JP2002141280A - 平板投影装置、素子製造方法およびそれによって製造された素子 - Google Patents
平板投影装置、素子製造方法およびそれによって製造された素子Info
- Publication number
- JP2002141280A JP2002141280A JP2001252774A JP2001252774A JP2002141280A JP 2002141280 A JP2002141280 A JP 2002141280A JP 2001252774 A JP2001252774 A JP 2001252774A JP 2001252774 A JP2001252774 A JP 2001252774A JP 2002141280 A JP2002141280 A JP 2002141280A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- sensitive material
- projection
- wavelength
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 184
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 5
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012857 radioactive material Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 60
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- JGIATAMCQXIDNZ-UHFFFAOYSA-N calcium sulfide Chemical compound [Ca]=S JGIATAMCQXIDNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100033041 Carbonic anhydrase 13 Human genes 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000867860 Homo sapiens Carbonic anhydrase 13 Proteins 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000011365 complex material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000037452 priming Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/58—Photometry, e.g. photographic exposure meter using luminescence generated by light
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/70741—Handling masks outside exposure position, e.g. reticle libraries
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は従来の技術では平板投影装置で使用
するには不都合であった、波長が５０ｎｍ未満の放射線
を検出可能な放射線センサが都合よく位置している平板
投影装置を提供する。 【解決手段】 ５０ｎｍ未満の波長λ1を有する放射線
の投影ビームを提供する放射システムと、所望のパター
ンに従って投影ビームをパターン化するパターン化手段
を支持する支持構造体と、基板を保持する基板テーブル
と、パターン化したビームを基板の目標部分に投影する
投影システムとを含む。更に、投影ビームからの放射線
を受け取るように位置し、波長λ1の入射放射線を二次
放射線に変換する放射線感受性材料からなる放射線セン
サと、前記材料の層から出てくる二次放射線を検出可能
な感知手段とを含む。
するには不都合であった、波長が５０ｎｍ未満の放射線
を検出可能な放射線センサが都合よく位置している平板
投影装置を提供する。 【解決手段】 ５０ｎｍ未満の波長λ1を有する放射線
の投影ビームを提供する放射システムと、所望のパター
ンに従って投影ビームをパターン化するパターン化手段
を支持する支持構造体と、基板を保持する基板テーブル
と、パターン化したビームを基板の目標部分に投影する
投影システムとを含む。更に、投影ビームからの放射線
を受け取るように位置し、波長λ1の入射放射線を二次
放射線に変換する放射線感受性材料からなる放射線セン
サと、前記材料の層から出てくる二次放射線を検出可能
な感知手段とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は平板投影装置であっ
て、放射線の投影ビームを供給する放射システムと、所
望のパターンに従って前記投影ビームをパターン化する
ように作用するパターン化手段を支持する支持構造体
と、基板を保持する基板テーブルと、基板の目標部分上
に前記パターン化されたビームを投影する投影システム
とを含む平板投影装置に関する。
て、放射線の投影ビームを供給する放射システムと、所
望のパターンに従って前記投影ビームをパターン化する
ように作用するパターン化手段を支持する支持構造体
と、基板を保持する基板テーブルと、基板の目標部分上
に前記パターン化されたビームを投影する投影システム
とを含む平板投影装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】本明細書で使用している「パターン化手
段」という用語は基板の目標部分において形成すべきパ
ターンに対応したパターン化した断面を供給されてくる
放射線ビームに付与するために使用しうる手段を指すも
のと広義に解釈し、これに関連して「光弁」という用語も
使用しうる。一般に、前記パターンは、例えば集積回路
あるいはその他の素子(以下を参照)のような目標部分に
形成される素子の特定の機能層に対応する。そのような
パターン化手段は以下を含む。マスク。マスクの概念は
平板印刷技術において周知であり、バイナリ、交番相シ
フト、および減衰相シフト並びに各種のハイブリッドの
マスク型式のようなマスク型式を含む。放射線ビームに
そのようなマスクを位置させることによって、マスクに
衝突する放射線を選択的に（透過マスクの場合は）透過
を、（反射マスクの場合は）反射を発生させる。マスク
の場合、支持構造体は一般にマスクが供給される放射線
ビームにおける所望の位置に確実に保持可能で、かつ希
望に応じてビームに対して相対運動可能にするマスクテ
ーブルである。プログラム可能なミラーアレイ。そのよ
うな素子の一例は粘弾性の制御層と反射面とを有するマ
トリックスアドレス可能な面である。そのような装置の
背景にある基本原理は(例えば)反射面のアドレスされた
領域が入射光線を回折光線として反射し、一方アドレス
されない領域は入射光線を非回折光線として反射するこ
とである。適当なフィルタを使用することによって、前
記非回折光線は反射されたビームから濾過され、回折さ
れた光線のみを残すことができる。このようにして、ビ
ームはマトリックスアドレス可能な面のアドレスパター
ンに従ってパターン化されるようになる。必要なマトリ
ックスのアドレス指定は適当な電子手段を使用して実行
可能である。そのようなミラーアレイに関するそれ以上
の情報は例えば、参考のために本明細書に含めている米
国特許第５，２９６，８９１号および同第５，５２３，
１９３号から収集しうる。プログラム化されたミラーア
レイの場合、前記支持構造体は、例えば必要に応じて、
固定あるいは可動としうるフレームあるいはテーブルと
して実施すればよい。プログラム化可能なＬＣＤアレ
イ。そのような構造の一例が参考のために本明細書に含
めている米国特許第５，２２９，８７２号に提供されて
いる。前述と同様に、この場合の支持構造体は例えば、
必要に応じて固定あるいは可動としうるフレームあるい
はテーブルとすればよい。
段」という用語は基板の目標部分において形成すべきパ
ターンに対応したパターン化した断面を供給されてくる
放射線ビームに付与するために使用しうる手段を指すも
のと広義に解釈し、これに関連して「光弁」という用語も
使用しうる。一般に、前記パターンは、例えば集積回路
あるいはその他の素子(以下を参照)のような目標部分に
形成される素子の特定の機能層に対応する。そのような
パターン化手段は以下を含む。マスク。マスクの概念は
平板印刷技術において周知であり、バイナリ、交番相シ
フト、および減衰相シフト並びに各種のハイブリッドの
マスク型式のようなマスク型式を含む。放射線ビームに
そのようなマスクを位置させることによって、マスクに
衝突する放射線を選択的に（透過マスクの場合は）透過
を、（反射マスクの場合は）反射を発生させる。マスク
の場合、支持構造体は一般にマスクが供給される放射線
ビームにおける所望の位置に確実に保持可能で、かつ希
望に応じてビームに対して相対運動可能にするマスクテ
ーブルである。プログラム可能なミラーアレイ。そのよ
うな素子の一例は粘弾性の制御層と反射面とを有するマ
トリックスアドレス可能な面である。そのような装置の
背景にある基本原理は(例えば)反射面のアドレスされた
領域が入射光線を回折光線として反射し、一方アドレス
されない領域は入射光線を非回折光線として反射するこ
とである。適当なフィルタを使用することによって、前
記非回折光線は反射されたビームから濾過され、回折さ
れた光線のみを残すことができる。このようにして、ビ
ームはマトリックスアドレス可能な面のアドレスパター
ンに従ってパターン化されるようになる。必要なマトリ
ックスのアドレス指定は適当な電子手段を使用して実行
可能である。そのようなミラーアレイに関するそれ以上
の情報は例えば、参考のために本明細書に含めている米
国特許第５，２９６，８９１号および同第５，５２３，
１９３号から収集しうる。プログラム化されたミラーア
レイの場合、前記支持構造体は、例えば必要に応じて、
固定あるいは可動としうるフレームあるいはテーブルと
して実施すればよい。プログラム化可能なＬＣＤアレ
イ。そのような構造の一例が参考のために本明細書に含
めている米国特許第５，２２９，８７２号に提供されて
いる。前述と同様に、この場合の支持構造体は例えば、
必要に応じて固定あるいは可動としうるフレームあるい
はテーブルとすればよい。
【０００３】判り易くするために、本文の残りのある個
所においては、マスクおよびマスクテーブルを含む例を
特に指向する。しかしながら、そのような場合にも説明
される一般的な原理は前述したように広義のパターン化
手段に関連して理解すべきである。
所においては、マスクおよびマスクテーブルを含む例を
特に指向する。しかしながら、そのような場合にも説明
される一般的な原理は前述したように広義のパターン化
手段に関連して理解すべきである。
【０００４】例えば、集積回路（ＩＣｓ）の製造におい
て、平板投影装置が使用可能である。そのような場合、
パターン化手段はＩＣの個々の層に対応する回路パター
ンを発生させ、このパターンは放射線感受性材料の層
（レジスト）をコーテイングした基板（シリコンウェー
ファー）の（例えば１個以上のダイからなる）目標部分
上に像形成しうる。一般に、単一のウェーファーは一時
１個投影システムを介して順次照射された隣接する目標
部分の全体ネットワークを包含する。マスクテーブル上
のマスクによってパターン化することを採用している現
在の装置においては、２種類の型式の機械の間の区分け
が可能である。一方の型式の平板投影装置においては、
各目標部分は１回の操作で目標部分上にマスクパターン
全体を露出することによって照射される。そのような装
置は通常ウェーファー・ステッパと称されている。ステ
ップ・アンド・スキャン装置と一般に称される代替的な
装置においては各目標部分は所定の基準方向（「走査」
方向）において投影ビームの下でマスクパターンを徐々
に走査し、一方前記方向に対して平行あるいは逆平行の
基板テーブルを同期的に走査することによって照射され
る。一般に、投影システムは倍率Ｍ（一般に＜１）を有
し、基板テーブルが走査される速度Ｖはマスクテーブル
が走査される速度のＭ倍の係数である。本明細書に記載
の平板印刷装置に関する更なる情報は例えば参考のため
に本明細書に含めている米国特許第６，０４６，７９２
号から収集しうる。
て、平板投影装置が使用可能である。そのような場合、
パターン化手段はＩＣの個々の層に対応する回路パター
ンを発生させ、このパターンは放射線感受性材料の層
（レジスト）をコーテイングした基板（シリコンウェー
ファー）の（例えば１個以上のダイからなる）目標部分
上に像形成しうる。一般に、単一のウェーファーは一時
１個投影システムを介して順次照射された隣接する目標
部分の全体ネットワークを包含する。マスクテーブル上
のマスクによってパターン化することを採用している現
在の装置においては、２種類の型式の機械の間の区分け
が可能である。一方の型式の平板投影装置においては、
各目標部分は１回の操作で目標部分上にマスクパターン
全体を露出することによって照射される。そのような装
置は通常ウェーファー・ステッパと称されている。ステ
ップ・アンド・スキャン装置と一般に称される代替的な
装置においては各目標部分は所定の基準方向（「走査」
方向）において投影ビームの下でマスクパターンを徐々
