WO2015166927A1 - ペリクル枠、ペリクル及びその製造方法、露光原版及びその製造方法、露光装置、並びに半導体装置の製造方法 - Google Patents

ペリクル枠、ペリクル及びその製造方法、露光原版及びその製造方法、露光装置、並びに半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2015166927A1
WO2015166927A1 PCT/JP2015/062742 JP2015062742W WO2015166927A1 WO 2015166927 A1 WO2015166927 A1 WO 2015166927A1 JP 2015062742 W JP2015062742 W JP 2015062742W WO 2015166927 A1 WO2015166927 A1 WO 2015166927A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
pellicle
frame
original plate
film
exposure
Prior art date
Application number
PCT/JP2015/062742
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
高村 一夫
陽介 小野
大樹 種市
泰之 佐藤
俊明 廣田
Original Assignee
三井化学株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三井化学株式会社 filed Critical 三井化学株式会社
Priority to EP15786200.4A priority Critical patent/EP3118683A4/en
Priority to US15/304,996 priority patent/US10216081B2/en
Priority to JP2016516378A priority patent/JP6279719B2/ja
Priority to SG11201608777TA priority patent/SG11201608777TA/en
Priority to KR1020167029221A priority patent/KR101853576B1/ko
Priority to CN201580018782.4A priority patent/CN106233201A/zh
Publication of WO2015166927A1 publication Critical patent/WO2015166927A1/ja

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G03F1/64Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/66Containers specially adapted for masks, mask blanks or pellicles; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735Closed carriers
    • H01L21/67359Closed carriers specially adapted for containing masks, reticles or pellicles

