y，分别投射来自构成干涉计系统24(参照图3)的X轴干涉计42、Y轴干涉计44的干涉计光束(光束)。
通过X轴干涉计42及Y轴干涉计44分别接受来自反射面41X、41Y的反射光，检测来自各反射面41X、41Y的基准位置[一般是在配置于投影单元PU侧面，及/或投影光学系统PL的+Y方向侧的离轴型对准系统45(参照图1、图3)侧面配置固定镜，以此为基准面]的测量方向位移。又，替代于晶片台WTB的端面形成反射面41X、41Y的构成，也可构成为在晶片台WTB的上面分别设置Y移动镜(具有朝X方向延伸的反射面(41Y))及X移动镜(具有朝Y方向延伸的反射面(41X))。
X轴干涉计42具有：通过投影光学系统PL的投影中心(光轴AX，参照图1)而平行于X轴的测长轴；及通过对准系统45的测量视野中心而平行于X轴的测长轴。X轴干涉计42，曝光时通过投影光学系统PL的投影中心位置的测长轴，检测晶片台WTB的X方向位置，增强型全晶片对准(EGA)时通过对准系统45的测量视野中心的测长轴，测定晶片台WTB的X方向位置。又，X轴干涉计42，按照基线量的测量及/或设置于测量载台MST的各种测量器的测量内容，适当使用2个测长轴来测定晶片台WTB的X方向位置。
即，X轴干涉计42将晶片台WTB或测量台MTB的X方向位置，能分别以Y方向的投影中心位置及对准中心位置测量。又，基线量是表示晶片载台WST对投影光学系统PL所投影的图案投影像的位置关系的量，具体而言是投影光学系统PL的投影中心与对准系统45的测量视野中心的距离。Y轴干涉计44，具有连接投影光学系统PL的投影中心(光轴AX，参照图1)及对准系统45的测量视野中心而平行于Y轴的测长轴，主要供检测晶片台WTB的Y方向位置。
测量载台MST，除管路托架29及未图标的6自由度管外是大致与晶片载台WST同样的构成。即，测量载台MST如图2所示具备：晶片载台本体46，配置于底盘21上；及测量台MTB，搭载于晶片载台本体46上。又，测量载台MST具备：第1驱动系统47，使测量台MTB朝X方向以长行程驱动，并且朝Y方向、Z方向、θx、θy、θz微驱动；及第2驱动系统48a、48b，使晶片载台本体46与第1驱动系统47朝Y方向以长行程驱动。晶片载台本体46，由截面矩形框状且朝X方向延伸的中空构件构成。
第1驱动系统47，与对晶片载台WST设置的第1驱动系统27同样包含：永久磁铁，设置于测量载台本体46的±X方向端面的3个各开口且成对；及1个Y轴用固定件及2个X轴用固定件，具备复数个线圈，通过各开口使测量载台本体46朝X方向贯穿。这些永久磁铁及X轴用固定件与Y轴用固定件使测量载台本体46朝X方向以长行程驱动，并且朝Y方向微驱动，进一步朝θz方向旋转。又，第1驱动系统47具备：永久磁铁，设置于测量载台本体46下面；及Z轴用固定件，与这些永久磁铁共同作用来产生推力。通过这些永久磁铁及Z轴用固定件，能使测量载台本体46朝Z方向、θx、θy方向驱动。又，在此虽举第1驱动系统47具备可动磁铁型线性马达的情形为例说明，但也可具备可动线圈型线性马达。
第2驱动系统48a、48b包含：固定件38a、38b；及可动件49a、49b，固定于X轴用固定件(使测量载台本体46朝X方向贯穿)及Y轴用固定件并且Z轴用固定件(配置于测量载台本体46下方(-Z方向))的两端。可动件49a、49b分别从固定件38a、38b内侧插入。可动件49a、49b具备沿Y方向排列的线圈，与固定件38a、38b(具备沿Y方向排列的永久磁铁)共同作用而产生Y方向的推力。即，第2驱动系统48a、48b，具备使测量载台MST朝Y方向驱动的可动线圈型线性马达。如此，在本实施方式，固定件38a、38b，被使晶片载台WST朝Y方向驱动的线性马达(致动器部)与使测量载台MST朝Y方向驱动的线性马达(致动器部)所共有。又，在此虽举具备可动线圈型线性马达的情形为例说明，但也可具备可动磁铁型线性马达。
通过以上所说明的使晶片载台WST驱动的第1驱动系统27及第2驱动系统28a、28b，并且使测量载台MST驱动的第1驱动系统47及第2驱动系统48a、48b，构成图3所示的载台驱动部25的至少一部分。构成此载台驱动部25的各种驱动机构通过图3所示的主控制装置20控制。即，主控制装置20，通过载台驱动部25，例如控制晶片W曝光前的测量载台MST移动，及曝光时的晶片载台WST移动。
测量台MTB，例如以射得日本公司制的瑞路迪亚(注册商标)等的低热膨胀材料形成，其上面具有疏液性(疏水性)。此测量台MTB，例如以真空吸附保持于测量载台本体46上且能交换。测量台MTB表面的高度，以与设置于晶片台WTB上的晶片保持具40表面的高度大致相同的方式设定。在此测量台MTB的X方向一端(+X侧端)，利用镜面加工形成正交于X方向(延在于Y方向)的反射面51X。在此测量台MTB的Y方向一端(-Y侧端)，利用镜面加工形成正交于Y方向(延在于X方向)的反射面51Y。
在这些反射面51X、51Y，分别投射来自构成干涉计系统24(参照图3)的X轴干涉计42、Y轴干涉计52的干涉计光束(光束)。通过X轴干涉计42及Y轴干涉计52分别接受来自反射面51X、51Y的反射光，检测来自各反射面51X、51Y的基准位置[一般是在投影单元PU侧面，及/或离轴型对准系统45(参照图1、图3)侧面配置固定镜，以此为基准面]的测量方向位移。
又，替代在测量台MTB端面形成反射面51X、51Y的构成，也可构成在测量台MTB上面，分别设置Y移动镜(具有朝X方向延伸的反射面(51Y))及X移动镜(具有朝Y方向延伸的反射面(51X))。上述Y轴干涉计52，与Y轴干涉计44同样，具有连接投影光学系统PL的投影中心(光轴AX，参照图1)及对准系统45的测量视野中心而平行于Y轴的测长轴。晶片载台WST为晶片W的交换位于装载位置(省略图标)期间以外，Y轴干涉计52供检测测量台MTB的Y方向位置。
又，测量载台MST具备用以进行曝光相关的各种测量的测量器群组。此测量器群组，例如有空间像测量装置、波面像差测定装置、及曝光检测装置等。空间像测量装置，用来测量通过投影光学系统PL与水投影于测量台MTB上的空间像。又，上述波面像差测定装置，例如能使用国际公开第99/60361号小册子(对应欧洲专利第1,079,223号说明书)等所揭示的波面像差测定装置。
又，上述曝光检测装置，是检测通过投影光学系统PL照射测量台MTB上的曝光用光的曝光能量相关信息(光量、照度、照度偏差等)的检测装置，能使用例如日本特开昭57-117238号公报(对应美国专利第4,465,368号)等所揭示的照度偏差测量器，及例如日本特开平11-16816公报(对应美国专利申请公开第2002/0061469号说明书)等所揭示的照度监测器。在图3，将以上所说明的空间像测量装置、波面像差测定装置、及曝光检测装置当作测量器群组63表示。
在测量台MTB上面的既定位置设置基准板53，其形成有在这些测量器群组或对准系统45(参照图1、图3)所使用的各种标记的测量图案部。此基准板53以低膨胀材料形成，并且上面具有疏液性(疏水性)，对测量台MTB能进行交换。
