JP7295260B2 - 多層吸収体を備えた極紫外線マスクブランクおよび製造方法 - Google Patents
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Description
［０００１］本開示は、一般に、極紫外線リソグラフィに関し、より具体的には、多層吸収体を備えた極紫外線マスクブランクおよび製造方法に関する。
［０００２］軟Ｘ線投影リソグラフィとしても知られる極紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィは、０．０１３５ミクロン以下の最小フィーチャサイズの半導体デバイスの製造に使用できる。しかしながら、一般に５～１００ナノメートルの波長範囲にある極紫外線は、事実上すべての材料に強く吸収される。そのため、極紫外線システムは、光の透過ではなく反射によって機能する。一連のミラー、すなわちレンズ要素、および非反射吸収体マスクパターンでコーティングされた反射要素、すなわちマスクブランクを使用することにより、パターニングされた化学線が、レジストコーティングされた半導体基板上へ反射される。
［０００３］極紫外線リソグラフィシステムのレンズ要素とマスクブランクは、モリブデンやケイ素などの材料の反射多層コーティングでコーティングされている。レンズ要素またはマスクブランクあたり約６５％の反射値が、非常に狭い紫外線バンドパス（例えば、１３．５ナノメートルの紫外線に対して１２．５～１４．５ナノメートルのバンドパス）内の光を強く反射する多層コーティングでコーティングされた基板を使用することによって得られた。
［０００４］図１は、マスクされていない部分でブラッグ干渉によってＥＵＶ放射を反射する、基板１４上の反射多層スタック１２を含むＥＵＶマスクブランクから形成された従来のＥＵＶ反射マスク１０を示している。ＥＵＶ反射マスク１０のマスクされた（非反射）領域１６は、バッファ層１８および吸収層２０をエッチングすることによって形成される。吸収層は通常、５１ｎｍから７７ｎｍの範囲の厚さを有している。キャッピング層２２が、反射多層スタック１２上に形成され、エッチングプロセス中に多層スタック１２を保護する。以下でさらに説明するように、ＥＵＶマスクブランクは、多層、キャッピング層、および吸収層でコーティングされた低熱膨張材料基板から作られ、次いで吸収層がエッチングされて、マスクされた（非反射）領域１６および反射領域２４を提供する。
［０００５］国際半導体技術ロードマップ（ＩＴＲＳ）は、ノードのオーバーレイ要件を、テクノロジの最小ハーフピッチフィーチャサイズのあるパーセンテージとして指定している。すべての反射リソグラフィシステムに固有の画像配置とオーバーレイ誤差への影響のため、ＥＵＶ反射マスクは、将来の生産のためにより精密な平坦度仕様に準拠する必要がある。さらに、３次元（３Ｄ）マスク効果の低減は、多層反射体と吸収体層を備えたＥＵＶ反射マスクを使用したＥＵＶリソグラフィでは非常に困難である。オーバーレイ誤差と３Ｄマスク効果の低減を可能にするＥＵＶ反射マスクとミラーを作製するために使用されるＥＵＶマスクブランクとＥＵＶマスクブランクを作製する方法を提供する必要がある。
［０００６］本開示の１つ以上の実施形態は、基板上に反射層の多層スタックを形成することであって、反射層の多層スタックは、複数の反射層対を含む、形成することと、反射層の多層スタック上にキャッピング層を形成することと、調整層と吸収体層のスタックを含む吸収体を形成することであって、キャッピング層上に調整層を形成することを含み、調整層は、調整層厚さｔＴＬを有する、形成することと、キャッピング層上に吸収体層のスタックを形成することであって、吸収体層のスタックは、厚さｔＡおよび屈折率ｎＡを有する第１の材料Ａならびに厚さｔＢおよび屈折率ｎＢを有する第２の材料Ｂの周期的二重層を含み、各二重層は、厚さｔＰ＝ｔＡ＋ｔＢを有する周期を定め、材料ＡおよびＢは、異なる材料であり、０．０１より大きいｎＡとｎＢの大きさの差があり、吸収体層のスタックが、Ｎ個の周期を含み、吸収体の厚さが、ｔａｂｓ＝Ｎ＊ｔＰ＋ｔＴＬである、形成することと、を含む、極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクを製造する方法を対象とする。
［０００７］本開示の追加の実施形態は、基板、基板上の反射層の多層スタックであって、複数の反射層対を含む反射層の多層スタック、反射層の多層スタック上のキャッピング層、調整層と吸収体層のスタックを含む吸収体であって、キャッピング層上に調整層を形成することを含み、調整層は、調整層厚さｔＴＬを有する、吸収体、ならびに厚さｔＡおよび屈折率ｎＡを有する第１の材料Ａならびに厚さｔＢおよび屈折率ｎＢを有する第２の材料Ｂの周期的二重層を含む吸収体層のスタックであって、各二重層は、厚さｔＰ＝ｔＡ＋ｔＢを有する周期を定め、材料ＡおよびＢは、異なる材料であり、０．０１より大きいｎＡとｎＢの大きさの差があり、吸収体層のスタックが、Ｎ個（Ｎは、１から１０の範囲である）の周期を含み、吸収体の厚さが、ｔａｂｓ＝Ｎ＊ｔＰ＋ｔＴＬである、吸収体層のスタック、を備える極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクを対象とする。
［０００８］本開示のさらなる実施形態は、極紫外線を生成する極紫外線光源、基板を含むレチクル、基板上の反射層の多層スタックであって、複数の反射層対を含む反射層の多層スタック、反射層の多層スタック上のキャッピング層、調整層と吸収体層のスタックを含む吸収体であって、キャッピング層上に調整層を形成することを含み、調整層は、調整層厚さｔＴＬを有する、吸収体、ならびに厚さｔＡおよび屈折率ｎＡを有する第１の材料Ａならびに厚さｔＢおよび屈折率ｎＢを有する第２の材料Ｂの周期的二重層を含む吸収体層のスタックであって、各二重層は、厚さｔＰ＝ｔＡ＋ｔＢを有する周期を定め、材料ＡおよびＢは、異なる材料であり、０．０１より大きいｎＡとｎＢの大きさの差があり、吸収体層のスタックが、Ｎ個（Ｎは、１から１０の範囲である）の周期を含み、吸収体の厚さが、ｔａｂｓ＝Ｎ＊ｔＰ＋ｔＴＬである、吸収体層のスタック、を備える極紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィシステムを対象とする。
［０００９］本開示の上記の特徴が詳細に理解されるように、上記で簡単に要約された本開示のより具体的な説明が、実施形態を参照することによって得られ、そのいくつかが、添付の図面に示されている。しかしながら、添付の図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示し、したがって、その範囲を限定すると見なされるべきではなく、本開示は、他の同等に有効な実施形態を認めることができることに留意されたい。
［００１６］本開示のいくつかの例示的な実施形態を説明する前に、本開示は、以下の説明に記載される構造またはプロセスステップの詳細に限定されないことを理解されたい。本開示は、他の実施形態が可能であり、様々な方法で実施または実行することができる。
［００１７］本明細書で使用される「水平」という用語は、その向きに関係なく、マスクブランクの平面または表面に平行な平面として定義される。「垂直」という用語は、上記で定義した水平と直角な方向を指す。「～より上」、「～より下」、「底部」、「頂部」、「側部」（「側壁」のような）、「より高い」、「より低い」、「上部」、「～の上」、「～の下」などの用語は、図に示すように、水平面に対して定義される。
［００１８］「上（ｏｎ）」という用語は、要素間に直接接触があることを示す。「直接上」という用語は、介在要素なしで要素間に直接接触があることを示す。
［００１９］本明細書および添付の特許請求の範囲で使用される場合、「前駆体」、「反応物」、「反応性ガス」などの用語は、基板表面と反応することができる任意のガス種を指すために交換可能に使用される。
［００２０］プロセス領域を説明するための「第１」および「第２」などの序数の使用は、処理チャンバ内の特定の位置、または処理チャンバ内の曝露の順序を意味しないことを、当業者は理解するであろう。
［００２１］ここで図２を参照すると、極紫外線リソグラフィシステム１００の例示的な実施形態が示されている。極紫外線リソグラフィシステム１００は、極紫外線１１２を生成する極紫外線光源１０２、一組の反射要素、およびターゲットウェハ１１０を含む。反射要素は、集光器１０４、ＥＵＶ反射マスク１０６、光学縮小アセンブリ１０８、マスクブランク、ミラー、またはそれらの組み合わせを含む。
［００２２］極紫外線光源１０２は、極紫外線１１２を生成する。極紫外線１１２は、５から５０ナノメートル（ｎｍ）の範囲の波長を有する電磁放射である。例えば、極紫外線光源１０２は、レーザー、レーザー生成プラズマ、放電生成プラズマ、自由電子レーザー、シンクロトロン放射、またはそれらの組み合わせを含む。
［００２３］極紫外線光源１０２は、様々な特性を有する極紫外線１１２を生成する。極紫外線光源１０２は、ある範囲の波長にわたって広帯域の極紫外線放射を生成する。例えば、極紫外線光源１０２は、５から５０ｎｍの範囲の波長を有する極紫外線１１２を生成する。
［００２４］１つ以上の実施形態では、極紫外線光源１０２は、狭い帯域幅を有する極紫外線１１２を生成する。例えば、極紫外線光源１０２は、１３．５ｎｍで極紫外線１１２を生成する。波長ピークの中心は、１３．５ｎｍである。
［００２５］集光器１０４は、極紫外線１１２を反射および集束するための光学ユニットである。集光器１０４は、極紫外線光源１０２からの極紫外線１１２を反射および集光して、ＥＵＶ反射マスク１０６に当てる。
［００２６］集光器１０４は単一の要素として示されているが、集光器１０４は、極紫外線１１２を反射および集光するための、凹面鏡、凸面鏡、平面鏡、またはそれらの組み合わせなどの１つ以上の反射要素を含むことができることが理解される。例えば、集光器１０４は、単一の凹面鏡であっても、または凸面、凹面、および平面の光学要素を有する光学アセンブリであってもよい。
［００２７］ＥＵＶ反射マスク１０６は、マスクパターン１１４を有する極紫外線反射要素である。ＥＵＶ反射マスク１０６は、リソグラフィパターンを生成して、ターゲットウェハ１１０上に形成される回路レイアウトを形成する。ＥＵＶ反射マスク１０６は、極紫外線１１２を反射する。マスクパターン１１４は、回路レイアウトの一部を画定する。
［００２８］光学縮小アセンブリ１０８は、マスクパターン１１４の画像を縮小するための光学ユニットである。ＥＵＶ反射マスク１０６からの極紫外線１１２の反射は、光学縮小アセンブリ１０８によって縮小され、ターゲットウェハ１１０上へ反射される。光学縮小アセンブリ１０８は、マスクパターン１１４の画像のサイズを縮小するためにミラーおよび他の光学要素を含むことができる。例えば、光学縮小アセンブリ１０８は、極紫外線１１２を反射および集束するための凹面鏡を含むことができる。
［００２９］光学縮小アセンブリ１０８は、ターゲットウェハ１１０上でのマスクパターン１１４の画像のサイズを縮小する。例えば、マスクパターン１１４は、ターゲットウェハ１１０上に光学縮小アセンブリ１０８によって４：１の比率で画像化されて、ターゲットウェハ１１０上にマスクパターン１１４によって表される回路を形成することができる。極紫外線１１２は、ターゲットウェハ１１０と同期して反射マスク１０６を走査して、ターゲットウェハ１１０上にマスクパターン１１４を形成することができる。
［００３０］次に図３を参照すると、極紫外線反射要素製造システム２００の実施形態が示されている。極紫外線反射要素は、ＥＵＶマスクブランク２０４、極紫外線（ＥＵＶ）ミラー２０５、またはＥＵＶ反射マスク１０６などの他の反射要素を含む。
［００３１］極紫外線反射要素製造システム２００は、マスクブランク、ミラー、または図２の極紫外線１１２を反射する他の要素を製造することができる。極紫外線反射要素製造システム２００は、ソース基板２０３に薄いコーティングを適用することによって反射要素を製造する。
［００３２］ＥＵＶマスクブランク２０４は、図２のＥＵＶ反射マスク１０６を形成するための多層構造である。ＥＵＶマスクブランク２０４は、半導体製造技術を使用して形成することができる。ＥＵＶ反射マスク１０６は、エッチングおよび他のプロセスによってマスクブランク２０４上に形成された、図２のマスクパターン１１４を有することができる。
［００３３］極紫外線ミラー２０５は、ある範囲の極紫外線を反射する多層構造である。極紫外線ミラー２０５は、半導体製造技術を使用して形成することができる。ＥＵＶマスクブランク２０４および極紫外線ミラー２０５は、各要素上に形成された層に関して同様の構造であり得るが、極紫外線ミラー２０５は、マスクパターン１１４を有さない。
［００３４］反射要素は、極紫外線１１２の効率的な反射体である。一実施形態では、ＥＵＶマスクブランク２０４および極紫外線ミラー２０５は、６０％より大きい極紫外線反射率を有する。反射要素は、極紫外線１１２の６０％より多くを反射する場合に効率的である。
［００３５］極紫外線反射要素製造システム２００は、ソース基板２０３がロードされ、反射要素がアンロードされるウェハローディングおよびキャリアハンドリングシステム２０２を含む。大気ハンドリングシステム２０６が、ウェハハンドリング真空チャンバ２０８へのアクセスを提供する。ウェハローディングおよびキャリアハンドリングシステム２０２は、基板搬送ボックス、ロードロック、および基板を大気からシステム内の真空に移送するための他の構成要素を含むことができる。ＥＵＶマスクブランク２０４は、非常に小さなスケールでデバイスを形成するために使用されるので、ソース基板２０３およびＥＵＶマスクブランク２０４は、汚染および他の欠陥を防ぐために真空システムで処理される。
［００３６］ウェハハンドリング真空チャンバ２０８は、２つの真空チャンバ、第１の真空チャンバ２１０および第２の真空チャンバ２１２を含むことができる。第１の真空チャンバ２１０は、第１のウェハハンドリングシステム２１４を含み、第２の真空チャンバ２１２は、第２のウェハハンドリングシステム２１６を含む。ウェハハンドリング真空チャンバ２０８は、２つの真空チャンバで説明されているが、システムは任意の数の真空チャンバを有することができることが理解される。
［００３７］ウェハハンドリング真空チャンバ２０８は、他の様々なシステムを取り付けるために、その周囲に複数のポートを有することができる。第１の真空チャンバ２１０は、デガスシステム２１８、第１の物理気相堆積システム２２０、第２の物理気相堆積システム２２２、および前洗浄システム２２４を有する。デガスシステム２１８は、基板から水分を加熱放出するためのものである。前洗浄システム２２４は、ウェハ、マスクブランク、ミラー、または他の光学部品の表面を洗浄するためのものである。
［００３８］第１の物理気相堆積システム２２０および第２の物理気相堆積システム２２２などの物理気相堆積システムを使用して、ソース基板２０３上に導電性材料の薄膜を形成することができる。例えば、物理気相堆積システムは、マグネトロンスパッタリングシステム、イオンスパッタリングシステム、パルスレーザー堆積、カソードアーク堆積、またはそれらの組み合わせなどの真空堆積システムを含むことができる。マグネトロンスパッタリングシステムなどの物理気相堆積システムは、ケイ素、金属、合金、化合物、またはそれらの組み合わせの層を含む薄層をソース基板２０３上に形成する。
［００３９］物理気相堆積システムは、反射層、キャッピング層、および吸収体層を形成する。例えば、物理気相堆積システムは、ケイ素、モリブデン、酸化チタン、二酸化チタン、酸化ルテニウム、酸化ニオブ、ルテニウムタングステン、ルテニウムモリブデン、ルテニウムニオブ、クロム、タンタル、窒化物、化合物、またはそれらの組み合わせの層を形成することができる。いくつかの化合物は酸化物として記載されているが、化合物は、酸化物、二酸化物、酸素原子を有する原子混合物、またはそれらの組み合わせを含み得ることが理解される。
［００４０］第２の真空チャンバ２１２は、それに接続された第１のマルチカソードソース２２６、化学気相堆積システム２２８、硬化チャンバ２３０、および超平滑堆積チャンバ２３２を有する。例えば、化学気相堆積システム２２８は、流動性化学気相堆積システム（ＦＣＶＤ）、プラズマ支援化学気相堆積システム（ＣＶＤ）、エアロゾル支援ＣＶＤ、ホットフィラメントＣＶＤシステム、または同様のシステムを含むことができる。別の例では、化学気相堆積システム２２８、硬化チャンバ２３０、および超平滑堆積チャンバ２３２は、極紫外線反射要素製造システム２００とは別のシステムにあることができる。
［００４１］化学気相堆積システム２２８は、ソース基板２０３上に材料の薄膜を形成することができる。例えば、化学気相堆積システム２２８を使用して、単結晶層、多結晶層、アモルファス層、エピタキシャル層、またはそれらの組み合わせを含む材料の層を、ソース基板２０３上に形成することができる。化学気相堆積システム２２８は、ケイ素、酸化ケイ素、オキシ炭化ケイ素、炭素、タングステン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化チタン、金属、合金、および化学気相堆積に適した他の材料の層を形成することができる。例えば、化学気相堆積システムは、平坦化層を形成することができる。
［００４２］第１のウェハハンドリングシステム２１４は、連続真空中で、大気ハンドリングシステム２０６と第１の真空チャンバ２１０の周囲の様々なシステムとの間でソース基板２０３を移動させることができる。第２のウェハハンドリングシステム２１６は、ソース基板２０３を連続真空中に維持しながら、ソース基板２０３を第２の真空チャンバ２１２の周りで移動させることができる。極紫外線反射要素製造システム２００は、連続真空中で、第１のウェハハンドリングシステム２１４と第２のウェハハンドリングシステム２１６との間で、ソース基板２０３およびＥＵＶマスクブランク２０４を移送することができる。
［００４３］次に図４を参照すると、極紫外線反射要素３０２の一実施形態が示されている。１つ以上の実施形態では、極紫外線反射要素３０２は、図３のＥＵＶマスクブランク２０４または図３の極紫外線ミラー２０５である。ＥＵＶマスクブランク２０４および極紫外線ミラー２０５は、図２の極紫外線１１２を反射するための構造体である。ＥＵＶマスクブランク２０４を使用して、図２に示されるＥＵＶ反射マスク１０６を形成することができる。
［００４４］極紫外線反射要素３０２は、基板３０４、反射層の多層スタック３０６、およびキャッピング層３０８を含む。１つ以上の実施形態では、極紫外線ミラー２０５を使用して、図２の集光器１０４または図２の光学縮小アセンブリ１０８で使用するための反射構造体を形成する。
［００４５］ＥＵＶマスクブランク２０４であり得る極紫外線反射要素３０２は、基板３０４、反射層の多層スタック３０６、キャッピング層３０８、および吸収体層３１０を含む。極紫外線反射要素３０２は、必要とされる回路のレイアウトで吸収体層３１０をパターニングすることにより図２の反射マスク１０６を形成するために使用されるＥＵＶマスクブランク２０４であり得る。
［００４６］以下のセクションでは、簡単にするために、ＥＵＶマスクブランク２０４の用語は、極紫外線ミラー２０５の用語と交換可能に使用される。１つ以上の実施形態では、マスクブランク２０４は、図２のマスクパターン１１４を形成するように吸収体層３１０が追加された極紫外線ミラー２０５の構成要素を含む。
［００４７］ＥＵＶマスクブランク２０４は、マスクパターン１１４を有する反射マスク１０６を形成するために使用される光学的に平坦な構造体である。１つ以上の実施形態では、ＥＵＶマスクブランク２０４の反射面は、図２の極紫外線１１２などの入射光を反射するための平坦な焦点面を形成する。
［００４８］基板３０４は、極紫外線反射要素３０２に構造的支持を提供するための要素である。１つ以上の実施形態では、基板３０４は、温度変化中の安定性を提供するために、低い熱膨張係数（ＣＴＥ）を有する材料から作られている。１つ以上の実施形態では、基板３０４は、機械的サイクリング、熱的サイクリング、結晶形成、またはそれらの組み合わせに対する安定性などの特性を有する。１つ以上の実施形態による基板３０４は、ケイ素、ガラス、酸化物、セラミック、ガラスセラミック、またはそれらの組み合わせなどの材料から形成されている。
［００４９］多層スタック３０６は、極紫外線１１２を反射する構造体である。多層スタック３０６は、第１の反射層３１２および第２の反射層３１４の交互の反射層を含む。
［００５０］第１の反射層３１２および第２の反射層３１４は、図４の反射対３１６を形成する。非限定的な実施形態では、多層スタック３０６は、２０～６０の範囲の反射対３１６を含み、合計で最大１２０の反射層になる。
［００５１］第１の反射層３１２および第２の反射層３１４は、様々な材料から形成することができる。一実施形態では、第１の反射層３１２および第２の反射層３１４は、それぞれ、ケイ素およびモリブデンから形成される。層はケイ素およびモリブデンとして示されているが、交互の層は他の材料から形成することができる、または他の内部構造を有することができることが理解される。
［００５２］第１の反射層３１２および第２の反射層３１４は、様々な構造を有することができる。一実施形態では、第１の反射層３１２および第２の反射層３１４の両方が、単一層、複数層、分割層構造、不均一構造、またはそれらの組み合わせで形成される。
［００５３］ほとんどの材料は極紫外線波長の光を吸収するので、使用される光学要素は、他のリソグラフィシステムで使用される透過性ではなく反射性である。多層スタック３０６は、ブラッグ反射体またはミラーを作製するために、異なる光学特性を有する材料の交互の薄層を有することによって、反射構造体を形成する。
［００５４］一実施形態では、交互の層のそれぞれは、極紫外線１１２に対して異なる光学定数を有する。交互の層の厚さの周期が、極紫外線１１２の波長の半分である場合、交互の層は、共鳴反射率を提供する。一実施形態では、１３ｎｍの波長の極紫外線１１２の場合、交互の層は、約６．５ｎｍの厚さである。提供されるサイズと寸法は、一般的な要素の通常の工学公差の範囲内であることが理解される。
［００５５］多層スタック３０６は、様々な方法で形成することができる。一実施形態では、第１の反射層３１２および第２の反射層３１４は、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリングシステム、パルスレーザー堆積、カソードアーク堆積、またはそれらの組み合わせで形成される。
［００５６］例示的な実施形態では、多層スタック３０６は、マグネトロンスパッタリングなどの物理気相堆積技術を使用して形成される。一実施形態では、多層スタック３０６の第１の反射層３１２および第２の反射層３１４は、正確な厚さ、小さい粗さ、および層間の清浄な界面を含む、マグネトロンスパッタリング技術によって形成される特性を有する。一実施形態では、多層スタック３０６の第１の反射層３１２および第２の反射層３１４は、正確な厚さ、小さい粗さ、および層間の清浄な界面を含む、物理気相堆積によって形成される特性を有する。
［００５７］物理気相堆積技術を使用して形成された多層スタック３０６の層の物理的寸法は、反射率を高めるように精密に制御することができる。一実施形態では、ケイ素の層などの第１の反射層３１２は、４．１ｎｍの厚さを有する。モリブデンの層などの第２の反射層３１４は、２．８ｎｍの厚さを有する。層の厚さは、極紫外線反射要素のピーク反射率波長を決定する。層の厚さが正しくない場合、目的の波長１３．５ｎｍでの反射率が低減され得る。
［００５８］一実施形態では、多層スタック３０６は、６０％より大きい反射率を有する。一実施形態では、物理気相堆積を使用して形成された多層スタック３０６は、６６％～６７％の範囲の反射率を有する。１つ以上の実施形態では、より硬い材料で形成されたキャッピング層３０８を多層スタック３０６上に形成することにより、反射率が改善される。いくつかの実施形態では、７０％より大きい反射率が、粗さの小さい層、層間の清浄な界面、改良された層材料、またはそれらの組み合わせを使用して達成される。
［００５９］１つ以上の実施形態では、キャッピング層３０８は、極紫外線１１２の透過を可能にする保護層である。一実施形態では、キャッピング層３０８は、多層スタック３０６の直接上に形成される。１つ以上の実施形態では、キャッピング層３０８は、多層スタック３０６を汚染物質および機械的損傷から保護する。一実施形態では、多層スタック３０６は、酸素、炭素、炭化水素、またはそれらの組み合わせによる汚染に敏感である。一実施形態によるキャッピング層３０８は、汚染物質と相互作用してそれらを中和する。
［００６０］１つ以上の実施形態では、キャッピング層３０８は、極紫外線１１２に対して透明である光学的に均一な構造体である。極紫外線１１２は、キャッピング層３０８を通過して、多層スタック３０６で反射する。１つ以上の実施形態では、キャッピング層３０８は、１％から２％の総反射損失を有する。１つ以上の実施形態では、異なる材料のそれぞれが、厚さに応じて異なる反射損失を有するが、それらの全てが、１％から２％の範囲にあるであろう。
［００６１］１つ以上の実施形態では、キャッピング層３０８は、滑らかな表面を有する。例えば、キャッピング層３０８の表面は、０．２ｎｍＲＭＳ（二乗平均平方根測定）未満の粗さを有することができる。別の例では、キャッピング層３０８の表面は、１／１００ｎｍから１／１μｍの範囲の長さに対して０．０８ｎｍＲＭＳの粗さを有する。ＲＭＳ粗さは、測定範囲によって異なる。１００ｎｍから１ミクロンの特定の範囲では、粗さは、０．０８ｎｍ以下である。範囲が広いほど、粗さが大きくなる。
［００６２］キャッピング層３０８は、様々な方法で形成することができる。一実施形態では、キャッピング層３０８は、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリングシステム、イオンビーム堆積、電子ビーム蒸発、高周波（ＲＦ）スパッタリング、原子層堆積（ＡＬＤ）、パルスレーザー堆積、カソードアーク堆積、またはそれらの組み合わせを用いて、多層スタック３０６上または直接上に形成される。１つ以上の実施形態では、キャッピング層３０８は、正確な厚さ、小さい粗さ、および層間の清浄な界面を含む、マグネトロンスパッタリング技術によって形成される物理的特性を有する。一実施形態では、キャッピング層３０８は、正確な厚さ、小さい粗さ、および層間の清浄な界面を含む、物理気相堆積によって形成される物理的特性を有する。
［００６３］１つ以上の実施形態では、キャッピング層３０８は、洗浄中の侵食に抵抗するのに十分な硬度を有する様々な材料から形成される。一実施形態では、ルテニウムは、良好なエッチング停止物であり、動作条件下で比較的不活性であるので、キャッピング層材料として使用される。しかしながら、他の材料を使用してキャッピング層３０８を形成することができることが理解される。特定の実施形態では、キャッピング層３０８は、２．５から５．０ｎｍの範囲の厚さを有する。
［００６４］１つ以上の実施形態では、吸収体層３１０は、極紫外線１１２を吸収する層である。一実施形態では、吸収体層３１０は、極紫外線１１２を反射しない領域を提供することによって、反射マスク１０６上にパターンを形成するために使用される。吸収体層３１０は、１つ以上の実施形態によれば、約１３．５ｎｍなどの極紫外線１１２の特定の周波数に対して高い吸収係数を有する材料を含む。一実施形態では、吸収体層３１０は、キャッピング層３０８の直接上に形成され、吸収体層３１０は、フォトリソグラフィプロセスを使用してエッチングされて、反射マスク１０６のパターンを形成する。
［００６５］１つ以上の実施形態によれば、極紫外線ミラー２０５などの極紫外線反射要素３０２は、基板３０４、多層スタック３０６、およびキャッピング層３０８で形成される。極紫外線ミラー２０５は、光学的に平坦な表面を有し、極紫外線１１２を効率的かつ均一に反射することができる。
［００６６］１つ以上の実施形態によれば、ＥＵＶマスクブランク２０４などの極紫外線反射要素３０２は、基板３０４、多層スタック３０６、キャッピング層３０８、および吸収体層３１０で形成される。マスクブランク２０４は、光学的に平坦な表面を有し、極紫外線１１２を効率的かつ均一に反射することができる。一実施形態では、マスクパターン１１４は、マスクブランク２０４の吸収体層３１０で形成される。
［００６７］１つ以上の実施形態によれば、キャッピング層３０８の上に吸収体層３１０を形成することは、反射マスク１０６の信頼性を高める。キャッピング層３０８は、吸収体層３１０のエッチング停止層として機能する。図２のマスクパターン１１４が、吸収体層３１０にエッチングされるとき、吸収体層３１０の下のキャッピング層３０８が、エッチング作用を停止させて、多層スタック３０６を保護する。
［００６８］次に図５を参照すると、極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク４００は、基板４１４、基板４１４上の反射層４１２の多層スタックであって、複数の反射層対を含む反射層４１２の多層スタックを含むものとして示されている。ＥＵＶマスクブランク４００は、反射層４１２の多層スタック上にキャッピング層４２２をさらに含み、キャッピング層４２２上の調整層４２０ａと、調整層４２０ａ上の吸収体層４２０ｂ、４２０ｃ、４２０ｄおよび４２０ｅのスタックとを含む吸収体４２０が存在する。吸収体層のスタックは、厚さｔＡおよび屈折率ｎＡを有する第１の材料Ａと、厚さｔＢおよび屈折率ｎＢを有する第２の材料Ｂとの周期的二重層を含む。各二重層は、２つの層（例えば、４２０ｂと４２０ｃまたは４２０ｄと４２０ｅ）を含む。したがって、層４２０ｂおよび層４２０ｄは、第１の材料Ａを含み、各層４２０ｂおよび４２０ｄは、厚さｔＡを有する。層４２０ｃおよび層４２０ｅは、第２の材料Ｂを含み、各層４２０ｃおよび４２０ｅは、厚さｔＢを有する。各二重層は、厚さｔＰ＝ｔＡ＋ｔＢを有する周期を定義する。したがって、周期は、層４２０ｂおよび層４２０ｃを含み、別の周期は、層４２０ｄおよび層４２０ｅを含む。１つ以上の実施形態では、材料ＡおよびＢは、異なる材料であり、０．０１より大きいｎＡとｎＢの大きさの差がある。吸収体層のスタックは、Ｎ個の周期を含む。いくつかの実施形態では、Ｎは、１から２０、２から１５、２から１０、２から９、２から６、または２から５の範囲にある。吸収体の厚さｔａｂｓ＝Ｎ＊ｔＰ＋ｔＴＬである。１つ以上の実施形態によれば、「周期的」とは、周期が少なくとも１回同一に繰り返されることを指し、これは、層４２０ｂの厚さおよび組成が層４２０ｄと同一であり、層４２０ｃの厚さが層４２０ｅと同一であることを意味する。
［００６９］一実施形態では、複数の反射層対は、モリブデン（Ｍｏ）含有材料およびケイ素（Ｓｉ）含有材料から選択される材料から作製され、材料Ａおよび材料Ｂは、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、イリジウム（Ｉｒ）、鉄（Ｆｅ）、スズ（Ｓｎ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、アクチニウム（Ａｃ）、テルル（Ｔｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、タングステン（Ｗ）、炭素（Ｃ）、ガリウム（Ｇａ）、およびホウ素（Ｂ）、ならびにそれらの合金、炭化物、ホウ化物、窒化物、ケイ化物、および酸化物からなる群から選択される材料から作製される。
［００７０］１つ以上の実施形態によれば、調整層４２０ａは、材料Ａまたは材料Ｂを含み、ｔＡとは異なる厚さを有し、厚さを調整することにより、調整可能な吸収度が吸収体に提供される。いくつかの実施形態では、吸収体の厚さｔａｂｓは、５ｎｍより大きく３０ｎｍ未満、２５ｎｍ未満、２４ｎｍ未満、２３ｎｍ未満、２２ｎｍ未満、２１ｎｍ未満、または２０ｎｍ未満である。１つ以上の実施形態では、材料Ａが、ＡｇまたはＳｂを含み、材料Ｂが、Ｔｅ、Ｔａ、またはＧｅを含む。１つ以上の実施形態では、材料Ａが、ＡｇまたはＧａＳｂを含み、材料Ｂが、ＺｎＴｅを含む。
［００７１］１つ以上の実施形態では、ｔＡは、１ｎｍから５ｎｍの範囲にあり、ｔＢは、１ｎｍから５ｎｍの範囲にある。１つ以上の実施形態では、吸収体層４２０ｂ、４２０ｃ、４２０ｄおよび４２０ｅのそれぞれが、０．１ｎｍから１０ｎｍの範囲、例えば、１ｎｍから５ｎｍの範囲、または１ｎｍから３ｎｍの範囲の厚さを有する。１つ以上の特定の実施形態では、調整層４２０ａの厚さは、１ｎｍから７ｎｍ、１ｎｍから６ｎｍ、１ｎｍから５ｎｍ、１ｎｍから４ｎｍ、１ｎｍから３ｎｍ、または１ｎｍから２ｎｍの範囲である。
［００７２］１つ以上の実施形態によれば、吸光度により、および吸収層の多層スタックからの光との相殺的干渉によって引き起こされる位相変化により、極紫外線が吸収されるように、異なる吸収体材料および吸収体層の厚さが選択される。図５に示される実施形態は、２つの吸収体層対または２つの周期、４２０ｂ／４２０ｃおよび４２０ｄ／４２０ｅを示しているが、本開示は、特定の数の吸収体層対または周期に限定されない。１つ以上の実施形態によれば、ＥＵＶマスクブランク４００は、１から１０、１から９、または５から６０の範囲の吸収体層対を含むことができる。
［００７３］１つ以上の実施形態によれば、吸収体層は、２％未満の反射率および他のエッチング特性を提供する厚さを有する。供給ガスを使用して、吸収体層の材料特性をさらに変更することができ、例えば、窒素（Ｎ２）ガスを使用して、上記で提供された材料の窒化物を形成することができる。１つ以上の実施形態による吸収体層の多層スタックは、ＥＵＶ光が、吸光度によって吸収されるだけでなく、より良いコントラストを提供するために、下にある多層スタック反射材料からの光と相殺的に干渉する多層吸収体スタックによって引き起こされる位相変化によって吸収されるような、異なる材料の個々の厚さの反復パターンである。
［００７４］本開示の別の態様は、基板上に反射層の多層スタックを形成することであって、反射層の多層スタックは、複数の反射層対を含む、形成することと、反射層の多層スタック上にキャッピング層を形成することと、調整層と吸収体層のスタックを含む吸収体を形成することであって、キャッピング層上に調整層を形成することを含み、調整層は、調整層厚さｔＴＬを有する、形成することと、キャッピング層上に吸収体層のスタックを形成することであって、吸収体層のスタックは、厚さｔＡおよび屈折率ｎＡを有する第１の材料Ａならびに厚さｔＢおよび屈折率ｎＢを有する第２の材料Ｂの周期的二重層を含み、各二重層は、厚さｔＰ＝ｔＡ＋ｔＢを有する周期を定め、材料ＡおよびＢは、異なる材料であり、０．０１より大きいｎＡとｎＢの大きさの差があり、吸収体層のスタックは、Ｎ個の周期を含み、吸収体の厚さが、ｔａｂｓ＝Ｎ＊ｔＰ＋ｔＴＬである、形成することと、を含む、極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクを製造する方法に関する。
［００７５］この方法のいくつかの実施形態では、複数の反射層対は、モリブデン（Ｍｏ）含有材料およびケイ素（Ｓｉ）含有材料から選択される材料から作製され、材料Ａおよび材料Ｂは、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、イリジウム（Ｉｒ）、鉄（Ｆｅ）、スズ（Ｓｎ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、アクチニウム（Ａｃ）、テルル（Ｔｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、タングステン（Ｗ）、炭素（Ｃ）、ガリウム（Ｇａ）、およびホウ素（Ｂ）、ならびにそれらの合金、炭化物、ホウ化物、窒化物、ケイ化物、および酸化物からなる群から選択される材料から作製される。この方法のいくつかの実施形態では、調整層は、材料Ａまたは材料Ｂを含み、ｔＡとは異なる厚さを有し、厚さを調整することにより、調整可能な吸収度が吸収体に提供される。
［００７６］この方法のいくつかの実施形態では、ｔａｂｓは、３０ｎｍ未満である。特定の方法の実施形態では、材料Ａは、ＡｇまたはＳｂを含み、材料Ｂは、Ｔｅ、Ｔａ、またはＧｅを含む。他の特定の方法の実施形態では、材料Ａは、ＡｇまたはＧａＳｂを含み、材料Ｂは、ＺｎＴｅを含む。いくつかの方法の実施形態では、ｔＡは、１ｎｍから５ｎｍの範囲にあり、ｔＢは、１ｎｍから５ｎｍの範囲にある。いくつかの方法の実施形態では、Ｎは、１から１０の範囲にある。
［００７７］別の特定の方法の実施形態では、異なる吸収体層は、第１の吸収体材料を含む第１のカソードと第２の吸収体材料を含む第２のカソードとを有する物理気相堆積チャンバ内で形成される。ここで図６を参照すると、一実施形態による、マルチカソードソースチャンバ５００の上部が示されている。第１のマルチカソードチャンバ５００は、上部アダプタ５０４が被せられた円筒形の本体部分５０２を備えたベース構造５０１を含む。上部アダプタ５０４は、上部アダプタ２０４の周りに配置された、カソードソース５０６、５０８、５１０、５１２、および５１４などのいくつかのカソードソースのための設備を有する。
［００７８］マルチカソードソースチャンバ５００は、図３に示されるシステムの一部であり得る。一実施形態では、極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク製造システムは、真空を生成するための基板ハンドリング真空チャンバ、基板ハンドリング真空チャンバ内にロードされた基板を真空内で搬送するための基板ハンドリングプラットフォーム、および本明細書に記載されるような、ＥＵＶマスクブランクを形成するための、基板ハンドリングプラットフォームによってアクセスされる複数のサブチャンバを含む。このシステムを使用して、図４または図５に関して示されたＥＵＶマスクブランクであって、上記の図４または図５に関して説明されたＥＵＶマスクブランクに関して説明された特性のいずれかを有するＥＵＶマスクブランクを作製することができる。
［００７９］次に、吸収体の特定の非限定的な構成について説明する。第１の構成では、周期的二重層は、２．８ｎｍの厚さを有するＴｅの調整層上に、３ｎｍの厚さを有するＡｇを含む材料Ａおよび４ｎｍの厚さを有するＴｅを含む材料Ｂの３周期を含む。調整層ならびに３周期の材料層Ａおよび材料層Ｂを含む吸収体は、全体の厚さが２３．８ｎｍである。１３．４０～１３．６７ｎｍの波長範囲での最大反射率は０．９％であると確定された。
［００８０］第２の構成では、周期的二重層は、４．４ｎｍの厚さを有するＳｂの調整層上に、３ｎｍの厚さを有するＳｂを含む材料Ａおよび４ｎｍの厚さを有するＴａを含む材料Ｂの３周期を含む。調整層ならびに３周期の材料層Ａおよび材料層Ｂを含む吸収体は、全体の厚さが２５．４ｎｍである。１３．４０～１３．６７ｎｍの波長範囲での最大反射率は１．８％であると確定された。
［００８１］第３の構成では、周期的二重層は、１．５ｎｍの厚さを有するＳｂの調整層上に、３ｎｍの厚さを有するＳｂを含む材料Ａおよび４ｎｍの厚さを有するＧｅを含む材料Ｂの４周期を含む。調整層ならびに４周期の材料層Ａおよび材料層Ｂを含む吸収体は、全体の厚さが２９．５ｎｍである。１３．４０～１３．６７ｎｍの波長範囲での最大反射率は１．９％であると確定された。
［００８２］第４の構成では、周期的二重層は、２．４ｎｍの厚さを有するＺｎＴｅの調整層上に、３ｎｍの厚さを有するＡｇを含む材料Ａおよび４ｎｍの厚さを有するＺｎＴｅを含む材料Ｂの３周期を含む。調整層ならびに３周期の材料層Ａおよび材料層Ｂを含む吸収体は、全体の厚さが２３．４ｎｍである。１３．４０～１３．６７ｎｍの波長範囲での最大反射率は１．６％であると確定された。
［００８３］第５の構成では、周期的二重層は、２．６ｎｍの厚さを有するＺｎＴｅの調整層上に、３ｎｍの厚さを有するＧａＳｂを含む材料Ａおよび４ｎｍの厚さを有するＺｎＴｅを含む材料Ｂの３周期を含む。調整層ならびに３周期の材料層Ａおよび材料層Ｂを含む吸収体は、全体の厚さが２３．６ｎｍである。１３．４０～１３．６７ｎｍの波長範囲での最大反射率は１．５％であると確定された。
［００８４］上記の５つの構成のそれぞれが、１３．４０～１３．６７ｎｍの波長範囲で７．５％の最大反射率を示した、厚さが３０ｎｍの単層ＴａＮ吸収体と比べて勝っている。ＴａＮ単層を厚くして４７ｎｍにすると、１３．４０～１３．６７ｎｍの波長範囲で２．２％の最大反射率が得られた。２％未満の反射率を得るために、ＴａＮ単層は、４８ｎｍの厚さで作製され、これは、１３．４０～１３．６７ｎｍの波長範囲で１．６％の最大反射率を示した。
［００８５］したがって、本開示の実施形態は、交互の吸収体材料ＡおよびＢの周期的スタックの下の調整層の厚さを制御することによって調整することができる調整可能な吸収度を有する積み重ねられた吸収体を提供する。例えば、Ｓｂ調整層は、３．７ｎｍから５．７ｎｍまでの間で変化することができる。調整層の厚さを変えることにより、最大吸収度の波長を線形に調整することができる。調整層ならびに第１の材料層Ａおよび第２の材料層Ｂの周期的二重層を含む本明細書に記載の吸収体構造は、幅広く選択された材料がＥＵＶマスクブランクの厳しい仕様を満たすことを可能にする。詳細には、３０ｎｍ未満または２５ｎｍ未満の全体の厚さ（調整層の厚さプラス複数の二重層の厚さ）を有する高吸収効率の吸収体が、１つ以上の実施形態に従って提供される。
［００８６］本明細書全体を通して「一実施形態」、「特定の実施形態」、「１つ以上の実施形態」または「実施形態」への言及は、実施形態に関連して説明された特定の特徴、構造、材料、または特性が本開示の少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。したがって、本明細書全体の様々な場所での「１つ以上の実施形態において」、「特定の実施形態において」、「一実施形態において」または「実施形態において」などの句の出現は、必ずしも本開示の同じ実施形態を指すとは限らない。さらに、特定の特徴、構造、材料、または特性は、１つ以上の実施形態において任意の適切な方法で組み合わせることができる。
［００８７］本明細書の開示は、特定の実施形態を参照して説明されてきたが、これらの実施形態は、本開示の原理および適用の単なる例示であることが理解されるべきである。本開示の精神および範囲から逸脱することなく、本開示の方法および装置に様々な修正および変形を行うことができることが、当業者には明らかであろう。したがって、本開示は、添付の特許請求の範囲およびそれらの同等物の範囲内である修正および変形を含むことが意図される。
Claims (13)
- 極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクを製造する方法であって、
複数の反射層対を含む反射層の多層スタックを基板上に形成することと、
反射層の前記多層スタック上にキャッピング層を形成することと、
厚さを調整することにより吸収度を調整するための調整層と吸収体層のスタックを含む吸収体を形成することであって、前記キャッピング層上に前記調整層を形成することを含み、前記調整層が調整層厚さｔＴＬを有する、吸収体を形成することと、
前記キャッピング層上に吸収体層の前記スタックを形成することであって、吸収体層の前記スタックが、厚さｔＡおよび屈折率ｎＡを有する第１の材料Ａならびに厚さｔＢおよび屈折率ｎＢを有する第２の材料Ｂの周期的二重層を含み、各二重層が、厚さｔＰ＝ｔＡ＋ｔＢを有する周期を定め、前記第１の材料Ａと前記第２の材料Ｂが、異なる材料であり、ｎＡとｎＢの大きさの差が、０．０１より大きく、吸収体層の前記スタックが、Ｎ個の周期を含み、前記吸収体の厚さが、ｔａｂｓ＝Ｎ＊ｔＰ＋ｔＴＬである、吸収体層の前記スタックを形成することと、
を含み、
ｔ ａｂｓ が、３０ｎｍ未満である、
方法。 - 前記複数の反射層対が、モリブデン（Ｍｏ）含有材料およびケイ素（Ｓｉ）含有材料から選択される材料から作製され、前記第１の材料Ａおよび前記第２の材料Ｂが、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、イリジウム（Ｉｒ）、鉄（Ｆｅ）、スズ（Ｓｎ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、アクチニウム（Ａｃ）、テルル（Ｔｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、タングステン（Ｗ）、炭素（Ｃ）、ガリウム（Ｇａ）、およびホウ素（Ｂ）、ならびにそれらの合金、炭化物、ホウ化物、窒化物、ケイ化物、および酸化物からなる群から選択される材料から作製される、請求項１に記載の方法。
- 前記調整層が、前記第１の材料Ａまたは前記第２の材料Ｂを含み、ｔＡとは異なる厚さを有し、前記厚さを調整することにより、調整可能な吸収度が前記吸収体に提供される、請求項１に記載の方法。
- 前記第１の材料Ａが、ＡｇまたはＳｂを含み、前記第２の材料Ｂが、Ｔｅ、Ｔａ、またはＧｅを含む、請求項１に記載の方法。
- 前記第１の材料Ａが、ＡｇまたはＧａＳｂを含み、前記第２の材料Ｂが、ＺｎＴｅを含む、請求項１に記載の方法。
- ｔＡが、１ｎｍから５ｎｍまでの範囲にあり、ｔＢが、１ｎｍから５ｎｍまでの範囲にある、請求項１に記載の方法。
- Ｎが、１から１０までの範囲にある、請求項１に記載の方法。
- 基板、
前記基板上の反射層の多層スタックであって、複数の反射層対を含む反射層の多層スタック、
反射層の前記多層スタック上のキャッピング層、
厚さを調整することにより吸収度を調整するための調整層および吸収体層のスタックを含む吸収体であって、前記キャッピング層上に前記調整層を形成することを含み、前記調整層が、調整層厚さｔＴＬを有する、吸収体、ならびに
厚さｔＡおよび屈折率ｎＡを有する第１の材料Ａならびに厚さｔＢおよび屈折率ｎＢを有する第２の材料Ｂの周期的二重層を含む吸収体層の前記スタックであって、各二重層が、厚さｔＰ＝ｔＡ＋ｔＢを有する周期を定め、前記第１の材料Ａと前記第２の材料Ｂが、異なる材料であり、ｎＡとｎＢの大きさの差が、０．０１より大きく、吸収体層の前記スタックが、Ｎ個の周期を含み、Ｎが、１から１０までの範囲にあり、前記吸収体の厚さが、ｔａｂｓ＝Ｎ＊ｔＰ＋ｔＴＬである、吸収体層の前記スタック、
を備え、
ｔ ａｂｓ が、３０ｎｍ未満である、
極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。 - 前記複数の反射層対が、モリブデン（Ｍｏ）含有材料およびケイ素（Ｓｉ）含有材料から選択される材料から作製され、前記第１の材料Ａおよび前記第２の材料Ｂが、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、イリジウム（Ｉｒ）、鉄（Ｆｅ）、スズ（Ｓｎ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、アクチニウム（Ａｃ）、テルル（Ｔｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、タングステン（Ｗ）、炭素（Ｃ）、ガリウム（Ｇａ）、およびホウ素（Ｂ）、ならびにそれらの合金、炭化物、ホウ化物、窒化物、ケイ化物、および酸化物からなる群から選択される材料から作製される、請求項８に記載の極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
- 前記調整層が、前記第１の材料Ａまたは前記第２の材料Ｂを含み、ｔＡとは異なる厚さを有し、前記厚さを調整することにより、調整可能な吸収度が前記吸収体に提供される、請求項８に記載の極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
- 前記第１の材料Ａが、ＡｇまたはＳｂを含み、前記第２の材料Ｂが、Ｔｅ、Ｔａ、またはＧｅを含む、請求項８に記載の極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
- 前記第１の材料Ａが、ＡｇまたはＧａＳｂを含み、前記第２の材料Ｂが、ＺｎＴｅを含む、請求項８に記載の極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
- ｔＡが、１ｎｍから５ｎｍまでの範囲にあり、ｔＢが、１ｎｍから５ｎｍまでの範囲にあり、Ｎが、１から１０までの範囲にある、請求項８に記載の極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
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