Definitions

  • the present invention relates to a pellicle frame, a pellicle and a manufacturing method thereof, an exposure original plate and a manufacturing method thereof, an exposure apparatus, and a manufacturing method of a semiconductor device.
  • EUV light has the property of being easily absorbed by any substance. Therefore, in photolithography using EUV light as exposure light (hereinafter also referred to as “EUV lithography”), exposure is performed using a reflective optical system. Specifically, the EUV light is reflected by the original plate reflecting the exposure pattern, and the resist is exposed by the EUV light as reflected light. At this time, if a foreign substance adheres to the original, the EUV light is absorbed by the foreign substance or the EUV light is scattered, so that a desired pattern may not be exposed. Thus, it has been studied to protect the EUV light irradiation surface of the original plate with a pellicle.
  • the configuration of the pellicle is a configuration having a pellicle film for protecting the EUV light irradiation surface of the original and a pellicle frame (frame body) that supports the pellicle film.
  • the pellicle film used in EUV lithography is required to have high transparency to EUV light and not to be decomposed or deformed by irradiation with EUV light.
  • a silicon crystal film such as a single crystal silicon film (see, for example, the following documents 1 and 2), an aluminum nitride film laminated on a metal mesh (for example, refer to the following document 3,), graphene A film (for example, refer to the following document 4) has been proposed.
  • Literature 1 JP 2010-256434 A Literature 2: JP 2009-116284 A Literature 3: JP 2005-43895 A Literature 4: International Publication No. 2011/160861
  • the pellicle film has a property of being easily broken. For this reason, careful handling is required for handling the pellicle membrane.
  • the pellicle film containing an inorganic material (for example, the pellicle film described in the above-mentioned documents 1 to 4) is not only a film that is easily torn and hardly self-supported, but is also scratched or generated by mechanical contact. It is a film that causes dust. For this reason, further caution is required in handling a pellicle film containing an inorganic material (for example, the pellicle film described in Documents 1 to 4 above). Further, with the miniaturization of semiconductor devices, further attention is required to prevent foreign matters from adhering to members such as a pellicle film, a pellicle frame, and an original plate.
  • the front and back surfaces of each of the pellicle frame and the other members are connected to an apparatus, a jig.
  • the method of fixing both of them so as not to be touched by a hand or the like was examined.
  • “front surface” refers to one of one end surface and the other end surface in the thickness direction
  • “back surface” refers to the other of the one end surface and the other end surface in the thickness direction.
  • “front surface” and “back surface” refer to one film surface and the other film surface.
  • front surface refers to the light irradiation surface
  • “rear surface” refers to the surface opposite to the light irradiation surface.
  • an object of the present invention is to manufacture a pellicle by fixing the pellicle frame and the pellicle film directly or via another member (for example, another pellicle frame), and the front surface of each of the pellicle frame and the pellicle film.
  • Another object of the present invention is to provide a pellicle manufacturing method capable of manufacturing a pellicle without contacting the front and back surfaces of each of the pellicle frame and the pellicle film, and to contact the front and back surfaces of each of the pellicle and the original plate. It is providing the manufacturing method of the exposure original plate which can manufacture an exposure original plate without this.
  • a pellicle frame comprising a frame body having ⁇ 2>
  • the frame main body further includes a groove provided on the other end surface in the thickness direction, and a through hole penetrating between an outer peripheral surface and a wall surface of the groove provided on the other end surface.
  • ⁇ 3> The pellicle frame according to ⁇ 1> or ⁇ 2>, further comprising an adhesive layer in contact with the one end surface.
  • a first pellicle frame that is the pellicle frame according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 3>; A pellicle film supported on the one end face side of the frame body of the first pellicle frame; A pellicle.
  • the pellicle film includes at least one inorganic material selected from the group consisting of crystalline silicon, diamond-like carbon, graphite, amorphous carbon, graphene, silicon carbide, silicon nitride, and aluminum nitride.
  • ⁇ 7> The pellicle according to any one of ⁇ 4> to ⁇ 6>, further comprising a second pellicle frame in contact with the pellicle film between the first pellicle frame and the pellicle film.
  • ⁇ 8> The pellicle according to ⁇ 7>, comprising a composite member including a silicon crystal film as the pellicle film and a frame-shaped silicon substrate as the second pellicle frame.
  • ⁇ 9> An arrangement step of arranging the pellicle frame and the pellicle film according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 3> so that the one end surface of the frame body and the pellicle film face each other;
  • the pellicle frame and the pellicle film are fixed by depressurizing the inside of the groove provided on the one end surface through a through-hole penetrating between the outer peripheral surface and the wall surface of the groove provided on the one end surface.
  • Fixing process to perform A method for producing a pellicle.
  • the frame body of the first pellicle frame further includes a through-hole penetrating between a groove provided on the other end surface in the thickness direction and an outer peripheral surface and a wall surface of the groove provided on the other end surface.
  • ⁇ 13> The pellicle according to any one of ⁇ 4> to ⁇ 8>, wherein the frame body of the first pellicle frame is further provided with a groove provided on the other end surface in the thickness direction, and An arrangement step of arranging a pellicle having a through-hole penetrating between an outer peripheral surface and a wall surface of a groove provided on the other end surface, and an original plate so that the other end surface and the original plate face each other; Fixing the pellicle and the original plate by depressurizing the inside of the groove provided on the other end surface through a through-hole penetrating between the outer peripheral surface and the wall surface of the groove provided on the other end surface Process, The manufacturing method of the exposure original plate which has these.
  • ⁇ 14> The exposure original plate manufacturing method according to ⁇ 13>, wherein the pressure reduction in the fixing step is performed in a state where the pellicle and the original plate are arranged in a pressurized atmosphere.
  • An exposure apparatus comprising the exposure original plate described in ⁇ 11> or ⁇ 12>.
  • a light source that emits exposure light;
  • Have The exposure original plate is arranged such that exposure light emitted from the light source passes through the pellicle film and is irradiated onto the original plate.
  • ⁇ 18> exposing the exposure light emitted from the light source through the pellicle film of the exposure original plate according to ⁇ 11> or ⁇ 12>, irradiating the original plate, and reflecting the original plate; Exposing the sensitive substrate in a pattern by irradiating the sensitive substrate with the exposure light reflected by the original plate through the pellicle film; and A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: ⁇ 19> The method for manufacturing a semiconductor device according to ⁇ 18>, wherein the exposure light is EUV light.
  • a pellicle frame and the pellicle film are fixed to each other without contacting the front surface and the back surface.
  • a pellicle frame that can be used, a pellicle that includes the pellicle frame, an exposure original plate that includes the pellicle, an exposure apparatus that uses the exposure original plate, and a method for manufacturing a semiconductor device are provided.
  • a pellicle manufacturing method capable of manufacturing a pellicle without contacting the front and back surfaces of each of the pellicle frame and the pellicle film, and the front and back surfaces of each of the pellicle and the original plate are contacted.
  • a method for producing an exposure original plate capable of producing the exposure original plate without any problems.
  • FIG. 2 is a sectional view taken along line AA in FIG. 1. It is a fragmentary sectional view of the pellicle frame (frame main body) concerning the modification of this embodiment. It is a schematic perspective view of the pellicle frame (frame main body) which concerns on the modification of this embodiment. It is a schematic perspective view of the pellicle frame (frame main body) which concerns on the modification of this embodiment.
  • the pellicle frame of the present embodiment is a groove provided on one end surface in the thickness direction on the side where the pellicle film is supported, and between the outer peripheral surface and the wall surface of the groove provided on the one end surface.
  • the pellicle frame of the present embodiment may include an element other than the frame main body (for example, an adhesive layer described later) as necessary.
  • the pellicle frame and the frame main body of the present embodiment are frame-shaped members for supporting the pellicle film, similarly to a normal pellicle frame.
  • one end surface on the side where the pellicle film is supported on one end surface in the thickness direction of the frame body means that the pellicle film is supported on the two end surfaces in the thickness direction of the frame body. It refers to the end face on the side to be done.
  • the said through-hole penetrates between a part of outer peripheral surface of a frame main body, and a part of wall surface (a side surface or a bottom face. The same also hereafter) of the groove
  • the one end surface of the frame body of the pellicle frame of this embodiment and the pellicle film are directly or via another member (for example, another pellicle frame such as a second pellicle frame described later; the same applies hereinafter).
  • another member for example, another pellicle frame such as a second pellicle frame described later; the same applies hereinafter.
  • both can be fixed without contacting the front and back of each of the pellicle frame and the pellicle film (by an apparatus, jig, hand, etc.). Therefore, according to the pellicle frame of this embodiment, when the pellicle is manufactured by fixing the pellicle frame and the pellicle film directly or via another member, the front and back surfaces of each of the pellicle frame and the pellicle film are contacted. The effect that both can be fixed without doing is produced.
  • the “force for pressing” is synonymous with the force for attracting each other.
  • the pellicle frame of the present embodiment it is possible to prevent foreign matter from adhering to the pellicle frame and the pellicle film due to contact with the pellicle frame and the pellicle film. Furthermore, by using the pellicle frame of this embodiment, it is possible to prevent the pellicle film from being broken, scratched, dusted, or the like due to contact with the pellicle film.
  • the pellicle frame of the present embodiment is a pellicle for lithography using exposure light having a short wavelength (for example, EUV light, light having a shorter wavelength than EUV light, etc.), and particularly an inorganic pellicle. It is suitable for manufacturing a pellicle provided with a pellicle film containing a material.
  • EUV (Extreme Ultra Violet) light refers to light having a wavelength of 5 nm to 30 nm.
  • the wavelength of EUV light is preferably 5 nm to 13.5 nm.
  • EUV light and light having a shorter wavelength than EUV light are collectively referred to as “EUV light or the like”.
  • the frame main body further penetrates between a groove provided on the other end surface in the thickness direction and a wall surface of the groove provided on the outer peripheral surface and the other end surface. And a hole.
  • the pellicle frame of this aspect is suitable for producing an exposure original plate in which a pellicle film is arranged on one end surface side of the frame main body and an original plate is arranged on the other end surface side.
  • the pellicle can be produced without contacting the pellicle frame and the pellicle film, and the exposure original plate can be produced without contacting the pellicle and the original plate.
  • the reason why the pellicle can be produced without using the pellicle frame and the pellicle film by using the pellicle frame of the above aspect is as described above. That is, by depressurizing the inside of the groove provided on the one end surface through a through hole passing between the outer peripheral surface of the frame body of the pellicle frame and the wall surface of the groove provided on the one end surface, This is because a pressing force (that is, a pulling force) can be exerted between the pellicle film.
  • the reason why the exposure original plate can be produced without using the pellicle frame and the original plate by using the pellicle frame of the above aspect is that the space between the outer peripheral surface of the frame body of the pellicle frame and the wall surface of the groove provided on the other end surface. This is because, by reducing the pressure inside the groove provided on the other end surface through the through-hole penetrating, a pressing force (ie, a pulling force) can be exerted between the pellicle and the original plate.
  • FIG. 1 is a schematic perspective view seen from a direction in which one end face 10 of the frame body 100 can be observed.
  • FIG. 2 is a schematic perspective view seen from a direction in which the other end face 20 of the same frame body 100 can be observed.
  • 3 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
  • the shape of the frame main body 100 is a rectangular frame shape.
  • the exposure light E passes through the opening 50 surrounded by the frame body 100.
  • the outer shape of the frame main body 100 is determined by one end surface 10 in the thickness direction of the frame main body 100, the other end surface 20, an outer peripheral surface 30 composed of four surfaces, and an inner peripheral surface 40 composed of four surfaces.
  • One end surface 10 of the frame body 100 is an end surface on the side where the pellicle film is disposed when an exposure original plate is produced using the frame body 100, and the other end surface 20 of the frame body 100 is formed using the frame body 100.
  • the shape viewed from the thickness direction of the frame main body 100 is a rectangular shape as described above, but the shape viewed from the thickness direction of the frame main body of the present embodiment is not limited to a rectangular shape, and is a shape other than a rectangular shape. (For example, a trapezoidal shape, a shape having a protrusion on the outer side of the frame, or the like) may be used.
  • the one end face 10 is provided with a groove 12.
  • the shape of the groove 12 viewed from the thickness direction of the frame main body 100 is an endless shape that goes around the shape of the frame main body 100. A modification of the shape of the groove viewed from the thickness direction of the frame body will be described later.
  • the frame main body 100 has a through hole 14A and a through hole 14B.
  • the through hole 14A and the through hole 14B penetrate between the bottom surface of the groove 12 and the outer peripheral surface 30, respectively.
  • each of the through holes 14 ⁇ / b> A and 14 ⁇ / b> B may penetrate between the side surface of the groove 12 and the outer peripheral surface 30. Further, either one of the through holes 14A and 14B may be omitted. That is, in the frame body 100, two through holes (through holes 14A and 14B) are connected to one groove (groove 12), but the present embodiment is not limited to this mode. In the present embodiment, it is only necessary that at least one through hole is connected to one groove (groove 12).
  • a groove 22 is provided on the other end surface 20 opposite to the one end surface 10.
  • the shape of the groove 22 is an endless shape that goes around the shape of the frame main body 100 when viewed from the thickness direction.
  • the frame main body 100 has a through hole 24A and a through hole 24B.
  • the through hole 24 ⁇ / b> A and the through hole 24 ⁇ / b> B penetrate between the bottom surface of the groove 22 and the outer peripheral surface 30.
  • the variations of the through holes 24A and 24B are the same as the variations of the through holes 14A and 14B.
  • the frame main body 100 (pellicle frame) described above is suitable for applications in which a pellicle film is manufactured by fixing (supporting) a pellicle film on the one end face 10 side. The case where the pellicle film is fixed on the side of the one end face 10 will be described.
  • the frame main body 100 is provided with a groove 12 on the one end face 10 that faces the pellicle film, and a through hole connected to the groove 12. 14A and 14B are provided.
  • the inside of the groove 12 is decompressed (for example, by an evacuation means such as a vacuum pump) through the through holes 14A and 14B, so that the space between the frame body 100 and the pellicle film is The pressure can be reduced.
  • a pressing force that is, an attractive force
  • Both can be fixed without making contact with the one end surface 10 and the other end surface 20 and one film surface and the other film surface of the pellicle film.
  • the frame main body 100 and the pellicle film may be fixed through an adhesive layer.
  • the frame body 100 and the pellicle film can be pressed through the adhesive layer by reducing the pressure, so that the frame body 100 and the pellicle film can be firmly fixed.
  • a specific form of the method for manufacturing the pellicle will be described later.
  • the frame main body 100 described above is also suitable for use in producing an exposure original plate by fixing the original plate on the other end face 20 side.
  • the case where the original plate is fixed to the other end surface 20 will be described.
  • the frame main body 100 is provided with a groove 22 on the other end surface 20 which is a surface facing the original plate, and a through hole 24A connected to the groove 22 and 24B is provided.
  • the pressure between the frame main body 100 and the original plate is reduced by reducing the pressure inside the groove 22 through the through holes 24A and 24B (for example, by exhaust means such as a vacuum pump). Can be depressurized.
  • This pressure reduction can exert a pressing force between the frame main body 100 and the original plate, so that the front surface and the back surface of each of the frame main body 100 and the original plate (that is, the one end surface 10 and the other end surface 20 of the frame main body 100, and Both can be fixed without contacting the light irradiation surface of the original and the surface opposite to the light irradiation surface.
  • the fixing may be performed via an adhesive layer.
  • a pellicle film may be fixed to the one end face 10 side of the frame body 100 (via an adhesive layer as necessary).
  • the frame main body 100 described above is also suitable for an application in which a pellicle is first prepared by fixing a pellicle film to the frame main body 100, and then an exposure original plate is manufactured by fixing the obtained pellicle and the original plate.
  • the pellicle can be produced by fixing both of the frame main body 100 and the pellicle film without contacting the front surface and the back surface, and then the front surface of each of the pellicle and the original plate.
  • the exposure original plate can be prepared by fixing both without contacting the back surface.
  • the dimensions of the frame main body 100 can be set to the following dimensions, for example.
  • the length L1 of the frame body 100 in the long side direction can be set to, for example, 135 mm to 153 mm, preferably 140 mm to 152 mm, and more preferably 145 mm to 151 mm.
  • the length L2 in the short side direction of the frame main body 100 can be set to, for example, 100 mm to 130 mm, preferably 105 mm to 125 mm, and more preferably 110 mm to 120 mm.
  • the length L1 in the long side direction and the length L2 in the short side direction may be the same dimension. That is, the shape of the frame body 100 may be a square shape.
  • the frame width (frame width) W of the frame main body 100 can be, for example, 1.0 mm to 5.0 mm, preferably 1.2 mm to 3.5 mm, and more preferably 1.5 mm to 2.5 mm.
  • the frame width may be the same size or different size on the four sides of the rectangular frame body 100.
  • the length in the long side direction of the opening 50 (through hole) surrounded by the frame body 100 can be, for example, 130 mm to 152 mm, preferably 135 mm to 151 mm, and more preferably 140 mm to 150 mm.
  • the width of the opening 50 can be, for example, 95 mm to 130 mm, preferably 100 mm to 125 mm, and more preferably 105 mm to 120 mm.
  • the thickness t of the pellicle frame can be, for example, 0.5 mm to 5.0 mm, preferably 0.5 mm to 3.0 mm, and more preferably 0.5 mm to 2.0 mm.
  • the widths of the groove 12 and the groove 22 can be appropriately set in consideration of the pressure loss reduction in the groove, the relationship with the frame width of the frame body, and the like. ⁇ 700 ⁇ m is preferable, 100 ⁇ m to 600 ⁇ m is more preferable, and 200 ⁇ m to 500 ⁇ m is particularly preferable. Further, the depth of the groove 12 and the groove 22 can be appropriately set in consideration of the pressure loss reduction in the groove, the relationship with the thickness of the frame body, etc., but can be set to 10 ⁇ m to 1.0 mm, for example, 50 ⁇ m. ⁇ 700 ⁇ m is preferable, 100 ⁇ m to 600 ⁇ m is more preferable, and 200 ⁇ m to 500 ⁇ m is particularly preferable.
  • the widths of the through holes 14A, 14B, 24A, and 24B can be appropriately set in consideration of the pressure loss reduction in the through holes, the relationship with the thickness of the frame body, and the like, for example, 10 ⁇ m to 1.0 mm. 50 ⁇ m to 700 ⁇ m are preferable, 100 ⁇ m to 600 ⁇ m are more preferable, and 200 ⁇ m to 500 ⁇ m are particularly preferable. Further, the lengths of the through holes 14A, 14B, 24A, and 24B can be appropriately set in consideration of the pressure loss reduction in the through holes, etc., but can be set to 0.5 mm to 10 mm, for example, 0.7 mm Is preferably 5.0 mm, more preferably 1.0 mm to 2.0 mm.
  • the width of the through hole refers to the flow path width of the flow path composed of the through holes
  • the length of the through hole refers to the flow path length of the flow path composed of the through holes.
  • the material of the frame body 100 is not particularly limited, and may be a normal material used for the pellicle frame.
  • the material of the frame main body 100 is aluminum, aluminum alloy (5000 series, 6000 series, 7000 series, etc.), stainless steel, silicon, silicon alloy, iron, iron alloy, carbon steel, tool steel, ceramics, metal. -Ceramic composite materials, resins and the like.
  • aluminum and aluminum alloys are more preferable from the viewpoint of light weight and rigidity.
  • the frame main body 100 may have a protective film on the surface.
  • a protective film having resistance to hydrogen radicals, EUV light, etc. present in the exposure atmosphere is preferable.
  • An example of the protective film is an oxide film.
  • the oxide film can be formed by a known method such as anodic oxidation.
  • the oxide film may be colored with a black dye.
  • configurations of known pellicle frames such as JP2014-021217A and JP2010-146027A can be appropriately referred to.
  • FIG. 4 is a partial cross-sectional view of a pellicle frame (frame body) according to a modification of the present embodiment, and corresponds to the partial cross-sectional view of FIG.
  • the frame main body shown in FIG. 4 is an example in which a groove (groove 12) is provided only on one end face 10.
  • FIG. 5 is a perspective view conceptually showing a frame main body 110 according to a modification of the present embodiment, in which the shape of the groove is an end shape. As shown in FIG. 5, a groove 112 is provided on one end surface 10 of the frame main body 110.
  • the shape of the groove 112 when viewed from the thickness direction of the frame body is a shape that makes one round over the four sides of the frame body 110, but is not a shape that makes a full circle, and has ends 116 and 117. It has a shape.
  • the frame body 110 is provided with through holes 114 ⁇ / b> A and 114 ⁇ / b> B that penetrate between the bottom surface of the groove 112 and the outer peripheral surface 30.
  • a groove is provided on the other end surface of the frame main body 110 in the same manner as the other end surface 20 of the frame main body 100, and a wall surface and an outer peripheral surface of the groove on the other end surface side are further provided.
  • a through hole penetrating therethrough is provided.
  • configurations other than those described above are the same as the configuration of the frame main body 100.
  • one groove is provided for one end face.
  • two or more grooves may be provided for one end face.
  • the through hole is preferably connected to each of the two or more grooves (for example, see FIGS. 6 and 7).
