JP6098950B2 - 照明光学ユニット - Google Patents

照明光学ユニット Download PDF

Info

Publication number
JP6098950B2
JP6098950B2 JP2014511820A JP2014511820A JP6098950B2 JP 6098950 B2 JP6098950 B2 JP 6098950B2 JP 2014511820 A JP2014511820 A JP 2014511820A JP 2014511820 A JP2014511820 A JP 2014511820A JP 6098950 B2 JP6098950 B2 JP 6098950B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical unit
diaphragm
region
illumination optical
illumination
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014511820A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014516209A (ja
Inventor
マルティン エントレス
マルティン エントレス
Original Assignee
カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー filed Critical カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
Publication of JP2014516209A publication Critical patent/JP2014516209A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6098950B2 publication Critical patent/JP6098950B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70075Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/7015Details of optical elements
    • G03F7/70158Diffractive optical elements
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/7015Details of optical elements
    • G03F7/70175Lamphouse reflector arrangements or collector mirrors, i.e. collecting light from solid angle upstream of the light source
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/702Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70233Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/02Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diaphragms, collimators

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)
  • Lenses (AREA)

Description

ドイツ特許出願DE 10 2011 076 297.3及びUS 61/488,901の内容が、引用によって組み込まれている。
本発明は、照明光学ユニットと絞りを含む照明系とに関する。更に、本発明は、この種の照明系を含むEUV投影露光装置、微細又はナノ構造化構成要素を生成する方法、及び本方法によって生成される構成要素に関する。
露光装置の光学品質を1つ又は複数の絞りの適切な配置によって改善することができることは公知である。絞りを含むEUV投影露光装置は、例えば、US 2007/242799 A1から公知である。
US 2007/242799 A1 US 6,859,515 B2 US 6,452,661
円形絞りは、従来技術から公知である。本発明により、円形絞りは、絞りの最適な設計とはならないことが認識された。
