JP2004095281A

JP2004095281A - 電子線装置

Info

Publication number: JP2004095281A
Application number: JP2002253197A
Authority: JP
Inventors: Mamoru Nakasuji; 中筋　護; Toru Satake; 佐竹　徹; Shinji Nomichi; 野路　伸治; Seiji Yoshikawa; 吉川　省二
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 2002-08-30
Filing date: 2002-08-30
Publication date: 2004-03-25

Abstract

【課題】本発明は、細かい欠陥を高スループット、高信頼性で検査を行う手段を提供し、そのような装置でマスク検査を行う事によりデバイス製造の歩留りを向上させるデバイス製造方法を提供する事を目的とする。
【解決手段】本発明は、上記課題を解決すべく電子銃７１０から放出された電子線をステンシルマスク８００に照射し、ステンシルマスク８００を透過した電子線を電子レンズで拡大して複数の画素を有する検出器で検出して試料の画像を形成する電子線装置である。
【選択図】　図７

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高スループット且つ高信頼性で、電子線透過マスクに対して欠陥検査等の評価を行う電子線装置に関し、更に、そのような電子線装置に用いるデバイスの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ステンシルマスクなどの各種マスクの欠陥検査は、マスクに可視光線などの光を透過させ、その像をＣＣＤカメラで検出して検査（光方式検査）が行われていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来の光方式の欠陥検査装置では、０．２μｍ以下のマスクの欠陥を検査することができなかった。
【０００４】
また、マスクに対して電子線を走査させ、このマスクから放出される二次電子、反射電子等を検出し、これらに基づき上記マスクの欠陥を検査する装置（ＳＥＭ方式の検査装置）もあったが、試料から放出された二次電子線が一次電子線の入射光路と共通の光路を通るため、電子線にボケが生じ、Ｓ／Ｎ比が悪化するという問題点があった。さらに、そのような装置では、かかるＳ／Ｎ比を良くするために補正処理をすることが必要となり、検査に長時間要するという問題点もあった。
【０００５】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、高スループット且つ高信頼性で細かい欠陥の検査を行うことができ、また、そのような装置でマスク検査を行うことによりデバイス製造の歩留りを向上させるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題を解決するために、次の特徴を備える電子線装置である。「１」　第１の発明は、電子銃から放出された電子線を試料に照射し、試料を透過した電子線を電子レンズで拡大して複数の画素を有する検出器で検出して試料の画像を形成する電子線装置である。
「２」　第２の発明は、上記した電子線装置において、上記試料はステンシルマスクであることを特徴とする。
「３」　第３の発明は、上記した電子線装置において、上記照射される電子線は平行度の良い電子線であることを特徴とする。
「４」　第４の発明は、上記した電子線装置において、上記照射光学系は少なくとも１個の成形開口を有し、該成形開口の像を試料の面上に結像させる事を特徴とする。
「５」　第５の発明は、上記した電子線装置において、上記成形開口は光軸の近くに成形開口を複数有し、かつ、該成形開口相互の重なりを変化する事により上記試料を照射する面積を変更できることを特徴とする。
「６」　第６の発明は、上記した電子線装置において、上記電子銃は熱電子放出カソードを有し、空間電荷制限条件で動作することを特徴とする。
「７」　第７の発明は、上記した電子線装置において、上記電子線装置は少なくとも２段の電子レンズと一枚の成形開口を有し、かつ、上記成形開口から出た主光線が試料に平行に照射されることを特徴とする。
「８」　第８の発明は、上記した電子線装置において、上記照射光学系は照射レンズ系の入射ひとみを有し、光源像が上記入射ひとみに結像されている事を特徴とする。
「９」　第９の発明は、上記した電子線装置において、拡大レンズの拡大率を、上記電子線の照射領域の大きさに対応させて可変にする事を特徴とする。
「１０」　第１０の発明は、上記した電子線装置において、上記電子線の照射領域は長辺と短辺を有する長方形状であり、上記試料を載置した試料台を上記短辺の方向に連続移動させながら試料の検出（評価）を行うことを特徴とする。
「１１」　第１１の発明は、上記した電子線装置において、上記電子線をステップ的または連続的に走査させる事を特徴とする。
「１２」　第１２の発明は、上記した電子線装置において、上記検出器は、ＭＣＰ、シンチレータ、ＣＣＤ検出器及び光学レンズを有し、シンチレータが作る像の大きさを光学レンズで調整して上記ＣＣＤ検出器におけるＣＣＤ面に結像させる事を特徴とする。
「１３」　第１３の発明は、上記した電子線装置において、上記電子銃はＦＥ、ＴＦＥ、ショットキーカソードを有する光源像の小さな電子銃である事を特徴とする。
「１４」　第１４の発明は、上記した電子線装置において、上記電子銃は上記試料の下側に配置され、上記試料の欠陥を検出する検出器は、上記試料、ステンシルマスクの上側に配置されることを特徴とする。
「１５」　第１５の発明は、上記した電子線装置において、上記電子銃と上記検出器との間に電子線を拡大する拡大レンズを複数備え、かつ、試料（各種マスク）を透過した電子線を最初に拡大する拡大レンズは、ダブレットレンズである事を特徴とする。
「１６」　第１６の発明は、上記した電子線装置において、上記拡大レンズはＮＡ開口を有し、試料で散乱されて来た平行度の悪い電子線をＮＡ開口で取り除く様、設計されている事を特徴とする。その具体的構成の一例は、上記ダブレットレンズの間にＮＡ開口を設ける。
「１７」　第１７の発明は、上記した電子線装置において、上記検出器はＭＣＰ、シンチレータを真空中とし、その後方に真空窓を兼ねたリレー光学系と、ＣＣＤ検出器又はＴＤＩ検出器の順に配置されている事を特徴とする。
「１８」　第１８の発明は、上記した電子線装置において、上記リレー光学系及びＣＣＤ検出器、又は、リレー光学系及びＴＤＩ検出器が真空中にあることを特徴とする。
「１９」　第１９の発明は、上記した電子線装置において、上記画像検出器は、ＭＣＰ、ＥＢ−ＣＣＤ検出器、または、ＥＢ−ＴＤＩ検出器からなることを特徴とする。
「２０」　第２０の発明は、上記した電子線装置において、上記試料の電子銃側には２次電子または後方散乱電子を検出する検出器を有し、さらに、レンズの焦点距離を変える事により小拡のクロスオーバ像上記試料の試料面上に形成、走査し、試料のレジストレーションを行うことを特徴とする。
「２１」　第２１の発明は、上記した電子線装置において、上記試料の電子銃側には２次電子または後方散乱電子を検出する検出器を有し、さらに、二つの成形開口の重なりを小さくして小拡の電子線を形成し、クロスオーバ像を上記試料の試料面上に形成、走査し、試料のレジストレーションを行うことを特徴とする。
「２２」　第２２の発明は、上記した電子線装置において、画素当たりの等価周波数を２００ＭＨｚ以上としたことを特徴とする。
「２３」　第２３の発明は、上記した電子線装置において、上記試料を透過した電子線により得られる画像データと、予め記憶されるパターンデータとを比較して、試料の欠陥検査を行う事を特徴とする。
「２４」　第２４の発明は、電子銃から放出された電子線をステンシルマスクに照射し、上記ステンシルマスクを透過した電子を検出して上記ステンシルマスクの欠陥を検出することを特徴とする。
「２５」　第２５の発明は、上記した電子線装置において、上記電子線は複数の光学系から構成されている事を特徴とする。ここで、「複数の光学系」とは、電子銃を含む照射光学系と検出センサを含む検出器とを複数備え、この照射光学系と検出器とがそれぞれ対応して配置されている形態をいう。
「２６」　第２６の発明は、上記した電子線装置を用いて、欠陥検査を行ったステンシルマスクを使うことを特徴とする半導体デバイスの製造方法である。
【０００７】
具体的一例は、以下の各ステップを備える半導体デバイスの製造方法である。
・　マスクを製造する工程
・　製造された前記マスクを上記電子線装置を用いて検査を行う工程
・　検査を終えた前記マスクを用いて、各種チップを製造する工程
また、上記電子線装置は、ウエハプロセッシング工程におけるリソグラフィ工程に用いることもできる。この場合、薄膜層やウエハ基板等を選択的に加工するために上記電子線装置によって検査されたマスクを用いてレジストパターンを形成する。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の好ましい実施形態について、検査対象として表面にパターンが形成された基板すなわちマスク（例えば、ステンシルマスク）を検査する半導体検査装置として説明する。
【０００９】
図１及び図２Ａにおいて、本実施形態の半導体検査装置１の主要構成要素が立面及び平面で示されている。
本実施形態の半導体検査装置１は、複数枚のマスクＭを収納したカセットを保持するカセットホルダ１０と、ミニエンバイロメント装置２０と、ワーキングチャンバを画成する主ハウジング３０と、ミニエンバイロメント装置２０と主ハウジング３０との間に配置されていて、二つのローディングチャンバを画成するローダハウジング４０と、マスクをカセットホルダ１０から主ハウジング３０内に配置された試料台５０上に装填するローダー６０と、主ハウジング３０に設けられた電子線装置７０と、を備え、それらは図１及び図２Ａに示されるような位置関係で配置されている。
カセットホルダ
カセットホルダ１０は、複数枚（例えば２５枚）のマスクＭが上下方向に平行に並べられた状態で収納されたカセットｃ（例えば、アシスト社製のＳＭＩＦ、ＦＯＵＰのようなクローズドカセット）を複数個（この実施形態では２個）保持するようになっている。このカセットホルダとしては、カセットをロボット等により搬送してきて自動的にカセットホルダ１０に装填する場合にはそれに適した構造のものを、また人手により装填する場合にはそれに適したオープンカセット構造のものをそれぞれ任意に選択して設置できるようになっている。カセットホルダ１０は、この実施形態では、自動的にカセットｃが装填される形式であり、例えば昇降テーブル１１と、その昇降テール１１を上下移動させる昇降機構１２とを備え、カセットｃは昇降テーブル上に図２Ａで鎖線図示の状態で自動的にセット可能になっていて、セット後、図２Ａで実線図示の状態に自動的に回転されてミニエンバイロメント装置内の第１の搬送ユニットの回動軸線に向けられる。また、昇降テーブル１１は図１で鎖線図示の状態に降下される。このように、自動的に装填する場合に使用するカセットホルダ、或いは人手により装填する場合に使用するカセットホルダはいずれも公知の構造のものを適宜使用すれば良いので、その構造及び機能の詳細な説明は省略する。
