JP2005195504A - 試料の欠陥検査装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】複数の欠陥検査アルゴリズムを実行可能な検査装置の利用効率を向上させる。
【解決手段】X/Y干渉計5からの位置座標に基づき、制御部305は、どのアルゴリズムで検査するかを判定し、スイッチSW−Aを制御して画像メモリM1〜M4に参照画像を記憶する。参照画像には、画像取得部4によって得られた試料表面の画像、セル参照画像生成部301からの画像、CADデータ参照画像生成部302からの画像が含まれる。制御部305はまた、スイッチSW−Bを制御して、画像比較部303に参照画像を選択的に供給し、現在取得されている検査画像と対比させる。欠陥判定部304は、対比の結果に基づき欠陥の存否を判定する。
【選択図】 図15
【解決手段】X/Y干渉計5からの位置座標に基づき、制御部305は、どのアルゴリズムで検査するかを判定し、スイッチSW−Aを制御して画像メモリM1〜M4に参照画像を記憶する。参照画像には、画像取得部4によって得られた試料表面の画像、セル参照画像生成部301からの画像、CADデータ参照画像生成部302からの画像が含まれる。制御部305はまた、スイッチSW−Bを制御して、画像比較部303に参照画像を選択的に供給し、現在取得されている検査画像と対比させる。欠陥判定部304は、対比の結果に基づき欠陥の存否を判定する。
【選択図】 図15
Description
本発明は、表面にパターンが形成された試料の欠陥検査装置に関し、より詳細には、半導体製造工程におけるウエハ等の試料に電子ビームを照射し、その表面の性状に応じて変化する二次電子等を捕捉して画像データを形成し、該画像データに基づいて試料表面に形成されたパターン等の欠陥を高スループットで評価するための欠陥検査装置に関する。
半導体製造プロセスにおいて、デザインルールは100nmの時代を迎えようとしており、また生産形態はDRAMに代表される少品種大量生産からSOC(Silicon on chip)のように多品種少量生産へ移行しつつある。それに伴い、製造工程数が増加し、各工程毎の歩留まり向上は必須となり、プロセス起因の欠陥検査が重要になる。
そして、半導体デバイスの高集積化及びパターンの微細化に伴い、高分解能、高スループットの検査装置が要求されている。100nmデザインルールのウエハの欠陥を調べるためには、100nm以下の分解能が必要であり、デバイスの高集積化による製造工程の増加により、検査量が増大するため、高スループットが要求されている。また、デバイスの多層化が進むにつれて、層間の配線をつなぐビアのコンタクト不良(電気的欠陥)を検出する機能も、検査装置に要求されている。
そして、半導体デバイスの高集積化及びパターンの微細化に伴い、高分解能、高スループットの検査装置が要求されている。100nmデザインルールのウエハの欠陥を調べるためには、100nm以下の分解能が必要であり、デバイスの高集積化による製造工程の増加により、検査量が増大するため、高スループットが要求されている。また、デバイスの多層化が進むにつれて、層間の配線をつなぐビアのコンタクト不良(電気的欠陥)を検出する機能も、検査装置に要求されている。
このような欠陥検査装置において、以下の特許文献1に記載されているように、欠陥検査アルゴリズムが複数必要な場合、それぞれのアルゴリズムは異なるハードウエア及びソフトウエアで構築されている。
欠陥検査アルゴリズムには、例えば、
・セル(Cell)検査アルゴリズム(アレイ検査アルゴリズム)
・ダイ−ダイ(Die-to-Die)検査アルゴリズム(隣接ダイ比較検査アルゴリズム)
・基準ダイ(Die-to-Any Die)比較検査アルゴリズム
・CADデータ比較(CAD Data-to-Any Die)検査アルゴリズム
が含まれる。
特許第3187827号公報
欠陥検査アルゴリズムには、例えば、
・セル(Cell)検査アルゴリズム(アレイ検査アルゴリズム)
・ダイ−ダイ(Die-to-Die)検査アルゴリズム(隣接ダイ比較検査アルゴリズム)
・基準ダイ(Die-to-Any Die)比較検査アルゴリズム
・CADデータ比較(CAD Data-to-Any Die)検査アルゴリズム
が含まれる。
上記したように、従来例の試料の欠陥検査装置においては、複数の検査アルゴリズムの中から、検査すべきパターン等に応じて1つの検査アルゴリズムを選択して、欠陥検査を行っているが、これら検査アルゴリズムは個別のハードウエア/ソフトウエアによって構築されていることから、ハードウエア及びソフトウエアの利用効率が悪いという問題点がある。
本発明は、このような従来例の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、複数の検査アルゴリズムを選択的に実行可能な欠陥検査装置において、検査アルゴリズムを実行するためのハードウエア/ソフトウエアの利用効率を向上させることである。
本発明は、このような従来例の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、複数の検査アルゴリズムを選択的に実行可能な欠陥検査装置において、検査アルゴリズムを実行するためのハードウエア/ソフトウエアの利用効率を向上させることである。
上記した目的を達成するために、本発明は、試料表面に形成されたパターンを参照パターンと比較して欠陥検査を行う欠陥検査装置であって、
試料表面のパターン画像を被検査パターン画像として取得する手段と、
第1の参照パターン画像を取得し記憶する手段と、
第2の参照パターン画像を取得し記憶する手段と、
試料表面上の現在取得されている被検査パターン画像の位置座標を現在位置座標として取得する手段と、
試料表面の位置座標に対応して、被検査パターン画像を、第1の参照パターン画像と対比するか第2の参照パターン画像と対比するかを予め記憶する検査アルゴリズム記憶手段と、
検査アルゴリズム記憶手段を参照し、現在位置座標に基づいて、第1又は第2の参照パターン画像を参照パターン画像として選択する選択手段と、
選択された参照パターン画像を、被検査パターン画像と対比して欠陥を検出する欠陥判定手段と
からなることを特徴とする欠陥検査装置を提供する。
試料表面のパターン画像を被検査パターン画像として取得する手段と、
第1の参照パターン画像を取得し記憶する手段と、
第2の参照パターン画像を取得し記憶する手段と、
試料表面上の現在取得されている被検査パターン画像の位置座標を現在位置座標として取得する手段と、
試料表面の位置座標に対応して、被検査パターン画像を、第1の参照パターン画像と対比するか第2の参照パターン画像と対比するかを予め記憶する検査アルゴリズム記憶手段と、
検査アルゴリズム記憶手段を参照し、現在位置座標に基づいて、第1又は第2の参照パターン画像を参照パターン画像として選択する選択手段と、
選択された参照パターン画像を、被検査パターン画像と対比して欠陥を検出する欠陥判定手段と
からなることを特徴とする欠陥検査装置を提供する。
上記した本発明に係る欠陥検査装置において、試料上には複数のダイが形成されており、第1の参照パターン画像は、周期的パターンであるセル画像であり、第2の参照パターン画像は、ダイ単位の参照パターン画像であることが好ましく、この場合、ダイ単位の参照パターン画像は、現在取得されている被検査パターン画像のダイに隣接するダイのパターン画像であることが好ましい。また、欠陥検査装置はさらに、試料上の予め選択設定された1つのダイのパターン画像を第3の参照パターン画像として取得し記憶する手段と、CADデータから得られたダイのパターン画像を第4の参照パターン画像として取得し記憶する手段とを備え、検査アルゴリズム記憶手段は、第3又は第4の参照パターン画像を参照パターン画像とするか否かが記憶され、選択手段は、検査アルゴリズム記憶手段に第3又は第4の参照パターン画像を参照パターン画像とすると記憶されている場合に、欠陥判定手段に対して、第3又は第4の参照パターン画像を参照パターン画像として供給するよう構成されていることが好ましい。
また、本発明の欠陥検査装置において、ダイ単位の参照パターン画像は、試料上の予め選択された1つのダイのパターン画像であるか、CADデータから得られたダイのパターン画像であることが好ましい。
また、本発明の欠陥検査装置において、ダイ単位の参照パターン画像は、試料上の予め選択された1つのダイのパターン画像であるか、CADデータから得られたダイのパターン画像であることが好ましい。
本発明はまた、試料表面に形成されたパターンを参照パターンと比較して欠陥検査を行う欠陥検査方法であって、
試料表面の位置座標に対応して、被検査パターン画像を、第1の参照パターン画像と対比するか第2の参照パターン画像と対比するかの検査アルゴリズムを予め記憶するステップと、
第1の参照パターン画像を取得し記憶するステップと、
第2の参照パターン画像を取得し記憶するステップと、
試料表面のパターン画像を被検査パターン画像として取得するステップと、
試料表面上の現在取得されている被検査パターン画像の位置座標を現在位置座標として取得するステップと、
検査アルゴリズムを参照し、現在位置座標に基づいて、第1又は第2の参照パターン画像を参照パターン画像として選択するステップと、
選択された参照パターン画像を、被検査パターン画像と対比して欠陥を検出するステップと
からなることを特徴とする欠陥検査方法を提供する。
上記した本発明の欠陥検査方法において、試料上には複数のダイが形成されており、第1の参照パターン画像は、周期的パターンであるセル画像であり、第2の参照パターン画像は、ダイ単位の参照パターン画像であることが好ましい。
試料表面の位置座標に対応して、被検査パターン画像を、第1の参照パターン画像と対比するか第2の参照パターン画像と対比するかの検査アルゴリズムを予め記憶するステップと、
第1の参照パターン画像を取得し記憶するステップと、
第2の参照パターン画像を取得し記憶するステップと、
試料表面のパターン画像を被検査パターン画像として取得するステップと、
試料表面上の現在取得されている被検査パターン画像の位置座標を現在位置座標として取得するステップと、
検査アルゴリズムを参照し、現在位置座標に基づいて、第1又は第2の参照パターン画像を参照パターン画像として選択するステップと、
選択された参照パターン画像を、被検査パターン画像と対比して欠陥を検出するステップと
からなることを特徴とする欠陥検査方法を提供する。
上記した本発明の欠陥検査方法において、試料上には複数のダイが形成されており、第1の参照パターン画像は、周期的パターンであるセル画像であり、第2の参照パターン画像は、ダイ単位の参照パターン画像であることが好ましい。
本発明の欠陥検査装置は、上記したように構成されているので、1つのハードウエア/ソフトウエアで複数の検査アルゴリズムを選択的に実行することができ、しかも、1つのウエハであっても、複数の検査アルゴリズムを実行することができる。したがって、ハードウエア/ソフトウエアの利用効率を向上させることができる。
本発明に係る欠陥検査装置の実施例を説明する前に、該欠陥検査装置を組み入れて使用することができる、半導体ウエハ用の検査システムの全体構成について説明する。
図1及び図2は、検査システム1の主要な構成要素を示す立面図及び平面図である。検査システム1は、複数枚のウエハを収納したカセットを保持するカセットホルダ10と、ミニエンバイロメント装置20と、主ハウジング30と、ミニエンバイロメント装置20と主ハウジング30との間に配置されていて、二つのローディングチャンバを画成するローダハウジング40と、ウエハをカセットホルダ10から主ハウジング30内に配置されたステージ装置50上に装填するローダ60と、主ハウジング30内に配置され、ウエハであるウエハWを載置して移動させるステージ装置50と、主ハウジング30に取り付けられた電子光学系70とを備え、それらは、図1及び図2に示したような位置関係で配置されている。検査システム1は、また、真空の主ハウジング30内に配置されたプレチャージユニット81と、ウエハに電位を印加する電位印加機構と、電子ビームキャリブレーション機構と、ステージ装置50上でのウエハの位置決めを行うためのアライメント制御装置87(図6に図示)を構成する光学顕微鏡871とを備えている。検査システム1はさらに、これらの要素の動作を制御するための制御装置2を備えている。
以下に、検査システム1の主要な要素(サブシステム)それぞれの構成について、詳細に説明する。
図1及び図2は、検査システム1の主要な構成要素を示す立面図及び平面図である。検査システム1は、複数枚のウエハを収納したカセットを保持するカセットホルダ10と、ミニエンバイロメント装置20と、主ハウジング30と、ミニエンバイロメント装置20と主ハウジング30との間に配置されていて、二つのローディングチャンバを画成するローダハウジング40と、ウエハをカセットホルダ10から主ハウジング30内に配置されたステージ装置50上に装填するローダ60と、主ハウジング30内に配置され、ウエハであるウエハWを載置して移動させるステージ装置50と、主ハウジング30に取り付けられた電子光学系70とを備え、それらは、図1及び図2に示したような位置関係で配置されている。検査システム1は、また、真空の主ハウジング30内に配置されたプレチャージユニット81と、ウエハに電位を印加する電位印加機構と、電子ビームキャリブレーション機構と、ステージ装置50上でのウエハの位置決めを行うためのアライメント制御装置87(図6に図示)を構成する光学顕微鏡871とを備えている。検査システム1はさらに、これらの要素の動作を制御するための制御装置2を備えている。
以下に、検査システム1の主要な要素(サブシステム)それぞれの構成について、詳細に説明する。
カセットホルダ10