従って、本発明の目的は、EUV投影露光装置の照明光学ユニットを改善することである。この目的は、請求項1の特徴によって達成される。
本発明により、絞りの形状も、投影露光装置の結像品質に対して有意な影響を有することが認識された。驚くことに、多くの場合に、円形の絞り形状は最適ではなく、例えば、多角形方式に具現化された絞りは、改善された透過特性、従って、改善された結像品質をもたらすことが立証されている。この絞りは、特に、絞り平面に離散対称群を有する放射線透過性領域を有する。特に、この離散対称性は、自明ではないn回回転対称性であり、特にn≧2、特に2≦n≦10、特にn=2又はn=4である。この場合、絞りは、円周絞りとして具現化することができる。この絞りは、ビーム経路を円周方向に区切る。絞りのフレームは、直接対称群を有することもできる。後者は、特に絞り開口部の対称群に対応する。
有利な実施形態により、絞りの形状は、照明光学ユニットのファセット要素のファセットの形状に適合される。有利な態様では、絞りの形状は、特に瞳ファセットの形状に適合される。矩形のファセットの場合に、絞りは、有利な態様では、矩形形状を同じく有する。この場合、絞りのアスペクト比は、有利な態様では、ファセットのアスペクト比に正確に対応する。特に、正方形ファセットの場合には、絞りの正方形実施形態が有利である。
更に有利な実施形態により、絞りの形状は、放射線源の形状に適合される。これは、特に、放射線源の中間像の領域内への絞りの配置の場合であれば有利である。その結果、物体視野の照明の安定性を更に改善することができる。
請求項2に記載の絞りの矩形実施形態は、絞りの形状を投影露光装置及び/又は結像される物体の実施形態に特に良好に適応させることを可能にする。特殊な場合として、絞りの矩形実施形態は、特に、正方形方式に実施することができる。
請求項3により、絞りは、開口絞りとして具現化される。これは、特に、絞りのフレームが更に別の機能、特に、機械的機能を有する場合であれば有利である。
絞りは、特に、中間焦点絞りとして具現化され、すなわち、放射線源の中間焦点面の領域に配置される。
絞りの形状は、特に、EUV放射線源から到着するEUV放射線の強度分布に適合される。この場合、特に、EUV放射線源の実施形態及びコレクターの構造詳細を考慮に入ることができる。絞りの形状、特に、絞り開口部の形状のそのような適合化は、放射線源と照明光学ユニットの間の良好な真空分離を提供するために絞り開口部が可能な限り小さいという2次条件の下で、特に、透過特性、例えば、光源ユニットから射出するEUV放射線の合計強度を最適化することを可能にする。
本発明の更に別の目的は、EUV投影露光装置の照明系を改善することにある。
この目的は、請求項5の特徴を用いて達成される。
この種の照明系の利点は、照明光学ユニットに対して上述したものに対応する。
請求項6により、絞りは、光源ユニットと照明光学ユニットの間の境界に配置される。その結果、光源ユニットと照明光学ユニットの間の真空分離を改善することができる。
本発明の更に別の目的は、本発明による照明光学ユニットを含む投影露光装置、この投影露光装置を用いて構成要素を生成する方法、及び本方法によって生成される構成要素を明細に示すことである。
本発明により、これらの目的は、請求項7に記載の投影露光装置、請求項8に記載の生成方法、及び特許請求9に記載の構成要素を用いて達成される。
これらの主題の利点は、上述したものに対応する。
以下に図面を参照して本発明の例示的な実施形態をより詳細に記載する。
EUV投影リソグラフィのための投影露光装置を通る略子午断面図である。 図1に記載のEUV投影露光装置のための絞りの概略図である。
図1は、マイクロリソグラフィのための投影露光装置1を子午断面内に略示している。投影露光装置1の照明系2は、放射線源3に加えて、物体平面6内で物体視野5を露光するための照明光学ユニット4を有する。この場合、抜粋としてしか例示していないレチクルホルダ8によって保持されている物体視野5に配置されたレチクル7が露光される。投影光学ユニット9は、物体視野5を像平面11の像視野10に結像するためなどに機能する。レチクル7上の構造は、像平面11の像視野10の領域に配置された同じく概略的に示すウェーハホルダ13によって保持されているウェーハ12の感光層上に結像される。
