JP2011199302A - 特にマイクロリトグラフィー用マスクなどの対象物の検査装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】マイクロリトグラフィー用マスクなどの対象物の検査装置。
【解決手段】対象物から放出される照明光をより長波長の光線へ変換するためのコンバータ、および画像記録のためのセンサが装備されていて、そのセンサが真空チェンバの外側にあって、真空チェンバからコンバータのセンサに到るまでの光学インタフェースとして配置されている、または結像対物レンズOの少なくとも一部が窓として真空チェンバ内に配置されている、真空チェンバ内に存在する、特にマイクロリトグラフィー用マスクなど対象物OFの検査装置。
【選択図】図1

Description

真空チェンバ内に存在する対象物の観察または結像には、観察光学系およびセンサ(カメラ)の真空チェンバ内への設置、または真空窓を通じての観察が必要である。
DE 10130212 A1
これは、極紫外線(EUV)による結像において、当光線をシンチレータにより別な波長の光線に変換し、次に別な光学系によってセンサに結像させる場合(US 5498923)には特に必要である。
センサがチェンバ内部にあると、センサから、例えばシロキサン系または炭化水素系ガスが発生する原因になる。これが、チェンバ内にある装置の汚染リスクを高める結果になる。その場合、エネルギーの大きな光線、特にEUV線に曝される光学素子は危険度がとりわけ高い。
センサがチェンバの外側にあると、結像に必要な光線は真空窓を通じてセンサにまで導かねばならない。この場合窓自体が原因となって、光学結像の品質および結像光学系の開口利用幅が制限される。
発明による解決法:
この問題は、シンチレータ自体で窓を形成するか、またはセンサの前に配置される結像光学系の構造を、それ自体が、またはその一部が真空窓を形成するような形態にすることによって解消される。
その場合、その時々の設定課題に依存して様々な構成が可能である。
a)結像対物レンズは気密なものとし、本来の意味での窓を形成する。
b)シンチレータで真空窓を形成する。
シンチレータは、好ましくも、脆化が始まったときには取換できるように構成されている。
c)対物レンズの一部で真空窓を形成する。
この場合、光源から第1番目の結象光学系レンズを真空窓として形成するのが特に有利である。そうすれば対物レンズのその他部分が真空に曝されないからである。さらに、その場合第1番目のレンズを真空チェンバに接合固定して、残りの対物レンズについては、例えば全体像撮影の場合では、結像条件を変えるために他のレンズ群と取換できるようにすることも可能である。
上記いずれの変法によっても、ガスの発生および汚染に関し高いリスクを孕んでいる本来の意味でのセンサを真空チェンバの外に配置しながら、それでも高い光学結像品質を達成することが可能である。
システム全体の実施例。 対物レンズの光学的構造。
本発明を図1に基づきより詳しく説明する。
EUV光源LQにより照明光学系EUVBOを通じて照明された対象物OF領域は、EUV光学系EUVOによりシンチレータS上に結像する。シンチレータがEUV波長領域の画像をより長波長領域の画像に変換するが、その後当画像は結像対物レンズO(例えば、マイクロ対物レンズ)によってセンサ上に結像する。
その場合、結像対物レンズ/シンチレータが本発明に基づき上記構成の1つに利用される。
対物レンズOは模式的に描かれているが、それは第1光学構成部である窓を形成することができ、真空チェンバの外側に配置された、図には描かれていないその他のレンズ構成部がそれに続いている。
図2は対物レンズOの光学的構造を示した実施例である。
それは、DE 10130212 A1に詳細に記述されているような、好ましくも接合剤不用のハイブリッド対物レンズである。これは、材料費を低減化させ、光学的品質を改良させるという長所を持っている。
回折素子DOEの使用により屈折の増強および色消しが行える。
この場合第1光学構成部F1/F2を真空チェンバの窓にすることができるが、しかし、例えばDOE F9/F10でも可能である。

ハイブリッド対物レンズのデータ(mm)
Figure 2011199302
以降鏡筒レンズ(図示されていない)に到るまで
LQ EUV光源
EUVBO 照明光学系
OF 対象物
EUVO EUV光学系
S シンチレータ
O 結像対物レンズ
DOE 回折素子

Claims (3)

