KR101456320B1 - 광학면으로부터 오염층을 제거하는 방법, 세정 가스를 생성하는 방법 및 대응하는 세정 및 세정 가스 생성 장치들 - Google Patents

광학면으로부터 오염층을 제거하는 방법, 세정 가스를 생성하는 방법 및 대응하는 세정 및 세정 가스 생성 장치들 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 바람직하게는 수소 원자를 구비하는, 세정 가스를 오염층(15)과 접촉하도록 함으로써 EUV-반사 광학 소자의 광학면(14a)으로부터 오염층(15)을 적어도 부분적으로 제거하기 위한 방법으로서: 오염층(15)으로부터 물질을 제거하기 위하여 세정 가스의 제트(20)를 오염층(15)에 향하도록 하는 단계, 오염층(15)의 두께를 나타내는 신호를 생성하기 위하여 오염층을 모니터링하는 단계 및 오염층(15)의 두께를 나타내는 신호를 피드백 신호로서 사용하여 광학면(14a)에 대하여 세정 가스의 제트(20)를 움직이게 하여 세정 가스의 제트(20)를 제어하는 단계를 구비하는 방법 및 대응하는 세정 장치(19 내지 24)에 관한 것이다. 본 발명은 또한 대응하는 세정 가스 생성 장치뿐만 아니라, 세정 가스의 제트(20)의 생성을 위한 방법에 관한 것이다.

Description

광학면으로부터 오염층을 제거하는 방법, 세정 가스를 생성하는 방법 및 대응하는 세정 및 세정 가스 생성 장치들{METHOD FOR REMOVING A CONTAMINATION LAYER FROM AN OPTICAL SURFACE, METHOD FOR GENERATING A CLEANING GAS, AND CORRESPONDING CLEANING AND CLEANING GAS GENERATION ARRANGEMENTS}
본 발명은 바람직하게는 수소 원자를 구비하는 세정 가스를 오염층과 접촉하도록 함으로써 EUV 반사 광학 소자의 광학면으로부터 오염층을 적어도 부분적으로 제거하기 위한 방법, 대응하는 세정 장치, EUV-반사 광학 소자의 광학면 상의 오염층으로 향하는, 바람직하게는 수소 원자를 구비하는 세정 가스의 제트를 생성하기 위한 방법, EUV-리소그래피 시스템 뿐만 아니라 대응하는 세정 가스 생성 장치에 관한 것이다.
EUV 파장 영역(약 5nm부터 약 20nm까지)을 위한 리소그래피 노광 시스템들은 일반적으로, EUV 광원, EUV 광원으로부터 광을 이용하여 마스크 상에 배치되는 패턴을 균일하게 조명하기 위한 조명 시스템 및 감광 기판(웨이퍼) 상에 패턴을 결상하기 위한 투영 시스템을 구비한다. 본 발명에서는, "광"이라는 용어는 가시 영역으로 제한되지 않는 파장들에서의 전자기 방사를 표기하는 것으로 예를 들어 "광"이라는 용어는 또한 EUV 또는 VUV 파장 영역에서의 방사에 대해서도 사용될 수 있다.
노광 과정 동안, 주로 탄소를 함유하는 오염층은 탄화 수소 분자들의 방사선 유도 분열에 의해 촉발되고 EUV-리소그래피 시스템의 격실들이 진공 상태하에서 가동되는 경우에도 그 존재가 회피될 수 없는 것으로서, EUV-리소그래피 시스템의 광학 소자들의 광학면들 상에서 성장한다. 오염 물질, 특히 탄소는 광학면들 상의 오염층을 수소 원자와 같은 세정 가스들과 접촉하도록 하게 함으로써 세정될 수 있다. 현재, EUV 리소그래피 시스템의 각 EUV-반사 소자가 하나의 수소 라디칼 생성기(HRGs)를 구비하는 것으로 생각되고, 따라서 원위치에서, 즉 EUV-리소그래피 시스템으로부터 광학 소자들을 제거하지 않고 세정이 수행될 수 있다. 본 발명에서는, "수소 원자"라는 용어는 모든 형식의 활성화된 수소(H2), 예를 들어 수소 라디칼(H·)의 형태의 수소를 표시하는 것뿐만 아니라, H+ 또는 H2 +와 같은 수소 이온들 또는 여기(전자) 상태의 수소 H*를 나타내기 위해 사용된다.
일반적으로, 세정 가스에 의해 오염층으로부터 제거되는 물질들의 양은 정확하게 결정되기는 어렵다. 그 결과, 세정 가스가 오염층과 접촉하도록 하는 동안의 세정 시간은 단지 대략적으로만 알려졌을 뿐이다. 세정 시간이 지나치게 짧은 경우, 오염층의 일부가 광학면으로부터 제거되지 않을 것이고, 이는 세정 후 원하지 않는 반사 손실들을 일으킬 수 있다. 따라서, 세정에 의하여 전체 오염층이 제거되는 것을 보장하기 위하여, 지나치게 긴 세정 시간(소위 과세정)이 선택되어, 특히 세정 과정의 마지막에 가까울 때에는, 세정 가스의 일부가 광학면과 접촉하게 될 수 있다. 일반적으로, 광학면은 또한 세정 가스와 반응하기 때문에, 세정 사이클 당 미량으로 광학면 상에 회복할 수 없는 오염이 생성될 수 있다. 회복할 수 없는 오염으로 인한 1%의 반사손실만이 EUV-반사 소자의 수명에 걸쳐 허용되기 때문에, EUV-리소그래피 시스템의 광학계의 수명은 허용되는 세정 사이클들의 수로 곱해지는 연속적인 세정 과정들 사이의 평균 시간에 의하여 정해진다.
US 2003/0051739 A1 문서 내에서는, EUV 리소그래피 시스템 내에서 미러 소자의 광학면으로부터 탄소 오염물들을 제거하기 위한 장치가 개시되어 있다. 하나의 예로, 상기 장치는 광학면을 향하는 세정 가스의 제트를 각각 생성시키기 위한 두 개의 세정 가스 생성기들을 구비한다. 다른 예로는 미러의 둘레 주위에 위치하고 있는 원통형의 단일 세정 가스 생성기가 사용된다. 세정 가스는 가열되는 필라멘트로부터의 열 방출에 의해 생성되는 활성화된 전자들을 사용하여 공급 가스의 활성화에 의해 생성된다.
WO 2004/104707 A2는 진공 용기 내에 배치되는 EUV 또는 연질 X-선 방사를 위한 광학 소자들의 광학면으로서, 방사원에 의해 도입되는 무기물들로 오염되는 광학면의 원위치 세정을 위한 방법을 개시하고 있다. 이 방법에서는, 수소 분자와 같은, 방사에 대해 실질적으로 투광성 또는 투명한 적어도 하나의 반응 물질이, 우세한 상태들에 따라 진공 용기의 공급 시스템을 통해 더해진다. 반응 물질은 광학면으로부터 오염물들을 제거하기 위하여 그들과 화학적으로 반응한다. 반응 물질은 활성 광원으로 조사에 의한 활성화 되거나 펄스화된 방식으로 생성될 수 있다. 이 방법은 예를 들어 오염층의 두께를 고려하여 또한 전기적으로 제어될 수 있다.
본 발명의 목적은 EUV-반사 소자의 광학면으로부터 오염층을 적어도 부분적으로 제거하는 방법, 대응하는 세정 장치 뿐만 아니라 세정 가스의 생성 방법 및 대응 하는 세정 가스 생성 장치를 제공하는 것으로, 상기 모든 방법 및 장치들은 그렇지 않은 경우 세정 과정에 의하여 생성될 수 있는 EUV-반사 소자의 광학면에 대한 손상을 감소시키거나 또는 회피하는 데 적합한 것이다.
제 1 측면에 의하면, 서두에서 설명되었던 것과 같은 방법은: 오염층으로부터 물질을 제거하기 위하여 세정 가스의 제트를 오염층으로 향하도록 하는 단계, 오염층의 두께를 나타내는 신호를 생성하기 위하여 오염층을 모니터링하는 단계, 광학면에 대해 세정 가스의 제트를 변위하는 것에 의해 세정 가스의 제트를 제어하는 단계, 피드백 신호로서 오염층의 두께를 나타내는 신호를 사용하는 단계를 포함한다.
위에서 제시된 방법에서는, 오염층의 두께를 모니터링하고, 세정 가스의 제트를 제어하기 위하여 피드백 정보로서 오염층의 두께를 사용하는 것에 의하므로, 오염층의 실제 두께에 관한 정보는 전체 세정 과정 동안 유효하다. 이러한 방식에서는, 세정 가스가 광학면과 접촉하는 때에 생성될 수 있는 광학 면의 손상을 방지하기 위한 적절한 측정들을 행하는 것이 가능하다. 특히, 오염층의 두께가 주어진 한계치 밑으로 감소하는 경우, 광학면으로의 세정 가스의 유동을 감소시키거나, 오염층의 두께에 따라 제어될 수 있는 세정 가스 또는 세정 방법의 선택, 예를 들어 오염층의 두께가 상대적으로 큰 때에는 보다 거친 세정 방법들을 그리고 오염층의 두께가 세정 동안 감소되는 때에는 덜 공격적인 세정 방법들을 선택하는 것에 의해 세정은 둔화될 수 있다. 이러한 방식에서, 반면에 세정 가스에 의해 생성되는 광학면의 회복할 수 없는 오염들을 회피하기 위하여 가속될 수 있다.
조명 과정 동안, 오염층은 광학면 상의 위치에 따라 국소적인 변화를 보이는 두께 분포를 가지고 광학면 상에서 성장할 수 있으나, 이러한 두께 변화는 몇가지 경우에서는 완화될 수 있고, 제 1 근사로서 오염층이 균일한 두께 분포를 가지는 것으로 가정할 수 있다. 이 경우, 즉 광학면 상의 오염층이 충분히 균일한 때에는, 광학면 상의 단지 하나의 포인트에서 오염층의 두께의 모니터링만으로 충분할 수 있다. 그러나, 광학면에 걸쳐 불균일한 분포를 갖는 오염층의 경우, 공간적으로 분석되는 방식, 바람직하게는 광학면의 각 포인트에서 오염층의 두께 분포를 모니터링하는 것에 의해 두께를 측정하는 것이 바람직하다.
본 발명에서는 "오염층"이라는 용어는 광학면 상에 축적되는 물질의 연속적인 층만을 의미할 필요는 없으며, 예를 들어 "오염층"이라는 용어는 또한 불연속적인 구조, 예를 들어 오염 스폿들 또는 서로 연결되지 않는 광학면 상의 영역들을 형성하는 오염 분포들을 망라한다. 또한, "제어"라는 용어는 여기서 개방 루프 및 폐쇄 루프 제어 양쪽에 사용된다.
바람직한 변형예에서는, 세정 가스의 제트의 운동은 광학면에 대해 세정 가스의 제트의 방향을 변화시키거나 또는 변위시킴으로써 제어된다. 병진 운동을 수행하는 것에 의해 또는 세정 가스의 제트의 경사/회전에 의해, 오염층 상의 세정 가스의 제트의 충격 영역의 위치가 제어될 수 있고, 따라서 오염층으로부터 물질들을 지정된 방식, 즉 공간적으로 분석된 방식으로 제거할 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 세정 가스의 제트의 방향을 변화하는 것에 의해 또는 세정 가스의 근원(예를 들어 세정 헤드)과 광학면 사이의 거리를 조정하는 것에 의해 오염층상의 세정 가스의 제트의 충격 영역의 크기 및 형상을 조정하는 것이 가능하다. 이와는 반대로, 종래 기술에서는, 세정 가스의 제트의 특성으로 인해 불균일한 방식으로의 세정만이 가능하여, 단일한 정적인 세정 헤드만이 사용되었기 때문에, 오염층의 상이한 영역들로부터 동일하지 않은 양의 물질들이 제거되었다. 따라서, 본질적으로 일정한 두께를 가지는 오염층에 대해서도, 불균일한 방식으로 세정이 수행되어, 예를 들어 몇몇 영역 내에서는 다른 영역들과 비교하여 더 많은 물질이 제거 되게 된다. 따라서, 종래 기술에서는, 광학 소자로부터 전체 오염층을 제거하기 위하여 광학면의 과세정(over cleaning)이 불가피하고, 전체 오염층을 제거함에 있어서, 또한 같은 시간에 더 작은 물질이 제거되는 영역이 있어 더 많은 물질이 제거되는 영역은 이미 오염으로부터 자유롭기 때문에, 세정 가스는 불가피하게 이러한 영역들에서 광학면과 접촉하게 된다.
바람직한 다른 발전에 있어서는, 세정 가스의 제트는 광학면에 대하여 스캐닝 방식으로 변위되거나 경사질 수 있다. 이 방식에서는, 오염층의 물질은 체계적인 방식으로 광학면으로부터 제거될 수 있다. 바람직하게는, 광학면 상의 세정 가스의 제트의 충격 영역의 크기는 상대적으로 작으며, 이는 예를 들어 광학면의 전체 영역의 약 10% 또는 5%로서, 지정된 방식으로 광학면으로부터 물질을 제거할 수 있도록 하며, 따라서 세정의 균일성을 높이고, 특히 오염층의 국소적인 두께에 따라 국소적으로 제거되는 물질의 양을 조정하는 것이 가능하다.
더 고도의 바람직한 변형예에서는, 적어도 하나의 다른 세정 가스의 제트가 오염층으로부터 물질을 제거하기 위하여 오염층으로 향한다. 세정 헤드 내에서 생성될 수 있는 단위 시간당 세정 가스의 양이 기술적인 제약으로 인해 제한됨에 따라, 동시에 두 개 이상의 세정 가스의 제트를 이용하는 것은 세정의 속도를 높일 수 있도록 하고. 이는 세정제로서 수소 원자를 사용하는 때에는 전형적으로 약 0.05nm/min의 세정 속도를 가져온다. 따라서, 노광 과정이 세정 과정으로 인해 방해 받는 경우에는 세정을 위하여 요구되는 EUV 시스템의 비 작동시간이 감소될 수 있다. 하나를 초과하는 세정 헤드의 사용은 따라서, 광경로의 시작점에 배치되는 , 즉 EUV 광원에 가깝게 배치되는 EUV-반사 소자들에 대해 특히 유용하며, 이는 이 소자들이 EUV 시스템을 통하여 최고의 방사 강도로 EUV 방사에 노광되고, 따라서 이들 광학면들 상의 오염층들이 상대적으로 큰 두께를 가지기 때문이다.
이에 더하여, 하나를 초과하는 세정 가스의 제트의 사용은, 세정 가스의 제트들이 예를 들어 세정 과정의 상이한 시간 간격을 두고 한번에 하나의 제트만을 활성화 하거나 또는 몇몇을 활성화하거나 또는 모든 제트들을 동시에 활성화 하는 등 선택적으로 활성화될 수 있기 때문에, 세정 과정의 균일성이 향상되어 유리하다. 특히, 광학면의 둘레 주위에 분포되는 두 개의 바람직하게는 세 개 이상의 세정 가스의 제트들의 사용은 매우 유리한 것이 밝혀졌다.
다른 바람직한 변형예에서는, 오염층의 두께는 오염층의 두께 분포의 맵을 생성하는 것에 의해 모니터링된다. 이러한 맵은, 모니터링 광을 적어도 소구역(sub-region), 바람직하게는 전체 광학면에 향하도록 하고 각각 오염층에 대하여 광학면으로부터 반사되는 광의 강도를 공간 분석 검출기 내에서 측정함에 의해서 생성되고, 상기 반사되는 광의 강도는 오염층의 두께를 나타낸다. 대안적으로, 모니터링 광은 광학면 상의 단일한 포인트를 향할 수 있고, 그 위치는 광학면에 대하여 모니터링 광의 광원을 변위 또는 경사/회전하는 것에 의하여 변화할 수 있어, 맵은 스캐닝 방식으로 생성될 수 있다. 다른 대안적인 변형예에 있어서, 세정 가스의 제트를 생성하기 위한 세정 헤드가 광학면에 대해 측방향으로 변위되고, 세정 가스의 제트는 광학면에 대해 본질적으로 직각으로 향하게 되는 경우에서는, 모니터링 광원 및 검출기(공간 분석일 필요는 없는)는 세정 헤드와 함께 즉, 세정 헤드의 옆의 적절한 위치들에 이들을 위치시키고따라서 현재 처리중인 충격 영역 내에서 세정이 스캐닝 방식으로 수행되는 때에 충분할 수 있는 오염층의 두께를 측정하는 것에 의해 변위될 수 있다.
고도의 바람직한 변형예에서는, 상기 방법은 세정 가스의 생성 속도가 오염층의 두께에 따라 제어되는, 세정 가스를 생성시키는 다른 단계를 구비한다. 이 방식에서는, 단위 시간당 세정 가스의 양은, 오염층의 두께가 한계치 밑으로 떨어지는 때에는 감소될 수 있다. 종래 기술에서는, 측정 중의 오염층의 실제 두께를 알 수 없었기 때문에, 세정 가스의 생성 속도는 세정 과정 동안 본질적으로 일정하게 유지되고, 예를 들어 통상적으로 최대 가능한 생성 속도가 사용된다.
다른 고도의 바람직한 변형예에서는, 오염층의 두께가 소정의 두께, 바람직하게는 10nm의 두께, 보다 바람직하게는 5nm의 두께, 특히 1nm의 두께 밑으로 떨어지는 때에는 세정 가스로서 수소 원자가 사용된다. 수소 원자 세정은 매우 공격적인 세정 방법이 아니기 때문에, 소정의 두께에 도달할 때 까지는 오염층으로부터 물질의 제거 속도를 높이기 위해 더 공격적인 세정 방법이 사용될 수 있다. 예를 들어 블레이드를 사용하는 기계적인 세정 또는 큰 원자 질량의 스퍼터 가스를 사용하는 스퍼터링과 같은 이러한 공격적이고 빠른 세정 방법들이, 작은 두께를 갖는 오염층이 여전히 광학면 상에 존재하는 때에도 다층 시스템의 최상층(캡층)에 대해 파괴적일 수 있다. 따라서, 예를 들어 이 목적에 매우 효과적일 수 있는 수소 원자에 의한 덜 공격적인 세정 방법을 사용하여 오염층의 남은 부분을 제거하는 것이 바람직하다. 오염층의 두께는 광학면에 걸쳐 다양할 수 있으므로, 오염층의 국소적인 두께에 따라 세정 가스 또는 세정 방법의 선택이 이루어질 수 있다고 생각된다.
고도로 바람직한 다른 발전에서는, 수소 원자가 세정 가스로서 사용되기 이전에, 바람직하게는 스퍼터 가스로서 바람직하게는 수소, 헬륨, 아르곤, 네온 또는 크립톤을 사용하는 스퍼터링, 접촉 방식에 의한 기계적인 세정, 열 유도 탈착 및 화학적 세정으로 이루어지는 그룹 중에서 선택된 다른 세정 방법에 의해 물질은 오염층으로부터 제거된다. 세정 방법으로서 스퍼터링이 사용되는 때에는, 스퍼터 가스는 이온화되고, 그러면 스퍼터 가스의 이온들은 전기장 내에서 가속되고, 오염물들을 제거하기 위하여 EUV-반사 소자의 광학면으로 향한다. 상대적으로 작은 원자 질량을 갖는 스퍼터 가스를 사용하는 것은 탄소 오염물들의 선택성을 증가시킨다. 스퍼터 가스의 원자 질량이 클수록, 광학면으로부터 다른 물질들, 예컨대 캡층으로부터 루테늄 또는 캡층 아래의 층들로부터 실리콘 또는 몰리브덴을 제거할 개연성이 커진다. 따라서, 스퍼터 가스는 오염층의 순간적인 두께에 따라 선택될 수 있으며, 예를 들어, 큰 원자 질량을 갖는 스퍼터 가스로 세정 과정을 시작하고, 그 다음에 오염층의 두께가 세정 동안 감소한 때에는 작은 원자 질량을 갖는 스퍼터 가스로 바꿀 수 있다. 예컨대 스크레이퍼를 사용하는 기계적 세정, 예컨대 적합한 세정제(탄소를 용해할 수 있는)를 광학면과 접촉하도록 하는 것에 의한 화학적 세정 또는 예컨대 EUV 반사 소자의 주변 또는 EUV-반사 광학 소자의 광학면 그 자신을 균일하게 또는 국소적으로 가열하고, 후자의 경우 열원으로서 레이저 광원의 사용에 의하여 광학면 상의 점상(spot-like) 영역으로 방사를 향하는 것인 열 유도 탈착이 있다. 일반적으로는, 광학면을 보호하기 위하여 이 방법들은 오염층의 두께가 한계치 밑으로 떨어지는 때에는 사용되지 않아야 한다.
다른 바람직한 변형예에서는, EUV 방사로 EUV-반사 광학 소자의 조사 동안 세정이 수행된다. 이 경우, 광학면의 두께를 모니터링하기 위한 독립체들 뿐 아니라 세정 가스의 제트(들)을 생성하는 독립체들은 필연적으로 EUV 광의 광경로의 외부에 배치되고 따라서 세정 과정이 "인 오페란도(in operando)"로 수행되도록 한다. 세정 과정이 또한 EUV-리소그래피 시스템의 비 작동시간 동안 수행될 수 있는 것도 생각할 수 있다. 이는 광경로 외부에 상기 설명된 독립체들을 배치하기 위하여 요구되는 EUV-리소그래피 시스템내의 공간이 불충분할 때에, EUV-리소그래피 시스템 내의 특정한 미러들에 대한 경우에 해당할 수 있다.
고도의 바람직한 실시예에서는, 세정 가스의 제트는 광학면으로부터 전체 오염층을 제거하기 위하여 제어된다. 이 경우, 매우 불규칙한 두께 분포를 갖는 오염층도 모니터링 유닛으로부터의 피드백을 이용하여, 광학면을 손상시키지 않고 그로부터 제거될 수 있다.
바람직한 대안적인 변형예에서는, 세정 가스의 제트는 오염층의 물질의 단지 일부를 제거하기 위하여 제어되고, 세정 후에 오염층의 물질의 분포는 요구되는 형상을 갖게된다. 오염층의 국소적으로 변화하는 두께 분포는 EUV-반사 광학 소자의 반사율의 국소적 변화를 초래한다. 따라서, 오염층으로부터 단지 선택적으로 물질을 제거하는 것에 의하여, 예컨대 광학면의 선택된 소구역들에서만 물질을 제거하는 것에 의하여, EUV-반사 광학 소자의 요구되는 광학 특성이 생성할 수 있으며, 예컨대, 텔레센트리시티(telecentricity), 투과율, 균일도, 엘립티센트리시티(ellipticentricity) 등과 같은 EUV 리소그래피 시스템의 변수들이 최적화되도록 오염층의 요구되는 형상이 선택될 수 있다. 오염층의 요구되는 형상은 EUV-리소그래피 시스템의 광학 특성들의 계산들 또는 측정들 중 어느 하나에 의해서 앞서의 단계들 내에서 결정될 수 있다.
바람직한 변형예에서는, EUV-반사 소자는 EUV-리소그래피 시스템 내에 배치되고, EUV-리소그래피 시스템의 적어도 하나의 광학 특성을 나타내는 신호가 결정되며 이는 세정 가스의 제트의 제어를 위하여 입력 신호로서 사용되고, 상기 광학 특성들은 바람직하게는 :텔레센트리시티, 투과율, 균일도, 타원률 및 파면오차로 구성되는 그룹으로부터 선택된 것이다. 이러한 방식에서, 에컨대 적절한 센서들(예컨대 소위 슬릿 센서)을 사용하여 웨이버(waver) 수준에서 EUV 방사의 강도 분포의 측정과 같은 시스템 측정들을 행하기 위하여 EUV-리소그래피 시스템의 내부에 전형적으로 구비되는 측정 장비에 의해 생성되는 하나 이상의 신호들이 오염층의 요구되는 형상을 결정하기 위하여 사용될 수 있다. 나아가, 언제 EUV-리소그래피 시스템의 내부의 하나 또는 다수의 EUV-반사 광학 소자들의 세정 과정의 개시가 요구되는 지의 결정을 위하여 이러한 신호가 사용될 수 있다.
본 발명의 다른 측면은 서두에서 설명된 바와 같은 방법으로 수행되고, 그 방법은 펄스화된 방식으로 세정 가스의 생성 속도를 제어하는 단계를 구비하고, EUV-반사 광학 소자의 세정이 최적화되도록 세정 가스 펄스들의 지속 시간 및 그 다음 세정 가스 펄스들 사이의 지속 시간이 제어된다. 각 세정 가스 펄스의 지속시간 및 펄스들 사이의 지속시간 양쪽을 특정한 방식으로 선택하는 것에 의하여, 아래에서 보다 자세하게 설명되는 바와 같이 최적화될 수 있다.
고도의 바람직한 변형예에서는, EUV-반사 광학 소자 또는 그 근방에서의 최대 온도가 초과되지 않도록 세정 가스 펄스들의 지속 시간 및 다음 세정 가스 펄스들 사이의 지속시간이 제어된다. 세정 가스를 오염층과 접촉하게 하는 때에, 세정 가스와 오염층과의 화학 반응을 통하여, 광학면 아래는 가열된다. 그 위에 광학면이 형성되는 EUV-반사 소자의 다층 시스템을 구성하는 물질들이 과열에 의하여 손상될 수 있음에 따라, 예컨대 EUV-반사 소자의 온도 또는 광학 소자의 근방에서의 온도가 주어진(최대) 값에 도달하는 경우 더 적게 세정 가스를 생성시키는 것과 같이 세정 가스의 생성 속도를 제어하는 것이 제안된다. EUV-반사 광학 소자의 순간 온도가 밝혀질 필요가 있는 경우, 제어를 위하여 피드백 신호를 생성하는 온도 센서가 사용될 수 있다. 대안으로서, 세정에 의하여 생성되는 시스템의 발열을 고려하여, EUV-반사 시스템의 열거동의 계산에 의해 EUV-반사 소자의 온도를 알아내는 것도 가능하다. 노광 과정 중에 세정이 수행되는 경우, 노광 광에 의해 생성되는 열도 또한 이 계산에서 고려되어야 한다. 이 계산은 사전에 수행된 바 있는 온도 측정들에 의해 더 지지될 수 있다. 광학면의 온도를 임계 온도 밑으로 유지하기 위하여 사용되어야 하는 세정 펄스들의 지속 시간 및 그 다음의 세정 펄스들 사이의 지속 시간은 몇 가지 변수들, 예컨대 노광 광에 의해 생성되는 열을 포함하는 광학 소자의 최대 한계 온도 뿐만 아니라 특정 EUV-반사 광학 소자의 크기 및 무게에 의존하며, 상기의 변수들 모두는 EUV 리소그래피 시스템의 광학 소자들 사이에 상당한 차이가 있을 수 있다. 당업자는 세정 가스 펄스들의 지속 시간 및 그 다음의 세정 가스 펄스들 사이의 지속 시간은, 세정동안 EUV 리소그래피 시스템 내부의 상태들의 변화들을 고려하여 조정될 수 있음을 이해할 것이다.
다른 고도의 바람직한 변형예에서는, 수소 유도 가스 방출 산물들의 생성이 방지될 수 있도록 세정 가스 펄스들의 지속 시간 및 그 다음의 세정 가스 펄스들 사이의 지속 시간이 제어된다. 수소 유도 가스 방출(Hydrogen-induced outgassing; HIO) 산물들은 수소 원자와 휘발성 화합물들을 형성할 수 있는 요소들의 화학반응으로 생성된다. 이러한 요소들은 예컨대, 주석 또는 아연과 같은 금속 물질들을 구성하는 솔더 결합들이고 수소 원자와 접촉하게 되는 때에 주석 수소화물 및 아연 수소화물을 형성한다. 이것들 및 다른 수소 유도 가스 방출 산물들에 관한 문제는 이들이 노출된 물질, 예컨대 아연 또는 주석이 축적된 EUV-반사 광학 소자의 광학 표면에 회복할 수 없는 오염으로서 전달될 수 있다는 점이다. 따라서, 이러한 수소 유도 가스 방출 산물들의 생성은 회피되어야 한다. 이들 HIOs의 생성을 회피하기 위해 여기서 설명되는 접근 방식은 대부분의 경우, EUV-반사 광학 소자가 배치되는 진공 환경의 내부의 물질들이 산화물로서 존재한다는 사실을 이용하는 것이다. 거의 모든 경우들에 있어서, 수소 원자의 제트는 이 산화물들을 감소시킬 수 있는바, 노출된 물질은 증발하거나 또는 수소 원자와 수소화물을 형성할 수 있고, 각 경로는 수소의 증기압과 노출된, 전형적으로는 금속 물질의 증기압에 의하여 결정될 가능성이 있다. 수소 유도 가스 방출 산물들이 전형적으로 EUV-반사 광학 소자(위를 보라)의 광학면 상의 회복할 수 없는 오염을 생성시킴에 따라, 낮은 증기압을 갖는 Sn,Zn,Mn,Na,P,S,Si 등과 같은 물질들의 존재하에서, 수소 원자의 제트를 이용하여 HIO 산물들을 생성할 수 있는 이러한 물질들 상의 산화물 층을 감소시키는 과정이 특정 시간을 요한다는 점에서 , 펄스화된 세정 전략이 유용하다. 펄스화된 세정을 사용할 때, 이 물질들 상의 산화물 층들이 완전히 제거되지 않도록 세정 가스 펄스들의 지속 시간이 제어될 수 있고, 산화물 층이 회복될 수 있도록 세정 가스 펄스들 사이의 지속 시간이 충분히 길게 선택될 수 있다. 이러한 방식에서는, 수소 유도 가스방출 산물들을 생성할 수 있는 요소들이 EUV-반사 광학 소자 또는 그 근방에 위치하고 있는 경우에서도 또한 수소 세정을 수행할 수 있다.
고도의 바람직한 변형예에서는, 세정 가스는 공급 가스를 활성화하는 것에 의해 생성되고, 세정 가스의 생성 속도는 공급 가스의 활성화 속도의 조정에 의해, 바람직하게는 펄스화된 방식으로 제어된다. 이 경우, 세정 가스는, 공급 가스를 여기(전자) 상태 내에 가져오는 것 또는 분열에 의한, 바람직하게는 수소 분자인 공급 가스의 활성화에 의해서 라디칼들 또는 이온들을 생성시키는 것에, 그 전체가 참조로서 여기에 포함되는 US 2003/0051739 A1에서 설명된 바와 같이 생성된다.
이러한 활성화 과정의 하나의 예가 활성화 수단들로서 전자들을 이용하여 수소 분자로부터 수소 원자를 생성하는 것이다. 공급 가스의 활성화는 바람직하게는 펄스화된 방식, 예컨대 활성화가 수행되는 동안에는 제 1 지속 시간을 그리고 활성화가 수행되지 않는 동안에는 제 2 지속 시간을 교대로 사용하는 방식으로 행해진다. 예를 들어, 듀티 사이클 동안, 활성화는 제 1 지속 시간, 예컨대 10 분 동안 수행될 수 있고, 그 후 제 2 지속 시간, 예컨대 20 분 동안 활성화는 멈출 수 있고 시스템은 다시 냉각될 수 있다. 이는 듀티 사이클은 주어진 EUV-리소그래피 시스템의 배치에 대해 최적화 될 수 있기 때문이다. 위에서 설명된 경우에서는, 세정 가스의 생성 속도는, 비록 공급 가스가 일정한 압력과 유속을 구비하고 있는 경우라 하더라도 제어될 수 있다.
다른 바람직한 변형예에서는 가열 필라멘트가 공급 가스의 활성화를 위해 그리고 활성화 속도를 조절하가 위해 사용될 수 있고, 필라멘트의 온도가 제어된다. 필라멘트는 열 배출에 의하여 전자들을 생성하기 위하여 가열된다. 필라멘트로부터 방출되는 전자들은 전기장 내에서 가속되고 공급 가스를 활성화하기 위하여 사용될 수 있다. 바람직하게는, 필라멘트는 펄스화된 방식, 예컨대 제 1 지속 시간 동안 작동 시작하고 주어진 온도에서 유지되며, 세정 과정에 의해 생성되는 열 뿐만 아니라 필라멘트에 의해 생성되는 열이 EUV-리소그래피 시스템 내에 더이상 존재하지 않는 듀티 사이클의 제 2 지속 시간 동안에는 꺼지는 방식으로 작동된다. 주어진 온도는 EUV-리소그래피 시스템 내부의 EUV-반사 광학 소자의 환경에 따라 설정될 수 있으며 예컨대, EUV-반사 소자의 위치에 따라 달라질 수 있다. 활성화 속도는 또한 펄스화된 방식 대신에 연속적으로 필라멘트의 온도를 변경함에 의하여 조절될 수 있다고 판단된다.
고도의 바람직한 변형예에서는 세정 가스의 생성 속도는 공급 가스의 유속을 조정함에 의해서, 바람직하게는 펄스화된 방식에 의해서 조절될 수 있다. 따라서, 공급 가스의 유속은 세정 가스의 생성 속도에 영향을 주기 위하여 사용될 수 있다. 이 경우, 필라멘트 또는 세정 가스를 활성화하기 위한 다른 어떤 적합한 장치가 영구적으로 켜져 있을 수 있고, 계속해서 생성 속도가 제어될 수 있다. EUV-리소그래피 시스템이 진공 상태에서 작동됨에 따라, 펄스화된 방식으로 공급 가스를 제공하는 것은 특히 유리할 수 있다. 따라서, 공급 가스가 제공되지 않는 동안의 시간에서는 광학면에 존재하는 세정 가스의 비 활성화 된 부분은 외부로 전달될 것이므로, 공급 가스의 제공이 다시 시작되는 때에는, 배경 가스 내의 확산에 의하여 방해받지 않으므로 세정 가스가 빠르게 전달될 수 있다. 이 경우, 듀티 사이클 동안의 특정 시간 동안 공급 가스가 꺼져 있다 하더라도 세정 속도는 향상될 수 있다. 당업자는 또한 이 경우 오염층으로의 세정 가스의 전달이 확산에 의해 제한받지 않도록 세정 가스 펄스들의 지속 시간 및 그 다음의 세정 가스 펄스들 사이의 지속 시간이 제어될 수 있음을 이해할 수 있다.
예컨대 가스 유동이 시작되기 전에 수 초간 필라멘트를 켜는 것 및 필라멘트와 동시에 가스 유동을 끊는 것과 같이 양 원리들, 즉 펄스화된 활성화와 펄스화된 가스 유동 작동은 유리하게 결합될 수 있다. 나아가, 양 원리들은 또한 예컨대 RF를 사용하는 기술과 같은 다른 세정 가스 생성 기술들에 적용될 수 있다. 세정 가스의 생성은 오프라인(즉, 비 작동시간 동안) 또는 온라인(EUV 시스템의 통상적인 작동 동안) 중 어느 한 쪽으로 수행될 수 있고 펄싱(pulsing) 전략은 양 경우들에 유용하다고 생각된다. 특히, 온라인 세정의 경우, 펄싱은 평균 탄소 세정 속도와 평균 탄화 속도(EUV 광에 노광함에 의한)의 균형을 맞출 수 있다는 추가적인 장점을 가질 수 있다.
다른 바람직한 실시예에서는, 공급 가스의 압력이 10-3mbar 부터 1mbar 까지의 영역, 바람직하게는 0.05mbar에서 0.5mb 까지의 영역, 보다 바람직하게는 0.1mbar 에서 0.2mbar 까지의 영역 내에 있도록 선택된다. 세정을 위하여 바람직하게 사용되는 이 상태들 하에서, EUV-반사 광학 소자의 표면으로의 세정 가스의 전달 속도(또한 비 활성화된 공급 가스의 전달 속도)는 확산에 의해 제한되므로 위에서 설명한 바와 같이 펄스화된 가스 유동의 사용이 특히 유리하다.
다른 고도의 바람직한 변형예에서는, 양 방법들이 유리하게 결합될 수 있도록 세정 가스는 위에서 설명한 바와 같이 EUV-반사 광학 소자의 광학면으로부터 오염층을 제거하기 위한 방법으로 세정 가스의 제트가 오염층을 향한다.
다른 측면은 EUV-반사 광학 소자로부터 오염층을 적어도 부분적으로 제거하기 위한 세정 장치 내에서 구현되고, 상기 세정 장치는: 오염층으로부터 물질을 제거하기 위해 세정 가스의 제트를 오염층으로 향하게 하기 위한 세정 헤드, 오염층의 두께를 표시하는 신호를 생성시키기 위해 오염층을 모니터링하기 위한 모니터링 유닛, 광학면에 대하여 세정 헤드를 운동하게 하기 위한 적어도 하나의 운동 기구 및 오염층의 두께를 나타내는 신호를 피드백 신호로서 사용하여 세정 헤드의 운동을 제어하기 위한 제어 유닛을 구비한다. 세정 장치 내에서는, 세정 헤드의 제어는 오염층의 두께에 따라 수행되고 따라서, 오염층의 두께에 따라 세정 과정을 변경할 수 있도록 하며, 특히 오염층의 두께에 따라 상이한 세정 방법들 또는 세정 가스들을 선택할 수 있도록 한다. 나아가, 세정 가스의 제트의 충격 영역의 크기 및 형상 뿐만 아니라 그 위치는 오염층의 두께에 따라 제어될 수 있다. 특히, 세정 헤드의 적절한 운동에 의해 오염으로부터 자유로운 광학면상의 영역에 대한 세정을 피할 수 있다.
바람직한 실시예에서는, 세정 장치는 다른 세정 가스의 제트를 오염층으로 향하도록 하기 위한 적어도 하나의 다른 세정 헤드를 구비한다. 한 개를 초과하는 세정 헤드의 사용을 통해, 세정의 균일도가 향상될 수 있고, 세정에 유효한 단위 시간당 세정 가스의 양이 증가됨에 따라 세정 과정의 속도가 빨라질 수 있다. 나아가, 세정 헤드들의 구조는 상이할 수 있으며, 예컨대, 각 세정 헤드는 특정한 세정 가스의 생성을 위해 최적화 될 수 있고 또는 세정 가스의 생성을 위한 생성 매커니즘들은 세정 헤드들 사이에서 다를 수 있다.
고도의 바람직한 실시예에서, 모니터링 유닛은 오염층의 두께의 맵을 생성하기 위한 공간 분석 검출기(spatially resolving detector)를 구비한다. 공간 분석 검출기를 사용하는 것에 의해, 오염층의 두께 분포가 확인될 수 있으며, 예컨대 오염층의 3차원 맵은 광학면으로부터 모니터링 광의 공간 분석 반사(spatially resolved reflectance)를 측정하여 생성될 수 있다.
다른 바람직한 실시예에서는, 모니터링 유닛은 모니터링 광, 모니터링 전자들 또는 모니터링 이온들을 광학면에 향하도록 하기 위한 적어도 하나의 광원, 전자 생성원, 이온 생성원을 구비한다. 광원은 예를 들어 LEDs의 경우와 같이 직접적인 방식으로 모니터링 광을 생성하도록 설계될 수 있다. 이 경우, 모니터링 광은 예를 들어 빔 분리기 또는 예컨대 섬유등인 광학 가이드들에 의해, 동일한 입사각으로 광학면상의 몇몇 포인트들에 향할 수 있다. 광을 상이한 방향으로 방사하는 광원이 사용되는 경우, 입사각은 광학면상의 위치에 따라 변화할 수 있다. 오염층의 두께와 반사되는 광의 강도 사이의 관계는 입사각에 의존적이기 때문에, 모니터링되는 각각의 표면 포인트 내에서 오염층의 두께의 정확한 값을 산출하기 위하여 입사각이 고려되어야 한다. 모니터링 과정의 세부 사항들에 대해서는, 그 전체가 참조로서 여기에 포함되는 출원인에 의한 독일 특허 출원 DE 10 2007 037942.2를 참조한다. 대안적으로 또는 추가적으로, 모니터링 유닛은 각각 전자 분광법 또는 이온 분광법을 수행하기 위해 사용될 수 있는 전자 생성원 또는 이온 생성원을 구비할 수 있다.
다른 바람직한 실시예에서는, 운동 기구는 세정 헤드를 적어도 하나의 축의 방향으로 변위하게 하기 위한 적어도 하나의 병진 구동기를 구비한다. 적어도 두 개의 방향으로의 세정 헤드의 병진 이동에 의해, 세정 헤드의 위치 및 따라서 오염층 상의 세정 가스의 제트의 충격 영역은 스캐닝 방식으로 변화될 수 있다.
다른 바람직한 실시예에서는, 운동 기구는 세정 헤드를 광학면에 대하여 경사지게 하기 위한 경사 기구를 구비한다. 경사 기구는, 예컨대 광학 면에 대한 세정 가스의 제트의 회전과 같이 그 방향을 변화할 수 있게 한다. 상대적으로 작은 충격 영역을 갖는 세정 가스의 제트가 사용되는 때에는, 이 경우 또한, 세정은 스캐닝 방식으로 수행될 수 있다. 세정 과정 동안 세정 헤드를 경사지게 하기 위하여는, 세정 헤드를 병진 구동기에 의해 변위하게 하는 것에 비하여 EUV 시스템 내부에 더 작은 공간을 요하기 때문에, 이 실시에는 특히, 세정을 수행하기 위하여 세정 헤드가 광경로를 가로질러야 할 필요가 없어 인-오페란도 세정에 적합하다.
다른 바람직한 실시예에서는, 제어 유닛은 스캐닝 방식으로 세정 헤드의 운동을 제어하도록 설계되어, 광학면이 체계적이고 보다 균일한 방식으로 세정되도록 한다.
다른 측면은: EUV-반사 광학 소자의 광학면 상의 오염층으로 향하는 세정 가스의 제트를 생성하기 위한 세정 가스 생성기 및 펄스화된 방식으로 세정 가스의 생성 속도를 제어하고, EUV-반사 광학 소자의 세정이 최적화되도록 세정 가스 펄스들의 지속 시간 및 그 다음의 세정 가스 펄스들 사이의 지속 시간을 제어하기 위한 제어 유닛을 구비하는 세정 가스 생성 장치에서 구현된다.
바람직한 실시예에서는, 제어 유닛은 EUV 반사 소자 또는 그 근방에서의 최대 온도가 초과되지 않도록 세정 가스 펄스들의 지속 시간 및 그 다음의 세정 가스 펄스들 사이의 지속 시간을 제어한다. 이러한 방식에서는, 세정 가스와 오염층과의 반응으로 인한 광학면의 가열에 의한 광학면의 손상은 회피될 수 있다. 나아가, 이러한 방식에서는, EUV-반사 소자의 다층 시스템 및/또는 기판의 국소적인 팽창에 의해 생성될 수 있는 화상 오차를 회피하는 것도 가능하다. 앞서 보다 상세하게 논의하였던 것과 같이, 온도는 앞서의 측정들에서 입수한 데이터에 기초할 수 있는 계산에 의하여 알아낼 수 있다. 세정 과정 동안의 온도의 보다 정확한 확인을 위하여 세정 장치는 바람직하게는 EUV-반사 소자 또는 그 근방에 온도를 검출하기 위한 온도 센서를 더 구비한다.
바람직하게는, 제어 유닛은 수소 유도 가스 방출 산물들의 생성이 방지되도록 세정 가스 펄스들의 지속 시간 및 그 다음의 세정 가스 펄스들 사이의 지속 시간을 제어한다. 앞서 보다 자세하게 설명하였던 것과 같이, 이는 수소 유도 가스 방출 산물들을 가스 방출할 수 있는 요소들 상의 산화물 층들의 제거를 방지하기 위하여 충분히 짧은 세정 가스 펄스들의 지속 시간을 선택함에 의해, 그리고 상기 산화물 층들의 재생을 위해 충분히 긴 세정 가스 펄스들 사이의 지속 시간을 선택함으로써 이루어질 수 있다. 바람직하게는, 산화물 층의 성장은, 특히 국소적인 방식으로 바람직하게는 조명이 일어나지 않는 시간대(EUV 광이 꺼진 상태)에서 상기 요소들과 접촉하게 되는 산소 가스 또는 수증기와 같은 산화제에 의하여 가속될 수 있다. 세정이 정확하게 수행되고 있는지 검사하기 위하여, 예컨대, 질량 분석계와 같은 가스 검출기가 구비될 수 있으며, 가스 검출기가 가스 방출 산물들을 감지한 때에는 즉시 세정 가스 펄스가 꺼질 수 있다. 수소 유도 가스 방출 산물들의 생성을 방지하기 위하여 사용되어야 하는 세정 펄스들의 지속 시간 및 그 다음의 세정 펄스들 사이의 지속 시간은 몇 가지 변수들, 예컨대, 산화물의 유형, 산화물 층의 두께 등에 의존하며, 이는 수소 유도 가스 방출 산물들을 생성할 수 있는 요소의 유형 및 물질에 따라 상당히 상이할 수 있다.
고도의 바람직한 실시예에서는, 세정 가스 생성기는 공급 가스의 활성화에 의하여 세정 가스를 생성하기 위한 활성화 유닛을 구비하고, 바람직하게는 펄스화된 방식으로 세정 가스의 활성화 속도를 조정함에 의하여 세정 가스의 생성 속도를 제어하도록 제어 유닛이 설계된다. 바람직하게는, 활성화 유닛은 적어도 하나의 가열된 필라멘트를 구비하고, 제어 유닛은 활성화 속도를 조정하기 위하여 필라멘트의 온도를 제어하도록 설계된다. 이 목적을 위하여, 필라멘트를 통하는 전류는 요구되는 온도 및 따라서 방출 전류가 생성되도록 하는 방식으로 제어될 수 있다. 이에 더하여, 필라멘트의 전위와 상대 전극의 전위 사이의 차이는 전자들의 가속 및 따라서 활성화 속도에 영향을 주기 위하여 조정될 수 있다.
다른 바람직한 실시예에서는, 세정 가스 생성 장치는 공급 가스 제공 유닛, 공급 가스 제공 유닛으로부터 활성화 유닛으로 공급되는 공급 가스의 유속을, 바람직하게는 펄스화된 방식으로 제어하도록 설계되는 제어 유닛을 구비한다. 공급 가스의 유속은 가스 저장소로부터 활성화 유닛으로 펌핑하기 위한 다양한 펌프를 사용하여 설정될 수 있다.
또 다른 바람직한 실시예에서는, 공급 가스 제공 유닛은 10-3mbar로부터 1 mbar 까지의 범위, 바람직하게는 0.05mbar로부터 0.5mbar 까지의 범위, 더 바람직하게는 0.1mbar로부터 0.2mbar 까지의 범위의 압력 내에서 공급가스를 제공하도록 설계된다. 바람직게는 수소인, 위의 범위 내의 공급 가스의 부분압을 갖는 진공 챔버 내에서는, 광학면으로의 세정 가스의 유동은 확산에 의해서 제한된다. 따라서, 펄스화된 방식으로 공급 가스를 제공함에 의하여, 세정 과정은 위에서 상세하게 설명하였던 바와 같이 빨라지게 된다.
다른 측면은: 적어도 하나의 EUV-반사 광학 소자, 위에서 설명된 바와 같은적어도 하나의 세정 장치 및/또는 위에서 설명된 바와 같은 적어도 하나의 세정 가스 생성 장치를 구비하는, 포토마스크 상의 구조를 감광 기판 상에 결상하기 위한 EUV-리소그래피 시스템 내에서 구현된다. 세정 장치 및 세정 가스 생성 장치는 유리하게 결합될 수 있다고 생각되며, 세정 가스 생성 장치는 세정 장치에 의해 제어되는 세정 가스의 제트를 생성시키기 위해 사용된다. 두 개의 장치들이 결합되는 때에는, 단일한 제어 유닛만이 사용될 수 있다. 바람직하게는, 상이한 EUV-반사 소자들의 세정/세정 가스 생성 장치들은 그들이 적용되기 위한 특정한 EUV-반사 소자들에 따라 변경되는 상이한 구조의 것이다.
고도의 바람직한 실시예에서는, EUV-리소그래피 시스템은 EUV-광원을 구비하고, EUV-반사 소자는 EUV 광원의 광경로 내에 배치되며, 모니터링 유닛 및/또는 세정 헤드는 광경로의 외부에 배치된다. 이러한 방식에서 EUV-반사 광학 소자의 원위치 세정이 수행될 수 있다. EUV-리소그래피 시스템의 비 작동시간 동안 세정이 수행되는 때에는, 하나 이상의 세정 헤드들이 세정을 수행하기 위하여 광경로 내로 또한 변위될 수 있다고 생각된다. 그러나, 인-오페란도 세정을 수행하는 때에는, 세정을 위하여 요구되는 요소들 중 어느 것도, 세정에 의해 노광 과정이 부정적으로 영향을 받지 않아야 함에 따라 광경로로 변위되지 않을 수 있다.
다른 특성들 및 장점들은, 중요한 세부 사항들을 도시하는 도면의 도형들을 참조하여 다음의 실시예들의 설명에서 진술되고, 청구항들에 의해 정의된다. 개별적인 특성들은 각각 단독으로 사용될 수 있거나 또는 그들 중 몇몇이 바람직한 변형예들을 구현하기 위하여 어떠한 바람직한 결합을 통해 함께 합쳐서 사용될 수 있다.
실시예들이 개략적인 도면 내에서 도시되고 하기의 명세서 내에서 설명된다. 다음의 도면들이 도시된다.
도 1은 본 발명의 실시예를 따르는 EUV-리소그래피 시스템의 개략도이다.
도 2는 도 1의 EUV-리소그래피 시스템의 EUV-반사 소자들 중 하나를 세정하기 위한 세정 장치의 실시예의 개략도이다.
도 3은 도 1의 EUV-리소그래피 시스템의 다른 EUV-반사 소자를 세정하기 위한 세정 장치의 다른 실시예의 개략도이다.
도 4는 수소 원자의 생성을 위한 세정 가스 생성 장치의 실시예의 개략도이고,
도 5는 도 4의 세정 가스 생성 장치의 활성화 유닛 및 공급 가스 제공 유닛의 듀티 사이클들의 선도이다.
도 6은 세정 가스 생성 장치의 다른 실시예의 선도이고,
도 7은 도 6의 세정 가스 생성 장치의 듀티 사이클들의 선도이다.
도 1은 고집적 반도체 장치들을 제조하기 위해 설계되는 EUV-리소그래피 시스템의 개략적인 표현을 도시한다. EUV-리소그래피 시스템(1)은 각각이 분리된 진공 격실에 배치되는, 빔 정형 시스템(2), 조명 시스템(3) 및 투영 시스템(4)을 구비한다. 빔 정형 시스템(2)은, 플라즈마 발생원 또는 싱크로트론 발생원(synchrotron source)으로 구현될 수 있고, EUV-리소그래피 시스템(1)을 통해 광경로(6)를 형성하는 EUV 광을 방사하는 EUV 광원(5)을 구비한다. EUV 광원(5)으로부터 5nm 와 20nm 사이의 파장 범위에서 방사되는 EUV 광은 처음에 시준기(7)로 보내지고, 그 다음에 노광 과정에 요구되는 작동 파장(전형적으로는 13.5nm)은, 단색 분광기(8)의 광학면(8a)에 영향을 주는 EUV 광의 입사각(쌍촉 화살표를 보라)을 조정함으로서 선택된다. 시준기(7) 및 단색 분광기(8)는 반사 광학 소자들로서 일반적으로 구현된다..
조명 시스템(3)은, 빔 정형 시스템(2)에 의해 제공되는 EUV-광으로부터 균일한 방사 분포를 생성시키는 역할을 하고, 각각 광학면(9a,10a)를 구비하고, 투영 시스템(4)에 의해 웨이퍼(12)의 감광 기판 상에 소정의 축척으로 결상되는 패턴을 구비하는 다른 EUV-반사 광학 소자(9,10)로서 EUV 광을 포토 마스크(11)에 반사하기 위하여 위치하는 제 1 및 제 2 EUV-반사 광학 소자(9,10)를 구비한다. 이러한 목적을 위해, 투영 시스템(4)은, 투영 시스템(4)의 이미지면 내에 배치되는 웨이퍼(12) 상으로 EUV 광을 향하게 하기 위해 각각 반사 광학면(13a,14a)을 갖는 제 3 및 제 4 EUV-반사 광학 소자(13,14)를 구비한다.
EUV-반사 소자들(8 내지 11,13 및 14)은 불순물들, 예를 들어 탄화수소 분자들에 의해 오염들을 당하게 되며, 이는 격실들(2 내지 4)이 진공 상태 하에서 작동된다 하더라도 피할 수 없다. 이 탄화수소 분자들은 광경로(6) 내에서 EUV 광과 반응하여, 대응하는 EUV-반사 소자들(8 내지 10, 13, 14)의 광학면들(8a 내지 10a, 13a, 14a) 상에 탄소 퇴적(carbon deposits)이 생성되게 된다. 이하에서는, 이 표면들로부터 오염을 제거하기 위하여 적합한 장치들이 설명될 것이고, 이 장치들은 단순함을 위해 도 1에서는 표시되지 않는다.
도 2는 도 1의 EUV-리소그래피 시스템(1)의 제 4 광학 소자(14)의 광학면(14a) 상의 탄소 퇴적들이 광학면(14a) 상의 오염층(15)을 형성하고 있는 것을 보여준다. 광학면(14a)은 교호하는 몰리브덴과 실리콘층들을 갖는 다층 시스템(16)의 최상층(캡 층)(17)에 위치한다. 다층 시스템(16)은 EUV-반사 소자(14)의 기판(18) 상에 배치된다. 광학면(14a)으로부터 오염층(15)을 적어도 부분적으로 제거하기 위하여, 도 2의 좌측 상방 모서리에서 도시되는 바와 같이, 세정 가스로서의 수소 원자의 제트(20)를, 후자로부터 물질을 제거하기 위하여 오염층(15)으로 향하게 하는 세정 헤드(19)를 구비하는 세정 장치가 EUV-리소그래피 시스템(1) 내에 설치된다.
세정 헤드(20)는 제 1 및 제 2 축(x,y)에 의해 정의되는 평면 내의 광학면(14a)에 대하여 세정 헤드(20)를 변위하기 위한 운동 기구로서 역할을 하는 병진 구동기(21) 상에 장착된다. 병진 구동기(21)의, 따라서 세정 헤드(20)의 운동은 광학면(14a) 상에서 스캐닝 방식으로 세정 헤드(21)를 이동하기 위해 설계되는 제어 유닛(22)에 의해 제어된다. 도 2의 아래쪽 좌측 가장자리에서 도시되는 바와 같이, 오염층(15)은 불연속적이고, 광학면(14a) 상에 작은 오염 스폿(spot)들만을 형성하므로, 세정 가스에 의한 광학면(14a)의 손상을 방지하기 위하여 세정 가스의 제트(20)는 오염층(15)의 제거에 있어서 이 스폿들에 대해서만 향하여야 한다. 이 경우 세정 헤드(21)의 정확한 위치선정이 필요하기 때문에 이것은 작은 스폿 크기 즉, 광학면(14a) 상의 작은 충격 영역을 갖는다. 충격 영역의 크기는 세정 헤드(20)를 또한 광학면에 수직인 제3축(Z)을 따라 변위됨으로써 조정할 수 있다고 생각될 수 있다. 세정 헤드(20)는 스캐닝 방식으로 광학면(14a)에 걸쳐 변위되므로, 세정 헤드(20)는 필연적으로 도 1에서 도시되는 광경로(6)에 접촉하게 된다. 따라서, 노광 과정은 세정 과정동안 방해받게 된다.
세정 가스의 제트(20)가 향해야 하는 광학면(14a) 상의 정확한 위치들을 결정하기 위하여, 세정 장치는 도 2의 오른쪽 아래 가장자리에서 도시되는, 광학면(14a) 및 오염층(15)을 각각 검사하기 위한 모니터링 유닛을 구비한다. 모니터링 유닛은 모니터링 광원(23) 및 공간 분석 검출기(spatially resolving detector)(24)를 구비하고, 양쪽 모두는 노광 과정을 방해하지 않도록 광경로(6)(도 1에서 도시)의 외부에 배치된다. 모니터링 광(25)은 전체 광학면(14a)을 덮을 수 있는 큰 입체각에 걸쳐 모니터링 광원(22)으로부터 방사되고, 반사된 모니터링 광(25)은 공간 분석 검출기(24)에서 감지된다. 광학면(14a)으로부터 반사되는 모니터링 광의 강도는 오염층(15)의 두께를 나타낸다. 오염층(15)의 두께가 두꺼울수록, 광학면(14a)으로부터 반사되는 모니터링 광의 양이 적어진다. 검출기(24)에 의해 생성되는 강도 신호는 검출기(24)와 가동되게 연결되는 제어 유닛(22)에 전송된다. 제어 유닛(22)은 광학면의 3차원 맵(26)을 생성시키고, 그 2차원 단면도가 도 2의 오른쪽 위 가장자리에서 표현된다. 3차원 맵을 생성시킴으로써, 광학면(14a) 상의 오염 스폿들의 위치를 밝힐 수 있을 뿐 아니라, 이 스폿들 내의 오염층(15)의 두께 또한 밝힐 수 있다. 이것은 제어 유닛(22)이, 반사되는 모니터링 광(25)의 강도와 오염층(15)의 두께 사이의 알려진 상관 관계(예를 들어, 이전의 측정들로부터 밝혀진)에 의해 검출기(24)의 공간 분석 강도 분포로부터 두께 분포를 계산하도록 설계됨으로써 가능하다. 특히, 3차원 맵(26)을 생성시키기 위하여, 광학면(14a) 상의 모니터링 광(25)의 입사각과의 상관 관계에 관한 의존도도, 출원인에 의한 DE 10 2007 037942.2에서 상세하게 설명된 바와 같이 고려되어야 한다. 특히, 측정의 감도를 증가시키기 위하여, 오염층(15)의 주어진 두께 범위 내의 강도 신호의 변화 내에서, 예컨대 가시 영역, 즉 400nm 부터 800nm 까지의 파장 영역 내의 파장을 선택할 때 가능한, 주어진 입사각에 대하여 최대가 될 수 있는 모니터링 광(25)의 파장을 선택하는 것이 바람직하다.
광학면(14a) 상의 오염층(15)의 두께 분포에 대한 정보는 세정 헤드(19)를 광학면(14a) 상의 올바란 위치에 향하도록 하는 데 사용될 뿐 아니라, 세정 시간, 즉 오염층(15) 두께 감소의 실시간 모니터링을 통하여 오염층(15) 전체를 제거하기 위하여 광학면(14a) 상의 특정 위치로 세정 가스의 제트(20)가 향해야 하는 시간을 조정하기 위하여 사용될 수 있다.
당업자는 세정 가스로 수소 원자를 사용하는 것 대신에 질소 원자, 할로겐화물(브롬, 요오드 등), 산소 라디칼들, 아르곤 라디칼들, 수소 라디칼들, 네온 라디칼들, 헬륨 라디칼들 크립톤 라디칼들, 순수 가스 플라즈마들 및 그 혼합물로서 특히 아르곤 플라즈마와 산소 플라즈마와 같은 또한 다른 적합한 세정 가스들이 사용될 수 있다는 것을 인식할 수 있다. 세정 헤드(19)의 구조는 사용되는 세정 가스에 대해 변형될 수 있거나 또는 교대로 세정 헤드에 제공되는 하나 이상의 세정 가스의 사용을 위해 변형될 수 있다. 특히, 세정 방법 또는 세정 가스의 선택은 도 3에 대하여 다음에서 설명되는 바와 같이 오염층의 두께에 따라 변화할 수 있다.
도 3은 그 광학면(9a)로부터 오염층(15')을 제거하기 위하여 사용되는 다른 세정 장치와 함께 도 1의 제 1 EUV-반사 광학 소자(9)를 도시한다. 도 3의 세정 장치는 세정 가스의 개별적인 제트(20a, 20b)를 각각 만들어내는 두 개의 세정 헤드들(19a,19b)를 구비한다. 양 세정 헤드들(19a, 19b)은, 광학면(9a)에 대한 세정 가스의 제트들(20a, 20b)의 방향을 바꾸기 위하여 각각 경사 기구(27a, 27b)에 연결된다. 경사 기구, 예를 들어 선회 아암(swivelable arm)은 세정 가스의 제트들(20a, 20b)이 세정을 수행하기 위하여 광학면(9a) 상의 어떤 포인트에도 도달할 수 있도록 하는 방식으로 구성된다. 도 3의 예에서는 오염층(15')은 연속적이고, 좌측부 상의 표면 영역 내에서 약 15nm의 두께를 갖고, 우측부에 가까운 표면 영역에서는 5nm 미만의 감소된 두께를 갖는 상대적으로 두꺼운 층이다. 두 개의 세정 헤드들 중 제 1 세정 헤드(9a)는 세정을 위한 스퍼터 가스(sputter gas)로서 헬륨을 사용하고, 이것은 세정 가스의 제 2 제트(20b) 내에서 세정 가스로서 사용되는 수소 원자보다 더 공격적(aggressive)이다. 광학면의 손상을 방지하기 위하여, 제 1 세정 헤드(19a)는 5nm 의 두께까지만 오염층(15')의 두께를 감소시키기 위하여 사용되는 반면, 제 2 세정 헤드(19b)는 오염층(15')의 그 나머지를 제거하기 위하여 사용된다. 스퍼터링(sputtering)에 있어서, 광학면(9a)을 향하는 세정 가스의 제트(20a) 내의 헬륨 이온들을 가속하기 위하여 전압 생성기(도시되지 않음)에 의해 EUV-반사 광학 소자(9)와 세정 헤드(19a) 사이에 전위차가 생성된다. 다른 스퍼터 가스들, 예를 들어 수소, 헬륨, 아르곤, 네온 또는 크립톤이 또한 사용될 수 있다고 생각된다. 대안적으로 또는 추가적으로, 접촉 방법들에 의한 기계적인 세정, 열유도 탈착 또는 화학적 세정을 포함하는 다른 세정 방법들에 의해 특정한 두께, 예컨대 5nm 까지 오염층을 제거하는 것도 가능하다.
물론, 세정의 균일성을 증가시키기 위하여 양 세정 헤드들(19a, 19b)에 대해 동일한 세정 가스를 사용하는 것도 또한 가능하다. 세정의 균일성을 증가시키기 위하여 바람직하게는 EUV-반사 광학 소자(9)의 둘레 주위에 원주 방향으로 등 간격으로 배치되는 두 개를 초과하는 세정 헤드들이 또한 사용될 수 있다고 생각된다.
도 3에서 도시되는 세정 장치는 도 2에서 도시되는 것과는, 세정 헤드들의 수 뿐만 아니라 오염층(15')의 3차원 맵(26)이 생성되는 방식에 있어서 차이가 있고, 그 단면도가 도 3의 오른쪽 위 가장자리에서 도시된다. 도 3의 모니터링 유닛에서는, 레이저 다이오드가, 오른쪽 아래 가장자리에서 도시되는 바와 같이 직접적인 방식으로 가시 광선 파장 영역 내의 모니터링 광(25')을 광학면(9a)에 방사하는 광원(23')으로 사용된다. 광원(23')으로부터의 모니터링 광(25')은, 모니터링 광(25')의 제 1 부분을 광학면(9a) 상의 제 1 포인트로 전송하고, 모니터링 광(25')의 제 2 부분을 광학면(9a) 상의 제 2 포인트로 반사하는 미러(23b)에 모니터링 광(25')의 제 2 부분을 반사하는 빔 분리기(23a)에 영향을 준다. 이러한 방식으로, 모니터링 광(25')은 동일한 입사각에서 광학면(9a) 상의 두 개의 포인트들에 영향을 주게 되어, 공간 분석 검출기(24')에 의해 검출되는 강도 신호로부터 두께를 측정하기 위한 입사각의 보정이 불필요하게 된다. 당업자는 모니터링 광(25')이 영향을 주는 포인트들의 수는 추가적인 빔 분리기의 사용에 의해, 또는 1 개를 초과하는 모니터링 광원의 사용에 의하여 조정될 수 있다는 것을 인식한다. UV 또는 EUV 파장 영역 내의 광을 이용하여 반사 측정법이 수행될 수 있다고 생각된다.
당업자는 오염층(15')의 두께는 다양한 방식으로 설계될 수 있는 모니터링 유닛을 사용하여 모니터링될 수 있다는 것을 인식한다. 예를 들어, 광학면(9a)을 검사하기 위하여 결상 광학계를 갖는 고 분해능 카메라를 사용할 수 있으며, 이 때 결상 광학계의 초점은, 광학면(9a)으로부터 다양한 거리에 있는 오염층(15')의 단면도들의 이미지들을 만들기 위하여 옮겨질 수 있다. 또한 오염층(15')의 두께의 모니터링은, 광학면(9a) 상에 영향을 주는 EUV 또는 UV 방사에 의해 유도되는 광전류를 측정하여,또는 X선 광전자 분광법(XPS), 주사 전자 현미경(SEM) 및 오제 전자 분광법(AES)과 같은 전통적인 표면 분석 방법들에 의하여 수행될 수 있다.
도 3에서 도시되는 세정 장치의 예에서는, 오염층(15')을 제거하기 위하여 세정 헤드들(19a, 19b)이 광경로(6)로 이동될 필요가 필요가 없으므로, 세정은 인-오퍼랜도(in-operando)로 수행될 수 있다. 제 1 EUV 반사 소자(9)가 모든 EUV-반사 소자들(9 내지 11, 13, 14) 중에서 가장 높은 강도를 갖는 EUV 광에 노광됨에 따라, 오염층(15')이 빠른 속도로 증가하는바, 이러한 경우 EUV-리소그래피 시스템(1)의 비 작동시간들을 감소하기 위하여 인-오퍼랜도 세정이 특히 유리하다.
경사 기구(27a, 27b)에 추가하여, 병진 운동으로 세정 헤드들(19a,19b)을 변위할 수 있도록 하는 운동 기구를 사용할 수 있다는 점 및 도 2의 세정 헤드(19)는 추가적인 경사 기구(도시되지 않음)를 또한 구비할 수 있다는 점을 생각할 수 있다.
다음에서는, 세정 헤드(19)가 보다 상세하게 표현되는 도 4를 참조하여 도 2에서 도시되는 세정 가스의 제트(20)의 생성을 설명한다. 수소 원자(H·)의 제트(20)의 생성을 위하여, 세정 헤드(19)는 EUV-리소그래피 시스템(1)의 내부 또는 외부의 먼 위치에 배치되는 수소 저장소(29), 예를 들어 가압 수소용 병 또는 다른 적합한 용기에 연결된다. 수소 분자(H2)는, 공급 가스 제공 유닛(30)을 통해, 약 0.1 mbar 의 일정한 압력에서 펌프(도시되지 않음)를 사용하여 수소 저장소(29)로부터, 전압 생성기(31)가 가동되게 연결되는 상대-전극(34a)과 필라멘트(31) 사이에 전기장(33)을 형성하기 위하여 필라멘트(31)와 전압 생성기(34)를 구비하는 세정 헤드(19)의 내부로 공급된다. 필라멘트(31)의 두 개의 단부들은 필라멘트(31)를 통해 전류를 생성시켜 필라멘트를 가열하기 위한 전력원(32)에 연결된다. 전원 장치(32)와 함께, 필라멘트(31), 전압 생성기(31) 및 상대-전극(34a)은, 수소 분자(H2)를 제트(20) 내의 세정 가스로서 사용되는 수소 원자(H·)로 분해하기 위해 사용되는 가속된 전자들을 제공함으로서, 수소 분자(H2)를 위한 활성화 유닛으로서 사용된다. 통상적으로 모든 공급 가스가 위에서 설명된 방식으로 활성화 될 수 있는 것은 아니어서, 세정 가스를 외의 공급 가스의 일부가 또한 제트(20)에 공급되는 것으로 생각된다.
광학 소자(14)의 과도한 가열을 막기 위하여, 제어 유닛(22)은 광학면(14a)의 근방에서 온도(T)를 측정하는 온도 센서(28)에 가동되게 연결된다. 제어 유닛(22)은, 수소 분자(H2)의 유속을 조정하기 위한 공급 가스 제공 유닛(30)(즉 그 펌프 동력) 및 온도(T)와 상관되는 필라멘트(31)를 통하는 전류를 조절함으로써 필라멘트(31)의 온도를 조정하기 위한 전원 장치(32)의 양쪽을 제어하도록 설계된다. 대안적으로, 광학면(14a)에 가까운 온도는 세정에 의해 생성되는 열을 고려하여, EUV-리소그래피 시스템(1)의 내부의 열전달을 시뮬레이션하는 계산들에 의해 결정될 수 있다.
제어 유닛(22)는 광학면(14a) 가까이의 온도(T)를, 표준 다층 미러들의 경우에는 약 60℃ 이고, 개별적인 층들 사이의 상호 확산의 방지를 위하여 베리어층들을 구비하여, 과도한 열에 의한 상호 확산에 의해 다층 시스템(16)의 물질이 손상을 받는 것을 방지하는 고온 다층 미러들의 경우 약 200℃인 임계 온도(TMAX) 아래로 유지하기 위하여 사용된다. 임계 온도(Tmax)를 초과하지 않도록 하는 목적을 위해, 제어 유닛(22)은 필라멘트(31)의 온도와 공급 가스의 유속 양쪽을 펄스 방식으로, 도 5에서 도시된 바와 같이 듀티 사이클을 이용하여 제어한다.
듀티 사이클 동안, 처음에 필라멘트(31)는 필라멘트(31)를 흐르는 전류(I)를 일정한 값으로 설정함으로써 수 초간 가열된다. 이 방법으로, 필라멘트(31)가 예열됨으로써, 가스 유동이 켜지고 또한 일정한 값인 유속(F)으로 설정되기 전에 요구되는 온도로 가열될 수 있다. 약 2분의 지속 시간 동안(t1)의 세정 펄스(C1) 후에 양 전류(I) 및 유속(F)은 약 4분의 시간(Δt1) 동안 제어 유닛(22)에 의해 0으로 설정된다. 이 시간 동안, EUV-리소그래피 시스템(1)의 진공 내부를 만드는 진공 펌프(도시되지 않음)는, 오염층(15)으로부터 탄소와 수소 원자의 반응에 의해 생성되는 혼합 가스 뿐만 아니라 재결합된 또는 비활성화된 세정 가스를 펌핑 배출한다.따라서, 필라멘트(31) 및 세정 가스의 유동이 다시 한번 작동되면, 그 다음의 듀티 사이클이 시작되는 때에, 세정 동안 광학면(14a)에서 존재하는, 0.1mbar 의 부분압(가스 제공 유닛(30)으로부터의 수소 가스(H2)의 압력에 기본적으로 상응하는)을 갖고 따라서 광학면(14a)으로의 수소 원자(H·)의 전달률을 제한하는 배후의 수소 가스 내의 확산에 의하여 방해받지 않음으로 해서 다른 세정 펄스(C2)의 생성, 광학면(14a)으로의 세정 가스의 유동이 빠르게 된다. 따라서, 세정 가스의 펄스화된 생성에 의하여, 광학면(14a)의 과열을 방지하는 한편 세정 과정의 속도를 높이는 것이 가능하다. 당업자는 상기에서 주어진 지속 시간(t1,Δt)는 단지 예시된 값일 분이고 세정되어야 하는 EUV 리소그래피 시스템 내의 개별적인 EUV 반사 소자 각각의 상태에 맞추기 위하여 이 값들을 수정할 수 있다는 것을 인식할 수 있다.
가열 필라멘트 상의 수소 유동을 증가시키는 것 및/또는 필라멘트를 더 높은 온도로 가열시키는 것에 의하여 더 많은 양의 공급 가스(H2)가 활성화되고, 그 결과 또한 세정의 속도가 증가되고, 이것은 특히, 세정 동안 노광 과정이 방해받는 때에 유용하다. 그러나, 예를 들어 필라멘트를 더 높은 온도로 가열하는 것은 또한 주변을 더 가열하는 결과가 되므로 세정 속도와 가열 사이에 절충이 있어야 한다. 예를 들어 냉각 유체로서 물의 사용에 의하여 효율적으로 냉각되는 EUV-반사 소자들의 경우, 필라멘트는 더 높은 온도로 가열될 수 있고, 이는 특히, 상대적으로 큰 두께를 갖는 오염층을 일반적으로 드러내는 조명 시스템(3)의 제 1 또는 제 2 EUV-반사 광학 소자(9,10)와 같은 EUV-반사 광학 소자들 상에서 세정이 수행되는 때에 바람직하다. 투영 시스템(4)의 제 3 및 제 4 EUV-반사 광학 소자들(13,14)의 경우, 가열이 보다 중요하고 더 적은 오염이 기대되는바, 필라멘트의 온도는 이 경우 더 낮은 값으로서 설정될 수 있다. 이 경우, 펄스화된 세정을 수행하는 때에, 노광 과정동안, 오염의 증가와 오염물들의 제거율이 균형이 맞춰질 수 있어, EUV-반사 광학 소자들의 오염 수준이 노광 동안 일정하게 유지될 수 있다.
도 6은 도 4에서 도시되는 것과 비교해서, 세정 헤드(19)가 전기장을 생성시키는 독립체를 구비하지 않는다는 점에서 상이하다. 공급 가스는, 수소 분자(H2)를수소 원자(H·)의 형태로 분해하기에 충분한 약 2000℃의 온도로 가열되는 필라멘트(31) 상에서 흐른다. 가열 목적을 위해, 전원 장치(32)가 필라멘트의 양 단부(35a, 35b)에 연결된다. 도 6에서 도시되는 장치에서는, EUV-반사 광학 소자(14)를 냉각하기 위한 냉각 유닛(도시되지 않음)이 사용됨에 따라, 가열이 보다 덜 중요하고, 필라멘트(31)를 통하는 전류(I)는, 세정 가스의 유속(F)을 또한 나타내는 도 7에서 도시되는 바와 같이 세정 동안 약 2000℃의 온도에서 일정하게 유지된다.
도 6의 장치는 도 4의 장치와는, 아연(Zn) 또는 주석(Sn)을 함유하는 솔더의 형태의 수소 유도 가스 방출 산물들의 생성을 허용하는 요소(35)가 EUV-반사 광학 소자(14)의 기판(18) 상에 배치된다는 점에서 다른 차이점이 있다. 세정 헤드(19)는 기판(18)으로부터 예를 들어 약100mm 떨어진 거리에 배치되고, 상기 요소(35)가 세정되는 광학면(14a)에 가까이에 배치됨에 따라, 세정 가스의 제트(20)로부터의 세정 가스의 일부가 요소(35)와 접촉하게 되고, 요소(35)의 상부의 산화물 층(도시되지 않음)을 제거한다. 전체 산화물 층의 제거 후에, 노출되는 재료가 증발하거나 또는 광학면(14a) 가까이에서 낮은 증기압을 갖는 Sn,Zn,Mn,Na,P,S,Si와 같은 물질들의 존재 하에서 EUV-반사 광학 소자(14)의 광학면(14a) 상에 축적되는 때에 전형적으로 회복할 수 없는 오염을 생성시키는 수소 원자와 수소화물(수소 유도 가스방출 산물)을 형성할 수 있으므로, 예를 들어 요소(35) 상의 산화물 층을 제거하는 과정이 소정의 시간을 요한다는 점에서 펄스화된 세정 전략이 유리하다. 펄스화된 세정에서는, 세정 가스 펄스(C1)의 지속 시간(t2)(수 분, 예를 들어 10분)이 제어되어, 요소(35) 상의 산화물 층이 완전히 제거되지 않고, 요소 상의 산화물 층이 회복될 수 있도록 세정 가스 펄스(C1)와 그 다음의 세정 가스 펄스(C2) 사이의 지속시간(Δt2)(예를 들어 약 20분)가 충분히 길게 선택되고, 그 과정은 요소(35) 가까이에 국부적으로 산화제를 도입함으로써 가속될 수 있다. 위에서 설명된 방식의 펄스화된 세정을 사용하는 것에 의해, 수소 유도 가스 방출 산물들의 생성을 허용하는 요소들이 EUV-반사 광학 소자에 또는 그 근방에 위치되는 경우에 또한 수소 세정의 수행을 가능하게 한다. 세정 과정에서 어떠한 수소 유도 가스 방출 산물들이 생성되지 않음을 확실히 하기 위해, 질량 분석기의 형태로 가스 검출기(36)가 제어 유닛(22)에 연결되어, 세정 가스 제트(20)는, 주석 아연 또는 그 수소화물들과 같은 수소 유도 가스방출 산물들이 검출되는 경우 즉시 가동 중단될 수 있다. 이러한 방식에서, 가스 방출 산물들의 검출에 의해 산화물 층의 회복의 개시가 촉발된다.
당업자는 도 5 및 도 7에서 도시되는 바와 같이 직사각형 형상을 갖는 세정 가스 펄스들(C1,C2)을 사용하는 것 대신에 상이한 펄스 형상의 세정 가스 펄스들도 또한 세정을 위하여 사용될 수 있고, 이 펄스들의 지속시간은 이 경우, 종전과 같이 반치 전폭(full width at half maximum)으로서 정해진다는 것을 인식한다.
위에서 설명된 장치들 및 방법들에 의하여, 오염층들(15,15')은 광학면들(9a,14a)로부터 다층 시스템(16)의 물질들에 손상을 주지 않고 매우 효과적인 방식으로 전부 제거될 수 있다. 그러나, 광학면(14a)으로부터 오염층(15')을 전부 제거하는 것 대신에, 이 층의 단지 일부만을 제거하는 것, 예를 들어 세정을 통해 요구되는 형상의 오염층을 생성하는 것이 가능하며, 상기 오염층의 형상은 EUV-리소그래피 시스템(1)의, 예를 들어 그 텔레센트리시티를 최적화 하는 것에 의한, 요구되는 광학 특성의 생성을 위해 조정될 수 있다. 예를 들어 적합한 센서들(예를 들어 소위 슬릿 센서들)을 이용하여 웨이버 수준(waver level)에서의 EUV 방사의 강도 분포를 측정함으로써 수행될 수 있는, EUV-리소그래피 시스템(1)의 광학 특성들의 측정들에 근거하여, EUV-반사 광학 소자들(9 내지 11, 13,14) 상의 오염층의 요구되는 형상을 계산하도록 제어 유닛(22') 또는 다른 계산 유닛(도시되지 않음)이 설계될 수 있다. 그러나, 도 2에서 도시되는 불연속적인 오염층(15)의 경우, 요구되는 형상의 생성을 위한 충분한 물질이 부족하기 때문에, 오염층(15)은 광학면(14a)으로부터 전부 제거된다.
탄소 외에, 웨이퍼(12) 상의 포토레지스트로부터 가스 방출하는 예를 들어 EUV 광원으로부터 방출되는 황화합물 또는 금속 수소화물인 다른 오염물들, 또는 세정 동안 특별한 물질들로부터 가스 방출하는 오염물들과 같은 다른 오염 물질들이 EUV-반사 광학 소자들에 또한 축적될 수 있다. 당업자는 위에서 설명된 방법들 및 장치들을 사용하여 이러한 오염들이 또한 효과적으로 제거되거나 또는 방지될 수 있음을 인식할 것이다.
바람직한 실시예에 관한 위의 설명은 예시로서 주어진 것이다. 주어진 개시로부터, 당업자는 본 발명을 이해할 수 있을 뿐만 아니라, 개시된 구조들 및 방법들에 대한 명백한 다양한 변화들 및 수정들을 찾게 될 것이다. 따라서, 출원인은, 첨부된 청구항들 및 그 균등물에 의해 정의되는 것으로서, 본 발명의 기술적 사상과 범위 내의 모든 이러한 변화들 및 수정들을 포함하려 한다.

Claims (39)

  1. EUV-반사 광학 소자(14)의 광학면(14a) 상의 오염층(15)을 향하는 세정 가스의 제트(20)를 생성하기 위한 세정 가스 생성기(19) 및,
    펄스화된 방식으로 세정 가스의 생성을 제어하고, EUV-반사 광학 소자(14)의 세정이 최적화되도록 세정 가스 펄스들(C1,C2)의 지속 시간(t1,t2) 및 그 다음의 세정 가스 펄스들(C1,C2) 사이의 지속 시간(Δt1, Δt2)을 제어하기 위한 제어 유닛(22)을 구비하며,
    상기 제어 유닛(22)은, 상기 EUV-반사 소자(14)에서의 또는 그 근방에서의 최대 온도(Tmax)가 초과되지 않도록 세정 가스 펄스들(C1,C2)의 지속 시간(t1) 및 그 다음의 세정 가스 펄스들(C1,C2) 사이의 지속 시간(Δt1)을 제어하는 것인 세정 가스 생성 장치.
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 EUV-반사 소자(14)에서의 또는 그 근방에서의 온도(T)를 검출하기 위한 온도 센서(28)를 더 구비하는 세정 가스 생성 장치.
  4. 청구항 1 또는 청구항 3에 있어서,
    상기 제어 유닛(22)은 수소 유도 가스방출 산물들의 생성이 방지되도록, 세정 가스 펄스들(C1,C2)의 지속 시간(t2) 및 그 다음의 세정 가스 펄스들(C1,C2) 사이의 지속 시간(Δt2)을 제어하는 것인 세정 가스 생성 장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    수소 유도 가스방출 산물들을 검출하기 위한 가스 검출기(36)를 더 구비하는 세정 가스 생성 장치.
  6. 청구항 1 또는 청구항 3에 있어서,
    상기 세정 가스 생성기(19)는 공급 가스의 활성화에 의하여 상기 세정 가스를 생성하기 위한 활성화 유닛(31,32,34,34a)을 구비하고, 상기 제어 유닛(22)은 공급 가스의 활성화 속도를 조정함으로써 세정 가스의 생성 속도를 제어하도록 설계되는 것인 세정 가스 생성 장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 활성화 유닛은 적어도 하나의 가열된 필라멘트(31)를 구비하고, 상기 제어 유닛(22)은 활성화 속도를 조정하기 위하여 상기 필라멘트(31)의 온도를 조절하도록 설계되는 것인 세정 가스 생성 장치.
  8. 청구항 6에 있어서,
    공급 가스 제공 유닛(30)을 더 구비하고, 상기 제어 유닛(22)은 상기 공급 가스 제공 유닛(30)으로부터 상기 활성화 유닛(31,32,34,34a)으로 공급되는 공급 가스의 유속을 제어하도록 설계되는 것인 세정 가스 생성 장치.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 공급 가스 제공 유닛(30)은, 10-3mbar로부터 1mbar까지의 범위 내의 압력으로 공급 가스를 제공하도록 설계되는 것인 세정 가스 생성 장치.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 적어도 하나의 EUV-반사 광학 소자(9 내지 11, 13, 14), 청구항 1 또는 청구항 3에 기재된 적어도 하나의 세정 가스 생성 장치를 구비하는, 포토 마스크(11) 상의 구조를 감광 기판(12) 상에 결상하기 위한 EUV-리소그래피 시스템.
  18. 청구항 17에 있어서,
    EUV 광원(5), EUV 광원(5)의 광경로(6) 내에 배치되는 EUV-반사 소자(9 내지 11,13,14), 광경로(6)의 외부에 배치되는 모니터링 유닛(23,24,23',23a,23b,24') 및/또는 세정 헤드(20,20b)를 더 구비하는 EUV-리소그래피 시스템.
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 삭제
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  30. 삭제
  31. 삭제
  32. EUV-반사 광학 소자(14)의 광학면(14a) 상의 오염층(15)을 향하는 세정 가스의 제트(20)를 생성하기 위한 방법으로서,
    펄스화된 방식으로 세정 가스의 생성 속도를 제어하고, EUV-반사 광학 소자(14)의 세정이 최적화되도록 세정 가스 펄스들(C1,C2)의 지속 시간(t1, t2) 및 그 다음의 세정 가스 펄스들(C1,C2) 사이의 지속 시간(Δt1, Δt2)을 제어하는 단계를 포함하며,
    상기 EUV-반사 소자(14)에서 또는 그 근방에서의 최대 온도(Tmax)가 초과되지 않도록 세정 가스 펄스들(C1,C2)의 지속 시간(t1)과 그 다음 세정 가스 펄스들(C1,C2) 사이의 지속 시간(Δt1)이 제어되는 것인 세정 가스의 제트(20)를 생성하기 위한 방법.
  33. 삭제
  34. 청구항 32에 있어서,
    수소 유도 가스방출 산물들의 생성이 방지되도록 세정 가스 펄스들(C1,C2)의 지속 시간(t2) 및 그 다음의 세정 가스 펄스들(C1,C2) 사이의 지속 시간(Δt2)이 제어되는 것인 세정 가스의 제트(20)를 생성하기 위한 방법.
  35. 청구항 32에 있어서,
    상기 세정 가스는 공급 가스를 활성화하여 생성되고, 세정 가스의 생성 속도는 펄스화된 방식으로 공급 가스의 활성화 속도를 조정함으로써 제어되는 것인 세정 가스의 제트(20)를 생성하기 위한 방법.
  36. 청구항 35에 있어서,
    상기 공급 가스를 활성화하기 위하여 가열된 필라멘트(31)가 사용되고, 상기 활성화 속도를 조정하기 위하여, 상기 필라멘트(31)의 온도가 제어되는 것인 세정 가스의 제트(20)를 생성하기 위한 방법.
  37. 청구항 35에 있어서,
    세정 가스의 생성 속도는 상기 공급 가스(31)의 유속(F)을 조정함으로써 제어되는 것인 세정 가스의 제트(20)를 생성하기 위한 방법.
  38. 청구항 35에 있어서,
    공급 가스의 압력은 10-3mbar로부터 1mbar까지의 범위 내에 선택되는 것인 세정 가스의 제트(20)를 생성하기 위한 방법.
  39. 삭제
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Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008000709B3 (de) * 2008-03-17 2009-11-26 Carl Zeiss Smt Ag Reinigungsmodul, EUV-Lithographievorrichtung und Verfahren zu seiner Reinigung
DE102009001488A1 (de) 2008-05-21 2009-11-26 Asml Netherlands B.V. Entfernen von Kontaminationen von optischen Oberflächen durch aktivierten Wasserstoff
DE102008028868A1 (de) 2008-06-19 2009-12-24 Carl Zeiss Smt Ag Optische Baugruppe
US8404135B2 (en) * 2008-08-26 2013-03-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Plasma cleaning for process chamber component refurbishment
JP5192946B2 (ja) * 2008-09-04 2013-05-08 川崎重工業株式会社 太陽熱発電設備における集光装置のクリーニング装置
DE102009045008A1 (de) 2008-10-15 2010-04-29 Carl Zeiss Smt Ag EUV-Lithographievorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten einer Maske
DE102009033319B4 (de) 2009-07-15 2019-02-21 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Partikelstrahl-Mikroskopiesystem und Verfahren zum Betreiben desselben
DE102009043824A1 (de) * 2009-08-21 2011-02-24 Asml Netherlands B.V. Reflektives optisches Element und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102009045170A1 (de) * 2009-09-30 2011-04-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflektives optisches Element und Verfahren zum Betrieb einer EUV-Lithographievorrichtung
JP5581648B2 (ja) * 2009-10-19 2014-09-03 株式会社明電舎 炭素汚染除去処理方法及び炭素汚染除去処理装置
JP5381607B2 (ja) * 2009-10-19 2014-01-08 富士通セミコンダクター株式会社 極端紫外光利用装置
WO2011135979A1 (ja) * 2010-04-28 2011-11-03 コニカミノルタオプト株式会社 撮像用レンズの製造方法
JP2011258950A (ja) * 2010-06-10 2011-12-22 Asml Netherlands Bv 水素ラジカルジェネレータ
DE102011079450A1 (de) 2011-07-20 2013-01-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung mit Degradationsunterdrückung
DE102011080409A1 (de) 2011-08-04 2012-12-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Entfernen von Schichten einer EUV-Strahlung reflektierenden Beschichtung von einem Substrat
DE102011083461A1 (de) 2011-09-27 2013-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Erzeugen einer Deckschicht aus Siliziumoxid an einem EUV-Spiegel
DE102011083462A1 (de) 2011-09-27 2013-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Spiegel mit einer Oxynitrid-Deckschicht mit stabiler Zusammensetzung
DE102011084152A1 (de) * 2011-10-07 2013-04-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Einstellung der Intensitätsverteilung in einem optischen System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie optisches System
KR20140107580A (ko) * 2011-12-23 2014-09-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 원자 수소로 기판 표면들을 세정하기 위한 방법들 및 장치
DE102012201075A1 (de) 2012-01-25 2013-07-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung, EUV-Lithographieanlage und Verfahren zum Konfigurieren einer optischen Anordnung
CN106933063B (zh) * 2012-03-20 2019-01-18 迈普尔平版印刷Ip有限公司 电子射束光刻系统
DE102012223669A1 (de) 2012-12-19 2013-11-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Wellenfrontkorrektur von beschichteten Spiegeln
WO2014130926A1 (en) 2013-02-25 2014-08-28 Kla-Tencor Corporation Methods and apparatus for cleaning objects in a chamber of an optical instrument by generating reactive ions using photon radiation
WO2014131016A1 (en) 2013-02-25 2014-08-28 Kla-Tencor Corporation Method and system for gas flow mitigation of molecular contamination of optics
US10953441B2 (en) * 2013-03-15 2021-03-23 Kla Corporation System and method for cleaning optical surfaces of an extreme ultraviolet optical system
KR102115543B1 (ko) 2013-04-26 2020-05-26 삼성전자주식회사 극자외선 광원 장치
WO2014207014A1 (de) * 2013-06-27 2014-12-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage sowie verfahren zur bearbeitung eines spiegels
DE102013226678A1 (de) 2013-12-19 2015-06-25 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Lithographiesystem und Transporteinrichtung zum Transport eines reflektiven optischen Elements
US9810991B2 (en) 2013-12-23 2017-11-07 Kla-Tencor Corporation System and method for cleaning EUV optical elements
CN104226637B (zh) * 2014-07-18 2016-06-01 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 用于清洗受污染光学元件的氢原子收集装置与清洗方法
DE102014216118A1 (de) 2014-08-13 2016-02-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Vakuum-System, insbesondere EUV-Lithographiesystem, und optisches Element
US20160062251A1 (en) * 2014-08-27 2016-03-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Cleaning apparatus of optical apparatus, optical apparatus, and exposure apparatus
KR102346227B1 (ko) 2014-11-19 2021-12-31 삼성전자주식회사 극자외선 광 생성 장치, 시스템 및 극자외선 광 생성 장치의 사용 방법
CN107107482B (zh) * 2014-12-26 2019-11-05 松下知识产权经营株式会社 三维形状造型物的制造方法
KR102427325B1 (ko) 2015-06-03 2022-08-01 삼성전자주식회사 노광 장치 및 노광 장치 세정 방법
US9776218B2 (en) * 2015-08-06 2017-10-03 Asml Netherlands B.V. Controlled fluid flow for cleaning an optical element
US9673042B2 (en) 2015-09-01 2017-06-06 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for in-situ cleaning of copper surfaces and deposition and removal of self-assembled monolayers
DE102015219939A1 (de) 2015-10-14 2016-10-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung eines Reinigungsgases, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zum Reinigen einer optischen Oberfläche
CN107030686B (zh) * 2016-02-04 2023-08-29 科沃斯机器人股份有限公司 自移动机器人系统及其方向校准方法
DE102016208850A1 (de) * 2016-05-23 2017-12-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit Elementen zur Plasmakonditionierung
US11152759B2 (en) * 2016-12-29 2021-10-19 Ipg Photonics Corporation High temperature optical molecular anti-contamination getter system
KR102102653B1 (ko) * 2017-03-14 2020-04-21 엘지전자 주식회사 전기습윤소자를 이용한 표면세정장치 및 이의 제어방법
WO2018169233A1 (en) 2017-03-14 2018-09-20 Lg Electronics Inc. Device for cleaning surface using electrowetting element and method for controlling the same
DE102017207030A1 (de) 2017-04-26 2018-10-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Reinigung von optischen Elementen für den ultravioletten Wellenlängenbereich
DE102017211539A1 (de) 2017-07-06 2019-01-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Entfernen einer Kontaminationsschicht durch einen Atomlagen-Ätzprozess
WO2019043773A1 (ja) 2017-08-29 2019-03-07 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
DE102018204364A1 (de) * 2018-03-22 2019-09-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung für die EUV-Lithographie
DE102018208653A1 (de) 2018-05-30 2019-12-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren sowie Vorrichtung zum Bestimmen des Erwärmungszustandes eines Spiegels in einem optischen System
TW202340495A (zh) 2019-02-11 2023-10-16 美商應用材料股份有限公司 物理氣相沉積方法
KR102244638B1 (ko) * 2019-04-18 2021-04-26 주식회사 에프에스티 오염방지 성능이 향상된 고차조화파를 이용한 극자외선 발생장치
KR20200133126A (ko) * 2019-05-17 2020-11-26 삼성전자주식회사 소스 용기용 잔류물 제거 장치
US11781238B2 (en) * 2019-05-20 2023-10-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for plate-up detection
CN113391521A (zh) * 2020-03-13 2021-09-14 长鑫存储技术有限公司 曝光机及曝光方法
US11385555B2 (en) * 2020-05-06 2022-07-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor manufacturing system and particle removal method
JP6844798B1 (ja) * 2020-05-26 2021-03-17 レーザーテック株式会社 光学装置、及び光学装置の汚染防止方法
DE102020208568A1 (de) * 2020-07-08 2022-01-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Entfernen eines einzelnen Partikels von einem Substrat
DE102021200130A1 (de) * 2021-01-09 2022-07-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Reinigen einer Oberfläche eines Bauteils für ein EUV-Lithographiesystem
DE102021201690A1 (de) * 2021-02-23 2022-08-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere für die EUV-Lithographie
KR20220132731A (ko) 2021-03-23 2022-10-04 삼성전자주식회사 극자외선 광원 시스템의 컬렉터 세정 방법
DE102021212874A1 (de) 2021-11-16 2023-05-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Abscheiden einer Deckschicht, EUV-Lithographiesystem und optisches Element

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006529057A (ja) * 2003-05-22 2006-12-28 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 少なくとも一つの光学要素を洗浄する方法および装置
US20070145297A1 (en) * 2005-12-22 2007-06-28 Asml Netherlands B.V. Method for cleaning a lithographic apparatus module, cleaning arrangement for a lithographic apparatus module and lithographic apparatus comprising the cleaning arrangement

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6192897B1 (en) * 1999-01-27 2001-02-27 Euv Llc Apparatus and method for in-situ cleaning of resist outgassing windows
JP2000346817A (ja) * 1999-06-07 2000-12-15 Nikon Corp 測定装置、照射装置および露光方法
TWI222248B (en) * 2000-10-16 2004-10-11 Cymer Inc Extreme ultraviolet light source
US6664554B2 (en) * 2001-01-03 2003-12-16 Euv Llc Self-cleaning optic for extreme ultraviolet lithography
WO2002084406A1 (en) * 2001-04-17 2002-10-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Euv-transparent interface structure
US6772776B2 (en) * 2001-09-18 2004-08-10 Euv Llc Apparatus for in situ cleaning of carbon contaminated surfaces
US6968850B2 (en) * 2002-07-15 2005-11-29 Intel Corporation In-situ cleaning of light source collector optics
JP2004061177A (ja) * 2002-07-25 2004-02-26 Canon Inc 光学装置及び測定方法、半導体デバイスの製造方法
DE60323927D1 (de) * 2002-12-13 2008-11-20 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
EP1431828A1 (en) * 2002-12-20 2004-06-23 ASML Netherlands B.V. Method for cleaning a surface of a component of a lithographic projection apparatus, lithographic projection apparatus, device manufacturing method and cleaning system
SG121847A1 (en) * 2002-12-20 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Method for cleaning a surface of a component of a lithographic projection apparatus, lithographic projection apparatus, device manufacturing method and cleaning system
JP2005057154A (ja) * 2003-08-07 2005-03-03 Canon Inc 露光装置
US7112546B2 (en) * 2003-09-02 2006-09-26 Texas Instruments Incorporated Method of manufacturing semiconductor devices comprising a deposition tool cleaning process having a moving plasma zone
EP1624467A3 (en) * 2003-10-20 2007-05-30 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7164144B2 (en) * 2004-03-10 2007-01-16 Cymer Inc. EUV light source
JP2005353986A (ja) * 2004-06-14 2005-12-22 Canon Inc 露光装置
US7355672B2 (en) * 2004-10-04 2008-04-08 Asml Netherlands B.V. Method for the removal of deposition on an optical element, method for the protection of an optical element, device manufacturing method, apparatus including an optical element, and lithographic apparatus
US7365349B2 (en) 2005-06-27 2008-04-29 Cymer, Inc. EUV light source collector lifetime improvements
US7372058B2 (en) * 2005-09-27 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Ex-situ removal of deposition on an optical element
US7986395B2 (en) * 2005-10-24 2011-07-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography apparatus and methods
US7629594B2 (en) * 2006-10-10 2009-12-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, and device manufacturing method
SG143180A1 (en) * 2006-11-22 2008-06-27 Apic Yamada Corporaton Resin molding machine and method of resin molding
DE102007037942A1 (de) 2007-08-11 2009-02-19 Carl Zeiss Smt Ag Optische Anordnung, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zum Bestimmen der Dicke einer Kontaminationsschicht

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006529057A (ja) * 2003-05-22 2006-12-28 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 少なくとも一つの光学要素を洗浄する方法および装置
US20070145297A1 (en) * 2005-12-22 2007-06-28 Asml Netherlands B.V. Method for cleaning a lithographic apparatus module, cleaning arrangement for a lithographic apparatus module and lithographic apparatus comprising the cleaning arrangement

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