放射線源3は、5nmと30nmの間の範囲の放出使用放射線を有するEUV放射線源である。EUV放射線源は、プラズマ光源、例えば、GDPP(ガス放電生成プラズマ)光源又はLPP(レーザ生成プラズマ)光源を含むことができる。シンクロトロン上に配置された放射線源を放射線源3に対して使用することができる。当業者は、この種の放射線源に関する情報を例えばUS 6,859,515 B2から求めることができるであろう。放射線源3から射出したEUV放射線14は、コレクター15によって集光される。コレクター15の下流では、EUV放射線14は、中間焦点面16を通って伝播し、その後に、視野ファセットミラー17上に入射する。視野ファセットミラー17は、物体平面6に対して光学的に共役な照明光学ユニット4の平面に配置される。
以下では、EUV放射線14を照明光又は結像光とも表している。
視野ファセットミラー17の下流において、EUV放射線14は、複数の瞳ファセットを有する瞳ファセットミラー18から反射される。特に、各視野ファセットは、中間焦点を各視野ファセットに割り当てられた瞳ファセット上に結像する。視野ファセットと瞳ファセットの間の割り当ては、切換可能にすることができる。瞳ファセットは、矩形方式、特に、正方形方式に実施することができる。この点に関する詳細に対しては、US 6,452,661、特に、図15及び図23を参照されたい。瞳ファセットミラー18は、投影光学ユニット9の瞳平面に対して光学的に共役な照明光学ユニット4の瞳平面に配置される。瞳ファセットミラー18と、ビーム経路の順に名付けられたミラー20、21、及び22を有する伝達光学ユニット19の形態にある結像光学アセンブリとを用いて、視野ファセットミラー17の視野ファセットが物体視野5に結像される。視野ファセットは、物体視野5の形状に適合された形状を有する。視野ファセットは、特に矩形方式又は弓形方式に具現化される。伝達光学ユニット19の最後のミラー22は、かすめ入射のためのミラー(「かすめ入射ミラー」)である。瞳ファセットミラー18と伝達光学ミラー19は、照明光14を物体視野5内に伝達するための後続光学ユニットを形成する。伝達光学ユニット19は、特に、瞳ファセットミラー18が投影光学ユニット9の入射瞳に配置される場合は省くことができる。照明光学ユニット4の更なる詳細に対しては、US 6,452,661を参照されたい。
位置関係のより簡単な説明のために、図1には直交xyz座標系を示している。図1では、x軸は、作図面と垂直にかつその中に延びている。y軸は、右に向けて延びている。z軸は、下向きに延びている。物体平面6と像平面11は、両方共にxy平面と平行に拡がっている。
レチクルホルダ8は、投影露光中にレチクル7を物体平面6内でy方向と平行な変位方向に変位させることができるように制御方式で変位可能である。ウェーハホルダ13は、ウェーハ12が、像平面11内でy方向と平行な変位方向に変位可能であるように、制御方式で相応に変位可能である。その結果、レチクル7及びウェーハ12を最初に物体視野5を通して、次に、像視野10を通して走査することができる。変位方向は、走査方向とも表している。レチクル7及びウェーハ12の走査方向の変位は、好ましくは、互いに同期して行うことができる。
中間焦点面16内には絞り23が配置される。図2には、更なる詳細を得ることができる絞り23の概略図を表している。絞り23は、特に開口部24として具現化される第1の領域と、フレーム25として具現化される第2の領域とを含む。第1の領域は、入射するEUV放射線に対して透過性を有する。この場合の透過性は、第1の領域24が、入射するEUV放射線14に対して少なくとも80%、少なくとも90%、少なくとも95%、少なくとも98%、又は更に99%よりも大きい透過率を有することを意味すると理解されなければならない。不透過性の第2の領域25は、相応に最大で5%、最大で1%、又は最大で0.1%の透過率のみを有する。領域24、25は、図1に示す例示的な実施形態では中間焦点面16と一致する絞り平面を定める。絞り平面は、特に投影露光装置1の光学軸と垂直に向けられる。
図示の例示的な実施形態において、領域24、25は、矩形方式、特に、正方形方式に具現化される。しかし、これらの領域は、丸いコーナを有する。一般的に表現すると、領域24、25は、多角形方式に具現化される。特に、領域24、25のうちの少なくとも一方は、絞り平面に離散対称群を有する。言い換えれば、絞り23は、自明ではないn回回転対称性を有するが、円形対称性を持たない。従って、n≧2が成り立つ。特に、2≦n≦10、特に、n=2又はn=4が成り立つ。一例として、図2に示す正方形絞り23は、4回回転対称性を有し、それに対して1に等しくないアスペクト比を有する矩形絞りは、4回回転対称性ではなく、2回回転対称性を有する。絞り23のアスペクト比は、特に、瞳ファセットミラー18上の瞳ファセットのアスペクト比に対応する。
図2に示す例示的な実施形態において、第1の領域24は、第2の領域25によって周囲的に完全に囲まれる。従って、絞り23は、円周絞りとして具現化される。
絞り23は、光源ユニット26の一部とすることができる。更に、光源ユニット26は、放射線源3とコレクター15を含む。絞り23は中間焦点面16に配置されるので、放射線透過性の第1の領域24を非常に小さくすることができる。特に第1の領域24は、1mmから50mmまでの範囲、特に3mmから30mmまでの範囲、特に5mmから15mmまでの範囲に最大直径dmaxを有する。透過性領域24が小さい程、光源ユニット26を照明光学ユニット4から十分に分離し、特に、真空分離することができる。光源ユニット26と照明光学ユニット4の間の真空分離は、特に、照明光学ユニット4に対して有害な雰囲気が光源ユニット26に存在する場合に重要である。
放射線源3から射出するEUV放射線14を光源ユニット26から照明光学ユニット4に可能な限り損失のない方式で伝達するためには、放射線透過性の第1の領域24が、特に、中間焦点面16の領域内にある絞り23の位置におけるEUV放射線14の強度分布に適合された形状を有する場合であれば有利である。
絞り23は、照明光学ユニット4の一部とすることができる。絞り23の放射線透過性第1領域24が、瞳ファセットミラー18の瞳ファセットの形状に適合された形状を有する場合であれば有利である。
特に、瞳ファセットの正方形実施形態の場合には、絞り23の正方形実施形態、特に、絞り23の第1の領域24の正方形実施形態が有利である。絞り23は、特に、瞳ファセットと同じ対称特性を有する。
投影露光装置1が使用される時には、レチクル7と、照明光14に対して感光性を有するコーティングを担持するウェーハ12とが与えられる。その後に、レチクル7の少なくとも1つの区画が、投影露光装置1を用いてウェーハ12上に投影される。ウェーハ12上へのレチクル7の投影中に、レチクルホルダ8及び/又はウェーハホルダ13は、物体平面6及び/又は像平面11それぞれと平行な方向に変位させることができる。レチクル7の変位とウェーハ12の変位は、好ましくは、互いに同期して行うことができる。最終段階は、ウェーハ12上で照明光14を用いて露光された感光層を現像する段階を含む。このようにして、微細又はナノ構造化構成要素、特に、半導体チップが生成される。
驚くことに、絞り23の放射線透過性第1領域24の所定のサイズに対する物体視野5の照明の均一性Uの安定性が、この領域の正方形実施形態を使用することにより、円形実施形態と比較して改善されることが立証された。この改善は、絞り23の放射線透過性第1領域24の正方形実施形態の場合に、放射線源3の不正確な位置決めによってもたらされる場合がある均一性における外乱が、丸い絞りが使用される場合よりも小さいことに帰することができる。従って、本発明による絞り23は、投影露光装置1の改善された結像品質に寄与する。
更に、本発明による絞り23によってもたらされる利点が、取りわけ、放射線源3の具体的な構成にも依存することが立証された。1つの特定の有利な実施形態において、絞り23の放射線透過性第1領域24の設計は、放射線源3の具体的な形状に適合される。この適合化は、瞳ファセットミラー18上の瞳ファセットの形状への適合化の変形又は追加形態とすることができる。特に、中間焦点面16内での絞り23の配置の場合には、放射線源3の中間像が存在するので、放射線源3の形状への絞り23の適合化は有利である。放射線源3の丸みを帯びた実施形態は、丸みを帯びた中間像をもたらすことになる。相応に、放射線源3の楕円形実施形態は、楕円形の中間像をもたらし、放射線源3のある程度矩形の特に正方形の実施形態は、対応する中間像をもたらす。本発明により、放射線源3が交換される場合に、絞り23も、新しい放射線源3に適合された新しい絞り23と交換することができる。
物体視野5の照明の改善された均一性は、照明のより高い安定性をもたらす。これは、特に、ウェーハ12の露光中に放射線源3が完全に定常的ではなく、例えば、幾分揺動する場合であれば有利である。これは、中間焦点面16内の点光源が、視野ファセットミラー17の視野ファセットによって瞳ファセットミラー18の瞳ファセット上の点の上に正確に結像されず、瞳ファセット上の位置が視野ファセット上の位置と相関し、従って、レチクル7内の位置と相関する場合であれば特に関連性がある。
23 絞り
24 開口部
25 フレーム
max 第1の領域の最大直径

Claims (7)

  1. EUV放射線源(3)から放出される放射線(14)を用いて結像光学ユニット(9)によって結像することができる物体視野(5)を照明するための照明光学ユニット(4)であって、
    a.特定の形状の多数のファセットを有する瞳ファセットミラー(18)と、
    b.入射EUV放射線(14)に対して透過性である第1の領域(24)と、入射EUV放射線(14)に対して不透過性である第2の領域(25)とを含み、該領域(24,25)が絞り平面を定め、かつ該領域(24,25)の少なくとも一方が該絞り平面に離散対称群を有する絞り(23)と、
    を含み、
    c.前記絞り(23)は、前記EUV放射線源(3)の中間焦点面(16)の領域に配置され、
    d.前記絞り(23)の前記領域(24,25)の少なくとも一方のアスペクト比が、前記瞳ファセットミラー(18)の前記ファセットの前記形状のアスペクト比対応する
    ことを特徴とする照明光学ユニット(4)。
  2. 前記絞り(23)の前記領域(24,25)の少なくとも一方が、矩形方式に具現化されることを特徴とする請求項1に記載の照明光学ユニット(4)。
  3. 前記絞り(23)の前記第1の領域(24)は、前記第2の領域(25)によって周囲的に完全に囲まれることを特徴とする請求項1から請求項2のいずれか1項に記載の照明光学ユニット(4)。
  4. EUV放射線源(3)から放出された放射線(14)を用いて結像光学ユニット(9)によって結像することができる物体視野(5)を照明するための照明系(2)であって、
    a.光源ユニット(26)と、
    b.請求項1から請求項のいずれか1項に記載の照明光学ユニット(4)と、
    を含み、
    c.絞り(23)が、前記EUV放射線源(3)の中間焦点面(16)の領域に配置される、
    ことを特徴とする照明系(2)。
  5. 真空分離が、前記光源ユニット(26)と前記照明光学ユニット(4)の間に与えられ、前記絞り(23)は、該光源ユニット(26)と該照明光学ユニット(4)の間の境界に配置されることを特徴とする請求項に記載の照明系(2)。
  6. a.請求項又は請求項に記載の照明系(2)と、
    b.物体視野(5)を像視野(10)内に結像するための結像光学ユニット(9)と、
    を含むことを特徴とするEUV投影露光装置(1)。
  7. 微細又はナノ構造化構成要素を生成する方法であって、
    a.請求項に記載のEUV投影露光装置(1)を与える段階と、
    b.レチクル(7)を与える段階と、
    c.感光コーティングを有するウェーハ(12)を与える段階と、
    d.前記EUV投影露光装置(1)を用いて前記レチクル(7)の少なくとも1つの区画を前記ウェーハ(12)上に投影する段階と、
    e.前記ウェーハ(12)上の前記露光された感光コーティングを現像する段階と、
    を含むことを特徴とする方法。
JP2014511820A 2011-05-23 2012-05-16 照明光学ユニット Active JP6098950B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161488901P 2011-05-23 2011-05-23
DE102011076297A DE102011076297A1 (de) 2011-05-23 2011-05-23 Blende
DE102011076297.3 2011-05-23
US61/488,901 2011-05-23
PCT/EP2012/059173 WO2012159968A2 (en) 2011-05-23 2012-05-16 Illumination optical unit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014516209A JP2014516209A (ja) 2014-07-07
JP6098950B2 true JP6098950B2 (ja) 2017-03-22

Family

ID=47140135

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014511820A Active JP6098950B2 (ja) 2011-05-23 2012-05-16 照明光学ユニット

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9632422B2 (ja)
JP (1) JP6098950B2 (ja)
CN (2) CN107239005B (ja)
DE (1) DE102011076297A1 (ja)
WO (1) WO2012159968A2 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012212453A1 (de) 2012-07-17 2014-01-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik
CN104505443B (zh) * 2014-12-26 2017-12-05 聚灿光电科技股份有限公司 一种GaN基LED外延结构及其制备方法
CN109521634B (zh) * 2017-09-20 2020-12-08 中强光电股份有限公司 投影装置与投影系统
DE102020212229B3 (de) 2020-09-29 2022-01-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Blenden-Vorrichtung zur Begrenzung eines Strahlengangs zwischen einer Lichtquelle und einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie
WO2022099688A1 (zh) * 2020-11-16 2022-05-19 苏州晶湛半导体有限公司 多量子阱结构、发光二极管和发光组件

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4238390B2 (ja) 1998-02-27 2009-03-18 株式会社ニコン 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法
US6859515B2 (en) 1998-05-05 2005-02-22 Carl-Zeiss-Stiftung Trading Illumination system, particularly for EUV lithography
US7248667B2 (en) 1999-05-04 2007-07-24 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system with a grating element
JP2001338868A (ja) * 2000-03-24 2001-12-07 Nikon Corp 照度計測装置及び露光装置
US7170587B2 (en) * 2002-03-18 2007-01-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100399063C (zh) * 2002-11-21 2008-07-02 卡尔蔡司Smt股份有限公司 带非圆形光阑的微印刷用投影镜头
US7113261B2 (en) 2004-06-08 2006-09-26 Asml Netherlands B.V. Radiation system, lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7274434B2 (en) * 2004-11-24 2007-09-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4990287B2 (ja) * 2005-10-18 2012-08-01 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 波長が193nm以下の照明システム用集光器
DE102006039760A1 (de) * 2006-08-24 2008-03-13 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem mit einem Detektor zur Aufnahme einer Lichtintensität
US20110024651A1 (en) * 2007-11-08 2011-02-03 Asml Netherlands B.V. Radiation system and method, and a spectral purity filter
DE102008013229B4 (de) * 2007-12-11 2015-04-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie
KR101593712B1 (ko) * 2008-02-15 2016-02-12 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치에 사용하기 위한 패싯 미러
KR101602373B1 (ko) * 2008-07-11 2016-03-21 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 스펙트럼 퓨리티 필터, 방사선 소스, 리소그래피 장치, 및 디바이스 제조 방법
DE102009047180A1 (de) * 2009-11-26 2010-12-16 Carl Zeiss Smt Ag Facettenspiegel, Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage

Also Published As

Publication number Publication date
US9632422B2 (en) 2017-04-25
WO2012159968A3 (en) 2013-01-17
CN103548095A (zh) 2014-01-29
CN107239005A (zh) 2017-10-10
CN103548095B (zh) 2017-07-21
WO2012159968A2 (en) 2012-11-29
JP2014516209A (ja) 2014-07-07
CN107239005B (zh) 2019-05-03
US20140036247A1 (en) 2014-02-06
DE102011076297A1 (de) 2012-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6221159B2 (ja) コレクター
JP5938043B2 (ja) 結像光学系
JP6010032B2 (ja) Euv投影露光系のためのミラー、光学系、及び構成要素を生成する方法
CN104169800B (zh) 投射曝光设备的照明光学单元
JP6221160B2 (ja) ミラーの配置
JP5979693B2 (ja) Euv投影リソグラフィのための照明光学ユニット及び光学系
JP6098950B2 (ja) 照明光学ユニット
US11350513B2 (en) Stop for arrangement in a constriction of an EUV illumination beam
JP2000091220A (ja) 投影露光装置及び投影露光方法
KR20110084950A (ko) 컬렉터 조립체, 방사선 소스, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
US10042248B2 (en) Illumination optical unit for a mask inspection system and mask inspection system with such an illumination optical unit
TWI270120B (en) Illumination optical system and exposure apparatus
JP2002198309A (ja) 熱的な負荷の少ない照明系
CN111936933B (zh) 投射光刻系统的光瞳分面反射镜、照明光学单元及光学系统
US9841683B2 (en) Illumination optical unit for EUV projection lithography
KR102344281B1 (ko) 콜렉터
KR101850584B1 (ko) 조명 장치, 노광 장치, 조정 방법 및 물품의 제조 방법
JP6263800B2 (ja) 結像光学ユニット
WO2012137699A1 (ja) 光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
JP6715241B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系
TW201626111A (zh) 用以照明一照明場的照明光學單元以及包含此類照明光學單元的投射曝光裝置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150518

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160304

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160309

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20160608

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20160809

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160906

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170130

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170209

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6098950

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250