JPS6093372A - 半導体ｘ線検出器 - Google Patents
半導体ｘ線検出器Info
- Publication number
- JPS6093372A JPS6093372A JP58201739A JP20173983A JPS6093372A JP S6093372 A JPS6093372 A JP S6093372A JP 58201739 A JP58201739 A JP 58201739A JP 20173983 A JP20173983 A JP 20173983A JP S6093372 A JPS6093372 A JP S6093372A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- ray
- semiconductor layer
- amorphous semiconductor
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）ノを業−にの利用分野
この発す１は、Ｘ線自動露出制御装置等に用いるのに最
適な゛１′：導体Ｘ線検出器に関する。
適な゛１′：導体Ｘ線検出器に関する。
（ロ）従来技術
Ｘ線自動露出制御装置に用いる場合、Ｘ線検出↓（には
、通路、被検体とＸ線フィルムとの間に配置５れる。と
ころで近イ１、Ｑｊ結晶半導体を用いたＸ線検出器が使
用され始めている。しかし、従来の＋１１１＋結晶半導
体を用いたＸ線検出器は、半導体とその支ＩＩＩ几４Ａ
とのＸ線吸収差によってＸ線フィル１１に濃度差が生じ
、Ｘ１♀すｊ゛真の読影時に障害となるｋいう伏′占か
あ。た−このｅＩａ苦が／ｌ： Ｉ’：かい士うな構造
の半導体Ｘ線検出器も提案されている（特開１１／（５
５−１４６０７１号公報参！１ぐ）か、Ｘ線検出器全体
の構造が複雑になっている。
、通路、被検体とＸ線フィルムとの間に配置５れる。と
ころで近イ１、Ｑｊ結晶半導体を用いたＸ線検出器が使
用され始めている。しかし、従来の＋１１１＋結晶半導
体を用いたＸ線検出器は、半導体とその支ＩＩＩ几４Ａ
とのＸ線吸収差によってＸ線フィル１１に濃度差が生じ
、Ｘ１♀すｊ゛真の読影時に障害となるｋいう伏′占か
あ。た−このｅＩａ苦が／ｌ： Ｉ’：かい士うな構造
の半導体Ｘ線検出器も提案されている（特開１１／（５
５−１４６０７１号公報参！１ぐ）か、Ｘ線検出器全体
の構造が複雑になっている。
また、Ｘ線検出器は、４シ定の臓器等の診断部位に対応
した形状の大きな面積のものか好ましいが、従来の半導
体Ｘ線検出器では任、ａ、の大きさのものや仕立、の形
状のものを製作することは非常に困難である。
した形状の大きな面積のものか好ましいが、従来の半導
体Ｘ線検出器では任、ａ、の大きさのものや仕立、の形
状のものを製作することは非常に困難である。
（ハ）ｌｊｌｒ＋９
この発ＩＪＩＪは、 ｆｌｉ’ｔｔな構造でありなから
半導体とその支持共材とのＸ線吸収差による険影を取り
除ま、しかもＸ線に対する有感部を診断部位に対紀、し
た形状・大きさとすることか容易な゛１′導体Ｘ線検出
器を提供することを目的とする６ （ニ）構成 この発明による゛１′−樽体Ｘ線検出器は、Ｘ線吸収の
少ない均一な基板上に非晶質半導体層を形成し、さらに
その上に＞ｉｔ光層を形成して構成されている。
半導体とその支持共材とのＸ線吸収差による険影を取り
除ま、しかもＸ線に対する有感部を診断部位に対紀、し
た形状・大きさとすることか容易な゛１′導体Ｘ線検出
器を提供することを目的とする６ （ニ）構成 この発明による゛１′−樽体Ｘ線検出器は、Ｘ線吸収の
少ない均一な基板上に非晶質半導体層を形成し、さらに
その上に＞ｉｔ光層を形成して構成されている。
（ホ）′１′論例
第１図Ａ、Ｈにおいて、ノ、（板１１はＸ線吸収の少な
い均一な薄いシート状物、たとえばポリイミドフィルム
などの樹脂フィルムからなり、その大きさはＸ線フィル
ｊ・のサイズと同等若しくはそれより大きいものとする
。そしてこの基板１１の表面に゛電極をなすアルミニウ
ムなどの！Ｎ着層（図示しない）が設けられており、ｊ
ｌうにその」−に全面にわたって非晶質゛１′−導体層
（アモルファス半導体層）１２か数１・〜数百ルｍのＪ
・ｌさに 株に形成されている。この非晶質゛１′、導
体層１２は、たとえば、Ｓ’ｉ 、ＡｓＧａ 、Ｇｅに
惑星なＦ−プ剤を混入したものまたはこれらの／７．！
合物あるいは化合物を用いたＰＩＮ（Ｐ層−絶縁層−Ｎ
層）構造とする。この非晶質゛１′導体層１２の全面１
−に設けられた図／１クシない透明゛電極の１−に、必
要な大きさ拳形状の孔か！ｕＪり抜かれている遮光シー
トを貼り伺けるかあるいは蒸着なとのｒ・段により透明
窓部１４を有する遮光層１３が形成されている。さらに
この遮光層１３」−には蛍光層１５が設けられている。
い均一な薄いシート状物、たとえばポリイミドフィルム
などの樹脂フィルムからなり、その大きさはＸ線フィル
ｊ・のサイズと同等若しくはそれより大きいものとする
