KR20210079296A

KR20210079296A - 검사 장치

Info

Publication number: KR20210079296A
Application number: KR1020217012200A
Authority: KR
Inventors: 파벨 사피노브스키; 데르크 세르바티우스 제르트루다 브로운스
Original assignee: 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date: 2018-10-23
Filing date: 2019-10-17
Publication date: 2021-06-29
Also published as: US11474438B2; CN112912796A; US20210382396A1; SG11202103468VA; IL282440A; CA3117253A1; TW202034066A; US20230004093A1; NL2024032A; TW202405555A; TWI819127B; JP2022504385A; NL2024032B1; EP3871043A1; WO2020083731A1

Abstract

EUV 리소그래피 장치에서의 사용을 위하여 펠리클과 같은 대상물을 검사하기 위한 검사 장치가 제공되며, 검사 장치는 - 진공 챔버; - 진공 챔버와 주변 환경 사이에 계면을 형성하는 로드 록; 및 - 로드 록으로부터 대상물을 수용하고 진공 챔버 내부에서 대상물을 이동시키도록 구성된 스테이지 장치를 포함하며, 진공 챔버는 대상물을 일시적으로 보관하기 위하여 제1 파킹 위치 및 제2 파킹 위치를 포함한다.

Description

검사 장치

관련 출원에 대한 상호 참조

본 출원은 2018년 10월 23일에 출원된 EP 출원 18202014.9 및 2019년 1월 11일에 출원된 EP 출원 19151427.2의 우선권을 주장하며, 이들은 본 명세서에서 그 전문이 인용 참조된다.

본 발명은 대상물, 특히 EUV 리소그래피 장치를 사용하는 집적 회로의 제조에 사용되는 대상물의 검사를 위하여 사용될 수 있는 검사 툴 또는 장치에 관한 것이다. 특히, 검사 툴 또는 장치는 패터닝된 레티클을 오염으로부터 차폐하기 위해 EUV 리소그래피 장치에서 사용되는 펠리클을 검사하는 데 사용될 수 있다.

리소그래피 장치는 기판 상으로 원하는 패턴을 적용하도록 구성된 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)에 있는 패턴을 기판 상에 제공된 방사선-감응 물질(레지스트)의 층 상으로 투영할 수 있다.

패턴을 기판에 투영하기 위해 리소그래피 장치는 전자기 방사선을 사용할 수 있다. 이 방사선의 파장은 기판에 형성될 수 있는 피처의 최소 크기를 결정한다. 4 내지 20㎚ 범위 내, 예를 들어 6.7㎚ 또는 13.5㎚의 파장을 갖는 극자외(EUV) 방사선을 사용하는 리소그래피 장치는, 예를 들어 193㎚의 파장을 갖는 방사선을 사용하는 리소그래피 장치보다 기판에 더 작은 피처를 형성하기 위해 사용될 수 있다.

EUV 리소그래피 장치의 경우에, 언급된 바와 같은 패터닝 디바이스는 흔히 펠리클에 차폐된다. 펠리클의 적용 전에, 펠리클이 사양을 충족하는지 평가하기 위해 펠리클은 자격 검증(qualification) 또는 검사 공정을 거칠 필요가 있다.

공지된 배열체에서, 이러한 자격 검증 공정은 상당히 시간 소모적일 수 있으며 필요한 정확도를 갖지 못할 수 있다.

본 발명의 목적은 펠리클과 같은 대상물의 검사를 위한 검사 장치를 제공하는 것이며, 이에 의하여 처리 시간이 감소되고 및/또는 정확도가 개선된다.

본 발명의 제1 양태에 따르면, EUV 리소그래피 장치에서의 사용을 위하여 펠리클과 같은 대상물을 검사하기 위한 검사 장치가 제공되며, 검사 장치는:

- 진공 챔버;

- 진공 챔버와 주변 환경 사이에 계면을 형성하는 로드 록; 및

- 로드 록으로부터 대상물을 수용하고 진공 챔버 내부에서 대상물을 이동시키도록 구성된 스테이지 장치를 포함하며,

진공 챔버는 대상물을 일시적으로 보관하기 위하여 제1 파킹 위치 및 제2 파킹 위치를 포함한다.

본 발명의 제1 양태에 따르면, EUV 리소그래피 장치에서의 사용을 위하여 펠리클과 같은 대상물을 검사하기 위한 검사 장치가 더 제공되며, 검사 장치는:

- 진공 챔버;

- 진공 챔버와 주변 환경 사이의 계면을 형성하는 제1 로드 록;

- 진공 챔버와 주변 환경 사이의 계면을 형성하는 제2 로드 록;

- 제1 로드 록으로부터 대상물을 수용하고 진공 챔버 내부에서 대상물을 이동시키도록 구성되며, 대상물을 제2 로드 록에 제공하도록 구성된 스테이지 장치를 포함한다.

본 발명의 제2 양태에 따르면, EUV 리소그래피 장치에서의 사용을 위하여 펠리클과 같은 대상물을 검사하기 위한 검사 장치가 더 제공되며, 검사 장치는:

- 대상물을 검사하기 위하여, 조절된 분위기에 제공하도록 구성된 챔버;

- 챔버와 주변 환경 사이의 계면을 형성하는 로드 록;

- 대상물을 검사하기 위한 방사선 빔을 생성하도록 구성된 방사선 빔 소스;

- 방사선 빔의 특성을 측정하도록 구성된 방사선 빔 측정 시스템을 포함하며,

방사선 빔 측정 시스템은,

о 방사선 빔 소스와 대상물 사이의 방사선 빔의 광학 경로에 배열되며, 방사선 빔의 일부가 대상물로 전파되는 것을 허용하기 위해 구멍을 포함하는 부재, 및

о 부재 상에 배열되며 방사선 빔의 특성을 측정하도록 구성된 적어도 하나의 방사선 센서를 포함한다.

첨부된 개략적인 도면을 참조하여 본 발명의 실시예가 단지 예로서 설명될 것이며, 도면에서:
도 1은 리소그래피 장치와 방사선 소스를 포함하는 리소그래피 시스템을 도시하고 있다.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 제1 양태에 따른 검사 장치의 제1 실시예를 도시하고 있다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 제1 양태에 따른 검사 장치의 제2 실시예를 도시하고 있다.
도 4는 본 발명에 따른 검사 장치에 적용될 수 있는 것과 같은 방사선 빔 측정 시스템을 도시하고 있다.
도 5는 본 발명에 따른 검사 장치에 적용될 수 있는 것과 같은 또 다른 방사선 빔 측정 시스템을 도시하고 있다.

도 1은 방사선 소스(SO) 및 리소그래피 장치(LA)를 포함하고 있는 리소그래피 시스템을 보여주고 있다. 방사선 소스(SO)는 EUV 방사선 빔(B)을 생성하고 EUV 방사선 빔(B)을 리소그래피 장치(LA)에 공급하도록 구성되어 있다. 리소그래피 장치(LA)는 조명 시스템(IL), 패터닝 디바이스(MA)(예를 들어, 마스크)를 지지하도록 구성된 지지 구조체(MT), 투영 시스템(PS) 및 기판(W)을 지지하도록 구성된 기판 테이블(WT)을 포함하고 있다.

조명 시스템(IL)은 EUV 방사선 빔(B)이 패터닝 디바이스(MA)에 입사하기 전에 EUV 방사선 빔(B)을 조절하도록 구성되어 있다. 이에 대해, 조명 시스템(IL)은 패싯 필드 미러 디바이스(10) 및 패싯 퓨필 미러 디바이스(11)를 포함할 수 있다. 패싯 필드 미러 디바이스(10)와 패싯 퓨필 미러 디바이스(11)는 함께 EUV 방사선 빔(B)에 원하는 횡단면 형상 및 원하는 세기 분포를 제공한다. 조명 시스템(IL)은 패싯 필드 미러 디바이스(10) 및 패싯 퓨필 미러 디바이스(11)에 더하여 또는 그 대신에 다른 미러 또는 디바이스를 포함할 수 있다.

따라서 조정된 후에, EUV 방사선 빔(B)은 패터닝 디바이스(MA)와 상호 작용한다. 이 상호 작용의 결과로서, 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')이 생성된다. 투영 시스템(PS)은 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')을 기판(W) 상으로 투영하도록 구성되어 있다. 이 목적을 위해, 투영 시스템(PS)은 기판 테이블(WT)에 의해 유지되는 기판(W) 상으로 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')을 투영하도록 구성된 복수의 미러(13, 14)를 포함할 수 있다. 투영 시스템(PS)은 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')에 감소 인자를 적용할 수 있으며, 따라서 패터닝 디바이스(MA) 상의 대응하는 피처보다 작은 피처를 갖는 이미지를 형성한다. 예를 들어, 4 또는 8의 감소 인자가 적용될 수 있다. 투영 시스템(PS)이 도 1에서 2개의 미러(13, 14)만을 갖고 있는 것으로 도시되어 있지만, 투영 시스템(PS)은 상이한 수의 미러 (예를 들어, 6개 또는 8개의 미러)를 포함할 수 있다. 기판(W)은 미리 형성된 패턴을 포함할 수 있다. 이 경우, 리소그래피 장치(LA)는 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')에 의해 형성된 이미지를 기판(W) 상에 미리 형성된 패턴과 정렬시킨다.

상대적인 진공이, 즉 대기압보다 훨씬 낮은 압력의 소량의 가스 (예를 들어, 수소)가 방사선 소스(SO) 내, 조명 시스템(IL) 내 및/또는 투영 시스템(PS) 내에 제공될 수 있다.

방사선 소스(SO)는 레이저 생성 플라즈마(LPP) 소스, 방전 생성 플라즈마(DPP) 소스, 자유 전자 레이저(FEL) 또는 EUV 방사선을 생성할 수 있는 임의의 다른 방사선 소스일 수 있다.

본 발명은 장치를 위한 또는 장치에서 사용하기 위한 구성 요소의 제조에 관한 것이다. 장치는 리소그래피 장치, 예를 들어 집적 회로 칩을 제조하기 위해 사용될 수 있는 것과 같은 극자외선(EUV) 리소그래피 장치일 수 있다. 구성 요소는, 예를 들어 장치 내에서의 사용을 위한 멤브레인 또는 펠리클일 수 있다.

구성 요소의 생산 동안, 구성 요소가 특정 기준을 충족하는 것을 보장하기 위하여 구성 요소를 테스트할 필요가 있을 수 있다. 일부 테스트는 특정 환경, 예를 들어 진공 환경에서 수행될 수 있다. 이 환경은 진공 챔버 내에 제공될 수 있다. 물론, 구성 요소의 다른 처리, 측정 또는 취급 또한 진공 챔버 내에서 수행될 수 있다는 점이 인식될 것이다. 진공 챔버 내에서 진공 환경을 유지하기 위하여, 대기 챔버(antechamber) (로드 록(load lock)으로도 알려짐)가 제공될 수 있다. 구성 요소는 주위 압력에서 로드 록 내로 삽입될 수 있다.

로드 록은 그후 밀봉되며 진공 챔버의 진공 조건과 일치하는 진공 조건이 로드 록 내에 퍼질 때까지 공기는 밖으로 펌핑된다. 로드 록은 그후 진공 챔버에 대해 개방되며, 구성 요소는 그후 로드 록으로부터 테스트 또는 다른 절차가 수행될 준비가 된 진공 챔버로 이동될 수 있다. 구성 요소가 진공 챔버에서 제거되고자 할 때 공정은 반대이다. 즉, 구성 요소는 진공 상태에서 로드 록으로 이송되며, 로드 록은 진공 챔버로부터 봉쇄되어 있다. 그후 로드 록 내부의 공간으로 공기를 펌핑함으로써 주위 압력이 로드 록에 대해 회복된다. 주위 압력이 도달되면, 로드 록은 개방될 수 있고 구성 요소는 제거된다.

EUV 장치용 펠리클과 같은, 민감한 및/또는 섬세한 구성 요소의 경우, 가스 흐름 속도를 낮게 유지함으로써 오염의 위험을 줄일 뿐만 아니라 낮은 압력 차이를 유지함으로써 구성 요소의 기계적 무결성을 보존하기 위하여 펌핑 및 배기 시간은 대략 몇 시간일 수 있다. 이는 진공 챔버에서 구성 요소(들)를 테스트하는 데 걸리는 시간보다 훨씬 더 길 수 있으며, 예를 들어, 최대 2 배까지 길 수 있다.

본 발명은 위의 문제에 대한 두 가지 해결책을 개시한다. 제1 실시예에서, 본 발명은 대상물 또는 구성 요소, 예를 들어 EUV 리소그래피 장치에서의 사용을 위한 펠리클을 검사하기 위한 검사 장치를 제공한다.

제1 실시예에 따르면, 검사 장치는:

- 진공 챔버;

- 로드 록으로부터 구성 요소를 수용하고 진공 챔버 내부에서 대상물을 이동시키도록 구성된 스테이지 장치를 포함하고 있다.

또한, 제1 실시예에 따르면, 전체 제조 및/또는 테스트 시간을 단축시키기 위하여, 또는 보다 구체적으로 구성 요소의 처리량을 증가시키기 위하여, 로딩 및/또는 언로딩 단계가 제2 구성 요소가 테스트되는 것과 동시에 제1 구성 요소에 대해 수행될 수 있도록 구성 요소의 보관을 위한 진공 챔버의 일부를 사용하는 것이 제안된다.

특히, 본 발명의 실시예에서, 검사 장치의 진공 챔버는 제1 파킹(parking) 위치 및 제2 파킹 위치를 포함하고 있다. 본 발명에 따르면, 파킹 위치는 구성 요소가 일시적으로 보관될 수 있는 위치 또는 장소를 지칭한다.

따라서, 본 발명의 제1 실시예에 따르면, 진공 챔버 내부에 2개의 파킹 위치를 제공하는 것이 제안된다. 아래에서 설명될 바와 같이, 진공 챔버 내부에서의 2개의 파킹 위치의 적용은 제1 구성 요소가 로드 록 내부에 존재하고 있는 동안 로드 록의 작동을 가능하게 하며, 이 작동은, 예를 들어 처리, 예를 들어 진공 챔버 내부에 배열된 제2 구성 요소를 검사하는 것과 동시에 공기를 로드 록 밖으로 펌핑하는 것 또는 공기를 로드 록 내로 펌핑하는 것을 포함한다. 이 공정에 대한 가능한 순서가 아래의 도 2a 내지 도 2f에 더 설명되어 있다. 도 2a 내지 도 2f는 본 발명에 따른 검사 장치(100)의 평면도를 개략적으로 보여주고 있다. 보여지는 바와 같은 실시예에서, 검사 장치는 진공 챔버(110), 로드 록(120), 스테이지 장치(130)를 포함하고 있으며, 이에 의하여 진공 챔버(110)는 PP1 및 PP2로도 표시되는 2개의 파킹(parking) 위치(140.1 및 140.2)를 포함한다. 실시예에서, 로드 록(120)과 같은 로드 록은 제1 분위기와 제2 분위기 사이, 예를 들어 주변 분위기 또는 환경과 진공 환경 사이의 계면으로 고려될 수 있다. 이러한 로드 록은 예를 들어 제1 도어 (점선 120.1), 제2 도어(120.2) 및 로드 록 챔버(120.3)를 포함하고 있으며, 제1 도어(120.1)는 주변 환경을 로드 록 챔버(120.3)로부터 분리하도록 구성되어 있고, 제2 도어(120.2)는 진공 챔버를 로드 록 챔버(120.3)로부터 분리하도록 구성되어 있다. 일반적으로, 로드 록 챔버(120.3)는 구성 요소, 예를 들어 제품 A 또는 제품 B를 충분히 수용할 만큼 넓어야 한다.

도 2a는 제2 구성 요소(제품 B)가 로드 록 내로 로딩되고 있는 동안 제1 구성 요소 (제품 A, 예를 들어 펠리클)가 진공 챔버 내에서 측정 또는 검사를 받는 제1 공정 단계 동안의 검사 장치(100)를 보여주고 있다. 보여지는 바와 같은 실시예에서, 스테이지 장치(130)는 스테이지 장치에 장착된 제품, 즉 도 2a의 제품 A를 X-방향으로 변위시키도록 구성된 X-스테이지(130.1) 및 제품 A를 Y-방향으로 변위시키도록 구성된 Y-스테이지를 포함하고 있다.

로드 록은 진공 챔버로부터 봉쇄되어 있다; 즉, 도어(120.2)는 닫혀 있다. 로드 록, 특히 로드 록 챔버(120.3) 내로의 제품 B의 로딩 후에, 제1 도어(120.1)가 닫힐 수 있을 뿐만 아니라 공기는 로드 록 챔버(120.3) 밖으로 펌핑될 수 있다. 공기를 펌핑하는 이 과정은 제품 A가 측정되고 있는 동안 일어날 수 있다.

도 2b에서 보여지는 제2 단계에서, 제품 A는 제1 보관 영역 (파킹 위치 1(PP1, 140.1))으로 이동된다. 실시예에서, 이 단계는, 예를 들어 스테이지 장치(130), 특히 X-스테이지(130.1)와 Y-스테이지(130.2)에 의해 수행될 수 있다. 실시예에서, 스테이지 장치(130)는, 예를 들어 하나 이상의 선형 모터, 예를 들어 대상물, 예를 들어 펠리클을 X-방향을 따라 이동시키기 위한 선형 모터 및 대상물을 Y-방향을 따라 이동시키기 위한 선형 모터를 포함할 수 있다.

도 2c에서 보여지는 제3 단계에서, 진공 챔버(110)에 대한 로드 록 도어(120.2)가 개방되며, 제품 A가 제1 보관 영역(140.1)에 남아있는 동안 제품 B는 로드 록(120)으로부터 회수되고 진공 챔버(110)로 이동된다.

도 2d에서 보여지는 제4 단계에서, 제품 B는 제2 보관 영역(파킹 위치 2(PP2, 140.2))으로 이동된다. 보여지는 바와 같은 실시예에서, 로드 록(120)은 대상물을 로드 록(120)으로부터 스테이지 장치(130)로 또는 그 반대로 이송하도록 구성된 이송 메커니즘(150)을 포함하고 있다. 이러한 이송 메커니즘은 또한 스테이지 장치 또는 진공 챔버(110) 내의 다른 곳에 위치될 수 있다는 점이 지적될 수 있다. 실시예에서, 이송 메커니즘의 단부(150.1)는, 예를 들어 대상물을 유지하도록 그리고 대상물을 들어 올리고 및/또는 내리도록 구성될 수 있다.

도 2e에서 보여지는 제5 단계에서, 제품 A는 제1 보관 영역(140.1)으로부터 로드 록(120)으로 복귀된다. 이 점에 관해서, 2개의 파킹 위치(PP1 및 PP2)의 적용으로 인하여 이 이송은 스테이지 장치(130)에 의해 수행될 수 있다는 점이 지적될 수 있다. 이와 같이 2개의 파킹 위치의 사용으로 인하여 진공 챔버 내에 부가적인 이송 로봇을 설치 또는 사용할 필요가 없다.

마지막으로, 도 2f에서 보여지는 제6 단계에서, 로드 록(120)이 밀봉되고, 즉 로드 록 도어(120.2)가 닫히며 제품 B가 테스트되는 동안 주변 조건으로 복귀된다. 로드 록(120)이 주변 조건으로 복귀되면, 제품 A가 언로딩될 수 있다.

진공 챔버 내에서 제1 및 제2 보관 영역을 사용함으로써, 측정 주기 시간을 약 1.5배만큼 줄일 수 있다. 이는, 특히 제1 구성 요소가 측정을 받고 있는 동안 제2 구성 요소가 로딩 또는 언로딩될 수 있기 때문이다. 이러한 구성에서, 한 구성 요소에 대한 로딩/언로딩 시간이 또 다른 구성 요소의 측정 공정 시간과 겹치며, 따라서 테스트될/측정될 구성 요소의 처리량이 향상되고 총 처리 시간이 단축된다.

본 발명의 제1 양태의 제2 실시예에 따르면, 제2 로드 록이 사용될 수 있다. 이 구성에서, 로딩과 언로딩이 동시에 발생할 수 있다. 예를 들어, 제1 구성 요소가 측정되고 있는 동안 제2 구성 요소는 이전 측정에 뒤이어 언로딩되고 제3 구성 요소는 후속 측정 전에 로딩될 수 있다. 이 공정의 이용은 측정 주기 시간을 최대 2배까지 줄일 수 있다. 이는 또한 처리량이 크게 증가하기 때문에 구성 요소 제조에 필요한 제조 장비 및/또는 클린 룸 공간의 양을 줄일 수 있다.

2개의 로드 록을 갖는 진공 챔버를 사용하는 가능한 일련의 단계가 도 3a 내지 도 3c에 도시되어 있다. 도 3a 내지 도 3c는 수직 평면 (XZ-평면)의 횡단면도를 개략적으로 도시하고 있다. 도 3a는 본 발명의 실시예에 따른 검사 장치(200)를 보여주고 있다. 보여지는 바와 같은 실시예에서, 검사 장치는 참조 번호 222 및 224로 또한 표시되는 2개의 로드 록(1 및 2)을 갖는 진공 챔버(210)를 포함하고 있다. 3개의 구성 요소(제품 A, B 및 C), 예를 들어, EUV 리소그래피 장치에서 사용하기 위한 펠리클과 같은 대상물들은 진공 챔버(210)와 로드 록(222 및 224) 내에 위치된다. 로드 록(222 및 224)은, 예를 들어 로드 록(120)과 유사한 구조를 가질 수 있으며, 즉 위에서 설명된 바와 같이 제1 도어, 제2 도어 및 로드 록 챔버를 포함하고 있다. 보여지는 바와 같은 실시예에서, 제품 A는 이미 진공 챔버(210) 내에서 처리되었으며 로드 록(224)으로 이동되었다. 로드 록(224)은 진공 챔버(210)로부터 봉쇄되었으며 제품 A의 언로딩을 위한 준비가 된 주변 조건으로 복귀되고 있다. 제품 B는 처리를 위해 로드 록(222)으로부터 진공 챔버(210)로 로딩되었다. 로드 록(222)은 그후 진공 챔버로부터 봉쇄되었으며 주변 조건으로 복귀되어 제품 C가 로드 록(1) 내로 로딩되는 것을 가능하게 한다. 도 3a 내지 도 3c는 진공 챔버(210) 내부에 배열되어 있는 스테이지 장치(230)를 더 개략적으로 보여주고 있다. 도시된 실시예에서, 로드 록(222 및 224)은 로드 록 챔버로부터 진공 챔버로 또는 그 반대로 대상물을 이송하기 위한 이송 메커니즘(252 및 254)을 더 포함하고 있다.

다음으로 제품 B가 진공 챔버에서 측정 및/또는 처리되는 동안, 제품 C가 들어있는 로드 록(1, 222)은 주위 압력으로부터 진공 조건으로 있게 될 수 있다. 그 후, 제품 A는 로드 록(2, 224)으로부터 언로딩되며, 로드 록은 그후 제품 B를 수용할 준비가 된 진공 조건으로 복귀된다. 진공 챔버(210)로부터 로드 록(224)을 분리하는 도어(224.2)가 그후 개방되며, 측정 공정이 끝난 후 제품 B는 로드 록(224)으로 전달된다. 이는 도 3b에 도시되어 있다. 동시에, 제품 C가 진공 챔버로 나아가게 되는 것을 허용하도록 로드 록(222)은 계속해서 진공 상태가 된다.

로드 록(222)이 진공 상태가 되면, 로드 록(222)을 진공 챔버(210)로부터 분리하는 도어(222.2)가 열리고 제품 C는 진공 챔버(210)로 이송된다. 동시에, 로드 록(224)은 진공 챔버(210)로부터 봉쇄되며 주위 압력으로 배기될 수 있어 제품 B가 언로딩될 수 있다. 마지막으로, 다음 구성 요소가 로드 록(222) 내로 로딩되는 동안 제품 C의 측정 및/또는 처리가 일어날 수 있다. 이 단계들이 도 3c에 개략적으로 보여지고 있다.

본 발명에 따르면, 검사 또는 품질 평가 공정을 수행하기 위하여, 검사 장치는 대상물을 검사하기 위한 방사선 소스 및 대상물로부터의 방출, 반사 또는 투과된 방사선을 받아들이기 위한 검출기를 더 포함할 수 있다. 본 발명의 의미 내에서, 이러한 방사선 소스는 임의의 적절한 형태의 방사선, 예를 들어, 전자기 방사선, 또는 전자 빔 또는 이온 빔과 같은 입자 빔을 포함할 수 있다.

본 발명의 제2 양태에 따르면, 펠리클과 같은 대상물을 검사하기 위한 검사 장치가 제공된다.

일부 리소그래피 장치는 패터닝된 레티클에 부착된 펠리클을 포함하고 있다. 펠리클은 레티클의 패턴에서 몇 밀리미터 이격되어 있는 투과성 필름이다. 펠리클에 수용된 오염 입자는 레티클의 패턴에 대하여 원거리장(far field)에 있으며, 결과적으로 리소그래피 장치에 의해 기판 상으로 투영되는 이미지의 품질에 큰 영향을 주지 않는다. 펠리클이 존재하지 않으면, 그러면 오염 입자가 레티클의 패턴에 놓일 수 있으며 따라서 패턴의 일부분을 가릴 수 있고, 그에 의하여 패턴이 기판 상으로 정확하게 투영되는 것을 막을 수 있다.

펠리클 자격 검증(qualification) 시스템으로도 지칭되는 검사 장치는, 펠리클이 리소그래피 장치에서 사용하기에 충분한 품질인지 여부를 결정하기 위하여 펠리클의 광학적 특성 (예를 들어, 반사율 및/또는 투과율)을 결정하도록 구성될 수 있다. 이러한 펠리클 자격 검증 또는 검사는 측정 방사선 빔을 펠리클로 향하게 하는 것 및 측정 방사선 빔이 펠리클과 상호 작용하기 전 및 후에 측정 방사선 빔의 세기를 검출하기 위해 방사선 센서를 사용하는 것을 포함할 수 있다. 이는 측정 방사선 빔이 펠리클과 상호 작용하기 전 및 후에 측정 방사선 빔의 특성들의 비교를 가능하게 하며, 그에 의하여 펠리클이 측정 방사선 빔에 어떻게 영향을 미쳤는지 그리고 펠리클이 리소그래피 장치에 사용되기에 충분히 높은 품질인지 여부의 결정을 가능하게 한다.

하나의 공지된 펠리클 자격 검증 시스템은 2개의 방사선 센서를 사용하여 측정 방사선 빔이 펠리클과 상호 작용하기 전에 측정 방사선 빔의 세기를 검출한다. 측정 방사선 빔의 제1 부분은 펠리클과 상호 작용하는 주 측정 경로를 따라 향한다. 측정 방사선 빔의 제2 부분은 방사선 센서로 향한다. 따라서 2개의 방사선 센서는 상이한 광학 경로들에 위치되며 및/또는 주 측정 경로에 대해 상이한 각도들에서 입사 방사선을 받아들인다. 광학 경로들은 서로 상이할 수 있다. 상이한 광학 경로들 간의 차이는 시간이 지남에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 상이한 광학 경로 내의 광학 구성 요소 (예를 들어, 렌즈 및/또는 미러)는 상이하게 저하될 수 있으며, 온도 및 후속 열 변형은 광학 경로 내의 진공 또는 가스 변동 등을 달라지게 할 수 있다. 상이한 광학 경로로 인하여, 측정 방사선 빔의 제1 부분과 제2 부분 사이의 무작위의 차이가 있으며, 그에 의하여 공지된 펠리클 자격 검증 시스템의 정확도를 감소시킨다. 공지된 펠리클 자격 검증 시스템의 정확도를 향상시키는 알려진 방법은 빔 스플리터 및/또는 그레이징 미러의 사용을 포함한다. 그러나 이러한 광학 구성 요소는 방사선의 세기를 감소시키며, 이는 결국 시스템의 정확도에 부정적인 영향을 미친다. 본 발명의 제2 양태에 따른 검사 장치는 펠리클을 검사 또는 자격 검증하기 위해 적용된 바와 같은 방사선 빔을 측정하는 대안적인 방식을 제공한다.

도 4는 펠리클 자격 검증 시스템으로도 지칭되는, 본 발명의 제2 양태에 따른 검사 장치에 적용된 바와 같은 새로운 방사선 빔 측정 시스템의 평면도 (도 4의 좌측) 및 측면도 (도 4의 우측)를 개략적으로 보여주고 있다.

본 발명의 제2 양태에 따른 검사 장치는, 예를 들어:

- 대상물을 검사하기 위하여, 조절된 분위기에서 제공하도록 구성된 챔버;

- 챔버와 주변 환경 사이에 계면을 형성하는 로드 록;

- 대상물을 검사하기 위하여 방사선 빔을 생성하도록 구성된 방사선 빔 소스;

- 방사선 빔의 특성을 측정하도록 구성된 방사선 빔 측정 시스템을 포함할 수 있다.

실시예에서, 조절된 분위기는, 예를 들어 진공 환경일 수 있다. 검사 또는 자격 검증에 사용되는 방사선 유형에 따라, 다른 유형의 조절된 분위기 또는 환경도 고려할 수 있다.

본 발명의 의미 내에서, 임의의 적절한 유형의 방사선이 펠리클의 검사 또는 자격 검증을 위한 방사선 빔 소스로서 사용될 수 있다.

본 발명의 제2 양태에 따르면, 검사 장치 또는 펠리클 자격 검증 시스템에 적용되는 바와 같은 방사선 빔 측정 시스템은:

-방사선 빔 소스와 대상물 사이의 방사선 빔의 광학 경로에 배열되어 있으며, 방사선 빔의 일부가 대상물로 전파되는 것을 허용하기 위해 구멍을 포함하는 부재, 및

- 부재 상에 배열되며, 방사선 빔의 특성을 측정하도록 구성된 적어도 하나의 방사선 센서를 더 포함하고 있다.

실시예에서, 방사선 빔 측정 시스템은 방사선 빔 소스와 대상물 사이, 즉, 방사선 빔 소스의 하류와 대상물의 상류 사이의 방사선 빔의 광학 경로에 배열된 부재에 배열된 복수의 방사선 센서 (예를 들어, 4개 또는 8개의 방사선 센서)를 포함하고 있다. 도 4의 예에서, 방사선 빔 측정 시스템의 부재(400)는 8개의 방사선 센서, 참조 번호 1 내지 8을 구비하고 있다. 보여지는 바와 같은 실시예에서, 부재(400)는 실질적으로 직사각형 구멍(410)을 포함하고 있다. 8개의 방사선 센서(1 내지 8)는 구멍(410)의 2개의 대향 측면 상에 또는 이를 따라 배열되어 있다. 도 4의 좌측에서, 참조 번호 412는 구멍(410)을 통과한 후의 방사선 빔의 폭을 나타내는 반면에, 참조 번호 414는 부재(400)에 입사되는 방사선 빔의 폭을 나타낸다. 실시예에서, 방사선 빔 측정 시스템은 특성, 예를 들어 방사선 빔, 즉 도시된 바와 같이 들어오는 방사선 빔의 세기를 을 측정하도록 구성된 적어도 하나의 방사선 센서를 포함하고 있다.

방사선 빔 측정 시스템에 의해 수행되는 측정에 존재하는 임의의 노이즈(noise)가 각 방사선 센서에 의해 수행되는 측정들을 평균화함으로써 감소될 수 있기 때문에 더 많은 수의 방사선 센서를 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 방사선 센서는 EUV 방사선을 검출하도록 구성될 수 있다. 방사선 센서는, 예를 들어, 포토다이오드 및/또는 카메라, 예를 들어 전하 결합 소자를 포함할 수 있다. 방사선 빔 측정 시스템은 입사 방사선 빔의 공간 세기 프로파일을 결정하도록 구성될 수 있다. 방사선 센서는 측정될 방사선 빔의 광학 경로의 중심축에 근접한 측정 방사선 빔을 검출할 수 있다.

실시예에서, 검사 시스템 또는 펠리클 자격 검증 시스템은 스펙트럼 퓨리티 필터(SPF)(422) 및 검출기(430), 예를 들어 전하 결합 소자(CCD)를 포함할 수 있다. 도시된 바와 같은 실시예에서, 검출기(430)는 대상물, 즉 검사될 또는 자격 검증될 펠리클(440)의 하류에 배열되어 있다. 이러한 실시예에서, 검출기는 따라서 대상물(440)을 통해 투과되는 방사선을 받아들인다. 일반적으로, 본 발명의 제2 양태에 따른 검사 장치는 대상물(440)과의 방사선 빔의 상호 작용에 의해 야기되는 임의의 유형의 방사선을 받아들이도록 구성될 수 있다. 이러한 방사선은, 예를 들어 대상물에 의하여 방출되는 방사선 또는 대상물에 의하여 반사되는 방사선 또는 대상물에 의하여 또는 이를 통하여 투과되는 방사선을 포함할 수 있다.

스펙트럼 퓨리티 필터(422)는 방사선 빔(450)이 펠리클(440)에 입사하기 전에, 들어오는 방사선 빔(450)을 필터링하도록 구성될 수 있다. 따라서 SPF(422)는 펠리클(440)의 상류에 배열될 수 있다. CCD, 일반적으로 검출기(430)는 방사선 빔(450)이 펠리클(440)과 상호 작용한 후에 방사선 빔(450)을 검출하도록 구성될 수 있다. 방사선 빔이 스펙트럼 퓨리티 필터(422)와 상호 작용한 후 그리고 방사선 빔이 CCD(430)와 상호 작용하기 전에 방사선 빔(450)을 검출하기 위하여 방사선 빔 측정 시스템의 방사선 센서(1 내지 8)는 배열될 수 있다. 방사선 빔 측정 시스템에 의해 수행된 측정과 펠리클 자격 검증 시스템의 CCD에 의해 수행된 측정 간의 비교는 펠리클(440)이 방사선 빔에 무슨 영향을 미쳤는지 결정하기 위해 사용될 수 있으며, 이에 의하여 펠리클(440)이 리소그래피 장치에 사용하기에 적합한지 여부를 결정할 수 있다.

스펙트럼 퓨리티 필터(422)는 지지체에 의해 제자리에 유지될 수 있다. 보여지는 바와 같은 실시예에서, 스펙트럼 퓨리티 필터(422)는 지지체(420)를 통하여 부재(400)에 장착되어 있다. 보여지는 바와 같은 실시예에서, 부재(400)는 방사선 빔이 펠리클에 입사하기 전에 (방사선 빔의 제1 부분으로 지칭될 수 있는) 방사선 빔의 적어도 일부가 통과하기 위한 구멍(410)을 포함하고 있다. 방사선 빔 측정 시스템의 방사선 센서(1 내지 8)는 부재(400) 상에 설치될 수 있다. 방사선 센서의 에지는 부재(400)의 구멍의 에지와 실질적으로 정렬될 수 있다. 방사선 빔 측정 시스템이 설치된 부재(400)의 표면 및 방사선 빔 측정 시스템의 방사선 센서는 (입사 방사선 빔의 제2 부분으로 지칭될 수 있는) 입사 방사선 빔(450)의 일부를 차단하는 역할을 한다. 방사선 센서의 에지가 부재(400)의 구멍(410)의 에지와 실질적으로 정렬되어 있기 때문에, 펠리클과 상호 작용하는 (그리고 검사 장치 또는 펠리클 자격 검증 시스템의 CCD(430)에 의해 검출될 수 있는) 방사선 빔의 부분에 영향을 주지 않으면서 방사선 빔 측정 시스템은 방사선 빔의 중심축에 가능한 한 가까운 방사선 빔(450)의 특성을 측정할 수 있다. 방사선 빔 측정 시스템은 방사선 빔이 펠리클(440)에 입사하기 전에 방사선 빔과 상호 작용하도록 최종적인 광학 구성 요소일 수 있다. 방사선 빔의 광학 경로 내의 다른 모든 광학 구성 요소의 영향은 그에 의하여 방사선 빔 측정 시스템에 의해 수행되는 측정에 포함되고 설명된다. 따라서, 공지된 방사선 빔 측정 시스템과 비교하여 방사선 빔의 광학 경로의 변화는 새로운 방사선 빔 측정 시스템의 정확도에 영향을 덜 미친다.

방사선 빔 측정 시스템은 유리하게는 방사선 빔에 큰 영향을 주지 않으면서 입사 방사선 빔의 특성 (예를 들어, 에너지, 공간 세기 프로파일, 선량 등)의 현장 모니터링을 가능하게 한다. 이는 방사선 빔이 펠리클과 상호 작용한 후 방사선 빔을 사용하여 수행되는 후속 측정의 정확도를 향상시킬 수 있다. 방사선 빔 측정 시스템은 CCD(430)를 참조로 사용하여 설정 교정을 허용한다. 예를 들어, 지지체와 CCD(430) 사이에 배치된 펠리클(440)이 없는 경우, 방사선 빔 측정 시스템의 방사선 센서(1 내지 8)와 CCD(430) 모두가 입사 방사선 빔(450)의 특성을 결정하기 위해 사용될 수 있다. 방사선 빔의 제1 부분의 CCD(430)로부터의 직접적인 측정은 방사선 빔 측정 시스템의 방사선 센서(1 내지 8)로부터의 간접 측정을 교정하기 위해 사용될 수 있다. 방사선 빔 측정 시스템은 콤팩트하며 설치 및 사용하기 용이하다. 방사선 빔 측정 시스템은, 예를 들어 방사선 센서들의 알려진 위치들의 조합을 이용함으로써, 기준 측정을 수행함으로써, 측정을 방사선 빔의 특성에 관한 정보의 데이터베이스와 비교함으로써, 그리고 알고리즘을 피팅(fitting)함으로써 방사선의 공간 세기 프로파일을 재구성할 수 있다. 방사선 빔 측정 시스템은 공지된 방사선 빔 측정 시스템보다 설치 및/또는 작동하기 위하여 비용이 저렴할 수 있다.

도 4에서 보여지는 바와 같은 실시예에서, 방사선 센서(1 내지 8)는 구멍(410)의 2개의 대향 측면을 따라 제공되며, 이 대향 측면들은 Y-방향으로 연장되어 있다. 또한, X-방향으로 연장되는 하나 또는 2개의 측면을 따라 방사선 센서를 포함 또는 제공하는 것도 유리할 수 있다. 이러한 실시예가 도 5에 개략적으로 보여지고 있다. 도 5는, 도 4에서 보여지는 특징에 더하여, X-방향으로 연장되는 구멍(410)의 2개의 대향 측면 상에 또는 이를 따라 배열된 추가적인 쌍의 방사선 센서(20, 21)를 개략적으로 보여주고 있다.

본 발명의 실시예에서, 적어도 하나의 방사선 센서가 방사선 빔 측정 시스템의 부재(400)의 구멍(410)의 둘레를 따라 배열되어 있다. 실시예에서, 적어도 하나의 방사선 센서는 부재(400)의 구멍(410)의 각 측면을 따라 배열되어 있다.

실시예에서, 본 발명에 따른 검사 장치는 유리하게는 펠리클, 특히 EUV 펠리클과 같은 대상물의 투과 및/또는 반사 특성을 측정하기 위해 사용될 수 있다. 이러한 실시예에서, 검사 장치는 따라서 EUV 펠리클 투과 및/또는 반사 측정 툴로서 지칭될 수 있다. 이러한 실시예에서, 이러한 툴에서 측정된 바와 같은 하나 또는 양 특성은 하기와 같다:

a) 멤브레인 또는 펠리클을 통한 EUV 방사선 투과, 즉 EUV 방사선 대 멤브레인 또는 펠리클에 의해 흡수되지 않고 통과하는 총 방사선의 %, 및/또는 멤브레인에 의하여 반사된 EUV 방사선, 및/또는

b) 멤브레인 또는 펠리클에 의해 반사된 EUV 방사선, 즉 멤브레인 또는 펠리클에 의해 다시 반사된 EUV 방사선의 %.

EUV 방사선의 일부가 멤브레인 또는 펠리클에 의해 흡수될 수 있다는 점이 또한 지적될 수 있다. 멤브레인 또는 펠리클을 향한 총 EUV 방사선에 대한 정보와 조합된, 반사된 EUV 방사선과 투과된 EUV 방사선을 모두 측정함으로써, 3개의 방사선 성분, 즉 반사, 흡수, 투과 사이의 관계가 결정될 수 있다. 반사 및 투과 특성은, 예를 들어 방사선 검출기, 예를 들어 위에서 보여진 바와 같은 CCD(430)와 같은 CCD 카메라로 측정될 수 있다. 특히, CCD 카메라는 도 4 및 도 5에서 보여지는 바와 같이 투과된 EUV 방사선의 광학 경로에 배열될 수 있다. 유사하게, 반사되는 EUV 방사선의 양을 결정하기 위하여, CCD 카메라는 반사된 EUV 방사선의 광학 경로에 배열될 수 있다. 이러한 카메라는, 예를 들어 T-CCD (투과) 및 R-CCD (반사)로 지칭될 수 있다.