【００１０】
別の実施の態様では、図２Ｂに示すように、複数の３００ｍｍ基板を箱本体５０１の内側に固定した溝型ポケット（記載せず）に収納した状態で収容し、搬送、保管等を行うものである。この基板搬送箱２４は、角筒状の箱本体５０１と基板搬出入ドア自動開閉装置に連絡されて箱本体５０１の側面の開口部を機械により開閉可能な基板搬出入ドア５０２と、開口部と反対側に位置し、フィルタ類およびファンモータの着脱を行うための開口部を覆う蓋体５０３と、基板Ｗを保持するための溝型ポケット（図示せず）、ＵＬＰＡフィルタ５０５、ケミカルフィルタ５０６、ファンモータ５０７とから構成されている。この実施の態様では、ローダー６０のロボット式の第１の搬送ユニット６１２により、基板を出し入れする。
【００１１】
なお、カセットｃ内に収納される基板すなわちマスクＭは、検査を受けるマスクであり、そのような検査は、半導体製造工程中でマスクを処理するプロセスの後、若しくはプロセスの途中で行われる。具体的には、成膜工程、ＣＭＰ、イオン注入等を受けた基板すなわちマスク、表面に配線パターンが形成されたマスクが、カセット内に収納される。カセットｃ内に収容されるマスクＭは多数枚上下方向に隔ててかつ平行に並べて配置されているため、任意の位置のマスクと後述する第１の搬送ユニットで保持できるように、第１の搬送ユニットのアームを上下移動できるようになっている。
ミニエンバイロメント装置
図１ないし図３において、ミニエンバイロメント装置２０は、雰囲気制御されるようになっているミニエンバイロメント空間２１を画成するハウジング２２と、ミニエンバイロメント空間２１内で清浄空気のような気体を循環して雰囲気制御するための気体循環装置２３と、ミニエンバイロメント空間２１内に供給された空気の一部を回収して排出する排出装置２４と、ミニエンバイロメント空間２１内に配設されていて検査対象としての基板すなわちマスクを粗位置決めするプリアライナー２５とを備えている。
【００１２】
ハウジング２２は、頂壁２２１、底壁２２２及び四周を囲む周壁２２３を有していてい、ミニエンバイロメント空間２１を外部から遮断する構造になっている。ミニエンバイロメント空間を雰囲気制御するために、気体循環装置２３は、図３に示されるように、ミニエンバイロメント空間２１内において、頂壁２２１に取り付けられていて、気体（この実施形態では空気）を清浄にして一つ又はそれ以上の気体吹き出し口（図示せず）を通して清浄空気を真下に向かって層流状に流す気体供給ユニット２３１と、ミニエンバイロメント空間内において底壁２２２の上に配置されていて、底に向かって流れ下った空気を回収する回収ダクト２３２と、回収ダクト２３２と気体供給ユニット２３１とを接続して回収された空気を気体供給ユニット２３１に戻す導管２３３とを備えている。この実施形態では、気体供給ユニット２３１は供給する空気の約２０％をハウジング２２の外部から取り入れて清浄にするようになっているが、この外部から取り入れられる気体の割合は任意に選択可能である。気体供給ユニット２３１は、清浄空気をつくりだすための公知の構造のＨＥＰＡ若しくはＵＬＰＡフィルタを備えている。清浄空気の層流状の下方向の流れすなわちダウンフローは、主に、ミニエンバイロメント空間２１内に配置された後述する第１の搬送ユニットによる搬送面を通して流れるように供給され、搬送ユニットにより発生する虞のある塵埃がマスクに付着するのを防止するようになっている。したがって、ダウンフローの噴出口は必ずしも図示のように頂壁に近い位置である必要はなく、搬送ユニットによる搬送面より上側にあればよい。また、ミニエンバイロメント空間全面に亘って流す必要もない。なお、場合によっては、清浄空気としてイオン風を使用することによって清浄度を確保することができる。また、ミニエンバイロメント空間内には清浄度を観察するためのセンサを設け、清浄度が悪化したときに装置をシャットダウンすることもできる。ハウジング２２の周壁２２３のうちカセットホルダ１０に隣接する部分には出入り口２２５が形成されている。出入り口２２５近傍には公知の構造のシャッタ装置を設けて出入り口２２５をミニエンバイロメント装置側から閉じるようにしてもよい。マスク近傍でつくる層流のダウンフローは、例えば０．３ないし０．４ｍ／ｓｅｃの流速でよい。気体供給ユニットはミニエンバイロメント空間内でなくその外側に設けてもよい。
【００１３】
排出装置２４は、前記搬送ユニットのマスク搬送面より下側の位置で搬送ユニットの下部に配置された吸入ダクト２４１と、ハウジング２２の外側に配置されたブロワー２４２と、吸入ダクト２４１とブロワー２４２とを接続する導管２４３と、を備えている。この排出装置２４は、搬送ユニットの周囲を流れ下り搬送ユニットにより発生する可能性のある塵埃を含んだ気体を、吸入ダクト２４１により吸引し、導管２４３、２４４及びブロワー２４２を介してハウジング２２の外側に排出する。この場合、ハウジング２２の近くに引かれた排気管（図示せず）内に排出してもよい。
【００１４】
ミニエンバイロメント空間２１内に配置されたアライナー２５は、マスクの外形を光学的に或いは機械的に検出してマスクの軸線Ｏ−Ｏの周りの回転方向の位置を約±１度の精度で予め位置決めしておくようになっている。プリアライナーは請求項に記載された発明の検査対象の座標を決める機構の一部を構成し、検査対象の粗位置決めを担当する。このプリアライナー自体は公知の構造のものでよいので、その構造、動作の説明は省略する。
【００１５】
なお、図示しないが、プリアライナーの下部にも排出装置用の回収ダクトを設けて、プリアライナーから排出された塵埃を含んだ空気を外部に排出するようにしてもよい。
主ハウジング
図１及び図２において、ワーキングチャンバ３１を画成する主ハウジング３０は、ハウジング本体３２を備え、そのハウジング本体３２は、台フレーム３６上に配置された振動遮断装置すなわち防振装置３７の上に載せられたハウジング支持装置３３によって支持されている。ハウジング支持装置３３は矩形に組まれたフレーム構造体３３１を備えている。ハウジング本体３２はフレーム構造体３３１上に配設固定されていて、フレーム構造体上に載せられた底壁３２１と、頂壁３２２と、底壁３２１及び頂壁３２２に接続されて四周を囲む周壁３２３とを備えていてワーキングチャンバ３１を外部から隔離している。底壁３２１は、この実施形態では、上に載置される試料台等の機器による加重で歪みの発生しないように比較的肉厚の厚い鋼板で構成されているが、その他の構造にしてもよい。この実施形態において、ハウジング本体及びハウジング支持装置３３は、剛構造に組み立てられていて、台フレーム３６が設置されている床からの振動がこの剛構造に伝達されるのを防振装置３７で阻止するようになっている。ハウジング本体３２の周壁３２３のうち後述するローダハウジングに隣接する周壁にはマスク出し入れ用の出入り口３２５が形成されている。
【００１６】
なお、防振装置は、空気バネ、磁気軸受け等を有するアクティブ式のものでも、或いはこれらを有するパッシブ式のもよい。いずれも公知の構造のものでよいので、それ自体の構造及び機能の説明は省略する。ワーキングチャンバ３１は公知の構造の真空装置（図示せず）により真空雰囲気に保たれるようになっている。台フレーム３６の下には装置全体の動作を制御する制御装置２が配置されている。
ローダハウジング
図１、図２及び図４において、ローダハウジング４０は、第１のローディングチャンバ４１と第２のローディングチャンバ４２とを画成するハウジング本体４３を備えている。ハウジング本体４３は底壁４３１と、頂壁４３２と、四周を囲む周壁４３３と、第１のローディングチャンバ４１と第２のローディングチャンバ４２とを仕切る仕切壁４３４とを有していて、両ローディングチャンバを外部から隔離できるようになっている。仕切壁４３４には両ローディングチャンバ間でマスクＭのやり取りを行うための開口すなわち出入り口４３５が形成されている。また、周壁４３３のミニエンバイロメント装置及び主ハウジングに隣接した部分には出入り口４３６及び４３７が形成されている。このローダハウジング４０のハウジング本体４３は、ハウジング支持装置３３のフレーム構造体３３１上に載置されてそれによって支持されている。したがって、このローダハウジング４０にも床の振動が伝達されないようになっている。ローダハウジング４０の出入り口４３６とミニエンバイロメント装置のハウジング２２の出入り口２２６とは整合されていて、そこにはミニエンバイロメント空間２１と第１のローディングチャンバ４１との連通を選択的に阻止するシャッタ装置２７が設けられている。シャッタ装置２７は、出入り口２２６及び４３６の周囲を囲んで側壁４３３と密に接触して固定されたシール材２７１、シール材２７１と協働して出入り口を介しての空気の流通を阻止する扉２７２と、その扉を動かす駆動装置２７３とを有している。また、ローダハウジング４０の出入り口４３７とハウジング本体３２の出入り口３２５とは整合されていて、そこには第２のローディングチャンバ４２とワーキンググチャンバ３１との連通を選択的に密封阻止するシャッタ装置４５が設けられている。シャッタ装置４５は、出入り口４３７及び３２５の周囲を囲んで側壁４３３及び３２３と密に接触してそれらに固定されたシール材４５１、シール材４５１と協働して出入り口を介しての空気の流通を阻止する扉４５２と、その扉を動かす駆動装置４５３とを有している。更に、仕切壁４３４に形成された開口には、扉４６１によりそれを閉じて第１及び第２のローディングチャンバ間の連通を選択的に密封阻止するシャッタ装置４６が設けられている。これらのシャッタ装置２７、４５及び４６は、閉じ状態にあるとき各チャンバを気密シールできるようになっている。これらのシャッタ装置は公知のものでよいので、その構造及び動作の詳細な説明は省略する。なお、ミニエンバイロメント装置２０のハウジング２２の支持方法とローダハウジングの支持方法が異なり、ミニエンバイロメント装置を介して床からの振動がローダハウジング４０、主ハウジング３０に伝達されるのを防止するために、ハウジング２２とローダハウジング４０との間には出入り口の周囲を気密に囲むように防振用のクッション材を配置しておけば良い。
【００１７】
第１のローディングチャンバ４１内には、複数（この実施形態では２枚）のマスクＭを上下に隔てて水平の状態で支持するマスクラック４７が配設されている。マスクラック４７は、図５の示されるように、矩形の基板４７１の四隅に互いに隔てて直立状態で固定された支柱４７２を備え、各支柱４７２にはそれぞれ２段の支持部４７３及び４７４が形成され、その支持部の上にマスクＭの周縁を載せて保持するようになっている。そして後述する第１及び第２の搬送ユニットのアームの先端を隣接する支柱間からマスクに接近させてアームによりマスクを把持するようになっている。
【００１８】
ローディングチャンバ４１及び４２は、図示しない真空ポンプを含む公知の構造の真空排気装置（図示せず）によって高真空状態（真空度としては１０^−５〜１０^−６Ｐａ）に雰囲気制御され得るようになっている。この場合、第１のローディングチャンバ４１を低真空チャンバとして低真空雰囲気に保ち、第２のローディングチャンバ４２を高真空チャンバとして高真空雰囲気に保ち、マスクの汚染防止を効果的に行うこともできる。このような構造を採用することによってローディングチャンバ内に収容されていて次に欠陥検査されるマスクをワーキングチャンバ内に遅滞なく搬送することができる。このようなローディングチャンバを採用することによって、後述する電子線装置と共に、欠陥検査のスループットを向上させ、更に保管状態が高真空状態であることを要求される電子源周辺の真空度を可能な限り高真空度状態にすることができる。