  • the frame body is rectangular, it is preferable that grooves are present on the four sides of the frame body from the viewpoint of more effectively exerting the pressing force between the frame body and other members.
  • there are grooves on the four sides of the frame body for example, A mode in which one groove is provided over four sides of the frame body (for example, see FIGS.
  • FIG. 6 is a perspective view conceptually showing a frame body 200 according to a modification of the present embodiment.
  • one end surface 10 of the frame body 200 is provided with two grooves, that is, a groove 212 ⁇ / b> A and a groove 212 ⁇ / b> B.
  • the frame body 200 is provided with through holes 214 ⁇ / b> A and 214 ⁇ / b> B penetrating between the bottom surfaces of the grooves 212 ⁇ / b> A and 212 ⁇ / b> B and the outer peripheral surface 30.
  • a groove is provided on the other end surface of the frame main body 200 in the same manner as the other end surface 20 of the frame main body 100, and the wall surface and outer peripheral surface of the groove on the other end surface side are further provided. And a through hole is provided.
  • the frame main body 200 the configurations other than those described above are the same as the configuration of the frame main body 100, and the preferred range is also the same.
  • FIG. 7 is a perspective view conceptually showing a frame main body 300 according to a modification of the present embodiment.
  • the one end surface 10 of the frame body 300 is provided with four grooves, that is, grooves 312A, 312B, 312C, and 312D.
  • the frame body 300 is provided with through holes 314A, 314B, 314C, and 314D that pass through between the bottom surfaces of the grooves 312A, 312B, 312C, and 312D and the outer peripheral surface 30, respectively.
  • through holes 314A, 314B, 314C, and 314D that pass through between the bottom surfaces of the grooves 312A, 312B, 312C, and 312D and the outer peripheral surface 30, respectively.
  • a groove is provided on the other end surface of the frame main body 300 in the same manner as the other end surface 20 of the frame main body 100, and the wall surface and outer peripheral surface of the groove on the other end surface side are further provided. And a through hole is provided.
  • the frame main body 300 the configurations other than those described above are the same as the configuration of the frame main body 100, and the preferred range is also the same.
  • the shape of the groove 22 present on the other end face 20 of each of the frame main bodies 100, 110, 200, 300 can be changed to the shape of the groove on the one end face 10 side shown in FIGS.
  • the pellicle frame of the present embodiment may include other members other than the frame main body.
  • the pellicle frame of the present embodiment can further include an adhesive layer in contact with the one end surface in addition to the frame main body.
  • the pellicle frame of the present embodiment can further include an adhesive layer in contact with the other end surface in addition to the frame main body.
  • These adhesive layers are layers used for adhesion to other members (pellicle film, original plate, other pellicle frame, etc.), and include an adhesive.
  • “adhesive” refers to an adhesive in a broad sense, and the concept of “adhesive” includes an adhesive.
  • Adhesives include acrylic resin adhesives, epoxy resin adhesives, polyimide resin adhesives, silicone resin adhesives, inorganic adhesives, double-sided adhesive tapes, silicone resin adhesives, acrylic adhesives, polyolefin adhesives, etc. Is mentioned.
  • an adhesive used for adhesion to the pellicle film or other pellicle frame an acrylic resin adhesive, an epoxy resin adhesive, a polyimide resin adhesive, a silicone resin adhesive, or an inorganic adhesive is preferable.
  • a double-sided pressure-sensitive adhesive tape, a silicone resin pressure-sensitive adhesive, an acrylic pressure-sensitive adhesive, and a polyolefin-based pressure-sensitive adhesive are preferable.
  • the pellicle frame of the present embodiment may further have a release liner (also called a release film or a separator) on the adhesive layer.
  • a release liner also called a release film or a separator
  • Any known release liner can be used without particular limitation.
  • the pellicle of the present embodiment includes a first pellicle frame that is the pellicle frame of the present embodiment described above, and a pellicle film supported on the one end face side of the frame body of the first pellicle frame. Since the pellicle of this embodiment includes the pellicle frame of this embodiment, the same effect as the pellicle frame of this embodiment can be obtained. Specifically, in the pellicle of the present embodiment, the above-described groove is provided on one end surface of the first pellicle frame (end surface on the side supporting the pellicle film).
  • the pellicle of this embodiment has an effect that it can be manufactured without contacting the front and back surfaces of the pellicle film and the first pellicle frame (hereinafter referred to as “effect 1”). Further, in the pellicle of this embodiment, when the above-described groove is provided on the other end surface of the first pellicle frame, the pellicle of this embodiment does not contact the front and back surfaces of the pellicle and the original plate, respectively. There is an effect that the exposure original plate can be manufactured (hereinafter referred to as “effect 2”).
  • the material of the pellicle film is not particularly limited, and may be an organic material, an inorganic material, or a mixed material of an organic material and an inorganic material.
  • the organic material include a fluorine-based polymer.
  • the inorganic material include crystalline silicon (eg, single crystal silicon, polycrystalline silicon, etc.), diamond-like carbon (DLC), graphite, amorphous carbon, graphene, silicon carbide, silicon nitride, aluminum nitride, and the like.
  • the pellicle film may contain one of the above materials alone or two or more of them.
  • examples of the pellicle film include a pellicle film containing at least one selected from the group consisting of fluorine-based polymer, crystalline silicon, diamond-like carbon, graphite, amorphous carbon, graphene, silicon carbide, silicon nitride, and aluminum nitride. It is done. Among them, crystalline silicon, diamond-like carbon, graphite, amorphous carbon, graphene, silicon carbide, silicon nitride are highly transparent to EUV light and the like and can suppress decomposition and deformation caused by irradiation with EUV light. And a pellicle film containing at least one inorganic material selected from the group consisting of aluminum nitride.
  • a pellicle film containing such an inorganic material is a film that is very easy to tear, and is liable to cause scratches and dust generation due to contact.
  • the pellicle can be manufactured without contacting the front and back surfaces of each of the pellicle film and the first pellicle frame, even when the pellicle film containing such an inorganic material is used, It is possible to effectively prevent the pellicle film from being broken, scratched, or dusted by contact.
  • the configuration of the pellicle film may be a single layer configuration or a configuration composed of two or more layers.
  • the thickness of the pellicle film (the total thickness in the case of two or more layers) can be, for example, 10 nm to 200 nm, preferably 10 nm to 100 nm, more preferably 10 nm to 70 nm, and particularly preferably 10 nm to 50 nm.
  • the thickness of the pellicle film is thin (for example, 200 nm or less), the transparency to EUV light or the like is excellent.
  • the thickness of the pellicle film is thin (for example, 200 nm or less), the pellicle film tends to be easily broken.
  • the pellicle can be manufactured without contacting the front and back surfaces of the pellicle film and the first pellicle frame, the pellicle film having a small thickness (for example, 200 nm or less) is used. Even if it exists, the tearing of the pellicle film can be effectively prevented.
  • a preferred aspect of the pellicle of the present embodiment is an aspect in which a second pellicle frame in contact with the pellicle film is provided between the first pellicle frame and the pellicle film.
  • the pellicle film is a film that is difficult to stand by itself (for example, a pellicle film containing an inorganic material such as a silicon crystal film, a thin pellicle film, etc.),
  • the pellicle can be manufactured while maintaining the film shape of the film.
  • the pellicle having the second pellicle frame preferably includes a composite member of a pellicle film and a second pellicle frame.
  • the pellicle having the second pellicle frame is preferably manufactured by fixing the first pellicle frame and the composite member.
  • An example of the composite member is a composite member composed of a silicon crystal film as a pellicle film and a frame-shaped silicon substrate (for example, a silicon wafer) as a second pellicle frame.
  • the pellicle can be manufactured while maintaining the film shape of the pellicle film (silicon crystal film) by the second pellicle frame (frame-shaped silicon substrate).
  • a silicon crystal film is formed on a silicon substrate, and then the center portion of the silicon substrate is etched from the silicon crystal film non-formation side of the silicon substrate. It can be produced by removing the silicon substrate. Only the silicon crystal film remains in the central portion of the composite member manufactured by this method, and the silicon crystal film in the central portion becomes a pellicle film. A silicon crystal film and a silicon substrate remain in the peripheral portion around the central portion, and a second pellicle frame is formed by the silicon substrate remaining in the peripheral portion.
  • the circular silicon substrate and the silicon crystal film may be attached to the first pellicle frame before or after being bonded to the first pellicle frame. It is preferable that the outer shape is cut to the same outer shape. This cutting operation is called “trimming”. Note that the same method can be used when the composite member of the pellicle film and the second pellicle frame is a composite member other than the above example.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of an example (pellicle 500) of the pellicle of the present embodiment.
  • the configuration of the pellicle 500 is a configuration in which a composite member 490 of a pellicle film 480 and a second pellicle frame 482 and a first pellicle frame 420 are bonded together.
  • the first pellicle frame 420 includes a frame main body 400, an adhesive layer 460 in contact with one end surface of the frame main body 400, an adhesive layer 462 in contact with the other end surface of the frame main body 400, and a release liner 470 in contact with the adhesive layer 462. It is equipped with.
  • the frame main body 400 has grooves similar to those of the frame main body 100 described above on both one end surface and the other end surface in the thickness direction. Furthermore, the frame main body 400 has the same through-hole as the frame main body 100 described above.
  • the one end surface of the first pellicle frame 420 is an end surface corresponding to the one end surface 10 in the frame body 100 described above, and the other end surface of the first pellicle frame 420 corresponds to the other end surface 20 in the frame body 100 described above. It is an end face.
  • the composite member 490 and the first pellicle frame 420 are arranged such that the second pellicle frame 482 of the composite member 490 and the adhesive layer 460 of the first pellicle frame 420 are in contact with each other. That is, the pellicle 500 includes a first pellicle frame 420 provided with a frame body 400 and a pellicle film 480 supported on one end surface side of the frame body 400 of the first pellicle frame 420. A second pellicle frame 482 that is in contact with the pellicle film 480 is provided between the first pellicle frame 420 and the pellicle film 480.
  • the pellicle 500 is preferably manufactured by fixing (bonding) the composite member 490 and the first pellicle frame 420. At this time, since the inside of the groove provided on the one end surface of the frame body 400 can be decompressed through the through hole connected to the groove, the front surface and the back surface of each of the composite member 490 and the first pellicle frame 420 are contacted. Both can be fixed without doing.
  • the release liner 470 in the first pellicle frame 420 is provided to protect the exposed surface of the adhesive layer 462.
  • the adhesive layer 462 is exposed by removing the release liner 470 from the first pellicle frame 420 of the pellicle 500, and then the exposed adhesive layer 462 is used. The pellicle and the original plate are fixed.
  • the composite member 490 is preferably a composite member of a pellicle film 480 that is a polycrystalline silicon film (p-Si film) and a second pellicle frame 482 that is a silicon substrate.
  • a method for manufacturing such a composite member is as described above.
  • the frame body 400 is preferably a frame member made of aluminum or aluminum alloy.
  • an acrylic resin adhesive agent an epoxy resin adhesive agent, a polyimide resin adhesive agent, a silicone resin adhesive agent, and an inorganic adhesive agent are preferable.
  • an adhesive agent contained in the adhesive bond layer 462 a double-sided adhesive tape, a silicone resin adhesive, an acrylic adhesive, and a polyolefin adhesive are preferable.
  • the pellicle manufacturing method of the present embodiment includes a disposing step of disposing the pellicle frame and the pellicle film of the present embodiment so that the one end surface of the frame body and the pellicle film face each other, the outer peripheral surface, and the A fixing step of fixing the pellicle frame and the pellicle film by depressurizing the inside of the groove provided on the one end surface through a through hole penetrating between the wall surface of the groove provided on the one end surface;
  • the pressing force can be applied between the pellicle frame (frame main body) and the pellicle film by the above-described decompression. Both can be fixed without contacting the front surface and the back surface.
  • the pressure reduction in the fixing step is preferably performed in a state where the pellicle frame and the pellicle film are arranged in a pressurized atmosphere.
  • the difference (differential pressure) between the pressure of the entire atmosphere in which the pellicle frame and the pellicle film are arranged and the pressure inside the groove can be increased, the pellicle frame and the pellicle film It is possible to increase the pressing force generated between the two. For this reason, both can be fixed more easily.
  • the pressing force force applied to the entire pellicle frame
  • the pressing force (force applied to the entire pellicle frame) is more preferably 10N or more, and particularly preferably 20N or more.
  • the upper limit of the pressing force (force applied to the entire pellicle frame) is not particularly limited, but is 500 N, preferably 400 N, from the viewpoint of productivity.
  • the above arrangement step includes the first pellicle frame that is the pellicle frame of the present embodiment and the above-described composite. Even in the step of disposing the member (a composite member of the pellicle film and the second pellicle frame) such that one end surface of the frame body of the first pellicle frame and the pellicle film face each other via the second pellicle frame. Good.
  • the pellicle manufacturing method in this case includes a first pellicle frame which is a pellicle frame of the present embodiment, a composite member including a pellicle film and a second pellicle frame in contact with the pellicle film, and a frame body of the first pellicle frame And placing the first pellicle frame and the pellicle film through the second pellicle frame by depressurizing the inside of the groove through the through hole. And a fixing step of fixing by using a manufacturing method.
  • the exposure original plate of this embodiment includes the pellicle of this embodiment and an original plate arranged on the first pellicle frame side of the pellicle. Since the exposure original plate of this embodiment includes the pellicle of this embodiment, the same effects as the pellicle of this embodiment can be obtained.
  • the frame body of the first pellicle frame is further provided between a groove provided on the other end surface in the thickness direction, and an outer peripheral surface and a wall surface of the groove provided on the other end surface. It is preferable to have a through-hole penetrating through.
  • the exposure original plate of this aspect can be manufactured without contacting the front and back surfaces of the pellicle and the original plate, respectively.
  • an original including a support substrate, a reflective layer laminated on the support substrate, and an absorber layer formed on the reflective layer can be used.
  • the absorber layer partially absorbs EUV light or the like, a desired image is formed on a sensitive substrate (for example, a semiconductor substrate with a photoresist film).
  • the reflective layer can be a multilayer film of molybdenum (Mo) and silicon (Si).
  • the absorber layer can be a material having high absorbability such as EUV light, such as chromium (Cr) or tantalum nitride.
  • the exposure original plate manufacturing method of the present embodiment is the pellicle of the present embodiment, wherein the frame body of the first pellicle frame is further provided with a groove provided on the other end surface in the thickness direction, an outer peripheral surface, and the above A pellicle having a through-hole penetrating between a wall surface of a groove provided on the other end surface, an original plate, an arranging step for arranging the other end surface and the original plate to face each other, and the outer peripheral surface; A fixing step of fixing the pellicle and the original plate by depressurizing the inside of the groove provided in the other end surface through a through-hole penetrating between the wall surface of the groove provided in the other end surface; Have.
  • the pressing force between the pellicle and the original plate can be exerted by reducing the pressure inside the groove, so that the front and back surfaces of the pellicle and the original plate are brought into contact with each other. Both can be fixed.
  • the pressure reduction in the fixing step is preferably performed in a state where the pellicle and the original plate are arranged in a pressurized atmosphere.
  • the difference (differential pressure) between the pressure of the entire atmosphere in which the pellicle and the original plate are arranged and the pressure inside the groove can be increased, the pressing between the pellicle and the original plate is performed.
  • the matching power can be increased. For this reason, both can be fixed more easily.
  • the pressing force between the pellicle and the original plate is preferably 1N or more, and more preferably 2N or more.
  • the pressing force between the pellicle and the original plate is more preferably 10N or more, and particularly preferably 20N or more.
  • the upper limit of the pressing force between the pellicle and the original plate (the force applied to the entire pellicle frame) is not particularly limited, but is, for example, 500 N, preferably 400 N from the viewpoint of productivity.
  • the exposure apparatus of this embodiment includes the exposure original plate of this embodiment. For this reason, there exists an effect similar to the exposure original plate of this embodiment.
  • the exposure apparatus of the present embodiment includes a light source that emits exposure light (preferably EUV light or the like, more preferably EUV light; the same applies hereinafter), an exposure original plate of the present embodiment, and exposure light emitted from the light source. It is preferable that the exposure original plate is arranged so that the exposure light emitted from the light source passes through the pellicle film and is irradiated on the original plate.
  • EUV light or the like in addition to being able to form a fine pattern (for example, a line width of 32 nm or less) by EUV light or the like, EUV light or the like that tends to cause a problem of poor resolution due to foreign matter is used as exposure light. In addition, pattern exposure with reduced resolution failure due to foreign matter can be performed.
  • the method for manufacturing a semiconductor device includes a step of irradiating the original light of the exposure light emitted from a light source through the pellicle film of the exposure original plate of the present embodiment and reflecting the original light, and reflecting the original plate, Exposing the sensitive substrate in a pattern by irradiating the sensitive substrate with the exposure light reflected by the light through the pellicle film.
  • a semiconductor device in which the resolution failure due to foreign matter is reduced even when EUV light or the like that is likely to cause a resolution failure due to foreign matter is used as the exposure light. can do.
  • FIG. 9 is a schematic sectional view of an EUV exposure apparatus 800 which is an example of the exposure apparatus of the present embodiment.
  • the EUV exposure apparatus 800 includes a light source 831 that emits EUV light, an exposure original plate 850 that is an example of an exposure original plate according to the present embodiment, and an EUV light emitted from the light source 831.
  • the exposure original plate 850 includes a pellicle 810 including a pellicle film 812 and a pellicle frame 814, and an original plate 833.
  • the exposure original plate 850 is arranged such that EUV light emitted from the light source 831 passes through the pellicle film 812 and is irradiated onto the original plate 833.
  • the original 833 reflects the irradiated EUV light in a pattern.
  • the pellicle frame 814 and the pellicle 810 are examples of the pellicle frame and the pellicle of the present embodiment, respectively.
  • filter windows 820 and 825 are installed between the light source 831 and the illumination optical system 837 and between the illumination optical system 837 and the original 833, respectively. Further, the EUV exposure apparatus 800 includes a projection optical system 838 that guides the EUV light reflected by the original 833 to the sensitive substrate 834.
  • the EUV light reflected by the original 833 is guided onto the sensitive substrate 834 through the projection optical system 838, and the sensitive substrate 834 is exposed in a pattern. Note that exposure by EUV is performed under reduced pressure conditions.
  • the EUV light source 831 emits EUV light toward the illumination optical system 837.
  • the EUV light source 831 includes a target material, a pulse laser irradiation unit, and the like. EUV is obtained by irradiating this target material with a pulse laser to generate plasma.
  • EUV is obtained by irradiating this target material with a pulse laser to generate plasma.
  • the target material is Xe
  • EUV with a wavelength of 13 nm to 14 nm is obtained.
  • the wavelength of light emitted from the EUV light source is not limited to 13 nm to 14 nm, and may be light having a wavelength suitable for the purpose within a wavelength range of 5 nm to 30 nm.
  • the illumination optical system 837 collects the light emitted from the EUV light source 831, makes the illuminance uniform, and irradiates the original 833.
  • the illumination optical system 837 includes a plurality of multilayer mirrors 832 for adjusting the EUV optical path, an optical coupler (optical integrator), and the like.
  • the multilayer film mirror is a multilayer film in which molybdenum (Mo) and silicon (Si) are alternately stacked.
  • the method for attaching the filter windows 820 and 825 is not particularly limited, and examples thereof include a method of attaching via an adhesive or the like, and a method of mechanically fixing in the EUV exposure apparatus.
  • the filter window 820 disposed between the light source 831 and the illumination optical system 837 captures scattered particles (debris) generated from the light source, and the scattered particles (debris) are elements inside the illumination optical system 837 (for example, a multilayer film). Avoid sticking to the mirror 832).
  • the filter window 825 disposed between the illumination optical system 837 and the original 833 captures particles (debris) scattered from the light source 831 side and prevents the scattered particles (debris) from adhering to the original 833. .
  • the foreign matter adhering to the original plate absorbs or scatters EUV light, which causes poor resolution on the wafer. Therefore, the pellicle 810 is mounted so as to cover the EUV irradiation area of the original 833.
  • the EUV light passes through the pellicle film 812 and is irradiated on the original 833.
  • the EUV light reflected by the original 833 passes through the pellicle film 812 and is irradiated onto the sensitive substrate 834 through the projection optical system 838.
  • the projection optical system 838 condenses the light reflected by the original 833 and irradiates the sensitive substrate 834.
  • the projection optical system 838 includes a plurality of multilayer mirrors 835 and 836 for preparing an EUV optical path.
  • the sensitive substrate 834 is a substrate on which a resist is applied on a semiconductor wafer, and the resist is exposed in a pattern by EUV reflected by the original 833. By developing this resist and etching the semiconductor wafer, a desired pattern is formed on the semiconductor wafer.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

 厚さ方向の一端面であってペリクル膜が支持される側の一端面に設けられた溝と、外周面と前記一端面に設けられた溝の壁面との間を貫通する貫通孔と、を有する枠本体を備える、ペリクル枠。

Description

ペリクル枠、ペリクル及びその製造方法、露光原版及びその製造方法、露光装置、並びに半導体装置の製造方法
 本発明は、ペリクル枠、ペリクル及びその製造方法、露光原版及びその製造方法、露光装置、並びに半導体装置の製造方法に関する。
 半導体デバイス(半導体装置)の高集積化及び微細化は、年々加速している。
 例えば、現在では、エキシマ露光にて線幅45nm程度のパターンが形成されているが、近年では、半導体デバイスのさらなる微細化に伴い、線幅32nm以下のパターンの形成が求められている。このような微細加工は、従来のエキシマ露光では対応が難しい。そこで、露光光をより短波長のEUV(Extreme Ultra Violet:極端紫外)光に替えることが検討されている。
 EUV光は、あらゆる物質に吸収されやすい特性を有する。
 そこで、露光光としてEUV光を用いるフォトリソグラフィー(以下、「EUVリソグラフィー」ともいう)では、反射光学系を用いて露光を行う。具体的には、露光パターンが反映された原版によってEUV光を反射させ、反射光としてのEUV光によってレジストを露光する。この際、原版に異物が付着していると、EUV光が異物に吸収されたり、EUV光が散乱するため、所望のパターンに露光されない場合がある。
 そこで、原版のEUV光照射面を、ペリクルで保護することが検討されている。
 ペリクルの構成は、原版のEUV光照射面を保護するためのペリクル膜と、このペリクル膜を支持するペリクル枠(枠本体)と、を有する構成となっている。
 EUVリソグラフィーに用いられるペリクル膜としては、EUV光に対して高い透過性を有すること、EUV光の照射によって分解・変形しないことが求められる。このような要求を満たすペリクル膜として、単結晶シリコン膜等のシリコン結晶膜(例えば、下記文献1及び2参照)、金属メッシュ上に積層された窒化アルミニウム膜(例えば、下記文献3参照)、グラフェン膜(例えば、下記文献4参照)、等が提案されている。
 文献1:特開2010-256434号公報
 文献2:特開2009-116284号公報
 文献3:特開2005-43895号公報
 文献4:国際公開第2011/160861号
 ところで、一般に、ペリクル膜は、非常に破れやすい性質を有している。このため、ペリクル膜の取り扱いには、細心の注意が求められる。ペリクル膜の中でも、無機系材料を含むペリクル膜(例えば、上記文献1~4に記載のペリクル膜)は、破れやすく、自立しにくい膜であるだけでなく、機械的な接触によっても傷や発塵の原因となる膜である。このため、無機系材料を含むペリクル膜(例えば、上記文献1~4に記載のペリクル膜)の取扱いには、より一層の注意が求められる。
 また、半導体デバイスの微細化に伴い、ペリクル膜、ペリクル枠、原版といった部材に異物が付着しないようにするために、より一層の注意が求められる。
 以上の観点から、ペリクル枠と他の部材(例えば、ペリクル膜、他のペリクル枠、原版等)とを固定する際に、ペリクル枠及び他の部材の各々の前面及び背面を、装置、治具、手などによって接触しないにようにして両者を固定する方法について検討を行った。
 ここで、ペリクル枠について、「前面」とは、厚さ方向の一端面及び他端面のうちの一方を指し、「背面」とは、厚さ方向の一端面及び他端面のうちの他方を指す。
 また、ペリクル膜について、「前面」及び「背面」とは、一方の膜面及び他方の膜面を指す。
 原版について、「前面」とは、光照射面を指し、「背面」とは、光照射面とは反対側の面を指す。
 本発明は上記に鑑みなされたものであり、以下の目的を達成することを課題とする。
 即ち、本発明の目的は、ペリクル枠とペリクル膜とを直接又は他の部材(例えば他のペリクル枠)を介して固定してペリクルを製造する際に、ペリクル枠及びペリクル膜の各々の前面及び背面に接触することなく両者を固定できるペリクル枠、上記ペリクル枠を備えたペリクル、上記ペリクルを備えた露光原版、並びに、上記露光原版を用いた露光装置及び半導体装置の製造方法を提供することである。
 また、本発明の目的は、ペリクル枠及びペリクル膜の各々の前面及び背面に接触することなくペリクルを製造することができるペリクルの製造方法、並びに、ペリクル及び原版の各々の前面及び背面に接触することなく露光原版を製造することができる露光原版の製造方法を提供することである。
 上記課題を解決するための具体的手段は以下の通りである。
<1> 厚さ方向の一端面であってペリクル膜が支持される側の一端面に設けられた溝と、外周面と前記一端面に設けられた溝の壁面との間を貫通する貫通孔と、を有する枠本体を備える、ペリクル枠。
<2> 前記枠本体は、更に、厚さ方向の他端面に設けられた溝と、外周面と前記他端面に設けられた溝の壁面との間を貫通する貫通孔と、を有する、<1>に記載のペリクル枠。
<3> 更に、前記一端面に接する接着剤層を備える、<1>又は<2>に記載のペリクル枠。
<4> <1>~<3>のいずれか1項に記載のペリクル枠である第1ペリクル枠と、
 前記第1ペリクル枠の前記枠本体の前記一端面の側に支持されたペリクル膜と、
を備える、ペリクル。
<5> 前記ペリクル膜が、結晶シリコン、ダイヤモンドライクカーボン、グラファイト、アモルファスカーボン、グラフェン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、及び窒化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも1種の無機系材料を含む、<4>に記載のペリクル。
<6> 前記ペリクル膜の厚さが、10nm~200nmである、<4>又は<5>に記載のペリクル。
<7> 前記第1ペリクル枠と前記ペリクル膜との間に、前記ペリクル膜に接する第2ペリクル枠を備える、<4>~<6>のいずれか1項に記載のペリクル。
<8> 前記ペリクル膜としてのシリコン結晶膜と前記第2ペリクル枠としての枠形状のシリコン基板とからなる複合部材を備える、<7>に記載のペリクル。
<9> <1>~<3>のいずれか1項に記載のペリクル枠とペリクル膜とを、前記枠本体の前記一端面と前記ペリクル膜とが対向するように配置する配置工程と、
 前記外周面と前記一端面に設けられた溝の壁面との間を貫通する貫通孔を通じ、前記一端面に設けられた溝の内部を減圧することにより、前記ペリクル枠と前記ペリクル膜とを固定する固定工程と、
を有する、ペリクルの製造方法。
<10> 前記固定工程における前記減圧は、前記ペリクル枠及び前記ペリクル膜が加圧雰囲気下に配置された状態で行う、<9>に記載のペリクルの製造方法。
<11> <4>~<8>のいずれか1項に記載のペリクルと、
 前記ペリクルの前記第1ペリクル枠の側に配置された原版と、
を備える、露光原版。
<12> 前記第1ペリクル枠の前記枠本体は、更に、厚さ方向の他端面に設けられた溝と、外周面と前記他端面に設けられた溝の壁面との間を貫通する貫通孔と、を有する、<11>に記載の露光原版。
<13> <4>~<8>のいずれか1項に記載のペリクルであって、前記第1ペリクル枠の前記枠本体が、更に、厚さ方向の他端面に設けられた溝、及び、外周面と前記他端面に設けられた溝の壁面との間を貫通する貫通孔を有するペリクルと、原版と、を前記他端面と前記原版とが対向するように配置する配置工程と、
 前記外周面と前記他端面に設けられた溝の壁面との間を貫通する貫通孔を通じ、前記他端面に設けられた溝の内部を減圧することにより、前記ペリクルと前記原版とを固定する固定工程と、
を有する、露光原版の製造方法。
<14> 前記固定工程における前記減圧は、前記ペリクル及び前記原版が加圧雰囲気下に配置された状態で行う、<13>に記載の露光原版の製造方法。
<15> <11>又は<12>に記載の露光原版を備える、露光装置。
<16> 露光光を放出する光源と、
 <11>又は<12>に記載の露光原版と、
 前記光源から放出された露光光を前記露光原版に導く光学系と、
を有し、
 前記露光原版は、前記光源から放出された露光光が前記ペリクル膜を透過して前記原版に照射されるように配置されている、露光装置。
<17> 前記露光光が、EUV光である、<16>に記載の露光装置。
<18> 光源から放出された露光光を、<11>又は<12>に記載の露光原版の前記ペリクル膜を透過させて前記原版に照射し、前記原版で反射させるステップと、
 前記原版によって反射された露光光を、前記ペリクル膜を透過させて感応基板に照射することにより、前記感応基板をパターン状に露光するステップと、
を有する、半導体装置の製造方法。
<19> 前記露光光が、EUV光である、<18>に記載の半導体装置の製造方法。
 本発明によれば、ペリクル枠とペリクル膜とを直接又は他の部材を介して固定してペリクルを製造する際に、ペリクル枠及びペリクル膜の各々の前面及び背面に接触することなく両者を固定できるペリクル枠、上記ペリクル枠を備えたペリクル、上記ペリクルを備えた露光原版、並びに、上記露光原版を用いた露光装置及び半導体装置の製造方法が提供される。
 また、本発明によれば、ペリクル枠及びペリクル膜の各々の前面及び背面に接触することなくペリクルを製造することができるペリクルの製造方法、並びに、ペリクル及び原版の各々の前面及び背面に接触することなく露光原版を製造することができる露光原版の製造方法が提供される。
本実施形態の一例であるペリクル枠(枠本体)を、一端面を観察できる方向から見た概略斜視図である。 本実施形態の一例に係るペリクル枠(枠本体)を、他端面を観察できる方向から見た概略斜視図である。 図1のA-A線断面図である。 本実施形態の変形例に係るペリクル枠(枠本体)の部分断面図である。 本実施形態の変形例に係るペリクル枠(枠本体)の概略斜視図である。 本実施形態の変形例に係るペリクル枠(枠本体)の概略斜視図である。 本実施形態の変形例に係るペリクル枠(枠本体)の概略斜視図である。 本実施形態の一例に係るペリクルの概略断面図である。 本実施形態の露光装置の一例に係るEUV露光装置の概略断面図である。
 以下、適宜、図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。しかし、本発明は、図面等の具体的な実施形態に限定されることはない。また、各図面に共通の要素については、同一の符号を付すことがあり、重複した説明を省略することがある。また、図面では、構造を見やすくするために、隠れ線の一部を省略することがある。
<ペリクル枠>
 本実施形態のペリクル枠は、厚さ方向の一端面であってペリクル膜が支持される側の一端面に設けられた溝と、外周面と上記一端面に設けられた溝の壁面との間を貫通する貫通孔と、を有する枠本体を備える。
 本実施形態のペリクル枠は、必要に応じ、枠本体以外の要素(例えば後述の接着剤層等)を備えていてもよい。
 本実施形態のペリクル枠及び枠本体は、通常のペリクル枠と同様に、ペリクル膜を支持するための枠形状の部材である。
 本明細書中において、枠本体の「厚さ方向の一端面であってペリクル膜が支持される側の一端面」とは、枠本体の厚さ方向の二つの端面のうち、ペリクル膜が支持される側の端面を指す。
 本実施形態において、上記貫通孔は、枠本体の外周面の一部と、上記一端面に設けられた溝の壁面(側面又は底面。以下同じ。)の一部と、の間を貫通している。このため、本実施形態のペリクル枠の枠本体の上記一端面と、ペリクル膜と、を直接又は他の部材(例えば、後述の第2ペリクル枠等の他のペリクル枠。以下同じ。)を介して対向配置させた状態で、上記貫通孔を通じて上記溝の内部を減圧することにより、ペリクル枠とペリクル膜との間に、押し付け合う力を働かせることができる。このため、ペリクル枠及びペリクル膜の各々の前面及び背面に(装置、治具、手などによって)接触することなく、両者を固定することができる。
 従って、本実施形態のペリクル枠によれば、ペリクル枠とペリクル膜とを直接又は他の部材を介して固定してペリクルを製造する際に、ペリクル枠及びペリクル膜の各々の前面及び背面に接触することなく両者を固定できるという効果が奏される。
 なお、本実施形態において、「押し付け合う力」は、引き付け合う力と同義である。
 本実施形態のペリクル枠を用いることにより、ペリクル枠やペリクル膜に接触することによる、ペリクル枠及びペリクル膜への異物の付着を防止できる。
 更に、本実施形態のペリクル枠を用いることにより、ペリクル膜に接触することによる、ペリクル膜の破れ、傷、発塵等を防止できる。
 ところで、近年、半導体デバイスの微細化に伴い、ペリクルや原版への異物の付着を抑制する要求が一層強くなっている。
 また、線幅32nm以下のパターン形成は、例えばEUVリソグラフィーによって行われる。EUVリソグラフィーに用いられる、無機系材料を含むペリクル膜は、有機系材料を含むペリクル膜と比較して破れやすく、自立しにくく、また、機械的な接触によって傷や発塵を発生しやすい。このため、無機系材料を含むペリクル膜を用いてペリクルを作製する場合には、ペリクル膜の膜面に接触することなくペリクルを作製する要求が大きい。ここで、「自立」とは、単独で膜形状を保持できることを指す。
 本実施形態のペリクル枠によれば、半導体デバイスの微細化に伴うこれらの要求に応えることができる。
 具体的には、本実施形態のペリクル枠は、特に、波長が短い露光光(例えば、EUV光、EUV光よりも更に波長が短い光、等)を用いたリソグラフィー用のペリクル、中でも、無機系材料を含むペリクル膜を備えたペリクルの作製に好適である。
 本実施形態において、EUV(Extreme Ultra Violet:極端紫外)光とは、波長5nm~30nmの光を指す。
 EUV光の波長は、5nm~13.5nmが好ましい。
 本実施形態では、EUV光、及び、EUV光よりも波長が短い光を総称し、「EUV光等」ということがある。
 本実施形態のペリクル枠の好ましい態様は、枠本体が、更に、厚さ方向の他端面に設けられた溝と、外周面と上記他端面に設けられた溝の壁面との間を貫通する貫通孔と、を有する態様である。
 この態様のペリクル枠は、枠本体の一端面の側にペリクル膜が配置され、他端面の側に原版が配置されてなる、露光原版の作製に好適である。この露光原版の作製では、上記態様のペリクル枠を用いることにより、ペリクル枠及びペリクル膜に接触せずにペリクルを作製でき、かつ、上記ペリクル及び原版に接触せずに露光原版を作製できる。
 上記態様のペリクル枠を用いることにより、ペリクル枠及びペリクル膜に接触せずにペリクルを作製できる理由は前述したとおりである。即ち、ペリクル枠の枠本体の外周面と上記一端面に設けられた溝の壁面との間を貫通する貫通孔を通じ、上記一端面に設けられた溝の内部を減圧することにより、ペリクル枠とペリクル膜との間に、押し付け合う力(即ち、引き付け合う力)を働かせることができるためである。
 上記態様のペリクル枠を用いることにより、上記ペリクル及び原版に接触せずに露光原版を作製できる理由は、ペリクル枠の枠本体の外周面と上記他端面に設けられた溝の壁面との間を貫通する貫通孔を通じ、上記他端面に設けられた溝の内部を減圧することにより、ペリクルと原版との間に、押し付け合う力(即ち、引き付け合う力)を働かせることができるためである。
(ペリクル枠の一例)
 次に、本実施形態のペリクル枠の一例を、図1~図3を参照しながら説明する。但し、本実施形態のペリクル枠はこの一例によって限定されることはない。
 図1は、枠本体100の一端面10を観察できる方向から見た概略斜視図であり、図2は、同じ枠本体100の他端面20を観察できる方向から見た概略斜視図である。
 図3は、図1のA-A線断面図である。
 図1及び図2に示すように、枠本体100(ペリクル枠)の形状は、矩形の枠形状である。枠本体100がペリクルの一部材として用いられたときには、枠本体100によって囲まれた開口部50を露光光Eが通過する。
 枠本体100の外形は、枠本体100の厚さ方向の一端面10と、他端面20と、4つの面からなる外周面30と、4つの面からなる内周面40とによって確定される。
 枠本体100の一端面10は、枠本体100を用いて露光原版を作製したときに、ペリクル膜が配置される側の端面であり、枠本体100の他端面20は、枠本体100を用いて露光原版を作製したときに、原版が配置される側の端面である。
 なお、枠本体100の厚さ方向からみた形状は、上述のとおり矩形状であるが、本実施形態の枠本体の厚さ方向からみた形状は矩形状には限定されず、矩形状以外の形状(例えば、台形状、枠の外側部分に出っ張りを有する形状、等)であってもよい。
 図1及び図3に示すように、一端面10には、溝12が設けられている。
 この実施形態において、枠本体100の厚さ方向から見た溝12の形状は、枠本体100の形状に沿って一周する無端形状となっている。
 枠本体の厚さ方向から見た溝の形状の変形例については後述する。
 枠本体100は、貫通孔14A及び貫通孔14Bを有している。
 貫通孔14A及び貫通孔14Bは、それぞれ、溝12の底面と外周面30との間を貫通している。
 ここで、貫通孔14A及び14Bは、それぞれ、溝12の側面と外周面30との間を貫通していてもよい。
 また、貫通孔14A及び14Bのいずれか一方は、省略されていてもよい。即ち、枠本体100では、1つの溝(溝12)に対して2つの貫通孔(貫通孔14A及び14B)が接続しているが、本実施形態はこの態様には限定されない。本実施形態では、1つの溝(溝12)に対し、少なくとも1つの貫通孔が接続されていればよい。
 また、図2及び図3に示すように、一端面10とは反対側の他端面20には、溝22が設けられている。
 この実施形態において、溝22の形状も、溝12の形状と同様に、厚さ方向から見たときに、枠本体100の形状に沿って一周する無端形状となっている。
 枠本体100は、貫通孔24A及び貫通孔24Bを有している。
 貫通孔24A及び貫通孔24Bは、それぞれ、溝22の底面と外周面30との間を貫通している。
 貫通孔24A及び24Bのバリエーションについては、貫通孔14A及び14Bのバリエーションと同様である。
 上述した枠本体100(ペリクル枠)は、一端面10の側にペリクル膜を固定(支持)してペリクルを作製する用途に好適である。
 一端面10の側にペリクル膜を固定する場合について説明すると、枠本体100には、ペリクル膜との対向面となる一端面10に溝12が設けられ、かつ、この溝12に接続する貫通孔14A及び14Bが設けられている。このため、一端面10にペリクル膜を固定する際に、貫通孔14A及び14Bを通じて溝12の内部を(例えば真空ポンプ等の排気手段によって)減圧することにより、枠本体100とペリクル膜との間の圧力を減圧することができる。この減圧により、枠本体100とペリクル膜との間に押し付け合う力(即ち、引き付け合う力)を働かせることができるので、枠本体100及びペリクル膜の各々の前面及び背面(即ち、枠本体100の一端面10及び他端面20、並びに、ペリクル膜の一方の膜面及び他方の膜面)に接触することなく、両者を固定することができる。
 上記枠本体100とペリクル膜との固定は、接着剤層を介して行われてもよい。接着剤層を介した場合には、減圧することで、枠本体100とペリクル膜とを接着剤層を介して押し付けることができるため、枠本体100とペリクル膜とをしっかりと固定することができる。
 ペリクルの製造方法の具体的な形態については後述する。
 また、上述した枠本体100は、他端面20の側に原版を固定して露光原版を作製する用途にも好適である。
 他端面20の側に原版を固定する場合について説明すると、枠本体100には、原版との対向面となる他端面20に溝22が設けられ、かつ、この溝22に接続する貫通孔24A及び24Bが設けられている。このため、他端面20に原版を固定する際に、貫通孔24A及び24Bを通じて溝22の内部を(例えば真空ポンプ等の排気手段によって)減圧することにより、枠本体100と原版との間の圧力を減圧することができる。この減圧により、枠本体100と原版との間に押し付け合う力を働かせることができるので、枠本体100及び原版の各々の前面及び背面(即ち、枠本体100の一端面10及び他端面20、並びに、原版の光照射面、及び、光照射面とは反対側の面)に接触することなく、両者を固定することができる。上記固定は、接着剤層を介して行われてもよい。その後、枠本体100の一端面10側に、(必要に応じ接着剤層を介して)ペリクル膜を固定してもよい。
 また、上述した枠本体100は、まず枠本体100にペリクル膜を固定してペリクルを作製し、次いで、得られたペリクルと原版とを固定して露光原版を作製する用途にも好適である。この露光原版の作製では、上述のとおり、枠本体100及びペリクル膜の各々の前面及び背面に接触することなく両者を固定してペリクルを作製することができ、次いで、ペリクル及び原版の各々の前面及び背面に接触することなく両者を固定して露光原版を作製することができる。
 枠本体100の寸法は、例えば、以下の寸法とすることができる。
 枠本体100の長辺方向の長さL1は、例えば135mm~153mmとすることができ、140mm~152mmが好ましく、145mm~151mmがより好ましい。
 枠本体100の短辺方向の長さL2は、例えば100mm~130mmとすることができ、105mm~125mmが好ましく、110mm~120mmがより好ましい。
 長辺方向の長さL1と短辺方向の長さL2とは、同一寸法であってもよい。即ち、枠本体100の形状は、正方形形状であってもよい。
 枠本体100の枠幅(フレーム幅)Wは、例えば1.0mm~5.0mmとすることができ、1.2mm~3.5mmが好ましく、1.5mm~2.5mmがより好ましい。枠幅は、矩形形状の枠本体100の4辺において、同一の寸法としてもよいし、異なる寸法としてもよい。
 また、枠本体100によって囲まれた開口部50(貫通孔)の長辺方向の長さは、例えば130mm~152mmとすることができ、135mm~151mmが好ましく、140mm~150mmがより好ましい。
 また、開口部50の幅は、例えば95mm~130mmとすることができ、100mm~125mmが好ましく、105mm~120mmがより好ましい。
 ペリクル枠の厚さtは、例えば0.5mm~5.0mmとすることができ、0.5mm~3.0mmが好ましく、0.5mm~2.0mmがより好ましい。
 また、溝12及び溝22の幅は、溝での圧力損失低減、枠本体の枠幅との関係、等を考慮して適宜設定できるが、例えば10μm~1.0mmとすることができ、50μm~700μmが好ましく、100μm~600μmがより好ましく、200μm~500μmが特に好ましい。
 また、溝12及び溝22の深さは、溝での圧力損失低減、枠本体の厚さとの関係、等を考慮して適宜設定できるが、例えば10μm~1.0mmとすることができ、50μm~700μmが好ましく、100μm~600μmがより好ましく、200μm~500μmが特に好ましい。
 また、貫通孔14A、14B、24A、及び24Bの幅は、貫通孔での圧力損失低減、枠本体の厚さとの関係等を考慮して適宜設定できるが、例えば例えば10μm~1.0mmとすることができ、50μm~700μmが好ましく、100μm~600μmがより好ましく、200μm~500μmが特に好ましい。
 また、貫通孔14A、14B、24A、及び24Bの長さは、貫通孔での圧力損失低減、等を考慮して適宜設定できるが、例えば0.5mm~10mmとすることができ、0.7mm~5.0mmが好ましく、1.0mm~2.0mmがより好ましい。
 ここで、貫通孔の幅とは、貫通孔からなる流路の流路幅を指し、貫通孔の長さとは、貫通孔からなる流路の流路長を指す。
 枠本体100(ペリクル枠)の材質には特に制限はなく、ペリクル枠に用いられる通常の材質とすることができる。
 枠本体100の材質として、具体的には、アルミニウム、アルミニウム合金(5000系、6000系、7000系等)、ステンレス、シリコン、シリコン合金、鉄、鉄系合金、炭素鋼、工具鋼、セラミックス、金属-セラミックス複合材料、樹脂等が挙げられる。中でも、アルミニウム、アルミニウム合金が、軽量かつ剛性の面からより好ましい。
 また、枠本体100は、その表面に保護膜を有していてもよい。
 保護膜としては、露光雰囲気中に存在する水素ラジカルおよびEUV光等に対して耐性を有する保護膜が好ましい。
 保護膜としては、例えば、酸化被膜が挙げられる。
 酸化被膜は、陽極酸化等の公知の方法によって形成することができる。
 また酸化被膜は、黒色系染料によって着色されていてもよい。枠本体100が黒色系染料によって着色された酸化被膜を有する場合には、枠本体100上の異物の検出がより容易となる。
 その他、枠本体100のその他の構成については、例えば、特開2014-021217号公報、特開2010-146027号公報等の公知のペリクル枠の構成を適宜参照することができる。
(ペリクル枠の変形例)
 以下、本実施形態の一例に係るペリクル枠の変形例について説明する。
 枠本体100は、一端面10と他端面20との両方に溝が設けられているが、他端面20の溝は省略されていてもよい。
 図4は、本実施形態の変形例に係るペリクル枠(枠本体)の部分断面図であり、図3の部分断面図に対応するものである。
 図4に示す枠本体は、一端面10にのみ、溝(溝12)が設けられた例である。
 また、図1~図3に示した枠本体100では、溝12及び溝22の形状が、それぞれ、枠本体100の厚さ方向から見たときに、枠本体100の4辺に渡って一周する無端形状となっているが、溝の形状はこの態様には限定されず、有端形状であってもよい。
 図5は、溝の形状が有端形状である、本実施形態の変形例に係る枠本体110を概念的に示す斜視図である。
 図5に示すように、枠本体110の一端面10には、溝112が設けられている。枠本体の厚さ方向から見た溝112の形状は、枠本体110の4辺に渡って概ね一周する形状となっているが完全に一周する形状ではなく、端部116及び117を有する有端形状となっている。
 枠本体110には、溝112の底面と外周面30との間を貫通する貫通孔114A及び114Bが設けられている。
 図5では図示を省略したが、枠本体110の他端面には、枠本体100の他端面20と同様に、溝が設けられており、更に、他端面側の溝の壁面と外周面とを貫通する貫通孔が設けられている。
 枠本体110において、上述した以外の構成は、枠本体100の構成と同様である。
 また、図1~図3に示した枠本体100では、1つの端面につき1つの溝が設けられているが、本実施形態では、1つの端面につき2つ以上の溝が設けられていてもよい。1つの端面につき2つ以上の溝が設けられている場合、2つ以上の溝のそれぞれに、上記貫通孔が接続されていることが好ましい(例えば、図6及び図7参照)。
 また、枠本体が矩形形状である場合には、枠本体と他の部材との間の押し付け合う力をより効果的に働かせる観点から、枠本体の4辺に溝が存在することが好ましい。
 ここで、「枠本体の4辺に溝が存在する」態様には、例えば、
 枠本体の4辺に渡って1つの溝が設けられている態様(例えば、図1、図2、及び図5参照)、
 枠本体の4辺のそれぞれにつき1つ以上の溝が設けられている態様(例えば、図7参照)、
 枠本体の3辺に渡る2つの溝が各々設けられ、かつ、2つの溝が4辺に渡って設けられている態様(例えば、図6参照)、
等が含まれる。
 図6は、本実施形態の変形例に係る枠本体200を概念的に示す斜視図である。
 図6に示すように、枠本体200の一端面10には、溝が2つ、即ち、溝212A及び溝212Bが設けられている。枠本体200には、溝212A及び溝212Bのそれぞれの底面と、外周面30と、の間を貫通する、貫通孔214A及び214Bがそれぞれ設けられている。
 なお、図6では図示を省略したが、枠本体200の他端面には、枠本体100の他端面20と同様に、溝が設けられており、更に、他端面側の溝の壁面と外周面とを貫通する貫通孔が設けられている。
 枠本体200において、上述した以外の構成は、枠本体100の構成と同様であり、好ましい範囲も同様である。
 図7は、本実施形態の変形例に係る枠本体300を概念的に示す斜視図である。
 図7に示すように、枠本体300の一端面10には、溝が4つ、即ち、溝312A、312B、312C、及び312Dが設けられている。枠本体300には、溝312A、312B、312C、及び312Dのそれぞれの底面と、外周面30と、の間を貫通する、貫通孔314A、314B、314C、及び314Dがそれぞれ設けられている。
 なお、図7では図示を省略したが、枠本体300の他端面には、枠本体100の他端面20と同様に、溝が設けられており、更に、他端面側の溝の壁面と外周面とを貫通する貫通孔が設けられている。
 枠本体300において、上述した以外の構成は、枠本体100の構成と同様であり、好ましい範囲も同様である。
 以上の変形例は、適宜、組み合わせることもできる。
 また、枠本体100、110、200、300のそれぞれの他端面20に存在する溝22の形状を、図5~図7に示した一端面10側の溝の形状に変更することもできる。
(その他の部材)
 本実施形態のペリクル枠は、枠本体以外のその他の部材を備えていてもよい。
 例えば、本実施形態のペリクル枠は、枠本体に加えて、更に、上記一端面に接する接着剤層を備えることができる。本実施形態のペリクル枠は、枠本体に加えて、更に、上記他端面に接する接着剤層を備えることもできる。
 これらの接着剤層は、他の部材(ペリクル膜、原版、他のペリクル枠、等)との接着に用いられる層であり、接着剤を含む。
 本実施形態において、「接着剤」は広義の接着剤を指し、「接着剤」の概念には、粘着剤も含まれるものとする。
 接着剤としては、アクリル樹脂接着剤、エポキシ樹脂接着剤、ポリイミド樹脂接着剤、シリコーン樹脂接着剤、無機系接着剤、両面粘着テープ、シリコーン樹脂粘着剤、アクリル系粘着剤、ポリオレフィン系粘着剤、等が挙げられる。
 ペリクル膜または他のペリクル枠との接着に用いられる接着剤としては、アクリル樹脂接着剤、エポキシ樹脂接着剤、ポリイミド樹脂接着剤、シリコーン樹脂接着剤、無機系接着剤、が好ましい。
 原版との接着に用いられる接着剤としては、両面粘着テープ、シリコーン樹脂粘着剤、アクリル系粘着剤、ポリオレフィン系粘着剤が好ましい。
 また、本実施形態のペリクル枠は、接着剤層上に、更に、剥離ライナー(剥離フィルムやセパレーターとも呼ばれている)を有していてもよい。剥離ライナーとしては、公知のものを特に制限なく用いることができる。
<ペリクル>
 本実施形態のペリクルは、上述した本実施形態のペリクル枠である第1ペリクル枠と、上記第1ペリクル枠の上記枠本体の上記一端面の側に支持されたペリクル膜と、を備える。
 本実施形態のペリクルは、本実施形態のペリクル枠を備えるので、本実施形態のペリクル枠と同様の効果を奏する。
 具体的には、本実施形態のペリクルでは、第1ペリクル枠の一端面(ペリクル膜を支持する側の端面)に上述した溝が設けられている。このため、本実施形態のペリクルは、ペリクル膜及び第1ペリクル枠の各々の前面及び背面に接触することなく製造できるという効果(以下、「効果1」とする)を奏する。
 また、本実施形態のペリクルにおいて、第1ペリクル枠の他端面に上述した溝が設けられている場合には、本実施形態のペリクルは、ペリクル及び原版の各々の前面及び背面に接触することなく露光原版を製造できるという効果(以下、「効果2」とする)を奏する。
 上記ペリクル膜の材質には特に制限はなく、有機系材料であっても、無機系材料であっても、有機系材料と無機系材料との混合材料であってもよい。
 有機系材料としては、フッ素系ポリマー等が挙げられる。
 無機系材料としては、結晶シリコン(例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン、等)、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)、グラファイト、アモルファスカーボン、グラフェン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等が挙げられる。
 ペリクル膜は、上記材料を1種単独で含んでいてもよいし、2種以上を含んでいてもよい。
 即ち、ペリクル膜としては、フッ素系ポリマー、結晶シリコン、ダイヤモンドライクカーボン、グラファイト、アモルファスカーボン、グラフェン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、及び窒化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも1種を含むペリクル膜が挙げられる。
 中でも、EUV光等に対し高い透過性を有し、かつ、EUV光等の照射による分解及び変形を抑制できる点で、結晶シリコン、ダイヤモンドライクカーボン、グラファイト、アモルファスカーボン、グラフェン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、及び窒化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも1種の無機系材料を含むペリクル膜が好ましい。
 一方、かかる無機系材料を含むペリクル膜は、非常に破れやすく、接触による傷及び発塵が生じやすい膜である。しかし、本実施形態によれば、ペリクル膜及び第1ペリクル枠の各々の前面及び背面に接触することなくペリクルを製造できるので、かかる無機系材料を含むペリクル膜を用いた場合であっても、接触によるペリクル膜の破れ、傷、発塵等を効果的に防止できる。