カセットホルダ10は、複数枚(例えば25枚)のウエハが上下方向に平行に並べられた状態で収納されたカセットc(例えば、アシスト社製のSMIF、FOUPのようなクローズドカセット)を複数個(この実施形態では2個のカセット)保持するようになっている。このカセットホルダとしては、カセットをロボット等により搬送して自動的にカセットホルダ10に装填する場合には、それに適した構造のものを、また人手により装填する場合には、それに適したオープンカセット構造のものを、それぞれ任意に選択して設置できるようになっている。カセットホルダ10は、この実施形態では、自動的にカセットcが装填される形式であり、例えば昇降テーブル11と、その昇降テール11を上下移動させる昇降機構12とを備えている。カセットcは、昇降テーブル上に図2において鎖線で示した状態に自動的に装填可能であり、装填後、図2において実線で示した状態に自動的に回転され、ミニエンバイロメント装置20内の第1の搬送ユニットの回動軸線に向けられる。また、昇降テーブル11は、図1において鎖線で示した状態に降下される。
カセットホルダ10は、複数枚(例えば25枚)のウエハが上下方向に平行に並べられた状態で収納されたカセットc(例えば、アシスト社製のSMIF、FOUPのようなクローズドカセット)を複数個(この実施形態では2個のカセット)保持するようになっている。このカセットホルダとしては、カセットをロボット等により搬送して自動的にカセットホルダ10に装填する場合には、それに適した構造のものを、また人手により装填する場合には、それに適したオープンカセット構造のものを、それぞれ任意に選択して設置できるようになっている。カセットホルダ10は、この実施形態では、自動的にカセットcが装填される形式であり、例えば昇降テーブル11と、その昇降テール11を上下移動させる昇降機構12とを備えている。カセットcは、昇降テーブル上に図2において鎖線で示した状態に自動的に装填可能であり、装填後、図2において実線で示した状態に自動的に回転され、ミニエンバイロメント装置20内の第1の搬送ユニットの回動軸線に向けられる。また、昇降テーブル11は、図1において鎖線で示した状態に降下される。
別の実施形態では、図3に示すように、複数の300mmウエハWを箱本体501の内側に固定した溝型ポケット(不図示)に収納した状態で収容し、搬送、保管等を行うものである。この基板搬送箱24は、角筒状の箱本体501と基板搬送出入り口ドアの自動開閉装置とに連結されて、箱本体501の側面の開口部を機械により開閉可能な基板搬送出入りドア502と、開口部と反対側に位置し、フィルタ類及びファンモータの着脱を行うための開口部を覆う蓋体503と、ウエハWを保持するための溝型ポケット507とから構成されている。この実施形態では、ローダー60のロボット式の搬送ユニット61により、ウエハを出し入れする。
なお、カセットc内に収納されるウエハは、半導体製造工程中でウエハを処理するプロセスの後、若しくはプロセスの途中で行われる。具体的には、成膜工程、CMP、イオン注入等を受けたウエハ、表面に配線パターンが形成されたウエハ、又は配線パターンが未だに形成されていないウエハが、検査のためにカセットc内に収納される。カセットc内に収容されるウエハは、多数枚上下方向に隔ててかつ平行に並べて配置されており、カセット中の任意の位置のウエハを、後述する第1の搬送ユニットで保持できるようにするために、第1の搬送ユニットのアームを上下移動できるようになっている。
なお、カセットc内に収納されるウエハは、半導体製造工程中でウエハを処理するプロセスの後、若しくはプロセスの途中で行われる。具体的には、成膜工程、CMP、イオン注入等を受けたウエハ、表面に配線パターンが形成されたウエハ、又は配線パターンが未だに形成されていないウエハが、検査のためにカセットc内に収納される。カセットc内に収容されるウエハは、多数枚上下方向に隔ててかつ平行に並べて配置されており、カセット中の任意の位置のウエハを、後述する第1の搬送ユニットで保持できるようにするために、第1の搬送ユニットのアームを上下移動できるようになっている。
ミニエンバイロメント装置20
図4は、ミニエンバイロメント装置20を図1とは異なる方向から見た立面図である。この図4並びに先の図1及び図2に示したように、ミニエンバイロメント装置20は、雰囲気制御されるミニエンバイロメント空間21を画成するハウジング22と、ミニエンバイロメント空間21内で清浄空気等の気体を循環して雰囲気制御するための気体循環装置23と、ミニエンバイロメント空間21内に供給された空気の一部を回収して排出する排出装置24と、ミニエンバイロメント空間21内に配設されていて試料であるウエハの粗位置決めを行うプリアライナ25とを備えている。
図4は、ミニエンバイロメント装置20を図1とは異なる方向から見た立面図である。この図4並びに先の図1及び図2に示したように、ミニエンバイロメント装置20は、雰囲気制御されるミニエンバイロメント空間21を画成するハウジング22と、ミニエンバイロメント空間21内で清浄空気等の気体を循環して雰囲気制御するための気体循環装置23と、ミニエンバイロメント空間21内に供給された空気の一部を回収して排出する排出装置24と、ミニエンバイロメント空間21内に配設されていて試料であるウエハの粗位置決めを行うプリアライナ25とを備えている。
ハウジング22は、頂壁221、底壁222及び四周を囲む周壁223を有し、ミニエンバイロメント空間21を外部から遮断する構造になっている。ミニエンバイロメント空間21を雰囲気制御するために、気体循環装置23は、図4に示されるように、ミニエンバイロメント空間21内において、頂壁221に下向きに取り付けられていて、気体(この実施形態では空気)を清浄にして一つ又はそれ以上の気体吹き出し口(図示せず)を通して清浄空気を真下に向かって層流状に流す気体供給ユニット231と、底壁222の上に配置されていて、底に向かって流れ下った空気を回収する回収ダクト232と、回収ダクト232と気体供給ユニット231とを接続して回収された空気を気体供給ユニット231に戻す導管233とを備えている。
清浄空気の層流状の下方向の流れすなわちダウンフローは、主に、ミニエンバイロメント空間21内に配置された後述する第1の搬送ユニットによる搬送面を通して流れるように供給され、これにより、搬送ユニットにより発生する恐れのある塵埃がウエハに付着するのを防止する。ハウジング22の周壁223のうち、カセットホルダ10に隣接する部分には、出入り口225が形成されている。
排出装置24は、後に説明する搬送ユニットのウエハ搬送面より下側の位置で搬送ユニットの下部に配置された吸入ダクト241と、ハウジング22の外側に配置されたブロワー242と、吸入ダクト241とブロワー242とを接続する導管243と、を備えている。この排出装置24は、搬送ユニットの周囲を流れ下り搬送ユニットにより発生する可能性のある塵埃を含んだ気体を、吸入ダクト241により吸引し、導管243、244及びブロワー242を介してハウジング22の外側に排出する。
排出装置24は、後に説明する搬送ユニットのウエハ搬送面より下側の位置で搬送ユニットの下部に配置された吸入ダクト241と、ハウジング22の外側に配置されたブロワー242と、吸入ダクト241とブロワー242とを接続する導管243と、を備えている。この排出装置24は、搬送ユニットの周囲を流れ下り搬送ユニットにより発生する可能性のある塵埃を含んだ気体を、吸入ダクト241により吸引し、導管243、244及びブロワー242を介してハウジング22の外側に排出する。
ミニエンバイロメント空間21内に配置されたプリアライナー25は、ウエハに形成されたオリエンテーションフラット(円形のウエハの外周に形成された平坦部分を言い、以下においてオリフラと呼ぶ)や、ウエハの外周縁に形成された一つ又はそれ以上のV型の切欠きすなわちノッチを光学的に或いは機械的に検出し、それに基づいて、ウエハの軸線O1−O1の周りの回転方向の位置を、約±1度の精度で予め位置決めする。プリアライナー25は、ウエハであるウエハの座標を決める機構の一部を構成し、ウエハの粗位置決めを担当する。
主ハウジング30
図1及び図2に示したように、ワーキングチャンバ31を画成する主ハウジング30は、ハウジング本体32を備え、そのハウジング本体32は、台フレーム36上に配置された振動遮断装置すなわち防振装置37の上に載せられたハウジング支持装置33によって支持されている。ハウジング支持装置33は矩形に組まれたフレーム構造体331を備えている。ハウジング本体32は、フレーム構造体331上に配設固定されており、フレーム構造体上に載せられた底壁321と、頂壁322と、底壁321及び頂壁322に接続されて四周を囲む周壁323とを備え、ワーキングチャンバ31を外部から隔離している。この実施形態においては、ハウジング32本体及びハウジング支持装置33は、剛構造に組み立てられていて、台フレーム36が設置されている床からの振動がこの剛構造に伝達されるのを、防振装置37で阻止している。ハウジング32の周壁323の内、ローダハウジング40に隣接する周壁には、ウエハ出し入れ用の出入り口325が形成されている。
図1及び図2に示したように、ワーキングチャンバ31を画成する主ハウジング30は、ハウジング本体32を備え、そのハウジング本体32は、台フレーム36上に配置された振動遮断装置すなわち防振装置37の上に載せられたハウジング支持装置33によって支持されている。ハウジング支持装置33は矩形に組まれたフレーム構造体331を備えている。ハウジング本体32は、フレーム構造体331上に配設固定されており、フレーム構造体上に載せられた底壁321と、頂壁322と、底壁321及び頂壁322に接続されて四周を囲む周壁323とを備え、ワーキングチャンバ31を外部から隔離している。この実施形態においては、ハウジング32本体及びハウジング支持装置33は、剛構造に組み立てられていて、台フレーム36が設置されている床からの振動がこの剛構造に伝達されるのを、防振装置37で阻止している。ハウジング32の周壁323の内、ローダハウジング40に隣接する周壁には、ウエハ出し入れ用の出入り口325が形成されている。
ワーキングチャンバ31は、汎用の真空装置(図示せず)により、真空雰囲気に保たれる。台フレーム36の下には、検査システム1全体の動作を制御する制御装置2が配置されている。
なお、検査システム1においては、主ハウジング30を含めて、種々のハウジングを真空排気しているが、そのための真空排気系は、真空ポンプ、真空バルブ、真空ゲージ、真空配管等から構成され、電子光学系、検出器部、ウエハ室、ロードロック室等を、所定のシーケンスに従って真空排気を行う。各部においては、必要な真空度を達成するように、真空バルブが制御される。そして、常時、真空度の監視を行い、異常時には、インターロック機能により隔離バルブ等によるチャンバ間又はチャンバと排気系との間の遮断緊急制御を行い、各部において必要な真空度を確保をする。真空ポンプとしては、主排気にターボ分子ポンプ、粗引き用としてルーツ式のドライポンプを使用する。検査場所(電子線照射部)の圧力は、10-3〜10-5Pa、好ましくは、その1桁下の10-4〜10-6Paが実用的である。
なお、検査システム1においては、主ハウジング30を含めて、種々のハウジングを真空排気しているが、そのための真空排気系は、真空ポンプ、真空バルブ、真空ゲージ、真空配管等から構成され、電子光学系、検出器部、ウエハ室、ロードロック室等を、所定のシーケンスに従って真空排気を行う。各部においては、必要な真空度を達成するように、真空バルブが制御される。そして、常時、真空度の監視を行い、異常時には、インターロック機能により隔離バルブ等によるチャンバ間又はチャンバと排気系との間の遮断緊急制御を行い、各部において必要な真空度を確保をする。真空ポンプとしては、主排気にターボ分子ポンプ、粗引き用としてルーツ式のドライポンプを使用する。検査場所(電子線照射部)の圧力は、10-3〜10-5Pa、好ましくは、その1桁下の10-4〜10-6Paが実用的である。
ローダハウジング40
図5は、図1とは別の方向から見たローダハウジング40の立面図を示している。図5並びに図1及び図2に示すように、ローダハウジング40は、第1のローディングチャンバ41と第2のローディングチャンバ42とを画成するハウジング本体43を備えている。ハウジング本体43は、底壁431と、頂壁432と、四周を囲む周壁433と、第1のローディングチャンバ41と第2のローディングチャンバ42とを仕切る仕切壁434とを有しており、2つのローディングチャンバを外部から隔離している。仕切壁434には、2つのローディングチャンバ間でウエハWの受け渡しを行うための開口すなわち出入り口435が形成されている。また、周壁433のミニエンバイロメント装置20及び主ハウジング30に隣接した部分には、出入り口436及び437が形成されている。このローダハウジング40のハウジング本体43は、ハウジング支持装置33のフレーム構造体331上に載置されて支持されている。したがって、このローダハウジング40にも、床の振動が伝達されない。
図5は、図1とは別の方向から見たローダハウジング40の立面図を示している。図5並びに図1及び図2に示すように、ローダハウジング40は、第1のローディングチャンバ41と第2のローディングチャンバ42とを画成するハウジング本体43を備えている。ハウジング本体43は、底壁431と、頂壁432と、四周を囲む周壁433と、第1のローディングチャンバ41と第2のローディングチャンバ42とを仕切る仕切壁434とを有しており、2つのローディングチャンバを外部から隔離している。仕切壁434には、2つのローディングチャンバ間でウエハWの受け渡しを行うための開口すなわち出入り口435が形成されている。また、周壁433のミニエンバイロメント装置20及び主ハウジング30に隣接した部分には、出入り口436及び437が形成されている。このローダハウジング40のハウジング本体43は、ハウジング支持装置33のフレーム構造体331上に載置されて支持されている。したがって、このローダハウジング40にも、床の振動が伝達されない。
ローダハウジング40の出入り口436とミニエンバイロメント装置20のハウジング22の出入り口226とは整合されているが、これら出入り口436、226の間には、ミニエンバイロメント空間21とローディングチャンバ41との連通を選択的に阻止するシャッタ装置27が設けられている。また、ローダハウジング40の出入り口437と主ハウジング30のハウジング本体32の出入り口325とは整合されているが、これら出入り口436、325の間には、ローディングチャンバ42とワーキンググチャンバ31との連通を選択的に密封阻止するシャッタ装置45が設けられている。更に、仕切壁434に形成された開口には、扉461により開口を閉じて、第1及び第2のローディングチャンバ間の連通を選択的に密封阻止するシャッタ装置46が設けられている。これらのシャッタ装置27、45及び46は、閉じ状態にあるとき、各チャンバを気密シールできるようになっている。
第1のローディングチャンバ41内には、複数枚(この実施形態では2枚)のウエハWを上下に隔てて水平に支持するウエハラック47が配設されている。
第1及び第2のローディングチャンバ41及び42は、真空ポンプを含む汎用の真空排気装置(図示せず)によって、高真空状態(真空度としては、10-5〜10-6Pa)に雰囲気制御される。この場合、第1のローディングチャンバ41を低真空チャンバとして低真空雰囲気に保ち、第2のローディングチャンバ42を高真空チャンバとして高真空雰囲気に保つことにより、ウエハの汚染防止を効果的に行うこともできる。このような2つのローディングチャンバを備えたローディングハウジング構造を採用することによって、ウエハWをローディングチャンバからワーキングチャンバ内に遅滞なく搬送することができる。このようなローディングチャンバ構造を採用することによって、欠陥等の検査のスループットを向上させ、更に、保管状態が高真空状態であることを要求される電子源周辺の真空度を、可能な限り高真空状態にすることができる。
第1及び第2のローディングチャンバ41及び42は、真空ポンプを含む汎用の真空排気装置(図示せず)によって、高真空状態(真空度としては、10-5〜10-6Pa)に雰囲気制御される。この場合、第1のローディングチャンバ41を低真空チャンバとして低真空雰囲気に保ち、第2のローディングチャンバ42を高真空チャンバとして高真空雰囲気に保つことにより、ウエハの汚染防止を効果的に行うこともできる。このような2つのローディングチャンバを備えたローディングハウジング構造を採用することによって、ウエハWをローディングチャンバからワーキングチャンバ内に遅滞なく搬送することができる。このようなローディングチャンバ構造を採用することによって、欠陥等の検査のスループットを向上させ、更に、保管状態が高真空状態であることを要求される電子源周辺の真空度を、可能な限り高真空状態にすることができる。
第1及び第2のローディングチャンバ41及び42にはそれぞれ、真空排気配管と不活性ガス(例えば乾燥純窒素)用のベント配管(それぞれ図示せず)が接続されている。これによって、各ローディングチャンバ内の大気圧状態において、不活性ガスベント(不活性ガスを注入して、不活性ガス以外の酸素ガス等が表面に付着するのを防止する)が達成される。
なお、電子線を使用する本発明の主ハウジング30において、電子光学系70の電子源すなわち電子銃として使用される代表的な六硼化ランタン(LaB6)等は、一度熱電子を放出する程度まで高温状態に加熱された場合には、酸素等に可能な限り接触させないことがその寿命を縮めないために肝要である。本発明においては、主ハウジング30の電子光学系70が配置されているワーキングチャンバにウエハWを搬入する前段階で、上記のような雰囲気制御を行うことにより、酸素に接触する可能性が低減されるため、電子源の寿命を縮めてしまう可能性が低くなる。
なお、電子線を使用する本発明の主ハウジング30において、電子光学系70の電子源すなわち電子銃として使用される代表的な六硼化ランタン(LaB6)等は、一度熱電子を放出する程度まで高温状態に加熱された場合には、酸素等に可能な限り接触させないことがその寿命を縮めないために肝要である。本発明においては、主ハウジング30の電子光学系70が配置されているワーキングチャンバにウエハWを搬入する前段階で、上記のような雰囲気制御を行うことにより、酸素に接触する可能性が低減されるため、電子源の寿命を縮めてしまう可能性が低くなる。
ステージ装置50
ステージ装置50は、主ハウジング30の底壁321上に配置された固定テーブル51と、固定テーブル上でY方向(図1において紙面に垂直の方向)に移動するYテーブル52と、Yテーブル上でX方向(図1において左右方向)に移動するXテーブル53と、Xテーブル上で回転可能な回転テーブル54と、回転テーブル54上に配置されたホルダ55とを備えている。該ホルダ55のウエハ載置面551上にウエハWを解放可能に保持する。ホルダ55は、ウエハWを機械的に或いは静電チャック方式で解放可能に把持できる汎用の構造のものでよい。ステージ装置50は、サーボモータ、エンコーダ及び各種のセンサ(図示せず)を用いて、上記した複数のテーブル52〜54を動作させることにより、載置面551上でホルダ55に保持されたウエハWを電子光学系70から照射される電子ビームに対してX方向、Y方向及びZ方向(図1において上下方向)に、更には、ウエハの支持面に鉛直な軸線の回り方向(θ方向)に、高い精度で位置決めすることができる。
ステージ装置50は、主ハウジング30の底壁321上に配置された固定テーブル51と、固定テーブル上でY方向(図1において紙面に垂直の方向)に移動するYテーブル52と、Yテーブル上でX方向(図1において左右方向)に移動するXテーブル53と、Xテーブル上で回転可能な回転テーブル54と、回転テーブル54上に配置されたホルダ55とを備えている。該ホルダ55のウエハ載置面551上にウエハWを解放可能に保持する。ホルダ55は、ウエハWを機械的に或いは静電チャック方式で解放可能に把持できる汎用の構造のものでよい。ステージ装置50は、サーボモータ、エンコーダ及び各種のセンサ(図示せず)を用いて、上記した複数のテーブル52〜54を動作させることにより、載置面551上でホルダ55に保持されたウエハWを電子光学系70から照射される電子ビームに対してX方向、Y方向及びZ方向(図1において上下方向)に、更には、ウエハの支持面に鉛直な軸線の回り方向(θ方向)に、高い精度で位置決めすることができる。
なお、Z方向の位置決めは、例えばホルダ55上の載置面の位置をZ方向に微調整可能にしておけばよい。この場合、載置面の参照位置を微細径レーザによる位置測定装置(干渉計の原理を使用したレーザ干渉測距装置)によって検知し、その位置をフィードバック回路(不図示)によって制御したり、それと共に或いはそれに代えて、ウエハのノッチ或いはオリフラの位置を測定して、ウエハの電子ビームに対する平面位置及び回転位置を検知し、回転テーブル54を微小角度制御可能なステッピングモータなどにより回転させて制御する。ホルダ55を設けずに、回転テーブル54上にウエハWを直接載置してもよい。ワーキングチャンバ31内での塵埃の発生を極力防止するために、ステージ装置50用のサーボモータ521、531及びエンコーダ522、532は、主ハウジング30の外側に配置されている。
電子ビームに対するウエハWの回転位置やX−Y座標位置を、後述する信号検出系或いは画像処理系に予め入力することによって、信号の参照化を図ることもできる。
電子ビームに対するウエハWの回転位置やX−Y座標位置を、後述する信号検出系或いは画像処理系に予め入力することによって、信号の参照化を図ることもできる。
ローダ60
ローダ60は、ミニエンバイロメント装置20のハウジング22内に配置されたロボット式の第1の搬送ユニット61と、第2のローディングチャンバ42内に配置されたロボット式の第2の搬送ユニット63とを備えている。
第1の搬送ユニット61は、駆動部611に関して軸線O1−O1の回りで回転可能になっている多節のアーム612を有している。多節のアームとして任意の構造のものを使用できるが、この実施形態では、互いに回動可能に取り付けられた三つの部分を有している。第1の搬送ユニット61のアーム612の一つの部分すなわち最も駆動部611側の第1の部分は、駆動部611内に設けられた汎用構造の駆動機構(図示せず)により、回転可能な軸613に取り付けられている。アーム612は、軸613により軸線O1−O1の回りで回動可能であると共に、部分間の相対回転により全体として軸線O1−O1に関して半径方向に伸縮可能である。アーム612の軸613から最も離れた第3の部分の先端には、汎用構造の機械式チャック又は静電チャック等のウエハ把持用の把持装置616が設けられている。駆動部611は、汎用構造の昇降機構615により上下方向に移動可能である。
ローダ60は、ミニエンバイロメント装置20のハウジング22内に配置されたロボット式の第1の搬送ユニット61と、第2のローディングチャンバ42内に配置されたロボット式の第2の搬送ユニット63とを備えている。
第1の搬送ユニット61は、駆動部611に関して軸線O1−O1の回りで回転可能になっている多節のアーム612を有している。多節のアームとして任意の構造のものを使用できるが、この実施形態では、互いに回動可能に取り付けられた三つの部分を有している。第1の搬送ユニット61のアーム612の一つの部分すなわち最も駆動部611側の第1の部分は、駆動部611内に設けられた汎用構造の駆動機構(図示せず)により、回転可能な軸613に取り付けられている。アーム612は、軸613により軸線O1−O1の回りで回動可能であると共に、部分間の相対回転により全体として軸線O1−O1に関して半径方向に伸縮可能である。アーム612の軸613から最も離れた第3の部分の先端には、汎用構造の機械式チャック又は静電チャック等のウエハ把持用の把持装置616が設けられている。駆動部611は、汎用構造の昇降機構615により上下方向に移動可能である。
この第1の搬送ユニット61において、カセットホルダ10中に保持された二つのカセットcの内のいずれか一方の方向M1又はM2(図2)に向かって、アーム612が伸び、そして、カセットc内に収容されたウエハWをアームの上に載せるか又はアームの先端に取り付けたチャック(図示せず)により把持して取り出す。その後、アームが縮み(図2に示した状態)、アームがプリアライナ25の方向M3に向かって伸長できる位置まで回転して、その位置で停止する。するとアームが再び伸びてアームに保持されたウエハWをプリアライナ25に載せる。プリアライナ25から前記と逆にしてウエハを受け取った後、アームは更に回転し、第1のローディングチャンバ41に向かって伸長できる位置(向きM4)で停止し、第1のローディングチャンバ41内のウエハ受け47に、ウエハを受け渡す。なお、機械的にウエハを把持する場合には、ウエハの周縁部(周縁から約5mmの範囲)を把持する。これは、ウエハには周縁部を除いて全面にデバイス(回路配線)が形成されており、周縁部以外の部分を把持すると、デバイスの破壊、欠陥の発生を生じさせるからである。
第2の搬送ユニット63も、第1の搬送ユニット61と構造が基本的に同じであり、ウエハWの搬送を、ウエハラック47とステージ装置50の載置面上との間で行う点でのみ相違する。
第2の搬送ユニット63も、第1の搬送ユニット61と構造が基本的に同じであり、ウエハWの搬送を、ウエハラック47とステージ装置50の載置面上との間で行う点でのみ相違する。
第1及び第2の搬送ユニット61及び63は、カセットホルダに保持されたカセットcからワーキングチャンバ31内に配置されたステージ装置50上への及びその逆のウエハの搬送を、ウエハをほぼ水平状態に保ったままで行う。そして、搬送ユニット61、63のアームが上下動するのは、単に、カセットcからのウエハの取り出し及びそれへの挿入、ウエハラックへのウエハの載置及びそこからの取り出し、並びに、ステージ装置50へのウエハの載置及びそこからの取り出しのときるだけである。したがって、例えば直径30cm等の大型のウエハであっても、その移動をスムースに行うことができる。
ここで、上記構成を有する検査システム1において、カセットホルダ10に支持されたカセットcからワーキングチャンバ31内に配置されたステージ装置50までへのウエハの搬送を、順を追って説明する。
ここで、上記構成を有する検査システム1において、カセットホルダ10に支持されたカセットcからワーキングチャンバ31内に配置されたステージ装置50までへのウエハの搬送を、順を追って説明する。
カセットホルダ10は、前述のように人手によりカセットをセットする場合にはそれに適した構造のものが、また自動的にカセットをセットする場合にはそれに適した構造のものが使用される。この実施形態において、カセットcがカセットホルダ10の昇降テーブル11の上にセットされると、昇降テーブル11は昇降機構12によって降下され、カセットcが出入り口225に整合される。カセットが出入り口225に整合されると、カセットcに設けられたカバー(不図示)が開き、また、カセットcとミニエンバイロメント装置20の出入り口225との間には、筒状の覆いが配置されて、カセット及びミニエンバイロメント空間21を、外部から遮断する。なお、ミニエンバイロメント装置20側に出入り口225を開閉するシャッタ装置が設けられている場合には、そのシャッタ装置が動作して、出入り口225を開く。
一方、第1の搬送ユニット61のアーム612は、方向M1又はM2のいずれかに向いた状態(この説明では、M1の方向)で停止しており、出入り口225が開くと、アームが伸びてその先端でカセットcに収容されているウエハのうち1枚を受け取る。
アーム612によるウエハの受け取りが完了すると、該アームは縮み、シャッタ装置が動作して出入り口を閉じ(シャッタ装置がある場合)、次に、アーム612は軸線O1−O1の回りで回動し、方向M3に向けて伸長できる状態となる。そして、アームが伸びて先端に載せられ或いはチャックで把持されたウエハをプリアライナ25の上に載せ、該プリアライナによって、ウエハの回転方向の向き(ウエハ平面に垂直な中心軸線の回りの向き)を、所定の範囲内に位置決めする。位置決めが完了すると、第1の搬送ユニット61は、アーム612の先端にプリアライナ25からウエハを受け取った後にアームを縮ませ、方向M4に向けてアームを伸長できる姿勢になる。すると、シャッタ装置27の扉272が動いて出入り口226及び436を開き、アーム612が伸びてウエハを第1のローディングチャンバ41内のウエハラック47の上段側又は下段側に載せる。なお、シャッタ装置27が開いてウエハラック47にウエハが受け渡される前に、仕切壁434に形成された開口435は、シャッタ装置46の扉461により気密状態に閉じられている。
アーム612によるウエハの受け取りが完了すると、該アームは縮み、シャッタ装置が動作して出入り口を閉じ(シャッタ装置がある場合)、次に、アーム612は軸線O1−O1の回りで回動し、方向M3に向けて伸長できる状態となる。そして、アームが伸びて先端に載せられ或いはチャックで把持されたウエハをプリアライナ25の上に載せ、該プリアライナによって、ウエハの回転方向の向き(ウエハ平面に垂直な中心軸線の回りの向き)を、所定の範囲内に位置決めする。位置決めが完了すると、第1の搬送ユニット61は、アーム612の先端にプリアライナ25からウエハを受け取った後にアームを縮ませ、方向M4に向けてアームを伸長できる姿勢になる。すると、シャッタ装置27の扉272が動いて出入り口226及び436を開き、アーム612が伸びてウエハを第1のローディングチャンバ41内のウエハラック47の上段側又は下段側に載せる。なお、シャッタ装置27が開いてウエハラック47にウエハが受け渡される前に、仕切壁434に形成された開口435は、シャッタ装置46の扉461により気密状態に閉じられている。
上記した第1の搬送ユニット61によるウエハの搬送過程において、ミニエンバイロメント装置20のハウジング本体22に設けられた気体供給ユニット231からは清浄空気が層流状に流れ(ダウンフローとして)、搬送途中で塵埃がウエハの上面に付着するのを防止する。搬送ユニット周辺の空気の一部(この実施形態では、供給ユニットから供給される空気の約20%で主に汚れた空気)は、排出装置24の吸入ダクト241から吸引されて、ハウジング外に排出される。残りの空気は、ハウジング本体22の底部に設けられた回収ダクト232を介して回収され、再び気体供給ユニット231に戻される。
ローダハウジング40の第1のローディングチャンバ41内のウエハラック47に第1の搬送ユニット61によりウエハが載せられると、シャッタ装置27が閉じて、ローディングチャンバ41を密閉する。すると、該ローディングチャンバ41内には空気が追い出されて不活性ガスが充填された後、その不活性ガスも排出されて、ローディングチャンバ41内は真空雰囲気となる。ローディングチャンバ41の真空雰囲気は、低真空度でよい。ローディングチャンバ41の真空度がある程度得られると、シャッタ装置46が動作して、扉461で密閉していた出入り口434を開き、次いで、第2の搬送ユニット63のアーム632が伸びて先端の把持装置でウエハ受け47から1枚のウエハを受け取る(先端の上に載せて或いは先端に取り付けられたチャックで把持して)。ウエハの受け取りが完了するとアームが縮み、シャッタ装置46が再び動作して扉461により出入り口435を閉じる。なお、シャッタ装置46が開く前に、アーム632は予めウエハラック47の方向N1に向けて伸長できる姿勢になる。また、前記のように、シャッタ装置46が開く前に、シャッタ装置45の扉452により出入り口437、325を閉じて、第2のローディングチャンバ42内とワーキングチャンバ31内との連通を阻止しており、かつ、第2のローディングチャンバ42内は真空排気される。
シャッタ装置46が出入り口435を閉じると、第2のローディングチャンバ42は再度真空排気され、第1のローディングチャンバ41よりも高真空度で真空にされる。その間に、第2の搬送ユニット61のアームは、ワーキングチャンバ31内のステージ装置50の方向に向いて伸長できる位置に回転される。一方ワーキングチャンバ31内のステージ装置50では、Yテーブル52が、Xテーブル53の中心線X0−X0が第2の搬送ユニット63の回動軸線O2−O2を通るX軸線X1−X1とほぼ一致する位置まで、図2で上方に移動し、また、Xテーブル53が図2で最も左側の位置に接近する位置まで移動し、この状態で待機している。第2のローディングチャンバ42がワーキングチャンバ31の真空状態と略同じになると、シャッタ装置45の扉452が動いて出入り口437、325を開き、アームが伸びて、ウエハを保持したアームの先端がワーキングチャンバ31内のステージ装置50に接近する。そして、ステージ装置50の載置面551上にウエハWを載置する。ウエハの載置が完了するとアームが縮み、シャッタ装置45が出入り口437、325を閉じる。
以上は、カセットc内のウエハWをステージ装置50の載置面551上に搬送載置するまでの動作に付いて説明した。検査処理が完了したウエハWをステージ装置50からカセットcに戻すには、前述と逆の動作を行う。また、ウエハラック47に複数のウエハを載置しているため、第2の搬送ユニット63がウエハラック47とステージ装置50との間でウエハの搬送を行っている間に、第1の搬送ユニットがカセットcとウエハラック47との間でウエハの搬送を行うことができる。したがって、検査処理を効率良く行うことができる。
電子光学系70
電子光学系70は、試料の画像を得るための系であり、試料に電子線を衝突させ、試料から放出された二次電子、反射電子、後方散乱電子を検出して試料の画像を生成するSEM装置又は写像投影型の任意の電子線装置を使用可能である。このような電子線装置を用いることにより、分解能を向上させることができる。なお、検出される電子は、試料の表面の情報を保持しているものであれば何でもよく、例えば、試料の表面付近に逆電界を形成することにより、試料に直接衝突せずに、試料付近で反射するミラー電子(広義には反射電子とも言う)、或いは試料を透過する透過電子等でもよい。特に、ミラー電子を用いた場合には、電子が試料に直接衝突しないので、チャージアップの影響が極めて小さいという利点がある。
ミラー電子を利用する場合には、試料に、加速電圧よりも低い負の電位を印加し、試料付近に逆電界を形成する。この負の電位は、試料の表面付近で殆どの電子線が戻される程度の値に設定するのがよい。具体的には、電子銃の加速電圧よりも0.5〜1.0V以上低い電位に設定すればよい。例えば、加速電圧が−4kVの場合、試料への印加電圧は−4.000kV〜−4.050kVに設定するのが好ましい。更に望ましくは、−4.0005kV〜−4.020kVがよく、更に好ましくは−4.0005kV〜−4.010kVに設定するのが好適である。
他に、電子線ではないが、X線も利用してもよい。
電子光学系70は、試料の画像を得るための系であり、試料に電子線を衝突させ、試料から放出された二次電子、反射電子、後方散乱電子を検出して試料の画像を生成するSEM装置又は写像投影型の任意の電子線装置を使用可能である。このような電子線装置を用いることにより、分解能を向上させることができる。なお、検出される電子は、試料の表面の情報を保持しているものであれば何でもよく、例えば、試料の表面付近に逆電界を形成することにより、試料に直接衝突せずに、試料付近で反射するミラー電子(広義には反射電子とも言う)、或いは試料を透過する透過電子等でもよい。特に、ミラー電子を用いた場合には、電子が試料に直接衝突しないので、チャージアップの影響が極めて小さいという利点がある。
ミラー電子を利用する場合には、試料に、加速電圧よりも低い負の電位を印加し、試料付近に逆電界を形成する。この負の電位は、試料の表面付近で殆どの電子線が戻される程度の値に設定するのがよい。具体的には、電子銃の加速電圧よりも0.5〜1.0V以上低い電位に設定すればよい。例えば、加速電圧が−4kVの場合、試料への印加電圧は−4.000kV〜−4.050kVに設定するのが好ましい。更に望ましくは、−4.0005kV〜−4.020kVがよく、更に好ましくは−4.0005kV〜−4.010kVに設定するのが好適である。
他に、電子線ではないが、X線も利用してもよい。
プレチャージユニット81
プレチャージユニット81は、図1に示したように、ワーキングチャンバ31内で電子光学系70の鏡筒71に隣接して配設されている。本発明の検査システム1では、ウエハに電子線を走査して照射することによってウエハ表面に形成されたデバイスパターン等を検査する形式の装置であるため、ウエハ材料、照射電子のエネルギ等の条件によって、ウエハ表面が帯電(チャージアップ)することがある。更に、ウエハ表面でも強く帯電する箇所、弱い帯電箇所が生じる可能性がある。そして、電子線の照射により生じる二次電子等の情報をウエハ表面の情報としているが、ウエハ表面の帯電量にむらがあると、二次電子の情報もむらを含み、正確な画像を得ることができない。そこで、この実施形態では、帯電むらを防止するために、プレチャージユニット81が設けられている。該プレチャージユニット81は荷電粒子照射部811を含み、ウエハ上に検査のために一次電子を照射する前に、荷電粒子照射部811から荷電粒子を照射することにより、帯電むらを無くす。なお、ウエハ表面の帯電状態は、電子光学系70を用いて予めウエハ面の画像を形成し、その画像を評価することで検出することができ、そして、検出された帯電状態に基づいて、荷電粒子照射部811からの荷電粒子の照射を制御する。プレチャージユニット81では、一次電子線をぼかして照射してもよい。
プレチャージユニット81は、図1に示したように、ワーキングチャンバ31内で電子光学系70の鏡筒71に隣接して配設されている。本発明の検査システム1では、ウエハに電子線を走査して照射することによってウエハ表面に形成されたデバイスパターン等を検査する形式の装置であるため、ウエハ材料、照射電子のエネルギ等の条件によって、ウエハ表面が帯電(チャージアップ)することがある。更に、ウエハ表面でも強く帯電する箇所、弱い帯電箇所が生じる可能性がある。そして、電子線の照射により生じる二次電子等の情報をウエハ表面の情報としているが、ウエハ表面の帯電量にむらがあると、二次電子の情報もむらを含み、正確な画像を得ることができない。そこで、この実施形態では、帯電むらを防止するために、プレチャージユニット81が設けられている。該プレチャージユニット81は荷電粒子照射部811を含み、ウエハ上に検査のために一次電子を照射する前に、荷電粒子照射部811から荷電粒子を照射することにより、帯電むらを無くす。なお、ウエハ表面の帯電状態は、電子光学系70を用いて予めウエハ面の画像を形成し、その画像を評価することで検出することができ、そして、検出された帯電状態に基づいて、荷電粒子照射部811からの荷電粒子の照射を制御する。プレチャージユニット81では、一次電子線をぼかして照射してもよい。
アライメント制御装置87
アライメント制御装置87は、ステージ装置50を用いてウエハWを電子光学系70に対して位置決めさせる装置である。アライメント制御装置87は、光学顕微鏡871(図1)を用いた広視野観察によるウエハの概略位置合わせである低倍率合わせ(電子光学系によるよりも倍率が低い位置合わせ)、電子光学系70の電子光学系を用いたウエハの高倍率合わせ、焦点調整、検査領域設定、パターンアライメント等の制御を行うようになっている。なお、このように低倍率でウエハを検査するのは、ウエハのパターンの検査を自動的に行うためには、電子線を用いた狭視野でウエハのパターンを観察してウエハライメントを行うときに、電子線によるアライメントマークを容易に検出する必要があるからである。
アライメント制御装置87は、ステージ装置50を用いてウエハWを電子光学系70に対して位置決めさせる装置である。アライメント制御装置87は、光学顕微鏡871(図1)を用いた広視野観察によるウエハの概略位置合わせである低倍率合わせ(電子光学系によるよりも倍率が低い位置合わせ)、電子光学系70の電子光学系を用いたウエハの高倍率合わせ、焦点調整、検査領域設定、パターンアライメント等の制御を行うようになっている。なお、このように低倍率でウエハを検査するのは、ウエハのパターンの検査を自動的に行うためには、電子線を用いた狭視野でウエハのパターンを観察してウエハライメントを行うときに、電子線によるアライメントマークを容易に検出する必要があるからである。
光学顕微鏡871は、主ハウジング30内に設けられているが、主ハウジング30内で移動可能に設けられていてもよい。光学顕微鏡871を動作させるための光源(不図示)も主ハウジング30内に設けられている。また高倍率の観察を行う電子光学系は、電子光学系70の電子光学系(一次光学系72及び二次光学系74)を共用するものである。
図6は、アライメント制御装置87の概略構成を示している。ウエハW上の被観察点を低倍率で観察するには、ステージ装置50のXステージ又はYステージを動かすことによって、ウエハの被観察点を光学顕微鏡の視野内に移動させる。光学顕微鏡871を用いて広視野でウエハを視認し、そのウエハ上の観察すべき位置をCCD872を介してモニタ873に表示させ、観察位置すなわち被観察点の位置を、おおよそ決定する。この場合、光学顕微鏡871の倍率を低倍率から高倍率に徐々に変化させていってもよい。
図6は、アライメント制御装置87の概略構成を示している。ウエハW上の被観察点を低倍率で観察するには、ステージ装置50のXステージ又はYステージを動かすことによって、ウエハの被観察点を光学顕微鏡の視野内に移動させる。光学顕微鏡871を用いて広視野でウエハを視認し、そのウエハ上の観察すべき位置をCCD872を介してモニタ873に表示させ、観察位置すなわち被観察点の位置を、おおよそ決定する。この場合、光学顕微鏡871の倍率を低倍率から高倍率に徐々に変化させていってもよい。
次に、ステージ装置50を電子光学系70の光軸と光学顕微鏡871の光軸との間隔δxに相当する距離だけ移動させることにより、光学顕微鏡871を用いて予め決めたウエハ上の被観察点を電子光学系70の視野位置に移動させる。この場合、電子光学系70の軸線O3−O3と光学顕微鏡871の光軸O4−O4との間の距離(この実施形態では、X軸方向にのみ両者は位置ずれしているものとするが、Y軸方向に位置ずれしていてもよい)δxは予めわかっているので、その値δxだけ移動させれば、被観察点を視認位置に移動させることができる。電子光学系70の視認位置への被観察点の移動が完了した後、電子光学系により高倍率で被観察点をSEM撮像して画像を記憶したり、モニタ765に表示させる。
このようにして、電子光学系によって高倍率でウエハの観察点をモニタに表示させた後、公知の方法により、ステージ装置50の回転テーブル54の回転中心に関するウエハの回転方向の位置ずれ、すなわち電子光学系の光軸O3−O3に対するウエハの回転方向のずれδθを検出し、また電子光学系70に関する所定のパターのX軸及びY軸方向の位置ずれを検出する。そして、その検出値並びに別途得られたウエハに設けられた検査マークのデータ、或いはウエハのパターンの形状等に関するデータに基づいて、ステージ装置50の動作を制御してウエハのアライメントを行う。
制御装置2
制御装置2の制御系は、主に、メインコントローラ、制御コントローラ、ステージコントローラから構成されている。
メインコントローラには、マン−マシンインターフェースが備えられており、オペレータの操作は、ここを通して行われる(種々の指示/命令、レシピなどの入力、検査スタートの指示、自動と手動検査モードの切り替え、手動検査モード時等の必要な全てのコマンドの入力等)。その他、工場のホストコンピュータとのコミュニケーション、真空排気系の制御、ウエハの搬送、位置合わせの制御、制御コントローラやステージコントローラヘのコマンドの伝達や情報の受け取り等も、メインコントローラで行われる。また、光学顕微鏡からの画像信号の取得、ステージの変動信号を電子光学系にフィードバックさせて像の悪化を補正するステージ振動補正機能、ウエハ観察位置のZ軸方向(二次光学系の軸方向)の変位を検出して、電子光学系ヘフィードバツクし、自動的に焦点を補正する自動焦点補正機能を備えている。電子光学系へのフィードバック信号等の授受、及びステージ装置からの信号の授受は、それぞれ制御コントローラ及びステージコントローラを介して行われる。
制御装置2の制御系は、主に、メインコントローラ、制御コントローラ、ステージコントローラから構成されている。
メインコントローラには、マン−マシンインターフェースが備えられており、オペレータの操作は、ここを通して行われる(種々の指示/命令、レシピなどの入力、検査スタートの指示、自動と手動検査モードの切り替え、手動検査モード時等の必要な全てのコマンドの入力等)。その他、工場のホストコンピュータとのコミュニケーション、真空排気系の制御、ウエハの搬送、位置合わせの制御、制御コントローラやステージコントローラヘのコマンドの伝達や情報の受け取り等も、メインコントローラで行われる。また、光学顕微鏡からの画像信号の取得、ステージの変動信号を電子光学系にフィードバックさせて像の悪化を補正するステージ振動補正機能、ウエハ観察位置のZ軸方向(二次光学系の軸方向)の変位を検出して、電子光学系ヘフィードバツクし、自動的に焦点を補正する自動焦点補正機能を備えている。電子光学系へのフィードバック信号等の授受、及びステージ装置からの信号の授受は、それぞれ制御コントローラ及びステージコントローラを介して行われる。
制御コントローラは、主に電子光学系70の制御、すなわち、電子銃、レンズ、アライナー、ウィーンフィルタ用等の高精度電源の制御等を担う。具体的には、照射領域に、倍率が変わったときにも常に一定の電子電流が照射されるように電源を制御すること、各倍率に対応した各レンズ系やアライナーへ自動的に電圧を設定すること等の、各オペレーションモードに対応した各レンズ系やアライナーへの自動電圧設定等の制御(連動制御)が行われる。
ステージコントローラは、主にステージの移動に関する制御を行い、精密なX軸方向およびY軸方向のμmオーダーの移動(±0.5μm程度の許容誤差)を可能にしている。また、ステージの移動制御では、誤差精度±0.3秒程度以内で、回転方向の制御(θ制御)も行われる。
ステージコントローラは、主にステージの移動に関する制御を行い、精密なX軸方向およびY軸方向のμmオーダーの移動(±0.5μm程度の許容誤差)を可能にしている。また、ステージの移動制御では、誤差精度±0.3秒程度以内で、回転方向の制御(θ制御)も行われる。
検査システム1はさらに、電子光学系70によって得られたデータを処理して画像データを取得し、得られた画像データに基づいてウエハ上の欠陥を検出する欠陥検査装置とを備えている。以下に、本発明に係る半導体ウエハの欠陥検査装置について説明する。
なお、一般に、電子線を用いた検査装置すなわち電子光学系70は、高価であり、またスループットも他のプロセス装置に比べて低い。そのため、現状では最も検査が必要と考えられている重要な工程(例えばエッチング、成膜、又はCMP(化学機械研磨)平坦化処理等)の後に、また、配線工程ではより微細な配線工程部分、すなわち配線工程の1から2工程、及び前工程のゲート配線工程等に利用されている。特に、デザインルールが100nm以下、即ち,100nm以下の線幅を有する配線や直径100nm以下のビアホール等の形状欠陥や電気的欠陥を見つけ、また、プロセスにフィードバックすることが重要である。
なお、一般に、電子線を用いた検査装置すなわち電子光学系70は、高価であり、またスループットも他のプロセス装置に比べて低い。そのため、現状では最も検査が必要と考えられている重要な工程(例えばエッチング、成膜、又はCMP(化学機械研磨)平坦化処理等)の後に、また、配線工程ではより微細な配線工程部分、すなわち配線工程の1から2工程、及び前工程のゲート配線工程等に利用されている。特に、デザインルールが100nm以下、即ち,100nm以下の線幅を有する配線や直径100nm以下のビアホール等の形状欠陥や電気的欠陥を見つけ、また、プロセスにフィードバックすることが重要である。
上記したように、検査されるウエハは大気搬送系及び真空搬送系を通して、超精密のステージ装置(X−Yステージ)50上に位置合わせ後、静電チャック機構等により固定される。そして、欠陥検査工程では、光学顕微鏡により、必要に応じて各ダイの位置確認や、各場所の高さ検出が行われ、記憶される。光学顕微鏡は、この他に欠陥等の見たい所の光学顕微鏡像を取得し、電子線像との比較等にも使用される。次に電子光学系の条件設定を行い、電子線像を用いて、光学顕微鏡で設定された情報の修正を行い、精度を向上させる。
次いで、ウエハの種類(どの工程後か、ウエハのサイズは200mmか300mmか等)に応じたレシピの情報を装置に入力し、以下、検査場所の指定、電子光学系の設定、検査条件の設定等を行なった後、画像取得を行ないながら通常はリアルタイムで欠陥検査を行なう。セル同士の比較、ダイ比較等が、アルゴリズムを備えた高速の情報処理システムにより検査が行なわれ、必要に応じてCRT等に結果を出力や、メモリへ記憶を行なう。
次いで、ウエハの種類(どの工程後か、ウエハのサイズは200mmか300mmか等)に応じたレシピの情報を装置に入力し、以下、検査場所の指定、電子光学系の設定、検査条件の設定等を行なった後、画像取得を行ないながら通常はリアルタイムで欠陥検査を行なう。セル同士の比較、ダイ比較等が、アルゴリズムを備えた高速の情報処理システムにより検査が行なわれ、必要に応じてCRT等に結果を出力や、メモリへ記憶を行なう。
欠陥検査の基本的流れを、図7に示す。まずアライメント動作113・1を含んだウエハ搬送の後、検査に関係する条件等を設定したレシピを作成する(113・2)。レシピは被検査ウエハに最低1種類は必要であるが、複数の検査条件に対応するために、1枚の被検査ウエハに対して、複数のレシピが存在する場合もある。また同一パターンの被検査ウエハが複数枚ある場合、一種類のレシピで複数のウエハを検査する場合もある。図7の経路113・3は、この様に過去に作成されたレシピで検査する場合、検査動作直前にレシピの作成が不要であることを示している。
図7において、検査動作113・4は、レシピに記載された条件、シーケンスに従い、ウエハの検査を行う。欠陥抽出は、検査動作中に欠陥を発見する度に即時行われ、以下の動作をほぼ並列的に実行する。
・欠陥分類(113・5)を行い、結果出力ファイルに抽出欠陥情報と欠陥分類情報を追加する動作
・抽出欠陥画像を画像専用結果出力ファイルもしくはファイルに追加する動作
・抽出欠陥の位置などの欠陥情報を操作画面上に表示する動作
図7において、検査動作113・4は、レシピに記載された条件、シーケンスに従い、ウエハの検査を行う。欠陥抽出は、検査動作中に欠陥を発見する度に即時行われ、以下の動作をほぼ並列的に実行する。
・欠陥分類(113・5)を行い、結果出力ファイルに抽出欠陥情報と欠陥分類情報を追加する動作
・抽出欠陥画像を画像専用結果出力ファイルもしくはファイルに追加する動作
・抽出欠陥の位置などの欠陥情報を操作画面上に表示する動作
被検査ウエハ単位で検査が終了すると、次いで、以下の動作をほぼ並列的に実行する。
・結果出力ファイルをクローズして保存する動作
・外部からの通信が検査結果を要求する場合、検査結果を送る動作
・ウエハを排出する動作
連続的にウエハを検査する設定がなされている場合、次の被検査ウエハを搬送して、前記一連の動作を繰り返す。
・結果出力ファイルをクローズして保存する動作
・外部からの通信が検査結果を要求する場合、検査結果を送る動作
・ウエハを排出する動作
連続的にウエハを検査する設定がなされている場合、次の被検査ウエハを搬送して、前記一連の動作を繰り返す。
図7におけるレシピ作成においては、検査に関係する条件等の設定ファイルからなるレシピを作成する。該レシピは、保存することも可能であり、該レシピを使用して、検査時もしくは検査前に条件設定を行う。レシピに記載された検査に関係する条件は、例えば、以下の事項を含んでいる。
・検査対象ダイ
・ダイ内部検査領域
・検査アルゴリズム
・検出条件(検査感度等、欠陥抽出に必要な条件)
・観察条件(倍率、レンズ電圧、ステージ速度、検査順序等、観察に必要な条件)
・検査対象ダイ
・ダイ内部検査領域
・検査アルゴリズム
・検出条件(検査感度等、欠陥抽出に必要な条件)
・観察条件(倍率、レンズ電圧、ステージ速度、検査順序等、観察に必要な条件)
上記した検査条件の内、検査対象ダイの設定は、図8に示すように操作画面に表示されたダイマップ画面に対して、検査するダイをオペレータが指定する。図8の例では、ウエハ端面のダイ1と前工程で明らかに不良と判定されたダイ2をグレイアウトして検査対象から削除し、残りを検査対象ダイとしている。また、ウエハ端面からの距離や前工程で検出されたダイの良否情報をもとに、自動的に検査ダイを指定する機能も有している。
また、ダイ内部の検査領域の設定は、図9に示される様に操作画面に表示されたダイ内部検査領域設定画面に対して、検査領域をオペレータが光学顕微鏡もしくはEB顕微鏡により取得した画像をもとに、マウス等の入力機器で指定する。図9の例では、実線で示した領域115・1と破線で示した領域115・2を設定している。
領域115・1は、ダイのほぼ全体を設定領域としている。この場合、検査アルゴリズムは、隣接ダイ比較法とし、この領域に対する検出条件、観察条件の詳細は、別に設定する。領域115・2は、検査アルゴリズムをアレイ検査としこの領域に対する検出条件及び観察条件の詳細は、別に設定する。すなわち複数の検査領域の設定が可能でかつ、検査領域は、それぞれ独自の検査アルゴリズムや検査感度を条件設定できる。ただし、検査領域が重ね合った場合は、予め設定した優先順位の検査アルゴリズムを処理する。図9の例においては、領域115.2は、アレイ検査を行い、隣接代比較検査は行われない。
領域115・1は、ダイのほぼ全体を設定領域としている。この場合、検査アルゴリズムは、隣接ダイ比較法とし、この領域に対する検出条件、観察条件の詳細は、別に設定する。領域115・2は、検査アルゴリズムをアレイ検査としこの領域に対する検出条件及び観察条件の詳細は、別に設定する。すなわち複数の検査領域の設定が可能でかつ、検査領域は、それぞれ独自の検査アルゴリズムや検査感度を条件設定できる。ただし、検査領域が重ね合った場合は、予め設定した優先順位の検査アルゴリズムを処理する。図9の例においては、領域115.2は、アレイ検査を行い、隣接代比較検査は行われない。
図7の検査動作においては、図10に示すように、被検査ウエハを走査幅に細分化して走査する。走査幅は、ほぼラインセンサの長さで決まるが、ラインセンサの端部が少し重なる様に設定してある。これは、検出した欠陥を最終的に統合処理する場合に、ライン間の連続性を判断する為や比較検査を行う際に画像アライメントするための余裕を確保するためである。その重ね量は、2048ドットのラインセンサに対して16ドット程度である。
走査方向及びシーケンスを、模式的に図11に示す。すなわち、検査時間短縮のために双方向動作(A動作)や、機械制限からの単方向動作(B動作)などが、オペレータより選択できる構成になっている。
また、レシピの検査対象ダイ設定を元に、走査量を減らす動作を自動演算して検査する機能も有している。図12−1は検査ダイが1個のみの場合の走査例であり、不要な走査は行わない。
走査方向及びシーケンスを、模式的に図11に示す。すなわち、検査時間短縮のために双方向動作(A動作)や、機械制限からの単方向動作(B動作)などが、オペレータより選択できる構成になっている。
また、レシピの検査対象ダイ設定を元に、走査量を減らす動作を自動演算して検査する機能も有している。図12−1は検査ダイが1個のみの場合の走査例であり、不要な走査は行わない。
レシピによって設定される検査アルゴリズムは、セル検査(アレイ検査)とダイ検査(ランダム検査)に大別することができる。
図12−2に示すように、ダイは、主にメモリに用いられる周期構造をしたセル部118・2と、周期構造を取らないランダム部118・3とに分けられる。周期構造をしたセル部118・2は、比較対象が同じダイの中に複数個あるので、セル検査、すなわち同じダイの中のセル同士で比較を行うことによって検査可能である。一方、ランダム部118・3は、同じダイの中に比較対象がないので、ダイ検査によってダイ同士の比較を行う必要がある。ダイ検査は、比較対象により、さらに以下にように区分される。
・隣接ダイ比較法(Die-to-Die検査)
・基準ダイ比較法(Die-to- Any Die検査)
・CADデータ比較法(CAD Data-to-Any Die検査)
一般にゴールデンテンプレート方式と呼ばれる方式は、基準ダイ比較法及びCADデータ比較法であり、基準ダイ比較法においては、参照ダイをゴールデンテンプレートとし、CADデータ比較法おいては、CADデータをゴールデンテンプレートとする。
図12−2に示すように、ダイは、主にメモリに用いられる周期構造をしたセル部118・2と、周期構造を取らないランダム部118・3とに分けられる。周期構造をしたセル部118・2は、比較対象が同じダイの中に複数個あるので、セル検査、すなわち同じダイの中のセル同士で比較を行うことによって検査可能である。一方、ランダム部118・3は、同じダイの中に比較対象がないので、ダイ検査によってダイ同士の比較を行う必要がある。ダイ検査は、比較対象により、さらに以下にように区分される。
・隣接ダイ比較法(Die-to-Die検査)
・基準ダイ比較法(Die-to- Any Die検査)
・CADデータ比較法(CAD Data-to-Any Die検査)
一般にゴールデンテンプレート方式と呼ばれる方式は、基準ダイ比較法及びCADデータ比較法であり、基準ダイ比較法においては、参照ダイをゴールデンテンプレートとし、CADデータ比較法おいては、CADデータをゴールデンテンプレートとする。
以下に、各検査アルゴリズムの動作を述べる。
セル検査(アレイ検査)
セル検査は、周期構造の検査に適用される。DRAMセルなどはその一例である。
検査は、参照とする参照画像と被検査画像の比較を行い、その差分を欠陥として抽出する。参照画像と被検査画像は、二値化画像でも検出精度を向上するため多値画像でも構わない。
欠陥は、参照画像と被検査画像の差分そのものでも良いが、検出した差分の差分量や差分のある画素の合計面積などの差分情報を元にして、誤検出を防ぐための2次的な判定を行っても良い。
セル検査(アレイ検査)
セル検査は、周期構造の検査に適用される。DRAMセルなどはその一例である。
検査は、参照とする参照画像と被検査画像の比較を行い、その差分を欠陥として抽出する。参照画像と被検査画像は、二値化画像でも検出精度を向上するため多値画像でも構わない。
欠陥は、参照画像と被検査画像の差分そのものでも良いが、検出した差分の差分量や差分のある画素の合計面積などの差分情報を元にして、誤検出を防ぐための2次的な判定を行っても良い。
セル検査においては、参照画像と被検査画像の比較は構造周期単位で行われる。すなわちCCDなどで一括取得した画像を読み出しながら1構造周期単位で比較しても良いし、参照画像がn個の構造周期単位であれば、n個の構造周期単位を同時に比較できる。
参照画像の生成方法の一例を図14に示す、ここでは1構造周期単位で比較する例を述べるので1構造周期単位生成を表す。同じ方法で周期数をnにする事も可能である。
前提として図13での検査方向はAである。また周期4を被検査周期とする。周期の大きさはオペレータが画像を見ながら入力するので、図13において周期1〜6は容易に認識できる。
参照周期画像は、各画素において被検査周期直前の周期1〜3を加算し平均して生成する。1〜3いずれかに欠陥が存在しても平均処理されるので影響は少ない。この形成された参照周期画像と被検査周期画像4を比較して欠陥の抽出を行う。
次に被検査周期画像5を検査する場合、周期2〜4を加算平均して参照周期画像を生成する。以下同様に被検査周期画像取得以前に得た画像より、被検査周期画像を生成して検査を連続させる。
参照画像の生成方法の一例を図14に示す、ここでは1構造周期単位で比較する例を述べるので1構造周期単位生成を表す。同じ方法で周期数をnにする事も可能である。
前提として図13での検査方向はAである。また周期4を被検査周期とする。周期の大きさはオペレータが画像を見ながら入力するので、図13において周期1〜6は容易に認識できる。
参照周期画像は、各画素において被検査周期直前の周期1〜3を加算し平均して生成する。1〜3いずれかに欠陥が存在しても平均処理されるので影響は少ない。この形成された参照周期画像と被検査周期画像4を比較して欠陥の抽出を行う。
次に被検査周期画像5を検査する場合、周期2〜4を加算平均して参照周期画像を生成する。以下同様に被検査周期画像取得以前に得た画像より、被検査周期画像を生成して検査を連続させる。
ダイ検査(ランダム検査)
ダイ検査は、ダイの構造に制限されず適用できる。検査は、参照となる参照画像と被検査画像の比較を行い、その差分を欠陥として抽出する。参照画像と被検査画像は、二値化画像でも検出精度を向上するため多値画像でも構わない。欠陥は、参照画像と被検査画像の差分そのものでも良いが、検出した差分の差分量や差分のある画素の合計面積などの差分情報を元にして、誤検出を防ぐため2次的な判定を行っても良い。ダイ検査は参照画像の求め方で分類することができる。以下に、ダイ検査に含まれる隣接ダイ比較法、基準ダイ比較検査法、及びCADデータ比較法について動作を説明する。
ダイ検査は、ダイの構造に制限されず適用できる。検査は、参照となる参照画像と被検査画像の比較を行い、その差分を欠陥として抽出する。参照画像と被検査画像は、二値化画像でも検出精度を向上するため多値画像でも構わない。欠陥は、参照画像と被検査画像の差分そのものでも良いが、検出した差分の差分量や差分のある画素の合計面積などの差分情報を元にして、誤検出を防ぐため2次的な判定を行っても良い。ダイ検査は参照画像の求め方で分類することができる。以下に、ダイ検査に含まれる隣接ダイ比較法、基準ダイ比較検査法、及びCADデータ比較法について動作を説明する。
隣接ダイ比較検査法(Die-to-Die検査)
参照画像は、被検査画像と隣接したダイである。被検査画像に隣り合った2つのダイと比較して欠陥を判断する。すなわち、図14に示すように、走査方向Sに走査される場合、ダイ画像2はダイ画像1と対比されて差分が求められ、ダイ画像3はダイ画像2と対比されて差分が求められる。そして、差分結果により、欠陥があるか否かが判定される。
設定によって、画像の差分を求める前に、比較する2つの画像の位置アライメント差(位置差)が無くなるように補正する。または、濃度アライメント差(濃度差)が無くなるように補正する。もしくはその両方の処理を行う場合がある。
参照画像は、被検査画像と隣接したダイである。被検査画像に隣り合った2つのダイと比較して欠陥を判断する。すなわち、図14に示すように、走査方向Sに走査される場合、ダイ画像2はダイ画像1と対比されて差分が求められ、ダイ画像3はダイ画像2と対比されて差分が求められる。そして、差分結果により、欠陥があるか否かが判定される。
設定によって、画像の差分を求める前に、比較する2つの画像の位置アライメント差(位置差)が無くなるように補正する。または、濃度アライメント差(濃度差)が無くなるように補正する。もしくはその両方の処理を行う場合がある。
基準ダイ比較検査法(Die-to-Any Die検査)
オペレータにより基準となるダイを指定する。基準ダイは、ウエハ上に存在するダイもしくは、検査以前に保存してあるダイ画像であり、まず基準ダイを走査もしくは転送して画像をメモリに保存し、これを参照画像とする。そして、順次走査して得られる被検査画像と、基準ダイの画像である参照画像とを比較して差分を求め、得られた差分により欠陥を検出する。
この場合も、差分を求める前に、比較する2つの画像の位置アライメント差(位置差)が無くなるように補正こと、及び濃度アライメント差(濃度差)が無くなるように補正することの少なくとも一方を実行してもよい。参照画像は、基準ダイ全ての画像でも良いし、基準ダイの一部の画像として更新しながら検査しても良い。
オペレータにより基準となるダイを指定する。基準ダイは、ウエハ上に存在するダイもしくは、検査以前に保存してあるダイ画像であり、まず基準ダイを走査もしくは転送して画像をメモリに保存し、これを参照画像とする。そして、順次走査して得られる被検査画像と、基準ダイの画像である参照画像とを比較して差分を求め、得られた差分により欠陥を検出する。
この場合も、差分を求める前に、比較する2つの画像の位置アライメント差(位置差)が無くなるように補正こと、及び濃度アライメント差(濃度差)が無くなるように補正することの少なくとも一方を実行してもよい。参照画像は、基準ダイ全ての画像でも良いし、基準ダイの一部の画像として更新しながら検査しても良い。
CADデータ比較検査法(CAD Data-to-Any Die検査)
半導体製造の工程において、CADによる半導体パターン設計工程の出力であるCADデータより参照画像を作成し参照画像とする。参照画像はダイ全体もしくは検査部分を含んだ部分的な物でも良い。このCADデータは、通常ベクタデータであり、走査動作によって得られる画像データと等価なラスタデータに変換しないと参照画像として使用できない。したがって、CADデータ加工作業に関して、以下の変換がなされる。
a)CADデータであるベクタデータをラスタデータに変換する。
b)上記a)は、検査時に被検査ダイを走査して得られる画像走査幅の単位で行う。
c)上記b)は、被検査ダイを走査して得る予定の画像とダイにおける相対位置が同じである画像データを変換する。
d)上記c)は、検査走査と、変換作業をオーバラップして行う。
上記のa)〜d)は高速化のために画像走査幅単位の変換を行う例であるが、変換単位を画像走査幅に固定しなくても検査は可能である。また、ベクタデータをラスタデータに変換する作業の付加機能として、以下の少なくとも1つを有する。
a)ラスタデータの多値化機能。
b)上記a)に関し、多値化の、階調重み、オフセットを検査装置の感度を鑑みて設定する機能。
c)ベクタデータをラスタデータに変換した後で、膨張、収縮など画素を加工する画像処理を行う機能。
半導体製造の工程において、CADによる半導体パターン設計工程の出力であるCADデータより参照画像を作成し参照画像とする。参照画像はダイ全体もしくは検査部分を含んだ部分的な物でも良い。このCADデータは、通常ベクタデータであり、走査動作によって得られる画像データと等価なラスタデータに変換しないと参照画像として使用できない。したがって、CADデータ加工作業に関して、以下の変換がなされる。
a)CADデータであるベクタデータをラスタデータに変換する。
b)上記a)は、検査時に被検査ダイを走査して得られる画像走査幅の単位で行う。
c)上記b)は、被検査ダイを走査して得る予定の画像とダイにおける相対位置が同じである画像データを変換する。
d)上記c)は、検査走査と、変換作業をオーバラップして行う。
上記のa)〜d)は高速化のために画像走査幅単位の変換を行う例であるが、変換単位を画像走査幅に固定しなくても検査は可能である。また、ベクタデータをラスタデータに変換する作業の付加機能として、以下の少なくとも1つを有する。
a)ラスタデータの多値化機能。
b)上記a)に関し、多値化の、階調重み、オフセットを検査装置の感度を鑑みて設定する機能。
c)ベクタデータをラスタデータに変換した後で、膨張、収縮など画素を加工する画像処理を行う機能。
図15は、上記した検査システム1に適用可能な、本発明に係る欠陥検査装置の構成を示すブロック図である。該欠陥検査装置は、上記した検査アルゴリズム(セル検査法、隣接ダイ比較法、基準ダイ比較法、及びCADデータ比較法)を、予め設定したシーケンスに基づいて、選択的に実行できるよう構成されている。
図15において、4は画像データ取得装置であり、電子光学系70からの出力、例えば、写像投影型の電子線装置のCCD又はTDIからなるカメラからの出力を処理して量子化し、2値又は多値のデジタル画像データを取得する。なお、写像投影型の電子線装置は、一次電子ビームの照射により半導体ウエハ等の試料から放出された二次電子、反射電子、後方散乱電子等を、二次光学系、MCP、蛍光板、リレーレンズを介して、光信号として検出し、該光信号に対応する電気信号を生成して出力するものである。電子光学系70として、写像投影型の電子線装置の代わりに、SEMを用いてもよい。
また、5はX/Y干渉計であり、X−Yステージ50の位置を検出することにより、ウエハ上の現在走査中の位置を表す走査位置座標(Tx,Ty)を、欠陥検出装置3に供給する。
図15において、4は画像データ取得装置であり、電子光学系70からの出力、例えば、写像投影型の電子線装置のCCD又はTDIからなるカメラからの出力を処理して量子化し、2値又は多値のデジタル画像データを取得する。なお、写像投影型の電子線装置は、一次電子ビームの照射により半導体ウエハ等の試料から放出された二次電子、反射電子、後方散乱電子等を、二次光学系、MCP、蛍光板、リレーレンズを介して、光信号として検出し、該光信号に対応する電気信号を生成して出力するものである。電子光学系70として、写像投影型の電子線装置の代わりに、SEMを用いてもよい。
また、5はX/Y干渉計であり、X−Yステージ50の位置を検出することにより、ウエハ上の現在走査中の位置を表す走査位置座標(Tx,Ty)を、欠陥検出装置3に供給する。
欠陥検査装置は、また、Cell参照画像生成部301、CAD Data参照画像生成部302、画像比較部303、欠陥判定部304、制御部305、入力/表示部306、画像メモリM1〜M4、スイッチSW−A及びSW−Bを備えている。
制御部305は、オペレータ操作によって入力される入力/表示部306からの入力信号、及びX/Y干渉計5からのX−Yステージ50上のウエハの走査位置座標(Tx,Ty)に応じて、スイッチSW−A及びSW−Bを切り替えるための制御信号を出力する。また、制御部305は、検査領域と検査アルゴリズムとの関係、すなわちどの領域をどの検査アルゴリズムで欠陥検査するかに応じた、スイッチSW−A及びSW−Bの切替を表す「条件文」を予め記憶しておくための記憶部M5を備えている。
制御部305は、オペレータ操作によって入力される入力/表示部306からの入力信号、及びX/Y干渉計5からのX−Yステージ50上のウエハの走査位置座標(Tx,Ty)に応じて、スイッチSW−A及びSW−Bを切り替えるための制御信号を出力する。また、制御部305は、検査領域と検査アルゴリズムとの関係、すなわちどの領域をどの検査アルゴリズムで欠陥検査するかに応じた、スイッチSW−A及びSW−Bの切替を表す「条件文」を予め記憶しておくための記憶部M5を備えている。
検査アルゴリズムとスイッチSW−A及びSW−Bの切替は、以下のように対応づけられる。
・セル検査アルゴリズム
SW−A:接点a3に接続する(画像メモリM1及びM2を使用しないので、接点a1でもa2でもよい)
SW−B:接点b3に接続する
・隣接ダイ比較検査アルゴリズム
SW−A:奇数番目のダイの検査か偶数番目のダイの検査かに応じて、接点a1及びb1に交互に切り替える
SW−B:奇数番目のダイの走査か偶数番目のダイの走査かに応じて、接点b2(SW−Aが接点a1の場合)及び接点b1(SW−Bが接点a2の場合)
・基準ダイ比較検査アルゴリズム
SW−A:基準ダイの画像を記憶するときは、接点a1(又はa2)に接続する
SW−B:接点b1(又はb2)に接続する
・CADデータ比較検査アルゴリズム
SW−A:接点a3に接続する(画像メモリM1及びM2を使用しないので、接点a1でもb1でもよい。)
SW−B:接点b4に接続する
なお、セル検査アルゴリズムにおいて、セル検査の参照画像は、検査対象であるセルの直前の複数のセルから検査と同時に取得するが、所定の周期で加重平均をとって生成するため、被検査領域の移動に伴って随時更新される。そして、更新された参照画像は、随時、参照画像メモリM3データを更新し、その更新された参照画像と被検査領域の画像とを用いて比較検査を行う。
・セル検査アルゴリズム
SW−A:接点a3に接続する(画像メモリM1及びM2を使用しないので、接点a1でもa2でもよい)
SW−B:接点b3に接続する
・隣接ダイ比較検査アルゴリズム
SW−A:奇数番目のダイの検査か偶数番目のダイの検査かに応じて、接点a1及びb1に交互に切り替える
SW−B:奇数番目のダイの走査か偶数番目のダイの走査かに応じて、接点b2(SW−Aが接点a1の場合)及び接点b1(SW−Bが接点a2の場合)
・基準ダイ比較検査アルゴリズム
SW−A:基準ダイの画像を記憶するときは、接点a1(又はa2)に接続する
SW−B:接点b1(又はb2)に接続する
・CADデータ比較検査アルゴリズム
SW−A:接点a3に接続する(画像メモリM1及びM2を使用しないので、接点a1でもb1でもよい。)
SW−B:接点b4に接続する
なお、セル検査アルゴリズムにおいて、セル検査の参照画像は、検査対象であるセルの直前の複数のセルから検査と同時に取得するが、所定の周期で加重平均をとって生成するため、被検査領域の移動に伴って随時更新される。そして、更新された参照画像は、随時、参照画像メモリM3データを更新し、その更新された参照画像と被検査領域の画像とを用いて比較検査を行う。
記憶部M5に記憶される「条件文」について、図16を参照して説明する。
図16は、ウエハ上の1つのダイを位置座標に対応させて模式的に示しており、X軸方向がステップ方向であり、Y軸方向が走査方向である。領域R1はセル検査を行う領域(境界線を含む)であり、R2は隣接ダイ検査を行う領域(境界線を含まず)である。R3は非検査領域である。なお、TDIセンサを用いた場合、該センサのX軸方向の視野は2048画素であり、説明をわかりやすくするために、X軸ステップ送りにおいて、重ね合わせ領域を持たず、X軸方向の1ステップは2048画素に相当する。また、非検査領域R3のX軸方向(X2〜X3)の画素は、2048画素である。
このような領域R1〜R3からなるダイを含んだウエハを双方向走査(すなわち、X軸方向へのステップ動作を介して、+Y軸方向及び−Y軸方向に交互走査)する場合、条件文として、
if((X1<=Tx)&(Tx<=X2 - X[2048]))&((Y2<=Ty)&(Ty<=Y3))
then スイッチSW−B=接点b3
else if((X1<=Tx)&(Tx<=X4 - X[2048]))&((Y1<=Ty)&(Ty<=Y4))
if ダイ=奇数番目
then スイッチSW−A=接点a1&スイッチSW−B=接点b2
if ダイ=偶数番目
then スイッチSW−A=接点a2&スイッチSW−B=接点b1
が記憶部M5に記憶される。ただし、X[2048]は、2048画素分のX軸方向の長さ(ステップ長)である。
図16に関連して説明した例は、比較的単純なものであるが、ダイ上のパターンに応じて、上記した4種類の検査アルゴリズムを選択的に実行できるように、スイッチSW−A及びSW−Bを切り替えるよう設定可能である。
なお、条件文の代わりに、ルックアップテーブルの形態でスイッチの切替を設定してもよい。
図16は、ウエハ上の1つのダイを位置座標に対応させて模式的に示しており、X軸方向がステップ方向であり、Y軸方向が走査方向である。領域R1はセル検査を行う領域(境界線を含む)であり、R2は隣接ダイ検査を行う領域(境界線を含まず)である。R3は非検査領域である。なお、TDIセンサを用いた場合、該センサのX軸方向の視野は2048画素であり、説明をわかりやすくするために、X軸ステップ送りにおいて、重ね合わせ領域を持たず、X軸方向の1ステップは2048画素に相当する。また、非検査領域R3のX軸方向(X2〜X3)の画素は、2048画素である。
このような領域R1〜R3からなるダイを含んだウエハを双方向走査(すなわち、X軸方向へのステップ動作を介して、+Y軸方向及び−Y軸方向に交互走査)する場合、条件文として、
if((X1<=Tx)&(Tx<=X2 - X[2048]))&((Y2<=Ty)&(Ty<=Y3))
then スイッチSW−B=接点b3
else if((X1<=Tx)&(Tx<=X4 - X[2048]))&((Y1<=Ty)&(Ty<=Y4))
if ダイ=奇数番目
then スイッチSW−A=接点a1&スイッチSW−B=接点b2
if ダイ=偶数番目
then スイッチSW−A=接点a2&スイッチSW−B=接点b1
が記憶部M5に記憶される。ただし、X[2048]は、2048画素分のX軸方向の長さ(ステップ長)である。
図16に関連して説明した例は、比較的単純なものであるが、ダイ上のパターンに応じて、上記した4種類の検査アルゴリズムを選択的に実行できるように、スイッチSW−A及びSW−Bを切り替えるよう設定可能である。
なお、条件文の代わりに、ルックアップテーブルの形態でスイッチの切替を設定してもよい。
図17のフローチャートを参照して、図15に示した欠陥検査装置の動作を説明する。
まず、ステップS1において、ウエハの検査を開始する前に、オペレータにより、入力/表示部306を介して、検査条件、すなわち、位置座標に関連した検査アルゴリズムの形態、並びに、それぞれの検査形態でのスイッチSW−A及びSW−Bの接続位置が入力され、制御部305の記憶部M5に記憶される。この説明の例においては、検査アルゴリズム形態には、以下のものが含まれるものとする。
・セル検査
・隣接ダイ比較検査
・セル検査+隣接ダイ比較検査
・基準ダイ比較検査
・CADデータ比較検査
なお、上記の検査形態以外に、例えば、セル検査+基準ダイ比較検査等の適宜の組み合わせ形態を含ませることができる。
まず、ステップS1において、ウエハの検査を開始する前に、オペレータにより、入力/表示部306を介して、検査条件、すなわち、位置座標に関連した検査アルゴリズムの形態、並びに、それぞれの検査形態でのスイッチSW−A及びSW−Bの接続位置が入力され、制御部305の記憶部M5に記憶される。この説明の例においては、検査アルゴリズム形態には、以下のものが含まれるものとする。
・セル検査
・隣接ダイ比較検査
・セル検査+隣接ダイ比較検査
・基準ダイ比較検査
・CADデータ比較検査
なお、上記の検査形態以外に、例えば、セル検査+基準ダイ比較検査等の適宜の組み合わせ形態を含ませることができる。
それぞれの検査形態でのスイッチSW−A及びSW−Bの接続位置の設定は、X−Y干渉計5からの位置座標すなわちTDIセンサの位置座標(Tx,Ty)に関連づけて、上記したように設定される。
「セル検査+隣接ダイ比較検査」を実行すべき場合、上記した「セル検査」と「隣接ダイ比較検査」とを組み合わせた設定となる。
「セル検査+隣接ダイ比較検査」を実行すべき場合、上記した「セル検査」と「隣接ダイ比較検査」とを組み合わせた設定となる。
ウエハの検査が開始されと、ステップS2において、制御部305は、検査すべきアルゴリズムが何であるかを判定する。
「セル検査」であると判定すると、制御部305は、ステップS3において、スイッチSW−Aを接点a3に接続し、スイッチSW−Bを接点b3に接続させる。そして、セル参照画像生成部301は、画像取得部4からの画像データを用いてセル参照画像データを生成して、メモリM3に記憶させる。この動作は連続的に行われ、入力画像データの変化に応じた参照画像データを生成しメモリは更新される。このように検査と同時にセル参照画像データを連続的に生成し更新記憶する代わりに、予め1つのセル参照画像データを生成し記憶し、該セル参照画像データを検査中に使用するようにしてもよい。
画像メモリM1〜M4に記憶される画像データは、1スワース分(=X[2048]×ダイのY方向長さ)である。ただし、画像メモリM3に関しては、セル周期の単位で比較される。
次いで、ステップS4において、画像比較部303は、画像取得部4でリアルタイムで取得された画像データと、画像メモリM3に記憶された参照画像データとを対比し、各画素の差分を求める。そして、ステップS5において、欠陥判定部304は、各画素の差分が予め設定された閾値よりを大きいか否かを判定し、大きい場合には、その画素部分に欠陥があると判定する。判定結果は、画素の位置座標に対応づけて適宜の記憶部(例えば、記憶部M5)に格納されるとともに、必要に応じて、入力/表示部306に表示される。
「セル検査」であると判定すると、制御部305は、ステップS3において、スイッチSW−Aを接点a3に接続し、スイッチSW−Bを接点b3に接続させる。そして、セル参照画像生成部301は、画像取得部4からの画像データを用いてセル参照画像データを生成して、メモリM3に記憶させる。この動作は連続的に行われ、入力画像データの変化に応じた参照画像データを生成しメモリは更新される。このように検査と同時にセル参照画像データを連続的に生成し更新記憶する代わりに、予め1つのセル参照画像データを生成し記憶し、該セル参照画像データを検査中に使用するようにしてもよい。
画像メモリM1〜M4に記憶される画像データは、1スワース分(=X[2048]×ダイのY方向長さ)である。ただし、画像メモリM3に関しては、セル周期の単位で比較される。
次いで、ステップS4において、画像比較部303は、画像取得部4でリアルタイムで取得された画像データと、画像メモリM3に記憶された参照画像データとを対比し、各画素の差分を求める。そして、ステップS5において、欠陥判定部304は、各画素の差分が予め設定された閾値よりを大きいか否かを判定し、大きい場合には、その画素部分に欠陥があると判定する。判定結果は、画素の位置座標に対応づけて適宜の記憶部(例えば、記憶部M5)に格納されるとともに、必要に応じて、入力/表示部306に表示される。
ステップS2において、「隣接ダイ比較検査」であると判定されると、制御部305は、ステップS6において、X/Y干渉計5から、現在走査中のウエハ上の位置座標(Tx,Ty)を入手し、ステップS7において、得られた位置座標に基づいて、記憶部M5を参照することにより、スイッチSW−A及びSW−Bを接点a1及びb2に接続させるか、又は接点a2及びb1に接続させる。すなわち、検査中のダイが2n+1番目(奇数番目)である場合、スイッチSW−A及びSW−Bを接点a1及びb2に接続され、画像取得部4からのリアルタイムの検査画像データと、画像メモリM2に記憶された2n番目(偶数番目)のダイの検査画像データからなる参照画像データとが、画像比較部303に供給されるようにする。一方、検査中のダイが2n番目のダイである場合、スイッチSW−A及びSW−Bを接点a2及びb1に接続され、画像取得部4からのリアルタイムの検査画像と、画像メモリM1に記憶された2n−1番目のダイの検査画像データからなる参照画像データとが、画像比較部303に供給されるようにする。
そして、ステップS4及びS5において、上記したように、画像比較部303及び欠陥判定部304が、検査中のダイに欠陥があるか否かを判定する。
そして、ステップS4及びS5において、上記したように、画像比較部303及び欠陥判定部304が、検査中のダイに欠陥があるか否かを判定する。
ステップS2において、[セル検査+隣接ダイ比較検査]であると判定されると、制御部305は、ステップS8において、X/Y干渉計5から位置座標(Tx,Ty)を入手し、ステップS9において、得られた位置座標に基づいて、記憶部M5を参照することにより、セル検査であるか隣接ダイ比較検査であるかを判定する。セル検査の場合は、ステップS3に進んで、スイッチ接点SW−Aを接点a3に接続し、スイッチSW−Bを接点b3に接続する。この場合も、セル参照画像データを連続的に取得しつつ、検査が実行されることになる。予め設定した1つのセル参照画像データのみを用いるようにしてもよい。
ステップS9における判定が隣接ダイ比較検査の場合はステップS7に進んで、スイッチSW−A及びSW−Bを接点a1及びb2、又は接点a2及びb1に交互に切り替える。そして、ステップS4及びS5において、画像比較部303及び欠陥判定部304が、検査中のダイに欠陥があるか否かを判定する。
ステップS9における判定が隣接ダイ比較検査の場合はステップS7に進んで、スイッチSW−A及びSW−Bを接点a1及びb2、又は接点a2及びb1に交互に切り替える。そして、ステップS4及びS5において、画像比較部303及び欠陥判定部304が、検査中のダイに欠陥があるか否かを判定する。
ステップS2における判定が「基準ダイ比較検査」である場合、ステップS10に進んで、制御部305は、スイッチSW−A及びSW−Bを接点a1及びb5に接続させる。これにより、予め基準ダイとして選択したダイの画像データが画像メモリM1に記憶される。そして、ステップS11において、スイッチSW−A及びSW−Bを接点a3及びb1に接続させる。そして、ステップS4及びS5において、画像比較部303及び欠陥判定部304が、検査中のダイに欠陥があるか否かを判定する。
ステップS2における判定が「CADデータ比較検査」である場合、ステップS12において、スイッチSW−A及びSW−Bを接点a3及びb5に接続して、制御部305の制御の下で、CADデータ参照画像生成部302によりCADデータからスワース単位で参照画像データが生成され、画像メモリM4に記憶される。次いで、ステップS13において、スイッチSW−A及びSW−Bを接点a3及びb4に接続させる。そして、ステップS4及びS5に進み、画像比較部303及び欠陥判定部304が、検査中のダイに欠陥があるか否かを判定する。
レシピの1つとして含まれるフォーカスマップレシピがあるが、該フォーカスマッピレシピの作成、及び該フォーカスマッピレシピにより実行される検査動作時のオートフォーカス動作について、図18〜図20を参照して説明する。
フォーカスマップレシピは、例えば、独立的な入力画面上で(又は、別の目的で設けられた入力画面上で)、オペレータによる次のステップにより作成される。
a)フォーカス値を入力するダイ位置やダイの中のパターン等、フォーカスマップ座標を入力する。(図18のスイッチ126・1)
b)フォーカス値を自動測定する場合に必要な、ダイパターンを設定する。このステップは、フォーカス値を自動測定しない場合、スキップできる。
c)上記a)で決められたフォーカスマップ座標のベストフォーカス値を設定する。
フォーカスマップレシピは、例えば、独立的な入力画面上で(又は、別の目的で設けられた入力画面上で)、オペレータによる次のステップにより作成される。
a)フォーカス値を入力するダイ位置やダイの中のパターン等、フォーカスマップ座標を入力する。(図18のスイッチ126・1)
b)フォーカス値を自動測定する場合に必要な、ダイパターンを設定する。このステップは、フォーカス値を自動測定しない場合、スキップできる。
c)上記a)で決められたフォーカスマップ座標のベストフォーカス値を設定する。
この中で、a)のステップでは、オペレータが任意のダイを指定する事もできるが、全てのダイの選択や、n個毎のダイの選択などの設定も可能である。また入力画面はウエハ内のダイ配列を模式的に表現した図でも、実画像を使った画像でもオペレータが選択できる。
また、c)のステップでは、オペレータが、図18に示した画面上で、スイッチ126・3を選択して、マニュアルでフォーカス用電極の電圧値に連動したフォーカススイッチ126・2で設定するか、又は、スイッチ126・4を選択して、自動的にフォーカス値を求めるかにより、フォーカス値を設定することができる。
また、c)のステップでは、オペレータが、図18に示した画面上で、スイッチ126・3を選択して、マニュアルでフォーカス用電極の電圧値に連動したフォーカススイッチ126・2で設定するか、又は、スイッチ126・4を選択して、自動的にフォーカス値を求めるかにより、フォーカス値を設定することができる。
上記c)のステップで自動的にフォーカス値を求める手順は、コンピュータ演算により自動的に実行されるが、例えば、図19において、
a)フォーカス位置Z=1の画像を求めそのコントラストを計算し、
b)上記a)をZ=2,3,4でも行い、
c)上記a)、b)で得られたコントラスト値から回帰させコントラスト関数を求め(図19)、
d)コントラスト関数の最大値を得るZを計算で求め、これをベストフォーカス値とする
ことによって、得られる。
a)フォーカス位置Z=1の画像を求めそのコントラストを計算し、
b)上記a)をZ=2,3,4でも行い、
c)上記a)、b)で得られたコントラスト値から回帰させコントラスト関数を求め(図19)、
d)コントラスト関数の最大値を得るZを計算で求め、これをベストフォーカス値とする
ことによって、得られる。
例えば、フォーカス値を自動測定する場合に必要なダイパターンが図20の様なライン&スペースである場合、良好な結果を示すが、コントラストは白黒パターンがあれば形状によらず計測できる。
上記のa)〜d)を行うことで、1点のベストフォーカス値Zが求まる。この時のデータ形式は(X,Y,Z)で表される。X及びYは、フォーカスを求めた座標、Zはベストフォーカス値である。したがって、フォーカスマップレシピで決められたフォーカスマップ座標値(X,Y,Z)が存在することになり、これをフォーカスマップレシピの一部でフォーカスマップファイルと呼ぶ。
上記のa)〜d)を行うことで、1点のベストフォーカス値Zが求まる。この時のデータ形式は(X,Y,Z)で表される。X及びYは、フォーカスを求めた座標、Zはベストフォーカス値である。したがって、フォーカスマップレシピで決められたフォーカスマップ座標値(X,Y,Z)が存在することになり、これをフォーカスマップレシピの一部でフォーカスマップファイルと呼ぶ。
このようにしてフォーカスマップレシピが作成されると、該フォーカスマップレシピに基づいて、以下のようにしてオートフォーカス動作が実行される。
a)フォーカスマップレシピの作成時に作成されたフォーカスマップファイル1を元に、位置情報をさらに細分化し、かつこの時のベストフォーカスを計算で求め、細分化したフォーカスマップファイル2を作成する。
b)上記a)の計算は、補間関数で行う。
c)上記b)の補間関数は、リニア補間やスプライン補間等でフォーカスマップレシピの作成時にオペレータにより指定される。
d)ステージの位置座標、すなわちTDIセンサの位置座標(Tx,Ty)を監視して、フォーカスマップファイル2に記述されている、現在のXY位置座表に適したフォーカス値に、フォーカス用電極の電圧を調整する。
さらに具体的に説明すると、図21において、黒丸がフォーカスマップファイル1のフォーカス値、白丸がフォーカスマップファイル2のフォーカス値であり、フォーカスマップファイル1のフォーカス値の間を、フォーカスマップファイル2のフォーカス値で補間している。そして、走査に従ってフォーカス位置Zを変化させるが、フォーカス値とフォーカス値との間は、次の変更する位置まで現在値が保持される。
a)フォーカスマップレシピの作成時に作成されたフォーカスマップファイル1を元に、位置情報をさらに細分化し、かつこの時のベストフォーカスを計算で求め、細分化したフォーカスマップファイル2を作成する。
b)上記a)の計算は、補間関数で行う。
c)上記b)の補間関数は、リニア補間やスプライン補間等でフォーカスマップレシピの作成時にオペレータにより指定される。
d)ステージの位置座標、すなわちTDIセンサの位置座標(Tx,Ty)を監視して、フォーカスマップファイル2に記述されている、現在のXY位置座表に適したフォーカス値に、フォーカス用電極の電圧を調整する。
さらに具体的に説明すると、図21において、黒丸がフォーカスマップファイル1のフォーカス値、白丸がフォーカスマップファイル2のフォーカス値であり、フォーカスマップファイル1のフォーカス値の間を、フォーカスマップファイル2のフォーカス値で補間している。そして、走査に従ってフォーカス位置Zを変化させるが、フォーカス値とフォーカス値との間は、次の変更する位置まで現在値が保持される。
図22は、図15に示した欠陥検査装置を使用した半導体製造プラントの例を示す。図22において、欠陥検査装置は参照番号171.1で示されており、該欠陥検査装置で検査されるウエハのロット番号、製造に経由した製造装置履歴等の情報は、SMIFまたはFOUP171・2に備えられたメモリから読み出されるか、または、そのロット番号を、SMIF、FOUP171・2又はウエハカセットのID番号を読み取ることにより、認識できるようになっている。ウエハの搬送中は、水分の量をコントロールしてメタル配線の酸化等を防止している。
欠陥検査装置171.1の欠陥検出制御用のPC171.6(すなわち、図15の制御部305)は、生産ラインの情報通信ネットワーク171・3に接続されており、このネットワーク171・3を介して、生産ラインを制御している生産ラインコントロールコンピュータ171・4、各製造装置171・5、及び別の検査システムに、被検査物であるウエハのロット番号などの情報とその検査結果を送ることができる。製造装置171・5には、リソグラフィー関連装置例えば露光装置、コーター、キュア装置、デベロッパ等、又は、エッチング装置、スパッタ装置及びCVD装置などの成膜装置、CMP装置、各種計測装置、他の検査装置、レビュー装置等が含まれる。
欠陥検査装置171.1の欠陥検出制御用のPC171.6(すなわち、図15の制御部305)は、生産ラインの情報通信ネットワーク171・3に接続されており、このネットワーク171・3を介して、生産ラインを制御している生産ラインコントロールコンピュータ171・4、各製造装置171・5、及び別の検査システムに、被検査物であるウエハのロット番号などの情報とその検査結果を送ることができる。製造装置171・5には、リソグラフィー関連装置例えば露光装置、コーター、キュア装置、デベロッパ等、又は、エッチング装置、スパッタ装置及びCVD装置などの成膜装置、CMP装置、各種計測装置、他の検査装置、レビュー装置等が含まれる。
Claims (8)
- 試料表面に形成されたパターンを参照パターンと比較して欠陥検査を行う欠陥検査装置において、
試料表面のパターン画像を被検査パターン画像として取得する手段と、
第1の参照パターン画像を取得し記憶する手段と、
第2の参照パターン画像を取得し記憶する手段と、
試料表面上の現在取得されている被検査パターン画像の位置座標を現在位置座標として取得する手段と、
試料表面の位置座標に対応して、被検査パターン画像を、第1の参照パターン画像と対比するか第2の参照パターン画像と対比するかを予め記憶する検査アルゴリズム記憶手段と、
検査アルゴリズム記憶手段を参照し、現在位置座標に基づいて、第1又は第2の参照パターン画像を参照パターン画像として選択する選択手段と、
選択された参照パターン画像を、被検査パターン画像と対比して欠陥を検出する欠陥判定手段と
からなることを特徴とする欠陥検査装置。 - 請求項1記載の欠陥検査装置において、
試料上には複数のダイが形成されており、
第1の参照パターン画像は、周期的パターンであるセル画像であり、
第2の参照パターン画像は、ダイ単位の参照パターン画像である
ことを特徴とする欠陥検査装置。 - 請求項2記載の欠陥検査装置において、ダイ単位の参照パターン画像は、現在取得されている被検査パターン画像のダイに隣接するダイのパターン画像であることを特徴とする欠陥検査装置。
- 請求項3記載の欠陥検査装置において、該装置はさらに、
試料上の予め選択設定された1つのダイのパターン画像を第3の参照パターン画像として取得し記憶する手段と、
CADデータから得られたダイのパターン画像を第4の参照パターン画像として取得し記憶する手段と
を備え、
検査アルゴリズム記憶手段は、第3又は第4の参照パターン画像を参照パターン画像とするか否かが記憶され、
選択手段は、検査アルゴリズム記憶手段に第3又は第4の参照パターン画像を参照パターン画像とすると記憶されている場合に、欠陥判定手段に対して、第3又は第4の参照パターン画像を参照パターン画像として供給するよう構成されている
ことを特徴とする欠陥検査装置。 - 請求項2記載の欠陥検査装置において、ダイ単位の参照パターン画像は、試料上の予め選択された1つのダイのパターン画像であることを特徴とする欠陥検査装置。
- 請求項2記載の欠陥検査装置において、ダイ単位の参照パターン画像は、CADデータから得られたダイのパターン画像であることを特徴とする欠陥検査装置。
- 試料表面に形成されたパターンを参照パターンと比較して欠陥検査を行う欠陥検査方法において、
試料表面の位置座標に対応して、被検査パターン画像を、第1の参照パターン画像と対比するか第2の参照パターン画像と対比するかの検査アルゴリズムを予め記憶するステップと、
第1の参照パターン画像を取得し記憶するステップと、
第2の参照パターン画像を取得し記憶するステップと、
試料表面のパターン画像を被検査パターン画像として取得するステップと、
試料表面上の現在取得されている被検査パターン画像の位置座標を現在位置座標として取得するステップと、
検査アルゴリズムを参照し、現在位置座標に基づいて、第1又は第2の参照パターン画像を参照パターン画像として選択するステップと、
選択された参照パターン画像を、被検査パターン画像と対比して欠陥を検出するステップと
からなることを特徴とする欠陥検査方法。 - 請求項7記載の欠陥検査方法において、
試料上には複数のダイが形成されており、
第1の参照パターン画像は、周期的パターンであるセル画像であり、
第2の参照パターン画像は、ダイ単位の参照パターン画像である
ことを特徴とする欠陥検査方法。
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