본 발명은 또한 다음의 절에 의하여 설명될 수 있다:

절 1: EUV 리소그래피 장치에서의 사용을 위하여 펠리클과 같은 대상물을 검사하기 위한 검사 장치를 제공하며, 검사 장치는:

- 진공 챔버;

- 로드 록으로부터 대상물을 수용하고 상기 진공 챔버 내부에서 대상물을 이동시키도록 구성된 스테이지 장치를 포함하며,

절 2: 절 1의 검사 장치는 대상물을 로드 록으로부터 스테이지 장치로 또는 그 반대로 이송하도록 구성된 이송 메커니즘을 더 포함한다.

절 3: 절 2의 검사 장치에서, 이송 메커니즘은 적어도 부분적으로 로드 록 내부에 배열된다.

절 4: 절 2의 검사 장치에서, 이송 메커니즘은 스테이지 장치에 장착된다.

절 5: 절 1 내지 4 중 어느 한 절의 검사 장치에서, 로드 록은 제1 도어, 제2 도어 및 로드 록 챔버를 포함하며, 제1 도어는 상기 주변 환경을 로드 록 챔버로부터 분리하도록 구성되고, 제2 도어는 진공 챔버를 로드 록 챔버로부터 분리하도록 구성된다.

절 6: 절 1의 검사 장치에서, 스테이지 장치는 스테이지 장치로부터 제1 파킹 위치로 또는 그 반대로 대상물을 이송시키도록 구성되며, 스테이지 장치는 스테이지 장치로부터 제2 파킹 위치로 또는 그 반대로 대상물을 이송시키도록 구성된다.

절 7: 절 1 내지 6 중 어느 한 절의 검사 장치에서, 스테이지 장치는 대상물을 유지하기 위한 홀더를 포함한다.

8. EUV 리소그래피 장치에서의 사용을 위하여 펠리클과 같은 대상물을 검사하기 위한 검사 장치가 제공되며, 검사 장치는:

- 진공 챔버;

- 제1 로드 록으로부터 대상물을 수용하고 진공 챔버 내에서 대상물을 이동시키도록 구성되며, 대상물을 제2 로드 록에 제공하도록 구성된 스테이지 장치를 포함한다.

9. EUV 리소그래피 장치에서의 사용을 위하여 펠리클과 같은 대상물을 검사하기 위한 검사 장치가 제공되며,

검사 장치는:

- 챔버와 주변 환경 사이의 계면을 형성하는 로드 록;

방사선 빔 측정 시스템은,

о 방사선 빔 소스와 상기 대상물 사이의 방사선 빔의 광학 경로에 배열되며, 방사선 빔의 일부가 대상물로 전파되는 것을 허용하기 위해 구멍을 포함하는 부재, 및

절 10: 절 9의 검사 장치에서, 적어도 하나의 방사선 센서는 구멍의 둘레를 따라 배열된다.

절 11: 절 9 또는 절 10의 검사 장치에서, 구멍은 실질적으로 직사각형 형상을 갖는다.

절 12: 절 11의 검사 장치에서, 방사선 빔 측정 시스템은 구멍의 적어도 2개의 측면을 따른 방사선 센서를 포함한다.

절 13: 절 11 또는 절 12의 검사 장치에서, 방사선 빔 측정 시스템은 구멍의 각 측면을 따른 적어도 하나의 방사선 센서를 포함한다.

절 14: 절 9 내지 13 중 어느 한 절의 검사 장치에서, 방사선 빔 측정 시스템은 광학 경로 내에서 부재의 상류에 배열된 스펙트럼 퓨리티 필터를 더 포함한다.

절 15: 절 14의 검사 장치에서, 스펙트럼 퓨리티 필터는 부재에 장착된다.

절 16: 절 14 또는 절 15의 검사 장치에서, 적어도 하나의 방사선 센서는 공간 퓨리티 필터의 하류에 배열된다.

절 17: 절 9 내지 16 중 어느 한 절의 검사 장치는 대상물과의 방사선 빔의 상호 작용에 의하여 야기된 방사선을 받아들이도록 구성된 검출기를 더 포함한다.

절 18: 절 17의 검사 장치에서, 방사선은 대상물에 의하여 투과된 방사선을 포함한다.

절 19: 절 18의 검사 장치에서, 검출기는 대상물의 하류에 배열된다.

절 20: 절 17 내지 19 중 어느 한 절에 따른 검사 장치에서, 검출기는 CCD를 포함한다.

절 21: EUV 펠리클 투과 측정 툴은 절 9 내지 20 중 어느 한 절에 따른 검사 장치를 포함한다.

절 22: EUV 펠리클 투과 및 반사 측정 툴은 절 9 내지 20 중 어느 한 절에 따른 검사 장치를 포함한다.

비록 본문에서 IC의 제조에서의 리소그래피 장치의 이용에 대해 특정 참조가 이루어질 수 있지만, 본 명세서에서 설명되는 리소그래피 장치는 다른 적용을 가질 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 가능한 다른 적용은 집적 광학 시스템의 제조, 자기 도메인 메모리용 유도 및 검출 패턴, 플랫-패널 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드, 등을 포함한다.

본 명세서에서는 리소그래피 장치와 관련하여 본 발명의 실시예에 대한 특정 참조가 이루어질 수 있지만, 본 발명의 실시예는 다른 장치에서 사용될 수 있다. 본 발명의 실시예는 마스크 검사 장치, 계측 장치, 또는 웨이퍼 (또는 다른 기판) 또는 마스크 (또는 다른 패터닝 디바이스)와 같은 대상물을 측정 또는 처리하는 임의의 장치의 일부를 형성할 수 있다. 이 장치는 일반적으로 리소그래피 툴로 지칭될 수 있다. 이러한 리소그래피 툴은 진공 조건 또는 대기 (비진공) 조건을 이용할 수 있다.

광학 리소그래피의 맥락에서 본 발명의 실시예의 사용에 대해 위에서 특정 참조가 이루어질 수 있지만, 문맥이 허용하는 경우, 본 발명은 광학 리소그래피에 제한되지 않으며 다른 적용, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있다는 것이 인식될 것이다.

문맥이 허용하는 경우, 본 발명의 실시예는 하드웨어, 펌웨어(firmware), 소프트웨어, 또는 이들의 임의의 조합으로 구현될 수 있다. 본 발명의 실시예는 또한 하나 이상의 프로세서에 의해 판독 및 실행될 수 있는 기계-판독 가능한 매체에 저장된 명령어로서 구현될 수 있다. 기계-판독 가능한 매체는 기계 (예를 들어, 컴퓨팅 디바이스)에 의해 판독 가능한 형태로 정보를 저장하거나 전송하는 임의의 메커니즘을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기계-판독 가능한 매체는 판독 전용 메모리(ROM); 랜덤 억세스 메모리(RAM); 자기 저장 매체; 광학 저장 매체; 플래시 메모리 디바이스; 전기적, 광학적, 음향적 또는 다른 형태의 전파 신호 (예를 들어, 반송파(carrier wave), 적외 신호, 디지털 신호 등) 등을 포함할 수 있다. 또한, 펌웨어, 소프트웨어, 루틴, 명령어는 소정 작동을 수행하는 것으로서 본 명세서에서 설명될 수 있다. 하지만, 이러한 설명은 단지 편의를 위한 것이라는 점 그리고 이러한 작동은 실제로 컴퓨팅 디바이스, 프로세서, 컨트롤러, 또는 펌웨어, 소프트웨어, 루틴, 명령어 등을 실행하는 다른 디바이스로부터 일어나고 그렇게 하여 액추에이터 또는 다른 디바이스가 물질계와 상호 작용하게 할 수 있다는 점이 인식되어야 한다.

본 발명의 특정 실시예가 위에서 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것이 인식될 것이다. 위의 설명은 제한하는 것이 아니라 예시적인 것으로 의도된 것이다. 따라서, 아래에 제시된 청구범위의 범위를 벗어나지 않고 설명된 바와 같이 본 발명에 대한 변경이 이루어질 수 있다는 것은 당업자에게 명백할 것이다.

Claims

EUV 리소그래피 장치에서의 사용을 위하여 펠리클과 같은 대상물을 검사하기 위한 검사 장치에 있어서,
- 진공 챔버;
- 상기 진공 챔버와 주변 환경 사이에 계면을 형성하는 로드 록; 및
- 상기 로드 록으로부터 상기 대상물을 수용하고 상기 진공 챔버 내부에서 상기 대상물을 이동시키도록 구성된 스테이지 장치를 포함하며,
상기 진공 챔버는 상기 대상물을 일시적으로 보관하기 위하여 제1 파킹 위치 및 제2 파킹 위치를 포함하는 검사 장치.
제1항에 있어서,
상기 대상물을 상기 로드 록으로부터 상기 스테이지 장치로 또는 그 반대로 이송하도록 구성된 이송 메커니즘을 더 포함하는 검사 장치.
제2항에 있어서,
상기 이송 메커니즘은 적어도 부분적으로 상기 로드 록 내부에 배열된 검사 장치.
제2항에 있어서,
상기 이송 메커니즘은 상기 스테이지 장치에 장착된 검사 장치.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 로드 록은 제1 도어, 제2 도어 및 로드 록 챔버를 포함하며, 상기 제1 도어는 상기 주변 환경을 상기 로드 록 챔버로부터 분리하도록 구성되고, 상기 제2 도어는 상기 진공 챔버를 상기 로드 록 챔버로부터 분리하도록 구성된 검사 장치.
제1항에 있어서,
상기 스테이지 장치는 상기 스테이지 장치로부터 상기 제1 파킹 위치로 또는 그 반대로 대상물을 이송시키도록 구성되며, 상기 스테이지 장치는 상기 스테이지 장치로부터 상기 제2 파킹 위치로 또는 그 반대로 대상물을 이송시키도록 구성된 검사 장치.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 스테이지 장치는 상기 대상물을 유지하기 위한 홀더를 포함하는 검사 장치.
EUV 리소그래피 장치에서의 사용을 위하여 펠리클과 같은 대상물을 검사하기 위한 검사 장치에 있어서,
- 진공 챔버;
- 상기 진공 챔버와 주변 환경 사이의 계면을 형성하는 제1 로드 록;
- 상기 진공 챔버와 주변 환경 사이의 계면을 형성하는 제2 로드 록;
- 상기 제1 로드 록으로부터 대상물을 수용하고 상기 진공 챔버 내부에서 상기 대상물을 이동시키도록 구성되며, 상기 대상물을 상기 제2 로드 록에 제공하도록 구성된 스테이지 장치를 포함하는 검사 장치.
EUV 리소그래피 장치에서의 사용을 위하여 펠리클과 같은 대상물을 검사하기 위한 검사 장치에 있어서,
- 대상물을 검사하기 위하여, 조절된 분위기에 제공하도록 구성된 챔버;
- 상기 챔버와 주변 환경 사이의 계면을 형성하는 로드 록;
- 상기 대상물을 검사하기 위한 방사선 빔을 생성하도록 구성된 방사선 빔 소스;
- 상기 방사선 빔의 특성을 측정하도록 구성된 방사선 빔 측정 시스템을 포함하며,
상기 방사선 빔 측정 시스템은,
о상기 방사선 빔 소스와 상기 대상물 사이의 상기 방사선 빔의 광학 경로에 배열되며, 상기 방사선 빔의 일부가 상기 대상물로 전파되는 것을 허용하기 위해 구멍을 포함하는 부재, 및
о상기 부재 상에 배열되며 상기 방사선 빔의 특성을 측정하도록 구성된 적어도 하나의 방사선 센서를 포함하는 검사 장치.
제9항에 있어서,
상기 적어도 하나의 방사선 센서는 상기 구멍의 둘레를 따라 배열된 검사 장치.
제9항 또는 제10항에 있어서,
상기 구멍은 실질적으로 직사각형 형상을 갖는 검사 장치.
제11항에 있어서,
상기 방사선 빔 측정 시스템은 상기 구멍의 적어도 2개의 측면을 따른 방사선 센서를 포함하는 검사 장치.
제11항 또는 제12항에 있어서,
상기 방사선 빔 측정 시스템은 상기 구멍의 각 측면을 따른 적어도 하나의 방사선 센서를 포함하는 검사 장치.
제9항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 방사선 빔 측정 시스템은 상기 광학 경로 내에서 상기 부재의 상류에 배열된 스펙트럼 퓨리티 필터를 더 포함하는 검사 장치.
제14항에 있어서,
상기 스펙트럼 퓨리티 필터는 상기 부재에 장착된 검사 장치.
제14항 또는 제15항에 있어서,
상기 적어도 하나의 방사선 센서는 상기 공간 퓨리티 필터의 하류에 배열된 검사 장치.
제9항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 대상물과의 상기 방사선 빔의 상호 작용에 의하여 야기된 방사선을 받아들이도록 구성된 검출기를 더 포함하는 검사 장치.
제17항에 있어서,
상기 방사선은 상기 대상물에 의하여 투과된 방사선을 포함하는 검사 장치.
제18항에 있어서,
상기 검출기는 상기 대상물의 하류에 배열된 검사 장치.
제17항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 검출기는 CCD를 포함하는 검사 장치.
제9항 내지 제20항 중 어느 한 항에 따른 검사 장치를 포함하는 EUV 펠리클 투과 측정 툴.
제9항 내지 제20항 중 어느 한 항에 따른 검사 장치를 포함하는 EUV 펠리클 투과 및 반사 측정 툴.