 また、ペリクル膜の構成は、単層構成であっても、二層以上からなる構成であってもよい。
 ペリクル膜の厚さ(二層以上からなる場合には総厚)は、例えば、10nm~200nmとすることができ、10nm~100nmが好ましく、10nm~70nmがより好ましく、10nm~50nmが特に好ましい。
 ペリクル膜の厚さが薄いと(例えば200nm以下であると)、EUV光等に対する透過性に優れる。
 一方、ペリクル膜の厚さが薄いと(例えば200nm以下であると)、ペリクル膜が破れやすくなる傾向となる。しかし、本実施形態によれば、ペリクル膜及び第1ペリクル枠の各々の前面及び背面に接触することなくペリクルを製造できるので、厚さが薄い(例えば200nm以下の)ペリクル膜を用いた場合であっても、ペリクル膜の破れを効果的に防止できる。
 本実施形態のペリクルの好ましい態様は、上記第1ペリクル枠と上記ペリクル膜との間に、上記ペリクル膜に接する第2ペリクル枠を有する態様である。
 この態様は、ペリクル膜が自立しにくい膜(例えば、シリコン結晶膜等の無機系材料を含むペリクル膜、厚さが薄いペリクル膜、等)である場合であっても、第2ペリクル枠によってペリクル膜の膜形状を保持しながらペリクルを製造できるという利点を有する。
 上記第2ペリクル枠を有する態様のペリクルは、ペリクル膜と第2ペリクル枠との複合部材を含むことが好ましい。
 上記第2ペリクル枠を有する態様のペリクルは、第1ペリクル枠と上記複合部材とを固定することによって好適に作製される。
 上記複合部材の一例として、ペリクル膜としてのシリコン結晶膜と第2ペリクル枠としての枠形状のシリコン基板(例えばシリコンウェハ)とからなる複合部材が挙げられる。ペリクルの製造において、上記一例に係る複合部材を用いた場合には、第2ペリクル枠(枠形状のシリコン基板)によってペリクル膜(シリコン結晶膜)の膜形状を保持しながらペリクルを製造できる。
 この一例に係る複合部材は、例えば、まず、シリコン基板上にシリコン結晶膜を形成し、次いで、このシリコン基板のシリコン結晶膜非形成面側から、シリコン基板の中央部をエッチングしてこの中央部のシリコン基板を除去することにより作製できる。この方法で作製された複合部材の上記中央部にはシリコン結晶膜のみが残り、この中央部のシリコン結晶膜がペリクル膜となる。中央部の周りの周辺部にはシリコン結晶膜及びシリコン基板が残り、この周辺部に残ったシリコン基板によって第2ペリクル枠が形成される。シリコン基板として円形状のシリコン基板(例えばシリコンウェハ)を用いた場合には、円形状のシリコン基板及びシリコン結晶膜は、第1ペリクル枠との貼り合わせ前又は貼り合わせ後において、第1ペリクル枠の外形状と同じ外形状にカットされることが好ましい。このカットする操作は、「トリミング」と呼ばれている。
 なお、ペリクル膜と第2ペリクル枠との複合部材が、上記一例以外の複合部材である場合も同様の方法によって作製できる。
(ペリクルの一例)
 次に、本実施形態のペリクルの一例を、図8を参照しながら説明する。但し、本実施形態のペリクルはこの一例によって限定されることはない。
 図8は、本実施形態のペリクルの一例(ペリクル500)の概略断面図である。
 図8に示されるように、ペリクル500の構成は、ペリクル膜480と第2ペリクル枠482との複合部材490と、第1ペリクル枠420と、を貼り合わせた構成となっている。
 第1ペリクル枠420は、枠本体400と、枠本体400の一端面に接する接着剤層460と、枠本体400の他端面に接する接着剤層462と、接着剤層462に接する剥離ライナー470と、を備えている。
 枠本体400は、厚さ方向の一端面及び他端面の両方に、それぞれ前述の枠本体100と同様の溝を有している。更に、枠本体400は、前述の枠本体100と同様の貫通孔を有している。
 第1ペリクル枠420の上記一端面は、前述の枠本体100における一端面10に対応する端面であり、第1ペリクル枠420の上記他端面は、前述の枠本体100における他端面20に対応する端面である。
 ペリクル500において、複合部材490と第1ペリクル枠420とは、複合部材490の第2ペリクル枠482と第1ペリクル枠420の接着剤層460とが接するように配置されている。
 即ち、ペリクル500は、枠本体400を備える第1ペリクル枠420と、第1ペリクル枠420の枠本体400の一端面の側に支持されたペリクル膜480と、を備えている。そして第1ペリクル枠420とペリクル膜480との間に、ペリクル膜480に接する第2ペリクル枠482を備えている。
 ペリクル500は、複合部材490と第1ペリクル枠420とを固定する(貼り合わせる)ことによって作製されることが好ましい。
 この際、枠本体400の一端面に設けられた溝の内部を、この溝に接続する貫通孔を通じて減圧することができるので、複合部材490及び第1ペリクル枠420の各々の前面及び背面に接触することなく、両者を固定することができる。
 なお、第1ペリクル枠420における剥離ライナー470は、接着剤層462の露出面を保護するために設けられている。
 ペリクル500を用いて露光原版を作製する場合には、まず、ペリクル500の第1ペリクル枠420から剥離ライナー470を除去することで接着剤層462を露出させ、次いで、露出した接着剤層462によって、ペリクルと原版とを固定する。
 上記複合部材490としては、多結晶シリコン膜(p-Si膜)であるペリクル膜480とシリコン基板である第2ペリクル枠482との複合部材が好ましい。このような複合部材を製造する方法の例については、前述したとおりである。
 上記枠本体400としては、アルミニウム製又はアルミニウム合金製の枠部材が好ましい。
 また、接着剤層460に含まれる接着剤としては、アクリル樹脂接着剤、エポキシ樹脂接着剤、ポリイミド樹脂接着剤、シリコーン樹脂接着剤、無機系接着剤が好ましい。
 また、接着剤層462に含まれる接着剤としては、両面粘着テープ、シリコーン樹脂粘着剤、アクリル系粘着剤、ポリオレフィン系粘着剤が好ましい。
<ペリクルの製造方法>
 本実施形態のペリクルの製造方法は、本実施形態のペリクル枠とペリクル膜とを、上記枠本体の上記一端面と上記ペリクル膜とが対向するように配置する配置工程と、上記外周面と上記一端面に設けられた溝の壁面との間を貫通する貫通孔を通じ、上記一端面に設けられた溝の内部を減圧することにより、上記ペリクル枠と上記ペリクル膜とを固定する固定工程と、を有する。
 本実施形態のペリクルの製造方法によれば、前述したとおり、上記減圧により、ペリクル枠(枠本体)とペリクル膜との間に押し付け合う力を働かせることができるので、ペリクル枠及びペリクル膜の各々の前面及び背面に接触することなく、両者を固定することができる。
 本実施形態のペリクルの製造方法において、固定工程における減圧は、ペリクル枠及びペリクル膜が加圧雰囲気下に配置された状態で行うことが好ましい。
 この態様によれば、ペリクル枠及びペリクル膜が配置される全体の雰囲気の圧力と、溝の内部の圧力と、の差(差圧)をより大きくすることができるので、ペリクル枠とペリクル膜との間に生じる、押し付け合う力をより大きくすることができる。このため、両者をより容易に固定することができる。
 上記押し付け合う力(ペリクル枠全体に加わる力)は、1N以上が好ましく、2N以上がより好ましい。
 上記押し付け合う力(ペリクル枠全体に加わる力)は、10N以上が更に好ましく、20N以上が特に好ましい。
 上記押し付け合う力(ペリクル枠全体に加わる力)の上限には特に制限はないが、生産性などの点からは、例えば500N、好ましくは400Nである。
 上記製造方法において、前述の第2ペリクル枠を備えるペリクル(例えば前述のペリクル500)を作製する場合には、上記配置工程は、本実施形態のペリクル枠である第1ペリクル枠と、前述した複合部材(ペリクル膜と第2ペリクル枠との複合部材)と、を第1ペリクル枠の枠本体の一端面とペリクル膜とが第2ペリクル枠を介して対向するように配置する工程であってもよい。
 この場合のペリクルの製造方法は、本実施形態のペリクル枠である第1ペリクル枠と、ペリクル膜とこのペリクル膜に接する第2ペリクル枠とを含む複合部材と、を第1ペリクル枠の枠本体の一端面と複合部材の第2ペリクル枠とが対向するように配置する配置工程と、貫通孔を通じて溝の内部を減圧することにより、第1ペリクル枠とペリクル膜とを第2ペリクル枠を介して固定する固定工程と、を有する製造方法である。
<露光原版>
 本実施形態の露光原版は、本実施形態のペリクルと、上記ペリクルの上記第1ペリクル枠の側に配置された原版と、を備える。
 本実施形態の露光原版は、本実施形態のペリクルを備えるので、本実施形態のペリクルと同様の効果を奏する。
 本実施形態の露光原版において、上記第1ペリクル枠の上記枠本体は、更に、厚さ方向の他端面に設けられた溝と、外周面と上記他端面に設けられた溝の壁面との間を貫通する貫通孔と、を有することが好ましい。この態様の露光原版は、ペリクル及び原版の各々の前面及び背面に接触することなく製造することができる。
 ここで、原版としては、支持基板と、この支持基板上に積層された反射層と、反射層上に形成された吸収体層と、を含む原版を用いることができる。吸収体層がEUV光等を一部吸収することで、感応基板(例えば、フォトレジスト膜付き半導体基板)上に、所望の像が形成される。反射層は、モリブデン(Mo)とシリコン(Si)との多層膜でありうる。吸収体層は、クロム(Cr)や窒化タンタル等、EUV光等の吸収性の高い材料でありうる。
<露光原版の製造方法>
 本実施形態の露光原版の製造方法は、本実施形態のペリクルであって、上記第1ペリクル枠の上記枠本体が、更に、厚さ方向の他端面に設けられた溝と、外周面と上記他端面に設けられた溝の壁面との間を貫通する貫通孔と、を有するペリクルと、原版と、を上記他端面と上記原版とが対向するように配置する配置工程と、上記外周面と上記他端面に設けられた溝の壁面との間を貫通する貫通孔を通じ、上記他端面に設けられた溝の内部を減圧することにより、上記ペリクルと上記原版とを固定する固定工程と、を有する。
 本実施形態の露光原版の製造方法によれば、溝の内部の減圧により、ペリクルと原版との間に押し付け合う力を働かせることができるので、ペリクル及び原版の各々の前面及び背面に接触することなく、両者を固定できる。
 本実施形態の露光原版の製造方法において、上記固定工程における上記減圧は、上記ペリクル及び上記原版が加圧雰囲気下に配置された状態で行うことが好ましい。
 この態様によれば、ペリクル及び原版が配置される全体の雰囲気の圧力と、溝の内部の圧力と、の差(差圧)をより大きくすることができるので、ペリクルと原版との間の押し付け合う力をより大きくすることができる。このため、両者をより容易に固定することができる。
 ペリクルと原版との間の押し付け合う力(ペリクル枠全体に加わる力)は、1N以上が好ましく、2N以上がより好ましい。
 ペリクルと原版との間の押し付け合う力(ペリクル枠全体に加わる力)は、10N以上が更に好ましく、20N以上が特に好ましい。
 ペリクルと原版との間の押し付け合う力(ペリクル枠全体に加わる力)の上限には特に制限はないが、生産性などの点からは、例えば500N、好ましくは400Nである。
<露光装置>
 本実施形態の露光装置は、本実施形態の露光原版を備える。
 このため、本実施形態の露光原版と同様の効果を奏する。
 本実施形態の露光装置は、露光光(好ましくはEUV光等、より好ましくはEUV光。以下同じ。)を放出する光源と、本実施形態の露光原版と、上記光源から放出された露光光を上記露光原版に導く光学系と、を備え、上記露光原版は、上記光源から放出された露光光が上記ペリクル膜を透過して上記原版に照射されるように配置されていることが好ましい。
 この態様によれば、EUV光等によって微細化されたパターン(例えば線幅32nm以下)を形成できることに加え、露光光として異物による解像不良が問題となり易いEUV光等を用いた場合であっても、異物による解像不良が低減されたパターン露光を行うことができる。
<半導体装置の製造方法>
 本実施形態の半導体装置の製造方法は、光源から放出された露光光を、本実施形態の露光原版の上記ペリクル膜を透過させて上記原版に照射し、上記原版で反射させるステップと、上記原版によって反射された露光光を、上記ペリクル膜を透過させて感応基板に照射することにより、上記感応基板をパターン状に露光するステップと、を有する。
 本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、露光光として異物による解像不良が問題となり易いEUV光等を用いた場合であっても、異物による解像不良が低減された半導体装置を製造することができる。
 図9は、本実施形態の露光装置の一例である、EUV露光装置800の概略断面図である。
 図9に示されるように、EUV露光装置800は、EUV光を放出する光源831と、本実施形態の露光原版の一例である露光原版850と、光源831から放出されたEUV光を露光原版850に導く照明光学系837と、を備える。
 露光原版850は、ペリクル膜812及びペリクル枠814を含むペリクル810と、原版833と、を備えている。この露光原版850は、光源831から放出されたEUV光がペリクル膜812を透過して原版833に照射されるように配置されている。
 原版833は、照射されたEUV光をパターン状に反射するものである。
 ペリクル枠814及びペリクル810は、それぞれ、本実施形態のペリクル枠及びペリクルの一例である。
 EUV露光装置800において、光源831と照明光学系837との間、及び照明光学系837と原版833の間には、フィルター・ウィンドウ820及び825がそれぞれ設置されている。
 また、EUV露光装置800は、原版833が反射したEUV光を感応基板834へ導く投影光学系838を備えている。
 EUV露光装置800では、原版833により反射されたEUV光が、投影光学系838を通じて感応基板834上に導かれ、感応基板834がパターン状に露光される。なお、EUVによる露光は、減圧条件下で行われる。
 EUV光源831は、照明光学系837に向けて、EUV光を放出する。
 EUV光源831には、ターゲット材と、パルスレーザー照射部等が含まれる。このターゲット材にパルスレーザーを照射し、プラズマを発生させることで、EUVが得られる。ターゲット材をXeとすると、波長13nm~14nmのEUVが得られる。EUV光源が発する光の波長は、13nm~14nmに限られず、波長5nm~30nmの範囲内の、目的に適した波長の光であればよい。
 照明光学系837は、EUV光源831から照射された光を集光し、照度を均一化して原版833に照射する。
 照明光学系837には、EUVの光路を調整するための複数枚の多層膜ミラー832と、光結合器(オプティカルインテグレーター)等が含まれる。多層膜ミラーは、モリブデン(Mo)、シリコン(Si)が交互に積層された多層膜等である。
 フィルター・ウィンドウ820,825の装着方法は特に制限されず、接着剤等を介して貼り付ける方法や、機械的にEUV露光装置内に固定する方法等が挙げられる。
 光源831と照明光学系837との間に配置されるフィルター・ウィンドウ820は、光源から発生する飛散粒子(デブリ)を捕捉し、飛散粒子(デブリ)が照明光学系837内部の素子(例えば多層膜ミラー832)に付着しないようにする。
 一方、照明光学系837と原版833との間に配置されるフィルター・ウィンドウ825は、光源831側から飛散する粒子(デブリ)を捕捉し、飛散粒子(デブリ)が原版833に付着しないようにする。
 また、原版に付着した異物は、EUV光を吸収、もしくは散乱させるため、ウエハへの解像不良を引き起こす。したがって、ペリクル810は原版833のEUV照射エリアを覆うように装着されている。EUV光はペリクル膜812を通過して、原版833に照射される。
 原版833で反射されたEUV光は、ペリクル膜812を通過し、投影光学系838を通じて感応基板834に照射される。
 投影光学系838は、原版833で反射された光を集光し、感応基板834に照射する。投影光学系838には、EUVの光路を調製するための複数枚の多層膜ミラー835、836等が含まれる。
 感応基板834は、半導体ウエハ上にレジストが塗布された基板等であり、原版833によって反射されたEUVにより、レジストがパターン状に露光される。このレジストを現像し、半導体ウエハのエッチングを行うことで、半導体ウエハに所望のパターンを形成する。
 2014年5月2日に出願された日本国特許出願2014-095425の開示はその全体が参照により本明細書に取り込まれる。
 本明細書に記載された全ての文献、特許出願、及び技術規格は、個々の文献、特許出願、及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。

