JPH01270690A - 露光用ｘ線の強度測定方法 - Google Patents
露光用ｘ線の強度測定方法Info
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- JPH01270690A JPH01270690A JP63100639A JP10063988A JPH01270690A JP H01270690 A JPH01270690 A JP H01270690A JP 63100639 A JP63100639 A JP 63100639A JP 10063988 A JP10063988 A JP 10063988A JP H01270690 A JPH01270690 A JP H01270690A
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
シンクロトロン放射光（ＳＲ）リソグラフィにおりるＳ
Ｒ強度の測定方法に関し。
Ｒ強度の測定方法に関し。
入射Ｘ線強度を露光装置内で直接半導体検出器により容
易に測定できる方法を提起し、高精度露光の実現を目的
とし。
易に測定できる方法を提起し、高精度露光の実現を目的
とし。
シンクロトロン放射光を利用したＸ線露光方式において
１貫通孔を開口した原基板の表面に、該開口上を含んで
該原基板上全面に順次補強膜、螢光体膜、Ｘ線の吸収体
膜を被着して形成された測定用基板の表面に入射Ｘ線を
受け、該吸収体膜を透過し減衰した該入射Ｘ線により該
螢光体膜に発生した螢光を、該補強膜と該珪素基板の開
口及び入射Ｘ線に対して斜めに設けられた光路を通して
半導体光検出器に受け、該光検出器に流れる光電−流を
該入射Ｘ線の強度に換算するようにして構成する。
１貫通孔を開口した原基板の表面に、該開口上を含んで
該原基板上全面に順次補強膜、螢光体膜、Ｘ線の吸収体
膜を被着して形成された測定用基板の表面に入射Ｘ線を
受け、該吸収体膜を透過し減衰した該入射Ｘ線により該
螢光体膜に発生した螢光を、該補強膜と該珪素基板の開
口及び入射Ｘ線に対して斜めに設けられた光路を通して
半導体光検出器に受け、該光検出器に流れる光電−流を
該入射Ｘ線の強度に換算するようにして構成する。
本発明はシンクロトロン放射光（Ｓｌｌ）リソグラフィ
におけるＳＲ強度の測定方法に関する。
におけるＳＲ強度の測定方法に関する。
超ＬＳＩ製造においては、サブマイクロン加工技術が求
められている。そのためにリソグラフィ工程において９
強度が桁違いに大きく、平行性が優れているＳＲが転写
用光源として検潤されるようになってきた。
められている。そのためにリソグラフィ工程において９
強度が桁違いに大きく、平行性が優れているＳＲが転写
用光源として検潤されるようになってきた。
しかし、これが実用化されるためには、 ＳＲ強度の測
定等の基本技術の確立が必要である。
定等の基本技術の確立が必要である。
ＳＲ露光においては、Ｘ線から可視光にわたる連続スペ
クトルの中からＸ線露光に必要な波長帯（４〜１５人）
だけをハンドバスフィルりを用いて取り出している。
クトルの中からＸ線露光に必要な波長帯（４〜１５人）
だけをハンドバスフィルりを用いて取り出している。
ハンドバスフィルタとして、短波長成分除去には全反射
ミラーが、長波長成分除去には・＼リリウＪ、（Ｂｅ）
等の窓材が一般に用いられている。
ミラーが、長波長成分除去には・＼リリウＪ、（Ｂｅ）
等の窓材が一般に用いられている。
ところ力く、このようなハンドパスフィルりを）史用し
た場合１時間とともに光学系の変動を生し。
た場合１時間とともに光学系の変動を生し。
Ｘ線強度が変動する。例えば、全反射ミラーの配置角度
の変動や、ミラー表面の汚染等による反射率の変化等が
問題となる。
の変動や、ミラー表面の汚染等による反射率の変化等が
問題となる。
一方、電子蓄積リングの電子ヒームが肋間とともに減衰
するので、これより露光室に入射されるＸ線強度もそれ
に従って減衰する。
