WO2016043301A1 - ペリクル、ペリクルの製造方法及びペリクルを用いた露光方法 - Google Patents

ペリクル、ペリクルの製造方法及びペリクルを用いた露光方法 Download PDF

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Abstract

極端紫外光リソグラフィ用のペリクル、その製造方法及び露光方法を提供する。本発明に係るペリクルは、ペリクル膜を配置した第１の枠体と、前記第１の枠体を支持する第２の枠体と、前記第１の枠体を貫通する貫通孔と、前記第１の枠体の前記ペリクル膜が配置された面側で前記貫通孔を覆うフィルタと、を備える。前記貫通孔は、前記ペリクル膜を貫通し、前記フィルタは、前記ペリクル膜上に配置さてもよい。また、前記フィルタが前記ペリクル膜に隣接して、前記第１の枠体上に配置されてもよい。

Description

ペリクル、ペリクルの製造方法及びペリクルを用いた露光方法
本発明は、フォトリソグラフィ工程に用いるペリクル、その製造方法及び露光方法に関する。特に、本発明は、極端紫外光（Extreme Ultraviolet：ＥＵＶ）リソグラフィ用のペリクル、その製造方法及びそのペリクルを用いた露光方法に関する。
フォトリソグラフィ工程では、マスク或いはレチクル上に塵埃等が付着するのを防止するために、マスクパターンを囲う大きさの枠の一端にペリクル膜を張架したペリクルが使用されている。このようなペリクルがマスク上に装着された状態では、ペリクル内部は極めて気密性が高く、気圧変化や温度変化によって、薄膜のペリクル膜がたるんだり、或いは膨らんだりする状態になる場合がある。このようにペリクル膜が平滑性を失った場合には、ペリクル膜の光学的特性を変化させるだけでなく、凹凸の程度が激しい場合には、ペリクル膜がマスクに接触したり、ペリクルを収納するケースの蓋に当たったりしてペリクル膜が損傷することがある。
このような問題を解決するものとして、例えば、特許文献１には、ペリクル枠に少なくとも一つの通気孔が形成され、通気孔には塵埃等の通過を阻止するフィルタ部材が枠部材、マスク基板及びペリクル膜で囲まれた空間内に脱落しないように設けられたペリクルが記載されている。特許文献２には、ペリクル枠側面の少なくとも一部に開口部を設け、その内面を粘着状にしたペリクルが記載されている。また、特許文献３には、枠内部に空洞を設け、通気ガス中の異物を捕捉するペリクルが記載されている。
一方、フィルタを設けたペリクルでは、微小な塵埃等を確実に捕捉するためにはフィルタの目を細かくしなければならず、このためフィルタのガス透過速度が遅く、圧力差が緩和されるまで時間がかかるという問題があった。これを解決するため、特許文献４には、ペリクル枠を内側部材と外側部材とに分割し、内側部材を耐光性に優れる自然発色アルマイト化アルミニウム又はセラミックで構成し、外側部材を耐力の大きいアルミニウム合金７０７５－Ｔ６で構成し、ペリクル枠の内部に３箇所の屈曲部を有する２つの通気孔を設け、通気孔の内表面にダストを吸着するための粘着層を設けたペリクルが記載されている。
ところで、リソグラフィの波長は短波長化が進み、次世代のリソグラフィ技術として、ＥＵＶリソグラフィの開発が進められている。ＥＵＶ光は、軟Ｘ線領域又は真空紫外線領域の波長の光を指し、１３．５ｎｍ±０．３ｎｍ程度の光線を指す。フォトリソグラフィでは、パターンの解像限界は露光波長の１／２程度であり、液浸法を用いても露光波長の１／４程度と言われており、ＡｒＦレーザ（波長：１９３ｎｍ）の液浸法を用いても、その露光波長は４５ｎｍ程度が限界と予想されている。したがって、ＥＵＶリソグラフィは、従来のリソグラフィから大幅な微細化が可能な革新的な技術として期待されている。
一方、ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすく、したがって、ＥＵＶリソグラフィでは、露光装置内を真空にして露光する必要がある。また、あらゆる物質に対してＥＵＶ光の屈折率が１に近くなるため、従来の可視光又は紫外光を用いたフォトリソグラフィのように、レンズと透過型フォトマスクを用いる屈折光学系を使用できない。このため、ＥＵＶリソグラフィでは、反射型フォトマスクとミラーとを用いる反射光学系での露光が必要となる。反射型フォトマスクは、例えば、特許文献５に記載されているように、基板上にＭｏ層とＳｉ層とが交互に複数回積層された多層反射膜を有し、反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層が形成された構造を有する。
実公昭６３－３９７０３号公報 特開平５－１１３６５８号公報 特開平５－１０７７４７号公報 特開２００３－１０７６７８号公報 特開２０１４－１６０７５２号公報
上述したように、ＥＵＶリソグラフィは、従来のリソグラフィとは異なり、真空下での露光となるため、フォトマスクへのペリクルの装着は必須ではないと考えられていた。しかし、従来にない微細プロセスであるため、フォトマスクへのペリクルの装着が必須であることが明らかとなってきた。しかし、ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすいため、ペリクルに配置するペリクル膜も従来にないナノメートルオーダーの膜である必要がある。
また、当初、フォトマスクへのペリクルの装着は必須ではないと考えられていたため、現在開発されているＥＵＶ露光装置には、フォトマスクへペリクルを装着するための空間が２．５ｍｍの高さしか存在していない。しかし、５ｍｍ以上の高さを有する従来のペリクルを装着するための空間を露光装置内に確保するには、光学系の設計変更が必要となり、ＥＵＶリソグラフィの開発に遅延をきたすこととなる。
真空下での露光であるため、ペリクル膜がたるんだり、或いは膨らんだりすることが想定されるが、ペリクルの設置空間に大幅に制限されるため、ナノメートルオーダーのペリクル膜の損傷を防ぐには、ペリクルの枠体に配置した通気孔を介した十分な通気を確保する必要がある。通気孔にはフィルタを配置する必要があるが、ペリクルの設置空間に大幅に制限されるため、枠体に許容される高さも大幅に制限されるため、枠体へのフィルタの配置も従来にない設計が要求される。
本発明は、上述の問題を解決するもので、極端紫外光リソグラフィ用のペリクル、その製造方法及び露光方法を提供することを目的とする。
また、極端紫外光リソグラフィ用のペリクルは、非常に薄いペリクル膜を枠体に貼り付けているため、フォトマスクに貼り付ける際に、従来のように枠体の上から力を掛けて貼付けを行うとペリクル膜が破損する危惧がある。このため、極端紫外光リソグラフィ用のペリクルは、専用の貼付け装置を用いて、非接触でのフォトマスクへの貼付けが必要となる。ここでいう非接触とは、枠体の上から強い力を掛けないという意味であり、強い力の目安は、従来のフォトマスク貼付け時に荷重される１ｋｇｆ程度以上である。本発明は、上記課題に加えて、非接触でのフォトマスクへの貼付けが可能な極端紫外光リソグラフィ用のペリクル、その製造方法も提供する。
本発明の一実施形態によると、ペリクル膜を配置した第１の枠体と、前記第１の枠体を支持する第２の枠体と、前記第１の枠体を貫通する貫通孔と、前記第１の枠体の前記ペリクル膜が配置された面側で前記貫通孔を覆うフィルタと、を備えるペリクルが提供される。
前記ペリクルにおいて、前記貫通孔は、前記ペリクル膜を貫通し、前記フィルタは、前記ペリクル膜上に配置さてもよい。
前記ペリクルにおいて、前記フィルタが前記ペリクル膜に隣接して、前記第１の枠体上に配置されてもよい。
前記ペリクルにおいて、前記フィルタの上面が前記ペリクル膜と同一面になるように、前記フィルタが前記第１の枠体上に配置されもよい。
前記ペリクルにおいて、前記第１の枠体は、前記第２の枠体と対向する面に、前記貫通孔に接続する溝部を有し、前記溝部は、前記第２の枠体との結合により、前記貫通孔に接続する孔を形成し、前記孔は、前記第１の枠体の内側の面に開口を有してもよい。
前記ペリクルにおいて、前記第２の枠体は、前記第１の枠体と対向する面に配置した第１の開口と、前記第２の枠体の内側の面に配置した第２の開口とを有し、２つの前記開口は、前記第２の枠体の内部に配置された孔で接続され、前記第１の開口が前記貫通孔に接続してもよい。
前記ペリクルにおいて、前記第２の枠体は、前記第１の枠体と対向する面に、前記貫通孔に接続する溝部を有し、前記溝部は、前記第１の枠体との結合により、前記貫通孔に接続する孔を形成し、前記孔は、前記第２の枠体の内側の面に開口を有してもよい。
前記ペリクルにおいて、前記ペリクル膜は５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の波長の光に９０．０％以上の透過率を有し、膜厚が２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であってもよい。
前記ペリクルにおいて、高さが２ｍｍ以下であってもよい。
また、本発明の一実施形態によると、基板上にペリクル膜を形成し、所定の位置の前記ペリクル膜を除去して前記基板を露出させ、前記基板の一部を除去して、前記ペリクル膜を露出させて第１の枠体を形成し、前記所定の位置に前記第１の枠体を貫通する貫通孔を形成し、前記第１の枠体の前記ペリクル膜が配置された面側に、前記貫通孔を覆うフィルタを配置し、前記第１の枠体側の前記貫通孔が開口するように、接着層を介して前記第１の枠体を第２の枠体に固定するペリクルの製造方法が提供される。
前記ペリクルの製造方法において、前記貫通孔は、前記所定の位置に前記ペリクル膜を貫通して形成し、前記ペリクル膜上に、前記貫通孔を覆うフィルタを配置してもよい。
前記ペリクルの製造方法において、前記ペリクル膜に隣接して、前記第１の枠体上に前記フィルタを配置してもよい。
前記ペリクルの製造方法において、前記フィルタの上面が前記ペリクル膜と同一面になるように、前記第１の枠体上に前記フィルタを配置してもよい。
前記ペリクルの製造方法において、前記第１の枠体の前記第２の枠体と対向する面に、前記貫通孔に接続する溝部を形成し、接着層を介して前記第１の枠体を第２の枠体に固定して、前記貫通孔に接続し、且つ、前記第１の枠体の内側の面に開口を有する孔を形成してもよい。
前記ペリクルの製造方法において、前記第２の枠体の前記第１の枠体と対向する面に第１の開口を形成し、前記第２の枠体の内側の面に第２の開口を形成し、前記第２の枠体の内部に２つの前記開口を接続する孔を形成し、前記第１の開口を前記貫通孔に接続してもよい。
前記ペリクルの製造方法において、前記第２の枠体の前記第１の枠体と対向する面に、前記貫通孔に接続する溝部を形成し、接着層を介して前記第１の枠体を第２の枠体に固定して、前記貫通孔に接続し、且つ、前記第２の枠体の内側の面に開口を有する孔を形成してもよい。
前記ペリクルの製造方法において、膜厚が２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下となる前記ペリクル膜を前記基板上に形成し、前記ペリクル膜は５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の波長の光に９０．０％以上の透過率を有してもよい。
前記ペリクルの製造方法において、高さを２ｍｍ以下としてもよい。
前記何れかのペリクルをフォトマスクのレチクル面に配置し、前記フォトマスクを露光装置の所定の位置に配置して、前記レチクル面から３ｍｍ以下の距離を有する空隙に前記ペリクルを収容し、真空下で、前記ペリクルを配置した前記フォトマスクに５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の光を照射し、前記ペリクルを配置した前記フォトマスクの前記レチクル面から出射した光をレジスト層が形成された基材に照射する露光方法。
本発明によると、極端紫外光リソグラフィ用のペリクル、その製造方法及び露光方法が提供される。また、非接触でのフォトマスクへの貼付けが可能な極端紫外光リソグラフィ用のペリクル、その製造方法を提供することができる。
一実施形態に係るペリクル１００の模式図（斜視図）ある。 一実施形態に係るペリクル１００の図１の線分ＡＡ’における断面図である。 一実施形態に係るペリクル１００の製造工程を示す図である。 一実施形態に係るペリクル１００の製造工程を示す図である。 一実施形態に係るペリクル２００の図１の線分ＡＡ’における断面図である。 一実施形態に係るペリクル２００の製造工程を示す図である。 一実施形態に係るペリクル２００の製造工程を示す図である。 一実施形態に係るペリクル３００の図１の線分ＡＡ’における断面図である。 一実施形態に係るペリクル３００の製造工程を示す模式図である。 一実施形態に係るペリクル４００の図１の線分ＡＡ’における断面図である。 一実施形態に係るペリクル４００の製造工程を示す模式図である。 一実施形態に係るペリクル４００の製造工程を示す模式図である。 一実施形態に係るペリクル５００の図１の線分ＡＡ’における断面図である。 一実施形態に係るペリクル５００の製造工程を示す模式図である。 一実施形態に係るペリクル６００の図１の線分ＡＡ’における断面図である。 一実施形態に係るペリクル６００の製造工程を示す模式図である。 一実施形態に係るペリクル７００の図１の線分ＡＡ’における断面図である。 一実施形態に係るペリクル７００の製造工程を示す模式図である。 一実施形態に係るペリクル７００の製造工程を示す模式図である。 一実施形態に係るペリクル８００の図１の線分ＡＡ’における断面図である。 一実施形態に係るペリクル９００の図１の線分ＡＡ’における断面図である。 一実施形態に係るペリクル１０００の図１の線分ＡＡ’における断面図である。 一実施形態に係るペリクル１１００に用いる第２の枠体１１１３の模式図である。 一実施形態に係る５０００を概念的に示す断面図である。 一実施形態に係るフォトマスク製造装置６０００を概念的に示す断面図である。 一実施形態に係るフォトマスク製造装置７０００を概念的に示す断面図である。 実施形態の検討例を示す図であり、（ａ）はペリクル１８００の断面図であり、（ｂ）はペリクル１９００の断面図である。
本明細書において、ＥＵＶ光とは、波長５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の光を指す。ＥＵＶ光の波長は、５ｎｍ～１３．５ｎｍ程度が好ましく、１３．５±０．３ｎｍがより好ましい。ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすいため、本発明において、ペリクル膜は、ナノメートルオーダーの膜である必要がある。本発明に係るペリクル膜は５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の波長の光に９０．０％以上の透過率を有する。本発明に係るペリクル膜は、好ましくは、５ｎｍ～１３．５ｎｍ程度の波長の光に対して、より好ましくは１３．５±０．３ｎｍの波長の光に対して、９０．０％以上の透過率を有する。このような透過率を得るため、本発明に係るペリクル膜の１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の膜厚であり、より好ましくは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。
ペリクル膜のＥＵＶ透過率Ｔは以下の式（１）で定義される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
  
式（１）中、Ｉは透過光強度、Ｉ０は入射光強度を示す。透過光強度Ｉ及び入射光強度Ｉ０、ペリクル膜の厚みｄ、密度ρ、及びペリクル膜の質量吸収係数μには、以下の式（２）で表される関係が成り立つ。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
  
式（２）における密度ρはペリクル膜を構成する物質固有の密度である。また、上記式（２）における質量吸収係数μは、以下のように求められる。光子のエネルギーがおよそ３０ｅＶより大きく、なおかつ光子のエネルギーが原子の吸収端から十分に離れている場合、質量吸収係数μは原子同士の結合状態等に依存しない。波長１３．５ｎｍの光子エネルギーは、９２．５ｅＶ付近であり、原子の吸収端からも十分に離れている。よって、上記質量吸収係数μは、ペリクル膜を構成する化合物の原子同士の結合状態に依存しない。そのため、ペリクル膜の質量吸収係数μは、ペリクル膜を構成する各元素（１，２，・・・，ｉ）の質量吸収係数μ１と、各元素の質量分率Ｗｉとから、以下の式（３）で求められる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000003
 　上記Ｗｉは、Ｗｉ＝ｎｉＡｉ／ΣｎｉＡｉで求められる値である。Ａｉは各元素ｉの原子量、ｎｉは各元素ｉの数である。
上記式（３）における各元素の質量吸収係数μｉは、Henkeらによってまとめられている以下の参考文献の値を適用できる。（B. L. Henke, E. M. Gullikson, and J. C. Davis, “X-Ray Interactions:Photoabsorption, Scattering, Transmission, and Reflection at E = 50-30,000 eV, Z = 1-92,” At. Data Nucl. Data Tables 54, 181 (1993)　これらの数値の最新版はhttp:// wwwcxro.lbl.gov/optical_constants/に掲載されている。）
ペリクル膜の質量吸収係数μ、ペリクル膜の密度ρ、及びペリクル膜の厚みｄが特定できれば、式（１）及び式（２）に基づき、ペリクル膜の波長１３．５ｎｍの光の透過率を算出できる。なお、上記透過率は、ローレンスバークレー国立研究所のＸ線光学センターの光学定数ウェブサイトでも計算できる。
膜厚を厚くし、かつ透過率を高めるためには、上記ペリクル膜の材質として吸収係数の低い材質を用いることが望ましい。具体的には水素の質量吸収係数μｉを１として相対的に表すとき、１００以下の元素からなる材質を用いることが望ましい。特に、Ｈ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｏ，Ｓｉ，Ｐ，Ｓ，Ｃｌ，Ｋ、Ｃａ，Ｓｃ，Ｂｒ，Ｒｂ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，などの元素を用いることが望ましい。
ペリクル膜を構成する具体的な化合物としてはフッ素系ポリマー、ポリオレフィン、ポリイミドなどの高分子化合物や、ルテニウム、ニッケル、ジルコニウム、チタン、モリブデン、ニオブ、などの金属、結晶シリコン（例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン、等）、アモルファスシリコン、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、グラファイト、アモルファスカーボン、グラフェン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、等が挙げられる。
また、ペリクル膜は、酸化防止膜や放熱膜を含んでいてもよい。酸化防止膜は、ＳｉＯｘ（ｘ≦２）、ＳｉｘＮｙ（ｘ／ｙは０．７～１．５）、ＳｉＯＮ、ＳｉＣ、Ｙ２Ｏ３、ＹＮ、Ｍｏ、Ｒｕ又はＲｈからなる膜等でありうる。
放熱膜は、熱輻射率が高い材料や熱伝導性が高い材料からなる膜であることが好ましい。具体的には、酸化防止膜と同様の材料からなる膜や、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、グラファイト、グラフェンからなる膜等であり得る。酸化防止膜及び放熱膜は、ペリクル膜の一方の面に形成してもよく、両面に形成してもよい。ペリクル膜は、上記元素及び化合物を１種単独で含んでいてもよいし、２種以上を含んでいてもよい。
従来のＡｒＦリソグラフィ用のペリクルでは、アルミニウムやセラミクス等で構成された枠体を用い、接着層を介してペリクル膜を枠体に接着していた。しかし、ＥＵＶリソグラフィ用の本発明に係るペリクル膜は、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の非常に薄い膜厚であるため、接着による枠体への固定は困難である。したがって、半導体製造プロセスを用いて、例えば、蒸着により基板にペリクル膜を形成し、基板を枠形状にバックエッチングすることにより、ペリクル膜を露出させ、ペリクル膜を配置した枠体を得ることができる。本発明に係る基板としては、例えば、シリコン基板、サファイア基板、炭化ケイ素基板等を用いることができる。これらに限定されるものではないが、基板としては、シリコン基板、サファイア基板、炭化ケイ素基板が好ましく、シリコン基板がより好ましい。
上述したように、フォトマスクにペリクルを装着するための空間が２．５ｍｍの高さしか存在していないため、ペリクル膜の破損を防ぐために、ペリクルの高さは２ｍｍ以下であることが好ましい。上述したような方法で非常に薄いペリクル膜を形成した場合、枠体の側面に通気口として貫通孔を形成するのは困難である。このため、ペリクル膜を配置した第１の枠体と、側面に貫通孔を形成した第２の枠体を別に形成し、接着層を介して接着する方法が考えられる。第１の枠体はペリクル膜の形成及びハンドリングの観点から、厚さを１ｍｍ以下とすることが好ましいが、１００μｍ以下にするのは困難である。また、第１の枠体と第２の枠体との接着層、及び、ペリクルとマスクとの接着層を備えているため、貫通孔を配置する第２の枠体に許容される高さは、１～１．５ｍｍとなる。しかし、防塵のため貫通孔をフィルタで覆う場合、１．５ｍｍ以下のフィルタを第２の枠体の側面に配置するのは接着性やハンドリングの観点から困難である。
このため、接着層を介して接着した第１の枠体及び第２の枠体の側面に２ｍｍ程度のフィルタを配置することが考えられる。しかし、この場合、図２７に示すような問題が生じる。図２７は、接着層を介して接着した第１の枠体及び第２の枠体の側面に２ｍｍ程度のフィルタを配置したペリクルの模式図であり、図２７（ａ）はドライエッチングにより第１の枠体を形成したペリクル１８００の模式図であり、図２７（ｂ）はウエットエッチングにより第１の枠体を形成したペリクル１９００の模式図である。
ペリクル１８００は、ペリクル膜１８０１を配置した第１の枠体１８１１と、第１の枠体１８１１と接着層１８４１を介して固定した第２の枠体１８１３を備える。第２の枠体１８１３には外側の側面と内側の側面とを貫通した貫通孔１８２１が形成される。接着層１８４１を介して接着した第１の枠体１８１１及び第２の枠体１８１３の側面には、貫通孔１８２１を覆うフィルタ１８３１が接着層（図示せず）を介して接着される。また、第２の枠体１８１３の底面にはフォトマスクにペリクル１８００を固定するための接着層１８４３が形成され、フォトマスクに固定するまでは、ライナー１８５１により接着層１８４３が保護される。このとき、第１の枠体１８１１と第２の枠体１８１３を接着する接着層１８４１に隙間１８９０が生じる。
また、このようなフィルタの背面（接着面）に生じる隙間は、ウエットエッチングにより第１の枠体を形成した場合に顕著になる。ペリクル１９００は、ペリクル膜１９０１を配置した第１の枠体１９１１と、第１の枠体１９１１と接着層１９４１を介して固定した第２の枠体１９１３を備える。第２の枠体１９１３には外側の側面と内側の側面とを貫通した貫通孔１９２１が形成される。接着層１９４１を介して接着した第１の枠体１９１１及び第２の枠体１９１３の側面には、貫通孔１９２１を覆うフィルタ１９３１が接着層（図示せず）を介して接着される。また、第２の枠体１９１３の底面にはフォトマスクにペリクル１９００を固定するための接着層１９４３が形成され、フォトマスクに固定するまでは、ライナー１９５１により接着層１９４３が保護される。ここで、ペリクル１９００においては、第１の枠体１９１１がウエットエッチングにより形成されるため、図２７（ｂ）に示すように、第１の枠体１９１１の側面に傾斜が生じ、断面が台形状になる。このとき、第１の枠体１９１１と接着層１９４１に隙間１９９０が生じ、フィルタ１９３１の十分な密着性を得ることができない。
そこで、本発明者らは、フィルタの背面に隙間を生じずに、十分な密着性を得るペリクルの構成を検討した。以下、図面を参照して本発明に係るペリクル、その製造方法及び照射方法について説明する。但し、本発明のペリクル及びその製造方法は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、本実施の形態で参照する図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
本発明に係るペリクルは、ペリクル膜を配置した第１の枠体と、第１の枠体を支持する第２の枠体と、第１の枠体を貫通する貫通孔と、第１の枠体のペリクル膜が配置された面側で貫通孔を覆うフィルタを備えることを特徴とする。以下に具体的な態様を例示しながら、本発明に係るペリクルを説明する。
（実施形態１）
図１は、本発明の一実施形態に係るペリクル１００の模式図（斜視図）ある。図２は、ペリクル１００の図１の線分ＡＡ’における断面図である。図２（ａ）はペリクル１００の図１の線分ＡＡ’における断面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）の一部拡大図である。ペリクル１００は、ペリクル膜１０１を配置した第１の枠体１１１と、第１の枠体１１１を支持する第２の枠体１１３と、を備える。また、ペリクル１００は、ペリクル膜１０１と第１の枠体１１１とを貫通する貫通孔１２１と、ペリクル膜１０１上に配置され、貫通孔１２１を覆うフィルタ１３１と、を備える（図２（ａ））。フィルタ１３１は、第１の枠体１１１上のペリクル膜１０１の領域に接着層１３７を介して配置される（図２（ｂ））。なお、図２は、第１の枠体１１１のペリクル膜１０１が配置された面とは反対側の面に第２の枠体１１３を備えているが、第１の枠体１１１の側面側に第２の枠体１１３を備えてもよい。
ペリクル膜１０１及び第１の枠体１１１としては、上述したペリクル膜及び基板を用いることができるため、詳細な説明は省略する。第１の枠体１１１を構成する材質にはシリコン、サファイア、炭化ケイ素が好ましく、シリコンがより好ましい。第２の枠体１１３としては、ＥＵＶ光に対する耐性を有し、平坦性が高く、低イオン溶出性の材料が好ましい。また、炭素由来の汚れを除去するために、水素ガスを露光装置内に流すため、水素ラジカルに対する耐性を有する材料で構成されることが好ましい。
第２の枠体１１３（ペリクル枠）の材質には特に制限はなく、ペリクル枠に用いられる通常の材質とすることができる。第２の枠体１１３の材質として、具体的には、アルミニウム、アルミニウム合金（５０００系、６０００系、７０００系等）、ステンレス、シリコン、シリコン合金、鉄、鉄系合金、炭素鋼、工具鋼、セラミックス、金属－セラミックス複合材料、樹脂等が挙げられる。中でも、アルミニウム、アルミニウム合金が、軽量かつ剛性の面からより好ましい。また、第２の枠体１１３は、その表面に保護膜を有していてもよい。
保護膜としては、露光雰囲気中に存在する水素ラジカル及びＥＵＶ光に対して耐性を有する保護膜が好ましい。保護膜としては、例えば、酸化被膜が挙げられる。酸化被膜は、陽極酸化等の公知の方法によって形成することができる。
第１の枠体１１１と第２の枠体１１３とは、接着層１４１を介して固定される。接着層１４１の厚みは、第１の枠体１１１と第２の枠体１１３との十分な接着が確保できる範囲で可能な限り薄いことが好ましく、例えば、１０μｍ以上３００μｍ以下である。また、接着層１４１に用いる接着剤としては、ＥＵＶ光に対する耐性を有し、ガスの発生量が少ない材料が好ましい。また、炭素由来の汚れを除去するために、水素ガスを露光装置内に流すため、水素ラジカルに対する耐性を有する材料で構成されることが好ましい。
本実施形態において、「接着剤」は広義の接着剤を指し、「接着剤」の概念には、粘着剤も含まれるものとする。接着剤としては、アクリル樹脂接着剤、エポキシ樹脂接着剤、ポリイミド樹脂接着剤、シリコーン樹脂接着剤、無機系接着剤、両面粘着テープ、シリコーン樹脂粘着剤、アクリル系粘着剤、ポリオレフィン系粘着剤、等が挙げられる。
ペリクル膜又は他のペリクル枠との接着に用いられる接着剤としては、アクリル樹脂接着剤、エポキシ樹脂接着剤、ポリイミド樹脂接着剤、シリコーン樹脂接着剤、無機系接着剤、が好ましい。フォトマスクとの接着に用いられる接着剤としては、両面粘着テープ、シリコーン樹脂粘着剤、アクリル系粘着剤、ポリオレフィン系粘着剤が好ましい。
貫通孔１２１は、ペリクル膜１０１と第１の枠体１１１とを貫通して配置される。貫通孔１２１は、常圧（０．１ＭＰａ）から露光時の真空状態（１０－４～１０－６Ｐａ）迄減圧した時に、ペリクル１００内外の差圧によるペリクル膜１０１の膨張が０．５ｍｍ未満となる径である。本実施形態において、貫通孔１２１の径は、減圧したときに貫通孔１２１に発生する圧力損失の上限値を考慮して設定される。
減圧した時に貫通孔で発生する圧力損失は１Ｐａ以下となることが望ましく、より望ましくは０．５Ｐａ以下である。ここで、フィルタ１３１は貫通孔１２１を覆うように設置され、減圧したときの圧力損失の大部分はフィルタ１３１部分で発生し、貫通孔１２１では圧力損失はほとんど生じないようにすることが好ましい。例えば、貫通孔１２１での圧力損失が１Ｐａ以下となるように、より好ましくは０．１Ｐａ程度となるように、貫通孔１２１のサイズおよび貫通孔１２１の数を調整する。
例えば、３５０Ｐａ／ｓｅｃの速度で減圧されるとき、貫通孔１２１で発生するペリクル１００内外の圧力損失が１Ｐａとなるときの貫通孔１２１の直径は４００μｍ及び数は４個、あるいは直径は３００μｍ及び数は４０個である。貫通孔１２１の形状は特に問わず、円形、楕円形、長方形、多角形、台形などの形状であってよい。貫通孔の径は特に制限されないが、第１の枠の強度が低下しない範囲で、１０～５００μｍ程度となることが望ましい。貫通孔の数も特に制限されず、フィルタの長さや、フィルタの幅に応じて選択できる。貫通孔１２１を複数個設ける場合には貫通孔１２１の位置や間隔は特に問わないが、フィルタ１３１内で等間隔に配置することが好ましい。
ペリクル１００をフォトマスクに設置したときに、第１の枠体１１１の幅はペリクル１００の開口率に影響する。とくに、反射型マスクを用いるＥＵＶリソグラフィにおいては、ＥＵＶ光がフォトマスクに対して斜めに入射して、反射されるため、第１の枠体１１１の幅が狭いほうが好ましい。したがって、本実施形態において、貫通孔１２１は、第２の枠体１１３の内側の面に近接して配置されることが好ましい。
フィルタ１３１は、フォトマスクヘ固定したペリクル１００内への塵埃等の流入を防止可能な材料で形成され、初期圧力損失が１００Ｐａ以上５５０Ｐａ以下、粒径が０．１５μｍ以上０．３μｍ以下の粒子に対して粒子捕集率が９９．７％以上１００％以下のフィルタを用いることが望ましい。フィルタの種類として、例えば、ＵＬＰＡフィルタ（Ultra Low Penetration Air Filter）を用いることができる。ＵＬＰＡフィルタは、定格風量で粒径が０．１５μｍの粒子に対して９９．９９９５％以上の粒子捕集率をもち、且つ初期圧力損失が２４５Ｐａ以下の性能を持つエアフィルタである。また、フィルタ１３１としてＨＥＰＡフィルタ（High Efficiency Particulate Air Filter）を用いてもよい。ＨＥＰＡフィルタは、定格風量で粒径が０．３μｍの粒子に対して９９．９７％以上の粒子捕集率をもち、且つ初期圧力損失が２４５Ｐａ以下の性能を持つエアフィルタである。フィルタ１３１は、ペリクル膜１０１への接着性を確保するとともに、ペリクル１００の開口率を確保する観点から、幅を１ｍｍ以上４ｍｍ以下とすることが好ましい。
フィルタ１３１は、通気部１３５と接着層１３７が配置される糊代部１３３とにより構成される（図２（ｂ））。糊代部１３３は通気部１３５を囲むように、フィルタ１３１の外周部に配置される。接着層１３７は、ペリクル膜１０１と通気部１３５を隙間なく接着する役割を果たす。接着層１３７に接する糊代部１３７では気体は通過しない。糊代部１３７の幅は０．２ｍｍ以上１．０ｍｍ以下である。通気部１３５の面積を広くするために、糊代部１３７の幅はできる限り細い方が望ましい。通気部１３５とは、フィルタ１３１の接着層１３７に接していない部分を指す。通気部１３５を気体が通過し、気体に含まれる粒子を捕捉する。通気部１３５では圧力損失が発生するため、フィルタの換気性能は、通気部１３５の換気性能によって決まる。
フィルタ１３１の総面積は減圧したときにフィルタ１３１に発生する圧力損失の上限値を考慮して設定される。減圧したときにフィルタ１３１に発生する圧力損失は２Ｐａ以下となることが望ましい。フィルタ１３１の長さはフィルタ１３１の面積をフィルタの幅で割ることで算出できる。フィルタ１枚当たりの長さの範囲は特に制限はないが、１ｃｍ以上１５ｃｍ以下の範囲が望ましく、より望ましくは２ｃｍ以上１０ｃｍ以下である。
現在、ＥＵＶ露光用のペリクルとしては、長辺１５２ｍｍ以下、短編１２０ｍｍ以下、高さ２ｍｍ以下の大きさが想定され、３５０　Ｐａ／ｓｅｃでの減圧及び加圧が想定される。常圧（０．１ＭＰａ）から露光時の真空状態（１０－４～１０－６Ｐａ）迄減圧した時、また、真空状態から常圧に戻す際に加圧した時の、ペリクル１００内外の差圧によるペリクル膜１０１の膨張が０．５ｍｍ未満とするために、ペリクル１００の内部の体積に対するフィルタ１３１の通気部の合計面積の比率（フィルタの通気部面積／ペリクル内部体積）が０．００７ｍｍ－１以上０．０２６ｍｍ－１以下であることが好ましい。この比率が０．００７ｍｍ－１以上であると、減圧および加圧する時にフィルタ通気部を通過する気体の流速が早くなりすぎないためにペリクル１００内外の差圧の上昇が抑制され、ペリクル膜１０１の膨張が０．５ｍｍ未満に抑制できる。また、形成可能な通気部１３５の大きさによる制約から、この比率が０．０２６ｍｍ－１以下であると、フィルタ１３１の通気部１３５および糊代部１３７を十分に設けることができる。
また、フィルタの厚み（高さ）は、フォトマスクにペリクルを装着する空間が２．５ｍｍしかないため、ペリクルとフィルタの厚み（高さ）の合計が２．５ｍｍ未満となるように配慮する必要がある。ペリクルの高さにもよるが、厚みは０．０５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下の範囲が好ましく、より望ましくは０．１ｍｍ以上０．４ｍｍ以下である。
また、第２の枠体１１３の底面には接着層１４３が配置される。接着層１４３は、ペリクル１００をフォトマスクに固定するための手段である。接着層１４３の厚みは、フォトマスクと第２の枠体１１３との十分な接着が確保できる範囲で可能な限り薄いことが好ましく、例えば、１０μｍ以上３００μｍ以下である。また、接着層１４３に用いる接着剤としては、ＥＵＶ光に対する耐性を有し、ガスの発生量が少ない材料が好ましい。また、炭素由来の汚れを除去するために、水素ガスを露光装置内に流すため、水素ラジカルに対する耐性を有する材料で構成されることが好ましい。
接着剤としては、アクリル樹脂接着剤、エポキシ樹脂接着剤、ポリイミド樹脂接着剤、シリコーン樹脂接着剤、無機系接着剤、両面粘着テープ、シリコーン樹脂粘着剤、アクリル系粘着剤、ポリオレフィン系粘着剤、等が挙げられる。接着層１４３の材料は、接着層１４１と同じものであってもよく、異なっていてもよい。
ペリクル１００において、ペリクル膜１０１、第１の枠体１１１、接着層１４１、第２の枠体１１３及び接着層１４３を含めた高さは、２ｍｍ以下であることが好ましい。上述したように、フォトマスクにペリクルを装着するための空間が２．５ｍｍの高さしか存在していないため、ペリクル膜１０１の破損を防ぐために、ペリクル１００の高さは２ｍｍ以下であることが好ましい。
使用前のペリクル１００の接着層１４３に塵埃等が付着するのを防止するため、剥離可能なライナー１５１により接着層１４３が保護される。
本発明においては、貫通孔１２１がペリクル膜１０１と第１の枠体とを貫通し、フィルタ１３１が第１の枠体１１１上のペリクル膜１０１の領域に配置されるため、フィルタ１３１の背面に貫通孔１２１以外の空隙を生じることなく、十分な密着性を持ってフィルタ１３１を配置することができる。
（ペリクル１００の製造方法）
本実施形態に係るペリクル１００は、例えば、図３及び図４を参照し、以下のように製造することができる。なお、以下の製造工程は一例であって、必要に応じて製造工程の順序を変更することもできる。図３及び図４は、ペリクル１００の製造工程を示す図である。
基板１０５を準備し、基板１０５上にペリクル膜１０１を形成する（図３（ａ））。基板１０５には、上述したように、例えば、シリコン基板、サファイア基板、炭化ケイ素基板等を用いることができるが、これらに限定されるものではない。
ペリクル膜１０１は、蒸着により膜厚が２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下となるように、基板１０５上に形成する。ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすいため、ペリクル膜１０１は５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の波長の光に９０．０％以上の透過率を有するように、薄く形成することが好ましい。本発明に係るペリクル膜１０１は、好ましくは、５ｎｍ～１３．５ｎｍ程度の波長の光に対して、より好ましくは１３．５±０．３ｎｍの波長の光に対して、９０．０％以上の透過率を有する。
貫通孔１２１を形成する所定の位置のペリクル膜１０１をエッチングにより除去し、基板１０５を露出させる（図３（ｂ））。ペリクル膜１０１が形成された面とは反対側の基板１０５の面をエッチングし、基板１０５一部を除去して、ペリクル膜１０１を露出させて第１の枠体１１１を形成する。また、ペリクル膜１０１を除去した所定の位置に、ペリクル膜１０１と第１の枠体１１１とを貫通する貫通孔１２１を形成する（図３（ｃ））。
貫通孔１２１は、常圧（０．１ＭＰａ）から露光時の真空状態（１０－４～１０－６Ｐａ）迄減圧した時に、ペリクル１００内外の差圧によるペリクル膜１０１の膨張が０．５ｍｍ未満となる径とする。本実施形態において、貫通孔１２１はフィルタ１３１により覆われるため、貫通孔１２１の径は、フィルタ１３１による抵抗を考慮して設定される。
上述したように、ペリクル１００をフォトマスクに設置したときに、第１の枠体１１１の幅はペリクル１００の開口率に影響する。とくに、反射型マスクを用いるＥＵＶリソグラフィにおいては、ＥＵＶ光がフォトマスクに対して斜めに入射して、反射されるため、第１の枠体１１１の幅が狭いほうが好ましい。したがって、本実施形態において、貫通孔１２１は、第２の枠体１１３の内側の面に近接して配置されることが好ましい。
ペリクル膜１０１上に、貫通孔１２１を覆うフィルタ１３１を接着する（図３（ｄ））。
フィルタ１３１は、上述した特性を有するフィルタが好ましく、ペリクル膜１０１への接着性を確保するとともに、ペリクル１００の開口率を確保する観点から、幅を１ｍｍ以上４ｍｍ以下とすることが好ましい。フィルタ１３１を接着するタイミングは特に制限はなく、第２の枠体に固定した後で貼り付けてもよい。
別途、第２の枠体１１３を準備する。第２の枠体１１３の底面に接着層１４３を形成する。また、接着層１４３を保護するライナー１５１を配置する（図４（ａ））。ここで、接着層１４３を形成したライナー１５１を準備して、接着層１４３を介して、ライナー１５１を第２の枠体１１３の底面に貼り付けてもよい。
第２の枠体１１３の上面に、接着層１４１を形成する（図４（ｂ））。形成した接着層１４１を介して、第１の枠体１１１を第２の枠体１１３に固定する（図４（ｃ））。このとき、第１の枠体１１１側の貫通孔１２１が開口するように、接着層１４１を介して第１の枠体１１１を第２の枠体１１３に固定する。
フォトマスクにペリクルを装着するための空間が２．５ｍｍの高さしか存在していないため、本実施形態においては、フィルタ１３１、ペリクル膜１０１、第１の枠体１１１、接着層１４１、第２の枠体１１３及び接着層１４３を含めた高さを２ｍｍ以下とすることが好ましい。
本発明においては、貫通孔１２１がペリクル膜１０１と第１の枠体とを貫通し、フィルタ１３１が第１の枠体１１１上のペリクル膜１０１の領域に配置されるため、フィルタ１３１の背面に貫通孔１２１以外の空隙を生じることなく、十分な密着性を持ってフィルタ１３１を配置することができる。
（実施形態２）
実施形態１のペリクル１００においては、貫通孔１２１が第２の枠体１１３よりも内側に配置されていたため、第１の枠体１１１の幅を第２の枠体１１３の幅より広くする必要がある。上述したように、ペリクルをフォトマスクに設置したときに、第１の枠体の幅はペリクルの開口率に影響する。本実施形態においては、第１の枠体の幅を狭くしつつ、貫通孔を配置する例について説明する。
図５は、本発明の一実施形態に係るペリクル２００の図１の線分ＡＡ’における断面図である。ペリクル２００は、ペリクル膜２０１を配置した第１の枠体２１１と、第１の枠体２１１を支持する第２の枠体２１３と、を備える。また、ペリクル２００は、ペリクル膜２０１と第１の枠体２１１とを貫通する貫通孔２２１と、ペリクル膜２０１上に配置され、貫通孔２２１を覆うフィルタ２３１と、を備える。
本実施形態において、第１の枠体２１１は、第２の枠体２１３と対向する面に、貫通孔２２１に接続する溝部２２５を有する。溝部２２５は、第２の枠体２１３との結合により、貫通孔２２１に接続する孔２２３を形成する。孔２２３は、第１の枠体２１１の内側の面に開口を有する。フィルタ２３１は、第１の枠体２１１上のペリクル膜２０１の領域に接着層（図示せず）を介して配置される。
ペリクル膜２０１、第１の枠体２１１及び第２の枠体２１３としては、上述したペリクル膜、基板及び第２の枠体１１３と同様の材料を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
第１の枠体２１１と第２の枠体２１３とは、接着層２４１を介して固定される。接着層２４１の厚みは、第１の枠体２１１と第２の枠体２１３との十分な接着が確保できる範囲で可能な限り薄いことが好ましく、例えば、１０μｍ以上３００μｍ以下である。また、接着層２４１に用いる接着剤は、接着層１４１と同様の接着剤を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
貫通孔２２１は、ペリクル膜２０１と第１の枠体２１１とを貫通して配置される。また、本実施形態においては、第１の枠体２１１の第２の枠体２１３と対向する面に、貫通孔２２１に接続する溝部２２５を配置することで、溝部２２５と第２の枠体２１３との結合により、貫通孔２２１に接続する孔２２３を形成する。このため、貫通孔２２１及び、貫通孔２２１と第１の枠体２１１の内側の面に配置した開口とを接続する孔２２３は、常圧（０．１ＭＰａ）から露光時の真空状態（１０－４～１０－６Ｐａ）迄減圧した時に、ペリクル２００内外の差圧によるペリクル膜２０１の膨張が０．５ｍｍ未満となる径である。本実施形態において、貫通孔２２１はフィルタ２３１により覆われるため、貫通孔２２１及び孔２２３の径は、減圧したときに貫通孔２２１に発生する圧力損失の上限値を考慮して設定される。
減圧した時に貫通孔２２１で発生する圧力損失は１Ｐａ以下となることが望ましく、より望ましくは０．５Ｐａ以下である。ここで、フィルタ２３１は貫通孔２２１を覆うように設置され、減圧したときの圧力損失の大部分はフィルタ２３１部分で発生し、貫通孔２２１では圧力損失はほとんど生じないようにすることが好ましい。例えば、貫通孔２２１での圧力損失が１Ｐａ以下となるように、より好ましくは０．１Ｐａ程度となるように、貫通孔２２１のサイズを調整する。
例えば、３５０Ｐａ／ｓｅｃの速度で減圧されるとき、貫通孔２２１の直径が４８０μｍ及び数が４個であれば、貫通孔２２１で発生するペリクル２００内外の圧力損失が１Ｐａ以下となる。貫通孔２２１の形状は特に問わず、円形、楕円形、長方形、多角形、台形などの形状であってよい。貫通孔２２１の径は特に制限されないが、第１の枠や膜の強度が低下しない範囲で、１０～５００μｍ程度となることが望ましい。貫通孔２２１の数も特に制限されず、フィルタの長さや、フィルタの幅に応じて選択できる。
フィルタ２３１は、フィルタ１３１と同様のフィルタを用いることができるため、詳細な説明は省略する。フィルタ２３１は、ペリクル膜２０１への接着性を確保するとともに、ペリクル２００の開口率を確保する観点から、幅を１ｍｍ以上４ｍｍ以下とすることが好ましい。フィルタ２３１の幅は、第１の枠体２１１の幅に収まればよい。
フィルタの総面積は減圧したときにフィルタ２３１に発生する圧力損失の上限値を考慮して設定される。減圧したときにフィルタ２３１に発生する圧力損失は２Ｐａ以下となることが望ましい。フィルタ２３１の長さはフィルタ２３１の面積をフィルタ２３１の幅で割ることで算出できる。フィルタ１枚当たりの長さの範囲は特に制限はないが、１ｃｍ以上１５ｃｍ以下の範囲が望ましく、より望ましくは２ｃｍ以上１０ｃｍ以下である。フィルタの厚み（高さ）は、フォトマスクにペリクルを装着する空間が２．５ｍｍしかないため、ペリクルとフィルタの厚み（高さ）の合計が２．５ｍｍ未満となるように配慮する必要がある。ペリクルの高さにもよるが、厚みは０．０５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下の範囲が好ましく、より望ましくは０．１ｍｍ以上０．４ｍｍ以下である。
また、第２の枠体２１３の底面には接着層２４３が配置される。接着層２４３は、ペリクル２００をフォトマスクに固定するための手段である。接着層２４３の厚みは、フォトマスクと第２の枠体２１３との十分な接着が確保できる範囲で可能な限り薄いことが好ましく、例えば、１０μｍ以上３００μｍ以下である。接着層２４３に用いる接着剤は、接着層１４３と同様の接着剤を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
ペリクル２００において、ペリクル膜２０１、第１の枠体２１１、接着層２４１、第２の枠体２１３及び接着層２４３を含めた高さは、２ｍｍ以下であることが好ましい。上述したように、フォトマスクにペリクルを装着するための空間が２．５ｍｍの高さしか存在していないため、ペリクル膜２０１の破損を防ぐために、ペリクル２００の高さは２ｍｍ以下であることが好ましい。
使用前のペリクル２００の接着層２４３に塵埃等が付着するのを防止するため、剥離可能なライナー２５１により接着層２４３が保護される。
本発明においては、貫通孔２２１がペリクル膜２０１と第１の枠体２１１とを貫通し、第１の枠体２１１の溝部２２５と第２の枠体２１３との結合により、貫通孔２２１に接続する孔２２３を形成するため、フィルタ２３１の背面に貫通孔２２１以外の空隙を生じることなく、十分な密着性を持ってフィルタ２３１を配置することができる。
（ペリクル２００の製造方法）
本実施形態に係るペリクル２００は、例えば、図６及び図７を参照し、以下のように製造することができる。なお、以下の製造工程は一例であって、必要に応じて製造工程の順序を変更することもできる。図６及び図７は、ペリクル２００の製造工程を示す図である。
基板２０５を準備し、基板２０５上にペリクル膜２０１を形成する（図６（ａ））。基板２０５には、上述したように、例えば、シリコン基板、サファイア基板、炭化ケイ素基板等を用いることができるが、これらに限定されるものではない。
ペリクル膜２０１は、蒸着により膜厚が２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下となるように、基板２０５上に形成する。ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすいため、ペリクル膜２０１は５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の波長の光に９０．０％以上の透過率を有するように、薄く形成することが好ましい。本発明に係るペリクル膜２０１は、好ましくは、５ｎｍ～１３．５ｎｍ程度の波長の光に対して、より好ましくは１３．５±０．３ｎｍの波長の光に対して、９０．０％以上の透過率を有する。
貫通孔２２１を形成する所定の位置のペリクル膜２０１をエッチングにより除去し、基板２０５を露出させる（図６（ｂ））。ペリクル膜２０１が形成された面とは反対側の基板２０５の面をエッチングして、基板２０５一部を除去し、第１の枠体２１１の第２の枠体２１３と対向する面に、貫通孔２２１に接続する溝部２２５を形成する。また、ペリクル膜２０１を除去した所定の位置に、ペリクル膜２０１と第１の枠体２１１とを貫通する貫通孔２２１を形成する（図６（ｃ））。
本実施形態においては、第１の枠体２１１の第２の枠体２１３と対向する面に、貫通孔２２１に接続する溝部２２５を配置することで、溝部２２５と第２の枠体２１３との結合により、貫通孔２２１に接続する孔２２３を形成する。このため、貫通孔２２１の径及び孔２２３の大きさは、常圧（０．１ＭＰａ）から露光時の真空状態（１０－４～１０－６Ｐａ）迄減圧した時に、ペリクル２００内外の差圧によるペリクル膜２０１の膨張が０．５ｍｍ未満となる径とする。本実施形態において、貫通孔２２１はフィルタ２３１により覆われるため、貫通孔２２１の径及び孔２２３の大きさは、フィルタ２３１による抵抗を考慮して設定される。
ペリクル膜２０１上に、貫通孔２２１を覆うフィルタ２３１を接着する（図６（ｄ））。フィルタ２３１は、上述した特性を有するフィルタが好ましく、ペリクル膜２０１への接着性を確保するとともに、ペリクル２００の開口率を確保する観点から、幅を１ｍｍ以上４ｍｍ以下とすることが好ましい。フィルタ２３１を接着するタイミングは特に制限はなく、第２の枠体に固定した後で貼り付けてもよい。
別途、第２の枠体２１３を準備する。第２の枠体２１３の底面に接着層２４３を形成する。また、接着層２４３を保護するライナー２５１を配置する（図７（ａ））。ここで、接着層２４３を形成したライナー２５１を準備して、接着層２４３を介して、ライナー２５１を第２の枠体２１３の底面に貼り付けてもよい。
第２の枠体２１３の上面に、接着層２４１を形成する（図７（ｂ））。形成した接着層２４１を介して、第１の枠体２１１を第２の枠体２１３に固定する（図７（ｃ））。このとき、第２の枠体と対向する面に形成した溝部２２５と第２の枠体２１３との結合により、貫通孔２２１に接続する孔２２３が形成される。
フォトマスクにペリクルを装着するための空間が２．５ｍｍの高さしか存在していないため、本実施形態においては、フィルタ２３１、ペリクル膜２０１、第１の枠体２１１、接着層２４１、第２の枠体２１３及び接着層２４３を含めた高さを２ｍｍ以下とすることが好ましい。
本発明においては、貫通孔２２１がペリクル膜２０１と第１の枠体２１１とを貫通し、第１の枠体２１１の溝部２２５と第２の枠体２１３との結合により、貫通孔２２１に接続する孔２２３を形成するため、フィルタ２３１の背面に貫通孔２２１以外の空隙を生じることなく、十分な密着性を持ってフィルタ２３１を配置することができる。
（実施形態３）
実施形態２の変形例として、実施形態３のペリクル３００について説明する。図８は、本発明の一実施形態に係るペリクル３００の図１の線分ＡＡ’における断面図である。実施形態３のペリクル３００は、第１の枠体３１１の溝部３２５をペリクル膜３０１に接する位置までエッチングし、貫通孔３２１と同程度の高さの孔３２３を形成する点で、実施形態２のペリクル２００と異なる。その他の構成については、ペリクル２００と同様であるため、詳細な説明は省略する。
ペリクル３００においては、貫通孔３２１がペリクル膜３０１と第１の枠体３１１とを貫通し、第１の枠体３１１の溝部３２５と第２の枠体３１３とが直結した孔３２３を形成するため、通気性が大幅に向上する。
（ペリクル３００の製造方法）
本実施形態に係るペリクル３００は、例えば、図９を参照し、以下のように製造することができる。なお、以下の製造工程は一例であって、必要に応じて製造工程の順序を変更することもできる。図９は、ペリクル３００の製造工程を示す図である。基板３０５を準備し、基板３０５上にペリクル膜３０１を形成する（図９（ａ））。基板３０５は、上述した基板２０５と同様の部材を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
ペリクル膜３０１は、蒸着により膜厚が２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下となるように、基板３０５上に形成する。ペリクル膜３０１の材質及び構成は、上述したペリクル膜２０１と同様であるため、詳細な説明は省略する。
貫通孔３２１を形成する所定の位置のペリクル膜３０１をエッチングにより除去し、基板３０５を露出させる（図９（ｂ））。ペリクル膜３０１が形成された面とは反対側の基板３０５の面をエッチングして、基板３０５一部を除去し、第１の枠体３１１の第２の枠体３１３と対向する面に、貫通孔３２１と、貫通孔３２１に接続する溝部３２５とを一括で形成する（図９（ｃ））。本実施形態においては、このエッチング工程により、ペリクル膜３０１を除去した所定の位置に、ペリクル膜３０１を貫通する貫通孔３２１が、溝部３２５と一体形成される。
このため、貫通孔３２１の径及び孔３２３の大きさは、常圧（０．１ＭＰａ）から露光時の真空状態（１０－４～１０－６Ｐａ）迄減圧した時に、ペリクル３００内外の差圧によるペリクル膜３０１の膨張が０．５ｍｍ未満となる径とする。本実施形態において、貫通孔３２１はフィルタ３３１により覆われるため、貫通孔３２１の径及び孔３２３の大きさは、フィルタ３３１による抵抗を考慮して設定される。
ペリクル膜３０１上に、貫通孔３２１を覆うフィルタ３３１を接着する（図９（ｄ））。フィルタ３３１材質及び構成は、上述したフィルタ２３１と同様であるため、詳細な説明は省略する。
別途、第２の枠体３１３を準備する。第２の枠体３１３、接着層３４１、接着層３４３及びライナー３５１の材質及び構成は、第２の枠体２１３、接着層２４１、接着層２４３及びライナー２５１と同様であるため、詳細な説明は省略する。また、第１の枠体３１１と第２の枠体２１３との貼り合わせの工程は、上述したペリクル２００と同様であるため、詳細な説明は省略する。
（実施形態４）
実施形態２のペリクル２００の別の変形例について説明する。図１０は、本発明の一実施形態に係るペリクル４００の図１の線分ＡＡ’における断面図である。実施形態４のペリクル４００は、第１の枠体４１１と第２の枠体４１３との間に設ける接着層４４１を部分的な塗布により形成することにより、貫通孔４２１に接続し、ペリクル４００の内側に開口した孔４２３を形成する点で、実施形態２のペリクル２００と異なる。その他の構成については、ペリクル２００と同様であるため、詳細な説明は省略する。
ペリクル４００においては、部分的に塗布して形成した接着層４４１を第１の枠体４１１と第２の枠体４１３の間に配置して孔４２３を形成することにより、ペリクル膜４０１と第１の枠体４１１とを貫通する貫通孔４２１と孔４２３とを簡便に接続することができる。また、第１の枠体４１１の幅と、第２の枠体４１３の幅が同じため、ペリクル膜４０１の開口面積を大きくすることができる。
（ペリクル４００の製造方法）
本実施形態に係るペリクル４００は、例えば、図１１を参照し、以下のように製造することができる。なお、以下の製造工程は一例であって、必要に応じて製造工程の順序を変更することもできる。図１１は、ペリクル４００の製造工程を示す図である。基板４０５を準備し、基板４０５上にペリクル膜４０１を形成する（図１１（ａ））。基板４０５は、上述した基板２０５と同様の部材を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
ペリクル膜４０１は、蒸着により膜厚が２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下となるように、基板４０５上に形成する。ペリクル膜４０１の材質及び構成は、上述したペリクル膜２０１と同様であるため、詳細な説明は省略する。
貫通孔４２１を形成する所定の位置のペリクル膜４０１をエッチングにより除去し、基板４０５を露出させる（図１１（ｂ））。ペリクル膜４０１が形成された面とは反対側の基板４０５の面をエッチングして、基板４０５一部を除去し、第１の枠体４１１の第２の枠体４１３と対向する面に、貫通孔４２１を形成する（図１１（ｃ））。
ペリクル膜４０１上に、貫通孔４２１を覆うフィルタ４３１を接着する（図１１（ｄ））。フィルタ４３１材質及び構成は、上述したフィルタ２３１と同様であるため、詳細な説明は省略する。
別途、第２の枠体４１３を準備する（図１２（ａ））。第２の枠体４１３、接着層４４３及びライナー４５１の材質及び構成は、第２の枠体２１３、接着層２４３及びライナー２５１と同様であるため、詳細な説明は省略する。
第２の枠体４１３の上面に、接着層４４１を形成する（図１２（ｂ））。本実施形態においては、接着層４４１を第２の枠体４１３の上面に部分的に塗布して、貫通孔４２１に接続する孔４２３を形成するための溝部４４５を形成する。接着層４４１を介して、第１の枠体４１１を第２の枠体４１３に固定する（図１２（ｃ））。このとき、第１の枠体４１１、第２の枠体４１３及び溝部４２５により、貫通孔４２１に接続する孔４２３が規定される。なお、接着層３４１の材質は、接着層２４１と同様であるため、詳細な説明は省略する。
ここで、貫通孔４２１の径及び孔４２３の大きさは、常圧（０．１ＭＰａ）から露光時の真空状態（１０－４～１０－６Ｐａ）迄減圧した時に、ペリクル４００内外の差圧によるペリクル膜４０１の膨張が０．５ｍｍ未満となる径とする。本実施形態において、貫通孔４２１はフィルタ４３１により覆われるため、貫通孔４２１の径及び孔４２３の大きさは、フィルタ４３１による抵抗を考慮して設定される。
（実施形態５）
実施形態１及び実施形態２においては、ペリクル膜と第１の枠体とを貫通する貫通孔を覆うため、フィルタをペリクル膜の上面に配置した。しかし、上述したように、フォトマスクにペリクルを装着するための空間が２．５ｍｍの高さしか存在していない。本実施形態においては、ペリクル膜に隣接して、第１の枠体上にフィルタを配置することにより、ペリクルの高さを低くする例について説明する。
図１３は、本発明の一実施形態に係るペリクル５００の図１の線分ＡＡ’における断面図である。ペリクル５００は、ペリクル膜５０１を配置した第１の枠体５１１と、第１の枠体５１１を支持する第２の枠体５１３と、を備える。また、ペリクル５００は、第１の枠体５１１を貫通する貫通孔５２１と、第１の枠体５１１のペリクル膜５０１が配置された面側で貫通孔５２１を覆うフィルタ５３１と、を備える。本実施形態において、フィルタ５３１がペリクル膜５０１に隣接して、第１の枠体上５１１に配置される。
本実施形態において、第１の枠体５１１は、第２の枠体５１３と対向する面に、貫通孔５２１に接続する溝部５２５を有する。溝部５２５は、第２の枠体５１３との結合により、貫通孔５２１に接続する孔５２３を形成する。孔５２３は、第１の枠体５１１の内側の面に開口を有する。本実施形態においては、ペリクル膜５０１に隣接して、第１の枠体５１１上にフィルタ５３１が配置される。また、フィルタ５３１の上面がペリクル膜５０１と同一面になるように、フィルタ５３１が配置されることが好ましい。フィルタ５３１は、第１の枠体５１１上のペリクル膜５０１及び第１の枠体５１１の一部を除去した領域に接着層（図示せず）を介して配置される。このようにペリクル膜５０１を第１の枠体５１１に配置することにより、フィルタ５３１の厚みだけペリクル５００の高さを低くすることができる。
ペリクル膜５０１、第１の枠体５１１及び第２の枠体５１３としては、上述したペリクル膜１０１、基板１０５及び第２の枠体１１３と同様の材料を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
第１の枠体５１１と第２の枠体５１３とは、接着層５４１を介して固定される。接着層５４１の厚みは、第１の枠体５１１と第２の枠体５１３との十分な接着が確保できる範囲で可能な限り薄いことが好ましく、例えば、１０μｍ以上３００μｍ以下である。また、接着層５４１に用いる接着剤は、接着層１４１と同様の接着剤を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
貫通孔５２１は、ペリクル膜５０１及び第１の枠体５１１の一部を除去した領域に第１の枠体５１１を貫通して配置される。また、本実施形態においては、第１の枠体５１１の第２の枠体５１３と対向する面に、貫通孔５２１に接続する溝部５２５を配置することで、溝部５２５と第２の枠体５１３との結合により、貫通孔５２１に接続する孔５２３を形成する。このため、貫通孔５２１及び、貫通孔５２１と第１の枠体５１１の内側の面に配置した開口とを接続する孔５２３は、常圧（０．１ＭＰａ）から露光時の真空状態（１０－４～１０－６Ｐａ）迄減圧した時に、ペリクル５００内外の差圧によるペリクル膜５０１の膨張が０．５ｍｍ未満となる径である。本実施形態において、貫通孔５２１及び孔５２３の径は、減圧したときに貫通孔５２１に発生する圧力損失の上限値を考慮して設定される。
減圧した時に貫通孔５２１で発生する圧力損失は１Ｐａ以下となることが望ましく、より望ましくは０．５Ｐａ以下である。ここで、フィルタ５３１は貫通孔５２１を覆うように設置され、減圧したときの圧力損失の大部分はフィルタ５３１部分で発生し、貫通孔５２１では圧力損失はほとんど生じないようにすることが好ましい。例えば、貫通孔５２１での圧力損失が１Ｐａ以下となるように、より好ましくは０．１Ｐａ程度となるように、貫通孔５２１のサイズを調整する。
例えば、３５０Ｐａ／ｓｅｃの速度で減圧されるとき、貫通孔５２１で発生するペリクル５００内外の圧力損失が１Ｐａとなるときの貫通孔５２１の直径は４８０μｍ及び数は４個である。貫通孔５２１の形状は特に問わず、円形、楕円形、長方形、多角形、台形などの形状であってよい。貫通孔５２１の径は特に制限されないが、第１の枠の強度が低下しない範囲で、１０～５００μｍ程度となることが望ましい。貫通孔５２１の数も特に制限されず、フィルタの長さや、フィルタの幅に応じて選択できる。
フィルタ５３１は、フィルタ１３１と同様のフィルタを用いることができるため、詳細な説明は省略する。フィルタ５３１は、第１の枠体５１１への接着性を確保するとともに、ペリクル５００の開口率を確保する観点から、幅を１ｍｍ以上４ｍｍ以下とすることが好ましい。フィルタ５３１の幅は、第１の枠体５１１の幅に収まればよい。
フィルタ５３１の総面積は減圧したときにフィルタ５３１に発生する圧力損失の上限値を考慮して設定される。減圧したときにフィルタ５３１に発生する圧力損失は２Ｐａ以下となることが望ましい。フィルタ５３１の長さはフィルタ５３１の面積をフィルタ５３１の幅で割ることで算出できる。フィルタ１枚当たりの長さの範囲は特に制限はないが、１ｃｍ以上１５ｃｍ以下の範囲が望ましく、より望ましくは２ｃｍ以上１０ｃｍ以下である。フィルタの厚み（高さ）は、フォトマスクにペリクルを装着する空間が２．５ｍｍしかないため、ペリクルとフィルタの厚み（高さ）の合計が２．５ｍｍ未満となるように配慮する必要がある。ペリクルの高さにもよるが、厚みは０．０５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下の範囲が好ましく、より望ましくは０．１ｍｍ以上０．４ｍｍ以下である。
また、第２の枠体５１３の底面には接着層５４３が配置される。接着層５４３は、ペリクル５００をフォトマスクに固定するための手段である。接着層５４３の厚みは、フォトマスクと第２の枠体５１３との十分な接着が確保できる範囲で可能な限り薄いことが好ましク、例えば、１０μｍ以上３００μｍ以下である。接着層５４３に用いる接着剤は、接着層１４３と同様の接着剤を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
ペリクル５００においては、フィルタ５３１の上面がペリクル膜５０１と同一面になるようにフィルタが配置されるため、ペリクル膜５０１、第１の枠体５１１、接着層５４１、第２の枠体５１３及び接着層５４３を含めた高さは、２ｍｍ以下であることが好ましい。上述したように、フォトマスクにペリクルを装着するための空間が２．５ｍｍの高さしか存在していないため、ペリクル膜５０１の破損を防ぐために、ペリクル５００の高さは２ｍｍ以下であることが好ましい。
使用前のペリクル５００の接着層５４３に塵埃等が付着するのを防止するため、剥離可能なライナー５５１により接着層５４３が保護される。
本発明においては、ペリクル膜５０１及び第１の枠体５１１の一部を除去した領域で貫通孔５２１が第１の枠体５１１を貫通し、第１の枠体５１１の溝部５２５と第２の枠体５１３との結合により、貫通孔５２１に接続する孔５２３を形成するため、フィルタ５３１の背面に貫通孔５２１以外の空隙を生じることなく、十分な密着性を持ってフィルタ５３１を配置することができる。また、本発明においては、ペリクル膜５０１に隣接して、第１の枠体５１１上にフィルタ５３１を配置することにより、ペリクル５００の高さを低くすることができる。また、フィルタ５３１の上面がペリクル膜５０１と同一面になるように、フィルタ５３１を配置することにより、フィルタ５３１の厚みの分、ペリクル５００の高さを低く抑えることができる。
（ペリクル５００の製造方法）
本実施形態に係るペリクル５００は、例えば、図１４を参照し、以下のように製造することができる。なお、以下の製造工程は一例であって、必要に応じて製造工程の順序を変更することもできる。図１４は、ペリクル５００の製造工程を示す図である。基板５０５を準備し、基板５０５上にペリクル膜５０１を形成する（図１４（ａ））。基板５０５には、上述したように、例えば、シリコン基板、サファイア基板、炭化ケイ素基板等を用いることができる。これらに限定されるものではないが、基板としては、シリコン基板、サファイア基板、炭化ケイ素基板が好ましく、シリコン基板がより好ましい。
ペリクル膜５０１は、蒸着により膜厚が２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下となるように、基板５０５上に形成する。ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすいため、ペリクル膜３０１は５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の波長の光に９０．０％以上の透過率を有するように、薄く形成することが好ましい。本発明に係るペリクル膜５０１は、好ましくは、５ｎｍ～１３．５ｎｍ程度の波長の光に対して、より好ましくは１３．５±０．３ｎｍの波長の光に対して、９０．０％以上の透過率を有する。
貫通孔５２１を形成する所定の位置のペリクル膜５０１及び基板５０５の一部をエッチングにより除去し、基板５０５を露出させる（図１４（ｂ））。ペリクル膜５０１が形成された面とは反対側の基板５０５の面をエッチングし、基板５０５一部を除去して、ペリクル膜５０１を露出させて第１の枠体５１１と、第２の枠体５１３と対向する面に、貫通孔５２１に接続する溝部５２５を形成する。また、ペリクル膜５０１及び基板５０５の一部を除去した所定の位置に、ペリクル膜５０１と第１の枠体５１１とを貫通する貫通孔５２１を形成する（図１４（ｃ））。
本実施形態においては、第１の枠体５１１の第２の枠体５１３と対向する面に、貫通孔５２１に接続する溝部５２５を配置することで、溝部５２５と第２の枠体５１３との結合により、貫通孔５２１に接続する孔５２３を形成する。このため、貫通孔５２１の径及び孔５２３の大きさは、常圧（０．１ＭＰａ）から露光時の真空状態（１０－４～１０－６Ｐａ）迄減圧した時に、ペリクル５００内外の差圧によるペリクル膜５０１の膨張が０．５ｍｍ未満となる径とする。本実施形態において、貫通孔５２１はフィルタ５３１により覆われるため、貫通孔５２１の径及び孔５２３の大きさは、フィルタ５３１による抵抗を考慮して設定される。
ペリクル膜５０１及び基板５０５の一部を除去した領域に、貫通孔５２１を覆うフィルタ５３１を接着する（図１４（ｄ））。フィルタ５３１は、上述した特性を有するフィルタが好ましく、第１の枠体５１１への接着性を確保するとともに、ペリクル５００の開口率を確保する観点から、幅を１ｍｍ以上４ｍｍ以下とすることが好ましい。フィルタ５３１を接着するタイミングは特に制限はなく、第２の枠体に固定した後で貼り付けてもよい。
フィルタ５３１の総面積は減圧したときにフィルタ５３１に発生する圧力損失の上限値を考慮して設定される。減圧したときにフィルタ５３１に発生する圧力損失は２Ｐａ以下となることが望ましい。フィルタ５３１の長さはフィルタの面積をフィルタ５３１の幅で割ることで算出できる。フィルタ１枚当たりの長さの範囲は特に制限はないが、１ｃｍ以上１５ｃｍ以下の範囲が望ましく、より望ましくは２ｃｍ以上１０ｃｍ以下である。フィルタの厚み（高さ）は、フォトマスクにペリクルを装着する空間が２．５ｍｍしかないため、ペリクルとフィルタの厚み（高さ）の合計が２．５ｍｍ未満となるように配慮する必要がある。ペリクルの高さにもよるが、厚みは０．０５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下の範囲が好ましく、より望ましくは０．１ｍｍ以上０．４ｍｍ以下である。
別途、実施形態１と同様に、第２の枠体５１３を準備する。第２の枠体５１３の底面に接着層５４３を形成する。また、接着層５４３を保護するライナー５５１を配置する。ここで、接着層５４３を形成したライナー５５１を準備して、接着層５４３を介して、ライナー５５１を第２の枠体５１３の底面に貼り付けてもよい。
第２の枠体５１３の上面に、接着層５４１を形成する。形成した接着層５４１を介して、第１の枠体５１１を第２の枠体５１３に固定する。このとき、第２の枠体５１３と対向する面に形成した溝部５２５と第２の枠体５１３との結合により、貫通孔５２１に接続する孔５２３が形成される。
フォトマスクにペリクルを装着するための空間が２．５ｍｍの高さしか存在していないため、本実施形態においては、フィルタ５３１の上面がペリクル膜５０１と同一面になるようにフィルタが配置されるため、ペリクル膜５０１、第１の枠体５１１、接着層５４１、第２の枠体５１３及び接着層５４３を含めた高さは、２ｍｍ以下であることが好ましい。
本発明においては、ペリクル膜５０１及び第１の枠体５１１の一部を除去した領域で貫通孔５２１が第１の枠体５１１を貫通し、第１の枠体５１１の溝部５２５と第２の枠体５１３との結合により、貫通孔５２１に接続する孔５２３を形成するため、フィルタ５３１の背面に貫通孔５２１以外の空隙を生じることなく、十分な密着性を持ってフィルタ５３１を配置することができる。また、本発明においては、ペリクル膜５０１に隣接して、第１の枠体５１１上にフィルタ５３１を配置することにより、ペリクル５００の高さを低くすることができる。また、フィルタ５３１の上面がペリクル膜５０１と同一面になるように、フィルタ５３１を配置することにより、フィルタ５３１の厚みの分、ペリクル５００の高さを低く抑えることができる。
（実施形態６）
実施形態５の変形例として、実施形態６のペリクル６００について説明する。図１５は、本発明の一実施形態に係るペリクル６００の図１の線分ＡＡ’における断面図である。実施形態６のペリクル６００は、第１の枠体６１１の溝部６２５をペリクル膜６０１に接する位置までエッチングし、貫通孔６２１と同程度の高さの孔６２３を形成する点で、実施形態５のペリクル５００と異なる。その他の構成については、ペリクル５００と同様であるため、詳細な説明は省略する。
ペリクル６００においては、ペリクル膜６０１及び第１の枠体６１１の一部を除去した領域で貫通孔６２１が第１の枠体６１１を貫通し、第１の枠体６１１の溝部６２５と第２の枠体６１３との結合により、貫通孔６２１に接続する孔６２３を形成するため、フィルタ６３１の背面に貫通孔６２１以外の空隙を生じることなく、十分な密着性を持ってフィルタ６３１を配置することができる。また、本発明においては、ペリクル膜６０１に隣接して、第１の枠体６１１上にフィルタ６３１を配置することにより、ペリクル６００の高さを低くすることができる。また、フィルタ６３１の上面がペリクル膜６０１と同一面になるように、フィルタ６３１を配置することにより、フィルタ６３１の厚みの分、ペリクル６００の高さを低く抑えることができる。さらに、ペリクル６００においては、貫通孔６２１がペリクル膜６０１と第１の枠体６１１とを貫通し、第１の枠体６１１の溝部６２５と第２の枠体６１３とが直結した孔６２３を形成するため、通気性が大幅に向上する。
（ペリクル６００の製造方法）
本実施形態に係るペリクル６００は、例えば、図１６を参照し、以下のように製造することができる。なお、以下の製造工程は一例であって、必要に応じて製造工程の順序を変更することもできる。図１６は、ペリクル６００の製造工程を示す図である。基板６０５を準備し、基板６０５上にペリクル膜６０１を形成する（図１６（ａ））。基板６０５は、上述した基板５０５と同様の部材を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
ペリクル膜６０１は、蒸着により膜厚が２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下となるように、基板６０５上に形成する。ペリクル膜６０１の材質及び構成は、上述したペリクル膜５０１と同様であるため、詳細な説明は省略する。
貫通孔６２１を形成する所定の位置のペリクル膜６０１及び基板６０５の一部をエッチングにより除去し、基板６０５を露出させる（図１６（ｂ））。ペリクル膜６０１が形成された面とは反対側の基板６０５の面をエッチングして、基板６０５一部を除去し、第１の枠体６１１の第２の枠体６１３と対向する面に、貫通孔６２１と、貫通孔６２１に接続する溝部６２５とを一括で形成する（図１６（ｃ））。本実施形態においては、このエッチング工程により、ペリクル膜６０１を除去した所定の位置に、ペリクル膜６０１を貫通する貫通孔６２１が、溝部６２５と一体形成される。
このため、貫通孔６２１の径及び孔６２３の大きさは、常圧（０．１ＭＰａ）から露光時の真空状態（１０－４～１０－６Ｐａ）迄減圧した時に、ペリクル６００内外の差圧によるペリクル膜６０１の膨張が０．５ｍｍ未満となる径とする。本実施形態において、貫通孔６２１はフィルタ６３１により覆われるため、貫通孔６２１の径及び孔６２３の大きさは、フィルタ６３１による抵抗を考慮して設定される。
ペリクル膜６０１及び基板６０５の一部を除去した領域に、貫通孔６２１を覆うフィルタ６３１を接着する（図１６（ｄ））。フィルタ６３１材質及び構成は、上述したフィルタ５３１と同様であるため、詳細な説明は省略する。
別途、第２の枠体６１３を準備する。第２の枠体６１３、接着層６４１、接着層６４３及びライナー６５１の材質及び構成は、第２の枠体５１３、接着層５４１、接着層５４３及びライナー５５１と同様であるため、詳細な説明は省略する。また、第１の枠体６１１と第２の枠体６１３との貼り合わせの工程は、上述したペリクル５００と同様であるため、詳細な説明は省略する。
（実施形態７）
実施形態２～６のペリクルにおいては、貫通孔に接続する溝部を第１の枠体に形成して孔を形成した。本実施形態においては、第２の枠体に貫通孔に接続する孔を形成する例について説明する。
図１７は、本発明の一実施形態に係るペリクル７００の図１の線分ＡＡ’における断面図である。ペリクル７００は、ペリクル膜７０１を配置した第１の枠体７１１と、第１の枠体７１１を支持する第２の枠体７１３と、を備える。また、ペリクル７００は、ペリクル膜７０１と第１の枠体７１１とを貫通する貫通孔７２１と、ペリクル膜７０１上に配置され、貫通孔７２１を覆うフィルタ７３１と、を備える。
本実施形態においては、第２の枠体７１３が、第１の枠体７１１と対向する面に配置した第１の開口７２３と、第２の枠体７１３の内側の面に配置した第２の開口７２５とを有し、２つの開口は、第２の枠体７１３の内部に配置された孔７２７で接続され、第１の開口７２３が貫通孔７２１に接続する。フィルタ７３１は、第１の枠体７１１上のペリクル膜７０１の領域に接着層（図示せず）を介して配置される。
ペリクル膜７０１、第１の枠体７１１及び第２の枠体７１３としては、上述したペリクル膜１０１、基板１０５及び第２の枠体１１３と同様の材料を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
第１の枠体７１１と第２の枠体７１３とは、接着層７４１を介して固定される。接着層７４１の厚みは、第１の枠体７１１と第２の枠体７１３との十分な接着が確保できる範囲で可能な限り薄いことが好ましく、例えば、１０μｍ以上３００μｍ以下である。また、接着層７４１に用いる接着剤は、接着層１４１と同様の接着剤を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
貫通孔７２１は、ペリクル膜７０１と第１の枠体７１１とを貫通して配置される。また、本実施形態においては、第２の枠体７１３の第１の枠体７１１と対向する面に配置した第１の開口７２３と、第２の枠体７１３の内側の面に配置した第２の開口７２５とを有し、２つの開口は、第２の枠体７１３の内部に配置された孔７２７で接続され、第１の開口７２３が貫通孔７２１に接続する。このため、貫通孔７２１の径及び、貫通孔７２１と第２の枠体７１３の内部に配置された孔７２７の径は、常圧（０．１ＭＰａ）から露光時の真空状態（１０－４～１０－６Ｐａ）迄減圧した時に、ペリクル７００内外の差圧によるペリクル膜７０１の膨張が０．５ｍｍ未満となる径である。本実施形態において、貫通孔４２１及び孔４２７の径は、減圧したときに貫通孔７２１に発生する圧力損失の上限値を考慮して設定される。
減圧した時に貫通孔７２１で発生する圧力損失は１Ｐａ以下となることが望ましく、より望ましくは０．５Ｐａ以下である。ここで、フィルタ７３１は貫通孔７２１を覆うように設置され、減圧したときの圧力損失の大部分はフィルタ７３１部分で発生し、貫通孔７２１では圧力損失はほとんど生じないようにすることが好ましい。例えば、貫通孔７２１での圧力損失が１Ｐａ以下となるように、より好ましくは０．１Ｐａ程度となるように、貫通孔７２１のサイズを調整する。
例えば、３５０Ｐａ／ｓｅｃの速度で減圧されるとき、貫通孔７２１で発生するペリクル４００内外の圧力損失が１Ｐａとなるときの貫通孔７２１の直径は５００μｍ及び数は４個である。貫通孔７２１の形状は特に問わず、円形、楕円形、長方形、多角形、台形などの形状であってよい。貫通孔７２１の径は特に制限されないが、第１の枠の強度が低下しない範囲で、１０～５００μｍ程度となることが望ましい。貫通孔７２１の数も特に制限されず、フィルタの長さや、フィルタの幅に応じて選択できる。
フィルタ７３１は、フィルタ１３１と同様のフィルタを用いることができるため、詳細な説明は省略する。フィルタ７３１は、ペリクル膜７０１への接着性を確保するとともに、ペリクル７００の開口率を確保する観点から、幅を１ｍｍ以上４ｍｍ以下とすることが好ましい。フィルタ７３１の幅は、第１の枠体７１１の幅に収まればよい。
フィルタ７３１の総面積は減圧したときにフィルタ７３１に発生する圧力損失の上限値を考慮して設定される。減圧したときにフィルタ７３１に発生する圧力損失は２Ｐａ以下となることが望ましい。フィルタ７３１の長さはフィルタ７３１の面積をフィルタ７３１の幅で割ることで算出できる。フィルタ１枚当たりの長さの範囲は特に制限はないが、１ｃｍ以上１５ｃｍ以下の範囲が望ましく、より望ましくは２ｃｍ以上１０ｃｍ以下である。
また、第２の枠体７１３の底面には接着層７４３が配置される。接着層７４３は、ペリクル７００をフォトマスクに固定するための手段である。接着層７４３の厚みは、フォトマスクと第２の枠体７１３との十分な接着が確保できる範囲で可能な限り薄いことが好ましく、例えば、１０μｍ以上３００μｍ以下である。接着層７４３に用いる接着剤は、接着層１４３と同様の接着剤を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
ペリクル７００において、ペリクル膜７０１、第１の枠体７１１、接着層７４１、第２の枠体７１３及び接着層７４３を含めた高さは、２ｍｍ以下であることが好ましい。上述したように、フォトマスクにペリクルを装着するための空間が２．５ｍｍの高さしか存在していないため、ペリクル膜７０１の破損を防ぐために、ペリクル７００の高さは２ｍｍ以下であることが好ましい。
使用前のペリクル７００の接着層７４３に塵埃等が付着するのを防止するため、剥離可能なライナー７５１により接着層７４３が保護される。
本実施形態においては、貫通孔７２１がペリクル膜７０１と第１の枠体７１１とを貫通し、第２の枠体７１３に配置された孔７２７に接続するため、フィルタ７３１の背面に貫通孔７２１以外の空隙を生じることなく、十分な密着性を持ってフィルタ７３１を配置することができる。また、本実施形態においては、第２の枠体７１３に孔７２７を形成するため、第１の枠体よりも容易に加工することができる。
（ペリクル７００の製造方法）
本実施形態に係るペリクル７００は、例えば、図１８及び図１９を参照し、以下のように製造することができる。なお、以下の製造工程は一例であって、必要に応じて製造工程の順序を変更することもできる。図１８及び図１９は、ペリクル７００の製造工程を示す図である。基板７０５を準備し、基板７０５上にペリクル膜７０１を形成する（図１８（ａ））。基板７０５には、上述したように、例えば、シリコン基板、サファイア基板、炭化ケイ素基板等を用いることができるが、これらに限定されるものではない。
ペリクル膜７０１は、蒸着により膜厚が２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下となるように、基板７０５上に形成する。ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすいため、ペリクル膜７０１は５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の波長の光に９０．０％以上の透過率を有するように、薄く形成することが好ましい。本発明に係るペリクル膜７０１は、好ましくは、５ｎｍ～１３．５ｎｍ程度の波長の光に対して、より好ましくは１３．５±０．３ｎｍの波長の光に対して、９０．０％以上の透過率を有する。
貫通孔７２１を形成する所定の位置のペリクル膜７０１をエッチングにより除去し、基板７０５を露出させる（図１８（ｂ））。ペリクル膜７０１が形成された面とは反対側の基板７０５の面をエッチングし、ペリクル膜７０１を除去した所定の位置に、ペリクル膜７０１と第１の枠体７１１とを貫通する貫通孔７２１を形成する（図１８（ｃ））。
本実施形態においては、第２の枠体７１３の第１の枠体７１１と対向する面に第１の開口７２３を形成し、第２の枠体７１３の内側の面に第２の開口７２５を形成し、第２の枠体７１３の内部に２つの開口を接続する孔７２７を形成し、第１の開口７２３を貫通孔７２１に接続する。このため、貫通孔７２１の径及び孔７２７の大きさは、常圧（０．１ＭＰａ）から露光時の真空状態（１０－４～１０－６Ｐａ）迄減圧した時に、ペリクル７００内外の差圧によるペリクル膜７０１の膨張が０．５ｍｍ未満となる径とする。本実施形態において、貫通孔７２１はフィルタ７３１により覆われるため、貫通孔７２１の径及び孔７２７の大きさは、フィルタ７３１による抵抗を考慮して設定される。
ペリクル膜７０１上に、貫通孔７２１を覆うフィルタ７３１を接着する（図１８（ｄ））。フィルタ７３１は、上述した特性を有するフィルタが好ましく、ペリクル膜７０１への接着性を確保するとともに、ペリクル７００の開口率を確保する観点から、幅を１ｍｍ以上４ｍｍ以下とすることが好ましい。フィルタ７３１を接着するタイミングは特に制限はなく、第２の枠体に固定した後で貼り付けてもよい。
別途、第２の枠体７１３を準備する。本実施形態においては、第２の枠体７１３の第１の枠体７１１と対向する面に第１の開口７２３を形成し、第２の枠体７１３の内側の面に第２の開口７２５を形成し、第２の枠体７１３の内部に２つの開口を接続する孔７２７を形成する（図１９（ａ））。
また、第２の枠体７１３の底面に接着層７４３を形成する。さらに、接着層７４３を保護するライナー７５１を配置する（図１９（ｂ））。ここで、接着層７４３を形成したライナー７５１を準備して、接着層７４３を介して、ライナー７５１を第２の枠体７１３の底面に貼り付けてもよい。
第２の枠体７１３の上面に、接着層７４１を形成する（図１９（ｃ））。形成した接着層７４１を介して、第１の枠体７１１を第２の枠体７１３に固定する（図１９（ｄ））。このとき、貫通孔７２１に第１の開口７２３が接続され、貫通孔７２１と孔７２７が通気口を形成する。
フォトマスクにペリクルを装着するための空間が２．５ｍｍの高さしか存在していないため、本実施形態においては、フィルタ７３１、ペリクル膜７０１、第１の枠体７１１、接着層７４１、第２の枠体７１３及び接着層７４３を含めた高さを２ｍｍ以下とすることが好ましい。
本実施形態においては、貫通孔７２１がペリクル膜７０１と第１の枠体７１１とを貫通し、第２の枠体７１３に配置された孔７２７に接続するため、フィルタ７３１の背面に貫通孔７２１以外の空隙を生じることなく、十分な密着性を持ってフィルタ７３１を配置することができる。また、本実施形態においては、第２の枠体７１３に孔７２７を形成するため、第１の枠体よりも容易に加工することができる。
（実施形態８）
実施形態７の変形例として、ペリクル８００を示す。図２０は、本発明の一実施形態に係るペリクル８００の図１の線分ＡＡ’における断面図である。ペリクル８００は、ペリクル膜８０１を配置した第１の枠体８１１と、第１の枠体８１１を支持する第２の枠体８１３と、を備える。また、ペリクル８００は、ペリクル膜８０１と第１の枠体８１１とを貫通する貫通孔８２１と、ペリクル膜８０１上に配置され、貫通孔８２１を覆うフィルタ８３１と、を備える。
本実施形態においては、第２の枠体８１３は、第１の枠体８１１と対向する面に、貫通孔８２１に接続する溝部８２５を有し、溝部８２５は、第１の枠体８１１との結合により、貫通孔８２１に接続する孔８２３を形成し、孔８２３は、第２の枠体８１３の内側の面に開口を有する。フィルタ８３１は、第１の枠体８１１上のペリクル膜８０１の領域に接着層（図示せず）を介して配置される。
ペリクル膜８０１、第１の枠体８１１及び第２の枠体８１３としては、上述したペリクル膜１０１、基板１０５及び第２の枠体１１３と同様の材料を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
第１の枠体８１１と第２の枠体８１３とは、接着層８４１を介して固定される。接着層８４１の厚みは、第１の枠体８１１と第２の枠体８１３との十分な接着が確保できる範囲で可能な限り薄いことが好ましく、例えば、１０μｍ以上３００μｍ以下である。また、接着層８４１に用いる接着剤は、接着層１４１と同様の接着剤を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
貫通孔８２１は、ペリクル膜８０１と第１の枠体８１１とを貫通して配置される。また、本実施形態においては、第２の枠体８１３の第１の枠体８１１と対向する面に、貫通孔８２１に接続する溝部８２５を有し、溝部８２５は、第１の枠体８１１との結合により、貫通孔８２１に接続する孔８２３を形成し、孔８２３は、第２の枠体８１３の内側の面に開口を有する。このため、貫通孔８２１の径及び、溝部８２５と第１の枠体８１１との結合により形成される孔８２３の大きさは、常圧（０．１ＭＰａ）から露光時の真空状態（１０－４～１０－６Ｐａ）迄減圧した時に、ペリクル８００内外の差圧によるペリクル膜８０１の膨張が０．５ｍｍ未満となる径である。本実施形態において、貫通孔８２１の径及び孔８２３の大きさは、減圧したときに貫通孔に発生する圧力損失の上限値を考慮して設定される。
減圧した時に貫通孔８２１で発生する圧力損失は１Ｐａ以下となることが望ましく、より望ましくは０．５Ｐａ以下である。ここで、フィルタ８３１は貫通孔８２１を覆うように設置され、減圧したときの圧力損失の大部分はフィルタ８３１部分で発生し、貫通孔８２１では圧力損失はほとんど生じないようにすることが好ましい。例えば、貫通孔８２１での圧力損失が１Ｐａ以下となるように、より好ましくは０．１Ｐａ程度となるように、貫通孔８２１のサイズを調整する。
例えば、３５０Ｐａ／ｓｅｃの速度で減圧されるとき、貫通孔８２１で発生するペリクル８００内外の圧力損失が１Ｐａとなるときの貫通孔８２１の直径は４８０μｍ及び数は４個である。貫通孔８２１の形状は特に問わず、円形、楕円形、長方形、多角形、台形などの形状であってよい。貫通孔８２１の径は特に制限されないが、第１の枠の強度が低下しない範囲で、１０～５００μｍ程度となることが望ましい。貫通孔８２１の数も特に制限されず、フィルタの長さや、フィルタの幅に応じて選択できる。
フィルタ８３１は、フィルタ１３１と同様のフィルタを用いることができるため、詳細な説明は省略する。フィルタ８３１は、ペリクル膜８０１への接着性を確保するとともに、ペリクル８００の開口率を確保する観点から、幅を１ｍｍ以上４ｍｍ以下とすることが好ましい。フィルタ８３１の幅は、第１の枠体８１１の幅に収まればよい。
フィルタ８３１の総面積は減圧したときにフィルタ８３１に発生する圧力損失の上限値を考慮して設定される。減圧したときにフィルタ８３１に発生する圧力損失は２Ｐａ以下となることが望ましい。フィルタ８３１の長さはフィルタ８３１の面積をフィルタ８３１の幅で割ることで算出できる。フィルタ１枚当たりの長さの範囲は特に制限はないが、１ｃｍ～１５ｃｍの範囲が望ましく、より望ましくは２ｃｍ～１０ｃｍである。
また、第２の枠体８１３の底面には接着層８４３が配置される。接着層８４３は、ペリクル８００をフォトマスクに固定するための手段である。接着層８４３の厚みは、フォトマスクと第２の枠体８１３との十分な接着が確保できる範囲で可能な限り薄いことが好ましく、例えば、１０μｍ以上３００μｍ以下である。接着層８４３に用いる接着剤は、接着層１４３と同様の接着剤を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
ペリクル８００において、フィルタ８３１、ペリクル膜８０１、第１の枠体８１１、接着層８４１、第２の枠体８１３及び接着層８４３を含めた高さは、２ｍｍ以下であることが好ましい。上述したように、フォトマスクにペリクルを装着するための空間が２．５ｍｍの高さしか存在していないため、ペリクル膜８０１の破損を防ぐために、ペリクル８００の高さは２ｍｍ以下であることが好ましい。
使用前のペリクル８００の接着層８４３に塵埃等が付着するのを防止するため、剥離可能なライナー８５１により接着層８４３が保護される。
本実施形態においては、貫通孔８２１がペリクル膜８０１と第１の枠体８１１とを貫通し、第２の枠体８１３に形成された溝部８２５と第１の枠体８１１との結合により形成される孔８２３に接続するため、フィルタ８３１の背面に貫通孔８２１以外の空隙を生じることなく、十分な密着性を持ってフィルタ８３１を配置することができる。また、本実施形態においては、第２の枠体８１３に溝部８２５を形成するため、第１の枠体よりも容易に加工することができる。
（ペリクル８００の製造方法）
ペリクル８００の製造方法の製造方法は、第２の枠体８１３に溝部８２５を形成する点において、ペリクル７００の製造方法とは異なる。本実施形態においては、第２の枠体８１３の第１の枠体８１１と対向する面に、貫通孔８２１に接続する溝部８２５を形成し、接着層８４１を介して第１の枠体８１１を第２の枠体８１３に固定して、貫通孔８２１に接続し、且つ、第２の枠体８１３の内側の面に開口を有する孔８２３を形成する。その他の製造工程は、ペリクル７００と同様であるため、詳細な説明は省略する。
また、上述した実施形態７及び８のペリクルに、実施形態５及び６で説明したフィルタの上面がペリクル膜と同一面になるように、フィルタを配置する実施形態と組み合わせることが可能であることは、当業者には明らかである。本発明に係るペリクルには、このような態様が含まれる。
（実施形態９）
実施形態５で説明したペリクル膜５０１に隣接して、第１の枠体５１１上にフィルタ５３１を配置する構成と、実施形態７の孔７２７を備えた第２の枠体７１３を組合せた例について説明する。
図２１は、本発明の一実施形態に係るペリクル９００の図１の線分ＡＡ’における断面図である。ペリクル９００は、ペリクル膜９０１を配置した第１の枠体９１１と、第１の枠体９１１を支持する第２の枠体９１３と、を備える。また、ペリクル９００は、第１の枠体９１１を貫通する貫通孔９２１と、第１の枠体９１１のペリクル膜９０１が配置された面側でペリクル膜９０１に隣接して貫通孔９２１を覆うフィルタ９３１と、を備える。また、フィルタ９３１の上面がペリクル膜９０１と同一面になるように、フィルタ９３１が配置されることが好ましい。フィルタ９３１は、第１の枠体９１１上のペリクル膜９０１の領域に接着層（図示せず）を介して配置される。
第２の枠体９１３は、第１の枠体９１１と対向する面に配置した第１の開口９２３と、第２の枠体９１３の内側の面に配置した第２の開口９２５とを有し、２つの開口は、第２の枠体９１３の内部に配置された孔９２７で接続され、第１の開口９２３が貫通孔９２１に接続する。その他の構成は、実施形態５及び７で説明した構成と同様であるため、詳細な説明は省略する。
本実施形態においては、貫通孔９２１が第１の枠体９１１を貫通し、第２の枠体９１３に配置された孔９２７に接続するため、フィルタ９３１の背面に貫通孔９２１以外の空隙を生じることなく、十分な密着性を持ってフィルタ９３１を配置することができる。本実施形態においては、第２の枠体９１３に孔９２７を形成するため、第１の枠体よりも容易に加工することができる。また、ペリクル膜９０１を第１の枠体９１１に配置することにより、フィルタ９３１の厚みだけペリクル９００の高さを低くすることができる。
（ペリクル９００の製造方法）
ペリクル９００の製造方法の製造方法は、第１の枠体９１１の第２の枠体９１３と対向する面に、貫通孔９２１を形成する工程までが実施形態５と同様であるため、詳細な説明は省略する。第１の枠体９１１に貫通孔９２１と接続する溝部を形成しない点で、実施形態５と異なる。また、第２の枠体９１３の第１の枠体９１１と対向する面に第１の開口９２３を形成し、第２の枠体９１３の内側の面に第２の開口９２５を形成し、第２の枠体９１３の内部に２つの開口を接続する孔９２７を形成し、第１の開口９２３を貫通孔９２１に接続する。その他の製造工程は、ペリクル７００と同様であるため、詳細な説明は省略する。
（実施形態１０）
実施形態５で説明したペリクル膜５０１に隣接して、第１の枠体５１１上にフィルタ５３１を配置する構成と、実施形態８の孔８２３を備えた第２の枠体８１３を組合せた例について説明する。
図２２は、本発明の一実施形態に係るペリクル１０００の図１の線分ＡＡ’における断面図である。ペリクル１０００は、ペリクル膜１００１を配置した第１の枠体１０１１と、第１の枠体１０１１を支持する第２の枠体１０１３と、を備える。また、ペリクル１０００は、第１の枠体１０１１を貫通する貫通孔１０２１と、第１の枠体１０１１のペリクル膜１００１が配置された面側でペリクル膜１００１に隣接して貫通孔１０２１を覆うフィルタ１０３１と、を備える。また、フィルタ１０３１の上面がペリクル膜１００１と同一面になるように、フィルタ１０３１が配置されることが好ましい。フィルタ１０３１は、第１の枠体１０１１上のペリクル膜１００１の領域に接着層（図示せず）を介して配置される。
第２の枠体１０１３は、第１の枠体１０１１と対向する面に、貫通孔１０２１に接続する溝部１０２５を有し、溝部１０２５は、第１の枠体１０１１との結合により、貫通孔１０２１に接続する孔１０２３を形成し、孔１０２３は、第２の枠体１０１３の内側の面に開口を有する。その他の構成は、実施形態５及び８で説明した構成と同様であるため、詳細な説明は省略する。
本実施形態においては、貫通孔１０２１が第１の枠体１０１１を貫通し、第２の枠体１０１３に形成された溝部１０２５と第１の枠体１０１１との結合により形成される孔１０２３に接続するため、フィルタ１０３１の背面に貫通孔１０２１以外の空隙を生じることなく、十分な密着性を持ってフィルタ１０３１を配置することができる。また、本実施形態においては、第２の枠体１０１３に溝部１０２５を形成するため、第１の枠体よりも容易に加工することができる。また、ペリクル膜１００１を第１の枠体１０１１に配置することにより、フィルタ１０３１の厚みだけペリクル１０００の高さを低くすることができる。
（ペリクル１０００の製造方法）
ペリクル１０００の製造方法の製造方法は、第１の枠体１０１１の第２の枠体１０１３と対向する面に、貫通孔１０２１を形成する工程までが実施形態５と同様であるため、詳細な説明は省略する。第１の枠体１０１１に貫通孔１０２１と接続する溝部を形成しない点で、実施形態５と異なる。また、第２の枠体１０１３の第１の枠体１０１１と対向する面に、貫通孔１０２１に接続する溝部１０２５を形成し、接着層１０４１を介して第１の枠体１０１１を第２の枠体１０１３に固定して、貫通孔１０２１に接続し、且つ、第２の枠体１０１３の内側の面に開口を有する孔１０２３を形成する。その他の製造工程は、ペリクル８００と同様であるため、詳細な説明は省略する。
上述した実施形態において、本発明に係るペリクルのペリクル膜は膜厚が２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の従来にない薄い膜であるため、従来のペリクルのように手でフォトマスクに固定することは困難である。したがって、専用の貼付け装置を用いて、非接触でのフォトマスクへの貼付けが必要となる。本実施形態においては、非接触でのフォトマスクへの貼付け手段を第２の枠体に設ける例について説明する。
図２３は、本発明の一実施形態に係るペリクル１１００に用いる第２の枠体１１１３の模式図であり、上側の図は第２の枠体１１１３の上面側の斜視図であり、下側の図は第２の枠体１１１３の底面側の斜視図である。ペリクル１１００は、ペリクル膜１１０１を配置した第１の枠体１１１１と、第１の枠体１１１１を支持する第２の枠体１１１３を備える。また、ペリクル１１００は、ペリクル膜１１０１と第１の枠体１１１１とを貫通する貫通孔１１２１と、貫通孔１１２１を覆うフィルタ１１３１を備える。フィルタ１１３１は、ペリクル膜１１０１が配置された第１の枠体１１１１の面に接着層（図示せず）を介して配置される。
第２の枠体１１１３上面には、溝１１１４が設けられている。本実施形態において、第２の枠体１１１３の上面（厚さ方向）から見た溝１１１４の形状は、第２の枠体１１１３の形状に沿って一周する無端形状となっている。
第２の枠体１１１３は、貫通孔１１１４Ａ及び貫通孔１１１４Ｂを有している。貫通孔１１１４Ａ及び貫通孔１１１４Ｂは、それぞれ、溝１１１４の底面と第２の枠体１１１３の外側の面との間を貫通している。
ここで、貫通孔１１１４Ａ及び１１１４Ｂは、それぞれ、溝１１１４の側面と第２の枠体１１１３の外側の面との間を貫通していてもよい。また、貫通孔１１１４Ａ及び１１１４Ｂの何れか一方は、省略されていてもよい。即ち、第２の枠体１１１３では、１つの溝（溝１１１４）に対して２つの貫通孔（貫通孔１１１４Ａ及び１１１４Ｂ）が接続しているが、本実施形態はこの態様には限定されない。本実施形態では、１つの溝（溝１１１４、溝１１１６）に対し、少なくとも１つの貫通孔が接続されていればよい。
また、図２３に示すように、第２の枠体１１１３の上面とは反対側の底面には、溝１１１６が設けられている。本実施形態において、溝１１１６の形状も、溝１１１４の形状と同様に、厚さ方向から見たときに、第２の枠体１１１３の形状に沿って一周する無端形状となっている。
第２の枠体１１１３は、貫通孔１１１６Ａ及び貫通孔１１１６Ｂを有している。貫通孔１１１６Ａ及び貫通孔１１１６Ｂは、それぞれ、溝１１１６の底面と第２の枠体１１１３の外側の面との間を貫通している。貫通孔１１１６Ａ及び１１１６Ｂのバリエーションについては、貫通孔１１１４Ａ及び１１１４Ｂのバリエーションと同様である。
第２の枠体１１１３は、ペリクル膜１１０１と第１の枠体１１１１とを固定（支持）してペリクル１１００を作製する用途に好適である。第２の枠体１１１３には、第１の枠体１１１１との対向面となる上面に溝１１１４が設けられ、かつ、この溝１１１４に接続する貫通孔１１１４Ａ及び１１１４Ｂが設けられている。このため、第２の枠体１１１３に第１の枠体１１１１を固定する際に、貫通孔１１１４Ａ及び１１１４Ｂを通じて溝１１１４の内部を（例えば真空ポンプ等の排気手段によって）減圧することにより、第２の枠体１１１３と第１の枠体１１１１との間の圧力を減圧することができる。この減圧により、第２の枠体１１１３と第１の枠体１１１１との間に押し付け合う力を働かせることができるので、第２の枠体１１１３及び第１の枠体１１１１の前面及び背面（即ち、第２の枠体１１１３の上面及び底面、並びに、第１の枠体１１１１のペリクル膜１１０１が配置された面及び第１の枠体１１１１の底面）に接触することなく、両者を固定することができる。
第２の枠体１１１３と第１の枠体１１１１との固定は、接着層１１４１を介して行われる。減圧することで、第２の枠体１１１３とペリクル膜１１０１とを接着層１１４１を介して押し付けることができるため、第２の枠体１１１３と第１の枠体１１１１とをしっかりと固定することができる。
なお、その他の構成については、実施形態１で説明した構成と同様であるため、詳細な説明は省略する。また、図２３においては、実施形態１に示した第１の枠体１１１と同様の構成の第１の枠体１１１１について説明したが、本実施形態は、実施形態２～８に示したような第１の枠体と係合する第２の枠体にも適用することができる。
（ペリクル１１００の製造方法）
本実施形態のペリクル１１００の製造方法の基本的な工程は、実施形態１と同様である。実施形態１と同様に、第１の枠体１１１１を形成する。
別途、第２の枠体１１１３を準備する。第２の枠体１１１３の上面に溝１１１４形成するとともに、溝１１１４の側面と第２の枠体１１１３の外側の面との間を貫通する貫通孔１１１４Ａ及び１１１４Ｂを形成する。同様に、第２の枠体１１１３の底面に溝１１１６形成するとともに、溝１１１６の側面と第２の枠体１１１３の外側の面との間を貫通する貫通孔１１１６Ａ及び１１１６Ｂを形成する。
第２の枠体１１１３の底面に接着層１１４３を形成する。このとき、第２の枠体１１１３の底面に設けられた溝１１１６が、接着層１１４３で覆われないように、接着層１１４３を形成する。また、接着層１１４３を保護するライナー１１５１を配置する。ここで、接着層１１４３を形成したライナー１１５１を準備して、接着層１１４３を介して、ライナー１１５１を第２の枠体１１１３の底面に貼り付けてもよい。
第２の枠体１１１３の上面に、接着層１１４１を形成する。このとき、第２の枠体１１１３の上面に設けられた溝１１１４が、接着層１１４１で覆われないように、接着層１１４１を形成する。接着層１１４１を介して、第１の枠体１１１１を第２の枠体１１１３に固定する。フォトマスクにペリクルを装着するための空間が２．５ｍｍの高さしか存在していないため、本実施形態において、第２の枠体１１１３の高さと、第２の枠体１１１３の下面に配置した接着層１１４３の高さとの合計を２ｍｍ以下とすることが好ましい。
第１の枠体１１１１を第２の枠体１１１３に固定するする工程は、例えば、図２４に示したペリクル製造装置５０００を用いて行う。ペリクル製造装置５０００は、真空チャンバー５１００と、真空チャンバー５１００内に配置された載置台５２００と、真空チャンバー５１００に気体を供給するための供給管５１１０と、真空チャンバー５１００内の気体を真空チャンバー５１００外に排出するための排出管５１２０Ａ及び５１２０Ｂと、を備えている。排出管５１２０Ａ及び５１２０Ｂの真空チャンバー５１００外の端部（図示せず）は、真空ポンプ等の排気手段（図示せず）に接続されている。
真空チャンバー５１００内の載置台５２００上には、第２の枠体１１１３が載置される。詳しくは、第２の枠体１１１３のライナー１１５１と載置台５２００とが接するように載置される。そして第２の枠体１１１３の接着層１１４１上に、ペリクル膜１１０１と第１の枠体１１１１との複合部材が配置される。
一例として、複合部材として、シリコンウェハ（例えば８インチシリコンウェハ）である第１の枠体１１１１と、多結晶シリコン膜（ｐ－Ｓｉ膜）であるペリクル膜１１０１との複合部材が用いられている。複合部材の所定の位置には、第１の枠体１１１１の所定のサイズにカットするための切れ込みＣ１及びＣ２が設けられている。第１の枠体１１１１は、好ましくは第２の枠体１１１３との貼り合わせ前に、所定のサイズにカットされる（以下、この操作を「トリミング」ともいう）。
また、排出管５１２０Ａ及び５１２０Ｂは、それぞれ、真空チャンバー５１００内に端部を有している。これらの端部は、それぞれ、第２の枠体１１１３の溝１１１４の内部を減圧するための２つの貫通孔１１１４Ａ及び１１１４Ｂに接続できるようになっている。
以下、上述したペリクル製造装置５０００を用いたペリクルの製造方法の例を説明する。まず、真空チャンバー５１００内の載置台５２００上に、第２の枠体１１１３を載置し、第２の枠体１１１３の上方に第１の枠体１１１１を配置する。この段階では、接着剤層１１３１と第１の枠体１１１１とが接触しないように配置する。
次に、公知の手段によって、第２の枠体１１１３と第１の枠体１１１１との位置決めを行う。位置決めにより、第２の枠体１１１３によって囲まれた開口部により、第１の枠体１１１１が嵌るように配置する。次に、排出管５１２０Ａ及び５１２０Ｂのそれぞれの端部を、第２の枠体１１１３（枠本体）の溝１１１４の内部を減圧するための２つの貫通孔１１１４Ａ及び１１１４Ｂにそれぞれ接続する。
次に、上述したトリミングにより、第１の枠体１１１１とペリクル膜１１０１との複合部材を第２の枠体１１１３と同サイズに切れ込みＣ１及びＣ２でカットする。
次に、供給管９１０から真空チャンバー５１００内に気体を供給することで、真空チャンバー５１００内を加圧する。同時に、排出管５１２０Ａ及び５１２０Ｂの真空チャンバー５１００外の端部に接続された真空ポンプ（図示せず）を作動させることにより、排出管５１２０Ａ及び５１２０Ｂ、及び、第２の枠体１１１３の２つの貫通孔１１１４Ａ及び１１１４Ｂを通じて、第２の枠体１１１３の上面に設けられた溝１１１４の内部を減圧する。加圧及び減圧の程度は、真空チャンバー５１００内の全体の圧力と、溝１１１４の内部の圧力との差（差圧）によって生じる第１の枠体１１１１と第２の枠体１１１３との間の押し付け合う力（第２の枠体１１１３全体に加わる力）が例えば２Ｎ程度となるように調整する。上記差圧により、第１の枠体１１１１と第２の枠体１１１３との間に押し付け合う力が生じ、第２の枠体１１１３の接着層１１４１と第１の枠体１１１１とが接着される。
以上のようにして、第１の枠体１１１１と第２の枠体１１１３の前面及び背面に接触することなく、両者を接着することができる。なお、上記各操作の順は、適宜入れ替えることも可能である。
（フォトマスクへのペリクルの配置方法）
本実施形態のフォトマスクへのペリクルの配置方法は、本実施形態のペリクル１１００であって第２の枠体１１１３の少なくともペリクル膜１１０１を配置した第１の枠体１１１１を支持する面とは反対側の面に溝１１１６が設けられているペリクルと、フォトマスクと、を第２の枠体１１１３の溝１１１６が設けられている面とフォトマスクとが対向するように配置する配置工程と、貫通孔１１１６Ａ及び１１１６Ｂを通じて溝１１１６の内部を減圧することにより、ペリクル１１００とフォトマスクとを固定する固定工程と、を有する。 
本実施形態のフォトマスクへのペリクルの配置方法によれば、溝１１１６の内部の減圧により、ペリクル１１００とフォトマスクとの間に押し付け合う力を働かせることができるので、ペリクル１１００及びフォトマスクの前面及び背面に接触することなく、両者を固定できる。
本実施形態のフォトマスクへのペリクルの配置方法において、固定工程における減圧は、ペリクル１１００及びフォトマスクが加圧雰囲気下に配置された状態で行うことが好ましい。この態様によれば、ペリクル１１００及びフォトマスクが配置される全体の雰囲気の圧力と、溝１１１６の内部の圧力との差（差圧）をより大きくすることができるので、ペリクル１１００及びフォトマスクとの間の押し付け合う力をより大きくすることができる。このため、両者をより容易に固定することができる。
ペリクル１１００とフォトマスクとの間の押し付け合う力（第２の枠体１１１３全体に加わる力）は、１Ｎ以上が好ましく、２Ｎ以上がより好ましい。ペリクル１１００とフォトマスクとの間の押し付け合う力（第２の枠体１１１３全体に加わる力）は、１０Ｎ以上がさらに好ましく、２０Ｎ以上が特に好ましい。ペリクル１１００とフォトマスクとの間の押し付け合う力（第２の枠体１１１３全体に加わる力）の上限には特に制限はないが、生産性などの点からは、例えば５００Ｎ、好ましくは４００Ｎである。
次に、本実施形態のフォトマスクへのペリクルの配置方法の一例を、図２５を参照しながら説明する。但し、本実施形態のフォトマスクへのペリクルの配置方法はこの一例によって限定されることはない。図２５は、本実施形態のフォトマスクへのペリクルの配置方法に好適なフォトマスク製造装置の一例を概念的に示す断面図である。
図２５に示すフォトマスク製造装置６０００は、真空チャンバー６１００と、真空チャンバー６１００に気体を供給するための供給管６１１０と、真空チャンバー６１００内の気体を真空チャンバー６１００外に排出するための排出管６１２０Ａ及び６１２０Ｂと、を備えている。排出管６１２０Ａ及び６１２０Ｂの真空チャンバー６１００外の端部（図示せず）は、真空ポンプ等の排気手段（図示せず）に接続されている。
真空チャンバー６１００内には、フォトマスク６５００が配置される。フォトマスク６５００としては、支持基板と、この支持基板上に積層された反射層と、反射層上に形成された吸収体層と、を含むフォトマスクを用いる。フォトマスク６５００は、真空チャンバー６１００内に、前面（光照射面；即ち、反射層及び吸収体層が設けられている側の面）が上となり、背面（光照射面の反対側の面；即ち、支持基板側の面）が下となるように配置される。
そしてフォトマスク６５００の反射層及び吸収層の上方に、ライナー１１５１を除去したペリクル１１００が配置される。詳細には、ペリクル１１００の接着層１１４３側が、フォトマスク６５００の前面（光照射面）に対向する向きに配置される。
また、排出管６１２０Ａ及び６１２０Ｂは、それぞれ、真空チャンバー６１００内に端部を有している。これらの端部は、それぞれ、第２の枠体１１１３の底面に設けられた溝１１１６の内部を減圧するための２つの貫通孔に接続できるようになっている。
以下、フォトマスク製造装置６０００を用いたフォトマスクへのペリクルの配置方法の例を説明する。まず、ライナー１１５１を除去して得られたペリクル１１００を準備する。次に、真空チャンバー６１００内に、フォトマスク６５００を、前面（光照射面）が上となる向きに配置する。このとき、フォトマスク６５００の前面及び背面に異物が付着しないようにするために、例えば、フォトマスク６５００の側面のみを支持する等して、フォトマスク６５００の前面及び背面に、機械、治具、手などが接触しないように配置する。
次に、ペリクル１１００を、フォトマスク６５００の上方に配置する。このとき、ペリクル１１００の膜面に、異物が付着しないようにするために、例えば、第２の枠体１１１３の側面（外周面）のみを支持する等して、ペリクル１１００の膜面に、機械、治具、手などが接触しないように配置する。また、この段階では、接着層１１４３とフォトマスク６５００とが接触しないように配置する。次に、公知の手段によって、ペリクル１１００とフォトマスク６５００との位置決めを行う。
次に、排出管６１２０Ａ及び６１２０Ｂのそれぞれの端部を、第２の枠体１１１３の底側の溝１１１６の内部を減圧するための２つの貫通孔にそれぞれ接続する。次に、供給管６１１０から真空チャンバー６１００内に気体を供給することで、真空チャンバー内を加圧する。同時に、排出管６１２０Ａ及び６１２０Ｂの真空チャンバー６１００外の端部に接続された真空ポンプ（図示せず）を作動させることにより、排出管６１２０Ａ及び６１２０Ｂ、及び、第２の枠体１１１３の２つの貫通孔１１１６Ａ及び１１１６Ｂを通じて、第２の枠体１１１３の底面に設けられた溝１１１６の内部を減圧する。加圧及び減圧の程度は、真空チャンバー６１００内の全体の圧力と、溝１１１６の内部の圧力との差（差圧）によって生じるペリクル１１００とフォトマスク６５００との間の押し付け合う力（第２の枠体１１１３全体に加わる力）が例えば２Ｎ程度となるように調整する。上記差圧により、ペリクル１１００とフォトマスク６５００との間に押し付け合う力が生じ、ペリクル１１００の接着層１１４３と、フォトマスク６５００とが接着される。
以上のようにして、ペリクル１１００及びフォトマスク６５００の前面及び背面に接触することなく、両者を接着することができる。これにより、ペリクル１１００及びフォトマスク６５００への異物の付着を抑制しながら、両者を接着することができる。なお、上記各操作の順は、適宜入れ替えることも可能である。
（フォトマスクへのペリクルの配置方法の変形例）
上述したフォトマスクへのペリクルの配置方法では、第１の枠体１１１１と第２の枠体１１１３を接着してペリクル１１００を形成した後に、フォトマスク６５００に配置した。しかし、本発明に係るフォトマスクへのペリクルの配置方法は、これに限定されるものではなく、順序を入れ替えることも可能である。一例として、第２の枠体をフォトマスクに配置した後に、第２の枠体に第１の枠体を接着してペリクルを完成させる例について説明する。
本実施形態においては、ペリクル膜１１０１を配置した第１の枠体１１１１を支持する面とは反対側の面に溝１１１６が設けられている第２の枠体１１１３と、フォトマスクと、を第２の枠体１１１３の溝１１１６が設けられている面とフォトマスクとが対向するように配置する配置工程と、貫通孔１１１６Ａ及び１１１６Ｂを通じて溝１１１６の内部を減圧することにより、ペリクル１１００とフォトマスクとを固定する固定工程と、ペリクル膜１１０１を配置した第１の枠体１１１１を第２の枠体１１１３に固定する工程を有する。
なお、実施形態９で説明したように、第２の枠体１１１３は、ペリクル膜１１０１を配置した第１の枠体１１１１を支持する。また、第２の枠体１１１３には、上面に設けられた溝１１１４と、溝１１１４の底面と第２の枠体１１１３の外側の面との間を貫通する貫通孔１１１４Ａ及び貫通孔１１１４Ｂと、上面とは反対側の底面に設けられた溝１１１６と、溝１１１６の底面と第２の枠体１１１３の外側の面との間を貫通する貫通孔１１１６Ａ及び貫通孔１１１６Ｂとを備える。
本実施形態のフォトマスクへのペリクルの配置方法によれば、溝１１１６の内部の減圧により、第２の枠体１１１３とフォトマスクとの間に押し付け合う力を働かせることができるので、第２の枠体１１１３及びフォトマスクの前面及び背面に接触することなく、接着層１１４３を介して、両者を固定できる。
本実施形態のフォトマスクへのペリクルの配置方法において、第２の枠体１１１３の固定工程における減圧は、第２の枠体１１１３及びフォトマスクが加圧雰囲気下に配置された状態で行うことが好ましい。この態様によれば、第２の枠体１１１３及びフォトマスクが配置される全体の雰囲気の圧力と、溝１１１６の内部の圧力との差（差圧）をより大きくすることができるので、第２の枠体１１１３及びフォトマスクとの間の押し付け合う力をより大きくすることができる。このため、両者をより容易に固定することができる。
第２の枠体１１１３とフォトマスクとの間の押し付け合う力は、１Ｎ以上が好ましく、２Ｎ以上がより好ましい。第２の枠体１１１３とフォトマスクとの間の押し付け合う力は、１０Ｎ以上がさらに好ましく、２０Ｎ以上が特に好ましい。第２の枠体１１１３とフォトマスクとの間の押し付け合う力の上限には特に制限はないが、生産性などの点からは、例えば５００Ｎ、好ましくは４００Ｎである。
また、貫通孔１１１４Ａ及び１１１４Ｂを通じて溝１１１４の内部を（例えば真空ポンプ等の排気手段によって）減圧することにより、第２の枠体１１１３と第１の枠体１１１１との間の圧力を減圧することができる。この減圧により、第２の枠体１１１３と第１の枠体１１１１との間に押し付け合う力を働かせることができるので、第２の枠体１１１３及び第１の枠体１１１１の前面及び背面（即ち、第２の枠体１１１３の上面及び底面、並びに、第１の枠体１１１１のペリクル膜１１０１が配置された面及び第１の枠体１１１１の底面）に接触することなく、両者を固定することができる。
第２の枠体１１１３と第１の枠体１１１１との固定は、接着層１１４１を介して行われる。減圧することで、第２の枠体１１１３とペリクル膜とを接着層１１４１を介して押し付けることができるため、第２の枠体１１１３と第１の枠体１１１１とをしっかりと固定することができる。
次に、本実施形態のフォトマスクへのペリクルの配置方法の変形例を、図２６を参照しながら説明する。但し、本実施形態のフォトマスクへのペリクルの配置方法はこの一例によって限定されることはない。図２６は、本実施形態のフォトマスクへのペリクルの配置方法に好適なフォトマスク製造装置７０００の一例を概念的に示す断面図である。
図２６に示すフォトマスク製造装置７０００は、真空チャンバー７１００と、真空チャンバー７１００に気体を供給するための供給管７１１０と、真空チャンバー７１００内の気体を真空チャンバー７１００外に排出するための排出管７１２０Ａ及び７１２０Ｂと、排出管７２２０Ａ及び７２２０Ｂと、を備えている。排出管７１２０Ａ及び７１２０Ｂと、排出管７２２０Ａ及び７２２０Ｂと、の真空チャンバー７１００外の端部（図示せず）は、真空ポンプ等の排気手段（図示せず）に接続されている。
真空チャンバー７１００内には、フォトマスク７５００が配置される。フォトマスク７５００としては、支持基板と、この支持基板上に積層された反射層と、反射層上に形成された吸収体層と、を含むフォトマスクを用いる。フォトマスク７５００は、真空チャンバー７１００内に、前面（光照射面；即ち、反射層及び吸収体層が設けられている側の面）が上となり、背面（光照射面の反対側の面；即ち、支持基板側の面）が下となるように配置される。
そしてフォトマスク７５００の反射層及び吸収層の上方に、ライナー１１５１を除去した第２の枠体１１１３が配置される。詳細には、第２の枠体１１１３の接着層１１４３側が、フォトマスク７５００の前面（光照射面）に対向する向きに配置される。
また、排出管７１２０Ａ及び７１２０Ｂは、それぞれ、真空チャンバー７１００内に端部を有している。これらの端部は、それぞれ、第２の枠体１１１３の底面に設けられた溝１１１６の内部を減圧するための２つの貫通孔に接続できるようになっている。
以下、フォトマスク製造装置７０００を用いたフォトマスクへのペリクルの配置方法の例を説明する。まず、ライナー１１５１を除去して得られた第２の枠体１１１３を準備する。次に、真空チャンバー７１００内に、フォトマスク７５００を、前面（光照射面）が上となる向きに配置する。このとき、フォトマスク７５００の前面及び背面に異物が付着しないようにするために、例えば、フォトマスク７５００の側面のみを支持する等して、フォトマスク７５００の前面及び背面に、機械、治具、手などが接触しないように配置する。
次に、第２の枠体１１１３を、フォトマスク７５００の上方に配置する。この段階では、接着層１１４３とフォトマスク７５００とが接触しないように配置する。次に、公知の手段によって、第２の枠体１１１３とフォトマスク７５００との位置決めを行う。
次に、排出管７１２０Ａ及び７１２０Ｂのそれぞれの端部を、第２の枠体１１１３の底側の溝１１１６の内部を減圧するための２つの貫通孔にそれぞれ接続する。次に、供給管７１１０から真空チャンバー７１００内に気体を供給することで、真空チャンバー７１００内を加圧する。同時に、排出管７１２０Ａ及び７１２０Ｂの真空チャンバー７１００外の端部に接続された真空ポンプ（図示せず）を作動させることにより、排出管７１２０Ａ及び７１２０Ｂ、及び、第２の枠体１１１３の２つの貫通孔１１１６Ａ及び１１１６Ｂを通じて、第２の枠体１１１３の底面に設けられた溝１１１６の内部を減圧する。加圧及び減圧の程度は、真空チャンバー７１００内の全体の圧力と、溝１１１６の内部の圧力との差（差圧）によって生じる第２の枠体１１１３とフォトマスク７５００との間の押し付け合う力が例えば２Ｎ程度となるように調整する。上記差圧により、第２の枠体１１１３とフォトマスク７５００との間に押し付け合う力が生じ、ペリクル１１００の接着層１１４３と、フォトマスク７５００とが接着される。（図２６（ａ））
次に、第２の枠体１１１３の上方に第１の枠体１１１１を配置する。この段階では、接着層１１４１と第１の枠体１１１１とが接触しないように配置する。さらに、公知の手段によって、第２の枠体１１１３と第１の枠体１１１１との位置決めを行う。位置決めにより、第２の枠体１１１３によって囲まれた開口部により、第１の枠体１１１１が嵌るように配置する。次に、排出管７２２０Ａ及び７２２０Ｂのそれぞれの端部を、第２の枠体１１１３（枠本体）の溝１１１４の内部を減圧するための２つの貫通孔１１１４Ａ及び１１１４Ｂにそれぞれ接続する。
次に、供給管７１１０から真空チャンバー７１００内に気体を供給することで、真空チャンバー７１００内を加圧する。同時に、排出管７２２０Ａ及び７２２０Ｂの真空チャンバー７１００外の端部に接続された真空ポンプ（図示せず）を作動させることにより、排出管７２２０Ａ及び７２２０Ｂ、及び、第２の枠体１１１３の２つの貫通孔１１１４Ａ及び１１１４Ｂを通じて、第２の枠体１１１３の上面に設けられた溝１１１４の内部を減圧する。加圧及び減圧の程度は、真空チャンバー７１００内の全体の圧力と、溝１１１４の内部の圧力との差（差圧）によって生じる第１の枠体１１１１と第２の枠体１１１３との間の押し付け合う力（第２の枠体１１１３全体に加わる力）が例えば２Ｎ程度となるように調整する。上記差圧により、第１の枠体１１１１と第２の枠体１１１３との間に押し付け合う力が生じ、第２の枠体１１１３の接着層１１４１と第１の枠体１１１１とが接着される（図２６（ｂ））。
上述したトリミングにより、第１の枠体１１１１とペリクル膜１１０１との複合部材を第２の枠体１１１３と同サイズに切れ込みＣ１及びＣ２でカットする。
以上のようにして、ペリクル１１００及びフォトマスク７５００の前面及び背面に接触することなく、両者を接着することができる。これにより、ペリクル１１００及びフォトマスク７５００への異物の付着を抑制しながら、両者を接着することができる。なお、上記各操作の順は、適宜入れ替えることも可能である。
（露光方法）
上述した実施形態に係るペリクルを用いて、極端紫外光リソグラフィによる微細加工を実現することができる。本発明に係るペリクルをフォトマスクのレチクル面に配置し、フォトマスクを露光装置の所定の位置に配置して、レチクル面から３ｍｍ以下の距離を有する空隙にペリクルを収容し、真空下で、ペリクルを配置したフォトマスクに５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の光を照射し、ペリクルを配置したフォトマスクのレチクル面から出射した光をレジスト層が形成された基材に照射することにより、レジストにパターンを露光することができる。
本発明に係るペリクルのペリクル膜は膜厚が２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の従来にない薄い膜であるため、従来のペリクルのように手でフォトマスクに固定することは困難である。したがって、専用の貼付け装置を用いて、非接触での貼付けが必要となる。
本発明に係るペリクルを貼付けたフォトマスクを露光装置の所定の位置に配置するが、レチクル面から３ｍｍ以下、特に２．５ｍｍの距離を有する空隙にペリクルが収容される。
露光装置内にレジスト層が形成された基材を導入し、露光装置内を１０－４～１０－６Ｐａ程度の真空状態にする。このとき、フォトマスクに貼付けた本発明に係るペリクル内から空気が流出する。上述したように、本発明に係るペリクルは、第２の枠体として、断面がＬ字形状を有する部材を用い、フィルタの高さを第２の枠体の高さと概略等しくすることにより、フィルタの背面に貫通孔以外の空隙を生じることなく、十分な密着性を持ってフィルタが配置されているため、ペリクル膜が損傷することなく、ペリクル内を真空状態にすることができる。
その後、ペリクルを配置したフォトマスクに５ｎｍ以上３０ｎｍ以下のＥＵＶ光を照射する。フォトマスクはレチクル面より下層に多層反射膜が形成されているため、レチクル面に入射したＥＵＶ光が多層反射膜により反射して、レチクル面の吸収体で形成されたパターンを反映したＥＵＶ光がレチクル面からペリクルを透過して出射する。
フォトマスクのレチクル面から出射した光をレジスト層が形成された基材に照射することにより、レジストにパターンを露光することができる。これにより、従来にない微細加工が実現される。
１００：ペリクル、１０１：ペリクル膜、１０５：基板、１１１：第１の枠体、１１３：第２の枠体、１２１：貫通孔、１３１：フィルタ、１３３：糊代部、１３５：通気部、１３７：接着層、１４１：接着層、１４３：接着層、１５１：ライナー、
２００：ペリクル、２０１：ペリクル膜、２０５：基板、２１１：第１の枠体、２１３：第２の枠体、２２１：貫通孔、２２３：孔、２２５：溝部、２３１：フィルタ、２４３：接着層、２５１：ライナー、
３００：ペリクル、３０１：ペリクル膜、３０５：基板、３１１：第１の枠体、３１３：第２の枠体、３２１：貫通孔、３３１：フィルタ、３４１：接着層、３４３：接着層、３５１：ライナー、
４００：ペリクル、４０１：ペリクル膜、４０５：基板、４１１：第１の枠体、４１３：第２の枠体、４２１：貫通孔、４３１：フィルタ、４４１：接着層、４４３：接着層、４５１：ライナー、
５００：ペリクル、５０１：ペリクル膜、５０５：基板、５１１：第１の枠体、５１３：第２の枠体、５２１：貫通孔、５２３：孔、５２５：溝部、５３１：フィルタ、５４３：接着層、５５１：ライナー、
６００：ペリクル、６０１：ペリクル膜、６０５：基板、６１１：第１の枠体、６１３：第２の枠体、６２１：貫通孔、６２３：第１の開口、６２５：第２の開口、６２７：孔、６３１：フィルタ、６４３：接着層、６５１：ライナー、
７００：ペリクル、７０１：ペリクル膜、７０５：基板、７１１：第１の枠体、７１３：第２の枠体、７２１：貫通孔、７２３：第１の開口、７２５：第２の開口、７２７：孔、７３１：フィルタ、７４３：接着層、７５１：ライナー、
８００：ペリクル、８０１：ペリクル膜、８０５：基板、８１１：第１の枠体、８１３：第２の枠体、８２１：貫通孔、８２３：孔、８３１：フィルタ、８４１：接着層、８４３：接着層、８５１：ライナー、
９００：ペリクル、９０１：ペリクル膜、９１１：第１の枠体、９１３：第２の枠体、９２１：貫通孔、９２３：孔、９３１：フィルタ、９４１：接着層、９４３：接着層、９５１：ライナー、
１０００：ペリクル、１００１：ペリクル膜、１０１１：第１の枠体、１０１３：第２の枠体、１０２１：貫通孔、１０２３：孔、１０３１：フィルタ、１０４１：接着層、１０４３：接着層、１０５１：ライナー、
１１００：ペリクル、１１０１：ペリクル膜、１１１１：第１の枠体、１１１３：第２の枠体、１１２１：貫通孔、１１３１：フィルタ、１１４１：接着層、１１４３：接着層、１１５１：ライナー、
５０００：ペリクル製造装置、５１００：真空チャンバー、５２００：載置台、５１１０：供給管、５１２０Ａ：排出管、５１２０Ｂ：排出管、
６０００：フォトマスク製造装置、６１００：真空チャンバー、６１１０：供給管、６１２０Ａ：排出管、６１２０Ｂ：排出管、６５００：フォトマスク、
７０００：フォトマスク製造装置、７１００：真空チャンバー、７１１０：供給管、７１２０Ａ：排出管、７１２０Ｂ：排出管、７２２０Ａ：排出管、７２２０Ｂ：排出管、７５００：フォトマスク、
１８００：ペリクル、１８０１：ペリクル膜、１８１１：第１の枠体、１８１３：第２の枠体、１８２１：貫通孔、１８３１：フィルタ、１８４１：接着層、１８４３：接着層、１８５１：ライナー、１８９０：隙間、１９００：ペリクル、１９０１：ペリクル膜、１９１１：第１の枠体、１９１３：第２の枠体、１９２１：貫通孔、１９１９：接着層、１９４３：接着層、１９５１：ライナー、１９９０：隙間
 

Claims (19)

  1. ペリクル膜を配置した第１の枠体と、
    前記第１の枠体を支持する第２の枠体と、
    前記第１の枠体を貫通する貫通孔と、
    前記第１の枠体の前記ペリクル膜が配置された面側で前記貫通孔を覆うフィルタと、を備えることを特徴とするペリクル。
  2. 前記貫通孔は、前記ペリクル膜を貫通し、
    前記フィルタは、前記ペリクル膜上に配置さることを特徴とする請求項１に記載のペリクル。
  3. 前記フィルタが前記ペリクル膜に隣接して、前記第１の枠体上に配置されることを特徴とする請求項１に記載のペリクル。
  4. 前記フィルタの上面が前記ペリクル膜と同一面になるように、前記フィルタが前記第１の枠体上に配置されることを特徴とする請求項３に記載のペリクル。
  5. 前記第１の枠体は、前記第２の枠体と対向する面に、前記貫通孔に接続する溝部を有し、
    前記溝部は、前記第２の枠体との結合により、前記貫通孔に接続する孔を形成し、
    前記孔は、前記第１の枠体の内側の面に開口を有することを特徴とする請求項１に記載のペリクル。
  6. 前記第２の枠体は、前記第１の枠体と対向する面に配置した第１の開口と、前記第２の枠体の内側の面に配置した第２の開口とを有し、
    ２つの前記開口は、前記第２の枠体の内部に配置された孔で接続され、
    前記第１の開口が前記貫通孔に接続することを特徴とする請求項１に記載のペリクル。
  7. 前記第２の枠体は、前記第１の枠体と対向する面に、前記貫通孔に接続する溝部を有し、
    前記溝部は、前記第１の枠体との結合により、前記貫通孔に接続する孔を形成し、
    前記孔は、前記第２の枠体の内側の面に開口を有することを特徴とする請求項１に記載のペリクル。
  8. 前記ペリクル膜は１３．５ｎｍの波長の光に９０．０％以上の透過率を有し、膜厚が２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のペリクル。
  9. 高さが２ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のペリクル。
  10. 基板上にペリクル膜を形成し、
    所定の位置の前記ペリクル膜を除去して前記基板を露出させ、
    前記基板の一部を除去して、前記ペリクル膜を露出させて第１の枠体を形成し、前記所定の位置に前記第１の枠体を貫通する貫通孔を形成し、
    前記第１の枠体の前記ペリクル膜が配置された面側に、前記貫通孔を覆うフィルタを配置し、
    前記第１の枠体側の前記貫通孔が開口するように、接着層を介して前記第１の枠体を第２の枠体に固定することを特徴とするペリクルの製造方法。
  11. 前記貫通孔は、前記所定の位置に前記ペリクル膜を貫通して形成し、
    前記ペリクル膜上に、前記貫通孔を覆うフィルタを配置することを特徴とする請求項１０に記載のペリクルの製造方法。
  12. 前記ペリクル膜に隣接して、前記第１の枠体上に前記フィルタを配置することを特徴とする請求項１０に記載のペリクルの製造方法。
  13. 前記フィルタの上面が前記ペリクル膜と同一面になるように、前記第１の枠体上に前記フィルタを配置することを特徴とする請求項１２に記載のペリクルの製造方法。
  14. 前記第１の枠体の前記第２の枠体と対向する面に、前記貫通孔に接続する溝部を形成し、
    接着層を介して前記第１の枠体を第２の枠体に固定して、前記貫通孔に接続し、且つ、前記第１の枠体の内側の面に開口を有する孔を形成することを特徴とする請求項１０に記載のペリクルの製造方法。
  15. 前記第２の枠体の前記第１の枠体と対向する面に第１の開口を形成し、
    前記第２の枠体の内側の面に第２の開口を形成し、
    前記第２の枠体の内部に２つの前記開口を接続する孔を形成し、
    前記第１の開口を前記貫通孔に接続することを特徴とする請求項１０に記載のペリクルの製造方法。
  16. 前記第２の枠体の前記第１の枠体と対向する面に、前記貫通孔に接続する溝部を形成し、
    接着層を介して前記第１の枠体を第２の枠体に固定して、前記貫通孔に接続し、且つ、前記第２の枠体の内側の面に開口を有する孔を形成することを特徴とする請求項１０に記載のペリクルの製造方法。
  17. 膜厚が２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下となる前記ペリクル膜を前記基板上に形成し、
    前記ペリクル膜は１３．５ｎｍの波長の光に９０．０％以上の透過率を有することを特徴とする請求項１０に記載のペリクルの製造方法。
  18. 高さを２ｍｍ以下とすることを特徴とする請求項１０に記載のペリクルの製造方法。
  19. 請求項１に記載のペリクルをフォトマスクのレチクル面に配置し、
    前記フォトマスクを露光装置の所定の位置に配置して、前記レチクル面から３ｍｍ以下の距離を有する空隙に前記ペリクルを収容し、
    真空下で、前記ペリクルを配置した前記フォトマスクに１３．５ｎｍの光を照射し、
    前記ペリクルを配置した前記フォトマスクの前記レチクル面から出射した光をレジスト層が形成された基材に照射することを特徴とする露光方法。
     
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