  1. 対象物から放出される照明光を、より長波長の光線へ変換するためのコンバータ、および画像記録のためのセンサが装備されていて、そのセンサが真空チェンバの外側にあって、真空チェンバからコンバータのセンサに到るまでの光学インタフェースとして配置されている、または結像対物レンズの少なくとも一部が窓として真空チェンバ内に配置されている、真空チェンバ内に存在する、特にマイクロリトグラフィー用マスクなどの対象物の検査装置。
  2. 結像対物レンズが、少なくとも1つの回折素子DOEを持つ接合剤不用のハイブリッド対物レンズである請求項1に記載の装置。
  3. 正の屈折力を持つ第1光学素子群および第1光学素子群の1つに後続する負の屈折力を持つ第2光学素子群が配備されていて、第1光学素子群がDOEを含んでいる請求項2に記載の装置。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10318560A1 (de) * 2003-04-24 2004-11-11 Carl Zeiss Sms Gmbh Anordnung zur Inspektion von Objekten, insbesondere von Masken in der Mikrolithographie
US7522263B2 (en) 2005-12-27 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
GB0611648D0 (en) * 2006-06-13 2006-07-19 Boc Group Plc Method of controlling contamination of a surface
DE102007036814A1 (de) * 2007-08-03 2009-02-12 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Koordinaten-Messmaschine zum Vermessen von Strukturen auf einem Substrat
DE102007043896A1 (de) 2007-09-14 2009-04-02 Carl Zeiss Smt Ag Mikrooptik zur Messung der Position eines Luftbildes
US10429314B2 (en) * 2017-07-31 2019-10-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. EUV vessel inspection method and related system
US11027152B1 (en) * 2018-08-06 2021-06-08 Integrated Sensors, Llc Ionizing-radiation beam monitoring system

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50146385A (ja) * 1974-04-08 1975-11-25
JP2001035434A (ja) * 1999-06-25 2001-02-09 Staib Instr Gmbh エネルギ分解及び角度分解電子分光用の結像装置、その方法及び分光器
JP2001227932A (ja) * 1999-11-30 2001-08-24 Minoru Ito マスク検査装置
JP2002084002A (ja) * 2000-09-06 2002-03-22 Nippon Leiz Co Ltd 光源装置
JP2002141280A (ja) * 2000-08-25 2002-05-17 Asm Lithography Bv 平板投影装置、素子製造方法およびそれによって製造された素子
JP2002187920A (ja) * 2000-12-20 2002-07-05 Nippon Kayaku Co Ltd 樹脂組成物、レンズ用樹脂組成物及びその硬化物
WO2003001272A2 (de) * 2001-06-22 2003-01-03 Carl Zeiss Jena Gmbh Objektiv
JP2003114200A (ja) * 2001-10-05 2003-04-18 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 多層膜マスク欠陥検査方法及び装置
JP2004095281A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Ebara Corp 電子線装置
JP4818099B2 (ja) * 2003-04-24 2011-11-16 カール ツァイス エスエムエス ゲーエムベーハー 特にマイクロリトグラフィー用マスクなどの対象物の検査装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5498923A (en) * 1994-01-05 1996-03-12 At&T Corp. Fluoresence imaging
DE19701192C2 (de) * 1997-01-15 2000-10-05 Staib Instr Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Betrieb eines Spektrometers mit Energie- und Winkelauflösung
US6016185A (en) * 1997-10-23 2000-01-18 Hugle Lithography Lens array photolithography
US6555828B1 (en) * 1998-11-17 2003-04-29 The Regents Of The University Of California Method and apparatus for inspecting reflection masks for defects
JP2001176789A (ja) * 1999-12-21 2001-06-29 Nikon Corp 投影露光装置および該投影露光装置を用いたデバイスの製造方法
US20040070846A1 (en) * 2001-06-22 2004-04-15 Hans-Juergen Dobschal Objective
US6775063B2 (en) * 2001-07-10 2004-08-10 Nikon Corporation Optical system and exposure apparatus having the optical system
JP4315427B2 (ja) * 2003-08-07 2009-08-19 キヤノン株式会社 位置測定方法、露光装置、及びデバイスの製造方法
JP2005268035A (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 Canon Inc Euv光源の評価用評価装置、およびそれを用いた評価方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50146385A (ja) * 1974-04-08 1975-11-25
JP2001035434A (ja) * 1999-06-25 2001-02-09 Staib Instr Gmbh エネルギ分解及び角度分解電子分光用の結像装置、その方法及び分光器
JP2001227932A (ja) * 1999-11-30 2001-08-24 Minoru Ito マスク検査装置
JP2002141280A (ja) * 2000-08-25 2002-05-17 Asm Lithography Bv 平板投影装置、素子製造方法およびそれによって製造された素子
JP2002084002A (ja) * 2000-09-06 2002-03-22 Nippon Leiz Co Ltd 光源装置
JP2002187920A (ja) * 2000-12-20 2002-07-05 Nippon Kayaku Co Ltd 樹脂組成物、レンズ用樹脂組成物及びその硬化物
WO2003001272A2 (de) * 2001-06-22 2003-01-03 Carl Zeiss Jena Gmbh Objektiv
JP2003114200A (ja) * 2001-10-05 2003-04-18 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 多層膜マスク欠陥検査方法及び装置
JP2004095281A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Ebara Corp 電子線装置
JP4818099B2 (ja) * 2003-04-24 2011-11-16 カール ツァイス エスエムエス ゲーエムベーハー 特にマイクロリトグラフィー用マスクなどの対象物の検査装置

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