JP4642362B2 - 基板位置合わせ方法、基板表面検査方法、基板位置決め方法、半導体デバイス製造方法、基板位置合わせ装置及び基板表面検査装置 - Google Patents
基板位置合わせ方法、基板表面検査方法、基板位置決め方法、半導体デバイス製造方法、基板位置合わせ装置及び基板表面検査装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4642362B2 JP4642362B2 JP2004046868A JP2004046868A JP4642362B2 JP 4642362 B2 JP4642362 B2 JP 4642362B2 JP 2004046868 A JP2004046868 A JP 2004046868A JP 2004046868 A JP2004046868 A JP 2004046868A JP 4642362 B2 JP4642362 B2 JP 4642362B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- optical system
- electron
- wafer
- inspection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 219
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 185
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 159
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 53
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 41
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 184
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 87
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 43
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 42
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 26
- 238000013507 mapping Methods 0.000 claims description 22
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 17
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 claims description 17
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 10
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 7
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 claims description 6
- YTAHJIFKAKIKAV-XNMGPUDCSA-N [(1R)-3-morpholin-4-yl-1-phenylpropyl] N-[(3S)-2-oxo-5-phenyl-1,3-dihydro-1,4-benzodiazepin-3-yl]carbamate Chemical compound O=C1[C@H](N=C(C2=C(N1)C=CC=C2)C1=CC=CC=C1)NC(O[C@H](CCN1CCOCC1)C1=CC=CC=C1)=O YTAHJIFKAKIKAV-XNMGPUDCSA-N 0.000 claims description 3
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 239
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 72
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 39
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 38
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 28
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 18
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 17
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 16
- 230000006870 function Effects 0.000 description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 6
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 2
- 101000873785 Homo sapiens mRNA-decapping enzyme 1A Proteins 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 102100035856 mRNA-decapping enzyme 1A Human genes 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000000979 retarding effect Effects 0.000 description 2
- 238000012552 review Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
チップが形成された基板の表面を、ビームを用いて検査する基板表面検査におけるチップの位置合わせ方法であって、
前記チップが被検査視野内に位置するように前記基板を配置するステップと、
前記チップが前記被検査視野内に位置するときの検出倍率を測定するステップと、
測定された前記検出倍率に基づいて、前記チップの位置ずれの距離を算出するステップと、
算出された位置ずれに基づいて、前記チップの位置を補正するステップと、
を含むことを特徴とする、チップの位置合わせ方法、
を提供する。
チップが形成された基板の表面を、ビームを用いて検査する基板表面検査方法であって、
前記チップが被検査視野内に位置するように前記基板を配置するステップと、
前記チップが前記被検査視野内に位置するときの検出倍率を測定するステップと、
測定された前記検出倍率に基づいて、前記チップの位置ずれの距離を算出するステップと、
算出された前記距離に基づいて、前記チップの位置を補正するステップと、
前記チップの位置が補正された前記基板の表面に向けて前記ビームを照射するステップと、
前記基板の表面の情報を得た反射ビームを検出するステップと、
検出された前記反射ビームから前記基板の表面の画像を取得するステップと、
取得された前記画像を用いて前記基板の検査を行うステップと、
を含むことを特徴とする基板表面検査方法、
を提供する。
請求項4は、
チップが形成された試料の表面を検査する試料表面検査におけるチップの位置合わせ方法であって、
(a)試料の1コーナーのダイシングライン若しくは試料上の特徴的なパターンが欠陥検査装置の光学系の視野内に入るように、ステージを移動するステップと、
(b)前記試料上の特徴的なパターンにビームを照射し、試料からの反射電子或いは二次電子を検出器で検出し、二次元画像を得るステップと、
(c)前記ステップbで二次元画像を得たときのステージの座標(Xc、Yc)を記憶するステップと、
(d)前記視野内で、ステージを一定の距離だけ移動して、前記特徴的なパターンを移動させるステップと、
(e)前記ステップbと同じ操作を行い、前記移動した位置での前記特徴的なパターンの二次元画像を得るステップと、
(f)前記ステップeで画像を得たときのステージの座標(Xf、Yf)を記憶するステップと、
(g)前記ステップbで得た画像の一部と前記ステップeで得た画像とをパターンマッチングして、2つの画像のX方向又はY方向の位置のずれ(ΔXピクセル、ΔYピクセル)を算出するステップと、
(h)前記cステップで記憶した座標(Xc、Yc)と前記ステップfで記憶した座標(Xf、Yf)との差、(XfーXc)又は(YfーYc)を算出するステップと、
(i)ピクセル当たりの寸法、(XfーXc)/ΔX又は(YfーYc)/ΔY又は写像光学系の拡大率を算出するステップと、
(j)ステップiで算出したピクセル当たりの寸法又は前記写像光学系の拡大率をメモリに格納するステップと、
(k)該ピクセル当たりの寸法を用いて、ステージの移動距離を算出し、アライメントを行うステップと、
を備えることを特徴とする位置決め方法、
を提供する。
チップが形成された基板の表面を、ビームを用いて検査する基板表面検査方法であって、
(a)前記基板をステージ上に載置するステップと、
(b)試料の1コーナーのダイシングライン若しくは試料上の特徴的なパターンが欠陥検査装置の光学系の視野内に入るように、ステージを移動するステップと、
(c)前記試料上の特徴的なパターンにビームを照射し、試料からの反射電子或いは二次電子を検出器で検出し、二次元画像を得るステップと、
(d)前記ステップcで二次元画像を得たときのステージの座標(Xc、Yc)を記憶するステップと、
(e)前記視野内で、ステージを一定の距離だけ移動して、前記特徴的なパターンを移動させるステップと、
(f)前記ステップcと同じ操作を行い、前記移動した位置での前記特徴的なパターンの二次元画像を得るステップと、
(g)前記ステップeで画像を得たときのステージの座標(Xf、Yf)を記憶するステップと、
(h)前記ステップbで得た画像の一部と前記ステップeで得た画像とをパターンマッチングして、2つの画像のX方向又はY方向の位置のずれ(ΔXピクセル、ΔYピクセル)を算出するステップと、
(i)前記cステップで記憶した座標(Xc、Yc)と前記ステップfで記憶した座標(Xf、Yf)との差、(XfーXc)又は(YfーYc)を算出するステップと、
(j)ピクセル当たりの寸法、(XfーXc)/ΔX又は(YfーYc)/ΔY又は写像光学系の拡大率を算出するステップと、
(k)ステップiで算出したピクセル当たりの寸法又は前記写像光学系の拡大率をメモリに格納するステップと、
(l)該ピクセル当たりの寸法を用いて、ステージの移動距離を算出し、アライメントを行うステップと、
(m)前記ビームを前記基板の表面に向けて照射するステップと、
(n)前記基板の情報を得た反射ビームを検出するステップと、
(o)検出された前記反射ビームから前記基板の画像を取得するステップと、
(p)取得した前記画像を用いて、前記基板の検査を行うステップと、
を備えることを特徴とする基板表面検査方法、
を提供する。
請求項8は、
チップが形成された基板の表面を、ビームを用いて検査する基板表面検査装置において、前記チップの位置合わせのために、
前記チップが被検査視野内に位置するように前記基板を配置する装置と、
前記チップが前記被検査視野内に位置するときの検出倍率を測定する測定装置と、
測定された前記検出倍率に基づいて、前記チップの位置ずれの距離を算出する算出装置と、
算出された位置ずれに基づいて、前記チップの位置を補正する補正装置と、
を備えることを特徴とする基板表面検査装置、
を提供する。
チップが形成された基板の表面を、ビームを用いて検査する基板表面検査装置であって、前記チップが被検査視野内に位置するように前記基板を配置するために、
前記チップが前記被検査視野内に位置するときの検出倍率を測定する測定装置と、
測定された前記検出倍率に基づいて、前記チップの位置ずれの距離を算出する算出装置と、
算出された前記距離に基づいて、前記チップの位置を補正する補正装置と、
前記チップの位置が補正された後に前記ビームによって照射された前記基板から放出された、前記基板の表面の情報を得た反射ビームを検出する検出装置と、
検出された前記反射ビームから前記基板の表面の画像を取得する画像取得装置と、
を備えてなり、取得された前記画像を用いて前記基板の検査を行うことを特徴とする基板表面検査装置、
を提供する。
複数枚のウェーハWを収納したカセットを保持するカセットホルダ10、
ミニエンバイロメント装置20、
ワーキングチャンバ31を画成する主ハウジング30、
ミニエンバイロメント装置20と主ハウジング30との間に配置され、2つのローディングチャンバを備えるローダーハウジング40、
ウェーハWをカセットホルダ10から主ハウジング30内に配置されたステージ装置50上に装填するローダー60、
真空ハウジングに取り付けられた電子光学装置70
を備え、それらは図1及び図2に示すような位置関係で配置されている。
(c)上記手順bで二次元画像を得た時点のステージの座標(Xc、Yc)をレーザー干渉計で読み取って記憶する。
(f)手順eで画像を得た時点でのステージの座標(Xf、Yf)をレーザ干渉計で読み取って記憶する。
(i)上記算出された数値から、ピクセル当たりの寸法、(Xf−Xc)/ΔX(nm/ピクセル)又は(Yf−Yc)/ΔY(nm/ピクセル)を算出する。このピクセル当たりの寸法が拡大倍率である。
(k)ウェーハWの表面内の少なくとも2個所のパターンについて、それぞれ上記手順aからjまでの操作を行い、それぞれの取得された二次元画像間のパターンマッチングによって拡大倍率を求める。
(m)ステージの連続移動及び/又は電子ビームの走査とを組み合わせてウェーハWの被検査面を電子ビームで走査し、ウェーハWから発せられた二次電子又は反射電子からウェーハWの被検査面のパターンの二次元画像を得る。
(o)上記手順m及び手順nの操作を繰り返す。
ここで、図9の(a)及び(b)を用いて、上記手順mにおけるウェーハ表面の走査について説明する。一回のステージ連続移動で画像取得を行うウェーハWの領域をストライプSTと呼ぶとすると、ウェーハWの被検査面を走査する方法には、図9の(a)に示すように、矩形の電子ビームの長辺とストライプSTの幅とが等しくなるよう(例えば、ストライプSTのX方向に電子ビームの長辺を合わせて)ステージをY方向に連続移動させながら被検査面のパターンの二次元画像を得る方法と、図9の(b)に示すように、電子ビームの長辺をステージの連続移動の方向(Y方向)に一致させ、ストライプSTを偏向器7015、7016でX方向に走査することにより二次元画像を得る方法とがある。後者の方法では、電子ビームの断面積を小さくできる分だけビーム電流密度を大きくでき、信号のS/N比を大きくすることができる。更に、電子ビームの走査に同期して、レンズの励起条件等の二次光学系の光学パラメータを変化させることにより、偏向器によって二次電子又は反射電子の軌道を光軸Bの近傍に向けるよう制御して収差を低減することができる。
(a)まず、ウェーハWの1つのコーナーのダイシングライン若しくはウェーハW上の特徴的なパターンが電子光学装置70´の電子光学系の視野8200内に入るように、ステージを移動する。図12の(a)に示すように、電子光学系の視野8200は、この実施の形態の場合、X方向が2048ピクセルでY方向が50ピクセルの範囲である。複数の電子ビームM(例えば5個の電子ビーム)は、視野8200内で、上述のように一次光学系の光軸Pを中心とする円(図10の(b)に一点鎖線で示す)内に配置され、それらの電子ビームのY方向への投影した相互間隔は等しくなっている。各電子ビームは、符号8201又は8202で示された2048ピクセル×10ピクセルの小視野を走査することができる。ウェーハWには、X方向のパターン位置とY方向のパターン位置とを指定することができるポイント8203を有する特徴的なパターン8204が設けられており、この特徴的なパターン8204が視野8200内に存在するようにステージを移動させる。
(c)手順bで二次元画像を得た時刻でのステージの座標(Xc、Yc)をメモリに記憶する。
(e)移動した位置で特徴的なパターンの二次元画像を取得し、その画像を得た時刻でのステージの座標(Xe、Ye)を記憶する。
(h)X方向の走査感度(Xe−Xc)/ΔX(nm/ピクセル)及びY方向の走査感度(Ye−Yc)/ΔY(nm/ピクセル)を算出する。なお、走査感度とは、表示された画像の1ピクセルがウェーハWにおいてはどれだけの長さになるかを示す値である。
(j)ウェーハWの被検査面内の少なくとも2個所で、それぞれ手順a〜eの操作を行い、取得した画像にパターンマッチングを行って、ステージ座標、パターン座標及び電子光学系視野の関係を見当合わせする。この時、走査感度の正確な値が使用される。こうしてアライメントを行った後に欠陥検査を行う。
(l)手順kで得た二次元画像を所定の領域分に分割して記憶する。
(n)上記所定の領域分に分割して記憶された二次元画像から、被検査面の同一のチップ内で同じパターンがあると予測される領域同士の二次元画像を比較して、欠陥候補を算出する。
上記手順j〜nにおいて、手順iでメモリに格納された走査感度を参照することにより画像比較を行う。
a)欠陥分類(1405)を行い、結果出力ファイルに抽出欠陥情報と欠陥分類情報を追加する。
b)抽出欠陥画像を画像専用結果出力ファイル又はa)の結果出力ファイルに追加する。
c)抽出欠陥の位置などの欠陥情報を操作画面上に表示する。
a)結果出力ファイルをクローズして保存する。
b)外部からの通信が検査結果を要求する場合、検査結果を送る。
c)ウエハを排出する。
以下、図14のフローについて、さらに詳細を述べる。
レシピとは、検査に関係する条件等の設定ファイルであり保存する事も可能である。検査時もしくは検査前にレシピを使用して装置設定を行うが、レシピに記載された検査に関係する条件とは、
a)検査対象ダイ
b)ダイ内部検査領域
c)検査アルゴリズム
d)検出条件(検査感度等、欠陥抽出に必要な条件)
e)観察条件(倍率、レンズ電圧、ステージ速度、検査順序等、観察に必要な条件)
などである。c)検査アルゴリズムについては具体的に後述する。
検査は、被検査ウエハに対して図17の様に或る走査幅に細分され走査する。走査幅は、ほぼラインセンサの長さで決まるが、ラインセンサの端部が少し重なる様に設定してある。これは検出した欠陥を最終的に統合処理する場合にライン間の連続性を判断するため、及び、比較検査を行う際に画像アライメントするための余裕を確保するためである。重なり量は2048ドットのラインセンサに対して16ドット程度である。
1.アレイ検査(Cell検査)
2.ランダム検査(Die検査)
の2種類であり、ランダム検査は比較対象により、さらに以下にように区分される。
b)基準ダイ比較法(Die-AnyDie検査)
c)CADデータ比較法(CadData-AnyDie検査)。
アレイ検査は、周期構造の検査に適用される。DRAMセルなどはその一例である。検査は、基準とする参照画像と被検査画像の比較を行い、その差分を欠陥として抽出する。参照画像と被検査画像とは、二値化画像であっても、検出精度を向上させるよう多値画像であっても構わない。参照画像と被検査画像の差分そのものを、検出された欠陥として扱ってよく、更に、検出した差分の差分量や差分のある画素の合計面積などの差分情報を元にして、誤検出を防ぐための2次的な判定を行っても良い。
(2)ランダム検査(Die検査)
ランダム検査は、ダイの構造に制限されず適用できる。検査は、基準となる参照画像と被検査画像の比較を行い、その差分を欠陥として抽出する。参照画像と被検査画像は、二値化画像でも、検出精度を向上するよう多値画像であっても構わない。参照画像と被検査画像の差分そのものを、検出された欠陥として扱ってよく、更に、検出した差分の差分量や差分のある画素の合計面積などの差分情報を元にして、誤検出を防ぐため、2次的な判定を行っても良い。
A.隣接ダイ比較法(Die-Die検査)
参照画像は、被検査画像と隣接したダイである。被検査画像に隣り合った2つのダイと比較して欠陥を判断する。この方法は、図21と図22に示す、画像処理装置のメモリ2201とメモリ2202がカメラ2203からの経路22041に接続するようスイッチ2205、スイッチ2206を設定した状況で、以下のステップa)〜i)を有する。
b)ダイ画像2を経路22041からメモリ2202に格納するステップ。
e)ダイ画像3を経路22041からメモリ2201に格納するステップ。
f)上記e)と同時に経路22042からダイ画像3を取得しながら、取得したダイ画像3と、ダイにおける相対位置が同じであるメモリ2202に格納された画像データとを比較して差分を求めるステップ。
h)上記d)とg)で保存された結果より、ダイ画像2の欠陥を判定するステップ。
i)以下、連続したダイにおいてa)からh)を繰り返すステップ。
オペレータにより基準ダイを指定する。基準ダイはウエハ上に存在するダイもしくは、検査以前に保存してあるダイ画像であり、まず基準ダイを走査もしくは転送して画像をメモリに保存して参照画像とする。以下、この方法で行われるa)〜h)のステップを、図22及び図23を参照しながら説明する。
b)基準ダイが被検査ウエハに存在する場合、画像処理装置のメモリ2201もしくはメモリ2202の少なくとも一方がカメラ2203からの経路22041に接続するようにスイッチ2205、スイッチ2206を設定するステップ。
e)基準ダイが検査以前に保存してあるダイ画像の場合、走査を必要とせず、基準ダイ画像である参照画像を画像処理装置のメモリに転送するステップ。
h)以下、連続して、図24で示すように、基準ダイの走査位置と被検査ダイの同じ部分をウエーハ全体について検査し、ダイ全体を検査するまで基準ダイの走査位置を変更しながら上記d)からg)を繰り返すステップ。
図25に示した半導体製造工程において、CADによる半導体パターン設計工程の出力であるCADデータより参照画像を作成し、基準画像とする。基準画像は、ダイ全体であっても、検査部分を含む部分的な物であっても良い。
a)ラスタデータの多値化機能、
b)上記a)に関して多値化の階調重みやオフセットを、検査装置の感度に鑑みて設定する機能、
c)ベクタデータをラスタデータに変換した後で、膨張、収縮など画素を加工する画像処理を行う機能、
のうちの少なくとも1つの機能を付加してもよい。
a)計算機2209でCADデータをラスタデータに変換し、且つ上記付加機能で参照画像を生成してメモリ2207に保存するステップ、
b)画像処理装置のメモリ2201もしくはメモリ2202の少なくとも一方がメモリ2207からの経路22041に接続するようにスイッチ2205、スイッチ2206を設定するステップ、
c)メモリ2207の参照画像を画像処理装置のメモリに転送するステップ、
d)被検査画像を順次走査して得られる画像と、参照画像が転送されたメモリの画像と、Dieにおける相対位置が同じである画像データとを比較して差分を求めるステップ、
e)上記d)で得られた差分より欠陥を判定するステップ、
f)以下、連続して、図24で示すように、基準ダイの走査位置を参照画像とし被検査ダイの同じ部分をウエハ全体検査し、ダイ全体を検査するまで基準ダイの走査位置を変更しながら上記a)からe)を繰り返すステップ。
フォーカス機能の基本的流れを、図26に示す。まずアライメント動作を含んだウエーハ搬送(ステップ2601)の後、検査に関係する条件等を設定したレシピを作成する(ステップ2602)。このレシピの1つとしてフォーカスマップレシピがあり、ここで設定されたフォーカス情報に従い、オートフォーカス状態で検査動作及びレビュー動作が行われる(ステップ2603)。この後、ウェーハが排出される(ステップ2604)。以下、フォーカスマップレシピの作成手順とオートフォーカスの動作手順とを説明する。
フォーカスマップレシピは、独立的な入力画面を有しており、オペレータは次のa)〜c)のステップを実行してレシピを作成する。
b)フォーカス値を自動測定する場合に必要な、ダイパターンを設定するステップ(なお、このステップはフォーカス値を自動測定しない場合、スキップ出来る)、
c)上記a)で決められたフォーカスマップ座標のベストフォーカス値を設定するステップ。
上記ステップc)において自動的にフォーカス値を求める手順の一例は、
a)図28に示すように、フォーカス位置Z=1の画像を求め、そのコントラストを計算するステップ、
b)上記ステップa)をZ=2、3、4においても行うステップ、
c)上記ステップa)、b)で得られたコントラスト値から回帰させ、コントラスト関数を求めるステップ、
d)コントラスト関数の最大値を与えるZを計算で求め、これをベストフォーカス値とするステップ、
を含む。
画像を取得する検査動作及びレビュー動作時に、フォーカスマップレシピに基づいてベストフォーカスを設定する方法は、次のように行われる。
(1)ウェーハを製造するウェーハ製造工程(又は、ウェーハを準備するウェーハ準備工程)
(2)露光に使用するマスクを製造するマスク製造工程(又は、マスクを準備するマスク準備工程)
(3)ウェーハに必要な加工処理を行うウェーハプロセッシング工程
(4)ウェーハ上に形成されたチップを一個づつ切り出し、動作可能にならしめるチップ組立て工程
(5)完成したチップを検査する検査工程。
上記のそれぞれの主工程は更に幾つかのサブ工程からなっている。
(1)絶縁層となる誘電体薄膜や配線部、或いは電極部を形成する金属薄膜等を形成する薄膜形成工程(CVDやスパッタリング等を用いる)
(2)この薄膜層やウェーハ基板を酸化する酸化工程
(3)薄膜層やウェーハ基板を選択的に加工するためにマスク(レチクル)を用いてレジストパターンを形成するリソグラフィー工程
(4)レジストパターンに従って薄膜層や基板を加工するエッチング工程(例えばドライエッチング技術を用いる)
(5)イオン・不純物注入拡散工程
(6)レジスト剥離工程
(7)加工されたウェーハを検査する工程。
ウェーハプロセッシング工程は必要な層数だけ繰り返され、設計通り動作する半導体デバイスを製造する。
(1)前段の工程で回路パターンが形成されたウェーハ上にレジストをコートするレジスト塗布工程
(2)レジストを露光する工程
(3)露光されたレジストを現像してレジストのパターンを得る現像工程
(4)現像されたレジストパターンを安定化するためのアニール工程。
上記(7)の検査工程に本発明に係る欠陥検査方法を用いると、微細なパターンを有する半導体デバイスでも、スループット良く検査でき、全数検査が可能となり、製品の歩留まりが向上し、欠陥製品の出荷が防止できる。
70、70´:電子光学装置、 701、8110:一次光学系、 702、8130:二次光学系、 703、8140:検出系、 8200:マルチビームの視野、 8203:パターンの特徴点、 8204:特徴的なパターン、 R:特徴的なパターン、 W:ウェーハ、 V:写像投影型における電子光学系の視野
Claims (8)
- 光学顕微鏡によって基板の位置を補正する位置補正ステップと、楕円や矩形等の2次元形状の電子ビームを前記基板に照射する一次光学系及び前記基板から放出された反射ビームを処理する写像投影型の二次光学系を有する電子光学系を用いて前記位置補正ステップの後に前記基板の位置合わせを行う位置合わせステップとを備える基板位置合わせ方法であって、
前記位置補正ステップが、前記基板の被観察点が前記光学顕微鏡の視野内に位置するように前記基板を配置して、前記基板の観察位置を決定するステップを含み、
前記位置合わせステップが、
前記光学顕微鏡と前記電子光学系との位置関係に基づいて、前記基板の被観察点が前記電子光学系の検査視野位置に来るように、前記電子光学系を移動させるステップと、
前記被観察点が前記検査視野内に位置するときの、前記電子光学系の検出倍率を測定するステップと、
測定された前記検出倍率を用いて、前記被観察点の位置ずれの距離を算出するステップと、
算出された前記距離に基づいて、前記基板の位置を補正するステップと、
を含む
ことを特徴とする基板位置合わせ方法。 - 光学顕微鏡によって基板の位置を補正した後に、楕円や矩形等の2次元形状の電子ビームを基板に照射する一次光学系と前記基板から放出された反射ビームを処理する写像投影型の二次光学系とを有する電子光学系を用いて前記基板の検査を行う基板表面検査方法であって、
前記基板の被観察点が前記光学顕微鏡の視野内に位置するように前記基板を配置して、前記基板の観察位置を決定するステップと、
前記光学顕微鏡と前記電子光学系との位置関係に基づいて、前記基板の被観察点が前記電子光学系の検査視野位置に来るように、前記電子光学系を移動させるステップと、
前記被観察点が前記検査視野内に位置するときの、前記電子光学系の検出倍率を測定するステップと、
測定された前記検出倍率を用いて、前記被観察点の位置ずれの距離を算出するステップと、
算出された前記距離に基づいて、前記基板の位置を補正するステップと、
前記基板の位置を補正した後、前記一次光学系から前記基板の表面に向けて前記電子ビームを照射するステップと、
前記基板の表面の情報を得た反射ビームを前記二次光学系により検出するステップと、
検出された前記反射ビームから前記基板の表面の画像を取得するステップと、
取得された前記画像を用いて前記基板の検査を行うステップと、
を含むことを特徴とする基板表面検査方法。 - 光学顕微鏡によって基板の位置を補正した後に、電子ビームを基板に照射する一次光学系と前記基板から放出された反射ビームを処理する写像投影型の二次光学系とを有する電子光学系を用いて前記基板の位置決めを行う基板位置決め方法であって、
(a)前記基板の被観察点が前記光学顕微鏡の視野内に位置するように前記基板を配置して、前記基板の観察位置を決定するステップと、
(b)前記光学顕微鏡と前記電子光学系との位置関係に基づいて、前記基板の1コーナーのダイシングライン若しくは前記基板上の特徴的なパターンが前記電子光学系の視野内に入るように前記電子光学系を移動させるステップと、
(c)前記一次光学系から前記基板上の特徴的なパターンに電子ビームを照射し、前記基板からの反射電子或いは二次電子を前記二次光学系で検出して二次元画像を得るステップと、
(d)前記ステップcで二次元画像を得たときの前記基板の座標(Xc、Yc)を記憶するステップと、
(e)前記電子光学系の視野内で前記基板を一定の距離だけ移動して、前記特徴的なパターンを移動させるステップと、
(f)前記ステップcと同じ操作を行い、前記移動した位置での前記特徴的なパターンの二次元画像を得るステップと、
(g)前記ステップfで二次元画像を得たときの前記基板の座標(Xf、Yf)を記憶するステップと、
(h)前記ステップcで得た二次元画像の一部と前記ステップfで得た二次元画像とをパターンマッチングして、2つの画像のX方向又はY方向の位置のずれ(ΔXピクセル、ΔYピクセル)を算出するステップと、
(i)前記ステップdで記憶した座標(Xc、Yc)と前記ステップgで記憶した座標(Xf、Yf)との差、(XfーXc)又は(YfーYc)を算出するステップと、
(j)ピクセル当たりの寸法、(XfーXc)/ΔX又は(YfーYc)/ΔY又は前記二次光学系の拡大倍率を算出するステップと、
(k)ステップjで算出したピクセル当たりの寸法又は前記拡大倍率を記憶するステップと、
(l)前記のピクセル当たりの寸法又は前記拡大倍率を用いて、前記基板の移動距離を算出し、前記基板のアライメントを行うステップと、
を備えることを特徴とする基板位置決め方法。 - 請求項3に記載の基板位置決め方法であって、前記ステップcにおける前記電子ビームの断面形状は一軸方向に長軸を有する矩形であり、視野内で前記電子ビームの他軸方向に該電子ビームを走査し、該走査に同期して前記二次光学系の光学パラメータを変化させることを特徴とする基板位置決め方法。
- 光学顕微鏡によって基板の位置を補正した後に、電子ビームを基板に照射する一次光学系と前記基板から放出された反射ビームを処理する写像投影型の二次光学系とを有する電子光学系を用いて前記基板の表面の検査を行う基板表面検査方法であって、
(a)前記基板の被観察点が前記光学顕微鏡の視野内に位置するように前記基板を配置して、前記基板の観察位置を決定するステップと、
(b)前記光学顕微鏡と前記電子光学系との位置関係に基づいて、前記基板の1コーナーのダイシングライン若しくは前記基板上の特徴的なパターンが前記電子光学系の視野内に入るように前記電子光学系を移動させるステップと、
(c)前記一次光学系から前記基板上の特徴的なパターンに電子ビームを照射し、前記基板からの反射電子或いは二次電子を前記二次光学系で検出して二次元画像を得るステップと、
(d)前記ステップcで二次元画像を得たときの前記基板の座標(Xc、Yc)を記憶するステップと、
(e)前記電子光学系の視野内で前記基板を一定の距離だけ移動して、前記特徴的なパターンを移動させるステップと、
(f)前記ステップcと同じ操作を行い、前記移動した位置での前記特徴的なパターンの二次元画像を得るステップと、
(g)前記ステップfで二次元画像を得たときの前記基板の座標(Xf、Yf)を記憶するステップと、
(h)前記ステップcで得た二次元画像の一部と前記ステップfで得た二次元画像とをパターンマッチングして、2つの画像のX方向又はY方向の位置のずれ(ΔXピクセル、ΔYピクセル)を算出するステップと、
(i)前記ステップdで記憶した座標(Xc、Yc)と前記ステップgで記憶した座標(Xf、Yf)との差、(XfーXc)又は(YfーYc)を算出するステップと、
(j)ピクセル当たりの寸法、(XfーXc)/ΔX又は(YfーYc)/ΔY又は前記二次光学系の拡大倍率を算出するステップと、
(k)ステップjで算出したピクセル当たりの寸法又は前記拡大倍率を記憶するステップと、
(l)前記のピクセル当たりの寸法又は前記拡大倍率を用いて、前記基板の移動距離を算出し、前記基板のアライメントを行うステップと、
(m)前記一次光学系から電子ビームを前記基板の表面に向けて照射するステップと、
(n)前記基板の表面の情報を得た反射ビームを前記二次光学系により検出するステップと、
(o)前記ステップnで検出された前記反射ビームから前記基板の画像を取得するステップと、
(p)前記ステップoで取得した前記画像を用いて、前記基板の検査を行うステップと、
を備えることを特徴とする基板表面検査方法。 - 請求項1〜5のうちの何れか一つに記載の方法を利用して、プロセス途中の又はプロセス終了後の基板の評価を行うことを特徴とする半導体デバイス製造方法。
- 楕円や矩形等の2次元形状の電子ビームを基板に照射する一次光学系と前記基板から放出された反射ビームを処理する写像投影型の二次光学系とを有する電子光学系において前記基板の位置合わせを行うための基板位置合わせ装置であって、
光学顕微鏡と、
前記基板の被観察点が前記光学顕微鏡の視野内に位置するように前記基板を配置して、前記基板の観察位置を決定する装置と、
前記光学顕微鏡と前記電子光学系との位置関係に基づいて、前記基板の被観察点が前記電子光学系の検査視野位置に来るように、前記基板を移動させる装置と、
前記被観察点が前記検査視野内に位置するときの、前記電子光学系の検出倍率を測定する装置と、
測定された前記検出倍率を用いて、前記被観察点の位置ずれの距離を算出する装置と、
算出された前記距離に基づいて、前記基板の位置を補正する装置と、
を備えることを特徴とする基板位置合わせ装置。 - 楕円や矩形等の2次元形状の電子ビームを基板に照射する一次光学系と前記基板から放出された反射ビームを処理する写像投影型の二次光学系とを有する電子光学系を用いて前記基板の表面の検査を行うための基板表面検査装置であって、
光学顕微鏡と、
前記基板の被観察点が前記光学顕微鏡の視野内に位置するように前記基板を配置して、前記基板の観察位置を決定する装置と、
前記光学顕微鏡と前記電子光学系との位置関係に基づいて、前記基板の被観察点が前記電子光学系の検査視野位置に来るように、前記基板を移動させる装置と、
前記被観察点が前記検査視野内に位置するときの、前記電子光学系の検出倍率を測定する装置と、
測定された前記検出倍率を用いて、前記被観察点の位置ずれの距離を算出する装置と、
算出された前記距離に基づいて、前記基板の位置を補正する装置と、
前記基板の位置が補正された後に前記一次光学系からの電子ビームによって照射された前記基板から放出された、前記基板の表面の情報を得た反射ビームを検出する装置と、
検出された前記反射ビームから前記基板の表面の画像を取得する装置と、
を備えてなり、取得された前記画像を用いて前記基板の表面の検査を行うことを特徴とする基板表面検査装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004046868A JP4642362B2 (ja) | 2003-06-06 | 2004-02-23 | 基板位置合わせ方法、基板表面検査方法、基板位置決め方法、半導体デバイス製造方法、基板位置合わせ装置及び基板表面検査装置 |
US10/855,808 US7248353B2 (en) | 2003-05-30 | 2004-05-28 | Method and apparatus for inspecting samples, and method for manufacturing devices using method and apparatus for inspecting samples |
PCT/JP2004/007351 WO2004109793A1 (ja) | 2003-05-30 | 2004-05-28 | 試料検査装置及び方法並びに該試料検査装置及び方法を用いたデバイス製造方法 |
EP04745387.3A EP1630862B1 (en) | 2003-05-30 | 2004-05-28 | Sample inspection device and method, and device manufacturing method using the sample inspection device and method |
TW093115249A TWI345054B (en) | 2003-05-30 | 2004-05-28 | Specimen inspection device and method, and method for making a semiconductor device using such specimen inspection device and method |
US11/806,722 US7408643B2 (en) | 2003-05-30 | 2007-06-04 | Method and apparatus for inspecting samples, and method for manufacturing devices using method and apparatus for inspecting samples |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003161589 | 2003-06-06 | ||
JP2004046868A JP4642362B2 (ja) | 2003-06-06 | 2004-02-23 | 基板位置合わせ方法、基板表面検査方法、基板位置決め方法、半導体デバイス製造方法、基板位置合わせ装置及び基板表面検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005017270A JP2005017270A (ja) | 2005-01-20 |
JP4642362B2 true JP4642362B2 (ja) | 2011-03-02 |
Family
ID=34196808
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004046868A Expired - Lifetime JP4642362B2 (ja) | 2003-05-30 | 2004-02-23 | 基板位置合わせ方法、基板表面検査方法、基板位置決め方法、半導体デバイス製造方法、基板位置合わせ装置及び基板表面検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4642362B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9390886B2 (en) | 2005-02-17 | 2016-07-12 | Ebara Corporation | Electro-optical inspection apparatus using electron beam |
JP2006226833A (ja) * | 2005-02-17 | 2006-08-31 | Ebara Corp | 欠陥検査装置及び欠陥検査装置を用いたデバイス製造方法 |
JP2010519697A (ja) * | 2007-02-22 | 2010-06-03 | アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド | 高スループットsemツール |
JP2010519698A (ja) * | 2007-02-22 | 2010-06-03 | アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド | 高スループットsemツール |
US7925072B2 (en) * | 2007-03-08 | 2011-04-12 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods for identifying array areas in dies formed on a wafer and methods for setting up such methods |
US20110304527A1 (en) * | 2007-09-14 | 2011-12-15 | Sean Wu | Computer-implemented methods, carrier media, and systems for displaying an image of at least a portion of a wafer |
TWI381200B (zh) * | 2008-11-11 | 2013-01-01 | Au Optronics Suzhou Corp | 對位檢測方法和對位檢測裝置 |
JP2012150065A (ja) * | 2011-01-21 | 2012-08-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 回路パターン検査装置およびその検査方法 |
JP2013224961A (ja) * | 2013-07-12 | 2013-10-31 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体ウェハ検査装置 |
US9110039B2 (en) * | 2013-07-25 | 2015-08-18 | Kla-Tencor Corporation | Auto-focus system and methods for die-to-die inspection |
KR101802431B1 (ko) * | 2017-07-03 | 2017-11-29 | 케이맥(주) | 유기발광소자의 불량 검출 방법 및 장치 |
JP7377655B2 (ja) * | 2019-09-19 | 2023-11-10 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 |
US11244474B1 (en) * | 2020-10-01 | 2022-02-08 | Kla Corporation | Sample positioning system and method |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0375507A (ja) * | 1989-08-17 | 1991-03-29 | Hitachi Ltd | パターン検査方法およびその装置 |
JPH11185688A (ja) * | 1997-12-24 | 1999-07-09 | Fujitsu Ltd | 観察装置及びその倍率調整方法 |
-
2004
- 2004-02-23 JP JP2004046868A patent/JP4642362B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005017270A (ja) | 2005-01-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7408643B2 (en) | Method and apparatus for inspecting samples, and method for manufacturing devices using method and apparatus for inspecting samples | |
US8639463B2 (en) | Electron beam apparatus for inspecting a pattern on a sample using multiple electron beams | |
US7352195B2 (en) | Electron beam apparatus with detailed observation function and sample inspecting and observing method using electron beam apparatus | |
US7157703B2 (en) | Electron beam system | |
US20050194535A1 (en) | Sample surface inspection method and inspection system | |
US8796621B2 (en) | Detector and inspecting apparatus | |
US8035082B2 (en) | Projection electron beam apparatus and defect inspection system using the apparatus | |
US20050205781A1 (en) | Defect inspection apparatus | |
US20100213370A1 (en) | Electron Beam Apparatus | |
JP4642362B2 (ja) | 基板位置合わせ方法、基板表面検査方法、基板位置決め方法、半導体デバイス製造方法、基板位置合わせ装置及び基板表面検査装置 | |
JP4279689B2 (ja) | 電子ビーム装置 | |
JP2005091342A (ja) | 試料欠陥検査装置及び方法並びに該欠陥検査装置及び方法を用いたデバイス製造方法 | |
JP2003173756A (ja) | 電子線装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 | |
JP2005195504A (ja) | 試料の欠陥検査装置 | |
JP2005291833A (ja) | 試料の欠陥検査装置 | |
JP5302934B2 (ja) | 試料表面検査方法および検査装置 | |
JP4384022B2 (ja) | 詳細観察の機能を備えた電子線装置、及びその電子線装置による試料の検査並びに試料観察方法 | |
JP2004095281A (ja) | 電子線装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070123 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090819 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091019 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100311 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100507 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100526 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100726 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100819 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101008 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101108 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101201 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4642362 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |