JP2019215957A - ビームベンダ - Google Patents
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Abstract
【課題】 ビームベンダによって曲げられた電子線の集束性を向上することのできるビームベンダを提供する。【解決手段】 ビームベンダ12の内側曲面17と外側曲面19の間を通過する電子線の進行方向に沿った第1断面において、内側曲面17の曲率および外側曲面19の曲率はそれぞれ一定であり、内側曲面17の曲率中心と外側曲面19の曲率中心は一致するように設定されている。電子線の進行方向に対して垂直な第2断面において、内側曲面17の曲率および外側曲面19の曲率はそれぞれ一定であり、内側曲面17の曲率中心と外側曲面19の曲率中心は一致するように設定されている。第2断面における内側曲面17の曲率半径は、第1断面における内側曲面17の曲率半径より大きく設定され、第2断面における外側曲面19の曲率半径は、第1断面における外側曲面19の曲率半径より大きく設定されている。【選択図】 図1
Description
本発明は、電子線の軌道を曲げるためのビームベンダに関する。
従来から、電子顕微鏡等において、電子線を曲げるためのビームベンダが用いられている。例えば、マルチビーム走査方式の電子顕微鏡において、複数の電子線(マルチビーム)の軌道を曲げるビームベンダが提案されている(例えば特許文献1参照)。電子顕微鏡等の電子線装置においては、1次光学系(電子銃から出射した電子線を試料Wに照射するための光学系)と2次光学系(試料Wから放出された2次電子を検出器へと導くための光学系)を、筐体内の限られたスペースに配置する必要がある。
例えば、マルチビームSEMでは、試料近傍で1次電子の軌道と2次電子の軌道はほぼ重なるケースが多く、それらの軌道を分離するために、ウィーンフィルタや磁界を利用したビームベンダを用いる事が多い。しかし、これらの光学要素は、軌道の曲げ角が大きい程、大きな収差や分散を発生させるため、走査顕微鏡では特に分解能を重視する1次電子ビームの曲げ角を最小にしたい。しかし、1次光学系の電子線の軌道と2次光学系の2次電子の軌道が接近していると、1次光学系を構成する機器と2次光学系を構成する機器とが干渉してしまい、筐体内の限られたスペースに配置することが困難あるいは不可能な場合がある。そのような場合に、ビームベンダを用いて主に2次光学系の2次電子の軌道を大きく曲げる事により、1次光学系と2次光学系を筐体内に配置できるようになる。例えば、このようにしてビームベンダは電子顕微鏡等で用いられる。
しかしながら、従来のビームベンダにおいては、ビームベンダによって曲げられた電子線の集束性が高くないという問題があった。より具体的には、電子線の中心軌道に対して所定距離だけ離間して平行に入射された電子線がビームベンダを通過した後に中心軌道と交差する位置のずれが大きいという問題があった。
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたもので、ビームベンダによって曲げられた電子線の集束性を向上することのできるビームベンダを提供することを目的とする。
本発明のビームベンダは、内側曲面を有する内電極と外側曲面を有する外電極を備え、前記内電極と前記外電極にそれぞれ異なる電位を印加する事で生じる電界によって、前記内側曲面と前記外側曲面の間を通過する電子線を曲げるためのビームベンダであって、前記内側曲面と前記外側曲面の間を通過する前記電子線の進行方向に沿った第1断面において、前記内側曲面の曲率および前記外側曲面の曲率はそれぞれ一定であり、前記内側曲面の曲率中心と前記外側曲面の曲率中心は一致するように設定され、前記電子線の進行方向に対して垂直な第2断面において、前記内側曲面の曲率および前記外側曲面の曲率はそれぞれ一定であり、前記内側曲面の曲率中心と前記外側曲面の曲率中心は一致するように設定され、前記第2断面における前記内側曲面の曲率半径は、前記第1断面における前記内側曲面の曲率半径より大きく設定され、前記第2断面における前記外側曲面の曲率半径は、前記第1断面における前記外側曲面の曲率半径より大きく設定されている。
この構成によれば、ビームベンダによって曲げられた電子線の集束性を向上させることができる。より具体的には、内側曲面と外側曲面との間に入射した電子線の中心軌道に対して所定距離だけ離間して平行に入射された電子線が内側曲面と外側曲面との間を通過した後に中心軌道と交差する位置のずれを小さくすることができる。
また、本発明のビームベンダでは、前記第2断面において、前記内側曲面の中心位置を通る前記内側曲面の法線と前記外側曲面の中心位置を通る前記外側曲面の法線は一致し、前記電子線の通過する位置は前記法線上に設定され、前記内側曲面の曲面形状は前記法線を中心とした対称形状を有し、前記外側曲面の曲面形状は前記法線を中心とした対称形状を有してもよい。
この構成によれば、内側曲面と外側曲面が対称形状を有しているので、ビームベンダによって曲げられた電子線の対称性を向上させることができる。
また、本発明のビームベンダでは、前記第1断面において、前記内側曲面と前記外側曲面との間の中点を通過する電子線の中心軌道に対して所定距離だけ離間して平行に入射された電子線が前記内側曲面と前記外側曲面との間を通過した後に前記中心軌道と交差する位置のずれが小さくなるように、前記第2断面における前記内側曲面の曲率半径と前記外側曲面の曲率半径が設定されてもよい。
この構成によれば、第2断面における内側曲面の曲率半径と外側曲面の曲率半径を適切に設定することによって、ビームベンダによって曲げられた電子線の集束性を向上させることができる。
また、本発明のビームベンダでは、前記第2断面における前記内側曲面の曲率半径は、前記第1断面における前記内側曲面の曲率半径の1倍より大きく、前記第1断面における前記内側曲面の曲率半径の3倍以下に設定され、前記第2断面における前記外側曲面の曲率半径は、前記第1断面における前記外側曲面の曲率半径の1倍より大きく、前記第1断面における前記外側曲面の曲率半径の3倍以下に設定されてもよい。
この構成によれば、第2断面における内側曲面の曲率半径と外側曲面の曲率半径を適切に設定することによって、ビームベンダによって曲げられた電子線の集束性を向上させることができる。
本発明によれば、ビームベンダによって曲げられた電子線の集束性を向上することができる。また、本発明のビームベンダを分光器として使用する事で電子線の分光特性の向上が期待できる。
以下、本発明の実施の形態のビームベンダについて、図面を用いて説明する。本実施の形態では、マルチビーム走査式の電子顕微鏡等の電子線装置に用いられるビームベンダの場合を例示する。
図1は、本実施の形態のビームベンダが適用される電子線装置(マルチビーム走査式の電子顕微鏡)の構成を示す説明図である。図1に示すように、電子線装置1は、電子線を試料Wに照射するための1次光学系2と、試料Wから放出された2次電子を検出するための2次光学系3を備えている。試料Wは、例えば半導体ウェハなどであり、ステージ4上に載置されている。
1次光学系2は、電子線を放出する電子銃5と、電子銃5から放出された電子線(電子ビーム)を集束する集光レンズ6と、集光レンズ6の下流に配置されるマルチ開口板7を備えている。マルチ開口板7は、複数の開口を有しており、電子ビームから複数の電子ビーム(マルチビーム)を生成する機能を備えている。また、1次光学系2は、電子ビームを縮小する集光レンズ8と、電子ビームを走査させる偏向器9と、ウイーンフィルタ10(E×B)と、対物レンズ11を備えている。
2次光学系3は、ウィーンフィルタ10により1次光学系2から分離された2次電子を曲げるビームベンダ12と、ビームベンダ12の下流に配置される1段以上の投影レンズ13と、マルチ開口板7の複数の開口に対応する複数の開口を有するマルチ開口検出板14と、マルチ開口検出板14の複数の開口に対応する位置に近接して配置される複数の検出器15を備えている。ビームベンダ12には、電圧調整(後述する)を行うための電圧制御部16が備えられている。
図2および図3は、ビームベンダ12の構成を説明するための断面図である。図2および図3に示すように、ビームベンダ12は、内側曲面17を有する内電極18と、外側曲面19を有する外電極20と、内電極18と外電極20の外側に配置される接地電極21を備えている。このビームベンダ12は、内電極18と外電極20にそれぞれ異なる電位を印加する事により生じる電界によって、内側曲面17と外側曲面19の間を通過する電子線(2次電子)を所定角度曲げる機能を備えている(図4参照)。なお、図2は、内側曲面17と外側曲面19の間を通過する電子線の進行方向に沿った第1断面における断面図(図3におけるA−A断面図)であり、図3は、電子線の進行方向に対して垂直な第2断面における断面図(図2におけるB−B断面図)である。
図2に示すように、第1断面(電子線の進行方向に沿った断面)において、内側曲面17の曲率および外側曲面19の曲率はそれぞれ一定であり、内側曲面17の曲率中心と外側曲面19の曲率中心は一致するように設定されている。図2では、第1断面における内側曲面17の曲率半径はRi1(例えば、Ri1=65mm)、第1断面における外側曲面19の曲率半径はRo1(例えば、Ro1=75mm)、第1断面における内側曲面17と外側曲面19との間の中点を通過する電子線の中心軌道の曲率半径はR1(例えば、R1=70mm)、第1断面における内側曲面17の曲率中心と外側曲面19の曲率中心はC1で示されている。
また、図3に示すように、第2断面(電子線の進行方向に対して垂直な断面)において、内側曲面17の曲率および外側曲面19の曲率はそれぞれ一定であり、内側曲面17の曲率中心と外側曲面19の曲率中心は一致するように設定されている。図3では、第2断面における内側曲面17の曲率半径はRi2(例えば、Ri2=75mm、115mm)、第2断面における外側曲面19の曲率半径はRo2(例えば、Ro2=85mm、125mm)、第2断面における内側曲面17と外側曲面19との間を通過する電子線の中心軌道の曲率半径はR2(例えば、R2=80mm、120mm)、第2断面における内側曲面17の曲率中心と外側曲面19の曲率中心はC2で示されている。
この場合、第2断面における内側曲面17の曲率半径(例えば、Ri2=75mm、115mm)は、第1断面における内側曲面17の曲率半径より大きく設定されている(例えば、Ri1=65mm)。また、第2断面における外側曲面19の曲率半径(例えば、Ro2=85mm、125mm)は、第1断面における外側曲面19の曲率半径(例えば、Ro1=75mm)より大きく設定されている。また、第2断面における中心軌道の曲率半径(例えば、R2=80mm、120mm)は、第1断面における中心軌道の曲率半径(例えば、R1=70mm)より大きく設定されている。
また、図3に示すように、第2断面(電子線の進行方向に対して垂直な断面)において、内側曲面17の中心位置を通る内側曲面17の法線と外側曲面19の中心位置を通る外側曲面19の法線は一致し、電子線の通過する位置は法線上に設定されている。そして、内側曲面17の曲面形状は法線を中心とした対称形状(図3における左右対称形状)を有し、外側曲面19の曲面形状は法線を中心とした対称形状(図3における左右対称形状)を有している。
この場合、図4(a)に示すように、二方向集束条件において、第1断面(電子線の進行方向に沿った断面)において、内側曲面17と外側曲面19との間を通過する電子線の中心軌道に対して所定距離だけ離間して平行に入射された電子線が内側曲面17と外側曲面19との間を通過した後に中心軌道と交差する位置のずれが小さくなるように、第2断面における内側曲面17の曲率半径(例えば、Ri2=75mm、115mm)と外側曲面19の曲率半径(例えば、Ro2=85mm、125mm)が設定されている。
第1断面(電子線の進行方向に沿った断面)において、内側曲面17と外側曲面19との間を通過する電子線の中心軌道に対して所定距離だけ離間して平行に入射された電子線が内側曲面17と外側曲面19との間を通過した後に中心軌道と交差する位置のずれを小さくするためには、第2断面における内側曲面17の曲率半径は、第1断面における内側曲面17の曲率半径の1倍より大きく、第1断面における内側曲面17の曲率半径の3倍以下(1×Ri1<Ri2≦3×Ri1)に設定されることが好ましく、第2断面における外側曲面19の曲率半径は、第1断面における外側曲面19の曲率半径の1倍より大きく、第1断面における外側曲面19の曲率半径の3倍以下(1×Ro1<Ro2≦3×Ro1)に設定されることが好ましい。
中心軌道が直線で、かつ回転対称の静電レンズまたは電磁レンズの場合、中心軌道と所定距離離間して平行に入射した電子線の焦点距離の位相依存性はない。一方、本発明のビームベンダのように、中心軌道が曲線の場合、中心軌道と所定距離離間して平行に入射した電子線の焦点距離は、中心軌道を含む平面に対する位相への依存性がある。図4(a)は、それを視覚的に説明したものである。電子線の中心軌道O、図3で中心軌道Oに対して真上の位置で入射された軌道A、そして、図3で中心軌道Oに対して真下の位置で入射された軌道Bのそれぞれの軌道を図示した。それぞれの軌道はビームベンダを通過後、まず軌道Aが軌道Oと交差し、ついで軌道Bが軌道Oと交差する。本明細に於いて、集束性は、位相の違うビームの軌道が中心軌道と交差する位置の最大値と最小値の差の観点で議論する。ここでは、中心軌道との交差位置ずれ量と呼称する。
中心軌道との交差位置ずれ量は、内電極、外電極それぞれに印加する電位によっても変化する。図4(b)は、電界計算と荷電粒子軌道計算からなる数値シミュレーションによる、中心軌道との交差位置ずれ量を評価するための電子線の入射時の位相を示す。図4(b)に於ける上下左右は、図3の電子線の中心軌道に対する上下左右と一致する。この場合、図4(b)に示すように、電子線の中心軌道Oに対して、−90度、−67.5度、−45度、−22.5度、0度、22.5度、45度、67.5度、90度の位相で所定距離rだけ離間して平行に入射された電子線が内側曲面17と外側曲面19との間を通過した後に中心軌道と交差する位置を算出し、その最大値と最小値の差として交差位置ずれ量を算出する。
図5は、ビームベンダ12の内側電極と外側電極に印加する電圧を数値シミュレーションで決定するときの流れを示すフロー図である。ビームベンダ12の電圧調整は、電圧制御部16によって行われる。この場合、内側電極には電圧V1+V2が印加され、外側電極には電圧−V1+V2が印加される。
図5に示すように、ビームベンダ12の電圧調整をするときには、まず、V1とV2の初期値を設定して(S1)、数値シミュレーションによって電界計算(S2)と軌道計算(S3)を行う。そして、電子線(2次電子)の曲げ角が所定角(例えば30度)であるか否かを判定し(S4)、曲げ角が所定角でない場合には(S4でNO)、電圧V1を調整する(S5)。
電圧V1を調整して電子線(2次電子)の曲げ角が所定角(例えば30度)になると(S4でYes)、電子線(2次電子)の中心軌道Oに対して所定距離rだけ離間して平行に入射された電子線が内側曲面17と外側曲面19との間を通過した後に中心軌道と交差する位置のずれを測定する。
この場合、電子線の中心軌道Oに対して、−90度、−67.5度、−45度、−22.5度、0度、22.5度、45度、67.5度、90度の位相で所定距離rだけ離間して平行に入射された電子線が内側曲面17と外側曲面19との間を通過した後に中心軌道と交差する位置のずれを測定する。
そして、測定した位置ずれ量が極小であるか否かを判定し(S6)、位置ずれ量が極小でない場合には(S6でNO)、電圧V2を調整する(S7)。電圧V2を調整した結果、位置ずれ量が極小になると、この電圧調整の処理を終了する。なお、一連のプロセスに、2変量のニュートン・ラフソン法などの公知の手法を用いることも可能である。
ここで求められた電圧条件は、一般に二方向集束条件と呼ばれるが、中心軌道との交差位置ずれ量は極小ではあるが、0ではない。二方向集束条件に於ける交差位置ずれ量は、個々のビームベンダの機械的な構成からなる固有の値であり、これがより0に近い程、集束性の良いビームベンダと言える。
図6には、第2断面における電子線の中心軌道の曲率半径をR2=70mmとした比較例と、R2=80mmとした実施例1と、R2=120mmとした実施例2について、電子線の中心軌道Oに対して、−90度、−67.5度、−45度、−22.5度、0度、22.5度、45度、67.5度、90度の位相で所定距離rだけ離間して平行に入射された電子線が、二方向集束条件の電位がそれぞれ印加された内側曲面17と外側曲面19との間を通過した後に中心軌道と交差する位置を、位相0度の交差位置に対する相対値として示されている。図6のグラフから、比較例よりも実施例1の方が、さらに実施例1よりも実施例2の方が、交差位置ずれ量が小さくなっている事がわかる。交差位置ずれ量の小さいビームベンダの第2断面における電子線の中心軌道の曲率半径R2はこのようにして決定される。
このような本実施の形態のビームベンダ12によれば、ビームベンダ12によって曲げられた電子線の集束性を向上させることができる。より具体的には、内側曲面17と外側曲面19との間を通過する電子線の中心軌道に対して所定距離だけ離間して平行に入射された電子線が内側曲面17と外側曲面19との間を通過した後に中心軌道と交差する位置のずれを小さくすることができる。
なお、以上の説明では、内側曲面17と外側曲面19との間を通過する電子線の中心軌道に対して所定距離だけ離間して平行に入射された電子線が内側曲面17と外側曲面19との間を通過した後に中心軌道と交差する位置のずれを小さくする事のみを論じてきたが、平行ではない電子線が入射されるケースや離間距離が位相に応じて微小に異なるケースに於いても、その性状が予めわかっていれば、同様の手法を用いて中心軌道と交差する位置のずれが最小となる内側曲面17と外側曲面19の曲率をそれぞれ決定する事が可能である。
また、本実施の形態では、内側曲面17と外側曲面19が対称形状を有しているので、ビームベンダ12によって曲げられた電子線の対称性を向上させることができる。また、第2断面における内側曲面17の曲率半径と外側曲面19の曲率半径を適切に設定することによって、ビームベンダ12によって曲げられた電子線の集束性を向上させることができる。
以上、本発明の実施の形態を例示により説明したが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではなく、請求項に記載された範囲内において目的に応じて変更・変形することが可能である。
本発明のビームベンダは、様々なエネルギーの混在した電子線から所定のエネルギーを持つ電子のみを取り出す分光器として使用することも可能である。本発明のビームベンダを分光器として使用すれば、上述のように本発明のビームベンダは電子線の集束性が高いので、分光後に他のエネルギーの電子線が混入する割合を下げることができ、分光特性(エネルギー分解能)が向上する。
以上のように、本発明にかかるビームベンダは、ビームベンダによって曲げられた電子線の集束性を向上することができるという効果を有し、電子顕微鏡等に用いられ有用である。
1 電子線装置
2 1次光学系
3 2次光学系
4 ステージ
5 電子銃
6 集光レンズ
7 マルチ開口板
8 集光レンズ
9 偏向器
10 ウイーンフィルタ
11 対物レンズ
12 ビームベンダ
13 投影レンズ
14 マルチ開口検出板
15 検出器
16 電圧制御部
17 内側曲面
18 内電極
19 外側曲面
20 外電極
21 接地電極
2 1次光学系
3 2次光学系
4 ステージ
5 電子銃
6 集光レンズ
7 マルチ開口板
8 集光レンズ
9 偏向器
10 ウイーンフィルタ
11 対物レンズ
12 ビームベンダ
13 投影レンズ
14 マルチ開口検出板
15 検出器
16 電圧制御部
17 内側曲面
18 内電極
19 外側曲面
20 外電極
21 接地電極
Claims (4)
- 内側曲面を有する内電極と外側曲面を有する外電極を備え、前記内電極と前記外電極にそれぞれ異なる電位を印加する事により生じる電界によって、前記内側曲面と前記外側曲面の間を通過する電子線を曲げるためのビームベンダであって、
前記内側曲面と前記外側曲面の間を通過する前記電子線の進行方向に沿った第1断面において、前記内側曲面の曲率および前記外側曲面の曲率はそれぞれ一定であり、前記内側曲面の曲率中心と前記外側曲面の曲率中心は一致するように設定され、
前記電子線の進行方向に対して垂直な第2断面において、前記内側曲面の曲率および前記外側曲面の曲率はそれぞれ一定であり、前記内側曲面の曲率中心と前記外側曲面の曲率中心は一致するように設定され、
前記第2断面における前記内側曲面の曲率半径は、前記第1断面における前記内側曲面の曲率半径より大きく設定され、
前記第2断面における前記外側曲面の曲率半径は、前記第1断面における前記外側曲面の曲率半径より大きく設定されている、ことを特徴とするビームベンダ。 - 前記第2断面において、前記内側曲面の中心位置を通る前記内側曲面の法線と前記外側曲面の中心位置を通る前記外側曲面の法線は一致し、前記電子線の通過する位置は前記法線上に設定され、前記内側曲面の曲面形状は前記法線を中心とした対称形状を有し、前記外側曲面の曲面形状は前記法線を中心とした対称形状を有する、請求項1に記載のビームベンダ。
- 前記第1断面において、前記内側曲面と前記外側曲面との間に入射した電子線の中心軌道に対して所定距離だけ離間して平行に入射された電子線が前記内側曲面と前記外側曲面との間を通過した後に前記中心軌道と交差する位置のずれが小さくなるように、前記第2断面における前記内側曲面の曲率半径と前記外側曲面の曲率半径が設定されている、請求項1または請求項2に記載のビームベンダ。
- 前記第2断面における前記内側曲面の曲率半径は、前記第1断面における前記内側曲面の曲率半径の1倍より大きく、前記第1断面における前記内側曲面の曲率半径の3倍以下に設定され、
前記第2断面における前記外側曲面の曲率半径は、前記第1断面における前記外側曲面の曲率半径の1倍より大きく、前記第1断面における前記外側曲面の曲率半径の3倍以下に設定されている、請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載のビームベンダ。
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