JP2003232859A

JP2003232859A - 放射線検出器

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Publication number: JP2003232859A
Application number: JP2002034288A
Authority: JP
Inventors: Tatsumi Yamanaka; 辰己山中
Original assignee: Hamamatsu Photonics KK
Current assignee: Hamamatsu Photonics KK
Priority date: 2002-02-12
Filing date: 2002-02-12
Publication date: 2003-08-22
Anticipated expiration: 2022-02-12
Also published as: JP3974794B2

Abstract

(57)【要約】【課題】２次元的に配列されたシンチレータとフォト
ダイオードとを正確に対応させて配置することを容易に
行うことができるようにする。【解決手段】フォトダイオードアレイ２の表面には、
複数のｐ型半導体層２２が設けられている。また、ｐ型
半導体層２２の周囲には、位置決め用凹溝３１が形成さ
れている。フォトダイオードアレイ２に表面側には、各
ｐ型半導体層２２に対応させてシンチレータ１１が配設
されている。シンチレータ１１は保持部材１２によって
保持されており、保持部材１２の底部には、フォトダイ
オードアレイ２側に突出する位置決め用突条１３が形成
されている。この位置決め用突条１３を位置決め用凹溝
３１に嵌め込むことにより、ｐ型半導体層２２に対する
シンチレータ１１の位置決めが行われる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、シンチレータとフ
ォトダイオードとを組み合わせた放射線検出器に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、医療機関で使用されるＸ線断層撮
像装置（Ｘ線ＣＴ装置）では、スライス方向に複数列の
Ｘ線検出器を２次元配列し、１回のＸ線照射によって複
数のＣＴ画像を得る、いわゆるマルチスライス化が検討
されている。また、この種のＸ線照射装置では、Ｘ線検
出器としての放射線検出器が用いられているが、この放
射線検出器においても、マルチスライス化に対応するこ
とが要請される。

【０００３】かかる要請に対応すべく、たとえば特開平
７−３３３３４８号公報に開示された放射線検出器があ
る。この放射線検出器は、複数のシンチレータを２次元
的に配置してなるシンチレータパネルと、これらの複数
のシンチレータに対応して設けられた複数のフォトダイ
オードを有する配線基板を備えるものである。このよう
に、複数のシンチレータを２次元的に配置することによ
り、複数のＣＴ画像を得ることができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、この種の放
射線検出器では、複数のシンチレータとフォトダイオー
ドとを対応させて配置する必要がある。ここで、シンチ
レータが１次元的に配設されているものであれば比較的
その配置を容易に行うことができるが、２次元的にシン
チレータが配置された放射線検出器では、このような対
応関係を正確に行いながらシンチレータとフォトダイオ
ードを配置するのは容易ではない。しかし、上記従来の
公報に開示された放射線検出器では、それらを正確に対
応する手段についてはなんら言及していないものであ
る。特に近年においては、フォトダイオードの微細化、
高集積化が進んでいるため、複数のシンチレータとフォ
トダイオードとを対応させて配置するのはさらに困難と
なっている。

【０００５】そこで、本発明の課題は、２次元的に配列
された複数のシンチレータと、これらのシンチレータに
対応して設けられた複数のフォトダイオードを有する放
射線検出器において、シンチレータとフォトダイオード
とを正確に対応させて配置することを容易に行うことが
できるようにすることにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決した本発
明は、第１導電型の半導体基板の表面側に、２次元状に
配列された複数の第２導電型半導体層が形成され、第１
導電型の半導体基板と各第２導電型半導体層との間に形
成されるｐｎ接合によりそれぞれがフォトダイオードと
して機能し、半導体基板の表面が光入射面となっている
表面入射型のフォトダイオードアレイを備え、フォトダ
イオードアレイの表面側における複数の第２導電型半導
体層に対応する位置に、シンチレータがそれぞれ配設さ
れており、フォトダイオードアレイの表面側における複
数の第２導電型半導体層の周囲にそれぞれ位置決め用凹
部が形成され、前記シンチレータには、前記フォトダイ
オードアレイ方向に突出し、前記凹部に配置される位置
決め用凸部が設けられていることを特徴とする。

【０００７】このように、フォトダイオードアレイにお
ける第２導電型半導体層に対応させてシンチレータを配
設するにあたり、第２導電型半導体層の周囲には位置決
め用凹部が形成され、シンチレータには、この位置決め
用凹部に配置される位置決め用凸部が設けられている。
このため、位置決め用凹部に位置決め用凸部を配置する
のみで、容易にシンチレータを第２導電型半導体層に対
応させて配置することができる。

【０００８】ここで、位置決め用凹部は、第２導電型半
導体層を包囲して形成された凹溝であり、シンチレータ
の周囲に、シンチレータを包囲しながら保持する保持部
材が設けられており、保持部材における底部に、位置決
め用凸部が形成されているのが好適である。

【０００９】このような態様とすることにより、シンチ
レータの周囲に保持部材が設けられていることになるの
で、シンチレータに加工を施すことなく、容易に位置決
め用凸部を形成することができる。

【００１０】また、位置決め用凹部は、第２導電型半導
体層の周囲における複数の位置に点在する位置決め用孔
部であり、シンチレータには、フォトダイオードアレイ
方向に突出する位置決め用突起部が形成されている態様
とすることができる。あるいは、シンチレータにおける
位置決め用孔部に対応する位置に、シンチレータの高さ
方向に貫通する貫通部材が設けられ、貫通部材の底部に
位置決め用突起部が形成されている態様とすることもで
きる。

【００１１】このように、位置決め用突起部を点状に配
置することにより、フォトダイオードアレイの表面に広
い領域を確保することができる。このため、フォトダイ
オードアレイの表面に配線を引き回すためのスペースを
容易に確保することができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、図面とともに本発明による
放射線検出器の好適な実施形態について詳細に説明す
る。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号
を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比
率は、説明のものと必ずしも一致していない。

【００１３】図１は、本発明による放射線検出器の第１
実施形態の構成を示す側面断面図、図２はその上面図で
ある。

【００１４】本放射線検出器は、放射線を入射して、そ
の放射線によって生じた光を光出射面から出射するシン
チレータパネル１と、シンチレータパネル１から出射さ
れた光を光入射面から入射し、電気信号に変換するフォ
トダイオードアレイ２とを備えている。なお、図１にお
いては、シンチレータパネル１の下面が光出射面、フォ
トダイオードアレイ２の上面が光入射面となっている。

【００１５】図２は、シンチレータパネル１の平面図で
ある。シンチレータパネル１は、複数のシンチレータ１
１を備えている。複数のシンチレータ１１は、それぞれ
検出対象の放射線の入射に対してシンチレーション光を
発生する物質からなり、図２に示すように２次元アレイ
状に配列されている。シンチレータ１１の光出射面以外
の面上には、シンチレータ１１内で発生したシンチレー
ション光を反射する酸化チタンなどからなる光反射膜１
４が形成されている。したがって、平面視した状態で
は、シンチレータ１１は、光反射膜１４に覆われた状態
となっている。

【００１６】これらのシンチレータ１１は、平面視した
形状が正方形をなしており、その周囲には、シンチレー
タ１１を包囲しながら保持する矩形の保持部材１２が設
けられている。保持部材１２の中央には、図３（ａ）に
示すように、中空部が形成されており、この中空部にシ
ンチレータ１１が取り付けられる。また保持部材１２の
底部には、図３（ｂ）に示すように、下端がとがった断
面三角形状をなし、フォトダイオードアレイ２側に突出
する位置決め用凸部である位置決め用突条１３が形成さ
れている。この位置決め用突条１３は、保持部材１２の
全周にわたって形成されている。そして、これらが図示
しない固定部材で一体に固定されることによって、シン
チレータパネル１が構成されている。

【００１７】フォトダイオードアレイ２は、図１に示す
ように、ｐｎ接合が形成される表面側を光入射面とする
表面入射型の構成を有している。フォトダイオードアレ
イ２は、導電型がｎ型（第１導電型）であり、フォトダ
イオードアレイ２の基体となるｎ型半導体基板２１と、
シンチレータ１１と一対一で対応するようにｎ型半導体
基板２１内部の表面側に形成されたｐ⁺型（第２導電
型）拡散層である複数のｐ型半導体層（第２導電型半導
体層）２２と、複数のｐ型半導体層２２の間にそれぞれ
形成されたｎ型半導体基板２１より高濃度のｎ⁺型拡散
層であるｎ型半導体層（第１導電型半導体層）２３とを
備える。

【００１８】本構成では、ｐ型半導体層２２と、ｐ型半
導体層２２の裏面側に位置するｎ型半導体基板２１のｎ
型半導体層部分とがｐｎ接合を形成することによって、
フォトダイオード２４が構成されている。ここで、検出
対象である放射線がシンチレータパネル１のシンチレー
タ１１に入射すると、シンチレータ１１内においてシン
チレーション光が発生する。発生したシンチレーション
光は直接に、または光出射面以外の面上に形成された光
反射膜１４によって反射されて、光出射面からフォトダ
イオードアレイ２へと出射される。そして、シンチレー
タ１１の光出射面から出射された光は対応するフォトダ
イオード２４へ入射する。

【００１９】また、ｎ型半導体基板２１の光入射面側に
は、ＳｉＯ₂などからなる保護層２５が形成されてい
る。さらに、保護層２５の表面には、シンチレーション
光を透過する性質を有する光学接着剤層２６が形成され
ており、シンチレータ１１とフォトダイオードアレイ２
を接合している。また、ｎ型半導体基板２１の裏面側に
は、ｎ型半導体基板２１より高濃度のｎ型半導体層であ
るｎ型高濃度不純物層２７が、全体に略一定の厚さで設
けられ、図示しない金属電極（カソード電）とオーミッ
ク接続される。ここで、フォトダイオード２４へ入射し
たシンチレーション光によって、ｎ型半導体基板２１内
部にキャリアが発生する。発生したキャリアは、ｐ型半
導体層２２へ移動する。そして、光検出信号がアノード
電極およびカソード電極から取り出される。

【００２０】さらに、フォトダイオードアレイ２は、図
示はしないが、ｎ型半導体基板の表面上にアノード電極
を、裏面上にカソード電極をそれぞれ備えている。アノ
ード電極はｐ型半導体層２２に、カソード電極はｎ型高
濃度不純物層２７にそれぞれ電気的に接続されている。
フォトダイオードアレイ２の動作時には、アノード電極
とカソード電極との間には、フォトダイオード２４への
印加電圧が逆バイアスとなるような電圧が与えられる。
また、フォトダイオード２４への印加電圧は、零バイア
スであっても良い。

【００２１】フォトダイオードアレイ２の表面には、フ
ォトダイオードアレイ２からの光検出信号の検出器外部
への出力などに用いられる図示しない配線が設けられて
いる。

【００２２】さらに、フォトダイオードアレイ２の表面
側におけるｐ型半導体層２２の周囲には、上面から見た
形状が正方形の位置決め用凹部である位置決め用凹溝３
１が形成されている。本実施形態において、位置決め用
凹溝３１は、ｐ型半導体層２２の周囲であるとともに、
ｎ型半導体層２３よりも外側に形成されている。位置決
め用凹溝３１は、断面三角形状の凹溝であり、位置決め
用突条１３が嵌め込まれることにより、フォトダイオー
ドアレイ２に対するシンチレータ１１の位置決めが行わ
れる。

【００２３】以上の構成を有する本実施形態に係る放射
線検出器においては、ｐ型半導体層２２の周囲に位置決
め用凹溝３１が形成されており、この位置決め用凹溝３
１に対して、保持部材１２の底部に形成された位置決め
用突条１３が嵌め込まれる。ここで、保持部材１２は、
シンチレータ１１の周囲に設けられていることから、保
持部材１２における位置決め用突条１３に対するシンチ
レータ１１の相対位置は決められている。同様に、フォ
トダイオード２４の一部を構成するｐ型半導体層２２に
対する位置決め用凹溝３１の相対位置も決まっている。
このため、単に位置決め用凹溝３１に位置決め用突条１
３を嵌め込むだけで、フォトダイオード２４に対するシ
ンチレータ１１の位置決めを行うことができる。このよ
うに、フォトダイオード２４に対してシンチレータ１１
を正確に対応させて、しかも容易に配置することができ
る。

【００２４】なお、シンチレータ１１の間にシンチレー
タ固定用部材を設けると、シンチレータ１１同士は直接
に隣接しないように配置される。これによって、あるシ
ンチレータにおいて発生したシンチレーション光が、他
のシンチレータに対応するフォトダイオード２４に入射
する、いわゆる光クロストークの発生を抑制することが
できる。

【００２５】以上に詳説した図１に示す放射線検出器の
具体的な構成の一例としては、以下に示すような構成の
Ｘ線検出器が挙げられる。すなわち、シンチレータパネ
ル１の上面側から見た形状を一辺１２ｍｍの正方形と
し、その中に８個×８個の配列（ピッチ１．５ｍｍ）で
一辺１ｍｍ、厚さ２ｍｍのシンチレータ１１を配置す
る。シンチレータ１１の光出射面以外の面上には、厚さ
５０μｍの光反射膜１４を形成する。

【００２６】一方、フォトダイオードアレイ２について
は、基板厚板部の厚さが２７０μｍでキャリア濃度１．
０×１０¹²ｃｍ^-3のｎ型半導体基板２１を用いる。ま
た、ｎ型半導体基板２１の表面側に、キャリア濃度１．
０×１０¹⁹ｃｍ^-3のｐ型半導体層２２を厚さ０．５μｍ
で形成する。また、ｐ型半導体層２２の間にはキャリア
濃度１．０×１０¹⁸ｃｍ^-3のｎ型半導体層２３を厚さ
１．５μｍで形成し、ｎ型半導体基板２１の裏面側には
キャリア濃度５．０×１０¹⁸ｃｍ^-3のｎ型高濃度不純物
層２７を厚さ０．２μｍで形成する。また、シンチレー
タパネル１とフォトダイオードアレイ２との間における
光学接着剤層２６の厚さについては、たとえば、数μｍ
程度とする。

【００２７】次に、本実施形態に係る放射線検出器の製
造方法の一例について説明する。図４は第１の実施形態
に係る放射線検出器の製造方法の一例を示す工程図であ
る。

【００２８】まず、図４（ａ）に示すように、Ｘ線など
の放射線が照射されるとシンチレーション光を発生する
ＣＷＯもしくはＣｓＩなどからなるシンチレータ１１を
用意する。このシンチレータ１１は底面が正方形の直方
体状をなしている。続いて、このシンチレータ１１の表
面のうち、底面を除いた位置に酸化チタンなどを蒸着す
ることによって光反射膜１４を形成する。その一方、図
４（ｂ）に示すように、シンチレータ１１の周囲を包囲
して取り付けられる保持部材１２を製造する、保持部材
１２は、たとえばＸ線を遮蔽する性質を有する銅もしく
は鉛を成形することによって製造する。この保持部材１
２の底部には、断面三角形状の位置決め用突条１３を形
成しておく。

【００２９】こうして、表面に光反射膜１４が形成され
たシンチレータ１１および位置決め用突条１３が形成さ
れた保持部材１２を製造したら、図４（ｂ）に示すよう
に、保持部材１２の中央に形成された中空部にシンチレ
ータ１１を挿入する。すると、図４（ｃ）に示すよう
に、保持部材１２がシンチレータ１１の周囲を包囲する
形で取り付けられる。他方、図４（ｃ）に示すように、
フォトダイオードアレイ２の光入射面側には、ｐ型半導
体層２２、ｎ型半導体層２３が設けられるとともに、ｐ
型半導体層２２の周囲には、位置決め用凹溝３１が形成
される。それから、フォトダイオードアレイ２における
光入射面には、保護層２５が形成される。

【００３０】それから、シンチレータ１１の周囲に取り
付けられた保持部材１２における位置決め用突条１３
を、フォトダイオードアレイ２の光入射面に形成された
位置決め用凹溝３１に嵌め込む。このように、位置決め
用突条１３を位置決め用凹溝３１に嵌め込むことによ
り、フォトダイオード２４に対するシンチレータ１１の
位置決めが行われる。

【００３１】そして、図４（ｄ）に示すように、シンチ
レータ１１とｐ型半導体層２２の間には、光学接着剤層
２６が形成される。この光学接着剤層２６によって、フ
ォトダイオードアレイ２に対してシンチレータ１１が取
り付けられる。

【００３２】さらに、同様にして、図１に示すようにｎ
型半導体基板２１の光入射面に設けられた複数のフォト
ダイオード２４のそれぞれに対応させて、シンチレータ
１１が取り付けられる。こうして、放射線検出器１を製
造することができる。

【００３３】なお、上記実施形態では、シンチレータ間
に固定部材を設けて、複数のシンチレータを有するシン
チレータパネルが形成される例について説明したが、こ
の固定部材を設けない態様とすることができる。この態
様では、シンチレータは、光学接着剤層を介してフォト
ダイオードアレイに対して固定されて支持されることに
なる。このとき、保持部材に設けられた位置決め用凹部
とｎ型半導体基板に形成された位置決め用凹部の間に、
接着剤層を形成することもできる。この接着剤層は、シ
ンチレータを固定部材で接合させてシンチレータパネル
を製造する際にも、形成することができる。

【００３４】次に、本発明の第２実施形態について、図
５および図６を参照して説明する。

【００３５】図５（ａ）に示すように、本実施形態で
は、シンチレータ１１は上記第１実施形態と同一である
が、保持部材の性状が異なる。本実施形態に係る保持部
材４１，４１は、シンチレータ１１の周囲を包囲するこ
とはなく、シンチレータ１１における平面視して対向す
る２面に対して設けられている。シンチレータ１１にお
ける他の２面には、保持部材は設けられていない。した
がって、シンチレータ１１には、保持部材が設けられて
いない露出面が形成されている。保持部材４１，４１の
底部には、図５（ｂ）に示すように、断面三角形の位置
決め用突条４２，４２がそれぞれ形成されている。ま
た、図６において図示はしないが、フォトダイオードア
レイ２には、断面三角形状の位置決め用凹部が形成され
る。このように、シンチレータ１１における対向する面
にのみ保持部材４１，４１を設け、その底部に位置決め
用突条４２，４２を形成した場合でも、フォトダイオー
ド２４に対応させて、シンチレータ１１を容易に配置す
ることができる。

【００３６】このように、本実施形態では、シンチレー
タ１１の２面にのみ保持部材４１，４１を設け、他の２
面には露出面を形成している。ここで、図６に示すよう
に、シンチレータ１１における保持部材４１，４１が設
けられている面同士、および露出面同士を対向させて、
複数のシンチレータ１１，１１…を配置する。各シンチ
レータ１１，１１に対応する位置には、ｐ型半導体層２
２，２２（図１）が形成されている。このとき、隣接す
るシンチレータ１１，１１のうち、保持部材４１，４１
が設けられている面同士の離間距離は小さく、露出面同
士の離間距離は大きくなる。このうちの露出面同士が向
かい合い、離間距離が広い位置に配線５１，５１…を引
き回すことにより、配線を行う位置を容易に確保するこ
とができる。

【００３７】なお、本実施形態では、位置決め用突条４
２，４２は、断面矩形としているが、たとえば断面三角
形とした形状とすることもできる。

【００３８】続いて、本発明の第３の実施形態について
図７を参照して説明する。

【００３９】図７（ａ）に示すように、本実施形態にお
いては、シンチレータ１１の高さ方向に貫通する２つの
貫通孔を形成している。この貫通孔は、シンチレータ１
１における対向する２面のそれぞれの近傍位置に形成さ
れており、この貫通孔に棒状の貫通部材４３，４３がそ
れぞれ挿通されている。また、図７（ｂ）に示すよう
に、貫通部材４３，４３の底部には、それぞれ位置決め
用突起部４４，４４が形成されている。さらに、図示し
ないが、フォトダイオードアレイの入射面におけるｐ型
半導体層を挟んだ位置には、それぞれ位置決め用突起部
４４，４４が嵌め込まれる位置決め用孔部が形成されて
いる。したがって、位置決め用孔部は、ｐ型半導体層の
周囲における２点に点在して形成されていることにな
る。

【００４０】本実施形態においては、シンチレータ１１
に挿通される貫通部材４３の底部に形成された位置決め
用突起部４４を、ｐ型半導体層に形成された位置決め用
孔部に嵌め込むことにより、シンチレータ１１をｐ型半
導体層に対応する位置に容易に配置することができる。
また、このような位置決め用突起部４４，４４をシンチ
レータ１１の対向する２面の近傍にそれぞれ形成してお
り、それに対応する位置に位置決め用孔部が形成されて
いる。このため、上記の第２実施形態と同様に、フォト
ダイオードアレイに複数のシンチレータ１１，１１を配
置した際、貫通部材４３，４３が近傍に設けられている
側の対向面の離間距離は小さくなる。また、貫通部材４
３，４３が近傍に設けられていない側の対向面の離間距
離は長くなる。この長い離間距離を有する位置に、配線
を施すことにより、配線を行うスペースの確保が容易な
ものとなり、ひいては配線作業を容易に行うことができ
る。

【００４１】また、本実施形態の放射線検出器におい
て、保持部材１２の底部に形成された位置決め用突条１
３の形状は適宜設定することができる。たとえば図８
（ａ）に示すように断面矩形からなる位置決め用突条１
３Ａとすることもできる。位置決め用突条１３Ａを断面
矩形にすることにより、フォトダイオードアレイ２に
は、断面矩形の位置決め用凹溝３２が形成される。ある
いは、図８（ｂ）に示すように、保持部材を設けること
なく、シンチレータの形状を変えて、シンチレータ１１
自体に突起部１１Ａを形成し、位置決め用凸部とするこ
ともできる。さらには、図９に示すように、シンチレー
タ１１の下端面に、突起物４５を別途取り付けて、位置
決め用凸部を形成する態様とすることもできる。

【００４２】また、上記各実施形態では、シンチレータ
の表面にあらかじめ光反射膜を形成してから、保持部材
等を取り付ける態様としているが、たとえば保持部材の
内側（シンチレータに面する側）に光反射膜を形成する
態様とすることもできる。

【００４３】他方、上記各実施形態では、好ましい態様
として、シンチレータを平面視したときの形状を正方形
としているが、これを他の形状、たとえばハニカム形状
や長円形状とすることなども考えられる。このとき、上
記第２実施形態と同様にしてシンチレータの側面に設け
る場合には、適宜好適な場所にのみ保持部材を設ける態
様とすることもできる。

【００４４】

【発明の効果】以上のとおり、本発明によれば、２次元
的に配列された複数のシンチレータと、これらのシンチ
レータに対応して設けられた複数のフォトダイオードを
有する放射線検出器において、シンチレータとフォトダ
イオードとを正確に対応させて配置することを容易に行
うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による放射線検出器の第１実施形態の構
成を示す側面断面図である。

【図２】本発明による放射線検出器の第１実施形態の構
成を示す平面図である。

【図３】保持部材を示す図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線断面図である。

【図４】第１の実施形態に係る放射線検出器の製造方法
の一例を示す工程図である。

【図５】第２実施形態におけるシンチレータと保持部材
を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ
−ｂ線断面図である。

【図６】第２の実施形態に係る放射線検出器の要部平面
図である。

【図７】第３の実施形態におけるシンチレータおよび保
持部材を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）のｂ−ｂ線断面図である。

【図８】（ａ）、（ｂ）とも、本発明における放射線検
出器の変形例を示す側断面図である。

【図９】本発明における放射線検出器のさらなる変形例
を示す側断面図である。

【符号の説明】

１…放射線検出器、２…フォトダイオードアレイ、１１
…シンチレータ、１１Ａ…位置決め用突起部、１２…保
持部材、１３，１３Ａ…位置決め用突条、１４…光反射
膜、２１…ｎ型半導体基板、２２…ｐ型半導体層、２４
…フォトダイオード、２５…保護層、２６…光学接着剤
層、２７…ｎ型高濃度不純物層、３１，３２…位置決め
用凹溝、４１…保持部材、４２…位置決め用突起部、４
３…貫通部材、４４…位置決め用突起部、４５…突起
物、５１…配線。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１導電型の半導体基板の表面側に、２
次元状に配列された複数の第２導電型半導体層が形成さ
れ、前記第１導電型の半導体基板と各第２導電型半導体
層との間に形成されるｐｎ接合によりそれぞれがフォト
ダイオードとして機能し、前記半導体基板の表面が光入
射面となっている表面入射型のフォトダイオードアレイ
を備え、前記フォトダイオードアレイの表面側における前記複数
の第２導電型半導体層に対応する位置に、シンチレータ
がそれぞれ配設されており、前記フォトダイオードアレイの表面側における前記複数
の第２導電型半導体層の周囲にそれぞれ位置決め用凹部
が形成され、前記シンチレータには、前記フォトダイオードアレイ方
向に突出し、前記凹部に配置される位置決め用凸部が設
けられていることを特徴とする放射線検出器。
【請求項２】前記位置決め用凹部は、前記第２導電型
半導体層を包囲して形成された凹溝であり、前記シンチレータの周囲に、前記シンチレータを包囲し
ながら保持する保持部材が設けられており、前記保持部材における底部に、前記位置決め用突条が形
成されている請求項１に記載の放射線検出器。
【請求項３】前記位置決め用凹部は、前記第２導電型
半導体層の周囲における複数の位置に点在する位置決め
用孔部であり、前記シンチレータには、前記フォトダイオードアレイ方
向に突出する位置決め用突起部が形成されている請求項
１に記載の放射線検出器。
【請求項４】前記シンチレータにおける前記位置決め
用孔部に対応する位置に、前記シンチレータの高さ方向
に貫通する貫通部材が設けられ、前記貫通部材の底部に前記位置決め用突起部が形成され
ている請求項３に記載の放射線検出器。