に走査し、一方前記方向に対して平行あるいは逆平行の
基板テーブルを同期的に走査することによって照射され
る。一般に、投影システムは倍率Ｍ（一般に＜１）を有
し、基板テーブルが走査される速度Ｖはマスクテーブル
が走査される速度のＭ倍の係数である。本明細書に記載
の平板印刷装置に関する更なる情報は例えば参考のため
に本明細書に含めている米国特許第６，０４６，７９２
号から収集しうる。
【０００５】平板投影装置を使用した製造工程におい
て、（例えばマスクにおける）パターンは放射線感受性
材料（レジスト）の層によって少なくとも部分的に被覆
されている基板上に像形成される。像形成段階の前に、
基板は、例えばプライミング、レジストコーティング、
およびソフトベークのような各種の工程を受けることが
できる。露出後、基板には、例えば露出後ベーク（ＰＥ
Ｂ），現像、ハードベーク、および像形成された形成物
の測定／検査のようなその他の工程を実施しうる。この
ような配列の工程は例えばＩＣｓのような素子の個々の
層をパターン化する基準として使用される。そのような
パターン化された層は次に、例えばエッチィング、イオ
ン注入（ドーピング）、金属化、酸化、化学−機械的研
磨等のような全て個々の層を仕上げする意図の各種の工
程を通すことができる。数枚の層が必要とされる場合、
全体の手順あるいはその変形を新規の各層に対して繰り
返す必要がある。最終的に、ある配列の素子が基板（ウ
ェーファー）に存在することになる。次に、これらの素
子は、例えばダイシング、あるいはソーイングのような
技術によって相互に分離され、その後個々の素子はピン
等に接続されたキャリヤに装着しうる。そのような方法
に関する更なる情報は、参考のために本明細書に含めて
いる、ＩＳＢＮ０−０７−０６７２５０−４、マグロー
ヒル出版社刊行ピータ・ファン・ザント（Ｐｅｔｅｒｖ
ａｎ Ｚａｎｔ）による「マイクロチップ製造：半導体
処理に対する実用ガイド」（Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ Ｆａ
ｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ Ｐｒａｃｔｉｃａｌ Ｇｕｉｄ
ｅ ｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｐｒｏｃｅｓｓ
ｉｎｇ）という名称の本から収集することができる。
て、（例えばマスクにおける）パターンは放射線感受性
材料（レジスト）の層によって少なくとも部分的に被覆
されている基板上に像形成される。像形成段階の前に、
基板は、例えばプライミング、レジストコーティング、
およびソフトベークのような各種の工程を受けることが
できる。露出後、基板には、例えば露出後ベーク（ＰＥ
Ｂ），現像、ハードベーク、および像形成された形成物
の測定／検査のようなその他の工程を実施しうる。この
ような配列の工程は例えばＩＣｓのような素子の個々の
層をパターン化する基準として使用される。そのような
パターン化された層は次に、例えばエッチィング、イオ
ン注入（ドーピング）、金属化、酸化、化学−機械的研
磨等のような全て個々の層を仕上げする意図の各種の工
程を通すことができる。数枚の層が必要とされる場合、
全体の手順あるいはその変形を新規の各層に対して繰り
返す必要がある。最終的に、ある配列の素子が基板（ウ
ェーファー）に存在することになる。次に、これらの素
子は、例えばダイシング、あるいはソーイングのような
技術によって相互に分離され、その後個々の素子はピン
等に接続されたキャリヤに装着しうる。そのような方法
に関する更なる情報は、参考のために本明細書に含めて
いる、ＩＳＢＮ０−０７−０６７２５０−４、マグロー
ヒル出版社刊行ピータ・ファン・ザント（Ｐｅｔｅｒｖ
ａｎ Ｚａｎｔ）による「マイクロチップ製造：半導体
処理に対する実用ガイド」（Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ Ｆａ
ｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ Ｐｒａｃｔｉｃａｌ Ｇｕｉｄ
ｅ ｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｐｒｏｃｅｓｓ
ｉｎｇ）という名称の本から収集することができる。
【０００６】判り易くするために、投影システムは以下
「レンズ」称しうる。しかしながら、この用語は屈折光
学装置、反射光学装置および反射屈折光学装置を含む各
種の型式の投影システムを網羅するものとして広義に解
釈すべきである。本放射システムは、また放射線の投影
ビームを導き、形成し、あるいは制御するための設計型
式のいずれかによって作動する要素を含み、そのような
要素は集約して、あるいは単数で以下「レンズ」と称しう
る。更に、平板装置は２個以上の基板テーブル（および
／または２個以上のマスクテーブル）を有する型式のも
のでよい。そのような「多段」装置において、並列で追加
のテーブルを使用することができ、あるいは１個以上の
テーブルを露出に使用している間に１個以上のテーブル
において準備段階を実行することができる。例えば、参
考のために本明細書に含めている米国特許第５，９６
９，４４１号および国際特許第９８／４０７９１号に複
式段階の平板装置が記載されている。
「レンズ」称しうる。しかしながら、この用語は屈折光
学装置、反射光学装置および反射屈折光学装置を含む各
種の型式の投影システムを網羅するものとして広義に解
釈すべきである。本放射システムは、また放射線の投影
ビームを導き、形成し、あるいは制御するための設計型
式のいずれかによって作動する要素を含み、そのような
要素は集約して、あるいは単数で以下「レンズ」と称しう
る。更に、平板装置は２個以上の基板テーブル（および
／または２個以上のマスクテーブル）を有する型式のも
のでよい。そのような「多段」装置において、並列で追加
のテーブルを使用することができ、あるいは１個以上の
テーブルを露出に使用している間に１個以上のテーブル
において準備段階を実行することができる。例えば、参
考のために本明細書に含めている米国特許第５，９６
９，４４１号および国際特許第９８／４０７９１号に複
式段階の平板装置が記載されている。
【０００７】平板装置において、例えば、線量（露出の
間に送られる面積当たりの全体の放射線エネルギ）、焦
点平面の位置、ビームの均一性、投射システムの瞳孔平
面等のような投影ビームの種々の局面を検査することが
望ましい。更に、収差と称される、投影システムによっ
て導入された投影ビームの偏差を検出したいことがあ
る。そのような収差の例は視界の曲がり、コマ収差、非
点収差、球面収差、三次および五次の歪み等である。前
述のビームアスペクトおよび収差を検出するために放射
線を検出する放射線センサを平板投影装置において採用
しうる。
間に送られる面積当たりの全体の放射線エネルギ）、焦
点平面の位置、ビームの均一性、投射システムの瞳孔平
面等のような投影ビームの種々の局面を検査することが
望ましい。更に、収差と称される、投影システムによっ
て導入された投影ビームの偏差を検出したいことがあ
る。そのような収差の例は視界の曲がり、コマ収差、非
点収差、球面収差、三次および五次の歪み等である。前
述のビームアスペクトおよび収差を検出するために放射
線を検出する放射線センサを平板投影装置において採用
しうる。
【０００８】本発明は波長が５０ナノメートル（ｎｍ）
より短い波長を有する放射線に関する。そのような放射
線の一例が波長が典型的に１０から１５ｎｍの範囲であ
る遠紫外線（ＥＵＶ）である。そのような放射線を使用
している平板装置において経験される主な問題は固形材
料、液体および気体による前記放射線の吸収が一般に強
いために投影ビームの強度が完全に減衰しうることであ
る。その結果、前記放射線を検出しうる放射線センサは
放射線通路においてそのような強度に吸収性の材料から
部分的、あるいは完全に構成することはできない。別な
欠点は、例えば一般にシンクロトロンに使用される光電
子倍増管、ガス室等のような５０ａｎｍより短い波長を
有する放射線を検出する既存の放射線センサが平板投影
装置で使用するには大きすぎる寸法を有することであ
る。そのような既存のセンサは、更に熱を拡散し過ぎで
あり、前記センサおよび／またはその周囲の環境（例え
ば、基板、基板の一部である干渉ミラーブロック基板テ
ーブル等）の望ましくない温度変動をもたらしうる可能
性がありうる。
より短い波長を有する放射線に関する。そのような放射
線の一例が波長が典型的に１０から１５ｎｍの範囲であ
る遠紫外線（ＥＵＶ）である。そのような放射線を使用
している平板装置において経験される主な問題は固形材
料、液体および気体による前記放射線の吸収が一般に強
いために投影ビームの強度が完全に減衰しうることであ
る。その結果、前記放射線を検出しうる放射線センサは
放射線通路においてそのような強度に吸収性の材料から
部分的、あるいは完全に構成することはできない。別な
欠点は、例えば一般にシンクロトロンに使用される光電
子倍増管、ガス室等のような５０ａｎｍより短い波長を
有する放射線を検出する既存の放射線センサが平板投影
装置で使用するには大きすぎる寸法を有することであ
る。そのような既存のセンサは、更に熱を拡散し過ぎで
あり、前記センサおよび／またはその周囲の環境（例え
ば、基板、基板の一部である干渉ミラーブロック基板テ
ーブル等）の望ましくない温度変動をもたらしうる可能
性がありうる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は５０ｎ
ｍ未満の波長を有する放射線を検出可能な放射線センサ
が都合よく位置している平板投影装置を提供することで
ある。
ｍ未満の波長を有する放射線を検出可能な放射線センサ
が都合よく位置している平板投影装置を提供することで
ある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、５０ｎ
ｍ未満の波長を有する放射線の投影ビームを提供する放
射システムと、所望のパターンに従って投影ビームをパ
ターン化するように作用するパターン化手段を支持する
支持構造体と、基板を保持する基板テーブルと、パター
ン化したビームを基板の目標部分上に投影する投影シス
テムと、投影ビームからの放射線を受け取ることが出来
るように位置した放射線センサであって、波長λ1の入
射放射線を二次放射線に変換する放射線感受性層と、前
記層から出てくる前記二次放射線を検出できる感知手段
とを含む放射線センサとを含む平板投影装置が提供され
る。
ｍ未満の波長を有する放射線の投影ビームを提供する放
射システムと、所望のパターンに従って投影ビームをパ
ターン化するように作用するパターン化手段を支持する
支持構造体と、基板を保持する基板テーブルと、パター
ン化したビームを基板の目標部分上に投影する投影シス
テムと、投影ビームからの放射線を受け取ることが出来
るように位置した放射線センサであって、波長λ1の入
射放射線を二次放射線に変換する放射線感受性層と、前
記層から出てくる前記二次放射線を検出できる感知手段
とを含む放射線センサとを含む平板投影装置が提供され
る。
【００１１】そのような放射線センサは５０ｎｍ未満の
放射線の検出を可能にする。前記二次放射線は極めて良
好に検出可能な電磁放射線あるいは直接的あるいは間接
的に極めて良好に測定可能である解放電子から構成しう
る。
放射線の検出を可能にする。前記二次放射線は極めて良
好に検出可能な電磁放射線あるいは直接的あるいは間接
的に極めて良好に測定可能である解放電子から構成しう
る。
【００１２】一実施例において、前記放射線感受性材料
は波長λ1の前記放射線を波長λ1より大きい波長λ2を
有する電磁放射線に変換する。適当な放射線感受性材料
は例えばＣａＳ：Ｃｅ，ＹＡＧ：ＣｅおよびＺｎＳ：Ａ
ｇ，Ａｌから選択してよい。
は波長λ1の前記放射線を波長λ1より大きい波長λ2を
有する電磁放射線に変換する。適当な放射線感受性材料
は例えばＣａＳ：Ｃｅ，ＹＡＧ：ＣｅおよびＺｎＳ：Ａ
ｇ，Ａｌから選択してよい。
【００１３】別な実施例において、前記放射線感受性材
料は波長λ1の前記放射線を前記放射線感受性材料から
解放された電子に変換する。解放された電子は放射線感
受性材料に対する補償電流を測定することによって間接
的に、あるいは解放された電子を集めそれらの誘発され
た電流を測定することによって直接的に測定可能であ
る。双方の方法に対してコレクタを使用すればよい。該
コレクタは放射線感受性材料に対してコレクタを正に帯
電させる何らかの電位差源に接続されている。本実施例
において、放射線感受性材料は前記パターン化手段と、
前記投影システムに設けられたレフレクタと、基板に向
かう通路に沿って前記投影ビームをモニタする、あるい
は汚染モニタとしてモニタする前記放射システムにおけ
るレフレクタとのうちの少なくとも１個に含めればよ
い。
料は波長λ1の前記放射線を前記放射線感受性材料から
解放された電子に変換する。解放された電子は放射線感
受性材料に対する補償電流を測定することによって間接
的に、あるいは解放された電子を集めそれらの誘発され
た電流を測定することによって直接的に測定可能であ
る。双方の方法に対してコレクタを使用すればよい。該
コレクタは放射線感受性材料に対してコレクタを正に帯
電させる何らかの電位差源に接続されている。本実施例
において、放射線感受性材料は前記パターン化手段と、
前記投影システムに設けられたレフレクタと、基板に向
かう通路に沿って前記投影ビームをモニタする、あるい
は汚染モニタとしてモニタする前記放射システムにおけ