Claims (19)

  1.  厚さ方向の一端面であってペリクル膜が支持される側の一端面に設けられた溝と、外周面と前記一端面に設けられた溝の壁面との間を貫通する貫通孔と、を有する枠本体を備える、ペリクル枠。
  2.  前記枠本体は、更に、厚さ方向の他端面に設けられた溝と、外周面と前記他端面に設けられた溝の壁面との間を貫通する貫通孔と、を有する、請求項1に記載のペリクル枠。
  3.  更に、前記一端面に接する接着剤層を備える、請求項1又は請求項2に記載のペリクル枠。
  4.  請求項1~請求項3のいずれか1項に記載のペリクル枠である第1ペリクル枠と、
     前記第1ペリクル枠の前記枠本体の前記一端面の側に支持されたペリクル膜と、
    を備える、ペリクル。
  5.  前記ペリクル膜が、結晶シリコン、ダイヤモンドライクカーボン、グラファイト、アモルファスカーボン、グラフェン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、及び窒化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも1種の無機系材料を含む、請求項4に記載のペリクル。
  6.  前記ペリクル膜の厚さが、10nm~200nmである、請求項4又は請求項5に記載のペリクル。
  7.  前記第1ペリクル枠と前記ペリクル膜との間に、前記ペリクル膜に接する第2ペリクル枠を備える、請求項4~請求項6のいずれか1項に記載のペリクル。
  8.  前記ペリクル膜としてのシリコン結晶膜と前記第2ペリクル枠としての枠形状のシリコン基板とからなる複合部材を備える、請求項7に記載のペリクル。
  9.  請求項1~請求項3のいずれか1項に記載のペリクル枠とペリクル膜とを、前記枠本体の前記一端面と前記ペリクル膜とが対向するように配置する配置工程と、
     前記外周面と前記一端面に設けられた溝の壁面との間を貫通する貫通孔を通じ、前記一端面に設けられた溝の内部を減圧することにより、前記ペリクル枠と前記ペリクル膜とを固定する固定工程と、
    を有する、ペリクルの製造方法。
  10.  前記固定工程における前記減圧は、前記ペリクル枠及び前記ペリクル膜が加圧雰囲気下に配置された状態で行う、請求項9に記載のペリクルの製造方法。
  11.  請求項4~請求項8のいずれか1項に記載のペリクルと、
     前記ペリクルの前記第1ペリクル枠の側に配置された原版と、
    を備える、露光原版。
  12.  前記第1ペリクル枠の前記枠本体は、更に、厚さ方向の他端面に設けられた溝と、外周面と前記他端面に設けられた溝の壁面との間を貫通する貫通孔と、を有する、請求項11に記載の露光原版。
  13.  請求項4~請求項8のいずれか1項に記載のペリクルであって、前記第1ペリクル枠の前記枠本体が、更に、厚さ方向の他端面に設けられた溝、及び、外周面と前記他端面に設けられた溝の壁面との間を貫通する貫通孔を有するペリクルと、原版と、を前記他端面と前記原版とが対向するように配置する配置工程と、
     前記外周面と前記他端面に設けられた溝の壁面との間を貫通する貫通孔を通じ、前記他端面に設けられた溝の内部を減圧することにより、前記ペリクルと前記原版とを固定する固定工程と、
    を有する、露光原版の製造方法。
  14.  前記固定工程における前記減圧は、前記ペリクル及び前記原版が加圧雰囲気下に配置された状態で行う、請求項13に記載の露光原版の製造方法。
  15.  請求項11又は請求項12に記載の露光原版を備える、露光装置。
  16.  露光光を放出する光源と、
     請求項11又は請求項12に記載の露光原版と、
     前記光源から放出された露光光を前記露光原版に導く光学系と、
    を有し、
     前記露光原版は、前記光源から放出された露光光が前記ペリクル膜を透過して前記原版に照射されるように配置されている、露光装置。
  17.  前記露光光が、EUV光である、請求項16に記載の露光装置。
  18.  光源から放出された露光光を、請求項11又は請求項12に記載の露光原版の前記ペリクル膜を透過させて前記原版に照射し、前記原版で反射させるステップと、
     前記原版によって反射された露光光を、前記ペリクル膜を透過させて感応基板に照射することにより、前記感応基板をパターン状に露光するステップと、
    を有する、半導体装置の製造方法。
  19.  前記露光光が、EUV光である、請求項18に記載の半導体装置の製造方法。
PCT/JP2015/062742 2014-05-02 2015-04-27 ペリクル枠、ペリクル及びその製造方法、露光原版及びその製造方法、露光装置、並びに半導体装置の製造方法 WO2015166927A1 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP15786200.4A EP3118683A4 (en) 2014-05-02 2015-04-27 Pellicle frame, pellicle and manufacturing method thereof, exposure original plate and manufacturing method thereof, exposure device, and semiconductor device manufacturing method
US15/304,996 US10216081B2 (en) 2014-05-02 2015-04-27 Pellicle frame, pellicle and method of manufacturing the same, original plate for exposure and method of manufacturing the same, exposure device, and method of manufacturing semiconductor device
JP2016516378A JP6279719B2 (ja) 2014-05-02 2015-04-27 ペリクル枠、ペリクル及びその製造方法、露光原版及びその製造方法、露光装置、並びに半導体装置の製造方法
SG11201608777TA SG11201608777TA (en) 2014-05-02 2015-04-27 Pellicle frame, pellicle and method of manufacturing the same,original plate for exposure and method of manufacturing thesame, exposure device, and method of manufacturingsemiconductor device
KR1020167029221A KR101853576B1 (ko) 2014-05-02 2015-04-27 펠리클 프레임, 펠리클 및 그 제조 방법, 노광 원판 및 그 제조 방법, 노광 장치, 그리고 반도체 장치의 제조 방법
CN201580018782.4A CN106233201A (zh) 2014-05-02 2015-04-27 防护膜组件框、防护膜组件及其制造方法、曝光原版及其制造方法、曝光装置以及半导体装置的制造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-095425 2014-05-02
JP2014095425 2014-05-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015166927A1 true WO2015166927A1 (ja) 2015-11-05

