TWI510864B - 遠紫外線輻射源及微影裝置 - Google Patents

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Description

遠紫外線輻射源及微影裝置
本發明係關於一種遠紫外線(EUV)輻射源且係關於一種微影裝置。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。
微影被廣泛地認為係在IC以及其他器件及/或結構之製造中之關鍵步驟中的一者。然而，隨著使用微影所製造之特徵的尺寸變得愈來愈小，微影正變為用於使能夠製造小型IC或其他器件及/或結構之更具決定性的因素。
圖案印刷限度之理論估計可藉由瑞立(Rayleigh)解析度準則給出，如方程式(1)所示：
其中λ 為所使用之輻射的波長，NA 為用以印刷圖案之投影系統的數值孔徑，k 1 為程序依賴性調整因數(亦被稱作瑞立常數)，且CD 為經印刷特徵之特徵大小(或臨界尺寸)。自方程式(1)可見，可以三種方式來獲得特徵之最小可印刷大小的縮減：藉由縮短曝光波長λ、藉由增加數值孔徑NA ，或藉由降低k 1 之值。
為了縮短曝光波長且因此縮減最小可印刷大小，已提議使用遠紫外線(EUV)輻射源。EUV輻射為具有在5奈米至20奈米之範圍內(例如，在13奈米至14奈米之範圍內，例如，在5奈米至10奈米之範圍內，諸如6.7奈米或6.8奈米)之波長的電磁輻射。可能的源包括(例如)雷射產生電漿源、放電電漿源，或基於藉由電子儲存環提供之同步加速器輻射之源。
可使用電漿來產生EUV輻射。用於產生EUV輻射之輻射系統可包括用於激發燃料以提供電漿之雷射，及用於含有電漿之源收集器模組。可(例如)藉由將雷射光束引導於燃料(諸如適當材料(例如，錫)之小滴，或適當氣體或蒸汽(諸如Xe氣體或Li蒸汽)之流)處來產生電漿。所得電漿發射輸出輻射(例如，EUV輻射)，其係使用輻射收集器加以收集。輻射收集器可為鏡面式正入射輻射收集器，其接收輻射且將輻射聚焦成光束。源收集器模組可包括經配置以提供真空環境來支援電漿之封閉結構或腔室。通常，此輻射系統被稱作雷射產生電漿(LPP)源。
藉由LPP源產生之EUV輻射的強度可能會遭受非想要波動。此等非想要波動可能會具有對藉由微影裝置將圖案成像至基板上之準確度的有害效應。
需要提供一種EUV輻射源及微影裝置，該EUV輻射源及微影裝置相較於至少一些先前技術EUV輻射源及微影裝置遭受EUV輻射強度之較小波動。
根據本發明之一態樣，提供一種EUV輻射源，該EUV輻射源包括一燃料供應件，該燃料供應件經組態以將燃料(諸如錫)供應至一電漿形成部位。該燃料供應件包括：一噴嘴，該噴嘴經組態以噴射燃料小滴；及一小滴加速器，該小滴加速器經組態以加速該等燃料小滴。該EUV輻射源包括一雷射輻射源，該雷射輻射源經組態以輻照在該電漿形成部位處藉由該燃料供應件供應之該燃料。該EUV輻射源可包含於一微影裝置中。該微影裝置可包括：一支撐件，該支撐件經組態以支撐一圖案化器件，該圖案化器件經組態以圖案化EUV輻射以產生一經圖案化輻射光束；及一投影系統，該投影系統經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板上。
根據本發明之一態樣，提供一種產生EUV輻射之方法，該方法包括：經由一噴嘴而自一儲集器噴射一燃料(諸如錫)小滴；藉由一小滴加速器來加速該燃料小滴；及將一雷射光束引導於該燃料小滴處，使得該燃料小滴汽化且產生EUV輻射。
根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置包括一EUV輻射源，該EUV輻射源經組態以產生EUV輻射。該EUV輻射源包括一燃料供應件，該燃料供應件經組態以將燃料供應至一電漿形成部位。該燃料供應件包括：一噴嘴，該噴嘴經組態以噴射燃料小滴；及一小滴加速器，該小滴加速器經組態以加速該等燃料小滴。該EUV輻射源包括一雷射輻射源，該雷射輻射源經組態以輻照在該電漿形成部位處藉由該燃料供應件供應之該燃料。該微影裝置包括：一支撐件，該支撐件經組態以支撐一圖案化器件，該圖案化器件經組態以圖案化該EUV輻射以產生一經圖案化輻射光束；及一投影系統，該投影系統經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板上。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置100。該微影裝置包括根據本發明之一實施例的EUV輻射源。該裝置包含：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩或比例光罩)MA，且連接至經組態以準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，塗佈抗蝕劑之晶圓)W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，反射投影系統)PS，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。
術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。被賦予至輻射光束之圖案可對應於目標部分中所產生之器件(諸如積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中。
投影系統(如同照明系統)可包括各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如真空之使用的其他因素。可能需要將真空用於EUV輻射，此係因為其他氣體可能吸收過多輻射。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。
如此處所描繪，裝置為反射類型(例如，使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)的類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
參看圖1，照明器IL自源收集器模組SO接收遠紫外線(EUV)輻射光束。用以產生EUV輻射之方法包括(但未必限於)以在EUV範圍內之一或多種發射譜線將具有至少一元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(通常被稱作雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由以雷射光束來輻照燃料(諸如具有所需譜線發射元素之材料的小滴)而產生所需電漿。源收集器模組SO可為包括雷射(圖1中未繪示)的EUV輻射源之部分，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射(例如，EUV輻射)，其係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器加以收集。
舉例而言，當使用CO2 雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射與源收集器模組可為分離實體。在此等情況下，輻射光束係憑藉包含(例如)適當引導鏡面及/或光束擴展器之光束傳送系統而自雷射傳遞至源收集器模組。可認為雷射及燃料供應件包含EUV輻射源。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在自圖案化器件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可準確地移動，例如，以使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.　在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
2.　在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。
3.　在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
圖2更詳細地展示微影裝置100，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於源收集器模組之封閉結構220中。
雷射LA經配置以經由雷射光束205而將雷射能量沈積至自燃料供應件200所提供之燃料(諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li))中。此情形在電漿形成部位211處產生具有數十電子伏特之電子溫度的高度離子化電漿210。在此等離子之去激發及再結合期間所產生的高能輻射係自電漿發射、藉由近正入射輻射收集器CO收集及聚焦。可共同地認為雷射LA及燃料供應件200包含EUV輻射源。
藉由輻射收集器CO反射之輻射聚焦於虛擬源點IF處。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器模組SO經配置成使得中間焦點IF位於封閉結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。
隨後，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24，琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24經配置以提供在圖案化器件MA處輻射光束21之所要角分佈，以及在圖案化器件MA處輻射強度之所要均一性。在藉由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處輻射光束21之反射後，隨即形成經圖案化光束26，且藉由投影系統PS將經圖案化光束26經由反射元件28、30而成像至藉由晶圓載物台或基板台WT固持之基板W上。
通常，比所示元件多之元件可存在於照明系統IL及投影系統PS中。此外，可存在比諸圖所示之鏡面多的鏡面，例如，在投影系統PS中可存在比圖2所示之反射元件多1至6個的額外反射元件。
燃料供應件200包含含有燃料液體(例如，液體錫)之儲集器、噴嘴202及燃料小滴加速器203。噴嘴202經組態以將燃料液體小滴噴射朝向電漿形成部位211。可藉由儲集器201內之壓力與藉由壓電致動器(圖中未繪示)施加至噴嘴202之振動的組合而自該噴嘴噴射燃料液體小滴。燃料小滴加速器203包含管道，該管道被供應有在電漿形成部位211之方向上行進的氣體。此氣體使燃料小滴加速朝向電漿形成部位211。
圖3a示意性地展示根據本發明之一實施例的噴嘴202及燃料小滴加速器203a。圖3a中亦展示已藉由噴嘴202噴射之燃料小滴206。燃料小滴加速器203a包含管道230，管道230具備複數個開口231a至231f，氣體通過該等開口而流動至該管道中。開口231a至231f經組態成使得管道230中之氣體遠離於噴嘴202而流動。在圖3a中藉由箭頭來指示管道230內之氣體流動。舉例而言，氣體可為氫氣，或任何其他適當氣體。通過管道230之氣體流動速度高於自噴嘴202噴射燃料小滴206之速度。因此，隨著燃料小滴206行進通過管道230，氣體加速該等燃料小滴。此情形在圖3a中經由隨著燃料小滴206沿著管道230行進而在該等燃料小滴之間的漸增分離度予以示意性地展示。
通過管道230之氣體流動速度沿著該管道之長度可實質上恆定，或沿著該管道之長度可變化。
在一實例中，以約50米/秒之速度自噴嘴噴射燃料小滴。沿著管道230之氣體流動顯著地高於50米/秒，且因此，氣體使燃料小滴206加速至顯著地高於50米/秒之速度。
儘管圖3a中展示六個開口231a至231f，但可使用任何適當數目之開口以將氣體引入至管道230中。可在沿著管道之不同部位處提供一或多個開口。可圍繞管道230之圓周分佈一或多個開口集合。舉例而言，每一開口可包含一噴嘴，通過該噴嘴而供應氣體。在一替代配置中，開口可圍繞管道230之圓周延伸，或可部分地圍繞管道230之圓周延伸。
圖3a所示之開口231a至231f包括突出至管道230中之噴嘴，該等噴嘴係藉由延伸至該管道中之管路對示意性地指示。在一替代配置中，噴嘴可提供於管道230中之凹座中，使得該等噴嘴不會延伸至該管道中。
可加熱管道230。舉例而言，可提供一或多個加熱器(圖中未繪示)，該一或多個加熱器係用以將管道230加熱至所要溫度。可與管道230整體地形成該一或多個加熱器，或可與該管道分離地提供該一或多個加熱器。加熱器可經組態成使得管道230之溫度在沿著該管道之所有部位處實質上恆定，或可經組態成使得該管道之溫度隨著與噴嘴202相隔之距離增加而增加。管道230之溫度可調節該管道內之氣體流動，且因此可增強藉由氣體提供的燃料小滴206之加速。
在一實施例中，不提供加熱器。然而，氣體流動提供燃料小滴206之行進速度的顯著增加。
管道230之橫截面可為圓柱形，或可具有任何其他適當橫截面形狀。
圖3b示意性地展示根據本發明之一實施例的噴嘴202及燃料小滴加速器203b。圖3b中亦展示自噴嘴202所噴射之燃料小滴206。燃料小滴加速器203b包含楔形管道330，楔形管道330遠離於噴嘴202而漸縮。
楔形管道330在鄰近於噴嘴202之部位處接收氣體，氣體沿著楔形管道330且遠離於噴嘴202而流動。舉例而言，可藉由一或多個開口(圖中未繪示)來提供氣體，該一或多個開口經配置成以所要流動速度將氣體引入至楔形管道330中。舉例而言，氣體可為氫氣，或任何其他適當氣體。
隨著氣體沿著楔形管道330行進，楔形管道330之漸縮導致氣體流動速度增加。此情形在圖3b中藉由箭頭之漸增長度予以示意性地指示，該等箭頭表示氣體流動。隨著燃料小滴行進通過楔形管道330，氣體加速該等燃料小滴。此情形在圖3a中經由隨著燃料小滴206沿著管道330行進而在該等燃料小滴之間的漸增分離度予以示意性地展示。燃料小滴206之加速係使得該等燃料小滴以高於自噴嘴202噴射該等燃料小滴之速度的速度離開楔形管道330。
根據貝努里(Bernoulli)原理，楔形管道330中之氣體的壓力隨著氣體流動速度增加而降低。此壓力縮減不會防止氣體加速燃料小滴206。
在一實例中，以約50米/秒之速度自噴嘴噴射燃料小滴。沿著楔形管道330流動之氣體加速至顯著地高於50米/秒之速度，且因此，氣體使燃料小滴206加速至顯著地高於50米/秒之速度。
可使用一或多個加熱器(圖中未繪示)以將楔形管道330加熱至所要溫度。可與楔形管道330整體地形成該一或多個加熱器，或可與該管道分離地提供該一或多個加熱器。加熱器可經組態成使得楔形管道330之溫度在沿著該管道之所有部位處實質上恆定，或可經組態成使得該管道之溫度隨著與噴嘴202相隔之距離增加而增加。楔形管道330之溫度可調節該管道內之氣體流動，且因此可增強藉由氣體提供的燃料小滴206之加速。
在一實施例中，不提供加熱器。然而，氣體流動提供燃料小滴206之行進速度的顯著增加。
管道之橫截面可為圓柱形，或可具有任何其他適當橫截面形狀。
一或多個開口可提供於楔形管道330中，該等開口經組態以允許將氣體引入至該楔形管道中。
燃料小滴加速器203加速燃料小滴，使得燃料小滴以顯著地高於其在其自噴嘴202被噴射時之速度的速度到達電漿形成部位211。燃料小滴206之此增加速度可提供兩個潛在優點。
第一潛在優點係關於如下事實：當藉由雷射光束205來汽化燃料小滴時，燃料小滴產生爆震波(Shockwave)。此爆震波將入射於行進朝向電漿形成部位211之後續燃料小滴上。爆震波可修改燃料小滴之行進方向，使得燃料小滴將不傳遞通過電漿形成部位211(見圖2)處雷射光束205之最佳聚焦部分，且因此，可能不以最佳方式被汽化。藉由燃料小滴加速器203提供的燃料小滴之增加速度增加燃料小滴之間的分離度(對於給定EUV電漿產生頻率)。爆震波為球形，且具有依據與電漿形成部位相隔之距離而平方地降低的能量。因此，增加燃料小滴之間的分離度會縮減爆震波對後續燃料小滴之力。此外，因為後續燃料小滴更快地行進，所以燃料小滴具有更高動量，且因此較少地受到爆震波影響。此等效應之兩者均縮減藉由爆震波修改後續燃料小滴之行進方向所達的程度，且因此，後續燃料小滴更接近地傳遞至電漿形成部位處雷射光束205之最佳聚焦部分。因此，可更一致地且有效率地汽化燃料小滴。
第二潛在優點係關於如下事實：雷射光束205將力施加於每一燃料小滴上，該力將每一燃料小滴推動遠離於電漿形成部位211。燃料小滴遠離於電漿形成部位211之偏離係不良的，此係因為燃料小滴將不傳遞通過雷射光束205之最佳聚焦部分，且因此，可能不以最佳方式汽化燃料小滴。增加燃料小滴之速度會縮減由雷射光束205導致的燃料小滴自電漿形成部位211之偏離。結果，燃料小滴將更接近地傳遞至雷射光束205之最佳聚焦部分，且因此，可更一致地且有效率地汽化燃料小滴。
以上潛在優點之兩者均可允許以改良之準確度將燃料小滴206傳送至電漿形成部位211。此情形又可允許更一致地且有效率地達成燃料小滴之汽化。因此，EUV輻射可具備更高且更一致之強度。
以上描述提及燃料小滴。舉例而言，此情形可包括燃料材料之叢集，或以其他離散片段所提供之燃料材料。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
21．．．輻射光束
22．．．琢面化場鏡面器件
24．．．琢面化光瞳鏡面器件
26．．．經圖案化光束
28．．．反射元件
30．．．反射元件
100．．．微影裝置
200．．．燃料供應件
201．．．儲集器
202．．．噴嘴
203．．．燃料小滴加速器
203a．．．燃料小滴加速器
203b．．．燃料小滴加速器
205．．．雷射光束
206．．．燃料小滴
210．．．高度離子化電漿/輻射發射電漿
211．．．電漿形成部位
220．．．封閉結構
221．．．開口
230．．．管道
231a．．．開口
231b．．．開口
231c．．．開口
231d．．．開口
231e．．．開口
231f．．．開口
330．．．楔形管道
B．．．輻射光束
C．．．目標部分
CO．．．近正入射輻射收集器
IF．．．虛擬源點/中間焦點
IL．．．照明系統/照明器
LA．．．雷射
M1．．．罩對準標記
M2．．．罩對準標記
MA．．．圖案化器件
MT．．．支撐結構
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PS1．．．位置感測器
PS2．．．位置感測器
PW．．．第二定位器
SO．．．源收集器模組
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
圖2為包括LPP源收集器模組的圖1之裝置的更詳細視圖；
圖3a及圖3b示意性地描繪圖1及圖2之微影裝置之EUV輻射源之噴嘴及燃料小滴加速器的實施例。
21．．．輻射光束
22．．．琢面化場鏡面器件
24．．．琢面化光瞳鏡面器件
26．．．經圖案化光束
28．．．反射元件
30．．．反射元件
100．．．微影裝置
200．．．燃料供應件
201．．．儲集器
202．．．噴嘴
203．．．燃料小滴加速器
205．．．雷射光束
210．．．高度離子化電漿/輻射發射電漿
211．．．電漿形成部位
220．．．封閉結構
221．．．開口
CO．．．近正入射輻射收集器
IF．．．虛擬源點/中間焦點
IL．．．照明系統/照明器
LA．．．雷射
MA．．．圖案化器件
MT．．．支撐結構
PS．．．投影系統
SO．．．源收集器模組
W．．．基板
WT．．．基板台

Claims (15)

  1. 一種極紫外線(EUV)輻射源，其包含：一燃料供應件，該燃料供應件經組態以將燃料供應至一電漿形成部位，該燃料供應件包含：一噴嘴，該噴嘴經組態以噴射燃料小滴；及一小滴加速器，該小滴加速器經組態以加速該等燃料小滴，該小滴加速器包含一管道，該管道經組態以接收氣體以流動通過該管道且加速該等燃料小滴，其中該管道具備一或多個加熱器，該一或多個加熱器經組態以加熱該管道；及一雷射輻射源，該雷射輻射源經組態以輻照在該電漿形成部位處藉由該燃料供應件供應之該燃料。
  2. 如請求項1之EUV輻射源，其中該管道具有一實質上恆定橫截面。
  3. 如請求項1之EUV輻射源，其中該管道為一楔形(tapered)管道，該楔形管道遠離於該噴嘴而漸縮。
  4. 如請求項2之EUV輻射源，其中一或多個開口提供於該管道中，該等開口經組態以引入該氣體以流動通過該管道且加速該等燃料小滴。
  5. 如請求項3之EUV輻射源，其中該管道經組態以在鄰近於該噴嘴的該管道之一末端處接收該氣體。
  6. 一種產生EUV輻射之方法，其包含：經由一噴嘴而自一儲集器噴射一燃料小滴；藉由一小滴加速器來加速該燃料小滴，該小滴加速器 包含一管道，氣體流動通過該管道且加速該燃料小滴，其中藉由一或多個加熱器來加熱該管道；及將一雷射光束引導於該燃料小滴處，使得該燃料小滴汽化且產生EUV輻射。
  7. 如請求項6之方法，其中該管道具有一實質上恆定橫截面。
  8. 如請求項6之方法，其中該管道為一楔形管道，該楔形管道遠離於該噴嘴而漸縮。
  9. 如請求項6之方法，其中使用該管道中之一或多個開口以將該氣體引入至該管道中。
  10. 如請求項8之方法，其中該楔形管道在鄰近於該噴嘴的該楔形管道之一末端處接收該氣體。
  11. 一種微影裝置，其包含：一EUV輻射源，其包含：一燃料供應件，該燃料供應件經組態以將燃料供應至一電漿形成部位，該燃料供應件包含：一噴嘴，該噴嘴經組態以噴射燃料小滴；及一小滴加速器，該小滴加速器經組態以加速該等燃料小滴，該小滴加速器包含一管道，該管道經組態以接收氣體以流動通過該管道且加速該等燃料小滴，其中該管道具備一或多個加熱器，該一或多個加熱器經組態以加熱該管道；及一支撐件，該支撐件經組態以支撐一圖案化器件，該 圖案化器件經組態以圖案化EUV輻射以產生一經圖案化輻射光束；及一投影系統，該投影系統經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板上。
  12. 如請求項11之微影裝置，其中該管道具有一實質上恆定橫截面。
  13. 如請求項11之微影裝置，其中該管道為一楔形管道，該楔形管道遠離於該噴嘴而漸縮。
  14. 如請求項12之微影裝置，其中一或多個開口提供於該管道中，該等開口經組態以引入該氣體以流動通過該管道且加速該等燃料小滴。
  15. 如請求項13之微影裝置，其中該管道經組態以在鄰近於該噴嘴的該管道之一末端處接收該氣體。
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