。そしてこの基板１１の表面に゛電極をなすアルミニウ
ムなどの！Ｎ着層（図示しない）が設けられており、ｊ
ｌうにその」−に全面にわたって非晶質゛１′−導体層
（アモルファス半導体層）１２か数１・〜数百ルｍのＪ
・ｌさに 株に形成されている。この非晶質゛１′、導
体層１２は、たとえば、Ｓ’ｉ 、ＡｓＧａ 、Ｇｅに
惑星なＦ−プ剤を混入したものまたはこれらの／７．！
合物あるいは化合物を用いたＰＩＮ（Ｐ層−絶縁層−Ｎ
層）構造とする。この非晶質゛１′導体層１２の全面１
−に設けられた図／１クシない透明゛電極の１−に、必
要な大きさ拳形状の孔か！ｕＪり抜かれている遮光シー
トを貼り伺けるかあるいは蒸着なとのｒ・段により透明
窓部１４を有する遮光層１３が形成されている。さらに
この遮光層１３」−には蛍光層１５が設けられている。
この蛍光層１５はＸ線をｌ視光に変換するものであり、
遮光層１３はこのｉｉｆ視光を遮るもので、透明窓部１
４は＋＋ｆ視尤に対して透明な部分である。なお、基板
１１は非晶質半導体層１２の一方の電極を兼ねたアルミ
ニウム板で構成することもできる。
遮光層１３はこのｉｉｆ視光を遮るもので、透明窓部１
４は＋＋ｆ視尤に対して透明な部分である。なお、基板
１１は非晶質半導体層１２の一方の電極を兼ねたアルミ
ニウム板で構成することもできる。
こうして形成される゛ｌ’、導体Ｘ線検出器は、その１
゛１１光層１５の前面側よりＸ線が入用するようにして
使用される。入用したＸ線は）゛１１光層１５によりｎ
ｆ視光に変換される。このＩＩＩ視光は遮光層１３の透
明窓部１４のみを通過し、Ｊｆ ＋’＋７＋ ′ｔ！ｔ
’ｌ’導体層１２に入射し、このＪ１晶賀゛１″、導
体層１２によって゛上気ｊ−に変換される。この非晶質
゛１′−導体層１２はＸ線に対してはほとんと感度を４
１さないが、ＩＩｆ視光に対しては良好な感１バを持っ
ているので、伴光層１５でＸ線を一１ｆ、ｕｌ視光に変
換してこのＩＩｆ視光に感応させるようにしているので
ある。
゛１１光層１５の前面側よりＸ線が入用するようにして
使用される。入用したＸ線は）゛１１光層１５によりｎ
ｆ視光に変換される。このＩＩＩ視光は遮光層１３の透
明窓部１４のみを通過し、Ｊｆ ＋’＋７＋ ′ｔ！ｔ
’ｌ’導体層１２に入射し、このＪ１晶賀゛１″、導
体層１２によって゛上気ｊ−に変換される。この非晶質
゛１′−導体層１２はＸ線に対してはほとんと感度を４
１さないが、ＩＩｆ視光に対しては良好な感１バを持っ
ているので、伴光層１５でＸ線を一１ｆ、ｕｌ視光に変
換してこのＩＩｆ視光に感応させるようにしているので
ある。
そして、透明′？：、部１４部外４以外層１３で遮光さ
れるため、この透明窓部１４の部分がＸ線に対する有感
部となる。
れるため、この透明窓部１４の部分がＸ線に対する有感
部となる。
次に第２の実施例について第２図Ａ、Ｂを参照しながら
説明する。この第２図Ａ、Ｈにおいて、ノ１（板ｚｔｌ
１品質半導体層２２および蛍光層２５は第１の実施例の
基板１１．非晶質半導体層１２および蛍光層１５と同様
のものからなる。この第２図Ｂでは導電層２６が描かれ
ているが、この導電層２６は蒸着などによって基板２１
の全面に設けられ、非晶質半導体層２２の一方の電極お
よび引き出し線を兼ねたものとして機能する。非晶質半
導体層２２の他方（図では」一方）の面上には窓部２４
を有するよう絶縁層２７が形成される。この絶縁層２７
は蒸着などの手段によって形成してもよいし、あるいは
必要な位１ｒノに必要な大きさ・形状の孔を有する薄い
絶縁シートを貼り伺けて形成してもよい。この絶縁層２
７および窓部２４の１、には全面にわたってＸＡ ）＋
などにより透明導゛屯層２８が形成されており、この透
明導電層２８は窓１■２４においてのみ非晶質半導体層
２２と接触している。そしてこのような構造の全体は遮
光１模２９で完全に覆われている。
説明する。この第２図Ａ、Ｈにおいて、ノ１（板ｚｔｌ
１品質半導体層２２および蛍光層２５は第１の実施例の
基板１１．非晶質半導体層１２および蛍光層１５と同様
のものからなる。この第２図Ｂでは導電層２６が描かれ
ているが、この導電層２６は蒸着などによって基板２１
の全面に設けられ、非晶質半導体層２２の一方の電極お
よび引き出し線を兼ねたものとして機能する。非晶質半
導体層２２の他方（図では」一方）の面上には窓部２４
を有するよう絶縁層２７が形成される。この絶縁層２７
は蒸着などの手段によって形成してもよいし、あるいは
必要な位１ｒノに必要な大きさ・形状の孔を有する薄い
絶縁シートを貼り伺けて形成してもよい。この絶縁層２
７および窓部２４の１、には全面にわたってＸＡ ）＋
などにより透明導゛屯層２８が形成されており、この透
明導電層２８は窓１■２４においてのみ非晶質半導体層
２２と接触している。そしてこのような構造の全体は遮
光１模２９で完全に覆われている。
この場合、非晶質半導体層２２は面方向には導電性が非
常に悪いので、電極が接触してｌ、ｚ４窓部２４の部分
で生じた光電流出力が２つの導電層２６．２８より取り
出される。したがって、Ｘ線が入射して蛍光層２５が発
光すると、絶縁層２７カーなく透明導電層２８が直接接
触している窓部２４の部分での光電流出力が（ワられる
ので、この窓部２４の部分がＸ線に対する有感部という
ことになる。
常に悪いので、電極が接触してｌ、ｚ４窓部２４の部分
で生じた光電流出力が２つの導電層２６．２８より取り
出される。したがって、Ｘ線が入射して蛍光層２５が発
光すると、絶縁層２７カーなく透明導電層２８が直接接
触している窓部２４の部分での光電流出力が（ワられる
ので、この窓部２４の部分がＸ線に対する有感部という
ことになる。
なお、窓部２４は１箇所だけに限らず、必要なら第２図
Ａに示すように複数個設けて複数個の有感部を形成する
こともｉ１能である。この場合透明導電層２８を第２図
Ａに示すように分割してそれぞれの有感部からの出力を
別（１’１８い′Ｌに取り出してそれらを加ｒＪシたり
ｉｌｉ均したりまたは最大値や最小値をめるなどしてＸ
線フィルｌ−ｅ度をよりきめ細かに制御することもでき
るし、分；Ｉｉｌ Ｌなければ複数個の有感部の出力の
総和に対応する出力を取り出すことができる。第１の実
施例ではこのことについて触れなかったか、第１の実施
例でも同様であることは勿論である。
Ａに示すように複数個設けて複数個の有感部を形成する
こともｉ１能である。この場合透明導電層２８を第２図
Ａに示すように分割してそれぞれの有感部からの出力を
別（１’１８い′Ｌに取り出してそれらを加ｒＪシたり
ｉｌｉ均したりまたは最大値や最小値をめるなどしてＸ
線フィルｌ−ｅ度をよりきめ細かに制御することもでき
るし、分；Ｉｉｌ Ｌなければ複数個の有感部の出力の
総和に対応する出力を取り出すことができる。第１の実
施例ではこのことについて触れなかったか、第１の実施
例でも同様であることは勿論である。
（へ）効果
この発明による半導体Ｘ線検出器は、Ｘ線吸収の少ない
均一・なス（板上に４１品質半導体層を形成し、ざらに
その上にイｉ？光層を形成してなるので、構造がきわめ
て１；）中であり大面積のものが容易に製造できる。ま
た、非晶質半導体を用いているので、Ｑｊ結晶半導体を
用いた場合に比べて１／ｌ Ｏ程度の厚さで済み、Ｘ線
吸収が少なく、Ｘ線フィルト−１−に陰影を生じること
がない。しかも所望の形状の遮光層を設けたり電極の半
導体に接触している部分を任意の形状とすることによっ
て、Ｘ線に対するイノ感部を診断部位に応じた形状とす
ることか筒中にできるとともに、このようにしてもフィ
ルム上に陰影が現われることがない。
均一・なス（板上に４１品質半導体層を形成し、ざらに
その上にイｉ？光層を形成してなるので、構造がきわめ
て１；）中であり大面積のものが容易に製造できる。ま
た、非晶質半導体を用いているので、Ｑｊ結晶半導体を
用いた場合に比べて１／ｌ Ｏ程度の厚さで済み、Ｘ線
吸収が少なく、Ｘ線フィルト−１−に陰影を生じること
がない。しかも所望の形状の遮光層を設けたり電極の半
導体に接触している部分を任意の形状とすることによっ
て、Ｘ線に対するイノ感部を診断部位に応じた形状とす
ることか筒中にできるとともに、このようにしてもフィ
ルム上に陰影が現われることがない。
第１図Ａ、Ｂはこの発明の第１の実施例に係るもので、
第１図Ａは＝＋ｉ面図、第１図Ｂはｔ５１図ＡのＢ−Ｂ
線で断面した断面図、第２図Ａ、Ｂはこの発明の第２の
実施例に係るもので、第２図Ａは一１１面図、第２図Ｂ
は第２図ＡのＢ−Ｂ線で断面した断面図である。 １１．２１・・・基板 １２．２２・・・非晶質半導体
層１３・・・遮光層 １４．２４・・・窓部１５．２５
・・・−ｉ１テ光層 ２６・・・導電層２７・・・絶縁
層 ２８・・・透明導電層２９・・・遮光１１り ｊｌｊ ｕｒｉ人 株工（会ン１島律製作所簿１劇 答２扇
第１図Ａは＝＋ｉ面図、第１図Ｂはｔ５１図ＡのＢ−Ｂ
線で断面した断面図、第２図Ａ、Ｂはこの発明の第２の
実施例に係るもので、第２図Ａは一１１面図、第２図Ｂ
は第２図ＡのＢ−Ｂ線で断面した断面図である。 １１．２１・・・基板 １２．２２・・・非晶質半導体
層１３・・・遮光層 １４．２４・・・窓部１５．２５
・・・−ｉ１テ光層 ２６・・・導電層２７・・・絶縁
層 ２８・・・透明導電層２９・・・遮光１１り ｊｌｊ ｕｒｉ人 株工（会ン１島律製作所簿１劇 答２扇
Claims (1)
- （１）Ｘ線吸収の少ない均一な基板上に非晶質半導体層
を形成し、さらにその上に蛍光層を形成してなる゛１′
導体Ｘ線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58201739A JPS6093372A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 半導体ｘ線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58201739A JPS6093372A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 半導体ｘ線検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6093372A true JPS6093372A (ja) | 1985-05-25 |
| JPH0556470B2 JPH0556470B2 (ja) | 1993-08-19 |
Family
ID=16446131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58201739A Granted JPS6093372A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 半導体ｘ線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6093372A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62161073A (ja) * | 1985-11-15 | 1987-07-17 | ベ−・フアウ・オプテイシエ・インダストリ−・デ・オウデ・デルフト | Ｘ線写真装置 |
| JPS63243781A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-11 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | Ｘ線検出装置 |
| US4845363A (en) * | 1985-09-26 | 1989-07-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Device for detecting radioactive rays |
| JPH01270690A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-27 | Fujitsu Ltd | 露光用ｘ線の強度測定方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55146071A (en) * | 1979-05-02 | 1980-11-14 | Toshiba Corp | Radiant ray detector of semiconductor |
| JPS57172273A (en) * | 1981-04-17 | 1982-10-23 | Toshiba Corp | Radiation detector |
-
1983
- 1983-10-27 JP JP58201739A patent/JPS6093372A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55146071A (en) * | 1979-05-02 | 1980-11-14 | Toshiba Corp | Radiant ray detector of semiconductor |
| JPS57172273A (en) * | 1981-04-17 | 1982-10-23 | Toshiba Corp | Radiation detector |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4845363A (en) * | 1985-09-26 | 1989-07-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Device for detecting radioactive rays |
| JPS62161073A (ja) * | 1985-11-15 | 1987-07-17 | ベ−・フアウ・オプテイシエ・インダストリ−・デ・オウデ・デルフト | Ｘ線写真装置 |
| JPS63243781A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-11 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | Ｘ線検出装置 |
| JPH0579151B2 (ja) * | 1987-03-30 | 1993-11-01 | Kanegafuchi Chemical Ind | |
| JPH01270690A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-27 | Fujitsu Ltd | 露光用ｘ線の強度測定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0556470B2 (ja) | 1993-08-19 |
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