JP5033891B2 - ペリクル膜の製造方法 - Google Patents
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Description
成膜用基板の原板材料として直径300mmφのシリコンウエハを用いた。このウエハの表面にレジスト液をコーティングしてレジスト膜を形成した。直径が0.4μmのサイズの穴が全面に形成された150mm角のマスクを用いて1/4縮小露光にて露光を行った。マスクはウエハ上を移動して、ウエハ全面に露光を行った。レジストを現像して露光部分だけ残し、その後エッチングを行うことでシリコンウエハに凹凸を形成し、最後にレジストを取り除き、ウエハを洗浄することで、ペリクル成膜用の基板を準備した。このとき、ウエハ表面の凸部は直径が0.1μmであり、段差の高さは0.3μmであった。また凸部は1mm2当たり、0.5mm2の密度であった。
成膜用基板の原板材料として直径300mmφのシリコンウエハを用いた。このウエハの表面にレジスト液をコーティングしてレジスト膜を形成した。直径が0.2μmのサイズの穴が全面に形成された150mm角のマスクを用いて1/4縮小露光にて露光を行った。マスクはウエハ上を移動して、ウエハ全面に露光を行った。レジストを現像して露光部分だけ残し、その後エッチングを行うことでシリコンウエハに凹凸を形成し、最後にレジストを取り除き、ウエハを洗浄することで、ペリクル成膜用の基板を準備した。このとき、ウエハ表面の凸部は直径が0.05μmであり、段差の高さは0.3μmであった。また凸部は1mm2当り、0.01mm2の密度であった。
成膜用基板の原板材料としてとして直径300mmφのシリコンウエハを用いた。このウエハの表面にレジスト液をコーティングしてレジスト膜を形成した。直径が0.4μmのサイズの穴が全面に形成されたマスクを用いて1/4縮小露光にて露光を行った。マスクはウエハ上を移動して、ウエハ中央部の105mm×69mm範囲以外に露光を行った。レジストを現像して露光部分だけ残し、その後エッチングを行うことでシリコンウエハに凹凸を形成し、最後にレジストを取り除き、ウエハを洗浄することで、ペリクル成膜用の基板を準備した。このとき、ウエハ中央部の105mm×69mm範囲以外のウエハ表面の凸部は直径が0.1μmであり、段差の高さは0.3μmであった。また凸部は1mm2当り、0.5mm2の密度であった。
成膜用基板の原板材料として直径300mmφのシリコンウエハを用いた。このウエハの表面にレジスト液をコーティングしてレジスト膜を形成した。直径が0.4μmのサイズの穴が全面に形成されたマスクを用いて1/4縮小露光にて露光を行った。マスクはウエハ上を移動して、ウエハ中央部の135mm×99mm範囲以外に露光を行った。レジストを現像して露光部分だけ残し、その後エッチングを行うことでシリコンウエハに凹凸を形成し、最後にレジストを取り除き、ウエハを洗浄することで、ペリクル成膜用の基板を準備した。このとき、ウエハ中央部の135mm×99mm範囲以外のウエハ表面の凸部は直径が0.1μmであり、段差の高さは0.3μmであった。また凸部は1mm2当り、0.5mm2の密度であった。
成膜用基板の原板材料として直径300mmφのシリコンウエハを用いた。このウエハの表面にレジスト液をコーティングしてレジスト膜を形成した。直径が0.4μmのサイズの穴が全面に形成されたマスクを用いて1/4縮小露光にて露光を行った。マスクはウエハ上を移動して、ウエハ中央部の105mm×109mm範囲以外に露光を行った。レジストを現像して露光部分だけ残し、その後エッチングを行うことでシリコンウエハに凹凸を形成し、最後にレジストを取り除き、ウエハを洗浄することで、ペリクル成膜用の基板を準備した。このとき、ウエハ中央部の105mm×109mm範囲以外のウエハ表面の凸部は直径が0.1μmであり、段差の高さは0.3μmであった。また凸部は1mm2当り、0.5mm2の密度であった。
成膜用基板の原板材料として直径300mmφのシリコンウエハを用いた。この成膜基板の上に旭ガラス株式会社製の「サイトップCTX−S」をパーフルオロトリブチルアミンに溶解させた3%溶液を、シリコンウエハの中央部に滴下し、回転数760rpmで、シリコンウエハを回転させて、シリコンウエハの表面上で、溶液を展開して、塗膜を形成した。基板を室温に放置しその後基板を180℃に加熱して溶媒を蒸発させ、ペリクル膜を形成した。このペリクル膜を、シリコンウエハの表面から剥離しペリクル膜を完成させた。
Claims (8)
- ペリクル膜が、異物粒子を通過不能で通気可能な孔サイズで貫通する通気孔を有するペリクル膜の製造方法であって、
該通気孔にちょうど嵌まる大きさの凸部を表面に有する成膜用基板の中央部に、ペリクル膜材料および揮発性溶媒を含むペリクル膜成分組成物の溶液を滴下し、該成膜用基板を回転させて、遠心力によって該成膜用基板の表面全体に該凸部の高さと同じ厚さで該溶液を塗布し、該揮発性溶媒を蒸発させてペリクル膜を成膜した後、該成膜用基板から該ペリクル膜を剥離することを特徴とするペリクル膜の製造方法。 - 前記凸部が、最大でも直径0.1μmであることを特徴とする請求項1に記載のペリクル膜の製造方法。
- 前記凸部の1mm2当たりの合計面積が0.01mm2〜0.5mm2の密度であることを特徴とする請求項2に記載のペリクル膜の製造方法。
- 前記ペリクル膜を枠状のペリクルフレームに張設したときに枠内の全面に亘って複数の前記通気孔が形成される位置に対応させて、複数の前記凸部が前記成膜用基板に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のペリクル膜の製造方法。
- 前記ペリクル膜を枠状のペリクルフレームに張設したときに該ペリクルフレームの内壁に沿う枠沿領域に複数の前記通気孔が形成される位置に対応させて、複数の前記凸部が前記成膜用基板に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のペリクル膜の製造方法。
- 前記枠沿領域が、前記ペリクルフレームの内壁から20mmまでの範囲であることを特徴とする請求項5に記載のペリクル膜の製造方法。
- 前記枠沿領域が、前記ペリクル膜の使用対象となるフォトマスク上のマスクパターン領域に非対向の範囲であることを特徴とする請求項5に記載のペリクル膜の製造方法。
- 請求項1〜7のいずれかに記載のペリクル膜の製造方法で製造したペリクル膜を、ペリクルフレームに張設することを特徴とするペリクルの製造方法。
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