回至图1，设置于保持投影单元PU的保持构件的离轴型对准系统45，供测量对象标记(形成于晶片W的对准标记，形成于基准板53的基准标记等)的位置。此对准系统45，将不使晶片W上的光刻胶感光的宽波带检测光束照射于对象标记，将通过来自其对象标记的反射光成像于受光面的对象标记像与未图标的指针(设置于对准系统45内的指针板上的指针图案)像，使用摄影元件(CCD等)摄影后，输出这些摄影信号的影像处理方式FIA(Field ImageAlignment)系统的对准传感器。来自对准系统45的摄影信号，供应至图3所示的主控制装置20。
又，本实施方式的曝光装置EX，具备进行测量载台MST的维护的维护装置55。此维护装置55，例如执行使测量台MTB的疏液性恢复的维护。因本实施方式的曝光装置EX是液浸式曝光装置，故为防止从液体供应装置19a(参照图3)通过液体供应嘴18a供应的水Lq进入晶片载台WST及测量载台MST的内部，及/或为防止将从液体供应嘴18a供应的水Lq通过回收嘴18b容易回收，在晶片载台WST的晶片保持具40上面，及测量载台MST的测量台MTB上面施以疏液涂层。
此疏液涂层，因照明光IL(紫外线)的照射会使疏液性降低，再者因照明光IL的照射有时也会使疏液涂层与测量台MTB的密合性降低而造成剥离。又，因长时间的使用也使疏液涂层受化学污染而致疏液性降低。又，也有在疏液涂层上附着有机物等而使疏液性降低。若疏液性劣化，有时会在疏液涂层表面产生水痕。因此，需要定期使疏液涂层的疏液性能恢复。
一般，将曝光装置EX停止来进行的维护是定期或不定期执行。若将曝光装置EX停止来进行使疏液涂层的疏液性能恢复的维护，维护次数则增加而导致曝光装置EX的运转率降低，结果有使产能降低之虞。在本实施方式，设置执行测量载台MST维护的维护装置55，在对保持于晶片载台WST的晶片W进行曝光处理期间，主控制装置20使测量载台MST移动至维护装置55附近(正下方)，并且控制维护装置55以执行对测量载台MST的维护。
再者，本实施方式的曝光装置EX，虽在图1省略图标，但设置由照射系统64a及受光系统64b(参照图3)构成的焦点位置检测系统。此焦点位置检测系统，从照射系统64a对晶片W上的复数个各检测点从斜方向照射检测光，通过以受光系统64b接受其反射光，例如检测晶片W的Z方向位置及姿势(X轴及Y轴周围的旋转)。
又，焦点位置检测系统，虽通过以其复数个测量点分别测量晶片W的Z轴方向位置数据，来检测晶片W的θX及θY方向的倾斜数据(旋转角)，但此复数个测量点至少将一部分设定于液浸区域(或投影区域)内也可，或将其全部设定于液浸区域外侧也可。再者，若例如干涉计42、44能测量晶片W的Z轴、θX及θY方向的位置数据时，可不必设置焦点位置检测系统，而使在晶片W的曝光动作中能测量其Z轴方向的位置数据，至少在曝光动作中使用干涉计42、44的测量结果来执行Z轴、θX及θY方向相关的晶片W位置控制也可。
图3是表示曝光装置EX控制系统的构成的方块图。图3所示的控制系统，以主控制装置20[由将曝光装置EX全体动作综合控制的微电脑(或工作站)构成]为中心来构成。又，主控制装置20，连接存储器65、CRT(Cathode RayTube)显示器(或液晶显示器)等的显示器66。存储器65，储存供控制曝光装置EX动作上必要的数据，例如基线量、进行EGA运算所得的照射排列、曝光量的经历等。显示器66，显示主控制装置20所输出的曝光装置EX的装置状态数据及错误数据等各种数据。
其次，说明维护装置55。图4A、4B、及图5表示维护装置55的构成例。又，在这些图，对与图1、图2所示的构件相同的构件使用相同符号。图4A、4B、及图5所示的维护装置55，是用来将测量载台MST上的测量台MTB表面洗净(清洁)，维持测量台MTB上的疏液涂层(疏水涂层)的疏液性。图4A及图4B所示的维护装置55使用洗净剂来洗净测量台MTB表面，图5所示的维护装置55使用光洗净来洗净。
图4A及图4B所示的维护装置55，将测量台MTB表面局部地洗净。图4A及图4B所示的维护装置55所使用的洗净剂，能使用甲醇、乙醇等酒精或过氧化氢(H2O2)。
图4A所示的维护装置55具备洗净用嘴71、72。洗净用嘴71、72的各一端71a、72a，配置成能靠近测量台MTB表面，且以彼此对向的方式配置。又，洗净用嘴71的另一端连接于供应洗净剂(洗净液)的洗净剂供应装置(省略图标)，洗净用嘴72的另一端连接于回收供应至测量台MTB上的洗净剂的洗净剂回收装置(省略图标)。又，这些省略图标的洗净剂供应装置及洗净剂回收装置，构成维护装置55的一部分，通过图3所示的主控制装置20控制动作。洗净用嘴71、72，可设置于在保持于晶片载台WST的晶片W的曝光中测量载台MST移动至既定的避开位置时，配置在测量台MTB上方的位置，又也可常设于测量载台MST。
在图4A所示的例，表示将洗净用嘴71、72的一端71a、72a配置于基准板53上方的状态。在此状态，主控制装置20控制设置于维护装置55的未图标的洗净剂供应装置及洗净剂回收装置，使从洗净用嘴71的一端(供应口)71a供应至基准板53上的洗净剂立刻以洗净用嘴72的一端(回收口)72a回收，则能将基准板53局部地洗净。通过相对于洗净用嘴71、72移动测量载台MST，能使测量台MTB上的任意部分局部地(点状地)洗净。又，若以执行来自洗净用嘴71的洗净剂供应与来自洗净用嘴72的洗净剂回收的状态使测量载台MST移动，能洗净测量台MTB上的任意区域(例如线状区域)。
在此，简单说明基准板53。基准板53是圆形形状，在其上面形成前述的第1基准标记(以下，称为第1基准标记FM1)与测量基线量时测量对准系统45的基准标记(以下，称为第2基准标记)FM2。将基准板53形成为圆形，其理由是使测量台MTB面内的基准板53角度容易调整，并且尽量防止供应至测量台MTB上面的水渗入测量台MTB及测量载台MST内部。
第1基准板FM1是由对以Cr(铬)等金属形成的遮光区域形成十字形的开口(狭缝)来构成。又，第2基准标记FM2是由X标记[将标记群组(长边方向将Y方向的标记要件朝X方向以既定间隔排列)朝X方向仅离开既定距离来形成]，与Y标记[将标记群组(长边方向将X方向的标记要件朝Y方向以既定间隔排列)朝Y方向仅离开既定距离来形成]构成。又，第2基准标记FM2，也可以Cr(铬)等金属形成各标记要件，也可通过对以Cr(铬)等金属形成的遮光区域形成开口(狭缝)来形成各标记要件。
图4B所示的维护装置55具备洗净用板73。此洗净用板73，其底面以与测量台MTB表面大致平行的方式配置。在洗净用板73设置：1个供应管73a，连接于供应洗净剂的洗净剂供应装置(省略图标)；及2个回收管73b，连接于回收供应至测量台MTB上的洗净剂的洗净剂回收装置(省略图标)。又，在洗净用板73的底面中央部分形成穴部(凹部)73c，以使这些供应管73a及回收管73b连通且储存既定量的洗净剂。
又，与图4A的情形同样，省略图标的洗净剂供应装置及洗净剂回收装置构成维护装置55的一部分，以图3所示的主控制装置20控制动作。又，洗净用板73，也可设置于当测量载台MST移动至既定的避开位置时，配置于测量台MTB上方的位置，也可常设于测量载台MST。