【００１９】
第１及び第２のローディングチャンバ４１及び４２は、それぞれ真空排気配管と不活性ガス（例えば乾燥純窒素）用のベント配管（それぞれ図示せず）が接続されている。これによって、各ローディングチャンバ内の大気圧状態は不活性ガスベント（不活性ガスを注入して不活性ガス以外の酸素ガス等が表面に付着するのを防止する）によって達成される。このような不活性ガスベントを行う装置自体は公知の構造のものでよいので、その詳細な説明は省略する。
【００２０】
なお、電子線を使用する本発明の検査装置において、後述する電子光学系の電子源として使用される代表的な六硼化ランタン（ＬａＢ_６）等は一度熱電子を放出する程度まで高温状態に加熱された場合には、酸素等に可能な限り接触させないことがその寿命を縮めないために肝要であるが、電子光学系が配置されているワーキングチャンバにマスクを搬入する前段階で上記のような雰囲気制御を行うことにより、より確実に実行できる。
試料台
ステージ装置すなわち試料台５０は、主ハウジング３０の底壁３２１上に配置された固定テーブル５１と、固定テーブル上でＹ方向（図１において紙面に垂直の方向）に移動するＹテーブル５２と、Ｙテーブル上でＸ方向（図１において左右方向）に移動するＸテーブル５３と、Ｘテーブル上で回転可能な回転テーブル５４と、回転テーブル５４上に配置されたホルダ５５とを備えている。そのホルダ５５のマスク載置面５５１上にマスクＭを解放可能に保持する。ホルダは、マスクを機械的に或いは静電チャック方式で解放可能に把持できる公知の構造のものでよい。試料台５０は、サーボモータ、エンコーダ及び各種のセンサ（図示せず）を用いて、上記のような複数のテーブルを動作させることにより、載置面５５１上でホルダに保持されたマスクを電子光学装置から照射される電子ビームに対してＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向（図１において上下方向）に、更にマスクの支持面に鉛直な軸線の回り方向（θ方向）に高い精度で位置決めできるようになっている。なお、Ｚ方向の位置決めは、例えばホルダ上の載置面の位置をＺ方向に微調整可能にしておけばよい。この場合、載置面の基準位置を微細径レーザによる位置測定装置（干渉計の原理を使用したレーザ干渉測距装置）によって検知し、その位置を図示しないフィードバック回路によって制御したり、それと共に或いはそれに代えてマスクの外形の位置を測定してマスクの電子ビームに対する平面位置、回転位置を検知し、回転テーブルを微小角度制御可能なステッピングモータなどにより回転させて制御する。ワーキングチャンバ内での塵埃の発生を極力防止するために、試料台用のサーボモータ５２１、５３１及びエンコーダ５２２、５３２は、主ハウジング３０の外側に配置されている。なお、試料台５０は、例えばステッパー等で使用されている公知の構造のもので良いので、その構造及び動作の詳細な説明は省略する。また、上記レーザ干渉測距装置も公知の構造のものでよいので、その構造、動作の詳細な説明は省略する。
【００２１】
電子ビームに対するマスクの回転位置やＸ、Ｙ位置を予め後述する信号検出系或いは画像処理系に入力することで得られる信号の基準化を図ることもできる。更に、このホルダに設けられたマスクチャック機構は、マスクをチャックするための電圧を静電チャックの電極に与えられるようになっていて、マスクの外周部の３点（好ましくは周方向に等隔に隔てられた）を押さえて位置決めするようになっている。マスクチャック機構は、二つの固定位置決めピンと、一つの押圧式クランクピンとを備えている。クランクピンは、自動チャック及び自動リリースを実現できるようになっており、かつ電圧印加の導通箇所を構成している。
【００２２】
なお、この実施形態では図２で左右方向に移動するテーブルをＸテーブルとし、上下方向に移動するテーブルをＹテーブルとしたが、同図で左右方向に移動するテーブルをＹテーブルとし、上下方向に移動するテーブルをＸテーブルとしてもよい。
ローダー
ローダー６０は、ミニエンバイロメント装置２０のハウジング２２内に配置されたロボット式の第１の搬送ユニット６１と、第２のローディングチャンバ４２内に配置されたロボット式の第２の搬送ユニット６３とを備えている。
【００２３】
第１の搬送ユニット６１は、駆動部６１１に関して軸線Ｏ_１−Ｏ_１の回りで回転可能になっている多節のアーム６１２を有している。多節のアームとしては任意の構造のものを使用できるが、この実施形態では、互いに回動可能に取り付けられた三つの部分を有している。第１の搬送ユニット６１のアーム６１２の一つの部分すなわち最も駆動部６１１側の第１の部分は、駆動部６１１内に設けられた公知の構造の駆動機構（図示せず）により回転可能な軸６１３に取り付けられている。アーム６１２は、軸６１３により軸線Ｏ_１−Ｏ_１の回りで回動できると共に、部分間の相対回転により全体として軸線Ｏ_１−Ｏ_１に関して半径方向に伸縮可能になっている。アーム６１２の軸６１３から最も離れた第３の部分の先端には、には公知の構造の機械式チャック又は静電チャック等のマスクを把持する把持装置６１６が設けられている。駆動部６１１は、公知の構造の昇降機構６１５により上下方向に移動可能になっている。
【００２４】
この第１の搬送ユニット６１は、アーム６１２がカセットホルダに保持された二つのカセットｃの内いずれか一方の方向Ｍ１又はＭ２に向かってアームが伸び、カセットｃ内に収容されたマスクを１枚アームの上に載せ或いはアームの先端に取り付けたチャック（図示せず）により把持して取り出す。その後アームが縮み（図２に示すような状態）、アームがプリアライナー２５の方向Ｍ３に向かって伸長できる位置まで回転してその位置で停止する。するとアームが再び伸びてアームに保持されたマスクをプリアライナー２５に載せる。プリアライナーから前記と逆にしてマスクを受け取った後はアームは更に回転し第２のローディングチャンバ４１に向かって伸長できる位置（向きＭ４）で停止し、第２のローディングチャンバ４１内のマスク受け４７にマスクを受け渡す。なお、機械的にマスクを把持する場合にはマスクの周縁部（周縁から約５ｍｍの範囲）を把持する。これはマスクには周縁部を除いて全面にパターン（回路配線）が形成されており、この部分を把持するとパターンの破壊、欠陥の発生を生じさせるからである。
【００２５】
第２の搬送ユニット６３も第１の搬送ユニットと構造が基本的に同じであり、マスクの搬送をマスクラック４７と試料台の載置面上との間で行う点でのみ相違するだけであるから、詳細な説明は省略する。
【００２６】
上記ローダー６０では、第１及び第２の搬送ユニット６１及び６３は、カセットホルダに保持されたカセットからワーキングチャンバ３１内に配置された試料台５０上への及びその逆のマスクの搬送をほぼ水平状態に保ったままで行い、搬送ユニットのアームが上下動するのは、単に、マスクのカセットからの取り出し及びそれへの挿入、マスクのマスクラックへの載置及びそこからの取り出し及びマスクの試料台への載置及びそこからの取り出しのときるだけである。したがって、大型のマスク、例えば直径３０ｃｍのマスクの移動もスムースに行うことができる。
マスクの搬送
次にカセットホルダに支持されたカセットｃからワーキングチャンバ３１内に配置された試料台５０までへのマスクの搬送を順を追って説明する。
【００２７】
カセットホルダ１０は、前述のように人手によりカセットをセットする場合にはそれに適した構造のものが、また自動的にカセットをセットする場合にはそれに適した構造のものが使用される。この実施形態において、カセットｃがカセットホルダ１０の昇降テーブル１１の上にセットされると、昇降テーブル１１は昇降機構１２によって降下されカセットｃが出入り口２２５に整合される。
【００２８】
カセットが出入り口２２５に整合されると、カセットに設けられたカバー（図示せず）が開きまたカセットｃとミニエンバイロメントの出入り口２２５との間には筒状の覆いが配置されてカセット内及びミニエンバイロメント空間内を外部から遮断する。これらの構造は公知のものであるから、その構造及び動作の詳細な説明は省略する。なお、ミニエンバイロメント装置２０側に出入り口２２５を開閉するシャッタ装置が設けられている場合にはそのシャッタ装置が動作して出入り口２２５を開く。
【００２９】
一方第１の搬送ユニット６１のアーム６１２は方向Ｍ１又はＭ２のいずれかに向いた状態（この説明ではＭ１の方向）で停止しており、出入り口２２５が開くとアームが伸びて先端でカセット内に収容されているマスクのうち１枚を受け取る。なお、アームと、カセットから取り出されるべきマスクとの上下方向の位置調整は、この実施形態では第１の搬送ユニット６１の駆動部６１１及びアーム６１２の上下移動で行うが、カセットホルダの昇降テーブルの上下動で行っても或いはその両者で行ってもよい。
【００３０】
アーム６１２によるマスクの受け取りが完了すると、アームは縮み、シャッタ装置を動作して出入り口を閉じ（シャッタ装置がある場合）、次にアーム６１２は軸線Ｏ_１−Ｏ_１の回りで回動して方向Ｍ３に向けて伸長できる状態になる。すると、アームは伸びて先端に載せられ或いはチャックで把持されたマスクをプリアライナー２５の上に載せ、そのプリアライナーによってマスクの回転方向の向き（マスク平面に垂直な中心軸線の回りの向き）を所定の範囲内に位置決めする。位置決めが完了すると搬送ユニット６１はアームの先端にプリアライナー２５からマスクを受け取ったのちアームを縮ませ、方向Ｍ４に向けてアームを伸長できる姿勢になる。するとシャッタ装置２７の扉２７２が動いて出入り口２２６及び４３６を開き、アーム６１２が伸びてマスクを第１のローディングチャンバ４１内のマスクラック４７の上段側又は下段側に載せる。なお、前記のようにシャッタ装置２７が開いてマスクラック４７にマスクが受け渡される前に、仕切壁４３４に形成された開口４３５はシャッタ装置４６の扉４６１により気密状態で閉じられている。
【００３１】
上記第１の搬送ユニットによるマスクの搬送過程において、ミニエンバイロメント装置のハウジングの上に設けられた気体供給ユニット２３１からは清浄空気が層流状に流れ（ダウンフローとして）、搬送途中で塵埃がマスクの上面に付着するのを防止する。搬送ユニット周辺の空気の一部（この実施形態では供給ユニットから供給される空気の約２０％で主に汚れた空気）は排出装置２４の吸入ダクト２４１から吸引されてハウジング外に排出される。残りの空気はハウジングの底部に設けられた回収ダクト２３２を介して回収され再び気体供給ユニット２３１に戻される。
【００３２】
