JP2010519697A - 高スループットｓｅｍツール - Google Patents

高スループットｓｅｍツール Download PDF

Info

Publication number
JP2010519697A
JP2010519697A JP2009550679A JP2009550679A JP2010519697A JP 2010519697 A JP2010519697 A JP 2010519697A JP 2009550679 A JP2009550679 A JP 2009550679A JP 2009550679 A JP2009550679 A JP 2009550679A JP 2010519697 A JP2010519697 A JP 2010519697A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron
electron beam
beams
common
scanning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2009550679A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010519697A5 (ja
Inventor
ギラド アルモジィ，
アヴィシャイ バートヴ，
ユルゲン フロシエン，
パヴェル アダメク，
ヘルムト バンツホフ，
Original Assignee
アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド filed Critical アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド
Publication of JP2010519697A publication Critical patent/JP2010519697A/ja
Publication of JP2010519697A5 publication Critical patent/JP2010519697A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
    • H01J37/05—Electron or ion-optical arrangements for separating electrons or ions according to their energy or mass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
    • H01J37/10—Lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
    • H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/06—Sources
    • H01J2237/063—Electron sources
    • H01J2237/06325—Cold-cathode sources
    • H01J2237/06341—Field emission
    • H01J2237/0635—Multiple source, e.g. comb or array
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
    • H01J2237/1508—Combined electrostatic-electromagnetic means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2449—Detector devices with moving charges in electric or magnetic fields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26—Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28—Scanning microscopes
    • H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
    • H01J2237/2817—Pattern inspection

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

マルチビーム走査式電子ビームデバイスが説明される。カラムを有するマルチビーム走査式電子ビームデバイスは、複数の電子ビームを放出するためのマルチビームエミッタと、複数の電子ビームのうちの少なくとも２つのための共通開口を有し、複数の電子ビームのうちの少なくとも２つに共通に作用するように構成される少なくとも１つの共通電子ビーム光学要素と、複数の電子ビームに個別に作用するための少なくとも１つの個別電子ビーム光学要素と、複数の電子ビームのうちの少なくとも２つを集束するための共通励磁を有し、複数の信号ビームを発生させるために試料上に複数の電子ビームを集束するように構成される複数の電子ビームを集束するための共通対物レンズアセンブリと、各信号ビームを対応する検出要素上で個別に検出するための検出アセンブリとを含む。
【選択図】 図１

Description

発明の分野
[0001]本発明はマルチビーム電子顕微鏡に関し、特に、半導体産業用の高スループットツールに関する。具体的には、本発明は、マルチビーム走査式電子ビームデバイス、マルチビーム走査式電子ビームデバイスを動作させる方法、及びマルチビーム走査式電子ビームデバイスの使用に関する。
発明の背景
[0002]現代の半導体デバイスは、ひとまとまりで設計者の意図された機能性を具体化する約２０〜３０個のパターン層の構成要素である。一般に、設計者はＶＨＤＬのような高レベル動作設計言語（ｂｅｈａｖｉｏｒ ｄｅｓｉｇｎ ｌａｎｇｕａｇｅ）でチップ機能を記述し、次に、一連のＥＤＡツールが高レベル記述をＧＤＳＩＩファイルに変換する。ＧＤＳＩＩファイルは、異なる層のパターンを記述する多角形及び他の形状の幾何学的記述を含む。デバイスを作るのに使用することになる製作プロセスのためのプロセス設計規則を伴うＧＤＳＩＩファイルは、関連した許容範囲でレイアウト上の意図された幾何形状を記述する。
[0003]現代のフォトリソグラフィは、ステッパ波長を１９３ｎｍで保持しながら９０ｎｍから４５ｎｍ及び３２ｎｍに進展させることに関連する課題を含めて幾つかの課題を提示する。これは、意図されたレイアウト幾何形状の、ＧＤＳＩＩファイルのポスト解像度向上技法（ＲＥＴ）バージョンへの更なる変換を必要とする。新しいＧＤＳＩＩファイルには、光近接効果補正（ＯＰＣ）及びマスク技術に関するパターン変更が含まれる。ＯＰＣ補正、マスク作成、及びステッパ条件の複合セットが、意図された幾何形状をウェハ上にプリントするのに必要とされる。
[0004]上記を考慮して、半導体技術は、ナノメートルスケール内で試料を構造化及び探査することへの高い要求を生み出した。マイクロメートル及びナノメートルスケールのプロセス制御、検査、又は構造化は荷電粒子ビームでしばしば行われる。探査又は構造化は、荷電粒子ビームデバイス内で発生及び集束される荷電粒子ビームでしばしば行われる。荷電粒子ビームデバイスの例は、電子顕微鏡、電子ビームパターン発生器、イオン顕微鏡、並びにイオンビームパターン発生器である。荷電粒子ビーム、特に電子ビームは光子ビームと比較して優れた空間解像度を提供するが、それは、同等の粒子エネルギーにおいて波長が短いためである。
[0005]半導体製造では、スループットが、幾何形状全体を走査するためのツールにおいて深刻な制約となることがある。１ｎｍのＣＤ−ＳＥＭ解像度を仮定すると、１０ｍｍ２のダイは１０１４個のピクセルを含む。したがって、レイアウト全体をカバーするために、並列アーキテクチャが要望される。
[0006]高速のウェハ検査で使用することができるマルチ電子ビーム用の電子ビームシステムは、一般に、数センチメートルの範囲内の間隔を有する従来の単一ビームカラムのアレイによるか、又はビームのアレイを備えた単一カラムにより実現される。後者の場合では、ビームアレイは１０μｍ〜１００μｍの範囲の比較的小さい電子ビーム間隔を有する。その結果、数百又は更に数千など多数のビームを使用することができる。しかし、ビームを個別に補正するのは困難である。
[0007]チップ層の幾何形状全体を解像度及び所望の信号対雑音比（ＳＮＲ）内で走査するのに電子ビーム光学系を利用し、それにより設計用ＧＤＳＩＩファイル、すなわちオリジナルのＧＤＳＩＩファイルに対してウェハパターン幾何形状の抽出及び検査を行えるようにするツールを提供するために、改善された異なるシステム設計が考慮されなければならない。
概要
[0008]上記に照らして、独立請求項１によるマルチビーム走査式電子顕微鏡、並びに独立請求項１２及び１３によるマルチビーム走査式電子ビームデバイスを動作させる方法が提供される。一実施形態によれば、マルチビーム走査式電子ビームデバイスが提供される。カラムを有するマルチビーム走査式電子ビームデバイスは、複数の電子ビームを放出するためのマルチビームエミッタと、複数の電子ビームのうちの少なくとも２つのための共通開口を有し、複数の電子ビームのうちの少なくとも２つに共通に作用するように構成される少なくとも１つの共通電子ビーム光学要素と、複数の電子ビームに個別に作用するための少なくとも１つの個別電子ビーム光学要素と、複数の電子ビームのうちの少なくとも２つを集束するための共通励磁を有し、複数の信号ビームを発生させるために試料上に複数の電子ビームを集束するように構成される、複数の電子ビームを集束するための共通対物レンズアセンブリと、各信号ビームを対応する検出要素上で個別に検出するための検出アセンブリとを含む。
[0009]本明細書で説明する実施形態と組み合わすことができる更なる利点、特徴、態様、及び詳細は、従属請求項、説明、及び図から明らかである。
[0010]別の実施形態によれば、２つ以上のダイを含むウェハの画像を発生するためのマルチビーム走査式電子ビームデバイスを動作させる方法が提供される。この方法は、２つ以上のダイのうちの第１のダイの第１の領域を走査して第１の領域の画像を発生するステップと、２つ以上のダイのうちの第２のダイの第２の領域を走査して第２の領域の画像を発生するステップと、第１の領域の画像と第２の領域の画像とを仮想ダイの画像に組み合わせるステップとを含む。
[0011]更なる別の実施形態によれば、少なくとも１つのダイを含むウェハの画像を発生するために少なくとも第１及び第２の電子ビームを有するマルチビーム走査式電子ビームデバイスを動作させる方法が提供される。この方法は、第１の電子ビームの第１の電子ビーム電流でダイの非オーバーラップの第１の領域を走査して第１の領域の画像を発生するステップと、第２の電子ビームの第２の電子ビーム電流でダイの非オーバーラップの第２の領域を走査して第１の領域の画像を発生するステップと、第１の電子ビームの走査区域と第２の電子ビームの走査区域との間のオーバーラップ領域を走査するステップであり、第１のビームが第１の電子ビーム電流よりも小さい電子ビーム電流を有する第１のオーバーラップ依存性ビーム電流関数を有し、第２のビームが第２の電子ビーム電流よりも小さい電子ビーム電流を有する第２のオーバーラップ依存性ビーム電流関数を有するステップと、を含む。
[0012]実施形態は、更に、開示した方法を実行し、開示した各方法ステップを実行するための装置部分を含む装置を対象とする。これらの方法ステップは、ハードウェア構成要素によって、適切なソフトウェアによりプログラムされたコンピュータによって、これらの２つの任意の組合せによって、又は他の方法で実行することができる。更に、本発明による実施形態は、説明した装置が動作する方法も対象とする。この方法は装置の全ての機能を実行するための方法ステップを含む。
[0013]本発明の上記の特徴を詳細に理解することができるように、上記で簡潔に要約した本発明のより詳細な説明が実施形態を参照して行われる。添付の図は本発明の実施形態に関連し、以下で説明される。
本明細書で説明する実施形態によるマルチビーム走査式電子ビームデバイスの概略図である。 本明細書で説明する実施形態によるマルチビーム走査式電子ビームデバイス用の色消しビームセパレータの概略図である。 本明細書で説明する実施形態によるマルチビーム走査式電子ビームデバイス用の色消しビームセパレータの別の概略図である。 本明細書で説明する実施形態による色消しビームセパレータ及びそれの軸外れ補正の概略拡大図である。 本明細書で説明する実施形態による色消しビームセパレータ及びそれの更なる軸外れ補正の概略拡大図である。 本明細書で説明する実施形態による色消しビームセパレータに対するモデルシミュレーションの結果を示す図である。 本明細書で説明する実施形態による色消しビームセパレータに対するモデルシミュレーションの結果を示す図である。 本明細書で説明する実施形態による色消しビームセパレータに対するモデルシミュレーションの結果を示す図である。 本明細書で説明する実施形態による色消しビームセパレータに対するモデルシミュレーションの結果を示す図である。 本明細書で説明する実施形態による色消しビームセパレータに対するモデルシミュレーションの結果を示す図である。 本明細書で説明する実施形態によるマルチビーム走査式電子ビームデバイス用の検出方式の概略図である。 本明細書で説明する実施形態によるマルチビーム走査式電子ビームデバイスで使用することができる走査方式を示す図である。 本明細書で説明する実施形態によるマルチビーム走査式電子ビームデバイスで使用することができる走査方式を示す図である。 本明細書で説明する実施形態によるマルチビーム走査式電子ビームデバイスで使用することができる更なる走査方式を示す図である。 本明細書で説明する実施形態による更なるマルチビーム走査式電子ビームデバイスの概略図である。 本明細書で説明する実施形態による更なるマルチビーム走査式電子ビームデバイスの概略図である。 本明細書で説明する実施形態による更なるマルチビーム走査式電子ビームデバイスの概略図である。 本明細書で説明する実施形態による更なるマルチビーム走査式電子ビームデバイスの概略図である。 本明細書で説明する実施形態によるマルチビーム走査式電子ビームデバイスで使用可能なマルチビームエミッタの概略図である。 本明細書で説明する実施形態によるマルチビーム走査式電子ビームデバイスで使用可能なマルチビームエミッタの概略図である。 本明細書で説明する実施形態によるマルチビーム走査式電子ビームデバイスで使用可能なマルチビームエミッタの概略図である。 本明細書で説明する実施形態による更なるマルチビーム走査式電子ビームデバイスの一次ビーム経路の概略図である。
発明の詳細な説明
[0014]次に、それらの１つ又は複数の実施例が図に示される、本発明の様々な実施形態を詳細に参照する。各実施例は本発明の説明として提供され、本発明を限定するものではない。例えば、一実施形態の一部として図示又は説明された特徴は、他の実施形態で又は他の実施形態と共に使用して更なる実施形態をもたらすことができる。本発明はそのような変形及び変更を含むものとする。
[0015]本出願の保護の範囲を限定することなく、以下では、荷電粒子ビームデバイス又はそれの構成要素は、例示的には、二次電子の検出を含む荷電粒子ビームデバイスと呼ばれる。本発明は、更に、試料画像を得るために二次及び／又は後方散乱荷電粒子などの微粒子を電子若しくはイオン、光子、Ｘ線、又は他の信号の形態で検出する装置及び構成要素に適用することができる。
[0016]一般に、微粒子を参照するとき、微粒子が光子である場合には光信号として、並びに微粒子がイオン、原子、電子、又は他の粒子である場合には粒子として理解されるべきである。
[0017]図の以下の説明において、同じ参照番号は同じ構成要素を指す。全般的に、個々の実施形態に関する差異だけを説明する。
[0018]本明細書で参照されるような「試料」には、限定はしないが、半導体ウェハ、半導体加工物、及びメモリディスクなどの他の加工物が含まれる。本発明の実施形態は、その上に材料が堆積されるか、検査されるか、又は構造化される任意の加工物に適用することができる。試料は、構造化されるか又は層が堆積される表面、縁部、及び典型的には斜面を含む。
[0019]参照しやすくするために、本明細書で使用される「共通」という用語は、全般的に、マルチビームシステムにおいて２つ以上のビーム、例えば全てのビームに共通に作用する要素を指すものとして理解される。本明細書で使用される「個別の」という用語は、全般的に、独立に個別のビームを制御し、それを変形し、それに作用することなどができるように個別のビームだけに作用する要素を指すものとして理解される。
[0020]本明細書で説明する実施形態によれば、同じダイ又は隣接するダイの同時検査を可能にするために、更なる制限なしに二次ビーム（信号ビーム）間の分離を可能にし、個別ビーム補正並びに共通ビーム補正、偏向、調整及び／又は集束を可能にし、更に／又はビームアレイのサイズが少数のダイ、例えば１つ、２つ、又は３つのダイよりも大きくならないようにするビーム間隔を持つマルチビームシステムが提供される。それに関して、典型的な実施形態によれば、特に、高スループットマルチビームＣＤ−ＳＥＭツールを提供することができる。
[0021]マルチビーム走査式電子顕微鏡はマルチビームエミッタ１１０を含む。図１に示されるように、マルチビームエミッタ１１０のエミッタ先端部１０２は破線によって示されるような電子ビームを放出する。マルチ電子エミッタ１０６の絞り板１０６は電子ビーム１２、１３、及び１４をそれぞれ発生する。本明細書で説明する実施形態は３つの電子ビームのラインに限定されない。更なる実施形態によれば、２本から１０本若しくは更に２０本まで又はそれ以上の電子ビームのライン、並びにアレイの１次元に２本から１０本若しくは更に２０本まで又はそれ以上の電子ビームを有するアレイを実現することができる。
[0022]マルチビーム走査式電子ビームデバイス１００は共通電子ビーム光学系１２０を含む。共通電子ビーム光学要素は、１つを超える電子ビーム、例えば全ての電子ビーム（例えば図１の電子ビーム１２、１３、及び１４）に同時に作動する。共通電子ビーム光学系は、コンデンサレンズ（例えば図１の１２０を参照）、アライメント偏向器、界非点補正装置（ｆｉｅｌｄ ｓｔｉｇｍａｔｏｒ）、及び走査偏向器からなる群から選択することができる。更なる例として、共通電子ビーム光学系は、電子ビームのライン又はアレイを回転させるための回転レンズとすることができる。それによって、典型的な実施例として、２つ以上の電子ビームが、共通電子ビーム光学要素の同じ開口、例えばマルチビームエミッタ１１０に示されるコンデンサレンズ１２０にビームを入り込ませるための同じ開口を通過することができる。
[0023]更に、マルチビーム走査式電子ビームデバイス１００は個別ビーム光学系１４０を含み、個別ビーム光学系１４０は、走査偏向器、非点補正装置、及び電子ビームの個別の焦点を調整するための個別の焦点調整ユニット又は個別の集束ユニットからなる群から選択することができる。
[0024]追加又は代替の実施例によれば、個別電子ビーム光学系は、個別のビームアライメント、ビーム走査、レンズアライメント、非点補正、及び個別集束の調整のためのプレレンズ八重極システムとすることができる。
[0025]本明細書で説明する実施形態によれば、マルチビーム走査式電子ビームデバイス１００には、対物レンズであり、電子ビームのライン又はアレイを同時に集束する共通レンズアセンブリ１５０が更に含まれる。共通対物レンズアセンブリ１５０は、静電式、磁気式、又は静電−磁気式の組合せとすることができる。
[0026]対物レンズアセンブリの更なる追加又は代替の実施例によれば、アレイレンズは、一般に加速モードの静電レンズアレイ、磁気レンズアレイ、又は組合せ静電−磁気レンズアレイとすることができる。本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができる更なる実施形態によれば、少なくとも走査要素が対物レンズアセンブリの前方焦点面の近くにある場合、テレセントリシティを改善することができる。
[0027]しかし、更に、マルチビーム走査式電子ビームデバイスは、個別のビームごとに対応する検出要素を持つ検出アセンブリ１７０を含む。したがって、図１に示されるように、それぞれ電子ビーム１２、１３、及び１４の各々について二次及び／又は後方散乱粒子を検出するための１つの検出要素がある。
[0028]図１は、マルチビーム高スループットツールの実施例を示す。マルチビーム走査式電子ビームデバイス１００の特徴には、高電流高解像度ＳＥＭ、分離されたビームの観点から電子−電子相互作用が無いこと、個別の走査、個別のビームに対する精密な焦点及び非点補正、焦点面の前のスキャナの位置の観点からの高いテレセントリシティ、例えば、接地電位のエレクトロニクス及び検出器、ビームごとの別個の検出要素、例えば後続の電子増倍管を持つシンチレータファイバ検出、及び４×４アレイから始めて１０×１０アレイ以上までの拡張性を含めることができる。
[0029]従来、著しい制限を有することなく二次ビーム間を分離できるようにするビーム間隔を有し、同時に、アレイが同じダイ又は隣接するダイの同時検査のために１つ、２つ又は３つのダイよりも大きくならないようなビーム間隔を有するシステムは強調されてこなかった。本明細書で説明する実施形態によれば、マルチビーム走査式電子ビームデバイスは、ビームのライン又はビームのアレイの２つの隣接するビーム間の典型的な距離を０．５ｍｍから５ｍｍ、典型的には１．５ｍｍから３．５ｍｍ、例えば２ｍｍから３ｍｍの範囲に設けて有することができる。したがって、本明細書で説明する実施形態は、共通電子ビーム光学系、個別電子ビーム光学系、共通対物レンズシステム、及び個別の検出を含むことができ、例えば、更に、検出されるべきビーム間の分離を改善された方法で行うことができる。
[0030]本明細書で説明する幾つかの実施形態によれば、例えば図１に示されるように、マルチビーム走査式電子ビームデバイス１００は、単一のエミッタ先端部１０２、電子ビームを抽出、加速及び／又は整形するための１つ又は複数の要素、及び個別の電子ビームを発生するためのグリッド絞り１０６を含むマルチビームエミッタ１１０を有することができる。それによって、マルチビームエミッタのエミッタ先端部１０２は１つのビームを放出し、１つのビームはマルチビームエミッタ１１０の絞り１０６によって複数のビームに分離される。他の実施形態によれば、電子ビームごとに個別エミッタを持つエミッタアレイを使用することができる。更なる他の実施形態によれば、１つのエミッタ先端部の放出が整形及び形成されて、平行に及び補正されたビームとして出て行くスポットグリッドアレイを使用することもできる。それによって、ビームを整形及び／又は集束するために、１つのグリッド絞りアレイ又は２つ以上のグリッド絞りアレイを１つ又は複数の電位で使用することができる。したがって、１つのエミッタの放出はカラム内で複数の供給源となることができる。このようにして、後続の光学要素によって、又は後続の光学要素と組み合わせて、試料における複数のビームが複数の供給源によって発生されたように見える。一方では、上記に照らして、複数のビームを発生するのに２つ以上のエミッタを使用することができる。他方では、１つのエミッタを使用することができる。それによって、１つの供給源又は２つ以上の供給源を１つのエミッタによって設けることができる。
[0031]更なる実施形態によれば、マルチビームエミッタ、すなわち銃コンデンサ区域を以下のように設けることができる。一実施形態によれば、単一のエミッタ電子銃、典型的にはＴＦＥ供給源を使用することができる。マルチビームを発生するための絞りアレイは、できるだけ早く個別の電子ビームを発生するためにカラムの上部に含むことができる。それによって、全ビーム電流をできるだけ早く低減して、電子−電子相互作用を回避することができる。したがって、電流全体が、共通ビームからビームレットを発生することによってカラム内で可能な限り早く低減される。更なる実施形態によれば、仮想供給源のｚ位置（ｚは光軸を示す）の調整及び／又は絞りアレイの対物レンズアレイとの整合のためのコンデンサを含むことができる。更なる代替又は追加の変形例によれば、個別ビーム発生のための絞りを対物レンズアレイに位置合わせするために、絞りアレイ用のＸ−Ｙステージを設けることができる。典型的には、例えば、電磁気アライメントを有することが可能である。更なる追加又は代替の変形例によれば、機械式絞りステージを回転することができ、又は絞りを対物レンズアレイに回転調整するための軸方向磁界を設けることができる。
[0032]本明細書で説明する実施形態のいずれとも組み合わせることができる更なる他の実施形態によれば、静電偏向要素１３２及び磁気偏向要素１３４を有する共通色消し偏向器１３０又は共通色消しビームセパレータ１３０を設けることができる。図１において、磁気偏向要素を示すために磁界だけが示されている。色消し偏向器１３０は、以下の図２Ａ及び図２Ｂに関してより詳細に説明される。色消し偏向器１３０は、それぞれ一次電子ビーム１２、１３、及び１４（図１における）を偏向し、一次電子ビーム１２、１３、及び１４を二次電子ビーム、すなわち信号ビーム１２’、１３’、及び１４’から分離する。二重集束ベンダ１６０は更なるビーム分離を行う。二重集束ベンダに関連する更なる実施形態の詳細は以下の図４に関して説明される。
[0033]図２Ａは、色消しセパレータの拡大図を示す。最新技術の電子ビームデバイスは、ほとんどの場合、一次ビームと二次ビームとをビーム分離するために磁気偏向器又はウィーンフィルタを使用する。それによって、ｚ軸（光軸）に垂直である、実質的に垂直な静電界及び磁界が使用される。電子に作用する力は、クーロン力の
Ｆｅ＝ｑ・Ｅ （１）
[0034]及びローレンツ力の
Ｆｍ＝ｑ・（ｖ×Ｂ） （２）
によって与えられる。
[0035]共に長さｌの電界及び磁界中での電子の偏向角は以下の式で記述することができる。
θ＝ｑｌ（ｖＢ−Ｅ）／（ｍｖ２） （３）
[0036]図２Ａは、色消しベンダ又は色消しビームスプリッタ１３０の一実施形態を示す。図中に、コイル巻線１６３及び板形状の電極１６５が示されている。コイル１６３は磁界３１を発生する。磁界は電子ビーム１７０に対して磁気力３２を発生する。磁気力は式（２）に従って発生される。磁界３１に対して実質的に垂直に、電界が電極１６５間で発生される。その結果、電気力３３が発生され、それは磁気力と実質的に反対方向である。
[0037]図２Ａに示された実施形態は垂直で均一な磁界及び電界を発生する。図２Ａにおいて、電子が色消し偏向器に入ると、電子ビーム経路１７０は軸１４２に対してわずかに傾けられる。電子は色消し偏向器内で偏向され、色消し偏向器に入り込んだ後、本質的に軸１４４に沿って移動する。これは、式（３）の微分を考慮に入れて理解することができ、すなわち
ｄθ／ｄｖ＝−（ｑｌＢ／ｍｖ２）（１−２Ｅ／ｖＢ） （４）
である。
[0038]磁気力が電気力の２倍に等しいという条件が満たされる場合、偏向角は電子の速度に無関係である。図２Ａにおいて、これは、矢印３２及び３３を示す力の長さによって示される。
[0039]本明細書で説明する実施形態では、色消し偏向器１６２は少なくとも以下の機構のうちの１つによって説明することができる。一実施形態によれば、２０から８０アンペアターン（Ａｔｕｒｎ）、例えば、４０Ａｔｕｒｎを設けることができる。更なる実施形態によれば、約１０から４００のコイル巻線を設けることができる。しかし、別の実施形態によれば、５０から５００のコイル巻線を設けることができる。それにもかかわらず、更により多くのコイル巻線、例えば数千までを設けることが可能である場合がある。
[0040]更なる実施形態によれば、色消し偏向角は０．３°と７°との間とすることができる。別の更なる実施形態によれば、偏向角は１°と３°との間である。
[0041]図２Ａに示された色消しビーム偏向器又はビームスプリッタは本発明に従って使用することができる。それに関して、上述のように、静電偏向は、
Figure 2010519697
によって与えられる。
[0042]更に、磁気偏向は、
Figure 2010519697
によって与えられる。
[0043]上述のように、磁気偏向が静電偏向の−２倍に等しい場合、色収差（分散）なしの偏向を実現することができる。
[0044]図２Ｂに関して示される本明細書で説明する幾つかの実施形態によれば、実質的に純粋な二重極場（ｄｉｐｏｌｅ ｆｉｅｌｄ）を含むシステムを使用することができる。図２Ｂは、８個の電極及び磁極片を有するシステムを示す。コア５６４は絶縁体５６３を介してハウジング５６６に接続される。コアを励磁し、それによって磁極片を励磁するためのコイルがコア５６４のまわりに巻きつけられる。コアの他端には、電極−磁極片５６７／８が設けられる。例えば、図２Ａに示されるような偏向ユニットを使用する実施形態によれば、磁界と電界がほぼ同じになるように漏れ界を設けることができ、非常に純粋な二重極場を発生することができる。しかし、８個のコイル及び８個の電極を含むシステムはより多くの電流源及び電圧源を必要とし、それにより、コストが増大する。その結果、各々２つの極を有する最適化したシステム（電気及び磁気）を本明細書で説明する実施形態で一般に使用することができる。
[0045]全般的に、本明細書で説明する実施形態は、高スループット、高解像度の画像化システムに関する。画像化システム（マルチビーム走査式電子ビームデバイス）は、低い球面収差及び色収差を持つ高性能対物レンズアレイを備えたマルチビームシステムと、一次電子ビームと二次電子ビームとを分離するための低収差ビームセパレータと、マルチチャネル信号検出とを含むことができる。
[0046]図２Ｃに示されるように、幾つかの実施形態によれば、電子ビームが互いに平行に共通色消しビームセパレータに入らない場合、上述の色消し条件が全ての電子ビームに対して満たされないことがある。図２Ｃは、静電偏向要素１３２及び磁気偏向要素１３４を有する色消しビームセパレータ１３０に入る３つの電子ビームを示す。それに関して、中央ビームは上述の色消し条件を満たすように示されている。しかし、他の２つの電子ビームは、中央の電子ビームと異なり、対物レンズアセンブリ１５０の光軸２、並びにそれぞれ傾斜した軸４及び４’に関して示される傾斜角を有する。したがって、非平行の電子ビームについては、色消しビームセパレータは電子ビームの全てに対して完全には色消しでないので、低い収差ビームセパレータとして示されることがある。
[0047]幾つかの実施形態によれば、図２Ｃに示されるように、個別電子ビーム光学系１４０は四重極要素などの形態で設けることができる。それによって、色消しで偏向された中央の電子ビームと平行ではないそれぞれ左側の電子ビーム及び右側の電子ビームの軸４及び４’によって示されたビーム傾斜は、個別電子ビーム光学系１４０に導入することができる。それによって、対物レンズへの垂直ランディング（ｖｅｒｔｉｃａｌ ｌａｎｄｉｎｇ）とアライメントのために導入されるビーム傾斜−αｔｉｌｔ及びαｔｉｌｔを導入することができる。したがって、個別の電子ビームは、軸外れ電子ビームを補償した後で平行に対物レンズアセンブリ１５０を通過する。
[0048]更なる実施形態によれば、図２Ｄに示されるように、静電偏向要素１３２’及び磁気偏向要素１３４’を有する色消しビームセパレータ１３０’は、中心軸上で色消しビームセパレータ１３０’を通過しない電子ビームの色消しビーム偏向を調整する四重極要素によって設けられる重畳四重極場によって補償することができる。図２Ｂに関して示されたように、色消しビーム偏向器は八重極要素によって実現することができる。この八重極要素は、軸から外れて色消しビームセパレータを通過する電子ビームに対してビーム偏向を調整することができる。それによって、図２Ｄに示されるように、電子ビームは色消しビームセパレータを平行に出て行き、要素１４０などのビーム傾斜偏向器の分散を回避することができる。
[0049]幾つかの実施形態によれば、マルチビーム走査式電子顕微鏡は共通ビームベンダ（例えば図１の１６０を参照）を有することができ、共通ビームベンダはそれを通して入り込む幾つかの電子ビームを有するように構成される。一次ビームが試料上に集束された後、一次荷電粒子のビームは試料と異なる相互作用を受けて二次粒子をもたらすが、「二次粒子」という用語は試料から出てくる全ての粒子を含むものと理解されるべきである。偏向器１３０を通り抜け、例えば偏向器１３０の方に加速される二次粒子ビーム（例えば図１の１２’、１３’、及び１４’を参照）はビームベンダ１６０の方に偏向される。
[0050]一般に、本明細書で開示する実施形態と組み合わせることができる曲げセクタなどのビームベンダは、静電式、磁気式、又は静電−磁気式の組合せとすることができる。静電曲げセクタで必要とされる空間は、磁気部品を含むセクタで必要とされる空間よりも小さいので、一般に、静電セクタが使用される。静電曲げセクタは、円形に整形される２つの電極とすることができる。このセクタは、電子ビームを曲げるために機能する負に帯電する電極と正に帯電する電極とを有することができる。それによって、電子ビームは１次元で集束され、その上、高エネルギーで保持されて、高速検出に影響を及ぼすことがある飛行時間効果が避けられる。２次元での集束は、四重極要素内で、静電側板又はシリンダレンズによって行うことができる。それによって、二重集束ベンダを、例えば二重集束セクタユニットの形態で設けることができる。
[0051]それによって、二次荷電粒子のビームは一次荷電粒子のビームに対して約９０°だけ偏向することができる。しかしながら、３０°と１１０°との間、典型的には４５°と９５°との間、又は６０°と８５°との間の他の値も可能である。偏向に加えて、既に上述したように、ビームは集束もされる。曲げセクタを適用する１つの利点は、二次荷電粒子のビームが、一次荷電粒子ビームの直ぐ近くから離れた所に誘導されることである。したがって、一次荷電粒子ビームの近くの限定された空間に解析ツールを備えつける必要がなく、更に、一次荷電粒子ビームとの望ましくない相互作用をもたらすことなく、解析ツールを荷電粒子ビームデバイスに適用することができる。
[0052]追加の側板を随意に設けることができる電極の代わりに、曲げセクタは半球セクタとすることができる。半球セクタはビームの２次元集束を可能にする。したがって、追加の集束ユニットを二重集束セクタユニットでは必要とされない。一般に、静電ビーム曲げセクタは円筒又は半球とすることができる。円筒タイプには、ビームが曲げられるとき二次電子が一方の面には集束されるが他方の面には集束されないという難点がある。半球曲げセクタは両方の面に二次ビームを集束する。バイアスされた側板と共に円筒セクタを使用して横断面への集束を達成し、半球セクタと同様の集束特性をもたらすことができる。
[0053]本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることが可能な実施形態として使用することもできる色消しビーム分離又はビーム偏向器は以下のように説明することができる。３６ｍｍの内径及び２ｍｍ×２ｍｍのＸ断面、並びに４０アンペアターンを有するサドルコイルは、約３０ｍｍの長さを更に有することができる。６０°の角度のサドルコイルは六重極成分を縮小するか回避することができる。更に、代替として、４２°及び７８°の角度のコイルを組み合わせると六重極成分及び十重極成分を縮小するか回避することができる。静電偏向器、すなわち図２Ｂに示された電極は、１６ｍｍの内径及び３０ｍｍの長さの光学的幾何形状を有することができる。更に、カラム電圧上にフロートする±５００Ｖの偏向電圧（静的な）を供給することができる。図２Ｂに関して説明したように、ｘ，ｙ，＝０．７０７１・Ｘ，Ｙ，である場合、六重極成分及び十重極成分を縮小するか回避することができる。このモデルでは、カラム電圧は９．５ｋｅＶで与えられ、この電圧は、カラム内でビームブーストを行うために増大した電位（例えば５倍、１０倍、又は２０倍にも増大）に設定することができ、ランディングエネルギーはそれぞれ５００ｅＶ又は１ｋｅＶである。
[0054]図３Ａは、ビームセパレータのシミュレーション結果を示す。偏向は若干の非点収差を引き起こしている。しかしながら、非点収差は十分に小さいので補正できる。補正された非点収差が図３Ｂに示される。それによって、スポット直径は図３Ａの２４ｎｍから図３Ｂの約１ｎｍまで減少することができる。図３Ｃ及び図３Ｄは、上述した色消しビームセパレータ又は色消しビーム偏向器が付加的な色収差を導入しないことを更に示している。それによって、図３Ｃはビームセパレータがない場合のスポットを示し、図３Ｄはビームセパレータがある場合のスポットを示す。図３Ｃ及び図３Ｄでは、実質的な差異は分からない。図３Ｅは、大きいビームＸ断面を示し、６０°サドルコイルを備えるビームセパレータの更なるシミュレーションを示す。図３Ｅで分かるように、著しい付加的収差、例えば「六重極」コマは導入されていない。したがって、大きい直径を持つ６０°サドルコイルは、本明細書で説明したような色消し又は低い収差のビームセパレータの実施形態には十分であると考えることができる。
[0055]シミュレーションによって示すことができるように、色消しビーム偏向器は、更に、試料上へのランディングエネルギーのエネルギー変化にさほど敏感でない。したがって、エネルギーの変化に対する許容範囲は、偏向が小さいほど緩和することができる。偏向器は、小さいエネルギー変化の場合、再調整する必要はない。
[0056]次に、例えば分光計を含むことができる検出に関する更なる代替又は追加の実施例を説明する。それによって、図４が部分的に参照される。一般に、色消しビームセパレータは、一次電子ビームに対して色消しであると見なすことができるが、二次信号ビームに対して分散を導入することがある。より容易に理解できるように、図４は１つの一次ビーム及び１つの信号ビームだけを示す。しかしながら、同じ原理を複数の信号ビームに使用することができる。
[0057]色消しビーム偏向器は一次ビームから信号ビームを分離し、３つの異なるビームによって示されるような分散を導入する。ビームベンダに入り込んだ後、例えば、セクタの形態において、分散は、参照番号４７４によって示された分散画像の平面で見られる。レンズ４７２は、異なる信号ビームエネルギーに対応する異なる仮想画像をサブ検出要素４７１上に画像化する。それによって、エネルギーフィルタ処理を実現することができる。
[0058]中央ビームのビーム光線が図４に示される。見て分かるように、曲げセクタ１６０の直後に交差がある。一般に、他の実施形態によれば、サブ検出要素は、ベンダ１６０の直後、典型的には異なる信号エネルギーを有する異なる信号ビームの焦点に位置決めすることもできる。しかしながら、レンズ４７２はエネルギー広がりの画像化及び拡大を可能にする。したがって、異なるΔＥチャネルの速くて並列の検出を実現することができる。例えば、これは、例えばドーパントプロファイル用の元素マッピング又は電位マッピングに使用することができる。
[0059]マルチビームシステムが使用される場合、図４に示されたサブ検出要素４７１に隣接して更なるサブ検出要素アレイを設けることができる。
[0060]他の実施形態によれば、本明細書で説明する実施形態によるマルチビーム走査式電子システム、及びマルチビーム走査式電子システムを走査する方法が提供される。一般に、走査電子ビームの２Ｄアレイが供給されるので、典型的には、各電子ビームは単一ビームデバイス、例えばＣＤ−ＳＥＭと同様の解像度性能を有する。アレイでは、各ビームは数平方ミクロンを走査し、全スループットは、単一ビームスループットにビームの数を乗じたものである。
[0061]一般に、検査されるべきウェハはツール内でＸＹステージ上に位置決めされる。本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形によれば、走査はステップアンドスキャン方式で行われる。それによって、走査中にステージは移動されず、電流フレーム走査が完了するまで待機する。フレームの走査が終了すると、ステージは次のフレーム場所に進む。
[0062]マルチビーム走査式電子ビームデバイスの１つの主要な問題はそのような高スループットシステム内のビームオーバーラップであるが、それは、表面の重要部分が２つのビーム内に存在することがあるからである。それによって、２つの隣接するビームの走査区域のオーバーラップが設けられる。特に、このオーバーラップ領域の走査が短期間内に行われる場合、オーバーラップ領域は、異なる帯電領域を起こすので、このオーバーラップは電子ビーム画像化にとって一般に問題である。
[0063]互いに組み合わせることができる異なる実施形態によれば、改善された走査が提供される。一つの代替例によれば、組み合わせられた走査を提供することができる。一般に、製造性考慮設計（ＤＦＭ）のダイからデータベースへの走査では、系統的な欠陥が検出されるべきである。したがって、本明細書で説明する幾つかの実施形態によれば、仮想ダイ画像から検査結果を推定することが可能である。それによって、仮想ダイ画像は幾つかの物理的ダイの一部を含むことができる。仮想ダイ画像は、アレイ上でのビーム間のオーバーラップを必要としない方法で、特に、前もって電荷を低下させるのに十分である時間内になくても、構築することができる。第１のオプションは矩形走査スキームであり、４つの異なるダイの一部を走査して１つの仮想ダイ画像を発生する。図５Ａに示されるように、部分１、２、３、及び４の各々は、２つ以上（４つまで）の物理的ダイの一部である。これらの画像を組み合わせて、検査目的に使用される仮想ダイ５０４画像を形成する。
[0064]図５Ｂは六角形走査スキームを示し、それは、検査目的に使用することができる仮想ダイ画像を形成するために異なるダイの３つの異なる部分５０２の走査を含む。図５Ｂに示されたオーバーラップ５０３は悪影響を及ぼさないが、それは、それぞれの試料領域の電荷が十分に消滅した後で、物理的に隣接する領域の走査を行うことができるからである。
[0065]別の実施形態によれば、図６に示すように、台形の電流プロファイルを個別の電子ビームのビーム電流に使用することができる。それによって、更に、単一のダイを走査することができる。オーバーラップしない領域６０２の電流密度と等しいオーバーラップ領域６０４の全電流密度を保証することになる走査方式によってビームオーバーレイ効果を著しく弱めることができると考えられる。例として、ビームが規則的な矩形グリッドに配置され、散乱振幅がグリッドの周期性よりも大きい場合、オーバーラップが生成される。
[0066]本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、オーバーラップ領域６０４は以下のように走査される。Ｘ方向として示される走査方向では、電流プロファイルは台形であり、台形の頂上（６０２）は単一ビーム領域６０２に対応し、それぞれの電子ビームのビーム電流はオーバーラップ領域６０４に沿って直線的に減少する。それによって、単一ビームだけが使用される場合、オーバーラップ領域６０４の全電流は台形の頂上領域の電流に等しい。
[0067]更に、Ｙ軸について、Ｘ方向に走査されたラインは、同様の方法で変調されるライン電流を有することになる。オーバーラップ画像信号は、オーバーラップを発生する２つの電子ビームに対応する２つのビーム検出器上で並列に検出することができる。
[0068]オプションの実施例によれば、例えば補間に基づくことができる画像処理技法が２つの画像を再結合するために適用されるであろう。それによって、結合画像の画像品質は単一ビーム領域の画像品質と同様か又はそれに近いものとすることができる。
[0069]例えば図７に示すように、本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができる更なる実施形態によれば、マルチビーム走査式電子ビームデバイスを以下のように提供することができる。図７において、ビーム発生は示されていない。ビームは、例えば個別エミッタのアレイ又は単一エミッタで発生することができる。代替として、それらはグリッド絞りアレイ、グリッドレンズアレイ、それらの組合せ及び／又はグリッド絞りアレイとレンズによって発生することができる。したがって、例えば図１に示したような本明細書で説明する幾つかの実施形態によれば、マルチビーム走査式電子ビームデバイス１００は、単一のエミッタ先端部１０２と、電子ビームの引き出し、加速及び／又は整形を行うための１つ又は複数の要素と、個別の電子ビームを発生するためのグリッド絞り１０６とを含むマルチビームエミッタ１１０を有することができる。他の実施形態によれば、電子ビームごとに個別エミッタを持つエミッタアレイを使用することができる。更なる他の実施形態によれば、スポットグリッドアレイを使用することもでき、１つのエミッタ先端部の放出が整形及び形成されて平行に補正済みビームとして出て行く。それによって、ビームの整形及び／又は集束を行うために、１つのグリッド絞りアレイ又は２つ以上のグリッド絞りアレイを１つ又は複数の電位で使用することができる。したがって、１つのエミッタの放出はカラム内で複数の供給源となることができる。このようにして、後続の光学要素によって、又は後続の光学要素と組み合わせて、試料における複数のビームは複数の供給源によって発生されたように見える。一方では、上記に照らして、複数のビームを発生するのに２つ以上のエミッタを使用することができる。他方では、１つのエミッタを使用することができる。それによって、１つの供給源又は２つ以上の供給源を１つのエミッタによって設けることができる。
[0070]ビーム１２、１３、及び１４は、それぞれ、例えばレンズ、多重極などを含むことができる個別電子ビーム光学系１４０を最初に通過する。電子ビームカラム内の、この位置では、個別の電子ビームは互いに対して比較的大きい距離を有する。互いに対する個別のビームの距離は、幾つかの実施形態によれば、第１のレンズ７２５及び第２のレンズ７２７を有する適応光学系によって縮小することができる。図７に示すように、縮小用適応光学系を設けることができる。それによって、互いに対する電子ビームの距離を縮小することができる。その後、本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、隣接するビーム間の距離は１．５〜３．５ｍｍ、典型的には２〜３ｍｍの範囲とすることができる。複数の電子ビームは、ビーム補正器７２２及び共通偏向システム７２４などの共通電子ビーム光学系１２０によって更に作用を受ける。共通対物レンズアレイは複数の電子ビームを試料２０上に集束する。それによって、磁気対物レンズ構成要素７５２、及び１つ又は複数の電極板を有する静電レンズ構成要素７５４を使用することができる。したがって、共通対物レンズアセンブリ１５０が設けられる。
[0071]したがって、本明細書で説明する幾つかの実施形態において、互いに対する電子ビーム間の距離を適応させるための拡大又は縮小用適応光学系を設けることができる。しかしながら、それに関して、個別の電子ビームで交差が発生することがあり、それが電−子電子相互作用を増大させる。
[0072]一般に、１つのシステムにおいて、大きいビーム間隔を持つ個別のカラムの利点と小さいビーム間隔を持つビームアレイの利点とを、適応光学系を設けることによって組み合わせることが望ましいことがある。それに関して、本明細書で説明する幾つかの実施形態によれば、個別ビーム制御のために要素を一体化するのに十分な間隔を持つ電子又は荷電粒子エミッタのアレイを設けることができる。これらの個別電子ビーム光学系は偏向器、レンズ、非点補正装置などとすることができる。それに関して、本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができる異なる実施形態によれば、電子エミッタは、１つ又は複数の従来の熱エミッタ、電界エミッタ、又は熱−電界（ショットキー）の組合せエミッタに基づくことができる。それは光エミッタのアレイとすることもできる。
[0073]更に、マルチビームアレイは、例えば、グリッド絞り又はスポットグリッドアレイを使用することによって、１つのエミッタ先端部からの１つのビームを複数のビームレットに分離することによって形成することができる。その結果、互いに対する電子ビームの間隔によって、個別電子ビーム光学系は電子ビームを個別に制御することが可能になる。更に、本明細書で説明する幾つかの実施形態によれば、図７に示されるように、光学縮小システムを設けることができる。それによって、ビームアレイの間隔は、１つのダイ又は少数の隣接するダイ、例えば２つ又は３つのダイを同時に検査するための最終要件のために縮小される。代表例として、二重レンズのような最小化された（補償済みの）軸外れ収差を持つ光学システムを適応光学系に設けることができる。それによって、本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができる更なる実施形態において、レンズシステムは磁気式、静電式、又は静電−磁気式の組合せとすることができ、２つ以上のレンズを含むことができる。
[0074]更に、図７に例示的に示されるように、包括的ビームアレイ操作用の共通電子ビーム光学系が設けられる。異なる実施形態によれば、共通電子ビーム光学系は、アライメント及び／又は走査用偏向システム、ビームアレイの集束調整用のレンズシステム、補正用レンズシステム、包括的非点補正装置などを含むことができる。
[0075]更に、共通対物レンズのアレイ、すなわち共通対物レンズアセンブリを設けることができる。それによって、対物レンズアセンブリは、ビームごとに個別の開口を有することができる。しかしながら、共通対物レンズアセンブリは共通励磁によって設けられ、共通励磁は個別の電子ビームを同時に集束する。
[0076]共通対物レンズの更なる例には、共通磁極片と共に共通励磁コイルを有する磁気レンズ及び個別の穴（開口）のアレイ、又は単一の電位にある共通のレンズ板に個別の穴（開口）を有する共通静電レンズを含めることができる。それによって、本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができる異なる実施形態によれば、共通対物レンズアセンブリの静電レンズ又は静電レンズ構成要素は、加速モードで又は減速静電レンズとして使用することができる。
[0077]本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができる更なる実施形態によれば、例えば図７に示されるようなマルチビーム走査式電子ビームデバイスは、検出器のアレイが設けられる検出システムを含む。それによって、各電子ビームに対応する検出器が設けられる。静電レンズ構成要素７５４が減速静電レンズとして設けられる場合、二次電子ビームは加速され、対物レンズを通して移送され、例えば検出器７７２上で検出することができる。検出器７７２は対物レンズ上の環状電子検出器のアレイとすることができる。二次電子ビーム、すなわち信号ビームは、更に、光学適応システムに移送することができ、光学適応システムは、図７において、一次ビームが縮小システムであり、したがって二次ビームが拡大システムである。それによって、個別のビーム間の分離は増大され、磁気システムの場合、二次電子ビームは二次電子ビームのラモア回転によって一次ビームから分離される。したがって、検出器７７４の設計の更なる簡易化を実現することができる。
[0078]更なる実施形態によれば、検出は、一次及び二次ビームアレイの更なる分離によって改善することもできる。この場合、磁界又は組合せ静電−磁界に基づいたビームセパレータが、二次ビームアレイを一次ビームアレイの経路から分離することができる。本明細書で説明する幾つかの実施形態によれば、例えば図２Ａ〜図２Ｄに関して説明したような色消しビームセパレータを使用することができる。「完全な」分離は検出器の設計を簡単化し、例えばエネルギーフィルタ及び分光計などのエネルギー及び／又は環状識別用の要素、及び／又は環状マルチパースペクティブ検出用の要素をより容易に一体化できるようにする。更なる追加又は代替の実施例によれば、検出システムは、セクタ場ベースの分光計、減速場分光計、環状制御用のレンズ、アライメント及び選択用の偏向器などを含むことができる。それによって、本明細書で説明する典型的な実施形態によれば、共通分離、フィルタ処理、アライメント、環状制御が行われる。更に、各ビームを個別に検出するための検出器のアレイ又は個別の検出器が設けられる。
[0079]本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができる更なる実施形態が図８に関して説明される。それによって、単一のエミッタ先端部１０２が設けられる。例えば、単一のエミッタ先端部１０２の放出角が比較的に小さい場合、グリッド絞りアレイ又はスポットグリッドアレイによって与えられる分離は比較的小さくなる可能性がある。したがって、個別のビーム制御に十分な間隔を有する電子エミッタアレイの代わりに、小さいビーム分離を有するエミッタアレイが設けられる。したがって、幾つかの実施形態では、ビーム間隔の拡大が望ましい場合がある。図８に示されるように、レンズ７２７及び７２５を有する拡大システムが設けられる。図７に関して説明したように、幾つかの実施形態は適応光学系に使用することができる。典型的には、二重レンズのような最小化された（補償済みの）軸外れ収差を持つ光システムを設けることができる。ビーム分離の、この増大の後に、個別電子光学要素１４０を設けることができ、その結果、各電子ビーム１２、１３、及び１４は個別に制御することができる。
[0080]共通対物レンズアレイは複数の電子ビームを試料２０上に集束する。それによって、磁気対物レンズ構成要素７５２、及び１つ又は複数の電極板を有する静電レンズ構成要素７５４を使用することができる。したがって、共通対物レンズアセンブリが設けられる。それによって、対物レンズアセンブリは、ビームごとに個別の開口を有することができる。しかしながら、共通対物レンズアセンブリは共通励磁によって設けられ、共通励磁は個別の電子ビームを同時に集束する。共通対物レンズの更なる例には、共通磁極片と共に共通励磁コイルを有する磁気レンズ及び個別の穴（開口）のアレイ、又は単一の電位にある共通のレンズ板に個別の穴（開口）を有する共通静電レンズを含めることができる。それによって、本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができる異なる実施形態によれば、共通対物レンズアセンブリの静電レンズ又は静電レンズ構成要素は、加速モードで又は減速静電レンズとして使用することができる。
[0081]更なる実施形態によれば、レンズ、及び収差補償、偏向、及び／又は非点補正制御用の多重極要素などの個別光学要素１４０並びに共通電子ビーム光学系１２０を可能にするビーム距離を持つ電子ビームアレイを設けることが可能であろう。共通電子ビーム光学系１２０は、共通走査偏向器７２４と、アライメント偏向器、非点補正装置などのような共通ビーム制御要素７２２とを含むことができる。図９に示すように、共通磁気レンズアセンブリ７５２及び共通静電レンズアセンブリ７５４を使用して、一次電子ビームを試料２０上に集束することができる。検出は、それぞれ個別のビームに対応する検出ユニットを有する検出アレイ７７２で実現することができる。それによって、図９に示された要素は、本明細書において、特に、図７に関して説明した実施形態に従って変更することができる。
[0082]図１０は、図７に関して説明した実施形態と図１に関して説明した実施形態との組合せを示す。マルチビームエミッタ１１０が設けられる。例として、図１０に示すように、個別エミッタのアレイが設けられる。電子ビームは、個別電子ビーム光学系１４０を設けることができるように互いに対して一定間隔を有する。これは、例えば個別のレンズ又は個別の多重極とすることができる。ビーム間隔適応光学系はレンズ７２５及び７２７によって設けられる。その後、電子ビームアレイは共通色消しビーム偏向器を通過し、ビーム偏向器は一次ビームのビームアレイを偏向させ、一次ビームアレイと二次ビームアレイとを更に分離する。更に、共通電子ビーム光学系１２０が設けられ、電子ビームアレイは共通磁気レンズアセンブリ７５２及び共通静電レンズアセンブリ７５４によって試料２０上に集束される。二次ビームアレイ、すなわち複数の信号ビームは共通色消しビームセパレータによって一次ビームアレイから分離され、個別の二次ビームは、参照番号１７０によって示される検出ユニットのアレイ又は個別の検出器によって検出される。
[0083]図１１Ａ〜図１１Ｃは、本明細書で説明する高スループットツールで使用することができる実施形態による電子ビームアレイ発生の異なる実施形態を示す。図１１Ａは、単一エミッタ１１０２、並びに個別のビームレットを発生するための絞りグリッドアレイ、レンズ、及び／又はレンズアレイを有するマルチビームエミッタ１１１０Ａを示す。それによって、エミッタ１１０２は小さい放出角を有し、それがビームレットの分離を制限する。図１１Ｂに示される更なる実施形態によれば、単一エミッタ１１０２はより大きい放出角を有することができ、その結果、レンズを使用して電子ビームを絞りアレイの方に誘導することができる。更なる他の実施形態によれば、個別エミッタ１１０４を設けることができ、その結果、エミッタ１１１０Ｃを設けることができる。それによって、更に、個別電子ビーム光学系１４０のために十分な間隔を設けることができる。
[0084]上述のように、マルチビームアレイを発生する異なるオプションは、個別の電子ビーム間の異なる距離をもたらすことができる。したがって、マルチビームシステムにおける光学要素の構成はマルチビームエミッタのタイプによって決めることができる。特に、アレイ中のエミッタ間隔は更なる光学系の構成に影響を及ぼすことがある。したがって、異なる実施形態を提供することができる。一実施形態によれば、マルチビーム走査式電子ビームデバイスなどのマルチビーム高スループットツールは、単一のエミッタ先端部によって形成されたマルチビームエミッタと、単一ビームから個別のビームレットを形成する絞りアレイ及び／又はグリッドレンズアレイのような分離デバイスとを含むことができる。更に、レンズや多重極などの個別電子ビーム光学系は、アレイに配置することができる。マルチビーム高スループットツールは、包括的アライメント及び走査のための偏向器などの共通電子ビーム光学系と、共通非点補正装置と、本明細書で説明した他の要素とを更に含む。個別のビームを試料上に集束するための共通磁気、静電、又は静電−磁気の組合せグリッドレンズアレイが設けられる。マルチビーム高スループットツールは、共通ビームセパレータのようなビーム分離手段、又はラモア回転を導入するための共通レンズを更に含む。更に、二次ビーム用の個別検出を含む検出要素が設けられ、例えば、エネルギー及び／又は環状識別能を含むことができる。
[0085]別の実施形態によれば、上述の実施形態は、放出ビームの間隔を対物レンズアレイ間隔に合わせるためにエミッタアレイ間隔用のビーム間隔適応光学系（拡大又は縮小）とした場合がある。それによって、典型的に、最小化された軸外れ収差を持つ光学システムを使用することができる。代替実施形態によれば、このシステムは２つの適応システムを更に含むことができる。１つは、個別のビーム制御構成要素をより容易に一体化できるようにするために間隔を拡大するものであり、更なるシステムは、対物レンズに基づく要求に適応するためにビーム間隔を縮小するものである。
[0086]上述の実施形態と組み合わせることができる代替実施形態によれば、本明細書で説明する異なる実施形態に応じて異なる種類のマルチビームエミッタを使用することができる。更なる他の変形例によれば、１つ又は複数のグリッド絞りアレイによって更に分離することができる複数の個別エミッタを使用して、マルチビームアレイを発生することができる。
[0087]更なる代替実施例によれば、共通対物レンズアセンブリは、アレイ中の個別のビームの数よりも少ない数の開口を有することができる。それによって、２つ以上のビームが、共通対物レンズアレイの１つの開口を共有することができる。しかしながら、共通対物レンズアセンブリに少なくとも２つの開口が設けられることが好ましい。
[0088]更なる代替又は追加の実施例によれば、曲げセクタ、典型的には球状静電セクタ構成などの二重集束曲げ要素が設けられる。典型的には、個別のビームレット検出器は、個別のビーム間のクロストークを回避するためにセクタの焦点の近くに位置決めすることができる。間隔要件を改善するために、光電子増倍管（ＰＭＴ）を持つシンチレーション検出器と、例えばその間にある光ガイドとがビームごとに設けられる。それによって、ＰＭＴアレイのための十分な間隔を実現することができる。本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができる更なる実施形態によれば、個別の二次電子ビームレットの個別の検出器チャネル上への機械的及び／又は電磁気アライメントを設けることができる。複数のビームレットの並列検出の観点から、チャネルごとに個別の検出エレクトロニクスを有することも可能である。
[0089]本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、高スループットツールを設けるためのシステムは、典型的には、低電圧システムとすることができ、すなわち、試料上で低ビームエネルギーを有することができる。このエネルギーは、例えば、１００ｅＶから５ｋｅＶの範囲とすることができる。典型的には、低電圧ビームエネルギーの場合、カラム内において電子を高ビームエネルギー、例えば８〜１０ｋｅＶ、又は７〜１５ｋｅＶで移動させることが可能である。このビームブーストの原理は、より短い飛行の観点からカラム内の１つのビームレットにおける電子−電子相互作用を低下させることができる。更なる代替又は追加の実施例によれば、カラム構成要素は接地電位とすることができ、一方、エミッタ及びウェハは高電位である。それによって、走査モジュール、ビームセパレータ、及びベンダは接地電位とすることができる。これは、特に、共通電子ビーム光学要素を簡素化する。
[0090]マルチビーム走査式電子ビームシステムの更なる実施形態を図１２に関して説明する。それによって、スポットグリッドアレイ１２１０はマルチビームを発生するために設けられる。銃コンデンサ区域内で、複数のビームレットがスポットグリッドアレイによって発生される。これは、個別のビームが互いに平行に放出されるという観点から有益であると考えることができる。したがって、図２Ｃに関して説明したようなビーム傾斜及び／又は図２Ｄに関して説明したような色消しセパレータの補償は、垂直対物レンズランディングのために省略することができる。その結果、対応する色収差を更に低減することができる。
[0091]図１２において、１つ又は複数の共通非点補正装置などの共通電子ビーム光学要素１２０、１つ又は複数の共通ビームアライメント要素、又はマルチビームアレイを回転させるための１つ又は複数の共通ビーム回転要素を設けることができる。それによって、これらの構成要素は、典型的には、２つ以上の電子ビームが入り込むための１つの開口を有することができる。更に、これらの共有要素は、個別のビームに同時に作用するための共通制御を有する。
[0092]図１２は、更に、共通色消しビームセパレータ１３０、個別電子ビーム光学要素１４０、及び共通対物レンズアセンブリ１５０を示す。図１２において、二次電子ビームアレイのビーム経路及び対応する要素は示されていない。しかしながら、これらの要素は、例えば図１及び／又は図４に関して本明細書で説明した実施形態のいずれかに従って設けることができることが理解されよう。
[0093]本明細書で説明する実施形態によれば、マルチビーム電子ビーム検査デバイスは製造性考慮設計（ＤＦＭ）用途で使用することができる。更なる実施形態によれば、このシステムは、一次ビームアレイのビームレットを信号ビームのビームレット、すなわち二次ビームアレイから分割するための色消し一次ビームセパレータを含む。上述のように、二次ビームアレイは、試料への一次ビームの衝突に際して解放される二次粒子、後方散乱粒子、及び他の荷電粒子を含む場合がある。典型的には、幾つかの実施形態では、ビームブーストをビームレット構成に使用することができる。すなわち、カラムの内側に高ビームエネルギーが供給され、電子は対物レンズアレイ内の最終ビームエネルギーまで減速される。上述のように、電子−電子相互作用は、ビームブーストを設けることによって、すなわちカラム内のビームエネルギーを増大させることによって低減することができる。
[0094]典型的には、可能であれば、個別のビームは異なるビーム経路で移動するべきであり、ビーム間の電子−電子相互作用を最小化するために交差は避けられるべきである。これは、並列の画像化の観点から一般に使用される高い全ビーム電流では特に関連性がある。このシステムは対物レンズのアレイを更に含む。典型的な具体例によれば、これは、例えば加速モードの静電アレイとすることができる。この構成は小さい機械寸法を可能にする。したがって、複数のビームによる並列画像化は簡単化される。しかしながら、マルチビームアレイを同時に集束するための磁気レンズ又は静電−磁気の組合せのレンズを使用することもできる。
[0095]本明細書で説明する実施形態によれば、２つ以上のビームレット、典型的には全てのビームレットに作用するための共通電子ビーム光学要素が存在する。これらの共有要素は、例えば、システム拡大、全電流、及び／又は対物レンズアレイに入るビームレットの発散角を設定するためのコンデンサレンズなどのコンデンサレンズ、共通アライメント及び非点補正の構成要素、及び／又は共通走査構成要素（必要に応じて）とすることができる。更に、共通電子ビーム光学要素は、随意に、例えば軸方向の磁界中でビームレットアレイを回転させるための回転手段とすることができる。
[0096]このシステムは、ビームレットアレイの各要素に個別に作用するための個別電子光学要素を更に含む。例えば、個別電子光学要素は、集束、非点補正、対物レンズアライメント、及び／又はビーム走査用の要素とすることができる。個別電子光学要素は、典型的に、横断する静電界、磁界、又は静電−磁界の組合せを発生する。これらのフィールドは、例えば、要求に応じて二重極、四重極、八重極、又はより高次の要素などの磁気要素、静電要素、又は組合せ静電−磁気多重極要素によって発生することができる。典型的には、幾つかの実施形態では、個別作用要素を対物レンズの近くに配置することができる。それによって、更なる代替又は追加の実施例として、単一ステージ又はマルチステージ構成が可能である。例えば、個別ビーム走査用の走査要素は、単一ステージ走査要素又は２ステージ走査要素の形で設けることができる。
[0097]例として、個別の単一ステージ走査偏向器は、対物レンズの各開口の穴の前に配置するか、又はそれの中に一体化することができる。個別の二重ステージ走査偏向器は、レンズの内側にピボットポイントを設けて動作及びテレセントリシティを改善するために対物レンズアレイの前に配置することができる。それによって、垂直ランディング角度又は垂直に近いランディング角度を与えることができる。
[0098]本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、大きい角度放出を持つ高輝度エミッタを使用して、ビームレット内並びに全システム内で高電流を実現することができる。例えば、大きいエミッタ曲率半径（例えば０．５μｍ以上、又は更に１μｍ以上）を持つＴＦＥなどの熱電界放出カソードを使用することができる。他の実施形態によれば、ＣＦＥ、ショットキーエミッタなどを使用することができる。
[0099]更なる代替実施例によれば、追加又は代替として、二次電子、すなわち解放電子用の抽出場を制御するために、サンプルと対物レンズとの間に制御電極を設けることができる。それによって、一例として、制御電極は一次及び二次ビームレット用の開口を有する。典型例として、この電極は対物レンズアレイに一体化することができる。更なる典型例として、静電レンズでは、制御電圧は試料に最も接近しているレンズ電極の電圧に付加することができる。
[00100]本明細書で説明するマルチ電子走査式電子ビームシステムは、一次ビームアレイによって生成される単一信号ビームごとに個別検出を持つ信号経路を更に含むことができる。それによって、信号ビームレットは個別の軌跡で色消しビームセパレータに入り込むことが更に可能である。個別の検出器、又はビームごとに個別の検出区域を持つアレイがビームセパレータの後ろに配置される。これは、例えば、後続の信号処理を有するシンチレータ−光電子増倍管構成とすることができる。典型的には、信号処理はビームレットごとに個別に行うこともできる。
[00101]本明細書で説明する実施形態と組み合わせることができる更なる実施例によれば、一次ビームアレイと二次ビームアレイとの間の分離の角度を増大するために、追加のビーム偏向要素をビームセパレータの後ろに配置することができる。それによって、検出器の機械的構成を更に簡単化することができる。更に、追加のビーム分離が行われる場合、信号ビームレットの各々を対応する検出器上に集束する手段を設けることがより容易になる。本明細書で説明する実施形態に関して実施することができる例として、集束手段は追加の偏向手段の前に、その後ろに、又はその中に配置することができる。典型的には、上述のように、球状セクタ要素のような二重集束追加要素を設けることができる。この要素は静電式、磁気式、静電−磁気式の組合せとすることができる。
[00102]本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができる更なる実施形態によれば、システム仕様は、１０ｐＡから１０ｎＡ、例えば１００ｐＡから１ｎＡの範囲のビームレットの電流を含むことができる。更に、本明細書で説明するシステムで使用されるスポット直径は、１ｎｍから５０ｎｍ、典型的には１ｎｍから２０ｎｍの範囲とすることができる。
[00103]更に、本明細書で説明するシステムのオプションには、例えば図２Ｂに示した八重極要素で発生することができる重畳電磁気四重極を持つ色消しビームセパレータを含めることができる。この四重極は、全てのビームレットが垂直投射で対物レンズアレイを出て行くことになるように軸外れ一次ビームレットに（１つの方向で）作用することができる。それによって、図２Ｄに関して説明したように、非平行のビームレットが色消しビームセパレータで使用される場合、個別のビーム傾斜は必要とされないであろう。それによって、ビームの色収差を低減することができ、したがって、スポットサイズ、それ故に軸外れビームレットの解像度を改善することができる。
[00104]本明細書で説明したシステムへの更なるオプションとして、個別の供給源、すなわちサンプル上で個別の供給源として現れる個別の整形されたビームレットを発生するためのスポットグリッドアレイをシステムで使用することができる。個別の供給源をスポットグリッドアレイに設けることができるという観点から、軸外れビームレットが対物レンズを垂直に通過するようにさせるための個別のビーム傾斜を省略することもできる。更なる代替として、個別のエミッタアレイを個別の供給源として適用することができる。例えば、マイクロ電界エミッタアレイ、ＴＦＥアレイ、又はフォトカソードを使用することができる。それによって、上述のように、一般に、本明細書で説明したようなマルチエミッタでは、１つのエミッタが光学システム用の２つ以上の光学供給源を発生することができる。
[00105]本明細書で説明する実施形態は、絞りアレイを放出の発散部分に配置することによって共通エミッタからマルチビームアレイを発生する方法を更に含む。更に、各ビームが、発散角、電流、システム全体の光軸に対する傾斜角、仮想ツアーサイズ、及び対物レンズアレイに対するビーム位置に関して特定の性能を有するようにビームレットに作用する方法が提供される。これらの方法は、放出パラメータ、コンデンサレンズ励磁、ビーム作用手段、すなわち共通電子光学要素、個別ビーム作用手段、すなわち個別ビーム光学要素、及び／又は色消しビームセパレータ、典型的には共通色消しビームセパレータの動作条件によって制御される。
[00106]更なる実施形態は、対物レンズの前又はその中に設けられる個別電子光学要素を使用して、各個別のビームレットを対応する対物レンズ位置（開口）に位置合わせすることに関連する。更に、これらの方法は、１つ又は複数の非点補正要素によって制御される非点補正を目的とすることができる。これらの方法は、例えば、各信号チャネルの信号を使用するスポットサイズ測定又は解像度測定によって最良の焦点を決定することも目的とすることができる。更なる実施形態は、各ビームによって生み出された信号を検出する方法を目的とする。それによって、対物レンズに入る信号電子は収集され、電子は高エネルギー、例えば５〜２０ｋｅＶまで加速され、信号電子ビームレットは色消しビームセパレータ内で一次電子ビームから分離され、信号電子ビームレットは後続の信号チャネルで個別の検出器に誘導される。そのような実施例の典型的な実施形態は個別のビームレットを個別の検出器上に集束することを含む。それによって、信号損失、及びビーム間の交差を低減するか又は回避することができる。
[00107]更なる実施形態によれば、静電−磁気四重極を色消しビームセパレータ（静電−磁気二重極）に重畳する方法が提供される。四重極はシステム光軸全体に位置合わせすることができ、それによって軸外れビームレットは対物レンズアレイへの垂直入射のために（一方向に）傾斜されることになる。
[00108]上述のように、実施形態は、カラムを有するマルチビーム走査式電子ビームデバイスを目的とすることができる。デバイスは、複数の電子ビームを放出するためのマルチビームエミッタと、複数の電子ビームのうちの少なくとも２つのための共通開口を有し、複数の電子ビームのうちの少なくとも２つに共通に作用するように構成される少なくとも１つの共通電子ビーム光学要素と、複数の電子ビームに個別に作用するための少なくとも１つの個別電子ビーム光学要素と、複数の電子ビームのうちの少なくとも２つを集束するための共通励磁を有し、複数の信号ビームを発生させるために試料上に複数の電子ビームを集束するように構成される複数の電子ビームを集束するための共通対物レンズアセンブリであり、共通対物レンズは、複数の電子ビームが入り込むための少なくとも２つの開口と、各信号ビームを対応する検出要素上で個別に検出するための検出アセンブリとを有する。更なる代替又は追加の実施例として、少なくとも１つの共通電子ビーム光学要素は、複数の電子ビームから複数の信号ビームのうちの少なくとも２つを分離するための共通制御による共通ビームセパレータとすることができ、共通電子ビーム光学要素は、複数の電子ビームのうちの少なくとも２つが入り込むための、又は複数の電子ビームが入り込むための１つの開口を有することができ、共通ビームセパレータは、複数の電子ビームのうちの少なくとも２つが入り込むための、又は複数の電子ビームが入り込むための１つの開口を有することができ、共通ビームセパレータは色消しビームセパレータとすることができ、更に／又は色消しビームセパレータは、分離のために複数の電子ビーム及び／又は複数の信号ビームの交差を発生することなく、複数の電子ビームと複数の信号ビームとを分離するように構成することができる。
[00109]更なる他の追加又は代替の具体例によれば、デバイスは、色消しビームセパレータに重ね合わせ、軸外れ電子ビームの偏向角を補正するための四重極場を発生するように構成される四重極発生要素と、例えば複数のビームが入り込むための１つの開口を有することができる二重集束ビームベンダ、特に半球セクタ及び／又は縮小若しくは拡大用ビーム間隔適応光学系とを含むことができる。
[00110]更なる追加又は代替の実施例によれば、共通電子ビーム光学要素は、アライメント要素、非点補正器、走査要素、及び複数の電子ビームを回転させるための回転要素からなる群から選択することができ、更に／又は個別電子ビーム光学要素は、集束要素、非点補正器、アライメント要素、ビーム傾斜導入要素、及び走査要素からなる群から選択することができる。更に、本明細書で説明する実施形態のいずれとも組み合わせることができる他の実施形態によれば、隣接するビーム間の試料上のビーム間隔は、０．５ｍｍから５ｍｍ、詳細には１．５ｍｍから３．５ｍｍ、より詳細には２ｍｍから３ｍｍの範囲とすることができ、個別電子ビーム光学要素は、共通対物レンズアセンブリに隣接して、又はその中に位置決めすることができ、更に／又はマルチビームエミッタと対物レンズとの間で複数の電子ビームを高エネルギーに、特に２ｋｅＶから２０ｋｅＶに加速するための手段、及び試料に衝突する前に複数の電子ビームを減速させるための手段を設けることができる。
[00111]更なる他の代替又は追加の実施例によれば、デバイスは、複数の信号ビームの各々を対応する検出要素上に集束するための集束手段を含むことができ、マルチビームエミッタは複数の電子ビームの各々ごとに個別エミッタを有するスポットグリッドアレイとすることができ、デバイスはカラム内での交差を回避するように構成することができ、更に／又は共通対物レンズアセンブリは特に加速モードの静電レンズアセンブリとすることができる。
[00112]他の実施形態によれば、２つ以上のダイを含むウェハの画像を発生するためにマルチビーム走査式電子ビームデバイスを動作させる方法が提供される。この方法は、２つ以上のダイのうちの第１のダイの第１の領域を走査して第１の領域の画像を発生するステップと、２つ以上のダイのうちの第２のダイの第２の領域を走査して第２の領域の画像を発生するステップと、第１の領域の画像と第２の領域の画像とを仮想ダイの画像に組み合わせるステップとを含む。それによって、１つのオプションの具体例として、仮想ダイは２つ以上のダイのうち３つ又は４つのダイの領域の画像によって組み合わせることができる。
[00113]更なる他の実施形態によれば、少なくとも１つのダイを含むウェハの画像を発生するために少なくとも第１及び第２の電子ビームを有するマルチビーム走査式電子ビームデバイスを動作させる方法が提供される。この方法は、第１の電子ビームの第１の電子ビーム電流でダイの非オーバーラップの第１の領域を走査して第１の領域の画像を発生するステップと、第２の電子ビームの第２の電子ビーム電流でダイの非オーバーラップの第２の領域を走査して第１の領域の画像を発生するステップと、第１の電子ビームの走査区域と第２の電子ビームの走査区域との間のオーバーラップ領域を走査するステップであり、第１のビームが第１の電子ビーム電流よりも小さい電子ビーム電流を有する第１のオーバーラップ依存性ビーム電流関数を有し、第２のビームが第２の電子ビーム電流よりも小さい電子ビーム電流を有する第２のオーバーラップ依存性ビーム電流関数を有するステップと、を含む。追加の具体例によれば、第１の電流及び第２の電流は類似とすることができ、第１のオーバーラップ依存性ビーム電流関数及び第２のオーバーラップ依存性ビーム電流関数は類似しており、更に／又は第１及び第２のオーバーラップ依存性ビーム電流関数は線形関数とすることができる。
[00114]更なる他の実施形態によれば、荷電粒子ビーム用の色消しビーム偏向器を動作させる方法を提供することができる。色消しビーム偏向器は光軸を有する。この方法は、偏向静電二重極場を設けるステップと、偏向磁気二重極場を設けるステップと、四重極場を磁気二重極場及び静電二重極場に重畳するステップとを含み、静電二重極場及び磁気二重極場を互いに対して調整して色消しビーム偏向を行い、四重極場を調整して軸外れ荷電粒子ビームのビーム傾斜を補正する。典型的な具体例によれば、荷電粒子ビームは０．３°と７°との間の角度で偏向することができ、四重極場は色消しビーム偏向器の光軸に位置合わせすることができ、マルチビームアレイの軸外れビームは補正することができ、更に／又は補正は１つの方向に沿って行うことができる。
[00115]前述のものは本発明の実施形態を対象としているが、本発明の他の実施形態及び更なる実施形態はその基本的な範囲から逸脱することなく考案することができ、その範囲は添付の特許請求の範囲によって決定される。
１２、１３、１４…電子ビーム、２０…試料、１００…マルチビーム走査式電子ビームデバイス、１０２…エミッタ先端部、１０６…マルチ電子エミッタ、絞り板、１１０…マルチビームエミッタ、１２０…共通電子ビーム光学系、１３０…共通色消し偏向器、共通色消しビームセパレータ、１３２…静電偏向要素１３２、１３４…磁気偏向要素、１４０…個別ビーム光学系、１５０…共通レンズアセンブリ、１６０…二重集束ベンダ、１７０…検出アセンブリ

Claims (24)

  1. カラムを有するマルチビーム走査式電子ビームデバイスであって、
    複数の電子ビームを放出するためのマルチビームエミッタと、
    前記複数の電子ビームのうちの少なくとも２つのための共通開口を有し、前記複数の電子ビームのうちの少なくとも２つに共通に作用するように構成される少なくとも１つの共通電子ビーム光学要素と、
    前記複数の電子ビームに個別に作用するための少なくとも１つの個別電子ビーム光学要素と、
    前記複数の電子ビームのうちの少なくとも２つを集束するための共通励磁を有し、複数の信号ビームを発生させるために試料上に前記複数の電子ビームを集束するように構成される前記複数の電子ビームを集束するための共通対物レンズアセンブリであり、前記複数の電子ビームが入り込むための少なくとも２つの開口を前記共通対物レンズが有する共通対物レンズアセンブリと、
    各信号ビームを対応する検出要素上で個別に検出するための検出アセンブリと
    を備えるマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
  2. 前記少なくとも１つの共通電子ビーム光学要素が、前記複数の電子ビームから前記複数の信号ビームのうちの少なくとも２つを分離するための共通制御を持つ共通ビームセパレータである、請求項１に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
  3. 前記共通電子ビーム光学要素は、前記複数の電子ビームのうちの少なくとも２つが入り込むための、又は前記複数の電子ビームが入り込むための１つの開口を有する、
    請求項１又は２に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
  4. 前記共通ビームセパレータは、前記複数の電子ビームのうちの少なくとも２つが入り込むための、又は前記複数の電子ビームが入り込むための１つの開口を有する、請求項２又は３に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
  5. 前記共通ビームセパレータが色消しビームセパレータである、請求項２〜４のいずれか一項に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
  6. 前記色消しビームセパレータが、特に前記色消しビームセパレータの内側で、分離のために前記複数の電子ビーム及び／又は前記複数の信号ビームの交差を有することなく前記複数の電子ビームと前記複数の信号ビームとを分離するように構成される、請求項２〜５のいずれか一項に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
  7. 前記色消しビームセパレータに重ね合わせ、軸外れ電子ビームの偏向角を補正するための四重極場を発生するように構成される四重極発生要素を更に備える、請求項２〜６のいずれか一項に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
  8. 二重集束ビームベンダ、特に半球セクタを更に備える、請求項１〜７のいずれか一項に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
  9. 前記二重集束ビームベンダは、前記複数のビームが入り込むための１つの開口を有する、請求項８に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
  10. 縮小又は拡大用ビーム間隔適応光学系を更に備える、請求項１〜９のいずれか一項に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
  11. 前記共通電子ビーム光学要素が、アライメント要素、非点補正器、走査要素、及び前記複数の電子ビームを回転させるための回転要素からなる群から選択される、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
  12. 前記個別電子ビーム光学要素が、集束要素、非点補正器、アライメント要素、ビーム傾斜導入要素、及び走査要素からなる群から選択される、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
  13. 隣接するビーム間の前記試料上の前記ビーム間隔が、０．５ｍｍから５ｍｍ、詳細には１．５ｍｍから３．５ｍｍ、より詳細には２ｍｍから３ｍｍの範囲である、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
  14. 前記個別電子ビーム光学要素が、前記共通対物レンズアセンブリに隣接して、又はその中に位置決めされる、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
  15. 前記マルチビームエミッタと前記対物レンズとの間で前記複数の電子ビームを高エネルギーに、特に２ｋｅＶから２０ｋｅＶに加速するための手段、及び前記試料に衝突する前に前記複数の電子ビームを減速させるための手段が設けられる、請求項１〜１４のいずれか一項に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
  16. 前記複数の信号ビームの各々を前記対応する検出要素上に集束するための集束手段を更に備える、請求項１〜１５のいずれか一項に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
  17. マルチビームエミッタが、前記複数の電子ビームの各々ごとに個別エミッタを有するスポットグリッドアレイである、請求項１〜１６のいずれか一項に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
  18. 前記カラム内での交差を回避するように構成される、請求項１〜１７のいずれか一項に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
  19. 共通対物レンズアセンブリが、特に加速モードの静電レンズアセンブリである、請求項１〜１８のいずれか一項に記載のマルチビーム走査式電子ビームデバイス。
  20. ２つ以上のダイを含むウェハの画像を発生するためのマルチビーム走査式電子ビームデバイスを動作させる方法であって、
    前記２つ以上のダイのうちの第１のダイの第１の領域を走査して前記第１の領域の画像を発生するステップと、
    前記２つ以上のダイのうちの第２のダイの第２の領域を走査して前記第２の領域の画像を発生するステップと、
    前記第１の領域の前記画像と前記第２の領域の前記画像とを仮想ダイの画像に組み合わせるステップと
    を含む方法。
  21. 前記仮想ダイが、前記２つ以上のダイのうち３つ又は４つのダイの領域の画像によって組み合わされる、請求項２０に記載の方法。
  22. 少なくとも１つのダイを含むウェハの画像を発生するために少なくとも第１及び第２の電子ビームを有するマルチビーム走査式電子ビームデバイスを動作させる方法であって、
    前記第１の電子ビームの第１の電子ビーム電流で前記ダイの非オーバーラップの第１の領域を走査して前記第１の領域の画像を発生するステップと、
    前記第２の電子ビームの第２の電子ビーム電流で前記ダイの非オーバーラップの第２の領域を走査して前記第１の領域の画像を発生するステップと、
    前記第１の電子ビームの走査区域と前記第２の電子ビームの走査区域との間のオーバーラップ領域を走査するステップであり、前記第１のビームが前記第１の電子ビーム電流よりも小さい電子ビーム電流を有する第１のオーバーラップ依存性ビーム電流関数を有し、前記第２のビームが前記第２の電子ビーム電流よりも小さい電子ビーム電流を有する第２のオーバーラップ依存性ビーム電流関数を有するステップと
    を含む方法。
  23. 前記第１の電流及び前記第２の電流が類似しており、前記第１のオーバーラップ依存性ビーム電流関数及び前記第２のオーバーラップ依存性ビーム電流関数が類似している、請求項２２に記載の方法。
  24. 前記第１のオーバーラップ依存性ビーム電流関数及び前記第２のオーバーラップ依存性ビーム電流関数が線形関数である、請求項２２又は２３に記載の方法。
JP2009550679A 2007-02-22 2008-02-22 高スループットｓｅｍツール Withdrawn JP2010519697A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US89118507P 2007-02-22 2007-02-22
US1470207P 2007-12-18 2007-12-18
PCT/EP2008/001413 WO2008101713A2 (en) 2007-02-22 2008-02-22 High throughput sem tool

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013125732A Division JP5815601B2 (ja) 2007-02-22 2013-06-14 高スループットｓｅｍツール
JP2014236819A Division JP5710061B2 (ja) 2007-02-22 2014-11-21 高スループットｓｅｍツール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010519697A true JP2010519697A (ja) 2010-06-03
JP2010519697A5 JP2010519697A5 (ja) 2011-01-27

Family

ID=46545551

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009550679A Withdrawn JP2010519697A (ja) 2007-02-22 2008-02-22 高スループットｓｅｍツール

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9153413B2 (ja)
EP (1) EP2132763B1 (ja)
JP (1) JP2010519697A (ja)
WO (1) WO2008101713A2 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016031937A (ja) * 2014-07-29 2016-03-07 アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド 荷電粒子ビーム試料検査システムおよびその動作方法
JP2016046263A (ja) * 2014-08-25 2016-04-04 ナショナル ユニヴァーシティー オブ シンガポール 収差補正装置、これを有するデバイス、および荷電粒子の収差を補正するための方法
JP2019200983A (ja) * 2018-05-18 2019-11-21 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ電子ビーム照射装置、マルチ電子ビーム検査装置及びマルチ電子ビーム照射方法
JP2019215957A (ja) * 2018-06-11 2019-12-19 株式会社荏原製作所 ビームベンダ
JP2020528197A (ja) * 2017-07-28 2020-09-17 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． マルチビーム装置におけるビームセパレータの分散を補償するためのシステム及び方法
KR20200130315A (ko) * 2018-02-16 2020-11-18 칼 짜이스 멀티셈 게엠베하 다중 빔 전자 현미경
JP2021165660A (ja) * 2020-04-06 2021-10-14 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ電子ビーム検査装置及びマルチ電子ビーム検査方法
US11984295B2 (en) 2020-01-06 2024-05-14 Asml Netherlands B.V. Charged particle assessment tool, inspection method

Families Citing this family (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7947951B2 (en) * 2006-07-21 2011-05-24 National University Of Singapore Multi-beam ion/electron spectra-microscope
US8373136B2 (en) 2009-10-15 2013-02-12 Ict Integrated Circuit Testing Gesellschaft Fur Halbleiterpruftechnik Mbh Achromatic beam deflector, achromatic beam separator, charged particle device, method of operating an achromatic beam deflector, and method of operating an achromatic beam separator
EP2312610B1 (en) * 2009-10-15 2015-11-25 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle device with an achromatic beam deflector, or an achromatic beam separator, and method of operating
EP2333808A1 (en) * 2009-12-11 2011-06-15 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device, method of operating a charged particle beam device
EP2385542B1 (en) * 2010-05-07 2013-01-02 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Electron beam device with dispersion compensation, and method of operating same
EP2405460B1 (en) * 2010-07-09 2013-02-20 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Electron beam device with tilting and dispersion compensation, and method of operating same
JP5890652B2 (ja) * 2011-10-28 2016-03-22 株式会社荏原製作所 試料観察装置及び試料観察方法
EP2629317B1 (en) * 2012-02-20 2015-01-28 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device with dynamic focus and method of operating thereof
EP2654068B1 (en) * 2012-04-16 2017-05-17 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Switchable multi perspective detector, optics therefore and method of operating thereof
EP2654069B1 (en) * 2012-04-16 2016-02-24 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Multi channel detector, optics therefore and method of operating thereof
NL2009053C2 (en) * 2012-06-22 2013-12-24 Univ Delft Tech Apparatus and method for inspecting a surface of a sample.
NL2009696C2 (en) * 2012-10-25 2014-04-29 Univ Delft Tech Apparatus and method for inspecting a surface of a sample.
JP6014688B2 (ja) * 2013-01-31 2016-10-25 株式会社日立ハイテクノロジーズ 複合荷電粒子線装置
US8933414B2 (en) * 2013-02-27 2015-01-13 Fei Company Focused ion beam low kV enhancement
EP2779201A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-17 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH High brightness electron gun, system using the same, and method of operating the same
DE102013014976A1 (de) 2013-09-09 2015-03-12 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenoptisches System
DE102013016113B4 (de) 2013-09-26 2018-11-29 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zum Detektieren von Elektronen, Elektronendetektor und Inspektionssystem
US9263233B2 (en) 2013-09-29 2016-02-16 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Charged particle multi-beam inspection system and method of operating the same
EP3454357B1 (en) 2013-09-30 2020-08-12 Carl Zeiss Microscopy GmbH Charged particle beam system and method of operating the same
EP2879155B1 (en) * 2013-12-02 2018-04-25 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Multi-beam system for high throughput EBI
JP6254445B2 (ja) 2014-01-09 2017-12-27 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子ビーム装置
US9778186B2 (en) * 2014-04-15 2017-10-03 Kla-Tencor Corporation System for electron beam detection
JP6215124B2 (ja) 2014-04-21 2017-10-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡、及びその制御方法
NL2012780B1 (en) * 2014-05-08 2016-02-23 Univ Delft Tech Apparatus and method for inspecting a sample using a plurality of charged particle beams.
US10903042B2 (en) 2014-05-08 2021-01-26 Technische Universiteit Delft Apparatus and method for inspecting a sample using a plurality of charged particle beams
DE102014008105B4 (de) * 2014-05-30 2021-11-11 Carl Zeiss Multisem Gmbh Mehrstrahl-Teilchenmikroskop
DE102014008083B9 (de) 2014-05-30 2018-03-22 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenstrahlsystem
DE102014008383B9 (de) * 2014-06-06 2018-03-22 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenstrahlsystem und Verfahren zum Betreiben einer Teilchenoptik
EP2993682A1 (en) * 2014-09-04 2016-03-09 Fei Company Method of performing spectroscopy in a transmission charged-particle microscope
NL2013411B1 (en) 2014-09-04 2016-09-27 Univ Delft Tech Multi electron beam inspection apparatus.
DE102015202172B4 (de) * 2015-02-06 2017-01-19 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenstrahlsystem und Verfahren zur teilchenoptischen Untersuchung eines Objekts
US9666407B2 (en) * 2015-02-25 2017-05-30 Industry-University Cooperation Foundation Sunmoon University Electrostatic quadrupole deflector for microcolumn
US10236156B2 (en) * 2015-03-25 2019-03-19 Hermes Microvision Inc. Apparatus of plural charged-particle beams
US9607805B2 (en) 2015-05-12 2017-03-28 Hermes Microvision Inc. Apparatus of plural charged-particle beams
KR102441581B1 (ko) 2015-06-03 2022-09-07 삼성전자주식회사 표면 검사 방법 및 이를 이용한 포토 마스크의 검사 방법
KR20240042242A (ko) * 2015-07-22 2024-04-01 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 복수의 하전 입자 빔을 이용하는 장치
US10366862B2 (en) * 2015-09-21 2019-07-30 KLA-Tencor Corporaton Method and system for noise mitigation in a multi-beam scanning electron microscopy system
US10192716B2 (en) * 2015-09-21 2019-01-29 Kla-Tencor Corporation Multi-beam dark field imaging
US10408676B2 (en) 2015-10-01 2019-09-10 Mission Support and Test Services, LLC Long-pulse-width variable-wavelength chirped pulse generator and method
US10062541B2 (en) * 2016-01-27 2018-08-28 Hermes Microvision Inc. Apparatus of plural charged-particle beams
US10276346B1 (en) * 2016-03-09 2019-04-30 Kla-Tencor Corporation Particle beam inspector with independently-controllable beams
DE112016006484B4 (de) * 2016-03-31 2022-02-03 Hitachi, Ltd. Ladungsträgerstrahlvorrichtung sowie Steuerverfahren
JP6781582B2 (ja) * 2016-07-25 2020-11-04 株式会社ニューフレアテクノロジー 電子ビーム検査装置及び電子ビーム検査方法
JP6684179B2 (ja) * 2016-07-27 2020-04-22 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム検査装置及び荷電粒子ビーム検査方法
WO2018041696A1 (en) * 2016-08-29 2018-03-08 Asml Netherlands B.V. System for parallel data processing with multi-layer workload management
US10497536B2 (en) * 2016-09-08 2019-12-03 Rockwell Collins, Inc. Apparatus and method for correcting arrayed astigmatism in a multi-column scanning electron microscopy system
US10141156B2 (en) * 2016-09-27 2018-11-27 Kla-Tencor Corporation Measurement of overlay and edge placement errors with an electron beam column array
DE102016120902B4 (de) 2016-11-02 2018-08-23 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Vielstrahl-Teilchenmikroskop
US10777377B2 (en) * 2017-02-05 2020-09-15 Kla-Tencor Corporation Multi-column spacing for photomask and reticle inspection and wafer print check verification
US10388489B2 (en) * 2017-02-07 2019-08-20 Kla-Tencor Corporation Electron source architecture for a scanning electron microscopy system
AU2018273352B2 (en) 2017-05-22 2023-07-27 Howmedica Osteonics Corp. Device for in-situ fabrication process monitoring and feedback control of an electron beam additive manufacturing process
JP6966319B2 (ja) * 2017-12-22 2021-11-17 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチビーム画像取得装置及びマルチビーム画像取得方法
US10338013B1 (en) * 2018-01-25 2019-07-02 Kla-Tencor Corporation Position feedback for multi-beam particle detector
US10741354B1 (en) * 2018-02-14 2020-08-11 Kla-Tencor Corporation Photocathode emitter system that generates multiple electron beams
DE102018202421B3 (de) 2018-02-16 2019-07-11 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem
US10504687B2 (en) * 2018-02-20 2019-12-10 Technische Universiteit Delft Signal separator for a multi-beam charged particle inspection apparatus
US10395887B1 (en) * 2018-02-20 2019-08-27 Technische Universiteit Delft Apparatus and method for inspecting a surface of a sample, using a multi-beam charged particle column
WO2019166331A2 (en) 2018-02-27 2019-09-06 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Charged particle beam system and method
US10811215B2 (en) 2018-05-21 2020-10-20 Carl Zeiss Multisem Gmbh Charged particle beam system
CN112243531A (zh) 2018-06-08 2021-01-19 Asml荷兰有限公司 用于显微术的半导体带电粒子检测器
EP3597333A1 (en) 2018-07-19 2020-01-22 Howmedica Osteonics Corporation System and process for in-process electron beam profile and location analyses
CN112567493A (zh) 2018-08-09 2021-03-26 Asml荷兰有限公司 用于多个带电粒子束的装置
DE102018007455B4 (de) 2018-09-21 2020-07-09 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren zum Detektorabgleich bei der Abbildung von Objekten mittels eines Mehrstrahl-Teilchenmikroskops, System sowie Computerprogrammprodukt
DE102018007652B4 (de) 2018-09-27 2021-03-25 Carl Zeiss Multisem Gmbh Teilchenstrahl-System sowie Verfahren zur Stromregulierung von Einzel-Teilchenstrahlen
DE102018124044B3 (de) 2018-09-28 2020-02-06 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Vielstrahl-Teilchenstrahlmikroskops und Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem
US11373838B2 (en) * 2018-10-17 2022-06-28 Kla Corporation Multi-beam electron characterization tool with telecentric illumination
CN111477530B (zh) 2019-01-24 2023-05-05 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司 利用多束粒子显微镜对3d样本成像的方法
TWI743626B (zh) 2019-01-24 2021-10-21 德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 包含多束粒子顯微鏡的系統、對3d樣本逐層成像之方法及電腦程式產品
DE102019005362A1 (de) 2019-07-31 2021-02-04 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Vielzahl-Teilchenstrahlsystems unter Veränderung der numerischen Apertur, zugehöriges Computerprogrammprodukt und Vielzahl-Teilchenstrahlsystem
EP3882951A1 (en) * 2020-03-19 2021-09-22 FEI Company Charged particle beam device for inspection of a specimen with a plurality of charged particle beamlets
US11366072B2 (en) 2020-05-04 2022-06-21 Applied Materials Israel Ltd. Detecting backscattered electrons in a multibeam charged particle column
EP4009348A1 (en) * 2020-12-01 2022-06-08 ASML Netherlands B.V. Charged particle inspection tool and method
WO2022135842A1 (en) * 2020-12-22 2022-06-30 Asml Netherlands B.V. Electron optical column and method for directing a beam of primary electrons onto a sample
EP4020516A1 (en) * 2020-12-23 2022-06-29 ASML Netherlands B.V. Charged particle optical device, objective lens assembly, detector, detector array, and methods
IL303983A (en) 2020-12-23 2023-08-01 Asml Netherlands Bv Charged particle optical device
JP7547227B2 (ja) * 2021-01-21 2024-09-09 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチビーム画像取得装置及びマルチビーム画像取得方法
DE102021116969B3 (de) 2021-07-01 2022-09-22 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren zur bereichsweisen Probeninspektion mittels eines Vielstrahl-Teilchenmikroskopes, Computerprogrammprodukt und Vielstrahl-Teilchenmikroskop zur Halbleiterprobeninspektion
US20240096586A1 (en) * 2022-05-31 2024-03-21 Kla Corporation Method and system of image-forming multi-electron beams
DE102022120496A1 (de) 2022-08-12 2024-02-15 Carl Zeiss Multisem Gmbh Teilchenoptische Anordnung, insbesondere Vielstrahl-Teilchenmikroskop, mit einer Magnetanordnung zum Separieren eines primären und eines sekundären teilchenoptischen Strahlenganges

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003187730A (ja) * 2001-12-13 2003-07-04 Jeol Ltd ビームセパレータ及び反射電子顕微鏡
JP2005017270A (ja) * 2003-06-06 2005-01-20 Ebara Corp 欠陥検査方法及びデバイス製造方法
JP2005174568A (ja) * 2003-12-08 2005-06-30 Ebara Corp 対物レンズ、電子線装置及びこれらを用いたデバイス製造方法
JP2005266910A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Hitachi High-Technologies Corp 画像データ転送方法、画像処理装置およびウェハ外観検査装置
JP2006261111A (ja) * 2005-03-17 2006-09-28 Ict Integrated Circuit Testing Ges Fuer Halbleiterprueftechnik Mbh 分析システムおよび荷電粒子ビームデバイス
JP2006278027A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Ebara Corp 電子線装置
JP2006278029A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Ebara Corp 電子線装置及び該装置を用いたデバイス製造方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3139920B2 (ja) * 1994-07-25 2001-03-05 株式会社日立製作所 エネルギフィルタおよびこれを備えた透過電子顕微鏡
US5759094A (en) * 1995-02-09 1998-06-02 Porter-Cable Corporation In-line detail sander
US6498349B1 (en) * 1997-02-05 2002-12-24 Ut-Battelle Electrostatically focused addressable field emission array chips (AFEA's) for high-speed massively parallel maskless digital E-beam direct write lithography and scanning electron microscopy
US6252412B1 (en) * 1999-01-08 2001-06-26 Schlumberger Technologies, Inc. Method of detecting defects in patterned substrates
EP1100111B1 (en) * 1999-11-12 2002-10-09 Advantest Corporation Deflection arrangement for separating two particle beams
US6977375B2 (en) 2000-02-19 2005-12-20 Multibeam Systems, Inc. Multi-beam multi-column electron beam inspection system
KR20030028461A (ko) * 2000-04-04 2003-04-08 주식회사 아도반테스토 다축전자렌즈를 이용한 멀티빔 노광장치, 반도체소자제조방법
US6787780B2 (en) 2000-04-04 2004-09-07 Advantest Corporation Multi-beam exposure apparatus using a multi-axis electron lens, fabrication method of a semiconductor device
EP1339100A1 (en) * 2000-12-01 2003-08-27 Ebara Corporation Inspection method and apparatus using electron beam, and device production method using it
WO2002049065A1 (fr) * 2000-12-12 2002-06-20 Ebara Corporation Dispositif a faisceau d'electrons et procede de production de dispositifs a semi-conducteur utilisant ledit dispositif a faisceau d'electrons
WO2002056332A1 (fr) * 2001-01-10 2002-07-18 Ebara Corporation Appareil et procede d'inspection a faisceau d'electrons, et procede de fabrication de dispositif comportant l'appareil d'inspection
US6727507B2 (en) * 2001-01-22 2004-04-27 Leepl Corporation Electron beam proximity exposure apparatus and method
US20030132382A1 (en) * 2001-12-18 2003-07-17 Sogard Michael R. System and method for inspecting a mask
US7227141B2 (en) * 2002-07-15 2007-06-05 Ebara Corporation Electron beam apparatus
JP2004055767A (ja) * 2002-07-18 2004-02-19 Canon Inc 電子ビーム露光装置及び半導体デバイスの製造方法
US7015467B2 (en) * 2002-10-10 2006-03-21 Applied Materials, Inc. Generating electrons with an activated photocathode
US6897444B1 (en) * 2003-03-10 2005-05-24 Kla-Tencor Technologies Corporation Multi-pixel electron emission die-to-die inspection
EP1602121B1 (en) * 2003-03-10 2012-06-27 Mapper Lithography Ip B.V. Apparatus for generating a plurality of beamlets
US7138629B2 (en) * 2003-04-22 2006-11-21 Ebara Corporation Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus
JP2005091342A (ja) 2003-08-08 2005-04-07 Ebara Corp 試料欠陥検査装置及び方法並びに該欠陥検査装置及び方法を用いたデバイス製造方法
US7235799B2 (en) 2003-11-28 2007-06-26 Ebara Corporation System and method for evaluation using electron beam and manufacture of devices
US7212017B2 (en) * 2003-12-25 2007-05-01 Ebara Corporation Electron beam apparatus with detailed observation function and sample inspecting and observing method using electron beam apparatus
JP2005249745A (ja) * 2004-03-08 2005-09-15 Ebara Corp 試料表面検査方法および検査装置
US7304302B1 (en) * 2004-08-27 2007-12-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems configured to reduce distortion of a resist during a metrology process and systems and methods for reducing alteration of a specimen during analysis
JP2006079911A (ja) * 2004-09-09 2006-03-23 Hitachi High-Technologies Corp 電子ビーム電流計測方法、電子ビーム描画装置および電子ビーム検出器
WO2006093268A1 (ja) * 2005-03-03 2006-09-08 Ebara Corporation 写像投影型電子線装置及び該装置を用いた欠陥検査システム
JP2007110087A (ja) * 2005-09-13 2007-04-26 Hitachi High-Technologies Corp 電子線装置及び電子線照射パターン生成方法
WO2007051312A1 (en) * 2005-11-07 2007-05-10 Fibics Incorporated Apparatus and method for surface modification using charged particle beams
US7504622B2 (en) * 2006-04-03 2009-03-17 Applied Materials, Israel, Ltd. High throughput multi beam detection system and method

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003187730A (ja) * 2001-12-13 2003-07-04 Jeol Ltd ビームセパレータ及び反射電子顕微鏡
JP2005017270A (ja) * 2003-06-06 2005-01-20 Ebara Corp 欠陥検査方法及びデバイス製造方法
JP2005174568A (ja) * 2003-12-08 2005-06-30 Ebara Corp 対物レンズ、電子線装置及びこれらを用いたデバイス製造方法
JP2005266910A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Hitachi High-Technologies Corp 画像データ転送方法、画像処理装置およびウェハ外観検査装置
JP2006261111A (ja) * 2005-03-17 2006-09-28 Ict Integrated Circuit Testing Ges Fuer Halbleiterprueftechnik Mbh 分析システムおよび荷電粒子ビームデバイス
JP2006278027A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Ebara Corp 電子線装置
JP2006278029A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Ebara Corp 電子線装置及び該装置を用いたデバイス製造方法

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016031937A (ja) * 2014-07-29 2016-03-07 アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド 荷電粒子ビーム試料検査システムおよびその動作方法
JP2016046263A (ja) * 2014-08-25 2016-04-04 ナショナル ユニヴァーシティー オブ シンガポール 収差補正装置、これを有するデバイス、および荷電粒子の収差を補正するための方法
US11328894B2 (en) 2017-07-28 2022-05-10 Asml Netherlands B.V. Systems and methods for compensating dispersion of a beam separator in a single-beam or multi-beam apparatus
JP2020528197A (ja) * 2017-07-28 2020-09-17 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． マルチビーム装置におけるビームセパレータの分散を補償するためのシステム及び方法
JP7135009B2 (ja) 2017-07-28 2022-09-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． マルチビーム装置におけるビームセパレータの分散を補償するためのシステム及び方法
KR102481271B1 (ko) * 2018-02-16 2022-12-26 칼 짜이스 멀티셈 게엠베하 다중 빔 전자 현미경
KR20200130315A (ko) * 2018-02-16 2020-11-18 칼 짜이스 멀티셈 게엠베하 다중 빔 전자 현미경
JP7198092B2 (ja) 2018-05-18 2022-12-28 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ電子ビーム照射装置、マルチ電子ビーム検査装置及びマルチ電子ビーム照射方法
JP2019200983A (ja) * 2018-05-18 2019-11-21 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ電子ビーム照射装置、マルチ電子ビーム検査装置及びマルチ電子ビーム照射方法
US11011342B2 (en) 2018-06-11 2021-05-18 Ebara Corporation Beam bender
JP2019215957A (ja) * 2018-06-11 2019-12-19 株式会社荏原製作所 ビームベンダ
US11984295B2 (en) 2020-01-06 2024-05-14 Asml Netherlands B.V. Charged particle assessment tool, inspection method
JP7503635B2 (ja) 2020-01-06 2024-06-20 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 荷電粒子評価ツール、検査方法
WO2021205729A1 (ja) * 2020-04-06 2021-10-14 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ電子ビーム検査装置及びマルチ電子ビーム検査方法
JP2021165660A (ja) * 2020-04-06 2021-10-14 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ電子ビーム検査装置及びマルチ電子ビーム検査方法
JP7442375B2 (ja) 2020-04-06 2024-03-04 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ電子ビーム検査装置及びマルチ電子ビーム検査方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20100320382A1 (en) 2010-12-23
WO2008101713A2 (en) 2008-08-28
WO2008101713A3 (en) 2008-11-27
EP2132763A2 (en) 2009-12-16
EP2132763B1 (en) 2014-05-07
US9153413B2 (en) 2015-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5710061B2 (ja) 高スループットｓｅｍツール
US9153413B2 (en) Multi-beam scanning electron beam device and methods of using the same
KR102109963B1 (ko) 1차 하전 입자 빔렛들의 어레이를 이용한 시료의 검사를 위한 하전 입자 빔 디바이스 및 1차 하전 입자 빔렛들의 어레이를 이용하여 시료를 이미징하거나 조명하는 방법
JP4378290B2 (ja) 多重軸複合レンズ、その複合レンズを用いたビーム系、およびその複合レンズの使用方法
JP6728498B2 (ja) 試験片を検査する方法および荷電粒子マルチビーム装置
CN109427524B (zh) 带电粒子束装置、用于带电粒子束装置的孔布置和用于操作带电粒子束装置的方法
US9035249B1 (en) Multi-beam system for high throughput EBI
US8378299B2 (en) Twin beam charged particle column and method of operating thereof
US9953805B2 (en) System for imaging a secondary charged particle beam with adaptive secondary charged particle optics
US7663102B2 (en) High current density particle beam system
KR102207766B1 (ko) 이차 전자 광학계 ＆ 검출 디바이스
US8785879B1 (en) Electron beam wafer inspection system and method of operation thereof
JP5666227B2 (ja) 色収差補正ビーム偏向器、色収差補正ビーム分離器、荷電粒子デバイス、色収差補正ビーム偏向器を動作させる方法、及び色収差補正ビーム分離器を動作させる方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101206

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20101206

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20101227

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130208

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130214

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20130514

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20130521

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130614

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140331

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140627

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140704

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140730

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140806

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140901

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140908

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140916

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20141020

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20141119

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20141126

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20141212