在图4B，表示洗净用板73配置于基准板53上的状态。在此状态，主控制装置20控制设置于维护装置55的未图标的洗净剂供应装置及洗净剂回收装置，使从供应管73a供应洗净剂至基准板53上，并且从回收管73b回收所供应的洗净剂，一定量的洗净剂则积存于穴部73c而供应洗净剂至基准板53上的既定面积区域，由此能将基准板53面状地洗净。又，积存于穴部73c的洗净剂持续交换。以此状态使测量载台MST移动，能将测量台MTB上的任意部分扩及宽广面积。
又，在图4A、图4B，虽将测量台MTB(例如基准板53)上面使用洗净剂(洗净液)洗净，但也可使用液浸曝光用液体(在本实施方式中为水)来洗净测量台MTB上面。
图5所示的维护装置55，将测量载台MST的测量台MTB表面以光洗净来洗净而维持测量台MTB上的疏液涂层的疏液性。此维护装置55，具备紫外线灯74，发射比照明光IL长波长的紫外光(例如，230～400nm左右)。此紫外线灯74，配置于测量台MTB上方。又，紫外线灯74，当测量载台MST移动至既定的避开位置时，也可设置于配置在测量台MTB上方的位置，又也可常设于测量载台MST。通过使用此紫外线灯74将紫外线照射测量台MTB上，能使附着于疏液涂层的有机物飞散(分解、去除)，由此洗净疏液涂层表面而能提高疏液涂层的疏液性。在此情形，较佳为以实验及/或仿真，使洗净光的波长、强度、照射时间等最适化，以避免通过来自紫外线灯74的洗净光照射使疏液涂层的疏液性能劣化。
又，也可将使用上述洗净剂的洗净与使用洗净光的洗净并用。
维护装置55，也能构成为具备进行测量台MTB上的疏液涂层剥离及再涂布(维护)的机构。通过此机构，使测量台MTB上的疏液涂层定期再生，能维持测量台MTB表面的疏液性。通过使用以上所说明的维护装置55洗净测量台MTB表面，或进行疏液涂层剥离及再涂布，持续能维持测量台MTB表面的疏液性于高水平。由此，维持搭载于测量载台MST的各种测量构件为清洁，能防止使用这些的各种测量精度的劣化。此结果，能高精度曝光。
使用图4A、图4B、及图5所说明的维护装置55，虽是洗净测量台MTB表面来维持测量台MTB的疏液性，但也可具备通过将疏液性降低的测量台MTB本身或一部分交换为疏液性高者，来维持疏液性的维护装置55。图6是表示维护装置55的另一构成例的立体图。图6所示的维护装置55，具备交换设置于测量台MTB的基准板53的交换功能。
图6所示的维护装置55具备搬送臂75，其具有交换基准板53的交换功能。此搬送臂75，构成为保持基准板53能朝Y方向移动，在其上面设置吸附部75a，将基准板53以真空吸附等来保持。又，如图6所示，在测量载台MST，设置升降机构76，对测量台MTB使基准板53朝Z方向升降。这些搬送臂75及升降机构76通过图3所示的主控制装置20控制。又，如图6所示，在测量台MTB形成多个吸附孔77。基准板53通过以此吸附孔77真空吸附，保持于测量台MTB上。
基准板53的交换是在主控制装置20控制下，依以下步骤进行。即，首先解除吸附孔77的基准板53吸附，然后驱动升降机构76使基准板53向上方(+Z方向)上升。其次，将搬送臂75朝+Y方向移动使搬送臂75配置于基准板53下方(-Z方向)。通过以此状态使搬送臂75下降，将基准板53从升降机构76交给搬送臂75。结束基准板53的移交后，使搬送臂75朝-Y方向移动，将所搬送的基准板53收纳于未图标的储料器，并且从储料器取出新基准板保持于搬送臂75上。
其次，将搬送臂75朝+Y方向移动使新基准板配置于形成复数个吸附部75a的部位上方。以此状态驱动升降机构76向上方(+Z方向)上升，新基准板则从搬送臂75交给升降机构76。其后将搬送臂75朝-Y方向移动使搬送臂75从基准板53下避开，使升降机构76下降而进行吸附孔77的基准板53吸附，新基准板53则保持于测量台MTB上。通过以如上所说明的维护装置55交换基准板53，能防止每测量时频繁地供应水Lq的基准板53的疏液性降低。又，图6所示的维护装置55，虽是将测量台MTB一部分的基准板53交换，但也可将测量台MTB本身交换。又，不仅基准板53，而且也能使设置于测量载台MST的空间像测量装置、波面像差测定装置、及曝光检测装置等各种测量装置的与液体接触的构件交换。
然而，基准板53是在曝光装置EX进行各种测量时成为基准的构件。因此，需要以高精度保持在测量台MTB的既定位置。若通过以上所说明的图6所示的维护装置55进行基准板53的交换，则有新保持的基准板53以移位状态保持的可能性。因此，较佳为设置用以测量基准板53位置的位置测量装置。图7是表示设置于图6所示的维护装置55的位置测量装置的侧视图。
如图7所示，在投影光学系统PL的-Y方向，有别于对准系统45，另外设置位置测量装置78，用以测量形成于测量载台MST上的基准板53的基准标记(第1基准标记FM1或第2基准标记FM2)。又，位置测量装置78，虽较佳为配置于与投影光学系统PL的光轴与对准系统45的光轴交叉且朝Y方向延伸的直线上，但只要是能测量基准标记位置的位置，可设置于任意位置。
位置测量装置78的测量结果输出至主控制装置20(参照图3)，主控制装置20根据此测量结果，校正对准系统45的测量结果。即，若通过基准板53的交换产生基准板53的位置误差，或在所交换的基准板53有制造误差，这些误差则当作以对准系统45测量基准板53时的测量误差出现。因此，预先，以位置测量装置78测定基准板53的位置误差等，通过将对准系统45的测量结果以位置测量装置78的测量结果校正，排除基准板53的位置误差的影响。
使用位置测量装置78的基准板53测量，是测量基准板53时或定期进行。通过进行这些位置测量，使用对准系统45的高精度测量则成为可能。又，在此，虽举主控制装置20将对准系统45的测量结果以位置测量装置78的测量结果校正的情形为例说明，但也可设置根据位置测量装置78的测量结果调整基准板53位置的机构，来调整基准板53的位置。
如前述，图4A～图7所示的维护装置55维护，是对晶片载台WST上的晶片W正在曝光处理期间中进行。因此，不必要为维持疏液性(恢复疏液性用)，使曝光装置EX定期或不定期停止而对测量载台MST施加维护，故能提高曝光装置的运转率。由此，能获得产能的进一步提高。
其次，说明上述构成的曝光装置EX的动作。又，以下的动作中，虽以主控制装置20，如前述进行液浸装置17的液体供应装置19a及液体回收装置19b的各阀的开闭控制，而在投影光学系统PL的前透镜GL正下方持续充满水，但在以下的说明为使说明容易，省略液体供应装置19a及液体回收装置19b的控制相关的说明。
要进行晶片载台WST上的晶片W的曝光时，在投影光学系统PL下方(-Z方向)配置晶片载台WST，测量载台MST则避于与晶片载台WST不冲突(接触)的-Y方向的既定避开位置。对晶片W的曝光动作，根据以主控制装置20，事前所进行的例如增强型全晶片对准(EGA)等晶片对准的结果及最近的对准系统45的基线量的测量结果等，将照射间移动动作(为了晶片W上的各照射领域的曝光，使晶片载台WST移动至扫描开始位置(加速开始位置))，与扫描曝光动作(对各照射领域将形成于标线片R的图案以扫描曝光方式转印)反复来进行。
又，与晶片对准同时，使用未图标的焦点位置检测系统(由照射系统64a及受光系统64b所构成)进行对晶片W的焦点位置检测，使晶片W表面定位于投影光学系统PL的焦点位置。对晶片W的焦点位置检测，即来自照射系统64a的检测光照射晶片的位置，是设定于水Lq未填满的位置。对最初进行曝光处理的照射领域(第1照射领域)，在此照射领域尚未渗入水Lq以前的位置进行焦点位置检测。并且，在对此第1照射领域进行曝光处理期间也继续进行来自照射系统64a的检测光照射，收集检测光所照射的照射领域的焦点位置数据。其次，结束对第1照射领域的曝光处理后要实施对下一照射领域(第2照射领域)的曝光处理时，使用在第1照射领域的曝光处理中所收集的焦点位置数据，将第2照射领域表面定位于投影光学系统PL的焦点位置。如此，对第2照射领域以后的照射领域，使用在前所进行的曝光处理中被检测、收集的焦点位置数据，定位于投影光学系统PL的焦点位置。换言之，因不需要另外设置焦点位置数据的检测步骤，故能提高产能。
在此，上述晶片载台WST的移动，是通过主控制装置20边监测X轴干涉计42及Y轴干涉计44的检测值，边控制设置于晶片载台WST的第1驱动系统27及第2驱动系统28a、28b的驱动来进行。又，上述扫描曝光，是主控制装置20边监测X轴干涉计42及Y轴干涉计44及标线片干涉计12的检测值，边控制标线片载台驱动部11与第1驱动系统27及第2驱动系统28a、28b的驱动，将标线片R(标线片载台RST)与晶片W(晶片载台WST)对Y方向相对地扫描，在其扫描中的加速结束后与减速刚开始前间的等速移动时，通过对照明光IL的照明区域将标线片R(标线片载台RST)与晶片W(晶片载台WST)对Y方向等速同步移动来实现。又，上述曝光动作，是以在前透镜GL与晶片W间保持水Lq的状态下进行。
在正进行以上的曝光处理当中，通过图4A、图4B或图5所示的维护装置55，将避于既定避开位置的测量载台MST的测量台MTB表面洗净(清洁)。或将测量台MTB表面的疏液涂层离及再涂布(维护)进行。又，通过设置于图5所示的维护装置55交换设置于测量台MTB的基准板53。又，通过图5所示的维护装置55将测量台MTB表面光洗净的情形，为要防止来自紫外线灯74的紫外线会照射晶片W，较佳为在测量载台MST与晶片载台WST之间以遮光板等来遮光。
又，维护装置55，不必具备上述图4A至图7所说明的全部维护功能，这些功能中至少具备一个功能即可。又，若维护装置55具备复数个维持功能时，在对1片晶片的曝光处理中，也可使用复数个维护功能，也可仅使用一个维护功能。
对保持于晶片载台WST上的晶片W的曝光一结束，主控制装置20，根据Y轴干涉计52的检测值控制设置于测量载台MST的第1驱动系统47及第2驱动系统48a、48b的驱动，使测量载台MST(测量台MTB)的+Y方向与晶片载台WST的-Y方向接触。又，在此，虽举使测量台MTB的+Y侧面与晶片保持具(辅助板)的-Y侧面接触的情形为例说明，但也可监测干涉计44、52的测量值使测量台MTB与晶片台WTB朝Y方向离开，例如300μm左右(因表面张力而使水不漏出的间隙)来维持非接触状态。
其次，主控制装置20，边保持晶片载台WST与测量载台MST的Y方向位置关系，边开始使两载台WST、MST朝+Y方向驱动的动作。如此，以主控制装置20，使晶片载台WST与测量载台MST同时驱动，保持于设置在投影单元PU的前透镜GL与晶片W间的水Lq伴随晶片载台WST与测量载台MST的+Y方向移动，依次移动至晶片W、晶片保持具40、测量台MTB上。又，上述移动中，晶片台WTB与测量台MTB是保持彼此接触的位置关系。
进一步使晶片载台WST与测量载台MST朝+Y方向同时驱动既定距离，则形成在测量载台MST与前透镜GL之间保持水的状态。其次，主控制装置20，将晶片载台WST的位置根据X轴干涉计43及Y轴干涉计44a的检测值边管理，边控制设置于晶片载台WST的第1驱动系统27及第2驱动系统28a、28b的驱动，使晶片载台WST移动至既定的装载位置，并且进行与下批第一片晶片交换。与此并行，按照需要执行使用测量载台MST的既定测量。此测量，例如能举在标线片载台RST上的标线片交换后进行的对准系统45的基线量测量为一例。
当以上的晶片载台WST上的晶片W交换及使用测量载台MST的测量结束时，主控制装置20，使晶片载台WST与测量载台MST接触，边维持其状态边在XY面内驱动，使晶片载台WST送回至投影单元的正下方。并且，在晶片载台WST侧，对交换后的晶片W进行晶片对准，即以对准系统45进行交换后的晶片W上的对准标记检测，进行EGA运算来算出晶片W上的复数个照射领域的位置坐标。
其后，主控制装置20，保持着晶片载台WST与测量载台MST的Y方向位置关系，与前述相反地将晶片载台WST与测量载台MST朝-Y方向同时驱动，使晶片载台WST(晶片W)移动至投影光学系统PL下方后，使测量载台MST避开至既定位置。并且，主控制装置20，与上述同样对新晶片W执行步进扫描方式的曝光动作，使标线片图案逐次转印于晶片上的复数个照射领域。
又，在上述说明，虽在晶片的曝光处理中，使用维护装置55进行测量载台MST(测量台MTB)的维护，但在未进行晶片的曝光处理时也可使用维护装置55进行维护动作。在此情形，不仅测量载台MST(测量台MTB)的维护，也可进行晶片载台WST的维护(例如，晶片载台WST上面的洗净)。又，若要进行晶片载台WST的维护，较佳为将维护用虚设基板载置于晶片载台WST，以替代晶片。
图1所示的曝光装置EX，虽配置于已调温的室(未图标)内，但认为晶片载台WST与测量载台MST间的空间容易阻滞，晶片载台WST或测量载台MST通过从设置于内部的线性马达等发热源所发出的热有产生温度变化的可能性。因此，本实施方式的曝光装置EX，在测量载台MST设置调温装置，控制测量载台MST与晶片载台WST间的空间的气体(空气)流动且调整测量载台MST与晶片载台WST的至少一方的温度。
图8A、图8B、及图9是表示设置于测量载台MST的调温装置。又，如图8A、图8B、及图9所示，本实施方式的曝光装置，在未图标的室内，设置空调装置(省略图标)，通过将已调温为既定温度的气体(空气)朝下方向(-Z方向)供应，产生下方向的气体的流动(以下，称为下降气流)DF。以此下降气流DF，能使例如图1所示的干涉计52、44的检测误差减少，又将晶片载台WST及测量载台MST的温度维持于既定温度。
在图8A所示的例，将温调装置81设置于测量载台本体46的+Y侧面，使调整为既定温度的气体，向晶片载台WST供应。如图8A及图8B所示，晶片载台WST，因晶片台WTB的XY面内所占有的面积比晶片载台本体26的面积大，故有使下降气流DF被晶片台WTB遮住而不容易吹进晶片载台本体26周围的可能性。对测量载台MST也同样，有使下降气流DF被测量台MTB遮住而不容易吹进测量载台本体46周围的可能性。在此情形，测量载台MST与晶片载台WST间的空间SP1气体的流动阻滞，其结果有产生测量载台MST与晶片载台WST的温度变化的可能性。
因在测量载台MST设置调温装置81将已调温的气体向晶片载台WST供应，故在测量载台MST与晶片载台WST间，且遮住下降气流DF的部分也能供应已调温的气体。由此，能使测量载台MST与晶片载台WST两载台温调。
在图8B所示的例，设置排气导管82于测量载台本体46的+Y侧面。以此排气导管82吸引测量载台MST与晶片载台WST间的空间SP1的气体替代，已调温的气体(例如，下降气流DF)则流入空间SP1。由此，能解除测量载台MST与晶片载台WST间的空间SP1的阻滞，其结果能对测量载台MST及晶片载台WST两载台进行调温。
在图9所示的例，设置导风板83、84，使下降气流DF朝向晶片载台WST的流动。导风板83装配于测量载台本体46的+Y侧面，导风板84装配于测量载台本体46的+X侧面及-X侧面(省略图标)。又，这些导风板83、84，分别以不妨碍测量载台MST(测量台MTB)及晶片载台WST的接触的方式装设。如图9所示，以导风板83、84，使下降气流DF朝向晶片载台WST的流动，由此能解除测量载台MST与晶片载台WST间的空间SP1的阻滞，其结果能对测量载台MST及晶片载台WST两载台进行调温。
通过具备以上所说明的调温装置，对测量载台MST能提高各种测量机器的测量精度，对晶片载台WST能防止晶片载台WST的膨胀等所引起的曝光精度的恶化。
以上，虽说明本发明的实施方式，但本发明不限于上述实施方式，也能使用于不适用液浸法的曝光装置。又，在上述实施方式虽举使用ArF准分子激光的情形为例说明，但除此以外，能使用例如g线(波长436nm)、i线(波长365nm)、或KrF准分子激光(波长248nm)、F2激光(波长157nm)、Kr2激光(波长146nm)、YAG激光、或半导体激光的高频波。再者，也可使用将DFB半导体激光或光纤激光所振荡的红外线，或可视域的单一波长激光，例如以掺杂铒(或铒与镱两者)的光纤放大器放大，使用非线性光学结晶转换波长为紫外线的高谐波。例如，若单一波长激光的振荡波长是1.51～1.59μm的范围，则能输出产生波长是189～199nm范围的8倍高谐波，或产生波长是151～159nm范围的10倍高谐波。
又，在上述实施方式虽使用干涉计系统24测量标线片载台RST，及晶片载台WST的各位置数据，但不限于此，例如也可使用检测设置于各载台的标尺(绕射光栅)的编码机系统。在此情形，成为具备干涉计系统与编码机系统双方的混合系统，较佳为使用干涉计系统的测量结果进行编码机系统的校正(calibration)。又，也可将干涉计系统与编码机系统转换使用或使用其双方，来进行载台的位置控制。
又，本发明，也能适用于设置复数个晶片载台的双载台型曝光装置。双载台型曝光装置的构造及曝光动作，例如揭示于日本特开平10-163099号公报及特开平10-214783号公报(对应美国专利6,341,007号、6,400,441号、6,549,269号及6,590,634号)、特表2000-505958号(对应美国专利5,969,441号)或美国专利6,208,407号。在双载台型曝光装置的情形，例如，在保持于一载台的晶片的曝光处理中，能进行另一载台的维护。又，也能交替进行二个载台的维护。
再者，也可将本发明适用于本申请人在前申请的日本特愿2004-168481号(对应国际公开第2005/122242号小册子)的晶片载台。
又，上述曝光装置，虽在曝光对象的基板上形成液浸区域，以通过液体来将基板曝光，但对不通过液体来将基板曝光的干型曝光装置也能适用本发明。
又，投影光学系统PL，也可物体面(标线片R)侧与像面(晶片W)侧双方为远心(telecentric)，也可一方为远心。又，不仅可使光掩膜M的图案像缩小投影的缩小系统，也可用以投影等倍像者。再者，投影光学系统PL，也可采用仅由反射光学元件构成的反射系统，或具有反射光学元件与折射光学元件的反射折射系统(catadioptric)。又，投影光学系统PL所具备的复数个透镜元件的玻璃材料，按照照明光的波长例如使用石英或萤石。
又，在上述各实施方式保持于移动载台的基板，不仅能适用半导体元件制造用的半导体晶片，也能适用显示元件用的玻璃基板、薄膜磁头用的陶瓷晶片、或曝光装置所使用的光掩膜或标线片原版(合成石英、硅晶片)等。曝光装置EX，也能适用于不使用液浸法的扫描型曝光装置，或步进重复方式的投影曝光装置(步进机)，以将标线片R与晶片W静止状态下使标线片R整批曝光，使晶片W逐次步进移动。又，本发明也能适用于步进接合(stitch)方式的曝光装置，以在晶片W上将至少2个图案局部重叠来转印。曝光装置EX的种类，不限于在晶片W将半导体元件图案曝光的半导体元件制造用的曝光装置，也能广泛适用于液晶显示元件制造用或显示器制造用的曝光装置，薄膜磁头、摄影元件(CCD)、微型机器、MEMS、DNA芯片、标线片或光掩膜等制造用的曝光装置。
又，在上述各实施方式虽举具备投影光学系统PL的曝光装置为例来说明，但也能将本发明适用于不使用投影光学系统PL的曝光装置及曝光方法。即使不使用投影光学系统PL的情形，曝光用光仍可通过光掩膜或透镜等的光学构件照射于基板，在此种光学构件与基板间的既定空间形成液浸区域。
又，在上述各实施方式，虽使用在光通过性基板上形成既定的遮光图案(或位相图案、减光图案)的光通过性光掩膜，替代此光掩膜，也可使用电子光掩膜[也称为可变成形光掩膜，包含例如非发光型面像显示元件(空间光变调器)的一种的DMD(Digital Micro-mirror Device)等]。
再者，例如日本特表2004-519850号公报(对应美国专利第6,611,316号)所揭示，将2个光掩膜图案，通过投影光学系统在基板上合成，通过1次扫瞄曝光使基板上的1个照射领域大致同时双重曝光的曝光装置，也能适用本发明。
在晶片载台WST及/或标线片载台RST使用线性马达(参照USP5,623,853或USP5,528,118)的情形，使用空气轴承的空气浮起型及使用洛伦兹(Lorentz)力或磁阻力的磁力浮起型的任一种也可。又，各载台WST、RST，也可以是沿导件移动者，也可以是不设置导件的无导件型者。各载台WST、RST的驱动机构，也可使用平面马达，使二维配置磁铁而成的磁铁单元，与二维配置线圈而成的电枢单元对向以电磁力来驱动各载台WST、RST。在此情形，将磁铁单元与电枢单元的任一单元连接于载台WST、RST，将磁铁单元与电枢单元的另一方连接于载台WST、RST的移动面侧即可。
晶片载台WST的移动所产生的反作用力，如日本特开平8-166475号公报(USP5,528,118)所述，也可使用框架构件以机械方式释放至地面(大地)，以免传至投影光学系统PL。标线片载台RST的移动所产生的反作用力，如日本特开平8-5330224号公报(对应美国专利第5,874,820号)所述，也可使用框架构件以机械方式释放至地面(大地)，以免传至投影光学系统PL。
又，援用曝光装置(在上述各实施方式及变形例引用者)等相关的全部公开公报及美国专利的揭示，作为本文所述的一部分。
如上述，本实施方式的曝光装置EX，通过将包含各构成要件的各种子系统，以保持既定的机械精度、电气精度、光学精度的方式组装来制造。为确保这些各种精度，在组装的前后，对各种光学系统进行用以达成光学精度的调整，对各种机械系统进行用以达成机械精度的调整，对各种电气系统进行用以达成电气精度的调整。从各种子系统对曝光装置的组装步骤，包含各种子系统彼此的机械连接、电路的配线连接、气压回路的配管连接等。在从各种子系统对曝光装置的组装步骤前，也有各子系统个别的组装步骤。各种子系统对曝光装置的组装步骤结束后，进行综合调整，以确保曝光装置全体的各种精度。又，曝光装置的制造较佳为在温度及清洁度等受到管理的无尘室进行。
图10表示微元件(IC或LSI等半导体芯片、液晶面板、CCD、薄膜磁头、微型机器等)的制造工艺的一例的流程图。半导体元件等微元件，如图11所示，是经由以下步骤来制造：进行微元件的功能、性能设计的步骤S11；根据此设计步骤制作光掩膜(标线片)的步骤S12；制造元件基材的基板(晶片)的步骤S13；包含通过前述实施方式的曝光装置EX将光掩膜图案转印于基板的步骤、将已曝光的基板显影的步骤、已显影的基板的加热(硬化)及蚀刻步骤等的基板处理过程的步骤S14；元件组装步骤(切割步骤、接合步骤、封装步骤等的加工处理)S15；及检查步骤S16等。

Claims (13)

1.一种曝光装置，其特征在于，所述曝光装置具备：
第1载台；
第2载台；
维护装置，其进行所述第2载台的维护；及
控制装置，用于在载置于所述第1载台的基板的曝光处理中通过所述维护装置执行所述维护；
所述维护装置具备：供应装置，用以将洗净剂供应至所述第2载台；及用以回收所述洗净剂的回收装置；
所述第2载台的维护是洗净所述第2载台。
2.一种曝光装置，其特征在于，所述曝光装置具备：
第1载台；
第2载台；
维护装置，其进行所述第2载台的维护；及
控制装置，用于在载置于所述第1载台的基板的曝光处理中通过所述维护装置执行所述维护；
所述维护装置具备光洗净装置，以将紫外线照射于所述第2载台的至少一部分区域；
所述第2载台的维护是洗净所述第2载台。
3.一种曝光装置，其特征在于，所述曝光装置具备：
第1载台；
第2载台；
维护装置，其进行所述第2载台的维护；及
控制装置，用于在载置于所述第1载台的基板的曝光处理中通过所述维护装置执行所述维护；
所述维护装置是进行在所述第2载台的至少一部分所设置的疏液涂层的维护。
4.如权利要求1至3中任一项所述的曝光装置，其特征在于，所述曝光装置进一步具备：
投影光学系统，其将图案像投影于所述基板；
第1驱动装置，其能将所述第1载台移动至与投影光学系统对向的位置；以及
第2驱动装置，其能将所述第2载台移动至与投影光学系统对向的位置。
5.如权利要求1至3中任一项所述的曝光装置，其特征在于，
所述第2载台是进行曝光相关测量的测量载台。
6.如权利要求1至3中任一项所述的曝光装置，其特征在于，
所述第2载台具备能交换的交换构件；
所述维护装置用以交换所述交换构件。
7.如权利要求6所述的曝光装置，其特征在于，所述维护装置具备调整装置，以调整所述交换构件相对于所述第2载台的位置。
8.一种曝光方法，其用以将基板曝光，其特征在于，所述曝光方法包含以下步骤：
使用保持所述基板的第1载台来执行既定处理；及
在所述既定处理的执行中，执行与所述第1载台不同的第2载台的维护；
所述维护包含所述第2载台的洗净；
所述洗净是通过将洗净剂供应至所述第2载台上面来执行。
9.一种曝光方法，其用以将基板曝光，其特征在于，所述曝光方法包含以下步骤：
使用保持所述基板的第1载台来执行既定处理；及
在所述既定处理的执行中，执行与所述第1载台不同的第2载台的维护；
所述维护包含所述第2载台的洗净；
所述洗净是通过将紫外线照射于所述第2载台上面来执行。
10.一种曝光方法，其用以将基板曝光，其特征在于，所述曝光方法包含以下步骤：
使用保持所述基板的第1载台来执行既定处理；及
在所述既定处理的执行中，执行与所述第1载台不同的第2载台的维护；
所述维护装置是进行在所述第2载台的至少一部分所设置的疏液涂层的维护。
11.如权利要求8至10中任一项所述的曝光方法，其特征在于，所述第2载台包含进行曝光相关测量的测量载台。
12.如权利要求8至10中任一项所述的曝光方法，其特征在于，所述既定处理包含保持于所述第1载台的基板的曝光处理。
13.一种元件制造方法，其特征在于，所述元件制造方法包含以下步骤：
使用权利要求8至10中任一项所述的曝光方法以使所述基板曝光；及
将已曝光的基板进行显影处理。
CNB2006800172942A 2005-07-11 2006-07-11 曝光装置及元件制造方法 Active CN100565799C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005201582 2005-07-11
JP201582/2005 2005-07-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101180707A CN101180707A (zh) 2008-05-14
CN100565799C true CN100565799C (zh) 2009-12-02

Family

ID=37637136

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2006800172942A Active CN100565799C (zh) 2005-07-11 2006-07-11 曝光装置及元件制造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20080137047A1 (zh)
EP (1) EP1909310A4 (zh)
JP (1) JP5353005B2 (zh)
KR (1) KR20080031376A (zh)
CN (1) CN100565799C (zh)
TW (1) TW200710616A (zh)
WO (1) WO2007007746A1 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8098362B2 (en) * 2007-05-30 2012-01-17 Nikon Corporation Detection device, movable body apparatus, pattern formation apparatus and pattern formation method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
JP5169492B2 (ja) * 2007-05-30 2013-03-27 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP5018249B2 (ja) * 2007-06-04 2012-09-05 株式会社ニコン クリーニング装置、クリーニング方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2009010079A (ja) * 2007-06-27 2009-01-15 Canon Inc 露光装置
JP5414288B2 (ja) * 2009-01-22 2014-02-12 株式会社ニコン 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US8967075B2 (en) * 2009-10-29 2015-03-03 Hitachi, Ltd. Inkjet coating device and inkjet coating method
DE102011111546A1 (de) 2011-08-24 2013-02-28 Carl Zeiss Microlmaging Gmbh Auswechselbare Justiermarkierungseinheit
WO2014080957A1 (ja) * 2012-11-20 2014-05-30 株式会社ニコン 露光装置、移動体装置、及びデバイス製造方法
US11062898B2 (en) * 2018-07-30 2021-07-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Particle removal apparatus, particle removal system and particle removal method

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57117238A (en) 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JP3412704B2 (ja) 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
US5623853A (en) 1994-10-19 1997-04-29 Nikon Precision Inc. Precision motion stage with single guide beam and follower stage
SG76527A1 (en) * 1996-09-24 2000-11-21 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for cleaning treatment
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
CN1244018C (zh) 1996-11-28 2006-03-01 株式会社尼康 曝光方法和曝光装置
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
DE69717975T2 (de) 1996-12-24 2003-05-28 Asml Netherlands Bv In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
JPH1187237A (ja) * 1997-09-10 1999-03-30 Nikon Corp アライメント装置
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
JP4505989B2 (ja) 1998-05-19 2010-07-21 株式会社ニコン 収差測定装置並びに測定方法及び該装置を備える投影露光装置並びに該方法を用いるデバイス製造方法、露光方法
JP2000311933A (ja) * 1999-04-27 2000-11-07 Canon Inc 基板保持装置、基板搬送システム、露光装置、塗布装置およびデバイス製造方法ならびに基板保持部クリーニング方法
JP2001203140A (ja) * 2000-01-20 2001-07-27 Nikon Corp ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP3826720B2 (ja) * 2000-04-25 2006-09-27 セイコーエプソン株式会社 マイクロレンズ基板の製造方法およびマイクロレンズ基板
JP4714403B2 (ja) 2001-02-27 2011-06-29 エーエスエムエル ユーエス，インコーポレイテッド デュアルレチクルイメージを露光する方法および装置
TW529172B (en) 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
US6724460B2 (en) * 2001-11-19 2004-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, cleaning unit and method of cleaning contaminated objects
EP1329773A3 (en) * 2002-01-18 2006-08-30 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, apparatus cleaning method, and device manufacturing method
JP4134692B2 (ja) 2002-11-19 2008-08-20 松下電工株式会社 エレベーターの塔屋ユニットの接合構造
JP2004260115A (ja) * 2003-02-27 2004-09-16 Nikon Corp ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4315420B2 (ja) * 2003-04-18 2009-08-19 キヤノン株式会社 露光装置及び露光方法
TWI474380B (zh) * 2003-05-23 2015-02-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
EP2261741A3 (en) * 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7070915B2 (en) * 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
KR101117429B1 (ko) * 2003-10-31 2012-04-16 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP2005159322A (ja) * 2003-10-31 2005-06-16 Nikon Corp 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法
JP2005201582A (ja) 2004-01-19 2005-07-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 加湿装置
US7616383B2 (en) * 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4655039B2 (ja) 2004-06-07 2011-03-23 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置及び露光方法
JP2005353763A (ja) * 2004-06-09 2005-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置及びパターン形成方法
US8698998B2 (en) * 2004-06-21 2014-04-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for cleaning member thereof, maintenance method for exposure apparatus, maintenance device, and method for producing device
KR101342303B1 (ko) * 2004-06-21 2013-12-16 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 그 부재의 세정 방법, 노광 장치의 메인터넌스 방법, 메인터넌스 기기, 그리고 디바이스 제조 방법
JP4677833B2 (ja) * 2004-06-21 2011-04-27 株式会社ニコン 露光装置、及びその部材の洗浄方法、露光装置のメンテナンス方法、メンテナンス機器、並びにデバイス製造方法
US7463330B2 (en) * 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7224427B2 (en) * 2004-08-03 2007-05-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Megasonic immersion lithography exposure apparatus and method
US7362412B2 (en) * 2004-11-18 2008-04-22 International Business Machines Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate in an immersion lithography system
US7732123B2 (en) * 2004-11-23 2010-06-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion photolithography with megasonic rinse
KR101339887B1 (ko) * 2004-12-06 2013-12-10 가부시키가이샤 니콘 메인터넌스 방법, 메인터넌스 기기, 노광 장치, 및디바이스 제조 방법
US7880860B2 (en) * 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7528931B2 (en) * 2004-12-20 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060250588A1 (en) * 2005-05-03 2006-11-09 Stefan Brandl Immersion exposure tool cleaning system and method
US7986395B2 (en) * 2005-10-24 2011-07-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography apparatus and methods
US8125610B2 (en) * 2005-12-02 2012-02-28 ASML Metherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus
US7969548B2 (en) * 2006-05-22 2011-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method
US8564759B2 (en) * 2006-06-29 2013-10-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for immersion lithography

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080031376A (ko) 2008-04-08
WO2007007746A1 (ja) 2007-01-18
EP1909310A4 (en) 2010-10-06
JPWO2007007746A1 (ja) 2009-01-29
EP1909310A1 (en) 2008-04-09
US20080137047A1 (en) 2008-06-12
CN101180707A (zh) 2008-05-14
TW200710616A (en) 2007-03-16
JP5353005B2 (ja) 2013-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100565799C (zh) 曝光装置及元件制造方法
US10409173B2 (en) Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method
CN101685263B (zh) 曝光装置及组件制造方法
KR101346581B1 (ko) 패턴 형성 장치 및 패턴 형성 방법, 이동체 구동 시스템 및이동체 구동 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
CN101057316B (zh) 位置测量方法、位置控制方法、测量方法、装载方法、曝光方法及曝光装置、及元件制造方法
CN102047182B (zh) 曝光装置、曝光方法及器件制造方法
CN101138070B (zh) 载台装置及曝光装置
KR101400570B1 (ko) 측정 장치 및 방법, 처리 장치 및 방법, 패턴 형성 장치 및 방법, 노광 장치 및 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
EP1806771A1 (en) Exposure device and device manufacturing method
KR20130105916A (ko) 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 디바이스 제조 방법, 그리고 캘리브레이션 방법
WO2009139494A1 (en) Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
KR101220613B1 (ko) 스테이지 장치 및 노광 장치
CN100552879C (zh) 载台驱动方法及载台装置、曝光装置、及元件制造方法
US20130271738A1 (en) Movable body apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2006237488A (ja) ステージ装置、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant