TWI577244B

TWI577244B - 輻射源

Info

Publication number: TWI577244B
Application number: TW101130890A
Authority: TW
Inventors: 丹東尼斯帝朵勒懷慕斯坎班; 艾瑞克羅勒夫洛卜史塔; 歌恩羅卓普; 葛瑞夫丹尼司迪; 福列慈可伯斯; 葛雷格理查海葉詩; 德威爾賀伯特思約翰尼司凡
Original assignee: Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date: 2011-09-02
Filing date: 2012-08-24
Publication date: 2017-04-01
Also published as: US9192039B2; CN103748969A; SG2014007694A; KR101958850B1; JP2014525676A; JP6082743B2; NL2009241A; WO2013029898A1; US20140203193A1; EP2752098A1; KR20140068124A; TW201316840A

Description

輻射源

本發明係關於一種用於在輻射源中產生燃料小滴之噴嘴，該輻射源適於結合微影裝置而使用或形成微影裝置之部件。更一般化地，本發明亦係關於一種用於產生液體小滴之噴嘴，及一種形成此噴嘴之方法。

本申請案主張美國臨時申請案61/530,796之權利，該臨時申請案係於2012年9月2日申請且其全文以引用之方式併入本文中。

微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。

微影被廣泛地認為是在IC以及其他器件及/或結構之製造中之關鍵步驟中的一者。然而，隨著使用微影所製造之特微之尺寸變得愈來愈小，微影正變為用於使能夠製造小型IC或其他器件及/或結構之更具決定性之因素。

圖案印刷極限之理論估計可藉由瑞立(Rayleigh)解析度準則給出，如方程式(1)所示：其中λ為所使用之輻射之波長，NA為用以印刷圖案之投影系統之數值孔徑，k₁為程序相依調整因數(亦被稱為瑞立常數)，且CD為經印刷特徵之特徵大小(或臨界尺寸)。自方程式(1)可見，可以三種方式來獲得特徵之最小可印刷大小之縮減：藉由縮短曝光波長λ、藉由增加數值孔徑NA，或藉由減低k₁之值。

為了縮短曝光波長且因此縮減最小可印刷大小，已提議使用極紫外線(EUV)輻射源。EUV輻射為具有在5奈米至20奈米之範圍內(例如，在13奈米至14奈米之範圍內)之波長的電磁輻射。已進一步提議可使用具有小於10奈米(例如，在5奈米至10奈米之範圍內，諸如，6.7奈米或6.8奈米)之波長的EUV輻射。此輻射被稱為極紫外線輻射或軟x射線輻射。可能之源包括(例如)雷射產生電漿源、放電電漿源，或基於藉由電子儲存環提供之同步加速器輻射之源。

可使用電漿來產生EUV輻射。用於產生EUV輻射之輻射系統可包括用於激發燃料以提供電漿之雷射，及用於含有電漿之源收集器模組。可(例如)藉由將雷射光束引導於燃料(諸如，合適燃料材料(例如，錫，其當前被視為最有前途且因此很可能為用於EUV輻射源之燃料選擇)之粒子(亦即，小滴)，或合適氣體或蒸汽(諸如，Xe氣體或Li蒸汽)之串流)處來創製電漿。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用輻射收集器予以收集。輻射收集器可為鏡面式正入射輻射收集器，其接收輻射且將輻射聚焦成光束。源收集器模組可包括經配置以提供真空環境以支援電漿之圍封結構或腔室。此輻射系統通常被稱為雷射產生電漿(LPP)源。在亦可使用雷射之用途之替代系統中，可藉由使用放電(放電產生電漿(DPP)源)所形成之電漿來產生輻射。

所提議之LPP輻射源產生連續燃料小滴串流。輻射源包含用於引導燃料小滴朝向電漿形成部位之噴嘴。需要以高準確度將小滴引導至電漿形成部位，以便確保可引導雷射光束朝向小滴且使雷射光束接觸小滴。為了達成此情形，燃料應在不遭遇任何意外或無意阻礙或限定的情況下傳遞通過噴嘴。此等阻礙或限定可由燃料中之污染物沈積於噴嘴之內部表面上引起。污染物可引起藉由噴嘴引導之小滴串流不具有一或多個所需屬性，例如，所要軌跡或所要小滴大小、形狀或頻率。結果，此情形可導致輻射源總體上不會根據吾人所欲而運行，例如，不能夠產生輻射，或不能夠產生具有所需強度或歷時所需持續時間之輻射。

儘管已描述關於用於LPP輻射源中之噴嘴之問題，但結合用於其他液體小滴產生器中之噴嘴(例如，用於噴墨印刷中之噴嘴或其類似者)可遭遇相同或相似問題。

需要預防或減輕先前技術之至少一問題(無論在本文中抑或在別處予以識別)，或需要提供現有裝置或方法之替代例。

根據本發明之一第一態樣，提供一種輻射源，該輻射源包含：一噴嘴，其經組態以沿著朝向一電漿形成部位之一軌跡引導一燃料小滴串流；一雷射，其經組態以在該電漿形成部位處將雷射輻射引導於該等燃料小滴處以在使用時產生一輻射產生電漿；其中該噴嘴具有一內部表面，該內部表面經組態以防止存在於用以形成該等燃料小滴之燃料中之污染物沈積於彼內部表面上。

該內部表面可包含一塗層。

該塗層相比於經施加有該塗層之材料可提供針對該污染物之一較平滑或較不黏著表面。

該塗層可包含聚四氟乙烯，或得自一溶膠-凝膠塗佈程序之一材料。

該塗層可能能夠耐受大於232℃或大於250℃之一溫度。

該內部表面可為用以形成該噴嘴之一材料本體之一表面(例如，一內部表面)。

該材料本體可包含金剛石，或玻璃，或一金屬(例如，鉬、鎢)，或一陶瓷。

該燃料可包含錫。

該污染物可包含或為氧化錫粒子。

根據本發明之一第二態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置包含：一照明系統，其用於提供一輻射光束；一圖案化器件，其用於在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案；一基板固持器，其用於固持一基板；一投影系統，其用於將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上，且其中該微影裝置進一步包含本發明之該第一態樣之該輻射源或與本發明之該第一態樣之該輻射源相連接。

根據本發明之一第三態樣，提供用於一液體(例如，燃料或墨水)小滴產生器中之噴嘴，其中該噴嘴具有一內部表面，該內部表面經組態以防止存在於用以形成液體小滴之液體中之污染物沈積於彼內部表面上。

根據本發明之一第四態樣，提供形成用於一液體小滴產生器中之一噴嘴之方法，該方法包含：向該噴嘴提供一內部表面，該內部表面經組態以防止存在於用以形成液體小滴之液體中之污染物沈積於彼內部表面上。

可使用一濕式塗佈程序以提供該內部表面(例如，呈一塗層之形式)。

可使用一溶膠-凝膠塗佈程序或使用呈流體懸浮液之一塗層來提供該塗層。

可在施加用於該濕式塗佈程序中之一液體之後使該液體固化(例如，以提供一固體塗層)。

可藉由通過用以形成該噴嘴之一材料本體而形成一導管來提供該內部表面。該內部表面因而將由相同於該噴嘴之材料的材料形成。

應瞭解，在適當時，關於第一態樣所描述之特徵可適用於第二態樣、第三態樣及/或第四態樣。

本發明之特徵及優點已自上文在結合圖式時所闡述之[實施方式]變得更顯而易見，在該等圖式中，相似元件符號始終識別對應元件。在該等圖式中，相似元件符號通常指示等同、功能上相似及/或結構上相似之元件。一元件第一次出現時之圖式係藉由對應元件符號中之最左側數位指示。

現在將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件。

本說明書揭示併入本發明之特徵之一或多個實施例。所揭示實施例僅僅例示本發明。本發明之範疇不限於所揭示實施例。本發明係藉由附加於此處之申請專利範圍界定。

所描述實施例及在本說明書中對「一實施例」、「一實例實施例」等等之參考指示所描述實施例可能包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可能未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等片語未必指代同一實施例。另外，當結合一實施例來描述一特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否予以明確地描述，結合其他實施例來實現此特徵、結構或特性皆係在熟習此項技術者之認識範圍內。

圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的包括源收集器模組SO之微影裝置LAP。該裝置包含：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件 (例如，光罩或比例光罩)MA，且連接至經組態以準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，反射投影系統)PS，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。

照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。

支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，該圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持該圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。

術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何器件。被賦予至輻射光束之圖案可對應於目標部分中所創製之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。

圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面在藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。

類似於照明系統，投影系統可包括適於所使用之曝光輻射或適於諸如真空之使用之其他因素的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。可能需要將真空用於EUV輻射，此係因為氣體可能吸收過多輻射。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。

如此處所描繪，裝置為反射類型(例如，使用反射光罩)。

微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。

參看圖1，照明器IL自源收集器模組SO接收極紫外線輻射光束。用以產生EUV光之方法包括(但未必限於)用在EUV範圍內之一或多種發射譜線將具有至少一元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(常常被稱為雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由用雷射光束來輻照燃料(諸如，具有所需譜線發射元素之材料小滴、串流或叢集)而產生所需電漿。源收集器模組SO可為包括雷射(圖1中未繪示)之EUV輻射系統之部件，該雷射用於提供雷射光束且激發燃料。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO₂雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射與源收集器模組可為分離實體。

在此等狀況下，不認為雷射形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器模組。在其他狀況下，舉例而言，當源為放電產生電漿EUV產生器(常常被稱作DPP源)時，源可為源收集器模組之整體部件。

照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。

輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在自圖案化器件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。

所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：

1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。

2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。

3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。

亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。

圖2更詳細地展示微影裝置LAP，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於該源收集器模組之圍封結構2中。

雷射4經配置以經由雷射光束6而將雷射能量沈積至自燃料供應件8所提供之燃料(諸如，氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li))中。錫(最有可能呈小滴之形式)當前被視為最有前途且因此很可能為用於UEV輻射源之燃料選擇。雷射能量至燃料中之沈積會在電漿形成部位12處創製具有數十電子伏特(eV)之電子溫度之高度離子化電漿10。在此等離子之去激發及再結合期間所產生之高能輻射係自電漿10發射、藉由近正入射輻射收集器14收集及聚焦。雷射4及燃料供應件8(及/或收集器14)可一起被認為包含輻射源，尤其是EUV輻射源。EUV輻射源可被稱作雷射產生電漿(LPP)輻射源。

可提供第二雷射(圖中未繪示)，第二雷射經組態以在雷射光束6入射於燃料上之前預加熱燃料。使用此途徑之LPP源可被稱作雙雷射脈動(DLP)源。

儘管圖中未繪示，但燃料供應件將包含經組態以沿著朝向電漿形成部位12之軌跡引導燃料小滴串流之噴嘴，或與經組態以沿著朝向電漿形成部位12之軌跡引導燃料小滴串流之噴嘴相連接。

藉由輻射收集器14反射之輻射B聚焦於虛擬源點16處。虛擬源點16通常被稱作中間焦點，且源收集器模組SO經配置成使得中間焦點16位於圍封結構2中之開口18處或附近。虛擬源點16為輻射發射電漿10之影像。

隨後，輻射B橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件20及琢面化光瞳鏡面器件22，琢面化場鏡面器件20及琢面化光瞳鏡面器件22經配置以提供在圖案化器件MA處輻射光束B之所要角分佈，以及在圖案化器件MA處輻射強度之所要均一性。在藉由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處輻射光束之反射後，隨即形成經圖案化光束24，且藉由投影系統PS將經圖案化光束24經由反射元件26、28而成像至藉由晶圓載物台或基板台WT固持之基板W上。

通常，比所示元件多之元件可存在於照明系統IL及投影系統PS中。此外，可存在比諸圖所示之鏡面多的鏡面，例如，在投影系統PS中可存在比圖2所示之反射元件多1至6個的額外反射元件。

圖3示意性地描繪如圖2所示且參看圖2所描述之燃料供應件之部件。燃料供應件之部件被展示為包含導管30，導管30包括且通向經組態以沿著朝向電漿形成部位(圖中未繪示)之軌跡引導燃料小滴串流34之噴嘴32。

噴嘴32之穩定性及/或阻塞(亦即，至少部分阻擋)為在使用噴嘴32期間可能出現之問題，對於任何噴墨印刷應用會出現該等問題。阻塞物將藉由燃料中之污染物形成。噴嘴32之阻塞可對該噴嘴且因此對小滴產生器強加壽命限制(或至少強加需要維護/清潔之時間限制)，且因此可總體上限制輻射源或微影裝置之可用性。

最可能的是，相比於形成小滴產生器之部件之燃料流動系統的其他導管及其類似者(惟(可能地)存在於彼系統中之過濾器除外)，小滴產生器之噴嘴32將具有最小直徑或該等最小直徑中之一者。因為噴嘴32將具有該等最小直徑中之一者，所以很可能的是，將在噴嘴32附近或在噴嘴32處發生燃料流動系統中之阻塞，且很可能在噴嘴32內發生燃料流動系統中之阻塞，其為該流動系統之限定。很可能的是，將以某種方式在燃料流動系統中之更遠上游濾出大於噴嘴直徑之阻塞物或其類似者。然而，小於噴嘴直徑且在噴嘴內之阻塞物可能引起噴嘴之有效幾何形狀之改變。

有效幾何形狀之改變可引起所產生小滴串流之參數之改變，例如，小滴形狀或大小之改變，或最可能是小滴串流之軌跡方向之改變。在許多應用中，此等參數將需要符合嚴格要求。尤其是在EUV輻射源中，小滴產生器之要求將在小滴串流之軌跡方面極其嚴格。舉例而言，在電漿形成部位處，小滴之部位可需要準確達幾微米之範圍內，但同時，噴嘴32自身可需要定位成相對遠離電漿形成部位，例如，達大約數十公分之距離。此情形引起可能地小於10微弧度的小滴串流之軌跡之方向穩定性要求。總結果為，沈積於噴嘴之內部表面上之甚至極小顆粒污染物仍可改變噴嘴之有效幾何形狀達確保不符合方向穩定性要求之程度。此情形可能又對輻射源之操作且因此對微影裝置總體上之操作造成有害影響，例如，在輻射產生方面。

圖4示意性地描繪相同於圖3所示且參看圖3所描述之導管、噴嘴及小滴串流的導管30、噴嘴32及小滴串流34。然而，在圖4中，呈粒子40之形式之污染物已變得沈積於噴嘴32之內部表面上。此沈積已引起噴嘴32之有效幾何形狀之改變(如上文所描述)，此情形已又引起小滴串流34之軌跡之改變。

粒子40為污染物之一個實例。污染物之形式可為顆粒，或污染物可為可能存在於用以形成小滴串流34之燃料內之任何物(例如，片狀物、聚結物、溶液，或其類似者)。污染物可起因於燃料之氧化。舉例而言，若燃料為錫，則污染物可為氧化錫粒子或其類似者。或者及/或另外，污染物可為來自在上游用於燃料流動系統內之裝置之材料粒子或其類似者。

本發明之一目標係防止噴嘴由於污染物而受到阻塞，因此引起噴嘴之有效幾何形狀之改變。一種所提議解決方案將係在燃料流動系統中使用精細或較精細過濾器以防止具有小於噴嘴直徑(亦即，噴嘴之開口)之平均直徑之污染物到達噴嘴。然而，此情形接著可引起燃料流動系統總體上之阻擋(亦即，在彼過濾器處)，此情形可再次引起需要定期地維護或修復小滴產生器，從而造成輻射源之顯著停工時間及/或微影裝置總體上之顯著停工時間。本發明提供上文所識別之問題之替代途徑，其不會引起增加在燃料流動系統(其包括噴嘴)內形成阻擋之機會。

根據本發明之一態樣，提供一種輻射源，該輻射源包含噴嘴以沿著朝向電漿形成部位之軌跡引導燃料小滴串流。輻射源亦包含雷射或至少與雷射相連接(在使用時)，雷射經組態以在電漿形成部位處將雷射輻射引導於燃料小滴處以在使用時產生輻射產生電漿，皆如上文所描述。本發明與現有輻射源及/或噴嘴之區別之處在於，本發明之噴嘴具有一內部表面，該內部表面經故意地組態以防止存在於用以形成燃料小滴之燃料中之污染物沈積於彼內部表面上。在一實例中，可藉由確保內部表面相對於污染物非黏著及/或確保內部表面足夠平滑以防止此沈積來達成此防止。此途徑之優點為，不遭遇或很可能不遭遇進一步阻擋。取而代之，污染物係自燃料流動系統且尤其是自噴嘴被衝出，因此防止阻擋，且因此防止噴嘴之有效幾何形狀之改變。應承認，污染物可在自噴嘴所引導之燃料小滴中之一或多者中終結。然而，此情形優於噴嘴由於污染物而變得阻塞，其中另外所得效應為燃料小滴串流之軌跡之潛在改變，及/或燃料小滴之其他屬性之改變，例如，其大小或形狀或其產生頻率之改變。

現在將參看圖5及圖6而僅藉由實例來描述本發明之實施例。該等圖尚未按任何特定比例繪製。為了清晰性及一致性起見，向相同特徵給出相同元件符號。

圖5示意性地描繪根據本發明之一實施例的包括且通向噴嘴52之導管50。在此實施例中，噴嘴52之內部表面(及實際上，導管50)具備塗層54。塗層54經組態以防止存在於用以形成燃料小滴34之燃料中之污染物沈積於塗層54上。舉例而言，相比於已經施加有塗層54之材料(例如，噴嘴52之本體材料)，塗層54可提供針對污染物之較平滑表面。或者，相比於經施加有塗層54之材料，塗層54可提供針對污染物之較不黏著表面。舉例而言，燃料可為錫，且噴嘴52係實質上由石英形成。可藉由施加此塗層54使石英表面較平滑或較不黏著(至少對(例如)氧化錫粒子)。

需要均一地且均勻地提供塗層54，以提供均一且均勻之表面。塗層亦應能夠耐受燃料及/或噴嘴(或一般而言，流體流動系統)之操作溫度，使得塗層在使用期間不會降解或快速地降解。舉例而言，若錫為所使用之燃料，則塗層應能夠耐受大於232℃之溫度(亦即，錫之熔點)。

塗層54可為或包含數種不同材料中之一者，例如：氟化物(CaF₂、BaF₂)；氮化物；DLC(類鑽碳)；鐵氟龍(亦即，PTFE-聚四氟乙烯)；或得自溶膠-凝膠塗佈程序之材料(例如，矽或矽基塗層，諸如，SiO₂：CH₃)。

在一些情況下，上文所提及之材料中之任何一者或多者可用作塗層54。然而，取決於噴嘴之縱橫比，類鑽碳可能不總是合適，此情形可防止類鑽碳塗層之易於適用沈積(例如，使用氣相沈積)。氮化物可能太粗糙，且可能不會充分地防止污染物在噴嘴中之積聚。歸因於可能太難以將氟化物施加為塗層之事實，氟化物可能不合適。與此對比，已發現PTFE及得自溶膠-凝膠塗佈程序之材料(例如，矽或矽基塗層，諸如，SiO₂：CH₃)特別合適，從而滿足上文所界定之所有要求。

可在一濕式塗佈程序中提供塗層54，該濕式塗佈程序可更易於促進提供噴嘴52之內部表面之塗層54，且尤其是噴嘴52之內部表面之更均一塗層。可使用溶膠-凝膠塗佈程序或使用呈液體懸浮液而提供之塗層來提供塗層54。一旦已塗佈噴嘴之內部表面，隨即可採取固化程序以提供最終固體塗層(例如，以蒸發任何水含量及/或以將粒子燒結至內部表面上)。

在使用時，諸如氧化錫粒子之污染物歸因於塗層54之存在而不會且不能沈積於噴嘴52之內部表面上。因此，根據本發明之實施例，污染物係自導管50通過噴嘴52被衝出且不會變更噴嘴52之有效幾何形狀。

濕式塗佈程序通常將涉及使濕式塗層傳遞通過噴嘴以便塗佈彼噴嘴，且此情形可涉及使彼濕式塗層傳遞通過通向彼噴嘴且以彼噴嘴結束之導管，及/或以該噴嘴結束之燃料流動系統之其他部件。一般而言，導管、噴嘴或燃料流動系統可包含一或多個過濾器，濕式塗層可能需要傳遞通過該一或多個過濾器。相比於(例如)氣體塗佈程序，濕式塗佈程序可能較佳。舉例而言，在氣體到達噴嘴之前，尤其是在氣體流動通過過濾器時，氣體可能會更可能被耗盡其活性(亦即，塗層)組份。又，用於濕式塗層之噴嘴(或導管，或一般而言，流體流動系統)中之速度分佈將實質上相同於用於燃料自身之速度分佈(燃料為液體)，從而使較容易預測且因此較容易以可預測之一致性方式應用濕式塗層之行為(及其類似者)及其類似者。然而，氣體將不會以相同方式表現，此係因為其為可壓縮介質，且因此，使用氣體可能會引起可難以預測及考量之某些壓力誘發性效應，此情形可導致塗佈困難(例如，厚度之非均一性，或其類似者)。

根據本發明之另一實施例，可藉由使噴嘴由材料本體(相對於塗層)形成來實現上文所提及之優點，材料本體經組態以防止存在於用以形成燃料小滴之燃料中之污染物沈積於彼內部表面上。圖6展示由此材料形成之導管60及噴嘴62。又，該材料經選擇成使得其相比於用於先前所提議或現有噴嘴中之材料針對燃料內所含有之污染物較平滑或較不黏著。材料經故意地選擇以達成此情形。舉例而言，所提議噴嘴已被描述為包含石英或由石英形成。污染物(例如，至少是氧化錫)被知道易於沈積於由石英形成之噴嘴之內部表面上。使噴嘴由較平滑或較不黏著材料形成會克服此問題。舉例而言，噴嘴可由數種材料中之一者形成，例如，金剛石，或玻璃，或金屬(例如，鉬、鎢)，或陶瓷。此等材料亦滿足已經關於塗層而描述的上文所提及之要求，且尤其能夠耐受大於232℃之溫度。

在此實施例中不再存在將塗層施加至表面之任何問題，此係因為噴嘴自身係由此材料本體形成。唯一要求為，用以形成噴嘴之材料能夠支撐延伸通過該材料之導管，燃料可流動通過該導管。為了達成此情形，可在噴嘴周圍提供套管或台架以增進或維持結構完整性。

儘管已關於輻射源而描述上文所提及之實施例，但使用如上文所描述之噴嘴可特別有用於其他應用中，在該等應用中需要用於液體小滴產生器中之噴嘴，例如，在噴墨印刷領域或其類似者中。

應瞭解，在所有實施例中，形成塗層或形成噴嘴所需要之平滑或非黏著材料可取決於在使用時存在於流動通過噴嘴之液體中之污染物的特別普遍類型而變化。確切要求可取決於數個不同屬性，例如，接觸角、表面相互作用及力，及其類似者。然而，熟習此項技術者應瞭解，可根據需要及在需要時針對適當應用而選擇適當材料。

儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。

術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。

雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性的而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離以下申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

2‧‧‧圍封結構

4‧‧‧雷射

6‧‧‧雷射光束

8‧‧‧燃料供應件

10‧‧‧高度離子化電漿/輻射發射電漿

12‧‧‧電漿形成部位

14‧‧‧近正入射輻射收集器

16‧‧‧虛擬源點/中間焦點

18‧‧‧開口

20‧‧‧琢面化場鏡面器件

22‧‧‧琢面化光瞳鏡面器件

24‧‧‧經圖案化光束

26‧‧‧反射元件

28‧‧‧反射元件

30‧‧‧導管

32‧‧‧噴嘴

34‧‧‧燃料小滴串流/燃料小滴

40‧‧‧粒子

50‧‧‧導管

52‧‧‧噴嘴

54‧‧‧塗層

60‧‧‧導管

62‧‧‧噴嘴

B‧‧‧輻射光束

C‧‧‧目標部分

IL‧‧‧照明系統/照明器

LAP‧‧‧微影裝置

M1‧‧‧光罩對準標記

M2‧‧‧光罩對準標記

MA‧‧‧圖案化器件

MT‧‧‧支撐結構

P1‧‧‧基板對準標記

P2‧‧‧基板對準標記

PM‧‧‧第一定位器

PS‧‧‧投影系統

PS1‧‧‧位置感測器

PS2‧‧‧位置感測器

PW‧‧‧第二定位器

SO‧‧‧源收集器模組

W‧‧‧基板

WT‧‧‧基板台

圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；圖2為圖1之裝置的更詳細視圖，其包括LPP源收集器模組；圖3示意性地描繪輻射源之噴嘴，該噴嘴經組態以沿著朝向電漿形成部位之軌跡引導燃料小滴串流；圖4示意性地描繪圖3之噴嘴之內部表面上的污染物沈積，及對離開該噴嘴之小滴之軌跡的影響；圖5示意性地描繪根據本發明之第一實施例的噴嘴；及圖6示意性地描繪根據本發明之第二實施例的噴嘴。