ローダハウジング４０の第１のローディングチャンバ４１内のマスクラック４７内に第１の搬送ユニット６１によりマスクが載せられると、シャッタ装置２７が閉じて、ローディングチャンバ４１内を密閉する。すると、第１のローディングチャンバ４１内には不活性ガスが充填されて空気が追い出された後、その不活性ガスも排出されてそのローディングチャンバ４１内は真空雰囲気にされる。この第１のローディングチャンバの真空雰囲気は低真空度でよい。ローディングチャンバ４１内の真空度がある程度得られると、シャッタ装置４６が動作して扉４６１で密閉していた出入り口４３４を開き、第２の搬送ユニット６３のアーム６３２が伸びて先端の把持装置でマスク受け４７から１枚のマスクを受け取る（先端の上に載せて或いは先端に取り付けられたチャックで把持して）。マスクの受け取りが完了するとアームが縮み、シャッタ装置４６が再び動作して扉４６１で出入り口４３５を閉じる。なお、シャッタ装置４６が開く前にアーム６３２は予めマスクラック４７の方向Ｎ１に向けて伸長できる姿勢になる。また、前記のようにシャッタ装置４６が開く前にシャッタ装置４５の扉４５２で出入り口４３７、３２５を閉じていて、第２のローディングチャンバ４２内とワーキングチャンバ３１内との連通を気密状態で阻止しており、第２のローディングチャンバ４２内は真空排気される。
【００３３】
シャッタ装置４６が出入り口４３５を閉じると、第２のローディングチャンバ内は再度真空排気され、第１のローディングチャンバ内よりも高真空度で真空にされる。その間に、第２の搬送ユニット６１のアームはワーキングチャンバ３１内の試料台５０の方向に向いて伸長できる位置に回転される。一方ワーキングチャンバ３１内の試料台では、Ｙテーブル５２が、Ｘテーブル５３の中心線Ｘ_０−Ｘ_０が第２の搬送ユニット６３の回動軸線Ｏ_２−Ｏ_２を通るＸ軸線Ｘ_１−Ｘ_１とほぼ一致する位置まで、図２で上方に移動し、また、Ｘテーブル５３は図２で最も左側の位置に接近する位置まで移動し、この状態で待機している。第２のローディングチャンバがワーキングチャンバの真空状態と略同じになると、シャッタ装置４５の扉４５２が動いて出入り口４３７、３２５を開き、アームが伸びてマスクを保持したアームの先端がワーキングチャンバ３１内の試料台に接近する。そして試料台５０の載置面５５１上にマスクを載置する。マスクの載置が完了するとアームが縮み、シャッタ装置４５が出入り口４３７、３２５を閉じる。
【００３４】
以上は、カセットｃ内のマスクを試料台上に搬送するまでの動作に付いて説明したが、試料台に載せられて処理が完了したマスクを試料台からカセットｃ内に戻すには前述と逆の動作を行って戻す。また、マスクラック４７に複数のマスクを載置しておくため、第２の搬送ユニットでマスクラックと試料台との間でマスクの搬送を行う間に、第１の搬送ユニットでカセットとマスクラックとの間でマスクの搬送を行うことができ、検査処理を効率良く行うことができる。
【００３５】
具体的には、第２の搬送ユニットのマスクラック４７に、既に処理済のマスクＡと未処理のマスクＢがある場合、
▲１▼　まず、試料台５０に未処理のマスクＢを移動し、処理を開始する。
【００３６】
▲２▼　この処理中に、処理済マスクＡを、アームにより試料台５０からマスクラック４７に移動し、未処理のマスクＣを同じくアームによりマスクラックから抜き出し、プリアライナで位置決めした後、ローディングチャンバ４１のマスクラック４７に移動する。
【００３７】
このようにすることで、マスクラック４７の中は、マスクＢを処理中に、処理済のマスクＡが未処理のマスクＣに置き換えることができる。
また、検査や評価を行うこのような装置の利用の仕方によっては、試料台５０を複数台並列に置き、それぞれの装置に一つのマスクラック４７からマスクを移動することで、複数枚のマスクを同じ処理することもできる。
【００３８】
図６において、主ハウジングの支持方法の変形例３０ｂがで示されている。図６に示された変形例では、ハウジング支持装置３３ｂのフレーム構造体３３６ｂによりハウジング本体３２ｂ及びローダハウジング４０ｂを吊り下げて状態で支持するようになっている。フレーム構造体３３６ｂに固定された複数の縦フレーム３３７ｂの下端は、ハウジング本体３２ｂの底壁３２１ｂの四隅に固定され、その底壁により周壁及び頂壁を支持するようになっている。そして防振装置３７ｂは、フレーム構造体３３６ｂと台フレーム３６ｂとの間に配置されている。また、ローダハウジング４０もフレーム構造体３３６に固定された吊り下げ部材４９ｂによって吊り下げられている。ハウジング本体３２ｂのこの図６に示された変形例では、吊り下げ式に支えるので主ハウジング及びその中に設けられた各種機器全体の低重心化が可能である。上記変形例を含めた主ハウジング及びローダハウジングの支持方法では主ハウジング及びローダハウジングに床からの振動が伝わらないようになっている。
【００３９】
図示しない別の変形例では、主ハウジングのハウジング本外のみがハウジング支持装置によって下から支えられ、ローダハウジングは隣接するミニエンバイロメント装置と同じ方法で床上に配置され得る。また、図示しない更に別の変形例では、主ハウジングのハウジング本体のみがフレーム構造体に吊り下げ式で支持され、ローダハウジングは隣接するミニエンバイロメント装置と同じ方法で床上に配置され得る。
【００４０】
上記の実施例によれば、次のような効果を奏することが可能である。
（イ）電子線を用いた写像投影方式の検査装置の全体構成が得られ、高いスループットで検査対象を処理することができる。
（ロ）ミニエンバイロメント空間内で検査対象に清浄気体を流して塵埃の付着を防止すると共に清浄度を観察するセンサを設けることによりその空間内の塵埃を監視しながら検査対象の検査を行うことができる。
（ハ）ローディングチャンバ及びワーキングチャンバを一体的に振動防止装置を介して支持したので外部の環境に影響されずに試料台への検査対象の供給及び検査を行うことができる。
電子線装置
主ハウジング３０又は３０ｂに設けられた電子線装置７０（図１及び図６参照）のより詳細な実施の形態を図７に示す。図７は、下側に試料としてのマスクＭ、例えばステンシルマスク８００を照射する電子銃７１１などを備えた照射光学系７１０を配し、この照射光学系７１０の上には、試料台５０に支持されるステンシルマスク８００と、更にその上側に、このステンシルマスクを透過した電子線を検出する検出器７７０を配置する。以下説明する実施形態は、下部に位置する電子銃７１１から上向きに電子線が照射される形態である。もちろん、上部に電子銃７１１を配置して下向きに電子線を照射する形態を採用してもよい。
【００４１】
電子銃７１１は、電子放出材（カソード）７１１ａを加熱することにより電子を放出する熱電子線源タイプが用いられている。カソードとしての電子放出材（エミッタ）は、ランタンヘキサボライド（ＬａＢ_６）が用いられている。高融点（高温での蒸気圧が低い）で仕事関数の小さい材料であれば、他の材料を使用することが可能である。本実施形態においては、電子銃７１１は、先端曲率半径１５μｍＲと小さい単結晶ＬａＢ_６カソード７１１ａを有し、空間電荷制限条件で動作させる事により、高輝度でしかもショット雑音の小さい電子線を放出することができるようになっている。
【００４２】
また、ウェーネルト７１１ｂとアノード７１１ｃ間の距離を８ｍｍ以上に大きくし、電子銃電流を高輝度になる条件を探せば輝度をラングミュア制限より大きい値にすることもできる。
【００４３】
このように、本実施形態における電子銃７１１は、熱電子放出カソード７１１ａを有し、空間電荷制限条件にて動作するものが望ましい。また、電子銃７１１には、ＦＥ（フィールドエミッタ）、ＴＦＥ（サーマルフィールドエミッタ）、ショットキーカソードを有する光源像の小さな電子銃７１１を用いてもよい。なお、上記「空間電荷制限条件」とは、カソードの温度をある一定以上に高めて、電子線の放出量がカソードの温度に影響されにくい条件をいう。
【００４４】
上記電子銃７１１の照射方向に向けて（図中上向き）、第１の成形開口７１３、第１の電子レンズ７１５が設けられている。第１の電子レンズ７１５は、第１の成形開口７１３を通過した像を第２の成形開口７１９（後述）に結像させる。この第１の電子レンズ７１５の上側であって、電子線の照射経路の周囲に第１の偏向器７１７が設けられている。更に、第１の偏向器７１７の上側に、第２の成形開口７１９、第１のコンデンサレンズ７２１、第３の形成開口７２３が設けられていると共に、この第３の形成開口７２３の周囲に第２の偏向器７２５が設けられている。
【００４５】
電子銃７１１から放出された電子線は、第１の成形開口７１３と第２の成形開口７１９とを通ることにより所望の形状に成形された可変成形ビームとなり、ステンシルマスク８００の被検査領域のある瞬間での領域が照射される。この点についてさらに説明すると、第１の成形開口７１６を通ってきた電子線は、偏向器７１７で偏向させられ、これにより、第２の成形開口７１９への照射位置が変わり、電子線を所望の形状に成形できるようになっている。具体的には、所定面積を有する細長い矩形状の電子線が成形されるようにすることが好ましい。もっとも、正方形状の電子線を成形するようにしてもよい。
【００４６】
このように本実施形態においては、第１の偏向器７１７を調節することにより、照射領域を調整することが可能であるが、第１と第２の成形開口７１３、７１９を寸法の異る複数個の開口で代用させ、機械的に照射領域を調整してもよい。
【００４７】
なお、マスクを照明する方式は図ではケーラ照明方式としたが、クリティカル照明でも問題はない。
上記したように、本実施形態における照射光学系７１０においては、少なくとも１個の成形開口７１３、７１９を有し、該成形開口の像を試料であるステンシルマスク８００の面上に結像させる形態が望ましい。また、光軸８０１の近くに上記成形開口７１３、７１９を複数有し、かつ、この成形開口７１３、７１９の相互の重なりを変化させることにより試料であるステンシルマスク８００を照射する面積を変更可能とする形態も望ましい。
【００４８】
上記第３の成形開口７２３はステンシルマスク８００を照明する電子線の平行度を良くするためのものでここに電子銃７１１が作るクロスオーバ像が結像される。走査手段としての第２の偏向器７２５は、主視野内を分割し、ステップアンドリピート的に照明領域を移動させ、その移動に応じてステンシルマスク８００を透過した後の光学系の像面湾曲収差と非点収差を補正する場合に必要な偏向器である。この点について、より詳細に説明すると、第２の偏向器７２５は、電子線のマスク上位置をステップアンドリピート的に移動させる。例えば、第２の偏向器７２５により、一次電子ビームは、＋Ｘ方向と−Ｘ方向に走査させられる。この場合、マスク８００を保持する試料台５０を＋Ｙ方向と−Ｙ方向に移動させる。これにより、マスク８８全体を走査することができる。像面湾曲収差と非点収差とを補正するために、電子線の位置に応じてタブレットレンズ（マスク８００の下流側にある電子レンズ７３１ａ、７３１ｂ）７３１に加える電圧条件を変更する。例えば、像面湾曲収差を補正するために、電子線が光軸にあるとき、レンズに加える電圧を高くして焦点距離が短くなるようにし、電子線が光軸から離れた端にあるとき、レンズに加える電圧を低くして焦点距離が長くなるようにする。
【００４９】
第２の偏向器７２５は、上記補正を行わない場合でも、ステンシルマスク８００の面上を走査し、そのＳＥＭ像を得たりして、レジストレーションを行うのに使用することもできる。そのようなレジストレーションを行う場合、ステンシルマスク８００の電子銃７１１側に検出器７２７を設け、電子線（換言すれば、一次電子線）のステンシルマスク８００への入射により放出される二次電子や反射される反射電子を検出器７２７で検出するようにすることが好ましい。
【００５０】
なお、上記各種レンズ（７１５、７２１）のいずれかの焦点距離を変えることにより小径のクロスオーバ像を、ステンシルマスク８００の試料面上に形成、走査するようにしてもよい。また、上記第１と第２の成形開口（７１３、７１９）の重なりを小さくして小径の電子線を形成し、この電子線を走査させるレジストレーションに利用するようにしてもよい。
【００５１】
上記成形開口７１３、７１９を通過し、試料であるステンシルマスク８００を照射する電子線の照射領域は、長辺と短辺を有する長方形状が望ましい。そして、第２の偏向器７２５により上記照射領域の長辺方向の移動を行い、上記試料台５０を短辺方向に移動させることで、上記照射領域の短辺方向の連続移動を行う。試料台を連続移動させながら検査を行うので、主視野の幅が小さくても高スループットで検査が行える。
【００５２】
ステンシルマスク８００を照射する電子線（図中、その主光線をＢ１、Ｂ２、Ｂ３と示す）は、ステップ的に走査しても、連続的に走査してもよい。
上記ステンシルマスク８００の上方側換言すれば下流側には、第１のダブレットレンズ７３１が配置されており、第１のダブレットレンズ７３１は２つの電子レンズ７３１ａ、７３１ｂから構成されている。第１のダブレットレンズ７３１の間には、ＮＡ開口７３３が設けられている。第１のダブレットレンズ７３１の上方側には、第２のダブレットレンズ７３５が設けられており、更に、第２のダブレットレンズ７３５の下流側には検出器７７０が設けられている。
第２のダブレットレンズ７３５は、２つの電子レンズ７３５ａ、７３５ｂから構成されている。
【００５３】
ステンシルマスク８００を透過した電子線は、照射の開口角α’と同じ角度（図中、符号αと明記する。）で広がり第１のダブレットレンズ７３１に入射する。この時、ステンシルマスク８００の側面で散乱された電子は、前記ＮＡ開口７３３により取り除かれる。また、Ｘ線マスクの様に薄いメンブレン上にパターンが形成されているマスクを検査する場合には、メンブレンで大きい角度で散乱された電子線をこのＮＡ開口で取り除く作用がある。
第１のダブレットレンズ７３１を通過後、ステンシルマスクの透過像が形成される。この透過像を形成する領域を透過像形成領域７３７と示す。形成された透過像はさらに第２のダブレットレンズ７３５で拡大され、検出器７７０を照射する。
【００５４】
検出器７７０は、照射レンズ系としてのＭＣＰ（マルチチャンネルプレート）７７１と、ＦＯＰ（ファイバオプティカルプレート）７７５とを備えている。電子線が照射される方向（図中上向き）に沿って、ＭＣＰ７７１及びＦＯＰ７７５の順で設けられている。検出器７７０は、更に、照射レンズ系としての真空窓７７７と、リレー光学系としての光学レンズ７７９、複数の画素を有する検出センサとしてのＴＤＩ検出器７８１とを備えている。第２のダブレットレンズ７３５で拡大されたステンシルマスクの透過像は、約１，０００倍に拡大されてＭＣＰ７７１に照射され、ＭＣＰ７７１にこの約約１，０００倍の拡大像が形成される。この拡大像はＭＣＰ７７１で増倍され、このＭＣＰ７７１で増倍された像を形成する電子線は、ＦＯＰ７７５の試料側に塗られたシンチレータで光の像に変えられる。その像は真空窓７７７で大気外に取り出され光学レンズ７７９で倍率を縮小され、ＴＤＩ検出器７８１に結像される。なお、このように光学レンズ７７９を用いる形態では、必ずしもＦＯＰを用いる必要はない。
【００５５】
上記構成により、一次電子線を斜め上方から入射させＥ×Ｂ分離器を用いて試料に垂直入射させ、試料から放出された二次電子線が一次電子線の入射光路と共通の光路を通る方式に比べて、この光学系では照射ビームと透過ビームは共通の光路を通らないので、空間電荷効果による透過ビームのボケは大幅に改善される。ステンシルマスクを透過した電子は１００％近く結像に寄与するのでＳ／Ｎ比の良い信号が得られる。
【００５６】
本実施形態における電子線装置は、検出器７７０により検出された電子から、試料であるステンシルマスク８００の欠陥を検出することに利用可能である。。
上記したように、本実施形態においては、試料を通過した電子線を上記電子レンズ（ダブレットレンズ７３１、７３７）で拡大し、これを複数の画素を有する検出器７７０で検出して試料の画像を形成する。更に、本実施形態は、検出器７７０を照射する電子線が平行度の良い電子線であることを特徴とし、そのための具体的構成として、上記第１のダブレットレンズ７３１の間であって、かつ、電子線の主光線Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３の主光線が交わる位置にＮＡ開口７３３を設ける。そして、このＮＡ開口７３３を通過した電子線で検出器７７０を照射する。
【００５７】
このＮＡ開口７３３を設ける望ましい実施形態は、上記したとおり二つのダブレットレンズ７３１、７３７と一枚の成形開口（第２の成形開口７１９）を有し、かつ、上記成形開口から出た主光線（Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３）が試料（ステンシルマスク８００）に平行に照射される形態である。更に、上記照射光学系７１０は、照射レンズ系としてのＭＣＰ７７１と真空窓７７５の入射ひとみを上記第３の成形開口７２３に有し、光源像は上記入射ひとみに結像されている。
【００５８】
本発明の望ましい実施形態は、上記ダブレットレンズ７３１、７３７の拡大率を、上記電子線の照射領域の大きさに対応させて可変とする。可変とする具体的構成としては、ダブレットレンズを交換するほか、一組のダブレットレンズにおいて、前後のレンズの距離を調節する、また、第１と第２のダブレットレンズ７３１、７３７の相互距離を調節する形態などで実施可能である。
【００５９】
上記検出器７７０における検出センサには、ＣＣＤ検出器（ＣＣＤセンサ）を用いることが可能であり、シンチレータが作る像の大きさを光学レンズ７７９で調節してＣＣＤ検出器におけるＣＣＤ面に結像させることも可能である。ＣＣＤ検出器を用いることで安価に製造可能となるといった利点がある。
【００６０】
本発明における電子線装置の望ましい構成例を以下説明する。
▲１▼　上記電子銃７１１を試料の下側に、上記検出器７７０を試料の上側に配置する。
【００６１】
▲２▼　電子銃７１１と検出器７７０との間に、上記電子線を拡大する拡大レンズを複数備える。上記実施形態では、二つのダブレットレンズ（７３１、７３７）を設ける。そして、試料を通過した電子線を最初に拡大するレンズをダブレットレンズとする。上記実施形態では、第１のダブレットレンズ７３１が該当する。これにより、倍率の色収差と歪が補正されボケが小さく歪の小さい像が得られる。
【００６２】
▲３▼　検出器７７０において、ＭＣＰ７７１とＦＯＰ７７５の試料側に設けられたシンチレータを真空中とし、その後方に真空窓７７７、リレー光学系としての光学レンズ７７９、検出センサ（ＣＣＤ検出器、ＴＤＩ検出器７８１）の順に配置する。
【００６３】
▲４▼　検出器７７０において、リレー光学系及びＣＣＤ検出器、または、リレー光学系及びＴＤＩ検出器を真空中に配置する。また、本発明の実施形態としては、電子線装置全体、もしくは、検出器７７０全体を真空中に配置してもよい。
【００６４】
▲５▼　検出器７７０における検出センサには、ＭＣＰ，ＥＢ−ＣＣＤ検出器、ＥＢ−ＴＤＩ検出器などを用いてもよい。
▲６▼　上記電子線装置では、複数の画素から同時に信号を取るので、各画素を１００ＫＨｚで動作させても、２０００個の画素から同時に信号を取ると装置の等価周波数は２００ＭＨｚ以上となる。
【００６５】
▲７▼　一つの電子線装置において、複数の照射光学系７００と、複数の検出器７７０を設け、照射光学系と検出器とをそれぞれ対応させて、試料の欠陥を検出する。
検査装置の変形例
図８は、本発明の変形例による欠陥検査装置の概略構成を示す。
この欠陥検査装置は、上述した電子線装置（図７）７０を用いた検査装置である。この検査装置は、図８中右側に示す制御部１０１６と、図８中左側に示す電子線装置７０により構成される。電子線装置は図７と同様に、電子線を放出する電子銃７１１を含む照射光学系７１０を下部に設け、その上に試料としてのステンシルマスク８００とそれを支える試料台５０を設ける。更に、放出された電子線を拡大する拡大レンズとしてのダブレットレンズ７３１、７３７を設け、最上部に検出器７７０を設ける。そして、この検出器７７０は、装置全体を制御すると共に、検出器７７０により検出された電子画像に基づいてステンシルマスク８００の欠陥を検出する処理を実行する制御部１０１６に接続される。
【００６６】
検出器７７０は、結像された電子画像を後処理可能な信号に変換することができる限り、任意の構成とすることができる。例えば、図９にその詳細を示すように、検出器７７０は、マルチチャンネルプレート７７１と、蛍光面７７２と、リレー光学系７７３と、多数のＣＣＤ素子からなる撮像センサ７７５と、を含んで構成することができる。マルチチャンネルプレート７７１は、プレート内に多数のチャンネルを備えており、結像された電子が該チャンネル内を通過する間に、更に多数の電子を生成させる。即ち、電子を増幅させる。蛍光面７７２は、増幅された電子によって蛍光を発することにより電子を光に変換する。リレーレンズ７７３がこの蛍光をＣＣＤ撮像センサ７７５に導き、ＣＣＤ撮像センサ７７５は、ステンシルマスク８００表面上の電子の強度分布を素子毎の電気信号即ちデジタル画像データに変換して制御部１０１６に出力する。
【００６７】
制御部１０１６は、図８に例示されたように、汎用的なパーソナルコンピュータ等から構成することができる。このコンピュータは、所定のプログラムに従って各種制御、演算処理を実行する制御部本体１０１４と、本体１０１４の処理結果を表示するＣＲＴ１０１５と、オペレータが命令を入力するためのキーボードやマウス等の入力部１０１８と、を備える、勿論、欠陥検査装置専用のハードウェア、或いは、ワークステーションなどから制御部１０１６を構成してもよい。
【００６８】
制御部本体１０１４は、図示しないＣＰＵ、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ハードディスク、ビデオ基板等の各種制御基板等から構成される。ＲＡＭ若しくはハードディスクなどのメモリ上には、検出器７７０から受信した電気信号即ちステンシルマスク８００を透過した電子画像のデジタル画像データを記憶するための電子画像記憶領域１００８が割り当てられている。また、ハードディスク上には、予め欠陥の存在しない試料（ステンシルマスク）の基準画像データを記憶しておく基準画像記憶部１０１３が存在する。更に、ハードディスク上には、欠陥検査装置全体を制御する制御プログラムの他、記憶領域１００８から電子画像データを読み出し、該画像データに基づき所定のアルゴリズムに従ってステンシルマスク８００の欠陥を自動的に検出する欠陥検出プログラム１００９が格納されている。この欠陥検出プログラム１００９は、詳細を更に後述するように、基準画像記憶部１０１３から読み出した基準画像と、実際に検出された電子線画像とをマッチングして、欠陥部分を自動的に検出し、欠陥有りと判定した場合、オペレータに警告表示する機能を有する。このとき、ＣＲＴ１０１５の表示部に電子画像１０１７を表示するようにしてもよい。
【００６９】
次に、該実施例による欠陥検査装置の作用を図１０乃至図１２のフローチャートを例にして説明する。
