JP2010505261A - 放射システムおよびこれを含むリソグラフィ装置 - Google Patents
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Abstract
Description
[0013] -放射ビームB(例えば、UV放射またはEUV放射)を調整するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
[0014] -パターニングデバイス(例えば、マスク)MAを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第1のポジショナPMに連結されているサポート構造(例えば、マスクテーブル)MTと、
[0015] -基板(例えば、レジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第2のポジショナPWに連結されている基板テーブル(例えば、ウェーハテーブル)WTと、
[0016] -パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば、1つ以上のダイを含む)上に投影するように構成されている投影システム(例えば、屈折投影レンズシステム)PSとを備える。
Claims (21)
- 極端紫外線リソグラフィシステムにおける使用のための光センサ装置であって、
センサ表面を含む光センサと、
前記センサ表面からデブリを除去する除去機構と
を含む、光センサ装置。 - 前記光センサは、EUV感応性シンチレーション材料および検出器を含み、前記検出器は、入射EUV放射が引き起こすシンチレーションに応答して前記シンチレーション材料から発されるフォトニックエネルギーを検出する、請求項1に記載の光センサ装置。
- 前記EUV感応性シンチレーション材料は、YAG:Ceを含む、請求項2に記載の光センサ装置。
- 前記センサ表面は、回転可能プレートの表面部を含み、前記除去機構はデブリを前記プレートの別の部分から除去する、請求項1に記載の光センサ装置。
- 前記プレートは、EUV半透明プレートまたはEUV感応性シンチレーション材料である、請求項4に記載の光センサ装置。
- 前記EUV半透明プレートは、前記EUV源からEUV放射ビームのスペクトル範囲を選択的に透過させる、請求項5に記載の光センサ装置。
- 前記EUV半透明プレートは、10〜20nmの範囲内の波長を有する放射を選択的に通過させる、請求項5に記載の光センサ装置。
- 前記EUV半透明プレートは、Nbフィルタ、Zr/Si多層フィルタまたはZr/Nb多層フィルタを含む、請求項5に記載の光センサ装置。
- 前記除去機構は、水素ラジカル供給システムを含む、請求項1に記載の光センサ装置。
- 前記センサ表面は、0.2より少ない水素ラジカル再結合定数を有するキャップ層を含む、請求項1に記載の光センサ装置。
- 前記キャップ層は、Si3N4を含む、請求項10に記載の光センサ装置。
- 前記除去機構は、前記センサ表面の温度を上昇させる加熱システムを含む、請求項1に記載の光センサ装置。
- 前記上昇温度は、少なくとも900℃である、請求項12に記載の光センサ装置。
- 前記センサ表面は、壁を加熱する加熱要素を含む直立周囲壁に囲まれている、請求項12に記載の光センサ装置。
- 前記EUV源は、レーザ誘導プラズマ源または放電生成プラズマ源である、請求項1に記載の光センサ装置。
- 前記プラズマ源は、SnまたはXeを含む、請求項15に記載の光センサ装置。
- EUV放射を検出する方法であって、
前記EUV放射を検出するために光センサのセンサ表面をEUV放射を生成するEUV源に露光させることと、
前記センサ表面からデブリを除去することと
を含む、方法。 - 前記センサ表面上に配置されたデブリ層を介して透過される放射の放射透過率比を導き出すことと、
放射システムの汚染度に前記透過率比を関連させることと
をさらに含み、
前記デブリは前記センサ表面から間欠的に除去される、請求項17に記載の方法。 - 前記デブリ層を介して透過される放射は、前記EUV放射源によって透過されたEUV放射である、請求項18に記載の方法。
- 前記センサ表面上に配置されたデブリの一定の量を提供するために前記センサ表面から前記デブリを連続的に除去することと、
前記センサ表面に入射するEUV放射エネルギーレベルを計算することと
をさらに含む、請求項17に記載の方法。 - 前記一定の量は、実質的にゼロに等しい、請求項20に記載の方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009088439A (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-23 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置における集光光学手段のクリーニング方法及び極端紫外光光源装置 |
JP2011228742A (ja) * | 2006-09-27 | 2011-11-10 | Asml Netherlands Bv | 光センサ装置及びeuv放射を検出する方法 |
JP2021507204A (ja) * | 2017-12-15 | 2021-02-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 真空容器内のデブリ流束測定システムの再生 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7750326B2 (en) * | 2005-06-13 | 2010-07-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and cleaning method therefor |
JP5305568B2 (ja) * | 2006-05-22 | 2013-10-02 | 株式会社東芝 | 露光装置及びケミカルフィルタ寿命検知方法 |
NL1036832A1 (nl) * | 2008-04-15 | 2009-10-19 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus comprising an internal sensor and a mini-reactor, and method for treating a sensing surface of an internal sensor of a lithographic apparatus. |
NL1036803A (nl) * | 2008-09-09 | 2010-03-15 | Asml Netherlands Bv | Radiation system and lithographic apparatus. |
JP5559562B2 (ja) * | 2009-02-12 | 2014-07-23 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光光源装置 |
WO2011000622A1 (en) * | 2009-06-30 | 2011-01-06 | Asml Netherlands B.V. | Spectral purity filter, lithographic apparatus, and method for manufacturing a spectral purity filter |
NL2007287A (en) * | 2010-09-14 | 2012-03-15 | Asml Netherlands Bv | Correction for flare effects in lithography system. |
CN102890423B (zh) * | 2011-07-20 | 2015-07-22 | 上海微电子装备有限公司 | 光电探测器校准装置及其校准方法 |
NL2011663A (en) * | 2012-11-15 | 2014-05-19 | Asml Netherlands Bv | Radiation source and method for lithography. |
CN103162848A (zh) * | 2013-03-27 | 2013-06-19 | 哈尔滨工业大学 | YAG:Ce荧光屏实现毛细管放电极紫外光刻光源等离子体状态检测系统 |
JP6395832B2 (ja) | 2013-08-02 | 2018-09-26 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射源用コンポーネント、関連した放射源およびリソグラフィ装置 |
NL2014602A (en) * | 2014-05-01 | 2016-03-31 | Asml Netherlands Bv | Cleaning apparatus and associated low pressure chamber apparatus. |
KR20170051514A (ko) * | 2014-09-11 | 2017-05-11 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 방사선 소스를 모니터링하는 디바이스, 방사선 소스, 방사선 소스를 모니터링하는 방법, 디바이스 제조 방법 |
WO2017084797A1 (en) * | 2015-11-20 | 2017-05-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method of operating a lithographic apparatus |
WO2017187571A1 (ja) * | 2016-04-27 | 2017-11-02 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光センサユニット及び極端紫外光生成装置 |
DE102017205452A1 (de) | 2017-03-30 | 2017-06-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Debris-Detektor |
US11307311B2 (en) * | 2018-10-23 | 2022-04-19 | Thermo Fisher Scientific Messtechnik Gmbh | Gamma ray and neutron dosimeter |
US20230259035A1 (en) * | 2022-02-11 | 2023-08-17 | Applied Materials, Inc. | Characterization of photosensitive materials |
EP4312078A1 (en) * | 2022-07-29 | 2024-01-31 | ASML Netherlands B.V. | Contamination determination |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000349009A (ja) * | 1999-06-04 | 2000-12-15 | Nikon Corp | 露光方法及び装置 |
JP2001035692A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-02-09 | Univ Shizuoka | 放電容器及びその放電容器を備えたプラズマラジカル生成装置 |
JP2001051106A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-02-23 | Asm Lithography Bv | 反射度を高めた多層極端紫外線ミラー |
JP2002124463A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-04-26 | Asm Lithography Bv | マスクハンドリング装置、平板投影装置、素子製造方法およびそれによって製造された素子 |
JP2002141280A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-05-17 | Asm Lithography Bv | 平板投影装置、素子製造方法およびそれによって製造された素子 |
JP2003224053A (ja) * | 2002-01-29 | 2003-08-08 | Canon Inc | 露光装置及びその制御方法、これを用いたデバイスの製造方法 |
JP2004200686A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-15 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
EP1471385A1 (de) * | 2003-04-24 | 2004-10-27 | Carl Zeiss SMS GmbH | Anordnung zur Inspektion von Objekten, insbesondere von Masken in der Mikrolithographie |
JP2005129936A (ja) * | 2003-10-20 | 2005-05-19 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ機器で使用するミラー上での上部層の使用、リソグラフィ機器で使用するミラー、このようなミラーを備えるリソグラフィ機器、及びデバイスの製造方法 |
JP2005150715A (ja) * | 2003-11-07 | 2005-06-09 | Asml Netherlands Bv | 放射検出器 |
JP2006135307A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-05-25 | Asml Netherlands Bv | 光学素子における蒸着物の除去方法、光学素子の保護方法、デバイス製造方法、光学素子を含む装置、およびリソグラフィ装置 |
JP2008515232A (ja) * | 2004-09-30 | 2008-05-08 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | リソグラフィ露光装置における汚染検出および監視のための方法およびシステム、ならびに調整された雰囲気条件下でのその動作方法 |
JP2009510714A (ja) * | 2005-06-13 | 2009-03-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置およびそのためのクリーニング方法 |
JP2009517880A (ja) * | 2005-12-02 | 2009-04-30 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 洗浄デバイスを含むリソグラフィ装置、および光学エレメントを洗浄するための方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4626634A (en) * | 1982-09-30 | 1986-12-02 | At&T Bell Laboratories | Multiprocessor computing system featuring shared global control |
US4692884A (en) * | 1983-01-03 | 1987-09-08 | Diffracto, Ltd. | Remote operation of optical system |
AT381795B (de) * | 1984-05-08 | 1986-11-25 | Voest Alpine Ag | Vorrichtung zum reinigen eines lanzenkopfes einer in ein metallurgisches gefaess einbringbaren lanze |
DE10205189B4 (de) * | 2002-02-06 | 2012-06-28 | Xtreme Technologies Gmbh | Verfahren zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung auf Basis eines strahlungsemittierenden Plasmas |
EP1530091A1 (en) | 2003-11-07 | 2005-05-11 | ASML Netherlands B.V. | Radiation detector |
US7006284B2 (en) * | 2004-05-17 | 2006-02-28 | Fricke William C | Apparatus for viewing and analyzing ultraviolet beams |
TWI305296B (en) * | 2004-07-27 | 2009-01-11 | Cymer Inc | Systems and methods for reducing the influence of plasma-generated debris on the internal components of an euv light source |
DE102004047677B4 (de) | 2004-09-30 | 2007-06-21 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren und System für die Kontaminationserkennung und Überwachung in einer Lithographiebelichtungsanlage und Verfahren zum Betreiben der gleichen unter gesteuerten atomsphärischen Bedingungen |
US7541603B2 (en) * | 2006-09-27 | 2009-06-02 | Asml Netherlands B.V. | Radiation system and lithographic apparatus comprising the same |
-
2006
- 2006-09-27 US US11/527,731 patent/US7541603B2/en active Active
-
2007
- 2007-09-19 TW TW101123937A patent/TWI485532B/zh active
- 2007-09-19 TW TW096134960A patent/TWI371663B/zh active
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- 2007-09-25 KR KR1020097006350A patent/KR101151769B1/ko active IP Right Grant
- 2007-09-25 CN CN2007800355990A patent/CN101583909B/zh active Active
- 2007-09-25 WO PCT/NL2007/050466 patent/WO2008039068A2/en active Application Filing
-
2009
- 2009-05-13 US US12/465,118 patent/US7863591B2/en active Active
-
2011
- 2011-07-25 JP JP2011162445A patent/JP5496964B2/ja active Active
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000349009A (ja) * | 1999-06-04 | 2000-12-15 | Nikon Corp | 露光方法及び装置 |
JP2001051106A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-02-23 | Asm Lithography Bv | 反射度を高めた多層極端紫外線ミラー |
JP2001059901A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-03-06 | Asm Lithography Bv | 極端紫外光学素子用のキャッピング層 |
JP2001035692A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-02-09 | Univ Shizuoka | 放電容器及びその放電容器を備えたプラズマラジカル生成装置 |
JP2002124463A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-04-26 | Asm Lithography Bv | マスクハンドリング装置、平板投影装置、素子製造方法およびそれによって製造された素子 |
JP2002141280A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-05-17 | Asm Lithography Bv | 平板投影装置、素子製造方法およびそれによって製造された素子 |
JP2003224053A (ja) * | 2002-01-29 | 2003-08-08 | Canon Inc | 露光装置及びその制御方法、これを用いたデバイスの製造方法 |
JP2004200686A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-15 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
EP1471385A1 (de) * | 2003-04-24 | 2004-10-27 | Carl Zeiss SMS GmbH | Anordnung zur Inspektion von Objekten, insbesondere von Masken in der Mikrolithographie |
JP2005129936A (ja) * | 2003-10-20 | 2005-05-19 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ機器で使用するミラー上での上部層の使用、リソグラフィ機器で使用するミラー、このようなミラーを備えるリソグラフィ機器、及びデバイスの製造方法 |
JP2005150715A (ja) * | 2003-11-07 | 2005-06-09 | Asml Netherlands Bv | 放射検出器 |
JP2008515232A (ja) * | 2004-09-30 | 2008-05-08 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | リソグラフィ露光装置における汚染検出および監視のための方法およびシステム、ならびに調整された雰囲気条件下でのその動作方法 |
JP2006135307A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-05-25 | Asml Netherlands Bv | 光学素子における蒸着物の除去方法、光学素子の保護方法、デバイス製造方法、光学素子を含む装置、およびリソグラフィ装置 |
JP2009510714A (ja) * | 2005-06-13 | 2009-03-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置およびそのためのクリーニング方法 |
JP2009517880A (ja) * | 2005-12-02 | 2009-04-30 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 洗浄デバイスを含むリソグラフィ装置、および光学エレメントを洗浄するための方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011228742A (ja) * | 2006-09-27 | 2011-11-10 | Asml Netherlands Bv | 光センサ装置及びeuv放射を検出する方法 |
JP2009088439A (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-23 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置における集光光学手段のクリーニング方法及び極端紫外光光源装置 |
JP2021507204A (ja) * | 2017-12-15 | 2021-02-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 真空容器内のデブリ流束測定システムの再生 |
JP7320505B2 (ja) | 2017-12-15 | 2023-08-03 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 真空容器内のデブリ流束測定システムの再生 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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