JPS6093372A - 半導体x線検出器 - Google Patents

半導体x線検出器

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JPS6093372A
JPS6093372A JP58201739A JP20173983A JPS6093372A JP S6093372 A JPS6093372 A JP S6093372A JP 58201739 A JP58201739 A JP 58201739A JP 20173983 A JP20173983 A JP 20173983A JP S6093372 A JPS6093372 A JP S6093372A
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JP
Japan
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layer
ray
semiconductor layer
amorphous semiconductor
forming
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JP58201739A
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English (en)
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JPH0556470B2 (ja
Inventor
Tokuzo Komai
駒井 徳蔵
Tomomi Katayama
片山 智視
Tatsuo Hashizume
橋詰 辰夫
Yasuyoshi Doi
土井 泰敬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Shimazu Seisakusho KK
Original Assignee
Shimadzu Corp
Shimazu Seisakusho KK
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Publication date
Application filed by Shimadzu Corp, Shimazu Seisakusho KK filed Critical Shimadzu Corp
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Publication of JPS6093372A publication Critical patent/JPS6093372A/ja
Publication of JPH0556470B2 publication Critical patent/JPH0556470B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018Scintillation-photodiode combinations

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)ノを業−にの利用分野 この発す1は、X線自動露出制御装置等に用いるのに最
適な゛1′:導体X線検出器に関する。
(ロ)従来技術 X線自動露出制御装置に用いる場合、X線検出↓(には
、通路、被検体とX線フィルムとの間に配置5れる。と
ころで近イ1、Qj結晶半導体を用いたX線検出器が使
用され始めている。しかし、従来の+111+結晶半導
体を用いたX線検出器は、半導体とその支III几4A
とのX線吸収差によってX線フィル11に濃度差が生じ
、X1♀すj゛真の読影時に障害となるkいう伏′占か
あ。た−このeIa苦が/l: I’:かい士うな構造
の半導体X線検出器も提案されている(特開11/(5
5−146071号公報参!1ぐ)か、X線検出器全体
の構造が複雑になっている。
また、X線検出器は、4シ定の臓器等の診断部位に対応
した形状の大きな面積のものか好ましいが、従来の半導
体X線検出器では任、a、の大きさのものや仕立、の形
状のものを製作することは非常に困難である。
(ハ)ljlr+9 この発IJIJは、 fli’ttな構造でありなから
半導体とその支持共材とのX線吸収差による険影を取り
除ま、しかもX線に対する有感部を診断部位に対紀、し
た形状・大きさとすることか容易な゛1′導体X線検出
器を提供することを目的とする6 (ニ)構成 この発明による゛1′−樽体X線検出器は、X線吸収の
少ない均一な基板上に非晶質半導体層を形成し、さらに
その上に>it光層を形成して構成されている。
(ホ)′1′論例 第1図A、Hにおいて、ノ、(板11はX線吸収の少な
い均一な薄いシート状物、たとえばポリイミドフィルム
などの樹脂フィルムからなり、その大きさはX線フィル
j・のサイズと同等若しくはそれより大きいものとする
。そしてこの基板11の表面に゛電極をなすアルミニウ
ムなどの!N着層(図示しない)が設けられており、j
lうにその」−に全面にわたって非晶質゛1′−導体層
(アモルファス半導体層)12か数1・〜数百ルmのJ
・lさに 株に形成されている。この非晶質゛1′、導
体層12は、たとえば、S’i 、AsGa 、Geに
惑星なF−プ剤を混入したものまたはこれらの/7.!
合物あるいは化合物を用いたPIN(P層−絶縁層−N
層)構造とする。この非晶質゛1′導体層12の全面1
−に設けられた図/1クシない透明゛電極の1−に、必
要な大きさ拳形状の孔か!uJり抜かれている遮光シー
トを貼り伺けるかあるいは蒸着なとのr・段により透明
窓部14を有する遮光層13が形成されている。さらに
この遮光層13」−には蛍光層15が設けられている。
この蛍光層15はX線をl視光に変換するものであり、
遮光層13はこのiif視光を遮るもので、透明窓部1
4は++f視尤に対して透明な部分である。なお、基板
11は非晶質半導体層12の一方の電極を兼ねたアルミ
ニウム板で構成することもできる。
こうして形成される゛l’、導体X線検出器は、その1
゛11光層15の前面側よりX線が入用するようにして
使用される。入用したX線は)゛11光層15によりn
f視光に変換される。このIII視光は遮光層13の透
明窓部14のみを通過し、Jf +’+7+ ′t!t
 ’l’導体層12に入射し、このJ1晶賀゛1″、導
体層12によって゛上気j−に変換される。この非晶質
゛1′−導体層12はX線に対してはほとんと感度を4
1さないが、IIf視光に対しては良好な感1バを持っ
ているので、伴光層15でX線を一1f、ul視光に変
換してこのIIf視光に感応させるようにしているので
ある。
そして、透明′?:、部14部外4以外層13で遮光さ
れるため、この透明窓部14の部分がX線に対する有感
部となる。
次に第2の実施例について第2図A、Bを参照しながら
説明する。この第2図A、Hにおいて、ノ1(板ztl
1品質半導体層22および蛍光層25は第1の実施例の
基板11.非晶質半導体層12および蛍光層15と同様
のものからなる。この第2図Bでは導電層26が描かれ
ているが、この導電層26は蒸着などによって基板21
の全面に設けられ、非晶質半導体層22の一方の電極お
よび引き出し線を兼ねたものとして機能する。非晶質半
導体層22の他方(図では」一方)の面上には窓部24
を有するよう絶縁層27が形成される。この絶縁層27
は蒸着などの手段によって形成してもよいし、あるいは
必要な位1rノに必要な大きさ・形状の孔を有する薄い
絶縁シートを貼り伺けて形成してもよい。この絶縁層2
7および窓部24の1、には全面にわたってXA )+
などにより透明導゛屯層28が形成されており、この透
明導電層28は窓1■24においてのみ非晶質半導体層
22と接触している。そしてこのような構造の全体は遮
光1模29で完全に覆われている。
この場合、非晶質半導体層22は面方向には導電性が非
常に悪いので、電極が接触してl、z4窓部24の部分
で生じた光電流出力が2つの導電層26.28より取り
出される。したがって、X線が入射して蛍光層25が発
光すると、絶縁層27カーなく透明導電層28が直接接
触している窓部24の部分での光電流出力が(ワられる
ので、この窓部24の部分がX線に対する有感部という
ことになる。
なお、窓部24は1箇所だけに限らず、必要なら第2図
Aに示すように複数個設けて複数個の有感部を形成する
こともi1能である。この場合透明導電層28を第2図
Aに示すように分割してそれぞれの有感部からの出力を
別(1’18い′Lに取り出してそれらを加rJシたり
ili均したりまたは最大値や最小値をめるなどしてX
線フィルl−e度をよりきめ細かに制御することもでき
るし、分;Iil Lなければ複数個の有感部の出力の
総和に対応する出力を取り出すことができる。第1の実
施例ではこのことについて触れなかったか、第1の実施
例でも同様であることは勿論である。
(へ)効果 この発明による半導体X線検出器は、X線吸収の少ない
均一・なス(板上に41品質半導体層を形成し、ざらに
その上にイi?光層を形成してなるので、構造がきわめ
て1;)中であり大面積のものが容易に製造できる。ま
た、非晶質半導体を用いているので、Qj結晶半導体を
用いた場合に比べて1/l O程度の厚さで済み、X線
吸収が少なく、X線フィルト−1−に陰影を生じること
がない。しかも所望の形状の遮光層を設けたり電極の半
導体に接触している部分を任意の形状とすることによっ
て、X線に対するイノ感部を診断部位に応じた形状とす
ることか筒中にできるとともに、このようにしてもフィ
ルム上に陰影が現われることがない。
【図面の簡単な説明】
第1図A、Bはこの発明の第1の実施例に係るもので、
第1図Aは=+i面図、第1図Bはt51図AのB−B
線で断面した断面図、第2図A、Bはこの発明の第2の
実施例に係るもので、第2図Aは一11面図、第2図B
は第2図AのB−B線で断面した断面図である。 11.21・・・基板 12.22・・・非晶質半導体
層13・・・遮光層 14.24・・・窓部15.25
・・・−i1テ光層 26・・・導電層27・・・絶縁
層 28・・・透明導電層29・・・遮光11り jlj uri人 株工(会ン1島律製作所簿1劇 答2扇

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)X線吸収の少ない均一な基板上に非晶質半導体層
    を形成し、さらにその上に蛍光層を形成してなる゛1′
    導体X線検出器。
JP58201739A 1983-10-27 1983-10-27 半導体x線検出器 Granted JPS6093372A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58201739A JPS6093372A (ja) 1983-10-27 1983-10-27 半導体x線検出器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58201739A JPS6093372A (ja) 1983-10-27 1983-10-27 半導体x線検出器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6093372A true JPS6093372A (ja) 1985-05-25
JPH0556470B2 JPH0556470B2 (ja) 1993-08-19

Family

ID=16446131

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58201739A Granted JPS6093372A (ja) 1983-10-27 1983-10-27 半導体x線検出器

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JP (1) JPS6093372A (ja)

Cited By (4)

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JPS62161073A (ja) * 1985-11-15 1987-07-17 ベ−・フアウ・オプテイシエ・インダストリ−・デ・オウデ・デルフト X線写真装置
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