るレフレクタとのうちの少なくとも１個に含めればよ
い。
【００１４】本発明の別な局面によると、放射線感受性
材料の層によって少なくとも部分的に被覆された基板を
提供する段階と、放射システムを用いて５０ｎｍ未満の
波長λ1を有する放射線の投影ビームを提供する段階
と、投影ビームの断面にパターンを付与するパターン化
手段を用いる段階と、放射線感受性材料の層の目標部分
上に放射線のパターン化したビームを投影する段階と、
投影ビームからの放射線を検出する放射線センサであっ
て、波長λ1の入射放射線を二次放射線に変換する放射
線感受性層と、前記層から出てくる前記二次放射線を検
出可能な感知手段とを含む放射線センサを使用する段階
とを含む素子製造方法が提供される。
材料の層によって少なくとも部分的に被覆された基板を
提供する段階と、放射システムを用いて５０ｎｍ未満の
波長λ1を有する放射線の投影ビームを提供する段階
と、投影ビームの断面にパターンを付与するパターン化
手段を用いる段階と、放射線感受性材料の層の目標部分
上に放射線のパターン化したビームを投影する段階と、
投影ビームからの放射線を検出する放射線センサであっ
て、波長λ1の入射放射線を二次放射線に変換する放射
線感受性層と、前記層から出てくる前記二次放射線を検
出可能な感知手段とを含む放射線センサを使用する段階
とを含む素子製造方法が提供される。
【００１５】本明細書ではＩＣの製造における本発明に
よる装置の使用を特定的に言及してよいが、そのような
装置はその他の多くの適用可能性を有することを明確に
理解すべきである。例えば、それは集積光学系、磁気ド
メインメモリのための案内および検出パターン、液晶デ
ィスプレイパネル、薄膜磁気ヘッド等の製造に採用して
もよい。当該技術分野の専門家はそのような代替的適用
に関して、本明細書において「レチクル」、「ウェーフ
ァー」、「ダイ」という用語を使用すればそれはそれぞ
れより一般的な「マスク」、「基板」、および「目標部
分」という用語と置き換えたものと考えるべきである。
よる装置の使用を特定的に言及してよいが、そのような
装置はその他の多くの適用可能性を有することを明確に
理解すべきである。例えば、それは集積光学系、磁気ド
メインメモリのための案内および検出パターン、液晶デ
ィスプレイパネル、薄膜磁気ヘッド等の製造に採用して
もよい。当該技術分野の専門家はそのような代替的適用
に関して、本明細書において「レチクル」、「ウェーフ
ァー」、「ダイ」という用語を使用すればそれはそれぞ
れより一般的な「マスク」、「基板」、および「目標部
分」という用語と置き換えたものと考えるべきである。
【００１６】本文書においては、「放射線」とか「ビー
ム」という用語は（例えば波長が３６５，２４８，１９
３，１５７あるいは１２６ｎｍである）紫外線や（例え
ば波長が５−２０ｎｍの範囲の）遠紫外線（ＥＵＶ）並
びに電子を含む全ての型式の電磁放射線を網羅するため
に使用されている。
ム」という用語は（例えば波長が３６５，２４８，１９
３，１５７あるいは１２６ｎｍである）紫外線や（例え
ば波長が５−２０ｎｍの範囲の）遠紫外線（ＥＵＶ）並
びに電子を含む全ての型式の電磁放射線を網羅するため
に使用されている。
【００１７】本発明の実施例を対応する部材を対応する
参照記号で指示している添付の概略図面を参照して例示
のみとして以下説明する。
参照記号で指示している添付の概略図面を参照して例示
のみとして以下説明する。
【００１８】
【発明の実施の形態】実施例１ 図１は本発明の特定の実施例による平板投影装置を概略
図示する。本装置は以下を含む。放射線（例えばＥＵＶ
放射線）の投影ビームＰＢを供給するための放射システ
ムであって、この特定の場合は、また放射源ＬＡを含む
放射システムＥｘ，ＩＬ。マスクＭＡ（例えばレチク
ル）を保持するためのマスクホルダを備え、物品ＰＬに
対してマスクを正確に位置決めするために第１の位置決
め手段に接続された第１の対象物テーブル（マスクテー
ブル）ＭＴ。基板Ｗ（例えばレジストをコーティングし
たシリコンウェーファー）を保持する基板ホルダを備
え、物品ＰＬに対して基板を正確に位置決めするために
第２の位置決め手段に接続された第２の対象物テーブル
ＷＴ。基板Ｗの（例えば１個以上のダイを含む）目標部
分上へマスクＭＡの照射された部分を像形成するための
投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えば、ミラー
群））。図２は４個のレフレクタＲ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ
４をからなる反射型式の投影システムを示すが、代替的
にそれ以外の数のレフレクタ（例えば、６個あるいは８
個のレフレクタ）から構成してもよい。
図示する。本装置は以下を含む。放射線（例えばＥＵＶ
放射線）の投影ビームＰＢを供給するための放射システ
ムであって、この特定の場合は、また放射源ＬＡを含む
放射システムＥｘ，ＩＬ。マスクＭＡ（例えばレチク
ル）を保持するためのマスクホルダを備え、物品ＰＬに
対してマスクを正確に位置決めするために第１の位置決
め手段に接続された第１の対象物テーブル（マスクテー
ブル）ＭＴ。基板Ｗ（例えばレジストをコーティングし
たシリコンウェーファー）を保持する基板ホルダを備
え、物品ＰＬに対して基板を正確に位置決めするために
第２の位置決め手段に接続された第２の対象物テーブル
ＷＴ。基板Ｗの（例えば１個以上のダイを含む）目標部
分上へマスクＭＡの照射された部分を像形成するための
投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えば、ミラー
群））。図２は４個のレフレクタＲ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ
４をからなる反射型式の投影システムを示すが、代替的
にそれ以外の数のレフレクタ（例えば、６個あるいは８
個のレフレクタ）から構成してもよい。
【００１９】ここで説明するように、本装置は反射型式
（例えば反射マスクを有する）である。しかしながら、
一般に、それは例えば（透過マスクを備えた）透過型式
であってもよい。代替的に、本装置は例えば前述した型
式のプログラム化可能なミラーアレイのような別な種類
のパターン化手段を採用してもよい。
（例えば反射マスクを有する）である。しかしながら、
一般に、それは例えば（透過マスクを備えた）透過型式
であってもよい。代替的に、本装置は例えば前述した型
式のプログラム化可能なミラーアレイのような別な種類
のパターン化手段を採用してもよい。
【００２０】放射源ＬＡ（例えば、レーザ発生のプラズ
マ源あるいは放電源）が放射線のビームを発生させる。
このビームは直接的に、あるいは例えばビームエクスパ
ンダのような調節手段Ｅｘを横行した後照射システムＩ
Ｌ（イルミネータ）に送り込まれる。イルミネータＩＬ
は、ビームにおける強度配分の（通常σ−外部およびσ
−内部と称される）外側および（または）内側の半径方
向範囲を設定するための調整手段ＡＭから構成しうる。
更に、一般に例えば積分器ＩＮやコンデンサＣＯのよう
なその他の各種の要素から構成される。このように、マ
スクＭＡに衝突するビームＰＢは断面方向に所望の均一
性と強度分布とを有する。
マ源あるいは放電源）が放射線のビームを発生させる。
このビームは直接的に、あるいは例えばビームエクスパ
ンダのような調節手段Ｅｘを横行した後照射システムＩ
Ｌ（イルミネータ）に送り込まれる。イルミネータＩＬ
は、ビームにおける強度配分の（通常σ−外部およびσ
−内部と称される）外側および（または）内側の半径方
向範囲を設定するための調整手段ＡＭから構成しうる。
更に、一般に例えば積分器ＩＮやコンデンサＣＯのよう
なその他の各種の要素から構成される。このように、マ
スクＭＡに衝突するビームＰＢは断面方向に所望の均一
性と強度分布とを有する。
【００２１】図１に関して、放射源ＬＡは（放射源ＬＡ
が例えば水銀ランプである場合によくあることである
が）平板投影装置のハウジング内に位置してよいが、平
板投影装置から遠隔であってもよく、それが発生させる
放射線のビームは（例えば、適当な指向ミラーによっ
て）本装置内へ導かれる。この後者の場合の方法は放射
源ＬＡがエキシマレーザである場合によくある。本発明
および特許請求の範囲はこれら双方の場合を網羅してい
る。
が例えば水銀ランプである場合によくあることである
が）平板投影装置のハウジング内に位置してよいが、平
板投影装置から遠隔であってもよく、それが発生させる
放射線のビームは（例えば、適当な指向ミラーによっ
て）本装置内へ導かれる。この後者の場合の方法は放射
源ＬＡがエキシマレーザである場合によくある。本発明
および特許請求の範囲はこれら双方の場合を網羅してい
る。
【００２２】その後ビームＰＢはマスクテーブルＭＴに
保持されたマスクＭＡを遮る。ビームＰＢはマスクＭＡ
によって選択的に反射されているので、レンズＰＬを通
過し、該レンズはビームＰＢを基板Ｗの目標部分Ｃ上に
集光する。第２の位置決め手段（および干渉測定手段Ｉ
Ｆ）によって、基板テーブルＷＴは正確に運動し、例え
ばビームＰＢの通路に種々の目標部分Ｃを位置させる。
同様に、第１の位置決め手段ＰＭは、例えばマスクＭＡ
がマスクライブラリから機械的に検索された後、あるい
は走査の間にビームＰＢの通路に対してマスクＭＡを正
確に位置決めするために使用することができる。一般
に、対象物テーブルＭＴ，ＷＴの運動は図１に明確に示
していないが長いストロークのモジュール（粗い位置決
め）および短いストロークのモジュール（微細な位置決
め）の助勢によって実現される。しかしながら、（ステ
ップ・アンド・スキャン装置とは対照的に）ウェーファ
ーステッパの場合、マスクテーブルＭＴは短いストロー
クのモジュールに接続、あるいは固定してよい。
保持されたマスクＭＡを遮る。ビームＰＢはマスクＭＡ
によって選択的に反射されているので、レンズＰＬを通
過し、該レンズはビームＰＢを基板Ｗの目標部分Ｃ上に
集光する。第２の位置決め手段（および干渉測定手段Ｉ
Ｆ）によって、基板テーブルＷＴは正確に運動し、例え
ばビームＰＢの通路に種々の目標部分Ｃを位置させる。
同様に、第１の位置決め手段ＰＭは、例えばマスクＭＡ
がマスクライブラリから機械的に検索された後、あるい
は走査の間にビームＰＢの通路に対してマスクＭＡを正
確に位置決めするために使用することができる。一般
に、対象物テーブルＭＴ，ＷＴの運動は図１に明確に示
していないが長いストロークのモジュール（粗い位置決
め）および短いストロークのモジュール（微細な位置決
め）の助勢によって実現される。しかしながら、（ステ
ップ・アンド・スキャン装置とは対照的に）ウェーファ
ーステッパの場合、マスクテーブルＭＴは短いストロー
クのモジュールに接続、あるいは固定してよい。
【００２３】図示した装置は２種類のモードで使用可能
である。 １．ステップモードにおいて、マスクテーブルＭＴは基
本的に静止状態に保たれ、マスク全体の像が一回の操作
（すなわち一回の「フラッシュ」）で目標部分Ｃ上に投
影される。次に、種々の目標部分ＣがビームＰＢによっ
て照射されうるように基板テーブルＷＴがｘおよび（ま
たは）ｙ方向に移動される。 ２．走査モードにおいて、特定の目標部分Ｃが一回の
「フラッシュ」で露出されないことを除いて同じ手順が
適用される。その代わりに、マスクテーブルＭＴはｖの
速度で特定の方向（所謂「走査方向」、例えばｙ方向）
に運動可能で、そのため投影ビームＰＢはマスク像の上
を走査するようにされ、同時に基板テーブルＷＴは速度
Ｖ＝Ｍｖで同じ方向あるいは反対の方向に同時に運動す
る。ＭはレンズＰＬの倍率（典型的には、Ｍ＝１／４ま
たは１／５）である。このように、解像力を犠牲にする
必要なく比較的大きな目標部分Ｃを露出することができ
る。
である。 １．ステップモードにおいて、マスクテーブルＭＴは基
本的に静止状態に保たれ、マスク全体の像が一回の操作
（すなわち一回の「フラッシュ」）で目標部分Ｃ上に投
影される。次に、種々の目標部分ＣがビームＰＢによっ
て照射されうるように基板テーブルＷＴがｘおよび（ま
たは）ｙ方向に移動される。 ２．走査モードにおいて、特定の目標部分Ｃが一回の
「フラッシュ」で露出されないことを除いて同じ手順が
適用される。その代わりに、マスクテーブルＭＴはｖの
速度で特定の方向（所謂「走査方向」、例えばｙ方向）
に運動可能で、そのため投影ビームＰＢはマスク像の上
を走査するようにされ、同時に基板テーブルＷＴは速度
Ｖ＝Ｍｖで同じ方向あるいは反対の方向に同時に運動す
る。ＭはレンズＰＬの倍率（典型的には、Ｍ＝１／４ま
たは１／５）である。このように、解像力を犠牲にする
必要なく比較的大きな目標部分Ｃを露出することができ
る。
【００２４】例えば基板レベルでの強度あるいは線量を
検出可能にするために、例えば基板の近傍の都合のよい
位置に位置させることができる。そのような放射線セン
サの実施例が図３Ａに示されている。このセンサは放射
線感受性層１と感知手段とを含む。波長λ1のＥＵＶ放
射線が放射線感受性層１に入射すると、この放射線は波
長λ2を有する二次電磁放射線あるいは前記層のラチス
振動に変換しうる。
検出可能にするために、例えば基板の近傍の都合のよい
位置に位置させることができる。そのような放射線セン
サの実施例が図３Ａに示されている。このセンサは放射
線感受性層１と感知手段とを含む。波長λ1のＥＵＶ放
射線が放射線感受性層１に入射すると、この放射線は波
長λ2を有する二次電磁放射線あるいは前記層のラチス
振動に変換しうる。
【００２５】二次放射線の放射能力を向上するために、
可成り複雑な材料が採用され、前記材料は一般にホスト
ラチス（例えば硫化カルシウム（ＣａＳ））、硫化亜鉛
（ＺｎＳ）あるいはイットリウムアルミニュームガーネ
ット（ＹＡＧ）および、少なく共Ｃｅ3+、Ａｇ+、Ａｌ
3+等のような少なくとも１個のイオンを含む。そのよう
なイオンは一般にホストラチスにおいて比較的少量で配
分されている。そのような材料の表記の一例はＣａＳ：
Ｃｅであって、ＣａＳはその中にＣｅ3+が配分されてい
るホストラチスである。前記層１において使用するのに
適した材料はＣａＳ：Ｃｅ、ＹＡＧ，ＣｅおよびＺｎ
Ｓ：Ａｇ，Ａｌからなる群から選択しうる。そのような
層の厚さは１μｍより小さいことが好ましい。そのよう
な層はＥＵＶ放射線を入射ビームの波長とは相違する波
長λ2を有する二次放射線に変換することができる。λ2
は可視光線の範囲あるいは紫外線の範囲に入る。この二
次放射線は前記層１から全ての方向に出てくる。
可成り複雑な材料が採用され、前記材料は一般にホスト
ラチス（例えば硫化カルシウム（ＣａＳ））、硫化亜鉛
（ＺｎＳ）あるいはイットリウムアルミニュームガーネ
ット（ＹＡＧ）および、少なく共Ｃｅ3+、Ａｇ+、Ａｌ
3+等のような少なくとも１個のイオンを含む。そのよう
なイオンは一般にホストラチスにおいて比較的少量で配
分されている。そのような材料の表記の一例はＣａＳ：
Ｃｅであって、ＣａＳはその中にＣｅ3+が配分されてい
るホストラチスである。前記層１において使用するのに
適した材料はＣａＳ：Ｃｅ、ＹＡＧ，ＣｅおよびＺｎ
Ｓ：Ａｇ，Ａｌからなる群から選択しうる。そのような
層の厚さは１μｍより小さいことが好ましい。そのよう
な層はＥＵＶ放射線を入射ビームの波長とは相違する波
長λ2を有する二次放射線に変換することができる。λ2
は可視光線の範囲あるいは紫外線の範囲に入る。この二
次放射線は前記層１から全ての方向に出てくる。
【００２６】一般に、波長λ2を有する放射線が透過す
る材料（例えば、クォーツすなわちＣａＦ2）からなり
−層１を支えるように作用する−層３上に設けることが
可能で、それにより層１が投射ビームからのＥＵＶ放射
線を受けとることが可能なように確実に位置するように
する。前記二次放射線の少なくとも一部はその後この放
射線を感知する感知手段によって集められる。そのよう
な感知手段の一例は集光光学装置５と適当な電子回路９
に接続されたシリコンダイオード７とを含む。集光光学
装置５は出現二次放射線を前記ダイオード７まで導くこ
とができる１個以上のレンズから構成しうる。
る材料（例えば、クォーツすなわちＣａＦ2）からなり
−層１を支えるように作用する−層３上に設けることが
可能で、それにより層１が投射ビームからのＥＵＶ放射
線を受けとることが可能なように確実に位置するように
する。前記二次放射線の少なくとも一部はその後この放
射線を感知する感知手段によって集められる。そのよう
な感知手段の一例は集光光学装置５と適当な電子回路９
に接続されたシリコンダイオード７とを含む。集光光学
装置５は出現二次放射線を前記ダイオード７まで導くこ
とができる１個以上のレンズから構成しうる。
【００２７】放射線センサは、また例えば（基準パター
ンを発生させる）マスクの基準位置を像センサを支持し
ている基板テーブルに整合させることができるようにＥ
ＵＶ放射線の投影ビームのパターンを検知可能である像
センサ（の一部として）を採用してよい。そのような整
合はナノメートルの精度で実行可能である。更に、ＥＵ
Ｖ放射線の投影ビーム（におけるパターン）は、例えば
投影システムの焦点位置、ビームの均一性、投影システ
ムの瞳孔平面での放射線分布、等のような種々の局面の
分析を行なうようにサンプル採集しうる。これらの局面
は例えば透過像センサ（ＴＩＳ）を使用して検出可能で
ある。そのようなＴＩＳの例が米国特許第４，５４０，
２７７号に記載されている。投影システムによって導入
された投影ビームの変位は前記放射線センサによって検
出可能であり、これらの変位は収差と称されている。そ
のような収差の例は視野の曲がり、コマ収差、非点収
差、球面収差、三次および五次歪み等である。前記収差
の測定に関する更なる情報は、双方とも参考のために本
明細書に含めている欧州特許出願番号第０１３０１５７
１．４号および米国特許出願番号第０９／７８８，４７
８（Ｐ−０１７４）号から収集可能である。
ンを発生させる）マスクの基準位置を像センサを支持し
ている基板テーブルに整合させることができるようにＥ
ＵＶ放射線の投影ビームのパターンを検知可能である像
センサ（の一部として）を採用してよい。そのような整
合はナノメートルの精度で実行可能である。更に、ＥＵ
Ｖ放射線の投影ビーム（におけるパターン）は、例えば
投影システムの焦点位置、ビームの均一性、投影システ
ムの瞳孔平面での放射線分布、等のような種々の局面の
分析を行なうようにサンプル採集しうる。これらの局面
は例えば透過像センサ（ＴＩＳ）を使用して検出可能で
ある。そのようなＴＩＳの例が米国特許第４，５４０，
２７７号に記載されている。投影システムによって導入
された投影ビームの変位は前記放射線センサによって検
出可能であり、これらの変位は収差と称されている。そ
のような収差の例は視野の曲がり、コマ収差、非点収
差、球面収差、三次および五次歪み等である。前記収差
の測定に関する更なる情報は、双方とも参考のために本
明細書に含めている欧州特許出願番号第０１３０１５７
１．４号および米国特許出願番号第０９／７８８，４７
８（Ｐ−０１７４）号から収集可能である。
【００２８】そのような像センサの概略図が図３Ｂに示
されている。それはあるパターン（例えばラインの格子
状セット）がエッチングされている金属層（例えばクロ
ーム層）を頂部に備えた、前述の放射線センサからな
る。放射線感受性層１を、例えば前記金属層に前記パタ
ーンを（例えばプラズマエッチングにより）設けること
に関連した処理段階から保護するために、保護層８が設
けられる。この保護層は放射線を感知する側において前
記放射線感受性層１と並置されており、その厚さはＥＵ
Ｖ放射線を正確に検出するため十分な透過性を確実にす
るために極少量の入射放射線を吸収するように選択され
る。そのような層８の厚さは２０ｎｍのオーダである。
前記保護層８は、例えばダイアモンド状の炭素（Ｃ），
窒化ホウ素（ＢＮ），窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）、炭化珪素
（ＳｉＣ），Ｂ，ＲｕおよびＲｈ並びにそれらの化合物
や合金からなる群から選択しうる。その後、パターン化
された金属層６がその放射線受容側に設けられ、前記保
護層８と並置される。
されている。それはあるパターン（例えばラインの格子
状セット）がエッチングされている金属層（例えばクロ
ーム層）を頂部に備えた、前述の放射線センサからな
る。放射線感受性層１を、例えば前記金属層に前記パタ
ーンを（例えばプラズマエッチングにより）設けること
に関連した処理段階から保護するために、保護層８が設
けられる。この保護層は放射線を感知する側において前
記放射線感受性層１と並置されており、その厚さはＥＵ
Ｖ放射線を正確に検出するため十分な透過性を確実にす
るために極少量の入射放射線を吸収するように選択され
る。そのような層８の厚さは２０ｎｍのオーダである。
前記保護層８は、例えばダイアモンド状の炭素（Ｃ），
窒化ホウ素（ＢＮ），窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）、炭化珪素
（ＳｉＣ），Ｂ，ＲｕおよびＲｈ並びにそれらの化合物
や合金からなる群から選択しうる。その後、パターン化
された金属層６がその放射線受容側に設けられ、前記保
護層８と並置される。
【００２９】実施例２ 以下述べることを除いて第１の実施例と同じでよい本発
明の第２の実施例において、放射線センサは入射したＥ
ＵＶ放射線を放射線センサから解放されつつある二次電
子に変換する。二次電子は種々の方法により発生させれ
ばよい。
明の第２の実施例において、放射線センサは入射したＥ
ＵＶ放射線を放射線センサから解放されつつある二次電
子に変換する。二次電子は種々の方法により発生させれ
ばよい。
【００３０】第１の方法において、放射線はあるエネル
ギを伴って放射線感受性層に入射される。このエネルギ
の一部は放射線感受性層において原子あるいはイオンを
イオン化するために使用しうる。残りのエネルギ−入射
放射線のエネルギと原子あるいはイオンをイオン化する
エネルギ（電子の結合エネルギとも称される）との間の
エネルギの差−は少なくとも部分的に運動エネルギに変
換され、該運動エネルギが電子がイオンあるいは原子か
ら離れうるようにし、前記電子は最終的に放射線感受性
層を出て行くことができる。これの電子は光電子とも称
される。別な方法においては、電子は所謂オーガ（Ａｕ
ｇｅｒ）効果によって発生しうる。解放された光電子は
ある低い位置のエネルギレベルにおいて隙間から出て行
く。その後、二次電子がより高いエネルギ状態からこの
ような低いエネルギレベルまで原子あるいはイオン内で
弛緩し、弛緩エネルギは第３の電子すなわちオーガ電子
まで転送することができる。この弛緩エネルギが第３の
電子の結合エネルギよりも大きい場合、それはある運動
エネルギを有することになり、イオンあるいは原子から
出ていって、最終的に放射線感受性層から出て行くこと
ができる。別な電子が光電子、オーガ電子および例えば
プラズマ減衰のような入射放射線によってもたらされる
その他の方法によって解放される。
ギを伴って放射線感受性層に入射される。このエネルギ
の一部は放射線感受性層において原子あるいはイオンを
イオン化するために使用しうる。残りのエネルギ−入射
放射線のエネルギと原子あるいはイオンをイオン化する
エネルギ（電子の結合エネルギとも称される）との間の
エネルギの差−は少なくとも部分的に運動エネルギに変
換され、該運動エネルギが電子がイオンあるいは原子か
ら離れうるようにし、前記電子は最終的に放射線感受性
層を出て行くことができる。これの電子は光電子とも称
される。別な方法においては、電子は所謂オーガ（Ａｕ
ｇｅｒ）効果によって発生しうる。解放された光電子は
ある低い位置のエネルギレベルにおいて隙間から出て行
く。その後、二次電子がより高いエネルギ状態からこの
ような低いエネルギレベルまで原子あるいはイオン内で
弛緩し、弛緩エネルギは第３の電子すなわちオーガ電子
まで転送することができる。この弛緩エネルギが第３の
電子の結合エネルギよりも大きい場合、それはある運動
エネルギを有することになり、イオンあるいは原子から
出ていって、最終的に放射線感受性層から出て行くこと
ができる。別な電子が光電子、オーガ電子および例えば
プラズマ減衰のような入射放射線によってもたらされる
その他の方法によって解放される。
【００３１】前述の方法によって発生した電子は任意に
放射線感受性層から出て行く。原子あるいはイオンは異
なる結合エネルギを有する１個以上の電子からなるの
で、電子は大きな範囲の運動エネルギを伴って前記層か
ら出て行く。
放射線感受性層から出て行く。原子あるいはイオンは異
なる結合エネルギを有する１個以上の電子からなるの
で、電子は大きな範囲の運動エネルギを伴って前記層か
ら出て行く。
【００３２】図４に示す第２の実施例の放射線センサは
放射線感受性層１１と感知手段１２とを含む。放射線感
受性層１１は入射したＥＵＶ放射線を前述した方法によ
り電子に変換する。層１１は例えば金属から構成しう
る。
放射線感受性層１１と感知手段１２とを含む。放射線感
受性層１１は入射したＥＵＶ放射線を前述した方法によ
り電子に変換する。層１１は例えば金属から構成しう
る。
【００３３】発生した電子の少なくとも一部を受け取る
ことができるように位置している感知手段１２は例えば
導電プレートのような電導体１３と、接地（電位）１７
に接続された電流測定手段１５とを含む。運動エネルギ
とは独立して電子が一旦電導体１３に入射されると、電
流が誘発され、この電流は電流測定装置１５によって測
定可能である。この電流は供給される電子の数の測定値
であり、一方電子の数の方は入射したＥＵＶ放射線の強
度（エネルギ線量）の測定値である。
ことができるように位置している感知手段１２は例えば
導電プレートのような電導体１３と、接地（電位）１７
に接続された電流測定手段１５とを含む。運動エネルギ
とは独立して電子が一旦電導体１３に入射されると、電
流が誘発され、この電流は電流測定装置１５によって測
定可能である。この電流は供給される電子の数の測定値
であり、一方電子の数の方は入射したＥＵＶ放射線の強
度（エネルギ線量）の測定値である。
【００３４】電子が放射線感受性層１１を出ると、この
層１１は正に帯電されるようになる。次に、そのように
正に帯電した層は解放された負に帯電した電子を誘引す
る。最終的に電子は層１１を出て行くことができず、そ
の結果感知手段１２まで到達しえない。従って、放射線
感受性層１１の帯電は、例えば層１１を接地（電位）１
７に接続するか、あるいは放射線感受性層１１を負にバ
イアスすることによって電気的に補償する必要がある。
更に、電導体１３は放射線感受性層１１から解放された
電子を選択的に誘引したり、加速するように正に帯電
（バイアス）することができる。
層１１は正に帯電されるようになる。次に、そのように
正に帯電した層は解放された負に帯電した電子を誘引す
る。最終的に電子は層１１を出て行くことができず、そ
の結果感知手段１２まで到達しえない。従って、放射線
感受性層１１の帯電は、例えば層１１を接地（電位）１
７に接続するか、あるいは放射線感受性層１１を負にバ
イアスすることによって電気的に補償する必要がある。
更に、電導体１３は放射線感受性層１１から解放された