Family

ID=54358654

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2015/062742 WO2015166927A1 (ja) 2014-05-02 2015-04-27 ペリクル枠、ペリクル及びその製造方法、露光原版及びその製造方法、露光装置、並びに半導体装置の製造方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10216081B2 (ja)
EP (1) EP3118683A4 (ja)
JP (1) JP6279719B2 (ja)
KR (1) KR101853576B1 (ja)
CN (1) CN106233201A (ja)
SG (1) SG11201608777TA (ja)
TW (1) TWI670561B (ja)
WO (1) WO2015166927A1 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016006481A (ja) * 2014-05-26 2016-01-14 三井化学株式会社 ペリクル用の支持枠
WO2018043347A1 (ja) 2016-08-29 2018-03-08 エア・ウォーター株式会社 ペリクルの製造方法
WO2018151056A1 (ja) * 2017-02-17 2018-08-23 三井化学株式会社 ペリクル、露光原版、露光装置、及び半導体装置の製造方法
WO2019172170A1 (ja) * 2018-03-09 2019-09-12 株式会社カネカ グラファイト薄膜を含むペリクル
WO2019188445A1 (ja) * 2018-03-27 2019-10-03 三井化学株式会社 ペリクル用支持枠、ペリクル、及びその製造方法、並びにこれらを用いた露光原版、半導体装置の製造方法
US10712656B2 (en) 2015-09-02 2020-07-14 Asml Netherlands B.V. Method for manufacturing a membrane assembly
JP2022009094A (ja) * 2018-04-03 2022-01-14 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付フォトマスク、露光方法、及び半導体デバイスの製造方法
US11474427B2 (en) 2018-04-03 2022-10-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Pellicle frame, pellicle, and method of producing pellicle frame

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG11201701805QA (en) * 2014-09-19 2017-04-27 Mitsui Chemicals Inc Pellicle, production method thereof, exposure method
WO2016043301A1 (ja) * 2014-09-19 2016-03-24 三井化学株式会社 ペリクル、ペリクルの製造方法及びペリクルを用いた露光方法
CN108699687B (zh) 2016-02-19 2022-03-01 爱沃特株式会社 化合物半导体基板、表膜、和化合物半导体基板的制造方法
EP3404487B1 (en) * 2017-05-15 2021-12-01 IMEC vzw Method for forming a carbon nanotube pellicle membrane
EP3404486B1 (en) * 2017-05-15 2021-07-14 IMEC vzw A method for forming a pellicle
JP7038640B2 (ja) * 2018-10-26 2022-03-18 信越化学工業株式会社 ペリクルの剥離方法及びペリクルの剥離装置
US11194246B1 (en) * 2020-03-27 2021-12-07 Intel Corporation Monolithically framed pellicle membrane suitable for lithography in the fabrication of integrated circuits
KR102581084B1 (ko) * 2021-02-04 2023-09-21 주식회사 에프에스티 극자외선 리소그라피용 펠리클 프레임

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1092743A (ja) * 1996-09-06 1998-04-10 Internatl Business Mach Corp <Ibm> X線マスク・ペリクル
US6055040A (en) * 1992-07-13 2000-04-25 Intel Corporation Pellicle frame
JP2009169380A (ja) * 2007-12-21 2009-07-30 Mitsui Chemicals Inc ペリクル
JP2012151158A (ja) * 2011-01-17 2012-08-09 Shin Etsu Chem Co Ltd Euv用ペリクル膜及びペリクル、並びに該膜の製造方法
JP2013534727A (ja) * 2010-06-25 2013-09-05 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置およびリソグラフィ方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4833051A (en) * 1984-08-20 1989-05-23 Nippon Kogaku K.K. Protective device for photographic masks
JPS6358348A (ja) * 1986-08-28 1988-03-14 Fujitsu Ltd レクチルの表面保護用具
US6264773B1 (en) * 1998-09-01 2001-07-24 Mark Damian Cerio Apparatus and method for temporary and permanent attachment of pellicle frame to photomask substrate
JPWO2003034475A1 (ja) * 2001-10-10 2005-02-03 株式会社ニコン ガス置換方法及び装置、マスク保護装置、マスク、露光方法及び装置
US7456932B2 (en) 2003-07-25 2008-11-25 Asml Netherlands B.V. Filter window, lithographic projection apparatus, filter window manufacturing method, device manufacturing method and device manufactured thereby
US20070031736A1 (en) * 2003-09-23 2007-02-08 Koninklijke Phillips Electronics N.V. Method and apparatus for compensating for the effects of gravity on pellicle used for protecting a reticle from contamination
US7619718B2 (en) * 2003-10-07 2009-11-17 Asml Holding N.V. Method and system for active purging of pellicle volumes
JP2006215487A (ja) * 2005-02-07 2006-08-17 Tekkusu Iijii:Kk ペリクル
WO2008105531A1 (ja) * 2007-03-01 2008-09-04 Nikon Corporation ペリクルフレーム装置、マスク、露光方法及び露光装置並びにデバイスの製造方法
KR101191055B1 (ko) * 2007-07-06 2012-10-15 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 대형 펠리클 프레임체 및 그 프레임체의 파지 방법
JP4861963B2 (ja) 2007-10-18 2012-01-25 信越化学工業株式会社 ペリクルおよびペリクルの製造方法
JP5489499B2 (ja) * 2009-03-18 2014-05-14 オリンパス株式会社 薄膜の貼り付け方法、およびそれにより製造されたペリクル光学素子
JP5394808B2 (ja) 2009-04-22 2014-01-22 信越化学工業株式会社 リソグラフィ用ペリクルおよびその製造方法
JP5047232B2 (ja) * 2009-06-26 2012-10-10 信越化学工業株式会社 ペリクル
KR101572269B1 (ko) 2009-09-14 2015-12-04 에스케이하이닉스 주식회사 극자외선 마스크를 보호하는 펠리클 제조 방법
JP2012237838A (ja) * 2011-05-11 2012-12-06 Seto Engineering Co Ltd フレーム接着剤の除去方法
JP2013222143A (ja) * 2012-04-18 2013-10-28 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法および露光用マスク

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6055040A (en) * 1992-07-13 2000-04-25 Intel Corporation Pellicle frame
JPH1092743A (ja) * 1996-09-06 1998-04-10 Internatl Business Mach Corp <Ibm> X線マスク・ペリクル
JP2009169380A (ja) * 2007-12-21 2009-07-30 Mitsui Chemicals Inc ペリクル
JP2013534727A (ja) * 2010-06-25 2013-09-05 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置およびリソグラフィ方法
JP2012151158A (ja) * 2011-01-17 2012-08-09 Shin Etsu Chem Co Ltd Euv用ペリクル膜及びペリクル、並びに該膜の製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3118683A4 *

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170020325A (ko) * 2014-05-26 2017-02-22 니폰게이긴조쿠가부시키가이샤 펠리클용의 지지 프레임
JP2016006481A (ja) * 2014-05-26 2016-01-14 三井化学株式会社 ペリクル用の支持枠
KR102327470B1 (ko) * 2014-05-26 2021-11-16 니폰게이긴조쿠가부시키가이샤 펠리클용의 지지 프레임
US10712656B2 (en) 2015-09-02 2020-07-14 Asml Netherlands B.V. Method for manufacturing a membrane assembly
US11119402B2 (en) 2016-08-29 2021-09-14 Air Water Inc. Method for manufacturing of pellicle
WO2018043347A1 (ja) 2016-08-29 2018-03-08 エア・ウォーター株式会社 ペリクルの製造方法
WO2018151056A1 (ja) * 2017-02-17 2018-08-23 三井化学株式会社 ペリクル、露光原版、露光装置、及び半導体装置の製造方法
JPWO2018151056A1 (ja) * 2017-02-17 2019-12-12 三井化学株式会社 ペリクル、露光原版、露光装置、及び半導体装置の製造方法
US11137677B2 (en) 2017-02-17 2021-10-05 Mitsui Chemicals, Inc. Pellicle, exposure original plate, exposure device, and semiconductor device manufacturing method
WO2019172170A1 (ja) * 2018-03-09 2019-09-12 株式会社カネカ グラファイト薄膜を含むペリクル
JPWO2019172170A1 (ja) * 2018-03-09 2021-03-04 株式会社カネカ グラファイト薄膜を含むペリクル
JP7304035B2 (ja) 2018-03-09 2023-07-06 株式会社カネカ グラファイト薄膜を含むペリクル
JPWO2019188445A1 (ja) * 2018-03-27 2021-03-11 三井化学株式会社 ペリクル用支持枠、ペリクル、及びその製造方法、並びにこれらを用いた露光原版、半導体装置の製造方法
WO2019188445A1 (ja) * 2018-03-27 2019-10-03 三井化学株式会社 ペリクル用支持枠、ペリクル、及びその製造方法、並びにこれらを用いた露光原版、半導体装置の製造方法
US11243463B2 (en) 2018-03-27 2022-02-08 Mitsui Chemicals, Inc. Supporting frame for pellicle, pellicle, method for manufacturing same, exposure master using same, and method for manufacturing semiconductor device
JP2022009094A (ja) * 2018-04-03 2022-01-14 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付フォトマスク、露光方法、及び半導体デバイスの製造方法
US11474427B2 (en) 2018-04-03 2022-10-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Pellicle frame, pellicle, and method of producing pellicle frame

Also Published As

Publication number Publication date
JP6279719B2 (ja) 2018-02-14
KR101853576B1 (ko) 2018-04-30
US10216081B2 (en) 2019-02-26
US20170192349A1 (en) 2017-07-06
EP3118683A4 (en) 2017-11-01
SG11201608777TA (en) 2016-12-29
TW201543141A (zh) 2015-11-16
CN106233201A (zh) 2016-12-14
KR20160138160A (ko) 2016-12-02
TWI670561B (zh) 2019-09-01
EP3118683A1 (en) 2017-01-18
JPWO2015166927A1 (ja) 2017-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6279719B2 (ja) ペリクル枠、ペリクル及びその製造方法、露光原版及びその製造方法、露光装置、並びに半導体装置の製造方法
CN113917783B (zh) 防护膜组件、其制造方法及曝光方法
JP6367342B2 (ja) ペリクル、ペリクルの製造方法及びペリクルを用いた露光方法
JP2017083791A (ja) ペリクル、ペリクルの製造方法及びペリクルを用いた露光方法
JP6253641B2 (ja) リフレクタ、ペリクル、リソグラフィマスク、膜、スペクトル純度フィルタ、および、装置
WO2015174412A1 (ja) ペリクル枠、ペリクル、枠部材、露光原版、露光装置、及び半導体装置の製造方法
JP6106337B2 (ja) ペリクル製造装置
JP5189614B2 (ja) ペリクル及びその取り付け方法、並びにペリクル付マスク及びマスク
CN107533283B (zh) 防护膜组件的制造方法及带有防护膜组件的光掩模的制造方法
KR20090009097A (ko) 페리클 프레임
JP6148796B2 (ja) ペリクルマウント装置
JP2016080967A (ja) ペリクル
KR20110092233A (ko) 리소그래피용 펠리클
TWI716478B (zh) 用於製造膜總成之方法
JP6945726B2 (ja) ペリクル用支持枠、ペリクル、及びその製造方法、並びにこれらを用いた露光原版、半導体装置の製造方法
KR20230146663A (ko) 펠리클, 노광 원판, 노광 장치, 펠리클의 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15786200

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2016516378

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2015786200

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2015786200

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15304996

Country of ref document: US

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20167029221

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE