JP2021507204A - 真空容器内のデブリ流束測定システムの再生 - Google Patents

Abstract

装置は、容器と、プラズマ状態の時に極端紫外線光を放出するターゲット物質を含むターゲットを、容器内の相互作用領域に向けて誘導するターゲットデリバリシステムと、メトロロジ装置と、を備える。メトロロジ装置は、ターゲット物質の流束を測定するように構成された測定表面を備えた測定システムと、測定システムを再生するように構成された再生ツールと、を備得る。再生は、測定表面が飽和するの防止すること、および／または、測定表面が飽和した場合に測定表面を不飽和化することを含む。【選択図】図１

Description

［関連出願の相互参照］
[0001] 本出願は、２０１７年１２月１５日出願の米国出願第６２／５９９，１３９号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。

[0002] 本開示の主題は、極端紫外線光源のチャンバ内で生成されるデブリの量または流束を測定する測定システムを再生するためのシステムおよび方法に関する。

[0003] 極端紫外線（ＥＵＶ）光、例えば、約５０ｎｍ以下の波長を有する電磁放射（軟Ｘ線と呼ばれることもある）であって、約１３ｎｍの波長の光を含むＥＵＶ光は、フォトリソグラフィプロセスにおいて、例えばシリコンウェーハなどの基板内に非常に小さいフィーチャを生成するために使用することができる。

[0004] ＥＵＶ光を生成する方法には、キセノン、リチウム、またはスズなどの元素を有し、ＥＵＶ範囲内の輝線を有する材料をプラズマ状態へと変換することが含まれるが、必ずしもこれに限定されない。このような方法の１つであり、しばしばレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）と呼ばれる方法では、必要とされるプラズマは、例えば、材料の液滴、プレート、テープ、流れ、またはクラスタなどの形態のターゲット材料を、増幅された光ビームで照射することによって生成され得る。このプロセスのために、典型的には、プラズマは、例えば真空チャンバなどの密閉された容器内で生成され、多様なタイプのメトロロジ機器を使用して監視される。

[0005] 一般的な態様において、装置は、容器と、プラズマ状態の時に極端紫外線光を放出するターゲット物質を含むターゲットを、容器内の相互作用領域に向けて誘導するターゲットデリバリシステムと、メトロロジ装置と、を備える。メトロロジ装置は、ターゲット物質の流束を測定するように構成された測定表面を備えた測定システムと、測定システムを再生するように構成された再生ツールと、を備える。再生は、測定表面が飽和するの防止すること、および／または、測定表面が飽和した場合に測定表面を不飽和化することを含む。
装置。

[0006] 実施には、以下に記載する特徴の１つ以上が含まれ得る。例えば、メトロロジ装置は、測定システムおよび再生ツールと通信する制御装置を備え得る。制御装置は、測定システムからの出力に基づいて、再生ツールを作動させるように構成され得る。

[0007] 測定表面は、ターゲット物質と相互作用するように構成され得る。ターゲット物質と測定表面との相互作用は、測定信号を生成させる。測定システムは、測定信号を受信し、測定表面全体にわたりターゲット物質の流束を計算するように構成された測定コントローラも備え得る。

[0008] メトロロジ装置は結晶微量天秤を備え得る。結晶微量天秤は水晶微量天秤であってもよい。

[0009] 容器はキャビティを画定してもよく、容器キャビティは、大気圧未満の圧力で保持され得る。

[0010] 相互作用領域は、増幅された光ビームを受けることができ、ターゲットは、増幅された光ビームと相互作用すると、極端紫外線光を放出するプラズマへと変換され得る。

[00011] 装置は、容器内の光学要素表面を含む光学要素も備え得る。メトロロジ装置は、光学要素表面に対して位置決めされ得る。光学要素は、ターゲットがプラズマに変換される時に、光学要素表面が放出された極端紫外線光の少なくとも一部と相互作用する光学コレクタであり得る。

[00012] 再生ツールは、容器からメトロロジ装置を取り外さずに、測定システムを再生するように構成され得る。再生ツールは、測定システムと相互作用するように位置決めされ、測定コントローラによる指示があると、測定表面上に堆積したターゲット物質を除去するように構成されたクリーニングツールを備え得る。クリーニングツールは、測定表面に隣接したフリーラジカルを生成するように構成されたフリーラジカル生成ユニットを備え得る。フリーラジカルは堆積したターゲット物質と化学反応し、測定表面から放出される新しい化学物質を形成し得る。フリーラジカル生成ユニットは、測定表面に隣接したワイヤフィラメントと、ワイヤフィラメントに電流を供給する電源とを備え得る。ワイヤフィラメントは、測定表面の形状に整合する形状を有し得る。フリーラジカル生成ユニットは、測定表面に隣接したプラズマ状態のプラズマ材料を発生させるプラズマジェネレータを備えてもよく、プラズマ材料はフリーラジカルを含む。フリーラジカルは、容器内に固有の水素分子から生成された水素のフリーラジカルであり得る。測定表面上のターゲット物質はスズを含んでもよく、測定表面から放出された新しい化学物質は水素化スズを含んでもよい。

[00013] 装置は、放出された新しい化学物質を容器から除去するように構成された除去装置をさらに備え得る。除去装置は、容器の内部と流体接続するガスポートを備えてもよく、放出された新しい化学物質は、容器の内部からガスポートを通って搬送される。

[00014] 再生ツールは、容器内に水素が存在する状態で、かつ酸素を要する反応を伴わずに、測定表面からターゲット物質を除去するように構成され得る。

[00015] 他の一般的な態様においては、方法は、容器のキャビティ内にターゲットを供給することと、容器キャビティ内の測定表面全体にわたりターゲット物質の流束を測定することと、測定表面を再生することと、を含む。ターゲットは、プラズマに変換された時に極端紫外線光を放出する物質を含む。再生することは、測定表面が飽和するの防止すること、および／または、測定表面が飽和した場合に測定表面を不飽和化することの少なくとも一方を含む、
方法。

[00016] 実施には、以下に記載する特徴の１つ以上が含まれ得る。例えば、方法は、測定表面全体にわたり測定されたターゲット物質の流束に基づいて、測定表面の再生を作動させることも含み得る。

[00017] ターゲット物質の流束は、ターゲット物質が測定表面上に堆積するように、ターゲット物質を測定表面と相互作用させることにより測定され得る。

[00018] ターゲットは、複数のターゲットを真空容器内の相互作用領域に向けて誘導することにより、容器キャビティ内に供給され得る。相互作用領域は増幅された光ビームも受けて、相互作用領域におけるターゲットと増幅された光ビームとの間の相互作用により、ターゲットは、極端紫外線光を放出するプラズマに変換される。

[00019] 測定表面は、容器から測定表面を取り外さずに、測定表面から堆積したターゲット物質を除去することにより再生され得る。堆積したターゲット物質は、測定表面に隣接した元素のフリーラジカルを生成することにより、測定表面から除去されることができ、生成されたフリーラジカルは、堆積したターゲット物質と化学反応し、測定表面から放出される新しい化学物質を形成する。堆積したターゲット物質はスズを含んでもよく、元素は水素であってもよく、フリーラジカルは水素ラジカルであってもよく、新しい化学物質は水素化スズであってもよい。測定表面に隣接した要素は、容器キャビティに固有のものであり得る。堆積したターゲット物質は、酸素の不存在下で、堆積したターゲット物質を除去することにより、除去され得る。方法は、放出された新しい化学物質を容器キャビティから除去することを含み得る。

[00020] ターゲット物質の流束は、堆積したターゲット物質が測定表面から除去されていない時にターゲット物質の流束を測定することにより測定され得る。

[00021] 測定表面から堆積したターゲット物質を除去することにより、測定表面がその飽和限界に到達するのを防止し得る。

[00022] 方法は、容器によって画定されるキャビティを大気圧未満の圧力に維持することも含み得る。方法は、測定された流束に基づいて、ターゲット物質がプラズマに変換される時に放出される極端紫外線の量を推定することをさらに含み得る。方法は、測定された流束に基づいて、容器キャビティ内の表面上に堆積したターゲット物質の量を推定することをさらに含み得る。

[00023] 他の一般的な態様において、極端紫外線光源は、増幅された光ビームを生成するように構成された光学源と、キャビティを画定し、キャビティ内の相互作用領域において増幅された光ビームを受けるように構成された容器と、ターゲットパスに沿って相互作用領域に向かって進むターゲットを生成するように構成されたターゲットデリバリシステムと、メトロロジ装置と、を備える、キャビティは、大気圧未満の圧力で保持されるように構成される。ターゲットは、プラズマ状態の極端紫外線光を放出するターゲット物質を含む。メトロロジ装置は、ターゲット物質の流束を測定するように構成された測定表面を有する測定システムと、測定システムを再生するように構成された再生ツールと、を備える。再生は、測定表面が飽和するのを防止すること、および／または測定表面が飽和した場合に測定表面を不飽和化すること、を含む。

[00024] 実施には、以下に記載する特徴の１つ以上が含まれ得る。例えば、測定表面はターゲット物質と相互作用するように構成され、ターゲット物質と測定表面との間の相互作用により測定信号が生成され、測定システムは、測定信号を受信し、測定表面の全体にわたるターゲット物質の流束を計算する測定コントローラも含み得る。再生ツールは、測定システムと相互作用するように位置決めされたクリーニングツールを備え得る。クリーニングツールは、測定表面上に堆積したターゲット物質を除去することによって測定システムを再生するように構成され得る。

[00025] 極端紫外線光源は、外部のリソグラフィ装置による使用のために、放出された極端紫外線光の少なくとも一部を集光する光学コレクタも備え得る。

[00026] 他の態様において、メトロロジシステムは極端紫外線光源において使用され得る。メトロロジシステムは、容器内の測定表面の全体にわたりターゲット物質の流束を測定するように構成されたメトロロジ装置と、メトロロジ装置に連結された再生ツールと、を備える。メトロロジ装置は、ターゲット物質と相互作用するように構成された測定表面を備えた測定システムであって、ターゲット物質と測定表面との間の相互作用により測定信号が生成される、測定システムと、測定信号を受信し、受信した測定信号に基づいて、測定表面の全体にわたるターゲット物質の流束を計算するように構成された測定コントローラと、を備える。再生ツールは、測定システムを再生するように構成される。再生は、測定表面が飽和するのを防止すること、および／または測定表面が飽和した場合に測定表面を不飽和化すること、を含む。再生ツールは、測定表面と相互作用し、測定コントローラからの指示に応じて、測定表面上に堆積したターゲット物質を除去するように位置決めされたクリーニングツールを備える。

[00027] 他の一般的な態様において、装置は、容器と、プラズマ状態の時に極端紫外線光を放出するターゲット物質を含むターゲットを容器内の相互作用領域に向けて送出するための手段とメトロロジ装置と、を備える。メトロロジ装置は、容器内の測定表面全体にわたりターゲット物質の流束を測定する手段と、測定表面を再生する手段と、を備える。再生する手段は、測定表面が飽和するのを防止する手段、および／または測定表面が飽和した場合に測定表面を不飽和化する手段を備える。

[00028] 図１は、容器によって画定されるキャビティ内に自己再生メトロロジ装置を備えた装置のブロック図である。 [00029] 図２は、図１のメトロロジ装置の実施においてＡで切断した横断面図および拡大図である。 [00030] 図３Ａは、図１および２のメトロロジ装置の実施の斜視図であり、メトロロジ装置は、測定表面を有する結晶微量天秤と、測定表面に隣接したワイヤフィラメントを備えたフリーラジカル再生ツールとを備える測定システムを有するように設計される。 [00031] 図３Ｂは、図３Ａのメトロロジ装置のブロック図である。 [00032] 図３Ｃは、図３Ａおよび図３Ｂの結晶微量天秤の測定表面に隣接したワイヤフィラメントの斜視図である。 [00033] 図３Ｄは、図３Ａ〜３Ｃの結晶微量天秤の測定表面に隣接したワイヤフィラメントの横断面図である。ワイヤフィラメント [00034] 図４は、極端紫外線（ＥＵＶ）光源の実施であり、図１〜３Ｄの装置などの自己再生メトロロジ装置がＥＵＶ光源内で実施され得る。 [00035] 図５Ａは、光学コレクタである光学要素の後方斜視図であり、図１〜４の自己再生メトロロジ装置は、この光学コレクタに隣接され得る。 [00036] 図５Ｂは、図５Ａの光学要素の前方斜視図である。 [00037] 図５Ｃは、図５Ａの光学要素の横断面図である。 [00038] 図５Ｄは、図５Ａの光学要素の平面図である。 [00039] 図６は、測定表面を再生するための手順を示すブロック図である。 [00040] 図７は、図６の手順中の測定表面の横断面図を示す概略図である。 [00041] 図８は、測定表面上のコーティングの堆積厚さと時間との関係のグラフであり、図６の手順と図３Ａ〜３Ｄのメトロロジ装置の適用を図示する。 [00042] 図９は、様々な標準リットル毎分の値について、任意のユニットにおける除去速度と、図３Ａ〜３Ｄのワイヤフィラメントと図３Ａ〜３Ｄの測定表面との間の距離との関係を示すグラフである。 [00043] 図１０は、図４のＥＵＶ光源の出力を受けるリソグラフィ装置のブロック図である。 [00044] 図１１は、図４のＥＵＶ光源の出力を受けるリソグラフィ装置のブロック図である。

[00045] 図１を参照すると、装置１００は、容器１２０によって画定されるキャビティ１１８内の自己再生メトロロジ装置１０５を備える。メトロロジ装置１０５は、ターゲット物質１２５の流束を測定するように構成された測定表面１１２を有する測定システム１１０を備える。ターゲット物質１２５の流束は、所定の時間の経過中に、あるエリアを横断するターゲット物質１２５の質量である。さらに、ターゲット物質１２５の密度が既知であり得るため、測定表面１１２上に堆積されたターゲット物質１２５の厚さを特定することにより、ターゲット物質１２５の流束を特定または推測することができる。

[00046] 時間とともに、ターゲット物質１２５は、測定表面１１２上にコーティング１２７として蓄積し、これにより、測定表面１１２が飽和する。測定表面１１２は、ターゲット物質１２５の流束に関する有用な情報をこれ以上生成することができなくなった時に、飽和したと言える。測定表面１１２上の飽和限界は、ターゲット物質１２５のコーティング１２７の飽和厚さに関連し、この飽和厚さは、容器１２０内の近傍の材料の飽和厚さと比べると比較的小さいため、容器１２０内の近傍の材料が、ターゲット物質１２５によるコーティングのために、洗浄、修復、または交換が必要になるよりもかなり前に、測定表面１１２は、飽和限界に近づく。したがって、測定表面１１２が飽和するたびに測定システム１１０の交換を要することは非効率になる。この目的で。メトロロジ装置１０５は、測定システム１１０を再生するように構成された再生ツール１１５を備える。いずれかの瞬間で、測定システム１１０の再生は、測定表面１１２が飽和するのを防止することを含む。測定表面１１２が既に飽和した時など、他の瞬間において、測定システム１１０の再生は、測定表面１１２を不飽和化させることを含む。

[00047] 再生ツール１１５がキャビティ１１８内に存在し得る水素分子にさらされていても、再生ツール１１５は動作するように（つまり、測定表面１１２をコーティングするターゲット物質１２５を除去するように）構成され得る。さらに、再生ツール１１５は、酸素を使用せずに、あるいは酸素の不存在下でも、動作するように構成され得る。つまり、再生ツール１１５が動作するため、または任意の機能を果たすために、酸素は必要または必須ではない。

[00048] ターゲット物質１２５は、容器１２０内で以下のように生成される。装置１００は、ターゲット１４５の流れ１４２を容器１２０内の相互作用領域１５０に向けて誘導するターゲットデリバリシステム１４０を備える。ターゲット１４５は、プラズマ材料１６０に変換される時に極端紫外線（ＥＵＶ）１５５を放出するターゲット物質１２５（光放出プラズマ材料１６０とも呼ばれる）を含む。しかし、ターゲット物質１２５の一部は、相互作用領域１５０において完全には変換されず、あるいは、プラズマ材料１６０の一部はターゲット物質１２５に逆戻りする。このため、残存するターゲット物質１２５（プラズマ材料１６０に変換されなかったターゲット物質１２５または逆戻りしたターゲット物質１２５）は、容器１２０のキャビティ１１８の全域を進み、容器１２０のキャビティ１１８内の壁または光学要素などの多様なオブジェクトをコーティングし得る。測定システム１１０は、容器１２０内の測定システム１１０が配置された部分を通るターゲット物質１２５の流束を特定するために、容器１２０内の好適な位置または複数の位置に提供される。図１には、１つの測定システム１１０のみが示されているが、以下に記載するように、容器１２０のキャビティ１１８には、ターゲット物質１２５の流束に関して取得が必要な特定の情報に応じて、多様な位置に複数の測定システム１１０が装備されてもよい。さらに、これらの測定システム１１０の１つ以上は、再生ツール１１５を含むメトロロジ装置１０５に組み込まれてもよい。

[00049] 容器１２０内に残余または残留するターゲット物質１２５は、ターゲット１４５内に存在する物質の粒子、蒸気残渣、または断片の形態のデブリである。このデブリは、容器１２０内のオブジェクトの表面上に堆積し得る。例えば、ターゲット１４５がスズの溶融金属を含む場合、スズの粒子が、容器１２０内の１つ以上の光学要素表面または壁に堆積し得る（あるいは、コーティングし得る）。この表面上に形成されるデブリと、測定表面１１２上に形成されるコーティング１２７は、ターゲット物質１２５から形成される物質の蒸気残渣、イオン、粒子、および／またはクラスタを含み得る。容器１２０内にターゲット物質１２５からのデブリが存在すると、容器１２０内の表面の性能が低下し、測定システム１１０の総合的な効率も低下することがある。

[00050] ターゲットデリバリシステム１４０は、流れ１４２内のターゲット１４５を、液体液滴、液体の流れ、固体粒子、またはクラスタ、液体液滴内に含まれる固体粒子、または液体の流れに含まれる固体粒子の形態で送出し、制御し、および誘導する。ターゲット１４５は、プラズマ状態の時にＥＵＶ光を放出する任意の材料であってよい。例えば、ターゲット１４５は、水、スズ、リチウム、および／またはキセノンを含み得る。ターゲット１４５は、ターゲット物質１２５と、非ターゲット粒子などの不純物とを含むターゲット混合物であり得る。

[00051] ターゲット物質１２５は、プラズマ状態（プラズマ材料１６０）の時に、ＥＵＶ範囲の輝線を有する物質である。ターゲット物質１２５は、例えば、液体もしくは溶融金属の液滴、液体の流れの一部分、固体粒子もしくはクラスタ、液体液滴内に含まれる固体粒子、ターゲット材料の気泡、または液体の流れの一部分内に含まれる固体粒子であり得る。ターゲット物質１２５は、例えば、水、スズ、リチウム、キセノン、またはプラズマ状態に変換された時に、ＥＵＶ範囲の輝線を有する任意の材料であり得る。例えば、ターゲット物質は、例えばＳｎＢｒ_４、ＳｎＢｒ_２、ＳｎＨ_４といったスズ化合物として、例えばスズ−ガリウム合金、スズ−インジウム合金、スズ−インジウム−ガリウム合金といったスズ合金もしくはこれらの合金の任意の組み合わせとして使用することができる元素スズであり得る。さらに、不純物が全くない状況では、ターゲット１４５は、ターゲット物質のみを含む。

[00052] 容器１２０内のキャビティ１１８は、真空、つまり、大気圧未満の圧力下に保持され得る。例えば、キャビティ１１８は、ＥＵＶ光１５５を発生させるために選択される圧力である、約０．５トル（Ｔ）〜約１．５トル（Ｔ）（例えば、１Ｔ）の低圧力に保持され得る。したがって、メトロロジ装置１０５は、容器１２０のキャビティ１１８内の真空環境内で動作するように構成される。これは、メトロロジ装置１０５が（１Ｔなどの）真空で機能するように設計されていることを意味する。さらに、メトロロジ装置１０５は、容器１２０の設計または動作を変更する必要なく、使用することができるように設計されている。したがって、メトロロジ装置１０５は、ＥＵＶ光１５５が最も効率的に生成される環境内で動作するように構成される。

[00053] 図２も参照すると、いくつかの実施において、メトロロジ装置２０５は、再生ツール１１５として、測定システム２１０の測定表面２１２に隣接したフリーラジカル再生ツール２１５を備える。フリーラジカル再生ツール２１５は、測定システム２１０と相互作用するように位置決めされたクリーニングツールである。フリーラジカル再生ツール２１５は、測定システム２１０測定表面２１２上にコーティング２２７として蓄積するターゲット物質１２５を除去するように構成される。フリーラジカル再生ツール２１５は、測定表面２１２に隣接したフリーラジカル２１６を生成するように構成されたフリーラジカル生成ユニットを備え、これらのフリーラジカル２１６は、コーティング２２７の堆積したターゲット物質１２５と化学反応して、測定表面２１２から放出される新しい化学物質を形成する。例えば、新しい化学物質２２８はガス状であり得るため、測定表面２１２から放出されるようになる。ガス状の新しい化学物質２２８は、その後、容器１２０外へとポンプで送り出され得る。

[00054] フリーラジカル２１６は、不対価電子もしくは開電子殻を持つ原子、分子、またはイオンであり、したがってダングリング共有結合を有するものと見なされ得る。ダングリング結合は、フリーラジカルを、化学的高反応性を有するようにすることができる。すなわち、フリーラジカルは他の物質と容易に反応し得る。フリーラジカル２１６は、その反応特性により、測定表面２１２などのオブジェクトから物質（堆積したターゲット物質１２５など）を除去するために使用可能である。フリーラジカル２１６は、例えばターゲット物質１２５のエッチング、ターゲット物質１２５との反応、および／またはターゲット物質１２５の燃焼によって、堆積したターゲット物質１２５を除去することができる。

[00055] フリーラジカル２１６は、任意の好適な態様で作り出すことができる。例えば、フリーラジカル２１６は、測定システム２１０またはフリーラジカル再生ツール２１５の近くの容器１２０内に存在する（または容器１２０に固有の）より大きな分子２３０を分解することにより形成することができる。容器１２０内または測定システム２１０の近くに存在するより大きな分子２３０は、例えば、電離放射、熱、放電、電解、および化学反応といったより大きな分子２３０内に十分なエネルギを付与する任意のプロセスによって分解され得る。したがって、フリーラジカルの形成には、より大きな分子２３０に十分なエネルギを供給して、より大きな分子の原子間の結合（一般的には共有結合）を切断することを伴う。

[00056] 別の例として、フリーラジカル２１６は、測定システム２１０から離れた位置に形成されてもよく、その場合、フリーラジカル２１６は、測定表面２１２へと送出され得る。したがって、フリーラジカル２１６は、容器１２０の外で形成され、容器１２０内へと搬送されてもよい。

[00057] 他の実施において、フリーラジカル再生ツール２１５は、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）装置であってもよい。ＣＣＰ装置では、２つの金属電極が短い距離で離隔され、（無線周波数（ＲＦ）電源などの）電源によって駆動される。電極間に電界が発生すると、より大きな分子２３０の原子がイオン化され、電子を放出する。ガス内の電子は、ＲＦ電界によって加速され、ガスを直接的に、または衝突によって間接的にイオン化し、二次電子を生成する。最終的に、電界が十分に強力になると、プラズマが作り出される。

[00058] いくつかの実施では、上述したように、ターゲット１４５はスズ（Ｓｎ）を含み、これらの実施においては、測定表面２１２に堆積したターゲット物質１２５はスズの粒子を含む。上述したように、容器１２０は、制御された環境であり、容器１２０内に存在し、許容されている大きな分子２３０の１つは水素分子（Ｈ_２）である。この場合、フリーラジカル再生ツール２１５は、容器１２０に固有の水素分子または容器１２０内に存在する水素分子からフリーラジカル２１６を作り出す。水素のフリーラジカル２１６は、単一の水素原子（Ｈ^＊）である。この化学的プロセスは、以下の化学式により表すことができる。
上記式において、ｇは化学物質がガス状であることを示す。

[00059] 具体的に、発生した水素Ｈ^＊のフリーラジカルは、測定表面２１２上のスズ粒子（Ｓｎ）と結合し、新しい化学物質２２８を形成する。この化学物質２２８は、水素化物（ＳｎＨ_４）と呼ばれ、測定表面２１２から放出される。この化学的プロセスは、以下の化学式によって表される。
上記式において、ｓは化学物質が固体状態であることを示す。

[00060] このように、（ターゲット物質１２５から形成された）コーティング２２７は、フリーラジカル再生ツール２１５に最も近い領域に限らず、測定表面２１２全体にわたり少なくとも毎分１ナノメートルの速度で測定表面２１２らエッチングまたは除去され得る。これは、フリーラジカル２１６が、測定表面２１２から離れて作り出されるのではなく、測定表面２１２に隣接した位置で作り出され、その後測定表面２１２に搬送されるためである。このことは、水素ラジカルＨ^＊が、生存時間が短く、再結合して水素分子を再編成する傾向にあるため、重要である。フリーラジカル再生ツール２１５の設計は、水素ラジカルＨ^＊を可能な限り測定表面２１２の近くで形成することを可能にし、それにより、より多くの水素ラジカルＨ^＊が、互いに再結合して水素分子を再編し得るよりも前にスズ粒子と結合することができる。これにより、測定システム２１０は、メトロロジ装置２０５を容器１２０から取り外す必要なく再生することができる。

[00061]図３Ａおよび３Ｂを参照すると、メトロロジ装置３０５の一例が示されている。メトロロジ装置３０５は、測定システム３１０の測定表面３１２に隣接したワイヤフィラメント３６５と、このワイヤフィラメント３６５に電流を供給する電源３７０とを備えたフリーラジカル再生ツール３１５を有するように設計される。ワイヤフィラメント３６５は、高い融点を有する材料、少なくとも、付近のより大きな分子の結合を切断するのに十分な熱を提供するのに十分な温度に十分に耐えることができる程度には高い融点を有する材料から形成されるべきである。例えば、いくつかの実施では、ワイヤフィラメント３６５を通って流れる電流は、ワイヤフィラメント３６５の温度を１０００℃より高くまで上昇させ得る。さらに、容器１２０内のより大きな分子または他のコンポーネントに対して化学反応性の低いものであるべきである。それに加えて、ワイヤフィラメント３６５は、上記でも言及した以下の化学式の化学反応に対する触媒である材料から形成されてもよい。
上記の式において、ｇは化学物質がガス状であることを示す。このように、ワイヤフィラメント３６５は、この化学反応を加速させる一方、この化学反応によって消費されない任意の物質であってよい。例えば、ワイヤフィラメント３６５の材料は、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）またはＷおよびＲｅの１つ以上の合金であってよい。最後に、ワイヤフィラメント３６５は、使用中の温度変動に耐えるための頑強性および高い引張強度を有するべきである。例えば、ワイヤフィラメント３６５は、タングステンまたはレニウムから形成され得る。

[00062] 図３Ｃおよび３Ｄも参照すると、ワイヤフィラメント３６５は、電源３７０からの電流によって活性化され、容器１２０内の固有の水素分子３３０と隣接したワイヤフィラメント３６５とが、分子３３０内の原子がフリーラジカルに分裂する点まで活性化するのに十分な温度まで加熱することができる。ワイヤフィラメント３６５は、フリーラジカル２１６と測定表面３１２のコーティング３２７上との間の相互作用をより効果的に可能にするために、測定表面３１２の形状に一致する形状、または補完する形状を有する。

[00063] いくつかの実施において、測定システム３１０は、水晶微量天秤などの結晶微量天秤を備える。結晶微量天秤は図３に示されている。結晶微量天秤は、測定表面３１２に衝突するターゲット物質１２５の流束を特定するために使用可能な測定信号を出力するデバイスである。測定表面３１２上に堆積した塊の量は、測定表面３１２に関連する１つ以上の共振周波数の変化と相関がある。したがって、１つ以上の共振周波数の変化を測定することにより、測定表面３１２上にどれほどの塊が堆積したかを特定することができる。結晶微量天秤は、水晶などの結晶と、この結晶の面に交流電位を提供して、結晶を１つ以上の共振周波数で振動させる一組の電極とを備える。測定表面３１２は、結晶の面の１つに対応し得る。

[00064] 測定表面３１２は、非反応性材料で形成されたアダプタまたはフランジ３７５内に保持され、このフランジ３７５は、水冷可能な筐体３７７に載置される。測定表面３１２は、窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）などの耐フリーラジカル材料の薄膜から成る（不可視の）コーティングを含み得る。この実施では、生成されたフリーラジカル２１６は、コーティング３２７として測定表面３１２上に堆積したターゲット物質１２５とは反応するが、ＺｒＮコーティングとは反応しないため、フリーラジカル再生ツール３１５が動作中であっても、ＺｒＮは損なわれずに残留する。

[00065] ターゲット物質１２５がスズであり、結晶微量天秤が水晶微量天秤である場合、測定表面３１２の飽和限界は、約８マイクロメートル（μｍ）である。この飽和限界は、堆積したターゲット物質１２５から形成されたコーティング３２７の最大厚さである。この飽和限界を超えると、測定システム１１０はターゲット物質１２５の流束を正確に測定することができない。対照的に、容器１２０内の他の要素は、８μｍの数千売程度の厚さを有するターゲット物質１２５が堆積したコーティングにも耐えることができる。フリーラジカル再生ツール３１５は、容器１２０を開ける必要なく、また容器１２０内の他のコンポーネントの動作を止める必要なく、コーティング３２７を除去することができる。

[00066] 図４を参照すると、装置１０５、２０５、３０５のような自己再生メトロロジ装置４０５は、以下に記載するような、容器１２０がＥＵＶ真空チャンバ４２０であるＥＵＶ光源４００内で実施され得る。ＥＵＶ光源４００は、ターゲット４４５の流れ４４２をＥＵＶチャンバ４２０内の相互作用領域に向けて誘導するターゲットデリバリシステム４４０を備える。相互作用領域４８０は、増幅された光ビーム４８１を受ける。上述したように、ターゲット４４５は、プラズマ状態でＥＵＶ光を放出する物質を含む。相互作用領域４８０において、ターゲット４４５内の物質と増幅された光ビーム４８１との間の相互作用は、ターゲット４４５内の一部の物質をプラズマ材料４６０へと変換する。プラズマ材料４６０は、ＥＵＶ光４５５を放出する。プラズマ材料４６０は、ＥＵＶ波長範囲の輝線を有する元素を有する。作り出されたプラズマ材料４６０は、ターゲット４４５の組成に応じた一定の特徴を有する。これらの特徴は、プラズマ材料４６０によって生成されたＥＵＶ光４５５の波長を含む。

[00067] プラズマ材料４６０は、数十電子ボルト（ｅＶ）の電子温度を有する高度にイオン化されたプラズマとみなすことができる。例えば、テルビウム（Ｔｂ）およびガドリニウム（Ｇｄ）といった他の燃料材料（他の種類のターゲット４４５）により、より高いエネルギのＥＵＶ光４５５を発生させることもできる。これらイオンの脱励起および再結合中に発生したエネルギ放射は、プラズマ材料４６０から放出され、光学要素４８２によって集光される。

[00068] 図５Ａ〜５Ｄも参照すると、光学要素４８２は、表面４８３が放出されたＥＵＶ光４５５の少なくとも一部と相互作用する光学コレクタであり得る。光学コレクタ４８２の表面４８３は、ＥＵＶ光４５５の少なくとも一部分を受け、この集光されたＥＵＶ光４８４をＥＵＶ光源４００（図４に図示）で使用するために誘導するように位置決めされた反射面であり得る。反射面４８３は、集光されたＥＵＶ光４８４を二次焦点面に誘導し、二次焦点面において、ＥＵＶ光４８４はＥＵＶ光源４００の外部の（リソグラフィ装置などの）ツール４８５によって使用されるために捕捉される。図１０および１１を参照して、例示的なリソグラフィ装置１０００、１１００について説明する。

[00069] 反射面４８３は、ＥＵＶ波長範囲の光を反射するが、ＥＵＶ波長範囲以外の光は吸収または拡散またはブロックするように構成され得る。光学コレクタ４８２は、増幅された光ビーム４８１が光学コレクタ４８２を通過して相互作用領域４８０に向かうことを可能にするアパーチャ５９０も備える。光学コレクタ４８２は、例えば、相互作用領域４８０に一次焦点を有し、二次焦点面に二次焦点を有する楕円面鏡であり得る。これは、（平面断面Ｃ−Ｃなどの）平面断面が楕円形または円形であることを意味する。したがって、平面断面Ｃ−Ｃは、反射面４８３を横断し、楕円の一部分から形成される。光学コレクタ４８２の平面図は、反射面４８３のエッジが円形を形成することを示している。

[00070] 本明細書に示される光学コレクタ４８２は単一曲面ミラーであるが、他の形態であってもよい。例えば、光学コレクタ４８２は、２つの放射集光面を有するシュヴァルツシルトコレクタであってもよい。一実施において、光学コレクタ４８２は、互いに入れ子状に形成された複数の実質的に円筒状のリフレクタを含むかすめ入射コレクタである。

[00071] もう一度図４を参照すると、ＥＵＶ光源４００は、１つまたは複数の利得媒体内の反転分布により、増幅された光ビーム４８１を生成する光学システム４８６を備える。光学システム４８６は、光ビームを生成する光学源と、光ビームを、指向および修正し、この光ビームを相互作用領域４８０に合焦するビームデリバリシステムと、を備え得る。光学システム４８６内の光源は、増幅された光ビーム４８１を形成する１つ以上の主要パルスと、場合によっては、前駆増幅光ビーム（図示なし）を形成する１つ以上のプリパルスと、を提供するための１つ以上の光学増幅器、レーザ、および／またはランプを備える。各光学増幅器は、高利得で所望の波長を光学的に増幅することができる利得媒体と、励起源と、内部光学系とを備える。光学増幅器は、レーザキャビティを形成するレーザミラーまたは他のフィードバックデバイスを有してもよく、または有さなくてもよい。したがって、光学システム４８６は、レーザキャビティが無い場合でも、増幅器の利得媒体の反転分布により、増幅された光ビーム４８１を生成する。さらに、光学システム４８６は、この光学システム４８６に十分なフィードバックを提供するためのレーザキャビティがある場合には、干渉性のレーザビームである増幅された光ビーム４８１を生成することができる。したがって、「増幅された光ビーム」という用語は、光学システム４８６からの光であって、単に増幅され、必ずしも干渉性のレーザ発振ではない光、および、光学システム４８６からの光であって、増幅され、干渉性のレーザ発振でもある光のうちの１つ以上を包含する。

[00072] 光学システム４８６内で使用される光学増幅器は、利得媒体として、二酸化炭素（ＣＯ_２）を含むガスを含むことができ、約９１００〜１１０００ナノメートル（ｎｍ）（例えば、１０６００ｎｍ）の波長、および１００以上のグレインで、光を増幅することがでる。光学システム４８６において使用するのに適した増幅器およびレーザには、例えば、ＤＣまたはＲＦ励起により、約９３００ｎｍまたは１０６００ｎｍの放射を生成させ、比較的高パワー（例えば、１０ｋＷ以上）および高いパルス繰り返し率（例えば、４０ｋＨｚ以上）で動作するパルス式ガス放電ＣＯ_２レーザデバイスなどのパルス式レーザデバイスが含まれる。

[00073] ＥＵＶ光源４００は、このＥＵＶ光源４００の１つ以上の制御可能なコンポーネントまたはシステムと通信する制御装置４８７も備える。制御装置４８７は、光学システム４８６およびターゲットデリバリシステム４４０と通信している。ターゲットデリバリシステム４４０は、制御装置４８７内の１つ以上のモジュールからの信号に応答して動作可能であり得る。例えば、制御装置４８７は、ターゲットデリバリシステム４４０に信号を送信して、ターゲット４４５内の誤差を所望の位置に到着するべく補正するために、ターゲット４４５の放出点を修正することができる。光学システム４８６は、制御装置４８７内の１つ以上のモジュールからの信号に応答して動作可能であり得る。制御装置４８７の多様なモジュールは、これらのモジュール間でデータが転送されないという点で独立型のモジュールであってもよい。あるいは、制御装置４８７内の１つ以上のモジュールは、互いに通信可能であり得る。制御装置４８７内のモジュールは、同一場所に配置されてもよく、または互いから物理的に離隔されてもよい。

[00074] 例えば、ターゲットデリバリシステム４４０を制御するモジュールは、ターゲットデリバリシステム４４０と同一場所に配置され得る一方、光学システム４８６を制御するモジュールは、光学システム４８６と同一場所に配置され得る。

[00075] メトロロジ装置４０５は、メトロロジ装置４０５の測定システム４１０および再生ツール４１５と通信する制御装置４８８を備える。制御装置４８８は、測定システム４１０から出力を受信し、必要に応じてその出力を分析し、制御装置４８７にデータを送る、または分析に基づいて再生ツールを起動させる、などの動作を実行するように構成される。したがって、制御装置４８８は、測定システム４１０と通信し、測定システム４１０からの信号を受信して、測定システム４１０の測定表面の全体にわたってターゲット物質４２５の流束を計算するように構成された測定コントローラを備え得る。制御装置４８８は、再生ツール４１５を起動または作動させるための信号を提供し得る。例えば、制御装置４８８は、メトロロジ装置３０５の電源３７０に信号を提供し、それによりワイヤフィラメント３６５に電流を供給することができる。

[00076] ＥＵＶシステム４００は、ＥＵＶチャンバ４２０から放出された化学物資４２８や、ＥＵＶチャンバ４２０内で生成し得る他のガス状副生成物を除去するように構成された除去装置または排気装置４８９も備えてもよい。上述したように、放出された化学物質４２８は、（再生ツール４１５によってより大きな分子４３０から生成された）フリーラジカル４１６と、測定システム４１０の測定表面上に堆積したターゲット物質４２５との相互作用から形成される。除去装置４８９は、放出された化学物質４２８をＥＵＶチャンバ４２０から除去するポンプであり得る。除去装置４８９は、ＥＵＶチャンバ４２０の内部またはキャビティ４１８と流体接続したガスートを備え得るため、放出された新しい化学物質４２８はこのガスポートを通って、キャビティ４１８からＥＵＶチャンバ４２０の外部へ搬送される。例えば、化学物質４２８が形成され、放出されると、化学物質４２８は揮発性であることがあるため、除去装置４８９に吸引され、この除去装置４８９が放出された化学物質４２８をＥＵＶチャンバ４２０から除去する。

[00077] ＥＵＶ光源４００の図示されない他の実施形態は、例えば、生成されたＥＵＶ光４５５に関連したパラメータを測定するためのディテクタを備える。ディテクタを使用して、増幅された光ビーム４８１のエネルギまたはエネルギ分布を測定することができる。ディテクタを使用して、ＥＵＶ光４５５の強度の角度分布を測定することができる。ディテクタは、増幅された光ビーム４８１のパルスのタイミングまたは焦点の誤差を測定することができる。これらのディテクタからの出力は制御装置４８７に提供してもよく、制御装置４８７は、出力を分析し、光学システム４８６およびターゲットデリバリシステム４４０といった、ＥＵＶ光源４００の他のコンポーネントの態様を調整するモジュールを備え得る。

[00078] 以上のことをまとめると、増幅された光ビーム４８１は光学システム４８６により生成され、ビームパスに沿って誘導され、相互作用領域４８０においてターゲット４４５を照射して、ターゲット４４５内の材料をＥＵＶ波長範囲内の光を放出するプラズマへと変換する。増幅された光ビーム４８１は、光学システム４８６の設計および特性に基づいて決定される特定の波長（放射源波長）で動作する。

[00079] 図４のＥＵＶチャンバ４２０内には１つのメトロロジ装置４０５のみが示されているが、ＥＵＶチャンバ４２０全体を通して複数のメトロロジ装置４０５を構成することも可能である。メトロロジ装置４０５の他の位置としては、図４においてばつ印４９５によって示されている位置が考えられる。例えば、メトロロジ装置４０５は、ターゲット物質１２５と相互作用する可能性があり、そのためＥＵＶ光源４００の動作中にデブリによってコーティングされる可能性のある表面を含む任意の光学要素の隣に位置決めされ得る。したがって、１つ以上のメトロロジ装置４０５は、光学コレクタ４８２の縁の近くなど光学コレクタ４８２の隣に；ＥＵＶチャンバ４２０の壁と光学コレクタ４８２との間の円錐部分（cone）の隣に；および／またはターゲットデリバリシステム４４０の近く、（除去装置４８９などの）排気ユニットの近くに位置決めされ得る。

[00080] 測定システム３１０は、測定表面３１２上に生じるコーティング３２７の特性を測定し、そのコーティング３２７の厚さを特定し、ひいてはターゲット物質１２５の流束を特定するための分析を可能にし得る任意のデバイスである。他の実施において、測定システム３１０は、屈折計、エリプソメータ、および／または４点プローブとして設計される。

[00081] 上述したように、図３Ａ〜３Ｄ実施において、メトロロジ装置３０５は、測定表面３１２に隣接したワイヤフィラメント３６５を備えるフリーラジカル再生ツール３１５を有するように設計される。フリーラジカル再生ツール３１５を設計するには他の方法がある。他の実施において、フリーラジカル再生ツール３１５は、測定表面３１２に局地的な位置または測定表面３１２に隣接した位置において、容器１２０内に既に存在する材料および固有の材料（より大きな分子３３０などの固有の材料）からプラズマ状態の材料を生成または発生させることを可能にするプラズマジェネレータを備えてもよい。材料（より大きな分子３３０など）が容器１２０内にあり、容器１２０の外から容器１２０内へと搬送する必要ない場合、その材料は容器内に固有であるかまたは存在している。プラズマ材料は、上述したように、測定表面３１２上にコーティング３２７として堆積したターゲット物質１２５と化学反応するフリーラジカル２１６を含む。フリー−ラジカルに加えて、プラズマ材料は、固有の材料から形成されたイオン、固有の材料から生成された電子、および化学的に中性のアイテムなどのターゲット物質１２５とは反応しない他のコンポーネントを含み得る。フリーラジカル再生ツール３１５は、プラズマ材料内に存在するフリーラジカルの数が増加するほど（コーティング３２７として堆積した）ターゲット物質１２５の多くを除去することができる。別の言い方をすれば、プラズマ材料内のフリーラジカルの密度が高いほど、デブリの除去速度は高くなる。

[00082] いくつかの実施において、フリーラジカル再生ツール３１５は、誘電結合プラズマ（ＩＣＰ）ツールとして設計され、これは、プラズマジェネレータとして、測定表面３１２に隣接して配置された導電体を備える。導電体は、メトロロジ装置３０５の電源に接続され、磁器、セラミック、マイカ、ポリエチレン、ガラス、または石英などの誘電製チューブ内に収容される。ＩＣＰプロセスにおいて、導電体には、経時変動する電流が（電源から）流れており、経時変動する電流の流れにより、この導電体に隣接した経時変動する磁界が生成する。そして、生成された経時変動する磁界は、測定表面３１２に隣接した位置に電界または電流を誘発する。誘発された電流は、容器１２０内に固有の材料から、測定表面３１２に隣接した位置にプラズマ材料を発生させるのに十分な大きさである。

[00083] 他の実施において、フリーラジカル再生ツール３１５は、加熱された細管として設計される。フリーラジカル再生ツール３１５は、本明細書内で言及された特定の設計に限定されず、フリーラジカルを生成させる任意のツールであってもよい。

[00084]再び図２を参照すると、測定表面２１２の比較的小さいサイズにより、フリーラジカル再生ツール２１５（または、３１５）によって生成されたフリーラジカル２１６は、拡散の作用によりツール２１５によって形成された後、測定表面２１２の全体にわたって流れる。しかし、容器１２０内の圧力が比較的高いことがあるため（真空であっても、低真空のこともあるため）測定表面２１２がより大きい実施または他の要因が拡散の量を減少させる実施においては、フリーラジカルが追加の補助なく測定表面２１２の全体にわたって分散するのが困難な場合がある。したがって、メトロロジ装置３０５は、測定表面２１２の表面全体にわたってフリーラジカル２１６を推進または分散させるように構成されたガスフロー機構を備えてもよい。

[00085] 図６を参照すると、装置１００によって手順６００が実行される。ターゲット１４５は、容器１２０のキャビティ１１８内に供給される（６０５）。ターゲット１４５は、プラズマ材料１６０へと変換される時にＥＵＶ光１５５を放出するターゲット物質１２５を含む。ターゲット物質１２５の流束は、容器１２０内にある測定表面１１２の全体にわたり（例えば、測定システム１１０を使用して）測定される（６１０）。測定表面１１２は再生される（６１５）。測定表面１１２の再生（６１５）は、測定表面１１２が飽和するのを防止することを含み得る（６１５Ａ）。測定表面１１２の再生（６１５）は、測定表面が飽和した場合に不飽和化することを含み得る（６１５Ｂ）。あるいは、測定表面１１２の再生（６１５）は、測定表面１１２が飽和するのを防止すること（６１５Ａ）と、測定表面が飽和した場合に不飽和化すること（６１５Ｂ）との両方を含むこともある。

[00086] 図４も参照すると、ターゲット４４５は、複数のターゲット４４５またはターゲット４４５の流れ４４２をＥＵＶチャンバ４２０内の相互作用領域４８０に向けて誘導することにより、キャビティ４１８内に供給され得る（６０５）。相互作用領域４８０は、ターゲット４４５と相互作用領域４８０内の増幅された光ビーム４８１との間の相互作用により、ターゲット４４５がＥＵＶ光４５５を放出するプラズマ材料に変換されるように、増幅された光ビーム４８１を受ける。

[00087] ターゲット物質１２５の流束は、対象物質１２５が測定表面１１２上に堆積するように、ターゲット物質１２５を測定表面１１２と相互作用させることにより測定することができる（６１０）。

[00088] 測定システム１１２の再生（６１５）は、測定表面１１２の全体にわたり測定された流束に基づいて作動され得る。さらに、再生（６１５）は、容器１２０から測定表面１１２を取り外さずに実行および完了することができる。

[00089] 図７も参照すると、測定表面の再生（６１５）にどのように影響を受けたかを例示するために、測定表面３１２が示されている。測定表面３１２は、この測定表面３１２から堆積したターゲット物質１２５を除去することにより再生される（６１５）。ターゲット物質１２５は、測定表面３１２上にコーティング３２７を形成する（７１６）。（コーティング３２７を形成する）堆積したターゲット物質１２５は、フリーラジカル２１６を生成させることにより、測定表面３１２から除去される（７１７）。フリーラジカル２１６は、容器１２０内に既に存在し、かつ測定表面３１２に隣接する元素またはより大きな分子２３０などの材料から発生され得る。さらに、フリーラジカル２１６が生成された後、これらのフリーラジカル２１６は、測定表面３１２上の（コーティング３２７を形成する）堆積したターゲット物質１２５と化学反応し、新しい化学物質２２８を形成し、この新しい化学物質２２８が測定表面３１２から放出される（７１８）。堆積したターゲット物質１２５は、反応のための触媒または要素として酸素を使用することなく、測定表面３１２から除去することができる。

[00090] 手順６００は、例えば排気装置４８９を使用して、放出された化学物質２２８を容器１２０から除去する工程も含んでもよい。

[00091] ターゲット物質１２５の流束は、堆積したターゲット物質１２５が測定表面１１２から除去されていない期間に、ターゲット物質１２５の流束を測定することにより、測定され得る６１０。したがって、ターゲット物質１２５の流束の測定は、測定表面１１２が再生される（６１５）タイミングとは別のタイミングで起こり得る。（再生６１５の一部である）堆積したターゲット物質１２５の測定表面１１２からの除去により、測定表面１１２がその飽和限界に到達することを防止することができる。さらに、堆積したターゲット物質１２５の除去は、測定システム１１２により、除去直前のターゲット物質１２５の流束が測定されたあとに行われるべきである。これは、ターゲット物質１２５が素早く除去されすぎると、測定システム１１０がターゲット物質１２５の流束を特定することができないためである。

[00092] さらに、測定された流束６１０を制御装置４８７によって使用し、プラズマ材料４６０から放出されるＥＵＶ光４５５の量を推定することができる。例えば、ＥＵＶ光４５５の生成の安定性は、一般的に、（例えば、スズのデブリである）ターゲット物質１２５の生成と相関または関連する。したがって、ターゲット物質１２５の測定された流束６１０大きな揺らぎは、ＥＵＶ光源４００の動作が不安定であることを示す。さらに、測定された流束６１０を使用して、容器１２０内の表面、例えば、メトロロジ装置１０５に隣接した表面上に堆積したターゲット物質１２５の量をさらに推定することができる。

[00093] 所望の情報の種類に応じて、メトロロジ装置１０５は、容器１２０全体を通して特定の位置に配置され得る。例えば、測定された流束６１０を使用して、特定のメトロロジ装置１０５に隣接した機器の動作不良を特定することができる。別の例として、測定された流束６１０を使用して、メトロロジ装置１０５がクリーニング中の表面の隣に配置される場合に、表面のクリーニング速度を測定することができる。

[00094] 測定された流束６１０を使用して、搬送されたターゲット物質１２５の流れの場が変わったかどうかを特定することができる。特に、ターゲット物質１２５は、容器１２０内に存在する水素分子内に閉じ込められ、この水素分子が特定の流れの経路に従って容器１２０を通って搬送される。メトロロジ装置１０５が特定の流れの場の近くに配置される場合、メトロロジ装置１０５を使用して、ターゲット物質１２５の流束６１０を測定することにより、その流れの場が変わったかどうかを特定することができる。

[00095] 図８を参照すると、手順６００および図３Ａ〜３Ｄのメトロロジ装置３０５の適用を示すグラフ８００が示されている。グラフ８００は、コーティング３２７の堆積厚さ８０５と時間８１０（またはそれに対応するパルス累積）との関係を示している。グラフ８００には、測定表面３１２の飽和限界８１５も破線で示されている。上述したように、測定システム３１０が水晶微量天秤であり、ターゲット物質１２５がスズである例では、飽和限界８１５は５〜１５μｍの範囲であり得る。最初に、メトロロジ装置３０５は、測定モード８２０で機能し、このモード８２０では、測定システム３１０が測定表面３１２の全体にわたりターゲット物質１２５の流束を測定するように動作している。測定モード８２０において、フリーラジカル再生ツール３１５は動作しておらず、そのため、ワイヤフィラメント３６５には電源３７０から電力が供給されていない。この測定モード８２０の間、コーティング３２７の厚さ８０５は一般的に増加している。この測定モード８２０におけるグラフ８００の傾斜は、測定システム３１０のメモリまたは測定システム３１０からの出力を受信する制御装置のメモリ内に記憶され、システム性能モニタおよびプロセスエクスカーションの防止として使用される。さらに、測定システム３１０は、ターゲット物質１２５の堆積速度、流束、または他の特性を決定するために動作する。コーティング３２７の厚さ８０５が飽和限界８１５に到達すると、メトロロジ装置３０５は、再生モード８２５で動作するように切り替わる。再生モード８２５では、測定システム３１０は、機能を果たしても、果たさなくてもよいが、ワイヤフィラメント３６５は、電源３７０からの電流で活性化されるため、測定表面３１２上にコーティング３２７として堆積したターゲット物質１２５を除去するように能動的に作用する。このような測定モード８２０および再生モード８２５のサイクルは、装置１００の動作中、必要に応じて繰り返される。さらに、サイクルのタイミングまたは頻度は、測定システム３１０の所望のデータ取得頻度に応じて選択され得る。

[00096] 水晶微量天秤であり、ＺｒＮ表面コーティングを有し、ワイヤフィラメント３６５と測定表面３１２との間の距離に依存する測定システム３１０では、測定表面３１２からのスズの除去速度は、ワイヤフィラメント３６５の周縁から約２０ミリメートル（ｍｍ）のラジアル距離において、毎分４ナノメートル（ｎｍ）ほどの高さであり得る。水晶微量天秤はサイズが小さく、測定表面３１２が十分に２０ｍｍ以内に収まるため、これらの状況での水晶微量天秤からのスズの除去速度は、４ｎｍ／分を上回る。このような除去速度は、約４５０ｎｍ／ｇｐｓである近傍の臨界面上の堆積速度よりもかなり高い（例えば、数十倍高い）ため、測定表面１１２の再生の時間分布が向上する。

[00097] 例えば、図９は、様々な標準リットル毎分の値（ｓｌｍ）について、任意のユニットにおける除去速度９０５と、ワイヤフィラメント３６５と測定表面３１２との間の距離との関係を示すグラフ９００を示している。

[00098] 図１０を参照すると、いくつかの実施において、メトロロジ装置１０５（または、２０５、３０５、４０５）は、リソグラフィ装置１０８５にＥＵＶ光１０８４を供給するＥＵＶ光源１０００内で実施される。リソグラフィ装置１０８５は、放射ビームＢ（例えば、ＥＵＶ光１０８４）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスクまたはレチクル）ＭＡを支持するように構成され、パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、反射型投影システム）ＰＳと、を備える。

[00099] 照明システムＩＬとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。サポート構造ＭＴはパターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスをＭＡ保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムＰＳに対して所望の位置に確実に置くことができる。

[000100] 「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。

[000101] 投影システムＰＳは、照明システムＩＬと同様に、使われている露光放射にとって、あるいは真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、および静電型光学系またはその他の型の光学コンポーネント、またはそれらのあらゆる組合せなどの多様な型の光学コンポーネントを含み得る。ＥＵＶ放射には、真空を使用するのが望ましいことがある。これは、他のガスが放射を吸収しすぎるおそれがあるためである。したがって、真空壁および真空ポンプを使用して、放射ビームパスの全体に真空環境が提供され得る。

[000102] 本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。

[000103] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。

[000104] イルミネータＩＬは、ＥＵＶ光源１０００から極端紫外線放射ビーム（ＥＵＶ光１１７５）を受ける。ＥＵＶ光を生成させる方法としては、例えば、キセノン、リチウムまたはスズなどの少なくとも１つの元素を有し、ＥＵＶ範囲内の１つ以上の輝線を有する材料をプラズマ状態へと変換することが含まれるが、必ずしもこれに限定されない。そのような方法のうちの１つであり、しばしばレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）と呼ばれる方法では、所望の輝線を放出する元素を有する材料の液滴、流れまたはクラスタなどの燃料を、レーザビームで照射することにより所望のプラズマを生成さることができる。ＥＵＶ光源１０００は、ＥＵＶ光源４００のように設計され得る。上述したように、結果として生じたプラズマは、例えばＥＵＶ放射などの出力放射を放出し、この出力放射は光学要素４８２（または放射コレクタ）を使って集光される。

[000105] 放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス（マスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＰＳ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＰＳ１を使い、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。

[000106] 例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。

[000107] １．ステップモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。

[000108] ２．スキャンモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。

[000109] ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

[000110] 上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。

[000111] 図１１は、ＥＵＶ光源１１００、照明システムＩＬ、および投影システムＰＳを備えたリソグラフィ装置１１８５の実施をより詳細に示している。ＥＵＶ光源１１００は、ＥＵＶ光源４００について説明した際に上述したように構築および配置される。

[000112] 照明システムＩＬおよびＰＳは、同様にそれぞれ独自の真空環境内に収容される。ＥＵＶ光源１１００の中間焦点（ＩＦ）は、閉鎖構造のアパーチャに、またはアパーチャの近くに位置付けられるように配置される。仮想源点ＩＦは、放射放出プラズ（例えば、ＥＵＶ光４８４）の像である。

[000113] 中間焦点ＩＦにおけるアパーチャから、放射ビームは、本例ではファセットフィールドミラーデバイス１１２２およびファセット瞳ミラーデバイス１１２４を備えた照明システムＩＬを横断する。これらのデバイスは、いわゆるフライアイイルミネータを形成し、このフライアイイルミネータは、（参照符号１１６６によって図示さ有れるように）パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム１１２１の所望の角度分布を提供し、またパターニングデバイスＭＡにおいて放射強度の所望の均一性を提供するように配置される。サポート構造（マスクテーブル）ＭＴに保持されたパターニングデバイスＭＡにおいてビーム１１２１が反射されると、パターン付きビーム１１２６が形成され、パターン付きビーム１１２６は、投影システムＰＳによって、反射要素１１２８、１１３０を介して、基板テーブルＷＴ上に保持された基板Ｗ上に結像される。基板Ｗ上のターゲット部分Ｃを露光するために、基板テーブルＷＴおよびパターニングデバイステーブルＭＴが同期的動作を実行している間に放射のパルスを発生させ、パターニングデバイスＭＡ上のパターンを照明のスリットによりスキャンする。

[000114] 各システムＩＬおよびＰＳは、ＥＵＶチャンバ４２０と同様の閉鎖構造によって画定される各々の独自の真空環境または近真空環境内に配置される。照明システムＩＬおよび投影システムＰＳには、通常、図示されるよりも多くの要素が存在し得る。さらに、図示されるよりも多くのミラーが存在してもよい。例えば、照明システムＩＬおよび／または投影システムＰＳ内には、図１１に図示されるものの他に、１〜６個の追加の反射要素があってもよい。

[000115] 図４を再び参照すると、ターゲットデリバリシステム４４０は、ＥＵＶチャンバ４２０内に配置され、高周波数の液滴の流れ４４２を相互作用領域４８０に向けて発射するように配置される液滴ジェネレータを備え得る。動作中、増幅された光ビーム４８１は、液滴ジェネレータの動作と同期して送出され、各液滴（ターゲット４４５）を光放出プラズマ４６０へと変換させるために放射パルスを送出する。液滴の送出周波数は、数キロヘルツ、例えば５０ｋＨｚであり得る。

[000116] いくつかの実施において、増幅された光ビーム４８１からのエネルギは、少なくとも２つのパルスで送出される。つまり、燃料材料を蒸発させて小さいクラウドにするために、エネルギが限定されたプリパルスが相互作用領域４８０に到達する前の液滴に送出され、その後、エネルギのメインパルスが相互作用領域４８０のクラウドへと送出され、光放出プラズマ４６０を発生させる。ＥＵＶチャンバ４２０の反対側には（例えば、受け部であり得る）トラップが設けられ、理由のいかんにかかわらずプラズマに変換されない燃料（つまり、ターゲット４４５）を捕捉する。

[000117] ターゲットデリバリシステム４４０内の液滴ジェネレータは、燃料液体（例えば、溶融スズ）を含むリザーバ、フィルタ、およびノズルを備える。ノズルは、相互作用領域４８０に向けて燃料液体の液滴を射出するように構成される。燃料液体の液滴は、リザーバ内の圧力と、ピエゾアクチュエータ（図示なし）によってノズルに印加される振動との組み合わせにより、ノズルから射出され得る。

[000118] 本発明の他の態様は、以下に列挙する条項に記載される。
１．容器と、
プラズマ状態の時に極端紫外線光を放出するターゲット物質を含むターゲットを、容器内の相互作用領域に向けて誘導するターゲットデリバリシステムと、
メトロロジ装置と、を備えた装置であって、メトロロジ装置は、
ターゲット物質の流束を測定するように構成された測定表面を備えた測定システムと、
測定システムを再生するように構成された再生ツールと、を備え、再生は、
測定表面が飽和するの防止すること、および／または、
測定表面が飽和した場合に測定表面を不飽和化することを含む、
装置。
２．メトロロジ装置は、測定システムおよび再生ツールと通信する制御装置を備え、制御装置は、測定システムからの出力に基づいて、再生ツールを作動させるように構成される、条項１に記載の装置。
３．測定表面はターゲット物質と相互作用するように構成され、ターゲット物質と測定表面との相互作用は、測定信号を生成させ、
測定システムは、測定信号を受信し、測定表面全体にわたりターゲット物質の流束を計算するように構成された測定コントローラをさらに備える、
条項１に記載の装置。
４．メトロロジ装置は結晶微量天秤を備える、条項１に記載の装置。
５．結晶微量天秤は水晶微量天秤である、条項４に記載の装置。
６．容器はキャビティを画定し、容器キャビティは、大気圧未満の圧力で保持される、条項１に記載の装置。
７．相互作用領域は、増幅された光ビームを受け、ターゲットは、増幅された光ビームと相互作用すると、極端紫外線光を放出するプラズマへと変換される、条項１に記載の装置。
８．容器内の光学要素表面を含む光学要素をさらに備え、メトロロジ装置は、光学要素表面に対して位置決めされる、条項１に記載の装置。
９．光学要素は、ターゲットがプラズマに変換される時に、光学要素表面が放出された極端紫外線光の少なくとも一部と相互作用する光学コレクタである、条項８に記載の装置。
１０．再生ツールは、容器からメトロロジ装置を取り外さずに、測定システムを再生するように構成される、条項１に記載の装置。
１１．再生ツールは、測定システムと相互作用するように位置決めされ、測定コントローラによる指示があると、測定表面上に堆積したターゲット物質を除去するように構成されたクリーニングツールを備える、条項１に記載の装置。
１２．クリーニングツールは、測定表面に隣接したフリーラジカルを生成するように構成されたフリーラジカル生成ユニットを備え、フリーラジカルは堆積したターゲット物質と化学反応し、測定表面から放出される新しい化学物質を形成する、条項１１に記載の装置。
１３．フリーラジカル生成ユニットは、測定表面に隣接したワイヤフィラメントと、ワイヤフィラメントに電流を供給する電源とを備える、条項１２に記載の装置。
１４．ワイヤフィラメントは、測定表面の形状に整合する形状である、条項１３に記載の装置。
１５．フリーラジカル生成ユニットは、測定表面に隣接したプラズマ状態のプラズマ材料を発生させるプラズマジェネレータを備え、プラズマ材料はフリーラジカルを含む、条項１２に記載の装置。
１６．フリーラジカルは、容器内に固有の水素分子から生成された水素のフリーラジカルである、条項１２に記載の装置。
１７．測定表面上のターゲット物質はスズを含み、測定表面から放出された新しい化学物質は水素化スズを含む、条項１６に記載の装置。
１８．放出された新しい化学物質を容器から除去するように構成された除去装置をさらに備える、条項１２に記載の装置。
１９．除去装置は、容器の内部と流体接続するガスポートを備え、放出された新しい化学物質は、容器の内部からガスポートを通って搬送される、条項１８に記載の装置。
２０．再生ツールは、容器内に水素が存在する状態で、かつ酸素を要する反応を伴わずに、測定表面からターゲット物質を除去するように構成される、条項１に記載の装置。
２１．プラズマに変換される時に極端紫外線光を放出する物質を含むターゲットを容器のキャビティ内に供給することと、
容器キャビティ内の測定表面全体にわたりターゲット物質の流束を測定することと、
測定表面を再生することと、を含む方法であって、再生することが、
測定表面が飽和するの防止すること、および／または、
測定表面が飽和した場合に測定表面を不飽和化することの少なくとも一方を含む、
方法。
２２．測定表面全体にわたり測定されたターゲット物質の流束に基づいて、測定表面の再生を作動させることを含む、条項２１に記載の方法。
２３．ターゲット物質の流束を測定することは、ターゲット物質が測定表面上に堆積するように、ターゲット物質を測定表面と相互作用させることを含む、条項２１に記載の方法。
２４．容器キャビティ内にターゲットを供給することは、複数のターゲットを真空容器内の相互作用領域に向けて誘導することを含み、相互作用領域は増幅された光ビームも受けて、相互作用領域におけるターゲットと増幅された光ビームとの間の相互作用により、ターゲットは、極端紫外線光を放出するプラズマに変換される、条項２１に記載の方法。
２５．測定表面を再生することは、容器から測定表面を取り外さずに、測定表面から堆積したターゲット物質を除去することを含む、条項２１に記載の方法。
２６．測定表面から堆積したターゲット物質を除去することは、測定表面に隣接した元素のフリーラジカルを生成することを含み、生成されたフリーラジカルは、堆積したターゲット物質と化学反応し、測定表面から放出される新しい化学物質を形成する、条項２５に記載の方法。
２７．堆積したターゲット物質はスズを含み、元素は水素であり、フリーラジカルは水素ラジカルであり、新しい化学物質は水素化スズである、条項２６に記載の方法。
２８．測定表面に隣接した要素は、容器キャビティに固有のものである、条項２６に記載の方法。
２９．堆積したターゲット物質を除去することは、酸素の不存在下で、堆積したターゲット物質を除去することを含む、条項２６に記載の方法。
３０．放出された新しい化学物質を容器キャビティから除去することをさらに含む、条項２６に記載の方法。
３１．ターゲット物質の流束を測定することは、堆積したターゲット物質が測定表面から除去されていない時にターゲット物質の流束を測定することを含む、条項２５に記載の方法。
３２．測定表面から堆積したターゲット物質を除去することにより、測定表面がその飽和限界に到達するのを防止する、条項２５に記載の方法。
３３．容器によって画定されるキャビティを大気圧未満の圧力に維持することをさらに含む、条項２１に記載の方法。
３４．測定された流束に基づいて、ターゲット物質がプラズマに変換される時に放出される極端紫外線の量を推定することをさらに含む、条項２１に記載の方法。
３５．測定された流束に基づいて、容器キャビティ内の表面上に堆積したターゲット物質の量を推定することをさらに含む、条項２１に記載の方法。
３６．増幅された光ビームを生成するように構成された光学源と、
キャビティを画定する容器であって、容器は、キャビティ内の相互作用領域において増幅された光ビームを受けるように構成され、キャビティは、大気圧未満の圧力で保持されるように構成される、容器と、
ターゲットパスに沿って相互作用領域に向かって進むターゲットを生成するように構成されたターゲットデリバリシステムであって、ターゲットがプラズマ状態の極端紫外線光を放出するターゲット物質を含む、ターゲットデリバリシステムと、
メトロロジ装置と、を備えた極端紫外線光源であって、メトロロジ装置は、
ターゲット物質の流束を測定するように構成された測定表面を含む測定システムと、
測定システムを再生するように構成された再生ツールと、を備え、再生プロセスは、
測定表面が飽和するのを防止すること、および／または
測定表面が飽和した場合に測定表面を不飽和化すること、を含む、
極端紫外線光源。
３７．測定表面はターゲット物質と相互作用するように構成され、ターゲット物質と測定表面との間の相互作用により測定信号が生成され、測定システムは、測定信号を受信し、測定表面の全体にわたるターゲット物質の流束を計算する測定コントローラをさらに備える、条項３６に記載の極端紫外線光源。
３８．再生ツールは、測定システムと相互作用するように位置決めされたクリーニングツールを備え、クリーニングツールは、測定表面上に堆積したターゲット物質を除去することによって測定システムを再生するように構成される、条項３７に記載の極端紫外線光源。
３９．外部のリソグラフィ装置による使用のために、放出された極端紫外線光の少なくとも一部を集光する光学コレクタをさらに備える、条項３６に記載の極端紫外線光源。
４０．極端紫外線光源において使用されるメトロロジシステムであって、
容器内の測定表面の全体にわたりターゲット物質の流束を測定するように構成されたメトロロジ装置であって、
ターゲット物質と相互作用するように構成された測定表面を備えた測定システムであって、ターゲット物質と測定表面との間の相互作用により測定信号が生成される、測定システムと、
測定信号を受信し、受信した測定信号に基づいて、測定表面の全体にわたるターゲット物質の流束を計算するように構成された測定コントローラと、を備えたメトロロジ装置と、
メトロロジ装置に連結され、測定システムを再生するように構成された再生ツールと、を備え、
再生は、
測定表面が飽和するのを防止すること、および／または
測定表面が飽和した場合に測定表面を不飽和化すること、を含み、
再生ツールは、測定表面と相互作用し、測定コントローラからの指示に応じて、測定表面上に堆積したターゲット物質を除去するように位置決めされたクリーニングツールを備える、
メトロロジシステム。
４１．容器と、
プラズマ状態の時に極端紫外線光を放出するターゲット物質を含むターゲットを容器内の相互作用領域に向けて送出するための手段と
メトロロジ装置と、を備えた装置であって、メトロロジ装置は、
容器内の測定表面全体にわたりターゲット物質の流束を測定する手段と、
測定表面を再生する手段と、を備え、再生する手段は、
測定表面が飽和するのを防止する手段、および／または
測定表面が飽和した場合に測定表面を不飽和化する手段を備える、
装置。

[000119] 他の実施は、以下に記載する請求の範囲に含まれる。

Claims (25)

1. 容器と、
   プラズマ状態の時に極端紫外線光を放出するターゲット物質を含むターゲットを、容器内の相互作用領域に向けて誘導するターゲットデリバリシステムと、
   メトロロジ装置と、を備えた装置であって、メトロロジ装置は、
   前記ターゲット物質の流束を測定するように構成された測定表面を備えた測定システムと、
   前記測定システムを再生するように構成された再生ツールと、を備え、再生は、
   前記測定表面が飽和するの防止すること、および／または、
   前記測定表面が飽和した場合に前記測定表面を不飽和化することを含む、
   装置。
2. 前記測定表面は、前記ターゲット物質と相互作用するように構成され、前記ターゲット物質と前記測定表面との相互作用は、測定信号を生成し、
   前記測定システムは、前記測定信号を受信し、前記測定表面全体にわたり前記ターゲット物質の前記流束を計算するように構成された測定コントローラをさらに備える、
   請求項１に記載の装置。
3. 前記メトロロジ装置は、水晶微量天秤を備える、請求項１に記載の装置。
4. 前記相互作用領域は、増幅された光ビームを受け、前記ターゲットは、前記増幅された光ビームと相互作用すると、極端紫外線光を放出するプラズマへと変換される、請求項１に記載の装置。
5. 前記容器内の光学要素表面を含む光学要素をさらに備え、前記メトロロジ装置は、前記光学要素表面に対して位置決めされ、前記光学要素は、前記ターゲットが前記プラズマに変換される時に、前記光学要素表面が、放出された極端紫外線光の少なくとも一部と相互作用する光学コレクタである、請求項１に記載の装置。
6. 前記再生ツールは、前記容器から前記メトロロジ装置を取り外さずに、前記測定システムを再生するように構成される、請求項１に記載の装置。
7. 前記再生ツールは、前記測定システムと相互作用するように位置決めされたクリーニングツールを備え、前記クリーニングツールは、前記測定コントローラによる指示があると、前記測定表面上に堆積した前記ターゲット物質を除去するように構成される、請求項１に記載の装置。
8. 前記クリーニングツールは、前記測定表面に隣接したフリーラジカルを生成するように構成されたフリーラジカル生成ユニットを備え、前記フリーラジカルは前記堆積したターゲット物質と化学反応し、前記測定表面から放出される新しい化学物質を形成する、請求項７に記載の装置。
9. 前記フリーラジカル生成ユニットは、
   前記測定表面に隣接したワイヤフィラメントおよび前記ワイヤフィラメントに電流を供給する電源と、
   前記測定表面に隣接したプラズマ状態のプラズマ材料を発生させるプラズマジェネレータであって、前記プラズマ材料がフリーラジカルを含む、プラズマジェネレータと、のうち一方を備える、
   請求項８に記載の装置。
10. 前記フリーラジカルは、前記容器内に固有の水素分子から生成された水素のフリーラジカルであり、前記測定表面上の前記ターゲット物質はスズを含み、前記測定表面から放出された前記新しい化学物質は水素化スズを含む、請求項８に記載の装置。
11. 前記放出された新しい化学物質を前記容器から除去するように構成された除去装置をさらに備え、前記除去装置は、前記容器の内部と流体接続するガスポートを備え、前記放出された新しい化学物質は、前記容器の前記内部から前記ガスポートを通って搬送される、請求項８に記載の装置。
12. 前記再生ツールは、前記容器内に水素が存在する状態で、かつ酸素を要する反応を伴わずに、前記測定表面から前記ターゲット物質を除去するように構成される、請求項１に記載の装置。
13. プラズマに変換される時に極端紫外線光を放出する物質を含むターゲットを容器のキャビティ内に供給することと、
    前記キャビティ内の測定表面全体にわたり前記ターゲット物質の流束を測定することと、
    前記測定表面を再生することと、を含む方法であって、前記再生することが、
    前記測定表面が飽和するの防止すること、および
    前記測定表面が飽和した場合に前記測定表面を不飽和化すること、のうちの少なくとも一方を含む、
    方法。
14. 前記測定表面全体にわたり測定された前記ターゲット物質の前記流束に基づいて、前記測定表面の再生を作動させることをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
15. 前記容器キャビティ内に前記ターゲットを供給することは、複数のターゲットを前記真空容器内の相互作用領域に向けて誘導することを含み、前記相互作用領域は増幅された光ビームも受けて、前記相互作用領域における前記ターゲットと前記増幅された光ビームとの間の相互作用により、前記ターゲットが前記極端紫外線光を放出する前記プラズマに変換される、請求項１３に記載の方法。
16. 前記測定表面を再生することは、前記容器から前記測定表面を取り外さずに、かつ、酸素の不存在下で、前記測定表面から堆積したターゲット物質を除去することを含む、請求項１３に記載の方法。
17. 前記測定表面を再生することは、前記容器から前記測定表面を取り外さずに、前記測定表面から堆積したターゲット物質を除去することを含み、前記測定表面から前記堆積したターゲット物質を除去することは、前記測定表面に隣接した元素のフリーラジカルを生成することを含み、前記生成されたフリーラジカルは、前記堆積したターゲット物質と化学反応し、前記測定表面から放出される新しい化学物質を形成する、請求項１３に記載の方法。
18. 前記堆積したターゲット物質はスズを含み、前記元素は水素であり、前記フリーラジカルは水素ラジカルであり、前記新しい化学物質は水素化スズである、請求項１７に記載の方法。
19. 前記測定表面を再生することは、前記容器から前記測定表面を取り外さずに、前記測定表面から堆積したターゲット物質を除去することを含み、前記測定表面から前記堆積したターゲット物質を除去することにより、前記測定表面がその飽和限界に到達するのを防止する、請求項１３に記載の方法。
20. 前記測定された流束に基づいて、前記ターゲット物質がプラズマに変換される時に放出される極端紫外線光の量を推定することをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
21. 前記測定された流束に基づいて、前記容器キャビティ内の表面上に堆積したターゲット物質の量を推定することをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
22. 増幅された光ビームを生成するように構成された光学源と、
    キャビティを画定する容器であって、前記容器は、前記キャビティ内の相互作用領域において前記増幅された光ビームを受けるように構成され、前記キャビティは、大気圧未満の圧力で保持されるように構成される、容器と、
    ターゲットパスに沿って前記相互作用領域に向かって進むターゲットを生成するように構成されたターゲットデリバリシステムであって、前記ターゲットがプラズマ状態の極端紫外線光を放出するターゲット物質を含む、ターゲットデリバリシステムと、
    メトロロジ装置と、を備えた極端紫外線光源であって、メトロロジ装置は、
    前記ターゲット物質の流束を測定するように構成された測定表面を含む測定システムと、
    前記測定システムを再生するように構成された再生ツールと、を備え、再生は、
    前記測定表面が飽和するのを防止すること、および／または
    前記測定表面が飽和した場合に前記測定表面を不飽和化すること、を含む、
    極端紫外線光源。
23. 前記再生ツールは、前記測定システムと相互作用するように位置決めされたクリーニングツールを備え、前記クリーニングツールは、前記測定表面上に堆積したターゲット物質を除去することにより前記測定表面を再生するように構成される、請求項２２に記載の極端紫外線光源。
24. 極端紫外線光において使用されるメトロロジシステムであって、
    容器内の測定表面の全体にわたりターゲット物質の流束を測定するように構成されたメトロロジ装置であって、
    前記ターゲット物質と相互作用するように構成された前記測定表面を備えた測定システムであって、前記ターゲット物質と前記測定表面との間の相互作用により測定信号が生成される、測定システムと、
    前記測定信号を受信し、前記受信した測定信号に基づいて、前記測定表面の全体にわたる前記ターゲット物質の流束を計算するように構成された測定コントローラと、を備えたメトロロジ装置と
    前記メトロロジ装置に連結され、前記測定システムを再生するように構成された再生ツールと、を備え、
    再生は、
    前記測定表面が飽和するのを防止すること、および／または
    前記測定表面が飽和した場合に前記測定表面を不飽和化すること、を含み、
    前記再生ツールは、前記測定表面と相互作用し、前記測定コントローラからの指示に応じて、前記測定表面上に堆積したターゲット物質を除去するように位置決めされたクリーニングツールを備える、
    メトロロジシステム。
25. 容器と、
    プラズマ状態の時に極端紫外線光を放出するターゲット物質を含むターゲットを、前記容器内の相互作用領域に向けて送出するための手段と
    メトロロジ装置と、を備えた装置であって、前記メトロロジ装置は、
    前記容器内の測定表面全体にわたり前記ターゲット物質の流束を測定する手段と、
    前記測定表面を再生する手段と、を備え、前記再生する手段は、
    前記測定表面が飽和するのを防止する手段、および／または
    前記測定表面が飽和した場合に前記測定表面を不飽和化する手段を備える、
    装置。