電子を選択的に誘引したり、加速するように正に帯電
（バイアス）することができる。
【００３５】そのような放射線センサにより、該センサ
が基板の近傍に位置すると、例えば、基板レベルでの線
量あるいは強度を検出することが可能である。線量ある
いは強度の検出は基板レベルに限定されるのではなく、
平板投影装置の他の位置でも検出可能である。例えば、
投影システムＰＬのレフレクタＲ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ
４、イルミネータのレフレクタ、マスクＭＡあるいは基
板Ｗ（あるいは放射線が入射するその他のいずれかの
面）のような要素に入射するビームの強度も検出可能で
ある。図５は放射線のビームＢＲが入射する面ＥＳのそ
のような要素Ｅの断面図を示す。放射線ＢＲのビームは
電子ｅを前記要素Ｅの面から解放させる。
が基板の近傍に位置すると、例えば、基板レベルでの線
量あるいは強度を検出することが可能である。線量ある
いは強度の検出は基板レベルに限定されるのではなく、
平板投影装置の他の位置でも検出可能である。例えば、
投影システムＰＬのレフレクタＲ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ
４、イルミネータのレフレクタ、マスクＭＡあるいは基
板Ｗ（あるいは放射線が入射するその他のいずれかの
面）のような要素に入射するビームの強度も検出可能で
ある。図５は放射線のビームＢＲが入射する面ＥＳのそ
のような要素Ｅの断面図を示す。放射線ＢＲのビームは
電子ｅを前記要素Ｅの面から解放させる。
【００３６】要素Ｅの面ＥＳの上にメッシュＭが位置し
ている。電圧源ＶＳがメッシュＭに接続され、該メッシ
ュに所定の正の電圧を供給する。その結果、解放された
電子ｅはメッシュＭに誘引され、かつ集められる。空間
帯電効果に打ち勝つためにメッシュに供給される（照射
面に対して）可成り大きい正の電圧が必要とされる。照
射面ＥＳには負の電圧が供給されうる。解放された電子
は５０Ｖ／ｃｍ程度の電界強度あるいは解放された電子
による空間帯電効果に打ち勝つためにそれよりも更に大
きい電界強度を経験する。低い入射ビームの強度に対し
ては、より低い電界強度で十分である。電流測定装置１
５はメッシュによって集められた電子による電流を測定
する。
ている。電圧源ＶＳがメッシュＭに接続され、該メッシ
ュに所定の正の電圧を供給する。その結果、解放された
電子ｅはメッシュＭに誘引され、かつ集められる。空間
帯電効果に打ち勝つためにメッシュに供給される（照射
面に対して）可成り大きい正の電圧が必要とされる。照
射面ＥＳには負の電圧が供給されうる。解放された電子
は５０Ｖ／ｃｍ程度の電界強度あるいは解放された電子
による空間帯電効果に打ち勝つためにそれよりも更に大
きい電界強度を経験する。低い入射ビームの強度に対し
ては、より低い電界強度で十分である。電流測定装置１
５はメッシュによって集められた電子による電流を測定
する。
【００３７】図６はメッシュＭを斜視図で示す。この場
合、メッシュは複数の平行のワイヤＭｗから構成されて
いる。各ワイヤの太さｄ３は隣接するワイヤ間の距離ｄ
１よりも著しく小さい。このことは、メッシュが放射線
のビームを阻害しないようにする。更に、隣接するワイ
ヤの間の距離ｄ１は要素Ｅの表面ＥＳからのワイヤの距
離ｄ２よりも小さい。このことは、ワイヤから前記面ま
での電界が概ね均一になるようにする。
合、メッシュは複数の平行のワイヤＭｗから構成されて
いる。各ワイヤの太さｄ３は隣接するワイヤ間の距離ｄ
１よりも著しく小さい。このことは、メッシュが放射線
のビームを阻害しないようにする。更に、隣接するワイ
ヤの間の距離ｄ１は要素Ｅの表面ＥＳからのワイヤの距
離ｄ２よりも小さい。このことは、ワイヤから前記面ま
での電界が概ね均一になるようにする。
【００３８】ワイヤの適当なサイズ範囲は太さｄ３が２
μｍから１０μｍである。ワイヤは典型的には、タング
ステン、モリブデン、銅あるいはジルコニウムのような
電導体から形成される。ジルコニウムが特に有利なのは
それがＥＵＶに対して透過性であることである。ワイヤ
の間の距離ｄ１および前記面ＥＳからワイヤまでの距離
ｄ２の双方は典型的には１ｃｍのオーダでよい。
μｍから１０μｍである。ワイヤは典型的には、タング
ステン、モリブデン、銅あるいはジルコニウムのような
電導体から形成される。ジルコニウムが特に有利なのは
それがＥＵＶに対して透過性であることである。ワイヤ
の間の距離ｄ１および前記面ＥＳからワイヤまでの距離
ｄ２の双方は典型的には１ｃｍのオーダでよい。
【００３９】図７および図８は湾曲した要素Ｅで使用す
る本発明によるメッシュを示す。図７において、メッシ
ュＭは、要素Ｅの曲がりに概ね倣うように湾曲化されて
いる。図８においては、メッシュＭは概ね平坦である。
前記説明において、メッシュは複数の平行ワイヤからな
るものとして説明してきたが、種々のパターンも有利に
使用しうることが認識される。
る本発明によるメッシュを示す。図７において、メッシ
ュＭは、要素Ｅの曲がりに概ね倣うように湾曲化されて
いる。図８においては、メッシュＭは概ね平坦である。
前記説明において、メッシュは複数の平行ワイヤからな
るものとして説明してきたが、種々のパターンも有利に
使用しうることが認識される。
【００４０】その他の型式の電導体１３，Ｍも使用して
よい。別なオプションとしては入射ビームを阻害するこ
とがないように入射ビームを囲み、更に照射された面に
対して概ね平行となる概ね環状の型式の導体を採用する
ことである。そのような導体の一つはリング状の導体１
３である。
よい。別なオプションとしては入射ビームを阻害するこ
とがないように入射ビームを囲み、更に照射された面に
対して概ね平行となる概ね環状の型式の導体を採用する
ことである。そのような導体の一つはリング状の導体１
３である。
【００４１】更に、感知手段１５を使用して前述の光電
流をモニタすることによって、光源から基板に向って進
行するにつれて当該システムを通るＥＵＶ投影ビームを
モニタすることもできる。当該システムにおける他の点
での測定と相関しないある要素での光電流の測定された
変化が当該システムにおけるある局部変化を指示する。
そのような局部変化は（マスクを含む）レフレクタの汚
染でありうる。レフレクタに存在する汚染は一般にレフ
レクタから逃げようとする電子に対する異なる仕事関数
を提供するので光電流に対して影響を有する。このよう
に、第２の実施例による放射線は汚染モニタとして使用
しうる。
流をモニタすることによって、光源から基板に向って進
行するにつれて当該システムを通るＥＵＶ投影ビームを
モニタすることもできる。当該システムにおける他の点
での測定と相関しないある要素での光電流の測定された
変化が当該システムにおけるある局部変化を指示する。
そのような局部変化は（マスクを含む）レフレクタの汚
染でありうる。レフレクタに存在する汚染は一般にレフ
レクタから逃げようとする電子に対する異なる仕事関数
を提供するので光電流に対して影響を有する。このよう
に、第２の実施例による放射線は汚染モニタとして使用
しうる。
【００４２】実施例３ 以下述べることを除いて第１および第２の実施例と同じ
である本発明の第３の実施例において、放射線センサ
は、また入射ＥＵＶ放射線を第２の電子に変換する。第
３の実施例による放射線センサは図９に示され、例えば
金属である放射線感受性層２１と、接地（電位）２５に
接続されている感知手段２３とを含む。放射線感受性層
２１は第２の実施例に対して説明したものと類似の方法
によって電子を発生させることが出来る。このように発
生したり、解放される電子は正の帯電された層２１を形
成し、この層は接地２５に接続されると中立層２１を形
成するように電気的に補償される。その結果の電流が感
知手段２３によって測定可能であり、この電流は入射Ｅ
ＵＶ放射線の強度の測定値である。
である本発明の第３の実施例において、放射線センサ
は、また入射ＥＵＶ放射線を第２の電子に変換する。第
３の実施例による放射線センサは図９に示され、例えば
金属である放射線感受性層２１と、接地（電位）２５に
接続されている感知手段２３とを含む。放射線感受性層
２１は第２の実施例に対して説明したものと類似の方法
によって電子を発生させることが出来る。このように発
生したり、解放される電子は正の帯電された層２１を形
成し、この層は接地２５に接続されると中立層２１を形
成するように電気的に補償される。その結果の電流が感
知手段２３によって測定可能であり、この電流は入射Ｅ
ＵＶ放射線の強度の測定値である。
【００４３】第３の実施例は、また投影システムＰＬあ
るいはイルミネータＩＬにおけるレフレクタ、あるいは
検出要素としてのマスクのような要素を使用して強度あ
るいは線量を測定できるようにする。斜入射ミラーの場
合、一般にそれらは電気抵抗の低い金属で作られるので
応答時間が比較的短い。直角入射ミラーは、一般に反射
すべき放射線の波長に調整された多層スタックからな
る。多層スタックは、交互のモリブデン（Ｍｏ）および
珪素（Ｓｉ）の層のスタックのような金属と半導体材料
との交互の層から構成しうる。ミラーの全体的な抵抗は
金属と半導体との間の特定の接触抵抗によって決まるの
で一般に大きい。この抵抗は半導体の層をドーピングす
ることによって顕著に低減しうる。抵抗が小さければ小
さいほど、入射強度と測定された電流との間の均一性が
より良好で、かつ応答時間がより速い。
るいはイルミネータＩＬにおけるレフレクタ、あるいは
検出要素としてのマスクのような要素を使用して強度あ
るいは線量を測定できるようにする。斜入射ミラーの場
合、一般にそれらは電気抵抗の低い金属で作られるので
応答時間が比較的短い。直角入射ミラーは、一般に反射
すべき放射線の波長に調整された多層スタックからな
る。多層スタックは、交互のモリブデン（Ｍｏ）および
珪素（Ｓｉ）の層のスタックのような金属と半導体材料
との交互の層から構成しうる。ミラーの全体的な抵抗は
金属と半導体との間の特定の接触抵抗によって決まるの
で一般に大きい。この抵抗は半導体の層をドーピングす
ることによって顕著に低減しうる。抵抗が小さければ小
さいほど、入射強度と測定された電流との間の均一性が
より良好で、かつ応答時間がより速い。
【００４４】前述した実施例に関して、またこの場合に
も、レフレクタは投影ビームあるいは汚染モニタとして
使用しうる。実施例２および３は、また一つの実施例に
組み合わせてもよい。更に、実施例３には第２の実施例
に関して述べたように、但し集められた光電子の電流を
測定することなく解放された光電子を誘引し、集めるた
めに解放電子収集導体１３を設けることができる。
も、レフレクタは投影ビームあるいは汚染モニタとして
使用しうる。実施例２および３は、また一つの実施例に
組み合わせてもよい。更に、実施例３には第２の実施例
に関して述べたように、但し集められた光電子の電流を
測定することなく解放された光電子を誘引し、集めるた
めに解放電子収集導体１３を設けることができる。
【００４５】実施例４ 図１０に示し、以下述べることを除いて第２の実施例と
同じでよい本発明の別な実施例はライン３１の配列から
なる放射線センサである。各ライン３１は電子を発生さ
せたり、解放する放射線感受性材料からなり、その結果
正に帯電したラインをもたらす。各ラインを接地（電
位）３５に接続することにより、個々のラインにおける
帯電を補償するのに要する電流を感知手段３３によって
個々に測定可能である。このように、各ラインにおける
供給放射線の線量を区別することにより、例えば投影ビ
ームの均一性を検出することが可能である。
同じでよい本発明の別な実施例はライン３１の配列から
なる放射線センサである。各ライン３１は電子を発生さ
せたり、解放する放射線感受性材料からなり、その結果
正に帯電したラインをもたらす。各ラインを接地（電
位）３５に接続することにより、個々のラインにおける
帯電を補償するのに要する電流を感知手段３３によって
個々に測定可能である。このように、各ラインにおける
供給放射線の線量を区別することにより、例えば投影ビ
ームの均一性を検出することが可能である。
【００４６】ライン３１がある半導体材料から作られて
いる場合、それらは各ラインの電気抵抗を測定する電気
回路の一部としうる。従って、測定された抵抗は入射放
射線の量の測定値である。
いる場合、それらは各ラインの電気抵抗を測定する電気
回路の一部としうる。従って、測定された抵抗は入射放
射線の量の測定値である。
【００４７】本実施例による放射線センサは、また第２
の実施例において述べた像センサとして構成しうる。更
に、個々の電流を測定するために感知手段に各々接続さ
れている個々の要素の二次元の配列を提供しうる。
の実施例において述べた像センサとして構成しうる。更
に、個々の電流を測定するために感知手段に各々接続さ
れている個々の要素の二次元の配列を提供しうる。
【００４８】本発明の特定の実施例を前述してきたが、
本発明は前述した以外の方法でも実施可能なことが認め
られる。本説明は本発明を限定する意図のものではな
い。
本発明は前述した以外の方法でも実施可能なことが認め
られる。本説明は本発明を限定する意図のものではな
い。
【図１】本発明の実施例による平板投影装置を概略図示
する。
する。
【図２】図１に示す装置の反射型式の投影システムを概
略図示する。
略図示する。
【図３Ａ】本発明の第１の実施例による放射線センサを
概略図示する。
概略図示する。
【図３Ｂ】図３Ａに示す実施例の変形を概略図示する。
【図４】本発明による第２の実施例による放射線センサ
を概略図示する。
を概略図示する。
【図５】第２の実施例の変形を概略図示する。
【図６】第２の実施例の変形の各種の実行を概略図示す
る。
る。
【図７】第２の実施例の変形の各種の実行を概略図示す
る。
る。
【図８】第２の実施例の変形の各種の実行を概略図示す
る。
る。
【図９】本発明の第３の実施例による放射線センサを概
略図示する。
略図示する。
【図１０】本発明の第４の実施例による放射線センサを
概略図示する。
概略図示する。
ＡＭ 調整手段 Ｃ 目標部分 Ｅ 電界 ＥＳ 入射面 ＩＦ 干渉計 ＩＬ 放射システム ＬＡ 放射源 Ｍ メッシュ Ｍａ ワイヤ ＭＡ マスク ＭＴ マスクテーブル ＰＢ 投影ビーム ＰＬ レンズ ＰＭ 位置決め手段 Ｒ レフレクタ ＶＣ 真空室 ＶＰ 真空ポンプ Ｗ 基板 ＷＴ 基板テーブル １、３ 層 ５ 集光光学装置 ７ シリコンダイオード ８ 保護層 ９ 電子回路 １１ 放射線感受性層 １２ 感知手段 １３ 導電体 １５ 電流測定手段 １７ 接地 ２１ 放射線感受性層 ２３ 感知手段 ２５ 接地 ３１ ライン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ２１Ｋ 5/00 Ｇ２１Ｋ 5/02 Ｘ 5/02 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５３１Ａ (72)発明者 マルク クローン オランダ国 ウトレヒト、グロエネヴェク 49 (72)発明者 ヴィルヘルムス コルネリス ケウル オランダ国 ヴェルト、アルフォンス ボ ーシュテンシュトラート 35 (72)発明者 ファディム イエフゲニエビッチ バニネ オランダ国 ヘルモント、ニエルスラーン ２ (72)発明者 ハンス ファン デル ラーン オランダ国 フェルトホーフェン、オルメ ベーク ６ (72)発明者 ヨナネス ウベルトウス ヨゼフィナ モ ールス オランダ国 ヘルモント、ディエルドンク ラーン 56 (72)発明者 エリク ロエロフ ロープシュトラ オランダ国 ヘーツェ、ホディバルトウス ラーン 15 Ｆターム(参考） 2G088 EE29 EE30 FF02 FF10 FF14 GG10 GG19 GG20 GG25 JJ04 JJ05 JJ31 KK32 KK35 2H097 AA03 CA13 LA10 5F046 GA03 GA14 GB09
Claims (17)
- 【請求項１】 波長λ1が５０ｎｍ未満である放射線の
投影ビームを提供する放射システムと、 所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するよ
うに作用するパターン化手段を支持する支持構造体と、 基板を保持する基板テーブルと、 前記基板の目標部分上にパターン化されたビームを投影
する投影システムと、 投影ビームからの放射線を受け取ることができるように
位置した放射線センサであって、 波長λ1の入射放射線を二次放射線に変換する放射線感
受性材料と、 前記層から出てくる前記二次放射線を検出可能な感知手
段とを含む放射線センサとを含むことを特徴とする平板
投影装置。 - 【請求項２】 前記放射線感受性材料が波長λ1の前記
放射線を波長λ1より大きい波長λ2を有する電磁放射線
に変換することを特徴とする請求項１に記載の装置。 - 【請求項３】 前記放射線感受性材料がＣａＳ：Ｃｅ，
ＹＡＧ：ＣｅおよびＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌからなる群から
選択された化合物からなることを特徴とする請求項２に
記載の装置。 - 【請求項４】 前記放射線感受性材料が波長λ1の前記
放射線を前記放射線感受性材料から解放された電子に変
換することを特徴とする請求項１に記載の装置。 - 【請求項５】 前記感知手段が前記解放された電子と代
替する別な電子によって誘導される電流を測定するよう
に前記放射線感受性材料に電気的に接続された測定装置
からなる特徴とする請求項４に記載の装置。 - 【請求項６】 前記放射線感受性材料から解放された前
記電子を集めるコレクタが配置されていることを特徴と
する請求項５に記載の装置。 - 【請求項７】 前記感知手段が前記放射線可能材料から
解放された前記電子を集めるコレクタと、前記集められ
た電子によって誘発される電流を測定すべく前記コレク
タに接続された測定装置とを含むことを特徴とする請求
項４または５に記載の装置。 - 【請求項８】 前記コレクタが前記解放された電子を誘
発するように前記放射線感受性材料に対して正に帯電す
ることを特徴とする請求項６または７に記載の装置。 - 【請求項９】 前記放射線感受性材料と前記コレクタと
の間の電界強度が空間帯電効果に打ち勝つのに十分大き
いように選択されることを特徴とする請求項８に記載の
装置。 - 【請求項１０】 前記電界強度が５０Ｖ／ｃｍより大き
いことを特徴とする請求項９に記載の装置。 - 【請求項１１】 前記放射線感受性材料が個々の要素の
アレイに配置され、前記感知装置が前記個々の要素から
解放された電子を個々に検出するように配置されている
ことを特徴とする請求項４から１０までのいずれか１項
に記載の装置。 - 【請求項１２】 前記個々の要素がラインのアレイとし
て配置されていることを特徴とする請求項１１に記載の
装置。 - 【請求項１３】 前記放射線感受性材料が前記パターン
化要素、前記投影システムに設けられたレフレクタ、お
よび前記放射システムに設けられたレフレクタのうちの
少なくとも１個から構成されていることを特徴とする請
求項４から１０までのいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項１４】 前記支持構造体がマスクを保持するマ
スクテーブルからなることを特徴とする請求項１から１
３までのいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項１５】 前記放射システムが放射線源からなる
ことを特徴とする請求項１から１４までのいずれか１項
に記載の装置。 - 【請求項１６】 放射線感受性材料の層によって少なく
とも部分的に被覆された基板を提供する段階と、 放射システムを使用して５０ｎｍより小さい波長λ1を
有する放射線の投影ビームを提供する段階と、 投影ビームに断面のパターンを付与するパターン化手段
を用いる段階と、 パターン化した放射線ビームを放射線感受性材料の層の
目標部分上に投影する段階と、 投影ビームからの放射線を検出する放射線ビームであっ
て、 波長がλ1である入射放射線を二次放射線に変換する放
射線感受性層と、 前記層から出てくる前記二次放射線を検出可能な感知手
段とを含む放射線センサを用いる段階とを含むことを特
徴とする素子製造方法。 - 【請求項１７】請求項１６に記載の方法によって製造さ
れた素子。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP00202960 | 2000-08-25 | ||
| EP01302647A EP1243970A1 (en) | 2001-03-22 | 2001-03-22 | Lithographic apparatus |
| EP00202960.1 | 2001-05-21 | ||
| EP01302647.1 | 2001-05-21 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005250780A Division JP2006013546A (ja) | 2000-08-25 | 2005-08-31 | 平板投影装置、素子製造方法およびそれによって製造された素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002141280A true JP2002141280A (ja) | 2002-05-17 |
| JP3730548B2 JP3730548B2 (ja) | 2006-01-05 |
Family
ID=26072629
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001252774A Expired - Fee Related JP3730548B2 (ja) | 2000-08-25 | 2001-08-23 | 平板投影装置、素子製造方法およびそれによって製造された素子 |
| JP2005250780A Pending JP2006013546A (ja) | 2000-08-25 | 2005-08-31 | 平板投影装置、素子製造方法およびそれによって製造された素子 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005250780A Pending JP2006013546A (ja) | 2000-08-25 | 2005-08-31 | 平板投影装置、素子製造方法およびそれによって製造された素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US6721389B2 (ja) |
| JP (2) | JP3730548B2 (ja) |
| KR (1) | KR100586913B1 (ja) |
| DE (2) | DE60131203T2 (ja) |
| TW (1) | TW527527B (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006524351A (ja) * | 2003-04-24 | 2006-10-26 | カール ツアイス エスエムエス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 特にマイクロリトグラフィー用マスクなどの対象物の検査装置 |
| JP2007070496A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Japan Atomic Energy Agency | ＺｎＳ蛍光体を用いた中性子検出用シンチレータ及び粒子線検出用シンチレータ |
| JP2009525590A (ja) * | 2005-11-10 | 2009-07-09 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 光源の変動を測定するためのシステムを備えたｅｕｖ照明システム |
| JP2010505261A (ja) * | 2006-09-27 | 2010-02-18 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 放射システムおよびこれを含むリソグラフィ装置 |
| JP2010506424A (ja) * | 2006-10-10 | 2010-02-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| US7679064B2 (en) | 2004-04-15 | 2010-03-16 | Japan Atomic Energy Research Institute | Particle detector and neutron detector that use zinc sulfide phosphors |
| US9316919B2 (en) | 2003-08-29 | 2016-04-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1233304A1 (en) * | 2001-02-14 | 2002-08-21 | Asm Lithography B.V. | Lithographic apparatus |
| TWI227380B (en) * | 2002-06-06 | 2005-02-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US6871558B2 (en) * | 2002-12-12 | 2005-03-29 | Molecular Imprints, Inc. | Method for determining characteristics of substrate employing fluid geometries |
| JP2004228473A (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Canon Inc | 移動ステージ装置 |
| SG115693A1 (en) * | 2003-05-21 | 2005-10-28 | Asml Netherlands Bv | Method for coating a substrate for euv lithography and substrate with photoresist layer |
| US7213963B2 (en) * | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1500982A1 (en) | 2003-07-24 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| SG112033A1 (en) * | 2003-11-07 | 2005-06-29 | Asml Netherlands Bv | Radiation detector |
| US20060139595A1 (en) * | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for determining Z position errors/variations and substrate table flatness |
| EP1726993A1 (de) * | 2005-05-24 | 2006-11-29 | Carl Zeiss SMT AG | Optisches System und Verfahren zum Betreiben desselben |
| US7405417B2 (en) * | 2005-12-20 | 2008-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus having a monitoring device for detecting contamination |
| US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20070201013A1 (en) * | 2006-02-28 | 2007-08-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and energy sensor |
| US7790340B2 (en) * | 2007-04-20 | 2010-09-07 | Photronics, Inc. | Photomask with detector for optimizing an integrated circuit production process and method of manufacturing an integrated circuit using the same |
| US20090015814A1 (en) * | 2007-07-11 | 2009-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Detector for registering a light intensity, and illumination system equipped with the detector |
| KR101675048B1 (ko) | 2009-04-27 | 2016-11-10 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 검출기 장치 |
| JP5827827B2 (ja) | 2010-06-29 | 2015-12-02 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | アクチュエータ |
| KR101793316B1 (ko) * | 2011-03-16 | 2017-11-02 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 박막 스펙트럼 순도 필터 코팅을 갖는 영상 센서를 사용하는 ｅｕｖ 화학선 레티클 검사 시스템 |
| NL2010343A (en) * | 2012-03-20 | 2013-09-23 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, sensor and method. |
| US9341937B2 (en) * | 2014-04-25 | 2016-05-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Lithography system and method for patterning photoresist layer on EUV mask |
| IL239577B (en) * | 2015-06-22 | 2020-10-29 | Zeiss Carl Smt Gmbh | Correction of variation in critical dimension in extreme ultraviolet lithography |
| WO2017005188A1 (en) * | 2015-07-06 | 2017-01-12 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Semiconductor device and method of forming the same |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6372116A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-01 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光装置 |
| JPH01199188A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-10 | Fujitsu Ltd | Ｘ線露光用ビーム位置モニタ装置 |
| JPH01270690A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-27 | Fujitsu Ltd | 露光用ｘ線の強度測定方法 |
| JPH06208941A (ja) * | 1993-01-12 | 1994-07-26 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Ｘ線露光装置 |
| JP2000036448A (ja) * | 1998-07-17 | 2000-02-02 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JP2000100685A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 露光装置及び該装置を用いた露光方法 |
| JP2000114148A (ja) * | 1998-10-06 | 2000-04-21 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3745358A (en) * | 1971-05-10 | 1973-07-10 | Radiant Energy Systems | Alignment method and apparatus for electron projection systems |
| JPS598073B2 (ja) * | 1975-08-19 | 1984-02-22 | 松下電器産業株式会社 | 固体検出器 |
| DE3318980C2 (de) * | 1982-07-09 | 1986-09-18 | Perkin-Elmer Censor Anstalt, Vaduz | Vorrichtung zum Justieren beim Projektionskopieren von Masken |
| GB2159322A (en) | 1984-05-18 | 1985-11-27 | Philips Electronic Associated | Electron image projector |
| JP2765851B2 (ja) | 1988-03-30 | 1998-06-18 | 株式会社日立製作所 | 電子検出器及びこれを用いた電子線装置 |
| NL9000503A (nl) * | 1990-03-05 | 1991-10-01 | Asm Lithography Bv | Apparaat en werkwijze voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat. |
| JPH0422852A (ja) * | 1990-05-18 | 1992-01-27 | Fujitsu Ltd | 電磁波・粒子線の照射面内分布測定装置 |
| US5222112A (en) | 1990-12-27 | 1993-06-22 | Hitachi, Ltd. | X-ray pattern masking by a reflective reduction projection optical system |
| US5222122A (en) * | 1992-03-31 | 1993-06-22 | At&T Bell Laboratories | Payphone having master and slave modes |
| JPH05288696A (ja) | 1992-04-06 | 1993-11-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | シンクロトロン放射光用鏡のモニタ方法 |
| US5469963A (en) | 1992-04-08 | 1995-11-28 | Asyst Technologies, Inc. | Sealable transportable container having improved liner |
| US5349194A (en) * | 1993-02-01 | 1994-09-20 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Microgap ultra-violet detector |
| US5461226A (en) * | 1993-10-29 | 1995-10-24 | Loral Infrared & Imaging Systems, Inc. | Photon counting ultraviolet spatial image sensor with microchannel photomultiplying plates |
| JP3239976B2 (ja) * | 1994-09-30 | 2001-12-17 | 株式会社東芝 | アライメントマーク、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JPH08124834A (ja) | 1994-10-26 | 1996-05-17 | Nikon Corp | 荷電粒子線転写装置 |
| JP3703217B2 (ja) * | 1995-09-04 | 2005-10-05 | キヤノン株式会社 | Ｘ線検出装置 |
| DE69701934T2 (de) * | 1996-02-15 | 2000-11-30 | Koninkl Philips Electronics Nv | Methode zur bestimmung der strahlungsmenge in einem lithographischen gerät; test-maske und gerät ihrer durchführung |
| US5838006A (en) | 1996-10-17 | 1998-11-17 | Etec Systems, Inc. | Conical baffle for reducing charging drift in a particle beam system |
| JP3570728B2 (ja) * | 1997-03-07 | 2004-09-29 | アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ | 離軸整列ユニットを持つリトグラフ投射装置 |
| AU2549899A (en) * | 1998-03-02 | 1999-09-20 | Nikon Corporation | Method and apparatus for exposure, method of manufacture of exposure tool, device, and method of manufacture of device |
-
2001
- 2001-08-23 DE DE60131203T patent/DE60131203T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-23 KR KR1020010050916A patent/KR100586913B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-08-23 US US09/934,681 patent/US6721389B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-23 JP JP2001252774A patent/JP3730548B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-23 DE DE60116967T patent/DE60116967T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-04 TW TW090121866A patent/TW527527B/zh not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-04-08 US US10/820,103 patent/US7075620B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-08-31 JP JP2005250780A patent/JP2006013546A/ja active Pending
-
2006
- 2006-05-12 US US11/432,365 patent/US7459690B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6372116A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-01 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光装置 |
| JPH01199188A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-10 | Fujitsu Ltd | Ｘ線露光用ビーム位置モニタ装置 |
| JPH01270690A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-27 | Fujitsu Ltd | 露光用ｘ線の強度測定方法 |
| JPH06208941A (ja) * | 1993-01-12 | 1994-07-26 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Ｘ線露光装置 |
| JP2000036448A (ja) * | 1998-07-17 | 2000-02-02 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JP2000100685A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 露光装置及び該装置を用いた露光方法 |
| JP2000114148A (ja) * | 1998-10-06 | 2000-04-21 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011199302A (ja) * | 2003-04-24 | 2011-10-06 | Carl Zeiss Sms Gmbh | 特にマイクロリトグラフィー用マスクなどの対象物の検査装置 |
| JP2006524351A (ja) * | 2003-04-24 | 2006-10-26 | カール ツアイス エスエムエス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 特にマイクロリトグラフィー用マスクなどの対象物の検査装置 |
| JP4818099B2 (ja) * | 2003-04-24 | 2011-11-16 | カール ツァイス エスエムエス ゲーエムベーハー | 特にマイクロリトグラフィー用マスクなどの対象物の検査装置 |
| US9316919B2 (en) | 2003-08-29 | 2016-04-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US11003096B2 (en) | 2003-08-29 | 2021-05-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US10514618B2 (en) | 2003-08-29 | 2019-12-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US10025204B2 (en) | 2003-08-29 | 2018-07-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9568841B2 (en) | 2003-08-29 | 2017-02-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7679064B2 (en) | 2004-04-15 | 2010-03-16 | Japan Atomic Energy Research Institute | Particle detector and neutron detector that use zinc sulfide phosphors |
| JP2007070496A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Japan Atomic Energy Agency | ＺｎＳ蛍光体を用いた中性子検出用シンチレータ及び粒子線検出用シンチレータ |
| JP2013048289A (ja) * | 2005-11-10 | 2013-03-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | 光源の変動を測定するためのシステムを備えたｅｕｖ照明システム |
| US8513628B2 (en) | 2005-11-10 | 2013-08-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV illumination system with a system for measuring fluctuations of the light source |
| JP2012060190A (ja) * | 2005-11-10 | 2012-03-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | 光源の変動を測定するためのシステムを備えたｅｕｖ照明システム |
| JP2009525590A (ja) * | 2005-11-10 | 2009-07-09 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 光源の変動を測定するためのシステムを備えたｅｕｖ照明システム |
| JP2011228742A (ja) * | 2006-09-27 | 2011-11-10 | Asml Netherlands Bv | 光センサ装置及びｅｕｖ放射を検出する方法 |
| JP2010505261A (ja) * | 2006-09-27 | 2010-02-18 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 放射システムおよびこれを含むリソグラフィ装置 |
| JP2010506424A (ja) * | 2006-10-10 | 2010-02-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20020016543A (ko) | 2002-03-04 |
| US7075620B2 (en) | 2006-07-11 |
| DE60131203T2 (de) | 2008-08-07 |
| KR100586913B1 (ko) | 2006-06-07 |
| US20020037461A1 (en) | 2002-03-28 |
| US20060219931A1 (en) | 2006-10-05 |
| JP3730548B2 (ja) | 2006-01-05 |
| US7459690B2 (en) | 2008-12-02 |
| DE60116967T2 (de) | 2006-09-21 |
| TW527527B (en) | 2003-04-11 |
| JP2006013546A (ja) | 2006-01-12 |
| DE60131203D1 (de) | 2007-12-13 |
| US20040190677A1 (en) | 2004-09-30 |
| US6721389B2 (en) | 2004-04-13 |
| DE60116967D1 (de) | 2006-04-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3730548B2 (ja) | 平板投影装置、素子製造方法およびそれによって製造された素子 | |
| US7057190B2 (en) | Lithographic projection apparatus, particle barrier for use therein, integrated structure manufacturing method, and device manufactured thereby | |
| US7247866B2 (en) | Contamination barrier with expandable lamellas | |
| US7256407B2 (en) | Lithographic projection apparatus and reflector assembly for use therein | |
| US7034308B2 (en) | Radiation system, contamination barrier, lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby | |
| EP1887615A1 (en) | Sensor calibration method, exposure method, exposure device, device fabrication method, and reflection type mask | |
| JP4359224B2 (ja) | 放射検出器 | |
| US7489385B2 (en) | Lithographic projection apparatus with collector including concave and convex mirrors | |
| US7390614B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
| EP1182511B1 (en) | Lithographic apparatus | |
| JP4685943B2 (ja) | リソグラフィ装置、照明システム、およびｅｕｖ放射線の投影ビームを供給する方法 | |
| US7108960B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
| JP4384082B2 (ja) | かすめ入射ミラー、かすめ入射ミラーを含むリソグラフィ装置、かすめ入射ミラーを提供する方法、かすめ入射ミラーのｅｕｖ反射を強化する方法、デバイス製造方法およびそれによって製造したデバイス | |
| US7113255B2 (en) | Grating patch arrangement, lithographic apparatus, method of testing, device manufacturing method, and device manufactured thereby | |
| EP1394615B1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
| EP1335249A1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040921 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041005 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20050105 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20050111 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050405 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050531 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050831 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050930 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051006 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20061010 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081014 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091014 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091014 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101014 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101014 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111014 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111014 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121014 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121014 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131014 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |