CN101584255A - 辐射系统和光刻设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于产生电磁辐射的辐射系统。所述辐射系统包括构造并配置成产生第一物质的等离子体和等离子体内的箍缩(10)的一对电极(5)。辐射系统还包括配置接近所述箍缩并构造成中和多个等离子体颗粒的等离子体复合表面(13)。

Description

辐射系统和光刻设备
技术领域
本发明涉及一种辐射系统、一种包括辐射系统的光刻设备、以及一种用于改善辐射系统的重复率的方法。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。
通常EUV辐射源使用等离子体产生辐射。等离子体包括自由移动的电子和离子(已经丢失电子的原子)的收集。将电子从原子剥离以便形成等离子体所需的能量可以来自多种源：热的、电的或光的(紫外光或来自激光器的高强度可见光)。
除了EUV辐射，用于EUV光刻术中的辐射源产生对光学元件和于其中执行光刻工艺的工作环境有害的污染材料。对于通过等离子体产生的放电源(例如等离子体锡源)运行的EUV源的情况尤其如此。这种源通常包括应用电压差的一对电极。此外，能量束(例如激光束)可以通过照射例如电极中的一个电极产生蒸汽来触发放电。因此，将会在电极之间发生放电，产生等离子体，由此引起产生EUV辐射的所谓箍缩。有关箍缩、激光触发效应及其在具有旋转电极的源中的应用方面的更详细内容可以在US2004-010508中找到。
除了这种辐射，通常放电源产生碎片颗粒，在这些颗粒中可以是尺寸从原子到复杂颗粒(尺寸可以达到100微米的颗粒)变化的所有类型的微颗粒，它们可以是带电的和不带电的。
期望的是，限制配置用于调节来自EUV源的辐射束的光学系统中的这种碎片带来的污染。常规的光学系统的遮蔽件主要包括一系统，该系统包括大量的平行于EUV源产生的光的方向对齐的紧密包裹的翼片。例如在EP1491963中公开的一种所谓的翼片阱，使用大量的基本上平行于EUV源产生的光的方向对齐的紧密包裹的翼片。诸如微颗粒、纳米颗粒和离子等污染物碎片能够被捕获在由翼片板提供的壁内。因而，翼片阱用作捕获来自源的污染材料的污染物阻挡件。由于板的布置，翼片阱对光是透明的，但是将会捕获碎片，因为碎片没有平行于板运动，或者因为由缓冲气体引起的随机运动。期望的是，改善辐射系统的遮蔽件，因为一些(定向的、弹道的)颗粒仍然会传播穿过翼片阱。
还期望的是，改善源的特性，以提供具有增大的输出和更高的重复频率或重复率的稳定的源。光刻设备的产量依赖于根据强度和重复率使用的辐射源的输出。然而，由于所达到的较高温度和随之对于部件的热负载，通常放电源的辐射输出和/或重复率的增大会导致更大的碎片产生。在一些情形中，源系统的部件会失效，因为它们得不到充分的冷却。
发明内容
根据本发明的一方面，提供一种用于产生电磁辐射的辐射系统。所述辐射系统包括构造并配置成产生第一物质的等离子体和所述等离子体中的箍缩的一对电极。所述辐射系统还包括配置接近所述箍缩的等离子体复合表面，所述等离子体复合表面构造并配置成中和多个等离子体颗粒。
根据本发明的另一方面，提供一种用于产生电磁辐射的辐射系统。所述辐射系统包括构造并配置成产生第一物质的等离子体和所述等离子体内的箍缩的一对电极。所述辐射系统还包括等离子体复合轮廓线，其部分由所述电极的表面限定，在复合轮廓线处基本上由所述第一物质产生的所有等离子体被中和。所述辐射系统还包括等离子体复合表面，其构造并配置成中和多个等离子体颗粒。所述等离子体复合表面设置在通过所述箍缩的径向轴线上的点处，其中所述点设置在所述箍缩和所述径向轴线与所述等离子体复合轮廓线之间的交叉点之间。
根据本发明的一方面，提供一种光刻设备。所述光刻设备包括构造并配置成提供辐射束的辐射系统。所述辐射系统包括一对电极，所述一对电极构造并配置成产生第一物质的等离子体和所述等离子体中的箍缩。所述辐射系统还包括配置接近所述箍缩的等离子体复合表面。等离子体复合表面构造并配置成中和多个等离子体颗粒。所述光刻设备还包括构造并配置成调节辐射束的照射系统，和构造并配置成支撑图案形成装置的支撑结构。所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予所述辐射束以形成图案化的辐射束。所述光刻设备还包括构造并配置成保持衬底的衬底台，和构造并配置成将图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上的投影系统。
根据本发明的另一方面，提供一种用于改善产生电磁辐射的辐射系统的重复率的方法。所述方法包括：提供包括由阳极和阴极限定的放电空间的辐射系统；供给第一物质到所述放电空间；提供跨过所述阳极和所述阴极的放电电压以产生所述第一物质的等离子体；在所述等离子体中形成箍缩效应以产生电磁辐射；和给所述辐射系统提供等离子体复合表面以中和多个等离子体颗粒。
本发明的其他方面、特征和优点通过下面的详细说明、附图以及未决权利要求将会变得明显。
附图说明
下面仅通过示例的方式，参考附图对本发明的实施例进行描述，其中示意性附图中相应的标记表示相应的部件，在附图中：
图1示出根据本发明实施例的光刻设备；
图2示意地示出根据本发明一方面的图1中的光刻设备的辐射系统的第一实施例；
图3示意地示出根据本发明一方面的第二实施例；
图4示出根据本发明一方面的还一实施例；
图5示出参照图4描述的布置的变体；
图6示出参照图4描述的布置的可选的变体；
图7示意地示出来自EUV源的碎片的反射原理；
图8示意地示出用于提供碎片反射的四极磁体布置；
图9a-c示出图4中的布置的又一实施例；
图10示出与辐射系统的热清洁相关的图；
图11和图12示出参考图10说明的热清洁原理的实施例；和
图13a-e示出连续的液滴形式的流体喷射流的实施例。
具体实施方式
图1示意地示出了根据本发明一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括：照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)，或极紫外(EUV)辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和投影系统(例如折射式或反射式投影透镜系统)PS，其构建用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。
照射系统和投影系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、衍射型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。
支撑结构支撑，也就是承载图案形成装置的重量。支撑结构以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其他夹持技术保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上所需的图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常，赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的。这里使用的任何术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。
如这里所示的，所述设备可以是反射型的(例如，采用反射式掩模)。替代地，所述设备可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。
所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。
参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射。该源和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源考虑成光刻设备的组成部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其他情况下，所述源可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其他部件，例如积分器和聚光器。所述照射器可以用来调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀度和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台MT)上的所述图案形成装置(例如，掩模MA)上，并且通过所述图案形成装置来图案化。已经穿过掩模MA后，辐射束B通过投影系统PS，所述PS将束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器IF1用于将掩模MA相对于所述辐射束PB的路径精确地定位。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现掩模台MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，所述掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是他们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对齐标记)上。类似地，在将多于一个的管芯设置在掩模MA上的情况下，所述掩模对准标记可以位于所述管芯之间。
可以将所述设备用于以下模式的至少一种：
1.在步进模式中，在将掩模台MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。
2.在扫描模式中，在对掩模台MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于掩模台MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的动态曝光中的所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描移动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。
3.在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的掩模台MT保持为基本静止状态，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。
在图2中示意地示出了根据本发明一方面的辐射系统的第一实施例。具体地，示出了一种用于产生限定光学轴线3的辐射束2的辐射系统1。辐射系统包括用于产生EUV辐射的放电产生的等离子体(DPP)源4。放电源包括构造并配置成设置有电压差的一对电极5，和一系统，该系统通常包括用于在所述成对电极之间产生蒸汽以便在电极5之间提供放电7的激光器6。强的放电电流引起在电极5之间产生的所谓的箍缩。通常，所产生的EUV光是通过锡原子(或其他合适的材料，例如锂Li或氙Xe)中的电子跃迁形成的，在放电过程中所述锡原子被电离多次。
已经发现，来自辐射系统1的碎片8主要在电极5上或电极5附近产生。可以发现碎片颗粒8，具体地，这种污染下游光学元件的弹道颗粒主要在碎片产生区域9中的电极5上或电极5附近产生，在该处中心EUV源光主要在离碎片产生区域一定距离的箍缩区域10内产生。因此，对于等离子产生的放电源4，碎片产生区域9通常距离产生EUV辐射的箍缩区域10一定距离。这种效应可以通过示出的实施例进行利用，根据本发明一方面的所示的实施例包括用以将电极5与相对于光学轴线3以预定球面角设置的光的路线(line of sight)遮挡分开并用以在光的路线中电极之间的中心区域提供孔12的遮蔽件11。因此，在碎片产生区域9中产生的碎片8起初(没有附加的电磁场，但是在图5-图7所示的实施例可以看到电磁场)以基本上直线从区域9传播。因而，将电极5与围绕光学轴线3成预定球面角的光的路线遮挡分开的遮蔽件11能够捕获这些碎片颗粒8，使得在光的路线上阻止大量的碎片8进入下游光学元件(未示出)。此外，遮蔽件11基本上不会遮蔽来自产生EUV辐射的箍缩区域10的辐射，因为遮蔽件11在光的路线中电极5之间的中心区域(与设计的箍缩区域10对应)提供了孔12，因而光能够传播进入基本上未被遮蔽件11妨碍的下游光学元件。在这种方法中，碎片(来自电极)可以通过遮蔽件被阻止，并且不会阻挡EUV辐射。实践中，可以便利地遮蔽两个电极，因为很可能两个电极产生引起碎片8产生的碎片产生区域。
可以进一步地通过将遮蔽件11充分靠近(优选地，离任一个电极的距离在0.5到25mm范围之间)任一个电极地放置、以遮蔽碎片产生区域9的最大的球面角度。可以隔离导电的遮蔽件或以接近最近电极的电压的电压保持导电的遮蔽件，以最小化通过遮蔽件的寄生放电电流。
为了最小化与电极的距离，施加到遮蔽件11上的热负载要高，以致于优选提供流体喷射流13，例如熔融的锡的流体喷射流。这种喷射流可以具有任何长度，例如大约10cm，具有大约1-10mm长乘以大约1mm或更小(例如0.03到3mm)的宽的矩形横截面。可以隔离导电的喷射流，或以接近最近电极的电压的电压保持导电的喷射流，以最小化通过喷射流中的寄生放电电流。
要注意的是，流体喷射流本身可以从公开等离子体放电源中的流体喷射流形式的电极的US 2006-0011864已知，但是该文献没有公开遮蔽件或设置在一对电极中的一个电极附近的至少一个流体喷射流。因此，优选地，碎片捕获遮蔽件11由一对流体喷射流13提供，所述流体喷射流13相对地并且大体上平行于电极5的纵轴线地设置，如图所示。然而，在某些实施例中可以将等离子体产生基本上引导朝向电极5中的一个，这样一个电极因此将会是产生碎片8的主要贡献者。这些碎片的尺寸和传播速度不同。例如，一种情况的碎片具有微颗粒：它们是具有相对低的速率的微尺寸的颗粒。此外，还可能产生纳米颗粒，它们是通常具有很高速度的纳米尺寸的颗粒；原子碎片，它们是表现为气态粒子的单个原子；和离子，它们是电离的高速原子。
在箍缩后，等离子体可以在整个放电区域传播，最后因为能量损失结合形成基本上电绝缘的气体。只有在达到合适的条件时才可以触发随后的放电，这些条件之一是电极之间的区域的导电率。流体喷射流13的附加的优点在于它们提供表面，在该表面上带电颗粒可以复合(或再组合)成中性颗粒，有效地局部地中和等离子体。这可以用于提高等离子体的复合率，并因而缩短源的恢复时间，允许更快的重复率，这有效地提高EUV辐射系统4的输出。
因而，可以最优化每个流体喷射流13的结构和配置以提高复合率、大体上捕获碎片、捕获光的路线位置上(in a line of sight position)的碎片或这些用途的组合。
要注意的是，存在提高EUV源重复率的另一方案，也就是使用具有非常短放电时间(＜1微秒)的能量源，这会增加系统的复杂度。
特别地，流体喷射流13可以包括熔融的锡，但是其他材料也是可以用以提供相同的复合效果的，包括例如水或合适的液态气体。还提出了液态氮、液态氦和液态氩，尽管它们在放电源中较多使用的真空条件下不足够稳定。具有相对低的沸点的固体或流体的优点在于它可以在使用过程中蒸发，因而不会在系统内留下痕迹。附加地，使用导电流体并且将辐射系统构造成在使用期间使流体保持地电位是有利的。
流体喷射流的优点在于，复合表面是连续地进行更换的，并因此能够经受非常高的热负载。然而，在其他实施例中，也可以提供定位在电极5附近与上文参照图2所述大体上相同距离处的复合表面，但是图2中的复合表面不是由流体喷射流形成的，而是通过基本上平行于电极纵轴线移动的移动元件(未示出)形成的，例如沿轴向移动的金属带，其中所述移动元件通过在容器中提供冷却剂、并被引导通过所述容器来进行冷却。
在某些条件下，流体喷射流可以不是稳定的，也就是它们可以自然地分成直径近似等于喷射流直径的液滴。这意味着，仅可以在直径相对大(＞～0.5mm)时形成连续的喷射流。因而，使用特意地由具有非常小并且可控制的尺寸的靠近地间隔的液滴(液滴之间具有可控制的间距)构成的喷射流是有利的。在巴塞罗那EUVL Sematech会议(2006年10月17日的7870会议)由David Brandt(session 3-SO-04)提出，产生这种稳定的液滴链(具有大约40μm距离的直径为40μm的液滴链)用于在LPP EUV源中用作激光靶。
液滴链的稳定性意味着：依赖于哪个方面的功能需要被优化(复合和/或碎片捕获)，可以采用不同的结构。图13a-e示出这种配置的示例。图13a示出一种连续的喷射流13，其中复合表面沿T方向移动。图13b示出一种沿方向T移动的稳定的液滴113系列，用于本发明这可以看成喷射流13。液滴链的稳定性意味着这些链可以彼此相邻地定位，以在实施本发明时增加额外的灵活性。图13c示出两个邻近的液滴链113，它们有效地形成喷射流13，与图13b中的喷射流13相比它们沿一个方向延伸。液滴链的缺点在于碎片有可能通过流体喷射流。图13d和图13e示出液体链如何沿移动方向T相对彼此偏移，以便对于在图的平面内和垂直于喷射流的移动方向T的方向上具有轨迹的碎片有效地形成实际上连续的喷射流13。
要注意的是，虽然图中示出了直线移动T，在使用中当使用流体喷射流13时轨迹可以是弹道轨迹。通过喷射流13形成的复合表面的路径可以构造成以离箍缩预定的径向距离通过等离子体。在牺牲表面(例如，被预定以这种预定的径向距离蒸发的流体喷射流或固态小球)的情形中，这些可以从辐射系统的外周被引导朝向预定的径向距离。这种被构造的径向距离依赖于在喷射流中使用的流体、喷射流的数目、喷射流的速度以及放电的热，等等。
例如，考虑电功率为Qe1＝200kW和频率为v＝20kHz的EUV源。功率的一半Qrad＝100kW被辐射，辐射的特性时间大约为τ＝5×10-8s。如果液滴具有V＝30m/s的速度和直径d＝50μm(实验显示在d＞～40μm时V＝10m/s是可能的)。液滴被放置在由
Figure A20078004633000141
球面弧EUV收集
Figure A20078004633000142
角
Figure A20078004633000143
限定的容积中，并离箍缩距离为最小Rmin＝3cm和最大Rmax＝4cm。
液滴之间的平均距离S是0.1cm，S2＝0.01cm2。喷射流的数目可以是
Figure A20078004633000151
并且金属流量可以是Fm＝N*V/S*d3/2＝2.6cm3/s。
在时间
Figure A20078004633000152
内距离L＝Rmin条件下，液滴将以距离L运行通过收集角距离。在液滴传播期间，液滴将被升温到
Figure A20078004633000153
Figure A20078004633000154
假定喷射流中的流体是锡，热容将是Cp＝2.2J/(cm3K)。
一种方法能够估计由于辐射能量的脉冲加热引起的液滴的温度上升。在1000K时，液滴的被加热区域的深度hdr＝(τχCp)0.5＝3.e-6m＝3micron，χ＝43W/(mK)。液滴表面的温度升高将是δTimp＝hdrQrad/(2vτ4πχRmin 2)＝340K。
液滴的全部温度将是初始温度(Tini＝600K)和两个附加温度的和：Tini+δTst+δTimp＝1600K。在该温度下锡蒸汽密度可以忽略不计，在1500K时大约为～10-2torr(托)。
也可以估计防止在开始开动激光束之前电极间击穿的液滴上氩等离子体的复合率。在击穿的初始阶段，等离子体密度将增大。如果等离子体的德拜半径(RD＝500(Te，eV/ne，cm-3)0.5cm)变得比击穿区域(在低密度等离子体情形中是＞～Rmin～3cm)的特征长度小，那么等离子体中除了阳极和阴极区域附近，每个位置的电场变小。电子具有大的迁移率，而没有大的平均能量，大约为5-10eV，因此它们给液滴充电达到等离子体电位
Figure A20078004633000155
Figure A20078004633000156
这种液滴的电场由在大约S/2的距离r上的Coulon low：
Figure A20078004633000157
和对应于氩离子的平均速率VAr＝2.e5cm/s的平均离子能量eion～E*S/4～1eV限定。源自电离过程的离子具有小于大约0.1eV的低能量。这意味着，在区域内的大多数离子和液滴一起将会被电场加速成随后在液滴表面上具有离子复合并释放中性原子的液滴。
适当的复合率可以用krec＝1/τion进行估计，其中τion＝S/(2Vion)～2.5e-7s，而krec＝4.e6s-1。应该比较电离速率kioniz＝＜σv＞NAr＝2.e-7*2.e13＝4.e6s-1，或比较氦的电离速率kHe ioniz＝＜σv＞NHe＝2.4e-8*2.e13＝5.e5s-1。通过电子的电离将会完全通过液滴上的等离子体复合进行补偿，由此停止击穿过程并增大可能的EUV源频率。
两个最后的图之间的差别显示为什么在放电区域附近氦比氩是更优选的气体，尽管氩Ar由于其更好的反射锡离子的能力而在翼片阱内是更优选的气体。
结果是通过光致电离和缓冲气体的再充电产生的等离子体的快速弛豫。此外，由于在液滴上的慢离子的快速复合，可以减小在通过激光脉冲放电开始之前阳极和阴极之间的寄生击穿的风险。另一优点可能是从液滴上的主要放电部分收集等离子体碎片。
使用例如图13e中示出的那些小的液滴113的能力在于，所需的液态金属流量显著地减少。附加地，液滴的小的尺寸允许在图3中的碎片收集结构中的不同板14之间更小的间距。例如，在液滴尺寸接近德拜半径为30μm时，L大约为300μm。这可以以与图4中实施例(下面讨论)遮蔽液体液滴一样的相同方式增加在喷射流表面上的等离子体复合的效率(与1/L2成比例)。
如果以EUV收集角设置复合表面，其应该构造成具有高的光透明度。因而，使用图13a-e中的液滴结构中的一个变更图3中的布置、使得每个液滴之间的距离大约与在一个板14上的不同喷射流13之间的距离相同是有利的。在这种情况中，液滴结构具有几乎均匀的液滴云，由于规则的结构液滴云对于EUV是透明的。此外，应该注意的是，小的液滴尺寸导致液滴云全面小的尺寸，因而可以靠近箍缩(径向距离为2-5cm)放置，在该位置高的热负载使得很难放置其他任何物体。
包含系列液滴的喷射流或类似喷射流的结构可以是a)液态或固态；b)导电的或非导电的；和c)由合适的材料形成的。这些因素不显著地改变喷射流或液滴上的等离子体的复合率-等离子体的复合在任何表面上是非常快的。
慢等离子体复合的问题不施于LPP源，因为在LPP源不存在寄生电击穿问题。然而，在等离子体内采用多个喷射流以改善EUV透明度，并因此提高辐射输出是有利的。在高频EUV源(LPP或DPP)中，EUV源和任何收集光学元件之间的锡蒸汽密度都将随着频率升高而增大，并会改变EUV透明度。喷射流或液滴表面可以用于促进锡蒸汽的冷凝，因而支撑EUV透明度。为了这个用途，喷射流或液滴的密度可以是大致相同的值，因为相对于离子速率(～3.e3m/s)更低的锡原子速率(～3.e2m/s)和相对于上面所述的防止寄生击穿的时间间隔(1.e-6s)的更大时间间隔(1.e-5s)。
图3示意地示出本发明的实施例，图中示出了多个流体喷射流13形式的遮蔽件，其相对于光的路线(the line of sight)中电极5之间的中心区域10沿径向方向布置。如上面所示，术语“流体喷射流”还包括如图13a-e中示出的一系列的小的靠近地间隔的液滴形式的喷射流。在这种情形中，通过使用液滴位置沿移动方向T偏移(见图13d和13e)的邻近的一串液滴最优化碎片捕获。在这个实施例中，流体喷射流13彼此邻近地设置，并且大体上对齐以形成相对于中心区域10大体上沿径向取向的板(platelets)14的静态配置。尽管在本发明的一般情况中，优选这些板被取向成将电极5与在板14之间提供的光的路线遮蔽分开，但是本实施例也可以实际应用于将板取向成将电极5包括在板14之间提供的光的路线中。这些应用可以从通过流体喷射流13提供的遮蔽件11的热负载能力受益。另一个优点在于，喷射流13天然地不会被碎片沉积污染，因为它们被连续地进行更新。这与常规的利用固态板14(翼片)对碎片8进行遮蔽的翼片阱方案不同。这些常规的板会遭受污染的麻烦，这会妨碍EUV辐射的适当透过。
特别地，尤其是对于以锡等离子体运行的等离子体产生的放电源4的情况，用于流体喷射流的合适材料还可以是锡或包含锡的化合物，例如那些适于具有更低熔点且具有更容易处理性能的材料(例如Ga-In-Sn)。此外，虽然图3示出的实施例中喷射流13形状总体上为圆形形式，但是包括带状形式的其他形式是可用的，因而提供包括大体上如图4示出的形式的单一喷射流形式的板14的遮蔽件11。对于本领域技术人员显然的是，设置多个彼此邻近的液滴系列(如图13c到13e示出的)的能力提供附加的灵活性以接近任何所需的横截面形式。这种液态翼片(liquid foil)的厚度通常是0.5-1mm，其厚度比厚度大约0.1mm的常规翼片厚一点。要注意的是，在Journal of Propulsion and Power 19(4)，623-639(2003)，T.Inamura，H.Tamura，H.Sakamoto的“从涡流式共轴喷射器喷射的液体膜和喷雾的特性，(Characteristics of Liquid Film and Spray Injected from swirl CoaxialInjector)”中讨论了薄液态翼片。在该公开文件中，形成锥形翼片。然而，优选地，根据本发明的一方面，特别地，使用狭缝形喷嘴以提供直线形的喷射流，所述喷射流相对于形成箍缩的中心区域10沿径向取向。此外，该静态实施例可以与本身可以从EP1491963中得知的旋转翼片阱结合，当然也可以与本文中描述的其他实施例组合。
附加地，图4示出了根据本发明一方面的另一实施例，其中碎片捕获遮蔽件，下文也称为翼片阱15，包括相对于中心区域10大体上沿径向取向的板14的静态结构，其中板14被取向成将电极5与在板14之间提供的光的路线遮蔽分开。在本实施例中，至少一些板是固态属性，特别地，是用在所谓的常规的翼片阱中的翼片。要注意的是，WO 99/42904 A1公开一种大体上相同配置的翼片阱；然而，该出版物没有讨论将板14配置成将电极5与相对于光学轴线以预定球面角度提供的光的路线遮蔽分开，并且构造成在光的路线中电极之间的中心区域10提供孔。与例如在EP1491963中公开的常规的旋转翼片阱的类型相比，这种静态翼片阱配置的优点在于更容易冷却的性能，因为在实施例中这种静态翼片阱配置可以使用在板14上或邻近板14的静态冷却剂回路进行冷却。由于这种配置是静态的，因而冷却可以非常简单，并因此这种配置可易于调整用于源的更高功率级别。此外，这种配置还具有不需要移动部件的优点，这提供结构优点，因为板14所需的强度和尺寸是在与旋转的常规的结构不同量级上的强度和尺寸，这需要例如空气轴承等复杂部件以及能经受住施加到板上的离心张力的高张力材料。因而，根据所提出的实施例，沿径向取向的板14瞄准箍缩区域10，因而基本上不阻挡EUV辐射16的传播。这种翼片阱15将在特定位置填满碎片，因而围绕光学轴线的一个缓慢的转动(例如一天一次)就能够有益地确保没有碎片会污染相邻的翼片阱15或其他光学元件。这可能是有用的，因为在优选的实施例中，光学轴线可能与水平面成45角度。这个原理还可以与共心圆和板组合进行设计。此外，示出的包括静态的沿径向取向的板14的实施例的几何结构可以具有气体阻力高的层叠尺寸(stacking dimensions)，其中板之间的距离可以是0.5-2mm量级，优选地大约为1mm。因而，原子碎片更容易地被捕获。此外，高的气体阻力有助于允许在箍缩区域10附近更低的缓冲气体压力，这导致更高效率的EUV功率。通常，这样的缓冲气体可以是氩气。
除了参考下文给出的图10-图12示出的热清洁技术(thermal cleaningtechniques)以外，板14还可以被提供作为具有多孔特性的材料，用于通过毛细作用从板上去除碎片。例如，通过使用具有多孔特性的翼片材料(例如，烧结材料)能够从光学路径取走锡并且排除掉(或缓冲在可交换元素中)。因而，碎片抑制系统的寿命得以延长，且由于清洁翼片阱导致的停机时间被最小化。
除了上面所说的清洁技术，辐射系统可以包括激励器(excitator)17(见图4)，其用于通过板的机械激励从板上去除碎片。例如，通过在临时的基座上足够快地(读数大约为2000-3000转/分钟)转动模块，锡可以从相关翼片抛出，并且通过吸杂装置(getter)18捕获。最合适的旋转轴线是光学轴线，但是其他旋转轴线也是可以的。旋转和振动的结合也是可选的。因而，激励器可以包括用于通过离心作用从板去除碎片的离心机以及有利地用于捕获从板上去除的碎片8的吸杂装置18。
此外，翼片可以从外部被激励(纵波)以在预定方向上存在锡流。(定向的)加速/振动也可以用于给出对于整个模块的激励曲线(悬决于液滴的粘性/滑动效应之间)，而不是对于每个单个的翼片。
图5公开参照图4所述布置的另一实施例。在这个实施例中，在电极5和遮蔽件(在本实施例中用翼片阱15表示)之间设置偏转电磁场单元19。通过应用电磁场，从碎片产生区域9传播过来的带电碎片颗粒8被偏转，因而这可以用于实质上增大产生EUV辐射的箍缩区域10和碎片产生区域9之间的间距，参照图7将更加清楚地看到这一点。在图5中，偏转电场由一对相对光学轴线设置的电极20产生。因而，产生静态电场，由此偏转带电颗粒。
在图6中，与图5中示出的实施例对比，或附加地，因为围绕光学轴线3配置磁体元件26(见图8)，电磁偏转场被提供作为静态磁场21。对于这种配置的正视图，见图8。虽然不同的静态场构造都是可行的，但是最优化地限定的场是四极场，其配置用于基本上偏转所有大体上沿朝向光学系统(未示出)方向传播、朝向沿径向取向的板14取向的平面22方向传播以及基本上平行于电极5的长度轴线方向传播的带电颗粒8。优选地，如图所示，所述平面22沿光学轴线3设置。然而，可以选择其他更远离轴线的区域来偏转其中的颗粒。因而，可以更容易地偏转带电碎片颗粒朝向遮蔽件11的板14，这事实上增大了电极5之间的间距。因而，就需要更少的板14来获得给定程度的碎片抑制。因而，通常的间距在0.5到3mm范围之间，优选大约为2mm。这显著地提高了翼片阱的光透过率。
图6中的运行原理如下。矩形10表示在没有磁场的情况下翼片阱的接收宽度，因而大体上与产生EUV辐射的区域10对应。然而，在区域10的边缘附近(因此，由碎片产生区域9产生)产生的颗粒8会无阻碍地传播通过遮蔽件(在本实施例中用翼片阱15表示)，而不会中途被截取，如轨线23所示。
通过施加如图所示类型的磁场(用常规箭头表示)，这样的碎片颗粒8被偏转朝向光学轴线3。例如，轨线23上的颗粒会被偏转沿实线24，而不再穿过翼片阱15进行传播。这是因为在翼片阱的入口，颗粒看起来源自接收宽度10外部的点，用另一虚线25表示。换句话说，磁场的应用有效地使遮蔽件的有效接收宽度变窄，遮蔽件的宽度限定碎片颗粒能够无阻碍地进入系统的区域。因而，对于接收宽度的给定尺寸，可以通过减少板11的数量并施加磁场来改善光透过率。
对于没有磁场情况下的翼片阱的接收宽度，通常的间距可以是在大约0.5到大约2mm的范围内，优选大约1mm。对于通常的翼片阱尺寸(相对于中心区域10，内半径30mm，外半径139mm)，这导致具有137个翼片的翼片阱具有近似63％的光透过率。如图所示，在优选的实施例中，板14之间的间距d、d’可以变化，其中通常相对于远离光学轴线3的间距d’，朝向光学轴线3的间距d增大。
图7示出如何通过施加磁场将颗粒的源，也就是碎片产生区域9事实上偏转一个距离d到实际的碎片产生区域9’。从而，减小有效的接收宽度。
在具有磁场B的情况中，具有电荷q和速度v的颗粒受到洛伦兹力，用下式表示
F＝qv×B    (1)
从而，如果磁场方向垂直于速度，颗粒沿着具有半径R的圆形轨线运动，半径R等于
R = mv qB - - - ( 2 )
在本实施例中，由磁场带来的角偏转a依赖于施加场的间距，该间距近似等于翼片阱的内半径r0。偏转角由sinα＝r0/R给出，如图3所示。因而，颗粒的表观偏离点位移间距d，由下式给出
d＝r0 sinα-R(1-cosα)            (3)
其中对于α的小的值，d减小为
d = r 0 2 2 R - - - ( 4 )
通过代入等式(2)，我们得到下面有关位移d与碎片颗粒的特征参数q、m和v关系的表达式：
d = qB r 0 2 2 mv - - - ( 5 )
利用永磁体或电磁铁，很容易获得1T量级的磁场。当施加磁场使得对于某些类型碎片位移d等于0.5mm时，由此对于这种碎片的接收宽度与前面提到的1mm值的接收宽度相比以因子2被有效地减小。因此，可以构造接收宽度为2mm并且仍然相同程度地减少碎片的翼片阱。这样的翼片阱仅有69个翼片，光透过率为70％。因此，通过应用磁场显著地改善了光透过率。
图8示出沿光学轴线看的电极5和磁体26的四极磁体配置的正视图。在这种结构中，相对磁体26的南北线交错取向，并且大体上平行于电极5的纵向轴线。因此，可以产生如图6中示出的取向的磁场，也就是，在大体平行于电极的长轴线的平面内光学轴线3的两侧的磁场的总方向，用以向内朝向与光学轴线3共轴线的平面22偏转颗粒。因此，对于通常的配置，带正电的颗粒聚焦到垂直面(通过在水平方向上聚焦，在垂直方向上散布)。可选地，通过在光学轴线的相对侧放置两个相同的磁极获得类似的(但不是明确定义)偏转场。
图9示出参照图4进行说明的大体上沿径向取向的板14的静态结构的另一实施例。在这个实施例中，代替固态单片的板14，在至少一些板14中，沿大致横贯所述板14的方向设置横贯通道27。该实施例可以提供与另一下游板14的热隔离，正如从EUV源4看到的。除此之外，还可以通过优选相对于EUV源4在板14的近侧应用如图3所示的流体喷射流，能够进一步处理施加到板14上的热负载。此外，可以引导气体28通过板14的横贯通道27，横贯通道27可以用于板14的清洁用途，例如用氢根气体。因而，可以清洁板14以防止碎片沉积在板14上，从而防止EUV光不能通过板的情形。优选地，可以不必将翼片阱从系统中取出而清洁翼片阱。在示出的翼片阱实施例中附加横贯通道的原理也可以用于其他类型的翼片阱，特别地用于非静态翼片阱。
附加地或可选地，横贯通道可以用作缓冲气体以在板内侧的区域内提供缓冲气体区域，以便能够进一步捕获例如会通过板14扩散且引起设置在下游(未示出)的光学系统污染的中性纳米颗粒。图9A示出具有横贯通道27的实施例的侧视图，该实施例可以设置成交替使用导线29和板部分30。
图9B示出仅具有导线29的实施例；用以提供类似于图3中示出的流体喷射流结构的结构。此外，图9C示出基本上沿平行于电极5的长度轴线的轴线看的图9A中示出的板实施例的俯视图。图9B的更开放的结构当结合基于氢根的翼片阱清洁时是有利的，因为这种结构更容易将活性H根引入到翼片表面，并且更容易将反应产物输运到翼片阱15外面。然而，缺点在于翼片阱15的流阻变低，这会导致更难获得高的缓冲气体压力。因而，需要最优化板中的开口的量。因而，在大多数情况下，优选的实施例是部分开放翼片结构，如图9A所示。此外，在优选的实施例中，通过提供连接到板14的至少一些导线29的电流供给源31，H清洁与图中示出的装有导线的结构结合。这样，板中的至少一些导线29互连，以便允许电流同时流过几个导线29。在具有足够高的电流的情况下(例如对于0.4mm粗的导线为20A的情况)，导线将会形成温度达到大约2000摄氏度的细丝，在细丝上通常氢气H2分子将会分解，产生H根。然后这些H根可以与锡反应形成气态SnH4，并通过泵排到系统外面。为了将H2加入到系统中，因而实施例还包括H2气体入口32，并且实施例包括用以从系统中除去气体的真空泵33(如图9C所示)。
可选地，可以使用蒸发从捕获遮蔽件去除碎片。图10示出在200-800℃范围的温度下表示计算锡和锂的去除速率的计算图。此外，对于锡，大约900K的温度下所计算的去除速率大约为0.1纳米/小时，大约1400K温度下所计算的速率大约为1E5纳米/小时，去除速率几乎成指数增长。因而，在这些温度值之间的范围内，通过提供加热系统(可以是EUV源4)，碎片捕获遮蔽件，特别地是如图4中示出类型的翼片阱15可以进行选择地加热以升高碎片遮蔽件的温度到用于从碎片捕获遮蔽件上蒸发碎片的温度。此外，提供气体供给系统，其可以在使用时用于在板之间提供缓冲气流，并且可以在脱机时用作清洁用途，特别地用于提供气流以从碎片捕获遮蔽件排出蒸发的碎片。用于锡等离子体源的碎片捕获遮蔽件在脱机清洁用途中的特别优选的升高温度可以是至少900K。因此，可提供可选方案用于化学反应清洁，这可能会对光学系统有害。对于940K(667C)的板14的温度，可以获得0.4纳米/小时的锡蒸发。
有利地，使用锂等离子体源，因为锂具有比锡高得多的蒸汽压(大约9个数量级)，并因此也具有高得多的去除速率(0.4纳米/小时的去除速率仅需要550K(277C)的温度)。这允许在比锡污染表面的蒸发清洁低得多的温度下应用锂污染表面的蒸发清洁；被锂污染的收集器壳体的蒸发清洁是可行的。
图11示出上文参照图10进行说明的清洁原理的一般示意图。特别地，板14被加热，使得沉积其上的碎片8将会被蒸发。通过提供沿板14的气流34，被蒸发的碎片(例如锡蒸汽35)将会从板上被带走，这样板被清洁了。虽然已经参照沿翼片阱的板14的气流对图11进行了说明，但是，可以更普遍地应用清洁原理以(特别地)清洁下游光学元件(例如收集器元件)的EUV反射镜表面。
在图11中，将要被清洁的物体(板14或反射镜光学元件)被加热，同时气体流过反射镜上面以便将锡蒸汽从反射镜运输走。加热可以通过加热装置完成，但也可以临时减小物体的起作用的冷却，并使用由EUV源产生的热。
在图12中，这种技术用于EUV光刻系统的收集器36。在这个实施例中，收集器壳体被一个接一个地加热，以便从收集器壳体的反射侧蒸发锡，并将锡蒸汽沉积在下面收集器壳体的后侧上。当收集器壳体37被加热时，通常将会在壳体的两侧蒸发锡。这意味着壳体后侧将会蒸发锡并沉积在收集器壳体上面的反射表面上。为了防止这种情况，优选首先加热中心壳体，然后连续加热下一个壳体等。因而，通过以这样的次序清洁收集器壳体同时控制收集器壳体的温度，可以使反射表面上的沉积最小化。
虽然在本文中详述了光刻设备用在制造ICs(集成电路)，但是应该理解到这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCDs)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该认识到，在这种替代应用的情况中，可以将这里使用的任何术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
这里使用的术语“透镜”可以认为是任何一种或多种不同类型光学部件的组合，包括折射型、反射型、磁性的、电磁型以及静电型的光学部件。
以上描述是进行了实施例的显示和说明，但本发明不局限于这些实施例。因而很显然，本领域普通技术人员可以在不脱离由权利要求限定的本发明的范围的前提下做出变更。

Claims (23)

1.一种用于产生电磁辐射的辐射系统，所述辐射系统包括：
一对电极，所述一对电极构造并配置成产生第一物质的等离子体和在所述等离子体内的箍缩；和
等离子体复合表面，其配置接近所述箍缩，所述等离子体复合表面构造并配置成中和多个等离子体颗粒。
2.如权利要求1所述的辐射系统，其中，所述等离子体复合表面配置用于实现穿过所述等离子体的移动。
3.如权利要求2所述的辐射系统，其中，所述移动是直线的方式或弹道轨迹的方式。
4.如权利要求1所述的辐射系统，其中，所述等离子体复合表面由包括第二物质的固体或流体限定。
5.如权利要求4所述的辐射系统，其中，所述等离子体复合表面是流体喷射流。
6.如权利要求5所述的辐射系统，其中，所述流体喷射流包括一液滴系列。
7.如权利要求6所述的辐射系统，其中，所述流体喷射流包括彼此基本上平行并邻近地配置的一个或更多个液滴系列。
8.如权利要求7所述的辐射系统，其中，所述流体喷射流包括两个或更多个液滴系列，所述液滴系列构造成使得来自邻近系列的液滴的位置相对于彼此沿移动方向偏移。
9.如权利要求4所述的辐射系统，其中，固体或流体构建并配置成使得其在使用时穿过所述等离子体的移动期间将蒸发。
10.如权利要求9所述的辐射系统，其中，所述第二物质选自由水、氮、氩、氦和它们的任意组合构成的组。
11.如权利要求4所述的辐射系统，其中，所述第二物质与所述第一物质相同。
12.如权利要求4所述的辐射系统，其中，所述第二物质选自由锡、熔融的锡、锡化合物、镓、铟、镓-铟-锡和它们的任意组合构成的组。
13.如权利要求4所述的辐射系统，其中，所述第二物质是导电的，并且所述辐射系统配置成在使用时将所述等离子体复合表面保持地电位。
14.如权利要求1所述的辐射系统，其中，所述等离子体复合表面相对地设置并大体上平行于所述电极的纵轴线，所述表面还被构造并配置成形成碎片捕获遮蔽件。
15.如权利要求1所述的辐射系统，其中，所述箍缩和所述等离子体复合表面之间的所述径向距离在大约20mm到50mm的范围内。
16.如权利要求1所述的辐射系统，其中，所述系统包括多个相对于所述箍缩沿径向方向配置的等离子体复合表面。
17.如权利要求1所述的辐射系统，其中，所述电磁辐射形成限定光学轴线的束，并且其中所述等离子体复合表面被包含在碎片捕获遮蔽件内用于捕获来自所述电极的碎片，所述碎片捕获遮蔽件构造成将所述电极与相对于所述光学轴线以预定球面角提供的光的路线遮蔽分开，并且在所述光的路线中所述电极之间的中心区域提供孔。
18.一种用于产生电磁辐射的辐射系统，所述辐射系统包括：
一对电极，所述一对电极构造并配置成产生第一物质的等离子体和在所述等离子体内的箍缩；
等离子体复合轮廓线，其部分由所述电极的表面限定，在所述复合轮廓线处基本上由所述第一物质产生的所有等离子体被中和；和
等离子体复合表面，其构造并配置成中和多个等离子体颗粒，所述等离子体复合表面可设置在穿过所述箍缩的径向轴线上的点处，其中所述点被设置在所述箍缩和所述径向轴线与所述等离子体复合轮廓线之间的交叉点之间。
19.如权利要求18所述的辐射系统，其中，所述等离子体复合表面配置用于实现穿过所述等离子体的移动。
20.如权利要求18所述的辐射系统，其中，所述辐射系统还包括构造并配置成收集由所述箍缩发射的辐射的一个或更多个光学元件，其中所述光学元件的表面还限定所述等离子体复合轮廓线。
21.如权利要求18所述的辐射系统，其中，所述辐射系统还包括污染物阻挡件，其中所述污染物阻挡件的表面还限定所述等离子体复合轮廓线。
22.一种光刻设备，包括：
辐射系统，其构造并配置成提供辐射束，所述辐射系统包括：
一对电极，所述一对电极构造并配置成产生第一物质的等离子体和在所述等离子体内的箍缩；和
等离子体复合表面，其配置接近所述箍缩，所述等离子体复合表面构造并配置成中和多个等离子体颗粒；
照射系统，构造并配置成调节所述辐射束；
支撑结构，构造并配置成支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在所述辐射束的横截面上赋予所述辐射束以形成图案化的辐射束；
衬底台，构造并配置成保持衬底；和
投影系统，其构造并配置成将所述图案化的辐射束投射到所述衬底的目标部分上。
23.一种用于改善产生电磁辐射的辐射系统的重复率的方法，包括步骤：
提供包括由阳极和阴极限定的放电空间的辐射系统；
供给第一物质到所述放电空间；
提供所述阳极和所述阴极之间的放电电压以产生所述第一物质的等离子体；
在所述等离子体中形成箍缩效应以产生电磁辐射；和
给所述辐射系统提供等离子体复合表面以中和多个等离子体颗粒。
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