WO2011012267A1 - Vergrössernde abbildende optik sowie metrologiesystem mit einer derartigen abbildenden optik - Google Patents

Vergrössernde abbildende optik sowie metrologiesystem mit einer derartigen abbildenden optik Download PDF

Info

Publication number
WO2011012267A1
WO2011012267A1 PCT/EP2010/004519 EP2010004519W WO2011012267A1 WO 2011012267 A1 WO2011012267 A1 WO 2011012267A1 EP 2010004519 W EP2010004519 W EP 2010004519W WO 2011012267 A1 WO2011012267 A1 WO 2011012267A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
imaging
imaging optics
field
image
mirrors
Prior art date
Application number
PCT/EP2010/004519
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Hans-Jürgen Mann
Original Assignee
Carl Zeiss Sms Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss Sms Gmbh filed Critical Carl Zeiss Sms Gmbh
Publication of WO2011012267A1 publication Critical patent/WO2011012267A1/de
Priority to US13/357,222 priority Critical patent/US8842284B2/en
Priority to US14/468,620 priority patent/US9482794B2/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/08Mirrors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/02Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
    • G02B17/06Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
    • G02B17/0647Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors
    • G02B17/0663Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors off-axis or unobscured systems in which not all of the mirrors share a common axis of rotational symmetry, e.g. at least one of the mirrors is warped, tilted or decentered with respect to the other elements
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00Reflectors for light sources
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70233Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems

Definitions

  • the invention relates to a magnifying imaging optics according to the preamble of claim 1 and a metrology system with such imaging optics.
  • a magnifying imaging optics of the type mentioned above is known from the situation and analysis of effects of properties of masks for microlithography from DE 102 20 815 Al.
  • Other imaging optics are known from US 6,894,834 B2, the
  • the object is achieved by an imaging optics with the features specified in claim 1.
  • the imaging optics are therefore particularly suitable for scanning lithographic masks which are used in the projection exposure for the production of semiconductor components, after structuring errors and on a plane detection field, in which, for example, a CCD chip can be accommodated, map. Large-area detection, in particular of mask defects, is thus possible with the imaging optics.
  • PMI Plasma Mask Inspection
  • the Petzval radius of the image field may be greater than 500 mm, may be 659 mm, may be greater than 1,000 mm, may be 1,452 mm, may be greater than 1,500 mm, may be 1,874 mm, may be greater than 2,000 mm , may be 2,469 mm, may be larger than 2,500 mm, may be 2,907 mm, may be larger than 4,000 mm, may be larger than 5,000 mm, and may be 5,027 mm in particular.
  • the object field can be arranged off-axis, that is spaced apart from an optical axis.
  • the image scale greater than 500 leads to a good suitability of the imaging optics in the context of a metrology and inspection system.
  • the magnification can be greater than 600 and can be 750 in particular.
  • the imaging optics can also be used as a downsizing imaging optic, whereby the object field and image field exchange their function and the relationship between object size and image size is used as a magnification.
  • object-side components of the imaging optics those components on the high-aperture side of the imaging optics are meant.
  • image-side components of the imaging optics the components on the low-aperture side are meant.
  • the imaging optic is used as a decreasing imaging optic, the light path of imaging light goes from the low-aperture side to the high-aperture side of the imaging optic.
  • the two mirrors closest to the field in the imaging beam path on the high-aperture track te of the imaging optics may be concave. This leads to the possibility of a well-corrected design of the imaging optics.
  • a ratio of the amount of Petzvalradius and a length of the imaging optical system according to claim 2 leads to a particularly small influence of the field curvature on the image quality.
  • the ratio of the amount of the Petzvalradius and a length of the imaging optics may be at least 0.5, at least 1.0, at least 1, 5 and may for example be 1, 66 or 1, 94.
  • the overall length is the distance between the two components of the imaging optic which are arranged furthest apart from one another, whereby the object field and / or the image field are understood as components in this context.
  • the overall length is the distance between the object field and the object
  • Image field For example, if, for example, one of the mirrors is farther from one of the panels than the two panels are spaced apart, it may also be the distance between one of the panels and the component farthest therefrom.
  • the overall length always refers to an unfolded beam path, d. H. on an imaging optics without beam deflection by plane mirror.
  • An object field size according to claim 4 is particularly suitable for a PMI application.
  • the object field may in particular have the dimensions 0.2 mm ⁇ 0.2 mm, 0.6 mm ⁇ 0.6 mm, 1.0 mm ⁇ 0.2 mm or 1.0 mm ⁇ 0.4 mm. Area-wide large object fields such. For example, the object field dimensions 1.0 mm x 0.2 mm or 1.0 mm x 0.4 mm may be favored by using an off-axis field.
  • An object-side numerical aperture according to claim 5 is well adapted to the imaging conditions of projection lenses of projection exposure systems for EUV microlithography for the production of microstructured or nanostructured components.
  • the object-side numerical aperture may be at least 0.0825, at least 0.125, at least 0.2, or even 0.3.
  • the imaging optics can be designed so that it is possible to change between these numerical apertures with the aid of an aperture stop.
  • An object-side main beam angle according to claim 6 is also adapted to the conditions in the EUV projection exposure.
  • the object-side main beam angle can also be 8 °.
  • the imaging optics can be designed for several main beam angles, which can be changed by means of an aperture diaphragm. This may be the same aperture stop with which, if necessary, the object-side numerical aperture is adjustable. The main beam angles discussed above may be present on the high-aperture side of the imaging optics.
  • the imaging optics can be made telecentric. A image-side telecentric configuration of the imaging optical system prevents a lateral position of the pixels from being changed in the case of defocusing, for example, of a detector element in the image plane. The image-side telecentric configuration thus prevents scale and distortion errors from occurring during such image-side displacement.
  • a maximum angle of incidence of a main beam according to claim 7 allows the design of the imaging optics with a highly reflective multi-layer (multilayer) coating to optimize the Nutzlicht- throughput of the imaging optics.
  • a maximum wavefront error (rms) according to claim 8 and a maximum distortion according to claim 9 lead to a particularly high imaging quality of the imaging optics.
  • the maximum wavefront error (rms) can be 37.6 m ⁇ , 26.0 m ⁇ , 11.6 m ⁇ , 10.7 m ⁇ or 6.4 m ⁇ .
  • the maximum distortion can be 5.7 ⁇ m, 3.0 ⁇ m, 2.0 ⁇ m, 1.0 ⁇ m, 0.8 ⁇ m or even 0.4 ⁇ m.
  • Fig. 1 is a meridional section through a first embodiment of a magnifying imaging optics for use in a Metrology system for the simulation and analysis of effects of properties of lithographic masks on an optical image within a projection optical system of a projection exposure apparatus for microlithography and for the large-area detection of mask defects;
  • a magnifying imaging optic 1, shown in FIG. 1, is used in a metrology system for scanning analysis of a lithographic mask after patterning errors.
  • a metrology system is also referred to as PMI (Patterned Mask Inspection) tool.
  • PMI Patterned Mask Inspection
  • a structuring error recorded with the PMI tool can be examined in more detail with the help of an analysis of an aerial image metrology system (AIMS).
  • AIMS aerial image metrology system
  • the metrology system is used to simulate and analyze the effects of properties of lithographic masks, which in turn are used in projection exposure for the production of semiconductor devices, on the optical imaging of projection optics within the projection exposure apparatus.
  • AIMS systems are known from DE 102 20 815 A1.
  • the PMI tool whose component is the magnifying imaging optics 1, has a much larger object field 2 in comparison to an AIMS system.
  • the imaging optics 1 with such a large field by appropriate design of the illumination, allows the use both in a PMI Mode, as well as in an AIMS mode.
  • the imaging optics 1 images the object field 2 in an object plane 3 with a magnification factor of 750 into an image field 4 in an image plane 5.
  • the lithography mask to be measured which is also referred to as a reticle, can be arranged.
  • image field 4 a CCD chip sensitive to the imaging wavelength of a CCD camera can be arranged to analyze the generated, enlarged image.
  • a Cartesian xyz coordinate system is used below.
  • the x-axis extends in Fig. 1 perpendicular to the plane in this.
  • the y-axis extends in Fig. 1 upwards.
  • the z-axis extends in Fig. 1 to the right.
  • FIG. 1 Shown in FIG. 1 is the course of main beams 6 and of coma beams 7, 8 which emanate from five superimposed object field points in the y direction.
  • the main beams 6 on the one hand and the coma beams 7, 8 on the other hand are also referred to below as imaging beams.
  • the object field 2 on the one hand and the image field 4 on the other hand lie in mutually spaced xy planes.
  • the object field 2 has an extension of 0.2 mm in the x direction and in the y direction, that is to say has a field size of 0.2 ⁇ 0.2 mm 2 .
  • the principal rays 6 pass in the imaging beam path between the object field 2 and the image field 4 from the object field 2 with a main beam angle ⁇ of 8 ° to a normal 9 extending in the z direction on a central object field point of the object plane 3.
  • Other main beam angles ⁇ of z. B. 9 °, 10 ° or even larger main beam angle are possible depending on the selected aperture and can be used for separation an illumination beam path from the imaging beam path may be required.
  • the imaging beams 6 to 8 strike the image field 4 almost perpendicular to the image plane 5 and almost parallel to one another.
  • the imaging optics 1 has exactly four mirrors, which are designated in the sequence of their arrangement in the imaging beam path below with Ml, M2, M3 and M4.
  • the decentralized and exchangeable aperture diaphragm can be arranged in the installation space between the object plane 3 and the mirror M2. This is not shown in FIG. 1.
  • the first mirror M1 in the beam path between the object field 2 and the image field 4 is aspherical and the further mirrors M2 to M4 are spherical.
  • FIG. 1 Shown in FIG. 1 are the sectional curves of parent surfaces which are used for the mathematical modeling of the reflection surfaces of the mirrors M1 to M4.
  • the illustrated sectional plane actually physically present are those areas of the reflection surfaces of Mirror M1 to M4, which are actually acted upon by the coma rays 7, 8 and between the coma rays 7, 8 with imaging radiation.
  • the object field 2 of the imaging optical system 1 according to FIG. 1 is at a distance from an optical axis 0A (off-axis).
  • the optical axis is the common rotational symmetry axis of the reflection surfaces of the imaging optical system 1, that is to say the mirrors M1 to M4.
  • the imaging optics 1 is designed for an operating wavelength of 13.5 nm.
  • the imaging optics 1 has an object-side numerical aperture of 0.125.
  • Optical data of the imaging optical system 1 according to FIG. 1 are reproduced below with reference to two tables.
  • the first table shows the radius of curvature of the mirrors M1 to M4 in the column "radius.”
  • the third column (thickness) describes the distance, starting from the object plane 3, to the following surface in the z-direction.
  • the second table describes the exact surface shape of the reflection surfaces of the mirror Ml, wherein the constants K and A to E are to be used in the following equation for the arrowhead:
  • h represents the distance to the optical axis, that is to say to the normal 9, of the imaging optics 1.
  • h 2 x 2 + y 2 .
  • the inverse of "radius" is used in the equation.
  • the following table shows the angles of incidence of the main beam 6 of the central object field point and the maximum angles of incidence of the imaging beams 6 to 8 on the individual mirrors M1 to M4:
  • the maximum angle of incidence is 10.34 °, ie less than 1 1 °.
  • the imaging optics 1 has a Petzvalradius whose amount is 1,874 mm. The amount of Petzvalradius is therefore greater than 500 mm.
  • An overall length T ie a distance between the object plane 3 and the image plane 5, is 1,000 mm.
  • a ratio of the length T and the magnification ß is
  • a field radius in the object plane 3 is 0.27 mm.
  • a wavefront error (rms) over the image field 4 is 10.7 m ⁇ in the imaging optics 1.
  • a distortion over the image field 4 in the imaging optical system 1 according to FIG. 1 is 3.0 ⁇ m.
  • the imaging optics 1 is telecentric on the image side.
  • the imaging optics 1 is therefore part of a metrology system.
  • a light source that provides illumination light with the operating wavelength of 13.5 mm
  • an illumination optics for illuminating the object field 2 and in connection with the image field 4 already addressed CCD chip, which is part of a detection device of the metrology system.
  • Suitable light sources are the light sources customary also for lithography systems, for example laser plasma sources (LPP) or discharge produced plasma (DPP).
  • LPP laser plasma sources
  • DPP discharge produced plasma
  • the two first mirrors M1, M2 in the imaging beam path between the object field 2 and the image field 4 are aspherical and the two further mirrors M3, M4 spherical.
  • the optical data of the imaging optical system 1 1 according to FIG. 2 are reproduced below with reference to two tables which correspond in structure to the tables of the imaging optical system 1 according to FIG.
  • the maximum angle of incidence is 16.75 °, ie less than 20 ° and in particular less than 17 °. Again, it is possible to apply a highly reflective multilayer coating on the mirror of the imaging optics with relatively simple production.
  • the amount of the Petzval radius is 1 in the imaging optics
  • An overall length T ie a distance between the object plane 3 and the image plane 5, is 1,323 mm.
  • a field radius in the object plane 3 is 0.29 mm.
  • a wavefront error (rms) over the image field 4 is 6.4 m ⁇ .
  • a distortion over the image field 4 is 0.8 ⁇ m.
  • the imaging optics 1 1 has an object-side numerical aperture of 0.2.
  • An imaging optical system 12 will be described below with reference to FIG. 3, which may be used instead of the imaging optical system 1 according to FIG. Components and functions which correspond to those which have already been explained above with reference to FIG. 1 have the same reference numbers and will not be discussed again in detail.
  • the first two mirrors M1, M2 in the imaging beam path are also aspherical in the imaging optical system 12, and the subsequent mirrors M3, M4 are of spherical design.
  • the amount of Petzvalradius the imaging optics 12 is 2,469 mm.
  • An overall length T, ie a distance between the object plane 3 and the image plane 5, is 1487 mm.
  • a field radius in the object plane 3 is 0.29 mm.
  • a wavefront error (rms) across the image field 4 is 37.6 m ⁇ .
  • a distortion over the image field 4 is 2.0 ⁇ m.
  • the optics 12 is telecentric on the image side.
  • An object-side numerical aperture of the imaging optics 12 is 0.3. This high object-side numerical aperture not only enables a PMI or AIMS inspection of a patterned lithographic mask, but even an inspection of an unstructured but coated one Mask substrate. Such an inspection is also referred to as "mask blank inspection.” With the imaging optics 12 and a metrology system employing them, therefore, a complete three-stage mask qualification is possible in which inspection of the unstructured, coated mask substrate takes place in a first stage second stage PMI inspection and third stage AIMS inspection.
  • optical data of the imaging optical unit 12 according to FIG. 3 are reproduced below with reference to two tables, which correspond in structure to the tables of the imaging optical unit 1 according to FIG.
  • the maximum angle of incidence is 22.10 °, ie in particular less than 25 °.
  • an imaging optical system 13 is described below, which can be used instead of the imaging optical system 1 according to FIG.
  • Components and functions corresponding to those already explained above with reference to FIG. 1 bear the same reference numerals and will not be discussed again in detail.
  • the amount of the Petzvalradius of the imaging optics 13 is 5,027 mm.
  • An overall length T, ie a distance between the object plane 3 and the image plane 5, is 1,500 mm.
  • a field radius in the object plane 3 is 0.67 mm.
  • a wavefront error (rms) over the image field 4 is 26.0 m ⁇ .
  • a distortion over the image field 4 is 5.7 ⁇ m.
  • An object-side numerical aperture of the imaging optics 13 is 0.2.
  • optical data of the imaging optical unit 13 according to FIG. 4 are reproduced below with reference to two tables, which correspond in structure to the tables of the imaging optical system 1 according to FIG.
  • the maximum angle of incidence is 17.91 °, ie less than 20 ° and in particular less than 18 °.
  • an imaging optical system 14 will be described below with reference to FIG. 5, which may be used instead of the imaging optical system 1 according to FIG. Components and functions corresponding to those already explained above with reference to FIG. 1 bear the same reference numerals and will not be discussed again in detail.
  • the amount of the Petzvalradius of the imaging optics 14 is 658.7 mm.
  • An overall length T, ie a distance between the object plane 3 and the image plane 5, is 1,500 mm.
  • a field radius in the object plane 3 is 1, 00 mm. Because of this large field radius, the object field 2 can be significantly increased in the x direction.
  • An x / y aspect ratio of the object field 2 is no longer in the imaging optics 14, as in the imaging optics 1, 1 1, 12, and 13, 1: 1, which corresponds to a square field shape, but 5: 1.
  • the object field 2 has in an x / y supervision the shape of a ring field segment with the dimensions 1, 0 mm x 0.2 mm.
  • a wavefront error (rms) over the image field 4 is 11, 6 m ⁇ .
  • a drawing over the image field 4 is 1.0 ⁇ m.
  • An object-side numerical aperture of the imaging optics 14 is 0.125.
  • the optical data of the imaging optical system 14 according to FIG. 5 are reproduced below with reference to two tables, which correspond in structure to the tables of the imaging optical system 1 according to FIG.
  • the maximum angle of incidence is 20.10 °, ie less than 25 ° and in particular less than 21 °. Again, it is possible to apply a highly reflective multilayer coating on the mirror of the imaging optics with relatively simple production.
  • FIG. 6 A further embodiment of an imaging optical system 15 will be described below with reference to FIG. 6, which may be used instead of the imaging optical system 1 according to FIG.
  • Components and functions corresponding to those described above with reference to FIG. have been explained, bear the same reference numbers and will not be discussed again in detail.
  • the last mirror M4 of the imaging optics 15 is convex.
  • the image field 4 of the imaging optical system 15 can then be arranged greatly off-axis, that is to say it is far away from the optical axis, without the extent of a reflection surface of the last mirror M4 having to be particularly large at the same time.
  • the reflection surface of the mirror M4 has an extension of 166 mm in the x direction and thus only 22% of the x-dimension of the image field 4, which is 750 mm.
  • the distance of the mirror M4 to the optical axis is small compared to the distance of the image field 4 from the optical axis, so that the imaging optical system 15 has a compact arrangement of the mirrors M1 to M4.
  • the amount of Petzvalradius the imaging optics 15 is 2,907 mm.
  • An overall length T, ie a distance between the object plane 3 and the image plane 5, is 1,500 mm.
  • a field radius in the object plane 3 is 1.20 mm. Because of this large field radius, the object field 2 can be significantly increased in the x direction.
  • An x / y aspect ratio of the object field 2 is no longer in the imaging optics 15, as in the imaging optics 1, 1 1, 12, and 13, 1: 1, which corresponds to a square field shape, but 2.5: 1.
  • the object field 2 has the shape of an annular field segment with the dimensions 1.0 mm ⁇ 0.4 mm in an x / y plan view.
  • a wavefront error (rms) over the image field 4 is 6.4 m ⁇ .
  • a drawing over the image field 4 is 0.4 ⁇ m.
  • An object-side numerical aperture of the imaging optics 15 is 0.125.
  • the optical data of the imaging optical system 15 according to FIG. 6 are reproduced below with reference to two tables, which correspond in structure to the tables of the imaging optical system 1 according to FIG.
  • the maximum angle of incidence is 21.99 °, ie less than 25 ° and in particular less than 22 °.
  • the overall length T always refers to an unfolded configuration of the imaging optics, that is, to a configuration without purely deflecting acting intermediate plane mirror.
  • the length T is defined either by the distance between the object field and the image field, by the distance between the object field and the most distant optical component or by the distance between the image field and the most distant optical component.

Abstract

Eine vergrößernde abbildende Optik (1) hat mindestens vier Spiegel (M1 bis M4), die ein Objektfeld (2) in einer Objektebene (3) in ein Bildfeld (4) in einer Bildebene (5) abbilden. Ein Betrag des Petzvalradius des Bildfeldes (4) ist größer als 500 mm. Es resultiert eine abbildende Optik, bei der eine Inspektion auch größerer Maskenabschnitte von Lithographiemasken, die bei der Projektionsbelichtung zur Herstellung hochintegrierter Halbleiterbauteile eingesetzt werden, mit ausreichender Abbildungsqualität möglich ist.

Description

Vergrößernde abbildende Optik sowie Metrologiesystem mit einer derartigen abbildenden Optik
Die Erfindung betrifft eine vergrößernde abbildende Optik nach dem Ober- begriff des Anspruchs 1 sowie ein Metrologiesystem mit einer derartigen abbildenden Optik.
Eine vergrößernde abbildende Optik der eingangs genannten Art ist zur Situation und Analyse von Auswirkungen von Eigenschaften von Masken für die Mikrolithografie aus der DE 102 20 815 Al bekannt. Weitere abbildende Optiken sind bekannt aus der US 6,894,834 B2, der
WO 2006/0069725 Al und der US 5,071,240.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine abbildende Optik der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass auch eine Inspektion größerer Maskenabschnitte von Lithographiemasken, die bei der Projektionsbelichtung zur Herstellung hochintegrierter Halbleiterbauteile eingesetzt werden, mit ausreichender Abbildungsqualität möglich ist. Die Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine abbildende Optik mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.
Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass ein großer Petzvalradius zur Möglichkeit führt, auch größere Abschnitte eines im Objektfeld angeordneten Objektes mit ausreichender Abbildungsqualität in ein planes Bildfeld abzubilden. Die abbildende Optik eignet sich daher insbesondere dazu, Lithographiemasken, die bei der Projektionsbelichtung zur Herstellung von Halbleiterbauelementen zum Einsatz kommen, nach Strukturierungsfehlern abzuscannen und auf ein planes Detektionsfeld, in dem beispielsweise ein CCD-Chip untergebracht werden kann, abzubilden. Eine großflächige De- tektion, insbesondere von Maskendefekten, ist mit der abbildenden Optik also möglich. Ein derartiger Prozess ist als PMI (Patterned Mask Inspecti- on, Untersuchung strukturierter Masken) bekannt. Der Betrag des Petzval- radius des Bildfeldes kann größer sein als 500 mm, kann 659 mm betragen, kann größer sein als 1.000 mm, kann 1.452 mm betragen, kann größer sein als 1.500 mm, kann 1.874 mm betragen, kann größer sein als 2.000 mm, kann 2.469 mm betragen, kann größer sein als 2.500 mm, kann 2.907 mm betragen, kann größer sein als 4.000 mm, kann größer sein als 5.000 mm und kann insbesondere 5.027 mm betragen. Das Objektfeld kann außeraxial angeordnet, also beabstandet zu einer optischen Achse sein. Der Abbildungsmaßstab größer als 500 führt zu einer guten Eignung der abbildenden Optik im Rahmen eines Metrologie- und Inspektionssystems. Der Abbildungsmaßstab kann größer sein als 600 und kann insbesondere 750 betra- gen.
Die abbildende Optik kann natürlich umgedreht auch als verkleinernde abbildende Optik benutzt werden, wobei dann Objektfeld und Bildfeld ihre Funktion tauschen und als Abbildungsmaßstab das Verhältnis zwischen Objektgröße und Bildgröße eingesetzt wird. Wenn nachfolgend von objekt- seitigen Komponenten der abbildenden Optik die Rede ist, sind diejenigen Komponenten auf der hochaperturigen Seite der abbildenden Optik gemeint. Wenn von bildseitigen Komponenten der abbildenden Optik die Rede ist, sind die Komponenten auf der niederaperturigen Seite gemeint. Wenn die abbildende Optik als verkleinernde abbildende Optik genutzt wird, geht der Lichtweg von Abbildungslicht von der niederaperturigen Seite hin zur hochaperturigen Seite der abbildenden Optik. Die beiden im Abbildungsstrahlengang feldnächsten Spiegel auf der hochaperturigen Sei- te der abbildenden Optik können konkav ausgebildet sein. Dies führt zur Möglichkeit eines gut korrigierten Designs der abbildenden Optik.
Ein Verhältnis aus dem Betrag des Petzvalradius und einer Baulänge der abbildenden Optik nach Anspruch 2 fuhrt zu einem besonders geringen Einfluss der Bildfeldkrümmung auf die Abbildungsqualität. Das Verhältnis aus dem Betrag des Petzvalradius und einer Baulänge der abbildenden Optik kann mindestens 0,5, mindestens 1,0, mindestens 1 ,5 und kann beispielsweise 1 ,66 oder 1 ,94 betragen.
Bei der Baulänge handelt es sich um den Abstand der beiden am weitesten voneinander entfernt angeordneten Komponenten der abbildenden Optik, wobei als Komponenten in diesem Zusammenhang auch das Objektfeld und/oder das Bildfeld verstanden werden. In der Regel handelt es sich bei der Baulänge also um den Abstand zwischen dem Objektfeld und dem
Bildfeld. Im Einzelfall, wenn nämlich beispielsweise einer der Spiegel von einem der Felder weiter entfernt ist als die beiden Felder voneinander beabstandet sind, kann es sich auch um den Abstand zwischen einem der Felder und der am weitesten von diesem entfernten Komponente handeln. Die Baulänge bezieht sich dabei immer auf einen ungefalteten Strahlengang, d. h. auf eine abbildende Optik ohne Strahlumlenkung mittels Planspiegel.
Wenn die abbildende Optik nach Anspruch 3 mindestens einen Spiegel ohne Durchgangsöffnung zum Durchgang von Abbildungslicht, also mit einer durchgehend genutzten Reflexionsfläche hat, vereinfacht dies die Herstellung der abbildenden Optik. Eine Objektfeldgröße nach Anspruch 4 eignet sich besonders für eine PMI- Anwendung. Das Objektfeld kann insbesondere die Dimensionen 0,2 mm x 0,2 mm, 0,6 mm x 0,6 mm, 1,0 mm x 0,2 mm oder 1,0 mm x 0,4 mm haben. Flächenmäßig große Objektfelder wie z. B. die Objektfelddimensio- nen 1,0 mm x 0,2 mm oder 1,0 mm x 0,4 mm können durch Verwendung eines außeraxialen Feldes begünstigt werden.
Eine objektseitige numerische Apertur nach Anspruch 5 ist gut an die Abbildungsverhältnisse von Projektionsobjektiven von Projektionsbelich- tungsanlagen für die EUV-Mikrolithografie zur Herstellung mikro- bzw. nanostrukturierter Bauteile angepasst. Die objektseitige numerische Apertur kann mindestens 0,0825, mindestens 0,125, mindestens 0,2 oder sogar 0,3 betragen. Je höher die objektseitige numerische Apertur ist, desto vielseitiger sind die Einsatzmöglichkeiten der abbildenden Optik, insbesondere im Zusammenhang mit einem Metrologiesystem. Die abbildende Optik kann so ausgelegt sein, dass zwischen diesen numerischen Aperturen mit- hilfe einer Aperturblende gewechselt werden kann.
Ein objektseitiger Hauptstrahlwinkel nach Anspruch 6 ist ebenfalls an die Verhältnisse bei der EUV-Projektionsbelichtung angepasst. Der objektseitige Hauptstrahlwinkel kann auch 8° betragen. Die abbildende Optik kann für mehrere Hauptstrahlwinkel ausgelegt sein, zwischen denen mithilfe einer Aperturblende gewechselt werden kann. Dabei kann es sich um die gleiche Aperturblende handeln, mit der gegebenenfalls die objektseitige numerische Apertur einstellbar ist. Die vorstehend diskutierten Hauptstrahlwinkel können an der hochaperturigen Seite der abbildenden Optik vorliegen. Die abbildende Optik kann telezentrisch ausgeführt sein. Eine bildseitig telezentrische Ausgestaltung der abbildenden Optik verhindert, dass sich bei einer Defokussierung beispielsweise eines Detektorelements in der Bildebene auch eine laterale Position der Bildpunkte verändert. Durch die bildseitig telezentrische Ausgestaltung ist also verhindert, dass Maßstabsund Verzeichnungsfehler bei einer derartigen bildseitigen Verlagerung entstehen.
Ein maximaler Einfallswinkel eines Hauptstrahls nach Anspruch 7 erlaubt die Ausgestaltung der abbildenden Optik mit einer hochreflektiven Mehr- lagen-(Multilayer)Beschichtung zur Optimierung des Nutzlicht- Durchsatzes der abbildenden Optik.
Ein maximaler Wellenfrontfehler (rms) nach Anspruch 8 und eine maxima- Ie Verzeichnung nach Anspruch 9 führen zu einer besonders hohen Abbildungsqualität der abbildenden Optik. Der maximale Wellenfrontfehler (rms) kann 37,6 mλ, 26,0 mλ, 11,6 mλ, 10,7 mλ oder 6,4 mλ betragen. Die maximale Verzeichnung kann 5,7 μm, 3,0 μm, 2,0 μm, 1,0 μm, 0,8 μm oder auch 0,4 μm betragen.
Die Vorteile eines Metrologie- bzw. Inspektionssystems nach Anspruch 10 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die abbildende Optik bereits erläutert wurden. Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:
Fig. 1 einen Meridionalschnitt durch eine erste Ausführungsform einer vergrößernden abbildenden Optik zum Einsatz in einem Metrologiesystem zur Simulation und zur Analyse von Auswirkungen von Eigenschaften von Lithographiemasken auf eine optische Abbildung innerhalb einer Projektionsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie sowie zur großflächigen Detektion von Maskendefekten;
Fig. 2 bis 6 jeweils in einer zu Fig. 1 ähnlichen Darstellung eine weitere
Ausfuhrungsform der abbildenden Optik. Eine vergrößernde abbildende Optik 1 , die in der Fig. 1 dargestellt ist, wird in einem Metrologiesystem zur scannenden Analyse einer Lithographiemaske nach Strukturierungsfehlern eingesetzt. Ein derartiges Metrologiesystem wird auch als PMI- (Patterned Mask Inspection, Inspektion strukturierter Masken) Tool bezeichnet. In einem nachfolgenden Analyseschritt kann ein mit dem PMI-Tool erfasster Strukturierungsfehler mit Hilfe einer Analyse eines so genannten Luftbildes (Aerial Image Metrology System, AIMS) genauer untersucht werden. Das Metrologiesystem dient zur Simulation und Analyse der Auswirkungen von Eigenschaften von Lithographiemasken, die wiederum bei der Projektionsbelichtung zur Herstellung von Halbleiterbauelementen zum Einsatz kommen, auf die optische Abbildung von Projektionsoptiken innerhalb der Projektionsbelichtungsanlage. AIMS-Systeme sind aus der DE 102 20 815 Al bekannt. Das PMI-Tool, dessen Bestandteil die vergrößernde abbildende Optik 1 ist, hat im Vergleich zu einem AIMS-System ein wesentlich größeres Objektfeld 2. Die abbildende Optik 1 mit einem derart großen Feld erlaubt durch entsprechende Auslegung der Beleuchtung die Verwendung sowohl in einem PMI-Modus, als auch in einem AIMS-Modus. Die abbildende Optik 1 bildet das Objektfeld 2 in einer Objektebene 3 mit einem Vergrößerungsfaktor von 750 in ein Bildfeld 4 in einer Bildebene 5 ab. Im Objektfeld 2 kann die zu vermessende Lithographiemaske, die auch als Retikel bezeichnet ist, angeordnet sein. Im Bildfeld 4 kann zur Analyse des erzeugten, vergrößerten Bildes ein für die Abbildungswellenlänge empfindlicher CCD-Chip einer CCD-Kamera angeordnet sein.
Zur Erleichterung der Darstellung von Lagebeziehungen wird nachfolgend ein kartesisches xyz-Koordinatensystem verwendet. Die x-Achse verläuft in der Fig. 1 senkrecht zur Zeichenebene in diese hinein. Die y- Achse verläuft in der Fig. 1 nach oben. Die z-Achse verläuft in der Fig. 1 nach rechts.
Dargestellt ist in der Fig. 1 der Verlauf von Hauptstrahlen 6 sowie von Komastrahlen 7, 8, die von fünf in der y-Richtung übereinanderliegenden Objektfeldpunkten ausgehen. Die Hauptstrahlen 6 einerseits und die Komastrahlen 7, 8 andererseits werden nachfolgend auch als Abbildungsstrahlen bezeichnet.
Das Objektfeld 2 einerseits und das Bildfeld 4 andererseits liegen in zuein- ander beabstandeten xy-Ebenen. Das Objektfeld 2 hat in der x-Richtung und in der y-Richtung jeweils eine Erstreckung von 0,2 mm, hat also eine Feldgröße von 0,2 x 0,2 mm2.
Die Hauptstrahlen 6 gehen im Abbildungsstrahlengang zwischen dem Ob- jektfeld 2 und dem Bildfeld 4 vom Objektfeld 2 mit einem Hauptstrahlwinkel α von 8° zu einer in z-Richtung verlaufenden Normalen 9 auf einem zentralen Objektfeldpunkt der Objektebene 3 aus. Andere Hauptstrahlwinkel α von z. B. 9°, 10° oder noch größere Hauptstrahlwinkel sind in Abhängigkeit von der gewählten Apertur möglich und können zur Separierung eines Beleuchtungsstrahlengangs vom Abbildungsstrahlengang erforderlich sein.
Eine objektfeldseitige numerische Apertur der abbildenden Optik 1 beträgt NAO = 0, 125. Mithilfe einer dezentrierbaren Aperturblende kann die objektfeldseitige numerische Apertur auf NAO = 0,0625 oder NAO = 0,0825 reduziert werden, wobei dabei gleichzeitig ein Hauptstrahlwinkel α von 6° realisiert werden kann. In der Bildebene 5 treffen die Abbildungsstrahlen 6 bis 8 nahezu senkrecht zur Bildebene 5 und nahezu parallel zueinander auf das Bildfeld 4.
Im Abbildungsstrahlengang zwischen dem Objektfeld 2 und dem Bildfeld 4 hat die abbildende Optik 1 genau vier Spiegel, die in der Reihenfolge ihrer Anordnung im Abbildungsstrahlengang nachfolgend mit Ml, M2, M3 und M4 bezeichnet werden.
Die dezentrierbare und austauschbare Aperturblende kann im Bauraum zwischen der Objektebene 3 und dem Spiegel M2 angeordnet sein. Dies ist in der Fig. 1 nicht dargestellt.
Der im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 2 und dem Bildfeld 4 erste Spiegel Ml ist asphärisch und die weiteren Spiegel M2 bis M4 sind sphärisch ausgeführt.
Dargestellt sind in der Fig. 1 die Schnittkurven von Parentflächen, die für die mathematische Modellierung der Reflexionsflächen der Spiegel Ml bis M4 eingesetzt werden. In der dargestellten Schnittebene tatsächlich physikalisch vorhanden sind diejenigen Bereiche der Reflexionsflächen der Spiegel Ml bis M4, die von den Komastrahlen 7, 8 und zwischen den Komastrahlen 7, 8 tatsächlich mit Abbildungsstrahlung beaufschlagt werden.
Das Objektfeld 2 der abbildenden Optik 1 nach Fig. 1 ist von einer opti- sehen Achse oA beabstandet (off-axis). Die optische Achse ist die gemeinsame Rotations-Symmetrie-Achse der Reflexionsflächen der abbildenden Optik 1, also der Spiegel Ml bis M4.
Im Abbildungsstrahlengang zwischen den Spiegeln Ml und M2 liegt ein Zwischenbild 10.
Die abbildende Optik 1 ist ausgelegt auf eine Betriebswellenlänge von 13,5 nm. Die abbildende Optik 1 hat eine objektseitige numerische Apertur von 0,125.
Optische Daten der abbildenden Optik 1 nach Fig. 1 werden nachfolgend anhand zweier Tabellen wiedergegeben. Die erste Tabelle zeigt in der Spalte„Radius" jeweils den Krümmungsradius der Spiegel Ml bis M4. Die dritte Spalte (Dicke) beschreibt den Abstand, ausgehend von der Objekt- ebene 3, jeweils zur nachfolgenden Oberfläche in z-Richtung.
Die zweite Tabelle beschreibt die genaue Oberflächenform der Reflexionsflächen des Spiegels Ml, wobei die Konstanten K sowie A bis E in folgende Gleichung für die Pfeilhöhe einzusetzen sind:
+ Bh6 + Ch* + D/710 + Eh]2(+ Fti* + Ghi6)
Figure imgf000011_0001
v ' h stellt hierbei den Abstand zur optischen Achse, also zur Normalen 9, der abbildenden Optik 1 dar. Es gilt also h2 = x2 + y2. Für c wird in die Gleichung der Kehrwert von„Radius" eingesetzt.
Figure imgf000012_0001
Figure imgf000012_0002
Die nachfolgende Tabelle gibt die Einfallswinkel des Hauptstrahls 6 des zentralen Objektfeldpunktes sowie die maximalen Einfallswinkel der Abbildungsstrahlen 6 bis 8 auf den einzelnen Spiegeln Ml bis M4 wieder:
Figure imgf000012_0003
Der maximale Einfallswinkel beträgt 10,34°, also weniger als 1 1 °. Für diese maximalen Einfallswinkel reicht es aus, die Spiegel Ml bis M4 für die Betriebswellenlänge bei 13,5 nra mit einer Mehrlagen-(Multilayer) Be- schichtung mit einer über die genutzte Reflexionsfläche der Spiegel Ml bis M4 konstanten Einzelschichtdicke aufzubringen. Bei vergleichsweise einfacher Herstellung ergeben sich hierdurch hohe Reflexionsgrade der Spie- gel Ml bis M4 und ein entsprechend hoher Durchsatz der abbildenden Optik 1 für die Betriebswellenlänge von 13,5 nm.
Die abbildende Optik 1 hat einen Petzvalradius, dessen Betrag 1.874 mm ist. Der Betrag des Petzvalradius ist also größer als 500 mm.
Eine Definition des Petzvalradius findet sich in dem Fachbuch von
H.Gross,Handbook of Optics, Vol. 1, Wiley- VCH- Verlag, Weinheim, 2005, Seite 514, Formel 1 1-37. Danach gilt für den Betrag des Petzvalradius \R, eines Spiegelsystems aus m Spiegeln
\R*
*—> D
(=1 R, wobei |Rj| der Betrag des Radius des i-ten Spiegels ist und
Figure imgf000013_0001
für Konkavspiegel und (Xj=- 1 für Konvexspiegel gilt.
Eine Baulänge T, also ein Abstand zwischen der Objektebene 3 und der Bildebene 5, beträgt 1.000 mm. Ein Verhältnis aus dem Betrag des Petzvalradius und der Baulänge T beträgt daher 1.874 / 1.000 = 1 ,874. Ein Verhältnis aus der Baulänge T und dem Abbildungsmaßstab ß beträgt
1.000 mm / 750 = 1,33 mm.
Ein Feldradius in der Objektebene 3 beträgt 0,27 mm. Ein Wellenfrontfehler (rms) über das Bildfeld 4 beträgt bei der abbildenden Optik 1 10,7 mλ. Eine Verzeichnung über das Bildfeld 4 beträgt bei der abbildenden Optik 1 nach Fig. 1 3,0 μm.
Die abbildende Optik 1 ist bildseitig telezentrisch.
Die abbildende Optik 1 ist also Teil eines Metrologiesystems. Zu diesem Metrologiesystem gehören noch eine Lichtquelle, die Beleuchtungslicht mit der Betriebswellenlänge von 13,5 mm bereitstellt, sowie eine Beleuchtungsoptik zur Ausleuchtung des Objektfeldes 2 und der im Zusammenhang mit dem Bildfeld 4 schon angesprochene CCD-Chip, der Teil einer Detektionseinrichtung des Metrologiesystems ist. Als Lichtquellen kommen die auch für Lithografiesysteme üblichen Lichtquellen in Frage, also beispielsweise Laser-Plasma-Quellen (LPP; laser produced plasma) oder auch Entladungsquellen (DPP; discharge produced plasma). Anhand der Fig. 2 wird nachfolgend eine weitere Ausführung einer abbildenden Optik 11 beschrieben, die anstelle der abbildenden Optik 1 nach Fig. 1 zum Einsatz kommen kann. Komponenten und Funktionen, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffem und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
Bei der abbildenden Optik 1 1 sind die beiden ersten Spiegel Ml, M2 im Abbildungsstrahlengang zwischen dem Objektfeld 2 und dem Bildfeld 4 asphärisch und die beiden weiteren Spiegel M3, M4 sphärisch gestaltet. Die optischen Daten der abbildenden Optik 1 1 nach Fig. 2 werden nachfolgend anhand zweier Tabellen wiedergegeben, die vom Aufbau her den Tabellen der abbildenden Optik 1 nach Fig. 1 entsprechen.
Figure imgf000015_0001
Figure imgf000015_0002
Die Einfallswinkel des Hauptstrahls 6 des zentralen Objektfeldpunktes so- wie die maximalen Einfallswinkel der Abbildungsstrahlen 6 bis 8 im Meri- dionalschnitt auf den einzelnen Spiegeln Ml bis M4 sind in der folgenden Tabelle zusammengefasst:
Figure imgf000016_0001
Der maximale Einfallswinkel beträgt 16,75°, also weniger als 20° und insbesondere weniger als 17°. Auch hier ist es möglich, bei vergleichsweise einfacher Herstellung eine hochreflektierende Mehrlagen-Beschichtung auf die Spiegel der abbildenden Optik aufzubringen.
Der Betrag des Petzvalradius beträgt bei der abbildenden Optik 1 1
1.452 mm. Eine Baulänge T, also ein Abstand zwischen der Objektebene 3 und der Bildebene 5, beträgt 1.323 mm. Ein Verhältnis aus dem Betrag des Petzvalradius und der Baulänge beträgt daher 1.452 / 1.323 = 1,097. Ein Verhältnis aus der Baulänge T und dem Abbildungsmaßstab ß beträgt 1.323 mm / 750 = 1,764. Ein Feldradius in der Objektebene 3 beträgt 0,29 mm.
Ein Wellenfrontfehler (rms) über das Bildfeld 4 beträgt 6,4 mλ. Eine Verzeichnung über das Bildfeld 4 beträgt 0,8 μm. Die abbildende Optik 1 1 hat eine objektseitige numerische Apertur von 0,2. Anhand der Fig. 3 wird nachfolgend eine weitere Ausführung einer abbildenden Optik 12 beschrieben, die anstelle der abbildenden Optik 1 nach Fig. 1 zum Einsatz kommen kann. Komponenten und Funktionen, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die Fig. 1 be- reits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
Wie bei der abbildenden Optik 1 1 sind auch bei der abbildenden Optik 12 die ersten beiden Spiegel Ml, M2 im Abbildungsstrahlengang asphärisch und die nachfolgenden Spiegel M3, M4 sphärisch gestaltet.
Der Betrag des Petzvalradius der abbildenden Optik 12 ist 2.469 mm. Eine Baulänge T, also ein Abstand zwischen der Objektebene 3 und der Bildebene 5, beträgt 1487 mm. Ein Verhältnis aus dem Betrag des Petzvalradi- us und der Baulänge beträgt daher 2.469 / 1.487 = 1 ,66. Ein Verhältnis aus der Baulänge T und dem Abbildungsmaßstab ß beträgt 1.983 mm / 750 = 1,764.
Ein Feldradius in der Objektebene 3 beträgt 0,29 mm.
Ein Wellenfrontfehler (rms) über das Bildfeld 4 beträgt 37,6 mλ. Eine Verzeichnung über das Bildfeld 4 beträgt 2,0 μm.
Die Optik 12 ist bildseitig telezentrisch.
Eine objektseitige numerische Apertur der abbildenden Optik 12 beträgt 0,3. Diese hohe objektseitige numerische Apertur ermöglicht nicht nur eine PMI- oder eine AIMS-Inspektion einer strukturierten Lithographiemaske, sondern sogar eine Inspektion eines unstrukturierten, aber beschichteten Maskensubstrats. Eine derartige Inspektion wird auch als„Mask Blank In- spection" bezeichnet. Mit der abbildenden Optik 12 und einem diese einsetzenden Metrologiesystem ist daher eine vollständige dreistufige Maskenqualifizierung möglich, bei der in einer ersten Stufe eine Inspektion des unstrukturierten, beschichteten Maskensubstrats erfolgt, in einer zweiten Stufe eine PMI-Inspektion erfolgt und in der dritten Stufe eine AIMS- Inspektion erfolgt.
Die optischen Daten der abbildenden Optik 12 nach Fig. 3 werden nachfol- gend anhand zweier Tabellen wiedergegeben, die vom Aufbau her den Tabellen der abbildenden Optik 1 nach Fig. 1 entsprechen.
Figure imgf000018_0001
Figure imgf000018_0002
Die Einfallswinkel des Hauptstrahls 6 des zentralen Objektfeldpunktes sowie die maximalen Einfallswinkel der Abbildungsstrahlen 6 bis 8 im Meri- dionalschnitt auf den einzelnen Spiegeln Ml bis M4 sind in der folgenden Tabelle zusammengefasst:
Figure imgf000019_0001
Der maximale Einfallswinkel beträgt 22,10°, also insbesondere weniger als 25°. Auch hier ist es möglich, bei vergleichsweise einfacher Herstellung eine hochreflektierende Mehrlagen-Beschichtung auf die Spiegel der abbildenden Optik aufzubringen. Anhand der Fig. 4 wird nachfolgend eine weitere Ausführung einer abbildenden Optik 13 beschrieben, die anstelle der abbildenden Optik 1 nach Fig. 1 zum Einsatz kommen kann. Komponenten und Funktionen, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
Der Betrag des Petzvalradius der abbildenden Optik 13 ist 5.027 mm. Eine Baulänge T, also ein Abstand zwischen der Objektebene 3 und der Bildebene 5, beträgt 1.500 mm. Ein Verhältnis aus dem Betrag des Petzvalradius und der Baulänge beträgt daher 5.027 / 1.500 = 3,351. Ein Verhältnis aus der Baulänge T und dem Abbildungsmaßstab ß beträgt 1.500 mm / 750 = 2 mm. Ein Feldradius in der Objektebene 3 beträgt 0,67 mm.
Ein Wellenfrontfehler (rms) über das Bildfeld 4 beträgt 26,0 mλ. Eine Verzeichnung über das Bildfeld 4 beträgt 5,7 μm.
Eine objektseitige numerische Apertur der abbildenden Optik 13 beträgt 0,2.
Die optischen Daten der abbildenden Optik 13 nach Fig. 4 werden nachfol- gend anhand zweier Tabellen wiedergegeben, die vom Aufbau her den Tabellen der abbildenden Optik 1 nach Fig. 1 entsprechen.
Fläche K A B C
Ml 0. OOOOOOE+00 8 .657800E-I l 3.708934E-16 -4,276723E-23
M2 0. OOOOOOE+00 -7 .860763E-08 -7.484639E-12 -4,374040E-24
Fläche D E F G
Ml 6 .944037E-27 3 .767298E-08 2.602137E-37 O.OOOOOOE+00
M2 0. OOOOOOE+00 0. OOOOOOE+00 O.OOOOOOE+00 O.OOOOOOE+00 Die Einfallswinkel des Hauptstrahls 6 des zentralen Objektfeldpunktes sowie die maximalen Einfallswinkel der Abbildungsstrahlen 6 bis 8 im Meri- dionalschnitt auf den einzelnen Spiegeln Ml bis M4 sind in der folgenden Tabelle zusammengefasst:
Figure imgf000021_0001
Der maximale Einfallswinkel beträgt 17,91°, also weniger als 20° und insbesondere weniger als 18°. Auch hier ist es möglich, bei vergleichsweise einfacher Herstellung eine hochreflektierende Mehrlagen-Beschichtung auf die Spiegel der abbildenden Optik aufzubringen. Anhand der Fig. 5 wird nachfolgend eine weitere Ausführung einer abbildenden Optik 14 beschrieben, die anstelle der abbildenden Optik 1 nach Fig. 1 zum Einsatz kommen kann. Komponenten und Funktionen, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
Der Betrag des Petzvalradius der abbildenden Optik 14 ist 658,7 mm. Eine Baulänge T, also ein Abstand zwischen der Objektebene 3 und der Bildebene 5, beträgt 1.500 mm. Ein Verhältnis aus dem Betrag des Petzvalradius und der Baulänge beträgt daher 658,7 / 1.500 = 0,439. Ein Verhältnis aus der Baulänge T und dem Abbildungsmaßstab ß beträgt 1.500 mm / 750 = 2 mm. Ein Feldradius in der Objektebene 3 beträgt 1 ,00 mm. Aufgrund dieses großen Feldradius kann das Objektfeld 2 in der x-Richtung deutlich vergrößert werden. Ein x/y-Aspektverhältnis des Objektfeldes 2 ist bei der abbildenden Optik 14 nicht mehr, wie bei den abbildenden Optiken 1, 1 1 , 12, und 13, 1 : 1 , was einer quadratischen Feldform entspricht, sondern 5 : 1. Das Objektfeld 2 hat dabei in einer x/y- Aufsicht die Form eines Ringfeldsegmentes mit den Abmessungen 1 ,0 mm x 0,2 mm.
Ein Wellenfrontfehler (rms) über das Bildfeld 4 beträgt 11 ,6 mλ. Eine Ver- Zeichnung über das Bildfeld 4 beträgt 1,0 μm.
Eine objektseitige numerische Apertur der abbildenden Optik 14 beträgt 0,125. Die optischen Daten der abbildenden Optik 14 nach Fig. 5 werden nachfolgend anhand zweier Tabellen wiedergegeben, die vom Aufbau her den Tabellen der abbildenden Optik 1 nach Fig. 1 entsprechen.
Figure imgf000022_0001
Fläche K A B C
Ml O.OOOOOOE+00 3 .1 16367E-I l 7 .886056E-17 1 .725819E-22
M2 O.OOOOOOE+00 -6 .977090E-08 -4 .818854E-12 0. OOOOOOE+00
Fläche D E F G
Ml 6.1 17098E-28 0. OOOOOOE+00 0. OOOOOOE+00 0. OOOOOOE+00
M2 O.OOOOOOE+00 0. OOOOOOE+00 0. OOOOOOE+00 0. OOOOOOE+00
Die Einfallswinkel des Hauptstrahls 6 des zentralen Objektfeldpunktes sowie die maximalen Einfallswinkel der Abbildungsstrahlen 6 bis 8 im Meri- dionalschnitt auf den einzelnen Spiegeln Ml bis M4 sind in der folgenden Tabelle zusammengefasst:
Figure imgf000023_0001
Der maximale Einfallswinkel beträgt 20,10°, also weniger als 25° und ins- besondere weniger als 21°. Auch hier ist es möglich, bei vergleichsweise einfacher Herstellung eine hochreflektierende Mehrlagen-Beschichtung auf die Spiegel der abbildenden Optik aufzubringen.
Anhand der Fig. 6 wird nachfolgend eine weitere Ausführung einer abbil- denden Optik 15 beschrieben, die anstelle der abbildenden Optik 1 nach Fig. 1 zum Einsatz kommen kann. Komponenten und Funktionen, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die Fig. 1 be- reits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
Bei der abbildenden Optik 15 sind alle vier Spiegel Ml bis M4 asphärisch gestaltet.
Der letzte Spiegel M4 der abbildenden Optik 15 ist konvex ausgeführt. Das Bildfeld 4 der abbildenden Optik 15 kann dann stark außeraxial angeordnet, also weit von der optischen Achse beabstandet sein, ohne dass gleich- zeitig die Ausdehnung einer Reflexionsfläche des letzten Spiegels M4 besonders groß sein muss. Die Reflexionsfläche des Spiegels M4 hat in der x- Richtung eine Ausdehnung von 166 mm und damit nur 22% der x- Ausdehnung des Bildfeldes 4, die 750 mm beträgt. Der Abstand des Spiegels M4 zur optischen Achse ist verglichen mit dem Abstand des Bildfel- des 4 zur optischen Achse klein, so dass die abbildende Optik 15 eine kompakte Anordnung der Spiegel Ml bis M4 aufweist.
Der Betrag des Petzvalradius der abbildenden Optik 15 ist 2.907 mm. Eine Baulänge T, also ein Abstand zwischen der Objektebene 3 und der BiId- ebene 5, beträgt 1.500 mm. Ein Verhältnis aus dem Betrag des Petzvalradius und der Baulänge beträgt daher 2.907 / 1.500 = 1 ,94. Ein Verhältnis aus der Baulänge T und dem Abbildungsmaßstab ß beträgt 1.500 mm / 750 = 2 mm. Ein Feldradius in der Objektebene 3 beträgt 1,20 mm. Aufgrund dieses großen Feldradius kann das Objektfeld 2 in der x-Richtung deutlich vergrößert werden. Ein x/y-Aspektverhältnis des Objektfeldes 2 ist bei der abbildenden Optik 15 nicht mehr, wie bei den abbildenden Optiken 1, 1 1, 12, und 13, 1 : 1 , was einer quadratischen Feldform entspricht, sondern 2,5 : 1. Das Objektfeld 2 hat dabei in einer x/y-Aufsicht die Form eines Ringfeldsegmentes mit den Abmessungen 1,0 mm x 0,4 mm.
Ein Wellenfrontfehler (rms) über das Bildfeld 4 beträgt 6,4 mλ. Eine Ver- Zeichnung über das Bildfeld 4 beträgt 0,4 μm.
Eine objektseitige numerische Apertur der abbildenden Optik 15 beträgt 0,125. Die optischen Daten der abbildenden Optik 15 nach Fig. 6 werden nachfolgend anhand zweier Tabellen wiedergegeben, die vom Aufbau her den Tabellen der abbildenden Optik 1 nach Fig. 1 entsprechen.
Figure imgf000025_0001
Figure imgf000026_0001
Die Einfallswinkel des Hauptstrahls 6 des zentralen Objektfeldpunktes sowie die maximalen Einfallswinkel der Abbildungsstrahlen 6 bis 8 im Meri- dionalschnitt auf den einzelnen Spiegeln Ml bis M4 sind in der folgenden Tabelle zusammengefasst:
Figure imgf000026_0002
Der maximale Einfallswinkel beträgt 21,99°, also weniger als 25° und ins- besondere weniger als 22°. Auch hier ist es möglich, bei vergleichsweise einfacher Herstellung eine hochreflektierende Mehrlagen-Beschichtung auf die Spiegel der abbildenden Optik aufzubringen. Die Baulänge T bezieht sich immer auf eine ungefaltete Ausgestaltung der abbildenden Optik, also auf eine Ausgestaltung ohne rein umlenkend wirkende zwischengeschaltete Planspiegel. Die Baulänge T wird entweder durch den Abstand zwischen dem Objektfeld und dem Bildfeld, durch den Abstand zwischen dem Objektfeld und der zu diesem entferntesten optischen Komponente oder durch den Abstand zwischen dem Bildfeld und der von diesem entferntesten optischen Komponente definiert.

Claims

Patentanspriiche
1. Vergrößernde abbildende Optik (1 ; 11 ; 12; 13) mit mindestens vier
Spiegeln (Ml bis M4), die ein Objektfeld (2) in einer Objektebene (3) in ein Bildfeld (4) in einer Bildebene (5) abbilden, wobei die abbildende Optik (1 ; 1 1 ; 12; 13) einen Betrag eines Petzvalradius hat, der größer ist als 500 mm, und wobei die abbildende Optik (1 ; 1 1 ; 12; 13) einen Abbildungsmaßstab hat, der größer ist als 500.
2. Abbildende Optik nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch ein Verhältnis aus dem Betrag des Petzvalradius und einer Baulänge (T) der abbildenden Optik (1 ; 1 1 ; 12; 13), das mindestens 0,4 beträgt.
3. Abbildende Optik nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens einer der Spiegel (Ml bis M4) keine Durchgangsöffnung zum Durchgang von Abbildungslicht aufweist.
4. Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 3, mit einem Objektfeld (2) mit einer Größe von mindestens 0,01 mm .
5. Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet durch eine objektseitige numerische Apertur von mindestens 0,0625.
6. Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch einen objektseitigen Hauptstrahlwinkel von mindestens 6°.
7. Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 6, gekennzeichnet durch einen maximalen Einfallswinkel eines Hauptstrahls (6) eines zentralen Feldpunktes auf einen der Spiegel (Ml bis M4) von 1 1 °.
8. Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 7, gekennzeichnet durch maximalen Wellenfrontfehler (rms) von 25 mλ.
9. Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 8, gekennzeichnet durch eine maximale Verzeichnung von 1000 nm.
10. Metrologiesystem zur Untersuchung von Objekten
- mit einer abbildenden Optik (1 ; 1 1 ; 12; 13) nach einem der Ansprü- che I bis 9,
- mit einer Lichtquelle zur Ausleuchtung des Objektfeldes (2),
- mit einer das Bildfeld (4) erfassenden ortsauflösenden Detektions- einrichtung.
PCT/EP2010/004519 2009-07-29 2010-07-23 Vergrössernde abbildende optik sowie metrologiesystem mit einer derartigen abbildenden optik WO2011012267A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/357,222 US8842284B2 (en) 2009-07-29 2012-01-24 Magnifying imaging optical unit and metrology system including same
US14/468,620 US9482794B2 (en) 2009-07-29 2014-08-26 Magnifying imaging optical unit and metrology system including same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009035583A DE102009035583A1 (de) 2009-07-29 2009-07-29 Vergrößernde abbildende Optik sowie Metrologiesystem mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102009035583.9 2009-07-29

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US13/357,222 Continuation US8842284B2 (en) 2009-07-29 2012-01-24 Magnifying imaging optical unit and metrology system including same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2011012267A1 true WO2011012267A1 (de) 2011-02-03

Family

ID=42668790

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2010/004519 WO2011012267A1 (de) 2009-07-29 2010-07-23 Vergrössernde abbildende optik sowie metrologiesystem mit einer derartigen abbildenden optik

Country Status (3)

Country Link
US (2) US8842284B2 (de)
DE (1) DE102009035583A1 (de)
WO (1) WO2011012267A1 (de)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011005940A1 (de) 2011-03-23 2012-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Spiegelanordnung, optisches System mit EUV-Spiegelanordnung und Verfahren zum Betreiben eines optischen Systems mit EUV-Spiegelanordnung
WO2012126954A1 (en) 2011-03-23 2012-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Euv mirror arrangement, optical system comprising euv mirror arrangement and method for operating an optical system comprising an euv mirror arrangement
DE102011077234A1 (de) 2011-06-08 2012-12-13 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Spiegelanordnung, optisches System mit EUV-Spiegelanordnung und Verfahren zum Betreiben eines optischen Systems mit EUV-Spiegelanordnung
DE102012209412A1 (de) 2012-06-04 2013-12-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Verfahren und optische Messvorrichtung zum Messen von Winkellagen von Facetten zumindest eines Facettenspiegels für EUV-Anwendungen
CN104049348A (zh) * 2014-06-26 2014-09-17 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 球面反射式日冕仪
DE102015213275A1 (de) 2015-07-15 2017-01-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegelanordnung für eine Lithographiebelichtungsanlage und Spiegelanordnung umfassendes optisches System
EP2443440A4 (de) * 2009-06-19 2018-02-28 KLA-Tencor Corporation Euv-prüfsystem mit hohem durchlauf zur fehlererkennung auf strukturierten euv-masken, maskenrohlinge und wafer
CN112213847A (zh) * 2020-09-02 2021-01-12 中国科学院西安光学精密机械研究所 大相对孔径的制冷型自由曲面离轴四反光学系统

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009035583A1 (de) 2009-07-29 2011-02-03 Carl Zeiss Sms Gmbh Vergrößernde abbildende Optik sowie Metrologiesystem mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102011088980A1 (de) * 2011-12-19 2012-10-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektlithografie mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102012202057B4 (de) 2012-02-10 2021-07-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv für EUV-Mikrolithographie, Folienelement und Verfahren zur Herstellung eines Projektionsobjektivs mit Folienelement
DE102013204445A1 (de) 2013-03-14 2014-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Vergrößernde abbildende Optik sowie EUV-Maskeninspektionssystem mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102013213564A1 (de) 2013-07-11 2015-01-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Hohlwellenleiter-Baugruppe
DE102013223808A1 (de) 2013-11-21 2014-12-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Spiegeleinrichtung zur Reflexion eines Bündels von EUV-Licht
US20150192459A1 (en) * 2014-01-08 2015-07-09 Kla-Tencor Corporation Extreme ultra-violet (euv) inspection systems
DE102014202132B4 (de) 2014-02-06 2016-02-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Vergrößernde abbildende Optik sowie EUV-Maskeninspektionssystem mit einer derartigen abbildenden Optik

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5071240A (en) 1989-09-14 1991-12-10 Nikon Corporation Reflecting optical imaging apparatus using spherical reflectors and producing an intermediate image
DE10220815A1 (de) 2002-05-10 2003-11-20 Zeiss Carl Microelectronic Sys Reflektives Röntgenmikroskop und Inspektionssystem zur Untersuchung von Objekten mit Wellenlängen 100 nm
US6894834B2 (en) 2001-08-16 2005-05-17 Carl Zeiss Smt Ag Objective with pupil obscuration
WO2006069725A1 (de) 2004-12-23 2006-07-06 Carl Zeiss Smt Ag Hochaperturiges objektiv mit obskurierter pupille

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5144496A (en) * 1989-07-19 1992-09-01 Olympus Optical Co., Ltd. Reflecting objective system including a negative optical power second mirror with increasing negative optical power off-axis
US6238830B1 (en) 1999-10-29 2001-05-29 Advanced Micro Devices Active control of temperature in scanning probe lithography and maskless lithograpy
DE10345783A1 (de) * 2003-10-01 2005-04-21 Zeiss Carl Sms Gmbh Optisches Abbildungssystem
FR2867282B1 (fr) * 2004-03-03 2006-05-26 Sagem Microscope optique a fort grandissement utilisable dans l'extreme ultraviolet
CN101171547A (zh) * 2005-05-03 2008-04-30 卡尔·蔡司Smt股份公司 使用偏振光的微光刻曝光装置及具有凹面主镜和凹面辅镜的微光刻投射系统
DE102006059436A1 (de) * 2006-12-15 2008-06-19 Carl Zeiss Sms Gmbh Abbildungsoptik
DE102009035583A1 (de) 2009-07-29 2011-02-03 Carl Zeiss Sms Gmbh Vergrößernde abbildende Optik sowie Metrologiesystem mit einer derartigen abbildenden Optik

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5071240A (en) 1989-09-14 1991-12-10 Nikon Corporation Reflecting optical imaging apparatus using spherical reflectors and producing an intermediate image
US6894834B2 (en) 2001-08-16 2005-05-17 Carl Zeiss Smt Ag Objective with pupil obscuration
DE10220815A1 (de) 2002-05-10 2003-11-20 Zeiss Carl Microelectronic Sys Reflektives Röntgenmikroskop und Inspektionssystem zur Untersuchung von Objekten mit Wellenlängen 100 nm
WO2006069725A1 (de) 2004-12-23 2006-07-06 Carl Zeiss Smt Ag Hochaperturiges objektiv mit obskurierter pupille

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2443440A4 (de) * 2009-06-19 2018-02-28 KLA-Tencor Corporation Euv-prüfsystem mit hohem durchlauf zur fehlererkennung auf strukturierten euv-masken, maskenrohlinge und wafer
DE102011005940A1 (de) 2011-03-23 2012-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Spiegelanordnung, optisches System mit EUV-Spiegelanordnung und Verfahren zum Betreiben eines optischen Systems mit EUV-Spiegelanordnung
WO2012126954A1 (en) 2011-03-23 2012-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Euv mirror arrangement, optical system comprising euv mirror arrangement and method for operating an optical system comprising an euv mirror arrangement
DE102011077234A1 (de) 2011-06-08 2012-12-13 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Spiegelanordnung, optisches System mit EUV-Spiegelanordnung und Verfahren zum Betreiben eines optischen Systems mit EUV-Spiegelanordnung
DE102012209412A1 (de) 2012-06-04 2013-12-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Verfahren und optische Messvorrichtung zum Messen von Winkellagen von Facetten zumindest eines Facettenspiegels für EUV-Anwendungen
CN104049348A (zh) * 2014-06-26 2014-09-17 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 球面反射式日冕仪
DE102015213275A1 (de) 2015-07-15 2017-01-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegelanordnung für eine Lithographiebelichtungsanlage und Spiegelanordnung umfassendes optisches System
WO2017009096A1 (en) 2015-07-15 2017-01-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Mirror arrangement for lithography exposure apparatus and optical system comprising mirror arrangement
US10684466B2 (en) 2015-07-15 2020-06-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Mirror arrangement for lithography exposure apparatus and optical system comprising mirror arrangement
CN112213847A (zh) * 2020-09-02 2021-01-12 中国科学院西安光学精密机械研究所 大相对孔径的制冷型自由曲面离轴四反光学系统

Also Published As

Publication number Publication date
US20140362584A1 (en) 2014-12-11
DE102009035583A1 (de) 2011-02-03
US9482794B2 (en) 2016-11-01
US20120140454A1 (en) 2012-06-07
US8842284B2 (en) 2014-09-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2011012267A1 (de) Vergrössernde abbildende optik sowie metrologiesystem mit einer derartigen abbildenden optik
DE102010029049B4 (de) Beleuchtungsoptik für ein Metrologiesystem für die Untersuchung eines Objekts mit EUV-Beleuchtungslicht sowie Metrologiesystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
EP1446813B1 (de) Reflektives roentgenmikroskop zur untersuchung von objekten mit wellenlaengen = 100nm in reflexion
DE60208045T2 (de) Objektiv mit pupillenverdeckung
DE102010029050A1 (de) Vergrößernde abbildende Optik sowie Metrologiesystem mit einer derartigen abbildenden Optik
WO2016012425A2 (de) Abbildende optik für ein metrologiesystem zur untersuchung einer lithographiemaske
EP1480082A1 (de) Ringfeld-4-Spiegelsysteme mit konvexem Primärspiegel für die EUV-Lithographie
DE10220815A1 (de) Reflektives Röntgenmikroskop und Inspektionssystem zur Untersuchung von Objekten mit Wellenlängen 100 nm
WO2016188934A1 (de) Abbildende optik zur abbildung eines objektfeldes in ein bildfeld sowie projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden optik
DE102010001388A1 (de) Facettenspiegel zum Einsatz in der Mikrolithografie
EP1950594A1 (de) Abbildende Optik, Projektionsbelichtunsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, durch das Herstellungsverfahren gefertigtes mikrostrukturiertes Bauelement sowie Verwendung einer derartigen abbildenden Optik
DE10220816A1 (de) Reflektives Röntgenmikroskop und Inspektionssystem zur Untersuchung von Objekten mit Wellenlängen 100 nm
DE102008007449A1 (de) Beleuchtungsoptik zur Beleuchtung eines Objektfeldes einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
DE102006043251A1 (de) Mikrolithographie-Projektionsobjektiv, Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Objektiv, Herstellungsverfahren mikrostrukturierter Bauteile mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie mit diesem Verfahren hergestelltes Bauteil
DE102013204445A1 (de) Vergrößernde abbildende Optik sowie EUV-Maskeninspektionssystem mit einer derartigen abbildenden Optik
WO2006125790A2 (de) Abbildungssystem, insbesondere für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage
DE102011003302A1 (de) Vergrößerte abbildende Optik sowie Metrologiesystem mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102007051669A1 (de) Abbildende Optik, Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik sowie Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage
WO2011012266A1 (de) Vergrössernde abbildende optik sowie metrologiesystem mit einer derartigen abbildenden optik
EP1664933A1 (de) Euv-projektionsobjektiv mit spiegeln aus materialien mit unterschiedlichem vorzeichen der steigung der temperaturabhängigkeit des wärmeausdehnungskoeffizienten nahe der nulldurchgangstemperatur
EP3737999A1 (de) Pupillenfacettenspiegel, beleuchtungsoptik und optisches system für eine projektionsbelichtungsanlage
DE102011084255A1 (de) Vergrößernde abbildende Optik sowie Metrologiesystem mit einer derartigen abbildenden Optik
EP1471539B1 (de) Abbildungssystem für ein, auf extrem ultravioletter (EUV) Strahlung basierendem Mikroskop
WO2009135556A1 (de) Projektionsoptik für die mikrolithografie mit intensitäts-korrektureinrichtung
DE102018221128A1 (de) Verfahren zum Tauschen eines Spiegels in einer Projektionsbelichtungsanlage sowie Lagedaten-Messeinrichtung zum Durchführen des Verfahrens

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 10740527

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 10740527

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1