JP3974794B2

JP3974794B2 - 放射線検出器

Info

Publication number: JP3974794B2
Application number: JP2002034288A
Authority: JP
Inventors: 辰己山中
Original assignee: Hamamatsu Photonics KK
Current assignee: Hamamatsu Photonics KK
Priority date: 2002-02-12
Filing date: 2002-02-12
Publication date: 2007-09-12
Anticipated expiration: 2022-02-12
Also published as: JP2003232859A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シンチレータとフォトダイオードとを組み合わせた放射線検出器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、医療機関で使用されるＸ線断層撮像装置（Ｘ線ＣＴ装置）では、スライス方向に複数列のＸ線検出器を２次元配列し、１回のＸ線照射によって複数のＣＴ画像を得る、いわゆるマルチスライス化が検討されている。また、この種のＸ線照射装置では、Ｘ線検出器としての放射線検出器が用いられているが、この放射線検出器においても、マルチスライス化に対応することが要請される。
【０００３】
かかる要請に対応すべく、たとえば特開平７−３３３３４８号公報に開示された放射線検出器がある。この放射線検出器は、複数のシンチレータを２次元的に配置してなるシンチレータパネルと、これらの複数のシンチレータに対応して設けられた複数のフォトダイオードを有する配線基板を備えるものである。このように、複数のシンチレータを２次元的に配置することにより、複数のＣＴ画像を得ることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、この種の放射線検出器では、複数のシンチレータとフォトダイオードとを対応させて配置する必要がある。ここで、シンチレータが１次元的に配設されているものであれば比較的その配置を容易に行うことができるが、２次元的にシンチレータが配置された放射線検出器では、このような対応関係を正確に行いながらシンチレータとフォトダイオードを配置するのは容易ではない。しかし、上記従来の公報に開示された放射線検出器では、それらを正確に対応する手段についてはなんら言及していないものである。特に近年においては、フォトダイオードの微細化、高集積化が進んでいるため、複数のシンチレータとフォトダイオードとを対応させて配置するのはさらに困難となっている。
【０００５】
そこで、本発明の課題は、２次元的に配列された複数のシンチレータと、これらのシンチレータに対応して設けられた複数のフォトダイオードを有する放射線検出器において、シンチレータとフォトダイオードとを正確に対応させて配置することを容易に行うことができるようにすることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決した本発明に係る放射線検出器は、第１導電型の半導体基板の表面側に、２次元状に配列された複数の第２導電型半導体層が形成され、第１導電型の半導体基板と各第２導電型半導体層との間に形成されるｐｎ接合によりそれぞれがフォトダイオードとして機能し、半導体基板の表面が光入射面となっている表面入射型のフォトダイオードアレイを備え、フォトダイオードアレイの表面側における複数の第２導電型半導体層に対応する位置に、シンチレータがそれぞれ配設されており、フォトダイオードアレイの表面側における複数の第２導電型半導体層の周囲にそれぞれ位置決め用凹部が形成され、シンチレータにおける対向する面同士に保持部材が設けられるとともに、他の対向する面は露出面とされ、保持部材における底部に、フォトダイオードアレイ方向に突出し、凹部に配置される位置決め用凸部が設けられ、シンチレータは、フォトダイオードアレイの表面側で隣接するシンチレータの露出面同士が向き合う位置に配列されており、フォトダイオードアレイの表面側におけるシンチレータの露出面同士の間に、配線が行われていることを特徴とする。
【０００７】
このように、フォトダイオードアレイにおける第２導電型半導体層に対応させてシンチレータを配設するにあたり、第２導電型半導体層の周囲には位置決め用凹部が形成され、シンチレータには、この位置決め用凹部に配置される位置決め用凸部が設けられている。このため、位置決め用凹部に位置決め用凸部を配置するのみで、容易にシンチレータを第２導電型半導体層に対応させて配置することができる。
【０００８】
また、上記課題を解決した本発明に係る放射線検出器は、第１導電型の半導体基板の表面側に、２次元状に配列された複数の第２導電型半導体層が形成され、第１導電型の半導体基板と各第２導電型半導体層との間に形成されるｐｎ接合によりそれぞれがフォトダイオードとして機能し、半導体基板の表面が光入射面となっている表面入射型のフォトダイオードアレイを備え、フォトダイオードアレイの表面側における複数の第２導電型半導体層に対応する位置に、シンチレータがそれぞれ配設されており、フォトダイオードアレイの表面側における複数の第２導電型半導体層の周囲にそれぞれ位置決め用凹部が形成され、位置決め用凹部は、第２導電型半導体層の周囲における複数の位置に点在する位置決め用孔部であり、シンチレータには、フォトダイオードアレイ方向に突出する位置決め用突起部が形成されており、シンチレータにおける位置決め用孔部に対応する位置に、シンチレータの高さ方向に貫通する貫通部材が設けられ、貫通部材の底部に位置決め用突起部が形成されていることを特徴とする。
【００１１】
このように、位置決め用突起部を点状に配置することにより、フォトダイオードアレイの表面に広い領域を確保することができる。このため、フォトダイオードアレイの表面に配線を引き回すためのスペースを容易に確保することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、図面とともに本発明による放射線検出器の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。
【００１３】
図１は、本発明による放射線検出器の第１実施形態の構成を示す側面断面図、図２はその上面図である。
【００１４】
本放射線検出器は、放射線を入射して、その放射線によって生じた光を光出射面から出射するシンチレータパネル１と、シンチレータパネル１から出射された光を光入射面から入射し、電気信号に変換するフォトダイオードアレイ２とを備えている。なお、図１においては、シンチレータパネル１の下面が光出射面、フォトダイオードアレイ２の上面が光入射面となっている。
【００１５】
図２は、シンチレータパネル１の平面図である。シンチレータパネル１は、複数のシンチレータ１１を備えている。複数のシンチレータ１１は、それぞれ検出対象の放射線の入射に対してシンチレーション光を発生する物質からなり、図２に示すように２次元アレイ状に配列されている。シンチレータ１１の光出射面以外の面上には、シンチレータ１１内で発生したシンチレーション光を反射する酸化チタンなどからなる光反射膜１４が形成されている。したがって、平面視した状態では、シンチレータ１１は、光反射膜１４に覆われた状態となっている。
【００１６】
これらのシンチレータ１１は、平面視した形状が正方形をなしており、その周囲には、シンチレータ１１を包囲しながら保持する矩形の保持部材１２が設けられている。保持部材１２の中央には、図３（ａ）に示すように、中空部が形成されており、この中空部にシンチレータ１１が取り付けられる。また保持部材１２の底部には、図３（ｂ）に示すように、下端がとがった断面三角形状をなし、フォトダイオードアレイ２側に突出する位置決め用凸部である位置決め用突条１３が形成されている。この位置決め用突条１３は、保持部材１２の全周にわたって形成されている。そして、これらが図示しない固定部材で一体に固定されることによって、シンチレータパネル１が構成されている。
【００１７】
フォトダイオードアレイ２は、図１に示すように、ｐｎ接合が形成される表面側を光入射面とする表面入射型の構成を有している。フォトダイオードアレイ２は、導電型がｎ型（第１導電型）であり、フォトダイオードアレイ２の基体となるｎ型半導体基板２１と、シンチレータ１１と一対一で対応するようにｎ型半導体基板２１内部の表面側に形成されたｐ⁺型（第２導電型）拡散層である複数のｐ型半導体層（第２導電型半導体層）２２と、複数のｐ型半導体層２２の間にそれぞれ形成されたｎ型半導体基板２１より高濃度のｎ⁺型拡散層であるｎ型半導体層（第１導電型半導体層）２３とを備える。
【００１８】
本構成では、ｐ型半導体層２２と、ｐ型半導体層２２の裏面側に位置するｎ型半導体基板２１のｎ型半導体層部分とがｐｎ接合を形成することによって、フォトダイオード２４が構成されている。ここで、検出対象である放射線がシンチレータパネル１のシンチレータ１１に入射すると、シンチレータ１１内においてシンチレーション光が発生する。発生したシンチレーション光は直接に、または光出射面以外の面上に形成された光反射膜１４によって反射されて、光出射面からフォトダイオードアレイ２へと出射される。そして、シンチレータ１１の光出射面から出射された光は対応するフォトダイオード２４へ入射する。
【００１９】
また、ｎ型半導体基板２１の光入射面側には、ＳｉＯ_２などからなる保護層２５が形成されている。さらに、保護層２５の表面には、シンチレーション光を透過する性質を有する光学接着剤層２６が形成されており、シンチレータ１１とフォトダイオードアレイ２を接合している。また、ｎ型半導体基板２１の裏面側には、ｎ型半導体基板２１より高濃度のｎ型半導体層であるｎ型高濃度不純物層２７が、全体に略一定の厚さで設けられ、図示しない金属電極（カソード電極）とオーミック接続される。ここで、フォトダイオード２４へ入射したシンチレーション光によって、ｎ型半導体基板２１内部にキャリアが発生する。発生したキャリアは、ｐ型半導体層２２へ移動する。そして、光検出信号がアノード電極およびカソード電極から取り出される。
【００２０】
さらに、フォトダイオードアレイ２は、図示はしないが、ｎ型半導体基板の表面上にアノード電極を、裏面上にカソード電極をそれぞれ備えている。アノード電極はｐ型半導体層２２に、カソード電極はｎ型高濃度不純物層２７にそれぞれ電気的に接続されている。フォトダイオードアレイ２の動作時には、アノード電極とカソード電極との間には、フォトダイオード２４への印加電圧が逆バイアスとなるような電圧が与えられる。また、フォトダイオード２４への印加電圧は、零バイアスであっても良い。
【００２１】
フォトダイオードアレイ２の表面には、フォトダイオードアレイ２からの光検出信号の検出器外部への出力などに用いられる図示しない配線が設けられている。
【００２２】
さらに、フォトダイオードアレイ２の表面側におけるｐ型半導体層２２の周囲には、上面から見た形状が正方形の位置決め用凹部である位置決め用凹溝３１が形成されている。本実施形態において、位置決め用凹溝３１は、ｐ型半導体層２２の周囲であるとともに、ｎ型半導体層２３よりも外側に形成されている。位置決め用凹溝３１は、断面三角形状の凹溝であり、位置決め用突条１３が嵌め込まれることにより、フォトダイオードアレイ２に対するシンチレータ１１の位置決めが行われる。
【００２３】
以上の構成を有する本実施形態に係る放射線検出器においては、ｐ型半導体層２２の周囲に位置決め用凹溝３１が形成されており、この位置決め用凹溝３１に対して、保持部材１２の底部に形成された位置決め用突条１３が嵌め込まれる。ここで、保持部材１２は、シンチレータ１１の周囲に設けられていることから、保持部材１２における位置決め用突条１３に対するシンチレータ１１の相対位置は決められている。同様に、フォトダイオード２４の一部を構成するｐ型半導体層２２に対する位置決め用凹溝３１の相対位置も決まっている。このため、単に位置決め用凹溝３１に位置決め用突条１３を嵌め込むだけで、フォトダイオード２４に対するシンチレータ１１の位置決めを行うことができる。このように、フォトダイオード２４に対してシンチレータ１１を正確に対応させて、しかも容易に配置することができる。
【００２４】
なお、シンチレータ１１の間にシンチレータ固定用部材を設けると、シンチレータ１１同士は直接に隣接しないように配置される。これによって、あるシンチレータにおいて発生したシンチレーション光が、他のシンチレータに対応するフォトダイオード２４に入射する、いわゆる光クロストークの発生を抑制することができる。
【００２５】
以上に詳説した図１に示す放射線検出器の具体的な構成の一例としては、以下に示すような構成のＸ線検出器が挙げられる。すなわち、シンチレータパネル１の上面側から見た形状を一辺１２ｍｍの正方形とし、その中に８個×８個の配列（ピッチ１．５ｍｍ）で一辺１ｍｍ、厚さ２ｍｍのシンチレータ１１を配置する。シンチレータ１１の光出射面以外の面上には、厚さ５０μｍの光反射膜１４を形成する。
【００２６】
一方、フォトダイオードアレイ２については、基板厚板部の厚さが２７０μｍでキャリア濃度１．０×１０¹²ｃｍ^-3のｎ型半導体基板２１を用いる。また、ｎ型半導体基板２１の表面側に、キャリア濃度１．０×１０¹⁹ｃｍ^-3のｐ型半導体層２２を厚さ０．５μｍで形成する。また、ｐ型半導体層２２の間にはキャリア濃度１．０×１０¹⁸ｃｍ^-3のｎ型半導体層２３を厚さ１．５μｍで形成し、ｎ型半導体基板２１の裏面側にはキャリア濃度５．０×１０¹⁸ｃｍ^-3のｎ型高濃度不純物層２７を厚さ０．２μｍで形成する。また、シンチレータパネル１とフォトダイオードアレイ２との間における光学接着剤層２６の厚さについては、たとえば、数μｍ程度とする。
【００２７】
次に、本実施形態に係る放射線検出器の製造方法の一例について説明する。図４は第１の実施形態に係る放射線検出器の製造方法の一例を示す工程図である。
【００２８】
まず、図４（ａ）に示すように、Ｘ線などの放射線が照射されるとシンチレーション光を発生するＣＷＯもしくはＣｓＩなどからなるシンチレータ１１を用意する。このシンチレータ１１は底面が正方形の直方体状をなしている。続いて、このシンチレータ１１の表面のうち、底面を除いた位置に酸化チタンなどを蒸着することによって光反射膜１４を形成する。その一方、図４（ｂ）に示すように、シンチレータ１１の周囲を包囲して取り付けられる保持部材１２を製造する、保持部材１２は、たとえばＸ線を遮蔽する性質を有する銅もしくは鉛を成形することによって製造する。この保持部材１２の底部には、断面三角形状の位置決め用突条１３を形成しておく。
【００２９】
こうして、表面に光反射膜１４が形成されたシンチレータ１１および位置決め用突条１３が形成された保持部材１２を製造したら、図４（ｂ）に示すように、保持部材１２の中央に形成された中空部にシンチレータ１１を挿入する。すると、図４（ｃ）に示すように、保持部材１２がシンチレータ１１の周囲を包囲する形で取り付けられる。他方、図４（ｃ）に示すように、フォトダイオードアレイ２の光入射面側には、ｐ型半導体層２２、ｎ型半導体層２３が設けられるとともに、ｐ型半導体層２２の周囲には、位置決め用凹溝３１が形成される。それから、フォトダイオードアレイ２における光入射面には、保護層２５が形成される。
【００３０】
それから、シンチレータ１１の周囲に取り付けられた保持部材１２における位置決め用突条１３を、フォトダイオードアレイ２の光入射面に形成された位置決め用凹溝３１に嵌め込む。このように、位置決め用突条１３を位置決め用凹溝３１に嵌め込むことにより、フォトダイオード２４に対するシンチレータ１１の位置決めが行われる。
【００３１】
そして、図４（ｄ）に示すように、シンチレータ１１とｐ型半導体層２２の間には、光学接着剤層２６が形成される。この光学接着剤層２６によって、フォトダイオードアレイ２に対してシンチレータ１１が取り付けられる。
【００３２】
さらに、同様にして、図１に示すようにｎ型半導体基板２１の光入射面に設けられた複数のフォトダイオード２４のそれぞれに対応させて、シンチレータ１１が取り付けられる。こうして、放射線検出器１を製造することができる。
【００３３】
なお、上記実施形態では、シンチレータ間に固定部材を設けて、複数のシンチレータを有するシンチレータパネルが形成される例について説明したが、この固定部材を設けない態様とすることができる。この態様では、シンチレータは、光学接着剤層を介してフォトダイオードアレイに対して固定されて支持されることになる。このとき、保持部材に設けられた位置決め用凸条とｎ型半導体基板に形成された位置決め用凹部の間に、接着剤層を形成することもできる。この接着剤層は、シンチレータを固定部材で接合させてシンチレータパネルを製造する際にも、形成することができる。
【００３４】
次に、本発明の第２実施形態について、図５および図６を参照して説明する。
【００３５】
図５（ａ）に示すように、本実施形態では、シンチレータ１１は上記第１実施形態と同一であるが、保持部材の性状が異なる。本実施形態に係る保持部材４１，４１は、シンチレータ１１の周囲を包囲することはなく、シンチレータ１１における平面視して対向する２面に対して設けられている。シンチレータ１１における他の２面には、保持部材は設けられていない。したがって、シンチレータ１１には、保持部材が設けられていない露出面が形成されている。保持部材４１，４１の底部には、図５（ｂ）に示すように、断面三角形の位置決め用突条４２，４２がそれぞれ形成されている。また、図６において図示はしないが、フォトダイオードアレイ２には、断面三角形状の位置決め用凹部が形成される。このように、シンチレータ１１における対向する面にのみ保持部材４１，４１を設け、その底部に位置決め用突条４２，４２を形成した場合でも、フォトダイオード２４に対応させて、シンチレータ１１を容易に配置することができる。
【００３６】
このように、本実施形態では、シンチレータ１１の２面にのみ保持部材４１，４１を設け、他の２面には露出面を形成している。ここで、図６に示すように、シンチレータ１１における保持部材４１，４１が設けられている面同士、および露出面同士を対向させて、複数のシンチレータ１１，１１…を配置する。各シンチレータ１１，１１に対応する位置には、ｐ型半導体層２２，２２（図１）が形成されている。このとき、隣接するシンチレータ１１，１１のうち、保持部材４１，４１が設けられている面同士の離間距離は小さく、露出面同士の離間距離は大きくなる。このうちの露出面同士が向かい合い、離間距離が広い位置に配線５１，５１…を引き回すことにより、配線を行う位置を容易に確保することができる。
【００３７】
なお、本実施形態では、位置決め用突条４２，４２は、断面三角形としているが、たとえば断面矩形とした形状とすることもできる。
【００３８】
続いて、本発明の第３の実施形態について図７を参照して説明する。
【００３９】
図７（ａ）に示すように、本実施形態においては、シンチレータ１１の高さ方向に貫通する２つの貫通孔を形成している。この貫通孔は、シンチレータ１１における対向する２面のそれぞれの近傍位置に形成されており、この貫通孔に棒状の貫通部材４３，４３がそれぞれ挿通されている。また、図７（ｂ）に示すように、貫通部材４３，４３の底部には、それぞれ位置決め用突起部４４，４４が形成されている。さらに、図示しないが、フォトダイオードアレイの入射面におけるｐ型半導体層を挟んだ位置には、それぞれ位置決め用突起部４４，４４が嵌め込まれる位置決め用孔部が形成されている。したがって、位置決め用孔部は、ｐ型半導体層の周囲における２点に点在して形成されていることになる。
【００４０】
本実施形態においては、シンチレータ１１に挿通される貫通部材４３の底部に形成された位置決め用突起部４４を、ｐ型半導体層に形成された位置決め用孔部に嵌め込むことにより、シンチレータ１１をｐ型半導体層に対応する位置に容易に配置することができる。また、このような位置決め用突起部４４，４４をシンチレータ１１の対向する２面の近傍にそれぞれ形成しており、それに対応する位置に位置決め用孔部が形成されている。このため、上記の第２実施形態と同様に、フォトダイオードアレイに複数のシンチレータ１１，１１を配置した際、貫通部材４３，４３が近傍に設けられている側の対向面の離間距離は小さくなる。また、貫通部材４３，４３が近傍に設けられていない側の対向面の離間距離は長くなる。この長い離間距離を有する位置に、配線を施すことにより、配線を行うスペースの確保が容易なものとなり、ひいては配線作業を容易に行うことができる。
【００４１】
また、本発明の放射線検出器において、保持部材１２の底部に形成された位置決め用突条１３の形状は適宜設定することができる。たとえば図８（ａ）に示すように断面矩形からなる位置決め用突条１３Ａとすることもできる。位置決め用突条１３Ａを断面矩形にすることにより、フォトダイオードアレイ２には、断面矩形の位置決め用凹溝３２が形成される。あるいは、図８（ｂ）に示すように、保持部材を設けることなく、シンチレータの形状を変えて、シンチレータ１１自体に突起部１１Ａを形成し、位置決め用凸部とすることもできる。さらには、図９に示すように、シンチレータ１１の下端面に、突起物４５を別途取り付けて、位置決め用凸部を形成する態様とすることもできる。
【００４２】
また、上記各実施形態では、シンチレータの表面にあらかじめ光反射膜を形成してから、保持部材等を取り付ける態様としているが、たとえば保持部材の内側（シンチレータに面する側）に光反射膜を形成する態様とすることもできる。
【００４３】
他方、上記各実施形態では、好ましい態様として、シンチレータを平面視したときの形状を正方形としているが、これを他の形状、たとえばハニカム形状や長円形状とすることなども考えられる。このとき、上記第２実施形態と同様にしてシンチレータの側面に設ける場合には、適宜好適な場所にのみ保持部材を設ける態様とすることもできる。
【００４４】
【発明の効果】
以上のとおり、本発明によれば、２次元的に配列された複数のシンチレータと、これらのシンチレータに対応して設けられた複数のフォトダイオードを有する放射線検出器において、シンチレータとフォトダイオードとを正確に対応させて配置することを容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による放射線検出器の第１実施形態の構成を示す側面断面図である。
【図２】本発明による放射線検出器の第１実施形態の構成を示す平面図である。
【図３】保持部材を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線断面図である。
【図４】第１の実施形態に係る放射線検出器の製造方法の一例を示す工程図である。
【図５】第２実施形態におけるシンチレータと保持部材を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線断面図である。
【図６】第２の実施形態に係る放射線検出器の要部平面図である。
【図７】第３の実施形態におけるシンチレータおよび保持部材を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線断面図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）とも、本発明における放射線検出器の変形例を示す側断面図である。
【図９】本発明における放射線検出器のさらなる変形例を示す側断面図である。
【符号の説明】
１…放射線検出器、２…フォトダイオードアレイ、１１…シンチレータ、１１Ａ…位置決め用突起部、１２…保持部材、１３，１３Ａ…位置決め用突条、１４…光反射膜、２１…ｎ型半導体基板、２２…ｐ型半導体層、２４…フォトダイオード、２５…保護層、２６…光学接着剤層、２７…ｎ型高濃度不純物層、３１，３２…位置決め用凹溝、４１…保持部材、４２…位置決め用突起部、４３…貫通部材、４４…位置決め用突起部、４５…突起物、５１…配線。

Claims

第１導電型の半導体基板の表面側に、２次元状に配列された複数の第２導電型半導体層が形成され、前記第１導電型の半導体基板と各第２導電型半導体層との間に形成されるｐｎ接合によりそれぞれがフォトダイオードとして機能し、前記半導体基板の表面が光入射面となっている表面入射型のフォトダイオードアレイを備え、
前記フォトダイオードアレイの表面側における前記複数の第２導電型半導体層に対応する位置に、シンチレータがそれぞれ配設されており、
前記フォトダイオードアレイの表面側における前記複数の第２導電型半導体層の周囲にそれぞれ位置決め用凹部が形成され、
前記シンチレータにおける対向する面同士に保持部材が設けられるとともに、他の対向する面は露出面とされ、
前記保持部材における底部に、前記フォトダイオードアレイ方向に突出し、前記凹部に配置される位置決め用凸部が設けられ、
前記シンチレータは、前記フォトダイオードアレイの表面側で隣接するシンチレータの前記露出面同士が向き合う位置に配列されており、
前記フォトダイオードアレイの表面側における前記シンチレータの露出面同士の間に、配線が行われていることを特徴とする放射線検出器。
第１導電型の半導体基板の表面側に、２次元状に配列された複数の第２導電型半導体層が形成され、前記第１導電型の半導体基板と各第２導電型半導体層との間に形成されるｐｎ接合によりそれぞれがフォトダイオードとして機能し、前記半導体基板の表面が光入射面となっている表面入射型のフォトダイオードアレイを備え、
前記フォトダイオードアレイの表面側における前記複数の第２導電型半導体層に対応する位置に、シンチレータがそれぞれ配設されており、
前記フォトダイオードアレイの表面側における前記複数の第２導電型半導体層の周囲にそれぞれ位置決め用凹部が形成され、
前記位置決め用凹部は、前記第２導電型半導体層の周囲における複数の位置に点在する位置決め用孔部であり、
前記シンチレータには、前記フォトダイオードアレイ方向に突出する位置決め用突起部が形成されており、
前記シンチレータにおける前記位置決め用孔部に対応する位置に、前記シンチレータの高さ方向に貫通する貫通部材が設けられ、
前記貫通部材の底部に前記位置決め用突起部が形成されていることを特徴とする放射線検出器。