先ず、図１０のメインルーチンの流れに示すように、検査対象となるステンシルマスク８００を試料台５０の上にセットする（ステップ１３００）。これは、前述したようにローダーに多数格納されたマスク全てを一枚毎に自動的に試料台５０にセットする形態であってもよい。
【００７０】
次に、ステンシルマスク８００表面のＸＹ平面上で部分的に重なり合いながら互いから変位された複数の被検査領域の画像を各々取得する（ステップ１３０４）。これら画像取得すべき複数の被検査領域とは、図１３に示すように、例えばマスク検査表面１０３４上に、参照番号１０３２ａ、１０３２ｂ、．．．１０３２ｋ、．．．で示す矩形領域のことであり、これらは、マスクの検査パターン１０３０の回りで、部分的に重なり合いながら位置がずらされていることがわかる。例えば、図１４に示されたように、１６個の被検査領域の画像１０３２（被検査画像）が取得される。ここで、図１４に示す画像は、矩形の桝目が１画素（或いは、画素より大きいブロック単位でもよい）に相当し、このうち黒塗りの桝目がステンシルマスク８００上のパターンの画像部分に相当する。このステップ１３０４の詳細は図１１のフローチャートで後述する。
【００７１】
次に、ステップ１３０４で取得した複数の被検査領域の画像データを記憶部１０１３に記憶された基準画像データ（パターンデータ）と、各々比較照合し（図１０のステップ１３０８）、上記複数の被検査領域により網羅されるマスク検査面に欠陥が有るか否かが判定される。この工程では、いわゆる画像データ同士のマッチング処理を実行するが、その詳細については図１２のフローチャートで後述する。
【００７２】
ステップ１３０８の比較結果より、上記複数の被検査領域により網羅されるマスク検査面に欠陥が有ると判定された場合（ステップ１３１２肯定判定）、オペレータに欠陥の存在を警告する（ステップ１３１８）。警告の方法として、例えば、ＣＲＴ１０１５の表示部に欠陥の存在を知らせるメッセージを表示したり、これと同時に欠陥の存在するパターンの拡大画像１０１７を表示してもよい。このような欠陥マスクを直ちに試料室３１から取り出し、欠陥の無いマスクとは別の保管場所に格納してもよい（ステップ１３１９）。
【００７３】
ステップ１３０８の比較処理の結果、ステンシルマスク８００に欠陥が無いと判定された場合（ステップ１３１２否定判定）、現在検査対象となっているステンシルマスク８００について、検査すべき領域が未だ残っているか否かが判定される（ステップ１３１４）。検査すべき領域が残っている場合（ステップ１３１４肯定判定）、試料台５０を駆動し、これから検査すべき他の領域が電子線の照射領域内に入るようにステンシルマスク８００を移動させる（ステップ１３１６）。その後、ステップ１３０２に戻って当該他の検査領域に関して同様の処理を繰り返す。
【００７４】
検査すべき領域が残っていない場合（ステップ１３１４否定判定）、或いは、欠陥マスクの抜き取り工程（ステップ１３１９）の後、現在検査対象となっているステンシルマスク８００が、最終のマスクであるか否か、即ち図示しないローダーに未検査のマスクが残っていないか否かが判定される（ステップ３２０）。最終のマスクでない場合（ステップ１３２０否定判定）、検査済みマスクを所定の格納箇所に保管し、その代わりに新しい未検査のマスクを試料台５０にセットする（ステップ１３２２）。その後、ステップ１３０２に戻って当該マスクに関して同様の処理を繰り返す。最終のマスクであった場合（ステップ１３２０肯定判定）、検査済みマスクを所定の格納箇所に保管し、全工程を終了する。
【００７５】
次に、ステップ１３０４の処理の流れを図１１のフローチャートに従って説明する。
図１１では、先ず、画像番号ｉを初期値１にセットする（ステップ１３３０）。この画像番号は、複数の被検査領域画像の各々に順次付与された識別番号である。次に、セットされた画像番号ｉの被検査領域について画像位置（Ｘ_ｉ，Ｙ_ｉ）を決定する（ステップ１３３２）。この画像位置は、被検査領域を画定させるための該領域内の特定位置、例えば該領域内の中心位置として定義される。現時点では、ｉ＝１であるから画像位置（Ｘ_１，Ｙ_１）となり、これは例えば図１３に示された被検査領域１０３２ａの中心位置に該当する。全ての被検査画像領域の画像位置は予め定められており、例えば制御部１０１６のハードディスク上に記憶され、ステップ１３３２で読み出される。
【００７６】
次に、図８の照射光学系７１０の第２の偏向器７２５（図７参照）を通過する電子線が、ステップ１３３２で決定された画像位置（Ｘ_ｉ，Ｙ_ｉ）の被検査画像領域に照射されるように、第２の偏向器７２５に電位を加える（図１１のステップ１３３４）。
【００７７】
次に、電子銃７１１から電子線を放出し、セットされたステンシルマスク８００表面上に照射する（ステップ１３３６）。このとき、電子線は、第２の偏向器７２５の作り出す電場によって偏向され、マスク検査表面１０３４上の画像位置（Ｘ_ｉ，Ｙ_ｉ）の被検査画像領域全体に亘って照射される。画像番号ｉ＝１の場合、被検査領域は１０３２ａとなる。
【００７８】
ステンシルマスク８００を透過した電子線は、ダブレットレンズ７３１、７３７により所定の倍率で検出器７７０に結像される。検出器７７０は、結像された電子線を検出し、検出素子毎の電気信号即ちデジタル画像データに変換出力する（ステップ１３３８）。そして、検出した画像番号ｉのデジタル画像データを電子画像記憶領域１００８に転送する（ステップ１３４０）。
【００７９】
次に、画像番号ｉを１だけインクリメントし（ステップ１３４２）、インクリメントした画像番号（ｉ＋１）が一定値ｉ_ＭＡＸを越えているか否かを判定する（ステップ１３４４）。このｉ_ＭＡＸは、取得すべき被検査画像の数であり、図１４の上述した例では、「１６」である。
【００８０】
画像番号ｉが一定値ｉ_ＭＡＸを越えていない場合（ステップ１３４４否定判定）、再びステップ１３３２に戻り、インクリメントした画像番号（ｉ＋１）について画像位置（Ｘ_ｉ＋１，Ｙ_ｉ＋１）を再び決定する。この画像位置は、前のルーチンで決定した画像位置（Ｘ_ｉ，Ｙ_ｉ）からＸ方向及び／又はＹ方向に所定距離（ΔＸ_ｉ，ΔＹ_ｉ）だけ移動させた位置である。図８の例では、被検査領域は、（Ｘ_１，Ｙ_１）からＹ方向にのみ移動した位置（Ｘ_２，Ｙ_２）となり、破線で示した矩形領域１０３２ｂとなる。なお、（ΔＸ_ｉ，ΔＹ_ｉ）（ｉ＝１，２，．．．ｉ_ＭＡＸ）の値は、マスク検査面１０３４のパターン１０３０が検出器７７０の視野から実際に経験的にどれだけずれるかというデータと、被検査領域の数及び面積から適宜定めておくことができる。
【００８１】
そして、ステップ１３３２乃至１３４２の処理をｉ_ＭＡＸ個の被検査領域について順次繰り返し実行する。これらの被検査領域は、図１３に示すように、ｋ回移動した画像位置（Ｘ_ｋ，Ｙ_ｋ）では被検査画像領域１０３２ｋとなるように、ステンシルマスク８００の検査面１０３４上で、部分的に重なり合いながら位置がずらされていく。このようにして、図１４に例示した１６個の被検査画像データが画像記憶領域１００８に取得される。取得した複数の被検査領域の画像１０３２（被検査画像）は、図１４に例示されたように、マスク検査面１０３４上のパターン１０３０の画像１０３０ａを部分的若しくは完全に取り込んでいることがわかる。
【００８２】
インクリメントした画像番号ｉがｉ_ＭＡＸを越えた場合（ステップ１３４４肯定判定）、このサブルーチンをリターンして図３７のメインルーチンの比較工程（ステップ３０８）に移行する。
【００８３】
なお、ステップ１３４０でメモリ転送された画像データは、検出器７７０により検出された各画素毎の電子の強度値（いわゆるベタデータ）からなるが、後段の比較工程（図３７のステップ１３０８）で基準画像とマッチング演算を行うため、様々な演算処理を施した状態で記憶領域１００８に格納しておくことができる。このような演算処理には、例えば、画像データのサイズ及び／又は濃度を基準画像データのサイズ及び／又は濃度に一致させるための正規化処理や、所定画素数以下の孤立した画素群をノイズとして除去する処理などがある。更には、単純なベタデータではなく、高精細パターンの検出精度を低下させない範囲で検出パターンの特徴を抽出した特徴マトリクスにデータ圧縮変換しておいてもよい。このような特徴マトリクスとして、例えば、Ｍ×Ｎ画素からなる２次元の被検査領域を、ｍ×ｎ（ｍ＜Ｍ，ｎ＜Ｎ）ブロックに分割し、各ブロックに含まれる画素の二次電子強度値の総和（若しくはこの総和値を被検査領域全体の総画素数で割った正規化値）を、各マトリックス成分としてなる、ｍ×ｎ特徴マトリックスなどがある。この場合、基準画像データもこれと同じ表現で記憶しておく。本発明の実施形態でいう画像データとは、単なるべタデータは勿論のこと、このように任意のアルゴリズムで特徴抽出された画像データを包含する。
【００８４】
次に、ステップ１３０８の処理の流れを図１２のフローチャートに従って説明する。
先ず、制御部１０１６のＣＰＵは、基準画像記憶部１０１３（図８）から基準画像データをＲＡＭ等のワーキングメモリ上に読み出す（ステップ１３５０）。この基準画像は、図１４では参照番号１０３６で表される。そして、画像番号ｉを１にリセットし（ステップ１３５２）、記憶領域１００８から画像番号ｉの被検査画像データをワーキングメモリ上に読み出す（ステップ１３５４）。
【００８５】
次に、読み出した基準画像データと、画像ｉのデータとをマッチングして、両者間の距離値Ｄ_ｉを算出する（ステップ１３５６）。この距離値Ｄ_ｉは、基準画像と、被検査画像ｉとの間の類似度を表し、距離値が大きいほど基準画像と被検査画像との差異が大きいことを表している。この距離値Ｄ_ｉとして類似度を表す量であれば任意のものを採用することができる。例えば、画像データがＭ×Ｎ画素からなる場合、各画素の二次電子強度（又は特徴量）をＭ×Ｎ次元空間の各位置ベクトル成分とみなし、このＭ×Ｎ次元空間上における基準画像ベクトル及び画像ｉベクトル間のユークリッド距離又は相関係数を演算してもよい。勿論、ユークリッド距離以外の距離、例えばいわゆる市街地距離等を演算することもできる。更には、画素数が大きい場合、演算量が膨大になるので、上記したようにｍ×ｎ特徴ベクトルで表した画像データ同士の距離値を演算してもよい。
【００８６】
次に、算出した距離値Ｄ_ｉが所定の閾値Ｔｈより小さいか否かを判定する（ステップ１３５８）。この閾値Ｔｈは、基準画像と被検査画像との間の十分な一致を判定する際の基準として実験的に求められる。
【００８７】
距離値Ｄ_ｉが所定の閾値Ｔｈより小さい場合（ステップ１３５８肯定判定）、当該ステンシルマスク８００の当該検査面１０３４には「欠陥無し」と判定し（ステップ１３６０）、本サブルーチンをリターンする。即ち、被検査画像のうち１つでも基準画像と略一致したものがあれば、「欠陥無し」と判定する。このように全ての被検査画像とのマッチングを行う必要が無いので、高速判定が可能となる。図１４の例の場合、３行３列目の被検査画像が、基準画像に対して位置ずれが無く略一致していることがわかる。
【００８８】
距離値Ｄ_ｉが所定の閾値Ｔｈ以上の場合（ステップ１３５８否定判定）、画像番号ｉを１だけインクリメントし（ステップ１３６２）、インクリメントした画像番号（ｉ＋１）が一定値ｉ_ＭＡＸを越えているか否かを判定する（ステップ１３６４）。
【００８９】
画像番号ｉが一定値ｉ_ＭＡＸを越えていない場合（ステップ１３６４否定判定）、再びステップ１３５４に戻り、インクリメントした画像番号（ｉ＋１）について画像データを読み出し、同様の処理を繰り返す。
【００９０】
画像番号ｉが一定値ｉ_ＭＡＸを越えた場合（ステップ１３６４肯定判定）、当該マスクの当該検査面１０３４には「欠陥有り」と判定し（ステップ１３６６）、本サブルーチンをリターンする。即ち、被検査画像の全てが基準画像と略一致していなければ、「欠陥有り」と判定する。
【００９１】
以上が試料台の各実施形態であるが、本発明は、上記例にのみ限定されるものではなく本発明の要旨の範囲内で任意好適に変更可能である。
例えば、被検査試料として半導体マスクを例に掲げたが、本発明の被検査試料はこれに限定されず、電子線によって欠陥を検出することができる任意のものが選択可能である。　また、本発明は、電子以外の荷電粒子線を用いて欠陥検出を行う装置にも適用できるばかりでなく、試料の欠陥を検査可能な画像を取得できる任意の装置にも適用可能である。
【００９２】
また、上記実施形態では、画像データ同士のマッチングを行う際に、画素間のマッチング及び特徴ベクトル間のマッチングのいずれかとしたが、両者を組み合わせることもできる。例えば、最初、演算量の少ない特徴ベクトルで高速マッチングを行い、その結果、類似度の高い被検査画像については、より詳細な画素データでマッチングを行うという２段階の処理によって、高速化と精度とを両立させることができる。
【００９３】
また、本発明の実施形態では、被検査画像の位置ずれを電子線の照射領域の位置ずらしのみで対応したが、マッチング処理の前若しくはその間で画像データ上で最適マッチング領域を検索する処理（例えば相関係数の高い領域同士を検出してマッチングさせる）と本発明とを組み合わせることもできる。これによれば、被検査画像の大きな位置ずれを本発明による一次電子線の照射領域の位置ずらしで対応すると共に、比較的小さな位置ずれを後段のデジタル画像処理で吸収することができるので、欠陥検出の精度を向上させることができる。
【００９４】
また、図１０のフローチャートの流れも、これに限定されない。例えば、ステップ１３１２で欠陥有りと判定された試料について、他の領域の欠陥検査は行わないことにしたが、全領域を網羅して欠陥を検出するように処理の流れを変更してもよい。また、電子線の照射領域を拡大し１回の照射で試料のほぼ全検査領域をカバーできれば、ステップ１３１４及びステップ１３１６を省略することができる。
【００９５】
以上詳細に説明したように本実施例の欠陥検査装置によれば、試料上で部分的に重なり合いながら互いから変位された複数の被検査領域の画像を各々取得し、これらの被検査領域の画像と基準画像とを比較することによって、試料の欠陥を検査するようにしたので、被検査画像と基準画像との位置ずれによる欠陥検査精度の低下を防止できる、という優れた効果が得られる。
【００９６】
更に本発明のデバイス製造方法によれば、上記のような欠陥検査装置を用いてマスクの欠陥検査を行うようにしたので、製品の歩留まりの向上及び欠陥製品の出荷防止が図れる、という優れた効果が得られる。
電子線装置の他の実施の形態
図１５Ａは単ビームによるステンシルマスク検査装置の実施の形態である。電子銃７１１から放出された電子線はコンデンサレンズ７５１と対物レンズ７５３で縮小され、ステンシルマスク８００に合焦され、偏向器７５５，７５７でステンシルマスク８００上を二次元走査する。ステンシルマスク８００の穴部を透過した電子はＭＣＰ７７１で検出され、アンプ７６１で増幅、かつ、ＡＤ変換され、画像形成回路７６３で画像データが形成される。この画像データはＣＡＤで作られた設計データと比較され、異る座標が出力される。
【００９７】
この実施形態においては、例えば、偏向器７５５，７５７で、Ｘ方向に単ビームを走査し、試料台５０をＹ方向に移動させるようにする。勿論、偏向器７５５，７５７で、Ｙ方向に単ビームを走査し、試料台５０をＸ方向に移動させるようにしてもよい。
【００９８】
図１５Ｂは前記図１５Ａと比較して電子線の数を複数にした場合の実施の形態である。複数のエミッション領域を有するＬ_ａＢ_６カソードを持つ電子銃７１１’から放出された複数の電子線はコンデンサレンズ７５２で互の距離を拡大され、第２のコンデンサレンズ７５４の上に設けたマルチ開口７５６を照射する。マルチ開口７５６で成形された電子線は縮小レンズ７５８と対物レンズ７６０とでステンシルマスク８００に合焦される。ステンシルマスク８００を通過した電子は拡大レンズ７６２、７６４によって拡大され、複数の検出器（各検出器は符号ａ〜ｆとして示し、全体を７７０’と示す。）で検出され、各検出器に付属のＡ／Ｄ変換器７６８でデジタル信号にされ、欠陥検査処理が行われる。マルチビームを作る光軸を複数にすると、収差が低減され、各ビームを細く絞ることができる。
【００９９】
本実施形態においては、第２のコンデンサレンズ７５４と縮小レンズ７５８との間に、偏向器７５５’と７５７’が設けられている。当該偏向器７５５，７５７により、ステンシルマスク８００に合焦された複数の電子線は、ステンシルマスク８００上を二次元に走査される。本実施形態においても、例えば、偏向器７５５’、７５７’で、複数の電子線をＸ方向にを走査し、試料台５０をＹ方向に移動させるようにする。勿論、偏向器７５５’，７５７’で、Ｙ方向に複数の電子線をを走査し、試料台５０をＸ方向に移動させるようにしてもよい。
【０１００】
複数の電子線の横断面形状は、円形でも矩形でもよい。しかし、Ｘ方向にかかる複数の電子線を走査する場合、Ｘ方向の電子間距離は同一であることが望ましい。
【０１０１】
上記実施形態によれば、下記の効果を奏することができる。
１．照射電子線の平行度を良くする即ち、開口度αを小さくするので拡大光学系の収差が小さく高解像度の像が得られる。
２．照射光学系はレンズ２段でもテレセントリック光学系になるので、光学系が簡単でしかも、試料のＺ方向位置の変動の許容法は大きい。またαが小さいので、焦点深度も深い。
３．試料台を連続移動させながら検査を行うので、主視野の幅が小さくても高スループットで検査が行える。
４．主視野内をステップ又は連続移動的に走査し、ダイナミック収差補正を行えば、αを大きくしてビーム電流を大きくしても低収差を実現できる。
５．シンチレータ像をＣＣＤに結像させる倍率を光学レンズで調整するので一次系の倍率をきちんと合せる必要がない。
６．Ｌ_ａＢ_６電子銃を高輝度条件で使ったり、ＦＥ電子銃を使うことにより、高解像度、高スループットが可能である。画素当りの等価周波数を８００ＭＨｚ以上も可能である。
７．電子銃を下、検出器を上にする事により、マスク位置が下り、振動に強くなる。
８．初段のレンズをダブレットレンズにすることで、倍率の色収差と歪が補正されボケが小さく歪の小さい像が得られる。
９．拡大レンズ系の倍率を可変にしたので、等倍マスク、１／４縮のマスク、１／１０縮小等のキャラクターマスクの検査すべてを能率良く検査できる。
１０．ＴＤＩ検出器を大気外とすることで高速の信号を容易に取り扱える。
１１．照明系のレンズ条件を変えることにより、クロスオーバ縮小の小ビームとできるので、レジストレーションを高輝度で行える。
１２．電子線を用いることで、光を用いるより高輝度の検査が行える。これにより、欠陥製品を製造する事故が減らせる。
１３．画像データとパターンデータとを比較するので、近接効果補正された結果、正しく補正されているか検査できる。
デバイス製造方法
次に図１６及び図１７を参照して本発明による半導体デバイスの製造方法の実施例を説明する。
【０１０２】
図１６は、本発明による半導体デバイスの製造方法の一実施例を示すフローチャートである。この実施例の製造工程は以下の主工程を含んでいる。
（１）ウエハを製造するウエハ製造工程（又はウエハを準備するウエハ準備工程）（ステップ１４００）
（２）露光に使用するマスクを製造するマスク製造工程（又はマスクを準備するマスク準備工程）（ステップ１４０１）
（２’）製造したマスクの検査工程（ここで、上記電子線装置を利用した検査装置を用いる。）
（３）ウエハに必要な加工処理を行うウエハプロセッシング工程（ステップ１４０２）
（４）ウエハ上に形成されたチップを１個ずつ切り出し、動作可能にならしめるチップ組立工程（ステップ１４０３）
（５）できたチップを検査するチップ検査工程（ステップ１４０４）
なお、上記のそれぞれの主工程は更に幾つかのサブ工程からなっている。
【０１０３】
これらの主工程中の中で、半導体デバイスの性能に決定的な影響を及ぼすのが（３）のウエハプロセッシング工程である。この工程では、設計された回路パターンをウエハ上に順次積層し、メモリやＭＰＵとして動作するチップを多数形成する。このウエハプロセッシング工程は以下の各工程を含んでいる。
（Ａ）絶縁層となる誘電体薄膜や配線部、或いは電極部を形成する金属薄膜等を形成する薄膜形成工程（ＣＶＤやスパッタリング等を用いる）
（Ｂ）この薄膜層やウエハ基板を酸化する酸化工程
（Ｃ）薄膜層やウエハ基板等を選択的に加工するためにマスク（レチクル）を用いてレジストパターンを形成するリソグラフィー工程
このリソグラフィー工程で用いられるマスクには、上記検査装置で検査されたマスクを用いる。
（Ｄ）レジストパターンに従って薄膜層や基板を加工するエッチング工程（例えばドライエッチング技術を用いる）
（Ｅ）イオン・不純物注入拡散工程
（Ｆ）レジスト剥離工程
（Ｇ）加工されたウエハを検査する工程
なお、ウエハプロセッシング工程は必要な層数だけ繰り返し行い、設計通り動作する半導体デバイスを製造する。
【０１０４】
図１７Ａは、図１６のウエハプロセッシング工程の中核をなすリソグラフィー工程を示すフローチャートである。このリソグラフィー工程は以下の各工程を含む。
（ａ）前段の工程で回路パターンが形成されたウエハ上にレジストをコートするレジスト塗布工程（ステップ１５００）
（ｂ）レジストを露光する工程（ステップ１５０１）
（ｃ）露光されたレジストを現像してレジストのパターンを得る現像工程（ステップ１５０２）
（ｄ）現像されたレジストパターンを安定化するためのアニール工程（ステップ１５０３）
上記の半導体デバイス製造工程、ウエハプロセッシング工程、リソグラフィー工程については、周知のものでありこれ以上の説明を要しないであろう。
【０１０５】
上記（２）−（２’）の検査工程、及び、上記リソグラフィー工程に本発明に係る欠陥検査方法、欠陥検査装置を用いると、微細なパターンを有するステンシルマスクでも、スループット良く検査できるので、全数検査が可能となり、欠陥製品の製造防止が可能と成る。
検査手順
上記（２）−（２’）の検査工程における検査手順について述べる。
【０１０６】
一般に電子線を用いた欠陥検査装置は高価であり、またスループットも他のプロセス装置に比べて低いために、現状では最も検査が必要と考えられている重要な工程（例えばエッチング、成膜、又はＣＭＰ（化学機械研磨）平坦化処理等）の後に使用されている。
【０１０７】
検査されるマスクは大気搬送系及び真空搬送系を通して、超精密Ｘ−Ｙステージ上に位置合わせ後、静電チャック機構等により固定され、以後、（図１７Ｂ）の手順に従って欠陥検査等が行われる。はじめに光学顕微鏡により、必要に応じて各ダイの位置確認や、各場所の高さ検出が行われ記憶される。光学顕微鏡はこの他に欠陥等の見たい所の光学顕微鏡像を取得し、電子線像との比較等にも使用される。次にマスクの種類（どの工程後か、マスクのサイズは２０ｃｍか３０ｃｍか等）に応じたレシピの情報を装置に入力し、以下検査場所の指定、電子光学系の設定、検査条件の設定等を行なった後、画像取得を行ないながら通常はリアルタイムで欠陥検査を行なう。セル同士の比較、ダイ比較等が、アルゴリズムを備えた高速の情報処理システムにより検査が行なわれ、必要に応じてＣＲＴ等に結果を出力や、メモリーへ記憶を行なう。欠陥にはパーティクル欠陥、形状異常（パターン欠陥）、及び電気的（配線又はビア等の断線及び導通不良等）欠陥等が有り、これらを区別したり欠陥の大きさや、キラー欠陥（チップの使用が不可能になる重大な欠陥等）の分類を自動的にリアルタイムで行うことも出来る。電気的欠陥の検出はコントラスト異状を検出することで達成される。例えば導通不良の場所は電子線照射（５００ｅＶ程度）により、通常正に帯電し、コントラストが低下するので正常な場所と区別ができる。この場合の電子線照射手段とは、通常検査用の電子線照射手段以外に別途、電位差によるコントラストを際立たせるために設けた低電位（エネルギー）の電子線発生手段（熱電子発生、ＵＶ／光電子）をいう。検査対象領域に検査用の電子線を照射する前に、この低電位（エネルギー）の電子線を発生・照射している。検査用の電子線を照射すること自体正に帯電させることができる写像投影方式の場合は、仕様によっては、別途低電位の電子線発生手段を設ける必要はない。また、マスク等の試料に基準電位に対して、正又は負の電位をかけること等による（素子の順方向又は逆方向により流れ易さが異なるために生じる）コントラストの違いから欠陥検出が出来る。線幅測定装置及び合わせ精度測定にも利用できる。
【０１０８】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、電子線を用いてマスクの画像を形成するようにしたので、従来のような光を用いた欠陥検査装置と比較して、より微細な欠陥を検査することができる。
【０１０９】
また、マスクを透過した電子線を用いて試料の画像を形成するようにしたので、照射ビームと透過ビームは共通の経路を通らないことから、従来のように共通の経路を通る装置と比較して、空間電荷効果による透過ビームのボケは大幅に改善され、その結果、Ｓ／Ｎ比の良い信号を得ることができ、短時間で試料の欠陥を検査することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の一実施形態による検査装置の主要構成要素を示す立面図であって、図２Ａの線Ａ−Ａに沿って見た図である。
【図２Ａ】図２Ａは、図１に示す検査装置の主要構成要素の平面図であって、図１の線Ｂ−Ｂに沿って見た図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、本発明にける基板搬入装置の他の実施例を示す概略断面図である。
【図３】図３は、図１のミニエンバイロメント装置を示す断面図であって、図２Ａの線Ｃ−Ｃに沿って見た図である。
【図４】図４は、図１のローダハウジングを示す図であって、図２の線Ｄ−Ｄに沿って見た図である。
【図５】マスクラックの拡大図であって、図５Ａは側面図で、図５Ｂは図５Ａの線Ｅ−Ｅに沿って見た断面図である。
【図６】図６は、主ハウジングの支持方法の変形例を示す図である。
【図７】図７は、本実施形態における電子線装置（すなわち、電子光学装置）の概略構成を示す模式図である。
【図８】図８は、本発明の変形例による欠陥検査装置の概略構成図である。
【図９】図９は、図８の欠陥検査装置の検出器の具体的構成例を示す図である。
【図１０】図１０は、図８の欠陥検査装置におけるマスク検査のメインルーチンの流れを示すフローチャートである。
【図１１】図１１は、図１０における複数の被検査画像データ取得工程（ステップ１３０４）のサブルーチンの詳細な流れを示すフローチャートである。
【図１２】図１２は、図１０における比較工程（ステップ１３０８）のサブルーチンの詳細な流れを示すフローチャートである。
【図１３】図１３は、図８の欠陥検査装置で取得される複数の被検査画像及び基準画像の例を示す図である。
【図１４】図１４は、半導体マスクの表面上で部分的に重なり合いながら互いから位置がずらされた複数の被検査領域を概念的に示す図である。
【図１５Ａ】図１５Ａは、本発明の他の実施の形態による電子線装置の概略図である。
【図１５Ｂ】図１５Ｂは、図１５Ａの実施の形態における複数の一次電子線で試料を走査する態様を示す概略平面図である。
【図１６】図１６は、本発明による半導体デバイスの製造方法の一実施例を示すフローチャートである。
【図１７Ａ】図１７Ａは、図１６に示すウエハプロセッシング工程の中核をなすリソグラフィー工程を示すフローチャートである。
【図１７Ｂ】図１７Ｂは、マスクの欠陥検査の手順を示すフローチャートである。

Claims

電子線を放出して当該電子線を試料に照射するための電子銃と、試料を透過した電子線を拡大する電子レンズと、前記拡大された電子線を検出して、試料の画像を形成する検出器とを備えたことを特徴とする電子線装置。
請求項１に記載した電子線装置において、
前記試料はステンシルマスクあるいはメンブレン上にパターンが形成されているマスクであることを特徴とする電子線装置。
請求項１又は２に記載した電子線装置において、
さらに、電子銃と前記試料との間に設けられたＮＡ開口を備え、前記電子線を前記ＮＡ開口を通すことにより、平行性の良い電子線を前記試料に照射することを特徴とする電子線装置。
請求項１ないし３のいずれか１項に記載した電子線装置において、
さらに、電子銃と前記試料との間に設けられた少なくとも１個の成形開口を備え、
前記電子線が前記成形開口を通って前記試料面に照射されることにより、前記成形開口の像が前記試料の面上に結像されることを特徴とする電子線装置。
請求項１ないし３のいずれか１項に記載した電子線装置において、
さらに、当該電子線装置の光軸の近くに設けられた複数の成形開口を備え、
該複数の成形開口の相互の重なりを変化することにより、前記試料を照射する面積を変更できるようにしたことを特徴とする電子線装置。
請求項１ないし５のいずれか１項に記載した電子線装置において、
前記電子銃は熱電子放出カソードを有し、空間電荷制限条件で動作することを特徴とする電子線装置。
請求項１に記載した電子線装置において、
さらに、前記試料と前記検出器との間に設けられた少なくとも２段の電子レンズを備え、前記電子線は、前記試料を通り、さらに、前記２段の電子レンズを通って前記検出器に照射されることを特徴とする電子線装置。
請求項１に記載した電子線装置において、
さらに、前記電子銃と前記試料との間に設けられた照射レンズ系の入射ひとみを備え、光源像が前記入射ひとみに結像されていることを特徴とする電子線装置。
請求項８に記載した電子線装置において、
さらに、前記試料と前記検出器との間に設けられた拡大レンズを備え、
前記拡大レンズの拡大率を、前記電子線の試料上での照射領域の大きさに対応させて可変にすることを特徴とする電子線装置。
請求項５に記載した電子線装置において、
該複数の成形開口の相互の重なりを変化することにより、前記試料上での前記電子線の照射領域を長辺と短辺を有する長方形状とし、
前記試料を載置するための試料台を備え、
前記試料を載置した試料台を前記短辺の方向に連続移動させながら前記試料の検出を前記検出器で行うことを特徴とする電子線装置。
請求項１に記載した電子線装置において、
前記電子線をステップ的または連続的に走査させるための走査手段を備えたことを特徴とする電子線装置。
請求項１に記載した電子線装置において、
前記検出器は、
前記拡大された電子線をさらに増倍するＭＣＰと、
前記ＭＣＰで倍増された電子線を光の像に変えるシンチレータと、
前記シンチレータが作る光の像の大きさを調整する光学レンズ又はその光の像を１対１に写す光学系と、
前記光学レンズで大きさが調整された光の像が結像させられるＣＣＤ検出器又はＴＤＩ検出器の一方とを備えたことを特徴とする電子線装置。
請求項１に記載した電子線装置において、
前記電子銃は、ＦＥ又は、ＴＦＥ又は、ショットキーカソードとを有する光源像の小さな電子銃であることを特徴とする電子線装置。
請求項１に記載した電子線装置において、
前記電子銃は、前記試料の下側に配置され、
前記試料の欠陥を検出する検出器は、前記試料の上側に配置されることを特徴とする電子線装置。
請求項１に記載した電子線装置において、
前記電子銃と前記検出器との間に電子線を拡大する複数の拡大レンズを備えており、
前記試料を透過した電子線を最初に拡大する拡大レンズは、ダブレットレンズであることを特徴とする電子線装置。
請求項１５に記載した電子線装置において、
前記複数の拡大レンズの間に設けられたＮＡ開口を備え、
前記ＮＡ開口は、前記試料で散乱された平行度の悪い電子線をで取り除くことができることを特徴とする電子線装置。
請求項１２に記載した電子線装置において、
前記ＭＣＰと前記シンチレータを真空中に配置し、
前記光学レンズと前記ＣＣＤ検出器又はＴＤＩ検出器とを大気中に配置し、
前記シンチレータと前記光学レンズとの間に、前記光の像を、大気中に配置された前記光学レンズに向けて取り出すための真空窓を備えたことを特徴とする電子線装置。
請求項１２に記載した電子線装置において、
前記ＭＣＰと、前記シンチレータと、前記光学レンズと、前記ＣＣＤ検出器又はＴＤＩ検出器とを真空中に配置したことを特徴とする電子線装置。
請求項１に記載した電子線装置において、
前記検出器は、画像検出器を備えており、
前記画像検出器は、ＭＣＰとＥＢ−ＣＣＤ検出器またはＥＢ−ＣＣＤとからなり、または、ＭＣＰとＥＢ−ＴＤＩ検出器またはＥＢ−ＴＤＩとからなることを特徴とする電子線装置。
請求項１に記載した電子線装置において、
前記試料を前記電子線で走査した際に発生する２次電子または後方散乱電子を検出するための第２の検出器を、前記試料と前記電子銃の間に設けたことを特徴とする電子線装置。
請求項２０に記載した電子線装置において、
レンズ焦点距離を変えることにより又はクロスオーバ像を形成し、当該クロスオーバ像で前記試料の試料面上を走査し、又は、二つの成形開口の重なりを小さくして小拡の電子線を形成し、当該小拡の電子線で前記試料の試料面上を走査し、これにより、前記試料のレジストレーションを行うことを特徴とする電子線装置。
請求項１に記載した電子線装置において、
前記装置の等価周波数を２００ＭＨｚ以上としたことを特徴とする電子線装置。
請求項１乃至請求項２２のいずれかに記載した電子線装置において、
さらに、基準パターンデータを予め記憶した記憶装置と、
前記試料を透過した電子線により得られる画像データと前記パターンデータとを比較する制御装置とを備え、
前記制御装置は、前記画像データと前記パターンデータとの比較に基づいて、前記試料の欠陥検査を行うことを特徴とする電子線装置。
電子銃から放出された電子線をステンシルマスクに照射し、前記ステンシルマスクを透過した電子を検出して前記ステンシルマスクの欠陥を検出することを特徴とする電子線装置。
請求項２４に記載した電子線装置において、
前記電子線照射部は複数の光学系から構成されていることを特徴とする電子線装置。
請求項２２乃至請求項２５のいずれか１項に記載した電子線装置を用いて、欠陥検査を行ったステンシルマスクを使うことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。