するので、これより露光室に入射されるＸ線強度もそれ
に従って減衰する。
以」二の理由により、一定のＸ線照射量でＸ線露光を行
・うためには、Ｘ線強度測定が必要となってくる。
・うためには、Ｘ線強度測定が必要となってくる。
従来、 ＳＲを用いたＸ線露光においては、Ｘ線強度が
測定されていないのが現状である。
測定されていないのが現状である。
その理由は１通常強度のＸ線を精度よく検出できる半休
検出器は容易に入手できるが、これのＸ線フォトンの最
大計数率が １０’ ｐｈｏｔｏｎｓ／ｓｅｃ／ｃｍ−２程度である
のに対し。
検出器は容易に入手できるが、これのＸ線フォトンの最
大計数率が １０’ ｐｈｏｔｏｎｓ／ｓｅｃ／ｃｍ−２程度である
のに対し。
２．５０ｅＶの電子蓄積リングから出るＳＲの強度は１
０” ｐｂｏｔｏｎｓ／ｓｅｃ／ｃｍ−２と桁違いに大
きく、半導体検出器により直接検出することはできない
からである。
０” ｐｂｏｔｏｎｓ／ｓｅｃ／ｃｍ−２と桁違いに大
きく、半導体検出器により直接検出することはできない
からである。
従来のＸ線照射強度の４１１１定方法としては、光電子
管を用いたシンチレーションカウンタや、 Ａｒや１１
２等の雰囲気中をＸ線が通過した際の電離電流を測定す
る電離箱溺がある。しかしながら、これらの方法は測定
系自体が太きく、Ｘ線露光装置内に組み込むことは困難
であった。
管を用いたシンチレーションカウンタや、 Ａｒや１１
２等の雰囲気中をＸ線が通過した際の電離電流を測定す
る電離箱溺がある。しかしながら、これらの方法は測定
系自体が太きく、Ｘ線露光装置内に組み込むことは困難
であった。
従って、 ＳＲ露光装置の場合、ｎ光装置と測定装置を
分離しなければならず、又測定値も実際の装置の場合と
条件が異なるため精度的に問題があった。
分離しなければならず、又測定値も実際の装置の場合と
条件が異なるため精度的に問題があった。
本発明は、 ＳＲ露光の入射Ｘ線強度を露光装置内で直
接半導体検出器により容易に測定できる方法を提起し、
高精度露光の実現を目的とする。
接半導体検出器により容易に測定できる方法を提起し、
高精度露光の実現を目的とする。
（課題を解決するだめの手段）
上記課題の解決は、シンクロトロン放射光を利用したＸ
線露光方式において１貫通孔を開口した原基板の表面に
、該開ロートを含んで該原基板ト全面に順次補強膜、螢
光体膜、Ｘ線の吸収体膜を被着して形成された測定用基
板の表面に入射Ｘ線を受け、該吸収体膜を透過し減衰し
た該入射Ｘ線により該螢光体膜に発生した螢光を、該補
強膜と該珪素基板の開口及び入射Ｘ線に対して斜めに設
けられた光路を通して半導体光検出器に受け、該光検出
器に流れる光電流を該入射Ｘ線の強度に換算する露光用
Ｘ線の強度測定方法によって達成される。
線露光方式において１貫通孔を開口した原基板の表面に
、該開ロートを含んで該原基板ト全面に順次補強膜、螢
光体膜、Ｘ線の吸収体膜を被着して形成された測定用基
板の表面に入射Ｘ線を受け、該吸収体膜を透過し減衰し
た該入射Ｘ線により該螢光体膜に発生した螢光を、該補
強膜と該珪素基板の開口及び入射Ｘ線に対して斜めに設
けられた光路を通して半導体光検出器に受け、該光検出
器に流れる光電流を該入射Ｘ線の強度に換算する露光用
Ｘ線の強度測定方法によって達成される。
（作用〕
第１図は本発明の原理図である。
図Ｇこおいて、１は１１へ・１４からなる測定用基板。
１１ば開口を持つ原基板で珪素（Ｓｉ）基板、１２は基
板の補強膜、１３は螢光体膜、１４ばＸ線の吸収体膜。
板の補強膜、１３は螢光体膜、１４ばＸ線の吸収体膜。
２は基板を吸引するウェハチャック、３はウェハチャッ
ク内に、入射Ｘ線に斜めに設けられた光路。
ク内に、入射Ｘ線に斜めに設けられた光路。
４は半導体検出器、５は入射Ｘ線である。
ここで、補強膜１２は螢光体膜１３より出る螢光を透過
する物質からなり、原基板の開口上にも螢光体膜１３．
Ｘ線の吸収体膜１４を形成できるようにするための膜で
ある。
する物質からなり、原基板の開口上にも螢光体膜１３．
Ｘ線の吸収体膜１４を形成できるようにするための膜で
ある。
又、原基板として用いた８１基板は開口以外で螢光を遮
蔽する役目を持つ。同等の性質を持つ他の基板を用いて
もよい。
蔽する役目を持つ。同等の性質を持つ他の基板を用いて
もよい。
ＳＲの電子軌道面上のパワースペクトルＰ。（λ）は次
式で示される１）。
式で示される１）。
ｐｏ（λ）＝３．９２Ｘ１０−”（γ３／Ｒ”） Ｉ−
ｙ’Ｋｚｚ：＋”（ｙ／２）（Ｗ／ 人 ・ ｍｒａｄ
２ ・ ｍＡ） 。
ｙ’Ｋｚｚ：＋”（ｙ／２）（Ｗ／ 人 ・ ｍｒａｄ
２ ・ ｍＡ） 。
ここに。
λ−波長（人）。
Ｒ−電子蓄積リングの半径（ｍ）。
■−電子蓄積リングの電流（ｍＡ）。
γ−１，９６ｘ １０３ ・Ｅ
（Ｅは電子のエネルギ＋ Ｇ ｅ Ｖ ） ＋ｙ−λＣ
／λ （λ、−４πＲ／３γ３）。
／λ （λ、−４πＲ／３γ３）。
Ｋ２／３−第２種変形ヘソセル関数。
である。
１）小塩高文、笹沼道雄。
核研電子シンクロトロン軌道放射の特性。
応用物理、第３７巻、第■号（１９６８） 。
ここで、 ｐｏ（λ）を０〜１０００人までの波長に
ついて積分すると、 ＳＲの総エネルギ量を求めること
ができる。
ついて積分すると、 ＳＲの総エネルギ量を求めること
ができる。
更に、 ＳＲはヘリウム（Ｈｅ）雰囲気の露光室内に導
かれる際に、 Ｂｅ窓等による減衰を受ける。
かれる際に、 Ｂｅ窓等による減衰を受ける。
従って。
ｐｏ（λ）・ｅｘｐ（−ΣμＪ（λ）ｔｊ ）。
ここに。
μ、（λ） ： Ｂｅ窓の波長に対する線吸収係数。
ｔ； ： Ｂｅ窓の厚さ。
ｊ ：ＳＲが通過する減衰物質の数。
を波長について積分すると、基板に到達するＳＲの総エ
ネルギ量を求めることができる。
ネルギ量を求めることができる。
例えば、電子の加速エネルギ２．５ ＧｅＶ、蓄積電流
３００ ｍＡ、 半径８．６６ ｍの電子蓄積リング
からのＳｌ’ｌば、ｒ￥さ２５μｍのＢｅ窓を透過後１
発光点から軌道面上で３０印離れた点において５０ ｍ
Ｗ／ｍｍ２の強度を持つことが算出できる。
３００ ｍＡ、 半径８．６６ ｍの電子蓄積リング
からのＳｌ’ｌば、ｒ￥さ２５μｍのＢｅ窓を透過後１
発光点から軌道面上で３０印離れた点において５０ ｍ
Ｗ／ｍｍ２の強度を持つことが算出できる。
これらのパワースペクトルは、さらにマスク。
１１ｅガスを通過後測定用基板面に到達する。
このようにして基板に到達した入射Ｘ線５は測定用基板
面のＴａ、 Ａｕ等からなるＸ線吸収体膜１４で更に減
衰される。例えば厚さ２μｍのＴａ膜の場合は螢光体膜
に到着するエネルギ量は４．２３ ｍＷ／ｍｍ２（波長
１〜１５人）となる。
面のＴａ、 Ａｕ等からなるＸ線吸収体膜１４で更に減
衰される。例えば厚さ２μｍのＴａ膜の場合は螢光体膜
に到着するエネルギ量は４．２３ ｍＷ／ｍｍ２（波長
１〜１５人）となる。
これを受けて、螢光体膜１３は発光するが、螢光体とし
て２０Å以下の波長に反応し波長４０００〜８０００人
（ピーク波長５８００人）の光を発光するタングステ
ン酸カルシウム、硫化亜鉛等を用いれば。
て２０Å以下の波長に反応し波長４０００〜８０００人
（ピーク波長５８００人）の光を発光するタングステ
ン酸カルシウム、硫化亜鉛等を用いれば。
半導体検出器４としてピーク感度５ＢｏＯ人のＳｉ Ｐ
ＩＮフォトダイオードで検出できる。
ＩＮフォトダイオードで検出できる。
この際に、螢光体の発光効率が６０％としても。
ＰＩＮフォトダイオードの感度が０．３Ａ／Ｈのものを
使った場合、 ０．７ Ｗの出力が得られるのでＩ−Ｖ
変換により電圧値として記録することも充分可能である
。
使った場合、 ０．７ Ｗの出力が得られるのでＩ−Ｖ
変換により電圧値として記録することも充分可能である
。
螢光体膜を発光させたＸ線はエネルギが減衰しているも
のの短波長成分がまだ含まれている。この短波長成分を
Ｐｌ、Ｎフォトダイオードで直接受光するとこれを破壊
する恐れがある。そこで、短波長成分は直進性があるこ
とを利用して、入射方向に対し斜めの光路３を設けて破
壊を防止するようにする。。
のの短波長成分がまだ含まれている。この短波長成分を
Ｐｌ、Ｎフォトダイオードで直接受光するとこれを破壊
する恐れがある。そこで、短波長成分は直進性があるこ
とを利用して、入射方向に対し斜めの光路３を設けて破
壊を防止するようにする。。
以下に本発明の一実施例を、（１） ウェハチャック
の作製、（２）測定用基板の作製、（３）測定方法に分
けて説明する。
の作製、（２）測定用基板の作製、（３）測定方法に分
けて説明する。
（１） ウェハチャックの作製
第２図（１１，（２１は本発明の一実施例に使用したウ
ェハチャックの平面図と断面図である。
ェハチャックの平面図と断面図である。
図において、ウェハチャック夛は厚さ１０ ｍｍ、直径
１２５ ｍｍのステンレス１またはアルミニウム円板で
作製し、その表面に基板を吸引する真空吸引溝２１と真
空吸引孔２２が設けられる。
１２５ ｍｍのステンレス１またはアルミニウム円板で
作製し、その表面に基板を吸引する真空吸引溝２１と真
空吸引孔２２が設けられる。
表面中央に基板の垂線に対し３０°の傾きを持つた直径
５ｍｍφの光路３が形成される。
５ｍｍφの光路３が形成される。
ウェハチャソフタの裏面に開いた光路３の開口部に合わ
せて半導体検出器のホルダ４′が形成される。
せて半導体検出器のホルダ４′が形成される。
使用したＳＲビームの断面は３０ｍｍ Ｘ ５ｍｍであ
るので、半導体検出器はウェハチャ・ツク表面から深さ
１０ｍｍの所に、中心より５．８ｍｍずれた位置に固定
されるので破壊される心配はない。
るので、半導体検出器はウェハチャ・ツク表面から深さ
１０ｍｍの所に、中心より５．８ｍｍずれた位置に固定
されるので破壊される心配はない。
（２）測定用基板の作製
第３図（１）〜（４）は本発明の一実施例に使用した測
定用基板の形成方法を説明する断面図である。
定用基板の形成方法を説明する断面図である。
第３図（１）において、Ｓｉ基板１１の上に補強膜１２
として窒化硼素（ＢＮ）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）
、二酸化珪素（ＳｉＯ□）等の膜を被着する。
として窒化硼素（ＢＮ）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）
、二酸化珪素（ＳｉＯ□）等の膜を被着する。
第３図（２）において２通常のりソグラフィを用いて、
Ｓｉ基板１１の中央に裏面より１００〜５００ μｍ
ｎ角の貫通孔を開口する。
Ｓｉ基板１１の中央に裏面より１００〜５００ μｍ
ｎ角の貫通孔を開口する。
第３図（３）において、螢光物質としてタングステン酸
カルシウム又は硫化亜鉛を、補強膜１２の」−乙こ厚さ
１００〜５００ μｍ塗布して螢光体膜１３を形成する
。
カルシウム又は硫化亜鉛を、補強膜１２の」−乙こ厚さ
１００〜５００ μｍ塗布して螢光体膜１３を形成する
。
第３図（４）において、Ｘ線吸収物質としてＴａ又はＡ
ｕを０．５〜３μｍ厚さにスハノタして螢光体膜１３」
二に被着し、Ｘ線吸収体膜１４を形成する。
ｕを０．５〜３μｍ厚さにスハノタして螢光体膜１３」
二に被着し、Ｘ線吸収体膜１４を形成する。
以上により、開口を持つｓｉ、ｌ板】１．補強膜１２゜
螢光体膜１３．Ｘ線吸収体膜１４からなる測定用基板が
作製される。
螢光体膜１３．Ｘ線吸収体膜１４からなる測定用基板が
作製される。
（３）測定方法
測定用基板は通常の基板と同様に基板１般送用のキャリ
アにセットする。セット後は露光装置側で位置出しをし
、微動ステージのウェハチャック上に」＝１０μｍの精
度で装着される。従って、基板中央部の開口は、ウエハ
チャックの孔に確実に位置合わせすることができる。
アにセットする。セット後は露光装置側で位置出しをし
、微動ステージのウェハチャック上に」＝１０μｍの精
度で装着される。従って、基板中央部の開口は、ウエハ
チャックの孔に確実に位置合わせすることができる。
次に、ビームシャッタを開り５例えばビーＪ、断面が３
０ｍｍ Ｘ ５ｍｍのＳＲを基板上に照射し、基板間Ｌ
］径を最小分解能のステ・ツブとしてステージをχ、Ｙ
方向に移動し、その座標に苅する強度を測定して強度分
布゛を求めることができる。
０ｍｍ Ｘ ５ｍｍのＳＲを基板上に照射し、基板間Ｌ
］径を最小分解能のステ・ツブとしてステージをχ、Ｙ
方向に移動し、その座標に苅する強度を測定して強度分
布゛を求めることができる。
ここで２強度（エネルギ）れ（Ｗ／ｍｍ２）は測定され
た電圧値を次式で変換して求める。
た電圧値を次式で変換して求める。
Ｅ、、 −（Ｖ／Ｒ） ・ｌ（、−ＫＬ −Ｋｐ。
ここに。
■ 、測定された電圧値。
１１ ： Ｉ−Ｖ変換時の抵抗値。
Ｋ、： Δ−・−の単位変換係数。
Ｋ１：螢光物質の変換効率係数の逆数。
Ｋ、：Ｘ線吸収体の吸収効率の逆数
（測定波長帯域Ｑこ対する）。
である。
第４図は前記のＳＲに対して、 Ｘ（Ｙ）方向の強度分
布の一例を示す図である。
布の一例を示す図である。
以上のような実施例によれば。
■ 基板」二の強度分布を係数変換だけで精度よく求め
られる。
られる。
■ 測定用基板の螢光物質の波長感度を変えれば。
任意の波長に対する強度測定ができる。
■ 入射方向に対し斜めの光路により、Ｘ線の短波長成
分による半導体検出器の破損を防電することができる。
分による半導体検出器の破損を防電することができる。
■ 測定用基板はＸ線吸収体膜を表面に形成しているた
め、大気中でも測定可能である。
め、大気中でも測定可能である。
■ ステージの移動により強度分布の測定ができる。
等が可能となる。
以上説明したよ・うに本発明によれば、 ＳＲ露光の入
η＝ＩＸ線強度を露光装置内で直接半導体検出器により
容易に測定でき、高精度露光の実現に寄与できる。
η＝ＩＸ線強度を露光装置内で直接半導体検出器により
容易に測定でき、高精度露光の実現に寄与できる。
第１図は本発明の原理図。
第２図（１）、 ＋２１は本発明の一実施例に使用した
ウニハチ中ツクの平面図と断面図。 第３図（１）〜（４）は本発明の一実施例に使用した測
定用基板の形成方法を説明する断面図。 第４図は前記のＳＲに対して、 Ｘ（Ｙ）方向の強度分
布の一例を示す図である。 図において。 １は１１〜１４からなる測定用基板。 １１は開口を持つ原基板でＳｉ基板。 １２は基板の補強膜。 １３は螢光体膜。 １４はＸ線の吸収体膜。 ２は基板を吸引するウェハチャック。 ３は入射Ｘ線に斜めに設けられた光路。 ４は半導体検出器。 ５番１入射Ｘ線である。 ＺＩ （１）千鉛図 実施ｆダ１のウニ ＄２ ｒハ＋ヤ、７７ 図
ウニハチ中ツクの平面図と断面図。 第３図（１）〜（４）は本発明の一実施例に使用した測
定用基板の形成方法を説明する断面図。 第４図は前記のＳＲに対して、 Ｘ（Ｙ）方向の強度分
布の一例を示す図である。 図において。 １は１１〜１４からなる測定用基板。 １１は開口を持つ原基板でＳｉ基板。 １２は基板の補強膜。 １３は螢光体膜。 １４はＸ線の吸収体膜。 ２は基板を吸引するウェハチャック。 ３は入射Ｘ線に斜めに設けられた光路。 ４は半導体検出器。 ５番１入射Ｘ線である。 ＺＩ （１）千鉛図 実施ｆダ１のウニ ＄２ ｒハ＋ヤ、７７ 図
Claims (1)
- シンクロトロン放射光を利用したＸ線露光方式におい
て、貫通孔を開口した原基板の表面に、該開口上を含ん
で該原基板上全面に順次補強膜、螢光体膜、Ｘ線の吸収
体膜を被着して形成された測定用基板の表面に入射Ｘ線
を受け、該吸収体膜を透過し減衰した該入射Ｘ線により
該螢光体膜に発生した螢光を、該補強膜と該原基板の開
口及び入射Ｘ線に対して斜めに設けられた光路を通して
半導体光検出器に受け、該光検出器に流れる光電流を該
入射Ｘ線の強度に換算することを特徴とする露光用Ｘ線
の強度測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63100639A JP2638914B2 (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | 露光用ｘ線の強度測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63100639A JP2638914B2 (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | 露光用ｘ線の強度測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01270690A true JPH01270690A (ja) | 1989-10-27 |
| JP2638914B2 JP2638914B2 (ja) | 1997-08-06 |
Family
ID=14279397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63100639A Expired - Fee Related JP2638914B2 (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | 露光用ｘ線の強度測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2638914B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002505794A (ja) * | 1997-06-13 | 2002-02-19 | ガタン・インコーポレーテッド | 電子顕微鏡の影像検出器の解像度を改良しノイズを低減する方法及び装置 |
| JP2002141280A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-05-17 | Asm Lithography Bv | 平板投影装置、素子製造方法およびそれによって製造された素子 |
| EP1530091A1 (en) * | 2003-11-07 | 2005-05-11 | ASML Netherlands B.V. | Radiation detector |
| KR100718744B1 (ko) * | 2003-11-07 | 2007-05-15 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 방사선 검출기 |
| JP4796254B2 (ja) * | 1999-09-29 | 2011-10-19 | ジョーダン・バレー・セミコンダクターズ・リミテッド | Ｘ線アレイ検出器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6093372A (ja) * | 1983-10-27 | 1985-05-25 | Shimadzu Corp | 半導体ｘ線検出器 |
| JPS616253U (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-14 | 日本電子株式会社 | 電子顕微鏡における検出器 |
-
1988
- 1988-04-22 JP JP63100639A patent/JP2638914B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6093372A (ja) * | 1983-10-27 | 1985-05-25 | Shimadzu Corp | 半導体ｘ線検出器 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2638914B2 (ja) | 1997-08-06 |
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