TWI383710B - 輻射系統及微影裝置 - Google Patents

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Description

輻射系統及微影裝置
本發明係關於一種輻射系統、一種包括一輻射系統之微影裝置及一種用於改良一輻射系統之重複率的方法。
微影裝置係一種將所要之圖案施加至基板上，通常施加至基板之一目標部分上的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，一或者稱為光罩或主光罩之圖案化元件可用於產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至一基板(例如，矽晶圓)上之一目標部分(例如，包含一個晶粒或若干晶粒之部分)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而達成。一般而言，單一基板將含有被順次圖案化之相鄰目標部分的網路。已知的微影裝置包括所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上而照射每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在一給定方向("掃描"方向)上經由輻射光束掃描圖案同時平行或反平行於此方向同步地掃描基板而照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上來將圖案自圖案化元件轉印至基板。
EUV輻射源通常使用電漿來產生輻射。電漿由自由移動電子及離子(已失去電子之原子)的集合組成。自原子剝離電子以形成電漿所需之能量可具有各種起源：熱、電或光(紫外光或來自雷射之強可見光)。
除EUV輻射之外，用於EUV微影術中之輻射源產生可能對光學器件及執行微影製程之工作環境有害的污染物材料。此對於經由產生電漿之放電源(諸如電漿錫源)而操作之EUV源尤其如此。該輻射源通常包含可被施加電壓差之一對電極。另外，能量光束(例如，雷射光束)可用以藉由衝擊(例如)電極中之一者而產生蒸氣來觸發放電。因此，將在電極之間發生放電，產生電漿，且此情況導致產生EUV輻射之所謂自束。關於自束、雷射觸發效應及其在具有旋轉電極之輻射源中之應用的更多細節可見於US 2004－010508中。
除此輻射之外，放電源通常產生碎屑粒子，其中可存在大小可變之各種微粒子，微粒子為自原子粒子至高達100微米之小液滴之複合粒子，其可帶電與不帶電。
需要限制對經配置以調節來自EUV源之輻射光束之光學系統所造成的由此碎屑引起的污染。對光學系統之習知屏蔽主要包括一系統，該系統包含與EUV源所產生之光之方向平行地對準之大量緊密包裝之箔。所謂的箔陷阱(foil trap)(例如，如EP1491963中所揭示)使用大體與EUV源所產生之光之方向平行地對準之大量緊密包裝之箔。污染物碎屑(諸如微粒子、奈米粒子及離子)可截獲於箔板所提供之壁中。因此，箔陷阱充當截獲來自輻射源之污染物材料的污染物障壁。歸因於小板之配置，箔陷阱對於光係透明的，但將俘獲碎屑，因為碎屑並不與小板平行地行進，或因為緩衝氣體所引起之隨機運動。需要改良對輻射系統之 屏蔽，因為一些(被引導的彈道)粒子仍可能傳輸過箔陷阱。
亦需要改良輻射源特徵以提供一具有增加之輸出及更高重複頻率的穩定源。微影裝置之產出率取決於所使用之輻射源之輸出，其依據強度與重複率而定。然而，增加放電源之輻射輸出及/或重複率通常歸因於所達到之更高溫度及組件上之後續熱負載而導致更多碎屑產生。在一些狀況下，輻射源系統之組件因為其不能充分冷卻而可能失效。
根據本發明之一態樣，提供一種輻射系統，其用於產生電磁輻射。該輻射系統包括一對電極，其經建構及經配置以產生一第一物質之電漿及在該電漿中之一自束。該輻射系統亦包括一電漿重組表面，其鄰近該自束而配置，該電漿重組表面經建構及經配置以中和複數個電漿粒子。
根據本發明之另一態樣，提供一種輻射系統，其用於產生電磁輻射。該輻射系統包括一對電極，其經建構及經配置以產生一第一物質之電漿及在該電漿中之一自束。該輻射系統亦包括一電漿重組輪廓，其部分地由該等電極之表面界定，在該電漿重組輪廓處自該第一物質產生之大體上所有電漿得以中和。該輻射系統進一步包括一電漿重組表面，其經建構及經配置以中和複數個電漿粒子。該電漿重組表面可安置於一在穿過該自束之徑向軸線上的點處，其中該點安置於該自束與一在該徑向軸線與該電漿重組輪廓之間的交點之間。
根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置。該微影裝置包括一輻射系統，其經建構及經配置以提供一輻射光束。該輻射系統包括一對電極，其經建構及經配置以產生一第一物質之電漿及在該電漿中之一自束。該輻射系統亦包括一電漿重組表面，其鄰近該自束而配置。該電漿重組表面經建構及經配置以中和複數個電漿粒子。該微影裝置亦包括：一照明系統，其經建構及經配置以調節該輻射光束；及一支撐件，其經建構及經配置以支撐一圖案化元件。該圖案化元件能夠在該輻射光束之橫截面中賦予該輻射光束一圖案以形成一經圖案化之輻射光束。該微影裝置進一步包括：一基板台，其經建構及經配置以固持一基板；及一投影系統，其經建構及經配置以將該經圖案化之輻射光束投影至該基板之一目標部分上。
根據本發明之另一態樣，提供一種用於改良一產生電磁輻射之輻射系統之重複率的方法。該方法包括提供一包括一由一陽極及一陰極界定之放電空間的輻射系統；供應一第一物質至該放電空間；在該陽極及該陰極上提供一放電電壓以產生該第一物質之電漿；在該電漿中形成一自束效應以產生電磁輻射；及向該輻射系統提供一電漿重組表面以中和複數個電漿粒子。
本發明之其他態樣、特徵及優點將自以下實施方式、隨附圖式及附加之申請專利範圍而變得顯而易見。
圖1示意性地描繪一根據本發明之一實施例的微影裝 置。該裝置包括：一照明系統(照明器)IL，其經組態以調節一輻射光束B(例如，UV輻射或EUV輻射)；一支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐一圖案化元件(例如，光罩)MA且連接至一第一定位器PM，該第一定位器PM經組態以根據特定參數而準確地定位該圖案化元件；一基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持一基板(例如，塗佈有抗蝕劑之晶圓)W且連接至一第二定位器PW，該第二定位器PW經組態以根據特定參數而準確地定位該基板；及一投影系統(例如，折射或反射型投影透鏡系統)PS，其經組態以將一由圖案化元件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之一目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統及投影系統可包括用於引導、成形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、繞射或其他類型之光學組件或其任何組合。
該支撐結構支撐圖案化元件(亦即，承載圖案化元件之重量)。其以取決於圖案化元件之定向、微影裝置之設計及諸如圖案化元件是否固持於真空環境中之其他條件的方式固持圖案化元件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化元件。支撐結構可為框架或台，(例如)其可視需要為固定的或可移動的。支撐結構可確保圖案化元件(例如)相對於投影系統處於所要位置處。可認為本文中對術語"主光罩"或"光罩"之任何使用均與更通用之術語"圖案化元件"同義。
應將本文中所使用之術語"圖案化元件"廣義解釋為指代可用以在一輻射光束之橫截面中賦予該輻射光束一圖案以在基板之一目標部分中產生一圖案的任何元件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可能不會精確對應於基板之目標部分中的所要圖案。大體而言，被賦予至輻射光束之圖案將對應於元件(諸如積體電路)中正在目標部分中形成之一特定功能層。
圖案化元件可為透射型或反射型的。圖案化元件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩在微影術中係熟知的，且包括諸如二元交變相移及衰減相移之光罩類型以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例採用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將一圖案賦予由鏡面矩陣反射之輻射光束中。
本文中所使用之術語"投影系統"應廣義解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射或其任何組合，只要其適用於所使用之曝光輻射。可認為本文中對術語"投影透鏡"之任何使用與更通用之術語"投影系統"同義。
如此處所描繪，該裝置為反射型(例如，採用反射光罩)。或者，該裝置可為透射型(例如，採用透射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙平臺)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)之類型。在該等"多平臺"機器 中，可並行使用額外台，或可在一或多個台上執行預備步驟同時將一或多個其他台用於曝光。
參看圖1，照明器IL自一輻射源SO接收一輻射光束。舉例而言，當該輻射源為準分子雷射時，該輻射源與微影裝置可為獨立之實體。在該等狀況下，不認為該輻射源形成微影裝置之部分，且輻射光束借助於包含(例如)合適之引導鏡面及/或光束放大器的光束傳遞系統而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源為一水銀燈時，該輻射源可為微影裝置之一整體部分。
照明器IL可包含一用於調節輻射光束之角強度分布的調節器。大體而言，至少可調節照明器之瞳孔平面中之強度分布的外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別稱作σ－外(σ－outer)及σ－內(σ－inner))。另外，照明器IL可包含諸如積光器及聚光器之各種其他組件。照明器可用以調節輻射光束以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。
輻射光束B入射於固持在支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化元件(例如，光罩MA)上，且由圖案化元件圖案化。穿越光罩MA後，輻射光束B穿過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之一目標部分C上。借助於第二定位器PW及位置感測器IF2(例如，干涉量測元件、線性編碼器或電容式感測器)，基板台WT可準確地移動，(例如)以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，(例如)在自光罩庫以機械方式獲取之後或在掃描期間，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用以相對於輻 射光束B之路徑準確地定位光罩MA。一般而言，光罩台MT之移動可借助於形成第一定位器PM之部分的一長衝程模組(粗定位)及一短衝程模組(精定位)而實現。類似地，基板台WT之移動可使用形成第二定位器PW之部分的一長衝程模組及一短衝程模組而實現。在步進器(與掃瞄器相對)之狀況下，光罩台MT可僅連接至一短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來使光罩MA及基板W對準。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間(此等已知為劃道對準標記)中。類似地，當在光罩MA上提供一個以上晶粒的情況下，光罩對準標記可位於晶粒之間。
所描繪之裝置可用於以下模式中之至少一者中：1.在步進模式中，當將一被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至一目標部分C上時，使光罩台MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著使基板台WT在X及/或Y方向上移位以使得可曝光一不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制了在單次靜態曝光中成像之目標部分C的大小。
2.在掃描模式中，當將一被賦予至輻射光束之圖案投影至一目標部分C上時，同步地掃描光罩台MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特徵來判定基板台WT相對於光罩台MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限 制了在單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度決定了目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，當將一被賦予至輻射光束之圖案投影至一目標部分C上時使光罩台MT基本上保持靜止以固持一可程式化圖案化元件，並移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常採用一脈衝式輻射源，且在基板台WT之每次移動之後或在掃描期間之連續輻射脈衝之間視需要更新可程式化圖案化元件。可易於將此操作模式應用至利用可程式化圖案化元件(諸如為以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)的無光罩微影術。
亦可採用以上所述使用模式之組合及/或變體或完全不同之使用模式。
在圖2中，展示一根據本發明之一態樣之輻射系統的一示意性第一實施例。詳言之，展示一用於產生一界定光軸3之輻射光束2的輻射系統1。該輻射系統包括一用於產生EUV輻射的放電產生之電漿(DPP)源4。該放電源包括：一對電極5，其經建構且經配置以具備一電壓差；及一系統，其通常包括一用於在該對電極之間產生蒸氣以便在該等電極5之間提供放電7的雷射6。強放電電流引起在電極5之間形成之所謂的自束的產生。通常，所產生之EUV光由在放電過程中進行多次電子電離之錫原子(或另一合適之材料，例如，鋰或氙)中的電子躍遷產生。
已發現，來自輻射系統1之碎屑8主要產生於電極5上或 附近。發現，碎屑粒子8(詳言之，為可能污染下游光學器件之種類的彈道粒子)主要在電極5上或附近產生於碎屑產生區9中，其中中心EUV源光主要產生於遠離碎屑產生區之自束區10中。因此，對於一產生電漿之放電源4而言，碎屑產生區9通常遠離EUV輻射產生自束區10。此效應可由所說明之實施例加以利用，該實施例根據本發明之一態樣包含一屏蔽件11，其用以針對以相對光軸3之預定球面角所提供之視線而屏蔽電極5且提供一孔徑12至一在該視線中介於該等電極之間的中心區域。因此，產生於碎屑產生區9中之碎屑8最初(然而，在缺乏額外電磁場時，參見圖5至圖7中所說明之實施例)自區9以大體上的直線行進。因此，針對以環繞光軸3之預定球面角的視線而屏蔽電極5之屏蔽件11能夠截獲此等碎屑粒子8，以使得在該視線中，防止大量碎屑8進入下游光學器件(未圖示)。另外，由於屏蔽件11提供一孔徑12至一在該視線中介於電極5之間的中心區域(與指定自束區10一致)，故屏蔽件11大體上並不屏蔽來自EUV輻射產生自束區10之輻射，其因此可行進至下游光學器件中而大體上不受屏蔽件11阻礙。以此方式，在不會阻擋EUV輻射之情況下碎屑(其來自電極)被屏蔽件阻擋。實際上，屏蔽兩個電極係便利的，因為很可能兩個電極會產生可引起碎屑8產生的碎屑產生區。
可藉由將屏蔽件11與任何電極足夠靠近(較佳地，距任何電極一範圍在0.5 mm與25 mm之間的距離)地置放以屏蔽碎屑產生區9之最大球面角來進一步最佳化屏蔽效應。導 電屏蔽件可加以隔離或保持在接近最近電極電位之電位處以最小化經過其之寄生放電電流。
為最小化與電極之距離，屏蔽件11上之熱負載將高至使其較佳被提供為(例如)熔融錫之流體噴射13。該噴射可具有任何長度(例如約10 cm)，且具有大致1－10 mm×約1 mm或更小(例如，0.03 mm至3 mm)之矩形橫截面。導電噴射可加以隔離或保持在接近最近電極電位之電位處以最小化經過其之寄生放電電流。
注意，流體噴射本身為自US 2006－0011864而已知的，該案揭示成流體噴射之形式的電漿放電源中之電極，然而並未揭示提供於一對電極中之一電極附近的一屏蔽件或至少一流體噴射。因此，較佳地，如所說明，由相對地且大體與電極5之縱向軸線平行地配置之一對流體噴射13提供碎屑捕獲屏蔽件11。然而，在某些實施例中，有可能大體上朝向電極5中之一者引導電漿產生，該電極將相應地為產生碎屑8之主要作用者。該等碎屑可在大小及行進速度方面變化。舉例而言，吾人可具有如下微粒子：此等微粒子為具有相對較低之速度的微米大小之粒子。另外，可產生奈米粒子，其為具有通常相當高之速度的奈米大小之粒子；原子碎屑，其為充當氣態粒子之個別原子；及離子，其為已電離之高速原子。
在自束之後，電漿將在整個放電區域中擴展，隨著其失去能量而最終重組以形成大體上電隔離之氣體。僅可在達成合適之條件時起始後續放電，且此等條件中之一者為電 極之間的區域之導電性。流體噴射13之一額外優點為，其提供了可將帶電粒子重組成中性粒子以有效地局部中和電漿之表面。此可用以增加電漿之重組率，且因此減少輻射源之恢復時間，從而允許更快速之重複率，此有效地增加EUV輻射系統4之輸出。
因此，每一流體噴射13之組態及配置可經最佳化以增加重組率，一般而言為捕獲碎屑，在視線位置中捕獲碎屑，或此等功能之任何組合。
注意，存在增加EUV源重複率之另一解決方案，亦即，使用具有非常短之充電時間(<~1微秒)的能源，此可能增加系統之複雜性。
具體言之，流體噴射13可包含熔融錫，儘管其他材料(例如包括，水或合適之液態氣體)對於提供相同重組效應可能係可行的。亦已建議液態氮、液態氦及液態氬，儘管其在存在於放電源內之真空條件中可能不夠穩定。具有相對較低之沸點的固體或流體之優點為其在使用期間可蒸發且因此可能不會在系統中留下其他痕量。另外，可有利地使用導電流體且組態輻射系統以使該流體在使用期間保持在接地電位處。
流體噴射之優點為重組表面得以連續地替換且因此可耐受非常高之熱負載。然而，在其他實施例中，有可能提供一位於電極5附近而大體與以上參看圖2所論述相同之距離處的重組表面，但該重組表面並不由流體噴射形成，而由一大體平行於電極縱向軸線移動之移動元件(未圖示)(例 如，軸向移動之金屬條帶)形成，且該重組表面可藉由在一容器中提供冷卻劑而得以冷卻以引導該移動元件穿過。
在某些情況下，流體噴射可能不穩定－－亦即，其可能自發地分成具有大致等於噴射直徑之直徑的小液滴。此意謂：僅在直徑相對較大(>~0.5 mm)時，才有可能產生連續噴射。因此，可有利地使用有意地由可具有非常小且可控大小之緊密間隔開之小液滴組成的噴射，且小液滴之間具有可控距離。產生該等穩定小液滴鏈(40微米直徑與約40微米距離)之能力在巴塞羅那舉行的EUVL Sematech會議(會議7870，2006年10月17日)中由David Brandt(會期3－SO－04)提出以用作LPP EUV源中之雷射目標。
小液滴鏈之穩定性意謂：可取決於需最佳化之該等功能態樣(重組及/或碎屑捕獲)而採用不同組態。圖13a至圖13e展示該等組態之實例。圖13a描繪一連續噴射13，其中重組表面正在方向T上移動。圖13b描繪在方向T上移動的小液滴113之一穩定列，出於本發明之目的可認為該列為一噴射13。小液滴鏈之穩定性意謂：此等鏈可彼此鄰近地定位以在實施本發明時添加額外靈活度。圖13c展示小液滴113之兩個相鄰鏈，其有效地產生一與圖13b之噴射13相比在一個方向上延伸之噴射13。小液滴鏈之一缺點為碎屑具有穿過流體噴射之可能路徑。圖13d及圖13e展示小液滴鏈可如何相對於彼此在移動方向T上移位以為具有在圖中之平面中的且垂直於噴射之移動方向T的軌跡之碎屑有效地產生一虛擬連續噴射13。
注意，儘管諸圖展示直線移動T，但實務上，在使用流體噴射13時，軌跡將為彈道軌跡。由噴射13形成之重組表面之路徑可經組態以在距自束一預界定徑向距離處穿過電漿。在犧牲表面(例如，經預定以在此預界定徑向距離處蒸發之流體噴射或固體顆粒)之狀況下，可將此等物質自輻射系統之周邊朝向預定徑向距離處引導。經組態徑向距離將取決於用於噴射中之流體、噴射之數目、噴射速度、放電之熱等。
舉例而言，考慮具有Qel ＝200 kW之電功率及ν＝20 kHz頻率的EUV源。輻射一半功率Qrad ＝100 kW且此輻射之特徵時間為約τ＝5×10－8 s。若小液滴具有V＝30 m/s之速度及直徑d＝50微米(實驗已展示在d>~40微米處V＝10 m/s係可能的)。將小液滴置放於如下界定之體積中：φ＝π sterradian EUV聚集(cos(φ)＝0.5)角φ＝π/3及最小Rmin ＝3 cm及最大Rmax ＝4 cm(距自束之距離)。
小液滴之間的平均距離S為0.1 cm，S2 ＝0.01 cm2 。接著噴射之數目將為N＝φ(Rmax 2 －Rmin 2 )/S2 ＝700且金屬通量將為Fm ＝N*V/S*d3 /2＝2.6 cm3 /s。
小液滴將在距離L處在L＝Rmin 處之時間τst ＝2L*tg(φ)/V＝3.5e－3 s期間行進過聚集角。在其行進期間，將使其加熱高達δTst ＝Qel *τst *πd2 /4/(4πL2 *Cp *πd3 /6)＝Qel *tg(φ)/(V*1.3πL*Cp *d)＝660 K。假定噴射中之流體為錫，則熱電容將為Cp ＝2.2 J/c(m3 K)。
吾人亦可評估歸因於藉由輻射能量之脈衝加熱的小液滴 之溫度上升。小液滴之受熱區域之深度hdr ＝(τχCp )0.5 ＝3.e－6 m＝3微米，在1000 K處χ＝43 W/(mK)。小液滴之溫度上升將為δTimp ＝hdr Qrad /(2ντ4πχRmin )2 ＝340 K。
小液滴之總溫度將為初始溫度(Tini ＝600 K)與兩個額外溫度之和：Tini ＋δTst ＋δTimp ＝1600 K。此溫度下之錫蒸氣密度在1500 K下為可忽略之~10－2 托。
亦可評估Ar電漿在小液滴上之重組率，此防止在開始起始雷射束之前電極間間隙之崩潰。崩潰電漿密度之初始相位將增加。若電漿之德拜半徑(Debye radius)(RD ＝500(Te ,eV/ne ,cm－3 )0.5 cm)變得小於崩潰區域之特徵長度(在低密度電漿之狀況下>~Rmin ~3 cm)，則電漿中之電場在除了陽極及陰極區域附近之外的每一處變小。電子具有大遷移率及相當大之平均能量(~5－10 eV)，因此其將小液滴充電高達電漿電位(φ~3－5 kTe ~30 V)。此小液滴之電場如下界定：Coulon低：E＝φd/2r2 ~30 V/cm，其在約S/2之距離r上，及對應於Ar離子之平均速度VAr ＝2.e5 cm/s的平均離子能量為eion ~E*S/4~1 eV。發源於電離過程之離子具有低能量<~0.1 eV。其意謂：具有小液滴之區域中的大多數此等離子將藉由小液滴之電場而加速，且離子在小液滴表面上繼續重組並釋放中性原子。
適當之重組率現可評估為：krec ＝1/τion ，其中τion ＝S/(2Vion )~2.5e－7 s且krec ＝4.e6 s－1 。應將其與電離率kioniz ＝<σv>NAr ＝2.e－7*2.e13＝4.e6 s－1 相比或與He之電離率kHe ioniz ＝<σv>NHe ＝2.4e－8*2.e13＝5.e5 s－1 相比。電子之電離將完全 藉由電漿在小液滴上之重組而補償，藉此停止崩潰過程且增加可能EUV源頻率。
最後兩個圖之間的差異展示為何在放電區域附近He為優於Ar之更佳氣體，儘管Ar歸因於其使Sn離子偏轉之更佳能力而為箔陷阱中之更佳氣體。
結果為藉由緩衝氣體之光電離及再充電而產生的電漿之快速鬆弛。另外，歸因於緩慢離子在小液滴上之快速重組，在由雷射脈衝起始放電之前陽極與陰極之間發生寄生崩潰之風險可降低。另一優點可為來自主要放電之電漿碎屑在小液滴上的部分聚集。
使用較小小液滴113(諸如圖13e中所描繪之小液滴)所具的能力為液態金屬之所需通量得以顯著減少。另外，小液滴之較小大小允許在圖3之碎屑收集組態中的不同小板14之間的更小距離。舉例而言，在30微米之小液滴大小處L~300微米，其接近德拜半徑。此可以與圖4實施例(以下加以論述)屏蔽液態小液滴之方式相同的方式增加噴射表面上之電漿重組效率(其與~1/L2 成比例)。
若重組表面以EUV聚集角加以安置，則其應經組態以具有高光學透明度。因此，可有利地使用圖13a至圖13e之小液滴組態中的一者來修改圖3之配置，以致每一小液滴之間的距離約與一小板14中之不同噴射13之間的距離相同且約為不同小板14之間的距離。在此狀況下，吾人可具有幾乎均質之小液滴雲，其歸因於其規則結構而對EUV仍然係透明的。另外，應注意，較小的小液滴大小導致小液滴雲 之總的大小較小，因此可將其靠近自束置放(在2－5 cm之徑向距離處)，此處之高熱負載使得難以置放其他任何物件。
含有若干連串小液滴之噴射或噴射狀結構可為a)液體或固體；b)導電或不導電的；且c)由任何合適之材料製成。此等因素並不顯著變更電漿在噴射或小液滴上之重組率－－電漿之重組在任何表面上非常快速。
緩慢電漿重組之問題並不適用於LPP源，因為在寄生電崩潰的情況下並無問題。然而，可有利地採用電漿內之複數個噴射以改良EUV透明度及因此改良輻射輸出。在高頻EUV源(LPP或DPP)中，EUV源與任何收集光學器件之間的錫蒸氣密度將隨頻率而增加，且可更改EUV透明度。噴射或小液滴表面可用以促進錫蒸氣之快速冷凝，因此支持EUV透明度。出於此目的之噴射或小液滴之密度可約為相同值，此係由於與離子速度(~3.e3 m/s)相比之較低錫原子速度(~3.e2 m/s)，及與在防止如以上所述之寄生崩潰時之時間間隔(1.e－6 s)相比的較大時間間隔(1.e－5 s)。
圖3示意性地展示本發明之一實施例，其展示一成複數個流體噴射13之形式的屏蔽件，其相對於視線中介於電極5之間的中心區域10而配置於徑向方向上。如以上所指示，術語"流體噴射"亦包括成圖13a至圖13e中所描繪的一連串小緊密間隔開之小液滴之形式的噴射。在此狀況下，藉由使用相鄰列來最佳化碎屑捕獲，在該等相鄰列中，小液滴位置在移動方向T上移位(參見圖13d及圖13e)。在該 實施例中，流體噴射13經提供為彼此鄰近且可大體對準以形成相對於中心區域10而大體徑向定向之小板14的靜態組態。儘管在本發明之一般情形內，較佳地，此等小板經定向以針對一提供於小板14之間的視線而屏蔽電極5，但此實施例亦可在小板經定向以在提供於小板14之間的視線中包括電極5的情況下具有實際應用。此等應用可受益於流體噴射13所提供之屏蔽件11的熱負載容量。另一優點為噴射13本質上不被碎屑沈積污染，因為噴射13為連續更新的。此與將固體小板14(箔)用以提供對碎屑8之屏蔽之習知箔陷阱解決方案形成對比。此等習知小板因此可能遭受污染，使得可能阻礙EUV輻射之適當傳輸。
詳言之，尤其對於以錫電漿操作之產生電漿之放電源4而言，用於流體噴射之合適材料亦可為錫或包含錫之化合物(諸如Ga－In－Sn)，其適於具有較低熔點及較易操作之特性。此外，儘管圖3展示以大體圓形之形式被定尺寸之噴射13的一實施例，但其他形式(包括條帶形式)可能係可行的，因此提供包含成單一噴射之形式(大體為如圖4中所描繪之形式)之小板14的屏蔽件11。如熟習此項技術者將明顯，彼此鄰近地安置複數個連串小液滴(如圖13c至圖13e中所描繪)提供了額外靈活性以接近所需之任何所要橫截面形式。該液態箔之厚度可通常為0.5－1 mm，其稍厚於約0.1 mm厚之習知箔厚度。注意，薄的液態箔論述於T.Inamura、H.Tamura、H.Sakamoto之"Characteristics of Liquid Film and Spray Injected from swirl Coaxial Injector" (Journal of Propulsion and Power 19(4)，623－639(2003))中。在此出版物中，產生錐形箔。然而，較佳地，根據本發明之一態樣，使用一狹縫形噴嘴(詳言之)以用於提供相對於可形成自束之中心區10而徑向定向的筆直形態之噴射。另外，此靜態實施例可與一本身已自EP1491963已知之旋轉箔陷阱結合且亦當然與本文件中所述之其他實施例結合。
圖4另外展示根據本發明之一態樣之另一實施例，其中碎屑捕獲屏蔽件(以下亦指示為一箔陷阱15)包含相對於中心區域10大體徑向定向之小板14的一靜態組態，其中小板14經定向以針對一提供於小板14之間的視線而屏蔽電極5。在此實施例中，至少一些小板具有固體性質，詳言之，由用於所謂習知箔陷阱中之箔製成。注意，WO 99/42904 A1揭示一具有大體相同之組態的箔陷阱；然而，該公開案並未論述到小板14經組態以針對以相對光軸之預定球面角所提供之視線而屏蔽電極5且提供一孔徑至一在該視線中介於電極之間的中心區域10。與如EP1491963中所揭示之類型的習知旋轉箔陷阱比較，此靜態箔陷阱組態可具有之優點為其較易冷卻之特性，因為在一實施例中，可使用設計於小板14上或其附近的靜態冷卻劑迴路來冷卻此靜態箔陷阱組態。由於該組態為靜態的，因此，冷卻可簡單得多，且因此，可易於將該組態按比例調節至輻射源之更高功率位準。另外，此組態具有無需移動部件之益處，此可提供構造優點，因為小板14之所需強度及尺寸可具有不同於旋 轉習知構造之數量級，旋轉習知構造需要諸如空氣軸承之複雜部件及可耐受施加於小板之離心張力的高張力材料。因此，根據所建議之實施例，徑向定向之小板14針對自束區10，因此大體上不阻礙EUV輻射16之傳輸。此箔陷阱15將在某些位置處被碎屑充滿，因此環繞光軸之緩慢旋轉(例如，一天一次)可用以確定不會有碎屑污染下一箔陷阱15或其他光學器件。此可能係有用的，因為在一較佳實施例中，光軸可相對於水平平面為45度。亦可在同心圓與板之組合中設計此原理。另外，所描繪實施例之幾何形狀(包括靜態徑向定向之小板14)可具有具有高氣阻之堆疊尺寸，其中小板之間的距離可為約0.5－2 mm，較佳約1 mm。因此，可較易於截獲原子碎屑。又，高氣阻可有助於允許自束區10附近之較低緩衝氣體壓力，此可導致產生較高效率的EUV功率。通常，該緩衝氣體可為氬氣。
除以下將呈現之參看圖10至圖12所說明的熱清洗技術之外，小板14可經提供為具有多孔特徵的用於經由毛細作用而自小板移除碎屑之材料。舉例而言，藉由使用具有多孔特徵之箔材料(例如，燒結材料)，可自光徑取出錫且將其排淨(或將其緩衝於可交換元件中)。因此，碎屑抑制系統之壽命可增加，且歸因於箔陷阱清洗之停工時間可最小化。
除以上所論述之清洗技術之外，輻射系統可包含一用於經由小板之機械激勵而自小板移除碎屑的激勵器(excitator)17(參見圖4)。舉例而言，藉由在臨時基礎上足 夠快速地旋轉模組(作為指示，為~2000－3000 RPM)，錫可被相關箔旋轉，且可被收氣器18捕獲。最可能之回轉軸線為光軸，但其他回轉軸線亦為可能的。旋轉與振動之組合亦為一選項。因此，激勵器可包含一用於經由離心作用而自小板移除碎屑之離心機及(有利地)一用於捕獲自小板移除之碎屑8的收氣器18。
又，可在外部激勵(縱向波)箔，因此可存在在預界定方向上之錫流。又，(方向性)加速/振動可用以給予整個模組(而非每一獨立箔)激勵輪廓(excitation profile)(懸置於小液滴之黏附/滑動效應之間)。
圖5揭示參看圖4所述之配置之另一實施例。在此實施例中，一偏轉電磁場單元19安置於電極5與一屏蔽件(在此實施例中被說明為箔陷阱15)之間。藉由施加電磁場，可使自碎屑產生區9行進之帶電碎屑粒子8偏轉，此因此可用以實際上擴展EUV輻射產生自束區10與碎屑產生區9之間的距離(如將參看圖7更清晰地闡明)。在圖5中，由相對於光軸3配置之一對電極20產生偏轉場。因此，產生可藉以使帶電粒子偏轉之靜態電場。
在圖6中，與圖5中所描繪之實施例形成對比，或除圖5中所描繪之實施例之外，歸因於環繞光軸3配置之磁體元件26(參見圖8)，將電磁偏轉場提供為靜態磁場21。對於此組態之前視圖，參見圖8。儘管各種靜態場組態係可行的，但將被最佳界定之場提供為四極場，該四極場經配置以使大體在朝向光學系統(未圖示)之方向上行進的大體上 所有帶電粒子8朝向平面22偏轉，平面22係沿徑向定向之小板14及大體平行於電極5之長度軸線而定向。較佳地，亦如圖中展示，此平面22係沿光軸3而提供。然而，有可能選擇另一區域，其更偏離軸線以使粒子朝向其偏轉。因此，可更易於使帶電碎屑粒子朝向屏蔽件11之小板14偏轉，此實際上增加了電極5之間的距離。因此，可能需較少的小板14以達成給定程度之碎屑抑制。因此，典型距離可在0.5 mm與3 mm(較佳約2 mm)之範圍內。此顯著增加了箔陷阱之光學傳輸。
圖6中之操作原理如下。矩形10指示在缺乏磁場時箔陷阱之可接受寬度且因此其大體對應於一產生EUV輻射之區10。然而，如軌跡23所說明，產生於區10之邊緣附近(相應地，自一碎屑產生區9產生)的粒子8可不受阻礙地行進過屏蔽件(在此實施例中被說明為箔陷阱15)而不被攔截。
藉由施加如所指示(以習知箭頭指示)之類型的磁場，使該等碎屑粒子8朝向光軸3偏轉。舉例而言，可使具有軌跡23之粒子偏轉以使其跟隨實線24且不再傳輸過箔陷阱15。此係因為在進入箔陷阱時，粒子看似發源於一在可接受寬度10外之一點(如另一虛線25所指示)。換言之，磁場之施加有效地縮小了屏蔽件之有效可接受寬度，該寬度界定一可使碎屑粒子不受阻礙地進入系統之區。因此，對於給定尺寸設計之可接受寬度而言，可藉由減少小板11之數目及施加磁場來改良光學傳輸。
在缺乏磁場時箔陷阱之可接受寬度的典型距離可在自 0.5 mm至2 mm(較佳1 mm)之範圍內。對於典型箔陷阱尺寸(相對於中心區10，內徑30 mm，外徑139 mm)而言，此導致具有137個箔的箔陷阱具有大致63%之光學傳輸。如圖展示，在一較佳實施例中，小板14之間的距離d、d'可變化，其中朝向光軸3之距離d通常可相對於遠離光軸3之距離d'有所增加。
圖7展示可如何藉由施加磁場來使粒子之源(亦即，碎屑產生區9)實際上移位經過距離d而至一虛擬碎屑產生區9'。相應地，有效可接受寬度減小。
在存在磁場B 時，具有電荷q 及速度v 之粒子經受由下式給出之勞倫茲力(Lorentz force)F ＝q v ×B (1)
因此，若磁場之方向垂直於速度，則粒子跟隨具有等於下式之半徑R 的圓形軌跡
在本發明實施例中，歸因於磁場之角偏轉α 取決於所施加場之跨越距離，其大致等於箔陷阱之內徑r 0 。如圖3中所示，偏轉角由sin α＝r 0 /R 給出。粒子之表觀脫離點相應地移位經過由下式給出之距離d d ＝r 0 simα －R (1－cosα ) (3)
其對於小α值而言減小至
藉由替代方程式(2)，吾人得到使位移d 與碎屑粒子之特 徵參數q 、m 及v 相關的以下表達式：
使用永久磁體或電磁體，可相當容易地達成為約1 T之磁場。當施加磁場以使得對於某一類型之碎屑而言位移d等於0.5 mm時，與較早提及之1 mm之可接受寬度值比較，對於彼碎屑之可接受寬度相應有效地減小為2分之1。吾人因此可建構一具有2 mm之可接受寬度的箔陷阱且仍獲得相同程度之碎屑減輕。該箔陷阱可僅具有69個箔及70%之光學傳輸。因此，光學傳輸藉由施加磁場而得到顯著改良。
圖8展示沿電極5及磁體26之四極磁體組態之光軸所見的前視圖。在此組態中，相反磁體26之南北線交替且大體平行於電極5之縱向軸線而定向。因此，產生一跟隨圖6中所描繪之定向的磁場，亦即，該磁場之大體方向在光軸3之任一側上在大體與電極之長度軸線平行之平面中，以使粒子向內朝向與光軸3同軸之平面22偏轉。因此，對於典型組態而言，帶正電粒子被聚焦至垂直平面(藉由在水平方向上聚焦及在垂直方向上擴展)。或者，可藉由將兩個相同磁極置放於光軸之相對側上來獲得一類似(但經較差界定)偏轉場。
圖9展示參看圖4所述的大體徑向定向之小板14之靜態組態的另一實施例。在此實施例中，代替固體單片小板14，在至少一些小板14中，提供大體橫向於小板14而定向之橫桿27。如自EUV源4所見，此實施例可提供對其他下游小 板14之熱隔離。除此之外，可能藉由較佳相對於EUV源4在小板14近端側上施加如圖3中所示之流體噴射，而進一步管理對小板14之熱負載。另外，可引導氣體28穿過小板14之橫桿27，氣體28(例如，氫自由基氣體)可用於小板14之清洗目的。因此，可清洗小板14以防止碎屑沈積於小板14上，從而防止EUV光將不再能夠穿過小板。較佳地，清洗箔陷阱而無需自系統取出箔陷阱。所示箔陷阱實施例中之額外橫桿的原理亦可用於其他類型之箔陷阱，詳言之，用於非靜態箔陷阱中。
除此之外，或替代地，橫桿可用作緩衝氣體以在小板內側之區內提供緩衝氣體區，以便能夠進一步截獲(例如)可能擴散過小板14且可能引起對提供於下游之光學系統(未圖示)造成污染之中性奈米粒子。圖9A展示一具有橫桿27之實施例的側視圖，其可對導線29及小板部件30進行交替使用。
圖9B展示一僅具有導線29之實施例；以提供一類似於圖3中所描繪之流體噴射組態的組態。圖9C另外展示圖9A中所描繪之小板實施例的大體沿平行於電極5之長度軸線之軸線所見的俯視圖。圖9B之更開放結構在整合基於氫自由基之箔陷阱清洗時具有優點，因為其變得較易於將反應性H自由基帶至箔表面，且變得較易於將反應產物傳送出箔陷阱15。然而，缺點為箔陷阱15之流動阻力變得較低，此可能使得較難以達成高的緩衝氣體壓力。因此，吾人需最佳化小板中之開口之量。如圖9A中所示，該較佳實施例因 此在大多數狀況下為部分開放之箔結構。此外，在一較佳實施例中，藉由提供一電流源31來使H清洗與諸圖中所示之導線結構整合，該電流源31連接至一小板14之至少一些導線29。小板中之至少一些導線29現互連以便允許電流同時流經若干導線29。使用足夠高之電流(例如，對於0.4 mm厚之導線，20 A)，導線將形成將達到約2000℃之溫度的長絲，在該溫度下通常H2分子將解離，而產生H自由基。此等H自由基可接著與Sn反應以形成被抽出系統之氣態SnH4。為了添加H2至系統，該實施例因此進一步包含一H2氣體入口32且該實施例包含一用以自系統移除氣體之真空泵33(如圖9C中所示)。
或者，有可能使用蒸發而自俘獲屏蔽件移除碎屑。圖10展示一計算之圖表，該計算經執行以對於在200℃至800℃之範圍內的溫度計算錫及鋰之移除速率。另外，對於錫而言，對於約900 K之溫度計算出約0.1奈米/小時之移除速率，且對於約1400 K之溫度計算出約1E5奈米/小時之速率，幾乎呈指數增加。因此，在介於此等溫度值之間的範圍內，藉由提供一加熱系統(其可為EUV源4)，可選擇性地加熱碎屑捕獲屏蔽件(詳言之，為如圖4中所示之種類的箔陷阱15)以使碎屑屏蔽件之溫度升高至用於自碎屑捕獲屏蔽件蒸發碎屑之溫度。另外，提供一氣體供應系統，其可在使用中用來在小板之間提供緩衝氣體流，且其可離線用於清洗目的，詳言之，用於提供用以抽空自碎屑捕獲屏蔽件蒸發之碎屑的氣體流。對於錫電漿源而言，碎屑捕獲屏 蔽件之一特定較佳升高溫度出於離線清洗目的可為至少900 K。相應地，可提供一替代物用於化學反應性清洗，其對光學器件系統可能有害。對於小板14之940 K(667℃)之溫度，0.4奈米/小時之錫蒸發率可為可達成的。
有利地，可使用鋰電漿源，因為鋰具有顯著高於(高約9個數量級)錫之蒸氣壓力且因而亦具有顯著較高之移除速率(0.4奈米/小時之移除速率需要僅550 K(277℃)之溫度)。此允許在顯著低於被錫污染之表面之蒸發清洗之溫度下應用對被鋰污染之表面的蒸發清洗；對被鋰污染之收集器外殼進行蒸發清洗係可行的。
圖11展示以上參看圖10所解釋之清洗原理的一般示意性說明。詳言之，加熱小板14，以使得沈積於其上之碎屑8將被蒸發。藉由沿小板14提供一氣體流34，將自小板運走已蒸發之碎屑(例如，錫蒸氣35)，經由此行為可清洗小板。儘管已參看沿箔陷阱之小板14之氣體流解釋了圖11，但清洗原理一般可用以清洗EUV鏡面表面，詳言之，為下游光學元件(諸如收集器元件)之EUV鏡面表面。
在圖11中，加熱待清洗之物件(小板14或鏡面光學器件)同時氣體在鏡面上流動以便傳送錫蒸氣而使其離開鏡面。可以一加熱元件進行加熱，但亦有可能暫時減少對物件之有效冷卻，且使用由EUV源產生之熱。
在圖12中，此技術用於一EUV微影術裝備之收集器36。在此實施例中，逐一加熱收集器外殼，以便自收集器外殼之反射側蒸發錫，且將錫蒸氣沈積在收集器外殼下方之背 側上。當加熱收集器外殼37時，將通常在外殼之兩側上蒸發錫。此意謂：外殼之背側亦將蒸發錫且將此錫沈積在收集器外殼上方之反射表面上。為防止此，較佳地首先加熱中心外殼，且接著繼續(加熱)下一外殼等。因此，藉由以正確次序清洗收集器外殼且同時控制收集器外殼之溫度，有可能最小化反射表面上之(再)沈積。
儘管本文中可特定參考微影裝置在製造IC中之使用，但應理解，本文中所述之微影裝置可具有其他應用，諸如積體光學系統之製造、用於磁疇記憶體之引導及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。熟習此項技術者將瞭解，在該等替代應用之情境下，可認為本文中對術語"晶圓"或"晶粒"之任何使用分別與更通用之術語"基板"或"目標部分"同義。可在曝光之前或之後，在(例如)一軌道(通常將抗蝕劑層塗覆至基板且顯影所曝光之抗蝕劑的工具)、一度量工具及/或一檢驗工具中處理本文中所提及之基板。在適用時，可將本文中之揭示內容應用至該等及其他基板處理工具。另外，可對基板進行一次以上之處理，(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指代已含有多個經處理層之基板。
在情境允許時，術語"透鏡"可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，光學組件包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，熟習此項技術者將顯而易見，在不脫離以下所陳述之申請專利範圍 之範疇的情況下，可對所述之本發明作出修改。
1‧‧‧輻射系統
2‧‧‧輻射光束
3‧‧‧光軸
4‧‧‧放電產生之電漿(DPP)源/產生電漿之放電源/EUV源
5‧‧‧電極
6‧‧‧電射
7‧‧‧放電
8‧‧‧碎屑/碎屑粒子
9‧‧‧碎屑產生區
9'‧‧‧虛擬碎屑產生區
10‧‧‧自束區
11‧‧‧屏蔽件
12‧‧‧孔徑
13‧‧‧流體噴射
14‧‧‧小板
15‧‧‧箔陷阱
16‧‧‧EUV輻射
17‧‧‧激勵器
18‧‧‧收氣器
19‧‧‧偏轉電磁場單元
20‧‧‧電極
21‧‧‧靜態磁場
22‧‧‧平面
23‧‧‧軌跡
24‧‧‧實線
25‧‧‧虛線
26‧‧‧磁體元件/磁體
27‧‧‧橫桿
28‧‧‧氣體
29‧‧‧導線
30‧‧‧小板部件
31‧‧‧電流源
32‧‧‧H2氣體入口
33‧‧‧真空泵
34‧‧‧氣體流
35‧‧‧錫蒸氣
36‧‧‧收集器
37‧‧‧收集器外殼
113‧‧‧小液滴
B ‧‧‧磁場
B‧‧‧輻射光束
C‧‧‧目標部分
d‧‧‧距離
d ‧‧‧距離
d'‧‧‧距離
IF1‧‧‧位置感測器
IF2‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統(照明器)
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化元件/光罩
MT‧‧‧支撐結構/光罩台
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器
r 0 ‧‧‧箔陷阱之內徑
R ‧‧‧半徑
SO‧‧‧輻射源
T‧‧‧移動方向
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例之微影裝置；圖2描繪根據本發明之一態樣的圖1之微影裝置之輻射系統之一示意性第一實施例；圖3示意性地展示根據本發明之一態樣之第二實施例；圖4展示根據本發明之一態樣之另一實施例；圖5展示參看圖4所述之配置之修改體；圖6展示參看圖4所述之配置之一替代修改體；圖7示意性地展示來自EUV源之碎屑之偏轉原理；圖8示意性地展示用於提供碎屑偏轉之四極磁體配置；圖9A至圖9C說明圖4之配置之另一實施例；圖10展示關於對輻射系統之熱清洗的圖表；圖11及圖12展示關於圖10提及之熱清洗原理的實施例；及圖13a至圖13e展示連續的小液滴流體噴射之實施例。
B‧‧‧輻射光束
C‧‧‧目標部分
IF1‧‧‧位置感測器
IF2‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統(照明器)
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化元件/光罩
MT‧‧‧支撐結構/光罩台
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台

Claims (22)

  1. 一種輻射系統，其用於產生電磁輻射，該輻射系統包含：一對電極，其經建構及經配置以產生一第一物質之一電漿及在該電漿中之一自束(pinch)；及一電漿重組表面，其經配置以鄰近該自束，該電漿重組表面經建構及經配置以中和複數個電漿粒子，其中該電漿重組表面經配置以移動穿過該電漿，該表面進一步經建構及經配置以形成一碎屑捕獲屏蔽件。
  2. 如請求項1之輻射系統，其中該移動係在一直線上或在一彈道軌跡上。
  3. 如請求項1之輻射系統，其中該電漿重組表面係由包含一第二物質之一固體或一流體界定。
  4. 如請求項3之輻射系統，其中該電漿重組表面為一流體噴射。
  5. 如請求項4之輻射系統，其中該流體噴射包含一連串小液滴。
  6. 如請求項5之輻射系統，其中該流體噴射包含實質上彼此平行且鄰近地配置之一或多個連串小液滴。
  7. 如請求項6之輻射系統，其中該流體噴射包含兩個或兩個以上連串小液滴，其經組態以致來自相鄰連串小液滴的位置相對於彼此在移動方向上移位。
  8. 如請求項3之輻射系統，其中該固體或該流體經組態及經配置以致其將在使用中在該穿過該電漿之移動期間蒸 發。
  9. 如請求項8之輻射系統，其中該第二物質係選自由下列各物組成之群：水、氮、氬、氦及其任何組合。
  10. 如請求項3之輻射系統，其中該第二物質與該第一物質相同。
  11. 如請求項3之輻射系統，其中該第二物質係選自由下列各物組成之群：錫、熔融錫、錫化合物、鎵、銦、Ga-In-Sn及其任何組合。
  12. 如請求項3之輻射系統，其中該第二物質為導電的，且該輻射系統經組態以使該電漿重組表面在使用中保持在一接地電位處。
  13. 如請求項1之輻射系統，其中該電漿重組表面相對地且大體與該等電極之一縱向軸線平行地配置。
  14. 如請求項1之輻射系統，其中該自束與該電漿重組表面之間的徑向距離在大致20 mm至50 mm之範圍內。
  15. 如請求項1之輻射系統，其中該系統包含相對於該自束配置於徑向方向上之複數個電漿重組表面。
  16. 如請求項1之輻射系統，其中該電磁輻射形成一界定一光軸之光束，且其中該碎屑捕獲屏蔽件經組態以自該等電極捕獲碎屑，該碎屑捕獲屏蔽件經組態以針對以一相對該光軸之預定球面角所提供之一視線而屏蔽該等電極且提供一孔徑至一在該視線中介於該等電極之間的中心區域。
  17. 一種輻射系統，其用於產生電磁輻射，該輻射系統包 含：一對電極，其經建構及經配置以產生一第一物質之一電漿及在該電漿中之一自束；一第一電漿重組表面，其部分地由該等電極之表面界定，在該電漿重組表面處自該第一物質產生之實質上所有電漿得以中和；及一第二電漿重組表面，其經建構及經配置以中和複數個電漿粒子，並形成一碎屑捕獲屏蔽件，該第二電漿重組表面可安置於穿過該自束之一徑向軸線上的一點處，其中該點安置於該自束與一在該徑向軸線與該第一電漿重組表面之間的交點之間。
  18. 如請求項17之輻射系統，其中該第二電漿重組表面經配置以用於穿過該電漿之移動。
  19. 如請求項17之輻射系統，其中該輻射系統進一步包含經建構及經配置以收集由該自束發射之輻射的一或多個光學元件，其中該等光學元件之表面進一步界定該第一電漿重組表面。
  20. 如請求項17之輻射系統，其中該輻射系統進一步包含一污染物障壁，其中該污染物障壁之表面進一步界定該第一電漿重組表面。
  21. 一種微影裝置，其包含：一輻射系統，其經建構及經配置以提供一輻射光束，該輻射系統包含：一對電極，其經建構及經配置以產生一第一物質之 一電漿及在該電漿中之一自束；及一電漿重組表面，其經配置以鄰近該自束，該電漿重組表面經建構及經配置以中和複數個電漿粒子，其中該電漿重組表面經配置以移動穿過該電漿，該表面進一步經建構及經配置以形成一碎屑捕獲屏蔽件；一照明系統，其經建構及經配置以調節該輻射光束；一支撐件，其經建構及經配置以支撐一圖案化元件，該圖案化元件能夠在該輻射光束之橫截面中賦予該輻射光束一圖案以形成一經圖案化之輻射光束；一基板台，其經建構及經配置以固持一基板；及一投影系統，其經建構及經配置以將該經圖案化之輻射光束投影至該基板之一目標部分上。
  22. 一種用於改良一產生電磁輻射之輻射系統之重複率的方法，其包含：提供一輻射系統，其包含由一陽極及一陰極界定之一放電空間；供應一第一物質至該放電空間；跨越該陽極及該陰極提供一放電電壓以產生該第一物質之一電漿；在該電漿中形成一自束以產生電磁輻射；及移動一電漿重組表面使其通過該電漿而靠近該自束，以中和複數個電漿粒子，並提供一碎屑捕獲屏蔽件。
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