JPS6050426A - 赤外線検知器 - Google Patents
赤外線検知器Info
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- G—PHYSICS
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- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
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-
- G—PHYSICS
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- G01J1/06—Restricting the angle of incident light
-
- G—PHYSICS
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- G01J1/4228—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors arrangements with two or more detectors, e.g. for sensitivity compensation
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- G01J1/0488—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts with spectral filtering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は水銀カドミウムテルル（Ｈ＆ＣｄＴｅ）又はイ
ンジウムアンチモン（ＩｎＳｂ）等の素子を組込み多素
子化した赤外線検知器に係り、特に被写体の視野角を決
めるシールド機能を具備したコールドフィルタ構成に関
する。
ンジウムアンチモン（ＩｎＳｂ）等の素子を組込み多素
子化した赤外線検知器に係り、特に被写体の視野角を決
めるシールド機能を具備したコールドフィルタ構成に関
する。
（ｂ） 技術の背景
赤外線応用技術の主流はパツシブな赤外線映像技術であ
り医学、農業、水産、工業、地学、海洋、気象、宇宙等
極めて広範囲に利用されている。
り医学、農業、水産、工業、地学、海洋、気象、宇宙等
極めて広範囲に利用されている。
しかし一方では高性能の赤外半導体レーザの出現によっ
て公害探知例えば大気汚染などのアクティブなセンシン
グ技術も開発され、実用化されり＼ある。
て公害探知例えば大気汚染などのアクティブなセンシン
グ技術も開発され、実用化されり＼ある。
赤外線映像技術は観測衛星による宇宙規模から小さいも
のでは赤外線顕微鏡までその応用範囲は広く特に高性能
の赤外検知素子が開発されるに従い従来の１次元アレイ
から２次元アレイへと進みつ＼ある。
のでは赤外線顕微鏡までその応用範囲は広く特に高性能
の赤外検知素子が開発されるに従い従来の１次元アレイ
から２次元アレイへと進みつ＼ある。
従ってアレイの感度均一性が感度の絶対値より重視され
るようになり、また可搬型として衛星、航空機、船舶、
車輛搭載用等に供せられるため小型軽量化が要請される
。
るようになり、また可搬型として衛星、航空機、船舶、
車輛搭載用等に供せられるため小型軽量化が要請される
。
一般に赤外線検知素子は冷却して使用するため、検知器
容器壁や視野内の背景から放射される赤外光を受ける。
容器壁や視野内の背景から放射される赤外光を受ける。
この赤外光は雑音となり検出器の感度を制限する。この
ため所定の赤外線波長のみを選択透過するコーにドフィ
ルタ、及び赤外光の入射角を規制するだめのシールド構
造を検知素子の前面に配置するが多素子化になるに従い
その構造は冷却機を含めて大規模となりその簡素化が要
求される。
ため所定の赤外線波長のみを選択透過するコーにドフィ
ルタ、及び赤外光の入射角を規制するだめのシールド構
造を検知素子の前面に配置するが多素子化になるに従い
その構造は冷却機を含めて大規模となりその簡素化が要
求される。
（ｃ）従来技術と問題点
第１図、第２図は従来の赤外線検知器の概要を示す構成
図であり第１図は単素子を、第２図は多緊子を示す図で
ある。
図であり第１図は単素子を、第２図は多緊子を示す図で
ある。
第１図において赤外検知素子工の前面にシリコン（Ｓｔ
）又はゲルマニウム（Ｇｅ ）薄板に硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ ）等の無反射コートを施し、或いはこれを多層とし
て赤外波長選択性をもたせたコールドフィルタ２を配置
する。また赤外光４の視野角（０を決定するシールド板
３は赤外光４を遮断する非透過性の金属板（例えばアル
ミニウム金属板）に無反射コートを施し、開口部に前記
コールドフィルタ２を配して構成される。
）又はゲルマニウム（Ｇｅ ）薄板に硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ ）等の無反射コートを施し、或いはこれを多層とし
て赤外波長選択性をもたせたコールドフィルタ２を配置
する。また赤外光４の視野角（０を決定するシールド板
３は赤外光４を遮断する非透過性の金属板（例えばアル
ミニウム金属板）に無反射コートを施し、開口部に前記
コールドフィルタ２を配して構成される。
このように構成される赤外線検知器全体を冷却装置によ
り冷却する。
り冷却する。
しかしコールドフィルタ２及びシールド板３で構成する
機構では赤外検知素子１の多素子化或いは２次元プレイ
化に対応できない。例えば従来構成で多素子化した赤外
検知素子を収容する具体例を第２図に示す。
機構では赤外検知素子１の多素子化或いは２次元プレイ
化に対応できない。例えば従来構成で多素子化した赤外
検知素子を収容する具体例を第２図に示す。
単ＭＫコールドフィルタ６とシールド板７を組合せて赤
外検知素子５の前面に配した構成では図により明らかな
ように視野角（θ′、θ“）が素子毎にばらつき、素子
面に入射する赤外光の受光強度は中心から周辺すてかけ
て弱くなり均一性が得られない。個々の素子に対応して
視野角を均一にし、受光強度を均一化するための７−ル
ド板を設けることは構成が複雑となり極めて困難でおる
。
外検知素子５の前面に配した構成では図により明らかな
ように視野角（θ′、θ“）が素子毎にばらつき、素子
面に入射する赤外光の受光強度は中心から周辺すてかけ
て弱くなり均一性が得られない。個々の素子に対応して
視野角を均一にし、受光強度を均一化するための７−ル
ド板を設けることは構成が複雑となり極めて困難でおる
。
（ｄ） 発明の目的
本発明は上記の点に鑑み、コールドフィルタとシールド
板とを１体的に形成する構成手段を提供し、赤外検知素
子の多素子化、２次元化に対応できる赤外線検知器を得
ることを目的とする。
板とを１体的に形成する構成手段を提供し、赤外検知素
子の多素子化、２次元化に対応できる赤外線検知器を得
ることを目的とする。
（ｅ） 発明の構成
上記目的は本発明によれば撮像すべき被写体の視野角を
決定する複数のシールド膜を埋込んで１体的に形成され
るコールドフィルタを多素子化した赤外検知素子前面に
配し、該シールド膜は該コールドフィルタ上に所定間隔
もシ、＜は格子状に形成さ力、る溝内上赤外線不透過材
で被覆されることによって達せられる。
決定する複数のシールド膜を埋込んで１体的に形成され
るコールドフィルタを多素子化した赤外検知素子前面に
配し、該シールド膜は該コールドフィルタ上に所定間隔
もシ、＜は格子状に形成さ力、る溝内上赤外線不透過材
で被覆されることによって達せられる。
（ｆ） 発明の実施例
以下本発明の実施例を図面により詳述する。
第３図は本発明の一実施例である赤外線検知器の概要を
示す構成図、第４図は本発明の一実施例であるコールド
フィルタに施すシールド膜形成法を示す工程図、第５図
は本発明の他の実施例である格子状の７〜ルド膜を有す
るコールドフィルタを示す斜視図で必る７゜ 第３図釦おｈてＳｔ又ｕＧａ材のコールドフィルタ１１
の１面に溝が形成されこの清白に赤外線不透過材で被桜
又は充填されシールド膜１２が形成される。
示す構成図、第４図は本発明の一実施例であるコールド
フィルタに施すシールド膜形成法を示す工程図、第５図
は本発明の他の実施例である格子状の７〜ルド膜を有す
るコールドフィルタを示す斜視図で必る７゜ 第３図釦おｈてＳｔ又ｕＧａ材のコールドフィルタ１１
の１面に溝が形成されこの清白に赤外線不透過材で被桜
又は充填されシールド膜１２が形成される。
コールドフィルタ１１の両面は硫化亜鉛（Ｚ ｎ Ｓ）
等の無反射用ＡＲコート１３、或は所定の多層コーテン
グにより赤外波長選択性を持たせる。
等の無反射用ＡＲコート１３、或は所定の多層コーテン
グにより赤外波長選択性を持たせる。
このように形成するコールドフィルタ１１はシールド膜
１２側が検知素子１５に対向する形で密着配置され、単
位検知素子１５′はシールド膜１３間の中央位置に対応
する様固定される。各検知素子１５′はシールド膜１３
の間隔と深さく図では高さ）で決定される視野角（θＯ
′、００つを見込むことにより均一な検知特性が得られ
る。シールド膜１３の形成方法を第４図によりその一例
を説明する。
１２側が検知素子１５に対向する形で密着配置され、単
位検知素子１５′はシールド膜１３間の中央位置に対応
する様固定される。各検知素子１５′はシールド膜１３
の間隔と深さく図では高さ）で決定される視野角（θＯ
′、００つを見込むことにより均一な検知特性が得られ
る。シールド膜１３の形成方法を第４図によりその一例
を説明する。
第４図の（ａ）に示すようにＳｉ又はＧｅ基板１１’を
イオンビームミーリング或いは異方性エツチング技術を
用いて加工し所定間隔で溝１４を形成する。
イオンビームミーリング或いは異方性エツチング技術を
用いて加工し所定間隔で溝１４を形成する。
次いで（ｂ）ではアルミニウム等の赤外不透過金属１６
をスパッタ成長法又は電界メッキ技術で堆精又ｌ−１：
被着させ溝１４の内面を被洗する。
をスパッタ成長法又は電界メッキ技術で堆精又ｌ−１：
被着させ溝１４の内面を被洗する。
次いで（ｃ）Ｋ示すようＫｍ１４側の面をＳｉ又はＧｅ
基板面が露出するまで研磨し鏡面仕上する。
基板面が露出するまで研磨し鏡面仕上する。
次いで反対側の端面も同様鏡面仕上して両面をＺｎＳ等
で無反射用ＡＲコート１３を施す（ｄ）ことにより所望
のシールド膜１２を形成したコールドフィルタ１１が得
られる。
で無反射用ＡＲコート１３を施す（ｄ）ことにより所望
のシールド膜１２を形成したコールドフィルタ１１が得
られる。
第５図は他の実施例を示すもので図示するように格子状
の溝１７を形成することにより２次元アレイ用のコール
ドフィルタ１８が得られる。
の溝１７を形成することにより２次元アレイ用のコール
ドフィルタ１８が得られる。
（ｇ）発明の効果
以上詳述に説明したように本発明によればコールドフィ
ルタとコールドシールドを１体化し赤外線検知器の構成
は簡素化され小型化される。また１絵素対応の背景光制
限が可能となるため検知特性が均一化し、更に検知素子
の微細化、多素子化及び２次元アレイ化に対応できる大
きな効果がある０
ルタとコールドシールドを１体化し赤外線検知器の構成
は簡素化され小型化される。また１絵素対応の背景光制
限が可能となるため検知特性が均一化し、更に検知素子
の微細化、多素子化及び２次元アレイ化に対応できる大
きな効果がある０
第１図、第２図は従来の赤外線検知器の概要を示す構成
図でちり、第１図は単素子を第２図は多素子を示す図、
第３図は本発明の一実施例である赤外線検知器の概要を
示す構成図、第４図は本発明の一実施例であるコールド
フィルタに施すシールド膜形成法を示す工程図、第５図
は本発明の他の実施例である格子状のシールド膜を有す
るコールドフィルタを示す斜視図である。 図中１１．１８・・コールドフィルタ、１２・・・シー
ルド膜、１３・・ＡＲコート、１４．１７・・・溝、１
５・・・検知素子、１６・・・赤外不透過全域。 剃ｌ呵 ｊ＃ｚ昭 ￥−３酊 ３ Ｆ４閃 Ｌ 寮５呵
図でちり、第１図は単素子を第２図は多素子を示す図、
第３図は本発明の一実施例である赤外線検知器の概要を
示す構成図、第４図は本発明の一実施例であるコールド
フィルタに施すシールド膜形成法を示す工程図、第５図
は本発明の他の実施例である格子状のシールド膜を有す
るコールドフィルタを示す斜視図である。 図中１１．１８・・コールドフィルタ、１２・・・シー
ルド膜、１３・・ＡＲコート、１４．１７・・・溝、１
５・・・検知素子、１６・・・赤外不透過全域。 剃ｌ呵 ｊ＃ｚ昭 ￥−３酊 ３ Ｆ４閃 Ｌ 寮５呵
Claims (2)
- （１）撮像すべき被写体の視野角を決定する複数のシー
ルド膜を埋込んで１体的に形成されるコールドフィルタ
を複数の赤外検知素子前面に配して構成されていること
を特徴とする赤外線検知器。 - （２） 上記コールドフィルタσ）シールド膜は、該コ
ールドフィルタ上に所定間隔もしくは格子状の溝を形成
１該溝内は赤外線不透過材で被膜されている上記シール
ド膜であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の赤外線検知器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58159504A JPS6050426A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 赤外線検知器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58159504A JPS6050426A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 赤外線検知器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6050426A true JPS6050426A (ja) | 1985-03-20 |
Family
ID=15695211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58159504A Pending JPS6050426A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 赤外線検知器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050426A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4746798A (en) * | 1986-08-18 | 1988-05-24 | Werkzeugmaschinenfabrik | Compact optical wavelength discriminator radiometer |
| EP0319874A2 (en) * | 1987-12-09 | 1989-06-14 | Honeywell Inc. | Cold shield for infrared detectors |
| US5006711A (en) * | 1988-10-05 | 1991-04-09 | Fujitsu Limited | Multielement infrared detector for thermal imaging |
| US7095026B2 (en) * | 2002-11-08 | 2006-08-22 | L-3 Communications Cincinnati Electronics Corporation | Methods and apparatuses for selectively limiting undesired radiation |
| JP2015099151A (ja) * | 2010-03-05 | 2015-05-28 | セイコーエプソン株式会社 | 光学センサー及び電子機器 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5131502B1 (ja) * | 1968-05-21 | 1976-09-07 | ||
| JPS53142124A (en) * | 1977-05-18 | 1978-12-11 | Sony Corp | Color pickup element |
| JPS57142526A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-03 | Fujitsu Ltd | Infrared detector |
| JPS57165802A (en) * | 1981-04-04 | 1982-10-13 | Dainippon Printing Co Ltd | Manufacture of light-shielding plate |
| JPS5849903A (ja) * | 1981-09-21 | 1983-03-24 | Canon Inc | マイクロレンズの遮光装置 |
-
1983
- 1983-08-31 JP JP58159504A patent/JPS6050426A/ja active Pending
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